JP2001318829A - フラッシュメモリの書換制御装置、及び、フラッシュメモリの書換制御方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 フラッシュメモリのデータ消去時間による処
理速度低下を防止し、さらにフラッシュメモリをより効
率よく利用するためのフラッシュメモリの書換制御方法
を提供する。 【解決手段】 フラッシュメモリ５の各ブロック５Ａ〜
５Ｄにデータを書込む際に、データを書込んだ時間を各
ブロックの時間情報エリア５ａ〜５ｄに記録する。この
時間情報をもとに、書込んだ時間から所定の時間が経過
したブロック５Ｂに書込んだデータを一時的にＲＡＭ４
の退避エリア４ａに読み出し、その時の時間情報を履歴
情報エリア４ｂに格納する。読み出したデータはブロッ
ク５Ｂから消去する。ＲＡＭ４に記憶したデータが、所
定の回数以上参照されたかどうか判別し、所定の回数以
上参照された時、データをフラッシュメモリ５に再び書
込み、所定の回数以上参照されていない時、データをＲ
ＡＭ４から消去する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、フラッシュメモリ
の書換制御装置、及び、フラッシュメモリの書換制御方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、組み込み型の制御装置において
は、データの書換え可能なメモリとしてフラッシュメモ
リが多く用いられている。例えば、実開平７−３２８０
０号公報には、フラッシュメモリ等の交換時期を通知す
るメモリ制御装置が開示されている。このメモリ制御装
置は、メモリ寿命によるシステムの不具合を回避でき
る。

【０００３】一般に、フラッシュメモリは、６４ＫＢ
（キロバイト）又は１２８ＫＢのブロックに分割されて
おり、このブロック単位で電気的にデータの消去、書き
込みが可能である。既にデータが記録されたブロックの
書換えでは、まず、書換えを行うブロックの全てのデー
タを消去した後、新たなデータを書込む必要がある。こ
のうち、消去の段階は、比較的高価なフラッシュメモリ
では１秒もかからないが、比較的安価なフラッシュメモ
リでは３〜５秒程度の時間がかかる。このため、一連の
作業中にエラーが発生し、データが消失することがあっ
た。そこで、データの書込みエラーが生じても、データ
の消失を回避できる方法が提案されている。

【０００４】例えば、特開平１０−１２４４０３号公報
には、データ退避用のブロックを設けたブロック消去型
フラッシュメモリの書込み方法が開示されている。ま
た、例えば、特開平１０−１６１９４２号公報には、フ
ラッシュメモリにバックアップブロックを設けた情報記
憶方法、情報記憶装置及び情報処理装置が開示されてい
る。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ように比較的安価なフラッシュメモリや、特殊な構造の
物は、ブロック単位の消去に時間がかかる。これはＣＰ
Ｕにとって大きな負担となり、システムの性能低下の原
因となる。このため、書換処理における高速化と、効率
向上が求められていた。

【０００６】本発明の課題は、フラッシュメモリのデー
タ消去時間によるシステムの性能低下を防止し、さらに
フラッシュメモリをより効率よく利用するためのフラッ
シュメモリの書換制御方法を提供することである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】以上の課題を解決するた
め、請求項１記載の発明は、複数のメモリブロックを備
えてなるフラッシュメモリの書き換えを制御するフラッ
シュメモリの書換制御装置（１）において、前記各メモ
リブロックにデータを書込む際に、データとともに書込
み時の日時を示す時間情報を各メモリブロックに書込む
書き込み制御手段（例えば、図１に示すＣＰＵ２）と、
この書き込み制御手段により書込まれた時間情報をもと
に、所定のメモリブロックに書込まれたデータを読み出
して記憶する一時記憶手段（例えば、図３のステップＳ
３に示す処理を行うＣＰＵ２；図１に示すＲＡＭ４）
と、この一時記憶手段によりデータが読み出された前記
所定のメモリブロックのデータをフラッシュメモリから
消去する消去手段（例えば、図３のステップＳ４に示す
処理を行うＣＰＵ２）と、を備えることを特徴とする。

