JP4389887B2 - 研磨剤及び基板の研磨法 - Google Patents
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炭酸セリウム水和物2kgを白金製容器に入れ、800℃で2時間空気中で焼成することにより黄白色の粉末を約1kg得た。この粉末をX線回折法で相同定を行ったところ酸化セリウムであることを確認した。酸化セリウム粉末10重量%になるように純水と混合し、横型湿式超微粒分散粉砕機を用いて1400rpmで120分間粉砕処理をした。得られた研磨液を110℃で3時間乾燥することにより酸化セリウム粒子を得た。この酸化セリウム粒子は、透過型電子顕微鏡による観察から重量平均結晶径が80nmであることがわかった。
炭酸セリウム水和物2kgを白金製容器に入れ、800℃で2時間空気中で焼成することにより黄白色の粉末を約1kg得た。この粉末をX線回折法で相同定を行ったところ酸化セリウムであることを確認した。酸化セリウム粉末1kgをジェットミルを用いて乾式粉砕を行った。この酸化セリウム粒子は、透過型電子顕微鏡による観察から重量平均結晶径が80nmであることがわかった。
上記酸化セリウム粒子の作製1で作製した酸化セリウム粒子125gとアクリル酸とアクリル酸メチルを3:1で共重合した分子量10,000のアクリル酸/アクリル酸メチル共重合体アンモニウム塩水溶液(40重量%)3gと純水2372gを混合し、撹拌をしながら超音波分散を行った。超音波周波数は40kHzで、分散時間10分で分散を行った。得られたスラリーを0.8ミクロンフィルターでろ過し、さらに脱イオン水を加えることにより2重量%の酸化セリウムスラリー(A−1)を得た。酸化セリウムスラリー(A−1)のpHは8.5であった。酸化セリウムスラリー(A−1)の粒度分布をレーザー回折式粒度分布計(Malvern Instruments社製 Mastersizer Microplus、屈折率:1.928で測定)で調べたところ、平均粒子径が0.20μmと小さいことがわかった。また、1.0μm以下の粒子が95.0%であった。
酸化セリウム粒子の作製1で作製した酸化セリウム粒子の代わりに酸化セリウム粒子の作製2で作製した酸化セリウム粒子を使用した以外は酸化セリウムスラリーの作製1と同様の方法で酸化セリウムスラリー(A−2)を作製した。この酸化セリウムスラリー(A−2)のpHは8.7であった。酸化セリウムスラリー(A−2)の粒度分布を調べたところ、平均粒子径が0.21μmと小さいことがわかった。また、1.0μm以下の粒子が95.0%であった。
酸化セリウムスラリーと添加剤液を下記の表1及び表2のように混合して研磨剤を作製し、絶縁膜層を研磨した。その結果を表1及び表2に示す。また、研磨剤のpH、分散安定性も表1及び表2に示した。
多孔質ウレタン樹脂製の研磨パッドを貼りつけた定盤上に、基板取り付け用の吸着パッドを貼り付けたホルダーにTEOS−プラズマCVD法で作製した酸化珪素膜(SiO2膜)を形成した直径125mmのシリコンウエハを絶縁膜面を下にしてセットし、研磨荷重が300g/cm2になるように重りをのせた。定盤上に上記の酸化セリウムスラリー(固形分:2重量%)と添加剤液を各々25ml/minの速度で送り、定盤の直前で1液になるようにノズルを調節して滴下しながら、定盤を40rpmで2分間回転させ、絶縁膜を研磨した。研磨後ウエハをホルダーから取り外して、流水で良く洗浄後、超音波洗浄機によりさらに20分間洗浄した。洗浄後、スピンドライヤーで水滴を除去し、120℃の乾燥機で10分間乾燥させた。
Claims (6)
- 砥粒、水溶性陰イオン性界面活性剤及び水を含む、酸化珪素膜及び窒化珪素膜を有する基板を研磨するための研磨液であって、
前記水溶性陰イオン性界面活性剤は、N置換アミノ酸またはN置換アミノ酸の塩であり、
TEOS−プラズマCVD法で作製した酸化珪素膜を形成した直径125mmのシリコンウエハと、TEOS−プラズマCVD法で作製した窒化珪素膜を形成した直径125mmのシリコンウエハとを、それぞれ研磨荷重300g/cm 2 、定盤回転数40rpmで多孔質ウレタン樹脂パッドを用いて研磨した際の両者の膜の研磨速度の関係が、酸化珪素膜研磨速度/窒化珪素膜研磨速度≧100となる量の水溶性陰イオン性界面活性剤を含有する研磨剤。 - pH(25℃)が5以上10以下である請求項1に記載の研磨剤。
- 前記水溶性陰イオン性界面活性剤は、N置換アミノ酸の塩であり、
前記塩を形成するための塩基は、アルカリ金属水酸化物又は有機アルカリである請求項1記載の研磨剤。 - 研磨する膜を形成した基板と、研磨布との間に、請求項1〜3のいずれかに記載の研磨液を供給して、前記研磨する膜を研磨する基板の研磨方法。
- 基板が少なくとも酸化珪素膜及び窒化珪素膜が形成された基板である請求項4に記載の基板の研磨方法。
- 基板が酸化珪素膜または窒化珪素膜がパターン状に形成された基板である請求項5に記載の基板の研磨方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006059738A JP4389887B2 (ja) | 2006-03-06 | 2006-03-06 | 研磨剤及び基板の研磨法 |
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JP11206994A Division JP2001031951A (ja) | 1999-07-22 | 1999-07-22 | 研磨剤及び基板の研磨方法 |
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JP2006203235A JP2006203235A (ja) | 2006-08-03 |
JP4389887B2 true JP4389887B2 (ja) | 2009-12-24 |
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JP2006203235A (ja) | 2006-08-03 |
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Date | Code | Title | Description |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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S533 | Written request for registration of change of name |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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