JP2001255501A - 光導波路素子 - Google Patents
光導波路素子Info
- Publication number
- JP2001255501A JP2001255501A JP2000064490A JP2000064490A JP2001255501A JP 2001255501 A JP2001255501 A JP 2001255501A JP 2000064490 A JP2000064490 A JP 2000064490A JP 2000064490 A JP2000064490 A JP 2000064490A JP 2001255501 A JP2001255501 A JP 2001255501A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical waveguide
- electrode
- ground electrode
- branch
- signal electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/21—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour by interference
- G02F1/225—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour by interference in an optical waveguide structure
- G02F1/2255—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour by interference in an optical waveguide structure controlled by a high-frequency electromagnetic component in an electric waveguide structure
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/03—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect
- G02F1/0305—Constructional arrangements
- G02F1/0316—Electrodes
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/21—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour by interference
- G02F1/225—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour by interference in an optical waveguide structure
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
性を有する新たな光導波路素子を提供する。 【解決手段】 基板21の表層部分にマッハツエンダー
型の光導波路を構成する第1及び第2の分岐光導波路2
3−1及び23−2が形成されている。バッファ層22
上には第1の接地電極25−1、信号電極24、及び第
2の接地電極25−2が形成されている。第2の接地電
極25−2は光導波路の長さ方向に分断されて溝部26
を有し、これによって信号電極24、第1及び第2の接
地電極25−1及び25−2からなる変調用電極は第1
及び第2の分岐光導波路の中心II―IIに対して左右対称
になっている。そして、第1及び第2の分岐光導波路と
信号電極との間隔d1及びd2との比d2/d1は3.
5〜7.5である。
Description
し、さらに詳しくは、高速・大容量光ファイバ通信シス
テムにおける高速光変調器などに好適に用いることので
きる光導波路素子に関する。
テムの進歩に伴い、外部変調器に代表されるように、光
導波路素子を用いた高速光変調器が実用化され、広く用
いられるようになってきている。このような光導波路素
子は一般に以下に示すような構成を有する。図1は、従
来の高速光変調器に用いられる光導波素子の一例の概略
を示す断面図である。図2は、同じく従来の高速光変調
器に用いられる光導波素子の他の例の概略を示す断面図
である。
効果を有する材料のZカット板からなる基板1と、その
上に形成されたバッファ層2とを有している。さらに、
基板1内にチタン内拡散法などにより形成された第1及
び第2の分岐光導波路3−1及び3−2を有している。
この光導波路3−1及び3−2は対をなし、マッハツエ
ンダー型光導波路を構成している。
分岐光導波路3−1中を導波する光波に変調信号を印加
するための信号電極4と、接地電極5−1及び5−2と
を有している。そして、基板1にZカット板を使用する
場合は、図1に示すように信号電極4は第1の光導波路
3−1上に位置するように形成する。接地電極5−1及
び5−2は信号電極4に対して対向電極の役割を果た
し、これらによって形成される電極インピーダンスが外
部インピーダンスである50Ωにマッチングし、かつ駆
動電圧を低減できるように可能な限り接近させて形成す
る。
効果を有する材料のXカット板からなる基板11と、そ
の上に形成されたバッファ層12とを有している。さら
に、図1と同様に、マッハツエンダー型光導波路を構成
する第1及び第2の分岐光導波路13−1及び13−2
を基板11内に有している。さらに、バッファ層12上
において、前記同様に信号電極14並びに接地電極15
−1及び15−2を有している。なお、基板11にXカ
ット板を使用する従来例においては、分岐光導波路13
−2を接地電極15−2の下に配置し、チャープを付与
されるタイプとした。また、接地電極15−1及び15
−2は前記同様に対向電極としての作用を果たす。
0においては、信号電極4及び14に所定の半波長電圧
を印加し、第1及び第2の分岐光導波路3−1及び13
−1中を導波する光波の位相を、第1及び第2の光導波
路3−2及び13−2中を導波する光波の位相に対して
πシフトさせることによって、光信号のオン/オフを行
う。上記半波長電圧は、光強度変調曲線上において予め
所定の動作点を設定しておき、この動作点を基準として
上記位相がπシフトする電圧から算出する。
び2に示すような従来の光導波路素子においては、環境
温度の変化によって上記動作点が大きくシフトしてしま
うという問題が生じていた。このため、光信号をオン/
オフするために印加していた半波長電圧が当初に設定し
た値からずれてしまい、前記光信号のオン/オフを良好
に行うことができない場合があった。したがって、これ
らの光導波路素子を高速・大容量の光ファイバ通信シス
テムの光変調器として使用した場合に、これらのシステ
