JP2005079480A - Aligner and method for manufacturing device - Google Patents

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宏明 高岩
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    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an aligner capable of preventing a liquid having the possibility of degrading the performance of the aligner from remaining on a substrate stage in emergency such as power failure, and to provide a method for manufacturing a device using the aligner. <P>SOLUTION: The aligner EX is an immersion-type aligner for carrying out exposure processing while supplying a liquid w between a projection optical system PL and a wafer W. A discharge unit 37 is provided on a wafer stage 25 to discharge the liquid w on the wafer stage 25. When anomaly occurs, the safer stage is moved to a predetermined location by making a roller 40 abut on a guide member 41 or the attitude of the wafer stage 25 is changed to lead the liquid on the wafer stage 25 and the liquid from a liquid supplying apparatus 31 to the discharge unit 37. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、マスク又はレチクルに形成されたパターンをウェハ等の基板上に転写する露光装置及び当該露光装置を用いたデバイス製造方法に関する。   The present invention relates to an exposure apparatus for transferring a pattern formed on a mask or a reticle onto a substrate such as a wafer, and a device manufacturing method using the exposure apparatus.

半導体素子、液晶表示素子、撮像装置（ＣＣＤ等）、薄膜磁気ヘッド等のマイクロデバイスの製造工程の１つとして通常設けられるフォトリソグラフィー工程では、露光対象としての基板（フォトレジストが塗布された半導体ウェハ又はガラスプレート）にマスク又はレチクル（以下、これらを総称するときは、マスクという）に形成されたパターンの縮小像を投影露光する露光装置が用いられる。近年においては、ステップ・アンド・リピート方式の縮小投影露光装置（所謂、ステッパ）又はステップ・アンド・スキャン方式の露光装置が多用されている。   In a photolithography process that is usually provided as one of the manufacturing processes of microdevices such as semiconductor elements, liquid crystal display elements, imaging devices (CCDs, etc.), thin film magnetic heads, etc., a substrate (a semiconductor wafer coated with a photoresist) as an exposure target Alternatively, an exposure apparatus for projecting and exposing a reduced image of a pattern formed on a mask or reticle (hereinafter collectively referred to as a mask) on a glass plate is used. In recent years, step-and-repeat reduction projection exposure apparatuses (so-called steppers) or step-and-scan exposure apparatuses are frequently used.

デバイスの製造、特に半導体素子の製造においては、主として高密度化のために微細化が要求されており、この要求に応えるために露光装置の解像度の向上が図られている。露光装置の解像度を向上させるために、露光装置で用いられる露光光の短波長化か図られている。近年においては、ＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）又はＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）を光源として備える露光装置が実用化されており、０．１μｍ程度のプロセスルールで半導体素子が製造されている。   In the manufacture of devices, particularly in the manufacture of semiconductor elements, miniaturization is required mainly for increasing the density, and in order to meet this requirement, the resolution of the exposure apparatus is improved. In order to improve the resolution of the exposure apparatus, the wavelength of exposure light used in the exposure apparatus has been reduced. In recent years, exposure apparatuses equipped with a KrF excimer laser (wavelength 248 nm) or an ArF excimer laser (wavelength 193 nm) as a light source have been put into practical use, and semiconductor elements are manufactured with a process rule of about 0.1 μm.

また、露光装置の解像度を向上させるために、露光装置が備える投影光学系と基板との間に気体よりも屈折率の高い液体を充満させて投影光学系の開口数（Ｎ．Ａ．）を大きくする液浸式の露光装置も案出されている。この液浸式の露光装置の詳細については、例えば以下の特許文献１を参照されたい。
国際公開第ＷＯ９９／４９５０４号パンフレット Further, in order to improve the resolution of the exposure apparatus, the projection optical system provided with the exposure apparatus and the substrate are filled with a liquid having a refractive index higher than that of the gas so that the numerical aperture (NA) of the projection optical system is increased. A larger immersion type exposure apparatus has also been devised. For details of this immersion type exposure apparatus, see, for example, Patent Document 1 below.
International Publication No. WO99 / 49504 Pamphlet

ところで、上述した液浸式の露光装置は、液体供給装置からの液体を投影光学系と基板との間の空間に供給しつつ、空間に供給された液体を液体回収装置で回収しながら露光処理を行っている。停電等によって露光装置に供給される電源が遮断されると、液体回収装置の動作が停止するため、投影光学系と基板との間の空間に供給された液体は回収されず残存してしまう。   By the way, the above-described liquid immersion type exposure apparatus supplies the liquid from the liquid supply apparatus to the space between the projection optical system and the substrate, and recovers the liquid supplied to the space by the liquid recovery apparatus. It is carried out. When the power supplied to the exposure apparatus is interrupted due to a power failure or the like, the operation of the liquid recovery apparatus stops, so that the liquid supplied to the space between the projection optical system and the substrate remains without being recovered.

また、液体供給装置が動作を停止したとしても、配管内に残存している液体が基板上、更には基板を保持する基板ステージ上に流出して、大量の液体が基板及び基板ステージ上に残存してしまうことがある。この残存した液体を放置すると、液体が基板ステージ内に浸入して錆が生じ、基板ステージの性能を劣化させるという問題が生ずる。また、液体からの水蒸気が投影光学系等に混入することで投影光学系内に設けられるレンズ等の光学素子にウォーターマークが形成されて投影光学系を著しく劣化させる等の問題が生ずる。   Even if the liquid supply device stops operating, the liquid remaining in the pipe flows out onto the substrate and further onto the substrate stage holding the substrate, and a large amount of liquid remains on the substrate and the substrate stage. May end up. If the remaining liquid is left as it is, the liquid enters the substrate stage to cause rust, which causes a problem that the performance of the substrate stage is deteriorated. Further, when water vapor from the liquid is mixed into the projection optical system or the like, a problem arises in that a watermark is formed on an optical element such as a lens provided in the projection optical system and the projection optical system is significantly deteriorated.

本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、停電等の緊急事態においても性能劣化を防止することができる液浸用の露光装置及び当該露光装置を用いたデバイス製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides an immersion exposure apparatus and a device manufacturing method using the exposure apparatus that can prevent performance degradation even in an emergency such as a power failure. Objective.

上記課題を解決するために、本発明の露光装置は、投影光学系（ＰＬ）と液体（ｗ）とを介して基板ステージ（２５、６０）に保持された基板（Ｗ）上に露光光を照射して該基板を露光する露光装置（ＥＸ）であって、異常が発生した際に、液体を液体排出部（３７、３８、６２、６７、６８）に導くために、前記基板ステージの位置及び姿勢の少なくとも一方を調整する可動機構（３９〜４１、６５ａ〜６５ｃ）を備えたことを特徴としている。
この発明によると、停電等の異常発生時に基板ステージの位置及び姿勢の少なくとも一方が調整されるため、基板ステージ上の液体が液体排出部に導かれて基板ステージ外に排出される。
本発明のデバイスの製造方法は、上記の露光装置を用いて基板（Ｗ）に対して露光処理を行う露光工程（Ｓ２６）と、前記露光工程を経た基板の現像を行う現像工程（Ｓ２７）とを含むことを特徴としている。 In order to solve the above problems, an exposure apparatus of the present invention emits exposure light on a substrate (W) held on a substrate stage (25, 60) via a projection optical system (PL) and a liquid (w). An exposure apparatus (EX) that irradiates and exposes the substrate, the position of the substrate stage for guiding the liquid to the liquid discharge section (37, 38, 62, 67, 68) when an abnormality occurs. And a movable mechanism (39 to 41, 65a to 65c) that adjusts at least one of the postures.
According to the present invention, at least one of the position and posture of the substrate stage is adjusted when an abnormality such as a power failure occurs, so that the liquid on the substrate stage is guided to the liquid discharge unit and discharged out of the substrate stage.
The device manufacturing method of the present invention includes an exposure process (S26) for performing an exposure process on the substrate (W) using the exposure apparatus described above, and a development process (S27) for developing the substrate that has undergone the exposure process. It is characterized by including.

本発明によれば、異常発生時に基板ステージの位置又は姿勢が調整することで、基板ステージ上の液体を液体排出部に導いて外部に排出しているため、異常発生時における液体の基板ステージ上への残留を防止させることができる。これにより、基板ステージ上の液体が基板ステージ内に浸入して生ずる錆等による基板ステージの性能劣化を防止することができる。また、基板ステージ上の液体からの水蒸気が投影光学系等に混入して生ずる投影光学系の劣化を防止することができる。   According to the present invention, the liquid on the substrate stage is discharged to the outside by guiding the liquid on the substrate stage to the liquid discharge unit by adjusting the position or posture of the substrate stage when the abnormality occurs. Can be prevented from remaining. Thereby, it is possible to prevent the deterioration of the performance of the substrate stage due to rust or the like caused by the liquid on the substrate stage entering the substrate stage. Further, it is possible to prevent deterioration of the projection optical system caused by water vapor from the liquid on the substrate stage mixed into the projection optical system or the like.

以下、図面を参照して本発明の実施形態による露光装置及びデバイス製造方法について詳細に説明する。   Hereinafter, an exposure apparatus and a device manufacturing method according to embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

〔第１実施形態〕
図１は、本発明の第１実施形態による露光装置の概略構成を示す図である。尚、図１に示す露光装置ＥＸは、投影光学系ＰＬとウェハＷとの間に液体ｗを供給しつつ露光を行う液浸式の露光装置であって、半導体素子の回路パターンＤＰが形成されたレチクルＲを用い、ステップ・アンド・リピート方式により、上記回路パターンＤＰの像をウェハＷに転写する露光装置である。 [First Embodiment]
FIG. 1 is a view showing the schematic arrangement of an exposure apparatus according to the first embodiment of the present invention. The exposure apparatus EX shown in FIG. 1 is an immersion type exposure apparatus that performs exposure while supplying the liquid w between the projection optical system PL and the wafer W, and a circuit pattern DP of a semiconductor element is formed. The exposure apparatus transfers the image of the circuit pattern DP onto the wafer W by the step-and-repeat method using the reticle R.

尚、以下の説明においては、図中に示したＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。ＸＹＺ直交座標系は、Ｘ軸及びＹ軸がウェハＷに対して平行となるよう設定され、Ｚ軸がウェハＷに対して直交する方向に設定されている。図中のＸＹＺ座標系は、実際にはＸＹ平面が水平面に平行な面に設定され、Ｚ軸が鉛直上方向に設定される。   In the following description, the XYZ rectangular coordinate system shown in the figure is set, and the positional relationship of each member will be described with reference to this XYZ rectangular coordinate system. The XYZ orthogonal coordinate system is set so that the X axis and the Y axis are parallel to the wafer W, and the Z axis is set in a direction orthogonal to the wafer W. In the XYZ coordinate system in the figure, the XY plane is actually set to a plane parallel to the horizontal plane, and the Z-axis is set vertically upward.

図１に示す露光装置ＥＸは、露光光を供給するための光源１１として、１９３ｎｍ（ＡｒＦ）の波長の光を供給するＡｒＦエキシマレーザ光源を備えている。光源１１から射出されたほぼ平行光束は、ビーム整形光学系１２を介して所定断面の光束に整形された後、干渉性低減部１３に入射する。干渉性低減部１３は、被照射面であるレチクルＲ上（ひいてはウェハＷ上）での干渉パターンの発生を低減する機能を有する。   The exposure apparatus EX shown in FIG. 1 includes an ArF excimer laser light source that supplies light having a wavelength of 193 nm (ArF) as the light source 11 for supplying exposure light. The substantially parallel light beam emitted from the light source 11 is shaped into a light beam having a predetermined cross section via the beam shaping optical system 12 and then enters the coherence reduction unit 13. The coherence reducing unit 13 has a function of reducing the generation of an interference pattern on the reticle R (and thus on the wafer W) that is the irradiated surface.

干渉性低減部１３の詳細については、例えば特開昭５９−２２６３１７号公報に開示されている。干渉性低減部１３からの光束は、第１フライアイレンズ（第１オプティカルインテグレータ）１４を介して、その後側焦点面に多数の光源を形成する。これらの多数の光源からの光は振動ミラー１５で偏向された後、リレー光学系１６を介して第２フライアイレンズ（第２オプティカルインテグレータ）１７を重畳的に照明し、これにより第２フライアイレンズ１７の後側焦点面には多数の光源からなる二次光源が形成される。   Details of the interference reduction unit 13 are disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 59-226317. The light beam from the coherence reducing unit 13 forms a large number of light sources on the rear focal plane through the first fly-eye lens (first optical integrator) 14. After the light from these many light sources is deflected by the vibrating mirror 15, the second fly's eye lens (second optical integrator) 17 is illuminated in a superimposed manner via the relay optical system 16, thereby the second fly's eye. A secondary light source composed of a number of light sources is formed on the rear focal plane of the lens 17.

