JP2001308012A - 熱処理装置及びその方法 - Google Patents
熱処理装置及びその方法Info
- Publication number
- JP2001308012A JP2001308012A JP2000119326A JP2000119326A JP2001308012A JP 2001308012 A JP2001308012 A JP 2001308012A JP 2000119326 A JP2000119326 A JP 2000119326A JP 2000119326 A JP2000119326 A JP 2000119326A JP 2001308012 A JP2001308012 A JP 2001308012A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ring portion
- heat treatment
- outer ring
- inner ring
- processing container
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Rolling Contact Bearings (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Heat Treatment Of Articles (AREA)
- General Induction Heating (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウエハなどの被処理体を載置部により
磁気カップリングを利用して回転させながら加熱処理を
行うにあたって、軸受部からのグリースの蒸気によるウ
エハの汚染を防止し、グリースを使用しない、摩擦トル
クの大きいセラミックス軸受部を用いても、ウエハを所
定の向きに精度良く停止させることができるようにす
る。 【解決手段】 磁気カップリングの伝達トルクの大きさ
と内輪部及び外輪部の角度差との関係を示すトルク曲線
において、極数ごとに得られる各トルク曲線の最大トル
クの中で最大値を持つ極数Ｌよりも多い極数であって、
かつトルク曲線の上昇部分の傾きが前記極数Ｌの場合よ
りも大きい極数に選定して磁気カップリングを構成す
る。
磁気カップリングを利用して回転させながら加熱処理を
行うにあたって、軸受部からのグリースの蒸気によるウ
エハの汚染を防止し、グリースを使用しない、摩擦トル
クの大きいセラミックス軸受部を用いても、ウエハを所
定の向きに精度良く停止させることができるようにす
る。 【解決手段】 磁気カップリングの伝達トルクの大きさ
と内輪部及び外輪部の角度差との関係を示すトルク曲線
において、極数ごとに得られる各トルク曲線の最大トル
クの中で最大値を持つ極数Ｌよりも多い極数であって、
かつトルク曲線の上昇部分の傾きが前記極数Ｌの場合よ
りも大きい極数に選定して磁気カップリングを構成す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体ウエ
ハなどの被処理体を磁気カップリングを利用して回転さ
せながら当該被処理体に対して熱処理を行う装置及び方
法に関する。
ハなどの被処理体を磁気カップリングを利用して回転さ
せながら当該被処理体に対して熱処理を行う装置及び方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造装置の一つとして、半導体ウ
エハ（以下ウエハという）をランプにより加熱して熱処
理例えばアニール、ＣＶＤ、酸化処理を行う枚葉式熱処
理装置がある。この場合ウエハ全面を均一に加熱するた
めにウエハを加熱ランプに対して相対的に回転する必要
がある。この種の装置は、例えば米国特許第５７５５５
１１号公報に記載されており、次のように構成されてい
る。即ち処理容器の上に透過窓を介して加熱ランプが配
置されると共に、処理容器の下部においてその外側の外
輪部と処理容器の内側の内輪部とが磁気カップリングを
介して結合され、外輪部及び内輪部は処理容器に固定さ
れた固定部に対して夫々軸受部を介して回転自在に設け
られている。前記軸受部は夫々内輪部と外輪部とに直接
接触する金属製のボ−ルにより構成され、グリ−スを潤
滑剤としている。そして駆動部により外輪部を回転さ
せ、その回転力を磁気カップリングを介して内輪部に伝
達することにより、内輪部に設けられたウエハ載置部が
回転することになる。
エハ（以下ウエハという）をランプにより加熱して熱処
理例えばアニール、ＣＶＤ、酸化処理を行う枚葉式熱処
理装置がある。この場合ウエハ全面を均一に加熱するた
めにウエハを加熱ランプに対して相対的に回転する必要
がある。この種の装置は、例えば米国特許第５７５５５
１１号公報に記載されており、次のように構成されてい
る。即ち処理容器の上に透過窓を介して加熱ランプが配
置されると共に、処理容器の下部においてその外側の外
輪部と処理容器の内側の内輪部とが磁気カップリングを
介して結合され、外輪部及び内輪部は処理容器に固定さ
れた固定部に対して夫々軸受部を介して回転自在に設け
られている。前記軸受部は夫々内輪部と外輪部とに直接
接触する金属製のボ−ルにより構成され、グリ−スを潤
滑剤としている。そして駆動部により外輪部を回転さ
せ、その回転力を磁気カップリングを介して内輪部に伝
達することにより、内輪部に設けられたウエハ載置部が
回転することになる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述の装置ではグリ−
スを潤滑剤とした軸受部を用いているので摩擦トルクが
小さく、このため磁気カップリングにおける磁力が小さ
くても内輪部が外輪部に精度良く追従し、外輪部を停止
させたときにウエハが高い精度で所定の位置に停止す
る。しかしグリ−スを軸受部の潤滑剤として用いている
のでグリ−スの蒸気によりウエハが汚染される懸念があ
り、また内輪部が軸受部のボ−ルの上で転がるので高速
回転に向かないという課題がある。
スを潤滑剤とした軸受部を用いているので摩擦トルクが
小さく、このため磁気カップリングにおける磁力が小さ
くても内輪部が外輪部に精度良く追従し、外輪部を停止
させたときにウエハが高い精度で所定の位置に停止す
る。しかしグリ−スを軸受部の潤滑剤として用いている
のでグリ−スの蒸気によりウエハが汚染される懸念があ
り、また内輪部が軸受部のボ−ルの上で転がるので高速
回転に向かないという課題がある。
【０００４】そこで本発明者はグリ−スを用いないセラ
ミックス軸受部を検討しているが、セラミックス軸受部
はグリ−スを用いた軸受部に比べて摩擦トルクが大き
く、外輪部を停止させたときに内輪部が所定の位置から
ずれてつまり内輪部側の磁極及び外輪部側の磁極の中心
がずれた状態で停止する。
ミックス軸受部を検討しているが、セラミックス軸受部
はグリ−スを用いた軸受部に比べて摩擦トルクが大き
く、外輪部を停止させたときに内輪部が所定の位置から
ずれてつまり内輪部側の磁極及び外輪部側の磁極の中心
がずれた状態で停止する。
【０００５】一方最近においてｉｎ−ｓｉｔｕ連続処理
や、スル−プットの向上を図るために、搬送ア−ムを備
えた搬送室に複数の熱処理部を気密に接続し、ウエハに
対して連続して熱処理を行うクラスタツ−ルと呼ばれて
いるシステムが開発されている。クラスタツールにおい
ては、均一なプロセスを行うため、一部の熱処理部では
ウエハを載置台により回転させながら熱処理を行うが、
この場合載置台にウエハの形状に適合する係合部である
凹部を形成し、この凹部にウエハを嵌め込んで回転させ
るようにしている。
や、スル−プットの向上を図るために、搬送ア−ムを備
えた搬送室に複数の熱処理部を気密に接続し、ウエハに
対して連続して熱処理を行うクラスタツ−ルと呼ばれて
