JP2001267322A - 半導体装置およびその製造方法ならびにマスクデータの生成方法、マスクおよびコンピュータ読み取り可能な記録媒体 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法ならびにマスクデータの生成方法、マスクおよびコンピュータ読み取り可能な記録媒体Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ダミー配線層が所定のパターンで形成された
半導体装置およびその製造方法ならびにマスクデータの
生成方法、マスクおよびコンピュータ読み取り可能な記
録媒体を提供する。 【解決手段】 半導体装置は、第1の配線層30と、第
1の配線層30と同じレベルに設けられた、複数のダミ
ー配線層32とを有する。行方向と交差する方向に沿っ
て伸びる、第1の仮想直線L1を想定すると、第1の仮
想直線L1と行方向とのなす角は、2〜40度であり、
ダミー配線層32は、第1の仮想直線L1上に位置する
ように、配置されている。また、列方向と交差する方向
に沿って伸びる、第2の仮想直線L2を想定すると、第
2の仮想直線L2と列方向とのなす角は、2〜40度で
あり、ダミー配線層32は、第2の仮想直線L2上に位
置するように、配置されている。
半導体装置およびその製造方法ならびにマスクデータの
生成方法、マスクおよびコンピュータ読み取り可能な記
録媒体を提供する。 【解決手段】 半導体装置は、第1の配線層30と、第
1の配線層30と同じレベルに設けられた、複数のダミ
ー配線層32とを有する。行方向と交差する方向に沿っ
て伸びる、第1の仮想直線L1を想定すると、第1の仮
想直線L1と行方向とのなす角は、2〜40度であり、
ダミー配線層32は、第1の仮想直線L1上に位置する
ように、配置されている。また、列方向と交差する方向
に沿って伸びる、第2の仮想直線L2を想定すると、第
2の仮想直線L2と列方向とのなす角は、2〜40度で
あり、ダミー配線層32は、第2の仮想直線L2上に位
置するように、配置されている。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置および
その製造方法ならびにマスクデータの生成方法、マスク
およびコンピュータ読み取り可能な記録媒体に関し、特
に多層配線を有する半導体装置およびその製造方法なら
びにマスクデータの生成方法、マスクおよびコンピュー
タ読み取り可能な記録媒体に関する。
その製造方法ならびにマスクデータの生成方法、マスク
およびコンピュータ読み取り可能な記録媒体に関し、特
に多層配線を有する半導体装置およびその製造方法なら
びにマスクデータの生成方法、マスクおよびコンピュー
タ読み取り可能な記録媒体に関する。
【0002】
【背景技術】現在、半導体装置においては、高集積化お
よび微細化を図ることを目的として、配線層を多層にわ
たって形成している。配線層の多層化は、たとえば次の
ようにして行われる。第1の配線層の上に層間絶縁層を
形成し、その層間絶縁層を化学的機械的研磨法(以下
「CMP法」という)により研磨する。そして、その層
間絶縁層の上にさらに第2の配線層を形成することによ
り、配線層の多層化を図ることができる。
よび微細化を図ることを目的として、配線層を多層にわ
たって形成している。配線層の多層化は、たとえば次の
ようにして行われる。第1の配線層の上に層間絶縁層を
形成し、その層間絶縁層を化学的機械的研磨法(以下
「CMP法」という)により研磨する。そして、その層
間絶縁層の上にさらに第2の配線層を形成することによ
り、配線層の多層化を図ることができる。
【0003】ところで、半導体装置の設計上、図18に
示すように、第1の層間絶縁層120の上に、密に形成
された第1の配線層130aと、孤立した第1の配線層
130bとが形成される場合がある。そして、これらの
第1の配線層130a,130bの上に、第2の層間絶
縁層140を介して第2の配線層150を形成すること
がある。このような場合、たとえば次の問題が生じる。
示すように、第1の層間絶縁層120の上に、密に形成
された第1の配線層130aと、孤立した第1の配線層
130bとが形成される場合がある。そして、これらの
第1の配線層130a,130bの上に、第2の層間絶
縁層140を介して第2の配線層150を形成すること
がある。このような場合、たとえば次の問題が生じる。
【0004】CMP法で第2の層間絶縁層140を研磨
すると、密に形成された第1の配線層130aにおける
第2の層間絶縁層140と、孤立した第1の配線層13
0bにおける第2の層間絶縁層140の間において、段
差が生じてしまう。すなわち、孤立した第1の配線層1
30bにおける第2の層間絶縁層140が、密に形成さ
れた第1の配線層130aにおける第2の層間絶縁層1
40に比べて、極端に研磨されてしまう。この現象は、
配線層のパターン密度により、研磨レートが相違するこ
とから生じる。つまり、孤立した第1の配線層130b
における第2の層間絶縁層140には、研磨圧力が集中
してしまう。その結果、孤立した第1の配線層130b
における第2の層間絶縁層140の研磨レートが、密に
形成された第1の配線層130aにおける第2の層間絶
縁層140の研磨レートに比べて速くなってしまう。こ
のため、孤立した第1の配線層130bにおける第2の
層間絶縁層140の研磨が、過剰に進んでしまうことに
なる。
すると、密に形成された第1の配線層130aにおける
第2の層間絶縁層140と、孤立した第1の配線層13
0bにおける第2の層間絶縁層140の間において、段
差が生じてしまう。すなわち、孤立した第1の配線層1
30bにおける第2の層間絶縁層140が、密に形成さ
れた第1の配線層130aにおける第2の層間絶縁層1
40に比べて、極端に研磨されてしまう。この現象は、
配線層のパターン密度により、研磨レートが相違するこ
とから生じる。つまり、孤立した第1の配線層130b
における第2の層間絶縁層140には、研磨圧力が集中
してしまう。その結果、孤立した第1の配線層130b
における第2の層間絶縁層140の研磨レートが、密に
形成された第1の配線層130aにおける第2の層間絶
縁層140の研磨レートに比べて速くなってしまう。こ
のため、孤立した第1の配線層130bにおける第2の
層間絶縁層140の研磨が、過剰に進んでしまうことに
なる。
【0005】このように、孤立した第1の配線層130
bにおける第2の層間絶縁層140が極端に研磨される
と、たとえば、第2の層間絶縁層140の膜厚がばらつ
くなどの不具合が生じる。第2の層間絶縁層140の膜
厚がばらつくと、たとえば、その層間絶縁層140の上
に形成される第2の配線層150において、段差が生じ
てしまう。第2の配線層150に段差が生じると、第2
の配線層150をフォトリソグラフィーにてパターニン
グする際、場所によってパターンの光学焦点がずれてし
まい、パターンが形成されなかったり、形成されても所
望の寸法形状が得られないといった問題が生じる。
bにおける第2の層間絶縁層140が極端に研磨される
と、たとえば、第2の層間絶縁層140の膜厚がばらつ
くなどの不具合が生じる。第2の層間絶縁層140の膜
厚がばらつくと、たとえば、その層間絶縁層140の上
に形成される第2の配線層150において、段差が生じ
てしまう。第2の配線層150に段差が生じると、第2
の配線層150をフォトリソグラフィーにてパターニン
グする際、場所によってパターンの光学焦点がずれてし
まい、パターンが形成されなかったり、形成されても所
望の寸法形状が得られないといった問題が生じる。
【0006】以上の問題を解決するため、密に形成され
た第1の配線層130aと孤立した第1の配線層130
bとの間に、図19に示すように、ダミー配線層132
を設ける技術が提案されている。
た第1の配線層130aと孤立した第1の配線層130
bとの間に、図19に示すように、ダミー配線層132
を設ける技術が提案されている。
【0007】ダミー配線層132を形成した技術は、特
開平4−218918号公報、特開平10−33533
3号公報、米国特許第4,916,514号、米国特許
第5,556,805号、米国特許第5,597,66
8号、米国特許第5,790,417号および米国特許
第5,798,298号において、開示されている。
開平4−218918号公報、特開平10−33533
3号公報、米国特許第4,916,514号、米国特許
第5,556,805号、米国特許第5,597,66
8号、米国特許第5,790,417号および米国特許
第5,798,298号において、開示されている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、ダミ
ー配線層が所定のパターンで形成された半導体装置およ
びその製造方法ならびにマスクデータの生成方法、マス
クおよびコンピュータ読み取り可能な記録媒体を提供す
ることにある。
ー配線層が所定のパターンで形成された半導体装置およ
びその製造方法ならびにマスクデータの生成方法、マス
クおよびコンピュータ読み取り可能な記録媒体を提供す
ることにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】(半導体装置) (A)本発明の第1の半導体装置は、第1の配線層と、
前記第1の配線層と同じレベルに設けられた、複数のダ
ミー配線層とを有し、行方向と交差する方向に沿って伸
びる、第1の仮想直線を想定すると、前記第1の仮想直
線と前記行方向とのなす角は、2〜40度であり、前記
ダミー配線層は、前記第1の仮想直線上に位置するよう
に、配置されている。
前記第1の配線層と同じレベルに設けられた、複数のダ
ミー配線層とを有し、行方向と交差する方向に沿って伸
びる、第1の仮想直線を想定すると、前記第1の仮想直
線と前記行方向とのなす角は、2〜40度であり、前記
ダミー配線層は、前記第1の仮想直線上に位置するよう
に、配置されている。
【0010】ここで、「行方向」とは、たとえば、制限
領域を考慮して想定される、一の方向である。
領域を考慮して想定される、一の方向である。
【0011】本発明の第1の半導体装置によれば、ダミ
ー配線層は、第1の仮想直線上に位置するように形成さ
れている。この第1の仮想直線と行方向とのなす角は、
2〜40度である。つまり、同一の第1の仮想直線上に
あって、行方向に隣り合うダミー配線層は、互いに列方
向にずれて形成されている。このため、行方向に伸びる
制限領域の付近においても、ダミー配線層を密に形成す
ることが、容易となる。つまり、制限領域内に、あるダ
ミー配線層が重なる場合でも、制限領域の付近におい
て、他のダミー配線層が、確実に配置される。その結
果、第1の配線層の上に形成された絶縁層を研磨する
際、制限領域の付近においても、ダミー配線層に、研磨
圧力を確実に分散させることができる。
ー配線層は、第1の仮想直線上に位置するように形成さ
れている。この第1の仮想直線と行方向とのなす角は、
2〜40度である。つまり、同一の第1の仮想直線上に
あって、行方向に隣り合うダミー配線層は、互いに列方
向にずれて形成されている。このため、行方向に伸びる
制限領域の付近においても、ダミー配線層を密に形成す
ることが、容易となる。つまり、制限領域内に、あるダ
ミー配線層が重なる場合でも、制限領域の付近におい
て、他のダミー配線層が、確実に配置される。その結
果、第1の配線層の上に形成された絶縁層を研磨する
際、制限領域の付近においても、ダミー配線層に、研磨
圧力を確実に分散させることができる。
【0012】また、制限領域の付近においても、確実に
ダミー配線層を配置することができるため、第1の配線
層間の間隔が狭い領域においても、確実にダミー配線層
を配置することができる。
ダミー配線層を配置することができるため、第1の配線
層間の間隔が狭い領域においても、確実にダミー配線層
を配置することができる。
【0013】本発明の第1の半導体装置は、前記第1の
仮想直線間において、所定の間隔が置かれていることが
好ましい。前記間隔は、1〜16μmであることが好ま
しい。
仮想直線間において、所定の間隔が置かれていることが
好ましい。前記間隔は、1〜16μmであることが好ま
しい。
【0014】前記ダミー配線層は、該ダミー配線層の中
心が、前記第1の仮想直線上に位置するように、配置さ
れていることが好ましい。
心が、前記第1の仮想直線上に位置するように、配置さ
れていることが好ましい。
【0015】(B)本発明の第2の半導体装置は、第1
の配線層と、前記第1の配線層と同じレベルに設けられ
た、複数のダミー配線層とを有し、列方向と交差する方
向に沿って伸びる、第2の仮想直線を想定すると、前記
第2の仮想直線と前記列方向とのなす角は、2〜40度
であり、前記ダミー配線層は、前記第2の仮想直線上に
位置するように、配置されている。
の配線層と、前記第1の配線層と同じレベルに設けられ
た、複数のダミー配線層とを有し、列方向と交差する方
向に沿って伸びる、第2の仮想直線を想定すると、前記
第2の仮想直線と前記列方向とのなす角は、2〜40度
であり、前記ダミー配線層は、前記第2の仮想直線上に
位置するように、配置されている。
【0016】ここで、「列方向」とは、行方向と直交す
る方向であり、たとえば、制限領域を考慮して想定され
る、一の方向である。
る方向であり、たとえば、制限領域を考慮して想定され
る、一の方向である。
【0017】本発明の第2の半導体装置によれば、ダミ
ー配線層は、第2の仮想直線上に位置するように形成さ
れている。この第2の仮想直線と列方向とのなす角は、
2〜40度である。つまり、同一の第2の仮想直線上に
あって、列方向に隣り合うダミー配線層は、互いに行方
向にずれて形成されている。このため、列方向に伸びる
制限領域の付近においても、ダミー配線層を密に形成す
ることが、容易となる。つまり、制限領域内に、あるダ
ミー配線層が重なる場合でも、制限領域の付近におい
て、他のダミー配線層が、確実に配置される。その結
果、第1の配線層の上に形成された絶縁層を研磨する
際、制限領域の付近においても、ダミー配線層に、研磨
圧力を確実に分散させることができる。
ー配線層は、第2の仮想直線上に位置するように形成さ
れている。この第2の仮想直線と列方向とのなす角は、
2〜40度である。つまり、同一の第2の仮想直線上に
あって、列方向に隣り合うダミー配線層は、互いに行方
向にずれて形成されている。このため、列方向に伸びる
制限領域の付近においても、ダミー配線層を密に形成す
ることが、容易となる。つまり、制限領域内に、あるダ
ミー配線層が重なる場合でも、制限領域の付近におい
て、他のダミー配線層が、確実に配置される。その結
果、第1の配線層の上に形成された絶縁層を研磨する
際、制限領域の付近においても、ダミー配線層に、研磨
圧力を確実に分散させることができる。
【0018】また、制限領域の付近においても、確実に
ダミー配線層を配置することができるため、ダミー配線
層間の間隔が狭い領域においても、確実にダミー配線層
を配置することができる。
ダミー配線層を配置することができるため、ダミー配線
層間の間隔が狭い領域においても、確実にダミー配線層
を配置することができる。
【0019】また、上述の、本発明の第1の半導体装置
と、本発明の第2の半導体装置とを組み合わせた態様で
あってもよい。このように組み合わせた態様を有する半
導体装置によれば、制限領域の付近において、より確実
にダミー配線層を形成することができる。
と、本発明の第2の半導体装置とを組み合わせた態様で
あってもよい。このように組み合わせた態様を有する半
導体装置によれば、制限領域の付近において、より確実
にダミー配線層を形成することができる。
【0020】本発明の第2の半導体装置は、前記第2の
仮想直線間において、所定の間隔が置かれていることが
好ましい。前記間隔は、1〜16μmであることが好ま
しい。
仮想直線間において、所定の間隔が置かれていることが
好ましい。前記間隔は、1〜16μmであることが好ま
しい。
【0021】前記ダミー配線層は、該ダミー配線層の中
心が、前記第2の仮想直線上に位置するように、配置さ
れていることが好ましい。
心が、前記第2の仮想直線上に位置するように、配置さ
れていることが好ましい。
【0022】本発明の第1および第2の半導体装置にお
いて、ダミー配線層は、次の態様のうち、少なくともい
ずれかの態様をとることができる。
いて、ダミー配線層は、次の態様のうち、少なくともい
ずれかの態様をとることができる。
【0023】(1)平面形状において、単位面積に占め
る、ダミー配線層の面積の割合は、30〜50%である
態様である。この割合が30〜50%の範囲内にあるこ
とで、ダミー配線層に研磨圧力を、より効果的に分散さ
せることができる。さらに、前記割合は、約40%であ
ることが好ましい。
る、ダミー配線層の面積の割合は、30〜50%である
態様である。この割合が30〜50%の範囲内にあるこ
とで、ダミー配線層に研磨圧力を、より効果的に分散さ
せることができる。さらに、前記割合は、約40%であ
ることが好ましい。
【0024】(2)前記ダミー配線層の平面形状は、ほ
ぼ方形をなす態様である。その形状が、ほぼ方形をなす
ことで、ダミー配線層の形成が容易となる。前記ダミー
配線層の平面形状は、ほぼ正方形をなすことが好まし
い。前記ダミー配線層の平面形状が、ほぼ正方形である
ことにより、より密に、ダミー配線層を形成することが
できる。たとえば、制限領域が直交するような場所の付
近においても、より確実にダミー配線層を形成すること
ができる。すなわち、複雑なパターンで形成された制限
領域(たとえば、複雑なパターンで形成された第1の配
線層の周囲の禁止区域)の付近においても、より効果的
にダミー配線層を形成することができる。
ぼ方形をなす態様である。その形状が、ほぼ方形をなす
ことで、ダミー配線層の形成が容易となる。前記ダミー
配線層の平面形状は、ほぼ正方形をなすことが好まし
い。前記ダミー配線層の平面形状が、ほぼ正方形である
ことにより、より密に、ダミー配線層を形成することが
できる。たとえば、制限領域が直交するような場所の付
近においても、より確実にダミー配線層を形成すること
ができる。すなわち、複雑なパターンで形成された制限
領域(たとえば、複雑なパターンで形成された第1の配
線層の周囲の禁止区域)の付近においても、より効果的
にダミー配線層を形成することができる。
【0025】(3)ダミー配線層の平面形状が方形の場
合に、前記第1の仮想直線または前記第2の仮想直線上
に配置された、隣り合う前記ダミー配線層は、平面形状
において、互いに部分的に対向し合う辺を有する態様で
ある。対向し合う、前記辺同士の間隔は、前記ダミー配
線層の一辺より短いことが好ましい。または、対向し合
う、前記辺同士の間隔は、好ましくは0.5〜5μm、
より好ましくは、約1μmである。
合に、前記第1の仮想直線または前記第2の仮想直線上
に配置された、隣り合う前記ダミー配線層は、平面形状
において、互いに部分的に対向し合う辺を有する態様で
ある。対向し合う、前記辺同士の間隔は、前記ダミー配
線層の一辺より短いことが好ましい。または、対向し合
う、前記辺同士の間隔は、好ましくは0.5〜5μm、
より好ましくは、約1μmである。
【0026】(4)ダミー配線層の平面形状が方形の場
合に、前記ダミー配線層の一辺の長さは、1μm以上で
ある態様であることが好ましい。ダミー配線層の一辺の
長さが1μm以上であることにより、ダミー配線層を発
生させるためのマスクを作成する際において、マスク作
成データ量が増大するのを抑えることができる。
合に、前記ダミー配線層の一辺の長さは、1μm以上で
ある態様であることが好ましい。ダミー配線層の一辺の
長さが1μm以上であることにより、ダミー配線層を発
生させるためのマスクを作成する際において、マスク作
成データ量が増大するのを抑えることができる。
【0027】そして、前記ダミー配線層の一辺の長さ
は、10μm以下である態様であることが好ましい。配
線層と配線層との間隔が10μmより広くなると、層間
絶縁層は段差が生じ易くなる。ダミー配線層の一辺の長
さを10μm以下とすることにより、10μmよりも広
い間隔を持った配線層間には、ダミー配線層が形成され
るため、層間絶縁層の段差解消に効果的である。さらに
好ましくは、前記ダミー配線層の一辺の長さは、約2μ
mである。
は、10μm以下である態様であることが好ましい。配
線層と配線層との間隔が10μmより広くなると、層間
絶縁層は段差が生じ易くなる。ダミー配線層の一辺の長
さを10μm以下とすることにより、10μmよりも広
い間隔を持った配線層間には、ダミー配線層が形成され
るため、層間絶縁層の段差解消に効果的である。さらに
好ましくは、前記ダミー配線層の一辺の長さは、約2μ
mである。
【0028】(C)本発明の第3の半導体装置は、第1
の配線層と、前記第1の配線層と同じレベルに設けられ
た、複数のダミー配線層とを有し、前記ダミー配線層
は、平面形状において、ほぼ正方形をなし、行方向で隣
り合う前記ダミー配線層間の間隔は、該ダミー配線層の
一辺の長さの、ほぼ半分であり、行方向で隣り合う前記
ダミー配線層は、互いに列方向にずれ、前記ダミー配線
層の列方向にずれた幅は、該ダミー配線層の一辺の長さ
の、ほぼ半分である。
の配線層と、前記第1の配線層と同じレベルに設けられ
た、複数のダミー配線層とを有し、前記ダミー配線層
は、平面形状において、ほぼ正方形をなし、行方向で隣
り合う前記ダミー配線層間の間隔は、該ダミー配線層の
一辺の長さの、ほぼ半分であり、行方向で隣り合う前記
ダミー配線層は、互いに列方向にずれ、前記ダミー配線
層の列方向にずれた幅は、該ダミー配線層の一辺の長さ
の、ほぼ半分である。
【0029】ここで、「行方向」および「列方向」は、
本発明の第1および第2の半導体装置の項で説明したも
のと同様である。
本発明の第1および第2の半導体装置の項で説明したも
のと同様である。
【0030】本発明の第3の半導体装置によれば、行方
向で隣り合う前記ダミー配線層は、互いに列方向にずれ
ている。このため、本発明の第3の半導体装置は、本発
明の第1の半導体装置と同様の作用効果を奏することが
できる。
向で隣り合う前記ダミー配線層は、互いに列方向にずれ
ている。このため、本発明の第3の半導体装置は、本発
明の第1の半導体装置と同様の作用効果を奏することが
できる。
【0031】(D)本発明の第4の半導体装置は、第1
の配線層と、前記第1の配線層と同じレベルに設けられ
た、複数のダミー配線層を有し、前記ダミー配線層は、
平面形状において、ほぼ正方形をなし、列方向で隣り合
う前記ダミー配線層間の間隔は、該ダミー配線層の一辺
の長さの、ほぼ半分であり、列方向で隣り合う前記ダミ
ー配線層は、互いに行方向にずれ、前記ダミー配線層の
行方向にずれた幅は、該ダミー配線層の一辺の長さの、
ほぼ半分である。
の配線層と、前記第1の配線層と同じレベルに設けられ
た、複数のダミー配線層を有し、前記ダミー配線層は、
平面形状において、ほぼ正方形をなし、列方向で隣り合
う前記ダミー配線層間の間隔は、該ダミー配線層の一辺
の長さの、ほぼ半分であり、列方向で隣り合う前記ダミ
ー配線層は、互いに行方向にずれ、前記ダミー配線層の
行方向にずれた幅は、該ダミー配線層の一辺の長さの、
ほぼ半分である。
【0032】ここで、「行方向」および「列方向」は、
本発明の第1および第2の半導体装置の項で説明したも
のと同様である。
本発明の第1および第2の半導体装置の項で説明したも
のと同様である。
【0033】本発明の第4の半導体装置によれば、列方
向で隣り合う前記ダミー配線層は、互いに行方向にずれ
ている。このため、本発明の第4の半導体装置は、本発
明の第2の半導体装置と同様の作用効果を奏することが
できる。
向で隣り合う前記ダミー配線層は、互いに行方向にずれ
ている。このため、本発明の第4の半導体装置は、本発
明の第2の半導体装置と同様の作用効果を奏することが
できる。
【0034】また、上述の、本発明の第3の半導体装置
と、本発明の第4の半導体装置とを組み合わせた態様で
あってもよい。このように組み合わせた態様を有する半
導体装置によれば、制限領域の付近において、より確実
にダミー配線層を形成することができる。
と、本発明の第4の半導体装置とを組み合わせた態様で
あってもよい。このように組み合わせた態様を有する半
導体装置によれば、制限領域の付近において、より確実
にダミー配線層を形成することができる。
【0035】本発明の第3および第4の半導体装置にお
いて、前記ダミー配線層の一辺の長さは、約2μmであ
ることが好ましい。
いて、前記ダミー配線層の一辺の長さは、約2μmであ
ることが好ましい。
【0036】本発明の第1〜第4の半導体装置は、さら
に、制限領域を有し、前記制限領域に少なくとも部分的
に重なることになるダミー配線層は、完全に形成されて
いない態様であるが好ましい。これによれば、ダミー配
線層のパターン飛びが生じるのを、確実に防止すること
ができる。前記制限領域は、たとえば、配線実効領域
と、該配線実効領域の周囲に設定された禁止区域とを含
むことができる。
に、制限領域を有し、前記制限領域に少なくとも部分的
に重なることになるダミー配線層は、完全に形成されて
いない態様であるが好ましい。これによれば、ダミー配
線層のパターン飛びが生じるのを、確実に防止すること
ができる。前記制限領域は、たとえば、配線実効領域
と、該配線実効領域の周囲に設定された禁止区域とを含
むことができる。
【0037】前記配線実効領域は、たとえば、前記第1
の配線層の形成領域を含むことができる。また、前記半
導体装置が、前記第1の配線層より上のレベルに形成さ
れた第2の配線層と、前記第1の配線層より下のレベル
に形成された第3の配線層とを有し、さらに、前記第2
の配線層と、前記第3の配線層とを接続するためのコン
タクトホールが形成される場合には、前記配線実効領域
は、前記コンタクトホールが形成される領域を含むこと
が好ましい。ここで、第3の配線層とは、半導体基板内
に形成された拡散層、半導体基板の表面上に形成された
配線層または層間絶縁層の上に形成された配線層をい
う。
の配線層の形成領域を含むことができる。また、前記半
導体装置が、前記第1の配線層より上のレベルに形成さ
れた第2の配線層と、前記第1の配線層より下のレベル
に形成された第3の配線層とを有し、さらに、前記第2
の配線層と、前記第3の配線層とを接続するためのコン
タクトホールが形成される場合には、前記配線実効領域
は、前記コンタクトホールが形成される領域を含むこと
が好ましい。ここで、第3の配線層とは、半導体基板内
に形成された拡散層、半導体基板の表面上に形成された
配線層または層間絶縁層の上に形成された配線層をい
う。
【0038】前記禁止区域の幅は、回路設計などを考慮
して規定され、たとえば0.5〜100μmである。さ
らに、素子において、配線層を用いたインダクタなど
の、電磁気的効果を用いた回路を使用しない場合におい
ては、前記禁止区域の幅は、0.5〜20μmであるこ
とが好ましい。なお、禁止区域の幅は、すべての禁止区
域において同一であってもよいし、または、同一でなく
てもよい。
して規定され、たとえば0.5〜100μmである。さ
らに、素子において、配線層を用いたインダクタなど
の、電磁気的効果を用いた回路を使用しない場合におい
ては、前記禁止区域の幅は、0.5〜20μmであるこ
とが好ましい。なお、禁止区域の幅は、すべての禁止区
域において同一であってもよいし、または、同一でなく
てもよい。
【0039】(半導体装置の製造方法) (A)本発明の、第1の半導体装置の製造方法は、第1
の配線層を形成する工程を含む、半導体装置の製造方法
であって、前記第1の配線層を形成する工程において、
複数のダミー配線層が形成され、行方向と交差する方向
に沿って伸びる、第1の仮想直線を想定すると、前記第
1の仮想直線と前記行方向とのなす角は、2〜40度で
あり、前記ダミー配線層は、前記第1の仮想直線上に位
置するように、配置されている。
の配線層を形成する工程を含む、半導体装置の製造方法
であって、前記第1の配線層を形成する工程において、
複数のダミー配線層が形成され、行方向と交差する方向
に沿って伸びる、第1の仮想直線を想定すると、前記第
1の仮想直線と前記行方向とのなす角は、2〜40度で
あり、前記ダミー配線層は、前記第1の仮想直線上に位
置するように、配置されている。
【0040】本発明の、第1の半導体装置の製造方法に
よれば、工程(A)において、ダミー配線層が形成され
ている。このダミー配線層は、上述の、本発明の第1の
半導体装置の項で説明したパターンと同様のパターンで
形成されている。このため、制限領域の付近において、
ダミー配線層が、確実に形成されることになる。その結
果、第1の配線層の上に形成された絶縁層を研磨する際
に、ダミー配線層に研磨圧力を確実に分散することがで
きる。したがって、研磨後に得られる層間絶縁層の厚さ
の均一化を図ることができる。
よれば、工程(A)において、ダミー配線層が形成され
ている。このダミー配線層は、上述の、本発明の第1の
半導体装置の項で説明したパターンと同様のパターンで
形成されている。このため、制限領域の付近において、
ダミー配線層が、確実に形成されることになる。その結
果、第1の配線層の上に形成された絶縁層を研磨する際
に、ダミー配線層に研磨圧力を確実に分散することがで
きる。したがって、研磨後に得られる層間絶縁層の厚さ
の均一化を図ることができる。
【0041】(B)本発明の、第2の半導体装置の製造
方法は、第1の配線層を形成する工程を含む、半導体装
置の製造方法であって、前記第1の配線層を形成する工
程において、複数のダミー配線層が形成され、列方向と
交差する方向に沿って伸びる、第2の仮想直線を想定す
ると、前記第2の仮想直線と前記列方向とのなす角は、
2〜40度であり、前記ダミー配線層は、前記第2の仮
想直線上に位置するように、配置されている。
方法は、第1の配線層を形成する工程を含む、半導体装
置の製造方法であって、前記第1の配線層を形成する工
程において、複数のダミー配線層が形成され、列方向と
交差する方向に沿って伸びる、第2の仮想直線を想定す
ると、前記第2の仮想直線と前記列方向とのなす角は、
2〜40度であり、前記ダミー配線層は、前記第2の仮
想直線上に位置するように、配置されている。
【0042】本発明の、第2の半導体装置の製造方法に
よれば、上述の、本発明の第2の半導体装置の項で説明
したパターンと同様のパターンで、ダミー配線層が形成
されている。このため、本発明によれば、本発明の第1
の半導体装置の製造方法と、同様の効果を奏することが
できる。
よれば、上述の、本発明の第2の半導体装置の項で説明
したパターンと同様のパターンで、ダミー配線層が形成
されている。このため、本発明によれば、本発明の第1
の半導体装置の製造方法と、同様の効果を奏することが
できる。
【0043】本発明の第1の半導体装置の製造方法と、
本発明の第2の半導体装置の製造法とを組み合わせても
よい。
本発明の第2の半導体装置の製造法とを組み合わせても
よい。
【0044】このように組み合わせた場合には、制限領
域の付近において、ダミー配線層をより確実に形成する
ことができる。このため、研磨後に得られる層間絶縁層
の厚さを、より均一にすることができる。
域の付近において、ダミー配線層をより確実に形成する
ことができる。このため、研磨後に得られる層間絶縁層
の厚さを、より均一にすることができる。
【0045】本発明の、第1および第2の半導体装置の
製造方法には、第1および第2の仮想直線の構成とし
て、半導体装置の項で説明した事項を適用できる。ま
た、ダミー配線層は、半導体装置の項で説明した態様
(1)〜(4)を同様にとることができる。
製造方法には、第1および第2の仮想直線の構成とし
て、半導体装置の項で説明した事項を適用できる。ま
た、ダミー配線層は、半導体装置の項で説明した態様
(1)〜(4)を同様にとることができる。
【0046】(C)本発明の、第3の半導体装置の製造
方法は、第1の配線層を形成する工程を含む、半導体装
置の製造方法であって、前記第1の配線層を形成する工
程において、複数のダミー配線層が形成され、前記ダミ
ー配線層は、平面形状において、ほぼ正方形をなし、行
方向で隣り合う前記ダミー配線層間の間隔は、該ダミー
配線層の一辺の長さの、ほぼ半分であり、行方向で隣り
合う前記ダミー配線層は、互いに列方向にずれ、前記ダ
ミー配線層の列方向にずれた幅は、該ダミー配線層の一
辺の長さの、ほぼ半分である。
方法は、第1の配線層を形成する工程を含む、半導体装
置の製造方法であって、前記第1の配線層を形成する工
程において、複数のダミー配線層が形成され、前記ダミ
ー配線層は、平面形状において、ほぼ正方形をなし、行
方向で隣り合う前記ダミー配線層間の間隔は、該ダミー
配線層の一辺の長さの、ほぼ半分であり、行方向で隣り
合う前記ダミー配線層は、互いに列方向にずれ、前記ダ
ミー配線層の列方向にずれた幅は、該ダミー配線層の一
辺の長さの、ほぼ半分である。
【0047】本発明の、第3の半導体装置の製造方法に
よれば、上述の、本発明の第3の半導体装置の項で説明
したパターンと同様のパターンで、ダミー配線層が形成
されている。このため、本発明によれば、本発明の第1
の半導体装置の製造方法と、同様の効果を奏することが
できる。
よれば、上述の、本発明の第3の半導体装置の項で説明
したパターンと同様のパターンで、ダミー配線層が形成
されている。このため、本発明によれば、本発明の第1
の半導体装置の製造方法と、同様の効果を奏することが
できる。
【0048】(D)本発明の、第4の半導体装置の製造
方法は、第1の配線層を形成する工程を含む、半導体装
置の製造方法であって、前記第1の配線層を形成する工
程において、複数のダミー配線層が形成され、前記ダミ
ー配線層は、平面形状において、ほぼ正方形をなし、列
方向で隣り合う前記ダミー配線層間の間隔は、該ダミー
配線層の一辺の長さの、ほぼ半分であり、列方向で隣り
合う前記ダミー配線層は、互いに行方向にずれ、前記ダ
ミー配線層の行方向にずれた幅は、該ダミー配線層の一
辺の長さの、ほぼ半分である。
方法は、第1の配線層を形成する工程を含む、半導体装
置の製造方法であって、前記第1の配線層を形成する工
程において、複数のダミー配線層が形成され、前記ダミ
ー配線層は、平面形状において、ほぼ正方形をなし、列
方向で隣り合う前記ダミー配線層間の間隔は、該ダミー
配線層の一辺の長さの、ほぼ半分であり、列方向で隣り
合う前記ダミー配線層は、互いに行方向にずれ、前記ダ
ミー配線層の行方向にずれた幅は、該ダミー配線層の一
辺の長さの、ほぼ半分である。
【0049】本発明の、第4の半導体装置の製造方法に
よれば、上述の、本発明の第4の半導体装置の項で説明
したパターンと同様のパターンで、ダミー配線層が形成
されている。このため、本発明によれば、本発明の第1
の半導体装置の製造方法と、同様の効果を奏することが
できる。
よれば、上述の、本発明の第4の半導体装置の項で説明
したパターンと同様のパターンで、ダミー配線層が形成
されている。このため、本発明によれば、本発明の第1
の半導体装置の製造方法と、同様の効果を奏することが
できる。
【0050】本発明の第3の半導体装置の製造方法と、
本発明の第4の半導体装置の製造方法とを組み合わせて
もよい。
本発明の第4の半導体装置の製造方法とを組み合わせて
もよい。
【0051】このように組み合わせた場合には、制限領
域の付近において、ダミー配線層をより確実に形成する
ことができる。このため、研磨後に得られる層間絶縁層
の厚さを、より均一にすることができる。
域の付近において、ダミー配線層をより確実に形成する
ことができる。このため、研磨後に得られる層間絶縁層
の厚さを、より均一にすることができる。
【0052】具体的な制限領域の態様としては、半導体
装置の項で説明した態様を挙げることができる。
装置の項で説明した態様を挙げることができる。
【0053】(マスクデータの生成方法) (A)本発明の第1のマスクデータの生成方法は、請求
項25〜30にいずれかに記載の半導体装置を製造する
際に適用されるマスクデータの生成方法であって、以下
の工程(a)〜(c)を含む。 (a)前記制限領域を規定する制限領域パターンを設定
する工程、(b)前記ダミー配線層を規定するダミーパ
ターンを設定する工程、(c)前記制限領域パターンと
前記ダミーパターンとを合成する工程であって、前記制
限領域パターンに少なくとも部分的に重なる、前記ダミ
ーパターンは、完全に排除される。
項25〜30にいずれかに記載の半導体装置を製造する
際に適用されるマスクデータの生成方法であって、以下
の工程(a)〜(c)を含む。 (a)前記制限領域を規定する制限領域パターンを設定
する工程、(b)前記ダミー配線層を規定するダミーパ
ターンを設定する工程、(c)前記制限領域パターンと
前記ダミーパターンとを合成する工程であって、前記制
限領域パターンに少なくとも部分的に重なる、前記ダミ
ーパターンは、完全に排除される。
【0054】本発明によれば、たとえば次の2つの作用
効果が奏される。
効果が奏される。
【0055】(1)ダミーパターンは、ダミー配線層を
規定している。このため、ダミーパターンは、上述した
ダミー配線層の配置パターンに対応したパターンを有し
ている。このため、工程(c)において、制限領域パタ
ーンの付近においても、ダミーパターンを密に設定する
ことが、容易となる。つまり、制限領域パターン内に、
あるダミーパターンが重なる場合でも、制限領域パター
ンの付近において、他のダミーパターンが、確実に発生
する。これによって、制限領域パターンの付近において
も、確実にダミーパターンを設定することができる。そ
の結果、次の効果を奏することができる。
規定している。このため、ダミーパターンは、上述した
ダミー配線層の配置パターンに対応したパターンを有し
ている。このため、工程(c)において、制限領域パタ
ーンの付近においても、ダミーパターンを密に設定する
ことが、容易となる。つまり、制限領域パターン内に、
あるダミーパターンが重なる場合でも、制限領域パター
ンの付近において、他のダミーパターンが、確実に発生
する。これによって、制限領域パターンの付近において
も、確実にダミーパターンを設定することができる。そ
の結果、次の効果を奏することができる。
【0056】すなわち、ダミー配線層を形成する際、制
限領域の付近において、確実にダミー配線層を形成する
ことができる。したがって、配線層の上に形成された絶
縁層を研磨する際、制限領域の付近においても、ダミー
配線層に、研磨圧力を確実に分散させることができる。
その結果、制限領域の近傍や、その他の場所の配線層の
上の層間絶縁層の膜厚を均一にすることができる。
限領域の付近において、確実にダミー配線層を形成する
ことができる。したがって、配線層の上に形成された絶
縁層を研磨する際、制限領域の付近においても、ダミー
配線層に、研磨圧力を確実に分散させることができる。
その結果、制限領域の近傍や、その他の場所の配線層の
上の層間絶縁層の膜厚を均一にすることができる。
【0057】また、制限領域パターンの付近において
も、確実にダミーパターンを配置することができるた
め、制限領域パターン間の間隔が狭い領域においても、
確実にダミーパターンを配置することができる。
も、確実にダミーパターンを配置することができるた
め、制限領域パターン間の間隔が狭い領域においても、
確実にダミーパターンを配置することができる。
【0058】(2)また、本発明においては、制限領域
パターンに少なくとも部分的に重なる、ダミーパターン
は、完全に排除される。このため、後に詳述するよう
に、ダミー配線層のパターン飛びが生じるのを、確実に
防止することができる。
パターンに少なくとも部分的に重なる、ダミーパターン
は、完全に排除される。このため、後に詳述するよう
に、ダミー配線層のパターン飛びが生じるのを、確実に
防止することができる。
【0059】(B)本発明の第2のマスクデータの生成
方法は、半導体装置の製造方法に適用されるマスクデー
タの生成方法であって、前記半導体装置は、第1の配線
層と、前記第1の配線層と同じレベルに設けられた、複
数のダミー配線層と、を有し、前記ダミー配線層の配置
は、以下の工程(a)〜(c)を含む方法により決定さ
れる。 (a)制限領域を規定する制限領域パターンを設定する
工程、(b)前記ダミー配線層を規定するダミーパター
ンを設定する工程であって、行方向と交差する方向に沿
って伸びる、第1の仮想直線を想定すると、前記第1の
仮想直線と前記行方向とのなす角は、2〜40度であ
り、前記ダミーパターンは、前記第1の仮想直線上に位
置するように、配置され、(c)前記制限領域パターン
と前記ダミーパターンとを合成する工程であって、前記
制限領域パターンに少なくとも部分的に重なる、前記ダ
ミーパターンは、完全に排除される。
方法は、半導体装置の製造方法に適用されるマスクデー
タの生成方法であって、前記半導体装置は、第1の配線
層と、前記第1の配線層と同じレベルに設けられた、複
数のダミー配線層と、を有し、前記ダミー配線層の配置
は、以下の工程(a)〜(c)を含む方法により決定さ
れる。 (a)制限領域を規定する制限領域パターンを設定する
工程、(b)前記ダミー配線層を規定するダミーパター
ンを設定する工程であって、行方向と交差する方向に沿
って伸びる、第1の仮想直線を想定すると、前記第1の
仮想直線と前記行方向とのなす角は、2〜40度であ
り、前記ダミーパターンは、前記第1の仮想直線上に位
置するように、配置され、(c)前記制限領域パターン
と前記ダミーパターンとを合成する工程であって、前記
制限領域パターンに少なくとも部分的に重なる、前記ダ
ミーパターンは、完全に排除される。
【0060】ここで、「行方向」とは、たとえば、制限
領域パターンを考慮して想定される、一の方向である。
領域パターンを考慮して想定される、一の方向である。
【0061】本発明によれば、ダミーパターンは、第1
の仮想直線上に位置するように形成されている。この第
1の仮想直線と行方向とのなす角は、2〜40度であ
る。つまり、同一の第1の仮想直線上にあって、行方向
に隣り合うダミーパターンは、互いに列方向にずれて形
成されている。このため、行方向に伸びる制限領域パタ
ーンの付近においても、ダミーパターンを密に配置する
ことが、容易となる。つまり、制限領域パターン内に、
あるダミーパターンが重なる場合でも、制限領域パター
ンの付近において、他のダミーパターンが、確実に配置
される。その結果、本発明によれば、本発明の第1のマ
スクデータの生成方法の作用効果(1)を奏することが
できる。
の仮想直線上に位置するように形成されている。この第
1の仮想直線と行方向とのなす角は、2〜40度であ
る。つまり、同一の第1の仮想直線上にあって、行方向
に隣り合うダミーパターンは、互いに列方向にずれて形
成されている。このため、行方向に伸びる制限領域パタ
ーンの付近においても、ダミーパターンを密に配置する
ことが、容易となる。つまり、制限領域パターン内に、
あるダミーパターンが重なる場合でも、制限領域パター
ンの付近において、他のダミーパターンが、確実に配置
される。その結果、本発明によれば、本発明の第1のマ
スクデータの生成方法の作用効果(1)を奏することが
できる。
【0062】また、本発明によれば、本発明の第1のマ
スクデータの生成方法の作用効果(2)を奏することが
できる。
スクデータの生成方法の作用効果(2)を奏することが
できる。
【0063】(C)本発明の第3のマスクデータの生成
方法は、半導体装置の製造方法に適用されるマスクデー
タの生成方法であって、前記半導体装置は、第1の配線
層と、前記第1の配線層と同じレベルに設けられた、複
数のダミー配線層と、を有し、前記ダミー配線層の配置
は、以下の工程(a)〜(c)を含む方法により決定さ
れる。 (a)制限領域を規定する制限領域パターンを設定する
工程、(b)前記ダミー配線層を規定するダミーパター
ンを設定する工程であって、列方向と交差する方向に沿
って伸びる、第2の仮想直線を想定すると、前記第2の
仮想直線と前記列方向とのなす角は、2〜40度であ
り、前記ダミーパターンは、前記第2の仮想直線上に位
置するように、配置され、(c)前記制限領域パターン
と前記ダミーパターンとを合成する工程であって、前記
制限領域パターンに少なくとも部分的に重なる、前記ダ
ミーパターンは、完全に排除される。
方法は、半導体装置の製造方法に適用されるマスクデー
タの生成方法であって、前記半導体装置は、第1の配線
層と、前記第1の配線層と同じレベルに設けられた、複
数のダミー配線層と、を有し、前記ダミー配線層の配置
は、以下の工程(a)〜(c)を含む方法により決定さ
れる。 (a)制限領域を規定する制限領域パターンを設定する
工程、(b)前記ダミー配線層を規定するダミーパター
ンを設定する工程であって、列方向と交差する方向に沿
って伸びる、第2の仮想直線を想定すると、前記第2の
仮想直線と前記列方向とのなす角は、2〜40度であ
り、前記ダミーパターンは、前記第2の仮想直線上に位
置するように、配置され、(c)前記制限領域パターン
と前記ダミーパターンとを合成する工程であって、前記
制限領域パターンに少なくとも部分的に重なる、前記ダ
ミーパターンは、完全に排除される。
【0064】ここで、「列方向」とは、行方向と直交す
る方向であり、たとえば、制限領域パターンなどを考慮
して想定される、一の方向である。
る方向であり、たとえば、制限領域パターンなどを考慮
して想定される、一の方向である。
【0065】本発明によれば、ダミーパターンは、第2
の仮想直線上に位置するように形成されている。この第
2の仮想直線と列方向とのなす角は、2〜40度であ
る。つまり、同一の第2の仮想直線上にあって、列方向
に隣り合うダミーパターンは、互いに行方向にずれて形
成されている。このため、列方向に伸びる制限領域パタ
ーンの付近においても、ダミーパターンを密に配置する
ことが、容易となる。つまり、制限領域パターン内に、
あるダミーパターンが重なる場合でも、制限領域パター
ンの付近において、他のダミーパターンが、確実に配置
される。その結果、本発明の第1のマスクデータの生成
方法の作用効果(1)を奏することができる。
の仮想直線上に位置するように形成されている。この第
2の仮想直線と列方向とのなす角は、2〜40度であ
る。つまり、同一の第2の仮想直線上にあって、列方向
に隣り合うダミーパターンは、互いに行方向にずれて形
成されている。このため、列方向に伸びる制限領域パタ
ーンの付近においても、ダミーパターンを密に配置する
ことが、容易となる。つまり、制限領域パターン内に、
あるダミーパターンが重なる場合でも、制限領域パター
ンの付近において、他のダミーパターンが、確実に配置
される。その結果、本発明の第1のマスクデータの生成
方法の作用効果(1)を奏することができる。
【0066】また、本発明によれば、本発明の第1のマ
スクデータの生成方法の作用効果(2)を奏することが
できる。
スクデータの生成方法の作用効果(2)を奏することが
できる。
【0067】また、上述の、本発明の第2のマスクデー
タの生成方法と、本発明の第3のマスクデータの生成方
法とを組み合わせた態様であってもよい。このように組
み合わせた態様を有するマスクデータの生成方法によれ
ば、制限領域パターンの付近において、より確実にダミ
ーパターンを形成することができる。
タの生成方法と、本発明の第3のマスクデータの生成方
法とを組み合わせた態様であってもよい。このように組
み合わせた態様を有するマスクデータの生成方法によれ
ば、制限領域パターンの付近において、より確実にダミ
ーパターンを形成することができる。
【0068】(D)本発明の第4のマスクデータの生成
方法は、半導体装置の製造方法に適用されるマスクデー
タの生成方法であって、前記半導体装置は、第1の配線
層と、前記第1の配線層と同じレベルに設けられた、複
数のダミー配線層と、を有し、前記ダミー配線層の配置
は、以下の工程(a)〜(c)を含む方法により決定さ
れる。 (a)制限領域を規定する制限領域パターンを設定する
工程、(b)前記ダミー配線層を規定するダミーパター
ンを設定する工程であって、前記ダミーパターンは、平
面形状において、ほぼ正方形をなし、行方向で隣り合う
前記ダミーパターン間の間隔は、該ダミーパターンの一
辺の長さの、ほぼ半分であり、行方向で隣り合う前記ダ
ミーパターンは、互いに列方向にずれ、前記ダミーパタ
ーンの列方向にずれた幅は、該ダミーパターンの一辺の
長さの、ほぼ半分であり、(c)前記制限領域パターン
と前記ダミーパターンとを合成する工程であって、前記
制限領域パターンに少なくとも部分的に重なる、前記ダ
ミーパターンは、完全に排除される。
方法は、半導体装置の製造方法に適用されるマスクデー
タの生成方法であって、前記半導体装置は、第1の配線
層と、前記第1の配線層と同じレベルに設けられた、複
数のダミー配線層と、を有し、前記ダミー配線層の配置
は、以下の工程(a)〜(c)を含む方法により決定さ
れる。 (a)制限領域を規定する制限領域パターンを設定する
工程、(b)前記ダミー配線層を規定するダミーパター
ンを設定する工程であって、前記ダミーパターンは、平
面形状において、ほぼ正方形をなし、行方向で隣り合う
前記ダミーパターン間の間隔は、該ダミーパターンの一
辺の長さの、ほぼ半分であり、行方向で隣り合う前記ダ
ミーパターンは、互いに列方向にずれ、前記ダミーパタ
ーンの列方向にずれた幅は、該ダミーパターンの一辺の
長さの、ほぼ半分であり、(c)前記制限領域パターン
と前記ダミーパターンとを合成する工程であって、前記
制限領域パターンに少なくとも部分的に重なる、前記ダ
ミーパターンは、完全に排除される。
【0069】ここで、「行方向」および「列方向」は、
本発明の第2および第3のマスクデータの生成方法の項
で説明したものと同様である。
本発明の第2および第3のマスクデータの生成方法の項
で説明したものと同様である。
【0070】本発明の第4のマスクデータの生成方法に
よれば、行方向で隣り合う前記ダミーパターンは、互い
に列方向にずれている。このため、本発明の第4のマス
クデータの生成方法は、本発明の第2のマスクデータの
生成方法と同様の作用効果を奏することができる。
よれば、行方向で隣り合う前記ダミーパターンは、互い
に列方向にずれている。このため、本発明の第4のマス
クデータの生成方法は、本発明の第2のマスクデータの
生成方法と同様の作用効果を奏することができる。
【0071】(E)本発明の第5のマスクデータの生成
方法は、半導体装置の製造方法に適用されるマスクデー
タの生成方法であって、前記半導体装置は、第1の配線
層と、前記第1の配線層と同じレベルに設けられた、複
数のダミー配線層と、を有し、前記ダミー配線層の配置
は、以下の工程(a)〜(c)を含む方法により決定さ
れる。 (a)制限領域を規定する制限領域パターンを設定する
工程、(b)前記ダミー配線層を規定するダミーパター
ンを設定する工程であって、前記ダミーパターンは、平
面形状において、ほぼ正方形をなし、列方向で隣り合う
前記ダミーパターン間の間隔は、該ダミーパターンの一
辺の長さの、ほぼ半分であり、列方向で隣り合う前記ダ
ミーパターンは、互いに行方向にずれ、前記ダミーパタ
ーンの行方向にずれた幅は、該ダミーパターンの一辺の
長さの、ほぼ半分であり、(c)前記制限領域パターン
と前記ダミーパターンとを合成する工程であって、前記
制限領域パターンに少なくとも部分的に重なる、前記ダ
ミーパターンは、完全に排除される。
方法は、半導体装置の製造方法に適用されるマスクデー
タの生成方法であって、前記半導体装置は、第1の配線
層と、前記第1の配線層と同じレベルに設けられた、複
数のダミー配線層と、を有し、前記ダミー配線層の配置
は、以下の工程(a)〜(c)を含む方法により決定さ
れる。 (a)制限領域を規定する制限領域パターンを設定する
工程、(b)前記ダミー配線層を規定するダミーパター
ンを設定する工程であって、前記ダミーパターンは、平
面形状において、ほぼ正方形をなし、列方向で隣り合う
前記ダミーパターン間の間隔は、該ダミーパターンの一
辺の長さの、ほぼ半分であり、列方向で隣り合う前記ダ
ミーパターンは、互いに行方向にずれ、前記ダミーパタ
ーンの行方向にずれた幅は、該ダミーパターンの一辺の
長さの、ほぼ半分であり、(c)前記制限領域パターン
と前記ダミーパターンとを合成する工程であって、前記
制限領域パターンに少なくとも部分的に重なる、前記ダ
ミーパターンは、完全に排除される。
【0072】ここで、「行方向」および「列方向」は、
本発明の第2および第3のマスクデータの生成方法の項
で説明したものと同様である。
本発明の第2および第3のマスクデータの生成方法の項
で説明したものと同様である。
【0073】本発明の第5のマスクデータの生成方法に
よれば、列方向で隣り合う前記ダミーパターンは、互い
に行方向にずれている。このため、本発明の第5のマス
クデータの生成方法は、本発明の第3のマスクデータの
生成方法と同様の作用効果を奏することができる。
よれば、列方向で隣り合う前記ダミーパターンは、互い
に行方向にずれている。このため、本発明の第5のマス
クデータの生成方法は、本発明の第3のマスクデータの
生成方法と同様の作用効果を奏することができる。
【0074】また、上述の、本発明の第4のマスクデー
タの生成方法と、本発明の第5のマスクデータの生成方
法とを組み合わせた態様であってもよい。このように組
み合わせることにより、制限領域パターンの付近におい
て、より確実にダミーパターンを形成することができ
る。
タの生成方法と、本発明の第5のマスクデータの生成方
法とを組み合わせた態様であってもよい。このように組
み合わせることにより、制限領域パターンの付近におい
て、より確実にダミーパターンを形成することができ
る。
【0075】上述の本発明の第2〜第5のマスクデータ
の生成方法は、次の態様をとることができる。
の生成方法は、次の態様をとることができる。
【0076】前記制限領域は、配線実効領域と、該配線
実効領域の周囲に設定された禁止区域とを有し、前記工
程(a)は、前記配線実効領域を規定する配線実効領域
パターンを設定する工程(a−1)、該配線実効領域パ
ターンの周囲に、前記禁止区域を規定する禁止区域パタ
ーンを設定する工程(a−2)を含むことができる。
実効領域の周囲に設定された禁止区域とを有し、前記工
程(a)は、前記配線実効領域を規定する配線実効領域
パターンを設定する工程(a−1)、該配線実効領域パ
ターンの周囲に、前記禁止区域を規定する禁止区域パタ
ーンを設定する工程(a−2)を含むことができる。
【0077】前記配線実効領域パターンは、配線パター
ンを含むことができる。
ンを含むことができる。
【0078】前記半導体装置は、前記第1の配線層より
上のレベルに形成された第2の配線層と、前記第1の配
線層より下のレベルに形成された第3の配線層とを有
し、さらに、前記第1の配線層と、前記第3の配線層と
を接続するためのコンタクトホールが形成される場合に
は、前記配線実効領域パターンは、前記第2の配線層
と、前記第3の配線層とを接続するためのコンタクトホ
ールパターンを含むことが好ましい。
上のレベルに形成された第2の配線層と、前記第1の配
線層より下のレベルに形成された第3の配線層とを有
し、さらに、前記第1の配線層と、前記第3の配線層と
を接続するためのコンタクトホールが形成される場合に
は、前記配線実効領域パターンは、前記第2の配線層
と、前記第3の配線層とを接続するためのコンタクトホ
ールパターンを含むことが好ましい。
【0079】(F)本発明の第6のマスクデータの生成
方法は、半導体装置の製造方法に適用されるマスクデー
タの生成方法であって、前記半導体装置は、第1の配線
層と、前記第1の配線層と同じレベルに設けられた、複
数のダミー配線層とを有し、行方向と交差する方向に沿
って伸びる、第1の仮想直線を想定すると、前記第1の
仮想直線と前記行方向とのなす角は、2〜40度であ
り、前記ダミー配線層は、前記第1の仮想直線上に位置
するように、配置され、以下の工程(a)〜(c)を含
む。 (a)制限領域を規定する制限領域パターンを設定する
工程、(b)前記ダミー配線層を規定するダミーパター
ンを設定する工程、(c)前記制限領域パターンと前記
ダミーパターンとを合成する工程であって、前記制限領
域パターンに少なくとも部分的に重なる、前記ダミーパ
ターンは、完全に排除される。
方法は、半導体装置の製造方法に適用されるマスクデー
タの生成方法であって、前記半導体装置は、第1の配線
層と、前記第1の配線層と同じレベルに設けられた、複
数のダミー配線層とを有し、行方向と交差する方向に沿
って伸びる、第1の仮想直線を想定すると、前記第1の
仮想直線と前記行方向とのなす角は、2〜40度であ
り、前記ダミー配線層は、前記第1の仮想直線上に位置
するように、配置され、以下の工程(a)〜(c)を含
む。 (a)制限領域を規定する制限領域パターンを設定する
工程、(b)前記ダミー配線層を規定するダミーパター
ンを設定する工程、(c)前記制限領域パターンと前記
ダミーパターンとを合成する工程であって、前記制限領
域パターンに少なくとも部分的に重なる、前記ダミーパ
ターンは、完全に排除される。
【0080】ここで、「行方向」は、本発明の第2のマ
スクデータの生成方法の項で説明したものと同様であ
る。
スクデータの生成方法の項で説明したものと同様であ
る。
【0081】本発明によれば、たとえば次の2つの作用
効果が奏される。
効果が奏される。
【0082】(1)本発明によれば、ダミーパターン
は、ダミー配線層が第1の仮想直線上に位置して配置さ
れるように、設定されている。この第1の仮想直線と行
方向とのなす角は、2〜40度である。つまり、同一の
第1の仮想直線上にあって、行方向に隣り合うダミー配
線層が、互いに列方向にずれて形成されるように、ダミ
ーパターンは設定される。このため、行方向に隣り合う
ダミーパターンは、互いに列方向にずれて設定される。
その結果、工程(c)において、行方向に伸びる制限領
域パターンの付近においても、ダミーパターンを密に設
定することが、容易となる。つまり、制限領域パターン
内に、あるダミーパターンが重なる場合でも、制限領域
パターンの付近において、他のダミーパターンが、確実
に発生する。これによって、制限領域パターン間の間隔
が狭い領域においても、確実にダミーパターンを設定す
ることができる。その結果、次の効果を奏することがで
きる。
は、ダミー配線層が第1の仮想直線上に位置して配置さ
れるように、設定されている。この第1の仮想直線と行
方向とのなす角は、2〜40度である。つまり、同一の
第1の仮想直線上にあって、行方向に隣り合うダミー配
線層が、互いに列方向にずれて形成されるように、ダミ
ーパターンは設定される。このため、行方向に隣り合う
ダミーパターンは、互いに列方向にずれて設定される。
その結果、工程(c)において、行方向に伸びる制限領
域パターンの付近においても、ダミーパターンを密に設
定することが、容易となる。つまり、制限領域パターン
内に、あるダミーパターンが重なる場合でも、制限領域
パターンの付近において、他のダミーパターンが、確実
に発生する。これによって、制限領域パターン間の間隔
が狭い領域においても、確実にダミーパターンを設定す
ることができる。その結果、次の効果を奏することがで
きる。
【0083】すなわち、ダミー配線層を形成する際、制
限領域の付近において、確実にダミー配線層を形成する
ことができる。したがって、第1の配線層の上に形成さ
れた絶縁層を研磨する際、制限領域の付近においても、
ダミー配線層に、研磨圧力を確実に分散させることがで
きる。
限領域の付近において、確実にダミー配線層を形成する
ことができる。したがって、第1の配線層の上に形成さ
れた絶縁層を研磨する際、制限領域の付近においても、
ダミー配線層に、研磨圧力を確実に分散させることがで
きる。
【0084】(2)また、本発明においては、制限領域
パターンに少なくとも部分的に重なる、ダミーパターン
は、完全に排除される。このため、後に詳述するよう
に、ダミー配線層のパターン飛びが生じるのを、確実に
防止することができる。
パターンに少なくとも部分的に重なる、ダミーパターン
は、完全に排除される。このため、後に詳述するよう
に、ダミー配線層のパターン飛びが生じるのを、確実に
防止することができる。
【0085】(G)本発明の第7のマスクデータの生成
方法は、半導体装置の製造方法に適用されるマスクデー
タの生成方法であって、前記半導体装置は、第1の配線
層と、前記第1の配線層と同じレベルに設けられた、複
数のダミー配線層とを有し、列方向と交差する方向に沿
って伸びる、第2の仮想直線を想定すると、前記第2の
仮想直線と前記列方向とのなす角は、2〜40度であ
り、前記ダミー配線層は、前記第2の仮想直線上に位置
するように、配置され、以下の工程(a)〜(c)を含
む。 (a)制限領域を規定する制限領域パターンを設定する
工程、(b)前記ダミー配線層を規定するダミーパター
ンを設定する工程、(c)前記制限領域パターンと前記
ダミーパターンとを合成する工程であって、前記制限領
域パターンに少なくとも部分的に重なる、前記ダミーパ
ターンは、完全に排除される。
方法は、半導体装置の製造方法に適用されるマスクデー
タの生成方法であって、前記半導体装置は、第1の配線
層と、前記第1の配線層と同じレベルに設けられた、複
数のダミー配線層とを有し、列方向と交差する方向に沿
って伸びる、第2の仮想直線を想定すると、前記第2の
仮想直線と前記列方向とのなす角は、2〜40度であ
り、前記ダミー配線層は、前記第2の仮想直線上に位置
するように、配置され、以下の工程(a)〜(c)を含
む。 (a)制限領域を規定する制限領域パターンを設定する
工程、(b)前記ダミー配線層を規定するダミーパター
ンを設定する工程、(c)前記制限領域パターンと前記
ダミーパターンとを合成する工程であって、前記制限領
域パターンに少なくとも部分的に重なる、前記ダミーパ
ターンは、完全に排除される。
【0086】ここで「列方向」は、本発明の第3のマス
クデータの生成方法の項で説明したものと同様である。
クデータの生成方法の項で説明したものと同様である。
【0087】本発明によれば、たとえば次の2つの作用
効果が奏される。
効果が奏される。
【0088】(1)本発明によれば、ダミーパターン
は、ダミー配線層が第2の仮想直線上に位置して配置さ
れるように、設定されている。この第2の仮想直線と列
方向とのなす角は、2〜40度である。つまり、同一の
第2の仮想直線上にあって、列方向に隣り合うダミー配
線層が、互いに行方向にずれて形成されるように、ダミ
ーパターンは設定される。このため、列方向に隣り合う
ダミーパターンは、互いに行方向にずれて設定される。
その結果、工程(c)において、列方向に伸びる制限領
域パターンの付近においても、ダミーパターンを密に設
定することが、容易となる。つまり、制限領域パターン
内に、あるダミーパターンが重なる場合でも、制限領域
パターンの付近において、他のダミーパターンが、確実
に発生する。これによって、制限領域パターン間の間隔
が狭い領域においても、確実にダミーパターンを設定す
ることができる。このため、本発明によれば、本発明の
第6のマスクデータの生成方法の項において述べた効果
(1)を奏することができる。
は、ダミー配線層が第2の仮想直線上に位置して配置さ
れるように、設定されている。この第2の仮想直線と列
方向とのなす角は、2〜40度である。つまり、同一の
第2の仮想直線上にあって、列方向に隣り合うダミー配
線層が、互いに行方向にずれて形成されるように、ダミ
ーパターンは設定される。このため、列方向に隣り合う
ダミーパターンは、互いに行方向にずれて設定される。
その結果、工程(c)において、列方向に伸びる制限領
域パターンの付近においても、ダミーパターンを密に設
定することが、容易となる。つまり、制限領域パターン
内に、あるダミーパターンが重なる場合でも、制限領域
パターンの付近において、他のダミーパターンが、確実
に発生する。これによって、制限領域パターン間の間隔
が狭い領域においても、確実にダミーパターンを設定す
ることができる。このため、本発明によれば、本発明の
第6のマスクデータの生成方法の項において述べた効果
(1)を奏することができる。
【0089】(2)本発明においては、制限領域パター
ンに少なくとも部分的に重なる、ダミーパターンは、完
全に排除される。このため、本発明によれば、本発明の
第6のマスクデータの生成方法の項において述べた効果
(2)を奏することができる。
ンに少なくとも部分的に重なる、ダミーパターンは、完
全に排除される。このため、本発明によれば、本発明の
第6のマスクデータの生成方法の項において述べた効果
(2)を奏することができる。
【0090】また、上述の、本発明の第6のマスクデー
タの生成方法と、本発明の第7のマスクデータの生成方
法とを組み合わせた態様であってもよい。このように組
み合わせた態様を有するマスクデータの生成方法によれ
ば、制限領域の付近において、より確実にダミー配線層
を形成することができる。
タの生成方法と、本発明の第7のマスクデータの生成方
法とを組み合わせた態様であってもよい。このように組
み合わせた態様を有するマスクデータの生成方法によれ
ば、制限領域の付近において、より確実にダミー配線層
を形成することができる。
【0091】(H)本発明の第8のマスクデータの生成
方法は、半導体装置の製造方法に適用されるマスクデー
タの生成方法であって、前記半導体装置は、第1の配線
層と、前記第1の配線層と同じレベルに設けられた、複
数のダミー配線層とを有し、前記ダミー配線層は、平面
形状において、ほぼ正方形をなし、行方向で隣り合う前
記ダミー配線層間の間隔は、該ダミー配線層の一辺の長
さの、ほぼ半分であり、行方向で隣り合う前記ダミー配
線層は、互いに列方向にずれ、前記ダミー配線層の列方
向にずれた幅は、該ダミー配線層の一辺の長さの、ほぼ
半分であり、以下の工程(a)〜(c)を含む。 (a)制限領域を規定する制限領域パターンを設定する
工程、(b)前記ダミー配線層を規定するダミーパター
ンを設定する工程、(c)前記制限領域パターンと前記
ダミーパターンとを合成する工程であって、前記制限領
域パターンに少なくとも部分的に重なる、前記ダミーパ
ターンは、完全に排除される。
方法は、半導体装置の製造方法に適用されるマスクデー
タの生成方法であって、前記半導体装置は、第1の配線
層と、前記第1の配線層と同じレベルに設けられた、複
数のダミー配線層とを有し、前記ダミー配線層は、平面
形状において、ほぼ正方形をなし、行方向で隣り合う前
記ダミー配線層間の間隔は、該ダミー配線層の一辺の長
さの、ほぼ半分であり、行方向で隣り合う前記ダミー配
線層は、互いに列方向にずれ、前記ダミー配線層の列方
向にずれた幅は、該ダミー配線層の一辺の長さの、ほぼ
半分であり、以下の工程(a)〜(c)を含む。 (a)制限領域を規定する制限領域パターンを設定する
工程、(b)前記ダミー配線層を規定するダミーパター
ンを設定する工程、(c)前記制限領域パターンと前記
ダミーパターンとを合成する工程であって、前記制限領
域パターンに少なくとも部分的に重なる、前記ダミーパ
ターンは、完全に排除される。
【0092】ここで、「行方向」および「列方向」は、
本発明の第2および第3のマスクデータの生成方法の項
で説明したものと同様である。
本発明の第2および第3のマスクデータの生成方法の項
で説明したものと同様である。
【0093】本発明の第8のマスクデータの生成方法に
よれば、行方向で隣り合う前記ダミー配線層は、互いに
列方向にずれている。このため、本発明の第8のマスク
データの生成方法は、本発明の第6のマスクデータの生
成方法と同様の作用効果を奏することができる。
よれば、行方向で隣り合う前記ダミー配線層は、互いに
列方向にずれている。このため、本発明の第8のマスク
データの生成方法は、本発明の第6のマスクデータの生
成方法と同様の作用効果を奏することができる。
【0094】(I)本発明の第9のマスクデータの生成
方法は、半導体装置の製造方法に適用されるマスクデー
タの生成方法であって、前記半導体装置は、第1の配線
層と、前記第1の配線層と同じレベルに設けられた、複
数のダミー配線層を有し、前記ダミー配線層は、平面形
状において、ほぼ正方形をなし、列方向で隣り合う前記
ダミー配線層間の間隔は、該ダミー配線層の一辺の長さ
の、ほぼ半分であり、列方向で隣り合う前記ダミー配線
層は、互いに行方向にずれ、前記ダミー配線層の行方向
にずれた幅は、該ダミー配線層の一辺の長さの、ほぼ半
分であり、以下の工程(a)〜(c)を含む。 (a)制限領域を規定する制限領域パターンを設定する
工程、(b)前記ダミー配線層を規定するダミーパター
ンを設定する工程、(c)前記制限領域パターンと前記
ダミーパターンとを合成する工程であって、前記制限領
域パターンに少なくとも部分的に重なる、前記ダミーパ
ターンは、完全に排除される。
方法は、半導体装置の製造方法に適用されるマスクデー
タの生成方法であって、前記半導体装置は、第1の配線
層と、前記第1の配線層と同じレベルに設けられた、複
数のダミー配線層を有し、前記ダミー配線層は、平面形
状において、ほぼ正方形をなし、列方向で隣り合う前記
ダミー配線層間の間隔は、該ダミー配線層の一辺の長さ
の、ほぼ半分であり、列方向で隣り合う前記ダミー配線
層は、互いに行方向にずれ、前記ダミー配線層の行方向
にずれた幅は、該ダミー配線層の一辺の長さの、ほぼ半
分であり、以下の工程(a)〜(c)を含む。 (a)制限領域を規定する制限領域パターンを設定する
工程、(b)前記ダミー配線層を規定するダミーパター
ンを設定する工程、(c)前記制限領域パターンと前記
ダミーパターンとを合成する工程であって、前記制限領
域パターンに少なくとも部分的に重なる、前記ダミーパ
ターンは、完全に排除される。
【0095】ここで、「行方向」および「列方向」は、
本発明の第2および第3のマスクデータの生成方法の項
で説明したものと同様である。
本発明の第2および第3のマスクデータの生成方法の項
で説明したものと同様である。
【0096】本発明の第9のマスクデータの生成方法に
よれば、列方向で隣り合う前記ダミー配線層は、互いに
行方向にずれている。このため、本発明の第9のマスク
データの生成方法は、本発明の第7のマスクデータの生
成方法と同様の作用効果を奏することができる。
よれば、列方向で隣り合う前記ダミー配線層は、互いに
行方向にずれている。このため、本発明の第9のマスク
データの生成方法は、本発明の第7のマスクデータの生
成方法と同様の作用効果を奏することができる。
【0097】また、上述の、本発明の第8のマスクデー
タの生成方法と、本発明の第9のマスクデータの生成方
法とを組み合わせた態様であってもよい。このように組
み合わせた態様を有する半導体装置によれば、制限領域
の付近において、より確実にダミー配線層を形成するこ
とができる。
タの生成方法と、本発明の第9のマスクデータの生成方
法とを組み合わせた態様であってもよい。このように組
み合わせた態様を有する半導体装置によれば、制限領域
の付近において、より確実にダミー配線層を形成するこ
とができる。
【0098】制限領域は、半導体装置の項で説明した態
様をとることができる。なお、配線実効領域も半導体装
置の項で説明した態様をとることができる。
様をとることができる。なお、配線実効領域も半導体装
置の項で説明した態様をとることができる。
【0099】また、本発明の第1〜9のマスクデータの
生成方法において、前記工程(c)の前に、さらに、前
記制限領域パターンを反転させる工程(d)を含むこと
ができる。工程(d)を含むことにより、制限領域パタ
ーンとダミーパターンとの合成を、簡便に行うことがで
きる。
生成方法において、前記工程(c)の前に、さらに、前
記制限領域パターンを反転させる工程(d)を含むこと
ができる。工程(d)を含むことにより、制限領域パタ
ーンとダミーパターンとの合成を、簡便に行うことがで
きる。
【0100】(マスク)本発明のマスクは、本発明のマ
スクデータの生成方法により得られる。
スクデータの生成方法により得られる。
【0101】本発明のマスクを半導体装置の製造方法に
適用することにより、制限領域の付近に確実にダミー配
線層を形成することができる。
適用することにより、制限領域の付近に確実にダミー配
線層を形成することができる。
【0102】(コンピュータ読み取り可能な記録媒体)
本発明のコンピュータ読み取り可能な記録媒体は、本発
明のマスクデータの生成方法により得られたマスクデー
タが記録されている。
本発明のコンピュータ読み取り可能な記録媒体は、本発
明のマスクデータの生成方法により得られたマスクデー
タが記録されている。
【0103】本発明のコンピュータ読み取り可能な記録
媒体に記録されたマスクデータに基づいて、本発明のマ
スクを作製することができる。
媒体に記録されたマスクデータに基づいて、本発明のマ
スクを作製することができる。
【0104】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
について、図面を参照しながら説明する。
について、図面を参照しながら説明する。
【0105】[半導体装置] (デバイスの構造)以下、本実施の形態に係る半導体装
置を説明する。図1は、半導体装置を模式的に示す平面
図である。図2は、図1におけるA−A線に沿った断面
を模式的に示す断面図である。
置を説明する。図1は、半導体装置を模式的に示す平面
図である。図2は、図1におけるA−A線に沿った断面
を模式的に示す断面図である。
【0106】半導体装置1000における半導体基板
(たとえばシリコン基板)10の表面には、MOSFE
Tなどの半導体素子、配線層および素子分離領域(いず
れも図示せず)が形成されている。半導体基板10上に
は、第1の層間絶縁層20が形成されている。
(たとえばシリコン基板)10の表面には、MOSFE
Tなどの半導体素子、配線層および素子分離領域(いず
れも図示せず)が形成されている。半導体基板10上に
は、第1の層間絶縁層20が形成されている。
【0107】第1の層間絶縁層20の上には、第1の配
線層30およびダミー配線層32が形成されている。第
1の配線層30においては、半導体装置の設計上、密に
形成された第1の配線層30と、孤立した第1の配線層
30とが形成される場合がある。
線層30およびダミー配線層32が形成されている。第
1の配線層30においては、半導体装置の設計上、密に
形成された第1の配線層30と、孤立した第1の配線層
30とが形成される場合がある。
【0108】第1の層間絶縁層20の所定の部分に、コ
ンタクトホール(図示せず)が形成されている。コンタ
クトホールは、半導体基板10の表面に形成された半導
体素子または配線層と、第1の配線層30とを接続して
いる。コンタクトホール内には、コンタクト層(図示せ
ず)が形成されている。コンタクト層は、たとえば、タ
ングステンプラグ,アルミニウム合金層あるいは銅層か
らなる。
ンタクトホール(図示せず)が形成されている。コンタ
クトホールは、半導体基板10の表面に形成された半導
体素子または配線層と、第1の配線層30とを接続して
いる。コンタクトホール内には、コンタクト層(図示せ
ず)が形成されている。コンタクト層は、たとえば、タ
ングステンプラグ,アルミニウム合金層あるいは銅層か
らなる。
【0109】第1の配線層30およびダミー配線層32
の上には、第2の層間絶縁層40が形成されている。第
2の層間絶縁層40の上には、第2の配線層50が形成
されている。
の上には、第2の層間絶縁層40が形成されている。第
2の層間絶縁層40の上には、第2の配線層50が形成
されている。
【0110】第2の層間絶縁層40には、第1のコンタ
クトホール60が形成されている。第1のコンタクトホ
ール60は、第1の配線層30と第2の配線層50とを
接続するための接続孔である。第1のコンタクトホール
60内には、第1のコンタクト層62が形成されてい
る。第1のコンタクト層62は、たとえば、タングステ
ンプラグ,アルミニウム合金層あるいは銅層からなる。
クトホール60が形成されている。第1のコンタクトホ
ール60は、第1の配線層30と第2の配線層50とを
接続するための接続孔である。第1のコンタクトホール
60内には、第1のコンタクト層62が形成されてい
る。第1のコンタクト層62は、たとえば、タングステ
ンプラグ,アルミニウム合金層あるいは銅層からなる。
【0111】また、第1の層間絶縁層20および第2の
層間絶縁層40には、第2のコンタクトホール70が形
成されている。第2のコンタクトホール70は、半導体
基板10の表面に形成された半導体素子または配線層
と、第2の配線層50とを接続するための接続孔であ
る。第2のコンタクトホール70内には、第2のコンタ
クト層72が形成されている。第2のコンタクト層72
は、たとえば、タングステンプラグ,アルミニウム合金
層あるいは銅層からなる。
層間絶縁層40には、第2のコンタクトホール70が形
成されている。第2のコンタクトホール70は、半導体
基板10の表面に形成された半導体素子または配線層
と、第2の配線層50とを接続するための接続孔であ
る。第2のコンタクトホール70内には、第2のコンタ
クト層72が形成されている。第2のコンタクト層72
は、たとえば、タングステンプラグ,アルミニウム合金
層あるいは銅層からなる。
【0112】以下、第1の配線層30が形成されたレベ
ルの平面パターンを説明する。図3は、第1の配線層が
形成されたレベルの平面図である。
ルの平面パターンを説明する。図3は、第1の配線層が
形成されたレベルの平面図である。
【0113】第1の配線層30および第2のコンタクト
ホール70(第2のコンタクト層72形成領域)の周囲
には、禁止区域80が設定されている。なお、第1の配
線層30および第2のコンタクトホール70は、配線実
効領域90を構成する。そして、配線実効領域90およ
び禁止区域80とで、制限領域100を構成する。
ホール70(第2のコンタクト層72形成領域)の周囲
には、禁止区域80が設定されている。なお、第1の配
線層30および第2のコンタクトホール70は、配線実
効領域90を構成する。そして、配線実効領域90およ
び禁止区域80とで、制限領域100を構成する。
【0114】ここで、禁止区域80は、ダミー配線層3
2を発生させない領域をいう。禁止区域80の幅は、回
路設計などを考慮して規定され、たとえば0.5〜10
0μmである。さらに、素子において、配線層を用いた
インダクタなどの、電磁気的効果を用いた回路を使用し
ない場合においては、前記禁止区域の幅は、0.5〜2
0μmであることが好ましく、さらに好ましくは1〜5
μmである。なお、禁止区域80の幅は、すべての禁止
区域80において同一であってもよいし、または、同一
でなくてもよい。たとえば、第1の配線層30の周囲に
設定された禁止区域80の幅は、第1の配線層30ごと
に異ならせてもよいし、または、全ての第1の配線層3
0において同一であってもよい。
2を発生させない領域をいう。禁止区域80の幅は、回
路設計などを考慮して規定され、たとえば0.5〜10
0μmである。さらに、素子において、配線層を用いた
インダクタなどの、電磁気的効果を用いた回路を使用し
ない場合においては、前記禁止区域の幅は、0.5〜2
0μmであることが好ましく、さらに好ましくは1〜5
μmである。なお、禁止区域80の幅は、すべての禁止
区域80において同一であってもよいし、または、同一
でなくてもよい。たとえば、第1の配線層30の周囲に
設定された禁止区域80の幅は、第1の配線層30ごと
に異ならせてもよいし、または、全ての第1の配線層3
0において同一であってもよい。
【0115】制限領域(配線実効領域および禁止区域)
100以外の領域には、ダミー配線層32が形成されて
いる。すなわち、ダミー配線層32は、制限領域100
内に掛からないように形成されている。より具体的に
は、全体的または部分的に制限領域100に重なるダミ
ー配線層32は、完全に排除されている。部分的に制限
領域100に重なるダミー配線層32も完全に排除する
ことによる利点は、後述の作用効果の項で詳述する。
100以外の領域には、ダミー配線層32が形成されて
いる。すなわち、ダミー配線層32は、制限領域100
内に掛からないように形成されている。より具体的に
は、全体的または部分的に制限領域100に重なるダミ
ー配線層32は、完全に排除されている。部分的に制限
領域100に重なるダミー配線層32も完全に排除する
ことによる利点は、後述の作用効果の項で詳述する。
【0116】以下、第1の配線層32および第2のコン
タクトホール70の周囲に禁止区域80を設ける理由を
説明する。
タクトホール70の周囲に禁止区域80を設ける理由を
説明する。
【0117】(1)第1の配線層について 第1の配線層30の周囲に禁止区域80を設けないと、
ダミー配線層32が、第1の配線層30と接した状態で
形成される場合がある。この場合、たとえば、配線の幅
がいろいろな箇所で太くなったり、あるいは細くなった
りし、配線の抵抗値が場所により変化する。配線の抵抗
値が場所により変化すると、設計時の配線抵抗値が使用
できなくなり、デバイス特性のばらつきが発生する。ま
た、配線面積が増加するため、配線間どうしのショート
が生じやすくなるといった不具合が生じる。
ダミー配線層32が、第1の配線層30と接した状態で
形成される場合がある。この場合、たとえば、配線の幅
がいろいろな箇所で太くなったり、あるいは細くなった
りし、配線の抵抗値が場所により変化する。配線の抵抗
値が場所により変化すると、設計時の配線抵抗値が使用
できなくなり、デバイス特性のばらつきが発生する。ま
た、配線面積が増加するため、配線間どうしのショート
が生じやすくなるといった不具合が生じる。
【0118】(2)第2のコンタクトホールについて 第2のコンタクトホール70の周囲に禁止区域80を設
けないと、ダミー配線層32が第2のコンタクトホール
70の形成領域内に形成されてしまう場合がある。この
場合、第2の層間絶縁層40と第1の層間絶縁層20と
をエッチングして第2のコンタクトホール70を形成す
る際、ダミー配線層32が第1の層間絶縁層20のエッ
チングストッパ層として機能してしまい、第2のコンタ
クトホール70が得られないという不具合が生じる。
けないと、ダミー配線層32が第2のコンタクトホール
70の形成領域内に形成されてしまう場合がある。この
場合、第2の層間絶縁層40と第1の層間絶縁層20と
をエッチングして第2のコンタクトホール70を形成す
る際、ダミー配線層32が第1の層間絶縁層20のエッ
チングストッパ層として機能してしまい、第2のコンタ
クトホール70が得られないという不具合が生じる。
【0119】以下、ダミー配線層32の配置パターンを
説明する。図4は、ダミー配線層の配置パターンを説明
するための図である。
説明する。図4は、ダミー配線層の配置パターンを説明
するための図である。
【0120】ダミー配線層32は、第1の仮想直線L1
上に位置するように形成されている。また、ダミー配線
層32は、たとえば、ダミー配線層32の中心が、第1
の仮想直線L1の上に位置するように、形成される。
上に位置するように形成されている。また、ダミー配線
層32は、たとえば、ダミー配線層32の中心が、第1
の仮想直線L1の上に位置するように、形成される。
【0121】ダミー配線層32は、第2の仮想直線L2
上に位置するように形成されている。また、ダミー配線
層32は、たとえば、ダミー配線層32の中心が、第2
の仮想直線L2の上に位置するように、形成される。
上に位置するように形成されている。また、ダミー配線
層32は、たとえば、ダミー配線層32の中心が、第2
の仮想直線L2の上に位置するように、形成される。
【0122】第1の仮想直線L1は、行方向と交差して
いる。第1の仮想直線L1と行方向とのなす角θ1は、
2〜40度であり、好ましくは15〜25度であり、よ
り好ましくは約20度である。ここで「行方向」とは、
たとえば、第1の配線層30、第2のコンタクトホール
70、禁止区域80などを考慮して想定される、一の方
向である。
いる。第1の仮想直線L1と行方向とのなす角θ1は、
2〜40度であり、好ましくは15〜25度であり、よ
り好ましくは約20度である。ここで「行方向」とは、
たとえば、第1の配線層30、第2のコンタクトホール
70、禁止区域80などを考慮して想定される、一の方
向である。
【0123】第2の仮想直線L2は、列方向と交差して
いる。第2の仮想直線L2と列方向とのなす角θ2は、
2〜40度であり、好ましくは15〜25度であり、よ
り好ましくは約20度である。ここで「列方向」とは、
行方向と直交する方向であり、たとえば、第1の配線層
30、第2のコンタクトホール70、禁止区域80など
を考慮して想定される、一の方向である。
いる。第2の仮想直線L2と列方向とのなす角θ2は、
2〜40度であり、好ましくは15〜25度であり、よ
り好ましくは約20度である。ここで「列方向」とは、
行方向と直交する方向であり、たとえば、第1の配線層
30、第2のコンタクトホール70、禁止区域80など
を考慮して想定される、一の方向である。
【0124】第1の仮想直線L1は、複数本想定され、
かつ、所定のピッチで想定される。第1の仮想直線L1
間の間隔は、特に限定されず、たとえば1〜16μmで
あり、好ましくは2〜5μmである。第2の仮想直線L
2は、複数本想定され、かつ、所定のピッチで想定され
る。第2の仮想直線L2間の間隔は、特に限定されず、
たとえば1〜16μmであり、好ましくは2〜5μmで
ある。
かつ、所定のピッチで想定される。第1の仮想直線L1
間の間隔は、特に限定されず、たとえば1〜16μmで
あり、好ましくは2〜5μmである。第2の仮想直線L
2は、複数本想定され、かつ、所定のピッチで想定され
る。第2の仮想直線L2間の間隔は、特に限定されず、
たとえば1〜16μmであり、好ましくは2〜5μmで
ある。
【0125】同一の第1の仮想直線L1上に配置され
た、行方向に隣り合うダミー配線層32は、互いに列方
向にずれて形成されている。ダミー配線層32の列方向
にずれた幅Y10は、好ましくは0.5〜5μm、さら
に好ましくは0.5〜2μm、特に好ましくは約1μm
である。
た、行方向に隣り合うダミー配線層32は、互いに列方
向にずれて形成されている。ダミー配線層32の列方向
にずれた幅Y10は、好ましくは0.5〜5μm、さら
に好ましくは0.5〜2μm、特に好ましくは約1μm
である。
【0126】同一の第2の仮想直線L2上に配置され
た、列方向に隣り合うダミー配線層32は、互いに行方
向にずれて形成されている。ダミー配線層32の行方向
にずれた幅X10は、好ましくは0.5〜5μm、より
好ましくは0.5〜2μm、特に好ましくは約1μmで
ある。
た、列方向に隣り合うダミー配線層32は、互いに行方
向にずれて形成されている。ダミー配線層32の行方向
にずれた幅X10は、好ましくは0.5〜5μm、より
好ましくは0.5〜2μm、特に好ましくは約1μmで
ある。
【0127】平面形状において、単位面積に占める、ダ
ミー配線層32の面積の割合は、特に限定されず、好ま
しくは30〜50%、より好ましくは約40%である。
具体的には、単位ユニットの全面積に占める、ダミー配
線層32の面積の割合は、好ましくは30〜50%、よ
り好ましくは約40%である。
ミー配線層32の面積の割合は、特に限定されず、好ま
しくは30〜50%、より好ましくは約40%である。
具体的には、単位ユニットの全面積に占める、ダミー配
線層32の面積の割合は、好ましくは30〜50%、よ
り好ましくは約40%である。
【0128】ここで「単位ユニット」とは、そのユニッ
トを上下左右に繰り返すことで、全体のパターンを形成
することができる最小のユニットをいう。具体的には、
図4においては、「単位ユニット」は、四角形ABCD
によって囲まれる領域である。
トを上下左右に繰り返すことで、全体のパターンを形成
することができる最小のユニットをいう。具体的には、
図4においては、「単位ユニット」は、四角形ABCD
によって囲まれる領域である。
【0129】ダミー配線層32の平面形状は、特に限定
されず、たとえば多角形,円形などを挙げることができ
る。ダミー配線層32の平面形状は、好ましくは多角形
であり、より好ましくは方形であり、特に好ましくは正
方形である。ダミー配線層32の平面形状が正方形であ
ると、より密にダミー配線層32を形成することができ
る。たとえば、禁止区域が直交するような場所の付近に
おいても、ダミー配線層32をより確実に形成すること
ができる。このため、複雑なパターンで形成された禁止
区域(たとえば、複雑なパターンで形成された配線層の
周囲の禁止区域)の付近においても、より効果的にダミ
ー配線層32を形成することができる。
されず、たとえば多角形,円形などを挙げることができ
る。ダミー配線層32の平面形状は、好ましくは多角形
であり、より好ましくは方形であり、特に好ましくは正
方形である。ダミー配線層32の平面形状が正方形であ
ると、より密にダミー配線層32を形成することができ
る。たとえば、禁止区域が直交するような場所の付近に
おいても、ダミー配線層32をより確実に形成すること
ができる。このため、複雑なパターンで形成された禁止
区域(たとえば、複雑なパターンで形成された配線層の
周囲の禁止区域)の付近においても、より効果的にダミ
ー配線層32を形成することができる。
【0130】ダミー配線層32の平面形状が正方形であ
る場合において、一辺の長さT10は、特に限定されな
いが、たとえば1〜10μm、好ましくは約2μmであ
る。ダミー配線層32の一辺の長さT10が1μm以上
であることにより、ダミー配線層32を発生させるため
の、マスクを作成する際において、マスク作成データ量
が著しく増大するのを抑えることができる。ダミー配線
層32の一辺の長さT10が10μm以下であることに
より、層間絶縁層に段差が生じやすい、少なくとも10
μmよりも広い間隔をもった配線層間にダミー配線層が
形成されるため、層間絶縁層の段差解消に効果的であ
る。
る場合において、一辺の長さT10は、特に限定されな
いが、たとえば1〜10μm、好ましくは約2μmであ
る。ダミー配線層32の一辺の長さT10が1μm以上
であることにより、ダミー配線層32を発生させるため
の、マスクを作成する際において、マスク作成データ量
が著しく増大するのを抑えることができる。ダミー配線
層32の一辺の長さT10が10μm以下であることに
より、層間絶縁層に段差が生じやすい、少なくとも10
μmよりも広い間隔をもった配線層間にダミー配線層が
形成されるため、層間絶縁層の段差解消に効果的であ
る。
【0131】ダミー配線層32の平面形状が正方形の場
合に、同一の第1の仮想直線L1上に配置された、隣り
合うダミー配線層32は、互いに部分的に対向する辺S
1,S2を有する。この対向する辺S1,S2同士の間
の間隔G10は、特に限定されないが、好ましくは0.
5〜5μm、より好ましくは約1μmである。または、
間隔G10は、ダミー配線層32の一辺の長さT10よ
り短く設定されることが好ましく、ダミー配線層32の
一辺の長さT10の、ほぼ半分であることがより好まし
い。
合に、同一の第1の仮想直線L1上に配置された、隣り
合うダミー配線層32は、互いに部分的に対向する辺S
1,S2を有する。この対向する辺S1,S2同士の間
の間隔G10は、特に限定されないが、好ましくは0.
5〜5μm、より好ましくは約1μmである。または、
間隔G10は、ダミー配線層32の一辺の長さT10よ
り短く設定されることが好ましく、ダミー配線層32の
一辺の長さT10の、ほぼ半分であることがより好まし
い。
【0132】ダミー配線層32の平面形状が正方形の場
合に、同一の第2の仮想直線L2上に配置された、隣り
合うダミー配線層32は、互いに部分的に対向する辺S
3,S4を有する。この対向する辺S3,S4同士の間
の間隔G20は、特に限定されないが、好ましくは0.
5〜5μm、より好ましくは約1μmである。または、
間隔G20は、ダミー配線層32の一辺の長さT10よ
り短く設定されることが好ましく、ダミー配線層32の
一辺の長さT10の、ほぼ半分であることがより好まし
い。
合に、同一の第2の仮想直線L2上に配置された、隣り
合うダミー配線層32は、互いに部分的に対向する辺S
3,S4を有する。この対向する辺S3,S4同士の間
の間隔G20は、特に限定されないが、好ましくは0.
5〜5μm、より好ましくは約1μmである。または、
間隔G20は、ダミー配線層32の一辺の長さT10よ
り短く設定されることが好ましく、ダミー配線層32の
一辺の長さT10の、ほぼ半分であることがより好まし
い。
【0133】ダミー配線層32の平面形状が正方形の場
合には、行方向で隣り合う、ダミー配線層32の列方向
にずれた幅Y10は、ダミー配線層32の一辺の長さ
の、ほぼ半分であることが好ましい。また、列方向で隣
り合う、ダミー配線層32の行方向にずれた幅X10
は、ダミー配線層32の一辺の長さの、ほぼ半分である
ことが好ましい。
合には、行方向で隣り合う、ダミー配線層32の列方向
にずれた幅Y10は、ダミー配線層32の一辺の長さ
の、ほぼ半分であることが好ましい。また、列方向で隣
り合う、ダミー配線層32の行方向にずれた幅X10
は、ダミー配線層32の一辺の長さの、ほぼ半分である
ことが好ましい。
【0134】(作用効果)ダミー配線層32が以上の構
成で形成されることにより、たとえば、次の作用効果を
奏することができる。この作用効果を、図5を参照しな
がら説明する。図5は、ダミー配線層32の配置パター
ンの作用効果を説明するための図である。
成で形成されることにより、たとえば、次の作用効果を
奏することができる。この作用効果を、図5を参照しな
がら説明する。図5は、ダミー配線層32の配置パター
ンの作用効果を説明するための図である。
【0135】(1)図5(a)に示すように、制限領域
100を設定した場合を考える。制限領域100は、配
線実効領域90と、配線実効領域90の周囲において、
行方向に伸びる禁止区域80を有する。この場合、この
制限領域100と平行に、格子状のダミー配線層32a
を形成することが考えられる。ダミー配線層32aが格
子状に形成された場合には、ダミー配線層32aの一つ
が制限領域100に掛かると、そのダミー配線層32a
と同じ行にある他のダミー配線層32aがすべて、制限
領域100に掛かることになる。このため、ダミー配線
層32aが制限領域100内に掛からないように、制限
領域100の付近にダミー配線層32aを形成するに
は、ダミー配線層32aの位置を制御する必要がある。
この制御は、たとえばマスク作成データの増大などを招
くため、技術的に難しい。一方、制限領域100の付近
にダミー配線層32aを形成できない場合は、その制限
領域100の付近において形成されるダミー配線層32
aの密度が、不充分になってしまう。
100を設定した場合を考える。制限領域100は、配
線実効領域90と、配線実効領域90の周囲において、
行方向に伸びる禁止区域80を有する。この場合、この
制限領域100と平行に、格子状のダミー配線層32a
を形成することが考えられる。ダミー配線層32aが格
子状に形成された場合には、ダミー配線層32aの一つ
が制限領域100に掛かると、そのダミー配線層32a
と同じ行にある他のダミー配線層32aがすべて、制限
領域100に掛かることになる。このため、ダミー配線
層32aが制限領域100内に掛からないように、制限
領域100の付近にダミー配線層32aを形成するに
は、ダミー配線層32aの位置を制御する必要がある。
この制御は、たとえばマスク作成データの増大などを招
くため、技術的に難しい。一方、制限領域100の付近
にダミー配線層32aを形成できない場合は、その制限
領域100の付近において形成されるダミー配線層32
aの密度が、不充分になってしまう。
【0136】しかし、本実施の形態においては、図5
(b)に示すように、ダミー配線層32は、行方向と交
差する方向に伸びる第1の仮想直線L1上に位置するよ
うに、形成されている。つまり、同一の第1の仮想直線
L1上にある、隣り合うダミー配線層32は、互いに列
方向にずれて形成されている。このため、同一の第1の
仮想直線L1上において、あるダミー配線層32が、制
限領域100に掛かったとしても、隣りの他のダミー配
線層32は、制限領域100に掛かからないように配置
できる。その結果、ダミー配線層32の形成位置を制御
することなく、制限領域100の付近にダミー配線層3
2を確実に形成することができる。
(b)に示すように、ダミー配線層32は、行方向と交
差する方向に伸びる第1の仮想直線L1上に位置するよ
うに、形成されている。つまり、同一の第1の仮想直線
L1上にある、隣り合うダミー配線層32は、互いに列
方向にずれて形成されている。このため、同一の第1の
仮想直線L1上において、あるダミー配線層32が、制
限領域100に掛かったとしても、隣りの他のダミー配
線層32は、制限領域100に掛かからないように配置
できる。その結果、ダミー配線層32の形成位置を制御
することなく、制限領域100の付近にダミー配線層3
2を確実に形成することができる。
【0137】また、本実施の形態においては、ダミー配
線層32は、さらに、列方向と交差する方向に伸びる第
2の仮想直線L2上に位置するように、形成されてい
る。つまり、同一の第2の仮想直線L2上にある、隣り
合うダミー配線層32は、互いに行方向にずれて形成さ
れている。このため、ダミー配線層32が第1の仮想直
線L1上にある場合と同様の理由で、列方向に伸びる制
限領域100の付近に、ダミー配線層32を確実に形成
することができる。
線層32は、さらに、列方向と交差する方向に伸びる第
2の仮想直線L2上に位置するように、形成されてい
る。つまり、同一の第2の仮想直線L2上にある、隣り
合うダミー配線層32は、互いに行方向にずれて形成さ
れている。このため、ダミー配線層32が第1の仮想直
線L1上にある場合と同様の理由で、列方向に伸びる制
限領域100の付近に、ダミー配線層32を確実に形成
することができる。
【0138】(2)本実施の形態では、部分的に制限領
域100に重なるダミー配線層32は、完全に排除され
ている。このため、たとえば、次の作用効果が奏され
る。
域100に重なるダミー配線層32は、完全に排除され
ている。このため、たとえば、次の作用効果が奏され
る。
【0139】図5(b)において、制限領域100に部
分的に重なるダミー配線層32のうち、制限領域100
に重ならない一部の領域(斜線で示す領域)(以下「残
存ダミー配線層」という)32bを発生させることが考
えられる。この残存ダミー配線層32bは、本来のダミ
ー配線層32の平面形状の一部が欠けた、平面形状を有
する。すなわち、残存ダミー配線層32bの平面形状
は、本来のダミー配線層32の平面形状と比べて、小さ
くなる。この残存ダミー配線層32bの平面形状の寸法
が、極端に小さく(たとえば、解像限界またはデザイン
ルールより小さく)なると、たとえば次のような問題が
生じることが考えられる。
分的に重なるダミー配線層32のうち、制限領域100
に重ならない一部の領域(斜線で示す領域)(以下「残
存ダミー配線層」という)32bを発生させることが考
えられる。この残存ダミー配線層32bは、本来のダミ
ー配線層32の平面形状の一部が欠けた、平面形状を有
する。すなわち、残存ダミー配線層32bの平面形状
は、本来のダミー配線層32の平面形状と比べて、小さ
くなる。この残存ダミー配線層32bの平面形状の寸法
が、極端に小さく(たとえば、解像限界またはデザイン
ルールより小さく)なると、たとえば次のような問題が
生じることが考えられる。
【0140】(a)残存ダミー配線層32bを規定する
レジスト層を形成するのが困難となり、残存ダミー配線
層32bのパターン飛びが発生する。(b)残存ダミー
配線層32bを形成するためのレジスト層を形成できた
としても、そのレジスト層が倒れ、倒れたレジスト層
が、第1の配線層30を形成するためのエッチングの際
にゴミとなり、そのエッチングに悪影響を及ぼす。
(c)残存ダミー配線層32bは細くなるため、残存ダ
ミー配線層32bが、配線層のパターニング後の洗浄工
程などの際に折れ、表面異物となる。(d)この表面異
物が絶縁層内にとり込まれると、配線層のショートの原
因となる。
レジスト層を形成するのが困難となり、残存ダミー配線
層32bのパターン飛びが発生する。(b)残存ダミー
配線層32bを形成するためのレジスト層を形成できた
としても、そのレジスト層が倒れ、倒れたレジスト層
が、第1の配線層30を形成するためのエッチングの際
にゴミとなり、そのエッチングに悪影響を及ぼす。
(c)残存ダミー配線層32bは細くなるため、残存ダ
ミー配線層32bが、配線層のパターニング後の洗浄工
程などの際に折れ、表面異物となる。(d)この表面異
物が絶縁層内にとり込まれると、配線層のショートの原
因となる。
【0141】しかし、本実施の形態では、残存ダミー配
線層32bを形成していない。このため、上述のような
問題が発生するのを確実に防止することができる。
線層32bを形成していない。このため、上述のような
問題が発生するのを確実に防止することができる。
【0142】[マスクデータの生成方法]以下、第1の
配線層およびダミー配線層を形成するために使用され
る、マスクデータの生成方法の一例を説明する。マスク
データは、コンピュータを用いて、生成されることがで
きる。図13は、マスクデータの図である。
配線層およびダミー配線層を形成するために使用され
る、マスクデータの生成方法の一例を説明する。マスク
データは、コンピュータを用いて、生成されることがで
きる。図13は、マスクデータの図である。
【0143】(第1のマスクデータの作成)まず、第1
のマスクデータを作成する。図9は、第1のマスクデー
タの図である。第1のマスクデータ200には、制限領
域を規定する制限領域パターン242が設定されてい
る。具体的には、次のようにして、第1のマスクデータ
200を作成することができる。図6〜図8は、第1の
マスクデータの作成工程を示す、中間マスクデータの図
である。
のマスクデータを作成する。図9は、第1のマスクデー
タの図である。第1のマスクデータ200には、制限領
域を規定する制限領域パターン242が設定されてい
る。具体的には、次のようにして、第1のマスクデータ
200を作成することができる。図6〜図8は、第1の
マスクデータの作成工程を示す、中間マスクデータの図
である。
【0144】図6(a)および(b)にそれぞれ示され
る、第1および第2の中間マスクデータ210,220
を用意する。
る、第1および第2の中間マスクデータ210,220
を用意する。
【0145】図6(a)に示す第1の中間マスクデータ
210においては、配線パターン212が設定されてい
る。配線パターン212は、第1の配線層を規定する。
図6(b)に示す第2の中間マスクデータ220におい
ては、第2のコンタクトホールパターン222が設定さ
れている。第2のコンタクトホールパターン222は、
第2のコンタクトホールを規定する。
210においては、配線パターン212が設定されてい
る。配線パターン212は、第1の配線層を規定する。
図6(b)に示す第2の中間マスクデータ220におい
ては、第2のコンタクトホールパターン222が設定さ
れている。第2のコンタクトホールパターン222は、
第2のコンタクトホールを規定する。
【0146】そして、第1および第2の中間マスクデー
タ210,220の論理和をとり、図7に示すように、
第3の中間マスクデータ230を得る。すなわち、第1
および第2の中間マスクデータ210,220の斜線領
域212,222を足すことにより、第3の中間マスク
データ230において、配線実効領域パターン232が
設定される。配線実効領域パターン232は、配線実効
領域を規定する。
タ210,220の論理和をとり、図7に示すように、
第3の中間マスクデータ230を得る。すなわち、第1
および第2の中間マスクデータ210,220の斜線領
域212,222を足すことにより、第3の中間マスク
データ230において、配線実効領域パターン232が
設定される。配線実効領域パターン232は、配線実効
領域を規定する。
【0147】次に、配線実効領域パターン232を所定
の幅だけ広げて、図8に示す第4の中間マスクデータ2
40を得る。すなわち、配線実効領域パターン232の
周囲に、禁止区域パターン244を付加し、制限領域パ
ターン242を設定する。禁止区域パターン244は、
禁止区域を規定する。制限領域パターン242は、制限
領域を規定する。
の幅だけ広げて、図8に示す第4の中間マスクデータ2
40を得る。すなわち、配線実効領域パターン232の
周囲に、禁止区域パターン244を付加し、制限領域パ
ターン242を設定する。禁止区域パターン244は、
禁止区域を規定する。制限領域パターン242は、制限
領域を規定する。
【0148】次に、第4の中間マスクデータ240を図
形的に反転させ、図9に示す第1のマスクデータ200
が得られる。具体的には、第4の中間マスクデータ24
0における斜線領域を空白領域にし、第4の中間マスク
データ240における空白領域を斜線領域にすることに
より、第1のマスクデータ200を生成する。
形的に反転させ、図9に示す第1のマスクデータ200
が得られる。具体的には、第4の中間マスクデータ24
0における斜線領域を空白領域にし、第4の中間マスク
データ240における空白領域を斜線領域にすることに
より、第1のマスクデータ200を生成する。
【0149】(第2のマスクデータの作成)次に、第2
のマスクデータ300を作成する。図10は、第2のマ
スクデータの図である。第2のマスクデータ300に
は、ダミーパターン310が設定されている。ダミーパ
ターン310は、上述したダミー配線層32の配置パタ
ーンに対応しており、ダミー配線層32を規定する。つ
まり、ダミーパターン310とダミー配線層32の配置
パターンとは、同一的または相似的な関係にある。具体
的には、図11に示すように、第2のマスクデータ30
0に基づいて形成された、マスク600のダミーパター
ン610は、半導体装置700におけるダミー凸部領域
32のパターンに対応している。
のマスクデータ300を作成する。図10は、第2のマ
スクデータの図である。第2のマスクデータ300に
は、ダミーパターン310が設定されている。ダミーパ
ターン310は、上述したダミー配線層32の配置パタ
ーンに対応しており、ダミー配線層32を規定する。つ
まり、ダミーパターン310とダミー配線層32の配置
パターンとは、同一的または相似的な関係にある。具体
的には、図11に示すように、第2のマスクデータ30
0に基づいて形成された、マスク600のダミーパター
ン610は、半導体装置700におけるダミー凸部領域
32のパターンに対応している。
【0150】より具体的には、ダミーパターン310
は、次のような配置パターンを有している。
は、次のような配置パターンを有している。
【0151】ダミーパターン310は、第1の仮想直線
L10上に位置するように形成されている。ダミーパタ
ーン310は、たとえば、ダミーパターン310の中心
が、第1の仮想直線L10の上に位置するように、形成
されることができる。また、ダミーパターン310は、
ダミーパターン310の中心ではない他の部分が、第1
の仮想直線L10の上に位置するように、形成されてい
てもよい。すなわち、ダミーパターン310が第1の仮
想直線L10上にあればよい。
L10上に位置するように形成されている。ダミーパタ
ーン310は、たとえば、ダミーパターン310の中心
が、第1の仮想直線L10の上に位置するように、形成
されることができる。また、ダミーパターン310は、
ダミーパターン310の中心ではない他の部分が、第1
の仮想直線L10の上に位置するように、形成されてい
てもよい。すなわち、ダミーパターン310が第1の仮
想直線L10上にあればよい。
【0152】ダミーパターン310は、第2の仮想直線
L20上に位置するように形成されている。ダミーパタ
ーン310は、たとえば、ダミーパターン310の中心
が、第2の仮想直線L20の上に位置するように、形成
されることができる。ダミーパターン310は、ダミー
パターン310の中心ではない他の部分が、第2の仮想
直線L20の上に位置するように、形成されていてもよ
い。すなわち、ダミーパターン310が第2の仮想直線
L20上にあればよい。
L20上に位置するように形成されている。ダミーパタ
ーン310は、たとえば、ダミーパターン310の中心
が、第2の仮想直線L20の上に位置するように、形成
されることができる。ダミーパターン310は、ダミー
パターン310の中心ではない他の部分が、第2の仮想
直線L20の上に位置するように、形成されていてもよ
い。すなわち、ダミーパターン310が第2の仮想直線
L20上にあればよい。
【0153】第1の仮想直線L10は、行方向と交差し
ている。第1の仮想直線L10と行方向とのなす角θ1
0は、2〜40度であり、好ましくは15〜25度であ
り、より好ましくは約20度である。ここで「行方向」
とは、たとえば、配線パターン,第2のコンタクトホー
ルパターン,禁止区域パターンなどを考慮して想定され
る、一の方向である。
ている。第1の仮想直線L10と行方向とのなす角θ1
0は、2〜40度であり、好ましくは15〜25度であ
り、より好ましくは約20度である。ここで「行方向」
とは、たとえば、配線パターン,第2のコンタクトホー
ルパターン,禁止区域パターンなどを考慮して想定され
る、一の方向である。
【0154】第2の仮想直線L20は、列方向と交差し
ている。第2の仮想直線L20と列方向とのなす角θ2
0は、2〜40度であり、好ましくは15〜25度であ
り、より好ましくは約20度である。ここで「列方向」
とは、行方向と直交する方向であり、たとえば、配線パ
ターン,第2のコンタクトホールパターン,禁止区域パ
ターンなどを考慮して想定される、一の方向である。
ている。第2の仮想直線L20と列方向とのなす角θ2
0は、2〜40度であり、好ましくは15〜25度であ
り、より好ましくは約20度である。ここで「列方向」
とは、行方向と直交する方向であり、たとえば、配線パ
ターン,第2のコンタクトホールパターン,禁止区域パ
ターンなどを考慮して想定される、一の方向である。
【0155】第1の仮想直線L10は、複数本想定さ
れ、かつ、所定のピッチで想定される。第2の仮想直線
L20は、複数本想定され、かつ、所定のピッチで想定
される。なお、第1の仮想直線L10の間隔D10は、
半導体装置における第1の仮想直線L1の間隔D1にお
いて、所望の間隔が得られるように、設定される(図1
1参照)。また、同様に、マスクにおける第2の仮想直
線L20の間隔D20は、半導体装置における第2の仮
想直線L2の間隔D2において、所望の間隔が得られる
ように、設定される(図11参照)。
れ、かつ、所定のピッチで想定される。第2の仮想直線
L20は、複数本想定され、かつ、所定のピッチで想定
される。なお、第1の仮想直線L10の間隔D10は、
半導体装置における第1の仮想直線L1の間隔D1にお
いて、所望の間隔が得られるように、設定される(図1
1参照)。また、同様に、マスクにおける第2の仮想直
線L20の間隔D20は、半導体装置における第2の仮
想直線L2の間隔D2において、所望の間隔が得られる
ように、設定される(図11参照)。
【0156】なお、第1のマスクデータ200の作成工
程の前に、第2のマスクデータ300の作成工程を行っ
てもよい。
程の前に、第2のマスクデータ300の作成工程を行っ
てもよい。
【0157】(第3のマスクデータの作成)次に、第1
のマスクデータ200と、第2のマスクデータ300と
を合成し、第3のマスクデータ400を作成する。図1
2は、第3のマスクデータの図である。この合成は、た
とえば次のようにして行うことができる。第1のマスク
データ200の斜線領域と、第2のマスクデータのダミ
ーパターン(斜線領域)310との共通部分を抽出す
る。すなわち、制限領域パターン242と重なる、ダミ
ーパターン310を排除する。なお、ここで、制限領域
パターン242と部分的に重なるダミーパターン312
も、完全に排除される。
のマスクデータ200と、第2のマスクデータ300と
を合成し、第3のマスクデータ400を作成する。図1
2は、第3のマスクデータの図である。この合成は、た
とえば次のようにして行うことができる。第1のマスク
データ200の斜線領域と、第2のマスクデータのダミ
ーパターン(斜線領域)310との共通部分を抽出す
る。すなわち、制限領域パターン242と重なる、ダミ
ーパターン310を排除する。なお、ここで、制限領域
パターン242と部分的に重なるダミーパターン312
も、完全に排除される。
【0158】次に、第3のマスクデータ400と、第1
の中間マスクデータ210との論理和をとる。すなわ
ち、第1の中間マスクデータ210の配線パターン(斜
線領域)212を、第3のマスクデータ400に足す。
その結果、図13に示す、第1の配線層およびダミー配
線層を形成するために使用される、マスクデータ500
が得られる。
の中間マスクデータ210との論理和をとる。すなわ
ち、第1の中間マスクデータ210の配線パターン(斜
線領域)212を、第3のマスクデータ400に足す。
その結果、図13に示す、第1の配線層およびダミー配
線層を形成するために使用される、マスクデータ500
が得られる。
【0159】なお、配線層をパターニングする際に、ポ
ジ型のレジストを使用する場合には、マスクデータ50
0の斜線領域は、マスクの遮光部分(たとえばクロムパ
ターン)となる。また、ネガ型のレジストを使用する場
合には、マスクデータ500の斜線領域以外の領域(空
白領域)が、マスクの遮光部分(たとえばクロムパター
ン)となる。
ジ型のレジストを使用する場合には、マスクデータ50
0の斜線領域は、マスクの遮光部分(たとえばクロムパ
ターン)となる。また、ネガ型のレジストを使用する場
合には、マスクデータ500の斜線領域以外の領域(空
白領域)が、マスクの遮光部分(たとえばクロムパター
ン)となる。
【0160】こうして得られたマスクデータ500は、
必要に応じてコンピュータ読み取り可能な記録媒体に記
録することができる。また、このマスクデータ500に
基づいて、第1の配線層およびダミー配線層を形成する
ために使用されるマスクを得ることができる。
必要に応じてコンピュータ読み取り可能な記録媒体に記
録することができる。また、このマスクデータ500に
基づいて、第1の配線層およびダミー配線層を形成する
ために使用されるマスクを得ることができる。
【0161】(作用効果)本実施の形態に係るマスクデ
ータの生成方法においては、ダミーパターン310は、
上述したダミー配線層32の配置パターンに対応したパ
ターンを有している。このため、半導体装置の作用効果
で説明した理由と同様の理由で、制限領域パターン24
2の付近に、ダミーパターン310の配置位置を制御す
ることなく、ダミーパターン310を確実に発生させる
ことができる。すなわち、制限領域パターン310の付
近に、ダミーパターン310を自動発生させることがで
きる。その結果、本発明のマスクデータの生成方法によ
り得られたマスクを用いてダミー配線層を形成する際、
制限領域の付近において、確実にダミー配線層を形成す
ることができる。したがって、層間絶縁層を研磨する
際、制限領域の付近においても、ダミー配線層に、研磨
圧力を確実に分散させることができる。
ータの生成方法においては、ダミーパターン310は、
上述したダミー配線層32の配置パターンに対応したパ
ターンを有している。このため、半導体装置の作用効果
で説明した理由と同様の理由で、制限領域パターン24
2の付近に、ダミーパターン310の配置位置を制御す
ることなく、ダミーパターン310を確実に発生させる
ことができる。すなわち、制限領域パターン310の付
近に、ダミーパターン310を自動発生させることがで
きる。その結果、本発明のマスクデータの生成方法によ
り得られたマスクを用いてダミー配線層を形成する際、
制限領域の付近において、確実にダミー配線層を形成す
ることができる。したがって、層間絶縁層を研磨する
際、制限領域の付近においても、ダミー配線層に、研磨
圧力を確実に分散させることができる。
【0162】また、制限領域パターン242に少なくと
も部分的に重なる、ダミーパターン310は、完全に排
除される。このため、ダミー配線層のパターン飛びが生
じるのを、確実に防止することができる。
も部分的に重なる、ダミーパターン310は、完全に排
除される。このため、ダミー配線層のパターン飛びが生
じるのを、確実に防止することができる。
【0163】また、制限領域パターン242の付近にお
いても、確実にダミーパターン310を設定することが
できる。このため、制限領域パターン242間の間隔が
狭い領域においても、確実にダミーパターン310を設
定することができる。
いても、確実にダミーパターン310を設定することが
できる。このため、制限領域パターン242間の間隔が
狭い領域においても、確実にダミーパターン310を設
定することができる。
【0164】(変形例)本実施の形態においては、第1
のマスクデータ200の生成工程は、第4の中間マスク
データ240を図形的に反転させる工程を含んでいる。
しかし、マスクデータを生成するために使用するソフト
ウエアによっては、第4の中間マスクデータ240を図
形的に反転させる工程を含まなくてよい。
のマスクデータ200の生成工程は、第4の中間マスク
データ240を図形的に反転させる工程を含んでいる。
しかし、マスクデータを生成するために使用するソフト
ウエアによっては、第4の中間マスクデータ240を図
形的に反転させる工程を含まなくてよい。
【0165】[半導体装置の製造方法] (製造プロセス)次に、実施の形態に係る半導体装置の
製造プロセスについて説明する。図14および図15
は、本実施の形態に係る半導体装置の製造工程を模式的
に示す断面図である。
製造プロセスについて説明する。図14および図15
は、本実施の形態に係る半導体装置の製造工程を模式的
に示す断面図である。
【0166】(1)まず、図14(a)を参照しながら
説明する。半導体基板10の表面に、一般的な方法によ
り、半導体素子(たとえばMOSFET)、配線層およ
び素子分離領域(図示せず)を形成する。
説明する。半導体基板10の表面に、一般的な方法によ
り、半導体素子(たとえばMOSFET)、配線層およ
び素子分離領域(図示せず)を形成する。
【0167】次に、半導体基板10上に、第1の層間絶
縁層20を形成する。第1の層間絶縁層20は、後述の
第2の層間絶縁層40と同様にして形成されることがで
きる。第1の層間絶縁層20の膜厚は、特に限定され
ず、たとえば300〜1000nmである。第1の層間
絶縁層20は、必要に応じてCMP法により平坦化され
ることができる。
縁層20を形成する。第1の層間絶縁層20は、後述の
第2の層間絶縁層40と同様にして形成されることがで
きる。第1の層間絶縁層20の膜厚は、特に限定され
ず、たとえば300〜1000nmである。第1の層間
絶縁層20は、必要に応じてCMP法により平坦化され
ることができる。
【0168】次に、第1の層間絶縁層20に、コンタク
トホール(図示せず)を形成する。コンタクトホール
は、たとえば異方性の反応性イオンエッチングにより形
成される。コンタクトホール内に、公知の方法により、
コンタクト層(図示せず)を形成する。コンタクト層
は、たとえば、タングステンプラグ,アルミニウム合金
層からなる。
トホール(図示せず)を形成する。コンタクトホール
は、たとえば異方性の反応性イオンエッチングにより形
成される。コンタクトホール内に、公知の方法により、
コンタクト層(図示せず)を形成する。コンタクト層
は、たとえば、タングステンプラグ,アルミニウム合金
層からなる。
【0169】次に、第1の層間絶縁層20の上に、導電
層36を形成する。導電層36の材質としては、特に限
定されず、たとえばアルミニウムと銅との合金,窒化チ
タン,チタンなどを挙げることができる。導電層36の
形成方法としては、特に限定されず、たとえばスパッタ
リング法を挙げることができる。導電層36の膜厚とし
ては、デバイスの設計により異なるが、たとえば50〜
700nmである。
層36を形成する。導電層36の材質としては、特に限
定されず、たとえばアルミニウムと銅との合金,窒化チ
タン,チタンなどを挙げることができる。導電層36の
形成方法としては、特に限定されず、たとえばスパッタ
リング法を挙げることができる。導電層36の膜厚とし
ては、デバイスの設計により異なるが、たとえば50〜
700nmである。
【0170】次に、導電層36の上に、レジスト層R1
を形成する。
を形成する。
【0171】(2)次に、レジスト層R1を露光・現像
することにより、図14(b)に示すように、レジスト
層R1をパターニングする。レジスト層R1を露光する
際に使用されるマスクは、本発明のマスクデータの生成
方法により得られたマスクデータに基づいて作製され
る。なお、第2のコンタクトホール70の形成領域の上
方は、開口されていない。
することにより、図14(b)に示すように、レジスト
層R1をパターニングする。レジスト層R1を露光する
際に使用されるマスクは、本発明のマスクデータの生成
方法により得られたマスクデータに基づいて作製され
る。なお、第2のコンタクトホール70の形成領域の上
方は、開口されていない。
【0172】(3)次に、図14(c)に示すように、
レジスト層R1をマスクとして、導電層36をエッチン
グし、所定のパターンを有する第1の配線層30と、ダ
ミー配線層32とを形成する。
レジスト層R1をマスクとして、導電層36をエッチン
グし、所定のパターンを有する第1の配線層30と、ダ
ミー配線層32とを形成する。
【0173】次に、図15(a)に示すように、第1の
層間絶縁層20、第1の配線層30およびダミー配線層
32の上に、絶縁層42を形成する。絶縁層42の材質
としては、たとえば酸化シリコンを挙げることができ
る。絶縁層42の材質として酸化シリコンを用いた場合
には、酸化シリコンにリン,ホウ素などを含有してもよ
い。絶縁層42の形成方法としては、たとえばCVD
法,塗布法を挙げることができる。絶縁層42の膜厚と
しては、特に限定されず、たとえば500〜2000n
mである。
層間絶縁層20、第1の配線層30およびダミー配線層
32の上に、絶縁層42を形成する。絶縁層42の材質
としては、たとえば酸化シリコンを挙げることができ
る。絶縁層42の材質として酸化シリコンを用いた場合
には、酸化シリコンにリン,ホウ素などを含有してもよ
い。絶縁層42の形成方法としては、たとえばCVD
法,塗布法を挙げることができる。絶縁層42の膜厚と
しては、特に限定されず、たとえば500〜2000n
mである。
【0174】次に、絶縁層42をCMP法により研磨す
ることにより、絶縁層42を平坦化し、図15(b)に
示すように、第2の層間絶縁層40を形成する。得られ
る第2の層間絶縁層40の膜厚は、デバイスの設計によ
り異なるが、たとえば200〜600nmである。この
絶縁層42の平坦化の際に、次のような作用効果が奏さ
れる。ダミー配線層32は、半導体装置の項で説明した
配置パターンで形成されている。このため、ダミー配線
層32は、制限領域の付近において、確実に形成されて
いる。その結果、この研磨の際において、制限領域の付
近に、ダミー配線層32が確実に形成された分だけ、ダ
ミー配線層32に確実に研磨圧力を分散させることがで
きる。このため、孤立した第1の配線層30に研磨圧力
が集中するのをより抑えることができる。したがって、
孤立した第1の配線層30における絶縁層42が削られ
るのを、より抑制することができる。したがって、より
平坦化された第2の層間絶縁層40を得ることができ
る。
ることにより、絶縁層42を平坦化し、図15(b)に
示すように、第2の層間絶縁層40を形成する。得られ
る第2の層間絶縁層40の膜厚は、デバイスの設計によ
り異なるが、たとえば200〜600nmである。この
絶縁層42の平坦化の際に、次のような作用効果が奏さ
れる。ダミー配線層32は、半導体装置の項で説明した
配置パターンで形成されている。このため、ダミー配線
層32は、制限領域の付近において、確実に形成されて
いる。その結果、この研磨の際において、制限領域の付
近に、ダミー配線層32が確実に形成された分だけ、ダ
ミー配線層32に確実に研磨圧力を分散させることがで
きる。このため、孤立した第1の配線層30に研磨圧力
が集中するのをより抑えることができる。したがって、
孤立した第1の配線層30における絶縁層42が削られ
るのを、より抑制することができる。したがって、より
平坦化された第2の層間絶縁層40を得ることができ
る。
【0175】次に、図2に示すように、第1および第2
の層間絶縁層20,40の所定領域に、フォトリソグラ
フィおよびエッチングにより、第2のコンタクトホール
70を形成する。その後、第2のコンタクトホール70
内に、第2のコンタクト層72を形成する。
の層間絶縁層20,40の所定領域に、フォトリソグラ
フィおよびエッチングにより、第2のコンタクトホール
70を形成する。その後、第2のコンタクトホール70
内に、第2のコンタクト層72を形成する。
【0176】次に、第2の層間絶縁層40の所定領域
に、フォトリソグラフィおよびエッチングにより、第1
のコンタクトホール60を形成する。その後、第1のコ
ンタクトホール60内に、第1のコンタクト層62を形
成する。
に、フォトリソグラフィおよびエッチングにより、第1
のコンタクトホール60を形成する。その後、第1のコ
ンタクトホール60内に、第1のコンタクト層62を形
成する。
【0177】次に、第2の層間絶縁層40の上に導電層
を形成し、その導電層をパターニングすることにより、
第2の配線層50が形成される。こうして、半導体装置
1000が形成される。
を形成し、その導電層をパターニングすることにより、
第2の配線層50が形成される。こうして、半導体装置
1000が形成される。
【0178】(作用効果)以下、本実施の形態に係る半
導体装置の製造方法の作用効果を説明する。
導体装置の製造方法の作用効果を説明する。
【0179】本実施の形態に係る半導体装置の製造方法
においては、ダミー配線層32が、半導体装置の項で説
明した、ダミー配線層32のパターンと同様のパターン
で形成されている。このため、制限領域の付近におい
て、ダミー配線層32が確実に形成されている。その結
果、絶縁層42の研磨の際、孤立した配線層30におけ
る絶縁層42が極端に削られるのを、より抑えることが
できる。したがって、第2の層間絶縁層40の膜厚をよ
り均一にすることができる。
においては、ダミー配線層32が、半導体装置の項で説
明した、ダミー配線層32のパターンと同様のパターン
で形成されている。このため、制限領域の付近におい
て、ダミー配線層32が確実に形成されている。その結
果、絶縁層42の研磨の際、孤立した配線層30におけ
る絶縁層42が極端に削られるのを、より抑えることが
できる。したがって、第2の層間絶縁層40の膜厚をよ
り均一にすることができる。
【0180】[実験例]ダミー配線層の配置パターンの
相違によって、配線実効領域間においてダミー配線層が
形成される具合が、どのように変化するかを調べるため
に実験を行った。
相違によって、配線実効領域間においてダミー配線層が
形成される具合が、どのように変化するかを調べるため
に実験を行った。
【0181】(実施例の条件)以下、実施例の条件を説
明する。
明する。
【0182】(1)実施例においては、ダミー配線層の
配置パターンは、次のルールにしたがった。 (a)第1の仮想直線と行方向とのなす角度は、約1
8.4度とした。 (b)第1の仮想直線間の間隔は、約3.2μmとし
た。 (c)第2の仮想直線と列方向とのなす角度は、約1
8.4度とした。 (d)第2の仮想直線間の間隔は、約3.2μmとし
た。 (e)単位ユニットの全面積に占めるダミー配線層の面
積の割合は、40%とした。 (f)ダミー配線層の平面形状は、正方形とした。 (g)ダミー配線層の平面形状の一辺は、2μmとし
た。 (h)同一の第1の仮想直線上に配置された、隣り合う
ダミー配線層において、対向する辺同士の間隔は、1μ
mとした。 (i)同一の第2の仮想直線上に配置された、隣り合う
ダミー配線層において、対向する辺同士の間隔は、1μ
mとした。 (j)同一の第1の仮想直線上に配置された、隣り合う
ダミー配線層において、互いに列方向にずれた幅は、1
μmとした。 (k)同一の第2の仮想直線上に配置された、隣り合う
ダミー配線層において、互いに行方向にずれた幅は、1
μmとした。 (l)ダミー配線層は、その中心が、第1の仮想直線の
上に位置するように形成されている。 (m)ダミー配線層は、その中心が、第2の仮想直線の
上に位置するように形成されている。 (n)全体的または部分的に制限領域100に重なるダ
ミー配線層(制限領域に接するダミー配線層も含む)
は、完全に排除されている。
配置パターンは、次のルールにしたがった。 (a)第1の仮想直線と行方向とのなす角度は、約1
8.4度とした。 (b)第1の仮想直線間の間隔は、約3.2μmとし
た。 (c)第2の仮想直線と列方向とのなす角度は、約1
8.4度とした。 (d)第2の仮想直線間の間隔は、約3.2μmとし
た。 (e)単位ユニットの全面積に占めるダミー配線層の面
積の割合は、40%とした。 (f)ダミー配線層の平面形状は、正方形とした。 (g)ダミー配線層の平面形状の一辺は、2μmとし
た。 (h)同一の第1の仮想直線上に配置された、隣り合う
ダミー配線層において、対向する辺同士の間隔は、1μ
mとした。 (i)同一の第2の仮想直線上に配置された、隣り合う
ダミー配線層において、対向する辺同士の間隔は、1μ
mとした。 (j)同一の第1の仮想直線上に配置された、隣り合う
ダミー配線層において、互いに列方向にずれた幅は、1
μmとした。 (k)同一の第2の仮想直線上に配置された、隣り合う
ダミー配線層において、互いに行方向にずれた幅は、1
μmとした。 (l)ダミー配線層は、その中心が、第1の仮想直線の
上に位置するように形成されている。 (m)ダミー配線層は、その中心が、第2の仮想直線の
上に位置するように形成されている。 (n)全体的または部分的に制限領域100に重なるダ
ミー配線層(制限領域に接するダミー配線層も含む)
は、完全に排除されている。
【0183】(2)制限領域100は、配線実効領域
(配線層)90と、配線実効領域(配線層)90の周囲
の領域に設定した、禁止区域80とからなる。
(配線層)90と、配線実効領域(配線層)90の周囲
の領域に設定した、禁止区域80とからなる。
【0184】(3)禁止区域80の幅は、1μmとし
た。
た。
【0185】(4)配線実効領域(配線層)90間の間
隔が10μmである領域A10と、配線実効領域(配線
層)90間の間隔が6μmである領域B10を設定し
た。
隔が10μmである領域A10と、配線実効領域(配線
層)90間の間隔が6μmである領域B10を設定し
た。
【0186】(比較例の条件)以下、比較例の条件を説
明する。
明する。
【0187】(1)比較例においては、ダミー配線層を
格子状に配置している。具体的には、ダミー配線層の配
置パターンは、次のルールにしたがった。 (a)行方向に隣り合うダミー配線層間の間隔は、1μ
mとした。 (b)列方向に隣り合うダミー配線層間の間隔は、1μ
mとした。 (c)ダミー配線層の平面形状は、正方形とした。 (d)ダミー配線層の一辺は、2μmとした。 (e)全体的または部分的に制限領域100に重なるダ
ミー配線層(制限領域に接するダミー配線層も含む)
は、完全に排除されている。
格子状に配置している。具体的には、ダミー配線層の配
置パターンは、次のルールにしたがった。 (a)行方向に隣り合うダミー配線層間の間隔は、1μ
mとした。 (b)列方向に隣り合うダミー配線層間の間隔は、1μ
mとした。 (c)ダミー配線層の平面形状は、正方形とした。 (d)ダミー配線層の一辺は、2μmとした。 (e)全体的または部分的に制限領域100に重なるダ
ミー配線層(制限領域に接するダミー配線層も含む)
は、完全に排除されている。
【0188】(2)制限領域100は、配線実効領域9
0と、配線実効領域90の周囲の領域に設定した、禁止
区域80とからなる。
0と、配線実効領域90の周囲の領域に設定した、禁止
区域80とからなる。
【0189】(3)禁止区域80の幅は、1μmであっ
た。
た。
【0190】(4)配線実効領域(配線層)90のパタ
ーンは、実施例と同様のパターンを使用した。なお、実
施例の領域A10に対応する領域をA20として表し、
実施例の領域B10に対応する領域をB20として表
す。
ーンは、実施例と同様のパターンを使用した。なお、実
施例の領域A10に対応する領域をA20として表し、
実施例の領域B10に対応する領域をB20として表
す。
【0191】(結果)この結果を図16および図17に
示す。図16は、実施例に係る配線実効領域(配線層)
およびダミー配線層を示す平面図である。図17は、比
較例に係る配線実効領域(配線層)およびダミー配線層
を示す平面図である。なお、実線で示された正方形は実
際に形成されたダミー配線層を示し、想像線で示された
正方形は排除された架空のダミー配線層を示す。
示す。図16は、実施例に係る配線実効領域(配線層)
およびダミー配線層を示す平面図である。図17は、比
較例に係る配線実効領域(配線層)およびダミー配線層
を示す平面図である。なお、実線で示された正方形は実
際に形成されたダミー配線層を示し、想像線で示された
正方形は排除された架空のダミー配線層を示す。
【0192】比較例においては、領域A20において、
1行分のダミー配線層しか形成されていない。すなわ
ち、制限領域100の付近において、ダミー配線層が形
成されていない。これに対して、実施例においては、領
域A10において、制限領域100の付近にも確実にダ
ミー配線層が形成されている。
1行分のダミー配線層しか形成されていない。すなわ
ち、制限領域100の付近において、ダミー配線層が形
成されていない。これに対して、実施例においては、領
域A10において、制限領域100の付近にも確実にダ
ミー配線層が形成されている。
【0193】また、実施例においては、配線実効領域
(配線層)間の間隔が狭い領域(領域B10)におい
て、ダミー配線層が形成されている。これに対して、比
較例においては、配線実効領域(配線層)間の間隔が狭
い領域(領域B20)において、ダミー配線層が形成さ
れていない。
(配線層)間の間隔が狭い領域(領域B10)におい
て、ダミー配線層が形成されている。これに対して、比
較例においては、配線実効領域(配線層)間の間隔が狭
い領域(領域B20)において、ダミー配線層が形成さ
れていない。
【0194】以上のことから、実施例によれば、比較例
に比べて、制限領域100の付近にダミー配線層をより
確実に形成できることがわかる。
に比べて、制限領域100の付近にダミー配線層をより
確実に形成できることがわかる。
【0195】[変形例]本発明は、上記の実施の形態に
限定されず、本発明の要旨の範囲で種々の変更が可能で
ある。
限定されず、本発明の要旨の範囲で種々の変更が可能で
ある。
【0196】(1)上記の実施の形態においては、ダミ
ー配線層32は、ダミー配線層32の中心が、第1の仮
想直線L1の上に位置するように、形成されていた。し
かし、ダミー配線層32は、ダミー配線層32の中心で
はない他の部分が、第1の仮想直線L1の上に位置する
ように、形成されていてもよい。すなわち、ダミー配線
層32が第1の仮想直線L1上にあればよい。
ー配線層32は、ダミー配線層32の中心が、第1の仮
想直線L1の上に位置するように、形成されていた。し
かし、ダミー配線層32は、ダミー配線層32の中心で
はない他の部分が、第1の仮想直線L1の上に位置する
ように、形成されていてもよい。すなわち、ダミー配線
層32が第1の仮想直線L1上にあればよい。
【0197】(2)上記の実施の形態においては、ダミ
ー配線層32は、ダミー配線層32の中心が、第2の仮
想直線L2の上に位置するように、形成されていた。し
かし、ダミー配線層32は、ダミー配線層32の中心で
はない他の部分が、第2の仮想直線L2の上に位置する
ように、形成されていてもよい。すなわち、ダミー配線
層32が第2の仮想直線L2上にあればよい。
ー配線層32は、ダミー配線層32の中心が、第2の仮
想直線L2の上に位置するように、形成されていた。し
かし、ダミー配線層32は、ダミー配線層32の中心で
はない他の部分が、第2の仮想直線L2の上に位置する
ように、形成されていてもよい。すなわち、ダミー配線
層32が第2の仮想直線L2上にあればよい。
【0198】(3)上記の実施の形態においては、ダミ
ー配線層32を第1層目の層間絶縁層20の上に形成し
た。しかし、これに限定されず、ダミー配線層32を第
2層目以上の層間絶縁層の上に形成してもよい。
ー配線層32を第1層目の層間絶縁層20の上に形成し
た。しかし、これに限定されず、ダミー配線層32を第
2層目以上の層間絶縁層の上に形成してもよい。
【0199】(4)上記の実施の形態においては、第1
の層間絶縁層20および第2の層間絶縁層40に形成す
る第2のコンタクトホール70を配線実効領域とした。
しかし、これに限定されず、複数の層間絶縁層を貫通す
るコンタクトホールについては、前記複数の層間絶縁層
間の配線層において、配線実効領域とすることができ
る。すなわち、ダミー配線層より上のレベルに形成され
た配線層と、ダミー配線より下のレベルに形成された配
線層とを接続するコンタクトホールの形成領域を、その
ダミー配線層が形成されたレベルにおける配線実効領域
とすることができる。
の層間絶縁層20および第2の層間絶縁層40に形成す
る第2のコンタクトホール70を配線実効領域とした。
しかし、これに限定されず、複数の層間絶縁層を貫通す
るコンタクトホールについては、前記複数の層間絶縁層
間の配線層において、配線実効領域とすることができ
る。すなわち、ダミー配線層より上のレベルに形成され
た配線層と、ダミー配線より下のレベルに形成された配
線層とを接続するコンタクトホールの形成領域を、その
ダミー配線層が形成されたレベルにおける配線実効領域
とすることができる。
【図1】半導体装置を模式的に示す平面図である。
【図2】図1におけるA−A線に沿った断面を模式的に
示す断面図である。
示す断面図である。
【図3】第1の配線層が形成されたレベルの平面図であ
る。
る。
【図4】ダミー配線層の配置パターンを説明するための
図である。
図である。
【図5】ダミー配線層の配置パターンの作用効果を説明
するための図である。
するための図である。
【図6】第1のマスクデータの作成工程を示す、中間マ
スクデータの図である。
スクデータの図である。
【図7】第1のマスクデータの作成工程を示す、中間マ
スクデータの図である。
スクデータの図である。
【図8】第1のマスクデータの作成工程を示す、中間マ
スクデータの図である。
スクデータの図である。
【図9】第1のマスクデータの図である。
【図10】第2のマスクデータの図である。
【図11】第2のマスクデータに基づいてマスクを形成
した場合において、マスクのダミーパターンと半導体装
置におけるダミー凸部領域のパターンとの対応関係を示
す図である。
した場合において、マスクのダミーパターンと半導体装
置におけるダミー凸部領域のパターンとの対応関係を示
す図である。
【図12】第3のマスクデータの図である。
【図13】マスクデータの図である。
【図14】半導体装置の製造工程を模式的に示す断面図
である。
である。
【図15】半導体装置の製造工程を模式的に示す断面図
である。
である。
【図16】実施例に係る配線層およびダミー配線層の平
面図である。
面図である。
【図17】比較例に係る配線層およびダミー配線層の平
面図である。
面図である。
【図18】従来の多層配線技術を利用した、多層配線の
形成工程を模式的に示す断面図である。
形成工程を模式的に示す断面図である。
【図19】ダミー配線層を形成した場合における、多層
配線の形成工程を模式的に示す断面図である。
配線の形成工程を模式的に示す断面図である。
10 半導体基板 20 第1の層間絶縁層 30 第1の配線層 32 ダミー配線層 40 第2の層間絶縁層 42 絶縁層 50 第2の配線層 60 第1のコンタクトホール 62 第1のコンタクト層 70 第2のコンタクトホール 72 第2のコンタクト層 80 禁止区域 90 配線実効領域 100 制限領域 200 第1のマスクデータ 210 第1の中間マスクデータ 212 配線パターン 220 第2の中間マスクデータ 222 第2のコンタクトホールパターン 230 第3の中間マスクデータ 232 配線実効領域パターン 240 第4の中間マスクデータ 242 制限領域パターン 244 禁止区域パターン 300 第2のマスクデータ 310 ダミーパターン 400 第3のマスクデータ 500 マスクデータ 1000 半導体装置 D1 第1の仮想直線間の間隔 D2 第2の仮想直線間の間隔 G10,G20 辺同士の間隔 L1 第1の仮想直線 L2 第2の仮想直線 S1,S2,S3,S4 辺 T10 ダミー配線層の一辺の長さ X10 ずれ幅 Y10 ずれ幅 θ1 第1の仮想直線と行方向とのなす角 θ2 第2の仮想直線と列方向とのなす角
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/822 H01L 27/04 D (72)発明者 糟谷 良和 長野県諏訪市大和3丁目3番5号 セイコ ーエプソン株式会社内 Fターム(参考) 2H095 BB01 BB02 5F033 HH09 HH18 HH33 JJ08 JJ11 JJ19 PP15 QQ13 QQ16 QQ37 QQ48 RR04 RR13 RR14 RR15 SS11 SS21 UU04 VV01 WW00 WW01 XX01 5F038 CA18 CD10 5F064 EE15 EE60
Claims (58)
- 【請求項1】 第1の配線層と、 前記第1の配線層と同じレベルに設けられた、複数のダ
ミー配線層とを有し、 行方向と交差する方向に沿って伸びる、第1の仮想直線
を想定すると、 前記第1の仮想直線と前記行方向とのなす角は、2〜4
0度であり、 前記ダミー配線層は、前記第1の仮想直線上に位置する
ように、配置された、半導体装置。 - 【請求項2】 請求項1において、 前記第1の仮想直線間において、所定の間隔が置かれて
いる、半導体装置。 - 【請求項3】 請求項2において、 前記間隔は、1〜16μmである、半導体装置。
- 【請求項4】 請求項1〜3のいずれかにおいて、 前記ダミー配線層は、該ダミー配線層の中心が、前記第
1の仮想直線上に位置するように、配置された、半導体
装置。 - 【請求項5】 第1の配線層と、 前記第1の配線層と同じレベルに設けられた、複数のダ
ミー配線層とを有し、 列方向と交差する方向に沿って伸びる、第2の仮想直線
を想定すると、 前記第2の仮想直線と前記列方向とのなす角は、2〜4
0度であり、 前記ダミー配線層は、前記第2の仮想直線上に位置する
ように、配置された、半導体装置。 - 【請求項6】 請求項1〜4のいずれかにおいて、 さらに、列方向と交差する方向に沿って伸びる、第2の
仮想直線を想定すると、 前記第2の仮想直線と前記列方向とのなす角は、2〜4
0度であり、 前記ダミー配線層は、さらに、前記第2の仮想直線上に
位置するように、配置された、半導体装置。 - 【請求項7】 請求項5または6において、 前記第2の仮想直線間において、所定の間隔が置かれて
いる、半導体装置。 - 【請求項8】 請求項7において、 前記間隔は、1〜16μmである、半導体装置。
- 【請求項9】 請求項5〜8のいずれかにおいて、 前記ダミー配線層は、該ダミー配線層の中心が、前記第
2の仮想直線上に位置するように、配置された、半導体
装置。 - 【請求項10】 請求項1〜9のいずれかにおいて、 平面形状において、単位面積に占める、ダミー配線層の
面積の割合は、30〜50%である、半導体装置。 - 【請求項11】 請求項10において、 前記割合は、約40%である、半導体装置。
- 【請求項12】 請求項1〜11のいずれかにおいて、 前記ダミー配線層の平面形状は、ほぼ方形をなす、半導
体装置。 - 【請求項13】 請求項12において、 前記ダミー配線層の平面形状は、ほぼ正方形をなす、半
導体装置。 - 【請求項14】 請求項12または13において、 前記第1の仮想直線または前記第2の仮想直線上に配置
された、隣り合う前記ダミー配線層は、平面形状におい
て、互いに部分的に対向し合う辺を有する、半導体装
置。 - 【請求項15】 請求項14において、 対向し合う、前記辺同士の間隔は、前記ダミー配線層の
一辺より短い、半導体装置。 - 【請求項16】 請求項14または15において、 対向し合う、前記辺同士の間隔は、0.5〜5μmであ
る、半導体装置。 - 【請求項17】 請求項16において、 前記辺同士の間隔は、約1μmである、半導体装置。
- 【請求項18】 請求項12〜17のいずれかにおい
て、 前記ダミー配線層の一辺の長さは、1μm以上である、
半導体装置。 - 【請求項19】 請求項12〜18のいずれかにおい
て、 前記ダミー配線層の一辺の長さは、10μm以下であ
る、半導体装置。 - 【請求項20】 請求項12〜19のいずれかにおい
て、 前記ダミー配線層の一辺の長さは、約2μmである、半
導体装置。 - 【請求項21】 第1の配線層と、 前記第1の配線層と同じレベルに設けられた、複数のダ
ミー配線層とを有し、 前記ダミー配線層は、平面形状において、ほぼ正方形を
なし、 行方向で隣り合う前記ダミー配線層間の間隔は、該ダミ
ー配線層の一辺の長さの、ほぼ半分であり、 行方向で隣り合う前記ダミー配線層は、互いに列方向に
ずれ、 前記ダミー配線層の列方向にずれた幅は、該ダミー配線
層の一辺の長さの、ほぼ半分である、半導体装置。 - 【請求項22】 第1の配線層と、 前記第1の配線層と同じレベルに設けられた、複数のダ
ミー配線層を有し、 前記ダミー配線層は、平面形状において、ほぼ正方形を
なし、 列方向で隣り合う前記ダミー配線層間の間隔は、該ダミ
ー配線層の一辺の長さの、ほぼ半分であり、 列方向で隣り合う前記ダミー配線層は、互いに行方向に
ずれ、 前記ダミー配線層の行方向にずれた幅は、該ダミー配線
層の一辺の長さの、ほぼ半分である、半導体装置。 - 【請求項23】 請求項21において、 さらに、列方向で隣り合う前記ダミー配線層間の間隔
は、該ダミー配線層の一辺の長さの、ほぼ半分であり、 列方向で隣り合う前記ダミー配線層は、互いに行方向に
ずれ、 前記ダミー配線層の行方向にずれた幅は、該ダミー配線
層の一辺の長さの、ほぼ半分である、半導体装置。 - 【請求項24】 請求項21〜23のいずれかにおい
て、 前記ダミー配線層の一辺の長さは、約2μmである、半
導体装置。 - 【請求項25】 請求項1〜24のいずれかにおいて、 前記半導体装置は、さらに、制限領域を有し、 前記制限領域に少なくとも部分的に重なることになるダ
ミー配線層は、完全に排除されている、半導体装置。 - 【請求項26】 請求項25において、 前記制限領域は、配線実効領域と、該配線実効領域の周
囲に設定された禁止区域とを含む、半導体装置。 - 【請求項27】 請求項26において、 前記配線実効領域は、前記第1の配線層の形成領域を含
む、半導体装置。 - 【請求項28】 請求項26または27において、 前記半導体装置は、前記第1の配線層より上のレベルに
形成された第2の配線層と、前記第1の配線層より下の
レベルに形成された第3の配線層とを有し、 前記配線実効領域は、さらに、前記第2の配線層と、前
記第3の配線層とを接続するためのコンタクトホールが
形成される領域を含む、半導体装置。 - 【請求項29】 請求項26〜28のいずれかにおい
て、 前記禁止区域の幅は、0.5〜100μmである、半導
体装置。 - 【請求項30】 請求項26〜28のいずれかにおい
て、 前記禁止区域の幅は、0.5〜20μmである、半導体
装置。 - 【請求項31】 第1の配線層を形成する工程を含む、
半導体装置の製造方法であって、 前記第1の配線層を形成する工程において、複数のダミ
ー配線層が形成され、 行方向と交差する方向に沿って伸びる、第1の仮想直線
を想定すると、 前記第1の仮想直線と前記行方向とのなす角は、2〜4
0度であり、 前記ダミー配線層は、前記第1の仮想直線上に位置する
ように、配置された、半導体装置の製造方法。 - 【請求項32】 第1の配線層を形成する工程を含む、
半導体装置の製造方法であって、 前記第1の配線層を形成する工程において、複数のダミ
ー配線層が形成され、 列方向と交差する方向に沿って伸びる、第2の仮想直線
を想定すると、 前記第2の仮想直線と前記列方向とのなす角は、2〜4
0度であり、 前記ダミー配線層は、前記第2の仮想直線上に位置する
ように、配置された、半導体装置の製造方法。 - 【請求項33】 請求項31において、 さらに、列方向と交差する方向に沿って伸びる、第2の
仮想直線を想定すると、 前記第2の仮想直線と前記列方向とのなす角は、2〜4
0度であり、 前記ダミー配線層は、前記第2の仮想直線上に位置する
ように、配置された、半導体装置の製造方法。 - 【請求項34】 第1の配線層を形成する工程を含む、
半導体装置の製造方法であって、 前記第1の配線層を形成する工程において、複数のダミ
ー配線層が形成され、 前記ダミー配線層は、平面形状において、ほぼ正方形を
なし、 行方向で隣り合う前記ダミー配線層間の間隔は、該ダミ
ー配線層の一辺の長さの、ほぼ半分であり、 行方向で隣り合う前記ダミー配線層は、互いに列方向に
ずれ、 前記ダミー配線層の列方向にずれた幅は、該ダミー配線
層の一辺の長さの、ほぼ半分である、半導体装置の製造
方法。 - 【請求項35】 第1の配線層を形成する工程を含む、
半導体装置の製造方法であって、 前記第1の配線層を形成する工程において、複数のダミ
ー配線層が形成され、 前記ダミー配線層は、平面形状において、ほぼ正方形を
なし、 列方向で隣り合う前記ダミー配線層間の間隔は、該ダミ
ー配線層の一辺の長さの、ほぼ半分であり、 列方向で隣り合う前記ダミー配線層は、互いに行方向に
ずれ、 前記ダミー配線層の行方向にずれた幅は、該ダミー配線
層の一辺の長さの、ほぼ半分である、半導体装置の製造
方法。 - 【請求項36】 請求項34において、 さらに、列方向で隣り合う前記ダミー配線層間の間隔
は、該ダミー配線層の一辺の長さの、ほぼ半分であり、 列方向で隣り合う前記ダミー配線層は、互いに行方向に
ずれ、 前記ダミー配線層の行方向にずれた幅は、該ダミー配線
層の一辺の長さの、ほぼ半分である、半導体装置の製造
方法。 - 【請求項37】 請求項25〜30にいずれかに記載の
半導体装置を製造する際に適用されるマスクデータの生
成方法であって、 以下の工程(a)〜(c)を含む、マスクデータの生成
方法。 (a)前記制限領域を規定する制限領域パターンを設定
する工程、 (b)前記ダミー配線層を規定するダミーパターンを設
定する工程、(c)前記制限領域パターンと前記ダミー
パターンとを合成する工程であって、 前記制限領域パターンに少なくとも部分的に重なる、前
記ダミーパターンは、完全に排除される。 - 【請求項38】 半導体装置の製造方法に適用されるマ
スクデータの生成方法であって、 前記半導体装置は、第1の配線層と、 前記第1の配線層と同じレベルに設けられた、複数のダ
ミー配線層と、を有し、 前記ダミー配線層の配置は、以下の工程(a)〜(c)
を含む方法により決定される、マスクデータの生成方
法。 (a)制限領域を規定する制限領域パターンを設定する
工程、(b)前記ダミー配線層を規定するダミーパター
ンを設定する工程であって、 行方向と交差する方向に沿って伸びる、第1の仮想直線
を想定すると、 前記第1の仮想直線と前記行方向とのなす角は、2〜4
0度であり、 前記ダミーパターンは、前記第1の仮想直線上に位置す
るように、配置され、(c)前記制限領域パターンと前
記ダミーパターンとを合成する工程であって、 前記制限領域パターンに少なくとも部分的に重なる、前
記ダミーパターンは、完全に排除される。 - 【請求項39】 半導体装置の製造方法に適用されるマ
スクデータの生成方法であって、 前記半導体装置は、第1の配線層と、 前記第1の配線層と同じレベルに設けられた、複数のダ
ミー配線層と、を有し、 前記ダミー配線層の配置は、以下の工程(a)〜(c)
を含む方法により決定される、マスクデータの生成方
法。 (a)制限領域を規定する制限領域パターンを設定する
工程、(b)前記ダミー配線層を規定するダミーパター
ンを設定する工程であって、 列方向と交差する方向に沿って伸びる、第2の仮想直線
を想定すると、 前記第2の仮想直線と前記列方向とのなす角は、2〜4
0度であり、 前記ダミーパターンは、前記第2の仮想直線上に位置す
るように、配置され、(c)前記制限領域パターンと前
記ダミーパターンとを合成する工程であって、 前記制限領域パターンに少なくとも部分的に重なる、前
記ダミーパターンは、完全に排除される。 - 【請求項40】 請求項38において、 前記工程(b)において、さらに、列方向と交差する方
向に沿って伸びる、第2の仮想直線を想定すると、 前記第2の仮想直線と前記列方向とのなす角は、2〜4
0度であり、 前記ダミーパターンは、さらに、前記第2の仮想直線上
に位置するように、配置されている、マスクデータの生
成方法。 - 【請求項41】 半導体装置の製造方法に適用されるマ
スクデータの生成方法であって、 前記半導体装置は、第1の配線層と、 前記第1の配線層と同じレベルに設けられた、複数のダ
ミー配線層と、を有し、 前記ダミー配線層の配置は、以下の工程(a)〜(c)
を含む方法により決定される、マスクデータの生成方
法。 (a)制限領域を規定する制限領域パターンを設定する
工程、(b)前記ダミー配線層を規定するダミーパター
ンを設定する工程であって、 前記ダミーパターンは、平面形状において、ほぼ正方形
をなし、 行方向で隣り合う前記ダミーパターン間の間隔は、該ダ
ミーパターンの一辺の長さの、ほぼ半分であり、 行方向で隣り合う前記ダミーパターンは、互いに列方向
にずれ、 前記ダミーパターンの列方向にずれた幅は、該ダミーパ
ターンの一辺の長さの、ほぼ半分であり、(c)前記制
限領域パターンと前記ダミーパターンとを合成する工程
であって、 前記制限領域パターンに少なくとも部分的に重なる、前
記ダミーパターンは、完全に排除される。 - 【請求項42】 半導体装置の製造方法に適用されるマ
スクデータの生成方法であって、 前記半導体装置は、第1の配線層と、 前記第1の配線層と同じレベルに設けられた、複数のダ
ミー配線層と、を有し、 前記ダミー配線層の配置は、以下の工程(a)〜(c)
を含む方法により決定される、マスクデータの生成方
法。 (a)制限領域を規定する制限領域パターンを設定する
工程、(b)前記ダミー配線層を規定するダミーパター
ンを設定する工程であって、 前記ダミーパターンは、平面形状において、ほぼ正方形
をなし、 列方向で隣り合う前記ダミーパターン間の間隔は、該ダ
ミーパターンの一辺の長さの、ほぼ半分であり、 列方向で隣り合う前記ダミーパターンは、互いに行方向
にずれ、 前記ダミーパターンの行方向にずれた幅は、該ダミーパ
ターンの一辺の長さの、ほぼ半分であり、(c)前記制
限領域パターンと前記ダミーパターンとを合成する工程
であって、 前記制限領域パターンに少なくとも部分的に重なる、前
記ダミーパターンは、完全に排除される。 - 【請求項43】 請求項41において、 さらに、列方向で隣り合う前記ダミーパターン間の間隔
は、該ダミーパターンの一辺の長さの、ほぼ半分であ
り、 列方向で隣り合う前記ダミーパターンは、互いに行方向
にずれ、 前記ダミーパターンの行方向にずれた幅は、該ダミーパ
ターンの一辺の長さの、ほぼ半分である、マスクデータ
の生成方法。 - 【請求項44】 請求項38〜43のいずれかにおい
て、 前記制限領域は、配線実効領域と、該配線実効領域の周
囲に設定された禁止区域とを有し、 前記工程(a)は、前記配線実効領域を規定する配線実
効領域パターンを設定する工程(a−1)、該配線実効
領域パターンの周囲に、前記禁止区域を規定する禁止区
域パターンを設定する工程(a−2)を含む、マスクデ
ータの生成方法。 - 【請求項45】 請求項44において、 前記配線実効領域パターンは、配線パターンを含む、マ
スクデータの生成方法。 - 【請求項46】 請求項44または45において、 前記半導体装置は、前記第1の配線層より上のレベルに
形成された第2の配線層と、前記第1の配線層より下の
レベルに形成された第3の配線層とを有し、 前記配線実効領域パターンは、前記第2の配線層と、前
記第3の配線層とを接続するためのコンタクトホールパ
ターンを含む、マスクデータの生成方法。 - 【請求項47】 半導体装置の製造方法に適用されるマ
スクデータの生成方法であって、 前記半導体装置は、第1の配線層と、 前記第1の配線層と同じレベルに設けられた、複数のダ
ミー配線層とを有し、 行方向と交差する方向に沿って伸びる、第1の仮想直線
を想定すると、 前記第1の仮想直線と前記行方向とのなす角は、2〜4
0度であり、 前記ダミー配線層は、前記第1の仮想直線上に位置する
ように、配置され、 以下の工程(a)〜(c)を含む、マスクデータの生成
方法。 (a)制限領域を規定する制限領域パターンを設定する
工程、(b)前記ダミー配線層を規定するダミーパター
ンを設定する工程、(c)前記制限領域パターンと前記
ダミーパターンとを合成する工程であって、 前記制限領域パターンに少なくとも部分的に重なる、前
記ダミーパターンは、完全に排除される。 - 【請求項48】 半導体装置の製造方法に適用されるマ
スクデータの生成方法であって、 前記半導体装置は、第1の配線層と、 前記第1の配線層と同じレベルに設けられた、複数のダ
ミー配線層とを有し、 列方向と交差する方向に沿って伸びる、第2の仮想直線
を想定すると、 前記第2の仮想直線と前記列方向とのなす角は、2〜4
0度であり、 前記ダミー配線層は、前記第2の仮想直線上に位置する
ように、配置され、 以下の工程(a)〜(c)を含む、マスクデータの生成
方法。 (a)制限領域を規定する制限領域パターンを設定する
工程、(b)前記ダミー配線層を規定するダミーパター
ンを設定する工程、(c)前記制限領域パターンと前記
ダミーパターンとを合成する工程であって、 前記制限領域パターンに少なくとも部分的に重なる、前
記ダミーパターンは、完全に排除される。 - 【請求項49】 請求項47において、 さらに、列方向と交差する方向に沿って伸びる、第2の
仮想直線を想定すると、 前記第2の仮想直線と前記列方向とのなす角は、2〜4
0度であり、 前記ダミー配線層は、さらに、前記第2の仮想直線上に
位置するように、配置された、マスクデータの生成方
法。 - 【請求項50】 半導体装置の製造方法に適用されるマ
スクデータの生成方法であって、 前記半導体装置は、第1の配線層と、 前記第1の配線層と同じレベルに設けられた、複数のダ
ミー配線層とを有し、 前記ダミー配線層は、平面形状において、ほぼ正方形を
なし、 行方向で隣り合う前記ダミー配線層間の間隔は、該ダミ
ー配線層の一辺の長さの、ほぼ半分であり、 行方向で隣り合う前記ダミー配線層は、互いに列方向に
ずれ、 前記ダミー配線層の列方向にずれた幅は、該ダミー配線
層の一辺の長さの、ほぼ半分であり、 以下の工程(a)〜(c)を含む、マスクデータの生成
方法。 (a)制限領域を規定する制限領域パターンを設定する
工程、(b)前記ダミー配線層を規定するダミーパター
ンを設定する工程、(c)前記制限領域パターンと前記
ダミーパターンとを合成する工程であって、 前記制限領域パターンに少なくとも部分的に重なる、前
記ダミーパターンは、完全に排除される。 - 【請求項51】 半導体装置の製造方法に適用されるマ
スクデータの生成方法であって、 前記半導体装置は、第1の配線層と、 前記第1の配線層と同じレベルに設けられた、複数のダ
ミー配線層を有し、 前記ダミー配線層は、平面形状において、ほぼ正方形を
なし、 列方向で隣り合う前記ダミー配線層間の間隔は、該ダミ
ー配線層の一辺の長さの、ほぼ半分であり、 列方向で隣り合う前記ダミー配線層は、互いに行方向に
ずれ、 前記ダミー配線層の行方向にずれた幅は、該ダミー配線
層の一辺の長さの、ほぼ半分であり、 以下の工程(a)〜(c)を含む、マスクデータの生成
方法。 (a)制限領域を規定する制限領域パターンを設定する
工程、(b)前記ダミー配線層を規定するダミーパター
ンを設定する工程、(c)前記制限領域パターンと前記
ダミーパターンとを合成する工程であって、 前記制限領域パターンに少なくとも部分的に重なる、前
記ダミーパターンは、完全に排除される。 - 【請求項52】 請求項50において、 さらに、列方向で隣り合う前記ダミー配線層間の間隔
は、該ダミー配線層の一辺の長さの、ほぼ半分であり、 列方向で隣り合う前記ダミー配線層は、互いに行方向に
ずれ、 前記ダミー配線層の行方向にずれた幅は、該ダミー配線
層の一辺の長さの、ほぼ半分である、マスクデータの生
成方法。 - 【請求項53】 請求項47〜52のいずれかにおい
て、 前記制限領域は、配線実効領域と、該配線実効領域の周
囲に設定された禁止区域とを含む、マスクデータの生成
方法。 - 【請求項54】 請求項53において、 前記配線実効領域は、前記第1の配線層の形成領域を含
む、マスクデータの生成方法。 - 【請求項55】 請求項53または54において、 前記半導体装置は、前記第1の配線層より上のレベルに
形成された第2の配線層と、前記第1の配線層より下の
レベルに形成された第3の配線層とを有し、 前記配線実効領域は、さらに、前記第2の配線層と、前
記第3の配線層とを接続するためのコンタクトホールが
形成される領域を含む、マスクデータの生成方法。 - 【請求項56】 請求項37〜55のいずれかにおい
て、 前記工程(c)の前に、さらに、前記制限領域パターン
を反転させる工程(d)を含む、マスクデータの生成方
法。 - 【請求項57】 請求項37〜56のいずれかに記載の
マスクデータの生成方法により得られた、マスク。 - 【請求項58】 請求項37〜56のいずれかに記載の
マスクデータの生成方法により得られたマスクデータを
記録した、コンピュータ読み取り可能な記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000076819A JP2001267322A (ja) | 2000-03-17 | 2000-03-17 | 半導体装置およびその製造方法ならびにマスクデータの生成方法、マスクおよびコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000076819A JP2001267322A (ja) | 2000-03-17 | 2000-03-17 | 半導体装置およびその製造方法ならびにマスクデータの生成方法、マスクおよびコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001267322A true JP2001267322A (ja) | 2001-09-28 |
Family
ID=18594497
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000076819A Withdrawn JP2001267322A (ja) | 2000-03-17 | 2000-03-17 | 半導体装置およびその製造方法ならびにマスクデータの生成方法、マスクおよびコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001267322A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6992392B2 (en) | 2001-08-23 | 2006-01-31 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US7007265B2 (en) | 2001-09-07 | 2006-02-28 | Seiko Epson Corporation | Method for generating mask data, masks, recording media, and method for manufacturing semiconductor devices |
US7737558B2 (en) | 2007-03-12 | 2010-06-15 | Nec Electronics Corporation | Semiconductor device with a high-frequency interconnect |
JP2012033840A (ja) * | 2010-08-03 | 2012-02-16 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2012043229A (ja) * | 2010-08-19 | 2012-03-01 | Fujitsu Ltd | ダミーメタル配置評価装置、ダミーメタル配置評価方法及びダミーメタル配置評価プログラム |
-
2000
- 2000-03-17 JP JP2000076819A patent/JP2001267322A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6992392B2 (en) | 2001-08-23 | 2006-01-31 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US7007265B2 (en) | 2001-09-07 | 2006-02-28 | Seiko Epson Corporation | Method for generating mask data, masks, recording media, and method for manufacturing semiconductor devices |
US7737558B2 (en) | 2007-03-12 | 2010-06-15 | Nec Electronics Corporation | Semiconductor device with a high-frequency interconnect |
JP2012033840A (ja) * | 2010-08-03 | 2012-02-16 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2012043229A (ja) * | 2010-08-19 | 2012-03-01 | Fujitsu Ltd | ダミーメタル配置評価装置、ダミーメタル配置評価方法及びダミーメタル配置評価プログラム |
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