第２フライアイレンズ１７の射出面、即ち照明光学系の瞳面（投影光学系ＰＬの瞳面と光学的に共役な面）には開口絞り板１８が駆動モータ（不図示）によって回転自在に配置されている。開口絞り板１８は回転軸の周りで回転自在に構成された円板からなり、通常照明用の円形の開口絞り、輪帯照明用の開口絞り、４極変形照明（４極照明）用の開口絞り、及び小さいコヒーレンスファクタ（σ値）用の小円形の開口絞り等の複数の開口絞りが周方向に沿って形成されている。開口絞り板の回転軸は駆動モータの回転軸に接続されており、駆動モータを駆動して開口絞り板を回転軸の周りで回転させることにより、第２フライアイレンズ１７の射出面に配置する開口絞りを切り替えることができる。駆動モータの駆動は露光装置ＥＸの全体の動作を統括制御する主制御系３０が制御する。   On the exit surface of the second fly-eye lens 17, that is, the pupil plane of the illumination optical system (a plane optically conjugate with the pupil plane of the projection optical system PL), an aperture stop plate 18 can be rotated by a drive motor (not shown). Has been placed. The aperture stop plate 18 is a disk configured to be rotatable around a rotation axis, and is a circular aperture stop for normal illumination, an aperture stop for annular illumination, and an aperture for quadrupole deformation illumination (quadrupole illumination). A plurality of aperture stops such as a stop and a small circular aperture stop for a small coherence factor (σ value) are formed along the circumferential direction. The rotation shaft of the aperture diaphragm plate is connected to the rotation shaft of the drive motor, and is arranged on the exit surface of the second fly-eye lens 17 by driving the drive motor and rotating the aperture diaphragm plate around the rotation axis. The aperture stop can be switched. The drive motor is driven by a main control system 30 that controls the overall operation of the exposure apparatus EX.

第２フライアイレンズ１７によって形成された二次光源からの光束のうちの開口絞り板１８に形成された開口絞りの何れか１つを通過した露光光は、コンデンサ光学系２０及び折り曲げミラー２１を介して、下側面に所定の回路パターンＤＰが形成されたレチクルＲを重畳的に均一照明する。これにより、レチクルＲの照明領域内のパターンの像が両側テレセントリックな投影光学系ＰＬを介して所定の投影倍率β（βは例えば１／４又は１／５等）で、投影光学系ＰＬの像面に配置された基板としてのウェハＷ上の露光領域（投影領域）に投影される。ウェハＷは例えば半導体（シリコン等）又はＳＯＩ（silicon on insulator）等の円板状の基板である。   Of the luminous flux from the secondary light source formed by the second fly-eye lens 17, the exposure light that has passed through any one of the aperture stops formed on the aperture stop plate 18 passes through the condenser optical system 20 and the bending mirror 21. Then, the reticle R having the predetermined circuit pattern DP formed on the lower surface is uniformly illuminated in a superimposed manner. As a result, the image of the pattern in the illumination area of the reticle R is projected at the predetermined projection magnification β (β is, for example, 1/4 or 1/5) via the bilateral telecentric projection optical system PL. Projection is performed on an exposure region (projection region) on the wafer W as a substrate disposed on the surface. The wafer W is a disk-shaped substrate such as a semiconductor (silicon or the like) or SOI (silicon on insulator).

投影光学系ＰＬは、レンズ等の複数の光学素子からなる。本実施形態では、露光光として真空紫外域のＡｒＦエキシマレーザ光源の光を用いているため、投影光学系ＰＬを構成する光学素子の硝材としては、例えば合成石英又は蛍石（フッ化カルシウム：ＣａＦ２）が用いられる。投影光学系ＰＬが備える光学素子の一部は、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸ方向（Ｚ方向）に移動可能且つＸ軸に平行な軸又はＹ軸に平行な軸の周りでチルト可能に構成されており、これらの光学素子は後述するレンズコントローラ部２４によって制御される。尚、本実施形態の投影光学系ＰＬは、ジオプトリック系（屈折系）であるが、カタジオプトリック系（反射屈折系）や反射系も使用できることはいうまでもない。 Projection optical system PL includes a plurality of optical elements such as lenses. In the present embodiment, since light from an ArF excimer laser light source in the vacuum ultraviolet region is used as exposure light, the glass material of the optical element constituting the projection optical system PL is, for example, synthetic quartz or fluorite (calcium fluoride: CaF 2 ) is used. A part of the optical elements provided in the projection optical system PL can be moved in the optical axis AX direction (Z direction) of the projection optical system PL and can be tilted around an axis parallel to the X axis or an axis parallel to the Y axis. These optical elements are controlled by a lens controller unit 24 described later. The projection optical system PL of this embodiment is a dioptric system (refractive system), but it goes without saying that a catadioptric system (catadioptric system) or a reflective system can also be used.

レチクルＲは、レチクルホルダ（不図示）を介して、レチクルステージ２３に載置されている。尚、レチクルステージ２３は、主制御系３０からの指令に基づき、レチクルステージ制御部（不図示）によって駆動される。このとき、レチクルステージ２３の移動は、レチクル干渉計（不図示）とレチクルステージ２３に設けられた移動鏡（不図示）とにより計測され、その計測結果は主制御系３０に出力される。   The reticle R is placed on the reticle stage 23 via a reticle holder (not shown). The reticle stage 23 is driven by a reticle stage control unit (not shown) based on a command from the main control system 30. At this time, the movement of the reticle stage 23 is measured by a reticle interferometer (not shown) and a movable mirror (not shown) provided on the reticle stage 23, and the measurement result is output to the main control system 30.

投影光学系ＰＬには、温度や気圧を計測するとともに、温度、気圧等の環境変化に応じて投影光学系ＰＬの結像特性等の光学特性を一定に制御するレンズコントローラ部２４が設けられている。このレンズコントローラ部２４は計測した温度や気圧を主制御系３０へ出力し、主制御系３０はレンズコントローラ部２４から出力された温度や気圧に基づいて、レンズコントローラ部２４を介して投影光学系ＰＬの結像光学系等の光学特性を制御する。   The projection optical system PL is provided with a lens controller unit 24 that measures temperature and atmospheric pressure and controls optical characteristics such as image formation characteristics of the projection optical system PL according to environmental changes such as temperature and atmospheric pressure. Yes. The lens controller unit 24 outputs the measured temperature and atmospheric pressure to the main control system 30, and the main control system 30 projects the projection optical system via the lens controller unit 24 based on the temperature and atmospheric pressure output from the lens controller unit 24. Controls the optical characteristics of the PL imaging optical system and the like.

ウェハＷは、ウェハステージ２５上のウェハホルダ２６に真空チャックされている。尚、ウェハＷはウェハホルダ２５上に保持されたときに、その上面がウェハステージ２５の上面と一致するように、ウェハホルダ２５の高さ位置が設定されている。ウェハステージ２５は、図中Ｘ軸方向及びＹ軸方向にそれぞれ移動可能な一対のＸステージ２５Ｘ及びＹステージ２５Ｙ（図２参照）を重ね合わせたものであり、ＸＹ平面内での位置が調整自在になっている。   The wafer W is vacuum chucked by the wafer holder 26 on the wafer stage 25. The height position of the wafer holder 25 is set so that the upper surface of the wafer W coincides with the upper surface of the wafer stage 25 when held on the wafer holder 25. The wafer stage 25 is a superposition of a pair of an X stage 25X and a Y stage 25Y (see FIG. 2) that can move in the X-axis direction and the Y-axis direction in the drawing, and the position in the XY plane can be adjusted. It has become.

また、図示は省略しているが、ウェハステージ２５は、Ｚ軸方向にウェハＷを移動させるＺステージ、ウェハＷをＸＹ平面内で微小回転させるステージ、及びＺ軸に対する角度を変化させてＸＹ平面に対するウェハＷの傾きを調整するステージ等から構成される。このように、ウェハステージ２５は、Ｘ軸方向の移動機能、Ｙ軸方向の移動機能、Ｚ軸方向の移動機能、Ｚ軸周りの回転機能、Ｘ軸周りのチルト機能、及びＹ軸周りのチルト機能を有する。   Although not shown, the wafer stage 25 includes a Z stage that moves the wafer W in the Z-axis direction, a stage that rotates the wafer W in the XY plane, and an angle with respect to the Z axis that changes the XY plane. It is comprised from the stage etc. which adjust the inclination of the wafer W with respect to. As described above, the wafer stage 25 has an X-axis direction movement function, a Y-axis direction movement function, a Z-axis direction movement function, a Z-axis rotation function, an X-axis tilt function, and a Y-axis tilt function. It has a function.

ウェハステージ２５の上面の一端には移動鏡２７が取り付けられており、移動鏡２７の鏡面に対向した位置にレーザ干渉計２８が配置されている。尚、図１では図示を簡略化しているが、移動鏡２７はＸ軸に垂直な反射面を有する移動鏡及びＹ軸に垂直な反射面を有する移動鏡より構成されている。また、レーザ干渉計２８は、Ｘ軸に沿って移動鏡２７にレーザビームを照射する２個のＸ軸用のレーザ干渉計及びＹ軸に沿って移動鏡２７にレーザビームを照射するＹ軸用のレーザ干渉計より構成され、Ｘ軸用の１個のレーザ干渉計及びＹ軸用の１個のレーザ干渉計により、ウェハステージ２５のＸ座標及びＹ座標が計測される。   A movable mirror 27 is attached to one end of the upper surface of the wafer stage 25, and a laser interferometer 28 is disposed at a position facing the mirror surface of the movable mirror 27. Although the illustration is simplified in FIG. 1, the movable mirror 27 includes a movable mirror having a reflective surface perpendicular to the X axis and a movable mirror having a reflective surface perpendicular to the Y axis. The laser interferometer 28 includes two X-axis laser interferometers that irradiate the moving mirror 27 with a laser beam along the X axis and a Y-axis laser that irradiates the moving mirror 27 with a laser beam along the Y axis. The X and Y coordinates of the wafer stage 25 are measured by one laser interferometer for the X axis and one laser interferometer for the Y axis.

また、Ｘ軸用の２個のレーザ干渉計の計測値の差により、ウェハステージ２５のＸＹ平面内における回転角が計測される。レーザ干渉計２８により計測されたＸ座標、Ｙ座標、及び回転角の情報はステージ位置情報として主制御系３０に供給される。主制御系３０は供給されたステージ位置情報をモニターしつつ、制御信号をステージ駆動系２９へ出力し、ウェハステージ２５の位置決め動作をナノメートルオーダーで制御する。   Further, the rotation angle of the wafer stage 25 in the XY plane is measured based on the difference between the measurement values of the two X-axis laser interferometers. Information on the X coordinate, Y coordinate, and rotation angle measured by the laser interferometer 28 is supplied to the main control system 30 as stage position information. The main control system 30 outputs a control signal to the stage drive system 29 while monitoring the supplied stage position information, and controls the positioning operation of the wafer stage 25 in nanometer order.

また、図１に示す露光装置ＥＸは、投影光学系ＰＬとウェハＷとの間の空間の少なくとも一部に液体ｗを供給するとともに、供給した液体ｗを回収するために、液体供給装置３１と液体回収装置３２とを備える。液体供給装置３１は、投影光学系ＰＬとウェハＷとの間の少なくとも一部を液体ｗで満たすためのものであって、液体ｗを収容するタンク、加圧ポンプ等を備えて構成される。この液体供給装置３１には供給管３３の一端部が接続されており、供給管３３の他端部には供給ノズル３４が接続されている。これら供給管３３及び供給ノズル３４を介して投影光学系ＰＬとウェハＷとの間の空間に液体ｗが供給される。尚、本実施形態においては、露光光としてＡｒＦレーザ光を用いているので、液体ｗとしては純水を用いている。   In addition, the exposure apparatus EX shown in FIG. 1 supplies the liquid w to at least a part of the space between the projection optical system PL and the wafer W, and collects the supplied liquid w in order to recover the supplied liquid w. And a liquid recovery device 32. The liquid supply device 31 is for filling at least a part between the projection optical system PL and the wafer W with the liquid w, and includes a tank for storing the liquid w, a pressure pump, and the like. One end of a supply pipe 33 is connected to the liquid supply device 31, and a supply nozzle 34 is connected to the other end of the supply pipe 33. The liquid w is supplied to the space between the projection optical system PL and the wafer W through the supply pipe 33 and the supply nozzle 34. In this embodiment, since ArF laser light is used as exposure light, pure water is used as the liquid w.

液体回収装置３２は、吸引ポンプ、回収した液体ｗを収容するタンク等を備える。液体回収装置３２には回収管３５の一端部が接続され、回収管３５の他端部には回収ノズル３６が接続されている。投影光学系ＰＬとウェハＷとの間の空間に供給された液体ｗは、回収ノズル３６及び回収管３５を介して液体回収装置３２に回収される。これら液体供給装置３１及び液体回収装置３２は、主制御系３０により制御される。   The liquid recovery device 32 includes a suction pump, a tank for storing the recovered liquid w, and the like. One end of a recovery tube 35 is connected to the liquid recovery device 32, and a recovery nozzle 36 is connected to the other end of the recovery tube 35. The liquid w supplied to the space between the projection optical system PL and the wafer W is recovered by the liquid recovery device 32 via the recovery nozzle 36 and the recovery tube 35. The liquid supply device 31 and the liquid recovery device 32 are controlled by the main control system 30.