いるシステムが開発されている。クラスタツールにおい
ては、均一なプロセスを行うため、一部の熱処理部では
ウエハを載置台により回転させながら熱処理を行うが、
この場合載置台にウエハの形状に適合する係合部である
凹部を形成し、この凹部にウエハを嵌め込んで回転させ
るようにしている。
【０００６】ウエハには結晶の方向の指標となるオリエ
ンテ−ションフラット（オリフラ）やＶ字状のノッチが
あるため、一の熱処理部においてウエハの停止位置が狂
うと、ウエハが所定の向きに向いていない状態で次の熱
処理部の処理容器内に搬入されることになり、載置台の
凹部に嵌め合わせることができなくなる。
ンテ−ションフラット（オリフラ）やＶ字状のノッチが
あるため、一の熱処理部においてウエハの停止位置が狂
うと、ウエハが所定の向きに向いていない状態で次の熱
処理部の処理容器内に搬入されることになり、載置台の
凹部に嵌め合わせることができなくなる。
【０００７】なお予めウエハの停止位置（停止したとき
の向き）のずれ分（角度）を見込んでモ−タを制御する
ことも考えられるが、摩擦トルクの大きさが例えばわず
かながら経時的に変化すると、その変化分が停止位置に
反映されるなど、得策ではない。
の向き）のずれ分（角度）を見込んでモ−タを制御する
ことも考えられるが、摩擦トルクの大きさが例えばわず
かながら経時的に変化すると、その変化分が停止位置に
反映されるなど、得策ではない。
【０００８】本発明はこのような事情の下になされたも
のであり、その目的は、いわゆる磁気カップリング及び
セラミックス軸受部を用いて被処理体の載置部を回転さ
せながら加熱処理を行うにあたり、被処理体を高精度で
所定の向きに停止させることができ、例えば複数の熱処
理部を用いて連続処理を行う場合に、被処理体を後続の
熱処理部内に所定の向きで搬入することができる技術を
提供することにある。
のであり、その目的は、いわゆる磁気カップリング及び
セラミックス軸受部を用いて被処理体の載置部を回転さ
せながら加熱処理を行うにあたり、被処理体を高精度で
所定の向きに停止させることができ、例えば複数の熱処
理部を用いて連続処理を行う場合に、被処理体を後続の
熱処理部内に所定の向きで搬入することができる技術を
提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の熱処理装置は、
処理容器内にて被処理体を載置部により回転させなが
ら、加熱手段により加熱しかつ処理容器内に所定のガス
を供給して被処理体に対して熱処理を行う熱処理装置に
おいて、前記処理容器の外側に設けられ、周方向に沿っ
て磁極が多数配列された外輪部と、前記処理容器の内側
に設けられ、前記磁極の夫々の間で磁力が作用するよう
に周方向に沿って多数の磁極が配列されると共に前記磁
力により外輪部に追従して回転する内輪部と、前記外輪
部を回転駆動するための駆動部と、前記内輪部と処理容
器との間に介設され、セラミックスよりなる転動体と自
己潤滑性がある保持器とを備えた軸受部と、前記処理容
器内にて前記内輪部と共に回転し、被処理体を載置する
ための載置部と、前記被処理体を加熱するための加熱手
段と、を備え、前記外輪部を回転させたときの内輪部の
トルクと外輪部及び内輪部の対応する磁極同士の角度差
との関係を示すトルク曲線において、要求される載置部
に対する被処理体の向きの許容範囲に対応する角度差の
ときのトルクの値が前記軸受部の摩擦トルクの値を越え
ていることを特徴とするものである。
処理容器内にて被処理体を載置部により回転させなが
ら、加熱手段により加熱しかつ処理容器内に所定のガス
を供給して被処理体に対して熱処理を行う熱処理装置に
おいて、前記処理容器の外側に設けられ、周方向に沿っ
て磁極が多数配列された外輪部と、前記処理容器の内側
に設けられ、前記磁極の夫々の間で磁力が作用するよう
に周方向に沿って多数の磁極が配列されると共に前記磁
力により外輪部に追従して回転する内輪部と、前記外輪
部を回転駆動するための駆動部と、前記内輪部と処理容
器との間に介設され、セラミックスよりなる転動体と自
己潤滑性がある保持器とを備えた軸受部と、前記処理容
器内にて前記内輪部と共に回転し、被処理体を載置する
ための載置部と、前記被処理体を加熱するための加熱手
段と、を備え、前記外輪部を回転させたときの内輪部の
トルクと外輪部及び内輪部の対応する磁極同士の角度差
との関係を示すトルク曲線において、要求される載置部
に対する被処理体の向きの許容範囲に対応する角度差の
ときのトルクの値が前記軸受部の摩擦トルクの値を越え
ていることを特徴とするものである。
【００１０】この発明によれば、内輪部の軸受部にグリ
−スを用いていないので被処理体に対する汚染を防止で
きる。そしてその軸受部であるセラミックス軸受部は摩
擦トルクが大きいが、被処理体を高精度で所定の向きに
停止させることができる。この発明では、内輪部及び外
輪部の極数ごとに得られる各トルク曲線の最大トルクの
中で最大値を持つ極数Ｌよりも多い極数であり、かつト
ルク曲線の上昇部分の傾きが前記極数Ｌにおけるトルク
曲線の上昇部分よりも大きい極数であることが好まし
い。
−スを用いていないので被処理体に対する汚染を防止で
きる。そしてその軸受部であるセラミックス軸受部は摩
擦トルクが大きいが、被処理体を高精度で所定の向きに
停止させることができる。この発明では、内輪部及び外
輪部の極数ごとに得られる各トルク曲線の最大トルクの
中で最大値を持つ極数Ｌよりも多い極数であり、かつト
ルク曲線の上昇部分の傾きが前記極数Ｌにおけるトルク
曲線の上昇部分よりも大きい極数であることが好まし
い。
【００１１】そしてこの発明は、搬送室に複数の処理容
器を気密に接続したいわゆるクラスタ−ツ−ルに好適に
適用でき、一の処理容器で被処理体に対して熱処理をお
こなった後、当該被処理体に対して次の処理容器で熱処
理を行う場合に所定の向きで載置部に載置することがで
きる。
器を気密に接続したいわゆるクラスタ−ツ−ルに好適に
適用でき、一の処理容器で被処理体に対して熱処理をお
こなった後、当該被処理体に対して次の処理容器で熱処
理を行う場合に所定の向きで載置部に載置することがで
きる。
【００１２】また本発明の熱処理方法は、上述の熱処理
装置（熱処理部）を用い、一の熱処理部の載置部に被処
理体を載置する工程と、次いで外輪部を回転させること
により載置部を回転させながら、加熱手段により加熱し
かつ処理容器内に所定のガスを供給して被処理体に対し
て熱処理を行う工程と、外輪部を停止させて載置部の回
転を止めた後、載置部上の被処理体を、当該一の熱処理
部に気密に接続された搬送室を介して前記他の熱処理部
の載置部に搬送する工程と、を含むことを特徴とする。
装置（熱処理部）を用い、一の熱処理部の載置部に被処
理体を載置する工程と、次いで外輪部を回転させること
により載置部を回転させながら、加熱手段により加熱し
かつ処理容器内に所定のガスを供給して被処理体に対し
て熱処理を行う工程と、外輪部を停止させて載置部の回
転を止めた後、載置部上の被処理体を、当該一の熱処理
部に気密に接続された搬送室を介して前記他の熱処理部
の載置部に搬送する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】図１は本発明に係る熱処理装置の
実施の形態を示す縦断面図である。１は例えばアルミニ
ウム（Ａ５０５２）からなる偏平な処理容器であり、加
熱処理空間における内側面の横断面形状が円形に形成さ
れている。処理容器１の底部の周縁側はリング状の溝部
１１として形成されており、この溝部１１の中には内輪
部２が設けられている。内輪部２は前記溝部１１の内壁
に軸受部３１を介して垂直軸回りに回転自在に保持され
ている。この軸受部３１は真空用のセラミックス軸受部