ムに要求される高信頼性と高安定性という条件を満足で
きない場合があった。
い、高い信頼性を有する新たな光導波路素子を提供する
ことを目的とする。
素子は、電気光学効果を有する材料からなる基板と、こ
の基板の主面に形成されたマッハツエンダー型光導波路
と、この光導波路中を導波する光波を制御するための変
調用電極とを具える。そして、前記マッハツエンダー型
光導波路は第1の分岐光導波路と第2の分岐光導波路と
を具えるとともに、前記変調用電極は前記マッハツエン
ダー型光導波路を構成する第1の分岐光導波路を導波す
る光波を変調するための信号電極と、この信号電極に対
して対向電極の役割を有する接地電極とからなる。
地電極とからなる。前記第1の接地電極及び前記第2の
接地電極は前記信号電極を挟んで互いに対向し、前記第
1の分岐光導波路は前記信号電極の下側又は前記第1の
接地電極と前記信号電極との間に位置する。前記第2の
分岐光導波路は前記第2の接地電極の下側に位置し、前
記第2の接地電極は前記マッハツエンダー型光導波路の
長さ方向において分断されて、前記信号電極、前記第1
の接地電極及び前記第2の接地電極から構成される前記
変調用電極が、前記第1及び第2の分岐光導波路間の中
心に対して実質的に左右対称となる。そして、前記信号
電極と前記第1の分岐光導波路との間隔d1と、前記信
号電極と前記第2の分岐光導波路との間隔d2との比d
2/d1が、3.5〜7.5であることを特徴とする。
気光学効果を有する材料からなる基板と、この基板の主
面に形成されたマッハツエンダー型光導波路と、この光
導波路中を導波する光波を制御するための変調用電極と
を具える。そして、前記マッハツエンダー型光導波路は
第1の分岐光導波路と第2の分岐光導波路とを具えると
ともに、前記変調用電極は前記マッハツエンダー型光導
波路を構成する第1の分岐光導波路を導波する光波を変
調するための信号電極と、この信号電極に対して対向電
極の役割を有する接地電極とからなる。
地電極とからなる。前記第1の接地電極及び前記第2の
接地電極は前記信号電極を挟んで互いに対向し、前記第
1の分岐光導波路は前記信号電極の下側又は前記第1の
接地電極と前記信号電極との間に位置する。前記第2の
分岐光導波路は前記第2の接地電極の下側に位置し、前
記第2の接地電極は前記マッハツエンダー型光導波路の
長さ方向において分断され、前記信号電極の幅Wsと前
記分断された第2の接地電極の前記信号電極側部分の幅
Wgとの比Ws/Wgが0.5〜4となっている。そし
て、前記信号電極、前記第1の接地電極及び前記第2の
接地電極から構成される前記変調用電極が、前記第1及
び第2の分岐光導波路間の中心に対して実質的に左右対
称となっている。
電気光学効果を有する材料からなる基板と、この基板の
主面に形成されたマッハツエンダー型光導波路と、この
光導波路中を導波する光波を制御するための変調用電極
とを具える。前記マッハツエンダー型光導波路は第1の
分岐光導波路と第2の分岐光導波路とを具えるととも
に、前記変調用電極は前記マッハツエンダー型光導波路
を構成する第1の分岐光導波路を導波する光波を変調す
るための信号電極と、この信号電極に対して対向電極の
役割を有する接地電極とからなる。
地電極とからなる。前記第1の接地電極及び前記第2の
接地電極は前記信号電極を挟んで互いに対向し、前記第
1の分岐光導波路は前記信号電極の下側又は前記第1の
接地電極と前記信号電極との間に位置する。前記第2の
分岐光導波路は前記第2の接地電極の下側に位置し、前
記第2の接地電極は前記マッハツエンダー型光導波路の
長さ方向において第1の部分、第2の部分、及び第3の
部分に分断され、前記第1の部分は前記第1及び前記第
2の分岐光導波路間のほぼ中心に位置する。前記第2の
部分及び前記第3の部分はそれぞれ前記信号電極及び前
記第1の接地電極とほぼ同一の形状及び大きさを有し、
前記信号電極、前記第1の接地電極及び前記第2の接地
電極から構成される前記変調用電極が、前記第1及び第
2の分岐光導波路間の中心に対して実質的に左右対称で
ある。さらに、前記第1の部分の幅W1が前記信号電極
の幅Wsの0.5〜20倍である。
因見出すべく鋭意検討を行った。そして、動作点のシフ
ト生じさせる主要因としてDCドリフトと温度ドリフト
との2種類が存在することに着目し、これらの観点から
詳細な検討を行った。その結果、DCバイアスを印加し
ない場合においても、上記したような動作点シフトが生
じることを発見し、上記動作点シフトにDCドリフトは
関係しないことを見出した。そこで、本発明者らは温度
ドリフトの観点からさらに詳細な検討を行った。そし
て、図1及び2に示す光導波路素子10及び20におけ
る第1及び第2の分岐光導波路3−1及び3−2、並び
に13−1及び13−2の周辺形状の相違に着目した。
の上に形成された信号電極4及び14、並びに接地電極
5−1及び5−2、15−1及び15−2の形状、大き
さを変化させることにより、動作点シフトが顕著に変化
することを見出した。すなわち、信号電極及び接地電極
の形状及び大きさが変化することにより、光導波路素子
の動作中における温度上昇によって、これら電極の基板
に及ぼす応力が変化する。その結果、光導波路周辺の屈
折率が変化し、この屈折率変化が光導波路へも影響する
ために前記のような動作点シフトを生じさせるものであ
る。
合においては、信号電極4並びに接地電極5−1及び5
−2は形状及び大きさともに異なるため、温度上昇によ
ってこれらが基板1に対して及ぼす応力もそれぞれ異な
ってくる。したがって、信号電極4近傍の屈折率変化と
接地電極5−1及び5−2近傍の屈折率変化は互いに異
なるようになり、これによって光導波路3−1及び3−
2が受ける屈折率変化の影響が異なってくる。このた
め、光導波路素子10において温度ドリフトに起因した
動作点シフトが生じるものである。
における接地電極5−1と信号電極4との間の距離W0
に相当する部分を、接地電極5−2に形成し、接地電極
5−1及び信号電極4と接地電極5−2とが分岐光導波
路3−1及び3−2の中心線I−Iに対して実質的に対
称となるようにした。すなわち、図3に示すように接地
電極5−2を分岐光導波路3−1及び3−2の長さ方向
に幅W0に分断して、中心線I−Iに対して接地電極5
−1及び信号電極4と対称となるような接地電極5−3
の形成を試みた。これによって、分岐光導波路の中心か
ら左右において電極形状及び大きさがほぼ等しくなるた
め、これらの電極から基板へ及ぼす応力がほぼ等しくな
る。そして、分岐光導波路3−1及び3−2近傍の温度
上昇に伴う屈折率変化も互いにほぼ等しくなる。この結
果、温度ドリフトが効果的に抑制され、動作点シフトを
防止することが可能となった。
極及び接地電極が分岐光導波路の中心に対して対称にな
るように形成すると、この光導波路素子に実際に光ファ
イバを接続して使用した場合、使用する光ファイバの種