つまり、投影光学系ＰＬとウェハＷとの間の空間に液体ｗを供給する際に、主制御系３０は液体供給装置３１及び液体回収装置３２のそれぞれ対して制御信号を出力して、単位時間当たりの液体ｗの供給量及び回収量を制御する。かかる制御により、液体ｗは投影光学系ＰＬとウェハＷとの間に必要十分な量だけ供給される。図２に示す例では、投影光学系ＰＬとウェハＷとの間の液体ｗをウェハステージ２５の上方に設けられた回収ノズル３６、回収管３５、吸引ポンプ等を用いて回収しているが、これに限定されるものではない。例えば、ウェハステージ２５の上面の周囲に液体ｗの回収部（排出口）を設けてもよいし、これと上記液体回収装置３２とを併用しても良い。   That is, when supplying the liquid w to the space between the projection optical system PL and the wafer W, the main control system 30 outputs a control signal to each of the liquid supply device 31 and the liquid recovery device 32, and unit time The supply amount and recovery amount of the liquid w per unit are controlled. By such control, the liquid w is supplied between the projection optical system PL and the wafer W by a necessary and sufficient amount. In the example shown in FIG. 2, the liquid w between the projection optical system PL and the wafer W is recovered using a recovery nozzle 36, a recovery pipe 35, a suction pump, etc. provided above the wafer stage 25. It is not limited to this. For example, a recovery part (discharge port) for the liquid w may be provided around the upper surface of the wafer stage 25, and this may be used in combination with the liquid recovery device 32.

また、前述したウェハステージ２５上の一端には、露光装置ＥＸに対する電力供給の停止、又はウェハステージ２５の位置制御不能等の異常が生じたときに、液体供給装置３１からウェハステージ２５へ供給される液体ｗをウェハステージ２５の外部へ排出するための排出部３７が設けられている。この排出部３７は例えばウェハステージ２５上の一端に形成された円形の溝と、この溝（排出口）に接続された排出管３８とからなる。また、排出管３８に接続される溝は、円形状に限らず、ウェハステージ２５の上面の周縁部にウェハＷを囲むような形状の溝としてもよく、それらを併用しても良い。   Further, at the one end on the wafer stage 25 described above, when an abnormality such as the stop of the power supply to the exposure apparatus EX or the inability to control the position of the wafer stage 25 occurs, the liquid supply apparatus 31 supplies the wafer stage 25 to the wafer stage 25. A discharge portion 37 for discharging the liquid w to be discharged to the outside of the wafer stage 25 is provided. The discharge unit 37 includes, for example, a circular groove formed at one end on the wafer stage 25 and a discharge pipe 38 connected to the groove (discharge port). Further, the groove connected to the discharge pipe 38 is not limited to a circular shape, and may be a groove having a shape surrounding the wafer W at the peripheral edge of the upper surface of the wafer stage 25, or these may be used in combination.

露光装置ＥＸへの電力供給が停止すると、液体供給装置３１に設けられた不図示の加圧ポンプの動作が停止するため、液体供給装置３１自体からの液体の供給は停止されるが、供給管３３及び供給ノズル３４に残存している液体がウェハステージ２５上に供給されて大量の液体ｗがウェハステージ２５上に残存してしまう。この残存した液体ｗを放置すると、液体ｗが原因となってウェハステージ２５及び投影光学系ＰＬの性能を劣化させる虞がある。このようなウェハステージ２５上の液体ｗをウェハステージ２５外に排出するために排出部３７が設けられている。   When the supply of power to the exposure apparatus EX is stopped, the operation of a pressure pump (not shown) provided in the liquid supply apparatus 31 is stopped, so that the supply of liquid from the liquid supply apparatus 31 itself is stopped, but the supply pipe 33 and the liquid remaining in the supply nozzle 34 are supplied onto the wafer stage 25, and a large amount of liquid w remains on the wafer stage 25. If the remaining liquid w is left unattended, the performance of the wafer stage 25 and the projection optical system PL may be deteriorated due to the liquid w. In order to discharge the liquid w on the wafer stage 25 to the outside of the wafer stage 25, a discharge unit 37 is provided.

また、ウェハステージ２５外の所定位置には、ウェハステージ２５の移動方向であるＸ方向及びＹ方向に沿ってガイド路が設定されたガイド部材４１が配置されている。尚、図１ではガイド部材を略して図示している。このガイド部材４１は、露光装置ＥＸに対する電力供給の停止、又はウェハステージ２５の位置制御不能等（例えば、ステージ駆動系２９から駆動信号が出力されていない場合）の異常が生じたときに、ウェハステージ２５を所定の位置に移動させるためものである。ここにいう所定位置とは、投影光学系ＰＬの下方に排出部３７が配置される位置である。   Further, a guide member 41 having a guide path set along the X direction and the Y direction, which are the moving directions of the wafer stage 25, is disposed at a predetermined position outside the wafer stage 25. In FIG. 1, the guide member is omitted. This guide member 41 is used when an abnormality occurs such as when power supply to the exposure apparatus EX is stopped or the position of the wafer stage 25 cannot be controlled (for example, when a drive signal is not output from the stage drive system 29). This is for moving the stage 25 to a predetermined position. The predetermined position referred to here is a position where the discharge unit 37 is disposed below the projection optical system PL.

更に、ウェハステージ２５には、ガイド部材４１に沿ってウェハステージ２５を上記の所定位置に移動させるコロ部材３９が設けられている。このコロ部材３９は、その先端にコロ４０が取り付けられており、他端がウェハステージ２５の一方の側面に取り付けられている。尚、図１においては、ウェハステージ２５におけるＹ方向の一方の側面に取り付けられたコロ部材のみを図示しているが、コロ部材３９はウェハステージ２５のＸ方向の一方の側面にも取り付けられている（図２参照）。   Further, the wafer stage 25 is provided with a roller member 39 that moves the wafer stage 25 to the predetermined position along the guide member 41. The roller member 39 has a roller 40 attached to the tip thereof and the other end attached to one side surface of the wafer stage 25. In FIG. 1, only the roller member attached to one side surface of the wafer stage 25 in the Y direction is illustrated, but the roller member 39 is attached to one side surface of the wafer stage 25 in the X direction. (See FIG. 2).

コロ部材３９の各々は、Ｘ方向及びＹ方向にそれぞれ伸縮可能に構成されており、露光装置ＥＸに対する電力供給が行われ且つステージ駆動系２９によってウェハステージ２５の位置制御が行われている正常時には縮んだ状態にあって、ガイド部材４１に接触しないようウェハステージ２５に取り付けられている。しかしながら、露光装置ＥＸに対する電力供給の停止、又はウェハステージ２５の位置制御不能等の異常が生じたときには、各々のコロ部材３９はＸ方向及びＹ方向にそれぞれ伸長してガイド部材４１に当接し、ガイド部材４１のガイド路に沿った力を発生させる。   Each of the roller members 39 is configured to be able to expand and contract in the X direction and the Y direction, respectively, and when power is supplied to the exposure apparatus EX and the position control of the wafer stage 25 is performed by the stage drive system 29, it is normal. In the contracted state, it is attached to the wafer stage 25 so as not to contact the guide member 41. However, when an abnormality such as the stop of power supply to the exposure apparatus EX or the inability to control the position of the wafer stage 25 occurs, each roller member 39 extends in the X direction and the Y direction, and abuts against the guide member 41. A force along the guide path of the guide member 41 is generated.

次に、ガイド部材４１の配置及びコロ部材３９の構成について詳細に説明する。図２は、ウェハステージ２５及びガイド部材４１の配置関係を示す上面図である。尚、図２においては、図１に示した部材と同一の部材には同一の符号を付してある。図２に示す通り、ウェハステージ２５は、長手方向がＸ方向に設定されてＹ方向に沿って移動可能に構成されたＹステージ２５Ｙと、Ｙステージ２５Ｙに沿ってＸ方向に移動可能に構成されたＸステージ２５Ｘとから構成されている。尚、Ｘステージ２５Ｘ上にはウェハＷの姿勢を制御するＺステージ、Ｚステージ上に配置されるウェハテーブル、及びウェハＷを保持するウェハホルダ２６が設けられているが、図２においてはこれらの図示を省略している。   Next, the arrangement of the guide member 41 and the configuration of the roller member 39 will be described in detail. FIG. 2 is a top view showing the positional relationship between the wafer stage 25 and the guide member 41. In FIG. 2, the same members as those shown in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals. As shown in FIG. 2, the wafer stage 25 is configured such that the longitudinal direction is set to the X direction and the Y stage 25Y is configured to be movable along the Y direction, and is movable along the Y stage 25Y in the X direction. X stage 25X. On the X stage 25X, there are provided a Z stage for controlling the posture of the wafer W, a wafer table disposed on the Z stage, and a wafer holder 26 for holding the wafer W. In FIG. Is omitted.

Ｘステージ２５Ｘ上の不図示のウェハテーブルには排出部３７が形成されており、このウェハテーブルに形成されたウェハホルダ２６上にはウェハＷが保持される。かかる構成のウェハステージ２５は、Ｘステージ２５ＸがＹステージ２５Ｙに沿って移動することでウェハＷをＸ方向に移動させることができる。また、Ｙステージ２５ＹがＹ方向に移動することで、Ｙステージ２５Ｙ及びＸステージ２５Ｘが一体となってＹ方向に移動するため、ウェハＷをＹ方向に移動させることができる。   A discharge unit 37 is formed on a wafer table (not shown) on the X stage 25X, and a wafer W is held on a wafer holder 26 formed on the wafer table. The wafer stage 25 having such a configuration can move the wafer W in the X direction by the X stage 25X moving along the Y stage 25Y. Further, since the Y stage 25Y moves in the Y direction, the Y stage 25Y and the X stage 25X move together in the Y direction, so that the wafer W can be moved in the Y direction.

また、Ｘステージ２５ＸのＹ方向における一方の側面（＋Ｙ方向側）にはＹ方向に伸縮可能に構成されたコロ部材３９Ｘが取り付けられており、Ｙステージ３９ＹのＸ方向における一方の側面（＋Ｘ方向側）にはＸ方向に伸縮可能に構成されたコロ部材３９Ｙが取り付けられている。更に、Ｙステージ２５ＹのＹ方向における一方の側面（＋Ｙ方向側）には、Ｙステージ２５ＹのＸ方向の両端部の各々に固定されてＹ方向に延びた支持部材Ｂによって略Ｘ方向に沿ってガイド路４２Ｘが設定されたガイド部材４１Ｘが支持されている。このガイド部材４１ＸはＹステージ２５Ｙの移動とともに移動する。また、Ｙステージ２５Ｙの＋Ｘ方向には、略Ｙ方向に沿ってガイド路４２Ｙが設定されたガイド部材４１Ｙが配置されている。このガイド部材４１Ｙは位置が固定した状態で配置されている。   Further, a roller member 39X configured to be extendable in the Y direction is attached to one side surface (+ Y direction side) of the X stage 25X in the Y direction, and one side surface (+ X direction) of the Y stage 39Y in the X direction is attached. A roller member 39Y configured to be extendable and contractible in the X direction is attached to the side). Further, on one side surface (+ Y direction side) of the Y stage 25Y in the Y direction, the support member B is fixed to each of both end portions of the Y stage 25Y in the X direction and extends in the Y direction along the substantially X direction. A guide member 41X in which a guide path 42X is set is supported. The guide member 41X moves with the movement of the Y stage 25Y. Further, a guide member 41Y in which a guide path 42Y is set substantially along the Y direction is disposed in the + X direction of the Y stage 25Y. The guide member 41Y is disposed in a fixed position.

ガイド部材４１Ｘに設けられたガイド路４２Ｘは、Ｘ軸に対して所定の傾斜をもって形成されている。Ｘ軸に対するガイド路４２Ｘの傾斜は、例えばＸ方向の位置が１ｍ変化する毎にＹ方向の位置が１０ｍｍ変化する程度の傾斜である。このガイド路４２Ｘは、傾斜の方向が異なる２つの部分からなるＶ字形状であり、ガイド路４２Ｘの略中心方向に向かうにつれて、ガイド路４２ＸのＹ方向の位置がコロ部材３９Ｘから遠ざかるように、つまりガイド路４２Ｘの略中心方向に向かうにつれて、ガイド路４２ＸのＹ方向の位置が＋Ｙ方向に変化するように設定されている。ガイド路４２Ｘは、２つの部分が交差する交差点４３Ｘの位置においてコロ部材３９Ｘから最も遠ざかるよう設定されている。   The guide path 42X provided in the guide member 41X is formed with a predetermined inclination with respect to the X axis. The inclination of the guide path 42X with respect to the X axis is, for example, such an inclination that the position in the Y direction changes by 10 mm every time the position in the X direction changes by 1 m. The guide path 42X has a V-shape composed of two parts with different inclination directions, and the position of the guide path 42X in the Y direction moves away from the roller member 39X toward the substantially central direction of the guide path 42X. That is, the position of the guide path 42X in the Y direction is set so as to change in the + Y direction toward the substantially central direction of the guide path 42X. The guide path 42X is set to be farthest from the roller member 39X at the position of the intersection 43X where the two portions intersect.

