JP2001318829A - フラッシュメモリの書換制御装置、及び、フラッシュメモリの書換制御方法 - Google Patents
フラッシュメモリの書換制御装置、及び、フラッシュメモリの書換制御方法Info
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- JP2001318829A JP2001318829A JP2000134096A JP2000134096A JP2001318829A JP 2001318829 A JP2001318829 A JP 2001318829A JP 2000134096 A JP2000134096 A JP 2000134096A JP 2000134096 A JP2000134096 A JP 2000134096A JP 2001318829 A JP2001318829 A JP 2001318829A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 フラッシュメモリのデータ消去時間による処
理速度低下を防止し、さらにフラッシュメモリをより効
率よく利用するためのフラッシュメモリの書換制御方法
を提供する。 【解決手段】 フラッシュメモリ5の各ブロック5A〜
5Dにデータを書込む際に、データを書込んだ時間を各
ブロックの時間情報エリア5a〜5dに記録する。この
時間情報をもとに、書込んだ時間から所定の時間が経過
したブロック5Bに書込んだデータを一時的にRAM4
の退避エリア4aに読み出し、その時の時間情報を履歴
情報エリア4bに格納する。読み出したデータはブロッ
ク5Bから消去する。RAM4に記憶したデータが、所
定の回数以上参照されたかどうか判別し、所定の回数以
上参照された時、データをフラッシュメモリ5に再び書
込み、所定の回数以上参照されていない時、データをR
AM4から消去する。
理速度低下を防止し、さらにフラッシュメモリをより効
率よく利用するためのフラッシュメモリの書換制御方法
を提供する。 【解決手段】 フラッシュメモリ5の各ブロック5A〜
5Dにデータを書込む際に、データを書込んだ時間を各
ブロックの時間情報エリア5a〜5dに記録する。この
時間情報をもとに、書込んだ時間から所定の時間が経過
したブロック5Bに書込んだデータを一時的にRAM4
の退避エリア4aに読み出し、その時の時間情報を履歴
情報エリア4bに格納する。読み出したデータはブロッ
ク5Bから消去する。RAM4に記憶したデータが、所
定の回数以上参照されたかどうか判別し、所定の回数以
上参照された時、データをフラッシュメモリ5に再び書
込み、所定の回数以上参照されていない時、データをR
AM4から消去する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、フラッシュメモリ
の書換制御装置、及び、フラッシュメモリの書換制御方
法に関する。
の書換制御装置、及び、フラッシュメモリの書換制御方
法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、組み込み型の制御装置において
は、データの書換え可能なメモリとしてフラッシュメモ
リが多く用いられている。例えば、実開平7−3280
0号公報には、フラッシュメモリ等の交換時期を通知す
るメモリ制御装置が開示されている。このメモリ制御装
置は、メモリ寿命によるシステムの不具合を回避でき
る。
は、データの書換え可能なメモリとしてフラッシュメモ
リが多く用いられている。例えば、実開平7−3280
0号公報には、フラッシュメモリ等の交換時期を通知す
るメモリ制御装置が開示されている。このメモリ制御装
置は、メモリ寿命によるシステムの不具合を回避でき
る。
【0003】一般に、フラッシュメモリは、64KB
(キロバイト)又は128KBのブロックに分割されて
おり、このブロック単位で電気的にデータの消去、書き
込みが可能である。既にデータが記録されたブロックの
書換えでは、まず、書換えを行うブロックの全てのデー
タを消去した後、新たなデータを書込む必要がある。こ
のうち、消去の段階は、比較的高価なフラッシュメモリ
では1秒もかからないが、比較的安価なフラッシュメモ
リでは3〜5秒程度の時間がかかる。このため、一連の
作業中にエラーが発生し、データが消失することがあっ
た。そこで、データの書込みエラーが生じても、データ
の消失を回避できる方法が提案されている。
(キロバイト)又は128KBのブロックに分割されて
おり、このブロック単位で電気的にデータの消去、書き
込みが可能である。既にデータが記録されたブロックの
書換えでは、まず、書換えを行うブロックの全てのデー
タを消去した後、新たなデータを書込む必要がある。こ
のうち、消去の段階は、比較的高価なフラッシュメモリ
では1秒もかからないが、比較的安価なフラッシュメモ
リでは3〜5秒程度の時間がかかる。このため、一連の
作業中にエラーが発生し、データが消失することがあっ
た。そこで、データの書込みエラーが生じても、データ
の消失を回避できる方法が提案されている。
【0004】例えば、特開平10−124403号公報
には、データ退避用のブロックを設けたブロック消去型
フラッシュメモリの書込み方法が開示されている。ま
た、例えば、特開平10−161942号公報には、フ
ラッシュメモリにバックアップブロックを設けた情報記
憶方法、情報記憶装置及び情報処理装置が開示されてい
る。
には、データ退避用のブロックを設けたブロック消去型
フラッシュメモリの書込み方法が開示されている。ま
た、例えば、特開平10−161942号公報には、フ
ラッシュメモリにバックアップブロックを設けた情報記
憶方法、情報記憶装置及び情報処理装置が開示されてい
る。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ように比較的安価なフラッシュメモリや、特殊な構造の
物は、ブロック単位の消去に時間がかかる。これはCP
Uにとって大きな負担となり、システムの性能低下の原
因となる。このため、書換処理における高速化と、効率
向上が求められていた。
ように比較的安価なフラッシュメモリや、特殊な構造の
物は、ブロック単位の消去に時間がかかる。これはCP
Uにとって大きな負担となり、システムの性能低下の原
因となる。このため、書換処理における高速化と、効率
向上が求められていた。
【0006】本発明の課題は、フラッシュメモリのデー
タ消去時間によるシステムの性能低下を防止し、さらに
フラッシュメモリをより効率よく利用するためのフラッ
シュメモリの書換制御方法を提供することである。
タ消去時間によるシステムの性能低下を防止し、さらに
フラッシュメモリをより効率よく利用するためのフラッ
シュメモリの書換制御方法を提供することである。
【0007】
【課題を解決するための手段】以上の課題を解決するた
め、請求項1記載の発明は、複数のメモリブロックを備
えてなるフラッシュメモリの書き換えを制御するフラッ
シュメモリの書換制御装置(1)において、前記各メモ
リブロックにデータを書込む際に、データとともに書込
み時の日時を示す時間情報を各メモリブロックに書込む
書き込み制御手段(例えば、図1に示すCPU2)と、
この書き込み制御手段により書込まれた時間情報をもと
に、所定のメモリブロックに書込まれたデータを読み出
して記憶する一時記憶手段(例えば、図3のステップS
3に示す処理を行うCPU2;図1に示すRAM4)
と、この一時記憶手段によりデータが読み出された前記
所定のメモリブロックのデータをフラッシュメモリから
消去する消去手段(例えば、図3のステップS4に示す
処理を行うCPU2)と、を備えることを特徴とする。
め、請求項1記載の発明は、複数のメモリブロックを備
えてなるフラッシュメモリの書き換えを制御するフラッ
シュメモリの書換制御装置(1)において、前記各メモ
リブロックにデータを書込む際に、データとともに書込
み時の日時を示す時間情報を各メモリブロックに書込む
書き込み制御手段(例えば、図1に示すCPU2)と、
この書き込み制御手段により書込まれた時間情報をもと
に、所定のメモリブロックに書込まれたデータを読み出
して記憶する一時記憶手段(例えば、図3のステップS
3に示す処理を行うCPU2;図1に示すRAM4)
と、この一時記憶手段によりデータが読み出された前記
所定のメモリブロックのデータをフラッシュメモリから
消去する消去手段(例えば、図3のステップS4に示す
処理を行うCPU2)と、を備えることを特徴とする。
【0008】ここで、フラッシュメモリとしては、例え
ば、各メモリブロックの容量が128KBであるものが
挙げられるが、64KBであっても良いし、その他の容
量としても良い。時間情報は、例えば、メモリブロック
にデータが書込まれた日時の、年、月、日、時、分、秒
を示すデータである。
ば、各メモリブロックの容量が128KBであるものが
挙げられるが、64KBであっても良いし、その他の容
量としても良い。時間情報は、例えば、メモリブロック
にデータが書込まれた日時の、年、月、日、時、分、秒
を示すデータである。
【0009】請求項1記載の発明によれば、書込み制御
手段により書込まれた時間情報をもとに、所定のメモリ
ブロックに書込まれたデータを一時記憶手段により読み
出して記憶し、この一時記憶手段によりデータが読み出
されたメモリブロックのデータを、消去手段によりフラ
ッシュメモリから消去する。従って、新しいデータを書
込む時は、すでにデータが消去された空きブロックに書
込めるので、フラッシュメモリのデータ消去時間による
システムの性能低下を防止できる。
手段により書込まれた時間情報をもとに、所定のメモリ
ブロックに書込まれたデータを一時記憶手段により読み
出して記憶し、この一時記憶手段によりデータが読み出
されたメモリブロックのデータを、消去手段によりフラ
ッシュメモリから消去する。従って、新しいデータを書
込む時は、すでにデータが消去された空きブロックに書
込めるので、フラッシュメモリのデータ消去時間による
システムの性能低下を防止できる。
【0010】請求項2記載の発明は、請求項1記載のフ
ラッシュメモリの書換制御装置において、前記一時記憶
手段に記憶されたデータが所定の回数以上参照されたか
否かを判別する判別手段(例えば、図3のステップS7
に示す処理を行うCPU2)と、この判別手段によって
所定の回数以上参照されたと判別されたデータを前記フ
ラッシュメモリに再び書込み、前記判別手段によって所
定の回数以上参照されていないと判別されたデータを前
記一時記憶手段から消去する再書き込み制御手段(例え
ば、図3のステップS8、9に示す処理を行うCPU
2)とをさらに備えることを特徴とする。
ラッシュメモリの書換制御装置において、前記一時記憶
手段に記憶されたデータが所定の回数以上参照されたか
否かを判別する判別手段(例えば、図3のステップS7
に示す処理を行うCPU2)と、この判別手段によって
所定の回数以上参照されたと判別されたデータを前記フ
ラッシュメモリに再び書込み、前記判別手段によって所
定の回数以上参照されていないと判別されたデータを前
記一時記憶手段から消去する再書き込み制御手段(例え
ば、図3のステップS8、9に示す処理を行うCPU
2)とをさらに備えることを特徴とする。
【0011】ここで、前記所定の回数は、データの性質
によって任意に設定できる。また、所定の回数以上参照
されたか否かを判別する一定の時間も、データの性質に
よって任意に設定できる。
によって任意に設定できる。また、所定の回数以上参照
されたか否かを判別する一定の時間も、データの性質に
よって任意に設定できる。
【0012】請求項2記載の発明によれば、一時記憶手
段に記憶されたデータのうち、所定の回数以上参照され
たデータを、再びフラッシュメモリに書込むので、頻繁
に参照される重要なデータは保存される。また、一時記
憶手段に記憶されたデータのうち、所定の回数以上参照
されていないデータについては、重要度が著しく低いと
判断して一時記憶手段から消去するため、効率よくフラ
ッシュメモリを利用することができる。
段に記憶されたデータのうち、所定の回数以上参照され
たデータを、再びフラッシュメモリに書込むので、頻繁
に参照される重要なデータは保存される。また、一時記
憶手段に記憶されたデータのうち、所定の回数以上参照
されていないデータについては、重要度が著しく低いと
判断して一時記憶手段から消去するため、効率よくフラ
ッシュメモリを利用することができる。
【0013】請求項3記載の発明は、請求項1または2
記載のフラッシュメモリの書換制御装置において、前記
一時記憶手段は、前記各メモリブロックのうち、現在か
ら一定時間以上前の日時を示す時間情報が書き込まれた
メモリブロックから、データを読み出して記憶すること
を特徴とする。
記載のフラッシュメモリの書換制御装置において、前記
一時記憶手段は、前記各メモリブロックのうち、現在か
ら一定時間以上前の日時を示す時間情報が書き込まれた
メモリブロックから、データを読み出して記憶すること
を特徴とする。
【0014】請求項3記載の発明によれば、メモリブロ
ックに書き込まれたデータは、時間情報が示す日時から
一定時間以上経過すると、一時記憶手段によって読み出
される。このため、一定時間以上経過したデータは、順
次、一時記憶手段に記憶されて、参照された回数に応じ
て保存され、或いは消去される。従って、より効率よく
フラッシュメモリを利用することができる。
ックに書き込まれたデータは、時間情報が示す日時から
一定時間以上経過すると、一時記憶手段によって読み出
される。このため、一定時間以上経過したデータは、順
次、一時記憶手段に記憶されて、参照された回数に応じ
て保存され、或いは消去される。従って、より効率よく
フラッシュメモリを利用することができる。
【0015】請求項4記載の発明は、複数のメモリブロ
ックを備えてなるフラッシュメモリの書き換えを制御す
るフラッシュメモリの書換制御方法において、前記各メ
モリブロックにデータを書込む際に、データとともに書
込み時の日時を示す時間情報を各メモリブロックに書込
む第1工程と、この第1工程で書込まれた時間情報をも
とに、所定のメモリブロックに書込まれたデータを読み
出して記憶媒体(例えば、図1に示すRAM4)に記憶
させる第2工程(例えば、図3に示すステップS3)
と、この第2工程でデータが読み出された前記所定のメ
モリブロックのデータをフラッシュメモリから消去する
第3工程(例えば、図3に示すステップS4)と、を含
むことを特徴とする。
ックを備えてなるフラッシュメモリの書き換えを制御す
るフラッシュメモリの書換制御方法において、前記各メ
モリブロックにデータを書込む際に、データとともに書
込み時の日時を示す時間情報を各メモリブロックに書込
む第1工程と、この第1工程で書込まれた時間情報をも
とに、所定のメモリブロックに書込まれたデータを読み
出して記憶媒体(例えば、図1に示すRAM4)に記憶
させる第2工程(例えば、図3に示すステップS3)
と、この第2工程でデータが読み出された前記所定のメ
モリブロックのデータをフラッシュメモリから消去する
第3工程(例えば、図3に示すステップS4)と、を含
むことを特徴とする。
【0016】請求項4記載の発明によれば、データとと
もに書込まれた時間情報をもとに、所定のメモリブロッ
クに書込まれたデータを読み出して記憶媒体に記憶し、
この記憶媒体にデータが読み出されたメモリブロックの
データを、フラッシュメモリから消去する。従って、新
しいデータを書込む時は、すでにデータが消去された空
きブロックに書込めるので、フラッシュメモリのデータ
消去時間によるシステムの性能低下を防止できる。
もに書込まれた時間情報をもとに、所定のメモリブロッ
クに書込まれたデータを読み出して記憶媒体に記憶し、
この記憶媒体にデータが読み出されたメモリブロックの
データを、フラッシュメモリから消去する。従って、新
しいデータを書込む時は、すでにデータが消去された空
きブロックに書込めるので、フラッシュメモリのデータ
消去時間によるシステムの性能低下を防止できる。
【0017】請求項5記載の発明は、請求項4記載のフ
ラッシュメモリの書換制御方法であって、前記第2工程
で記憶媒体に記憶されたデータが所定の回数以上参照さ
れたか否かを判別する第4工程(例えば、図3に示すス
テップS7)と、この第4工程で所定の回数以上参照さ
れたと判別されたデータを前記フラッシュメモリに再び
書込む第5工程(例えば、図3に示すステップS8)
と、前記第4工程で所定の回数以上参照されていないと
判別されたデータを記憶媒体から消去する第6工程(例
えば、図3に示すステップS9)と、をさらに含むこと
を特徴とする。
ラッシュメモリの書換制御方法であって、前記第2工程
で記憶媒体に記憶されたデータが所定の回数以上参照さ
れたか否かを判別する第4工程(例えば、図3に示すス
テップS7)と、この第4工程で所定の回数以上参照さ
れたと判別されたデータを前記フラッシュメモリに再び
書込む第5工程(例えば、図3に示すステップS8)
と、前記第4工程で所定の回数以上参照されていないと
判別されたデータを記憶媒体から消去する第6工程(例
えば、図3に示すステップS9)と、をさらに含むこと
を特徴とする。
【0018】請求項5記載の発明によれば、記憶媒体に
記憶されたデータのうち、所定の回数以上参照されたデ
ータを、再びフラッシュメモリに書込むので、重要なデ
ータは保存される。また、記憶媒体に記憶されたデータ
のうち、所定の回数以上参照されていないデータについ
ては、重要度が低いと判断して一時記憶手段から消去す
るため、効率よくフラッシュメモリを利用することがで
きる。
記憶されたデータのうち、所定の回数以上参照されたデ
ータを、再びフラッシュメモリに書込むので、重要なデ
ータは保存される。また、記憶媒体に記憶されたデータ
のうち、所定の回数以上参照されていないデータについ
ては、重要度が低いと判断して一時記憶手段から消去す
るため、効率よくフラッシュメモリを利用することがで
きる。
【0019】請求項6記載の発明は、請求項4または5
記載のフラッシュメモリの書換制御方法であって、前記
第2工程では、前記各メモリブロックのうち、現在から
一定時間以上前の日時を示す時間情報が書き込まれたメ
モリブロックから、データが読み出されることを特徴と
する。
記載のフラッシュメモリの書換制御方法であって、前記
第2工程では、前記各メモリブロックのうち、現在から
一定時間以上前の日時を示す時間情報が書き込まれたメ
モリブロックから、データが読み出されることを特徴と
する。
【0020】請求項6記載の発明によれば、メモリブロ
ックに書き込まれたデータは、時間情報が示す日時から
一定時間以上経過すると記憶媒体に読み出される。この
ため、一定時間以上経過したデータは、順次、記憶媒体
に記憶されて、参照された回数に応じて保存され、或い
は消去される。従って、より効率よくフラッシュメモリ
を利用することができる。
ックに書き込まれたデータは、時間情報が示す日時から
一定時間以上経過すると記憶媒体に読み出される。この
ため、一定時間以上経過したデータは、順次、記憶媒体
に記憶されて、参照された回数に応じて保存され、或い
は消去される。従って、より効率よくフラッシュメモリ
を利用することができる。
【0021】
【発明の実施の形態】以下、図を参照して本発明の実施
の形態を詳細に説明する。
の形態を詳細に説明する。
【0022】まず、構成を説明する。図1は、本発明の
一実施の形態におけるフラッシュメモリの書換制御装置
1の内部回路構成を示すブロック図である。制御装置1
は、各種家庭用、産業用の電子機器を制御するため、こ
れらの機器に内蔵され、あるいは外部に接続された制御
装置である。図1に示すように、この制御装置1は、C
PU(Central Processing Unit)2、ROM(Read On
ly Memory)3、RAM(Random Access Memory)4、
フラッシュメモリ5、制御インターフェース6を備え、
これらはバス7で結合されている。
一実施の形態におけるフラッシュメモリの書換制御装置
1の内部回路構成を示すブロック図である。制御装置1
は、各種家庭用、産業用の電子機器を制御するため、こ
れらの機器に内蔵され、あるいは外部に接続された制御
装置である。図1に示すように、この制御装置1は、C
PU(Central Processing Unit)2、ROM(Read On
ly Memory)3、RAM(Random Access Memory)4、
フラッシュメモリ5、制御インターフェース6を備え、
これらはバス7で結合されている。
【0023】CPU2は、ROM3に記憶される各種シ
ステムプログラムを読み出して実行し、各部を駆動制御
する。具体的には、CPU2は、フラッシュメモリ5の
ブロック5A〜5Dにデータを書込むとともに、各ブロ
ックにデータを書込んだ日時を示す時間情報を、各ブロ
ックの時間情報エリア5a〜5dに記録する。ここで、
時間情報は、例えば、年、月、日、時、分、秒を示すデ
ータとして記録される。
ステムプログラムを読み出して実行し、各部を駆動制御
する。具体的には、CPU2は、フラッシュメモリ5の
ブロック5A〜5Dにデータを書込むとともに、各ブロ
ックにデータを書込んだ日時を示す時間情報を、各ブロ
ックの時間情報エリア5a〜5dに記録する。ここで、
時間情報は、例えば、年、月、日、時、分、秒を示すデ
ータとして記録される。
【0024】また、CPU2は、所定時間毎に、時間情
報エリア5a〜5dをチェックし、各時間情報エリア5
a〜5dに記録された情報をもとに、書込まれてから所
定の時間が経過したブロックのデータを読み出してRA
M4の退避エリア4aに格納し、このブロックのデータ
を消去する。データを消去したブロックには、適宜、新
たなデータを書込む。
報エリア5a〜5dをチェックし、各時間情報エリア5
a〜5dに記録された情報をもとに、書込まれてから所
定の時間が経過したブロックのデータを読み出してRA
M4の退避エリア4aに格納し、このブロックのデータ
を消去する。データを消去したブロックには、適宜、新
たなデータを書込む。
【0025】CPU2は、データを読み出してRAM4
の退避エリア4aに格納した時の日時を示す時間情報
を、例えば、年月日と時分秒とで表して履歴情報エリア
4bに記録するとともに、当該データが参照される毎
に、その参照回数を履歴情報エリア4bに記録する。
の退避エリア4aに格納した時の日時を示す時間情報
を、例えば、年月日と時分秒とで表して履歴情報エリア
4bに記録するとともに、当該データが参照される毎
に、その参照回数を履歴情報エリア4bに記録する。
【0026】そして、CPU2は、退避エリア4a内の
データが一定の時間内に所定の回数以上参照された場合
は、退避エリア4a内のデータをフラッシュメモリ5の
空きブロックに再び書込む。空きブロックにデータを書
込んだ時の日時を示す時間情報も、当該ブロックの時間
情報エリアに記録する。また、退避エリア4a内のデー
タが所定の回数以上参照されていない場合は、RAM4
からデータを消去する。また、データを読み出してRA
M4の退避エリア4aに格納してからある一定の期間、
データが一度も参照されない場合は、退避エリア4a内
のデータをRAM4から消去する。
データが一定の時間内に所定の回数以上参照された場合
は、退避エリア4a内のデータをフラッシュメモリ5の
空きブロックに再び書込む。空きブロックにデータを書
込んだ時の日時を示す時間情報も、当該ブロックの時間
情報エリアに記録する。また、退避エリア4a内のデー
タが所定の回数以上参照されていない場合は、RAM4
からデータを消去する。また、データを読み出してRA
M4の退避エリア4aに格納してからある一定の期間、
データが一度も参照されない場合は、退避エリア4a内
のデータをRAM4から消去する。
【0027】RAM4は、CPU2によって実行される
各種プログラム、及び、これらのプログラムに係るデー
タを一時的に記憶する。さらに、図2に示すように、R
AM4には、フラッシュメモリ5から一時的にデータを
退避させるための退避エリア4aが設けられている。さ
らに、退避エリア4aには、退避エリア4a内のデータ
が参照された回数を記録する履歴情報エリア4bが設け
られている。また、履歴情報エリア4bには、フラッシ
ュメモリ5のデータが読み出されて退避エリア4aに格
納された時の日時が、例えば、年月日と時分秒を表すデ
ータとして記録される。
各種プログラム、及び、これらのプログラムに係るデー
タを一時的に記憶する。さらに、図2に示すように、R
AM4には、フラッシュメモリ5から一時的にデータを
退避させるための退避エリア4aが設けられている。さ
らに、退避エリア4aには、退避エリア4a内のデータ
が参照された回数を記録する履歴情報エリア4bが設け
られている。また、履歴情報エリア4bには、フラッシ
ュメモリ5のデータが読み出されて退避エリア4aに格
納された時の日時が、例えば、年月日と時分秒を表すデ
ータとして記録される。
【0028】フラッシュメモリ5には、CPU2によっ
て実行される各種プログラムに係るデータ等が記録され
ている。フラッシュメモリ5は、4個のデータ書込み用
メモリブロック5A〜5Dによって構成され、各ブロッ
クの容量は128KBである。各ブロック5A〜5Dに
は、各ブロックにデータが書込まれた際の日時、例え
ば、年月日と時分秒とを記録する時間情報エリア5a〜
5dが設けられている。
て実行される各種プログラムに係るデータ等が記録され
ている。フラッシュメモリ5は、4個のデータ書込み用
メモリブロック5A〜5Dによって構成され、各ブロッ
クの容量は128KBである。各ブロック5A〜5Dに
は、各ブロックにデータが書込まれた際の日時、例え
ば、年月日と時分秒とを記録する時間情報エリア5a〜
5dが設けられている。
【0029】制御インターフェース6は、上記家庭用、
産業用の電子機器と、制御装置1とが接続されるインタ
ーフェースであり、この制御インターフェース6を介し
て入出力されるデータや制御信号によって上記各機器が
駆動制御される。
産業用の電子機器と、制御装置1とが接続されるインタ
ーフェースであり、この制御インターフェース6を介し
て入出力されるデータや制御信号によって上記各機器が
駆動制御される。
【0030】次に、本実施の形態の動作を説明する。図
3は、本実施の形態における制御装置1の動作を示すフ
ローチャートである。CPU2は、フラッシュメモリ5
の各ブロック5A〜5Dにデータを書込み、データを書
込んだ時の日時を示す時間情報を、例えば、年月日と時
分秒とで表して各ブロック5A〜5Dの時間情報エリア
5a〜5dに記録する。
3は、本実施の形態における制御装置1の動作を示すフ
ローチャートである。CPU2は、フラッシュメモリ5
の各ブロック5A〜5Dにデータを書込み、データを書
込んだ時の日時を示す時間情報を、例えば、年月日と時
分秒とで表して各ブロック5A〜5Dの時間情報エリア
5a〜5dに記録する。
【0031】そして、CPU2は、所定時間毎に、時間
情報エリア5a〜5dに記録した時間情報をもとに、フ
ラッシュメモリ5の各ブロック5A〜5Dへの書込み時
間から一定の時間が経過しているブロックを検索する
(ステップS1)。該当するブロックがなければステッ
プS1へ戻り、該当するブロックがあればステップS3
へ移行する(ステップS2)。なお、ここでは、フラッ
シュメモリ5のブロック5Bについて処理を行うものと
して説明する。
情報エリア5a〜5dに記録した時間情報をもとに、フ
ラッシュメモリ5の各ブロック5A〜5Dへの書込み時
間から一定の時間が経過しているブロックを検索する
(ステップS1)。該当するブロックがなければステッ
プS1へ戻り、該当するブロックがあればステップS3
へ移行する(ステップS2)。なお、ここでは、フラッ
シュメモリ5のブロック5Bについて処理を行うものと
して説明する。
【0032】CPU2は、書込み時間から一定の時間が
経過しているブロック5Bのデータを読み出してRAM
4の退避エリア4aへ格納する。また、CPU2は、ブ
ロック5Bのデータを読み出して退避エリア4aに格納
した時の日時を示す時間情報を、例えば、年月日と時分
秒を表すデータとして退避エリア4aの履歴情報エリア
4bに記録する(ステップS3)。
経過しているブロック5Bのデータを読み出してRAM
4の退避エリア4aへ格納する。また、CPU2は、ブ
ロック5Bのデータを読み出して退避エリア4aに格納
した時の日時を示す時間情報を、例えば、年月日と時分
秒を表すデータとして退避エリア4aの履歴情報エリア
4bに記録する(ステップS3)。
【0033】そして、CPU2は、RAM4の退避エリ
ア4aに読み出して格納したデータを、フラッシュメモ
リ5のブロック5Bから消去し、時間情報エリア5bに
記録されているデータの時間情報も消去する(ステップ
S4)。従って、ブロック5Bは空き領域となり、適宜
データを書込むことが可能となる。
ア4aに読み出して格納したデータを、フラッシュメモ
リ5のブロック5Bから消去し、時間情報エリア5bに
記録されているデータの時間情報も消去する(ステップ
S4)。従って、ブロック5Bは空き領域となり、適宜
データを書込むことが可能となる。
【0034】ステップS5では、RAM4の退避エリア
4aに格納したデータが参照された回数を、履歴情報エ
リア4bに記録する。また、データが参照された時の日
時を示す時間情報も、例えば、年月日と時分秒とで表し
て履歴情報エリア4bに記録する。そして、ステップS
6では、履歴情報エリア4bに記録した時間情報をもと
に、データをRAM4に格納した時から一定の時間が経
過するまで待機し、一定の時間が経過したら、ステップ
S7へ移行する。
4aに格納したデータが参照された回数を、履歴情報エ
リア4bに記録する。また、データが参照された時の日
時を示す時間情報も、例えば、年月日と時分秒とで表し
て履歴情報エリア4bに記録する。そして、ステップS
6では、履歴情報エリア4bに記録した時間情報をもと
に、データをRAM4に格納した時から一定の時間が経
過するまで待機し、一定の時間が経過したら、ステップ
S7へ移行する。
【0035】ステップS7では、履歴情報エリア4bに
記録したデータの参照回数をもとに、RAM4の退避エ
リア4aに格納したデータが所定の回数以上参照された
か否かを判別する。ここで、退避エリア4aのデータ
が、一定の時間内に、所定の回数以上参照されたと判別
した場合は、ステップS8へ移行する。
記録したデータの参照回数をもとに、RAM4の退避エ
リア4aに格納したデータが所定の回数以上参照された
か否かを判別する。ここで、退避エリア4aのデータ
が、一定の時間内に、所定の回数以上参照されたと判別
した場合は、ステップS8へ移行する。
【0036】ステップS8では、退避エリア4aのデー
タを、一定の時間内に所定の回数以上参照されているの
で重要なデータと見なし、再びフラッシュメモリの空き
ブロックへ書込む。対応する時間情報エリアには、デー
タを再び書込んだ時の日時を示す新しい時間情報を、例
えば、年月日と時分秒で表して記録しておく。
タを、一定の時間内に所定の回数以上参照されているの
で重要なデータと見なし、再びフラッシュメモリの空き
ブロックへ書込む。対応する時間情報エリアには、デー
タを再び書込んだ時の日時を示す新しい時間情報を、例
えば、年月日と時分秒で表して記録しておく。
【0037】一方、ステップS7で、退避エリア4aの
データが一定の時間内に所定の回数以上参照されていな
いと判別した場合は、ステップS9へ移行する。ステッ
プS9では、退避エリア4aのデータと履歴情報エリア
4bに記録した時間情報をRAM4から消去する。
データが一定の時間内に所定の回数以上参照されていな
いと判別した場合は、ステップS9へ移行する。ステッ
プS9では、退避エリア4aのデータと履歴情報エリア
4bに記録した時間情報をRAM4から消去する。
【0038】ここで、ステップS7における、退避エリ
ア4a内のデータをフラッシュメモリ5に再び書込む
か、又は、RAM4から消去するかを判断する所定の回
数は、データの性質によって設定すればよく、また、ス
テップS6における、所定の回数以上参照されたか否か
を判別する一定の時間も、データの性質によって設定す
ればよい。
ア4a内のデータをフラッシュメモリ5に再び書込む
か、又は、RAM4から消去するかを判断する所定の回
数は、データの性質によって設定すればよく、また、ス
テップS6における、所定の回数以上参照されたか否か
を判別する一定の時間も、データの性質によって設定す
ればよい。
【0039】例えば、ブロック5Bのデータを読み出し
て退避エリア4aに格納した時から、この退避エリア4
a内のデータが初めて参照されるまでの時間を測定す
る。そして、この時間の3倍、或いは5倍した時間を、
上記一定の時間とする。この場合、ブロック5B内のデ
ータは、一律に規定された時間ではなく、そのデータが
最初に参照されるまでの時間をもとに、保存または消去
される。すなわち、絶対的な時間をもとに重要度が判断
されるのではなく、当該データが参照される頻度の変化
に基づいて、データの重要度が判断される。このため、
他のデータに比べて参照される頻度が低く、かつ重要な
データであっても、不用意に消去されることはなく、参
照される頻度が低下した場合には削除される。
て退避エリア4aに格納した時から、この退避エリア4
a内のデータが初めて参照されるまでの時間を測定す
る。そして、この時間の3倍、或いは5倍した時間を、
上記一定の時間とする。この場合、ブロック5B内のデ
ータは、一律に規定された時間ではなく、そのデータが
最初に参照されるまでの時間をもとに、保存または消去
される。すなわち、絶対的な時間をもとに重要度が判断
されるのではなく、当該データが参照される頻度の変化
に基づいて、データの重要度が判断される。このため、
他のデータに比べて参照される頻度が低く、かつ重要な
データであっても、不用意に消去されることはなく、参
照される頻度が低下した場合には削除される。
【0040】また、例えば、履歴情報エリア4bに記録
された時間情報を定期的にサンプリングし、退避エリア
4a内のデータの一定時間内の参照回数を予測するよう
にしてもよい。そして、退避エリア4a内のデータが、
一定時間内に、予測された回数参照された場合、又は、
予測された回数より多く参照された場合に、当該データ
をフラッシュメモリ5の空きブロックに再び記録しても
よい。さらに、退避エリア4a内のデータの一定時間内
に参照された回数が、予測された回数より少ない時、当
該データをRAM4から消去してもよい。
された時間情報を定期的にサンプリングし、退避エリア
4a内のデータの一定時間内の参照回数を予測するよう
にしてもよい。そして、退避エリア4a内のデータが、
一定時間内に、予測された回数参照された場合、又は、
予測された回数より多く参照された場合に、当該データ
をフラッシュメモリ5の空きブロックに再び記録しても
よい。さらに、退避エリア4a内のデータの一定時間内
に参照された回数が、予測された回数より少ない時、当
該データをRAM4から消去してもよい。
【0041】以上のように、本発明の一実施の形態にお
ける制御装置1によれば、フラッシュメモリ5にデータ
を書込む際には、データを、データがブロック5A〜5
Dに書込まれた時間情報とともに記録し、一定の時間が
経過すると一旦RAM4の退避エリア4aに退避させ、
退避させたデータはフラッシュメモリ5から消去する。
従って、古いデータはフラッシュメモリ5から消去さ
れ、データが消去されたブロックには新たなデータを書
込んで利用できるので、データの消去時間が原因でおこ
るシステムの性能低下を防ぐことができ、かつフラッシ
ュメモリ5を効率的に利用できる。
ける制御装置1によれば、フラッシュメモリ5にデータ
を書込む際には、データを、データがブロック5A〜5
Dに書込まれた時間情報とともに記録し、一定の時間が
経過すると一旦RAM4の退避エリア4aに退避させ、
退避させたデータはフラッシュメモリ5から消去する。
従って、古いデータはフラッシュメモリ5から消去さ
れ、データが消去されたブロックには新たなデータを書
込んで利用できるので、データの消去時間が原因でおこ
るシステムの性能低下を防ぐことができ、かつフラッシ
ュメモリ5を効率的に利用できる。
【0042】また、一旦RAM4の退避エリア4aに退
避させたデータについては、RAM4に読み出した時の
時間情報と、そのデータが参照された回数及び参照され
た時の時間情報を履歴情報エリア4bに記録して、参照
された回数が所定の回数以上のデータは、再びフラッシ
ュメモリ5に書込む。従って、頻繁に参照される重要な
データは、フラッシュメモリ5かRAM4のどちらかに
記憶されているので、重要なデータの消去を防止でき
る。一方、参照された回数が所定の回数以下の重要度の
低いデータは、RAM4から消去されるので、フラッシ
ュメモリ5を効率的に利用できる。
避させたデータについては、RAM4に読み出した時の
時間情報と、そのデータが参照された回数及び参照され
た時の時間情報を履歴情報エリア4bに記録して、参照
された回数が所定の回数以上のデータは、再びフラッシ
ュメモリ5に書込む。従って、頻繁に参照される重要な
データは、フラッシュメモリ5かRAM4のどちらかに
記憶されているので、重要なデータの消去を防止でき
る。一方、参照された回数が所定の回数以下の重要度の
低いデータは、RAM4から消去されるので、フラッシ
ュメモリ5を効率的に利用できる。
【0043】なお、以上の実施の形態においては、フラ
ッシュメモリ5の各ブロックのサイズを128KBとし
たが、本発明はこれに限定されるものではなく、例え
ば、64KBであっても良いし、その他のサイズとする
ことももちろん可能である。また、上記実施の形態にお
いては、フラッシュメモリ5のブロックを4個とした
が、このブロック数についても任意である。
ッシュメモリ5の各ブロックのサイズを128KBとし
たが、本発明はこれに限定されるものではなく、例え
ば、64KBであっても良いし、その他のサイズとする
ことももちろん可能である。また、上記実施の形態にお
いては、フラッシュメモリ5のブロックを4個とした
が、このブロック数についても任意である。
【0044】また、上記実施の形態においては、RAM
4に退避させるデータは、各ブロックへの書込み時間か
ら一定の時間が経過しているものとしたが、これに限ら
ず、例えば、各ブロックの中で、書き込まれた時間が最
も古いデータのみを退避させるようにしてもよい。
4に退避させるデータは、各ブロックへの書込み時間か
ら一定の時間が経過しているものとしたが、これに限ら
ず、例えば、各ブロックの中で、書き込まれた時間が最
も古いデータのみを退避させるようにしてもよい。
【0045】
【発明の効果】請求項1記載の発明によれば、書込み制
御手段により書込まれた時間情報をもとに、所定のメモ
リブロックに書込まれたデータを一時記憶手段により読
み出して記憶し、この一時記憶手段によりデータが読み
出されたメモリブロックのデータを、消去手段によりフ
ラッシュメモリから消去する。従って、新しいデータを
書込む時は、すでにデータが消去された空きブロックに
書込めるので、フラッシュメモリのデータ消去時間によ
るシステムの性能低下を防止できる。
御手段により書込まれた時間情報をもとに、所定のメモ
リブロックに書込まれたデータを一時記憶手段により読
み出して記憶し、この一時記憶手段によりデータが読み
出されたメモリブロックのデータを、消去手段によりフ
ラッシュメモリから消去する。従って、新しいデータを
書込む時は、すでにデータが消去された空きブロックに
書込めるので、フラッシュメモリのデータ消去時間によ
るシステムの性能低下を防止できる。
【0046】請求項2記載の発明によれば、一時記憶手
段に記憶されたデータのうち、所定の回数以上参照され
たデータを、再びフラッシュメモリに書込むので、頻繁
に参照される重要なデータは保存される。また、一時記
憶手段に記憶されたデータのうち、所定の回数以上参照
されていないデータについては、重要度が著しく低いと
判断して一時記憶手段から消去するため、効率よくフラ
ッシュメモリを利用することができる。
段に記憶されたデータのうち、所定の回数以上参照され
たデータを、再びフラッシュメモリに書込むので、頻繁
に参照される重要なデータは保存される。また、一時記
憶手段に記憶されたデータのうち、所定の回数以上参照
されていないデータについては、重要度が著しく低いと
判断して一時記憶手段から消去するため、効率よくフラ
ッシュメモリを利用することができる。
【0047】請求項3記載の発明によれば、メモリブロ
ックに書き込まれたデータは、時間情報が示す日時から
一定時間以上経過すると、一時記憶手段によって読み出
される。このため、一定時間以上経過したデータは、順
次、一時記憶手段に記憶されて、参照された回数に応じ
て保存され、或いは消去される。従って、より効率よく
フラッシュメモリを利用することができる。
ックに書き込まれたデータは、時間情報が示す日時から
一定時間以上経過すると、一時記憶手段によって読み出
される。このため、一定時間以上経過したデータは、順
次、一時記憶手段に記憶されて、参照された回数に応じ
て保存され、或いは消去される。従って、より効率よく
フラッシュメモリを利用することができる。
【0048】請求項4記載の発明によれば、データとと
もに書込まれた時間情報をもとに、所定のメモリブロッ
クに書込まれたデータを読み出して記憶媒体に記憶し、
この記憶媒体にデータが読み出されたメモリブロックの
データを、フラッシュメモリから消去する。従って、新
しいデータを書込む時は、すでにデータが消去された空
きブロックに書込めるので、フラッシュメモリのデータ
消去時間によるシステムの性能低下を防止できる。
もに書込まれた時間情報をもとに、所定のメモリブロッ
クに書込まれたデータを読み出して記憶媒体に記憶し、
この記憶媒体にデータが読み出されたメモリブロックの
データを、フラッシュメモリから消去する。従って、新
しいデータを書込む時は、すでにデータが消去された空
きブロックに書込めるので、フラッシュメモリのデータ
消去時間によるシステムの性能低下を防止できる。
【0049】請求項5記載の発明によれば、記憶媒体に
記憶されたデータのうち、所定の回数以上参照されたデ
ータを、再びフラッシュメモリに書込むので、重要なデ
ータは保存される。また、記憶媒体に記憶されたデータ
のうち、所定の回数以上参照されていないデータについ
ては、重要度が低いと判断して一時記憶手段から消去す
るため、効率よくフラッシュメモリを利用することがで
きる。
記憶されたデータのうち、所定の回数以上参照されたデ
ータを、再びフラッシュメモリに書込むので、重要なデ
ータは保存される。また、記憶媒体に記憶されたデータ
のうち、所定の回数以上参照されていないデータについ
ては、重要度が低いと判断して一時記憶手段から消去す
るため、効率よくフラッシュメモリを利用することがで
きる。
【0050】請求項6記載の発明によれば、メモリブロ
ックに書き込まれたデータは、時間情報が示す日時から
一定時間以上経過すると記憶媒体に読み出される。この
ため、一定時間以上経過したデータは、順次、記憶媒体
に記憶されて、参照された回数に応じて保存され、或い
は消去される。従って、より効率よくフラッシュメモリ
を利用することができる。
ックに書き込まれたデータは、時間情報が示す日時から
一定時間以上経過すると記憶媒体に読み出される。この
ため、一定時間以上経過したデータは、順次、記憶媒体
に記憶されて、参照された回数に応じて保存され、或い
は消去される。従って、より効率よくフラッシュメモリ
を利用することができる。
【図1】本発明を適用した一実施の形態におけるフラッ
シュメモリを備えた制御装置1の内部回路構成を示すブ
ロック図である。
シュメモリを備えた制御装置1の内部回路構成を示すブ
ロック図である。
【図2】図1に示すフラッシュメモリ5とRAM4の構
成を模式的に示す図である。
成を模式的に示す図である。
【図3】図1に示す制御装置1により実行されるフラッ
シュメモリのデータ書換え処理を示すフローチャートで
ある。
シュメモリのデータ書換え処理を示すフローチャートで
ある。
1 制御装置 2 CPU 3 ROM 4 RAM 4a 退避エリア 4b 履歴情報エリア 5 フラッシュメモリ 5A〜5D メモリブロック 5a〜5d 時間情報エリア 6 制御インターフェース
Claims (6)
- 【請求項1】複数のメモリブロックを備えてなるフラッ
シュメモリの書き換えを制御するフラッシュメモリの書
換制御装置において、 前記各メモリブロックにデータを書込む際に、データと
ともに書込み時の日時を示す時間情報を各メモリブロッ
クに書込む書き込み制御手段と、 この書き込み制御手段により書込まれた時間情報をもと
に、所定のメモリブロックに書込まれたデータを読み出
して記憶する一時記憶手段と、 この一時記憶手段によりデータが読み出された前記所定
のメモリブロックのデータをフラッシュメモリから消去
する消去手段と、 を備えることを特徴とするフラッシュメモリの書換制御
装置。 - 【請求項2】前記一時記憶手段に記憶されたデータが所
定の回数以上参照されたか否かを判別する判別手段と、 この判別手段によって所定の回数以上参照されたと判別
されたデータを前記フラッシュメモリに再び書込み、前
記判別手段によって所定の回数以上参照されていないと
判別されたデータを前記一時記憶手段から消去する再書
き込み制御手段とをさらに備えることを特徴とする請求
項1記載のフラッシュメモリの書換制御装置。 - 【請求項3】前記一時記憶手段は、前記各メモリブロッ
クのうち、現在から一定時間以上前の日時を示す時間情
報が書き込まれたメモリブロックから、データを読み出
して記憶することを特徴とする請求項1または2記載の
フラッシュメモリの書換制御装置。 - 【請求項4】複数のメモリブロックを備えてなるフラッ
シュメモリの書き換えを制御するフラッシュメモリの書
換制御方法において、 前記各メモリブロックにデータを書込む際に、データと
ともに書込み時の日時を示す時間情報を各メモリブロッ
クに書込む第1工程と、 この第1工程で書込まれた時間情報をもとに、所定のメ
モリブロックに書込まれたデータを読み出して記憶媒体
に記憶させる第2工程と、 この第2工程でデータが読み出された前記所定のメモリ
ブロックのデータをフラッシュメモリから消去する第3
工程と、 を含むことを特徴とするフラッシュメモリの書換制御方
法。 - 【請求項5】前記第2工程で記憶媒体に記憶されたデー
タが所定の回数以上参照されたか否かを判別する第4工
程と、 この第4工程で所定の回数以上参照されたと判別された
データを前記フラッシュメモリに再び書込む第5工程
と、 前記第4工程で所定の回数以上参照されていないと判別
されたデータを記憶媒体から消去する第6工程と、 をさらに含むことを特徴とする請求項4記載のフラッシ
ュメモリの書換制御方法。 - 【請求項6】前記第2工程では、前記各メモリブロック
のうち、現在から一定時間以上前の日時を示す時間情報
が書き込まれたメモリブロックから、データが読み出さ
れることを特徴とする請求項4または5記載のフラッシ
ュメモリの書換制御方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000134096A JP2001318829A (ja) | 2000-05-08 | 2000-05-08 | フラッシュメモリの書換制御装置、及び、フラッシュメモリの書換制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000134096A JP2001318829A (ja) | 2000-05-08 | 2000-05-08 | フラッシュメモリの書換制御装置、及び、フラッシュメモリの書換制御方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001318829A true JP2001318829A (ja) | 2001-11-16 |
Family
ID=18642441
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000134096A Pending JP2001318829A (ja) | 2000-05-08 | 2000-05-08 | フラッシュメモリの書換制御装置、及び、フラッシュメモリの書換制御方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001318829A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013191174A (ja) * | 2012-03-15 | 2013-09-26 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置およびプログラム |
JP2015111453A (ja) * | 2015-02-10 | 2015-06-18 | 株式会社日立製作所 | フラッシュメモリモジュール |
US9690654B2 (en) | 2015-01-13 | 2017-06-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Operation method of nonvolatile memory system |
US9870160B2 (en) | 2014-03-26 | 2018-01-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of operating memory system including nonvolatile memory and memory controller |
-
2000
- 2000-05-08 JP JP2000134096A patent/JP2001318829A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013191174A (ja) * | 2012-03-15 | 2013-09-26 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置およびプログラム |
US8990480B2 (en) | 2012-03-15 | 2015-03-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor memory device and computer program product |
US9870160B2 (en) | 2014-03-26 | 2018-01-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of operating memory system including nonvolatile memory and memory controller |
US9690654B2 (en) | 2015-01-13 | 2017-06-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Operation method of nonvolatile memory system |
JP2015111453A (ja) * | 2015-02-10 | 2015-06-18 | 株式会社日立製作所 | フラッシュメモリモジュール |
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