類によって光信号の伝送特性が劣化する場合があった。
したがって、図3に示すような光導波路素子を構成する
ことにより、動作点シフトを防止することができた場合
においても、実際のデバイスとして使用することができ
ない場合があった。本発明者らは、上記問題点を解決す
べくさらに鋭意検討を行った。
導波路素子のチャープが寄与していることを見い出し
た。すなわち、従来においては、チャープが小さければ
小さいほど光ファイバの有する分散などの影響が小さく
なるため、光ファイバの伝送特性が向上するものと考え
られていた。しかしながら、使用する光ファイバの種類
や長さによっては、光導波路素子がある程度のチャープ
を有している方が光ファイバの伝送特性が向上すること
を見いだした。また、このチャープの大きさは約0.4
〜1.0、好適には約0.6〜0.8であることが分か
った。
止することができる図3に示すような構成の光導波路素
子を基本として、この光導波路素子のチャープを制御す
ることを試みた。その結果、信号電極及び第1の分岐光
導波路の間隔と、信号電極及び第2の分岐光導波路の間
隔とを所定の割合に設定し、第1の分岐光導波路と第2
の分岐光導波路との間の応力バランスを、これら分岐光
導波路の中心間で実質的に左右対称とすることにより、
光導波路素子のチャープを制御できることを見出した。
本発明の第1の光導波路素子はこのような事実の発見に
基づいてなされてものである。
例を示す図である。なお、以下の図においては、発明の
特徴を明確にすべく、各部分の大きさ及び形状などにつ
いては実際のものと異なるようにして描いている。図4
に示す光導波路素子30は、電気光学効果を有する強誘
電体単結晶のXカット板からなる基板21及びバッファ
層22を具えるとともに、基板21の表面層部分にマッ
ハツエンダー型の光導波路を構成する、第1の分岐光導
波路23−1及び第2の分岐光導波路23−2を有して
いる。そして、バッファ層22上に信号電極24、第1
の接地電極25−1及び第2の接地電極25−2が設け
られている。第2の接地電極25−2は、光導波路の長
さ方向に分断されることにより溝部26を有し、分岐光
導波路の中心線II−IIに対して、第1の接地電極25−
1及び信号電極24と第2の接地電極25−2が対称と
なっている。
波路23−1の間隔d1と、信号電極24及び第2の分
岐光導波路23−2の間隔d2との比d2/d1を、本
発明にしたがって3.5〜7.5に設定する。すると、
信号電極24と第1及び第2の接地電極25−1及び2
5−2から構成される変調用電極は、第1及び第2の分
岐光導波路23−1及び23−2の中心線II―IIに対し
て対称となる。したがって、上述したように動作点シフ
トは有効に防止される。また、2本の分岐光導波路と信
号電極との間隔を上記比率を満足するように設定するこ
とにより、第1の分岐光導波路23−1及び第2の分岐
光導波路23−2に対する応力バランスを取りながら、
かつ前記光導波路23−1及び23−2に印加される信
号電界のオーバーラップが非対称となる。したがって、
温度ドリフトを抑圧しつつチャープを制御することがで
き、約0.6〜0.8の大きさのチャープを付与するこ
とができる。したがって、チャープを有することにより
伝送特性が良好になる特定の光ファイバに本発明の第1
の光導波路素子を用いることにより、動作点シフトを防
止することができるとともに、良好な伝送特性を得るこ
とができる。
Iに対して対称な変調用電極を有する光導波路素子にお
いて、この変調用電極を実質的に対称に保持した状態
で、信号電極幅と分断された第2の接地電極における信
号電極側の部分の幅とを、所定の比率を保持するように
わずかにずらして設定することにより、チャープを制御
できることをも見出した。本発明の第2の光導波路素子
はこのような事実の発見に基づいてなされたものであ
る。
例を示す図である。図5に示す光導波路素子40は、電
気光学効果を有する強誘電体単結晶のXカット板からな
る基板31及びバッファ層32を具えるとともに、基板
31の表面層部分にマッハツエンダー型の光導波路を構
成する、第1の分岐光導波路33−1及び第2の分岐光
導波路33−2を有している。そして、バッファ層32
上に信号電極34、第1の接地電極35−1及び第2の
接地電極35−2が設けられている。第2の接地電極3
5−2は、光導波路の長さ方向に分断されることにより
溝部36を有し、分岐光導波路の中心線III−IIIに対し
て、第1の接地電極35−1及び信号電極34と第2の
接地電極35−2が対称となっている。
た第2の接地電極35−2の信号電極側の部分の幅Wg
との比Ws/Wgが、0.5〜4の範囲を満足するよう
に設定されている。したがって、信号電極34と第1及
び第2の接地電極35−1及び35−2から構成される
変調用電極は、第1及び第2の分岐光導波路33−1及
び33−2の中心線III―IIIに対して対称となるから、
上述したように動作点シフトは有効に防止される。
第2の接地電極35−2の幅Wgとの比が上記値を満足
することにより、第1の分岐光導波路33−1及び第2
の分岐光導波路33−2に対する応力バランスを取りな
がら、かつ前記光導波路23−1及び23−2に印加さ
れる信号電界のオーバーラップが非対称となる。したが
って、温度ドリフトを抑圧しつつチャープを制御するこ
とができ、約0.4〜0.9の大きさのチャープを付与
することができる。したがって、チャープを有すること
により伝送特性が良好になる特定の光ファイバに本発明
の第2の光導波路素子を用いることにより、動作点シフ
トを防止することができるとともに、良好な伝送特性を
得ることができる。
光導波路の中心に対して左右対称にするための、第2の
接地電極の分断形状を工夫した。すなわち、上記第1及
び第2の光導波路素子においては、第2の接地電極を2
分割することにより変調用電極の左右対称性を達成させ
ていた。しかしながら、第2の接地電極の分割数を変化
させて3分割とし、この内信号電極側に位置する第1の
部分を分岐光導波路間の中心に位置させる。すると、変
調用電極の分岐光導波路間の中心対称性より動作点シフ
トが有効に防止される。そして、この第1の部分の幅を
信号電極の幅に対して所定の値に設定することにより、
チャープを制御できることをも見出した。本発明の第3
の光導波路素子は、このような事実の発見に基づいてな
されたものである。
例を示す図である。図6に示す光導波路素子50は、電
気光学効果を有する強誘電体単結晶のXカット板からな
る基板41及びバッファ層42を具えるとともに、基板
41の表面層部分にマッハツエンダー型の光導波路を構
成する、第1の分岐光導波路43−1及び第2の分岐光
導波路43−2を有している。そして、バッファ層42
上に信号電極44、第1の接地電極45−1及び第2の
接地電極45−2が設けられている。第2の接地電極4
5−2は、光導波路の長さ方向において3つに分断され