また、ガイド部材４１Ｙに設けられたガイド路４２Ｙは、Ｙ軸に対して所定の傾斜をもって形成されている。このガイド路４２ＹのＹ軸に対する傾斜は、例えばＹ方向の位置が１ｍ変化する毎にＸ方向の位置が１０ｍｍ変化する程度の傾斜である。このガイド路４２Ｙは、上記のガイド路４２Ｘと同様に傾斜の方向が異なる２つの部分からなるＶ字形状であり、２つの部分が交差する交差点４３Ｙの位置において、Ｙステージ２５Ｙに取り付けられたコロ部材３９Ｙから最も遠ざかるよう設定されている。   The guide path 42Y provided in the guide member 41Y is formed with a predetermined inclination with respect to the Y axis. The inclination of the guide path 42Y with respect to the Y axis is, for example, such that the position in the X direction changes by 10 mm every time the position in the Y direction changes by 1 m. This guide path 42Y has a V-shape consisting of two parts with different inclination directions, similar to the above-mentioned guide path 42X, and a roller attached to the Y stage 25Y at the position of an intersection 43Y where the two parts intersect. It is set so as to be farthest from the member 39Y.

ガイド路４２Ｘにおける交差点４３ＸのＸ座標位置は、排出部３７が投影光学系ＰＬの中心部の下方に位置しているときのコロ部材３９ＸのＸ座標位置に設定される。また、ガイド路４２Ｙにおける交差点４３ＹのＹ座標位置は、排出部３７が投影光学系ＰＬの中心部の下方に位置しているときのコロ部材３９ＹのＹ座標位置に設定される。コロ部材３９Ｘがガイド部材４１Ｘに当接すると、ガイド路４２Ｘに沿った力が発生するが、コロ部材３９Ｘのコロ４０Ｘが交差点４３Ｘの位置にあるときには、コロ４０Ｘに加わる合力は零になる。同様に、コロ部材３９Ｙがガイド部材４１Ｙに当接すると、ガイド路４２Ｙに沿った力が発生するが、コロ部材３９Ｙのコロ４０Ｙが交差点４３Ｙの位置にあるときには、コロ４０Ｙに加わる合力は零になる。   The X coordinate position of the intersection 43X on the guide path 42X is set to the X coordinate position of the roller member 39X when the discharge portion 37 is positioned below the center portion of the projection optical system PL. Further, the Y coordinate position of the intersection 43Y on the guide path 42Y is set to the Y coordinate position of the roller member 39Y when the discharge unit 37 is positioned below the center of the projection optical system PL. When the roller member 39X contacts the guide member 41X, a force along the guide path 42X is generated. However, when the roller 40X of the roller member 39X is at the intersection 43X, the resultant force applied to the roller 40X becomes zero. Similarly, when the roller member 39Y comes into contact with the guide member 41Y, a force along the guide path 42Y is generated. However, when the roller 40Y of the roller member 39Y is at the intersection 43Y, the resultant force applied to the roller 40Y is zero. Become.

図３は、コロ部材３９Ｘ，３９Ｙの概略構成を示す断面図であって、（ａ）は正常時の状態を示す図であり、（ｂ）は異常時の状態を示す図である。尚、図２に示すコロ部材３９Ｘ，３９Ｙは同様の構成であるため、これらをまとめてコロ部材３９として説明する。図３（ａ），（ｂ）に示す通り、コロ部材３９は、シリンダ５０、仕切板５１、シャフト５２、及び引っ張りバネ５３を含んで構成される。   3A and 3B are cross-sectional views showing a schematic configuration of the roller members 39X and 39Y, in which FIG. 3A is a diagram showing a normal state, and FIG. 3B is a diagram showing an abnormal state. The roller members 39X and 39Y shown in FIG. 2 have the same configuration, and therefore will be collectively described as the roller member 39. As shown in FIGS. 3A and 3B, the roller member 39 includes a cylinder 50, a partition plate 51, a shaft 52, and a tension spring 53.

シリンダ５０は直径が６０ｍｍ程度に設定され、軸方向の長さが数十ｍｍ程度に設定された中空円柱形状の部材である。このシリンダ５０はウェハステージ２５に取り付けられており、その内部には内部空間を仕切るとともに軸方向に移動可能な仕切板５１が配置されている。以下、仕切板５１によって仕切られる２つの空間をそれぞれ第１空間ＳＰ１、第２空間ＳＰ２という。尚、仕切板５１の軸方向の移動ストロークは１０ｍｍ程度である。   The cylinder 50 is a hollow cylindrical member having a diameter set to about 60 mm and an axial length set to about several tens of mm. The cylinder 50 is attached to the wafer stage 25, and a partition plate 51 that partitions the internal space and is movable in the axial direction is disposed therein. Hereinafter, the two spaces partitioned by the partition plate 51 are referred to as a first space SP1 and a second space SP2, respectively. The axial movement stroke of the partition plate 51 is about 10 mm.

シャフト５２は、シリンダ５０の軸方向にシリンダ５０を貫通するように配置される。シャフト５２の一端はシリンダ５０の第１空間ＳＰ１側において仕切板５１に接続されており、シリンダ５０の外部に位置する他端には、コロ４０が取り付けられている。コロ４０の直径は１５ｍｍ程度である。また、シリンダ５０の第１空間ＳＰ１内には、一端がシリンダ５０の内壁に、他端が仕切板５１にそれぞれ接続され、シャフト５２に沿って配置された引っ張りバネ５３が設けられている。   The shaft 52 is disposed so as to penetrate the cylinder 50 in the axial direction of the cylinder 50. One end of the shaft 52 is connected to the partition plate 51 on the first space SP1 side of the cylinder 50, and a roller 40 is attached to the other end located outside the cylinder 50. The diameter of the roller 40 is about 15 mm. Further, in the first space SP <b> 1 of the cylinder 50, a tension spring 53 is provided, one end of which is connected to the inner wall of the cylinder 50 and the other end is connected to the partition plate 51.

また、シリンダ５０には第１空間ＳＰ１に連通する通気口５４と第２空間ＳＰ２に連通する通気口５５とが形成されている。通気口５４には配管５６の一端が接続されており、通気口５５は大気開放されている。配管５６の他端は電磁弁５７に接続されている。この電磁弁５７には加圧気体が供給される配管５９と大気開放された配管５８とが接続されている。電磁弁５７はステージ駆動系２９から駆動信号が出力されている場合には配管５６と配管５９とを連通状態にし、駆動信号が出力されていない場合には配管５６と配管５８とを連通状態にする。   The cylinder 50 is formed with a vent 54 communicating with the first space SP1 and a vent 55 communicating with the second space SP2. One end of a pipe 56 is connected to the vent 54, and the vent 55 is open to the atmosphere. The other end of the pipe 56 is connected to an electromagnetic valve 57. A pipe 59 for supplying pressurized gas and a pipe 58 opened to the atmosphere are connected to the electromagnetic valve 57. When the drive signal is output from the stage drive system 29, the solenoid valve 57 brings the pipe 56 and the pipe 59 into communication with each other, and when the drive signal is not outputted, the solenoid valve 57 puts the pipe 56 and the pipe 58 into communication. To do.

本実施形態においては、露光装置ＥＸに対する電力供給が停止されたか否か、或いはウェハステージ２５の位置制御が不能であるか否かの判断を、駆動信号が出力されているか否かで行うように設定されている（但し、判断方法はこれに限定されるものではない）。このような構成において、露光装置ＥＸに対する電力供給が行われ且つステージ駆動系２９によってウェハステージ２５の位置制御が行われている正常時には、ステージ駆動系２９からの駆動信号が電磁弁５７が供給されている。このため、配管５６と配管５９とが連通状態にあり、図３（ａ）に示す通り、加圧気体が配管５９から配管５６及び通気口５４を介してシリンダ５０の第１空間ＳＰ１に供給される。   In this embodiment, whether or not the power supply to the exposure apparatus EX is stopped or whether or not the position control of the wafer stage 25 is impossible is determined based on whether or not the drive signal is output. It is set (however, the determination method is not limited to this). In such a configuration, when power is supplied to the exposure apparatus EX and the position control of the wafer stage 25 is being performed by the stage drive system 29, a drive signal from the stage drive system 29 is supplied to the electromagnetic valve 57. ing. Therefore, the pipe 56 and the pipe 59 are in communication with each other, and the pressurized gas is supplied from the pipe 59 to the first space SP1 of the cylinder 50 through the pipe 56 and the vent 54 as shown in FIG. The

この第１空間ＳＰ１に供給される加圧気体により仕切板５１が押されるため、仕切板５１に接続されたシャフト５２がシリンダ５０内に引き込まれた状態になり、これによりコロ４０がシリンダ５０の近傍に位置する。尚、正常時における仕切板５１の位置は、第１空間ＳＰ１に供給される加圧気体が仕切板５１を押す力と引っ張りバネ５３が仕切板５１を引く力とが釣り合う位置である。   Since the partition plate 51 is pushed by the pressurized gas supplied to the first space SP <b> 1, the shaft 52 connected to the partition plate 51 is pulled into the cylinder 50. Located in the vicinity. Note that the position of the partition plate 51 in a normal state is a position where the force by which the pressurized gas supplied to the first space SP1 pushes the partition plate 51 and the force by which the tension spring 53 pulls the partition plate 51 are balanced.

一方、露光装置ＥＸに対する電力供給の停止、又はウェハステージ２５の位置制御不能等の異常が生じたときには、ステージ駆動系２９から電磁弁５７への駆動信号が停止する。これによって、配管５６と配管５８とが連通状態になって第１空間ＳＰ１が大気開放され、仕切板５１に加わる力は引っ張りバネ５３の力のみになる。仕切板５１が引っ張りバネ５３に引っ張られると、第１空間ＳＰ１内の気体は通気口５４、配管５６、及び配管５８を介して排出され、第２空間ＳＰ２には通気口５５を介して大気が供給される。これによって、無駄な力が働くことなく、スムースに第１空間ＳＰ１の容積は小さくなり、逆に第２空間ＳＰ２の容積は大きくなる。   On the other hand, when an abnormality such as the stop of power supply to the exposure apparatus EX or the inability to control the position of the wafer stage 25 occurs, the drive signal from the stage drive system 29 to the electromagnetic valve 57 stops. As a result, the pipe 56 and the pipe 58 are in communication with each other, the first space SP1 is opened to the atmosphere, and the force applied to the partition plate 51 is only the force of the tension spring 53. When the partition plate 51 is pulled by the tension spring 53, the gas in the first space SP1 is discharged through the vent 54, the pipe 56, and the pipe 58, and the atmosphere is discharged into the second space SP2 through the vent 55. Supplied. Accordingly, the volume of the first space SP1 is smoothly reduced without any useless force, and conversely, the volume of the second space SP2 is increased.

仕切板５１が引っ張りバネ５３に引かれることで、シャフト５２がシリンダ５０外に引き出され、コロ部材３９は伸長状態になる。コロ部材３９が伸長状態になると、コロ４０はシリンダ５０から離れた位置に移動してガイド部材４１に当接し、コロ４０がガイド部材４１を押す状態になる。前述したとおり、ガイド部材４１のガイド路４２（４２Ｘ，４２Ｙ）は、Ｘ軸又はＹ軸に対して傾斜しているため、コロ４０はガイド路４２に対して斜め方向からガイド部材４１を押すことになる。この反作用として、コロ４０にはガイド路４２に沿った力が生じるため、コロ４０はガイド路４２に沿って転がり、これによって、コロ部材３９、ひいてはウェハステージ２５がガイド路４２に略沿う方向に移動する。   When the partition plate 51 is pulled by the tension spring 53, the shaft 52 is pulled out of the cylinder 50, and the roller member 39 is in an extended state. When the roller member 39 is in the extended state, the roller 40 moves to a position away from the cylinder 50 and comes into contact with the guide member 41, and the roller 40 presses the guide member 41. As described above, since the guide path 42 (42X, 42Y) of the guide member 41 is inclined with respect to the X axis or the Y axis, the roller 40 pushes the guide member 41 from the oblique direction with respect to the guide path 42. become. As a reaction, a force along the guide path 42 is generated in the roller 40, so that the roller 40 rolls along the guide path 42, so that the roller member 39, and by extension, the wafer stage 25 extends in a direction substantially along the guide path 42. Moving.

