JP2001267322A

JP2001267322A - 半導体装置およびその製造方法ならびにマスクデータの生成方法、マスクおよびコンピュータ読み取り可能な記録媒体

Info

Publication number: JP2001267322A
Application number: JP2000076819A
Authority: JP
Inventors: Katsumi Mori; 克己森; Takashi Kawahara; 敬川原; Yoshikazu Kasuya; 良和糟谷
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2000-03-17
Filing date: 2000-03-17
Publication date: 2001-09-28

Abstract

(57)【要約】【課題】ダミー配線層が所定のパターンで形成された
半導体装置およびその製造方法ならびにマスクデータの
生成方法、マスクおよびコンピュータ読み取り可能な記
録媒体を提供する。【解決手段】半導体装置は、第１の配線層３０と、第
１の配線層３０と同じレベルに設けられた、複数のダミ
ー配線層３２とを有する。行方向と交差する方向に沿っ
て伸びる、第１の仮想直線Ｌ１を想定すると、第１の仮
想直線Ｌ１と行方向とのなす角は、２〜４０度であり、
ダミー配線層３２は、第１の仮想直線Ｌ１上に位置する
ように、配置されている。また、列方向と交差する方向
に沿って伸びる、第２の仮想直線Ｌ２を想定すると、第
２の仮想直線Ｌ２と列方向とのなす角は、２〜４０度で
あり、ダミー配線層３２は、第２の仮想直線Ｌ２上に位
置するように、配置されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置および
その製造方法ならびにマスクデータの生成方法、マスク
およびコンピュータ読み取り可能な記録媒体に関し、特
に多層配線を有する半導体装置およびその製造方法なら
びにマスクデータの生成方法、マスクおよびコンピュー
タ読み取り可能な記録媒体に関する。

【０００２】

【背景技術】現在、半導体装置においては、高集積化お
よび微細化を図ることを目的として、配線層を多層にわ
たって形成している。配線層の多層化は、たとえば次の
ようにして行われる。第１の配線層の上に層間絶縁層を
形成し、その層間絶縁層を化学的機械的研磨法（以下
「ＣＭＰ法」という）により研磨する。そして、その層
間絶縁層の上にさらに第２の配線層を形成することによ
り、配線層の多層化を図ることができる。

【０００３】ところで、半導体装置の設計上、図１８に
示すように、第１の層間絶縁層１２０の上に、密に形成
された第１の配線層１３０ａと、孤立した第１の配線層
１３０ｂとが形成される場合がある。そして、これらの
第１の配線層１３０ａ，１３０ｂの上に、第２の層間絶
縁層１４０を介して第２の配線層１５０を形成すること
がある。このような場合、たとえば次の問題が生じる。

【０００４】ＣＭＰ法で第２の層間絶縁層１４０を研磨
すると、密に形成された第１の配線層１３０ａにおける
第２の層間絶縁層１４０と、孤立した第１の配線層１３
０ｂにおける第２の層間絶縁層１４０の間において、段
差が生じてしまう。すなわち、孤立した第１の配線層１
３０ｂにおける第２の層間絶縁層１４０が、密に形成さ
れた第１の配線層１３０ａにおける第２の層間絶縁層１
４０に比べて、極端に研磨されてしまう。この現象は、
配線層のパターン密度により、研磨レートが相違するこ
とから生じる。つまり、孤立した第１の配線層１３０ｂ
における第２の層間絶縁層１４０には、研磨圧力が集中
してしまう。その結果、孤立した第１の配線層１３０ｂ
における第２の層間絶縁層１４０の研磨レートが、密に
形成された第１の配線層１３０ａにおける第２の層間絶
縁層１４０の研磨レートに比べて速くなってしまう。こ
のため、孤立した第１の配線層１３０ｂにおける第２の
層間絶縁層１４０の研磨が、過剰に進んでしまうことに
なる。

【０００５】このように、孤立した第１の配線層１３０
ｂにおける第２の層間絶縁層１４０が極端に研磨される
と、たとえば、第２の層間絶縁層１４０の膜厚がばらつ
くなどの不具合が生じる。第２の層間絶縁層１４０の膜
厚がばらつくと、たとえば、その層間絶縁層１４０の上
に形成される第２の配線層１５０において、段差が生じ
てしまう。第２の配線層１５０に段差が生じると、第２
の配線層１５０をフォトリソグラフィーにてパターニン
グする際、場所によってパターンの光学焦点がずれてし
まい、パターンが形成されなかったり、形成されても所
望の寸法形状が得られないといった問題が生じる。

【０００６】以上の問題を解決するため、密に形成され
た第１の配線層１３０ａと孤立した第１の配線層１３０
ｂとの間に、図１９に示すように、ダミー配線層１３２
を設ける技術が提案されている。

【０００７】ダミー配線層１３２を形成した技術は、特
開平４−２１８９１８号公報、特開平１０−３３５３３
３号公報、米国特許第４，９１６，５１４号、米国特許
第５，５５６，８０５号、米国特許第５，５９７，６６
８号、米国特許第５，７９０，４１７号および米国特許
第５，７９８，２９８号において、開示されている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、ダミ
ー配線層が所定のパターンで形成された半導体装置およ
びその製造方法ならびにマスクデータの生成方法、マス
クおよびコンピュータ読み取り可能な記録媒体を提供す
ることにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】（半導体装置）（Ａ）本発明の第１の半導体装置は、第１の配線層と、
前記第１の配線層と同じレベルに設けられた、複数のダ
ミー配線層とを有し、行方向と交差する方向に沿って伸
びる、第１の仮想直線を想定すると、前記第１の仮想直
線と前記行方向とのなす角は、２〜４０度であり、前記
ダミー配線層は、前記第１の仮想直線上に位置するよう
に、配置されている。

【００１０】ここで、「行方向」とは、たとえば、制限
領域を考慮して想定される、一の方向である。

【００１１】本発明の第１の半導体装置によれば、ダミ
ー配線層は、第１の仮想直線上に位置するように形成さ
れている。この第１の仮想直線と行方向とのなす角は、
２〜４０度である。つまり、同一の第１の仮想直線上に
あって、行方向に隣り合うダミー配線層は、互いに列方
向にずれて形成されている。このため、行方向に伸びる
制限領域の付近においても、ダミー配線層を密に形成す
ることが、容易となる。つまり、制限領域内に、あるダ
ミー配線層が重なる場合でも、制限領域の付近におい
て、他のダミー配線層が、確実に配置される。その結
果、第１の配線層の上に形成された絶縁層を研磨する
際、制限領域の付近においても、ダミー配線層に、研磨
圧力を確実に分散させることができる。

【００１２】また、制限領域の付近においても、確実に
ダミー配線層を配置することができるため、第１の配線
層間の間隔が狭い領域においても、確実にダミー配線層
を配置することができる。

【００１３】本発明の第１の半導体装置は、前記第１の
仮想直線間において、所定の間隔が置かれていることが
好ましい。前記間隔は、１〜１６μｍであることが好ま
しい。

【００１４】前記ダミー配線層は、該ダミー配線層の中
心が、前記第１の仮想直線上に位置するように、配置さ
れていることが好ましい。

【００１５】（Ｂ）本発明の第２の半導体装置は、第１
の配線層と、前記第１の配線層と同じレベルに設けられ
た、複数のダミー配線層とを有し、列方向と交差する方
向に沿って伸びる、第２の仮想直線を想定すると、前記
第２の仮想直線と前記列方向とのなす角は、２〜４０度
であり、前記ダミー配線層は、前記第２の仮想直線上に
位置するように、配置されている。

【００１６】ここで、「列方向」とは、行方向と直交す
る方向であり、たとえば、制限領域を考慮して想定され
る、一の方向である。

【００１７】本発明の第２の半導体装置によれば、ダミ
ー配線層は、第２の仮想直線上に位置するように形成さ
れている。この第２の仮想直線と列方向とのなす角は、
２〜４０度である。つまり、同一の第２の仮想直線上に
あって、列方向に隣り合うダミー配線層は、互いに行方
向にずれて形成されている。このため、列方向に伸びる
制限領域の付近においても、ダミー配線層を密に形成す
ることが、容易となる。つまり、制限領域内に、あるダ
ミー配線層が重なる場合でも、制限領域の付近におい
て、他のダミー配線層が、確実に配置される。その結
果、第１の配線層の上に形成された絶縁層を研磨する
際、制限領域の付近においても、ダミー配線層に、研磨
圧力を確実に分散させることができる。

【００１８】また、制限領域の付近においても、確実に
ダミー配線層を配置することができるため、ダミー配線
層間の間隔が狭い領域においても、確実にダミー配線層
を配置することができる。

【００１９】また、上述の、本発明の第１の半導体装置
と、本発明の第２の半導体装置とを組み合わせた態様で
あってもよい。このように組み合わせた態様を有する半
導体装置によれば、制限領域の付近において、より確実
にダミー配線層を形成することができる。

【００２０】本発明の第２の半導体装置は、前記第２の
仮想直線間において、所定の間隔が置かれていることが
好ましい。前記間隔は、１〜１６μｍであることが好ま
しい。

【００２１】前記ダミー配線層は、該ダミー配線層の中
心が、前記第２の仮想直線上に位置するように、配置さ
れていることが好ましい。

【００２２】本発明の第１および第２の半導体装置にお
いて、ダミー配線層は、次の態様のうち、少なくともい
ずれかの態様をとることができる。

【００２３】（１）平面形状において、単位面積に占め
る、ダミー配線層の面積の割合は、３０〜５０％である
態様である。この割合が３０〜５０％の範囲内にあるこ
とで、ダミー配線層に研磨圧力を、より効果的に分散さ
せることができる。さらに、前記割合は、約４０％であ
ることが好ましい。

【００２４】（２）前記ダミー配線層の平面形状は、ほ
ぼ方形をなす態様である。その形状が、ほぼ方形をなす
ことで、ダミー配線層の形成が容易となる。前記ダミー
配線層の平面形状は、ほぼ正方形をなすことが好まし
い。前記ダミー配線層の平面形状が、ほぼ正方形である
ことにより、より密に、ダミー配線層を形成することが
できる。たとえば、制限領域が直交するような場所の付
近においても、より確実にダミー配線層を形成すること
ができる。すなわち、複雑なパターンで形成された制限
領域（たとえば、複雑なパターンで形成された第１の配
線層の周囲の禁止区域）の付近においても、より効果的
にダミー配線層を形成することができる。

【００２５】（３）ダミー配線層の平面形状が方形の場
合に、前記第１の仮想直線または前記第２の仮想直線上
に配置された、隣り合う前記ダミー配線層は、平面形状
において、互いに部分的に対向し合う辺を有する態様で
ある。対向し合う、前記辺同士の間隔は、前記ダミー配
線層の一辺より短いことが好ましい。または、対向し合
う、前記辺同士の間隔は、好ましくは０．５〜５μｍ、
より好ましくは、約１μｍである。

【００２６】（４）ダミー配線層の平面形状が方形の場
合に、前記ダミー配線層の一辺の長さは、１μｍ以上で
ある態様であることが好ましい。ダミー配線層の一辺の
長さが１μｍ以上であることにより、ダミー配線層を発
生させるためのマスクを作成する際において、マスク作
成データ量が増大するのを抑えることができる。

【００２７】そして、前記ダミー配線層の一辺の長さ
は、１０μｍ以下である態様であることが好ましい。配
線層と配線層との間隔が１０μｍより広くなると、層間
絶縁層は段差が生じ易くなる。ダミー配線層の一辺の長
さを１０μｍ以下とすることにより、１０μｍよりも広
い間隔を持った配線層間には、ダミー配線層が形成され
るため、層間絶縁層の段差解消に効果的である。さらに
好ましくは、前記ダミー配線層の一辺の長さは、約２μ
ｍである。

【００２８】（Ｃ）本発明の第３の半導体装置は、第１
の配線層と、前記第１の配線層と同じレベルに設けられ
た、複数のダミー配線層とを有し、前記ダミー配線層
は、平面形状において、ほぼ正方形をなし、行方向で隣
り合う前記ダミー配線層間の間隔は、該ダミー配線層の
一辺の長さの、ほぼ半分であり、行方向で隣り合う前記
ダミー配線層は、互いに列方向にずれ、前記ダミー配線
層の列方向にずれた幅は、該ダミー配線層の一辺の長さ
の、ほぼ半分である。

【００２９】ここで、「行方向」および「列方向」は、
本発明の第１および第２の半導体装置の項で説明したも
のと同様である。

【００３０】本発明の第３の半導体装置によれば、行方
向で隣り合う前記ダミー配線層は、互いに列方向にずれ
ている。このため、本発明の第３の半導体装置は、本発
明の第１の半導体装置と同様の作用効果を奏することが
できる。

【００３１】（Ｄ）本発明の第４の半導体装置は、第１
の配線層と、前記第１の配線層と同じレベルに設けられ
た、複数のダミー配線層を有し、前記ダミー配線層は、
平面形状において、ほぼ正方形をなし、列方向で隣り合
う前記ダミー配線層間の間隔は、該ダミー配線層の一辺
の長さの、ほぼ半分であり、列方向で隣り合う前記ダミ
ー配線層は、互いに行方向にずれ、前記ダミー配線層の
行方向にずれた幅は、該ダミー配線層の一辺の長さの、
ほぼ半分である。

【００３２】ここで、「行方向」および「列方向」は、
本発明の第１および第２の半導体装置の項で説明したも
のと同様である。

【００３３】本発明の第４の半導体装置によれば、列方
向で隣り合う前記ダミー配線層は、互いに行方向にずれ
ている。このため、本発明の第４の半導体装置は、本発
明の第２の半導体装置と同様の作用効果を奏することが
できる。

【００３４】また、上述の、本発明の第３の半導体装置
と、本発明の第４の半導体装置とを組み合わせた態様で
あってもよい。このように組み合わせた態様を有する半
導体装置によれば、制限領域の付近において、より確実
にダミー配線層を形成することができる。

【００３５】本発明の第３および第４の半導体装置にお
いて、前記ダミー配線層の一辺の長さは、約２μｍであ
ることが好ましい。

【００３６】本発明の第１〜第４の半導体装置は、さら
に、制限領域を有し、前記制限領域に少なくとも部分的
に重なることになるダミー配線層は、完全に形成されて
いない態様であるが好ましい。これによれば、ダミー配
線層のパターン飛びが生じるのを、確実に防止すること
ができる。前記制限領域は、たとえば、配線実効領域
と、該配線実効領域の周囲に設定された禁止区域とを含
むことができる。

【００３７】前記配線実効領域は、たとえば、前記第１
の配線層の形成領域を含むことができる。また、前記半
導体装置が、前記第１の配線層より上のレベルに形成さ
れた第２の配線層と、前記第１の配線層より下のレベル
に形成された第３の配線層とを有し、さらに、前記第２
の配線層と、前記第３の配線層とを接続するためのコン
タクトホールが形成される場合には、前記配線実効領域
は、前記コンタクトホールが形成される領域を含むこと
が好ましい。ここで、第３の配線層とは、半導体基板内
に形成された拡散層、半導体基板の表面上に形成された
配線層または層間絶縁層の上に形成された配線層をい
う。

【００３８】前記禁止区域の幅は、回路設計などを考慮
して規定され、たとえば０．５〜１００μｍである。さ
らに、素子において、配線層を用いたインダクタなど
の、電磁気的効果を用いた回路を使用しない場合におい
ては、前記禁止区域の幅は、０．５〜２０μｍであるこ
とが好ましい。なお、禁止区域の幅は、すべての禁止区
域において同一であってもよいし、または、同一でなく
てもよい。

【００３９】（半導体装置の製造方法）（Ａ）本発明の、第１の半導体装置の製造方法は、第１
の配線層を形成する工程を含む、半導体装置の製造方法
であって、前記第１の配線層を形成する工程において、
複数のダミー配線層が形成され、行方向と交差する方向
に沿って伸びる、第１の仮想直線を想定すると、前記第
１の仮想直線と前記行方向とのなす角は、２〜４０度で
あり、前記ダミー配線層は、前記第１の仮想直線上に位
置するように、配置されている。

【００４０】本発明の、第１の半導体装置の製造方法に
よれば、工程（Ａ）において、ダミー配線層が形成され
ている。このダミー配線層は、上述の、本発明の第１の
半導体装置の項で説明したパターンと同様のパターンで
形成されている。このため、制限領域の付近において、
ダミー配線層が、確実に形成されることになる。その結
果、第１の配線層の上に形成された絶縁層を研磨する際
に、ダミー配線層に研磨圧力を確実に分散することがで
きる。したがって、研磨後に得られる層間絶縁層の厚さ
の均一化を図ることができる。

【００４１】（Ｂ）本発明の、第２の半導体装置の製造
方法は、第１の配線層を形成する工程を含む、半導体装
置の製造方法であって、前記第１の配線層を形成する工
程において、複数のダミー配線層が形成され、列方向と
交差する方向に沿って伸びる、第２の仮想直線を想定す
ると、前記第２の仮想直線と前記列方向とのなす角は、
２〜４０度であり、前記ダミー配線層は、前記第２の仮
想直線上に位置するように、配置されている。

【００４２】本発明の、第２の半導体装置の製造方法に
よれば、上述の、本発明の第２の半導体装置の項で説明
したパターンと同様のパターンで、ダミー配線層が形成
されている。このため、本発明によれば、本発明の第１
の半導体装置の製造方法と、同様の効果を奏することが
できる。

【００４３】本発明の第１の半導体装置の製造方法と、
本発明の第２の半導体装置の製造法とを組み合わせても
よい。

【００４４】このように組み合わせた場合には、制限領
域の付近において、ダミー配線層をより確実に形成する
ことができる。このため、研磨後に得られる層間絶縁層
の厚さを、より均一にすることができる。

【００４５】本発明の、第１および第２の半導体装置の
製造方法には、第１および第２の仮想直線の構成とし
て、半導体装置の項で説明した事項を適用できる。ま
た、ダミー配線層は、半導体装置の項で説明した態様
（１）〜（４）を同様にとることができる。

【００４６】（Ｃ）本発明の、第３の半導体装置の製造
方法は、第１の配線層を形成する工程を含む、半導体装
置の製造方法であって、前記第１の配線層を形成する工
程において、複数のダミー配線層が形成され、前記ダミ
ー配線層は、平面形状において、ほぼ正方形をなし、行
方向で隣り合う前記ダミー配線層間の間隔は、該ダミー
配線層の一辺の長さの、ほぼ半分であり、行方向で隣り
合う前記ダミー配線層は、互いに列方向にずれ、前記ダ
ミー配線層の列方向にずれた幅は、該ダミー配線層の一
辺の長さの、ほぼ半分である。

【００４７】本発明の、第３の半導体装置の製造方法に
よれば、上述の、本発明の第３の半導体装置の項で説明
したパターンと同様のパターンで、ダミー配線層が形成
されている。このため、本発明によれば、本発明の第１
の半導体装置の製造方法と、同様の効果を奏することが
できる。

【００４８】（Ｄ）本発明の、第４の半導体装置の製造
方法は、第１の配線層を形成する工程を含む、半導体装
置の製造方法であって、前記第１の配線層を形成する工
程において、複数のダミー配線層が形成され、前記ダミ
ー配線層は、平面形状において、ほぼ正方形をなし、列
方向で隣り合う前記ダミー配線層間の間隔は、該ダミー
配線層の一辺の長さの、ほぼ半分であり、列方向で隣り
合う前記ダミー配線層は、互いに行方向にずれ、前記ダ
ミー配線層の行方向にずれた幅は、該ダミー配線層の一
辺の長さの、ほぼ半分である。

【００４９】本発明の、第４の半導体装置の製造方法に
よれば、上述の、本発明の第４の半導体装置の項で説明
したパターンと同様のパターンで、ダミー配線層が形成
されている。このため、本発明によれば、本発明の第１
の半導体装置の製造方法と、同様の効果を奏することが
できる。

【００５０】本発明の第３の半導体装置の製造方法と、
本発明の第４の半導体装置の製造方法とを組み合わせて
もよい。

【００５１】このように組み合わせた場合には、制限領
域の付近において、ダミー配線層をより確実に形成する
ことができる。このため、研磨後に得られる層間絶縁層
の厚さを、より均一にすることができる。

【００５２】具体的な制限領域の態様としては、半導体
装置の項で説明した態様を挙げることができる。

【００５３】（マスクデータの生成方法）（Ａ）本発明の第１のマスクデータの生成方法は、請求
項２５〜３０にいずれかに記載の半導体装置を製造する
際に適用されるマスクデータの生成方法であって、以下
の工程（ａ）〜（ｃ）を含む。（ａ）前記制限領域を規定する制限領域パターンを設定
する工程、（ｂ）前記ダミー配線層を規定するダミーパ
ターンを設定する工程、（ｃ）前記制限領域パターンと
前記ダミーパターンとを合成する工程であって、前記制
限領域パターンに少なくとも部分的に重なる、前記ダミ
ーパターンは、完全に排除される。

【００５４】本発明によれば、たとえば次の２つの作用
効果が奏される。

【００５５】（１）ダミーパターンは、ダミー配線層を
規定している。このため、ダミーパターンは、上述した
ダミー配線層の配置パターンに対応したパターンを有し
ている。このため、工程（ｃ）において、制限領域パタ
ーンの付近においても、ダミーパターンを密に設定する
ことが、容易となる。つまり、制限領域パターン内に、
あるダミーパターンが重なる場合でも、制限領域パター
ンの付近において、他のダミーパターンが、確実に発生
する。これによって、制限領域パターンの付近において
も、確実にダミーパターンを設定することができる。そ
の結果、次の効果を奏することができる。

【００５６】すなわち、ダミー配線層を形成する際、制
限領域の付近において、確実にダミー配線層を形成する
ことができる。したがって、配線層の上に形成された絶
縁層を研磨する際、制限領域の付近においても、ダミー
配線層に、研磨圧力を確実に分散させることができる。
その結果、制限領域の近傍や、その他の場所の配線層の
上の層間絶縁層の膜厚を均一にすることができる。

【００５７】また、制限領域パターンの付近において
も、確実にダミーパターンを配置することができるた
め、制限領域パターン間の間隔が狭い領域においても、
確実にダミーパターンを配置することができる。

【００５８】（２）また、本発明においては、制限領域
パターンに少なくとも部分的に重なる、ダミーパターン
は、完全に排除される。このため、後に詳述するよう
に、ダミー配線層のパターン飛びが生じるのを、確実に
防止することができる。

【００５９】（Ｂ）本発明の第２のマスクデータの生成
方法は、半導体装置の製造方法に適用されるマスクデー
タの生成方法であって、前記半導体装置は、第１の配線
層と、前記第１の配線層と同じレベルに設けられた、複
数のダミー配線層と、を有し、前記ダミー配線層の配置
は、以下の工程（ａ）〜（ｃ）を含む方法により決定さ
れる。（ａ）制限領域を規定する制限領域パターンを設定する
工程、（ｂ）前記ダミー配線層を規定するダミーパター
ンを設定する工程であって、行方向と交差する方向に沿
って伸びる、第１の仮想直線を想定すると、前記第１の
仮想直線と前記行方向とのなす角は、２〜４０度であ
り、前記ダミーパターンは、前記第１の仮想直線上に位
置するように、配置され、（ｃ）前記制限領域パターン
と前記ダミーパターンとを合成する工程であって、前記
制限領域パターンに少なくとも部分的に重なる、前記ダ
ミーパターンは、完全に排除される。

【００６０】ここで、「行方向」とは、たとえば、制限
領域パターンを考慮して想定される、一の方向である。

【００６１】本発明によれば、ダミーパターンは、第１
の仮想直線上に位置するように形成されている。この第
１の仮想直線と行方向とのなす角は、２〜４０度であ
る。つまり、同一の第１の仮想直線上にあって、行方向
に隣り合うダミーパターンは、互いに列方向にずれて形
成されている。このため、行方向に伸びる制限領域パタ
ーンの付近においても、ダミーパターンを密に配置する
ことが、容易となる。つまり、制限領域パターン内に、
あるダミーパターンが重なる場合でも、制限領域パター
ンの付近において、他のダミーパターンが、確実に配置
される。その結果、本発明によれば、本発明の第１のマ
スクデータの生成方法の作用効果（１）を奏することが
できる。

【００６２】また、本発明によれば、本発明の第１のマ
スクデータの生成方法の作用効果（２）を奏することが
できる。

【００６３】（Ｃ）本発明の第３のマスクデータの生成
方法は、半導体装置の製造方法に適用されるマスクデー
タの生成方法であって、前記半導体装置は、第１の配線
層と、前記第１の配線層と同じレベルに設けられた、複
数のダミー配線層と、を有し、前記ダミー配線層の配置
は、以下の工程（ａ）〜（ｃ）を含む方法により決定さ
れる。（ａ）制限領域を規定する制限領域パターンを設定する
工程、（ｂ）前記ダミー配線層を規定するダミーパター
ンを設定する工程であって、列方向と交差する方向に沿
って伸びる、第２の仮想直線を想定すると、前記第２の
仮想直線と前記列方向とのなす角は、２〜４０度であ
り、前記ダミーパターンは、前記第２の仮想直線上に位
置するように、配置され、（ｃ）前記制限領域パターン
と前記ダミーパターンとを合成する工程であって、前記
制限領域パターンに少なくとも部分的に重なる、前記ダ
ミーパターンは、完全に排除される。

【００６４】ここで、「列方向」とは、行方向と直交す
る方向であり、たとえば、制限領域パターンなどを考慮
して想定される、一の方向である。

【００６５】本発明によれば、ダミーパターンは、第２
の仮想直線上に位置するように形成されている。この第
２の仮想直線と列方向とのなす角は、２〜４０度であ
る。つまり、同一の第２の仮想直線上にあって、列方向
に隣り合うダミーパターンは、互いに行方向にずれて形
成されている。このため、列方向に伸びる制限領域パタ
ーンの付近においても、ダミーパターンを密に配置する
ことが、容易となる。つまり、制限領域パターン内に、
あるダミーパターンが重なる場合でも、制限領域パター
ンの付近において、他のダミーパターンが、確実に配置
される。その結果、本発明の第１のマスクデータの生成
方法の作用効果（１）を奏することができる。

【００６６】また、本発明によれば、本発明の第１のマ
スクデータの生成方法の作用効果（２）を奏することが
できる。

【００６７】また、上述の、本発明の第２のマスクデー
タの生成方法と、本発明の第３のマスクデータの生成方
法とを組み合わせた態様であってもよい。このように組
み合わせた態様を有するマスクデータの生成方法によれ
ば、制限領域パターンの付近において、より確実にダミ
ーパターンを形成することができる。

【００６８】（Ｄ）本発明の第４のマスクデータの生成
方法は、半導体装置の製造方法に適用されるマスクデー
タの生成方法であって、前記半導体装置は、第１の配線
層と、前記第１の配線層と同じレベルに設けられた、複
数のダミー配線層と、を有し、前記ダミー配線層の配置
は、以下の工程（ａ）〜（ｃ）を含む方法により決定さ
れる。（ａ）制限領域を規定する制限領域パターンを設定する
工程、（ｂ）前記ダミー配線層を規定するダミーパター
ンを設定する工程であって、前記ダミーパターンは、平
面形状において、ほぼ正方形をなし、行方向で隣り合う
前記ダミーパターン間の間隔は、該ダミーパターンの一
辺の長さの、ほぼ半分であり、行方向で隣り合う前記ダ
ミーパターンは、互いに列方向にずれ、前記ダミーパタ
ーンの列方向にずれた幅は、該ダミーパターンの一辺の
長さの、ほぼ半分であり、（ｃ）前記制限領域パターン
と前記ダミーパターンとを合成する工程であって、前記
制限領域パターンに少なくとも部分的に重なる、前記ダ
ミーパターンは、完全に排除される。

【００６９】ここで、「行方向」および「列方向」は、
本発明の第２および第３のマスクデータの生成方法の項
で説明したものと同様である。

【００７０】本発明の第４のマスクデータの生成方法に
よれば、行方向で隣り合う前記ダミーパターンは、互い
に列方向にずれている。このため、本発明の第４のマス
クデータの生成方法は、本発明の第２のマスクデータの
生成方法と同様の作用効果を奏することができる。

【００７１】（Ｅ）本発明の第５のマスクデータの生成
方法は、半導体装置の製造方法に適用されるマスクデー
タの生成方法であって、前記半導体装置は、第１の配線
層と、前記第１の配線層と同じレベルに設けられた、複
数のダミー配線層と、を有し、前記ダミー配線層の配置
は、以下の工程（ａ）〜（ｃ）を含む方法により決定さ
れる。（ａ）制限領域を規定する制限領域パターンを設定する
工程、（ｂ）前記ダミー配線層を規定するダミーパター
ンを設定する工程であって、前記ダミーパターンは、平
面形状において、ほぼ正方形をなし、列方向で隣り合う
前記ダミーパターン間の間隔は、該ダミーパターンの一
辺の長さの、ほぼ半分であり、列方向で隣り合う前記ダ
ミーパターンは、互いに行方向にずれ、前記ダミーパタ
ーンの行方向にずれた幅は、該ダミーパターンの一辺の
長さの、ほぼ半分であり、（ｃ）前記制限領域パターン
と前記ダミーパターンとを合成する工程であって、前記
制限領域パターンに少なくとも部分的に重なる、前記ダ
ミーパターンは、完全に排除される。

【００７２】ここで、「行方向」および「列方向」は、
本発明の第２および第３のマスクデータの生成方法の項
で説明したものと同様である。

【００７３】本発明の第５のマスクデータの生成方法に
よれば、列方向で隣り合う前記ダミーパターンは、互い
に行方向にずれている。このため、本発明の第５のマス
クデータの生成方法は、本発明の第３のマスクデータの
生成方法と同様の作用効果を奏することができる。

【００７４】また、上述の、本発明の第４のマスクデー
タの生成方法と、本発明の第５のマスクデータの生成方
法とを組み合わせた態様であってもよい。このように組
み合わせることにより、制限領域パターンの付近におい
て、より確実にダミーパターンを形成することができ
る。

【００７５】上述の本発明の第２〜第５のマスクデータ
の生成方法は、次の態様をとることができる。

【００７６】前記制限領域は、配線実効領域と、該配線
実効領域の周囲に設定された禁止区域とを有し、前記工
程（ａ）は、前記配線実効領域を規定する配線実効領域
パターンを設定する工程（ａ−１）、該配線実効領域パ
ターンの周囲に、前記禁止区域を規定する禁止区域パタ
ーンを設定する工程（ａ−２）を含むことができる。

【００７７】前記配線実効領域パターンは、配線パター
ンを含むことができる。

【００７８】前記半導体装置は、前記第１の配線層より
上のレベルに形成された第２の配線層と、前記第１の配
線層より下のレベルに形成された第３の配線層とを有
し、さらに、前記第１の配線層と、前記第３の配線層と
を接続するためのコンタクトホールが形成される場合に
は、前記配線実効領域パターンは、前記第２の配線層
と、前記第３の配線層とを接続するためのコンタクトホ
ールパターンを含むことが好ましい。

【００７９】（Ｆ）本発明の第６のマスクデータの生成
方法は、半導体装置の製造方法に適用されるマスクデー
タの生成方法であって、前記半導体装置は、第１の配線
層と、前記第１の配線層と同じレベルに設けられた、複
数のダミー配線層とを有し、行方向と交差する方向に沿
って伸びる、第１の仮想直線を想定すると、前記第１の
仮想直線と前記行方向とのなす角は、２〜４０度であ
り、前記ダミー配線層は、前記第１の仮想直線上に位置
するように、配置され、以下の工程（ａ）〜（ｃ）を含
む。（ａ）制限領域を規定する制限領域パターンを設定する
工程、（ｂ）前記ダミー配線層を規定するダミーパター
ンを設定する工程、（ｃ）前記制限領域パターンと前記
ダミーパターンとを合成する工程であって、前記制限領
域パターンに少なくとも部分的に重なる、前記ダミーパ
ターンは、完全に排除される。

【００８０】ここで、「行方向」は、本発明の第２のマ
スクデータの生成方法の項で説明したものと同様であ
る。

【００８１】本発明によれば、たとえば次の２つの作用
効果が奏される。

【００８２】（１）本発明によれば、ダミーパターン
は、ダミー配線層が第１の仮想直線上に位置して配置さ
れるように、設定されている。この第１の仮想直線と行
方向とのなす角は、２〜４０度である。つまり、同一の
第１の仮想直線上にあって、行方向に隣り合うダミー配
線層が、互いに列方向にずれて形成されるように、ダミ
ーパターンは設定される。このため、行方向に隣り合う
ダミーパターンは、互いに列方向にずれて設定される。
その結果、工程（ｃ）において、行方向に伸びる制限領
域パターンの付近においても、ダミーパターンを密に設
定することが、容易となる。つまり、制限領域パターン
内に、あるダミーパターンが重なる場合でも、制限領域
パターンの付近において、他のダミーパターンが、確実
に発生する。これによって、制限領域パターン間の間隔
が狭い領域においても、確実にダミーパターンを設定す
ることができる。その結果、次の効果を奏することがで
きる。

【００８３】すなわち、ダミー配線層を形成する際、制
限領域の付近において、確実にダミー配線層を形成する
ことができる。したがって、第１の配線層の上に形成さ
れた絶縁層を研磨する際、制限領域の付近においても、
ダミー配線層に、研磨圧力を確実に分散させることがで
きる。

【００８４】（２）また、本発明においては、制限領域
パターンに少なくとも部分的に重なる、ダミーパターン
は、完全に排除される。このため、後に詳述するよう
に、ダミー配線層のパターン飛びが生じるのを、確実に
防止することができる。

【００８５】（Ｇ）本発明の第７のマスクデータの生成
方法は、半導体装置の製造方法に適用されるマスクデー
タの生成方法であって、前記半導体装置は、第１の配線
層と、前記第１の配線層と同じレベルに設けられた、複
数のダミー配線層とを有し、列方向と交差する方向に沿
って伸びる、第２の仮想直線を想定すると、前記第２の
仮想直線と前記列方向とのなす角は、２〜４０度であ
り、前記ダミー配線層は、前記第２の仮想直線上に位置
するように、配置され、以下の工程（ａ）〜（ｃ）を含
む。（ａ）制限領域を規定する制限領域パターンを設定する
工程、（ｂ）前記ダミー配線層を規定するダミーパター
ンを設定する工程、（ｃ）前記制限領域パターンと前記
ダミーパターンとを合成する工程であって、前記制限領
域パターンに少なくとも部分的に重なる、前記ダミーパ
ターンは、完全に排除される。

【００８６】ここで「列方向」は、本発明の第３のマス
クデータの生成方法の項で説明したものと同様である。

【００８７】本発明によれば、たとえば次の２つの作用
効果が奏される。

【００８８】（１）本発明によれば、ダミーパターン
は、ダミー配線層が第２の仮想直線上に位置して配置さ
れるように、設定されている。この第２の仮想直線と列
方向とのなす角は、２〜４０度である。つまり、同一の
第２の仮想直線上にあって、列方向に隣り合うダミー配
線層が、互いに行方向にずれて形成されるように、ダミ
ーパターンは設定される。このため、列方向に隣り合う
ダミーパターンは、互いに行方向にずれて設定される。
その結果、工程（ｃ）において、列方向に伸びる制限領
域パターンの付近においても、ダミーパターンを密に設
定することが、容易となる。つまり、制限領域パターン
内に、あるダミーパターンが重なる場合でも、制限領域
パターンの付近において、他のダミーパターンが、確実
に発生する。これによって、制限領域パターン間の間隔
が狭い領域においても、確実にダミーパターンを設定す
ることができる。このため、本発明によれば、本発明の
第６のマスクデータの生成方法の項において述べた効果
（１）を奏することができる。

【００８９】（２）本発明においては、制限領域パター
ンに少なくとも部分的に重なる、ダミーパターンは、完
全に排除される。このため、本発明によれば、本発明の
第６のマスクデータの生成方法の項において述べた効果
（２）を奏することができる。

【００９０】また、上述の、本発明の第６のマスクデー
タの生成方法と、本発明の第７のマスクデータの生成方
法とを組み合わせた態様であってもよい。このように組
み合わせた態様を有するマスクデータの生成方法によれ
ば、制限領域の付近において、より確実にダミー配線層
を形成することができる。

【００９１】（Ｈ）本発明の第８のマスクデータの生成
方法は、半導体装置の製造方法に適用されるマスクデー
タの生成方法であって、前記半導体装置は、第１の配線
層と、前記第１の配線層と同じレベルに設けられた、複
数のダミー配線層とを有し、前記ダミー配線層は、平面
形状において、ほぼ正方形をなし、行方向で隣り合う前
記ダミー配線層間の間隔は、該ダミー配線層の一辺の長
さの、ほぼ半分であり、行方向で隣り合う前記ダミー配
線層は、互いに列方向にずれ、前記ダミー配線層の列方
向にずれた幅は、該ダミー配線層の一辺の長さの、ほぼ
半分であり、以下の工程（ａ）〜（ｃ）を含む。（ａ）制限領域を規定する制限領域パターンを設定する
工程、（ｂ）前記ダミー配線層を規定するダミーパター
ンを設定する工程、（ｃ）前記制限領域パターンと前記
ダミーパターンとを合成する工程であって、前記制限領
域パターンに少なくとも部分的に重なる、前記ダミーパ
ターンは、完全に排除される。

【００９２】ここで、「行方向」および「列方向」は、
本発明の第２および第３のマスクデータの生成方法の項
で説明したものと同様である。

【００９３】本発明の第８のマスクデータの生成方法に
よれば、行方向で隣り合う前記ダミー配線層は、互いに
列方向にずれている。このため、本発明の第８のマスク
データの生成方法は、本発明の第６のマスクデータの生
成方法と同様の作用効果を奏することができる。

【００９４】（Ｉ）本発明の第９のマスクデータの生成
方法は、半導体装置の製造方法に適用されるマスクデー
タの生成方法であって、前記半導体装置は、第１の配線
層と、前記第１の配線層と同じレベルに設けられた、複
数のダミー配線層を有し、前記ダミー配線層は、平面形
状において、ほぼ正方形をなし、列方向で隣り合う前記
ダミー配線層間の間隔は、該ダミー配線層の一辺の長さ
の、ほぼ半分であり、列方向で隣り合う前記ダミー配線
層は、互いに行方向にずれ、前記ダミー配線層の行方向
にずれた幅は、該ダミー配線層の一辺の長さの、ほぼ半
分であり、以下の工程（ａ）〜（ｃ）を含む。（ａ）制限領域を規定する制限領域パターンを設定する
工程、（ｂ）前記ダミー配線層を規定するダミーパター
ンを設定する工程、（ｃ）前記制限領域パターンと前記
ダミーパターンとを合成する工程であって、前記制限領
域パターンに少なくとも部分的に重なる、前記ダミーパ
ターンは、完全に排除される。

【００９５】ここで、「行方向」および「列方向」は、
本発明の第２および第３のマスクデータの生成方法の項
で説明したものと同様である。

【００９６】本発明の第９のマスクデータの生成方法に
よれば、列方向で隣り合う前記ダミー配線層は、互いに
行方向にずれている。このため、本発明の第９のマスク
データの生成方法は、本発明の第７のマスクデータの生
成方法と同様の作用効果を奏することができる。

【００９７】また、上述の、本発明の第８のマスクデー
タの生成方法と、本発明の第９のマスクデータの生成方
法とを組み合わせた態様であってもよい。このように組
み合わせた態様を有する半導体装置によれば、制限領域
の付近において、より確実にダミー配線層を形成するこ
とができる。

【００９８】制限領域は、半導体装置の項で説明した態
様をとることができる。なお、配線実効領域も半導体装
置の項で説明した態様をとることができる。

【００９９】また、本発明の第１〜９のマスクデータの
生成方法において、前記工程（ｃ）の前に、さらに、前
記制限領域パターンを反転させる工程（ｄ）を含むこと
ができる。工程（ｄ）を含むことにより、制限領域パタ
ーンとダミーパターンとの合成を、簡便に行うことがで
きる。

【０１００】（マスク）本発明のマスクは、本発明のマ
スクデータの生成方法により得られる。

【０１０１】本発明のマスクを半導体装置の製造方法に
適用することにより、制限領域の付近に確実にダミー配
線層を形成することができる。

【０１０２】（コンピュータ読み取り可能な記録媒体）
本発明のコンピュータ読み取り可能な記録媒体は、本発
明のマスクデータの生成方法により得られたマスクデー
タが記録されている。

【０１０３】本発明のコンピュータ読み取り可能な記録
媒体に記録されたマスクデータに基づいて、本発明のマ
スクを作製することができる。

【０１０４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
について、図面を参照しながら説明する。

【０１０５】［半導体装置］（デバイスの構造）以下、本実施の形態に係る半導体装
置を説明する。図１は、半導体装置を模式的に示す平面
図である。図２は、図１におけるＡ−Ａ線に沿った断面
を模式的に示す断面図である。

【０１０６】半導体装置１０００における半導体基板
（たとえばシリコン基板）１０の表面には、ＭＯＳＦＥ
Ｔなどの半導体素子、配線層および素子分離領域（いず
れも図示せず）が形成されている。半導体基板１０上に
は、第１の層間絶縁層２０が形成されている。

【０１０７】第１の層間絶縁層２０の上には、第１の配
線層３０およびダミー配線層３２が形成されている。第
１の配線層３０においては、半導体装置の設計上、密に
形成された第１の配線層３０と、孤立した第１の配線層
３０とが形成される場合がある。

【０１０８】第１の層間絶縁層２０の所定の部分に、コ
ンタクトホール（図示せず）が形成されている。コンタ
クトホールは、半導体基板１０の表面に形成された半導
体素子または配線層と、第１の配線層３０とを接続して
いる。コンタクトホール内には、コンタクト層（図示せ
ず）が形成されている。コンタクト層は、たとえば、タ
ングステンプラグ，アルミニウム合金層あるいは銅層か
らなる。

【０１０９】第１の配線層３０およびダミー配線層３２
の上には、第２の層間絶縁層４０が形成されている。第
２の層間絶縁層４０の上には、第２の配線層５０が形成
されている。

【０１１０】第２の層間絶縁層４０には、第１のコンタ
クトホール６０が形成されている。第１のコンタクトホ
ール６０は、第１の配線層３０と第２の配線層５０とを
接続するための接続孔である。第１のコンタクトホール
６０内には、第１のコンタクト層６２が形成されてい
る。第１のコンタクト層６２は、たとえば、タングステ
ンプラグ，アルミニウム合金層あるいは銅層からなる。

【０１１１】また、第１の層間絶縁層２０および第２の
層間絶縁層４０には、第２のコンタクトホール７０が形
成されている。第２のコンタクトホール７０は、半導体
基板１０の表面に形成された半導体素子または配線層
と、第２の配線層５０とを接続するための接続孔であ
る。第２のコンタクトホール７０内には、第２のコンタ
クト層７２が形成されている。第２のコンタクト層７２
は、たとえば、タングステンプラグ，アルミニウム合金
層あるいは銅層からなる。

【０１１２】以下、第１の配線層３０が形成されたレベ
ルの平面パターンを説明する。図３は、第１の配線層が
形成されたレベルの平面図である。

【０１１３】第１の配線層３０および第２のコンタクト
ホール７０（第２のコンタクト層７２形成領域）の周囲
には、禁止区域８０が設定されている。なお、第１の配
線層３０および第２のコンタクトホール７０は、配線実
効領域９０を構成する。そして、配線実効領域９０およ
び禁止区域８０とで、制限領域１００を構成する。

【０１１４】ここで、禁止区域８０は、ダミー配線層３
２を発生させない領域をいう。禁止区域８０の幅は、回
路設計などを考慮して規定され、たとえば０．５〜１０
０μｍである。さらに、素子において、配線層を用いた
インダクタなどの、電磁気的効果を用いた回路を使用し
ない場合においては、前記禁止区域の幅は、０．５〜２
０μｍであることが好ましく、さらに好ましくは１〜５
μｍである。なお、禁止区域８０の幅は、すべての禁止
区域８０において同一であってもよいし、または、同一
でなくてもよい。たとえば、第１の配線層３０の周囲に
設定された禁止区域８０の幅は、第１の配線層３０ごと
に異ならせてもよいし、または、全ての第１の配線層３
０において同一であってもよい。

【０１１５】制限領域（配線実効領域および禁止区域）
１００以外の領域には、ダミー配線層３２が形成されて
いる。すなわち、ダミー配線層３２は、制限領域１００
内に掛からないように形成されている。より具体的に
は、全体的または部分的に制限領域１００に重なるダミ
ー配線層３２は、完全に排除されている。部分的に制限
領域１００に重なるダミー配線層３２も完全に排除する
ことによる利点は、後述の作用効果の項で詳述する。

【０１１６】以下、第１の配線層３２および第２のコン
タクトホール７０の周囲に禁止区域８０を設ける理由を
説明する。

【０１１７】（１）第１の配線層について第１の配線層３０の周囲に禁止区域８０を設けないと、
ダミー配線層３２が、第１の配線層３０と接した状態で
形成される場合がある。この場合、たとえば、配線の幅
がいろいろな箇所で太くなったり、あるいは細くなった
りし、配線の抵抗値が場所により変化する。配線の抵抗
値が場所により変化すると、設計時の配線抵抗値が使用
できなくなり、デバイス特性のばらつきが発生する。ま
た、配線面積が増加するため、配線間どうしのショート
が生じやすくなるといった不具合が生じる。

【０１１８】（２）第２のコンタクトホールについて第２のコンタクトホール７０の周囲に禁止区域８０を設
けないと、ダミー配線層３２が第２のコンタクトホール
７０の形成領域内に形成されてしまう場合がある。この
場合、第２の層間絶縁層４０と第１の層間絶縁層２０と
をエッチングして第２のコンタクトホール７０を形成す
る際、ダミー配線層３２が第１の層間絶縁層２０のエッ
チングストッパ層として機能してしまい、第２のコンタ
クトホール７０が得られないという不具合が生じる。

【０１１９】以下、ダミー配線層３２の配置パターンを
説明する。図４は、ダミー配線層の配置パターンを説明
するための図である。

【０１２０】ダミー配線層３２は、第１の仮想直線Ｌ１
上に位置するように形成されている。また、ダミー配線
層３２は、たとえば、ダミー配線層３２の中心が、第１
の仮想直線Ｌ１の上に位置するように、形成される。

【０１２１】ダミー配線層３２は、第２の仮想直線Ｌ２
上に位置するように形成されている。また、ダミー配線
層３２は、たとえば、ダミー配線層３２の中心が、第２
の仮想直線Ｌ２の上に位置するように、形成される。

【０１２２】第１の仮想直線Ｌ１は、行方向と交差して
いる。第１の仮想直線Ｌ１と行方向とのなす角θ１は、
２〜４０度であり、好ましくは１５〜２５度であり、よ
り好ましくは約２０度である。ここで「行方向」とは、
たとえば、第１の配線層３０、第２のコンタクトホール
７０、禁止区域８０などを考慮して想定される、一の方
向である。

【０１２３】第２の仮想直線Ｌ２は、列方向と交差して
いる。第２の仮想直線Ｌ２と列方向とのなす角θ２は、
２〜４０度であり、好ましくは１５〜２５度であり、よ
り好ましくは約２０度である。ここで「列方向」とは、
行方向と直交する方向であり、たとえば、第１の配線層
３０、第２のコンタクトホール７０、禁止区域８０など
を考慮して想定される、一の方向である。

【０１２４】第１の仮想直線Ｌ１は、複数本想定され、
かつ、所定のピッチで想定される。第１の仮想直線Ｌ１
間の間隔は、特に限定されず、たとえば１〜１６μｍで
あり、好ましくは２〜５μｍである。第２の仮想直線Ｌ
２は、複数本想定され、かつ、所定のピッチで想定され
る。第２の仮想直線Ｌ２間の間隔は、特に限定されず、
たとえば１〜１６μｍであり、好ましくは２〜５μｍで
ある。

【０１２５】同一の第１の仮想直線Ｌ１上に配置され
た、行方向に隣り合うダミー配線層３２は、互いに列方
向にずれて形成されている。ダミー配線層３２の列方向
にずれた幅Ｙ１０は、好ましくは０．５〜５μｍ、さら
に好ましくは０．５〜２μｍ、特に好ましくは約１μｍ
である。

【０１２６】同一の第２の仮想直線Ｌ２上に配置され
た、列方向に隣り合うダミー配線層３２は、互いに行方
向にずれて形成されている。ダミー配線層３２の行方向
にずれた幅Ｘ１０は、好ましくは０．５〜５μｍ、より
好ましくは０．５〜２μｍ、特に好ましくは約１μｍで
ある。

【０１２７】平面形状において、単位面積に占める、ダ
ミー配線層３２の面積の割合は、特に限定されず、好ま
しくは３０〜５０％、より好ましくは約４０％である。
具体的には、単位ユニットの全面積に占める、ダミー配
線層３２の面積の割合は、好ましくは３０〜５０％、よ
り好ましくは約４０％である。

【０１２８】ここで「単位ユニット」とは、そのユニッ
トを上下左右に繰り返すことで、全体のパターンを形成
することができる最小のユニットをいう。具体的には、
図４においては、「単位ユニット」は、四角形ＡＢＣＤ
によって囲まれる領域である。

【０１２９】ダミー配線層３２の平面形状は、特に限定
されず、たとえば多角形，円形などを挙げることができ
る。ダミー配線層３２の平面形状は、好ましくは多角形
であり、より好ましくは方形であり、特に好ましくは正
方形である。ダミー配線層３２の平面形状が正方形であ
ると、より密にダミー配線層３２を形成することができ
る。たとえば、禁止区域が直交するような場所の付近に
おいても、ダミー配線層３２をより確実に形成すること
ができる。このため、複雑なパターンで形成された禁止
区域（たとえば、複雑なパターンで形成された配線層の
周囲の禁止区域）の付近においても、より効果的にダミ
ー配線層３２を形成することができる。

【０１３０】ダミー配線層３２の平面形状が正方形であ
る場合において、一辺の長さＴ１０は、特に限定されな
いが、たとえば１〜１０μｍ、好ましくは約２μｍであ
る。ダミー配線層３２の一辺の長さＴ１０が１μｍ以上
であることにより、ダミー配線層３２を発生させるため
の、マスクを作成する際において、マスク作成データ量
が著しく増大するのを抑えることができる。ダミー配線
層３２の一辺の長さＴ１０が１０μｍ以下であることに
より、層間絶縁層に段差が生じやすい、少なくとも１０
μｍよりも広い間隔をもった配線層間にダミー配線層が
形成されるため、層間絶縁層の段差解消に効果的であ
る。

【０１３１】ダミー配線層３２の平面形状が正方形の場
合に、同一の第１の仮想直線Ｌ１上に配置された、隣り
合うダミー配線層３２は、互いに部分的に対向する辺Ｓ
１，Ｓ２を有する。この対向する辺Ｓ１，Ｓ２同士の間
の間隔Ｇ１０は、特に限定されないが、好ましくは０．
５〜５μｍ、より好ましくは約１μｍである。または、
間隔Ｇ１０は、ダミー配線層３２の一辺の長さＴ１０よ
り短く設定されることが好ましく、ダミー配線層３２の
一辺の長さＴ１０の、ほぼ半分であることがより好まし
い。

【０１３２】ダミー配線層３２の平面形状が正方形の場
合に、同一の第２の仮想直線Ｌ２上に配置された、隣り
合うダミー配線層３２は、互いに部分的に対向する辺Ｓ
３，Ｓ４を有する。この対向する辺Ｓ３，Ｓ４同士の間
の間隔Ｇ２０は、特に限定されないが、好ましくは０．
５〜５μｍ、より好ましくは約１μｍである。または、
間隔Ｇ２０は、ダミー配線層３２の一辺の長さＴ１０よ
り短く設定されることが好ましく、ダミー配線層３２の
一辺の長さＴ１０の、ほぼ半分であることがより好まし
い。

【０１３３】ダミー配線層３２の平面形状が正方形の場
合には、行方向で隣り合う、ダミー配線層３２の列方向
にずれた幅Ｙ１０は、ダミー配線層３２の一辺の長さ
の、ほぼ半分であることが好ましい。また、列方向で隣
り合う、ダミー配線層３２の行方向にずれた幅Ｘ１０
は、ダミー配線層３２の一辺の長さの、ほぼ半分である
ことが好ましい。

【０１３４】（作用効果）ダミー配線層３２が以上の構
成で形成されることにより、たとえば、次の作用効果を
奏することができる。この作用効果を、図５を参照しな
がら説明する。図５は、ダミー配線層３２の配置パター
ンの作用効果を説明するための図である。

【０１３５】（１）図５（ａ）に示すように、制限領域
１００を設定した場合を考える。制限領域１００は、配
線実効領域９０と、配線実効領域９０の周囲において、
行方向に伸びる禁止区域８０を有する。この場合、この
制限領域１００と平行に、格子状のダミー配線層３２ａ
を形成することが考えられる。ダミー配線層３２ａが格
子状に形成された場合には、ダミー配線層３２ａの一つ
が制限領域１００に掛かると、そのダミー配線層３２ａ
と同じ行にある他のダミー配線層３２ａがすべて、制限
領域１００に掛かることになる。このため、ダミー配線
層３２ａが制限領域１００内に掛からないように、制限
領域１００の付近にダミー配線層３２ａを形成するに
は、ダミー配線層３２ａの位置を制御する必要がある。
この制御は、たとえばマスク作成データの増大などを招
くため、技術的に難しい。一方、制限領域１００の付近
にダミー配線層３２ａを形成できない場合は、その制限
領域１００の付近において形成されるダミー配線層３２
ａの密度が、不充分になってしまう。

【０１３６】しかし、本実施の形態においては、図５
（ｂ）に示すように、ダミー配線層３２は、行方向と交
差する方向に伸びる第１の仮想直線Ｌ１上に位置するよ
うに、形成されている。つまり、同一の第１の仮想直線
Ｌ１上にある、隣り合うダミー配線層３２は、互いに列
方向にずれて形成されている。このため、同一の第１の
仮想直線Ｌ１上において、あるダミー配線層３２が、制
限領域１００に掛かったとしても、隣りの他のダミー配
線層３２は、制限領域１００に掛かからないように配置
できる。その結果、ダミー配線層３２の形成位置を制御
することなく、制限領域１００の付近にダミー配線層３
２を確実に形成することができる。

【０１３７】また、本実施の形態においては、ダミー配
線層３２は、さらに、列方向と交差する方向に伸びる第
２の仮想直線Ｌ２上に位置するように、形成されてい
る。つまり、同一の第２の仮想直線Ｌ２上にある、隣り
合うダミー配線層３２は、互いに行方向にずれて形成さ
れている。このため、ダミー配線層３２が第１の仮想直
線Ｌ１上にある場合と同様の理由で、列方向に伸びる制
限領域１００の付近に、ダミー配線層３２を確実に形成
することができる。

【０１３８】（２）本実施の形態では、部分的に制限領
域１００に重なるダミー配線層３２は、完全に排除され
ている。このため、たとえば、次の作用効果が奏され
る。

【０１３９】図５（ｂ）において、制限領域１００に部
分的に重なるダミー配線層３２のうち、制限領域１００
に重ならない一部の領域（斜線で示す領域）（以下「残
存ダミー配線層」という）３２ｂを発生させることが考
えられる。この残存ダミー配線層３２ｂは、本来のダミ
ー配線層３２の平面形状の一部が欠けた、平面形状を有
する。すなわち、残存ダミー配線層３２ｂの平面形状
は、本来のダミー配線層３２の平面形状と比べて、小さ
くなる。この残存ダミー配線層３２ｂの平面形状の寸法
が、極端に小さく（たとえば、解像限界またはデザイン
ルールより小さく）なると、たとえば次のような問題が
生じることが考えられる。

【０１４０】（ａ）残存ダミー配線層３２ｂを規定する
レジスト層を形成するのが困難となり、残存ダミー配線
層３２ｂのパターン飛びが発生する。（ｂ）残存ダミー
配線層３２ｂを形成するためのレジスト層を形成できた
としても、そのレジスト層が倒れ、倒れたレジスト層
が、第１の配線層３０を形成するためのエッチングの際
にゴミとなり、そのエッチングに悪影響を及ぼす。
（ｃ）残存ダミー配線層３２ｂは細くなるため、残存ダ
ミー配線層３２ｂが、配線層のパターニング後の洗浄工
程などの際に折れ、表面異物となる。（ｄ）この表面異
物が絶縁層内にとり込まれると、配線層のショートの原
因となる。

【０１４１】しかし、本実施の形態では、残存ダミー配
線層３２ｂを形成していない。このため、上述のような
問題が発生するのを確実に防止することができる。

【０１４２】［マスクデータの生成方法］以下、第１の
配線層およびダミー配線層を形成するために使用され
る、マスクデータの生成方法の一例を説明する。マスク
データは、コンピュータを用いて、生成されることがで
きる。図１３は、マスクデータの図である。

【０１４３】（第１のマスクデータの作成）まず、第１
のマスクデータを作成する。図９は、第１のマスクデー
タの図である。第１のマスクデータ２００には、制限領
域を規定する制限領域パターン２４２が設定されてい
る。具体的には、次のようにして、第１のマスクデータ
２００を作成することができる。図６〜図８は、第１の
マスクデータの作成工程を示す、中間マスクデータの図
である。

【０１４４】図６（ａ）および（ｂ）にそれぞれ示され
る、第１および第２の中間マスクデータ２１０，２２０
を用意する。

【０１４５】図６（ａ）に示す第１の中間マスクデータ
２１０においては、配線パターン２１２が設定されてい
る。配線パターン２１２は、第１の配線層を規定する。
図６（ｂ）に示す第２の中間マスクデータ２２０におい
ては、第２のコンタクトホールパターン２２２が設定さ
れている。第２のコンタクトホールパターン２２２は、
第２のコンタクトホールを規定する。

【０１４６】そして、第１および第２の中間マスクデー
タ２１０，２２０の論理和をとり、図７に示すように、
第３の中間マスクデータ２３０を得る。すなわち、第１
および第２の中間マスクデータ２１０，２２０の斜線領
域２１２，２２２を足すことにより、第３の中間マスク
データ２３０において、配線実効領域パターン２３２が
設定される。配線実効領域パターン２３２は、配線実効
領域を規定する。

【０１４７】次に、配線実効領域パターン２３２を所定
の幅だけ広げて、図８に示す第４の中間マスクデータ２
４０を得る。すなわち、配線実効領域パターン２３２の
周囲に、禁止区域パターン２４４を付加し、制限領域パ
ターン２４２を設定する。禁止区域パターン２４４は、
禁止区域を規定する。制限領域パターン２４２は、制限
領域を規定する。

【０１４８】次に、第４の中間マスクデータ２４０を図
形的に反転させ、図９に示す第１のマスクデータ２００
が得られる。具体的には、第４の中間マスクデータ２４
０における斜線領域を空白領域にし、第４の中間マスク
データ２４０における空白領域を斜線領域にすることに
より、第１のマスクデータ２００を生成する。

【０１４９】（第２のマスクデータの作成）次に、第２
のマスクデータ３００を作成する。図１０は、第２のマ
スクデータの図である。第２のマスクデータ３００に
は、ダミーパターン３１０が設定されている。ダミーパ
ターン３１０は、上述したダミー配線層３２の配置パタ
ーンに対応しており、ダミー配線層３２を規定する。つ
まり、ダミーパターン３１０とダミー配線層３２の配置
パターンとは、同一的または相似的な関係にある。具体
的には、図１１に示すように、第２のマスクデータ３０
０に基づいて形成された、マスク６００のダミーパター
ン６１０は、半導体装置７００におけるダミー凸部領域
３２のパターンに対応している。

【０１５０】より具体的には、ダミーパターン３１０
は、次のような配置パターンを有している。

【０１５１】ダミーパターン３１０は、第１の仮想直線
Ｌ１０上に位置するように形成されている。ダミーパタ
ーン３１０は、たとえば、ダミーパターン３１０の中心
が、第１の仮想直線Ｌ１０の上に位置するように、形成
されることができる。また、ダミーパターン３１０は、
ダミーパターン３１０の中心ではない他の部分が、第１
の仮想直線Ｌ１０の上に位置するように、形成されてい
てもよい。すなわち、ダミーパターン３１０が第１の仮
想直線Ｌ１０上にあればよい。

【０１５２】ダミーパターン３１０は、第２の仮想直線
Ｌ２０上に位置するように形成されている。ダミーパタ
ーン３１０は、たとえば、ダミーパターン３１０の中心
が、第２の仮想直線Ｌ２０の上に位置するように、形成
されることができる。ダミーパターン３１０は、ダミー
パターン３１０の中心ではない他の部分が、第２の仮想
直線Ｌ２０の上に位置するように、形成されていてもよ
い。すなわち、ダミーパターン３１０が第２の仮想直線
Ｌ２０上にあればよい。

【０１５３】第１の仮想直線Ｌ１０は、行方向と交差し
ている。第１の仮想直線Ｌ１０と行方向とのなす角θ１
０は、２〜４０度であり、好ましくは１５〜２５度であ
り、より好ましくは約２０度である。ここで「行方向」
とは、たとえば、配線パターン，第２のコンタクトホー
ルパターン，禁止区域パターンなどを考慮して想定され
る、一の方向である。

【０１５４】第２の仮想直線Ｌ２０は、列方向と交差し
ている。第２の仮想直線Ｌ２０と列方向とのなす角θ２
０は、２〜４０度であり、好ましくは１５〜２５度であ
り、より好ましくは約２０度である。ここで「列方向」
とは、行方向と直交する方向であり、たとえば、配線パ
ターン，第２のコンタクトホールパターン，禁止区域パ
ターンなどを考慮して想定される、一の方向である。

【０１５５】第１の仮想直線Ｌ１０は、複数本想定さ
れ、かつ、所定のピッチで想定される。第２の仮想直線
Ｌ２０は、複数本想定され、かつ、所定のピッチで想定
される。なお、第１の仮想直線Ｌ１０の間隔Ｄ１０は、
半導体装置における第１の仮想直線Ｌ１の間隔Ｄ１にお
いて、所望の間隔が得られるように、設定される（図１
１参照）。また、同様に、マスクにおける第２の仮想直
線Ｌ２０の間隔Ｄ２０は、半導体装置における第２の仮
想直線Ｌ２の間隔Ｄ２において、所望の間隔が得られる
ように、設定される（図１１参照）。

【０１５６】なお、第１のマスクデータ２００の作成工
程の前に、第２のマスクデータ３００の作成工程を行っ
てもよい。

【０１５７】（第３のマスクデータの作成）次に、第１
のマスクデータ２００と、第２のマスクデータ３００と
を合成し、第３のマスクデータ４００を作成する。図１
２は、第３のマスクデータの図である。この合成は、た
とえば次のようにして行うことができる。第１のマスク
データ２００の斜線領域と、第２のマスクデータのダミ
ーパターン（斜線領域）３１０との共通部分を抽出す
る。すなわち、制限領域パターン２４２と重なる、ダミ
ーパターン３１０を排除する。なお、ここで、制限領域
パターン２４２と部分的に重なるダミーパターン３１２
も、完全に排除される。

【０１５８】次に、第３のマスクデータ４００と、第１
の中間マスクデータ２１０との論理和をとる。すなわ
ち、第１の中間マスクデータ２１０の配線パターン（斜
線領域）２１２を、第３のマスクデータ４００に足す。
その結果、図１３に示す、第１の配線層およびダミー配
線層を形成するために使用される、マスクデータ５００
が得られる。

【０１５９】なお、配線層をパターニングする際に、ポ
ジ型のレジストを使用する場合には、マスクデータ５０
０の斜線領域は、マスクの遮光部分（たとえばクロムパ
ターン）となる。また、ネガ型のレジストを使用する場
合には、マスクデータ５００の斜線領域以外の領域（空
白領域）が、マスクの遮光部分（たとえばクロムパター
ン）となる。

【０１６０】こうして得られたマスクデータ５００は、
必要に応じてコンピュータ読み取り可能な記録媒体に記
録することができる。また、このマスクデータ５００に
基づいて、第１の配線層およびダミー配線層を形成する
ために使用されるマスクを得ることができる。

【０１６１】（作用効果）本実施の形態に係るマスクデ
ータの生成方法においては、ダミーパターン３１０は、
上述したダミー配線層３２の配置パターンに対応したパ
ターンを有している。このため、半導体装置の作用効果
で説明した理由と同様の理由で、制限領域パターン２４
２の付近に、ダミーパターン３１０の配置位置を制御す
ることなく、ダミーパターン３１０を確実に発生させる
ことができる。すなわち、制限領域パターン３１０の付
近に、ダミーパターン３１０を自動発生させることがで
きる。その結果、本発明のマスクデータの生成方法によ
り得られたマスクを用いてダミー配線層を形成する際、
制限領域の付近において、確実にダミー配線層を形成す
ることができる。したがって、層間絶縁層を研磨する
際、制限領域の付近においても、ダミー配線層に、研磨
圧力を確実に分散させることができる。

【０１６２】また、制限領域パターン２４２に少なくと
も部分的に重なる、ダミーパターン３１０は、完全に排
除される。このため、ダミー配線層のパターン飛びが生
じるのを、確実に防止することができる。

【０１６３】また、制限領域パターン２４２の付近にお
いても、確実にダミーパターン３１０を設定することが
できる。このため、制限領域パターン２４２間の間隔が
狭い領域においても、確実にダミーパターン３１０を設
定することができる。

【０１６４】（変形例）本実施の形態においては、第１
のマスクデータ２００の生成工程は、第４の中間マスク
データ２４０を図形的に反転させる工程を含んでいる。
しかし、マスクデータを生成するために使用するソフト
ウエアによっては、第４の中間マスクデータ２４０を図
形的に反転させる工程を含まなくてよい。

【０１６５】［半導体装置の製造方法］（製造プロセス）次に、実施の形態に係る半導体装置の
製造プロセスについて説明する。図１４および図１５
は、本実施の形態に係る半導体装置の製造工程を模式的
に示す断面図である。

【０１６６】（１）まず、図１４（ａ）を参照しながら
説明する。半導体基板１０の表面に、一般的な方法によ
り、半導体素子（たとえばＭＯＳＦＥＴ）、配線層およ
び素子分離領域（図示せず）を形成する。

【０１６７】次に、半導体基板１０上に、第１の層間絶
縁層２０を形成する。第１の層間絶縁層２０は、後述の
第２の層間絶縁層４０と同様にして形成されることがで
きる。第１の層間絶縁層２０の膜厚は、特に限定され
ず、たとえば３００〜１０００ｎｍである。第１の層間
絶縁層２０は、必要に応じてＣＭＰ法により平坦化され
ることができる。

【０１６８】次に、第１の層間絶縁層２０に、コンタク
トホール（図示せず）を形成する。コンタクトホール
は、たとえば異方性の反応性イオンエッチングにより形
成される。コンタクトホール内に、公知の方法により、
コンタクト層（図示せず）を形成する。コンタクト層
は、たとえば、タングステンプラグ，アルミニウム合金
層からなる。

【０１６９】次に、第１の層間絶縁層２０の上に、導電
層３６を形成する。導電層３６の材質としては、特に限
定されず、たとえばアルミニウムと銅との合金，窒化チ
タン，チタンなどを挙げることができる。導電層３６の
形成方法としては、特に限定されず、たとえばスパッタ
リング法を挙げることができる。導電層３６の膜厚とし
ては、デバイスの設計により異なるが、たとえば５０〜
７００ｎｍである。

【０１７０】次に、導電層３６の上に、レジスト層Ｒ１
を形成する。

【０１７１】（２）次に、レジスト層Ｒ１を露光・現像
することにより、図１４（ｂ）に示すように、レジスト
層Ｒ１をパターニングする。レジスト層Ｒ１を露光する
際に使用されるマスクは、本発明のマスクデータの生成
方法により得られたマスクデータに基づいて作製され
る。なお、第２のコンタクトホール７０の形成領域の上
方は、開口されていない。

【０１７２】（３）次に、図１４（ｃ）に示すように、
レジスト層Ｒ１をマスクとして、導電層３６をエッチン
グし、所定のパターンを有する第１の配線層３０と、ダ
ミー配線層３２とを形成する。

【０１７３】次に、図１５（ａ）に示すように、第１の
層間絶縁層２０、第１の配線層３０およびダミー配線層
３２の上に、絶縁層４２を形成する。絶縁層４２の材質
としては、たとえば酸化シリコンを挙げることができ
る。絶縁層４２の材質として酸化シリコンを用いた場合
には、酸化シリコンにリン，ホウ素などを含有してもよ
い。絶縁層４２の形成方法としては、たとえばＣＶＤ
法，塗布法を挙げることができる。絶縁層４２の膜厚と
しては、特に限定されず、たとえば５００〜２０００ｎ
ｍである。

【０１７４】次に、絶縁層４２をＣＭＰ法により研磨す
ることにより、絶縁層４２を平坦化し、図１５（ｂ）に
示すように、第２の層間絶縁層４０を形成する。得られ
る第２の層間絶縁層４０の膜厚は、デバイスの設計によ
り異なるが、たとえば２００〜６００ｎｍである。この
絶縁層４２の平坦化の際に、次のような作用効果が奏さ
れる。ダミー配線層３２は、半導体装置の項で説明した
配置パターンで形成されている。このため、ダミー配線
層３２は、制限領域の付近において、確実に形成されて
いる。その結果、この研磨の際において、制限領域の付
近に、ダミー配線層３２が確実に形成された分だけ、ダ
ミー配線層３２に確実に研磨圧力を分散させることがで
きる。このため、孤立した第１の配線層３０に研磨圧力
が集中するのをより抑えることができる。したがって、
孤立した第１の配線層３０における絶縁層４２が削られ
るのを、より抑制することができる。したがって、より
平坦化された第２の層間絶縁層４０を得ることができ
る。

【０１７５】次に、図２に示すように、第１および第２
の層間絶縁層２０，４０の所定領域に、フォトリソグラ
フィおよびエッチングにより、第２のコンタクトホール
７０を形成する。その後、第２のコンタクトホール７０
内に、第２のコンタクト層７２を形成する。

【０１７６】次に、第２の層間絶縁層４０の所定領域
に、フォトリソグラフィおよびエッチングにより、第１
のコンタクトホール６０を形成する。その後、第１のコ
ンタクトホール６０内に、第１のコンタクト層６２を形
成する。

【０１７７】次に、第２の層間絶縁層４０の上に導電層
を形成し、その導電層をパターニングすることにより、
第２の配線層５０が形成される。こうして、半導体装置
１０００が形成される。

【０１７８】（作用効果）以下、本実施の形態に係る半
導体装置の製造方法の作用効果を説明する。

【０１７９】本実施の形態に係る半導体装置の製造方法
においては、ダミー配線層３２が、半導体装置の項で説
明した、ダミー配線層３２のパターンと同様のパターン
で形成されている。このため、制限領域の付近におい
て、ダミー配線層３２が確実に形成されている。その結
果、絶縁層４２の研磨の際、孤立した配線層３０におけ
る絶縁層４２が極端に削られるのを、より抑えることが
できる。したがって、第２の層間絶縁層４０の膜厚をよ
り均一にすることができる。

【０１８０】［実験例］ダミー配線層の配置パターンの
相違によって、配線実効領域間においてダミー配線層が
形成される具合が、どのように変化するかを調べるため
に実験を行った。

【０１８１】（実施例の条件）以下、実施例の条件を説
明する。

【０１８２】（１）実施例においては、ダミー配線層の
配置パターンは、次のルールにしたがった。（ａ）第１の仮想直線と行方向とのなす角度は、約１
８．４度とした。（ｂ）第１の仮想直線間の間隔は、約３．２μｍとし
た。（ｃ）第２の仮想直線と列方向とのなす角度は、約１
８．４度とした。（ｄ）第２の仮想直線間の間隔は、約３．２μｍとし
た。（ｅ）単位ユニットの全面積に占めるダミー配線層の面
積の割合は、４０％とした。（ｆ）ダミー配線層の平面形状は、正方形とした。（ｇ）ダミー配線層の平面形状の一辺は、２μｍとし
た。（ｈ）同一の第１の仮想直線上に配置された、隣り合う
ダミー配線層において、対向する辺同士の間隔は、１μ
ｍとした。（ｉ）同一の第２の仮想直線上に配置された、隣り合う
ダミー配線層において、対向する辺同士の間隔は、１μ
ｍとした。（ｊ）同一の第１の仮想直線上に配置された、隣り合う
ダミー配線層において、互いに列方向にずれた幅は、１
μｍとした。（ｋ）同一の第２の仮想直線上に配置された、隣り合う
ダミー配線層において、互いに行方向にずれた幅は、１
μｍとした。（ｌ）ダミー配線層は、その中心が、第１の仮想直線の
上に位置するように形成されている。（ｍ）ダミー配線層は、その中心が、第２の仮想直線の
上に位置するように形成されている。（ｎ）全体的または部分的に制限領域１００に重なるダ
ミー配線層（制限領域に接するダミー配線層も含む）
は、完全に排除されている。

【０１８３】（２）制限領域１００は、配線実効領域
（配線層）９０と、配線実効領域（配線層）９０の周囲
の領域に設定した、禁止区域８０とからなる。

【０１８４】（３）禁止区域８０の幅は、１μｍとし
た。

【０１８５】（４）配線実効領域（配線層）９０間の間
隔が１０μｍである領域Ａ１０と、配線実効領域（配線
層）９０間の間隔が６μｍである領域Ｂ１０を設定し
た。

【０１８６】（比較例の条件）以下、比較例の条件を説
明する。

【０１８７】（１）比較例においては、ダミー配線層を
格子状に配置している。具体的には、ダミー配線層の配
置パターンは、次のルールにしたがった。（ａ）行方向に隣り合うダミー配線層間の間隔は、１μ
ｍとした。（ｂ）列方向に隣り合うダミー配線層間の間隔は、１μ
ｍとした。（ｃ）ダミー配線層の平面形状は、正方形とした。（ｄ）ダミー配線層の一辺は、２μｍとした。（ｅ）全体的または部分的に制限領域１００に重なるダ
ミー配線層（制限領域に接するダミー配線層も含む）
は、完全に排除されている。

【０１８８】（２）制限領域１００は、配線実効領域９
０と、配線実効領域９０の周囲の領域に設定した、禁止
区域８０とからなる。

【０１８９】（３）禁止区域８０の幅は、１μｍであっ
た。

【０１９０】（４）配線実効領域（配線層）９０のパタ
ーンは、実施例と同様のパターンを使用した。なお、実
施例の領域Ａ１０に対応する領域をＡ２０として表し、
実施例の領域Ｂ１０に対応する領域をＢ２０として表
す。

【０１９１】（結果）この結果を図１６および図１７に
示す。図１６は、実施例に係る配線実効領域（配線層）
およびダミー配線層を示す平面図である。図１７は、比
較例に係る配線実効領域（配線層）およびダミー配線層
を示す平面図である。なお、実線で示された正方形は実
際に形成されたダミー配線層を示し、想像線で示された
正方形は排除された架空のダミー配線層を示す。

【０１９２】比較例においては、領域Ａ２０において、
１行分のダミー配線層しか形成されていない。すなわ
ち、制限領域１００の付近において、ダミー配線層が形
成されていない。これに対して、実施例においては、領
域Ａ１０において、制限領域１００の付近にも確実にダ
ミー配線層が形成されている。

【０１９３】また、実施例においては、配線実効領域
（配線層）間の間隔が狭い領域（領域Ｂ１０）におい
て、ダミー配線層が形成されている。これに対して、比
較例においては、配線実効領域（配線層）間の間隔が狭
い領域（領域Ｂ２０）において、ダミー配線層が形成さ
れていない。

【０１９４】以上のことから、実施例によれば、比較例
に比べて、制限領域１００の付近にダミー配線層をより
確実に形成できることがわかる。

【０１９５】［変形例］本発明は、上記の実施の形態に
限定されず、本発明の要旨の範囲で種々の変更が可能で
ある。

【０１９６】（１）上記の実施の形態においては、ダミ
ー配線層３２は、ダミー配線層３２の中心が、第１の仮
想直線Ｌ１の上に位置するように、形成されていた。し
かし、ダミー配線層３２は、ダミー配線層３２の中心で
はない他の部分が、第１の仮想直線Ｌ１の上に位置する
ように、形成されていてもよい。すなわち、ダミー配線
層３２が第１の仮想直線Ｌ１上にあればよい。

【０１９７】（２）上記の実施の形態においては、ダミ
ー配線層３２は、ダミー配線層３２の中心が、第２の仮
想直線Ｌ２の上に位置するように、形成されていた。し
かし、ダミー配線層３２は、ダミー配線層３２の中心で
はない他の部分が、第２の仮想直線Ｌ２の上に位置する
ように、形成されていてもよい。すなわち、ダミー配線
層３２が第２の仮想直線Ｌ２上にあればよい。

【０１９８】（３）上記の実施の形態においては、ダミ
ー配線層３２を第１層目の層間絶縁層２０の上に形成し
た。しかし、これに限定されず、ダミー配線層３２を第
２層目以上の層間絶縁層の上に形成してもよい。

【０１９９】（４）上記の実施の形態においては、第１
の層間絶縁層２０および第２の層間絶縁層４０に形成す
る第２のコンタクトホール７０を配線実効領域とした。
しかし、これに限定されず、複数の層間絶縁層を貫通す
るコンタクトホールについては、前記複数の層間絶縁層
間の配線層において、配線実効領域とすることができ
る。すなわち、ダミー配線層より上のレベルに形成され
た配線層と、ダミー配線より下のレベルに形成された配
線層とを接続するコンタクトホールの形成領域を、その
ダミー配線層が形成されたレベルにおける配線実効領域
とすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】半導体装置を模式的に示す平面図である。

【図２】図１におけるＡ−Ａ線に沿った断面を模式的に
示す断面図である。

【図３】第１の配線層が形成されたレベルの平面図であ
る。

【図４】ダミー配線層の配置パターンを説明するための
図である。

【図５】ダミー配線層の配置パターンの作用効果を説明
するための図である。

【図６】第１のマスクデータの作成工程を示す、中間マ
スクデータの図である。

【図７】第１のマスクデータの作成工程を示す、中間マ
スクデータの図である。

【図８】第１のマスクデータの作成工程を示す、中間マ
スクデータの図である。

【図９】第１のマスクデータの図である。

【図１０】第２のマスクデータの図である。

【図１１】第２のマスクデータに基づいてマスクを形成
した場合において、マスクのダミーパターンと半導体装
置におけるダミー凸部領域のパターンとの対応関係を示
す図である。

【図１２】第３のマスクデータの図である。

【図１３】マスクデータの図である。

【図１４】半導体装置の製造工程を模式的に示す断面図
である。

【図１５】半導体装置の製造工程を模式的に示す断面図
である。

【図１６】実施例に係る配線層およびダミー配線層の平
面図である。

【図１７】比較例に係る配線層およびダミー配線層の平
面図である。

【図１８】従来の多層配線技術を利用した、多層配線の
形成工程を模式的に示す断面図である。

【図１９】ダミー配線層を形成した場合における、多層
配線の形成工程を模式的に示す断面図である。

【符号の説明】

１０半導体基板２０第１の層間絶縁層３０第１の配線層３２ダミー配線層４０第２の層間絶縁層４２絶縁層５０第２の配線層６０第１のコンタクトホール６２第１のコンタクト層７０第２のコンタクトホール７２第２のコンタクト層８０禁止区域９０配線実効領域１００制限領域２００第１のマスクデータ２１０第１の中間マスクデータ２１２配線パターン２２０第２の中間マスクデータ２２２第２のコンタクトホールパターン２３０第３の中間マスクデータ２３２配線実効領域パターン２４０第４の中間マスクデータ２４２制限領域パターン２４４禁止区域パターン３００第２のマスクデータ３１０ダミーパターン４００第３のマスクデータ５００マスクデータ１０００半導体装置Ｄ１第１の仮想直線間の間隔Ｄ２第２の仮想直線間の間隔Ｇ１０，Ｇ２０辺同士の間隔Ｌ１第１の仮想直線Ｌ２第２の仮想直線Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４辺Ｔ１０ダミー配線層の一辺の長さＸ１０ずれ幅Ｙ１０ずれ幅 θ１第１の仮想直線と行方向とのなす角 θ２第２の仮想直線と列方向とのなす角

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 21/822 Ｈ０１Ｌ 27/04 Ｄ (72)発明者糟谷良和長野県諏訪市大和３丁目３番５号セイコーエプソン株式会社内Ｆターム(参考） 2H095 BB01 BB02 5F033 HH09 HH18 HH33 JJ08 JJ11 JJ19 PP15 QQ13 QQ16 QQ37 QQ48 RR04 RR13 RR14 RR15 SS11 SS21 UU04 VV01 WW00 WW01 XX01 5F038 CA18 CD10 5F064 EE15 EE60

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】第１の配線層と、前記第１の配線層と同じレベルに設けられた、複数のダ
ミー配線層とを有し、行方向と交差する方向に沿って伸びる、第１の仮想直線
を想定すると、前記第１の仮想直線と前記行方向とのなす角は、２〜４
０度であり、前記ダミー配線層は、前記第１の仮想直線上に位置する
ように、配置された、半導体装置。
【請求項２】請求項１において、前記第１の仮想直線間において、所定の間隔が置かれて
いる、半導体装置。
【請求項３】請求項２において、前記間隔は、１〜１６μｍである、半導体装置。
【請求項４】請求項１〜３のいずれかにおいて、前記ダミー配線層は、該ダミー配線層の中心が、前記第
１の仮想直線上に位置するように、配置された、半導体
装置。
【請求項５】第１の配線層と、前記第１の配線層と同じレベルに設けられた、複数のダ
ミー配線層とを有し、列方向と交差する方向に沿って伸びる、第２の仮想直線
を想定すると、前記第２の仮想直線と前記列方向とのなす角は、２〜４
０度であり、前記ダミー配線層は、前記第２の仮想直線上に位置する
ように、配置された、半導体装置。
【請求項６】請求項１〜４のいずれかにおいて、さらに、列方向と交差する方向に沿って伸びる、第２の
仮想直線を想定すると、前記第２の仮想直線と前記列方向とのなす角は、２〜４
０度であり、前記ダミー配線層は、さらに、前記第２の仮想直線上に
位置するように、配置された、半導体装置。
【請求項７】請求項５または６において、前記第２の仮想直線間において、所定の間隔が置かれて
いる、半導体装置。
【請求項８】請求項７において、前記間隔は、１〜１６μｍである、半導体装置。
【請求項９】請求項５〜８のいずれかにおいて、前記ダミー配線層は、該ダミー配線層の中心が、前記第
２の仮想直線上に位置するように、配置された、半導体
装置。
【請求項１０】請求項１〜９のいずれかにおいて、平面形状において、単位面積に占める、ダミー配線層の
面積の割合は、３０〜５０％である、半導体装置。
【請求項１１】請求項１０において、前記割合は、約４０％である、半導体装置。
【請求項１２】請求項１〜１１のいずれかにおいて、前記ダミー配線層の平面形状は、ほぼ方形をなす、半導
体装置。
【請求項１３】請求項１２において、前記ダミー配線層の平面形状は、ほぼ正方形をなす、半
導体装置。
【請求項１４】請求項１２または１３において、前記第１の仮想直線または前記第２の仮想直線上に配置
された、隣り合う前記ダミー配線層は、平面形状におい
て、互いに部分的に対向し合う辺を有する、半導体装
置。
【請求項１５】請求項１４において、対向し合う、前記辺同士の間隔は、前記ダミー配線層の
一辺より短い、半導体装置。
【請求項１６】請求項１４または１５において、対向し合う、前記辺同士の間隔は、０．５〜５μｍであ
る、半導体装置。
【請求項１７】請求項１６において、前記辺同士の間隔は、約１μｍである、半導体装置。
【請求項１８】請求項１２〜１７のいずれかにおい
て、前記ダミー配線層の一辺の長さは、１μｍ以上である、
半導体装置。
【請求項１９】請求項１２〜１８のいずれかにおい
て、前記ダミー配線層の一辺の長さは、１０μｍ以下であ
る、半導体装置。
【請求項２０】請求項１２〜１９のいずれかにおい
て、前記ダミー配線層の一辺の長さは、約２μｍである、半
導体装置。
【請求項２１】第１の配線層と、前記第１の配線層と同じレベルに設けられた、複数のダ
ミー配線層とを有し、前記ダミー配線層は、平面形状において、ほぼ正方形を
なし、行方向で隣り合う前記ダミー配線層間の間隔は、該ダミ
ー配線層の一辺の長さの、ほぼ半分であり、行方向で隣り合う前記ダミー配線層は、互いに列方向に
ずれ、前記ダミー配線層の列方向にずれた幅は、該ダミー配線
層の一辺の長さの、ほぼ半分である、半導体装置。
【請求項２２】第１の配線層と、前記第１の配線層と同じレベルに設けられた、複数のダ
ミー配線層を有し、前記ダミー配線層は、平面形状において、ほぼ正方形を
なし、列方向で隣り合う前記ダミー配線層間の間隔は、該ダミ
ー配線層の一辺の長さの、ほぼ半分であり、列方向で隣り合う前記ダミー配線層は、互いに行方向に
ずれ、前記ダミー配線層の行方向にずれた幅は、該ダミー配線
層の一辺の長さの、ほぼ半分である、半導体装置。
【請求項２３】請求項２１において、さらに、列方向で隣り合う前記ダミー配線層間の間隔
は、該ダミー配線層の一辺の長さの、ほぼ半分であり、列方向で隣り合う前記ダミー配線層は、互いに行方向に
ずれ、前記ダミー配線層の行方向にずれた幅は、該ダミー配線
層の一辺の長さの、ほぼ半分である、半導体装置。
【請求項２４】請求項２１〜２３のいずれかにおい
て、前記ダミー配線層の一辺の長さは、約２μｍである、半
導体装置。
【請求項２５】請求項１〜２４のいずれかにおいて、前記半導体装置は、さらに、制限領域を有し、前記制限領域に少なくとも部分的に重なることになるダ
ミー配線層は、完全に排除されている、半導体装置。
【請求項２６】請求項２５において、前記制限領域は、配線実効領域と、該配線実効領域の周
囲に設定された禁止区域とを含む、半導体装置。
【請求項２７】請求項２６において、前記配線実効領域は、前記第１の配線層の形成領域を含
む、半導体装置。
【請求項２８】請求項２６または２７において、前記半導体装置は、前記第１の配線層より上のレベルに
形成された第２の配線層と、前記第１の配線層より下の
レベルに形成された第３の配線層とを有し、前記配線実効領域は、さらに、前記第２の配線層と、前
記第３の配線層とを接続するためのコンタクトホールが
形成される領域を含む、半導体装置。
【請求項２９】請求項２６〜２８のいずれかにおい
て、前記禁止区域の幅は、０．５〜１００μｍである、半導
体装置。
【請求項３０】請求項２６〜２８のいずれかにおい
て、前記禁止区域の幅は、０．５〜２０μｍである、半導体
装置。
【請求項３１】第１の配線層を形成する工程を含む、
半導体装置の製造方法であって、前記第１の配線層を形成する工程において、複数のダミ
ー配線層が形成され、行方向と交差する方向に沿って伸びる、第１の仮想直線
を想定すると、前記第１の仮想直線と前記行方向とのなす角は、２〜４
０度であり、前記ダミー配線層は、前記第１の仮想直線上に位置する
ように、配置された、半導体装置の製造方法。
【請求項３２】第１の配線層を形成する工程を含む、
半導体装置の製造方法であって、前記第１の配線層を形成する工程において、複数のダミ
ー配線層が形成され、列方向と交差する方向に沿って伸びる、第２の仮想直線
を想定すると、前記第２の仮想直線と前記列方向とのなす角は、２〜４
０度であり、前記ダミー配線層は、前記第２の仮想直線上に位置する
ように、配置された、半導体装置の製造方法。
【請求項３３】請求項３１において、さらに、列方向と交差する方向に沿って伸びる、第２の
仮想直線を想定すると、前記第２の仮想直線と前記列方向とのなす角は、２〜４
０度であり、前記ダミー配線層は、前記第２の仮想直線上に位置する
ように、配置された、半導体装置の製造方法。
【請求項３４】第１の配線層を形成する工程を含む、
半導体装置の製造方法であって、前記第１の配線層を形成する工程において、複数のダミ
ー配線層が形成され、前記ダミー配線層は、平面形状において、ほぼ正方形を
なし、行方向で隣り合う前記ダミー配線層間の間隔は、該ダミ
ー配線層の一辺の長さの、ほぼ半分であり、行方向で隣り合う前記ダミー配線層は、互いに列方向に
ずれ、前記ダミー配線層の列方向にずれた幅は、該ダミー配線
層の一辺の長さの、ほぼ半分である、半導体装置の製造
方法。
【請求項３５】第１の配線層を形成する工程を含む、
半導体装置の製造方法であって、前記第１の配線層を形成する工程において、複数のダミ
ー配線層が形成され、前記ダミー配線層は、平面形状において、ほぼ正方形を
なし、列方向で隣り合う前記ダミー配線層間の間隔は、該ダミ
ー配線層の一辺の長さの、ほぼ半分であり、列方向で隣り合う前記ダミー配線層は、互いに行方向に
ずれ、前記ダミー配線層の行方向にずれた幅は、該ダミー配線
層の一辺の長さの、ほぼ半分である、半導体装置の製造
方法。
【請求項３６】請求項３４において、さらに、列方向で隣り合う前記ダミー配線層間の間隔
は、該ダミー配線層の一辺の長さの、ほぼ半分であり、列方向で隣り合う前記ダミー配線層は、互いに行方向に
ずれ、前記ダミー配線層の行方向にずれた幅は、該ダミー配線
層の一辺の長さの、ほぼ半分である、半導体装置の製造
方法。
【請求項３７】請求項２５〜３０にいずれかに記載の
半導体装置を製造する際に適用されるマスクデータの生
成方法であって、以下の工程（ａ）〜（ｃ）を含む、マスクデータの生成
方法。（ａ）前記制限領域を規定する制限領域パターンを設定
する工程、（ｂ）前記ダミー配線層を規定するダミーパターンを設
定する工程、（ｃ）前記制限領域パターンと前記ダミー
パターンとを合成する工程であって、前記制限領域パターンに少なくとも部分的に重なる、前
記ダミーパターンは、完全に排除される。
【請求項３８】半導体装置の製造方法に適用されるマ
スクデータの生成方法であって、前記半導体装置は、第１の配線層と、前記第１の配線層と同じレベルに設けられた、複数のダ
ミー配線層と、を有し、前記ダミー配線層の配置は、以下の工程（ａ）〜（ｃ）
を含む方法により決定される、マスクデータの生成方
法。（ａ）制限領域を規定する制限領域パターンを設定する
工程、（ｂ）前記ダミー配線層を規定するダミーパター
ンを設定する工程であって、行方向と交差する方向に沿って伸びる、第１の仮想直線
を想定すると、前記第１の仮想直線と前記行方向とのなす角は、２〜４
０度であり、前記ダミーパターンは、前記第１の仮想直線上に位置す
るように、配置され、（ｃ）前記制限領域パターンと前
記ダミーパターンとを合成する工程であって、前記制限領域パターンに少なくとも部分的に重なる、前
記ダミーパターンは、完全に排除される。
【請求項３９】半導体装置の製造方法に適用されるマ
スクデータの生成方法であって、前記半導体装置は、第１の配線層と、前記第１の配線層と同じレベルに設けられた、複数のダ
ミー配線層と、を有し、前記ダミー配線層の配置は、以下の工程（ａ）〜（ｃ）
を含む方法により決定される、マスクデータの生成方
法。（ａ）制限領域を規定する制限領域パターンを設定する
工程、（ｂ）前記ダミー配線層を規定するダミーパター
ンを設定する工程であって、列方向と交差する方向に沿って伸びる、第２の仮想直線
を想定すると、前記第２の仮想直線と前記列方向とのなす角は、２〜４
０度であり、前記ダミーパターンは、前記第２の仮想直線上に位置す
るように、配置され、（ｃ）前記制限領域パターンと前
記ダミーパターンとを合成する工程であって、前記制限領域パターンに少なくとも部分的に重なる、前
記ダミーパターンは、完全に排除される。
【請求項４０】請求項３８において、前記工程（ｂ）において、さらに、列方向と交差する方
向に沿って伸びる、第２の仮想直線を想定すると、前記第２の仮想直線と前記列方向とのなす角は、２〜４
０度であり、前記ダミーパターンは、さらに、前記第２の仮想直線上
に位置するように、配置されている、マスクデータの生
成方法。
【請求項４１】半導体装置の製造方法に適用されるマ
スクデータの生成方法であって、前記半導体装置は、第１の配線層と、前記第１の配線層と同じレベルに設けられた、複数のダ
ミー配線層と、を有し、前記ダミー配線層の配置は、以下の工程（ａ）〜（ｃ）
を含む方法により決定される、マスクデータの生成方
法。（ａ）制限領域を規定する制限領域パターンを設定する
工程、（ｂ）前記ダミー配線層を規定するダミーパター
ンを設定する工程であって、前記ダミーパターンは、平面形状において、ほぼ正方形
をなし、行方向で隣り合う前記ダミーパターン間の間隔は、該ダ
ミーパターンの一辺の長さの、ほぼ半分であり、行方向で隣り合う前記ダミーパターンは、互いに列方向
にずれ、前記ダミーパターンの列方向にずれた幅は、該ダミーパ
ターンの一辺の長さの、ほぼ半分であり、（ｃ）前記制
限領域パターンと前記ダミーパターンとを合成する工程
であって、前記制限領域パターンに少なくとも部分的に重なる、前
記ダミーパターンは、完全に排除される。
【請求項４２】半導体装置の製造方法に適用されるマ
スクデータの生成方法であって、前記半導体装置は、第１の配線層と、前記第１の配線層と同じレベルに設けられた、複数のダ
ミー配線層と、を有し、前記ダミー配線層の配置は、以下の工程（ａ）〜（ｃ）
を含む方法により決定される、マスクデータの生成方
法。（ａ）制限領域を規定する制限領域パターンを設定する
工程、（ｂ）前記ダミー配線層を規定するダミーパター
ンを設定する工程であって、前記ダミーパターンは、平面形状において、ほぼ正方形
をなし、列方向で隣り合う前記ダミーパターン間の間隔は、該ダ
ミーパターンの一辺の長さの、ほぼ半分であり、列方向で隣り合う前記ダミーパターンは、互いに行方向
にずれ、前記ダミーパターンの行方向にずれた幅は、該ダミーパ
ターンの一辺の長さの、ほぼ半分であり、（ｃ）前記制
限領域パターンと前記ダミーパターンとを合成する工程
であって、前記制限領域パターンに少なくとも部分的に重なる、前
記ダミーパターンは、完全に排除される。
【請求項４３】請求項４１において、さらに、列方向で隣り合う前記ダミーパターン間の間隔
は、該ダミーパターンの一辺の長さの、ほぼ半分であ
り、列方向で隣り合う前記ダミーパターンは、互いに行方向
にずれ、前記ダミーパターンの行方向にずれた幅は、該ダミーパ
ターンの一辺の長さの、ほぼ半分である、マスクデータ
の生成方法。
【請求項４４】請求項３８〜４３のいずれかにおい
て、前記制限領域は、配線実効領域と、該配線実効領域の周
囲に設定された禁止区域とを有し、前記工程（ａ）は、前記配線実効領域を規定する配線実
効領域パターンを設定する工程（ａ−１）、該配線実効
領域パターンの周囲に、前記禁止区域を規定する禁止区
域パターンを設定する工程（ａ−２）を含む、マスクデ
ータの生成方法。
【請求項４５】請求項４４において、前記配線実効領域パターンは、配線パターンを含む、マ
スクデータの生成方法。
【請求項４６】請求項４４または４５において、前記半導体装置は、前記第１の配線層より上のレベルに
形成された第２の配線層と、前記第１の配線層より下の
レベルに形成された第３の配線層とを有し、前記配線実効領域パターンは、前記第２の配線層と、前
記第３の配線層とを接続するためのコンタクトホールパ
ターンを含む、マスクデータの生成方法。
【請求項４７】半導体装置の製造方法に適用されるマ
スクデータの生成方法であって、前記半導体装置は、第１の配線層と、前記第１の配線層と同じレベルに設けられた、複数のダ
ミー配線層とを有し、行方向と交差する方向に沿って伸びる、第１の仮想直線
を想定すると、前記第１の仮想直線と前記行方向とのなす角は、２〜４
０度であり、前記ダミー配線層は、前記第１の仮想直線上に位置する
ように、配置され、以下の工程（ａ）〜（ｃ）を含む、マスクデータの生成
方法。（ａ）制限領域を規定する制限領域パターンを設定する
工程、（ｂ）前記ダミー配線層を規定するダミーパター
ンを設定する工程、（ｃ）前記制限領域パターンと前記
ダミーパターンとを合成する工程であって、前記制限領域パターンに少なくとも部分的に重なる、前
記ダミーパターンは、完全に排除される。
【請求項４８】半導体装置の製造方法に適用されるマ
スクデータの生成方法であって、前記半導体装置は、第１の配線層と、前記第１の配線層と同じレベルに設けられた、複数のダ
ミー配線層とを有し、列方向と交差する方向に沿って伸びる、第２の仮想直線
を想定すると、前記第２の仮想直線と前記列方向とのなす角は、２〜４
０度であり、前記ダミー配線層は、前記第２の仮想直線上に位置する
ように、配置され、以下の工程（ａ）〜（ｃ）を含む、マスクデータの生成
方法。（ａ）制限領域を規定する制限領域パターンを設定する
工程、（ｂ）前記ダミー配線層を規定するダミーパター
ンを設定する工程、（ｃ）前記制限領域パターンと前記
ダミーパターンとを合成する工程であって、前記制限領域パターンに少なくとも部分的に重なる、前
記ダミーパターンは、完全に排除される。
【請求項４９】請求項４７において、さらに、列方向と交差する方向に沿って伸びる、第２の
仮想直線を想定すると、前記第２の仮想直線と前記列方向とのなす角は、２〜４
０度であり、前記ダミー配線層は、さらに、前記第２の仮想直線上に
位置するように、配置された、マスクデータの生成方
法。
【請求項５０】半導体装置の製造方法に適用されるマ
スクデータの生成方法であって、前記半導体装置は、第１の配線層と、前記第１の配線層と同じレベルに設けられた、複数のダ
ミー配線層とを有し、前記ダミー配線層は、平面形状において、ほぼ正方形を
なし、行方向で隣り合う前記ダミー配線層間の間隔は、該ダミ
ー配線層の一辺の長さの、ほぼ半分であり、行方向で隣り合う前記ダミー配線層は、互いに列方向に
ずれ、前記ダミー配線層の列方向にずれた幅は、該ダミー配線
層の一辺の長さの、ほぼ半分であり、以下の工程（ａ）〜（ｃ）を含む、マスクデータの生成
方法。（ａ）制限領域を規定する制限領域パターンを設定する
工程、（ｂ）前記ダミー配線層を規定するダミーパター
ンを設定する工程、（ｃ）前記制限領域パターンと前記
ダミーパターンとを合成する工程であって、前記制限領域パターンに少なくとも部分的に重なる、前
記ダミーパターンは、完全に排除される。
【請求項５１】半導体装置の製造方法に適用されるマ
スクデータの生成方法であって、前記半導体装置は、第１の配線層と、前記第１の配線層と同じレベルに設けられた、複数のダ
ミー配線層を有し、前記ダミー配線層は、平面形状において、ほぼ正方形を
なし、列方向で隣り合う前記ダミー配線層間の間隔は、該ダミ
ー配線層の一辺の長さの、ほぼ半分であり、列方向で隣り合う前記ダミー配線層は、互いに行方向に
ずれ、前記ダミー配線層の行方向にずれた幅は、該ダミー配線
層の一辺の長さの、ほぼ半分であり、以下の工程（ａ）〜（ｃ）を含む、マスクデータの生成
方法。（ａ）制限領域を規定する制限領域パターンを設定する
工程、（ｂ）前記ダミー配線層を規定するダミーパター
ンを設定する工程、（ｃ）前記制限領域パターンと前記
ダミーパターンとを合成する工程であって、前記制限領域パターンに少なくとも部分的に重なる、前
記ダミーパターンは、完全に排除される。
【請求項５２】請求項５０において、さらに、列方向で隣り合う前記ダミー配線層間の間隔
は、該ダミー配線層の一辺の長さの、ほぼ半分であり、列方向で隣り合う前記ダミー配線層は、互いに行方向に
ずれ、前記ダミー配線層の行方向にずれた幅は、該ダミー配線
層の一辺の長さの、ほぼ半分である、マスクデータの生
成方法。
【請求項５３】請求項４７〜５２のいずれかにおい
て、前記制限領域は、配線実効領域と、該配線実効領域の周
囲に設定された禁止区域とを含む、マスクデータの生成
方法。
【請求項５４】請求項５３において、前記配線実効領域は、前記第１の配線層の形成領域を含
む、マスクデータの生成方法。
【請求項５５】請求項５３または５４において、前記半導体装置は、前記第１の配線層より上のレベルに
形成された第２の配線層と、前記第１の配線層より下の
レベルに形成された第３の配線層とを有し、前記配線実効領域は、さらに、前記第２の配線層と、前
記第３の配線層とを接続するためのコンタクトホールが
形成される領域を含む、マスクデータの生成方法。
【請求項５６】請求項３７〜５５のいずれかにおい
て、前記工程（ｃ）の前に、さらに、前記制限領域パターン
を反転させる工程（ｄ）を含む、マスクデータの生成方
法。
【請求項５７】請求項３７〜５６のいずれかに記載の
マスクデータの生成方法により得られた、マスク。
【請求項５８】請求項３７〜５６のいずれかに記載の
マスクデータの生成方法により得られたマスクデータを
記録した、コンピュータ読み取り可能な記録媒体。