であり、耐摩擦性、耐高熱性、耐腐食性に優れた窒化ケ
イ素よりなる転動体であるボ−ル３１ａを自己潤滑性が
ある材質例えばフッ素樹脂よりなる保持器３１ｂの中に
収納して構成されている。
実施の形態を示す縦断面図である。１は例えばアルミニ
ウム（Ａ５０５２）からなる偏平な処理容器であり、加
熱処理空間における内側面の横断面形状が円形に形成さ
れている。処理容器１の底部の周縁側はリング状の溝部
１１として形成されており、この溝部１１の中には内輪
部２が設けられている。内輪部２は前記溝部１１の内壁
に軸受部３１を介して垂直軸回りに回転自在に保持され
ている。この軸受部３１は真空用のセラミックス軸受部
であり、耐摩擦性、耐高熱性、耐腐食性に優れた窒化ケ
イ素よりなる転動体であるボ−ル３１ａを自己潤滑性が
ある材質例えばフッ素樹脂よりなる保持器３１ｂの中に
収納して構成されている。
【００１４】内輪部２の上端部には、被処理体であるウ
エハＷの周縁部を保持するリング状の載置部１２が設け
られており、内輪部２と一体となって回転する。載置部
１２の表面には、オリフラタイプウエハの場合図２に示
すようにウエハＷを位置決めした状態で載置するため
に、位置決め部である段部（ザグリ）１２ａがウエハＷ
と同一形状に形成されている。図２中、１２ｂはウエハ
ＷのオリフラＯＦに相当する個所である。
エハＷの周縁部を保持するリング状の載置部１２が設け
られており、内輪部２と一体となって回転する。載置部
１２の表面には、オリフラタイプウエハの場合図２に示
すようにウエハＷを位置決めした状態で載置するため
に、位置決め部である段部（ザグリ）１２ａがウエハＷ
と同一形状に形成されている。図２中、１２ｂはウエハ
ＷのオリフラＯＦに相当する個所である。
【００１５】一方処理容器１の一部である前記溝部１１
を形成するハウジング１３が下方側に伸びており、当該
ハウジング１３の外側には外輪部４が例えば上下２段に
設けられた軸受部３２、３３を介して垂直軸回りに回転
自在に保持されている。この軸受部３１、３２は処理容
器１の外側にあるので、例えばグリ−スを用いた軸受部
などを用いればよい。
を形成するハウジング１３が下方側に伸びており、当該
ハウジング１３の外側には外輪部４が例えば上下２段に
設けられた軸受部３２、３３を介して垂直軸回りに回転
自在に保持されている。この軸受部３１、３２は処理容
器１の外側にあるので、例えばグリ−スを用いた軸受部
などを用いればよい。
【００１６】前記内輪部２及び外輪部４には夫々磁極２
１及び４１が設けられ、これら磁極２１、４１は互いに
前記ハウジング１３の隔壁１４の内側及び外側に配置さ
れて磁気カップリングを構成している。隔壁１４は非磁
性材料である例えばアルミニウムや非磁性鋼（例えばＳ
ＵＳ３０４）から構成される。図３は、図１においてＡ
−Ａ線で切った断面図のうち内輪部２、隔壁１４及び外
輪部４を示したものであり、この図を用いて説明する
と、内輪部２は高透磁率材料であるマルテンサイト系ス
テンレス鋼（ＳＵＳ４４０Ｃ）により構成され、外周に
沿って多数例えば６０個の矩形状の突起２２が形成され
ている。この突起２２は前記磁極２１に相当するもので
ある。
１及び４１が設けられ、これら磁極２１、４１は互いに
前記ハウジング１３の隔壁１４の内側及び外側に配置さ
れて磁気カップリングを構成している。隔壁１４は非磁
性材料である例えばアルミニウムや非磁性鋼（例えばＳ
ＵＳ３０４）から構成される。図３は、図１においてＡ
−Ａ線で切った断面図のうち内輪部２、隔壁１４及び外
輪部４を示したものであり、この図を用いて説明する
と、内輪部２は高透磁率材料であるマルテンサイト系ス
テンレス鋼（ＳＵＳ４４０Ｃ）により構成され、外周に
沿って多数例えば６０個の矩形状の突起２２が形成され
ている。この突起２２は前記磁極２１に相当するもので
ある。
【００１７】また外輪部４には、周方向に沿って磁極４
１に相当するネオジム系磁石よりなる永久磁石４２が前
記内輪部２の磁極２１に対応して例えば６０個設けられ
ている。各磁極４１（永久磁石４２）については、図４
に示すように一個おきに内側及び外側に夫々Ｎ極及びＳ
極が着磁がされると共にそれら一個おきの磁極４１の間
にある磁極４１は内側及び外側に夫々Ｓ極及びＮ極が着
磁されている。つまり磁極４１の配列においてＮ極及び
Ｓ極が交互に着磁されている関係になっている。従って
内輪部２の磁極２１については、一個おきに内側及び外
側に夫々Ｎ極及びＳ極が発生し、それら一個おきの磁極
２１の間にある磁極２１は内側及び外側に夫々Ｓ極及び
Ｎ極が発生することになる。内輪部２の外径及び外輪部
４の内径は例えば夫々およそ３７０ｍｍ、３８０ｍｍに
設定されている。
１に相当するネオジム系磁石よりなる永久磁石４２が前
記内輪部２の磁極２１に対応して例えば６０個設けられ
ている。各磁極４１（永久磁石４２）については、図４
に示すように一個おきに内側及び外側に夫々Ｎ極及びＳ
極が着磁がされると共にそれら一個おきの磁極４１の間
にある磁極４１は内側及び外側に夫々Ｓ極及びＮ極が着
磁されている。つまり磁極４１の配列においてＮ極及び
Ｓ極が交互に着磁されている関係になっている。従って
内輪部２の磁極２１については、一個おきに内側及び外
側に夫々Ｎ極及びＳ極が発生し、それら一個おきの磁極
２１の間にある磁極２１は内側及び外側に夫々Ｓ極及び
Ｎ極が発生することになる。内輪部２の外径及び外輪部
４の内径は例えば夫々およそ３７０ｍｍ、３８０ｍｍに
設定されている。
【００１８】このように本実施例で使用する磁気カップ
リングの磁極数（磁極２１、４１の数）は６０極として
いるが、その選定の理由について図５を参照しながら述
べておく。図５は外輪部４を回転させたときの内輪部２
のトルクと外輪部４及び内輪部２の対応する磁極２１、
４１同士の角度差（回転角度差）との関係を示すトルク
曲線を、４０極、６０極及び８０極の夫々の場合につい
てコンピュ−タを使って求めたものである。この図５か
ら分かるようにいずれの極数においても、前記角度差が
ゼロのところではトルクは発生しないが、角度差を大き
くしていくとトルクも増加していき、やがてある角度差
でトルクが最大になり、その後角度差を大きくしていく
とトルクは減少する。各磁極におけるトルクの最大値を
最大伝達トルクと呼ぶことにすると、最大伝達トルクは
極数を増やすことにより大きくなるが、極数がある程度
以上になると磁極間の反発力が大きくなり、逆に小さく
なっていく。例えば１極から順に極数を増やしていけば
極数の増加に伴って最大伝達トルクが大きくなることは
容易に理解できるところであり、４０極に比べて６０極
の最大伝達トルクが小さいということは、このことを裏
付けている。一方最大伝達トルクは小さくなっても、ト
ルク曲線の上昇部分の傾きは大きくなっていき、極数が
ある値を越えると、その傾きも小さくなっていく。即ち
４０極に比べて６０極の上昇部分の傾きが大きく、６０
極に比べて８０極の上昇部分の傾きが小さくなってい
る。
リングの磁極数（磁極２１、４１の数）は６０極として
いるが、その選定の理由について図５を参照しながら述
べておく。図５は外輪部４を回転させたときの内輪部２
のトルクと外輪部４及び内輪部２の対応する磁極２１、
４１同士の角度差（回転角度差）との関係を示すトルク
曲線を、４０極、６０極及び８０極の夫々の場合につい
てコンピュ−タを使って求めたものである。この図５か
ら分かるようにいずれの極数においても、前記角度差が
ゼロのところではトルクは発生しないが、角度差を大き
くしていくとトルクも増加していき、やがてある角度差
でトルクが最大になり、その後角度差を大きくしていく
とトルクは減少する。各磁極におけるトルクの最大値を
最大伝達トルクと呼ぶことにすると、最大伝達トルクは
極数を増やすことにより大きくなるが、極数がある程度
以上になると磁極間の反発力が大きくなり、逆に小さく
