JP2000109803A - Cmp研磨剤及び基板の研磨方法 - Google Patents
Cmp研磨剤及び基板の研磨方法Info
- Publication number
- JP2000109803A JP2000109803A JP28614398A JP28614398A JP2000109803A JP 2000109803 A JP2000109803 A JP 2000109803A JP 28614398 A JP28614398 A JP 28614398A JP 28614398 A JP28614398 A JP 28614398A JP 2000109803 A JP2000109803 A JP 2000109803A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- cmp
- film
- substrate
- cerium oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1409—Abrasive particles per se
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01F—COMPOUNDS OF THE METALS BERYLLIUM, MAGNESIUM, ALUMINIUM, CALCIUM, STRONTIUM, BARIUM, RADIUM, THORIUM, OR OF THE RARE-EARTH METALS
- C01F17/00—Compounds of rare earth metals
- C01F17/20—Compounds containing only rare earth metals as the metal element
- C01F17/206—Compounds containing only rare earth metals as the metal element oxide or hydroxide being the only anion
- C01F17/224—Oxides or hydroxides of lanthanides
- C01F17/235—Cerium oxides or hydroxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
- C01P2004/64—Nanometer sized, i.e. from 1-100 nanometer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/12—Surface area
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Geology (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
を、傷なく、高速に研磨することが可能で、酸化珪素膜
研磨速度と窒化珪素膜研磨速度の比を10以上にするC
MP研磨剤、及びこれらCMP研磨剤を使用した基板の
研磨方法を提供する。 【解決手段】酸化セリウム粒子、分散剤、生分解性を有
する添加剤、及び水からなるCMP研磨剤で、生分解性
を有する添加剤はポリアクリル酸系共重合体及びその誘
導体であるCMP研磨剤。酸化セリウム粒子、分散剤及
び水を含む酸化セリウムスラリー及び生分解性を有する
添加剤と水を含む添加液からなるCMP研磨剤。研磨す
る膜を形成した基板を研磨定盤の研磨布に押しあて加圧
し、CMP研磨剤を研磨膜と研磨布との間に供給しなが
ら、基板と研磨定盤を動かして研磨する膜を研磨する基
板の研磨方法。
Description
術に使用される研磨方法に関し、基板表面の平坦化工
程、特に層間絶縁膜の平坦化工程、シャロー・トレンチ
分離の形成工程等において使用されるCMP(ケミカル
メカニカルポリッシング)研磨剤及びこれらCMP研磨
剤を使用した基板の研磨方法に関する。
度を高める傾向にあり、種々の微細加工技術が研究、開
発されている。既に、デザインルールは、サブハーフミ
クロンのオーダーになっている。このような厳しい微細
化の要求を満足するために開発されている技術の一つに
CMP技術がある。この技術は、半導体装置の製造工程
において、露光を施す層を完全に平坦化し、露光技術の
負担を軽減し、歩留まりを安定させることができるた
め、例えば、層間絶縁膜の平坦化、シャロー・トレンチ
分離等を行う際に必須となる技術である。
ラズマ−CVD(ChemicalVapor Dep
osition、化学的蒸着法)、低圧−CVD等の方
法で形成される酸化珪素絶縁膜等無機絶縁膜層を平坦化
するためのCMP研磨剤として、コロイダルシリカ系の
研磨剤が一般的に検討されていた。コロイダルシリカ系
の研磨剤は、シリカ粒子を四塩化珪酸を熱分解する等の
方法で粒成長させ、pH調整を行って製造している。
な研磨剤は無機絶縁膜の研磨速度が十分な速度をもた
ず、実用化には低研磨速度という技術課題があった。デ
ザインルール0.5μm以上の世代では、集積回路内の
素子分離にLOCOS(シリコン局所酸化)が用いられ
ていた。その後さらに加工寸法が微細化すると素子分離
幅の狭い技術が要求され、シャロー・トレンチ分離が用
いられつつある。シャロー・トレンチ分離では、基板上
に成膜した余分の酸化珪素膜を除くためにCMPが使用
され、研磨を停止させるために、酸化珪素膜の下に研磨
速度の遅いストッパ膜が形成される。ストッパ膜には窒
化珪素などが使用され、酸化珪素膜とストッパ膜との研
磨速度比が大きいことが望ましい。従来のコロイダルシ
リカ系の研磨剤は、上記の酸化珪素膜とストッパ膜の研
磨速度比が3程度と小さく、シャロー・トレンチ分離用
としては実用に耐える特性を有していなかった。
面研磨剤として、酸化セリウム研磨剤が用いられてい
る。酸化セリウム粒子はシリカ粒子やアルミナ粒子に比
べ硬度が低く、したがって、研磨表面に傷が入りにくい
ことから、仕上げ鏡面研磨に有用である。しかしなが
ら、ガラス表面研磨用酸化セリウム研磨剤にはナトリウ
ム塩を含む分散剤を使用しているため、そのまま半導体
用研磨剤として適用することはできない。
化しつつある。CMP研磨剤はリサイクルが難しく、使
用後のCMP研磨剤は産業廃棄物として廃棄される。C
MP研磨剤廃液中に含まれる研磨粒子はそのまま下水処
理できないために廃水と分離する必要がある。CMP研
磨剤中に研磨粒子以外に添加剤が加えられている場合に
は、添加剤も廃水から分離するのが望ましいが、簡便な
分離技術に乏しいのが現状である。
等の被研磨面を、傷なく、高速に研磨することが可能
で、酸化珪素膜研磨速度と窒化珪素膜研磨速度の比を1
0以上にするCMP研磨剤及びこれらCMP研磨剤を使
用した基板の研磨方法を提供する。
は、酸化セリウム粒子、分散剤、生分解性を有する添加
剤及び水を含有する。生分解性を有する添加剤はポリア
クリル酸系共重合体及びその誘導体から選ばれる少なく
とも1種が好ましい。本発明のCMP研磨剤は、酸化セ
リウム粒子、分散剤及び水を含有する酸化セリウムスラ
リー及び生分解性を有する添加剤と水を含有する添加液
とから調整することができる。CMP研磨剤には、他の
成分を含有することができる。酸化珪素膜研磨速度と窒
化珪素膜研磨速度の比(酸化珪素膜研磨速度/窒化珪素
膜研磨速度)は10以上であることが好ましい。本発明
の基板の研磨方法は、研磨する膜を形成した基板を研磨
定盤の研磨布に押しあて加圧し、前記のCMP研磨剤を
研磨膜と研磨布との間に供給しながら、基板と研磨定盤
を相対的に動かして研磨する膜を研磨することを特徴と
する。
硝酸塩、硫酸塩、しゅう酸塩のセリウム化合物を酸化す
ることによって得られる。TEOS−CVD法等で形成
される酸化珪素膜の研磨に使用する酸化セリウム研磨剤
は、一次粒子径が大きく、かつ結晶ひずみが少ないほ
ど、すなわち結晶性が良いほど高速研磨が可能である
が、研磨傷が入りやすい傾向がある。そこで、本発明で
用いる酸化セリウム粒子は、その製造方法を限定するも
のではないが、酸化セリウム結晶子径は5nm以上30
0nm以下であることが好ましい。また、半導体チップ
研磨に使用することから、アルカリ金属及びハロゲン類
の含有率は酸化セリウム粒子中10ppm以下に抑える
ことが好ましい。
する方法として焼成または過酸化水素等による酸化法が
使用できる。焼成温度は350℃以上900℃以下が好
ましい。上記の方法により製造された酸化セリウム粒子
は凝集しているため、機械的に粉砕することが好まし
い。粉砕方法として、ジェットミル等による乾式粉砕や
遊星ビーズミル等による湿式粉砕方法が好ましい。ジェ
ットミルは例えば化学工業論文集第6巻第5号(198
0)527〜532頁に説明されている。
上記の特徴を有する酸化セリウム粒子と分散剤と水から
なる組成物を分散させ、さらに生分解性を有する添加剤
を添加することによって得られる。ここで、酸化セリウ
ム粒子の濃度に制限はないが、分散液の取り扱いやすさ
から0.5重量%以上20重量%以下の範囲が好まし
い。また、分散剤として、半導体チップ研磨に使用する
ことから、ナトリウムイオン、カリウムイオン等のアル
カリ金属及びハロゲン、イオウの含有率は10ppm以
下に抑えることが好ましく、例えば、共重合成分として
アクリル酸アンモニウム塩を含む高分子分散剤が好まし
い。また、共重合成分としてアクリル酸アンモニウム塩
を含む高分子分散剤と水溶性陰イオン性分散剤、水溶性
非イオン性分散剤、水溶性陽イオン性分散剤、水溶性両
性分散剤から選ばれた少なくとも1種類を含む2種類以
上の分散剤を使用してもよい。
ば、ラウリル硫酸トリエタノールアミン、ラウリル硫酸
アンモニウム、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫
酸トリエタノールアミン、特殊ポリカルボン酸型高分子
分散剤等が挙げられ、水溶性非イオン性分散剤として
は、例えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポ
リオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレン
ステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエー
テル、ポリオキシエチレン高級アルコールエーテル、ポ
リオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキ
シエチレンノニルフェニルエーテル、ポリオキシアルキ
レンアルキルエーテル、ポリオキシエチレン誘導体、ポ
リオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキ
シエチレンソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエ
チレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレ
ンソルビタントリステアレート、ポリオキシエチレンソ
ルビタンモノオレエート、ポリオキシエチレンソルビタ
ントリオレエート、テトラオレイン酸ポリオキシエチレ
ンソルビット、ポリエチレングリコールモノラウレー
ト、ポリエチレングリコールモノステアレート、ポリエ
チレングリコールジステアレート、ポリエチレングリコ
ールモノオレエート、ポリオキシエチレンアルキルアミ
ン、ポリオキシエチレン硬化ヒマシ油、アルキルアルカ
ノールアミド等が挙げられ、水溶性陽イオン性分散剤と
しては、例えば、ココナットアミンアセテート、ステア
リルアミンアセテート等が挙げられ、水溶性両性分散剤
としては、例えば、ラウリルベタイン、ステアリルベタ
イン、ラウリルジメチルアミンオキサイド、2−アルキ
ル−N−カルボキシメチル−N−ヒドロキシエチルイミ
ダゾリニウムベタイン等が挙げられる。分散剤は生分解
性のものであっても良い。
子の分散性及び沈降防止、さらに研磨傷と分散剤添加量
との関係から酸化セリウム粒子100重量部に対して、
0.01重量部以上2.0重量部以下の範囲が好まし
い。分散剤の分子量は、100〜50,000が好まし
く、1,000〜10,000がより好ましい。分散剤
の分子量が100未満の場合は、酸化珪素膜あるいは窒
化珪素膜を研磨するときに、十分な研磨速度が得られ
ず、分散剤の分子量が50,000を越えた場合は、粘
度が高くなり、CMP研磨剤の保存安定性が低下するか
らである。これらの酸化セリウム粒子を水中に分散させ
る方法としては、通常の攪拌機による分散処理の他にホ
モジナイザー、超音波分散機、湿式ボールミルなどを用
いることができる。こうして作製されたCMP研磨剤中
の酸化セリウム粒子の平均粒径は、0.01μm〜1.
0μmであることが好ましい。酸化セリウム粒子の平均
粒径が0.01μm未満であると研磨速度が低くなりす
ぎ、1.0μmを越えると研磨する膜に傷がつきやすく
なるからである。
(A)アクリル酸、メタアクリル酸、フマル酸、マレイ
ン酸、イタコン酸、クロトン酸、イソクロトン酸、4−
ペンテン酸、アリルマロン酸、グルタコン酸、シトラコ
ン酸、メサコン酸、2−メチルクロトン酸、2−メチル
イソクロトン酸の不飽和モノ及びジカルボン酸から選ば
れる少なくとも1種に対し、(B)ビニルアルコール、
酢酸ビニル、シクロヘキセノン及びシクロペンタノンか
ら選ばれる少なくとも1種を共重合して得られるアクリ
ル酸系共重合体が好ましい。尚、不飽和モノ及びジカル
ボン酸としては、アクリル酸、メタクリル酸、フマル
酸、マレイン酸が好ましい。これらの生分解性を有する
添加剤添加量は、CMP研磨剤中の粒子の分散性及び沈
降防止、さらに研磨傷と添加剤添加量との関係から酸化
セリウム粒子100重量部に対して、0.01重量部以
上1000重量部以下の範囲が好ましい。また生分解性
を有する添加剤の分子量は、100〜500,000が
好ましく、1,000〜50,000が好ましい。添加
剤の分子量が100未満の場合は、酸化珪素膜あるいは
窒化珪素膜を研磨するときに、十分な研磨速度が得られ
ず、添加剤の分子量が500,000を越えた場合は、
粘度が高くなり、CMP研磨剤の保存安定性が低下する
からである。
る酸化セリウムスラリーと、生分解性を有する添加剤及
び水からなる添加液とを分けたCMP研磨剤として保存
すると酸化セリウム粒子が凝集しないため、保存安定性
が増し、研磨傷の発生防止、研磨速度の安定化が得られ
て好ましい。上記のCMP研磨剤で基板を研摩する際
に、添加液は、酸化セリウムスラリーと別々に研磨定盤
上に供給し、研磨定盤上で混合するか、研磨直前に酸化
セリウムスラリーと混合し研磨定盤上に供給する方法が
とられる。
剤をそのまま使用してもよいが、N,N−ジエチルエタ
ノールアミン、N,N−ジメチルエタノールアミン、ア
ミノエチルエタノールアミン等の添加剤を添加してCM
P研磨剤とすることができる。
縁膜の作製方法として、低圧CVD法、プラズマCVD
法等が挙げられる。低圧CVD法による酸化珪素膜形成
は、Si源としてモノシラン:SiH4 、酸素源として
酸素:O2 を用いる。このSiH4 −O2 系酸化反応を
400℃以下の低温で行わせることにより得られる。場
合によっては、CVD後1000℃またはそれ以下の温
度で熱処理される。高温リフローによる表面平坦化を図
るためにリン:Pをドープするときには、SiH4 −O
2 −PH3 系反応ガスを用いることが好ましい。プラズ
マCVD法は、通常の熱平衡下では高温を必要とする化
学反応が低温でできる利点を有する。プラズマ発生法に
は、容量結合型と誘導結合型の2つが挙げられる。反応
ガスとしては、Si源としてSiH4 、酸素源としてN
2 Oを用いたSiH4 −N2 O系ガスとテトラエトキシ
シラン(TEOS)をSi源に用いたTEOS−O2 系
ガス(TEOS−プラズマCVD法)が挙げられる。基
板温度は250℃〜400℃、反応圧力は67〜400
Paの範囲が好ましい。このように、本発明の酸化珪素
膜にはリン、ホウ素等の元素がドープされていても良
い。同様に、低圧CVD法による窒化珪素膜形成は、S
i源としてジクロルシラン:SiH2 Cl2 、窒素源と
してアンモニア:NH3 を用いる。このSiH2 Cl2
−NH3 系酸化反応を900℃の高温で行わせることに
より得られる。プラズマCVD法は、反応ガスとして
は、Si源としてSiH4 、窒素源としてNH3 を用い
たSiH4−NH3 系ガスが挙げられる。基板温度は3
00℃〜400℃が好ましい。
成された段階の半導体基板、回路素子が形成された段階
の半導体基板等の半導体基板上に酸化珪素膜層あるいは
窒化珪素膜層が形成された基板が使用できる。このよう
な半導体基板上に形成された酸化珪素膜層あるいは窒化
珪素膜層を上記CMP研磨剤で研磨することによって、
酸化珪素膜層表面の凹凸を解消し、半導体基板全面にわ
たって平滑な面とすることができる。また、シャロー・
トレンチ分離にも使用できる。シャロー・トレンチ分離
に使用するためには、酸化珪素膜研磨速度と窒化珪素膜
研磨速度の比、酸化珪素膜研磨速度/窒化珪素膜研磨速
度が10以上であることが必要である。この比が10未
満では、酸化珪素膜研磨速度と窒化珪素膜研磨速度の差
が小さく、シャロー・トレンチ分離をする際、所定の位
置で研磨を停止することができなくなるためである。こ
の比が10以上の場合は窒化珪素膜の研磨速度がさらに
小さくなって研磨の停止が容易になり、シャロー・トレ
ンチ分離により好適である。また、シャロー・トレンチ
分離に使用するためには、研磨時に傷の発生が少ないこ
とが必要である。ここで、研磨する装置としては、半導
体基板を保持するホルダーと研磨布(パッド)を貼り付
けた(回転数が変更可能なモータ等を取り付けてある)
定盤を有する一般的な研磨装置が使用できる。研磨布と
しては、一般的な不織布、発泡ポリウレタン、多孔質フ
ッ素樹脂などが使用でき、特に制限がない。また、研磨
布にはCMP研磨剤がたまるような溝加工を施すことが
好ましい。研磨条件には制限はないが、定盤の回転速度
は半導体基板が飛び出さないように200rpm以下の
低回転が好ましく、半導体基板にかける圧力は研磨後に
傷が発生しないように1kg/cm2 以下が好ましい。
研磨している間、研磨布にはスラリーをポンプ等で連続
的に供給する。この供給量には制限はないが、研磨布の
表面が常にスラリーで覆われていることが好ましい。
洗浄後、スピンドライヤ等を用いて半導体基板上に付着
した水滴を払い落としてから乾燥させることが好まし
い。このようにして平坦化されたシャーロー・トレンチ
を形成したあと、酸化珪素絶縁膜層の上に、アルミニウ
ム配線を形成し、その配線間及び配線上に再度上記方法
により酸化珪素絶縁膜を形成後、上記CMP研磨剤を用
いて研磨することによって、絶縁膜表面の凹凸を解消
し、半導体基板全面にわたって平滑な面とする。この工
程を所定数繰り返すことにより、所望の層数の半導体を
製造する。
成された酸化珪素膜だけでなく、所定の配線を有する配
線板に形成された酸化珪素膜、ガラス、窒化珪素等の無
機絶縁膜、フォトマスク・レンズ・プリズムなどの光学
ガラス、ITO等の無機導電膜、ガラス及び結晶質材料
で構成される光集積回路・光スイッチング素子・光導波
路、光ファイバーの端面、シンチレータ等の光学用単結
晶、固体レーザ単結晶、青色レーザLED用サファイヤ
基板、SiC、GaP、GaAS等の半導体単結晶、磁
気ディスク用ガラス基板、磁気ヘッド等を研磨すること
ができる。
を白金製容器に入れ、700℃で2時間空気中で焼成す
ることにより黄白色の粉末を約1kg得た。この粉末を
X線回折法で相同定を行ったところ酸化セリウムである
ことを確認した。酸化セリウム粉末10重量%になるよ
うに脱イオン水と混合し、横型湿式超微粒分散粉砕機を
用いて1400rpmで120分間粉砕処理をした。得
られた研磨液を110℃で3時間乾燥することにより酸
化セリウム粒子を得た。この酸化セリウム粒子は、透過
型電子顕微鏡による観察から粒子径が10nm〜60n
mであること、さらにBET法による比表面積測定の結
果が39.5m2 /gであることがわかった。
法で作製した酸化セリウム粒子125gとアクリル酸と
アクリル酸メチルを3:1で共重合した分子量10,0
00のポリアクリル酸アンモニウム塩水溶液(40重量
%)3gと脱イオン水2372gを混合し、攪拌をしな
がら超音波分散を行った。超音波周波数は40kHz
で、分散時間10分で分散を行った。得られたスラリー
を0.8ミクロンフィルターでろ過し、さらに脱イオン
水を加えることにより2重量%の酸化セリウムスラリー
(A−1)を得た。酸化セリウムスラリー(A−1)の
pHは8.5であった。酸化セリウムスラリー(A−
1)の粒度分布をレーザー回折式粒度分布計で調べたと
ころ、平均粒子径が0.20μmと小さいことがわかっ
た。また、1.0μm以下の粒子が95.0%であっ
た。
ヘキセン−1−オン(シクロヘキセノン)を93:7で
共重合した分子量10,000のポリ(アクリル酸−7
%シクロヘキセノン)アンモニウム塩10gに脱イオン
水990gを加え、1重量%のポリアクリル系共重合体
アンモニウム塩を含む添加液を得た。
の研磨パッドを貼りつけた定盤上に、基板取り付け用の
吸着パッドを貼り付けたホルダーにTEOS−プラズマ
CVD法で作製した酸化珪素膜を形成した直径125m
mのシリコンウエハを絶縁膜面を下にしてセットし、研
磨荷重が300g/cm2 になるように重りをのせた。
定盤上に上記の酸化セリウムスラリー(固形分:2重量
%)と添加液を各々25ml/minの速度で送り、定
盤の直前で1液になるようにノズルを調節して滴下しな
がら、定盤を40rpmで2分間回転させ、絶縁膜を研
磨した。研磨後ウエハをホルダーから取り外して、流水
で良く洗浄後、超音波洗浄機によりさらに20分間洗浄
した。洗浄後、スピンドライヤーで水滴を除去し、12
0℃の乾燥機で10分間乾燥させた。光干渉式膜厚測定
装置を用いて、研磨前後の膜厚変化を測定し、研磨速度
を計算した。同様にして、TEOS−プラズマCVD法
で作製した酸化珪素膜の代わりに低圧CVD法で作製し
た窒化珪素膜を同じ条件で研磨し、研磨前後の膜厚変化
を測定し、研磨速度を計算した。また、膜厚測定の結果
から、TEOS−プラズマCVD法で作製した酸化珪素
膜及び低圧CVD法で作製した窒化珪素膜は、ウエハ全
面にわたって均一の厚みになっていることがわかった。
また、水銀灯の光源下での目視観察では絶縁膜表面に傷
はみられなかった。
価はJIS K 6950に準じて行った。ビューレッ
トを備えたガラス製の培養瓶(300ml)に活性汚泥
懸濁液200ml、無機塩液0.8ml(K2 HPO
4 :0.46%、Na2 HPO4 ・12H2 O:1.1
6%、MgSO4 ・7H2 O:0.05%、FeCl3
・6H2 O:0.01%、CaCl2 ・2H2 O:0.
005%、NH4 Cl:0.1%)、サンプル液約1m
lを加え、恒温装置を備えたBOD測定装置を用いて、
25℃にて分解試験を行った。約28日間、BOD(生
物化学的酸素消費量)を経時的に測定した。大気圧の変
動によるBOD値の変化を補正するため空試験値を差し
引いた値を真のBOD値とした。生分解度は(真のBO
D値)÷(理論的酸素消費量)×100として算出し
た。
製してCMP研磨剤を作製し、絶縁膜層を研磨した。そ
の結果を表1に示す。表1から明らかなように、本発明
によるCMP研磨剤に含まれる添加剤の生分解性は良好
で、廃液処理が容易なことが分る。また、本発明のCM
P研磨剤及び基板の研磨方法を用いることによって、基
板を傷なく、研磨することが可能で、かつ、酸化珪素膜
研磨速度/窒化珪素膜研磨速度の比を10以上にするC
MP研磨剤、及びこれらCMP研磨剤を使用した基板の
研磨方法が得られることが分かる。
が容易で、半導体素子製造技術に使用される研磨方法に
好適に使用される。請求項2記載のCMP研磨剤は、請
求項1記載の効果を奏し、さらに、酸化珪素絶縁膜等の
被研磨面を傷なく、高速に研磨することが可能となる。
請求項3記載のCMP研磨剤は、さらに保存安定性を改
良した点が優れる。請求項4記載のCMP研磨剤は、さ
らに酸化珪素絶縁膜研磨速度と窒化珪素絶縁膜研磨速度
の比を10以上にする点でシャロー・トレンチ分離に好
適である。請求項5記載の基板の研磨方法は、基板の被
研磨面を、傷なく、研磨することに優れ、半導体素子製
造技術に使用される研磨方法に好適に使用される。
Claims (5)
- 【請求項1】酸化セリウム粒子、分散剤、生分解性を有
する添加剤及び水を含有するCMP研磨剤。 - 【請求項2】生分解性を有する添加剤がポリアクリル酸
系共重合体及びその誘導体から選ばれる少なくとも1種
である請求項1記載のCMP研磨剤。 - 【請求項3】酸化セリウム粒子、分散剤及び水を含有す
る酸化セリウムスラリー及び生分解性を有する添加剤と
水を含有する添加液とからなることを特徴とするCMP
研磨剤。 - 【請求項4】酸化珪素膜研磨速度と窒化珪素膜研磨速度
の比(酸化珪素膜研磨速度/窒化珪素膜研磨速度)が1
0以上である請求項1〜3各項記載のCMP研磨剤。 - 【請求項5】研磨する膜を形成した基板を研磨定盤の研
磨布に押しあて加圧し、請求項1〜4記載のCMP研磨
剤を研磨膜と研磨布との間に供給しながら、基板と研磨
定盤を相対的に動かして研磨する膜を研磨する基板の研
磨方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28614398A JP4088811B2 (ja) | 1998-10-08 | 1998-10-08 | Cmp研磨剤及び基板の研磨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28614398A JP4088811B2 (ja) | 1998-10-08 | 1998-10-08 | Cmp研磨剤及び基板の研磨方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000109803A true JP2000109803A (ja) | 2000-04-18 |
JP4088811B2 JP4088811B2 (ja) | 2008-05-21 |
Family
ID=17700501
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28614398A Expired - Lifetime JP4088811B2 (ja) | 1998-10-08 | 1998-10-08 | Cmp研磨剤及び基板の研磨方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4088811B2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100457743B1 (ko) * | 2002-05-17 | 2004-11-18 | 주식회사 하이닉스반도체 | 산화막용 cmp 슬러리 및 이를 이용한 반도체 소자의형성 방법 |
KR100458756B1 (ko) * | 2001-06-27 | 2004-12-03 | 제일모직주식회사 | 반도체 소자의 금속배선 연마용 cmp 슬러리 |
KR100475457B1 (ko) * | 2001-11-15 | 2005-03-08 | 삼성전자주식회사 | 슬러리용 첨가제 조성물, 이를 포함하는 슬러리 조성물 및연마 방법 |
EP2889346A1 (en) | 2013-12-24 | 2015-07-01 | Asahi Glass Company, Limited | Polishing agent, polishing method, and manufacturing method of semiconductor integrated circuit device |
EP2896672A2 (en) | 2013-12-24 | 2015-07-22 | Asahi Glass Company, Limited | Manufacturing method of polishing agent, polishing method, and manufacturing method of semiconductor integrated circuit device |
EP2899246A2 (en) | 2013-12-24 | 2015-07-29 | Asahi Glass Company, Limited | Manufacturing method of polishing agent, polishing method, and manufacturing method of semiconductor integrated circuit device |
US9676966B2 (en) | 2002-11-13 | 2017-06-13 | Air Products And Chemicals, Inc. | Chemical mechanical polishing composition and process |
-
1998
- 1998-10-08 JP JP28614398A patent/JP4088811B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100458756B1 (ko) * | 2001-06-27 | 2004-12-03 | 제일모직주식회사 | 반도체 소자의 금속배선 연마용 cmp 슬러리 |
KR100475457B1 (ko) * | 2001-11-15 | 2005-03-08 | 삼성전자주식회사 | 슬러리용 첨가제 조성물, 이를 포함하는 슬러리 조성물 및연마 방법 |
KR100457743B1 (ko) * | 2002-05-17 | 2004-11-18 | 주식회사 하이닉스반도체 | 산화막용 cmp 슬러리 및 이를 이용한 반도체 소자의형성 방법 |
US9676966B2 (en) | 2002-11-13 | 2017-06-13 | Air Products And Chemicals, Inc. | Chemical mechanical polishing composition and process |
EP2889346A1 (en) | 2013-12-24 | 2015-07-01 | Asahi Glass Company, Limited | Polishing agent, polishing method, and manufacturing method of semiconductor integrated circuit device |
EP2896672A2 (en) | 2013-12-24 | 2015-07-22 | Asahi Glass Company, Limited | Manufacturing method of polishing agent, polishing method, and manufacturing method of semiconductor integrated circuit device |
EP2899246A2 (en) | 2013-12-24 | 2015-07-29 | Asahi Glass Company, Limited | Manufacturing method of polishing agent, polishing method, and manufacturing method of semiconductor integrated circuit device |
US9328261B2 (en) | 2013-12-24 | 2016-05-03 | Asahi Glass Company, Limited | Polishing agent, polishing method, and manufacturing method of semiconductor integrated circuit device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4088811B2 (ja) | 2008-05-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3649279B2 (ja) | 基板の研磨方法 | |
JP2001031951A (ja) | 研磨剤及び基板の研磨方法 | |
JP4062977B2 (ja) | 研磨剤及び基板の研磨方法 | |
JP4088811B2 (ja) | Cmp研磨剤及び基板の研磨方法 | |
JP2000192015A (ja) | Cmp研磨剤及び基板の研磨方法 | |
JP2000256656A (ja) | Cmp研磨剤及び基板の研磨方法 | |
JP4744656B2 (ja) | Cmp研磨剤及び基板の研磨方法 | |
JP2000109810A (ja) | Cmp研磨剤及び基板の研磨方法 | |
JP4604727B2 (ja) | Cmp研磨剤用添加液 | |
JP4501694B2 (ja) | Cmp研磨剤用添加液 | |
JP2000109809A (ja) | Cmp研磨剤及び基板の研磨方法 | |
JP2000109802A (ja) | Cmp研磨剤及び基板の研磨方法 | |
JP2000109804A (ja) | Cmp研磨剤及び基板の研磨方法 | |
JP2000256654A (ja) | Cmp研磨剤及び基板の研磨方法 | |
JP4608925B2 (ja) | Cmp研磨剤用添加液 | |
JP2000109805A (ja) | Cmp研磨剤及び基板の研磨方法 | |
JP2000109808A (ja) | Cmp研磨剤及び基板の研磨方法 | |
JP2000109801A (ja) | Cmp研磨剤及び基板の研磨方法 | |
JP2000109806A (ja) | Cmp研磨剤及び基板の研磨方法 | |
JP2000109800A (ja) | Cmp研磨剤及び基板の研磨方法 | |
JP2000109795A (ja) | Cmp研磨剤及び基板の研磨方法 | |
JP2000109794A (ja) | Cmp研磨剤及び基板の研磨方法 | |
JP2000109815A (ja) | Cmp研磨剤及び基板の研磨方法 | |
JP2000109799A (ja) | Cmp研磨剤及び基板の研磨方法 | |
JP2000109797A (ja) | Cmp研磨剤及び基板の研磨方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051006 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070712 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070726 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070925 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080131 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080213 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110307 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110307 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130307 Year of fee payment: 5 |