ることにより溝部46―1及び46−2を有している。
そして、第1の部分48−1、第2の部分48−2、及
び第3の部分48−3からなっている。
−1は、分岐光導波路間の中心−上において左右が
対称となるように位置している。そして、信号電極44
及び第2の接地電極の第2の部分48−2、並びに第1
の接地電極45−1及び第2の接地電極の第3の部分は
同一の形状を有し、これによって、第1の接地電極45
−1、信号電極44、及び第2の接地電極45−2から
なる変調用電極は中心−に対して左右対称となって
いる。このため、光導波路素子50において、動作点シ
フトを有効に防止することができる。
1の幅W1を信号電極の幅Wsに対して0.5〜20倍
となるようにしているので、分岐光導波路に対する応力
バランスが取れ、かつ非対称な信号電界を印加すること
ができる。この結果、チャープを効果的に制御すること
ができ、0.4〜1.0の大きさのチャープを付与する
ことができる。したがって、チャープを有することによ
り伝送特性が良好になる特定の光ファイバに本発明の第
2の光導波路素子を用いることにより、動作点シフトを
防止することができるとともに、良好な伝送特性を得る
ことができる。
波路が第2の接地電極の下側に位置する」とは、第2の
接地電極が分断される前の状態において、この接地電極
の下側に第2の分岐光導波路が位置する場合を意味する
ものである。したがって、図5に示すように、第2の接
地電極が分断されて、その部分に薄膜が形成され、この
薄膜の下側に第2の分岐光導波路が形成されているよう
な場合をも含むものである。
に基づいて詳細に説明する。図4〜6に示す光導波路素
子30、40、及び50は、溝部26などによって光導
波路の長さ方向に分断されている。このような溝部は、
所定のマスクを用いることにより、スパッタリング法な
どを用いた信号電極及び接地電極の形成時において同時
に形成することができる。また、基板上(図では、バッ
ファ層上)に一様な電極を形成した後の、所定のマスク
を用いた現像露光処理によって信号電極及び接地電極を
形成する際において、同時に形成することもできる。
の幅と分断された第2の接地電極の信号電極側の部分が
上記値を満足すれば、チャープを効果的に制御すること
ができ、光導波路素子に所定の大きさのチャープを付与
することができる。しかしながら、この場合において
も、本発明の第1の光導波路素子と同様に、第1の分岐
光導波路及び第2の分岐光導波路と信号電極との間隔を
異なるようにすることが好ましい。すなわち、図5に示
す光導波路素子40において、信号電極34及び第1の
分岐光導波路33−1の間隔d1と、信号電極34及び
第2の分岐光導波路33−2の間隔d2との比d2/d
1が3.5〜7.5であることが好ましく、さらには
5.4〜6.0であることが好ましい。これによって、
チャープ量を0.4〜1.0、さらには0.6〜0.8
に調整することができる。すなわち、チャープの制御を
より広範囲で行うことができ、用いることのできる光フ
ァイバや長さなどの選択の範囲をさらに広げることがで
きる。
ても、上記同様の理由から第1及び第2の分岐光導波路
と信号電極との間隔をそれぞれ異なるようにすることが
好ましい。すなわち、図6に示す光導波路素子50にお
いて、信号電極44及び第1の分岐光導波路43−1の
間隔d1と、信号電極44及び第2の分岐光導波路43
−2の間隔d2との比d2/d1が10〜27であるこ
とが好ましい。
分断された第2の接地電極の溝部分に導電性材料からな
る薄膜を形成している。具体的には、図4に示す第1の
光導波路素子30の溝部26には薄膜27が形成されて
おり、図5に示す第2の光導波路素子40の溝部36に
は薄膜37が形成されており、図6に示す第3の光導波
路素子50の溝部46−1及び46−2には薄膜47−
1及び47−2が形成されている。これによって、分断
したことによって生じる接地電極の導通性の劣化を補う
ことができ、高周波特性の劣化を抑圧することができ
る。しかしながら、溝部に導電性材料からなる薄膜を形
成しない場合においても本発明の目的を十分に達成する
ことができる。
比べると厚さが薄く、剛性的にも十分低いために、薄膜
27を形成することによって本発明の目的が阻害される
ことはない。薄膜を構成する導電性材料としては、A
l、Cu、Ni−Cr、Au、及びTiを例示すること
ができる。
から構成されることが必要であり、ニオブ酸リチウム
(LiNbO3)、タンタル酸リチウム(LiTa
O3)、ジルコン酸チタン酸鉛ランタン(PLZT)な
どの強誘電体材料を例示することができる。なお、図4
〜6に示す本発明の光導波路素子は、これら材料のXカ
ット板を用いているが、Yカット板及びZカット板など
をも用いることができる。また、光導波路はTi拡散法
やプロトン交換法など公知の方法によって形成すること
ができる。さらに、信号電極及び接地電極には、Au、
Ag、Cuなどの導電性に富む材料から真空蒸着法及び
スパッタリング法などの公知の製膜法とメッキ法などを
併用することによって形成することができる。
する。 実施例1 本実施例においては、図4に示すような光導波路素子3
0を作製した。ニオブ酸リチウム単結晶のXカット板を
基板21として用い、この基板上にフォトレジストによ
ってマッハツエンダー型の光導波路パターンを作製し
た。次いで、このパターン上に蒸着法によってチタンを
堆積させた。その後、基板全体を950〜1050℃で
10〜20時間加熱することによって、前記チタンを基
板21内部へ拡散し、マッハツエンダー型光導波路を構
成する第1及び第2の分岐光導波路23−1及び23−
2を作製した。次いで、基板21上に酸化シリコンから
なるバッファ層22を厚さ0.5μmに形成した。
部分のみに開口部を有するマスクを用い、蒸着法及びメ
ッキ法を併用することによって金(Au)からなる信号
電極24と、第1及び第2の接地電極25−1及び25
−2とを厚さ15μmに形成した。次いで、このように
して形成された溝部26に、蒸着法によってAlからな
る薄膜27を厚さ2000Åに形成した。なお、溝部2
6の幅D1は、信号電極24と第1の接地電極25−1
とのギャップL1と等しく25μmに形成した。また、
信号電極24と第1の分岐光導波路23−1との間隔d
1を7μmとし、信号電極24と第2の分岐光導波路2
3−2との間隔d2を41μmとした。
素子30のマッハツエンダー型光導波路の入出力口に光
ファイバを接続し、温度を0〜70℃に変化させた時の
動作点シフトを調べた。その結果、前記動作点シフトは
0.6Vであった。また、光コンポーネントアナライザ
によって光導波路素子30のチャープを調べたところ、
0.78であった。
0を作製した。光導波路素子40の作製は、実施例1と
同様にして実施した。信号電極34と第1の分岐光導波
路33−1との間隔d1を7μmとし、信号電極34と
第2の分岐光導波路33−2との間隔d2を44μmと
した。また、信号電極34の幅Wsを7μmとし、第2
の接地電極35−2の信号電極側の部分の幅Wgを10
μmとした。このようにして作製した光導波路素子40
のマッハツエンダー型光導波路の入出力口に光ファイバ
を接続し、温度を0〜70℃に変化させた時の動作点シ
フトを調べた。その結果、前記動作点シフトは0.8V
であった。また、光コンポーネントアナライザによって
光導波路素子40のチャープを調べたところ、0.83
であった。
0を作製した。光導波路素子50の作製は、実施例1と
同様にして実施した。信号電極44と第1の分岐光導波
路43−1との間隔d1を7μmとし、信号電極44と
第2の分岐光導波路43−2との間隔d2を114μm
とした。また、信号電極44の幅Wsを7μmとし、第
2の接地電極45−2の第1の部分の幅W1を50μm
とした。このようにして作製した光導波路素子50のマ
ッハツエンダー型光導波路の入出力口に光ファイバを接
続し、温度を0〜70℃に変化させた時の動作点シフト
を調べた。その結果、前記動作点シフトは0.3Vであ
った。また、光コンポーネントアナライザによって光導
波路素子50のチャープを調べたところ、0.95であ
った。
0を作製した。この光導波路素子20の作製において
は、接地電極を分断して導電性材料からなる薄膜を形成
しなかった以外は、実施例1と同様にして実施した。ま
た、接地電極15−1及び15−2と信号電極14との
距離は25μmとした。得られた光導波路素子20に対
して実施例と同様にして動作点シフトを調べた。その結
果、動作点シフトは11.0Vであった。さらに、チャ
ープについても実施例と同様にして調べた結果0.7で
あった。
に、本発明にしたがって得た光導波路素子は動作点シフ
トが小さく、高い安定性と信頼性とを有することが分か
る。また、チャープについてもある程度の大きさを有
し、かつ温度特性を損なうことなく適切なチャープを制
御することができる。この結果、光信号の伝送において
ある程度の大きさのチャ−プを必要とする光ファイバに
ついても好適に使用可能であることが分かる。さらに、
第1及び第2の分岐光導波路と信号電極との間隔を異な
らせるのみならず、実施例2及び3に示されるように、
分断された第2の接地電極の信号電極側の部分の幅を信
号電極の幅などに対して所定の値に設定することによ
り、チャープの値をさらに大きくできることが分かる。
発明の実施の形態に基づいて詳細に説明したが、本発明
は上記内容に限定されるものではなく、本発明の範疇を
逸脱しない範囲においてあらゆる変形や変更が可能であ
る。例えば、図4に示す本発明の第1の光導波路素子3
0において、第1の接地電極及び第2の接地電極を複数
に分割して、図7に示すようの光導波路素子60を形成
することもできる。なお、この場合においても上述した
ような理由から、分断された各溝部56−1〜56−8
には、導電性材料からなる薄膜57−1〜57〜8を形
成することが好ましい。
素子は、環境温度が変化した場合においても温度ドリフ
トによる動作点シフトがほとんど生じない。そのため、
長期信頼性及び安定性が要求される高速・大容量の光フ
ァイバ通信システムなどに好適に使用することができ
る。また、一定の大きさのチャープを自由に付与するこ
とができるので、光信号の伝送においてある程度の大き
さのチャープが必要とされる光ファイバや長さなどにお
いて選択肢が増す。この結果、多くのアプリケーション
に対応することのできる光変調器を提供することができ
る。
る。
ある。
の前提となる素子モデルである。
面図である。
面図である。
面図である。
断面図である。ある。
3−1 第1の分岐光導波路 3−2、13−2、23−2、33−2、43−2、5
3−2 第2の分岐光導波路 4、14、24、34、44、54 信号電極 5−1、5−2、5−3、15−1、15−2 接地電
極 10、20、30、40、50、60 光導波路素子 25−1、35−1、45−1、55−1 第1の接地
電極 25−2、35−2、45−2、55−2 第2の接地
電極 26、36、46−1、46−2、56−1〜56−8
溝部 27、37、47−1、47−2、57−1〜57−8
薄膜 48−1 第2の接地電極の第1の部分 48−2 第2の接地電極の第2の部分 48−3 第の接地電極の第3の部分 d1 信号電極と第1の分岐光導波路との間隔 d2 信号電極と第2の分岐光導波路との間隔 Ws 信号電極の幅 W1 第2の接地電極の第1部分の幅
Claims (8)
- 【請求項1】 電気光学効果を有する材料からなる基板
と、この基板の主面に形成されたマッハツエンダー型光
導波路と、この光導波路中を導波する光波を制御するた
めの変調用電極とを具え、前記マッハツエンダー型光導
波路は第1の分岐光導波路と第2の分岐光導波路とを具
えるとともに、前記変調用電極は前記マッハツエンダー
型光導波路を構成する第1の分岐光導波路を導波する光
波を変調するための信号電極と、この信号電極に対して
対向電極の役割を有する接地電極とからなる光導波路素
子であって、 前記接地電極は第1の接地電極と第2の接地電極とから
なるとともに、前記第1の接地電極及び前記第2の接地
電極は前記信号電極を挟んで互いに対向し、前記第1の
分岐光導波路は前記信号電極の下側又は前記第1の接地
電極と前記信号電極との間に位置するとともに、前記第
2の分岐光導波路は前記第2の接地電極の下側に位置
し、前記第2の接地電極は前記マッハツエンダー型光導
波路の長さ方向において分断されて、前記信号電極、前
記第1の接地電極及び前記第2の接地電極から構成され
る前記変調用電極が、前記第1及び第2の分岐光導波路
間の中心に対して実質的に左右対称であるとともに、前
記信号電極と前記第1の分岐光導波路との間隔d1と、
前記信号電極と前記第2の分岐光導波路との間隔d2と
の比d2/d1が、3.5〜7.5であることを特徴と
する、光導波路素子。 - 【請求項2】 電気光学効果を有する材料からなる基板
と、この基板の主面に形成されたマッハツエンダー型光
導波路と、この光導波路中を導波する光波を制御するた
めの変調用電極とを具え、前記マッハツエンダー型光導
波路は第1の分岐光導波路と第2の分岐光導波路とを具
えるとともに、前記変調用電極は前記マッハツエンダー
型光導波路を構成する第1の分岐光導波路を導波する光
波を変調するための信号電極と、この信号電極に対して
対向電極の役割を有する接地電極とからなる光導波路素
子であって、 前記接地電極は第1の接地電極と第2の接地電極とから
なるとともに、前記第1の接地電極及び前記第2の接地
電極は前記信号電極を挟んで互いに対向し、前記第1の
分岐光導波路は前記信号電極の下側又は前記第1の接地
電極と前記信号電極との間に位置するとともに、前記第
2の分岐光導波路は前記第2の接地電極の下側に位置
し、前記第2の接地電極は前記マッハツエンダー型光導
波路の長さ方向において分断され、前記信号電極の幅W
sと前記分断された第2の接地電極の前記信号電極側部
分の幅Wgとの比Ws/Wgが0.5〜4であり、前記
信号電極、前記第1の接地電極及び前記第2の接地電極
から構成される前記変調用電極が、前記第1及び第2の
分岐光導波路間の中心に対して実質的に左右対称である
ことを特徴する、光導波路素子。 - 【請求項3】 前記信号電極と前記第1の分岐光導波路
との間隔d1と、前記信号電極と前記第2の分岐光導波
路との間隔d2との比d2/d1が、3.5〜7.5で
あることを特徴とする、請求項2に記載の光導波路素
子。 - 【請求項4】 電気光学効果を有する材料からなる基板
と、この基板の主面に形成されたマッハツエンダー型光
導波路と、この光導波路中を導波する光波を制御するた
めの変調用電極とを具え、前記マッハツエンダー型光導
波路は第1の分岐光導波路と第2の分岐光導波路とを具
えるとともに、前記変調用電極は前記マッハツエンダー
型光導波路を構成する第1の分岐光導波路を導波する光
波を変調するための信号電極と、この信号電極に対して
対向電極の役割を有する接地電極とからなる光導波路素
子であって、 前記接地電極は第1の接地電極と第2の接地電極とから
なるとともに、前記第1の接地電極及び前記第2の接地
電極は前記信号電極を挟んで互いに対向し、前記第1の
分岐光導波路は前記信号電極の下側又は前記第1の接地
電極と前記信号電極との間に位置するとともに、前記第
2の分岐光導波路は前記第2の接地電極の下側に位置
し、前記第2の接地電極は前記マッハツエンダー型光導
波路の長さ方向において第1の部分、第2の部分、及び
第3の部分に分断され、前記第1の部分は前記第1及び
前記第2の分岐光導波路間のほぼ中心に位置するととも
に、前記第2の部分及び前記第3の部分はそれぞれ前記
信号電極及び前記第1の接地電極とほぼ同一の形状及び
大きさを有し、前記信号電極、前記第1の接地電極及び
前記第2の接地電極から構成される前記変調用電極が、
前記第1及び第2の分岐光導波路間の中心に対して実質
的に左右対称であり、前記第1の部分の幅W1が前記信
号電極の幅Wsの0.5〜20倍であることを特徴す
る、光導波路素子。 - 【請求項5】 前記信号電極と前記第1の分岐光導波路
との間隔d1と、前記信号電極と前記第2の分岐光導波
路との間隔d2との比d2/d1が、10〜27である
ことを特徴とする、請求項4に記載の光導波路素子。 - 【請求項6】 前記第2の接地電極の前記マッハツエン
ダー型光導波路の長さ方向において分断された部分に、
導電性材料からなる薄膜を形成したことを特徴とする、
請求項1〜5のいずれか一に記載の光導波路素子。 - 【請求項7】 電気光学効果を有する材料からなる基板
と、この基板の主面に形成されたマッハツエンダー型光
導波路と、この光導波路中を導波する光波を制御するた
めの変調用電極とを具え、前記マッハツエンダー型光導
波路は第1の分岐光導波路と第2の分岐光導波路とを具
えるとともに、前記変調用電極は前記マッハツエンダー
型光導波路を構成する第1の分岐光導波路を導波する光
波を変調するための信号電極と、この信号電極に対して
対向電極の役割を有する接地電極とからなる光導波路素
子であって、 前記接地電極は第1の接地電極と第2の接地電極とから
なるとともに、前記第1の接地電極及び前記第2の接地
電極は前記信号電極を挟んで互いに対向し、前記第1の
分岐光導波路は前記信号電極の下側又は前記第1の接地
電極と前記信号電極との間に位置するとともに、前記第
2の分岐光導波路は前記第2の接地電極の下側に位置
し、前記第2の接地電極は前記マッハツエンダー型光導
波路の長さ方向において分断されて、前記第1の分岐光
導波路と前記第2の分岐光導波路との応力バランスが、
前記第1及び第2の分岐光導波路間の中心に対して実質
的に対称であることを特徴とする、光導波路素子。 - 【請求項8】 請求項1〜7のいずれか一に記載の光導
波路素子において、チャープ特性が制御されることを特
徴とする、光導波路素子。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000064490A JP3362126B2 (ja) | 2000-03-09 | 2000-03-09 | 光導波路素子 |
DE60120068T DE60120068T2 (de) | 2000-03-09 | 2001-03-05 | Optischer wellenleiter |
US09/959,857 US20030007711A1 (en) | 2000-03-09 | 2001-03-05 | Optical waveguide |
CA002373430A CA2373430C (en) | 2000-03-09 | 2001-03-05 | An optical waveguide element |
PCT/JP2001/001688 WO2001067168A1 (fr) | 2000-03-09 | 2001-03-05 | Guide d'ondes optique |
EP01908311A EP1193537B1 (en) | 2000-03-09 | 2001-03-05 | Optical waveguide |
US11/066,446 US7035488B2 (en) | 2000-03-09 | 2005-02-28 | Optical waveguide element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000064490A JP3362126B2 (ja) | 2000-03-09 | 2000-03-09 | 光導波路素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001255501A true JP2001255501A (ja) | 2001-09-21 |
JP3362126B2 JP3362126B2 (ja) | 2003-01-07 |
Family
ID=18584187
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000064490A Expired - Fee Related JP3362126B2 (ja) | 2000-03-09 | 2000-03-09 | 光導波路素子 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20030007711A1 (ja) |
EP (1) | EP1193537B1 (ja) |
JP (1) | JP3362126B2 (ja) |
CA (1) | CA2373430C (ja) |
DE (1) | DE60120068T2 (ja) |
WO (1) | WO2001067168A1 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008108154A1 (ja) * | 2007-03-06 | 2008-09-12 | Ngk Insulators, Ltd. | 光位相変調器 |
WO2008117449A1 (ja) | 2007-03-27 | 2008-10-02 | Fujitsu Limited | 光デバイス |
JP2009069616A (ja) * | 2007-09-14 | 2009-04-02 | Anritsu Corp | 光変調器 |
JP2009093134A (ja) * | 2007-08-03 | 2009-04-30 | Anritsu Corp | 光変調器 |
JP2009098640A (ja) * | 2007-09-12 | 2009-05-07 | Anritsu Corp | 光変調器 |
JP2014071383A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 光変調器 |
WO2014156684A1 (ja) * | 2013-03-26 | 2014-10-02 | 住友大阪セメント株式会社 | 光変調器 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007264543A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-11 | Fujitsu Ltd | 導波路型光デバイス |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA2011954C (en) * | 1989-03-14 | 1994-02-22 | Hiroshi Hamano | Optical modulator |
JPH03229215A (ja) * | 1990-02-02 | 1991-10-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光変調素子 |
US5138480A (en) * | 1991-08-14 | 1992-08-11 | Hewlett-Packard Company | Traveling wave optical modulator |
US5303079A (en) * | 1992-04-09 | 1994-04-12 | At&T Bell Laboratories | Tunable chirp, lightwave modulator for dispersion compensation |
US5291565A (en) * | 1992-06-30 | 1994-03-01 | Hughes Aircraft Company | Broad band, low power electro-optic modulator apparatus and method with segmented electrodes |
JP3570735B2 (ja) * | 1993-02-10 | 2004-09-29 | 住友大阪セメント株式会社 | 光導波路デバイス |
US5388170A (en) * | 1993-11-22 | 1995-02-07 | At&T Corp. | Electrooptic device structure and method for reducing thermal effects in optical waveguide modulators |
JP2825056B2 (ja) * | 1994-02-24 | 1998-11-18 | 日本電気株式会社 | 光制御デバイス |
GB9510051D0 (en) * | 1995-05-18 | 1995-07-12 | Integrated Optical Components | Integrated optical modulators |
JPH0886991A (ja) | 1995-10-09 | 1996-04-02 | Fujitsu Ltd | 光伝送方法、光伝送装置及び光伝送システム |
JP3892928B2 (ja) | 1997-02-26 | 2007-03-14 | 花王株式会社 | ジグリセリド類の製造方法及び該製造方法に用いる反応器 |
US6091864A (en) * | 1997-04-10 | 2000-07-18 | Ortel Corporation | Linear optical modulator for providing chirp-free optical signals |
JPH11237593A (ja) * | 1998-02-20 | 1999-08-31 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 光変調器 |
JP3660529B2 (ja) * | 1999-06-21 | 2005-06-15 | 住友大阪セメント株式会社 | 光導波路素子 |
US6449080B1 (en) * | 2000-03-08 | 2002-09-10 | Jds Uniphase Corporation | Electro-optic modulator with enhanced bias stability |
-
2000
- 2000-03-09 JP JP2000064490A patent/JP3362126B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-03-05 DE DE60120068T patent/DE60120068T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-03-05 EP EP01908311A patent/EP1193537B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-03-05 CA CA002373430A patent/CA2373430C/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-03-05 US US09/959,857 patent/US20030007711A1/en not_active Abandoned
- 2001-03-05 WO PCT/JP2001/001688 patent/WO2001067168A1/ja active IP Right Grant
-
2005
- 2005-02-28 US US11/066,446 patent/US7035488B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008108154A1 (ja) * | 2007-03-06 | 2008-09-12 | Ngk Insulators, Ltd. | 光位相変調器 |