なっていく。例えば１極から順に極数を増やしていけば
極数の増加に伴って最大伝達トルクが大きくなることは
容易に理解できるところであり、４０極に比べて６０極
の最大伝達トルクが小さいということは、このことを裏
付けている。一方最大伝達トルクは小さくなっても、ト
ルク曲線の上昇部分の傾きは大きくなっていき、極数が
ある値を越えると、その傾きも小さくなっていく。即ち
４０極に比べて６０極の上昇部分の傾きが大きく、６０
極に比べて８０極の上昇部分の傾きが小さくなってい
る。
【００１９】この発明では、ウエハの停止時に要求され
る位置決め精度、つまり所定の向きに対して許容される
角度におけるトルクをいかに大きくとるかということが
重要であり、その角度は例えば０．３度と小さいので、
図５から分かるように前記最大伝達トルクの大きさが問
題ではなく、トルク曲線の上昇部分の傾きが大きいほど
確実にウエハを位置決め精度内で停止させることができ
る。このような理由から６０極を選定している。
る位置決め精度、つまり所定の向きに対して許容される
角度におけるトルクをいかに大きくとるかということが
重要であり、その角度は例えば０．３度と小さいので、
図５から分かるように前記最大伝達トルクの大きさが問
題ではなく、トルク曲線の上昇部分の傾きが大きいほど
確実にウエハを位置決め精度内で停止させることができ
る。このような理由から６０極を選定している。
【００２０】この場合磁極カップリングの最大伝達トル
クは３６５ｋｇｆ．ｃｍ以上であり、内輪部２と外輪部
４とのずれ（角度差）が０．３度のときの伝達トルクは
およそ１３２ｋｇｆ．ｃｍである。前記セラミックス軸
受部３１の摩擦トルクはおよそ６８ｋｇｆ．ｃｍであ
り、前記角度差が０．３度のときの伝達トルクは摩擦ト
ルクの２倍弱である。
クは３６５ｋｇｆ．ｃｍ以上であり、内輪部２と外輪部
４とのずれ（角度差）が０．３度のときの伝達トルクは
およそ１３２ｋｇｆ．ｃｍである。前記セラミックス軸
受部３１の摩擦トルクはおよそ６８ｋｇｆ．ｃｍであ
り、前記角度差が０．３度のときの伝達トルクは摩擦ト
ルクの２倍弱である。
【００２１】図１に説明を戻すと、前記外輪部４の外周
面にはギヤ部４３が形成されており、このギヤ部４３は
駆動部であるステッピングモ−タ４４のギヤ部と４５と
歯合していて、ステッピングモ−タ４４の駆動により外
輪部４が回転するように構成されている。
面にはギヤ部４３が形成されており、このギヤ部４３は
駆動部であるステッピングモ−タ４４のギヤ部と４５と
歯合していて、ステッピングモ−タ４４の駆動により外
輪部４が回転するように構成されている。
【００２２】処理容器１の前記溝部１１を形成するハウ
ジング１３の外部寄りの部位にはパ−ジガス例えばＮ2
ガスの供給路５１が形成されており、その先端は溝部１
１における軸受部３１の直ぐ上に連通している。またハ
ウジング１３の内部よりの部位には、パ−ジガスの排気
路５２が例えば周方向に複数形成されている。パ−ジガ
スは図示しないガス供給管から前記供給路５１を介して
前記溝部１１内に入り込み、軸受部３１内を通って排気
路５２を介して図示しない排気管から排気される。この
ようにパ−ジガスを流すようにすれば、、処理容器１内
に位置する軸受部３１から発塵したとしてもパ−ジガス
により外部に排気されるのでウエハＷのプロセスには影
響しないし、また軸受部３１が冷却される効果もある。
ジング１３の外部寄りの部位にはパ−ジガス例えばＮ2
ガスの供給路５１が形成されており、その先端は溝部１
１における軸受部３１の直ぐ上に連通している。またハ
ウジング１３の内部よりの部位には、パ−ジガスの排気
路５２が例えば周方向に複数形成されている。パ−ジガ
スは図示しないガス供給管から前記供給路５１を介して
前記溝部１１内に入り込み、軸受部３１内を通って排気
路５２を介して図示しない排気管から排気される。この
ようにパ−ジガスを流すようにすれば、、処理容器１内
に位置する軸受部３１から発塵したとしてもパ−ジガス
により外部に排気されるのでウエハＷのプロセスには影
響しないし、また軸受部３１が冷却される効果もある。
【００２３】前記ウエハＷの下方側の処理容器１の底部
には、図示しないがウエハＷを突き上げて処理容器１の
外の搬送ア−ムとの間で受け渡しを行うためのリフトピ
ンが設けられている。前記処理容器１のウエハＷよりも
少し上側の側壁には、処理ガスを供給するための例えば
横長のスリット状のガス供給路６１及び処理ガスを排気
する排気路６２が互いに対向する位置に形成されてい
る。排気路６２は、処理容器１の側壁から外側に突出す
る排気室６３を介して排気管６４に接続されている。
には、図示しないがウエハＷを突き上げて処理容器１の
外の搬送ア−ムとの間で受け渡しを行うためのリフトピ
ンが設けられている。前記処理容器１のウエハＷよりも
少し上側の側壁には、処理ガスを供給するための例えば
横長のスリット状のガス供給路６１及び処理ガスを排気
する排気路６２が互いに対向する位置に形成されてい
る。排気路６２は、処理容器１の側壁から外側に突出す
る排気室６３を介して排気管６４に接続されている。
【００２４】前記処理容器１の天井部には例えば石英よ
りなる透過窓７１が設けられており、この透過窓７１の
上側には加熱手段である例えばリング状のハロゲンラン
プ７２が同心円状に設けられている。図中７３はハロゲ
ンランプ７２の電力供給系を収納した筐体である。
りなる透過窓７１が設けられており、この透過窓７１の
上側には加熱手段である例えばリング状のハロゲンラン
プ７２が同心円状に設けられている。図中７３はハロゲ
ンランプ７２の電力供給系を収納した筐体である。
【００２５】次に上述実施の形態の作用について述べ
る。先ず処理容器１の図示しない搬送口から搬入された
図示しない搬送ア−ムから載置部１２にウエハＷを受け
渡す。続いてステッピングモ−タ４４を駆動して外輪部
４を回転させる。このとき外輪部４の磁極４１と内輪部
２の磁極２１との間に磁力が働いているので、磁極２１
が磁極４１に吸引されようとするが、内輪部２の軸受部
３１に摩擦があるため、内輪部２に働くトルクが軸受部
３１における摩擦トルクを越えるまでは外輪部４側の磁
極４１のみが回転し、内輪部２に働くトルク（伝達トル
ク）が前記摩擦トルクを越えたときに内輪部２側の磁極
２１が遅れて回転するする。図４は外輪部４を例えば反
時計方向に回転させたときに上述の理由から外輪部４に
遅れて内輪部２が回転する様子を模式的に示した図であ
り、外輪部４が内輪部２に対して角度θだけ進んだとき
に内輪部２が回転し始める。なおこの角度θは磁極２１
の中心軸に対する磁極４１の中心軸のずれ分つまり内輪
部２側の摩擦トルクがゼロのときの磁極４１の停止位置
からのずれ分である。このようにしてウエハＷが回転す
る。
る。先ず処理容器１の図示しない搬送口から搬入された
図示しない搬送ア−ムから載置部１２にウエハＷを受け
渡す。続いてステッピングモ−タ４４を駆動して外輪部
４を回転させる。このとき外輪部４の磁極４１と内輪部
２の磁極２１との間に磁力が働いているので、磁極２１
が磁極４１に吸引されようとするが、内輪部２の軸受部
３１に摩擦があるため、内輪部２に働くトルクが軸受部
３１における摩擦トルクを越えるまでは外輪部４側の磁
極４１のみが回転し、内輪部２に働くトルク（伝達トル
ク）が前記摩擦トルクを越えたときに内輪部２側の磁極
２１が遅れて回転するする。図４は外輪部４を例えば反
時計方向に回転させたときに上述の理由から外輪部４に
遅れて内輪部２が回転する様子を模式的に示した図であ
り、外輪部４が内輪部２に対して角度θだけ進んだとき
に内輪部２が回転し始める。なおこの角度θは磁極２１
の中心軸に対する磁極４１の中心軸のずれ分つまり内輪
部２側の摩擦トルクがゼロのときの磁極４１の停止位置
からのずれ分である。このようにしてウエハＷが回転す
る。
【００２６】そしてウエハＷを例えば７０ｒｐｍ（ｍａ
ｘ２８８ｒｐｍ可能）で回転させながらランプ７２から
の輻射熱によりウエハＷを加熱し更にガス供給路６１か
ら処理ガスを供給して所定の熱処理が行われる。この熱
処理としては、ウエハＷを例えば１０００℃まで昇温す
ると共に不活性ガス例えばＮ2 ガスを供給しながら行う
アニ−ル処理や、ウエハＷを例えば６００℃まで昇温す
ると共に成膜ガスを供給しながら行う成膜処理（ＣＶ
Ｄ）などが挙げられる。そして熱処理を終了した後、ラ
ンプ７２をオフにしてウエハＷを降温させ、ウエハＷが
所定温度になった後、ステッピングモ−タ４４を停止す
る。外輪部４が停止すると、内輪部２も停止するが、既
述のように摩擦トルクがあるため、内輪部２は外輪部４
に対して角度θだけ遅れた位置に停止する。処理後のウ
エハＷは図示しない搬送ア−ムにより処理容器１から搬
出される。
ｘ２８８ｒｐｍ可能）で回転させながらランプ７２から
の輻射熱によりウエハＷを加熱し更にガス供給路６１か
ら処理ガスを供給して所定の熱処理が行われる。この熱
処理としては、ウエハＷを例えば１０００℃まで昇温す
ると共に不活性ガス例えばＮ2 ガスを供給しながら行う
アニ−ル処理や、ウエハＷを例えば６００℃まで昇温す
ると共に成膜ガスを供給しながら行う成膜処理（ＣＶ
Ｄ）などが挙げられる。そして熱処理を終了した後、ラ
ンプ７２をオフにしてウエハＷを降温させ、ウエハＷが
所定温度になった後、ステッピングモ−タ４４を停止す
る。外輪部４が停止すると、内輪部２も停止するが、既
述のように摩擦トルクがあるため、内輪部２は外輪部４
に対して角度θだけ遅れた位置に停止する。処理後のウ
エハＷは図示しない搬送ア−ムにより処理容器１から搬
出される。
【００２７】上述の実施の形態によれば、載置部の軸受
部としてグリ−スを用いないセラミックス軸受部を使用
しているので軸受部によるウエハＷの汚染を防止でき
る。そしてこのセラミックス軸受部は摩擦トルクが大き
いが、磁気カップリングの極数ごとのトルク曲線の最大
伝達トルクの中で最大値を持つ極数よりも多い極数を選
定し、トルク曲線の上昇部分の傾きを大きくして、要求
されるウエハＷの向きの許容範囲（ウエハＷを処理容器
１から搬出するときの向きが決められていて、その決め
られた向きに対してウエハＷの向きのずれが許容される
角度）に対応する角度差において大きな伝達トルクを確
保するようにし、例えば０．３度のときのトルクの値が
前記軸受部の摩擦トルクの値を大幅に越えるようにして
いる。従って例えばスル−プットを稼ぐために載置部を
回転するときの加速度、減速度を大きくしても、載置部
１２を停止したときにウエハＷの向きのずれが前記許容
範囲内に確実に収まる。このため例えば後述のように、
後工程に上述の加熱装置が控えている場合にもウエハＷ
載置部１２の段部１２ａに嵌合して載置することができ
るし、後工程の処理装置がウエハＷを載置部の上に単に
載せるだけの場合でも、常に一定の向きにおくことによ
り膜厚、パ−ティクルなどの処理結果の解析に役立つ。
部としてグリ−スを用いないセラミックス軸受部を使用
しているので軸受部によるウエハＷの汚染を防止でき
る。そしてこのセラミックス軸受部は摩擦トルクが大き
いが、磁気カップリングの極数ごとのトルク曲線の最大
伝達トルクの中で最大値を持つ極数よりも多い極数を選
定し、トルク曲線の上昇部分の傾きを大きくして、要求
されるウエハＷの向きの許容範囲（ウエハＷを処理容器
１から搬出するときの向きが決められていて、その決め
られた向きに対してウエハＷの向きのずれが許容される
角度）に対応する角度差において大きな伝達トルクを確
保するようにし、例えば０．３度のときのトルクの値が
前記軸受部の摩擦トルクの値を大幅に越えるようにして
いる。従って例えばスル−プットを稼ぐために載置部を
回転するときの加速度、減速度を大きくしても、載置部
１２を停止したときにウエハＷの向きのずれが前記許容
範囲内に確実に収まる。このため例えば後述のように、
後工程に上述の加熱装置が控えている場合にもウエハＷ
載置部１２の段部１２ａに嵌合して載置することができ
るし、後工程の処理装置がウエハＷを載置部の上に単に
載せるだけの場合でも、常に一定の向きにおくことによ
り膜厚、パ−ティクルなどの処理結果の解析に役立つ。
【００２８】なお要求されるウエハＷの向きの許容範囲
は０．３度に限られるものではないが、本発明では例え
ば１．０度までを対象としている。また極数の選定の仕
方は、トルク曲線における最大伝達トルクの最大値やト
ルク曲線の上昇部分が大きくなくとも、要求される載置
部に対する被処理体の向きの許容範囲に対応する角度差
のときのトルクの値が前記軸受部の摩擦トルクの値を越
えていれば、例えば８０極を選定しても本発明の範囲に
含まれるが、加速度、減速度をある程度大きくする設計
を考えるなら、前者の値が摩擦トルクの値の１．２倍以
上が好ましい。
は０．３度に限られるものではないが、本発明では例え
ば１．０度までを対象としている。また極数の選定の仕
方は、トルク曲線における最大伝達トルクの最大値やト
ルク曲線の上昇部分が大きくなくとも、要求される載置
部に対する被処理体の向きの許容範囲に対応する角度差
のときのトルクの値が前記軸受部の摩擦トルクの値を越
えていれば、例えば８０極を選定しても本発明の範囲に
含まれるが、加速度、減速度をある程度大きくする設計
を考えるなら、前者の値が摩擦トルクの値の１．２倍以
上が好ましい。
【００２９】上述の技術を適用したクラスターツール
（熱処理装置）の一例を図７に示しておく。この熱処理
装置は、搬送アーム８０を備えた気密構造の搬送室８の
周囲に例えば２個のカセット室８１と４個の処理容器８
２とをゲートバルブＧを介して気密に接続して構成さ
れ、各処理容器８２の内部構造は既述の実施の形態と同
じ構造である。言い換えれば既述の実施の形態に係る熱
処理装置（熱処理部）を４個用意し、各処理容器のウエ
ハ搬出入口をゲートバルブＧを介して搬送室８に接続し
たものである。
（熱処理装置）の一例を図７に示しておく。この熱処理
装置は、搬送アーム８０を備えた気密構造の搬送室８の
周囲に例えば２個のカセット室８１と４個の処理容器８
２とをゲートバルブＧを介して気密に接続して構成さ
れ、各処理容器８２の内部構造は既述の実施の形態と同
じ構造である。言い換えれば既述の実施の形態に係る熱
処理装置（熱処理部）を４個用意し、各処理容器のウエ
ハ搬出入口をゲートバルブＧを介して搬送室８に接続し
たものである。
【００３０】このような熱処理装置では、複数枚のウエ
ハＷを保持したウエハカセットＣを外部から図示しない
ゲートドアを開いてカセット室８１内に搬入し、そのゲ
ートドアを閉じ、ゲートバルブＧを開いて搬送アーム８
０によりカセットＣ内のウエハＷを−の処理容器８２に
搬送し、所定の熱処理を行う。その後当該ウエハＷを搬
送アーム８０により他の処理容器８２に搬送し、所定の
熱処理を行い、こうしてウエハＷに対して連続処理を行
った後、搬送アーム８０により例えばもとのカセットＣ
内にあるいは他のカセット室８１のカセットＣ内に受け
渡される。連続処理の一例を挙げると、−の処理容器８
２にて急速加熱酸化プロセスが行われ、他の処理容器８
２にてポリシリコン形成のためのＣＶＤプロセスが行わ
れる。
ハＷを保持したウエハカセットＣを外部から図示しない
ゲートドアを開いてカセット室８１内に搬入し、そのゲ
ートドアを閉じ、ゲートバルブＧを開いて搬送アーム８
０によりカセットＣ内のウエハＷを−の処理容器８２に
搬送し、所定の熱処理を行う。その後当該ウエハＷを搬
送アーム８０により他の処理容器８２に搬送し、所定の
熱処理を行い、こうしてウエハＷに対して連続処理を行
った後、搬送アーム８０により例えばもとのカセットＣ
内にあるいは他のカセット室８１のカセットＣ内に受け
渡される。連続処理の一例を挙げると、−の処理容器８
２にて急速加熱酸化プロセスが行われ、他の処理容器８
２にてポリシリコン形成のためのＣＶＤプロセスが行わ
れる。
【００３１】このような熱処理装置では、載置部１２の
段部１２ａ（図１、図２参照）にウエハＷが嵌合し、ウ
エハＷを例えば許容範囲±０．３度で所定の向きに向け
ておかないと載置部１２に載せることができない制約が
あるが、熱処理後のウエハＷの停止位置は予定の停止位
置からわずかにずれているもののそのずれ分は０．３度
よりも少ないので、次の処理容器８２の載置部にウエハ
Ｗを載せることができる。
段部１２ａ（図１、図２参照）にウエハＷが嵌合し、ウ
エハＷを例えば許容範囲±０．３度で所定の向きに向け
ておかないと載置部１２に載せることができない制約が
あるが、熱処理後のウエハＷの停止位置は予定の停止位
置からわずかにずれているもののそのずれ分は０．３度
よりも少ないので、次の処理容器８２の載置部にウエハ
Ｗを載せることができる。
【００３２】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、内輪部の
軸受部としてセラミックス軸受部を用いているので載置
部の軸受部による被処理体の汚染を防止することができ
る。そして被処理体を高精度で所定の向きに停止させる
ことができ、例えば複数の熱処理部を用いて連続処理を
行う場合に、被処理体を後続の熱処理部内に所定の向き
で搬入することができる
軸受部としてセラミックス軸受部を用いているので載置
部の軸受部による被処理体の汚染を防止することができ
る。そして被処理体を高精度で所定の向きに停止させる
ことができ、例えば複数の熱処理部を用いて連続処理を
行う場合に、被処理体を後続の熱処理部内に所定の向き
で搬入することができる
【図１】本発明に係る熱処理装置の実施の形態を示す縦
断面図である。
断面図である。
【図２】上記の実施の形態に用いられる載置部を示す斜
視図である。
視図である。
【図３】上記の実施の形態に用いられる内輪部及び外輪
部を示す横断面図である。
部を示す横断面図である。
【図４】内輪部及び外輪部の磁極の配列を拡大して示す
平面図である。
平面図である。
【図５】上記の実施の形態で用いられる磁気カップリン
グのトルク曲線を示す特性図である。
グのトルク曲線を示す特性図である。
【図６】外輪部と内輪部との角度差を示す説明図であ
る。
る。
【図７】上記の実施の形態の熱処理装置を含むクラスタ
ーツールを示す平面図である。
ーツールを示す平面図である。
Ｗ 半導体ウエハ １ 処理容器 １１ 溝部 １２ ウエハの載置部 １３ ハウジング １４ 隔壁 ２ 内輪部 ２１ 磁極 ３１、３２、３３ 軸受部 ４ 外輪部 ４１ 磁極 ４４ ステッピングモ−タ ５１ パ−ジガスの供給路 ５２ パ−ジガスの排気路 ６１ ガス供給路 ６２ 排気路 ７２ ランプ ８ 搬送室 ８１ カセット室 ８２ 処理容器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 3J101 AA02 AA42 AA52 AA62 BA10 BA50 EA33 EA41 EA44 FA60 GA55 4K030 CA04 CA12 FA10 GA06 KA46 5F045 AA03 AB03 AD10 BB14 DP03 DP04 DQ08 DQ10 EM10
Claims (8)
- 【請求項１】 処理容器内にて被処理体を載置部により
回転させながら、加熱手段により加熱しかつ処理容器内
に所定のガスを供給して被処理体に対して熱処理を行う
熱処理装置において、 前記処理容器の外側に設けられ、周方向に沿って磁極が
多数配列された外輪部と、 前記処理容器の内側に設けられ、前記磁極の夫々の間で
磁力が作用するように周方向に沿って多数の磁極が配列
されると共に前記磁力により外輪部に追従して回転する
内輪部と、 前記外輪部を回転駆動するための駆動部と、 前記内輪部と処理容器との間に介設され、セラミックス
よりなる転動体と自己潤滑性がある保持器とを備えた軸
受部と、 前記処理容器内にて前記内輪部と共に回転し、被処理体
を載置するための載置部と、 前記被処理体を加熱するための加熱手段と、を備え、 前記外輪部を回転させたときの内輪部のトルクと外輪部
及び内輪部の対応する磁極同士の角度差との関係を示す
トルク曲線において、要求される載置部に対する被処理
体の向きの許容範囲に対応する角度差のときのトルクの
値が前記軸受部の摩擦トルクの値を越えていることを特
徴とする熱処理装置。 - 【請求項２】 処理容器内の載置部に対して被処理体を
所定の向きで載置し、当該載置部を回転させながら、加
熱手段により加熱しかつ処理容器内に所定のガスを供給
して被処理体に対して熱処理を行う熱処理部と、この熱
処理部の処理容器にゲ−トバルブを介して気密に接続さ
れた搬送室と、この搬送室にゲ−トバルブを介して気密
に接続された処理容器を備えた他の熱処理部と、を備
え、一の熱処理部にて被処理体に対して熱処理を行い、
次いでその被処理体を前記搬送室を介して他の熱処理部
に搬送して熱処理を行う熱処理装置において、 前記一の熱処理部は、 前記処理容器部の外側に設けられ、周方向に沿って磁極
が多数配列された外輪部と、 前記処理容器の内側に設けられ、前記磁極の夫々の間で
磁力が作用するように周方向に沿って多数の磁極が配列
されると共に前記磁力により外輪部に追従して回転する
内輪部と、 前記外輪部を回転駆動するための駆動部と、 前記内輪部と処理容器との間に介設され、セラミックス
よりなる転動体と自己潤滑性がある保持器とを備えた軸
受部と、 前記処理容器内にて前記内輪部と共に回転し、被処理体
を載置するための載置部と、 前記被処理体を加熱するための加熱手段と、を備え、 前記外輪部を回転させたときの内輪部のトルクと外輪部
及び内輪部の対応する磁極同士の角度差との関係を示す
トルク曲線において、前記他の熱処理部にて要求される
載置部に対する被処理体の向きの許容範囲に対応する角
度差のときのトルクの値が前記軸受部の摩擦トルクの値
を越えていることを特徴とする熱処理装置。 - 【請求項３】 他の熱処理部の載置部の位置決め部に被
処理体が嵌合することにより被処理体の向きが位置決め
されることを特徴とする請求項２記載の熱処理装置。 - 【請求項４】 内輪部及び外輪部の極数ごとに得られる
各トルク曲線の最大トルクの中で最大値を持つ極数Ｌよ
りも多い極数であり、かつトルク曲線の上昇部分の傾き
が前記極数Ｌにおけるトルク曲線の上昇部分よりも大き
い極数であることを特徴とする請求項１、２または３記
載の熱処理装置。 - 【請求項５】 被処理体の向きの許容範囲に対応する角
度差が０．３度であることを特徴とする請求項１ないし
４のいずれかに記載の熱処理装置。 - 【請求項６】 外輪部側の磁極及び内輪部側の磁極の一
方がネオジム系磁石であり、他方がマルテンサイト系ス
テンレス鋼であることを特徴とする請求項１ないし５の
いずれかに記載の熱処理装置。 - 【請求項７】 加熱手段は被処理体を輻射熱により加熱
するものであることを特徴とする請求項１ないし６のい
ずれかに記載の熱処理装置。 - 【請求項８】 処理容器の外側に設けられ、周方向に沿
って磁極が多数配列された外輪部と、 前記処理容器の内側に設けられ、前記磁極の夫々の間で
磁力が作用するように周方向に沿って多数の磁極が配列
されると共に前記磁力により外輪部に追従して回転する
内輪部と、 前記外輪部を回転駆動するための駆動部と、 前記内輪部と処理容器との間に介設され、セラミックス
よりなる転動体と自己潤滑性がある保持器とを備えた軸
受部と、 前記処理容器内にて前記内輪部と共に回転し、被処理体
を載置するための載置部と、を有し、 前記外輪部を回転させたときの内輪部のトルクと外輪部
及び内輪部の対応する磁極同士の角度差との関係を示す
トルク曲線において、他の熱処理部にて要求される載置
部に対する被処理体の向きの許容範囲に対応する角度差
のときのトルクの値が前記軸受部の摩擦トルクの値を越
えている一の熱処理部を用い、 この一の熱処理部の載置部に被処理体を載置する工程
と、 次いで外輪部を回転させることにより載置部を回転させ
ながら、加熱手段により加熱しかつ処理容器内に所定の
ガスを供給して被処理体に対して熱処理を行う工程と、 外輪部を停止させて載置部の回転を止めた後、載置部上
の被処理体を、当該一の熱処理部に気密に接続された搬
送室を介して前記他の熱処理部の載置部に搬送する工程
と、 を含むことを特徴とする熱処理方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000119326A JP4605853B2 (ja) | 2000-04-20 | 2000-04-20 | 熱処理装置、熱処理システム及び熱処理方法 |
| PCT/JP2001/003277 WO2001082341A1 (en) | 2000-04-20 | 2001-04-17 | Thermal processing system and thermal processing method |
| US10/257,621 US6889004B2 (en) | 2000-04-20 | 2001-04-17 | Thermal processing system and thermal processing method |
| TW090109443A TW494477B (en) | 2000-04-20 | 2001-04-19 | Thermal processing system and thermal processing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000119326A JP4605853B2 (ja) | 2000-04-20 | 2000-04-20 | 熱処理装置、熱処理システム及び熱処理方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001308012A true JP2001308012A (ja) | 2001-11-02 |
| JP2001308012A5 JP2001308012A5 (ja) | 2007-12-20 |
| JP4605853B2 JP4605853B2 (ja) | 2011-01-05 |
Family
ID=18630325
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000119326A Expired - Fee Related JP4605853B2 (ja) | 2000-04-20 | 2000-04-20 | 熱処理装置、熱処理システム及び熱処理方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6889004B2 (ja) |
| JP (1) | JP4605853B2 (ja) |
| TW (1) | TW494477B (ja) |
| WO (1) | WO2001082341A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019110281A (ja) * | 2017-12-20 | 2019-07-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9960059B2 (en) * | 2012-03-30 | 2018-05-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Honeycomb heaters for integrated circuit manufacturing |
| US10916999B2 (en) | 2013-03-19 | 2021-02-09 | Intellitech Pty Ltd | Device and method for using a magnetic clutch in BLDC motors |
| TWD179095S (zh) * | 2015-08-25 | 2016-10-21 | 荏原製作所股份有限公司 | 基板保持環 |
| GB2544720A (en) | 2015-10-15 | 2017-05-31 | Vastech Holdings Ltd | Electric motor |
| GB201722054D0 (en) | 2017-12-28 | 2018-02-14 | Vastech Holdings Ltd | Electric Motor |
| US20220111513A1 (en) * | 2020-10-14 | 2022-04-14 | Applied Materials, Inc. | Infinite rotation of vacuum robot linkage through timing belt with isolated environment |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60219724A (ja) * | 1984-04-16 | 1985-11-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 回転サセプタ支持装置 |
| JPH0544038A (ja) * | 1991-08-14 | 1993-02-23 | Toshiba Corp | Ｃｖｄ装置 |
| JPH06241237A (ja) * | 1993-01-28 | 1994-08-30 | Applied Materials Inc | 真空チャンバーロボット装置用２重同軸磁気カプラ |
| JPH07169706A (ja) * | 1993-06-19 | 1995-07-04 | Tokyo Electron Ltd | 縦型熱処理装置及び真空処理装置 |
| JPH11313477A (ja) * | 1998-02-26 | 1999-11-09 | Bks Lab:Kk | 複数軸動力伝達装置およびウエハ搬送用アームリンク |
| JP2001165189A (ja) * | 1999-12-09 | 2001-06-19 | Nsk Ltd | 磁気カップリング |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5155336A (en) * | 1990-01-19 | 1992-10-13 | Applied Materials, Inc. | Rapid thermal heating apparatus and method |
| US5482602A (en) * | 1993-11-04 | 1996-01-09 | United Technologies Corporation | Broad-beam ion deposition coating methods for depositing diamond-like-carbon coatings on dynamic surfaces |
| US5982986A (en) * | 1995-02-03 | 1999-11-09 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for rotationally aligning and degassing semiconductor substrate within single vacuum chamber |
