JP2001287933A - ガラス組成 - Google Patents
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Abstract
を、SiO2が35wt%以上で且つ 50wt%以
下、Al2O3が5wt%以上で且つ 30wt%以下、
MgOが10wt%以上で且つ 30wt%以下、Ti
O2が5wt%以上で且つ 20wt%以下、Li2Oが
0.1wt%以上で且つ 2.4wt%以下、とした。
Description
晶化ガラスに適したガラス組成に関する。さらに詳しく
は、結晶化ガラス磁気ディスクの組成に関する。
アルミニウム基板、ガラス基板等が実用化されている。
中でもガラス基板は、表面の平滑性や機械的強度が優れ
ていることから、最も注目されている。そのようなガラ
ス基板としては、ガラス基板表面をイオン交換で強化し
た化学強化ガラス基板や、基板に結晶成分を析出させて
結合の強化を図る結晶化ガラス基板が知られている。
は、日に日に厳しくなってきており、とくに高速回転時
のたわみやそりに直接的に関わる強度に対する性能の向
上が求められている。これは基板材料のヤング率によっ
て表すことができ、数値が高ければ高いほど望ましい。
る組成においては、ヤング率は130以上を達成してい
る。しかし、上記先行技術においては熱処理温度が1次
処理温度で800度、2次処理温度で1000度と非常
に高く、製造が困難である。
ヤング率を達成しながら、生産性の向上が求めらること
になる。そこで本発明は、ガラスのヤング率が向上し、
さらに生産性の高いを組成を提供することを目的とす
る。
に請求項1に記載された発明は、主成分の組成範囲を、
SiO2が35wt%以上で且つ 50wt%以下、A
l2O3が5wt%以上で且つ 30wt%以下、MgO
が10wt%以上で且つ 30wt%以下、TiO2が
5wt%以上で且つ 20wt%以下、Li2Oが0.
1wt%以上で且つ 2.4wt%以下、にしたことを
特徴とする。
説明する。本発明に係る実施形態のガラス基板は、主成
分の組成範囲が、SiO2が35wt%以上で且つ50
wt%以下、Al2O3が5wt%以上で且つ 30wt
%以下、MgOが10wt%以上で且つ30wt%以
下、TiO2が5wt%以上で且つ20wt%以下、L
i2Oが0.1wt%以上で且つ2.4wt%以下、で
あることを特徴としている。
が35wt%より少ないと、溶融性が悪くなり、50w
t%を越えるとガラスとして安定状態になるため、結晶
が析出しにくくなる。
理によって析出する結晶相であるマグネシウムアルミニ
ウム系結晶の構成成分である。組成比が5wt%より少
ないと析出結晶が少なく、強度が得られず、30wt%
を越えると溶融温度が高くなり失透しやすくなる。
め粒状の結晶を凝集させ結晶粒子塊を形成する。ただ
し、組成比が10wt%より少ないと作業温度幅が狭く
なりう、ガラスマトリクス相の化学的耐久性が向上しな
い。30wt%を越えると、他の結晶相が析出して求め
る強度を得ることが難しくなる。
リケート系結晶析出には不可欠な成分である。また融剤
として働くため生産時の安定性が向上している。組成比
が5wt%より少ないと溶融性が悪くなると共に、結晶
成長がしにくくなり、20wt%を越えると結晶化が急
激に促進され、結晶化状態の制御が困難となり析出結晶
の粗大化、結晶相の不均質が発生し、微細で均質な結晶
構造が得られなくなり、研磨加工においてディスク基板
として必要な平滑面が得られなくなる。さらに溶融成形
時に失透しやすくなり、生産性が低下する。
定性が向上している。組成比が0.1wt%より少ない
と溶融性が悪くなり、2.4wt%を越えると、また研
磨−洗浄工程における安定性が悪くなる。
れるガラス基板の主成分の組成を含む原料を所定の割合
にて充分に混合し、これを白金るつぼに入れ溶融を行
う。溶融後金型に流し概略の形状を形成する。これを室
温までアニールする。続いて、500〜680度の1次
熱処理温度と1次処理時間により保持し(熱処理)、結
晶核生成が行われる。引き続き、680〜800度の2
次熱処理温度と2次処理時間により保持し結晶核成長を
行う。これを除冷することにより目的とする結晶化ガラ
スが得られる。
加工を施すことにより、ディスク基板として利用でき
る。
板は、主成分の組成範囲が、SiO 2が35wt%以上
で且つ50wt%以下、Al2O3が5wt%以上で且つ
30wt%以下、MgOが10wt%以上で且つ30w
t%以下、TiO2が5wt%以上で且つ20wt%以
下、Li2Oが0.1wt%以上で且つ2.4wt%以
下、とするために、非常に高いヤング率と高い生産性を
得ることが可能となった。
ることにより、よりよい性能が得られる。
一な結晶析出を補助する。ただし、組成比が0.1wt
%より少ないと十分な結晶均質化の改善がなされない。
22wt%を越えると、ガラスが安定となり結晶化が抑
制され、求める強度が得られにくくなる。
晶を析出させる核形成剤であり、ガラス全体に結晶を均
一に析出させるために重要な成分である。組成比が0.
1wt%より少ないと十分な結晶核が形成されにくくな
り、結晶粒子が粗大化したり結晶が不均質に析出し、微
細で均質な結晶構造が得られにくくなり、研磨加工にお
いてディスク基板として必要な平滑面が得られなくな
る。5.0wt%を越えると、溶融時の炉剤に対する反
応性が増し、また失透性も強くなることから溶融成形時
の生産性が低下する。また化学的耐久性が低下し、磁気
膜に影響を与える恐れがあると共に、研磨−洗浄工程に
おける安定性が悪くなる。
えているためガラスの結晶核剤が有効に機能する。組成
比が0.1wt%より少ないと十分な結晶核が形成され
なくにくくなり、結晶粒子が粗大化したり結晶が不均質
に析出し、微細で均質な結晶構造が得られなくなり、研
磨加工においてディスク基板として必要な平滑面が得ら
れなくなる。また化学的耐久性および耐マイグレーショ
ンが低下し、磁気膜に影響を与える恐れがあるととも
に、研磨−洗浄工程において安定性が悪くなる。また1
2wt%を越えると溶融温度が高くなり、また失透しや
すくなり溶融成形が困難となる。また析出結晶相が変化
し求める特性が得られにくくなる。
一な結晶析出を補助する。ただし、組成比が0.1wt
%より少ないと十分な結晶均質化の改善がなされない。
9wt%を越えると、化学的耐久性を向上させることが
できなくなる。
結晶核剤物質が増加することになる。ただし、組成比が
0.1wt%より少ないと十分な剛性の向上がなされな
い。9wt%を越えると、ガラスの結晶化が不安定とな
り、析出結晶相を制御できなくなり、求める特性が得ら
れにくくなる。
溶融性、強度を向上させ、またガラスマトリクス相の化
学的耐久性を向上させる。ただし、組成比が0.1wt
%より少ないと十分な剛性の向上がなされない。9wt
%を越えると、ガラスの結晶化が不安定となり、析出結
晶相を制御できなくなり、求める特性が得られにくくな
る。
産時の安定性が向上している。ただし、組成比が0.1
wt%より少ないと十分な溶融性改善がなされない。9
wt%を越えると、ガラスが安定となり結晶化が抑制さ
れ、また化学的耐久性が低下し、磁気膜に影響を与える
恐れがあると共に、研磨−洗浄工程における安定性が悪
くなる。
るためガラスの分相を促し、結晶析出および成長を促進
させる。ただし、組成比が0.1wt%より少ないと十
分な溶融性改善がなされない。9wt%を越えると、ガ
ラスが失透しやすくなり成形が困難になると共に、結晶
が粗大化し微細な結晶が得られなくなる。
性が向上している。ただし、組成比が0.1wt%より
少ないと十分な剛性向上が得られない。9wt%を越え
ると、結晶析出が抑制され、十分な結晶化度が得られ
ず、所望の特性が達成されない。
め生産時の安定性が向上している。ただし、組成比が
0.1wt%より少ないと十分な清澄効果が得られなく
なり、生産性が低下する。9wt%を越えると、ガラス
の結晶化が不安定となり析出結晶相を制御できなくな
り、求める特性が得られにくくなる。
め生産時の安定性が向上している。ただし、組成比が
0.1wt%より少ないと十分な清澄効果が得られなく
なり、生産性が低下する。9wt%を越えると、ガラス
の結晶化が不安定となり析出結晶相を制御できなくな
り、求める特性が得られにくくなる。
め生産時の安定性が向上している。ただし、組成比が
0.1wt%より少ないと十分な清澄効果が得られなく
なり、生産性が低下する。9wt%を越えると、ガラス
の結晶化が不安定となり析出結晶相を制御できなくな
り、求める特性が得られにくくなる。
るが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではな
い。表1〜4には実施例1〜32のガラス組成を重量%
で示した。これらの数値に従って、先述した製造方法に
よりガラス基板を得た。
かつ生産性の高いガラス基板を得ることができる。
Claims (1)
- 【請求項1】 主成分の組成範囲を、 SiO2が35wt%以上で且つ 50wt%以下、 Al2O3が5wt%以上で且つ 30wt%以下、 MgOが10wt%以上で且つ 30wt%以下、 TiO2が5wt%以上で且つ 20wt%以下、 Li2Oが0.1wt%以上で且つ 2.4wt%以
下、としたことを特徴とするガラス組成。
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