異常が生じた場合には、以上説明した動作が図２に示すコロ部材３９Ｘ，３９Ｙの各々で行われる。つまり、コロ部材３９Ｘが伸長状態になってコロ４０Ｘがガイド部材４１Ｘに当接することによりガイド路４２Ｘに沿った力が発生するため、コロ４０Ｘはガイド路４２Ｘに沿って転がり、Ｘステージ２５ＸはＸ方向に移動する。また、コロ部材３９Ｙが伸長状態になってコロ４０Ｙがガイド部材４１Ｙに当接することによりガイド路４２Ｙに沿った力が発生するため、コロ４０Ｙはガイド路４２Ｙに沿って転がり、Ｙステージ２５ＹはＹ方向に移動する。   When an abnormality occurs, the operation described above is performed in each of the roller members 39X and 39Y shown in FIG. That is, since the roller member 39X is extended and the roller 40X contacts the guide member 41X, a force along the guide path 42X is generated. Therefore, the roller 40X rolls along the guide path 42X, and the X stage 25X has the X Move in the direction. Further, the roller 40Y rolls along the guide path 42Y when the roller member 39Y is in the extended state and the roller 40Y contacts the guide member 41Y, so that the roller 40Y rolls along the guide path 42Y, and the Y stage 25Y Move in the direction.

コロ４０Ｘがガイド路４２Ｘに沿って転がって交差点４３Ｘの位置に達すると、コロ４０Ｘに加わる合力が零になるためＸステージ２５ＸのＸ方向への移動は停止する。また、コロ４０Ｙがガイド路４２Ｙに沿って転がって交差点４３Ｙの位置に達すると、コロ４０Ｙに加わる合力が零になるためＹステージ２５ＹのＹ方向への移動は停止する。以上の動作が完了すると、ウェハステージ２５上に形成された排出部３７が投影光学系ＰＬの中心部の下方に配置される。   When the roller 40X rolls along the guide path 42X and reaches the position of the intersection 43X, the resultant force applied to the roller 40X becomes zero, so the movement of the X stage 25X in the X direction stops. Further, when the roller 40Y rolls along the guide path 42Y and reaches the position of the intersection 43Y, the resultant force applied to the roller 40Y becomes zero, so that the movement of the Y stage 25Y in the Y direction stops. When the above operation is completed, the discharge unit 37 formed on the wafer stage 25 is disposed below the center of the projection optical system PL.

図１に示す通り、投影光学系ＰＬの像面側であって、投影光学系ＰＬの中心部近傍には液体ｗを供給する供給ノズル３４及び液体ｗを回収する回収ノズル３６が配置されている。以上説明した動作によって、異常発生時にウェハステージ２５を移動させて排出部３７を投影光学系ＰＬの中心部の下方に配置することにより、供給ノズル３４からの液体ｗを排出部３７及び排出管３８を介してウェハステージ２５外に排出することができる。これにより、異常発生時に供給管３３及び供給ノズル３４に残存している液体がウェハステージ２５上に供給されて大量の液体ｗがウェハステージ２５上に残存する事態を防止することができ、ウェハステージ２５及び投影光学系ＰＬの性能劣化を未然に防ぐことができる。   As shown in FIG. 1, a supply nozzle 34 for supplying the liquid w and a recovery nozzle 36 for recovering the liquid w are disposed on the image plane side of the projection optical system PL and in the vicinity of the center of the projection optical system PL. . By the operation described above, the wafer stage 25 is moved when an abnormality occurs, and the discharge unit 37 is disposed below the center of the projection optical system PL, whereby the liquid w from the supply nozzle 34 is discharged from the discharge unit 37 and the discharge pipe 38. It can be discharged out of the wafer stage 25 via As a result, it is possible to prevent a situation in which the liquid remaining in the supply pipe 33 and the supply nozzle 34 is supplied onto the wafer stage 25 and a large amount of liquid w remains on the wafer stage 25 when an abnormality occurs. 25 and the performance degradation of the projection optical system PL can be prevented.

尚、露光装置ＥＸに対する電力供給が再開され、又はウェハステージ２５の位置制御が再開された場合には、ステージ駆動系２９から図３に示す電磁弁５７へ駆動信号が出力されるため、配管５６と配管５９とが連通状態になる。このため、加圧気体が配管５９から配管５６及び通気口５４を介してシリンダ５０の第１空間ＳＰ１に供給され、この加圧気体により仕切板５１が押されて仕切板５１に接続されたシャフト５２がシリンダ５０内に引き込まれ、コロ部材３９（３９Ｘ，３９Ｙ）が縮んだ状態になる。   Note that when power supply to the exposure apparatus EX is resumed or position control of the wafer stage 25 is resumed, a drive signal is output from the stage drive system 29 to the electromagnetic valve 57 shown in FIG. And the pipe 59 are in communication. For this reason, pressurized gas is supplied from the pipe 59 to the first space SP1 of the cylinder 50 through the pipe 56 and the vent hole 54, and the partition plate 51 is pushed by the pressurized gas and connected to the partition plate 51. 52 is pulled into the cylinder 50, and the roller member 39 (39X, 39Y) is contracted.

〔第２実施形態〕
次に、本発明の第２実施形態による露光装置について説明する。本発明の第２実施形態による露光装置の全体構成は図１に示す露光装置ＥＸとほぼ同様の構成であるが、ウェハステージの構成が異なる。また、本実施形態の露光装置に設けられるウェハステージにはコロ部材３９が取り付けられておらず、更にガイド部材４１が設けられていない点においても相違する。 [Second Embodiment]
Next, an exposure apparatus according to the second embodiment of the present invention will be described. The overall configuration of the exposure apparatus according to the second embodiment of the present invention is substantially the same as that of the exposure apparatus EX shown in FIG. 1, but the configuration of the wafer stage is different. Another difference is that the roller stage 39 is not attached to the wafer stage provided in the exposure apparatus of the present embodiment, and the guide member 41 is not provided.

図４は、本発明の第２実施形態による露光装置に設けられるウェハステージ６０の概略構成を示す上面図である。本実施形態のウェハステージ６０はウェハテーブル６４を備える。このウェハテーブル６４は、ウェハＷを保持するウェハホルダ６１（図５参照）を備えており、また図１に示す排出部３７と同様の機能を有する排出部６２を備えている。更に、Ｘ方向及びＹ方向における一端部に図１に示す移動鏡２７と同様の移動鏡６３Ｘ，６３Ｙが取り付けられている。このウェハテーブル６４は、ウェハステージ６０が備える不図示のＸＹステージ６６（図５参照）上の異なる３箇所に設けられたＺ駆動機構６５ａ〜６５ｃに支持されている。尚、ＸＹステージ６６は、図２に示すＸステージ２５Ｘ及びＹステージ２５Ｙと同様のステージである。   FIG. 4 is a top view showing a schematic configuration of the wafer stage 60 provided in the exposure apparatus according to the second embodiment of the present invention. The wafer stage 60 of this embodiment includes a wafer table 64. The wafer table 64 includes a wafer holder 61 (see FIG. 5) for holding the wafer W, and also includes a discharge unit 62 having the same function as the discharge unit 37 shown in FIG. Further, movable mirrors 63X and 63Y similar to the movable mirror 27 shown in FIG. 1 are attached to one end in the X direction and the Y direction. The wafer table 64 is supported by Z drive mechanisms 65a to 65c provided at three different locations on an XY stage 66 (not shown) provided in the wafer stage 60 (see FIG. 5). The XY stage 66 is the same stage as the X stage 25X and the Y stage 25Y shown in FIG.

図５は、本発明の第２実施形態によるウェハステージ６０の概略構成を示す側面図である。尚、ウェハステージ６０が備えるウェハテーブル６４については断面を図示しており、またＺ駆動機構６５ａ〜６５ｃの内のＺ駆動機構６５ｂ，６５ｃのみを図示している。ウェハＷはウェハテーブル６４上において、その上面がウェハテーブル６４の上面と一致するようにウェハホルダ６１に保持される。排出部６２は、ウェハテーブル６４の上面の一端に形成された円形形状の溝と、この溝とウェハテーブル６４の裏面とを貫通する排出穴６７とからなり、排出穴６７にはウェハテーブル６４の裏面において排出管６８の一端が接続されている。   FIG. 5 is a side view showing a schematic configuration of the wafer stage 60 according to the second embodiment of the present invention. The wafer table 64 included in the wafer stage 60 is shown in cross section, and only the Z drive mechanisms 65b and 65c among the Z drive mechanisms 65a to 65c are shown. The wafer W is held on the wafer table 64 by the wafer holder 61 so that the upper surface thereof coincides with the upper surface of the wafer table 64. The discharge unit 62 includes a circular groove formed at one end of the upper surface of the wafer table 64 and a discharge hole 67 that penetrates the groove and the back surface of the wafer table 64. One end of the discharge pipe 68 is connected to the back surface.

図５に示す通り、Ｚ駆動機構６５ａ，６５ｂは、支持柱７０、圧縮バネ７１、永久磁石７２、及びコイル７３を含んで構成される。尚、不図示のＺ駆動機構６５ａも同様の構成である。支持柱７０はウェハテーブル６４の裏面に固定されており、この支持柱７０の端部に圧縮バネ７１の一端が取り付けられている。圧縮バネ７１の他端はＸＹステージ６６に取り付けられている。   As shown in FIG. 5, the Z drive mechanisms 65 a and 65 b include a support column 70, a compression spring 71, a permanent magnet 72, and a coil 73. The Z drive mechanism 65a (not shown) has the same configuration. The support column 70 is fixed to the back surface of the wafer table 64, and one end of a compression spring 71 is attached to the end of the support column 70. The other end of the compression spring 71 is attached to the XY stage 66.

この圧縮バネ７１は、ウェハテーブル６４を支持するためのものであり、その支持力はＺ駆動機構６５ａ〜６５ｃの各々において異なる力に設定されている。例えば、図４に示す位置関係においては、排出部６２との距離が近いＺ駆動機構６５ａ，６５ｂに設けられた圧縮バネ７１の支持力は、その位置にかかるウェハテーブルの自重よりも小さく設定され、排出部６２との距離が遠いＺ駆動機構６５ｃに設けられた圧縮バネ７１の支持力は、その位置にかかるウェハテーブルの自重よりも大きく設定されている。このようにＺ駆動機構６５ａ〜６５ｃの各々に設けられた圧縮バネ７１の支持力を異ならせるのは、露光装置ＥＸに対する電力供給の停止、又はウェハステージの位置制御不能等の異常が生じたりしたときに、ウェハテーブル６４の姿勢を傾けて、ウェハテーブル６４上にある液体ｗや液体供給装置３１から流出してくる液体を排出部６２に導くためである。   The compression spring 71 is for supporting the wafer table 64, and the support force is set to a different force in each of the Z drive mechanisms 65a to 65c. For example, in the positional relationship shown in FIG. 4, the supporting force of the compression spring 71 provided in the Z drive mechanisms 65a and 65b that are close to the discharge unit 62 is set smaller than the weight of the wafer table at that position. The supporting force of the compression spring 71 provided in the Z drive mechanism 65c that is far from the discharge unit 62 is set to be larger than the weight of the wafer table at that position. As described above, the different support force of the compression spring 71 provided in each of the Z drive mechanisms 65a to 65c may cause an abnormality such as stop of power supply to the exposure apparatus EX or inability to control the position of the wafer stage. At this time, the posture of the wafer table 64 is tilted so that the liquid w on the wafer table 64 and the liquid flowing out from the liquid supply device 31 are guided to the discharge unit 62.

永久磁石７２は支持柱７０のほぼ中央に取り付けられており、この永久磁石７２の周囲にコイル７３が配置される。これら永久磁石７２及びコイル７３はボイスコイルモータ（ＶＣＭ）を構成している。Ｚ駆動機構６５ａ〜６５ｃに設けられたコイル７３の各々に流す電流を調節してＺ駆動機構６５ａ〜６５ｃに設けられた圧縮バネ７１の支持力と、それぞれに加わるウェハテーブルの自重との差を吸収してウェハテーブル６４を水平に保つとともに、ウェハテーブル６４の自重をキャンセルする。尚、Ｚ駆動機構６５ａ〜６５ｃに設けられたコイル７３の各々に流す電流は、図１に示すステージ駆動系２９が制御する。ステージ制御系２９が   The permanent magnet 72 is attached to substantially the center of the support column 70, and a coil 73 is disposed around the permanent magnet 72. The permanent magnet 72 and the coil 73 constitute a voice coil motor (VCM). The difference between the supporting force of the compression spring 71 provided in the Z drive mechanisms 65a to 65c and the own weight of the wafer table applied to each of the coils 73 provided in the Z drive mechanisms 65a to 65c by adjusting the current flowing in each of the coils 73 is adjusted. Absorbs and keeps the wafer table 64 horizontal, and cancels its own weight. The stage drive system 29 shown in FIG. 1 controls the current that flows through each of the coils 73 provided in the Z drive mechanisms 65a to 65c. Stage control system 29

上記構成において、露光装置ＥＸに対する電力供給が行われ且つステージ駆動系２９によってウェハステージ６０の位置制御が行われている正常時には、ステージ駆動系２９によってＺ駆動機構６５ａ〜６５ｃの各々に設けられたボイスコイルモータで発生する推力の調整が行われ、Ｚ駆動機構６５ａ〜６５ｃに設けられた圧縮バネ７１の支持力とそれぞれに加わるウェハテーブルの自重との差が吸収されて、ウェハテーブル６４が水平に保たれる。尚、ウェハステージ６０をレベリング制御する際は、各ボイスコイルモータが発生する推力を個別に調整することで、ウェハステージ６０を所望量傾けることができる。尚、本実施形態においては、液体ｗを排出部６２に導く際の傾斜量は、レベリング時に想定されるウェハステージ６０の傾斜量よりも大きく設定されている。   In the above configuration, when power is supplied to the exposure apparatus EX and the position control of the wafer stage 60 is performed by the stage drive system 29, the stage drive system 29 is provided to each of the Z drive mechanisms 65a to 65c. Thrust generated by the voice coil motor is adjusted, and the difference between the supporting force of the compression spring 71 provided in the Z drive mechanisms 65a to 65c and the weight of the wafer table applied to each of them is absorbed, so that the wafer table 64 is horizontal. To be kept. When leveling control of the wafer stage 60 is performed, the wafer stage 60 can be tilted by a desired amount by individually adjusting the thrust generated by each voice coil motor. In the present embodiment, the tilt amount when the liquid w is guided to the discharge unit 62 is set to be larger than the tilt amount of the wafer stage 60 assumed at the time of leveling.

一方、露光装置ＥＸに対する電力供給の停止、又はウェハステージ６０の位置制御不能等の異常が生じたときには、ステージ駆動系２９からＺ駆動機構６５ａ〜６５ｃの各々に設けられたコイル７３への電流供給が遮断される。これにより、Ｚ駆動機構６５ａ〜６５ｃの各々に設けられたボイスコイルモータからの推力発生が停止するため、ウェハテーブル６４は圧縮バネ７１のみによって支持される。   On the other hand, when an abnormality such as the stop of power supply to the exposure apparatus EX or the inability to control the position of the wafer stage 60 occurs, the current is supplied from the stage drive system 29 to the coils 73 provided in each of the Z drive mechanisms 65a to 65c. Is cut off. Thereby, generation of thrust from the voice coil motor provided in each of the Z drive mechanisms 65a to 65c is stopped, so that the wafer table 64 is supported only by the compression spring 71.

前述した通り、Ｚ駆動機構６５ａ〜６５ｃに設けられた圧縮バネは、支持力が自重よりも大きく設定されているものと、支持力が自重よりも小さく設置されているものがあるため、ウェハテーブル６４は傾く。図６は、異常発生時におけるウェハテーブル６４の姿勢の一例を示す図である。本実施形態では、Ｚ駆動機構６５ａ，６５ｂに設けられた圧縮バネ７１の支持力は、それぞれに加わる自重よりも小さく、Ｚ駆動機構６５ｃに設けられた圧縮バネ７１の支持力は、それに加わる自重よりも大きく設定されている。このため、図６に示す通り、Ｚ駆動機構６５ｃに設けられた圧縮バネ７１はウェハテーブル６４を上方に押し上げ、逆にＺ駆動機構７５ｂ及び図６においては不図示のＺ駆動機構７５ａに設けられた圧縮バネ７１はウェハテーブル６４によって押し下げられる。これによって、排出部６２が形成された端部が他の端部よりも相対的に下方に位置するようにウェハテーブル６４は傾く。   As described above, the compression springs provided in the Z drive mechanisms 65a to 65c have a support force set larger than its own weight and a support spring whose support force is set smaller than its own weight. 64 tilts. FIG. 6 is a diagram illustrating an example of the posture of the wafer table 64 when an abnormality occurs. In this embodiment, the supporting force of the compression spring 71 provided in the Z drive mechanisms 65a and 65b is smaller than the own weight applied to each, and the support force of the compression spring 71 provided in the Z drive mechanism 65c is the own weight applied thereto. Is set larger than. Therefore, as shown in FIG. 6, the compression spring 71 provided in the Z drive mechanism 65c pushes the wafer table 64 upward, and conversely, it is provided in the Z drive mechanism 75b and the Z drive mechanism 75a (not shown in FIG. 6). The compressed spring 71 is pushed down by the wafer table 64. As a result, the wafer table 64 is tilted so that the end portion where the discharge portion 62 is formed is positioned relatively below the other end portion.

図示の通り、排出部６２が形成された端部が他の端部よりも相対的に下方に位置するようにウェハテーブル６４が傾くと、ウェハテーブル６４上に残存している液体がウェハテーブル６４上を伝って排出部６２に導かれ、排出部６２から排出管６８を介してウェハステージ６０の外部に排出される。また、図６に示す通り、投影光学系ＰＬの下方に排出部６２が位置している場合には、供給ノズル３４からの液体が直接排出部６２に導かれて外部に排出される。尚、投影光学系ＰＬの下方に排出部６２が位置していなくとも供給ノズル３４からの液体は、ウェハテーブル６４上を伝って排出部６２に導かれ、外部に排出される。また、ウェハテーブル６４の上面に排出ガイドを設けておき、ウェハテーブル６４上に流出した液体が液体排出部６７に集まるようにしてもよい。ウェハステージ（ウェハテーブル）を撥水性にしておくと、液体をより回収し易くなる。   As shown in the drawing, when the wafer table 64 is tilted so that the end portion where the discharge portion 62 is formed is positioned relatively below the other end portion, the liquid remaining on the wafer table 64 is transferred to the wafer table 64. It is guided to the discharge unit 62 through the top, and discharged from the discharge unit 62 to the outside of the wafer stage 60 through the discharge pipe 68. Further, as shown in FIG. 6, when the discharge unit 62 is located below the projection optical system PL, the liquid from the supply nozzle 34 is directly guided to the discharge unit 62 and discharged to the outside. Even if the discharge unit 62 is not located below the projection optical system PL, the liquid from the supply nozzle 34 is guided to the discharge unit 62 through the wafer table 64 and discharged to the outside. Further, a discharge guide may be provided on the upper surface of the wafer table 64 so that the liquid that has flowed out onto the wafer table 64 collects in the liquid discharge portion 67. If the wafer stage (wafer table) is made water-repellent, it becomes easier to recover the liquid.

このように、本発明の第２実施形態においては、異常発生時にウェハテーブル６４の姿勢を変えているため、供給管３３及び供給ノズル３４に残存している液体がウェハステージ６０上に供給されても、この液体はウェハテーブル６４上を伝って排出部６２から外部に排出される。従って、大量の液体ｗがウェハテーブル６４上に残存する事態を防止することができ、ウェハステージ６０及び投影光学系ＰＬの性能劣化を未然に防ぐことができる。尚、露光装置ＥＸに対する電力供給が再開され、又はウェハステージ６０の位置制御が再開された場合には、ステージ駆動系２９からＺ駆動機構６５ａ〜６５ｃに設けられたコイル７３の各々に電流が供給されるため、再びウェハテーブル６４の水平が保たれる。   As described above, in the second embodiment of the present invention, since the posture of the wafer table 64 is changed when an abnormality occurs, the liquid remaining in the supply pipe 33 and the supply nozzle 34 is supplied onto the wafer stage 60. However, the liquid travels on the wafer table 64 and is discharged from the discharge unit 62 to the outside. Therefore, it is possible to prevent a large amount of liquid w from remaining on the wafer table 64, and to prevent performance degradation of the wafer stage 60 and the projection optical system PL. When power supply to the exposure apparatus EX is resumed or position control of the wafer stage 60 is resumed, current is supplied from the stage drive system 29 to each of the coils 73 provided in the Z drive mechanisms 65a to 65c. Therefore, the level of the wafer table 64 is maintained again.

尚、以上の説明では、第１実施形態と第２実施形態とを個別に説明したが、第１実施形態と第２実施形態とを組み合わせた構成であってもよい。つまり、ウェハステージにコロ部材を取り付けるとともにガイド部材を配置し、且つウェハステージに設けられるウェハテーブルを異なる支持力で支持する圧縮ばね及び各々の圧縮ばねの支持力の差を吸収する推力を発生するボイスコイルモータを設けた構成である。かかる構成にすることで、異常発生時には、ウェハテーブルを傾けるとともに、ウェハテーブル（ウェハステージ）を所定位置に移動させることができる。   In the above description, the first embodiment and the second embodiment are individually described. However, the first embodiment and the second embodiment may be combined. In other words, the roller member is attached to the wafer stage and the guide member is disposed, and the compression spring that supports the wafer table provided on the wafer stage with different support forces and the thrust that absorbs the difference between the support forces of the respective compression springs are generated. It is the structure which provided the voice coil motor. With this configuration, when an abnormality occurs, the wafer table can be tilted and the wafer table (wafer stage) can be moved to a predetermined position.

また、上述した第２実施形態においては、異常が生じたときにＺ駆動機構６５ｃに設けられた圧縮バネ７１がウェハテーブル６４を上方に押し上げ、逆にＺ駆動機構７５ａ，７５ｂに設けられた圧縮バネ７１はウェハテーブル６４によって押し下げられる場合を例に挙げて説明した。しかしながら、投影光学系ＰＬとウェハＷとの間は数ｍｍ程度であるため、異常が生じたときにはＺ駆動機構７５ａ〜７５ｃに設けられた圧縮バネ７１の全てがウェハテーブル６４によって押し下げられるようにすることが好ましい。但し、この場合には圧縮バネ７１各々の押し下げ量が異なるように設定する必要がある。   In the second embodiment described above, when an abnormality occurs, the compression spring 71 provided in the Z drive mechanism 65c pushes the wafer table 64 upward, and conversely, the compression provided in the Z drive mechanisms 75a and 75b. The case where the spring 71 is pushed down by the wafer table 64 has been described as an example. However, since the distance between the projection optical system PL and the wafer W is about several millimeters, all of the compression springs 71 provided in the Z drive mechanisms 75a to 75c are pushed down by the wafer table 64 when an abnormality occurs. It is preferable. However, in this case, it is necessary to set the compression springs 71 to have different push-down amounts.

本実施形態では、自重を支える要素として圧縮バネを用いたが、自重を支えられる要素であれば何であっても良い。例えば、引っ張りバネ、磁石の反発力・吸引力を用いた自重キャンセル機構、空気の圧縮力を利用したエアシリンダやエアマウント等、支えられる自重をある程度一定にできる装置であれば、何れの装置でも構成可能である。   In the present embodiment, a compression spring is used as an element that supports its own weight, but any element that can support its own weight may be used. For example, any device can be used as long as the supported weight can be made constant, such as a tension spring, a self-weight canceling mechanism using the repulsive force / attraction force of a magnet, an air cylinder or air mount using the compressive force of air, etc. It is configurable.

また、各実施形態において、排出部６２の設置場所は、ステージ６０上に限定されるものではない。ステージ６０上には液体を溜めておくための機能のみを設け、ステージ６０が所定の位置にあるときに、吸引機構等によって排出されるようにしてもよい。本実施形態では、液体排出部６２がステージ６０上の一端に設けてある例について説明したが、複数箇所に設けてもよい。また、ステージ上面の周縁部にウェハＷを囲むように形成しても良い。   In each embodiment, the installation location of the discharge unit 62 is not limited to the stage 60. Only a function for storing liquid may be provided on the stage 60, and the liquid may be discharged by a suction mechanism or the like when the stage 60 is in a predetermined position. In the present embodiment, the example in which the liquid discharge unit 62 is provided at one end on the stage 60 has been described, but the liquid discharge unit 62 may be provided at a plurality of locations. Further, it may be formed so as to surround the wafer W at the peripheral edge of the upper surface of the stage.

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に制限されず、本発明の範囲内で自由に変更が可能である。上記実施形態においては、露光光源１として、ＡｒＦエキシマレーザ光源を使用しているため、液体ｗとして純水を用いている。純水は、半導体製造工場等で容易に大量に入手できるとともに、ウェハＷ上のフォトレジストや光学素子（レンズ）等に対する悪影響がない利点がある。また、純水は環境に対する悪影響がないとともに、不純物の含有率が極めて低いため、ウェハＷ表面、及び投影光学系ＰＬの先端面に設けられている光学素子の表面を洗浄する作用も期待できる。   As mentioned above, although embodiment of this invention was described, this invention is not restrict | limited to the said embodiment, It can change freely within the scope of the present invention. In the above embodiment, since an ArF excimer laser light source is used as the exposure light source 1, pure water is used as the liquid w. Pure water can be easily obtained in large quantities at a semiconductor manufacturing factory or the like, and has an advantage that it does not adversely affect the photoresist, optical elements (lenses), etc. on the wafer W. In addition, pure water has no adverse effects on the environment, and since the impurity content is extremely low, it can be expected to clean the surface of the wafer W and the surface of the optical element provided on the front end surface of the projection optical system PL.

波長が１９３ｎｍ程度の露光光に対する純水（水）の屈折率ｎはほぼ１．４４であるため、露光光の光源としてＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）を用いた場合、ウェハＷ上では１／ｎ、即ち約１３４ｎｍに短波長化されて高い解像度が得られる。更に、焦点深度は空気中に比べて約ｎ倍、即ち約１．４４倍に拡大されるため、空気中で使用する場合と同程度の焦点深度が確保できればよい場合には、投影光学系ＰＬの開口数をより増加させることができ、この点でも解像度が向上する。   Since the refractive index n of pure water (water) with respect to exposure light having a wavelength of about 193 nm is approximately 1.44, when ArF excimer laser light (wavelength 193 nm) is used as the light source of exposure light, 1 / on the wafer W The wavelength is shortened to n, that is, about 134 nm, and a high resolution is obtained. Further, since the depth of focus is expanded by about n times, that is, about 1.44 times compared with that in the air, the projection optical system PL can be used when it is sufficient to ensure the same depth of focus as that used in the air. The numerical aperture can be further increased, and the resolution is improved in this respect as well.

尚、液浸露光に用いる露光光源１としてＫｒＦエキシマレーザ光源やＦ２レーザ光源を用いることもできる。Ｆ２レーザ光源を用いる場合、液浸露光用の液体としてはＦ２レーザ光を透過可能な例えばフッ素系オイルや過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）等のフッ素系の液体を用いればよい。また、その他にも、露光光に対する透過性があってできるだけ屈折率が高く、投影光学系ＰＬやウェハＷ表面に塗布されているフォトレジストに対して安定なもの（例えばセダー油）を用いることも可能である。 Note that a KrF excimer laser light source or an F 2 laser light source can also be used as the exposure light source 1 used for immersion exposure. When the F 2 laser light source is used, the liquid for immersion exposure may be a fluorine-based liquid such as fluorine-based oil or perfluorinated polyether (PFPE) that can transmit the F 2 laser light. In addition, it is also possible to use a material (for example, cedar oil) that is transparent to the exposure light, has a refractive index as high as possible, and is stable to the photoresist applied to the projection optical system PL and the wafer W surface. Is possible.

また、上述の実施形態においては、投影光学系ＰＬとウェハＷとの間を局所的に液体で満たす液浸露光装置を採用しているが、特開平６−１２４８７３号公報に開示されているような露光対象の基板を保持したステージを液槽の中で移動させる液浸露光装置や、特開平１０−３０３１１４号公報に開示されているようなステージ上に所定深さの液体槽を形成し、その中に基板を保持する液浸露光装置にも本発明を適用可能である。   In the above-described embodiment, an immersion exposure apparatus that locally fills the space between the projection optical system PL and the wafer W with a liquid is employed. However, as disclosed in JP-A-6-124873. An immersion exposure apparatus for moving a stage holding a substrate to be exposed in the liquid tank, and a liquid tank having a predetermined depth on the stage as disclosed in JP-A-10-303114, The present invention can also be applied to an immersion exposure apparatus that holds a substrate therein.

また、本発明は、特開平１０−１６３０９９号公報、特開平１０−２１４７８３号公報、特表２０００−５０５９５８号公報等に開示されているように、ウェハ等の被処理基板を別々に載置してＸＹ方向に独立に移動可能な２つのステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。   Further, the present invention separately mounts a substrate to be processed such as a wafer as disclosed in JP-A-10-163099, JP-A-10-214783, JP-T 2000-505958, and the like. The present invention can also be applied to a twin stage type exposure apparatus having two stages that can move independently in the XY directions.

また、上述の実施形態においては、液浸式の露光装置に本発明を適用した場合について説明しているが、投影光学系ＰＬとウェハＷとの間が気体（空気や窒素）で満たされている露光装置にも本発明を適用することができる。投影光学系ＰＬとウェハＷとの間が気体で満たされている露光装置の場合も、露光光源１として用いられるのはＡｒＦエキシマレーザ光源に限らない。例えば、上記実施形態では光源１１として、ＡｒＦエキシマレーザ光源の場合を例に挙げて説明したが、これ以外に光源１１としては、例えばｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｉ線（波長３６５ｎｍ）を射出する超高圧水銀ランプ、又はＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）、Ｆ２レーザ（波長１５７ｎｍ）、Ｋｒ２レーザ（波長１４６ｎｍ）、ＹＡＧレーザの高周波発生装置、若しくは半導体レーザの高周波発生装置を用いることができる。 In the above-described embodiment, the case where the present invention is applied to the immersion type exposure apparatus is described. However, the space between the projection optical system PL and the wafer W is filled with gas (air or nitrogen). The present invention can also be applied to existing exposure apparatuses. Even in the case of an exposure apparatus in which the space between the projection optical system PL and the wafer W is filled with gas, the exposure light source 1 is not limited to the ArF excimer laser light source. For example, in the above-described embodiment, the ArF excimer laser light source has been described as an example of the light source 11. However, for example, the light source 11 emits g-line (wavelength 436 nm) and i-line (wavelength 365 nm). An ultra-high pressure mercury lamp, a KrF excimer laser (wavelength 248 nm), an F 2 laser (wavelength 157 nm), a Kr 2 laser (wavelength 146 nm), a YAG laser high-frequency generator, or a semiconductor laser high-frequency generator can be used.

更に、光源としてＤＦＢ半導体レーザ又はファイバーレーザから発振される赤外域、又は可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム（又はエルビウムとイットリビウムの両方）がドープされたファイバーアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を用いても良い。例えば、単一波長レーザの発振波長を１．５１〜１．５９μｍの範囲内とすると、発生波長が１８９〜１９９ｎｍの範囲内である８倍高調波、又は発生波長が１５１〜１５９ｎｍの範囲内である１０倍高調波が出力される。   Furthermore, a single wavelength laser beam in the infrared region or visible region oscillated from a DFB semiconductor laser or fiber laser as a light source is amplified by, for example, a fiber amplifier doped with erbium (or both erbium and yttrium), and nonlinear optics You may use the harmonic which wavelength-converted into the ultraviolet light using the crystal | crystallization. For example, if the oscillation wavelength of a single wavelength laser is in the range of 1.51 to 1.59 μm, the generated wavelength is in the range of 189 to 199 nm, the eighth harmonic, or the generated wavelength is in the range of 151 to 159 nm. A 10th harmonic is output.

特に、発振波長を１．５４４〜１．５５３μｍの範囲内とすると、発生波長が１９３〜１９４ｎｍの範囲内の８倍高調波、即ちＡｒＦエキシマレーザ光とほぼ同一波長となる紫外光が得られ、発振波長を１．５７〜１．５８μｍの範囲内とすると、発生波長が１５７〜１５８ｎｍの範囲内の１０倍高調波、即ちＦ２レ−ザ光とほぼ同一波長となる紫外光が得られる。また、発振波長を１．０３〜１．１２μｍの範囲内とすると、発生波長が１４７〜１６０ｎｍの範囲内である７倍高調波が出力され、特に発振波長を１．０９９〜１．１０６μｍの範囲内とすると、発生波長が１５７〜１５８μｍの範囲内の７倍高調波、即ちＦ２レーザ光とほぼ同一波長となる紫外光が得られる。この場合、単一波長発振レーザとしては例えばイットリビウム・ドープ・ファイバーレーザを用いることができる。 In particular, when the oscillation wavelength is in the range of 1.544 to 1.553 μm, the 8th harmonic in the range of 193 to 194 nm, that is, ultraviolet light having substantially the same wavelength as the ArF excimer laser light is obtained. When the oscillation wavelength is in the range of 1.57 to 1.58 μm, the 10th harmonic wave in the range of 157 to 158 nm, that is, ultraviolet light having substantially the same wavelength as the F 2 laser light is obtained. Further, if the oscillation wavelength is in the range of 1.03 to 1.12 μm, the seventh harmonic whose output wavelength is in the range of 147 to 160 nm is output, and in particular, the oscillation wavelength is in the range of 1.099 to 1.106 μm. If it is inside, the 7th harmonic in the range of 157 to 158 μm, that is, ultraviolet light having substantially the same wavelength as the F 2 laser light is obtained. In this case, for example, an yttrium-doped fiber laser can be used as the single wavelength oscillation laser.

また、前述した実施形態ではステップ・アンド・リピート方式の露光装置を例に挙げて説明したが、ステップ・アンド・スキャン方式の露光装置にも本発明を適用することができる。更に、本発明は半導体素子の製造に用いられる露光装置だけではなく、液晶表示素子（ＬＣＤ）等を含むディスプレイの製造に用いられてデバイスパターンをガラスプレート上へ転写する露光装置、薄膜磁気ヘッドの製造に用いられてデバイスパターンをセラミックウェハ上へ転写する露光装置、及びＣＣＤ等の撮像素子の製造に用いられる露光装置等にも適用することができる。更には、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクル又はマスクを製造するために、ガラス基板又はシリコンウェハなどに回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。ここで、ＤＵＶ（遠紫外）光やＶＵＶ（真空紫外）光などを用いる露光装置では一般的に透過型レチクルが用いられ、レチクル基板としては石英ガラス、フッ素がドープされた石英ガラス、蛍石、フッ化マグネシウム、又は水晶などが用いられる。また、プロキシミティ方式のＸ線露光装置、又は電子線露光装置などでは透過型マスク（ステンシルマスク、メンブレンマスク）が用いられ、マスク基板としてはシリコンウェハなどが用いられる。   In the above-described embodiment, the step-and-repeat type exposure apparatus has been described as an example. However, the present invention can also be applied to a step-and-scan type exposure apparatus. Furthermore, the present invention is not limited to an exposure apparatus used for manufacturing a semiconductor element, but also used for manufacturing a display including a liquid crystal display element (LCD) and the like. The present invention can also be applied to an exposure apparatus that is used for manufacturing and transfers a device pattern onto a ceramic wafer, and an exposure apparatus that is used to manufacture an image sensor such as a CCD. Furthermore, in an exposure apparatus that transfers a circuit pattern onto a glass substrate or a silicon wafer in order to manufacture a reticle or mask used in an optical exposure apparatus, EUV exposure apparatus, X-ray exposure apparatus, electron beam exposure apparatus, or the like. The present invention can also be applied. Here, in an exposure apparatus using DUV (far ultraviolet) light, VUV (vacuum ultraviolet) light, or the like, a transmission type reticle is generally used. As a reticle substrate, quartz glass, fluorine-doped quartz glass, fluorite, Magnesium fluoride or quartz is used. Further, in a proximity type X-ray exposure apparatus or an electron beam exposure apparatus, a transmission mask (stencil mask, membrane mask) is used, and a silicon wafer or the like is used as a mask substrate.

次に、本発明の実施形態による露光装置及び露光方法をリソグラフィ工程で使用したマイクロデバイスの製造方法の実施形態について説明する。図７は、マイクロデバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造例のフローチャートを示す図である。図７に示すように、まず、ステップＳ１０（設計ステップ）において、マイクロデバイスの機能・性能設計（例えば、半導体デバイスの回路設計等）を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップＳ１１（マスク製作ステップ）において、設計した回路パターンを形成したマスク（レチクル）を製作する。一方、ステップＳ１２（ウェハ製造ステップ）において、シリコン等の材料を用いてウェハを製造する。   Next, an embodiment of a manufacturing method of a micro device using the exposure apparatus and the exposure method according to the embodiment of the present invention in the lithography process will be described. FIG. 7 is a flowchart showing a manufacturing example of a micro device (a semiconductor chip such as an IC or LSI, a liquid crystal panel, a CCD, a thin film magnetic head, a micro machine, etc.). As shown in FIG. 7, first, in step S10 (design step), a function / performance design (for example, circuit design of a semiconductor device) of a micro device is performed, and a pattern design for realizing the function is performed. Subsequently, in step S11 (mask manufacturing step), a mask (reticle) on which the designed circuit pattern is formed is manufactured. On the other hand, in step S12 (wafer manufacturing step), a wafer is manufactured using a material such as silicon.

次に、ステップＳ１３（ウェハ処理ステップ）において、ステップＳ１０〜ステップＳ１２で用意したマスクとウェハを使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によってウェハ上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップＳ１４（デバイス組立ステップ）において、ステップＳ１３で処理されたウェハを用いてデバイス組立を行う。このステップＳ１４には、ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程（チップ封入）等の工程が必要に応じて含まれる。最後に、ステップＳ１５（検査ステップ）において、ステップＳ１４で作製されたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にマイクロデバイスが完成し、これが出荷される。   Next, in step S13 (wafer processing step), as will be described later, an actual circuit or the like is formed on the wafer using lithography and the like using the mask and wafer prepared in steps S10 to S12. Next, in step S14 (device assembly step), device assembly is performed using the wafer processed in step S13. This step S14 includes processes such as a dicing process, a bonding process, and a packaging process (chip encapsulation) as necessary. Finally, in step S15 (inspection step), inspections such as an operation confirmation test and a durability test of the microdevice manufactured in step S14 are performed. After these steps, the microdevice is completed and shipped.

図８は、半導体デバイスの場合における、図７のステップＳ１３の詳細なフローの一例を示す図である。図８において、ステップＳ２１（酸化ステップ）においてはウェハの表面を酸化させる。ステップＳ２２（ＣＶＤステップ）においてはウェハ表面に絶縁膜を形成する。ステップＳ２３（電極形成ステップ）においてはウェハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップＳ２４（イオン打込みステップ）においてはウェハにイオンを打ち込む。以上のステップＳ２１〜ステップＳ２４のそれぞれは、ウェハ処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。   FIG. 8 is a diagram showing an example of a detailed flow of step S13 of FIG. 7 in the case of a semiconductor device. In FIG. 8, in step S21 (oxidation step), the surface of the wafer is oxidized. In step S22 (CVD step), an insulating film is formed on the wafer surface. In step S23 (electrode formation step), an electrode is formed on the wafer by vapor deposition. In step S24 (ion implantation step), ions are implanted into the wafer. Each of the above steps S21 to S24 constitutes a pretreatment process at each stage of the wafer processing, and is selected and executed according to a necessary process at each stage.

ウェハプロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップＳ２５（レジスト形成ステップ）において、ウェハに感光剤を塗布する。引き続き、ステップＳ２６（露光ステップ）において、上で説明したリソグラフィシステム（露光装置）及び露光方法によってマスクの回路パターンをウェハに転写する。次に、ステップＳ２７（現像ステップ）においては露光されたウェハを現像し、ステップＳ２８（エッチングステップ）において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップＳ２９（レジスト除去ステップ）において、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、ウェハ上に多重に回路パターンが形成される。   At each stage of the wafer process, when the above-described pre-processing step is completed, the post-processing step is executed as follows. In this post-processing step, first, in step S25 (resist formation step), a photosensitive agent is applied to the wafer. In step S26 (exposure step), the circuit pattern of the mask is transferred to the wafer by the lithography system (exposure apparatus) and the exposure method described above. Next, in step S27 (development step), the exposed wafer is developed, and in step S28 (etching step), the exposed members other than the portion where the resist remains are removed by etching. In step S29 (resist removal step), the resist that has become unnecessary after the etching is removed. By repeatedly performing these pre-processing steps and post-processing steps, multiple circuit patterns are formed on the wafer.

以上説明した本実施形態のデバイス製造方法を用いれば、露光工程（ステップＳ２６）において、液体ｗによるウェハステージ及び投影光学系ＰＬ等が備える光学素子の劣化が殆どなく照度分布が一定の露光光でウェハＷが露光される。このため、レチクルＲに形成された微細なパターンをウェハＷ上へ精確に転写することができ、結果的に最小線幅が０．１μｍ程度の高集積度のデバイスを歩留まり良く生産することができる。   If the device manufacturing method of the present embodiment described above is used, in the exposure step (step S26), exposure light having a constant illuminance distribution with almost no deterioration of the optical elements included in the wafer stage and the projection optical system PL due to the liquid w is provided. The wafer W is exposed. Therefore, a fine pattern formed on the reticle R can be accurately transferred onto the wafer W, and as a result, a highly integrated device having a minimum line width of about 0.1 μm can be produced with a high yield. .

また、半導体素子等のマイクロデバイスだけではなく、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置等で使用されるレチクル又はマスクを製造するために、マザーレチクルからガラス基板やシリコンウェハ等ヘ回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。ここで、ＤＵＶ（深紫外）やＶＵＶ（真空紫外）光等を用いる露光装置では、一般的に透過型レチクルが用いられ、レチクル基板としては石英ガラス、フッ素がドープされた石英ガラス、蛍石、フッ化マグネシウム、又は水晶等が用いられる。また、プロキシミティ方式のＸ線露光装置や電子線露光装置等では、透過型マスク（ステンシルマスク、メンブレンマスク）が用いられ、マスク基板としてはシリコンウェハ等が用いられる。なお、このような露光装置は、ＷＯ９９／３４２５５号、ＷＯ９９／５０７１２号、ＷＯ９９／６６３７０号、特開平11−194479号、特開2000−12453号、特開2000−29202号等に開示されている。   Further, in order to manufacture reticles or masks used in not only microdevices such as semiconductor elements but also light exposure apparatuses, EUV exposure apparatuses, X-ray exposure apparatuses, electron beam exposure apparatuses, etc., from mother reticles to glass substrates and The present invention can also be applied to an exposure apparatus that transfers a circuit pattern to a silicon wafer or the like. Here, in an exposure apparatus using DUV (deep ultraviolet), VUV (vacuum ultraviolet) light, or the like, a transmission type reticle is generally used. As a reticle substrate, quartz glass, fluorine-doped quartz glass, fluorite, Magnesium fluoride or quartz is used. In proximity type X-ray exposure apparatuses, electron beam exposure apparatuses, and the like, a transmissive mask (stencil mask, membrane mask) is used, and a silicon wafer or the like is used as a mask substrate. Such an exposure apparatus is disclosed in WO99 / 34255, WO99 / 50712, WO99 / 66370, JP-A-11-194479, JP-A2000-12453, JP-A-2000-29202, and the like. .

本発明の第１実施形態による露光装置の概略構成を示す図である。1 is a view showing a schematic configuration of an exposure apparatus according to a first embodiment of the present invention. ウェハステージ２５及びガイド部材４１の配置関係を示す上面図である。FIG. 6 is a top view showing the positional relationship between the wafer stage 25 and the guide member 41. コロ部材３９Ｘ，３９Ｙの概略構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows schematic structure of the roller members 39X and 39Y. 本発明の第２実施形態による露光装置に設けられるウェハステージ６０の概略構成を示す上面図である。It is a top view which shows schematic structure of the wafer stage 60 provided in the exposure apparatus by 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第２実施形態によるウェハステージ６０の概略構成を示す側面図である。It is a side view which shows schematic structure of the wafer stage 60 by 2nd Embodiment of this invention. 異常発生時におけるウェハテーブル６４の姿勢の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the attitude | position of the wafer table 64 at the time of abnormality occurrence. マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows an example of the manufacturing process of a microdevice. 半導体デバイスの場合における、図７のステップＳ１３の詳細なフローの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the detailed flow of step S13 of FIG. 7 in the case of a semiconductor device.

符号の説明Explanation of symbols

２５ ウェハステージ（基板ステージ）
２９ ステージ駆動系（制御装置）
３７ 排出部（液体排出部）
３８ 排出管（液体排出部）
３９，３９Ｘ，３９Ｙ コロ部材（可動機構、位置可動機構、被ガイド部材、押圧機構）
４０，４０Ｘ，４０Ｙ コロ（可動機構、位置可動機構、転動部材、被ガイド部材）
４１，４１Ｘ，４１Ｙ ガイド部材（可動機構、位置可動機構）
４２，４２Ｘ，４２Ｙ ガイド路
６０ ウェハステージ（基板ステージ）
６２ 排出部（液体排出部）
６５ａ〜６５ｃ Ｚ駆動機構（可動部材、姿勢可動機構）
６７ 排出穴（液体排出部）
６８ 排出管（液体排出部）
７１ 圧縮バネ（支持機構）
７２ 永久磁石（アクチュエータ）
７３ コイル（アクチュエータ）
ＥＸ 露光装置
ＰＬ 投影光学系
Ｗ ウェハ（基板）
ｗ 液体
25 Wafer stage (substrate stage)
29 Stage drive system (control device)
37 Discharge part (liquid discharge part)
38 Discharge pipe (liquid discharge part)
39, 39X, 39Y Roller member (movable mechanism, position movable mechanism, guided member, pressing mechanism)
40, 40X, 40Y roller (movable mechanism, position movable mechanism, rolling member, guided member)
41, 41X, 41Y Guide member (movable mechanism, position movable mechanism)
42, 42X, 42Y Guide path 60 Wafer stage (substrate stage)
62 Discharge part (liquid discharge part)
65a to 65c Z drive mechanism (movable member, posture movable mechanism)
67 Discharge hole (liquid discharge part)
68 Discharge pipe (liquid discharge part)
71 Compression spring (support mechanism)
72 Permanent magnet (actuator)
73 Coil (actuator)
EX Exposure system PL Projection optical system W Wafer (substrate)
w liquid

Claims (8)

投影光学系と液体とを介して基板ステージに保持された基板上に露光光を照射して該基板を露光する露光装置であって、
異常が発生した際に、液体を液体排出部に導くために、前記基板ステージの位置及び姿勢の少なくとも一方を調整する可動機構を備えたことを特徴とする露光装置。 An exposure apparatus that exposes the substrate by irradiating exposure light onto the substrate held on the substrate stage via the projection optical system and the liquid,
An exposure apparatus comprising a movable mechanism that adjusts at least one of a position and a posture of the substrate stage in order to guide liquid to a liquid discharge section when an abnormality occurs. 前記液体排出部は、前記基板ステージの上面に設けられており、
前記可動機構は、前記異常の発生時に、前記液体排出部が前記投影光学系の下方に位置するように前記基板ステージの位置を調整することを特徴とする請求項１記載の露光装置。 The liquid discharge part is provided on the upper surface of the substrate stage,
The exposure apparatus according to claim 1, wherein the movable mechanism adjusts the position of the substrate stage so that the liquid discharge unit is positioned below the projection optical system when the abnormality occurs. 前記液体排出部は、前記基板ステージの一端に設けられており、
前記可動機構は、前記異常の発生時に、前記液体排出部が設けられた前記基板ステージの端部が、他の端部よりも相対的に下方に位置するように前記基板ステージの姿勢を調整することを特徴とする請求項１又は請求項２記載の露光装置。 The liquid discharge part is provided at one end of the substrate stage,
The movable mechanism adjusts the posture of the substrate stage so that an end portion of the substrate stage provided with the liquid discharge portion is positioned relatively lower than other end portions when the abnormality occurs. The exposure apparatus according to claim 1 or 2, wherein 前記可動機構は、前記異常の発生時に、液体を前記液体排出部に導くために前記基板ステージの位置を調整する位置可動機構を含み、
前記位置可動機構は、前記液体排出部が前記投影光学系の下方に位置するように前記基板ステージをガイドするガイド路を有するガイド部材と、
前記基板ステージに設けられ、前記異常が発生すると前記ガイド部材によってガイドされる被ガイド部材と
を有することを特徴とする請求項１から請求項３の何れか一項に記載の露光装置。 The movable mechanism includes a position movable mechanism that adjusts the position of the substrate stage in order to guide liquid to the liquid discharge unit when the abnormality occurs.
The position movable mechanism includes a guide member having a guide path for guiding the substrate stage so that the liquid discharge unit is positioned below the projection optical system;
4. The exposure apparatus according to claim 1, further comprising: a guided member provided on the substrate stage and guided by the guide member when the abnormality occurs. 5. 前記被ガイド部材は、転動部材と、前記異常が発生すると前記転動部材を前記ガイド部材に当接させることで前記転動部材に前記ガイド路に沿った駆動力を発生させる押圧機構とを有し、
前記ガイド路の形状は、前記液体排出部が前記投影光学系の下方に位置した際は、前記転動部材に発生する駆動力が略零となるように形成されていることを特徴とする請求項４記載の露光装置。 The guided member includes a rolling member and a pressing mechanism that causes the rolling member to generate a driving force along the guide path by bringing the rolling member into contact with the guide member when the abnormality occurs. Have
The shape of the guide path is formed so that a driving force generated in the rolling member is substantially zero when the liquid discharge portion is positioned below the projection optical system. Item 5. The exposure apparatus according to Item 4. 前記可動機構は、前記異常の発生時に、液体を前記液体排出部に導くために前記基板ステージの姿勢を調整する姿勢可動機構を含み、
前記姿勢可動機構は、前記基板ステージの複数箇所に設けられ、各々前記基板ステージを所定の支持力で支持する複数の支持機構と、前記支持機構の各々に対応して前記基板ステージの複数箇所に設けられ、対応する前記支持機構の支持方向に沿った方向の推力を前記基板ステージに与える複数のアクチュエータと、前記複数のアクチュエータが発生する推力を制御する制御装置とを有し、
前記支持力は、前記異常の発生時に調整される前記基板ステージの姿勢に応じて設定されている
ことを特徴とする請求項５記載の露光装置。 The movable mechanism includes a posture movable mechanism that adjusts a posture of the substrate stage to guide liquid to the liquid discharge unit when the abnormality occurs.
The posture movable mechanism is provided at a plurality of locations of the substrate stage, each of which supports the substrate stage with a predetermined support force, and a plurality of locations of the substrate stage corresponding to each of the support mechanisms. A plurality of actuators provided to the substrate stage to provide thrust in a direction along the support direction of the corresponding support mechanism; and a control device that controls thrust generated by the plurality of actuators;
The exposure apparatus according to claim 5, wherein the supporting force is set according to a posture of the substrate stage that is adjusted when the abnormality occurs. 前記複数の支持機構の各支持力は、前記複数のアクチュエータが前記推力を発生しない時は、液体が前記液体排出部に導かれるように前記基板ステージの姿勢を変えるように設定されていることを特徴とする請求項６記載の露光装置。   Each support force of the plurality of support mechanisms is set to change the posture of the substrate stage so that liquid is guided to the liquid discharge unit when the plurality of actuators do not generate the thrust. 7. An exposure apparatus according to claim 6, wherein 請求項１から請求項７の何れか一項に記載の露光装置を用いて基板に対して露光処理を行う露光工程と、
前記露光工程を経た基板の現像を行う現像工程と
を含むことを特徴とするデバイスの製造方法。
An exposure step of performing an exposure process on the substrate using the exposure apparatus according to any one of claims 1 to 7,
And a development step of developing the substrate after the exposure step.
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