| US5902185A (en) * | 1995-10-17 | 1999-05-11 | Kubiak; Richard Andrej | Magnetic transmission couplings |
-
2000
- 2000-04-20 JP JP2000119326A patent/JP4605853B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-04-17 WO PCT/JP2001/003277 patent/WO2001082341A1/en active Application Filing
- 2001-04-17 US US10/257,621 patent/US6889004B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-04-19 TW TW090109443A patent/TW494477B/zh active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60219724A (ja) * | 1984-04-16 | 1985-11-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 回転サセプタ支持装置 |
| JPH0544038A (ja) * | 1991-08-14 | 1993-02-23 | Toshiba Corp | Ｃｖｄ装置 |
| JPH06241237A (ja) * | 1993-01-28 | 1994-08-30 | Applied Materials Inc | 真空チャンバーロボット装置用２重同軸磁気カプラ |
| JPH07169706A (ja) * | 1993-06-19 | 1995-07-04 | Tokyo Electron Ltd | 縦型熱処理装置及び真空処理装置 |
| JPH11313477A (ja) * | 1998-02-26 | 1999-11-09 | Bks Lab:Kk | 複数軸動力伝達装置およびウエハ搬送用アームリンク |
| JP2001165189A (ja) * | 1999-12-09 | 2001-06-19 | Nsk Ltd | 磁気カップリング |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019110281A (ja) * | 2017-12-20 | 2019-07-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20030089697A1 (en) | 2003-05-15 |
| WO2001082341B1 (en) | 2002-07-18 |
| TW494477B (en) | 2002-07-11 |
| JP4605853B2 (ja) | 2011-01-05 |
| US6889004B2 (en) | 2005-05-03 |
| WO2001082341A1 (en) | 2001-11-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6800833B2 (en) | Electromagnetically levitated substrate support | |
| KR20010020987A (ko) | 기판처리장치 | |
| JP2004514269A (ja) | 熱処理システム | |
| JP2001308012A (ja) | 熱処理装置及びその方法 | |
| US6403926B2 (en) | Thermal processing apparatus having a coolant passage | |
| KR20070014277A (ko) | 반도체 제조설비 | |
| JPH03261161A (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| JP2003347228A (ja) | 半導体装置の製造方法および熱処理装置 | |
| KR102188675B1 (ko) | 내부 챔버 회전 모터, 대안적인 회전 | |
| JP3343402B2 (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| JP4241513B2 (ja) | 基板処理装置および処理方法 | |
| US6709470B2 (en) | Benchtop processing | |
| JP2001308012A5 (ja) | ||
| JP3798915B2 (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| US20220157643A1 (en) | Apparatus for rotating substrates | |
| JP2007088176A (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JP2006049489A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2001060616A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2004241636A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2004327642A (ja) | 基板処理装置 | |
| WO2001099257A1 (en) | Gas bearing rotation assemblies for substrate processing systems | |
| JPH04264749A (ja) | ウエハ移送ロボット | |
| JP2002025911A (ja) | 熱処理装置及びそのシール方法 | |
| JPH113929A (ja) | ウェーハ姿勢合わせ装置及び該装置を具備した半導体製造装置 | |
| JP2006045635A (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070406 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071019 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071101 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100323 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100524 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100810 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100823 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100914 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101005 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131015 Year of fee payment: 3 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |