JPH0816746B2 - 光導波路素子及びその製造方法 - Google Patents
光導波路素子及びその製造方法Info
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- JPH0816746B2 JPH0816746B2 JP5149839A JP14983993A JPH0816746B2 JP H0816746 B2 JPH0816746 B2 JP H0816746B2 JP 5149839 A JP5149839 A JP 5149839A JP 14983993 A JP14983993 A JP 14983993A JP H0816746 B2 JPH0816746 B2 JP H0816746B2
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- JP
- Japan
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- electrode
- optical waveguide
- optical
- antistatic film
- buffer layer
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2203/00—Function characteristic
- G02F2203/21—Thermal instability, i.e. DC drift, of an optical modulator; Arrangements or methods for the reduction thereof
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光通信等において光波の
変調や光路の切替を行う際に用いる光スイッチに関し、
特に電気光学効果を有する強誘電体結晶基板の表面部に
形成された光導波路を用いた光導波路素子における外部
環境温度変化に対する特性の改善を図った光導波路素子
に関する。
変調や光路の切替を行う際に用いる光スイッチに関し、
特に電気光学効果を有する強誘電体結晶基板の表面部に
形成された光導波路を用いた光導波路素子における外部
環境温度変化に対する特性の改善を図った光導波路素子
に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年における光通信システムの実用化に
伴って、光伝送路網の情報交換機能、光データバスにお
ける端末間の高速接続、切替え等の新たな機能も求めら
れており、それらを可能にする光スイッチングネットワ
ークの必要性が高まっている。このような大容量、広帯
域、低損失の特長を有する光伝送の実現において、その
キーデバイスとして開発が進められているのが導波型の
機能デバイスである。導波型機能デバイスは、光エネル
ギを導波路中に閉じ込めるため、高効率動作が可能で、
また小型化、多素子の集積化や機能の複合化が容易に実
現できる等の特長があり、光通信システム以外にも光情
報処理装置、光計測機器等への応用も期待されている。
特に、ニオブ酸リチウム（lithium niobate ：ＬｉＮｂ
Ｏ3 ）結晶を基板に用いたものは、強誘電体材料の特長
である、光吸収が小さく低損失である、大きな電気光学
効果を有している、比較的加工し易い、等の理由から注
目されている。その中で、チタンを熱拡散して光導波路
（Ｔｉ：ＬｉＮｂＯ3 ）とし、電極を設けて構成した機
能デバイスは、動作が高速であり、光ファイバとの整合
性が良く、低損失なシステムが構築できる等の特長から
研究が盛んで発表例も多い。
伴って、光伝送路網の情報交換機能、光データバスにお
ける端末間の高速接続、切替え等の新たな機能も求めら
れており、それらを可能にする光スイッチングネットワ
ークの必要性が高まっている。このような大容量、広帯
域、低損失の特長を有する光伝送の実現において、その
キーデバイスとして開発が進められているのが導波型の
機能デバイスである。導波型機能デバイスは、光エネル
ギを導波路中に閉じ込めるため、高効率動作が可能で、
また小型化、多素子の集積化や機能の複合化が容易に実
現できる等の特長があり、光通信システム以外にも光情
報処理装置、光計測機器等への応用も期待されている。
特に、ニオブ酸リチウム（lithium niobate ：ＬｉＮｂ
Ｏ3 ）結晶を基板に用いたものは、強誘電体材料の特長
である、光吸収が小さく低損失である、大きな電気光学
効果を有している、比較的加工し易い、等の理由から注
目されている。その中で、チタンを熱拡散して光導波路
（Ｔｉ：ＬｉＮｂＯ3 ）とし、電極を設けて構成した機
能デバイスは、動作が高速であり、光ファイバとの整合
性が良く、低損失なシステムが構築できる等の特長から
研究が盛んで発表例も多い。
【０００３】光の高速・大容量通信の分野においては、
１０Ｇｂｉｔ／Ｓを超える超高速光伝送におけるＬＤの
チャーピング特性の観点から、光通信の高速化に適応で
きる光外部変調器の開発が求められている。また、特に
Ｔｉ拡散ＬｉＮｂＯ３導波路の光変調器構成への適用に
際しては、電極構造を進行波型とすることにより１０Ｇ
ｂｉｔ／ｓ以上の帯域でも動作可能であることが示さ
れ、超高速光通信システム実現へのキーデバイスと考え
られている。
１０Ｇｂｉｔ／Ｓを超える超高速光伝送におけるＬＤの
チャーピング特性の観点から、光通信の高速化に適応で
きる光外部変調器の開発が求められている。また、特に
Ｔｉ拡散ＬｉＮｂＯ３導波路の光変調器構成への適用に
際しては、電極構造を進行波型とすることにより１０Ｇ
ｂｉｔ／ｓ以上の帯域でも動作可能であることが示さ
れ、超高速光通信システム実現へのキーデバイスと考え
られている。
【０００４】図３はＴｉ：ＬｉＮｂＯ3 光変調器の一例
である分岐干渉（マッハツェンダ）型の光変調器の斜視
図である。光学軸に垂直に切り出して整形した（Ｚカッ
ト）ＬｉＮｂＯ3 結晶基板２１の表面にＴｉを選択拡散
してＹ分岐導波路を二つ組み合わせた導波光の分配・合
波が行える光導波路２２が形成されている。更に、分岐
された二つの光導波路２２ａ，２２ｂ上には図示を省略
するバッファ層を介して制御電極２４が設けられてい
る。この制御電極２４には、真鍮ブロック３０で構成さ
れる同軸構造部を通して外部電圧Ｖｓの供給線３１と５
０Ω終端３２が接続される。
である分岐干渉（マッハツェンダ）型の光変調器の斜視
図である。光学軸に垂直に切り出して整形した（Ｚカッ
ト）ＬｉＮｂＯ3 結晶基板２１の表面にＴｉを選択拡散
してＹ分岐導波路を二つ組み合わせた導波光の分配・合
波が行える光導波路２２が形成されている。更に、分岐
された二つの光導波路２２ａ，２２ｂ上には図示を省略
するバッファ層を介して制御電極２４が設けられてい
る。この制御電極２４には、真鍮ブロック３０で構成さ
れる同軸構造部を通して外部電圧Ｖｓの供給線３１と５
０Ω終端３２が接続される。
【０００５】この変調器の基本的な動作原理は、光導波
路２２に入射された光波Ｌinは、先ず入射側のＹ分岐で
二等分され、例えば導波路２２ａを伝搬する光波に外部
電圧ＶｓによってΔφの位相変化が与えられる。そこ
で、導波路２２ｂを伝搬してきた参照光波（−Δφの位
相変化）と出射側のＹ分岐で合波、干渉させると、二つ
の光波の位相差２Δφに対応して強度変調された出射光
Ｌout が得られる。一般に変調器の広帯域化を図るため
には、進行波型電極構造にし、更に電極を厚膜化する。
このときの変調帯域は、導波光とマイクロ波との位相整
合の割合で決まり、同時にマイクロストリップ電極と信
号系とのインピーダンス整合も重要である。
路２２に入射された光波Ｌinは、先ず入射側のＹ分岐で
二等分され、例えば導波路２２ａを伝搬する光波に外部
電圧ＶｓによってΔφの位相変化が与えられる。そこ
で、導波路２２ｂを伝搬してきた参照光波（−Δφの位
相変化）と出射側のＹ分岐で合波、干渉させると、二つ
の光波の位相差２Δφに対応して強度変調された出射光
Ｌout が得られる。一般に変調器の広帯域化を図るため
には、進行波型電極構造にし、更に電極を厚膜化する。
このときの変調帯域は、導波光とマイクロ波との位相整
合の割合で決まり、同時にマイクロストリップ電極と信
号系とのインピーダンス整合も重要である。
【０００６】以上のような分岐干渉型光変調器の他に
も、バランスブリッジ型（balanced bridge)変調器と呼
ばれるものがあり、これは分岐干渉型で分配・合波に用
いられたＹ分岐導波路を完全結合長が半分の方向性結合
器（３ｄＢカプラ）を用いて、導波光の振幅と位相のバ
ランスをとって光強度変調を行うものである。いずれの
構成も、位相変調光どうしを合波・干渉させるタイプ
（位相制御型）であり、変調器の代表的な構成である。
も、バランスブリッジ型（balanced bridge)変調器と呼
ばれるものがあり、これは分岐干渉型で分配・合波に用
いられたＹ分岐導波路を完全結合長が半分の方向性結合
器（３ｄＢカプラ）を用いて、導波光の振幅と位相のバ
ランスをとって光強度変調を行うものである。いずれの
構成も、位相変調光どうしを合波・干渉させるタイプ
（位相制御型）であり、変調器の代表的な構成である。
【０００７】ところで、このような従来のデバイス構造
において、基板としてのＬｉＮｂＯ3 は強誘電体である
ために帯電され易く、特に電極に印加される電圧や、高
温状態とされたときに帯電され易く、この帯電によって
外部環境温度変化に対する特性劣化が生じるおそれがあ
る。そのため、この帯電を防止するための帯電防止膜を
形成することが行われており、例えば、図４（ａ）の構
成では、ＬｉＮｂＯ3基板２１に光導波路２２及びバッ
ファ層２３を形成し、その上に広帯域化のための厚膜の
制御電極２４を形成した後、その上から全面に帯電防止
膜２７を被着する構造が採用されている。或いは、図４
（ｂ）のように、バッファ層２３上に先に帯電防止膜２
７を形成し、この上に厚膜の制御電極２４を形成する構
造が採用されている。なお、いずれの場合でも、制御電
極２４は、最初に薄膜の第１電極２５を形成しておき、
この第１電極２５を利用したメッキ法により厚膜の第２
電極２６を一体的に形成する方法がとられている。
において、基板としてのＬｉＮｂＯ3 は強誘電体である
ために帯電され易く、特に電極に印加される電圧や、高
温状態とされたときに帯電され易く、この帯電によって
外部環境温度変化に対する特性劣化が生じるおそれがあ
る。そのため、この帯電を防止するための帯電防止膜を
形成することが行われており、例えば、図４（ａ）の構
成では、ＬｉＮｂＯ3基板２１に光導波路２２及びバッ
ファ層２３を形成し、その上に広帯域化のための厚膜の
制御電極２４を形成した後、その上から全面に帯電防止
膜２７を被着する構造が採用されている。或いは、図４
（ｂ）のように、バッファ層２３上に先に帯電防止膜２
７を形成し、この上に厚膜の制御電極２４を形成する構
造が採用されている。なお、いずれの場合でも、制御電
極２４は、最初に薄膜の第１電極２５を形成しておき、
この第１電極２５を利用したメッキ法により厚膜の第２
電極２６を一体的に形成する方法がとられている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図４
（ａ）に示したように、厚膜の制御電極２４を含む全面
に帯電防止膜２７を形成する構造では、制御電極２４を
構成するメッキ膜厚が数〜数十μｍ程度の厚さを有する
ため、そのカバレッジ性によって制御電極間に均一な厚
さに帯電防止膜を形成することが難しく、特に側面での
膜厚が少なくなり、方向性結合型や分岐干渉型等複数の
電極が近接して設置される構造であるときに帯電防止膜
の効果が十分に活かされないという問題がある。また、
図４（ｂ）に示したように、帯電防止膜２７上に制御電
極２４を形成する構造では、製造に際しては、帯電防止
膜２７を先に形成し、かつその上に第１電極２５の膜を
形成し、その上でこの第１電極の膜をドライエッチング
して第１電極２５を選択的に形成しているが、このドラ
イエッチングによって帯電防止膜２７がダメージを受
け、このダメージによって帯電防止膜２７に必要な抵抗
値を得ることができなくなり、帯電防止効果が劣化され
るという問題がある。本発明の目的は、帯電防止効果に
優れた光導波路素子及びその製造方法を提供することに
ある。
（ａ）に示したように、厚膜の制御電極２４を含む全面
に帯電防止膜２７を形成する構造では、制御電極２４を
構成するメッキ膜厚が数〜数十μｍ程度の厚さを有する
ため、そのカバレッジ性によって制御電極間に均一な厚
さに帯電防止膜を形成することが難しく、特に側面での
膜厚が少なくなり、方向性結合型や分岐干渉型等複数の
電極が近接して設置される構造であるときに帯電防止膜
の効果が十分に活かされないという問題がある。また、
図４（ｂ）に示したように、帯電防止膜２７上に制御電
極２４を形成する構造では、製造に際しては、帯電防止
膜２７を先に形成し、かつその上に第１電極２５の膜を
形成し、その上でこの第１電極の膜をドライエッチング
して第１電極２５を選択的に形成しているが、このドラ
イエッチングによって帯電防止膜２７がダメージを受
け、このダメージによって帯電防止膜２７に必要な抵抗
値を得ることができなくなり、帯電防止効果が劣化され
るという問題がある。本発明の目的は、帯電防止効果に
優れた光導波路素子及びその製造方法を提供することに
ある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の光導波路素子
は、光導波路上に形成した制御電極の間のバッファ層の
表面上にのみ帯電防止膜を有する構成とする。例えば、
ＬｉＮｂＯ3 結晶基板にＴｉを熱拡散して光導波路を形
成し、かつその上にＳｉＯ2 のバッファ層を形成し、こ
のバッファ層上に設けた制御電極間にシリコンで帯電防
止膜を形成する。また、本発明の光導波素子の製造方法
は、電気光学効果を有する強誘電体結晶基板の表面に光
導波路を形成する工程と、この強誘電体結晶基板の表面
上にバッファ層を形成する工程と、このバッファ層の表
面上の所要領域に薄い第１電極を形成する工程と、この
第１電極上の全面に帯電防止膜を被着する工程と、前記
第１電極間の前記帯電防止膜上にレジストを選択的に形
成し、このレジストをマスクにして前記帯電防止膜を選
択的に除去する工程と、前記レジストを用いて露呈され
た第１電極上に厚い第２電極を選択的に形成する工程を
含んでいる。
は、光導波路上に形成した制御電極の間のバッファ層の
表面上にのみ帯電防止膜を有する構成とする。例えば、
ＬｉＮｂＯ3 結晶基板にＴｉを熱拡散して光導波路を形
成し、かつその上にＳｉＯ2 のバッファ層を形成し、こ
のバッファ層上に設けた制御電極間にシリコンで帯電防
止膜を形成する。また、本発明の光導波素子の製造方法
は、電気光学効果を有する強誘電体結晶基板の表面に光
導波路を形成する工程と、この強誘電体結晶基板の表面
上にバッファ層を形成する工程と、このバッファ層の表
面上の所要領域に薄い第１電極を形成する工程と、この
第１電極上の全面に帯電防止膜を被着する工程と、前記
第１電極間の前記帯電防止膜上にレジストを選択的に形
成し、このレジストをマスクにして前記帯電防止膜を選
択的に除去する工程と、前記レジストを用いて露呈され
た第１電極上に厚い第２電極を選択的に形成する工程を
含んでいる。
【００１０】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例の断面図である。電気光学
効果を有する強誘電体基板であるＬｉＮｂＯ3 結晶基板
１１の表面部に拡散されたＴｉにより所要パターンの光
導波路１２が形成され、更に前記ＬｉＮｂＯ3 結晶基板
１１の表面上にはＳｉＯ2 等の光学的バッファ層１３が
形成される。そして、このバッファ層１３の表面上に
は、選択的に厚膜の制御電極１４が形成される。この制
御電極はＣｒ−Ａｕで構成される２０００Å程度の薄膜
の第１電極１５と、この第１電極１５を利用してメッキ
法により形成したＡｕで構成される１μｍ以上の厚膜の
第２電極１６とで構成される。更に、この制御電極１４
の間の前記バッファ層１３の表面上には多結晶シリコン
或いは導電性材料を混合させた樹脂等のように比較的に
高い抵抗値を有する導電性材料からなる帯電防止膜１７
が１０００Å程度の厚さで選択的に形成されている。
る。図１は本発明の一実施例の断面図である。電気光学
効果を有する強誘電体基板であるＬｉＮｂＯ3 結晶基板
１１の表面部に拡散されたＴｉにより所要パターンの光
導波路１２が形成され、更に前記ＬｉＮｂＯ3 結晶基板
１１の表面上にはＳｉＯ2 等の光学的バッファ層１３が
形成される。そして、このバッファ層１３の表面上に
は、選択的に厚膜の制御電極１４が形成される。この制
御電極はＣｒ−Ａｕで構成される２０００Å程度の薄膜
の第１電極１５と、この第１電極１５を利用してメッキ
法により形成したＡｕで構成される１μｍ以上の厚膜の
第２電極１６とで構成される。更に、この制御電極１４
の間の前記バッファ層１３の表面上には多結晶シリコン
或いは導電性材料を混合させた樹脂等のように比較的に
高い抵抗値を有する導電性材料からなる帯電防止膜１７
が１０００Å程度の厚さで選択的に形成されている。
【００１１】図２は図１の光導波路素子の製造方法を製
造工程順に示す断面図である。先ず、図２（ａ）のよう
に、ＬｉＮｂＯ3 結晶基板１１の表面部に選択的にＴｉ
を熱拡散して所要パターンの光導波路１２を形成し、更
にその上にＳｉＯ2 を成長させてバッファ層１３を形成
する。次いで、その上にＣｒ−Ａｕ薄膜１５’を全面に
形成し、かつ選択形成したフォトレジストパターン１８
をマスクにしてＣｒ−Ａｕ薄膜１５’を選択的にエッチ
ングし、図２（ｂ）のように第１電極１５を形成する。
なお、このＣｒ−Ａｕ薄膜１５’のエッチングについて
は、後工程におけるメッキ法を考慮したときには、ドラ
イプロセスによる工法が望ましい。
造工程順に示す断面図である。先ず、図２（ａ）のよう
に、ＬｉＮｂＯ3 結晶基板１１の表面部に選択的にＴｉ
を熱拡散して所要パターンの光導波路１２を形成し、更
にその上にＳｉＯ2 を成長させてバッファ層１３を形成
する。次いで、その上にＣｒ−Ａｕ薄膜１５’を全面に
形成し、かつ選択形成したフォトレジストパターン１８
をマスクにしてＣｒ−Ａｕ薄膜１５’を選択的にエッチ
ングし、図２（ｂ）のように第１電極１５を形成する。
なお、このＣｒ−Ａｕ薄膜１５’のエッチングについて
は、後工程におけるメッキ法を考慮したときには、ドラ
イプロセスによる工法が望ましい。
【００１２】次いで、図２（ｃ）のように、前記フォト
レジストパターン１８を除去した上で、全面に多結晶シ
リコン１７’を堆積させて帯電防止膜を所要厚さ（１０
００Å程度）に形成し、更にこの帯電防止膜１７’の上
に、図２（ａ）の工程で用いたフォトマスクを再度利用
してフォトレジストパターン１９を形成する。そして、
このフォトレジストパターン１９をマスクにして帯電防
止膜１７’を選択エッチングし、図２（ｄ）のように、
前記第１電極の間にのみ選択的に帯電防止膜１７を形成
する。しかる上で、前記フォトレジストパターン１９を
そのままマスクに利用して前記第１電極１５を利用した
メッキ法により第１電極１５の表面上に必要な厚さにま
でメッキ膜を成長させ、図２（ｅ）のように、第２電極
１６を形成する。この第２電極１６は前記第１電極１５
と一体化されて制御電極１４として構成される。なお、
第２電極１６を形成した後に、前記フォトレジストパタ
ーン１９を除去し、図１の光導波路が完成される。
レジストパターン１８を除去した上で、全面に多結晶シ
リコン１７’を堆積させて帯電防止膜を所要厚さ（１０
００Å程度）に形成し、更にこの帯電防止膜１７’の上
に、図２（ａ）の工程で用いたフォトマスクを再度利用
してフォトレジストパターン１９を形成する。そして、
このフォトレジストパターン１９をマスクにして帯電防
止膜１７’を選択エッチングし、図２（ｄ）のように、
前記第１電極の間にのみ選択的に帯電防止膜１７を形成
する。しかる上で、前記フォトレジストパターン１９を
そのままマスクに利用して前記第１電極１５を利用した
メッキ法により第１電極１５の表面上に必要な厚さにま
でメッキ膜を成長させ、図２（ｅ）のように、第２電極
１６を形成する。この第２電極１６は前記第１電極１５
と一体化されて制御電極１４として構成される。なお、
第２電極１６を形成した後に、前記フォトレジストパタ
ーン１９を除去し、図１の光導波路が完成される。
【００１３】したがって、この構成によれば、帯電防止
膜１７は、その製造工程の途中において薄膜の第１電極
１５上に成膜することになるため、カバレッジ性によっ
て膜厚が不均一となることはない。また、帯電防止膜１
７を形成する前に第１電極１５をドライエッチングして
いるため、帯電防止膜１７に対してドライエッチングに
よるダメージが生じることがない。これにより、帯電防
止膜１７の抵抗値を変化させることなく、また制御電極
１４間に効果的に帯電防止膜１７を形成することがで
き、外部環境温度変化に対する特性劣化を防止すること
が可能となる。なお、前記実施例は本発明を図３に示し
たような光変調器に適用した例であるが、光スイッチと
して構成される光導波路素子においても同様に適用する
ことができる。また、帯電防止膜の材質や膜厚は必要に
応じて適宜なものに設定できることは言うまでもない。
膜１７は、その製造工程の途中において薄膜の第１電極
１５上に成膜することになるため、カバレッジ性によっ
て膜厚が不均一となることはない。また、帯電防止膜１
７を形成する前に第１電極１５をドライエッチングして
いるため、帯電防止膜１７に対してドライエッチングに
よるダメージが生じることがない。これにより、帯電防
止膜１７の抵抗値を変化させることなく、また制御電極
１４間に効果的に帯電防止膜１７を形成することがで
き、外部環境温度変化に対する特性劣化を防止すること
が可能となる。なお、前記実施例は本発明を図３に示し
たような光変調器に適用した例であるが、光スイッチと
して構成される光導波路素子においても同様に適用する
ことができる。また、帯電防止膜の材質や膜厚は必要に
応じて適宜なものに設定できることは言うまでもない。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、光導波路
上にバッファ層を介して形成した制御電極間のバッファ
層の表面上にのみ帯電防止膜を有しているので、均一な
厚さで、しかも所望の抵抗値の帯電防止膜が形成でき、
光導波路素子における帯電を防止し、温度変化に伴う特
性劣化等を防止して光導波路素子の安定動作が実現でき
る効果がある。特に、強誘電体結晶基板の表面に光導波
路及びバッファ層を形成した後、薄い第１電極をエッチ
ング形成し、かつその上で帯電防止膜を被着し、その後
にこの帯電防止膜を第１電極間に残すように処理を行
い、しかる上で第１電極上に厚い第２電極を形成する工
程とすることで、薄膜の第１電極上に、しかも第１電極
のエッチング後に帯電防止膜を形成しているので、均一
でかつエッチングダメージのない帯電防止膜が形成でき
る。
上にバッファ層を介して形成した制御電極間のバッファ
層の表面上にのみ帯電防止膜を有しているので、均一な
厚さで、しかも所望の抵抗値の帯電防止膜が形成でき、
光導波路素子における帯電を防止し、温度変化に伴う特
性劣化等を防止して光導波路素子の安定動作が実現でき
る効果がある。特に、強誘電体結晶基板の表面に光導波
路及びバッファ層を形成した後、薄い第１電極をエッチ
ング形成し、かつその上で帯電防止膜を被着し、その後
にこの帯電防止膜を第１電極間に残すように処理を行
い、しかる上で第１電極上に厚い第２電極を形成する工
程とすることで、薄膜の第１電極上に、しかも第１電極
のエッチング後に帯電防止膜を形成しているので、均一
でかつエッチングダメージのない帯電防止膜が形成でき
る。
【図１】本発明の光導波路素子を光変調器に適用した一
実施例の要部の断面図である。
実施例の要部の断面図である。
【図２】図１の光導波路素子の製造方法を工程順に示す
断面図である。
断面図である。
【図３】光導波路素子で光変調器を構成した例を示す斜
視図である。
視図である。
【図４】従来の光導波路素子における帯電防止膜の例を
示す図であり、（ａ）は制御電極上に形成した例、
（ｂ）は制御電極下に形成した例である。
示す図であり、（ａ）は制御電極上に形成した例、
（ｂ）は制御電極下に形成した例である。
１１ 強誘電体結晶基板 １２ 光導波路 １３ バッファ層 １４ 制御電極 １５ 第１電極 １６ 第２電極 １７ 帯電防止膜
Claims (3)
- 【請求項１】 電気光学効果を有する強誘電体結晶基板
の表面に光導波路を有し、この光導波路上にバッファ層
を介して制御電極を選択的に形成してなる光導波路素子
において、前記制御電極間のバッファ層の表面上にのみ
帯電防止膜を有することを特徴とする光導波路素子。 - 【請求項２】 ＬｉＮｂＯ3 結晶基板にＴｉを熱拡散し
て光導波路を形成し、かつ制御電極間にシリコンで帯電
防止膜を形成してなる請求項１の光導波路素子。 - 【請求項３】 電気光学効果を有する強誘電体結晶基板
の表面に光導波路を形成する工程と、前記強誘電体結晶
基板の表面上にバッファ層を形成する工程と、前記バッ
ファ層の表面上の所要領域に薄い第１電極を形成する工
程と、この第１電極上の全面に帯電防止膜を被着する工
程と、前記第１電極間の前記帯電防止膜上にレジストを
選択的に形成し、このレジストをマスクにして前記帯電
防止膜を選択的に除去する工程と、前記レジストを用い
て露呈された第１電極上に厚い第２電極を選択的に形成
する工程を含むことを特徴とする光導波路素子の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5149839A JPH0816746B2 (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | 光導波路素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5149839A JPH0816746B2 (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | 光導波路素子及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06337447A JPH06337447A (ja) | 1994-12-06 |
| JPH0816746B2 true JPH0816746B2 (ja) | 1996-02-21 |
Family
ID=15483788
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5149839A Expired - Fee Related JPH0816746B2 (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | 光導波路素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0816746B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11947147B2 (en) | 2021-03-30 | 2024-04-02 | Tdk Corporation | Optical device with microcrack resistance from surface roughness thereby reducing loss of light |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7373047B2 (en) * | 2002-11-21 | 2008-05-13 | Optimer Photonics, Inc. | Embedded electrode integrated optical devices and methods of fabrication |
| JP2013037243A (ja) * | 2011-08-09 | 2013-02-21 | Fujitsu Optical Components Ltd | 光変調器 |
| CN113467110A (zh) * | 2020-03-31 | 2021-10-01 | Tdk株式会社 | 电光器件 |
Citations (1)
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|---|---|---|---|---|
| JPS6273207A (ja) * | 1985-09-27 | 1987-04-03 | Fujitsu Ltd | 導波路光デイバイス |
-
1993
- 1993-05-31 JP JP5149839A patent/JPH0816746B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
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| JPS6273207A (ja) * | 1985-09-27 | 1987-04-03 | Fujitsu Ltd | 導波路光デイバイス |
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|---|---|---|---|---|
| US11947147B2 (en) | 2021-03-30 | 2024-04-02 | Tdk Corporation | Optical device with microcrack resistance from surface roughness thereby reducing loss of light |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06337447A (ja) | 1994-12-06 |
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