JP2001274205A - ビアホール内への湿式表面処理方法及び湿式表面処理装置 - Google Patents
ビアホール内への湿式表面処理方法及び湿式表面処理装置Info
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- H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
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- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体装置用テープキャリアのビアホール内の
めっき処理において、ビアホール内への液の浸透性を向
上させ、めっき不良を無くす。 【解決手段】テープキャリア１１を、前処理槽１３、１
４及びめっき処理槽１５、１６に順次通してビアホール
内の表面処理を行うに際し、前処理槽１３、１４に通す
前及びめっき処理槽１５、１６に通す前に、それぞれ、
装置２１により高温エアまたは高温蒸気を吹き付けてビ
アホール内のエアを加熱する第１処理と、その後、シャ
ワー装置２２によりそれぞれの処理槽で取り扱っている
ものと同じ前処理液又はめっき液を吹き付けてビアホー
ル内のエアを冷却する第２処理とを行う。
めっき処理において、ビアホール内への液の浸透性を向
上させ、めっき不良を無くす。 【解決手段】テープキャリア１１を、前処理槽１３、１
４及びめっき処理槽１５、１６に順次通してビアホール
内の表面処理を行うに際し、前処理槽１３、１４に通す
前及びめっき処理槽１５、１６に通す前に、それぞれ、
装置２１により高温エアまたは高温蒸気を吹き付けてビ
アホール内のエアを加熱する第１処理と、その後、シャ
ワー装置２２によりそれぞれの処理槽で取り扱っている
ものと同じ前処理液又はめっき液を吹き付けてビアホー
ル内のエアを冷却する第２処理とを行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップを搭
載して半導体パッケージを構成するための半導体装置用
テープキャリア、特にビアホールを有するテープキャリ
アの製造方法及び製造装置に関するものであり、更に詳
しくはそのビアホール内への湿式表面処理方法及び湿式
表面処理装置に関するものである。
載して半導体パッケージを構成するための半導体装置用
テープキャリア、特にビアホールを有するテープキャリ
アの製造方法及び製造装置に関するものであり、更に詳
しくはそのビアホール内への湿式表面処理方法及び湿式
表面処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のＢＧＡ（Ball Grid Array ）パッ
ケージ用テープキャリアは、ポリイミドフィルムに代表
される樹脂フィルム上に施された銅箔の導体パターン層
上に下地層としてのニッケルめっき層を形成し、このニ
ッケルめっき層の上層として金めっき層を形成すること
により構成される。このテープキャリアを用いて半導体
装置を製造する際には、半導体チップの電極部とテープ
キャリアの導体パターンとを金ワイヤボンディングし、
さらにビアホール部にはんだボールを搭載するなどし
て、半導体パッケージに加工される。
ケージ用テープキャリアは、ポリイミドフィルムに代表
される樹脂フィルム上に施された銅箔の導体パターン層
上に下地層としてのニッケルめっき層を形成し、このニ
ッケルめっき層の上層として金めっき層を形成すること
により構成される。このテープキャリアを用いて半導体
装置を製造する際には、半導体チップの電極部とテープ
キャリアの導体パターンとを金ワイヤボンディングし、
さらにビアホール部にはんだボールを搭載するなどし
て、半導体パッケージに加工される。
【０００３】ＢＧＡパッケージ用テープキャリアの構造
例と、ＢＧＡパッケージの構造例を、本発明の実施形態
に係るを図３及び図４を併用して説明する。図３におい
て、ポリイミドフィルム１の表面には導体パターン層２
が形成されている。また、テープ裏面では打ち抜き法ま
たはレーザー照射法等の方法によりポリイミドフィルム
を開口したビアホール３が形成される。この導体パター
ン層上とビアホール部には、下地層としてのニッケルめ
っき層４が、ニッケルめっき層の上層には金めっき層５
が形成されてＢＧＡパッケージ用テープキャリアが完成
する。
例と、ＢＧＡパッケージの構造例を、本発明の実施形態
に係るを図３及び図４を併用して説明する。図３におい
て、ポリイミドフィルム１の表面には導体パターン層２
が形成されている。また、テープ裏面では打ち抜き法ま
たはレーザー照射法等の方法によりポリイミドフィルム
を開口したビアホール３が形成される。この導体パター
ン層上とビアホール部には、下地層としてのニッケルめ
っき層４が、ニッケルめっき層の上層には金めっき層５
が形成されてＢＧＡパッケージ用テープキャリアが完成
する。
【０００４】このテープキャリアには図４に示すように
半導体チップ６が搭載され、その半導体チップ６におけ
る電極部と導体パターン上に金めっきを施したボンディ
ングパッド部７が金ワイヤ８によりボンディングされ、
さらにビアホール部にははんだボール９が接合される。
さらに樹脂１０により封止されてＢＧＡパッケージが完
成する。
半導体チップ６が搭載され、その半導体チップ６におけ
る電極部と導体パターン上に金めっきを施したボンディ
ングパッド部７が金ワイヤ８によりボンディングされ、
さらにビアホール部にははんだボール９が接合される。
さらに樹脂１０により封止されてＢＧＡパッケージが完
成する。
【０００５】上記ＢＧＡパッケージ用テープキャリアへ
の湿式表面処理装置の構造例を図５に示す。テープキャ
リア１１はテープ巻き出し部１２より搬送を開始し、め
っきの前処理である脱脂槽１３と酸洗処理槽１４を通過
し、更にニッケルめっき処理槽１５、金めっき処理槽１
６で各めっきを施し、後処理槽１７の後、巻き取り部１
８で巻き取られる。特にＴＡＢテープキャリアにおける
このような搬送方式をリール・ツウ・リール方式と呼
び、連続的な前処理及びめっき処理が可能なため量産性