US7869669B2 (en) | 2007-03-06 | 2011-01-11 | Ngk Insulators, Ltd. | Optical phase modulator |
JP5171808B2 (ja) * | 2007-03-06 | 2013-03-27 | 日本碍子株式会社 | 光位相変調器 |
WO2008117449A1 (ja) | 2007-03-27 | 2008-10-02 | Fujitsu Limited | 光デバイス |
US8031986B2 (en) | 2007-03-27 | 2011-10-04 | Fujitsu Limited | Optical control device |
JP2009093134A (ja) * | 2007-08-03 | 2009-04-30 | Anritsu Corp | 光変調器 |
JP2009098640A (ja) * | 2007-09-12 | 2009-05-07 | Anritsu Corp | 光変調器 |
JP2012141634A (ja) * | 2007-09-12 | 2012-07-26 | Anritsu Corp | 光変調器 |
JP2009069616A (ja) * | 2007-09-14 | 2009-04-02 | Anritsu Corp | 光変調器 |
JP2014071383A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 光変調器 |
WO2014156684A1 (ja) * | 2013-03-26 | 2014-10-02 | 住友大阪セメント株式会社 | 光変調器 |
US9746741B2 (en) | 2013-03-26 | 2017-08-29 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Optical modulator |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE60120068D1 (de) | 2006-07-06 |
US20030007711A1 (en) | 2003-01-09 |
DE60120068T2 (de) | 2006-11-02 |
EP1193537A1 (en) | 2002-04-03 |
CA2373430A1 (en) | 2001-09-13 |
US7035488B2 (en) | 2006-04-25 |
EP1193537A4 (en) | 2005-03-09 |
EP1193537B1 (en) | 2006-05-31 |
JP3362126B2 (ja) | 2003-01-07 |
WO2001067168A1 (fr) | 2001-09-13 |
US20050157970A1 (en) | 2005-07-21 |
CA2373430C (en) | 2007-07-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NL1009616C2 (nl) | Geïntegreerde optische intensiteitsmodulator en werkwijze voor het vervaardigen ervan. | |
US7693356B2 (en) | Lithium niobate optical modulator | |
US20080031564A1 (en) | Optical modulator | |
EP1752817B1 (en) | Optical waveguide device | |
US7035488B2 (en) | Optical waveguide element | |
JP2001066561A (ja) | 進行波形光変調器 | |
JP2002122834A (ja) | 光導波路素子 | |
US7088874B2 (en) | Electro-optic devices, including modulators and switches | |
JP3660529B2 (ja) | 光導波路素子 | |
JP2011100168A (ja) | 光導波路素子 | |
JP2963989B1 (ja) | 光変調器 | |
JPH04172316A (ja) | 導波型光制御デバイス | |
US7289686B2 (en) | Optical modulator | |
JPH0728006A (ja) | 光学バイアス調整方法及び導波路型光変調デバイス並びに導波光への位相差付与方法 | |
JP4495326B2 (ja) | 光変調素子のチャープ制御方法 | |
JP2848455B2 (ja) | 導波型光デバイス | |
JP4754670B2 (ja) | 光導波路素子 | |
JP2725341B2 (ja) | 光変調器 | |
JPH06250131A (ja) | 光制御素子 | |
JPH0816746B2 (ja) | 光導波路素子及びその製造方法 | |
JP2024524124A (ja) | 導波管線電極構造体および電気光学変調器 | |
JP2606552B2 (ja) | 光制御デバイス | |
JP2001100163A (ja) | 光導波路素子及び光導波路素子の位相制御方法 | |
JPH04113326A (ja) | 光スイッチ | |
JPH05333296A (ja) | 光制御素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071018 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081018 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081018 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091018 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101018 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111018 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121018 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121018 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131018 Year of fee payment: 11 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |