JP2001310256A - 半導体用基板の研磨方法 - Google Patents
半導体用基板の研磨方法Info
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- JP2001310256A JP2001310256A JP2000131549A JP2000131549A JP2001310256A JP 2001310256 A JP2001310256 A JP 2001310256A JP 2000131549 A JP2000131549 A JP 2000131549A JP 2000131549 A JP2000131549 A JP 2000131549A JP 2001310256 A JP2001310256 A JP 2001310256A
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 シャロー・トレンチ分離における研磨におい
て発生する窪み部の異常研磨（ディッシング）、残留酸
化珪素膜の基板面内均一性の悪さ、研磨による傷の発生
を大幅に改善できる半導体用基板の研磨方法を提供す
る。 【解決手段】 ケミカルメカニカルポリッシング（ＣＭ
Ｐ）によりシリコンウエハを研磨する工程において、水
を主成分とし酸化セリウム粒子を０．５重量％以上、有
機化合物を０．５重量％以上含有する研磨材を用い、少
なくとも２つの研磨工程からなる研磨を行うことを特徴
とする半導体用基板の研磨方法。
て発生する窪み部の異常研磨（ディッシング）、残留酸
化珪素膜の基板面内均一性の悪さ、研磨による傷の発生
を大幅に改善できる半導体用基板の研磨方法を提供す
る。 【解決手段】 ケミカルメカニカルポリッシング（ＣＭ
Ｐ）によりシリコンウエハを研磨する工程において、水
を主成分とし酸化セリウム粒子を０．５重量％以上、有
機化合物を０．５重量％以上含有する研磨材を用い、少
なくとも２つの研磨工程からなる研磨を行うことを特徴
とする半導体用基板の研磨方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子製造工
程のうち、層間絶縁膜の平坦化工程、シャロー・トレン
チ分離の形成工程等において使用される半導体用基板の
研磨方法に関する。
程のうち、層間絶縁膜の平坦化工程、シャロー・トレン
チ分離の形成工程等において使用される半導体用基板の
研磨方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体用基板の製造工程において、基板
表面を均一に平坦化する技術が種種用いられているが近
年、シリコンウエハなどの半導体用基板を研磨液を用い
つつ研磨布に擦り付けて表面を削るケミカルメカニカル
ポリッシング（ＣＭＰ）が広く用いられている。この技
術は、半導体装置の製造工程において、露光を施す層を
完全に平坦化し、露光技術の負担を軽減し、歩留まりを
安定させることができるため、例えば、層間絶縁膜の平
坦化やシャロー・トレンチ分離等を行う際に必須となる
技術である。
表面を均一に平坦化する技術が種種用いられているが近
年、シリコンウエハなどの半導体用基板を研磨液を用い
つつ研磨布に擦り付けて表面を削るケミカルメカニカル
ポリッシング（ＣＭＰ）が広く用いられている。この技
術は、半導体装置の製造工程において、露光を施す層を
完全に平坦化し、露光技術の負担を軽減し、歩留まりを
安定させることができるため、例えば、層間絶縁膜の平
坦化やシャロー・トレンチ分離等を行う際に必須となる
技術である。
【０００３】従来、半導体装置の製造工程において、プ
ラズマ−ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition、化学的
蒸着法）、低圧−ＣＶＤ等の方法で形成される酸化珪素
絶縁膜等を平坦化するためのＣＭＰ研磨液として、コロ
イダルシリカを研磨粒子とする研磨液が多用されてき
た。
ラズマ−ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition、化学的
蒸着法）、低圧−ＣＶＤ等の方法で形成される酸化珪素
絶縁膜等を平坦化するためのＣＭＰ研磨液として、コロ
イダルシリカを研磨粒子とする研磨液が多用されてき
た。
【０００４】ＣＭＰ研磨液は、上記した絶縁膜の平坦化
以外に、シャロー・トレンチ分離の形成工程においても
使用されている。デザインルール０．５μｍ以上の世代
では、集積回路内の素子分離にＬＯＣＯＳ（シリコン局
所酸化）法が用いられてきたが、素子分離幅をより狭く
するため、シャロー・トレンチ分離法が用いられてい
る。シャロー・トレンチ分離法では、基板上に成膜した
余分の酸化珪素膜を除くためにＣＭＰが使用され、研磨
を停止させるために、酸化珪素膜の下に窒化珪素膜がス
トッパとして形成されるのが一般的である。したがっ
て、酸化珪素膜研磨速度は窒化珪素膜研磨速度よりでき
るだけ大きいことが好ましい。しかし、従来のコロイダ
ルシリカを用いた研磨液は、酸化珪素膜と窒化珪素膜の
研磨速度比が高々３程度と小さく、シャロー・トレンチ
分離用としては実用的ではない。
以外に、シャロー・トレンチ分離の形成工程においても
使用されている。デザインルール０．５μｍ以上の世代
では、集積回路内の素子分離にＬＯＣＯＳ（シリコン局
所酸化）法が用いられてきたが、素子分離幅をより狭く
するため、シャロー・トレンチ分離法が用いられてい
る。シャロー・トレンチ分離法では、基板上に成膜した
余分の酸化珪素膜を除くためにＣＭＰが使用され、研磨
を停止させるために、酸化珪素膜の下に窒化珪素膜がス
トッパとして形成されるのが一般的である。したがっ
て、酸化珪素膜研磨速度は窒化珪素膜研磨速度よりでき
るだけ大きいことが好ましい。しかし、従来のコロイダ
ルシリカを用いた研磨液は、酸化珪素膜と窒化珪素膜の
研磨速度比が高々３程度と小さく、シャロー・トレンチ
分離用としては実用的ではない。
【０００５】一方、フォトマスクやレンズ等のガラス表
面研磨剤としては、酸化セリウムを用いた研磨液が多用
されている。酸化セリウム研磨液は研磨傷が発生し難
く、また、研磨速度が早いという特長を有する。そのた
め、酸化セリウム研磨液を半導体用研磨液として適用す
る検討が近年行われているが、未だコロイダルシリカを
用いた研磨液にとって変わるには至っていない。その理
由は、コロイダルシリカを用いた研磨液の問題点のうち
研磨速度については、十分に吟味した酸化セリウム粒子
を用いることで良い結果が得られつつあるが、高平坦
化、酸化珪素と窒化珪素の研磨速度比及び傷の点で十分
な特性を示す酸化セリウム研磨液及び研磨方法がなかっ
たためである。
面研磨剤としては、酸化セリウムを用いた研磨液が多用
されている。酸化セリウム研磨液は研磨傷が発生し難
く、また、研磨速度が早いという特長を有する。そのた
め、酸化セリウム研磨液を半導体用研磨液として適用す
る検討が近年行われているが、未だコロイダルシリカを
用いた研磨液にとって変わるには至っていない。その理
由は、コロイダルシリカを用いた研磨液の問題点のうち
研磨速度については、十分に吟味した酸化セリウム粒子
を用いることで良い結果が得られつつあるが、高平坦
化、酸化珪素と窒化珪素の研磨速度比及び傷の点で十分
な特性を示す酸化セリウム研磨液及び研磨方法がなかっ
たためである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】請求項１〜３記載の発
明は、シャロー・トレンチ分離における研磨において発
生する窪み部の異常研磨（ディッシング）、残留酸化珪
素膜の基板面内均一性の悪さ、研磨による傷の発生を大
幅に改善できる半導体用基板の研磨方法を提供するもの
である。
明は、シャロー・トレンチ分離における研磨において発
生する窪み部の異常研磨（ディッシング）、残留酸化珪
素膜の基板面内均一性の悪さ、研磨による傷の発生を大
幅に改善できる半導体用基板の研磨方法を提供するもの
である。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、ケミカルメカ
ニカルポリッシング（ＣＭＰ）によりシリコンウエハを
研磨する工程において、水を主成分とし酸化セリウム粒
子を０．５重量％以上、有機化合物を０．５重量％以上
含有する研磨材を用い、少なくとも２つの研磨工程から
なる研磨を行うことを特徴とする半導体用基板の研磨方
法に関する。また、本発明は、有機化合物がアクリル酸
アンモニウム塩を含む前記の半導体基板の研磨方法に関
する。また、本発明は、最終研磨工程において圧力２０
kPa以下で研磨する前記の半導体基板の研磨方法に関す
る。
ニカルポリッシング（ＣＭＰ）によりシリコンウエハを
研磨する工程において、水を主成分とし酸化セリウム粒
子を０．５重量％以上、有機化合物を０．５重量％以上
含有する研磨材を用い、少なくとも２つの研磨工程から
なる研磨を行うことを特徴とする半導体用基板の研磨方
法に関する。また、本発明は、有機化合物がアクリル酸
アンモニウム塩を含む前記の半導体基板の研磨方法に関
する。また、本発明は、最終研磨工程において圧力２０
kPa以下で研磨する前記の半導体基板の研磨方法に関す
る。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明における酸化セリウム粒子
は、例えば、炭酸セリウム、硝酸セリウム、硫酸セリウ
ム、しゅう酸セリウム等のセリウムの塩を焼成または過
酸化水素等によって酸化することで作製される。但し、
これらの方法により製造された直後の酸化セリウム粒子
は凝集しているため、機械的に粉砕することが好まし
い。粉砕方法としては、ジェットミル等による乾式粉砕
や遊星ビーズミル等による湿式粉砕方法が好ましい。引
き続いて、得られた酸化セリウム粒子を水中に分散させ
る方法としては、通常の撹拌機による分散処理の他にホ
モジナイザー、超音波分散機、湿式ボールミル等を用い
ることができる。
は、例えば、炭酸セリウム、硝酸セリウム、硫酸セリウ
ム、しゅう酸セリウム等のセリウムの塩を焼成または過
酸化水素等によって酸化することで作製される。但し、
これらの方法により製造された直後の酸化セリウム粒子
は凝集しているため、機械的に粉砕することが好まし
い。粉砕方法としては、ジェットミル等による乾式粉砕
や遊星ビーズミル等による湿式粉砕方法が好ましい。引
き続いて、得られた酸化セリウム粒子を水中に分散させ
る方法としては、通常の撹拌機による分散処理の他にホ
モジナイザー、超音波分散機、湿式ボールミル等を用い
ることができる。
【０００９】本発明における研磨材の酸化セリウム粒子
の濃度は、０．５重量％以上とされる。０．５重量％未
満の場合は研磨速度が劣る。本発明における研磨材の酸
化セリウム粒子の濃度は、１０重量％以下であることが
好ましい。１０重量％を超える場合は酸化セリウム粒子
の分散安定性が劣る傾向がある。
の濃度は、０．５重量％以上とされる。０．５重量％未
満の場合は研磨速度が劣る。本発明における研磨材の酸
化セリウム粒子の濃度は、１０重量％以下であることが
好ましい。１０重量％を超える場合は酸化セリウム粒子
の分散安定性が劣る傾向がある。
【００１０】本発明における有機化合物としては界面活
性剤が好適である。界面活性剤としては、例えば、アニ
オン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、ノニオン系
界面活性剤等を使用しうる。具体的には、アルフォオレ
フィンスルホン酸塩、アルキルベンゼンスルホン酸、ア
ルキルベンゼンスルホン酸塩、アルキル硫酸エステル
塩、アルキルエーテル硫酸エステル塩、メチルタウリン
酸塩、アラニネート塩、スルホコハク酸塩、エーテルス
ルホン酸塩、エーテルカルボン酸、エーテルカルボン酸
塩、アミノ酸塩、ポリカルボン酸型ポリマー、合成アル
コール、天然アルコール、ポリオキシアルキレングリコ
ール、脂肪酸エステル、アルキルアミン、アルキルアミ
ド、アルキルアミンオキサイド、アミノ酸等が挙げられ
る。
性剤が好適である。界面活性剤としては、例えば、アニ
オン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、ノニオン系
界面活性剤等を使用しうる。具体的には、アルフォオレ
フィンスルホン酸塩、アルキルベンゼンスルホン酸、ア
ルキルベンゼンスルホン酸塩、アルキル硫酸エステル
塩、アルキルエーテル硫酸エステル塩、メチルタウリン
酸塩、アラニネート塩、スルホコハク酸塩、エーテルス
ルホン酸塩、エーテルカルボン酸、エーテルカルボン酸
塩、アミノ酸塩、ポリカルボン酸型ポリマー、合成アル
コール、天然アルコール、ポリオキシアルキレングリコ
ール、脂肪酸エステル、アルキルアミン、アルキルアミ
ド、アルキルアミンオキサイド、アミノ酸等が挙げられ
る。
【００１１】アニオン系またはノニオン系の界面活性剤
を用いることが好ましく、これらのもので高分子タイプ
のものがより好ましく、アクリル酸アンモニウム塩を含
む（即ちポリマーの構成単位としてアクリル酸アンモニ
ウム塩が使用される）ことが特に好ましい。
を用いることが好ましく、これらのもので高分子タイプ
のものがより好ましく、アクリル酸アンモニウム塩を含
む（即ちポリマーの構成単位としてアクリル酸アンモニ
ウム塩が使用される）ことが特に好ましい。
【００１２】研磨材は１液型であってもよく、２液型で
あってもよい。２液型（液Ａ＋液Ｂ）の場合、使用直前
に液Ａと液Ｂとを混合することが好ましく、例えば、液
Ａの界面活性剤の濃度は、０．００３〜０．３重量％で
あることが好ましい。０．００３重量％未満の場合は酸
化セリウム粒子の水への分散性が劣る傾向があり、０．
３重量％を超える場合は酸化セリウム粒子が凝集する傾
向がある。
あってもよい。２液型（液Ａ＋液Ｂ）の場合、使用直前
に液Ａと液Ｂとを混合することが好ましく、例えば、液
Ａの界面活性剤の濃度は、０．００３〜０．３重量％で
あることが好ましい。０．００３重量％未満の場合は酸
化セリウム粒子の水への分散性が劣る傾向があり、０．
３重量％を超える場合は酸化セリウム粒子が凝集する傾
向がある。
【００１３】液Ｂの界面活性剤の濃度は、０．５重量％
以上とされ、０．５重量％未満の場合は選択研磨性、高
平坦化性が劣る。液Ｂの界面活性剤の濃度は、１０重量
％以下であることが好ましい。１０重量％を超える場合
は、研磨速度が小さくなる傾向がある。液Ａと液Ｂとを
混合して得られる研磨材の界面活性剤の濃度は、０．５
重量％以上とされ、０．５重量％未満の場合は選択研磨
性、高平坦化性が劣る。
以上とされ、０．５重量％未満の場合は選択研磨性、高
平坦化性が劣る。液Ｂの界面活性剤の濃度は、１０重量
％以下であることが好ましい。１０重量％を超える場合
は、研磨速度が小さくなる傾向がある。液Ａと液Ｂとを
混合して得られる研磨材の界面活性剤の濃度は、０．５
重量％以上とされ、０．５重量％未満の場合は選択研磨
性、高平坦化性が劣る。
【００１４】研磨材の流量は、毎分５０〜５００mlとさ
れ、毎分５０ml未満の場合は研磨速度が小さくなり、毎
分５００mlを超えると研磨に関与しない液量が増えて効
率が悪い。
れ、毎分５０ml未満の場合は研磨速度が小さくなり、毎
分５００mlを超えると研磨に関与しない液量が増えて効
率が悪い。
【００１５】研磨布には、高分子を板状に加工したもの
が望ましく、高分子板を発砲させて微少な気泡を形成し
たものがさらに好ましい。また、表面に溝を形成したも
のは基板表面の均一性を向上させたり、研磨液の流れを
よくする上で効果があり、細かい溝を同心円状の加工し
たものや格子状に加工したものの使用が好ましい。
が望ましく、高分子板を発砲させて微少な気泡を形成し
たものがさらに好ましい。また、表面に溝を形成したも
のは基板表面の均一性を向上させたり、研磨液の流れを
よくする上で効果があり、細かい溝を同心円状の加工し
たものや格子状に加工したものの使用が好ましい。
【００１６】研磨に際しては、（１）基板と研磨布の擦
れ速度（円形上の研磨布の場合は研磨布の回転数と基板
の回転数）及び（２）基板の研磨布への押し付け圧力の
２つが主たるパラメータである。速度は０．２から３．
０m/secが望ましく、高い研磨速度で良好な膜厚均一性
を得るには０．５から２．０m/secがさらに好ましい。
また、圧力は５〜７０kPaが望ましく、良好な膜厚均一
性を得るためには１０〜６０kPaがさらに好ましい。
れ速度（円形上の研磨布の場合は研磨布の回転数と基板
の回転数）及び（２）基板の研磨布への押し付け圧力の
２つが主たるパラメータである。速度は０．２から３．
０m/secが望ましく、高い研磨速度で良好な膜厚均一性
を得るには０．５から２．０m/secがさらに好ましい。
また、圧力は５〜７０kPaが望ましく、良好な膜厚均一
性を得るためには１０〜６０kPaがさらに好ましい。
【００１７】研磨の工程は、少なくとも２つの工程から
なる。例えば、初めに基板の最上層に形成された酸化珪
素を主成分とする膜を３０〜７０kPaの高い圧力を用い
て早い研磨速度で下層の窒化珪素などを主成分とする研
磨停止層が露出するまで研磨し（第１の工程）、研磨停
止層が露出した後は低い圧力を用いて研磨を行い（第２
の工程）、ディッシングを防止するとともに、良好な残
留酸化珪素膜の基板面内均一性を得る。２段目（第２の
工程）の低い圧力は１０〜３０kPaが好ましい。また、
擦れ速度と回転数は特に限定するものではなく、上記の
範囲であれば２つの研磨工程の中で擦れ速度や回転数を
変えることも可能である。
なる。例えば、初めに基板の最上層に形成された酸化珪
素を主成分とする膜を３０〜７０kPaの高い圧力を用い
て早い研磨速度で下層の窒化珪素などを主成分とする研
磨停止層が露出するまで研磨し（第１の工程）、研磨停
止層が露出した後は低い圧力を用いて研磨を行い（第２
の工程）、ディッシングを防止するとともに、良好な残
留酸化珪素膜の基板面内均一性を得る。２段目（第２の
工程）の低い圧力は１０〜３０kPaが好ましい。また、
擦れ速度と回転数は特に限定するものではなく、上記の
範囲であれば２つの研磨工程の中で擦れ速度や回転数を
変えることも可能である。
【００１８】本発明の好ましい態様の１つとして、０．
５〜３．０重量％の酸化セリウム粒子、０．００３〜
０．３重量％の界面活性剤及び水を含有する液Ａと、
０．５〜１０重量％の界面活性剤及び水を含有する液Ｂ
の二液を混合して研磨布の上に流しつつ窒化酸化などの
研磨停止用下地膜が露出するまで比較的高い押し付け圧
力で酸化珪素系膜の研磨を行い（第１の工程）、しかる
のち基板の研磨布への押し付け圧力を低減させた条件で
次の段階の研磨を行う（第２の工程）態様が挙げられ
る。
５〜３．０重量％の酸化セリウム粒子、０．００３〜
０．３重量％の界面活性剤及び水を含有する液Ａと、
０．５〜１０重量％の界面活性剤及び水を含有する液Ｂ
の二液を混合して研磨布の上に流しつつ窒化酸化などの
研磨停止用下地膜が露出するまで比較的高い押し付け圧
力で酸化珪素系膜の研磨を行い（第１の工程）、しかる
のち基板の研磨布への押し付け圧力を低減させた条件で
次の段階の研磨を行う（第２の工程）態様が挙げられ
る。
【００１９】第１の工程で短時間で酸化珪素を短時間で
研磨するとともに、第２の工程で良好な平坦性を得るこ
とが可能となり、シャロートレンチＣＭＰにおいて、デ
ィッシングを防止するとともに、高い平坦性を得ること
ができる。
研磨するとともに、第２の工程で良好な平坦性を得るこ
とが可能となり、シャロートレンチＣＭＰにおいて、デ
ィッシングを防止するとともに、高い平坦性を得ること
ができる。
【００２０】本発明の半導体用基板の研磨方法により、
種々の被研磨面を研磨でき、例えば、半導体基板に形成
された酸化珪素膜だけでなく、所定の配線を有する配線
板に形成された酸化珪素膜、ガラス、窒化珪素等の無機
絶縁膜、フォトマスク・レンズ・プリズムなどの光学ガ
ラス、ＩＴＯ等の無機導電膜、ガラス及び結晶質材料で
構成される光集積回路・光スイッチング素子・光導波
路、光ファイバーの端面、シンチレータ等の光学用単結
晶、固体レーザ単結晶、青色レーザＬＥＤ用サファイヤ
基板、ＳｉＣ、ＧａＰ、ＧａＡＳ等の半導体単結晶、磁
気ディスク用ガラス基板、磁気ヘッド等を研磨すること
ができる。
種々の被研磨面を研磨でき、例えば、半導体基板に形成
された酸化珪素膜だけでなく、所定の配線を有する配線
板に形成された酸化珪素膜、ガラス、窒化珪素等の無機
絶縁膜、フォトマスク・レンズ・プリズムなどの光学ガ
ラス、ＩＴＯ等の無機導電膜、ガラス及び結晶質材料で
構成される光集積回路・光スイッチング素子・光導波
路、光ファイバーの端面、シンチレータ等の光学用単結
晶、固体レーザ単結晶、青色レーザＬＥＤ用サファイヤ
基板、ＳｉＣ、ＧａＰ、ＧａＡＳ等の半導体単結晶、磁
気ディスク用ガラス基板、磁気ヘッド等を研磨すること
ができる。
【００２１】
【実施例】次に、実施例により本発明を説明する。
【００２２】製造例１ 炭酸セリウム水和物２kgを白金製容器に入れ、８５０℃
で２時間空気中で焼成することにより酸化セリウムを得
た。酸化セリウム粒子が水に対して６重量％になるよう
に脱イオン水を加え、アクリル酸とアクリル酸メチルを
１：１で共重合した重量平均分子量１０，０００のポリ
アクリル酸アンモニウム塩が酸化セリウム粒子に対して
０．８重量％となるように混合し、横型湿式超微粒分散
粉砕機を用いて１４００ｒｐｍで１２０分間粉砕処理を
し液Ａを得た。次に、重量平均分子量４、０００のポリ
アクリル酸アンモニウム塩が３重量％となるように水と
混合し、液Ｂを得た。
で２時間空気中で焼成することにより酸化セリウムを得
た。酸化セリウム粒子が水に対して６重量％になるよう
に脱イオン水を加え、アクリル酸とアクリル酸メチルを
１：１で共重合した重量平均分子量１０，０００のポリ
アクリル酸アンモニウム塩が酸化セリウム粒子に対して
０．８重量％となるように混合し、横型湿式超微粒分散
粉砕機を用いて１４００ｒｐｍで１２０分間粉砕処理を
し液Ａを得た。次に、重量平均分子量４、０００のポリ
アクリル酸アンモニウム塩が３重量％となるように水と
混合し、液Ｂを得た。
【００２３】実施例１ 第１のパイプから液Ａを毎分５０ml、第２のパイプから
液Ｂを毎分１５０ml流して混合し、内径１センチメート
ルの第３のパイプに導入し、この第３のパイプから混合
液を研磨パッド上に供給して８インチウエハ上の酸化珪
素膜及び窒化珪素膜を荏原(株)製ＣＭＰ研磨装置（円形
研磨布の直径６０cm）を用いて、２０μｍ角で高さが５
０００Åの凸部を１００μｍ間隔で形成した酸化珪素膜
を研磨し、凸部が研磨されたときの凸部と凸部の中間点
での異常研磨量（ディッシング量）と基板面内２０点の
酸化珪素膜の膜厚均一性をばらつき（シグマ）と基板表
面に発生した０．２μｍ以上の傷数を求め結果を表７に
示した。なお、研磨条件は表１に示す通りとし研磨を行
った（２工程研磨）。
液Ｂを毎分１５０ml流して混合し、内径１センチメート
ルの第３のパイプに導入し、この第３のパイプから混合
液を研磨パッド上に供給して８インチウエハ上の酸化珪
素膜及び窒化珪素膜を荏原(株)製ＣＭＰ研磨装置（円形
研磨布の直径６０cm）を用いて、２０μｍ角で高さが５
０００Åの凸部を１００μｍ間隔で形成した酸化珪素膜
を研磨し、凸部が研磨されたときの凸部と凸部の中間点
での異常研磨量（ディッシング量）と基板面内２０点の
酸化珪素膜の膜厚均一性をばらつき（シグマ）と基板表
面に発生した０．２μｍ以上の傷数を求め結果を表７に
示した。なお、研磨条件は表１に示す通りとし研磨を行
った（２工程研磨）。
【００２４】
【表１】
【００２５】比較例１ 研磨条件を表２に示す通りとした以外は実施例１と同様
にして研磨を行った（１工程研磨）。
にして研磨を行った（１工程研磨）。
【００２６】
【表２】
【００２７】比較例２ 研磨条件を表３に示す通りとした以外は実施例１と同様
にして研磨を行った（１工程研磨）。
にして研磨を行った（１工程研磨）。
【００２８】
【表３】
【００２９】比較例３ 研磨条件を表４に示す通りとした以外は実施例１と同様
にして研磨を行った（１工程研磨）。
にして研磨を行った（１工程研磨）。
【００３０】
【表４】
【００３１】比較例４ 研磨条件を表５に示す通りとした以外は実施例１と同様
にして研磨を行った（１工程研磨）。
にして研磨を行った（１工程研磨）。
【００３２】
【表５】
【００３３】比較例５ 研磨材は、液Ａ５０mlと純水１５０mlを用いて、液Ｂな
しで研磨条件を表６に示す通りとした以外は実施例１と
同様にして研磨を行った（１工程研磨）。
しで研磨条件を表６に示す通りとした以外は実施例１と
同様にして研磨を行った（１工程研磨）。
【００３４】
【表６】
【００３５】
【表７】
【００３６】
【発明の効果】請求項１〜３記載の半導体用基板の研磨
方法は、シャロー・トレンチ分離における研磨において
発生する窪み部の異常研磨（ディッシング）、残留酸化
珪素膜の基板面内均一性の悪さ、研磨による傷の発生を
大幅に改善できるものである。
方法は、シャロー・トレンチ分離における研磨において
発生する窪み部の異常研磨（ディッシング）、残留酸化
珪素膜の基板面内均一性の悪さ、研磨による傷の発生を
大幅に改善できるものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/304 ６２２ Ｈ０１Ｌ 21/304 ６２２Ｄ ６２２Ｒ
Claims (3)
- 【請求項１】 ケミカルメカニカルポリッシング（ＣＭ
Ｐ）によりシリコンウエハを研磨する工程において、水
を主成分とし酸化セリウム粒子を０．５重量％以上、有
機化合物を０．５重量％以上含有する研磨材を用い、少
なくとも２つの研磨工程からなる研磨を行うことを特徴
とする半導体用基板の研磨方法。 - 【請求項２】 有機化合物がアクリル酸アンモニウム塩
を含む請求項１記載の半導体基板の研磨方法。 - 【請求項３】 最終研磨工程において圧力２０kPa以下
で研磨する請求項１又は２記載の半導体基板の研磨方
法。
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| JP2000131549A JP2001310256A (ja) | 2000-04-26 | 2000-04-26 | 半導体用基板の研磨方法 |
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| JP2000131549A JP2001310256A (ja) | 2000-04-26 | 2000-04-26 | 半導体用基板の研磨方法 |
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| JP2000131549A Pending JP2001310256A (ja) | 2000-04-26 | 2000-04-26 | 半導体用基板の研磨方法 |
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| JP (1) | JP2001310256A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7300877B2 (en) | 2004-01-13 | 2007-11-27 | Nec Electronics Corporation | Method of manufacturing a semiconductor device |
| US8222144B2 (en) | 2008-08-08 | 2012-07-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing semiconductor device, and polishing apparatus |
| CN102601719A (zh) * | 2011-01-20 | 2012-07-25 | 株式会社荏原制作所 | 研磨方法和研磨装置 |
| CN103659575A (zh) * | 2012-09-24 | 2014-03-26 | 株式会社荏原制作所 | 研磨方法及研磨装置 |
| CN104130714A (zh) * | 2014-07-01 | 2014-11-05 | 蚌埠市高华电子有限公司 | 一种含有磨料的适用于金属的混合抛光液及其制备方法 |
-
2000
- 2000-04-26 JP JP2000131549A patent/JP2001310256A/ja active Pending
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| CN104130714B (zh) * | 2014-07-01 | 2015-10-28 | 蚌埠市高华电子有限公司 | 一种含有磨料的适用于金属的混合抛光液及其制备方法 |
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