に優れている。めっき法には、電気めっき法または無電
解めっき法がある。
の湿式表面処理装置の構造例を図５に示す。テープキャ
リア１１はテープ巻き出し部１２より搬送を開始し、め
っきの前処理である脱脂槽１３と酸洗処理槽１４を通過
し、更にニッケルめっき処理槽１５、金めっき処理槽１
６で各めっきを施し、後処理槽１７の後、巻き取り部１
８で巻き取られる。特にＴＡＢテープキャリアにおける
このような搬送方式をリール・ツウ・リール方式と呼
び、連続的な前処理及びめっき処理が可能なため量産性
に優れている。めっき法には、電気めっき法または無電
解めっき法がある。
【０００６】図５の湿式表面処理装置における、従来の
前処理槽（脱脂槽１３、酸洗処理槽１４）、またはめっ
き処理槽（ニッケルめっき処理槽１５、金めっき処理槽
１６）の構造を、図６に処理槽１９として示す。図６に
示すように、従来の各処理槽１９（脱脂槽１３、酸洗処
理槽１４、ニッケルめっき処理槽１５、金めっき処理槽
１６）は、テープキャリア１１が単純に各処理液に浸漬
するだけの構造であるといえる。
前処理槽（脱脂槽１３、酸洗処理槽１４）、またはめっ
き処理槽（ニッケルめっき処理槽１５、金めっき処理槽
１６）の構造を、図６に処理槽１９として示す。図６に
示すように、従来の各処理槽１９（脱脂槽１３、酸洗処
理槽１４、ニッケルめっき処理槽１５、金めっき処理槽
１６）は、テープキャリア１１が単純に各処理液に浸漬
するだけの構造であるといえる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
湿式表面処理装置では、その各処理槽１９がテープキャ
リア１１を単純に各処理液に浸漬するだけの構造であっ
たため、ビアホール内に空気が存在したまま前処理液中
やめっき液中を通過してしまうと、前処理不良によるめ
っき外観不良やめっき密着不良、更にはめっき液が入ら
ないことによる無めっき現象が頻発してしまうという課
題があった。
湿式表面処理装置では、その各処理槽１９がテープキャ
リア１１を単純に各処理液に浸漬するだけの構造であっ
たため、ビアホール内に空気が存在したまま前処理液中
やめっき液中を通過してしまうと、前処理不良によるめ
っき外観不良やめっき密着不良、更にはめっき液が入ら
ないことによる無めっき現象が頻発してしまうという課
題があった。
【０００８】詳述するに、従来例における構造のめっき
装置によると、テープキャリアが前処理液やめっき液中
に単純に浸漬されるだけの処理方法であるため、ビアホ
ール部内に各処理液が浸透しにくい。これは、ビアホー
ルが、内径が狭く、奥行きがあり、行き止まりになって
いるという形状のため、大気中で予めビアホール内に存
在していた空気が処理液に浸漬されても抜けにくいこと
による。
装置によると、テープキャリアが前処理液やめっき液中
に単純に浸漬されるだけの処理方法であるため、ビアホ
ール部内に各処理液が浸透しにくい。これは、ビアホー
ルが、内径が狭く、奥行きがあり、行き止まりになって
いるという形状のため、大気中で予めビアホール内に存
在していた空気が処理液に浸漬されても抜けにくいこと
による。
【０００９】前述したように、ビアホール内に前処理液
やめっき液が浸透しなければ、めっき不良となり、特に
ビアホール部に接合するはんだボールの接合信頼性に致
命的な影響を及ぼしてしまう。
やめっき液が浸透しなければ、めっき不良となり、特に
ビアホール部に接合するはんだボールの接合信頼性に致
命的な影響を及ぼしてしまう。
【００１０】したがって、本発明の目的は、ビアホール
内の湿式表面処理性の向上、特にめっき処理においてビ
アホール内への液の浸透性を向上させ、めっき不良を無
くすことを可能とするビアホール内への湿式表面処理方
法及び湿式表面処理装置を提供することにある。
内の湿式表面処理性の向上、特にめっき処理においてビ
アホール内への液の浸透性を向上させ、めっき不良を無
くすことを可能とするビアホール内への湿式表面処理方
法及び湿式表面処理装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、次のように構成したものである。
め、本発明は、次のように構成したものである。
【００１２】（１）請求項１に記載のビアホール内への
湿式表面処理方法は、樹脂フィルムの表面に導体パター
ン層を形成し、他面側からビアホールを設けた半導体装
置用テープキャリアを、前処理槽及びめっき処理槽に順
次通してビアホール内の表面処理を行うに際し、前記め
っき処理槽に通す前及び前記前処理槽に通す前に、それ
ぞれの処理槽で取り扱っているものと同じ前処理液又は
めっき液を吹き付けて予めビアホール内を濡らすことを
特徴とする。
湿式表面処理方法は、樹脂フィルムの表面に導体パター
ン層を形成し、他面側からビアホールを設けた半導体装
置用テープキャリアを、前処理槽及びめっき処理槽に順
次通してビアホール内の表面処理を行うに際し、前記め
っき処理槽に通す前及び前記前処理槽に通す前に、それ
ぞれの処理槽で取り扱っているものと同じ前処理液又は
めっき液を吹き付けて予めビアホール内を濡らすことを
特徴とする。
【００１３】この特徴によれば、前処理槽及びめっき処
理槽へ入る前に、ビアホール内は、予め、それぞれの処
理槽で取り扱っているものと同じ前処理液又はめっき液
で満たされ、濡れている状態となる。このため、従来例
のように処理液を吹き付ける装置が無い場合と比較する
と、ビアホール内への液の浸透性が向上し、ビアホール
内に空気が存在したまま前処理液中やめっき液中を通過
してしまうことが少なくなり、前処理不良によるめっき
外観不良やめっき密着不良、更にはめっき液が入らない
ことによる無めっき現象が頻発してしまうといった不都
合を防止することができる。
理槽へ入る前に、ビアホール内は、予め、それぞれの処
理槽で取り扱っているものと同じ前処理液又はめっき液
で満たされ、濡れている状態となる。このため、従来例
のように処理液を吹き付ける装置が無い場合と比較する
と、ビアホール内への液の浸透性が向上し、ビアホール
内に空気が存在したまま前処理液中やめっき液中を通過
してしまうことが少なくなり、前処理不良によるめっき
外観不良やめっき密着不良、更にはめっき液が入らない
ことによる無めっき現象が頻発してしまうといった不都
合を防止することができる。
【００１４】（２）請求項２に記載のビアホール内への
湿式表面処理方法は、樹脂フィルムの表面に導体パター
ン層を形成し、他面側からビアホールを設けた半導体装
置用テープキャリアを、前処理槽及びめっき処理槽に順
次通してビアホール内の表面処理を行うに際し、前記前
処理槽に通す前及び前記めっき処理槽に通す前に、それ
ぞれ、前記半導体装置用テープキャリアに対し高温エア
または高温蒸気を吹き付ける第１処理と、その後、それ
ぞれの処理槽で取り扱っているものと同じ前処理液又は
めっき液を吹き付ける第２処理とを行うことを特徴とす
る。
湿式表面処理方法は、樹脂フィルムの表面に導体パター
ン層を形成し、他面側からビアホールを設けた半導体装
置用テープキャリアを、前処理槽及びめっき処理槽に順
次通してビアホール内の表面処理を行うに際し、前記前
処理槽に通す前及び前記めっき処理槽に通す前に、それ
ぞれ、前記半導体装置用テープキャリアに対し高温エア
または高温蒸気を吹き付ける第１処理と、その後、それ
ぞれの処理槽で取り扱っているものと同じ前処理液又は
めっき液を吹き付ける第２処理とを行うことを特徴とす
る。
【００１５】この特徴によれば、第１処理により、高温
エアまたは高温蒸気でテープキャリアが加熱され、ビア
ホール内のエアが高温になり膨張する。その後、第２処
理により、前処理液またはめっき液が吹き付けられるの
で、ビアホール内のエアは急冷され、エアが収縮する。
このビアホール内のエアの膨張・収縮作用に基づき、ビ
アホール内に液が浸透し易くなる。また、ビアホール内
は予め処理液で満たされ、濡れている状態となるため、
テープキャリアが前処理槽及びめっき処理槽に入った後
もビアホール内にそれぞれの液が容易に浸透する。この
ため、従来例の前処理不良によるめっき外観不良やめっ
き密着不良、更にはめっき液が入らないことによる無め
っき現象の頻発といった不都合をなくすことができる。
エアまたは高温蒸気でテープキャリアが加熱され、ビア
ホール内のエアが高温になり膨張する。その後、第２処
理により、前処理液またはめっき液が吹き付けられるの
で、ビアホール内のエアは急冷され、エアが収縮する。
このビアホール内のエアの膨張・収縮作用に基づき、ビ
アホール内に液が浸透し易くなる。また、ビアホール内
は予め処理液で満たされ、濡れている状態となるため、
テープキャリアが前処理槽及びめっき処理槽に入った後
もビアホール内にそれぞれの液が容易に浸透する。この
ため、従来例の前処理不良によるめっき外観不良やめっ
き密着不良、更にはめっき液が入らないことによる無め
っき現象の頻発といった不都合をなくすことができる。
【００１６】（３）請求項３に記載の発明は、樹脂フィ
ルムの表面に形成された導体パターン層と樹脂フィルム
を開口させることで前記導体パターン層の裏面に設けら
れたビアホールとを有する半導体装置用テープキャリア
を、前処理槽及びめっき処理槽に順次通してビアホール
内の表面処理を行う湿式表面処理装置において、前記半
導体装置用テープキャリアの進行方向にみて、前記前処
理槽及び前記めっき処理槽の上流側に、それぞれの処理
槽で取り扱っているものと同じ前処理液又はめっき液を
吹き付ける処理装置を設けたことを特徴とする。
ルムの表面に形成された導体パターン層と樹脂フィルム
を開口させることで前記導体パターン層の裏面に設けら
れたビアホールとを有する半導体装置用テープキャリア
を、前処理槽及びめっき処理槽に順次通してビアホール
内の表面処理を行う湿式表面処理装置において、前記半
導体装置用テープキャリアの進行方向にみて、前記前処
理槽及び前記めっき処理槽の上流側に、それぞれの処理
槽で取り扱っているものと同じ前処理液又はめっき液を
吹き付ける処理装置を設けたことを特徴とする。
【００１７】この特徴によれば、ビアホール内は、予
め、それぞれの処理槽で取り扱っているものと同じ前処
理液又はめっき液を吹き付けられて予め濡れている状態
となり、その後に前処理槽又はめっき処理槽に通され
る。このため、ビアホール内への液の浸透性が向上し、
従来例のように、ビアホール内に空気が存在したまま前
処理液中やめっき液中を通過してしまうことが回避さ
れ、前処理不良によるめっき外観不良やめっき密着不
良、更にはめっき液が入らないことによる無めっき現象
の頻発といった不都合を防止することができる。
め、それぞれの処理槽で取り扱っているものと同じ前処
理液又はめっき液を吹き付けられて予め濡れている状態
となり、その後に前処理槽又はめっき処理槽に通され
る。このため、ビアホール内への液の浸透性が向上し、
従来例のように、ビアホール内に空気が存在したまま前
処理液中やめっき液中を通過してしまうことが回避さ
れ、前処理不良によるめっき外観不良やめっき密着不
良、更にはめっき液が入らないことによる無めっき現象
の頻発といった不都合を防止することができる。
【００１８】（４）請求項４に記載の発明は、樹脂フィ
ルムの表面に形成された導体パターン層と樹脂フィルム
を開口させることで前記導体パターン層の裏面に設けら
れたビアホールとを有する半導体装置用テープキャリア
を、前処理槽及びめっき処理槽に順次通してビアホール
内の表面処理を行う湿式表面処理装置において、前記半
導体装置用テープキャリアの進行方向にみて、前記前処
理槽及び前記めっき処理槽の上流側に、それぞれ、高温
エアまたは高温蒸気を吹き付ける第１処理装置と、その
後、それぞれの処理槽で取り扱っているものと同じ前処
理液又はめっき液を吹き付ける第２処理装置とを設けた
ことを特徴とする。
ルムの表面に形成された導体パターン層と樹脂フィルム
を開口させることで前記導体パターン層の裏面に設けら
れたビアホールとを有する半導体装置用テープキャリア
を、前処理槽及びめっき処理槽に順次通してビアホール
内の表面処理を行う湿式表面処理装置において、前記半
導体装置用テープキャリアの進行方向にみて、前記前処
理槽及び前記めっき処理槽の上流側に、それぞれ、高温
エアまたは高温蒸気を吹き付ける第１処理装置と、その
後、それぞれの処理槽で取り扱っているものと同じ前処
理液又はめっき液を吹き付ける第２処理装置とを設けた
ことを特徴とする。
【００１９】この特徴によれば、第１処理装置により吹
き付けられる高温エアまたは高温蒸気によりまずテープ
キャリアが加熱され、ビアホール内のエアが高温になり
膨張する。その後、第２処理装置により、前処理液また
はめっき液が吹き付けられるので、ビアホール内のエア
は急冷され、エアが収縮する。この結果、ビアホール内
に液が浸透し易くなる。また、ビアホール内は予め処理
液で満たされ、濡れている状態となるため、テープキャ
リアが前処理槽及びめっき処理槽に入った後も、ビアホ
ール内にそれぞれの液が容易に浸透する。このため、従
来例の前処理不良によるめっき外観不良やめっき密着不
良、更にはめっき液が入らないことによる無めっき現象
の頻発といった不都合をなくすことができる。
き付けられる高温エアまたは高温蒸気によりまずテープ
キャリアが加熱され、ビアホール内のエアが高温になり
膨張する。その後、第２処理装置により、前処理液また
はめっき液が吹き付けられるので、ビアホール内のエア
は急冷され、エアが収縮する。この結果、ビアホール内
に液が浸透し易くなる。また、ビアホール内は予め処理
液で満たされ、濡れている状態となるため、テープキャ
リアが前処理槽及びめっき処理槽に入った後も、ビアホ
ール内にそれぞれの液が容易に浸透する。このため、従
来例の前処理不良によるめっき外観不良やめっき密着不
良、更にはめっき液が入らないことによる無めっき現象
の頻発といった不都合をなくすことができる。
【００２０】（５）請求項５に記載の発明は、請求項３
又は４記載の湿式表面処理装置において、前記前処理液
またはめっき液を吹き付ける処理装置をシャワー装置と
して構成し、前処理槽またはめっき処理槽の直前に設け
たことを特徴とする。
又は４記載の湿式表面処理装置において、前記前処理液
またはめっき液を吹き付ける処理装置をシャワー装置と
して構成し、前処理槽またはめっき処理槽の直前に設け
たことを特徴とする。
【００２１】この特徴によれば、前処理液またはめっき
液を吹き付けるシャワー装置を前処理槽またはめっき処
理槽の直前に設けているので、前処理液またはめっき液
を吹き付けた作用効果、つまり、ビアホール内への液を
浸透しやすくする作用効果をより有効に活用して、半導
体装置用テープキャリアを前処理槽またはめっき処理槽
へ導くことができ、ビアホール内に空気が存在したまま
前処理液中やめっき液中を通過してしまうことを回避す
ることができる。
液を吹き付けるシャワー装置を前処理槽またはめっき処
理槽の直前に設けているので、前処理液またはめっき液
を吹き付けた作用効果、つまり、ビアホール内への液を
浸透しやすくする作用効果をより有効に活用して、半導
体装置用テープキャリアを前処理槽またはめっき処理槽
へ導くことができ、ビアホール内に空気が存在したまま
前処理液中やめっき液中を通過してしまうことを回避す
ることができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図示の実施形態に
基づいて説明する。
基づいて説明する。
【００２３】本発明の湿式表面処理装置の構成を図１に
示す。図示するように、テープ巻き出し部１２からテー
プ巻き取り部１８までのテープキャリア１１の搬送路中
に、そのテープ搬送方向に見て順次に、前処理槽として
の脱脂槽１３及び酸洗処理槽１４と、めっき処理槽であ
るニッケルめっき処理槽１５及び金めっき処理槽１６
と、後処理槽１７とを配置した構成を有する。
示す。図示するように、テープ巻き出し部１２からテー
プ巻き取り部１８までのテープキャリア１１の搬送路中
に、そのテープ搬送方向に見て順次に、前処理槽として
の脱脂槽１３及び酸洗処理槽１４と、めっき処理槽であ
るニッケルめっき処理槽１５及び金めっき処理槽１６
と、後処理槽１７とを配置した構成を有する。
【００２４】テープ巻き出し部１２から送り出されるテ
ープキャリア１１は、ＢＧＡパッケージ用テープキャリ
アであり、図３に示唆するように、ポリイミドフィルム
１から成る樹脂フィルムの片面側に導体パターン層２を
設け、またテープ裏面では、打ち抜き法またはレーザー
照射法等の方法により、他面側から導体パターン層２に
達するようにビアホール３を設けた構造を有する。
ープキャリア１１は、ＢＧＡパッケージ用テープキャリ
アであり、図３に示唆するように、ポリイミドフィルム
１から成る樹脂フィルムの片面側に導体パターン層２を
設け、またテープ裏面では、打ち抜き法またはレーザー
照射法等の方法により、他面側から導体パターン層２に
達するようにビアホール３を設けた構造を有する。
【００２５】テープキャリア１１はテープ巻き出し部１
２のリール２１から横方向に送り出され、前処理槽とし
ての脱脂槽１３及び酸洗処理槽１４を順次通過して、め
っき処理槽であるニッケルめっき処理槽１５及び金めっ
き処理槽１６に導入され、それぞれののめっき液に浸さ
れる。
２のリール２１から横方向に送り出され、前処理槽とし
ての脱脂槽１３及び酸洗処理槽１４を順次通過して、め
っき処理槽であるニッケルめっき処理槽１５及び金めっ
き処理槽１６に導入され、それぞれののめっき液に浸さ
れる。
【００２６】上記めっき処理の終わったテープキャリア
の断面構造を図３に示す。図３において、ポリイミドフ
ィルム１の表面には、導体パターン層２が形成される。
この導体パターン層２上にはニッケルめっき層４が形成
され、更に、このニッケルめっき層４上には金めっき層
５が形成される。そして、ポリイミドフィルム１の裏面
のビアホール３にも、ニッケルめっき層４と金めっき層
５が形成される。
の断面構造を図３に示す。図３において、ポリイミドフ
ィルム１の表面には、導体パターン層２が形成される。
この導体パターン層２上にはニッケルめっき層４が形成
され、更に、このニッケルめっき層４上には金めっき層
５が形成される。そして、ポリイミドフィルム１の裏面
のビアホール３にも、ニッケルめっき層４と金めっき層
５が形成される。
【００２７】上記めっき構成のテープキャリア１１に半
導体チップ６を実装した状態を図４に示す。図４におい
て、このテープキャリア１１に搭載される半導体チップ
６の電極部と導体パターン層２上に金めっき層５を施し
たボンディングパッド部７が金ワイヤ８によりワイヤボ
ンディングされ、さらにビアホール３の金めっき層５に
ははんだボール９が接合される。
導体チップ６を実装した状態を図４に示す。図４におい
て、このテープキャリア１１に搭載される半導体チップ
６の電極部と導体パターン層２上に金めっき層５を施し
たボンディングパッド部７が金ワイヤ８によりワイヤボ
ンディングされ、さらにビアホール３の金めっき層５に
ははんだボール９が接合される。
【００２８】図１に戻り、本発明の湿式表面処理装置
は、テープキャリアの進行方向にみて、上記前処理槽及
び上記めっき処理槽の上流側に、それぞれ、高温エアま
たは高温蒸気を吹き付ける装置（第１処理装置）２１
と、その後、それぞれの処理槽で取り扱っているものと
同じ前処理液又はめっき液を吹き付けるシャワー装置
（第２処理装置）２２とを具備している。この実施形態
の場合、高温エアまたは高温蒸気を吹き付ける装置２１
と前処理液又はめっき液を吹き付けるシャワー装置２２
とは、前処理槽を構成する脱脂槽１３及び酸洗処理槽１
４のそれぞれの上流側、並びにめっき処理槽を構成する
ニッケルめっき処理槽１５及び金めっき処理槽１６のそ
れぞれの上流側に設けられている。
は、テープキャリアの進行方向にみて、上記前処理槽及
び上記めっき処理槽の上流側に、それぞれ、高温エアま
たは高温蒸気を吹き付ける装置（第１処理装置）２１
と、その後、それぞれの処理槽で取り扱っているものと
同じ前処理液又はめっき液を吹き付けるシャワー装置
（第２処理装置）２２とを具備している。この実施形態
の場合、高温エアまたは高温蒸気を吹き付ける装置２１
と前処理液又はめっき液を吹き付けるシャワー装置２２
とは、前処理槽を構成する脱脂槽１３及び酸洗処理槽１
４のそれぞれの上流側、並びにめっき処理槽を構成する
ニッケルめっき処理槽１５及び金めっき処理槽１６のそ
れぞれの上流側に設けられている。
【００２９】図２は、この湿式表面処理装置における前
処理槽としての脱脂槽１３、酸洗処理槽１４またはめっ
き処理槽としてのニッケルめっき処理槽１５、金めっき
処理槽１６を代表的に処理槽２０として示したものであ
る。図２によると、各処理槽２０（脱脂槽１３、酸洗処
理槽１４、ニッケルめっき処理槽１５、金めっき処理槽
１６）の直前では、高温エアまたは高温蒸気を吹き付け
る装置２１を具備し、この高温エアまたは高温蒸気を吹
き付ける装置２１の後には、前処理液またはめっき液を
吹き付けるシャワー装置２２を具備した構造となってい
る。本装置においては、装置２１の高温エアまたは高温
蒸気でテープキャリア１１を加熱することで、ビアホー
ル３内のエアは高温になり膨張する。さらに、シャワー
装置２２により前処理液またはめっき液を吹き付ける
と、ビアホール３内のエアは急冷され、エアが収縮す
る。このビアホール３内のエアの膨張・収縮作用によ
り、ビアホール３内に液が浸透し易くなる。また、ビア
ホール３内は予め処理液（それぞれの処理槽１３〜１６
で取り扱っているものと同じ前処理液又はめっき液）で
満たされ、濡れている状態となるため、テープキャリア
が処理槽１３〜１６に入った後もビアホール３内に液が
容易に浸透する。
処理槽としての脱脂槽１３、酸洗処理槽１４またはめっ
き処理槽としてのニッケルめっき処理槽１５、金めっき
処理槽１６を代表的に処理槽２０として示したものであ
る。図２によると、各処理槽２０（脱脂槽１３、酸洗処
理槽１４、ニッケルめっき処理槽１５、金めっき処理槽
１６）の直前では、高温エアまたは高温蒸気を吹き付け
る装置２１を具備し、この高温エアまたは高温蒸気を吹
き付ける装置２１の後には、前処理液またはめっき液を
吹き付けるシャワー装置２２を具備した構造となってい
る。本装置においては、装置２１の高温エアまたは高温
蒸気でテープキャリア１１を加熱することで、ビアホー
ル３内のエアは高温になり膨張する。さらに、シャワー
装置２２により前処理液またはめっき液を吹き付ける
と、ビアホール３内のエアは急冷され、エアが収縮す
る。このビアホール３内のエアの膨張・収縮作用によ
り、ビアホール３内に液が浸透し易くなる。また、ビア
ホール３内は予め処理液（それぞれの処理槽１３〜１６
で取り扱っているものと同じ前処理液又はめっき液）で
満たされ、濡れている状態となるため、テープキャリア
が処理槽１３〜１６に入った後もビアホール３内に液が
容易に浸透する。
【００３０】上述の湿式表面処理装置の構造では、高温
エアまたは高温蒸気を吹き付ける装置２１と処理液を吹
き付けるシャワー装置２２の双方を具備することで液の
浸透性を強化したものであるが、高温エアまたは高温蒸
気を吹き付ける装置２１が無く、処理液を吹き付けるシ
ャワー装置２２のみ具備する構成とすることもでき、か
かる構成の下においても、処理槽１３〜１６へ入る前に
ビアホール３内は予め処理液で満たされ、濡れている状
態となるため、従来例のように処理液を吹き付ける装置
が無い場合と比較すれば、ビアホール３内への液の浸透
性が向上し、良好なめっき密着性とめっき外観が得られ
る。
エアまたは高温蒸気を吹き付ける装置２１と処理液を吹
き付けるシャワー装置２２の双方を具備することで液の
浸透性を強化したものであるが、高温エアまたは高温蒸
気を吹き付ける装置２１が無く、処理液を吹き付けるシ
ャワー装置２２のみ具備する構成とすることもでき、か
かる構成の下においても、処理槽１３〜１６へ入る前に
ビアホール３内は予め処理液で満たされ、濡れている状
態となるため、従来例のように処理液を吹き付ける装置
が無い場合と比較すれば、ビアホール３内への液の浸透
性が向上し、良好なめっき密着性とめっき外観が得られ
る。
【００３１】
【実施例】本発明の湿式表面処理装置により作製した金
／ニッケルめっきテープキャリアの実施例を以下に述べ
る。
／ニッケルめっきテープキャリアの実施例を以下に述べ
る。
【００３２】本発明を実施したＢＧＡパッケージ用テー
プキャリアは、銅箔１８μｍ／接着剤１２μｍ／ポリイ
ミドテープ７５μｍの一般的な３層構造である。また、
ビアホールの内径は３００μｍである。めっき処理条件
を以下に示す。
プキャリアは、銅箔１８μｍ／接着剤１２μｍ／ポリイ
ミドテープ７５μｍの一般的な３層構造である。また、
ビアホールの内径は３００μｍである。めっき処理条件
を以下に示す。
【００３３】最初に前処理として水酸化ナトリウム水溶
液（４０ｇ／Ｌ）による脱脂を行い、次に硫酸−過酸化
水素系のソフトエッチング液に浸漬させ銅箔表面の清浄
化を行った。
液（４０ｇ／Ｌ）による脱脂を行い、次に硫酸−過酸化
水素系のソフトエッチング液に浸漬させ銅箔表面の清浄
化を行った。
【００３４】次にニッケルめっきを行った。めっき液に
はスルファミン酸ニッケル液を用い、めっき液温を５５
℃、電流密度を４Ａ／dm2 とし、膜厚は１μｍとした。
次に、金ストライクめっきを行った。金めっき液にはオ
ーロボンドＴＮ（ＥＥＪＡ）を用い、めっき液温は５０
℃、電流密度は０．２Ａ／dm2 とした。最後に、金めっ
きを行った。金めっき液にはテンペレックス８４００
（ＥＥＪＡ）を用い、めっき液温を７０℃、電流密度を
０．４Ａ／dm2 とし、膜厚は１μｍとした。
はスルファミン酸ニッケル液を用い、めっき液温を５５
℃、電流密度を４Ａ／dm2 とし、膜厚は１μｍとした。
次に、金ストライクめっきを行った。金めっき液にはオ
ーロボンドＴＮ（ＥＥＪＡ）を用い、めっき液温は５０
℃、電流密度は０．２Ａ／dm2 とした。最後に、金めっ
きを行った。金めっき液にはテンペレックス８４００
（ＥＥＪＡ）を用い、めっき液温を７０℃、電流密度を
０．４Ａ／dm2 とし、膜厚は１μｍとした。
【００３５】ビアホール内のめっき外観評価結果を表１
に示す。不良率は、点検ビア数（１４４００個）中の外
観不良ビア数とした。また、めっき外観不良のモード
は、（ｉ）（前処理不足による）光沢異常、（ｉｉ）ニ
ッケル無めっき（ニッケル、金の双方が無めっきの場合
も含む）、（ｉｉｉ）金無めっき（ニッケルはめっきさ
れているが金が無めっき）の３種類に分けた。
に示す。不良率は、点検ビア数（１４４００個）中の外
観不良ビア数とした。また、めっき外観不良のモード
は、（ｉ）（前処理不足による）光沢異常、（ｉｉ）ニ
ッケル無めっき（ニッケル、金の双方が無めっきの場合
も含む）、（ｉｉｉ）金無めっき（ニッケルはめっきさ
れているが金が無めっき）の３種類に分けた。
【００３６】
【表１】
【００３７】実施例１は、前述の各工程（脱脂、酸洗、
ニッケルめっき、金めっき）の直前に、まず装置２１に
より１００℃の高温エアを吹き付け、テープキャリア１
１のビアホール３内のエアを十分に加熱し、その後、シ
ャワー装置２２により各工程（脱脂、酸洗、ニッケルめ
っき、金めっき）で取り扱っているものと同じ処理液を
吹き付けて冷却することで、予めビアホール３内に各処
理液を浸透させ、しかる後に、各工程（脱脂、酸洗、ニ
ッケルめっき、金めっき）の処理液に浸漬させた場合で
ある。
ニッケルめっき、金めっき）の直前に、まず装置２１に
より１００℃の高温エアを吹き付け、テープキャリア１
１のビアホール３内のエアを十分に加熱し、その後、シ
ャワー装置２２により各工程（脱脂、酸洗、ニッケルめ
っき、金めっき）で取り扱っているものと同じ処理液を
吹き付けて冷却することで、予めビアホール３内に各処
理液を浸透させ、しかる後に、各工程（脱脂、酸洗、ニ
ッケルめっき、金めっき）の処理液に浸漬させた場合で
ある。
【００３８】実施例２は、前述の各工程（脱脂、酸洗、
ニッケルめっき、金めっき）の直前に各処理液のシャワ
ー装置２２のみを設け、各工程（脱脂、酸洗、ニッケル
めっき、金めっき）で取り扱っているものと同じ処理液
を吹き付けて、予めビアホール３内に液を浸透させ、そ
の後に、各工程（脱脂、酸洗、ニッケルめっき、金めっ
き）の処理液に浸漬させた場合である。
ニッケルめっき、金めっき）の直前に各処理液のシャワ
ー装置２２のみを設け、各工程（脱脂、酸洗、ニッケル
めっき、金めっき）で取り扱っているものと同じ処理液
を吹き付けて、予めビアホール３内に液を浸透させ、そ
の後に、各工程（脱脂、酸洗、ニッケルめっき、金めっ
き）の処理液に浸漬させた場合である。
【００３９】また、従来例は、このような温エアまたは
高温蒸気を吹き付ける装置（第１処理装置）２１や前処
理液またはめっき処理液を吹き付けるシャワー装置（第
２処理装置）２２を通さないで、各工程（脱脂、酸洗、
ニッケルめっき、金めっき）の処理液に直接浸漬させた
場合である。
高温蒸気を吹き付ける装置（第１処理装置）２１や前処
理液またはめっき処理液を吹き付けるシャワー装置（第
２処理装置）２２を通さないで、各工程（脱脂、酸洗、
ニッケルめっき、金めっき）の処理液に直接浸漬させた
場合である。
【００４０】表１より、従来例では、「光沢異常」、
「ニッケル無めっき」、「金無めっき」の各モードで、
ビアホール部のめっき外観不良が頻発しているが、実施
例１の場合、めっき外観不良は全く認められなかった。
また実施例２の場合でも、不良率０．１２％、光沢異常
０．０３％、ニッケル無めっき０．０９％、金無めっき
０％であり、従来例の不良率８．３％、光沢異常１．２
％、ニッケル無めっき５．６％、金無めっき１．５％と
比較すれば、めっき外観不良が大きく低減した。このこ
とから、本実施例１、２では、いずれの場合において
も、ビアホール内への液の浸透性の向上に伴う湿式表面
処理の大きな改善効果が得られたと考えられる。
「ニッケル無めっき」、「金無めっき」の各モードで、
ビアホール部のめっき外観不良が頻発しているが、実施
例１の場合、めっき外観不良は全く認められなかった。
また実施例２の場合でも、不良率０．１２％、光沢異常
０．０３％、ニッケル無めっき０．０９％、金無めっき
０％であり、従来例の不良率８．３％、光沢異常１．２
％、ニッケル無めっき５．６％、金無めっき１．５％と
比較すれば、めっき外観不良が大きく低減した。このこ
とから、本実施例１、２では、いずれの場合において
も、ビアホール内への液の浸透性の向上に伴う湿式表面
処理の大きな改善効果が得られたと考えられる。
【００４１】以上より明らかな如く、本実施形態の湿式
表面処理装置によれば、ビアホール内のめっき処理（湿
式表面処理）の不良を低減することができ、品質に優れ
たＢＧＡパッケージ用テープキャリアの提供が可能とな
る。
表面処理装置によれば、ビアホール内のめっき処理（湿
式表面処理）の不良を低減することができ、品質に優れ
たＢＧＡパッケージ用テープキャリアの提供が可能とな
る。
【００４２】上記実施形態では電気めっきの場合に関し
て示したが、無電解めっきの場合でもビアホール内の湿
式表面処理を行うという意味では同じであるから、本発
明を適用することができる。
て示したが、無電解めっきの場合でもビアホール内の湿
式表面処理を行うという意味では同じであるから、本発
明を適用することができる。
【００４３】また、本実施形態ではめっき処理に限定し
て論述してきたが、上述の処理方法は他の処理工程にも
応用可能であると考えられる。例えば、化研処理工程や
デスミア工程でもビアホール内の湿式表面処理を行うと
いう意味では同じであるから、十分に応用可能である。
て論述してきたが、上述の処理方法は他の処理工程にも
応用可能であると考えられる。例えば、化研処理工程や
デスミア工程でもビアホール内の湿式表面処理を行うと
いう意味では同じであるから、十分に応用可能である。
【００４４】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、次
のような優れた効果が得られる。
のような優れた効果が得られる。
【００４５】（１）請求項１又は３に記載の発明によれ
ば、前処理槽及びめっき処理槽へ入る前に、ビアホール
内は、予め、それぞれの処理槽で取り扱っているものと
同じ前処理液又はめっき液で満たされ、濡れている状態
となるため、従来例のように処理液を吹き付ける装置が
無い場合と比較すると、ビアホール内への液の浸透性が
向上し、前処理不良によるめっき外観不良やめっき密着
不良、更にはめっき液が入らないことによる無めっき現
象が頻発してしまうといった不都合を防止することがで
きる。
ば、前処理槽及びめっき処理槽へ入る前に、ビアホール
内は、予め、それぞれの処理槽で取り扱っているものと
同じ前処理液又はめっき液で満たされ、濡れている状態
となるため、従来例のように処理液を吹き付ける装置が
無い場合と比較すると、ビアホール内への液の浸透性が
向上し、前処理不良によるめっき外観不良やめっき密着
不良、更にはめっき液が入らないことによる無めっき現
象が頻発してしまうといった不都合を防止することがで
きる。
【００４６】（２）請求項２又は４に記載の発明によれ
ば、前処理槽に通す前及びめっき処理槽に通す前に、そ
れぞれ、テープキャリアに対し高温エアまたは高温蒸気
を吹き付ける第１処理と、その後、それぞれの処理槽で
取り扱っているものと同じ前処理液又はめっき液を吹き
付ける第２処理とが行われる。即ち、第１処理により、
高温エアまたは高温蒸気でテープキャリアが加熱され
て、ビアホール内のエアが高温になり膨張し、その後
に、第２処理により、前処理液またはめっき液が吹き付
けられてビアホール内のエアが冷却され収縮する。この
ビアホール内のエアの膨張・収縮作用に基づき、ビアホ
ール内に液が浸透し易くなる。また、ビアホール内は予
め処理液で満たされ、濡れている状態となるため、テー
プキャリアが前処理槽及びめっき処理槽に入った後それ
ぞれの液が容易に浸透する。このため、従来例の前処理
不良によるめっき外観不良やめっき密着不良、更にはめ
っき液が入らないことによる無めっき現象の頻発といっ
た不都合をなくすことができる。
ば、前処理槽に通す前及びめっき処理槽に通す前に、そ
れぞれ、テープキャリアに対し高温エアまたは高温蒸気
を吹き付ける第１処理と、その後、それぞれの処理槽で
取り扱っているものと同じ前処理液又はめっき液を吹き
付ける第２処理とが行われる。即ち、第１処理により、
高温エアまたは高温蒸気でテープキャリアが加熱され
て、ビアホール内のエアが高温になり膨張し、その後
に、第２処理により、前処理液またはめっき液が吹き付
けられてビアホール内のエアが冷却され収縮する。この
ビアホール内のエアの膨張・収縮作用に基づき、ビアホ
ール内に液が浸透し易くなる。また、ビアホール内は予
め処理液で満たされ、濡れている状態となるため、テー
プキャリアが前処理槽及びめっき処理槽に入った後それ
ぞれの液が容易に浸透する。このため、従来例の前処理
不良によるめっき外観不良やめっき密着不良、更にはめ
っき液が入らないことによる無めっき現象の頻発といっ
た不都合をなくすことができる。
【００４７】（３）請求項５に記載の発明によれば、前
処理液またはめっき液を吹き付けるシャワー装置を前処
理槽またはめっき処理槽の直前に設けたので、前処理液
またはめっき液を吹き付けた作用効果、つまりビアホー
ル内への液を浸透しやすくする作用効果をより有効に活
用することができる。
処理液またはめっき液を吹き付けるシャワー装置を前処
理槽またはめっき処理槽の直前に設けたので、前処理液
またはめっき液を吹き付けた作用効果、つまりビアホー
ル内への液を浸透しやすくする作用効果をより有効に活
用することができる。
【図１】本発明によるＢＧＡパッケージ用テープキャリ
アへの湿式表面処理装置の構造例を示した図である。
アへの湿式表面処理装置の構造例を示した図である。
【図２】図１の湿式表面処理装置における前処理槽また
はめっき処理槽の構造を示した図である。
はめっき処理槽の構造を示した図である。
【図３】ＢＧＡパッケージ用テープキャリアの断面構造
例を示した図である。
例を示した図である。
【図４】ＢＧＡパッケージの断面構造例を示した図であ
る。
る。
【図５】従来のＢＧＡパッケージ用テープキャリアへの
湿式表面処理装置の構造を示した図である。
湿式表面処理装置の構造を示した図である。
【図６】従来の湿式表面処理装置における前処理槽また
はめっき処理槽の構造例を示した図である。
はめっき処理槽の構造例を示した図である。
１ ポリイミドフィルム ２ 導体パターン層 ３ ビアホール ４ ニッケルめっき層 ５ 金めっき層 １１ テープキャリア １２ テープ巻き出し部 １３ 脱脂槽 １４ 酸洗処理槽 １５ 金めっき処理槽 １６ ニッケルめっき処理槽 １７ 後処理槽 １８ テープ巻き取り部 ２１ 高温エアまたは高温蒸気を吹き付ける装置（第１
処理装置） ２２ 前処理液またはめっき処理液を吹き付けるシャワ
ー装置（第２処理装置）
処理装置） ２２ 前処理液またはめっき処理液を吹き付けるシャワ
ー装置（第２処理装置）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K024 AA03 AA11 AB02 BA09 BB11 BC10 CB26 DA04 DA09 DA10 GA01 5E317 AA21 AA24 BB03 BB13 BB15 CC25 CC32 CC33 CD27 GG03 5F044 MM02 MM07 MM31
Claims (5)
- 【請求項１】樹脂フィルムの表面に導体パターン層を形
成し、他面側からビアホールを設けた半導体装置用テー
プキャリアを、前処理槽及びめっき処理槽に順次通して
ビアホール内の表面処理を行うに際し、 前記めっき処理槽に通す前及び前記前処理槽に通す前
に、それぞれの処理槽で取り扱っているものと同じ前処
理液又はめっき液を吹き付けて予めビアホール内を濡ら
すことを特徴とするビアホール内への湿式表面処理方
法。 - 【請求項２】樹脂フィルムの表面に導体パターン層を形
成し、他面側からビアホールを設けた半導体装置用テー
プキャリアを、前処理槽及びめっき処理槽に順次通して
ビアホール内の表面処理を行うに際し、 前記前処理槽に通す前及び前記めっき処理槽に通す前
に、それぞれ、前記半導体装置用テープキャリアに対し
高温エアまたは高温蒸気を吹き付ける第１処理と、その
後、それぞれの処理槽で取り扱っているものと同じ前処
理液又はめっき液を吹き付ける第２処理とを行うことを
特徴とするビアホール内への湿式表面処理方法。 - 【請求項３】樹脂フィルムの表面に形成された導体パタ
ーン層と、樹脂フィルムを開口させることで前記導体パ
ターン層の裏面に設けられたビアホールとを有する半導
体装置用テープキャリアを、前処理槽及びめっき処理槽
に順次通してビアホール内の表面処理を行う湿式表面処
理装置において、 前記半導体装置用テープキャリアの進行方向にみて、前
記前処理槽及び前記めっき処理槽の上流側に、それぞれ
の処理槽で取り扱っているものと同じ前処理液又はめっ
き液を吹き付ける処理装置を設けたことを特徴とする湿
式表面処理装置。 - 【請求項４】樹脂フィルムの表面に形成された導体パタ
ーン層と、樹脂フィルムを開口させることで前記導体パ
ターン層の裏面に設けられたビアホールとを有する半導
体装置用テープキャリアを、前処理槽及びめっき処理槽
に順次通してビアホール内の表面処理を行う湿式表面処
理装置において、 前記半導体装置用テープキャリアの進行方向にみて、前
記前処理槽及び前記めっき処理槽の上流側に、それぞ
れ、高温エアまたは高温蒸気を吹き付ける第１処理装置
と、その後、それぞれの処理槽で取り扱っているものと
同じ前処理液又はめっき液を吹き付ける第２処理装置と
を設けたことを特徴とする湿式表面処理装置。 - 【請求項５】請求項３又は４記載の湿式表面処理装置に
おいて、前記前処理液またはめっき液を吹き付ける処理
装置をシャワー装置として構成し、前処理槽またはめっ
き処理槽の直前に設けたことを特徴とする湿式表面処理
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000088514A JP2001274205A (ja) | 2000-03-24 | 2000-03-24 | ビアホール内への湿式表面処理方法及び湿式表面処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000088514A JP2001274205A (ja) | 2000-03-24 | 2000-03-24 | ビアホール内への湿式表面処理方法及び湿式表面処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001274205A true JP2001274205A (ja) | 2001-10-05 |
Family
ID=18604387
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000088514A Pending JP2001274205A (ja) | 2000-03-24 | 2000-03-24 | ビアホール内への湿式表面処理方法及び湿式表面処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001274205A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005033376A3 (en) * | 2003-10-02 | 2005-06-02 | Ebara Corp | Plating method and apparatus |
| KR101279545B1 (ko) * | 2012-12-27 | 2013-06-28 | 임성환 | 노듈 발생을 억제하는 무전해 동도금 방법 및 노듈 발생을 억제하기 위한 노듈 억제 장치 |
-
2000
- 2000-03-24 JP JP2000088514A patent/JP2001274205A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005033376A3 (en) * | 2003-10-02 | 2005-06-02 | Ebara Corp | Plating method and apparatus |
| US8317993B2 (en) | 2003-10-02 | 2012-11-27 | Ebara Corporation | Plating method and apparatus |
| KR101279545B1 (ko) * | 2012-12-27 | 2013-06-28 | 임성환 | 노듈 발생을 억제하는 무전해 동도금 방법 및 노듈 발생을 억제하기 위한 노듈 억제 장치 |
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