【０００８】ここで、フラッシュメモリとしては、例え
ば、各メモリブロックの容量が１２８ＫＢであるものが
挙げられるが、６４ＫＢであっても良いし、その他の容
量としても良い。時間情報は、例えば、メモリブロック
にデータが書込まれた日時の、年、月、日、時、分、秒
を示すデータである。

【０００９】請求項１記載の発明によれば、書込み制御
手段により書込まれた時間情報をもとに、所定のメモリ
ブロックに書込まれたデータを一時記憶手段により読み
出して記憶し、この一時記憶手段によりデータが読み出
されたメモリブロックのデータを、消去手段によりフラ
ッシュメモリから消去する。従って、新しいデータを書
込む時は、すでにデータが消去された空きブロックに書
込めるので、フラッシュメモリのデータ消去時間による
システムの性能低下を防止できる。

【００１０】請求項２記載の発明は、請求項１記載のフ
ラッシュメモリの書換制御装置において、前記一時記憶
手段に記憶されたデータが所定の回数以上参照されたか
否かを判別する判別手段（例えば、図３のステップＳ７
に示す処理を行うＣＰＵ２）と、この判別手段によって
所定の回数以上参照されたと判別されたデータを前記フ
ラッシュメモリに再び書込み、前記判別手段によって所
定の回数以上参照されていないと判別されたデータを前
記一時記憶手段から消去する再書き込み制御手段（例え
ば、図３のステップＳ８、９に示す処理を行うＣＰＵ
２）とをさらに備えることを特徴とする。

【００１１】ここで、前記所定の回数は、データの性質
によって任意に設定できる。また、所定の回数以上参照
されたか否かを判別する一定の時間も、データの性質に
よって任意に設定できる。

【００１２】請求項２記載の発明によれば、一時記憶手
段に記憶されたデータのうち、所定の回数以上参照され
たデータを、再びフラッシュメモリに書込むので、頻繁
に参照される重要なデータは保存される。また、一時記
憶手段に記憶されたデータのうち、所定の回数以上参照
されていないデータについては、重要度が著しく低いと
判断して一時記憶手段から消去するため、効率よくフラ
ッシュメモリを利用することができる。

【００１３】請求項３記載の発明は、請求項１または２
記載のフラッシュメモリの書換制御装置において、前記
一時記憶手段は、前記各メモリブロックのうち、現在か
ら一定時間以上前の日時を示す時間情報が書き込まれた
メモリブロックから、データを読み出して記憶すること
を特徴とする。

【００１４】請求項３記載の発明によれば、メモリブロ
ックに書き込まれたデータは、時間情報が示す日時から
一定時間以上経過すると、一時記憶手段によって読み出
される。このため、一定時間以上経過したデータは、順
次、一時記憶手段に記憶されて、参照された回数に応じ
て保存され、或いは消去される。従って、より効率よく
フラッシュメモリを利用することができる。

【００１５】請求項４記載の発明は、複数のメモリブロ
ックを備えてなるフラッシュメモリの書き換えを制御す
るフラッシュメモリの書換制御方法において、前記各メ
モリブロックにデータを書込む際に、データとともに書
込み時の日時を示す時間情報を各メモリブロックに書込
む第１工程と、この第１工程で書込まれた時間情報をも
とに、所定のメモリブロックに書込まれたデータを読み
出して記憶媒体（例えば、図１に示すＲＡＭ４）に記憶
させる第２工程（例えば、図３に示すステップＳ３）
と、この第２工程でデータが読み出された前記所定のメ
モリブロックのデータをフラッシュメモリから消去する
第３工程（例えば、図３に示すステップＳ４）と、を含
むことを特徴とする。

【００１６】請求項４記載の発明によれば、データとと
もに書込まれた時間情報をもとに、所定のメモリブロッ
クに書込まれたデータを読み出して記憶媒体に記憶し、
この記憶媒体にデータが読み出されたメモリブロックの
データを、フラッシュメモリから消去する。従って、新
しいデータを書込む時は、すでにデータが消去された空
きブロックに書込めるので、フラッシュメモリのデータ
消去時間によるシステムの性能低下を防止できる。

【００１７】請求項５記載の発明は、請求項４記載のフ
ラッシュメモリの書換制御方法であって、前記第２工程
で記憶媒体に記憶されたデータが所定の回数以上参照さ
れたか否かを判別する第４工程（例えば、図３に示すス
テップＳ７）と、この第４工程で所定の回数以上参照さ
れたと判別されたデータを前記フラッシュメモリに再び
書込む第５工程（例えば、図３に示すステップＳ８）
と、前記第４工程で所定の回数以上参照されていないと
判別されたデータを記憶媒体から消去する第６工程（例
えば、図３に示すステップＳ９）と、をさらに含むこと
を特徴とする。

【００１８】請求項５記載の発明によれば、記憶媒体に
記憶されたデータのうち、所定の回数以上参照されたデ
ータを、再びフラッシュメモリに書込むので、重要なデ
ータは保存される。また、記憶媒体に記憶されたデータ
のうち、所定の回数以上参照されていないデータについ
ては、重要度が低いと判断して一時記憶手段から消去す
るため、効率よくフラッシュメモリを利用することがで
きる。

【００１９】請求項６記載の発明は、請求項４または５
記載のフラッシュメモリの書換制御方法であって、前記
第２工程では、前記各メモリブロックのうち、現在から
一定時間以上前の日時を示す時間情報が書き込まれたメ
モリブロックから、データが読み出されることを特徴と
する。

【００２０】請求項６記載の発明によれば、メモリブロ
ックに書き込まれたデータは、時間情報が示す日時から
一定時間以上経過すると記憶媒体に読み出される。この
ため、一定時間以上経過したデータは、順次、記憶媒体
に記憶されて、参照された回数に応じて保存され、或い
は消去される。従って、より効率よくフラッシュメモリ
を利用することができる。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、図を参照して本発明の実施
の形態を詳細に説明する。

【００２２】まず、構成を説明する。図１は、本発明の
一実施の形態におけるフラッシュメモリの書換制御装置
１の内部回路構成を示すブロック図である。制御装置１
は、各種家庭用、産業用の電子機器を制御するため、こ
れらの機器に内蔵され、あるいは外部に接続された制御
装置である。図１に示すように、この制御装置１は、Ｃ
ＰＵ（Central Processing Unit）２、ＲＯＭ（Read On
ly Memory）３、ＲＡＭ（Random Access Memory）４、
フラッシュメモリ５、制御インターフェース６を備え、
これらはバス７で結合されている。

【００２３】ＣＰＵ２は、ＲＯＭ３に記憶される各種シ
ステムプログラムを読み出して実行し、各部を駆動制御
する。具体的には、ＣＰＵ２は、フラッシュメモリ５の
ブロック５Ａ〜５Ｄにデータを書込むとともに、各ブロ
ックにデータを書込んだ日時を示す時間情報を、各ブロ
ックの時間情報エリア５ａ〜５ｄに記録する。ここで、
時間情報は、例えば、年、月、日、時、分、秒を示すデ
ータとして記録される。

【００２４】また、ＣＰＵ２は、所定時間毎に、時間情
報エリア５ａ〜５ｄをチェックし、各時間情報エリア５
ａ〜５ｄに記録された情報をもとに、書込まれてから所
定の時間が経過したブロックのデータを読み出してＲＡ
Ｍ４の退避エリア４ａに格納し、このブロックのデータ
を消去する。データを消去したブロックには、適宜、新
たなデータを書込む。

【００２５】ＣＰＵ２は、データを読み出してＲＡＭ４
の退避エリア４ａに格納した時の日時を示す時間情報
を、例えば、年月日と時分秒とで表して履歴情報エリア
４ｂに記録するとともに、当該データが参照される毎
に、その参照回数を履歴情報エリア４ｂに記録する。

【００２６】そして、ＣＰＵ２は、退避エリア４ａ内の
データが一定の時間内に所定の回数以上参照された場合
は、退避エリア４ａ内のデータをフラッシュメモリ５の
空きブロックに再び書込む。空きブロックにデータを書
込んだ時の日時を示す時間情報も、当該ブロックの時間
情報エリアに記録する。また、退避エリア４ａ内のデー
タが所定の回数以上参照されていない場合は、ＲＡＭ４
からデータを消去する。また、データを読み出してＲＡ
Ｍ４の退避エリア４ａに格納してからある一定の期間、
データが一度も参照されない場合は、退避エリア４ａ内
のデータをＲＡＭ４から消去する。

【００２７】ＲＡＭ４は、ＣＰＵ２によって実行される
各種プログラム、及び、これらのプログラムに係るデー
タを一時的に記憶する。さらに、図２に示すように、Ｒ
ＡＭ４には、フラッシュメモリ５から一時的にデータを
退避させるための退避エリア４ａが設けられている。さ
らに、退避エリア４ａには、退避エリア４ａ内のデータ
が参照された回数を記録する履歴情報エリア４ｂが設け
られている。また、履歴情報エリア４ｂには、フラッシ
ュメモリ５のデータが読み出されて退避エリア４ａに格
納された時の日時が、例えば、年月日と時分秒を表すデ
ータとして記録される。

【００２８】フラッシュメモリ５には、ＣＰＵ２によっ
て実行される各種プログラムに係るデータ等が記録され
ている。フラッシュメモリ５は、４個のデータ書込み用
メモリブロック５Ａ〜５Ｄによって構成され、各ブロッ
クの容量は１２８ＫＢである。各ブロック５Ａ〜５Ｄに
は、各ブロックにデータが書込まれた際の日時、例え
ば、年月日と時分秒とを記録する時間情報エリア５ａ〜
５ｄが設けられている。

【００２９】制御インターフェース６は、上記家庭用、
産業用の電子機器と、制御装置１とが接続されるインタ
ーフェースであり、この制御インターフェース６を介し
て入出力されるデータや制御信号によって上記各機器が
駆動制御される。

【００３０】次に、本実施の形態の動作を説明する。図
３は、本実施の形態における制御装置１の動作を示すフ
ローチャートである。ＣＰＵ２は、フラッシュメモリ５
の各ブロック５Ａ〜５Ｄにデータを書込み、データを書
込んだ時の日時を示す時間情報を、例えば、年月日と時
分秒とで表して各ブロック５Ａ〜５Ｄの時間情報エリア
５ａ〜５ｄに記録する。

【００３１】そして、ＣＰＵ２は、所定時間毎に、時間
情報エリア５ａ〜５ｄに記録した時間情報をもとに、フ
ラッシュメモリ５の各ブロック５Ａ〜５Ｄへの書込み時
間から一定の時間が経過しているブロックを検索する
（ステップＳ１）。該当するブロックがなければステッ
プＳ１へ戻り、該当するブロックがあればステップＳ３
へ移行する（ステップＳ２）。なお、ここでは、フラッ
シュメモリ５のブロック５Ｂについて処理を行うものと
して説明する。

【００３２】ＣＰＵ２は、書込み時間から一定の時間が
経過しているブロック５Ｂのデータを読み出してＲＡＭ
４の退避エリア４ａへ格納する。また、ＣＰＵ２は、ブ
ロック５Ｂのデータを読み出して退避エリア４ａに格納
した時の日時を示す時間情報を、例えば、年月日と時分
秒を表すデータとして退避エリア４ａの履歴情報エリア
４ｂに記録する（ステップＳ３）。

【００３３】そして、ＣＰＵ２は、ＲＡＭ４の退避エリ
ア４ａに読み出して格納したデータを、フラッシュメモ
リ５のブロック５Ｂから消去し、時間情報エリア５ｂに
記録されているデータの時間情報も消去する（ステップ
Ｓ４）。従って、ブロック５Ｂは空き領域となり、適宜
データを書込むことが可能となる。

【００３４】ステップＳ５では、ＲＡＭ４の退避エリア
４ａに格納したデータが参照された回数を、履歴情報エ
リア４ｂに記録する。また、データが参照された時の日
時を示す時間情報も、例えば、年月日と時分秒とで表し
て履歴情報エリア４ｂに記録する。そして、ステップＳ
６では、履歴情報エリア４ｂに記録した時間情報をもと
に、データをＲＡＭ４に格納した時から一定の時間が経
過するまで待機し、一定の時間が経過したら、ステップ
Ｓ７へ移行する。

【００３５】ステップＳ７では、履歴情報エリア４ｂに
記録したデータの参照回数をもとに、ＲＡＭ４の退避エ
リア４ａに格納したデータが所定の回数以上参照された
か否かを判別する。ここで、退避エリア４ａのデータ
が、一定の時間内に、所定の回数以上参照されたと判別
した場合は、ステップＳ８へ移行する。

【００３６】ステップＳ８では、退避エリア４ａのデー
タを、一定の時間内に所定の回数以上参照されているの
で重要なデータと見なし、再びフラッシュメモリの空き
ブロックへ書込む。対応する時間情報エリアには、デー
タを再び書込んだ時の日時を示す新しい時間情報を、例
えば、年月日と時分秒で表して記録しておく。

【００３７】一方、ステップＳ７で、退避エリア４ａの
データが一定の時間内に所定の回数以上参照されていな
いと判別した場合は、ステップＳ９へ移行する。ステッ
プＳ９では、退避エリア４ａのデータと履歴情報エリア
４ｂに記録した時間情報をＲＡＭ４から消去する。

【００３８】ここで、ステップＳ７における、退避エリ
ア４ａ内のデータをフラッシュメモリ５に再び書込む
か、又は、ＲＡＭ４から消去するかを判断する所定の回
数は、データの性質によって設定すればよく、また、ス
テップＳ６における、所定の回数以上参照されたか否か
を判別する一定の時間も、データの性質によって設定す
ればよい。

【００３９】例えば、ブロック５Ｂのデータを読み出し
て退避エリア４ａに格納した時から、この退避エリア４
ａ内のデータが初めて参照されるまでの時間を測定す
る。そして、この時間の３倍、或いは５倍した時間を、
上記一定の時間とする。この場合、ブロック５Ｂ内のデ
ータは、一律に規定された時間ではなく、そのデータが
最初に参照されるまでの時間をもとに、保存または消去
される。すなわち、絶対的な時間をもとに重要度が判断
されるのではなく、当該データが参照される頻度の変化
に基づいて、データの重要度が判断される。このため、
他のデータに比べて参照される頻度が低く、かつ重要な
データであっても、不用意に消去されることはなく、参
照される頻度が低下した場合には削除される。

【００４０】また、例えば、履歴情報エリア４ｂに記録
された時間情報を定期的にサンプリングし、退避エリア
４ａ内のデータの一定時間内の参照回数を予測するよう
にしてもよい。そして、退避エリア４ａ内のデータが、
一定時間内に、予測された回数参照された場合、又は、
予測された回数より多く参照された場合に、当該データ
をフラッシュメモリ５の空きブロックに再び記録しても
よい。さらに、退避エリア４ａ内のデータの一定時間内
に参照された回数が、予測された回数より少ない時、当
該データをＲＡＭ４から消去してもよい。

【００４１】以上のように、本発明の一実施の形態にお
ける制御装置１によれば、フラッシュメモリ５にデータ
を書込む際には、データを、データがブロック５Ａ〜５
Ｄに書込まれた時間情報とともに記録し、一定の時間が
経過すると一旦ＲＡＭ４の退避エリア４ａに退避させ、
退避させたデータはフラッシュメモリ５から消去する。
従って、古いデータはフラッシュメモリ５から消去さ
れ、データが消去されたブロックには新たなデータを書
込んで利用できるので、データの消去時間が原因でおこ
るシステムの性能低下を防ぐことができ、かつフラッシ
ュメモリ５を効率的に利用できる。

【００４２】また、一旦ＲＡＭ４の退避エリア４ａに退
避させたデータについては、ＲＡＭ４に読み出した時の
時間情報と、そのデータが参照された回数及び参照され
た時の時間情報を履歴情報エリア４ｂに記録して、参照
された回数が所定の回数以上のデータは、再びフラッシ
ュメモリ５に書込む。従って、頻繁に参照される重要な
データは、フラッシュメモリ５かＲＡＭ４のどちらかに
記憶されているので、重要なデータの消去を防止でき
る。一方、参照された回数が所定の回数以下の重要度の
低いデータは、ＲＡＭ４から消去されるので、フラッシ
ュメモリ５を効率的に利用できる。

【００４３】なお、以上の実施の形態においては、フラ
ッシュメモリ５の各ブロックのサイズを１２８ＫＢとし
たが、本発明はこれに限定されるものではなく、例え
ば、６４ＫＢであっても良いし、その他のサイズとする
ことももちろん可能である。また、上記実施の形態にお
いては、フラッシュメモリ５のブロックを４個とした
が、このブロック数についても任意である。

【００４４】また、上記実施の形態においては、ＲＡＭ
４に退避させるデータは、各ブロックへの書込み時間か
ら一定の時間が経過しているものとしたが、これに限ら
ず、例えば、各ブロックの中で、書き込まれた時間が最
も古いデータのみを退避させるようにしてもよい。

【００４５】

【発明の効果】請求項１記載の発明によれば、書込み制
御手段により書込まれた時間情報をもとに、所定のメモ
リブロックに書込まれたデータを一時記憶手段により読
み出して記憶し、この一時記憶手段によりデータが読み
出されたメモリブロックのデータを、消去手段によりフ
ラッシュメモリから消去する。従って、新しいデータを
書込む時は、すでにデータが消去された空きブロックに
書込めるので、フラッシュメモリのデータ消去時間によ
るシステムの性能低下を防止できる。

【００４６】請求項２記載の発明によれば、一時記憶手
段に記憶されたデータのうち、所定の回数以上参照され
たデータを、再びフラッシュメモリに書込むので、頻繁
に参照される重要なデータは保存される。また、一時記
憶手段に記憶されたデータのうち、所定の回数以上参照
されていないデータについては、重要度が著しく低いと
判断して一時記憶手段から消去するため、効率よくフラ
ッシュメモリを利用することができる。

【００４７】請求項３記載の発明によれば、メモリブロ
ックに書き込まれたデータは、時間情報が示す日時から
一定時間以上経過すると、一時記憶手段によって読み出
される。このため、一定時間以上経過したデータは、順
次、一時記憶手段に記憶されて、参照された回数に応じ
て保存され、或いは消去される。従って、より効率よく
フラッシュメモリを利用することができる。

【００４８】請求項４記載の発明によれば、データとと
もに書込まれた時間情報をもとに、所定のメモリブロッ
クに書込まれたデータを読み出して記憶媒体に記憶し、
この記憶媒体にデータが読み出されたメモリブロックの
データを、フラッシュメモリから消去する。従って、新
しいデータを書込む時は、すでにデータが消去された空
きブロックに書込めるので、フラッシュメモリのデータ
消去時間によるシステムの性能低下を防止できる。

【００４９】請求項５記載の発明によれば、記憶媒体に
記憶されたデータのうち、所定の回数以上参照されたデ
ータを、再びフラッシュメモリに書込むので、重要なデ
ータは保存される。また、記憶媒体に記憶されたデータ
のうち、所定の回数以上参照されていないデータについ
ては、重要度が低いと判断して一時記憶手段から消去す
るため、効率よくフラッシュメモリを利用することがで
きる。

【００５０】請求項６記載の発明によれば、メモリブロ
ックに書き込まれたデータは、時間情報が示す日時から
一定時間以上経過すると記憶媒体に読み出される。この
ため、一定時間以上経過したデータは、順次、記憶媒体
に記憶されて、参照された回数に応じて保存され、或い
は消去される。従って、より効率よくフラッシュメモリ
を利用することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用した一実施の形態におけるフラッ
シュメモリを備えた制御装置１の内部回路構成を示すブ
ロック図である。

【図２】図１に示すフラッシュメモリ５とＲＡＭ４の構
成を模式的に示す図である。

【図３】図１に示す制御装置１により実行されるフラッ
シュメモリのデータ書換え処理を示すフローチャートで
ある。

【符号の説明】

１ 制御装置 ２ ＣＰＵ ３ ＲＯＭ ４ ＲＡＭ ４ａ 退避エリア ４ｂ 履歴情報エリア ５ フラッシュメモリ ５Ａ〜５Ｄ メモリブロック ５ａ〜５ｄ 時間情報エリア ６ 制御インターフェース

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】複数のメモリブロックを備えてなるフラッ
   シュメモリの書き換えを制御するフラッシュメモリの書
   換制御装置において、 前記各メモリブロックにデータを書込む際に、データと
   ともに書込み時の日時を示す時間情報を各メモリブロッ
   クに書込む書き込み制御手段と、 この書き込み制御手段により書込まれた時間情報をもと
   に、所定のメモリブロックに書込まれたデータを読み出
   して記憶する一時記憶手段と、 この一時記憶手段によりデータが読み出された前記所定
   のメモリブロックのデータをフラッシュメモリから消去
   する消去手段と、 を備えることを特徴とするフラッシュメモリの書換制御
   装置。
2. 【請求項２】前記一時記憶手段に記憶されたデータが所
   定の回数以上参照されたか否かを判別する判別手段と、 この判別手段によって所定の回数以上参照されたと判別
   されたデータを前記フラッシュメモリに再び書込み、前
   記判別手段によって所定の回数以上参照されていないと
   判別されたデータを前記一時記憶手段から消去する再書
   き込み制御手段とをさらに備えることを特徴とする請求
   項１記載のフラッシュメモリの書換制御装置。
3. 【請求項３】前記一時記憶手段は、前記各メモリブロッ
   クのうち、現在から一定時間以上前の日時を示す時間情
   報が書き込まれたメモリブロックから、データを読み出
   して記憶することを特徴とする請求項１または２記載の
   フラッシュメモリの書換制御装置。
4. 【請求項４】複数のメモリブロックを備えてなるフラッ
   シュメモリの書き換えを制御するフラッシュメモリの書
   換制御方法において、 前記各メモリブロックにデータを書込む際に、データと
   ともに書込み時の日時を示す時間情報を各メモリブロッ
   クに書込む第１工程と、 この第１工程で書込まれた時間情報をもとに、所定のメ
   モリブロックに書込まれたデータを読み出して記憶媒体
   に記憶させる第２工程と、 この第２工程でデータが読み出された前記所定のメモリ
   ブロックのデータをフラッシュメモリから消去する第３
   工程と、 を含むことを特徴とするフラッシュメモリの書換制御方
   法。
5. 【請求項５】前記第２工程で記憶媒体に記憶されたデー
   タが所定の回数以上参照されたか否かを判別する第４工
   程と、 この第４工程で所定の回数以上参照されたと判別された
   データを前記フラッシュメモリに再び書込む第５工程
   と、 前記第４工程で所定の回数以上参照されていないと判別
   されたデータを記憶媒体から消去する第６工程と、 をさらに含むことを特徴とする請求項４記載のフラッシ
   ュメモリの書換制御方法。
6. 【請求項６】前記第２工程では、前記各メモリブロック
   のうち、現在から一定時間以上前の日時を示す時間情報
   が書き込まれたメモリブロックから、データが読み出さ
   れることを特徴とする請求項４または５記載のフラッシ
   ュメモリの書換制御方法。