JP2001100163A

JP2001100163A - 光導波路素子及び光導波路素子の位相制御方法

Info

Publication number: JP2001100163A
Application number: JP27993399A
Authority: JP
Inventors: Junichiro Ichikawa; 潤一郎市川; Takashi Noguchi; 隆野口; Hirotoshi Nagata; 裕俊永田; Kenichi Kubodera; 憲一久保寺
Original assignee: Sumitomo Osaka Cement Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Osaka Cement Co Ltd
Priority date: 1999-09-30
Filing date: 1999-09-30
Publication date: 2001-04-13

Abstract

(57)【要約】【課題】作製時に発生した欠陥や応力による基板や光
導波路の実効屈折率変動を補償し、高い消光比によって
外部信号のオン／オフ制御を可能とする、新規な光導波
路型素子及び光導波路素子の位相制御方法を提供する。【解決手段】本発明の光導波路素子１０は、電気光学
効果を有する基板１と、光波を導波させるためのマッハ
ツエンダー型の光導波路２と、光導波路２中を導波する
光波を制御するための信号電極４及び接地電極５−１、
５−２とを具える。そして、基板１上の、光導波路２を
構成する第１及び第２の分岐光導波路３−１及び３−２
の少なくとも一部において、光導波路よりも高実効屈折
率の材料からなる膜体６を、前記光波の波長の１／４以
下の厚さとなるように形成する。また、膜体６は所定の
薄膜を形成した後、位相制御が最適な状態となるよう
に、前記薄膜をトリミングすることによって形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は光導波路素子及び光
導波路素子の位相制御方法に関し、さらに詳しくは、高
速・大容量の光ファイバ通信システムの導波路型光強度
変調器、位相変調器、及び偏波スクランブラなどに好適
に用いることのできる光導波路素子及び光導波路素子の
位相制御方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年の高速・大容量光ファイバ通信シス
テムにおける進歩に伴い、広帯域特性及び低チャープ特
性、並びに伝搬損失が小さいなどの理由から、従来のレ
ーザダイオードの直接変調に代わって、ニオブ酸リチウ
ム（ＬｉＮｂＯ_３：以下、ＬＮと略す場合がある）を用
いた導波路型の外部変調器の実用化が進められている。

【０００３】このような導波路型の光変調器は、この光
変調器を構成するマッハツエンダー型光導波路の近傍に
設けられた変調用電極に所定の高周波外部電気信号を印
加することにより、２本の分岐光導波路中を導波する光
波の位相をそれぞれ変化させ、これら光波が合成された
際における光波の消光を利用することによって外部信号
のオン／オフを制御するものである。しかしながら、プ
ロセス誤差や各種の層形成、並びに上記変調用電極の設
置などによって、光変調器内には数々の欠陥や応力など
が存在するようになる。このため、全く同一の条件で作
製したにもかかわらず、各光変調器を構成する基板や光
導波路の実効実効屈折率が、それぞれに異なる場合があ
る。

【０００４】したがって、各光変調器の動作点がそれぞ
れに異なるような場合が生じ、当初設定した電圧及び周
波数で高周波外部電気信号を印加しても、前記２本の分
岐光導波路を導波する光波の位相を当初設定したように
して変化させることができなくなってしまう場合があ
る。このため、これら光波が合成された際における光波
の消光が不十分となり、この結果、外部信号のオン／オ
フを十分に行うことができなくなる場合があった。

【０００５】かかる問題に対処すべく、従来において
は、光変調器に直流電圧のバイアスを印加し、光変調器
の動作点を制御することによって、前記２本の分岐光導
波路中を導波する光波の位相変化を最適な状態にし、十
分な消光を得ることによって外部信号のオン／オフを行
っていた。

【０００６】さらに、特開平４−３３７７０７号公報に
は、上記のような２本の分岐光導波路の少なくとも一方
の光導波路上に、Ｔｉ−Ａｕ蒸着膜、あるいはＡｕメッ
キ膜などを形成し、これをトリミングすることによって
導波路に歪みを与え、この歪みに起因する実効実効屈折
率変化を利用して動作点を制御する方法、及び変調用電
極に外部変調用電圧と異なる独立した直流電圧を流して
光導波路に温度変化を与え、この温度変化に起因する実
効屈折率変化を利用して動作点を制御する方法が開示さ
れている。

【０００７】また、特開平４−２５８９１８号公報に
は、マッハツエンダー型光導波路を構成する２本の分岐
光導波路の少なくとも一方の近傍に、位相調整領域を設
けることが記載されている。上記公報によれば、この位
相調整領域は、例えば、光変調器を構成する基板の、前
記分岐光導波路が形成された部分に開口部を有するＳｉ
Ｏ_２膜を形成した後、この開口部内にフォトレジストな
どを塗布することによって形成している。さらに、特開
平７−２８００６号公報には、分岐光導波路の少なくと
も一方の上にＳｉＯ_２膜などの光透過膜を部分的に設け
て、前記分岐光導波路に歪みを与え、この歪みに起因す
る実効実効屈折率変化を利用して動作点を調整するとい
う特開平４−３３７７０７号公報と同様の方法が開示さ
れている。

【０００８】また、上記公報には、分岐光導波路上又は
その近傍におけるバッファ層の一部に開口部を設けるこ
と、さらには、この開口部の面積や形状、並びに位置を
変化させることによる実効実効屈折率変化を利用して動
作点を制御する方法が開示されている。さらに、上記公
報には、前記開口部内にシアノアクリレート系高分子接
着剤を塗布することによって上記分岐光導波路に伸縮歪
みを生じさせ、この歪みによって生じた実効実効屈折率
変化を利用して動作点を制御する、特開平４−２５８９
１８号公報類似の方法が開示されている。これらの方法
によれば、光変調器における光導波路などの実効実効屈
折率変動を動作点制御で補うことによって十分高い消光
比を得、これによって外部信号のオン／オフを可能なら
しめるものである。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
たような直流電圧をバイアスする方法では、いわゆるＤ
Ｃドリフトという現象が生じる。このため、このＤＣド
リフトに起因した動作点シフトを別にモニターする制御
回路が必要になり、システムの複雑化及びコスト高とい
う問題を生じてしまう。

【００１０】また、特開平４−３３７７０７号公報、特
開平４−２５８９１８号公報及び特開平７−２８００６
号公報などに記載された方法では、動作点制御がある一
定の範囲内に限られてしまう。このため、上述したよう
な経時的な実効実効屈折率変化が極めて大きいような場
合においては、これら方法によって分岐光導波路中を導
波する光波の位相変化を制御して、十分高い消光比を得
ることは困難であった。このため、このような光変調器
は実用に供することが不可能となるため、光変調器の製
造歩留まりを劣化させる原因にもなっていた。

【００１１】仮に、これらの方法において分岐光導波路
中を導波する光波の位相変化の制御が可能であるとして
も、例えば、特開平４−２５８９１８号公報に記載され
た方法などにおいては、前記光波と前記変調用電極との
相互作用領域において、比較的大きな位相調整領域を設
ける必要があった。このため、光導波路素子が全体とし
て大型化してしまうという問題もあった。

【００１２】本発明は、作製時に発生した欠陥や応力に
よる基板や光導波路の実効実効屈折率変動を補償し、高
い消光比によって外部信号のオン／オフ制御を可能とす
る、新規な光導波路型素子及び光導波路素子の位相制御
方法を提供することを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明の光導波路型素子
は、上記目的を達成すべく、電気光学効果を有する基板
と、光波を導波させるためのマッハツエンダー型の光導
波路と、この光導波路を導波する光波を制御するための
変調用電極とを具える。そして、前記基板上の、前記マ
ッハツエンダー型の光導波路を構成する第１及び第２の
分岐光導波路が位置する部分の少なくとも一部におい
て、前記光導波路よりも高実効屈折率の材料から構成さ
れる膜体を形成する。さらに、この膜体の厚さを前記光
導波路を導波する前記光波の波長の１／４以下にしたこ
とを特徴とする。

【００１４】さらに、本発明の光導波路素子の位相制御
方法は、電気光学効果を有する基板と、光波を導波させ
るためのマッハツエンダー型の光導波路と、この光導波
路を導波する光波を制御するための変調用電極とを具え
た光導波路素子において、前記基板上の、前記マッハツ
エンダー型の光導波路を構成する第１及び第２の分岐光
導波路が位置する部分の少なくとも一部において、前記
光導波路よりも高実効屈折率の材料から構成されるとも
に、前記光導波路を導波する前記光波の波長の１／４以
下の厚さの膜体を形成する。そして、前記光導波路から
の光出力をモニターしながら前記膜体をトリミングする
ことにより、前記第１の分岐光導波路中を導波する第１
の分岐導波光と前記第２の分岐光導波路中を導波する第
２の分岐導波光との間の位相を調節するようにしたこと
を特徴とする。

【００１５】本発明者らは、上述した目的を達成すべく
鋭意検討を行った。その結果、光導波路素子に形成され
た光導波路よりも高い実効屈折率を有する材料からなる
膜体を前記基板上に形成することにより、かかる部分の
光導波路の実効屈折率を大きく変化させることが可能で
あることを見出した。

【００１６】しかしながら、その一方で、前記基板に光
導波路を形成した後、前記膜体を前記基板上の、前記光
導波路が形成された部分に形成すると、前記光導波路よ
りも前記膜体が高屈折率のため前記光導波路中を導波す
る光波が前記膜体へリークしてしまい、光導波路素子と
して実質的に使用することが不可能になるという問題が
あった。そこで、本発明者らは、前記リークを防止すべ
く、さらに膨大な研究を行った。その結果、前記高実効
屈折率からなる膜体の厚さを前記光導波路を導波する光
波の波長に対して、ある一定の範囲内に設定することに
より、前記リークを防止できることを見出した。本発明
は、本発明者らによる上記のような膨大な研究探索の結
果なされたものである。

【００１７】本発明によれば、上述した直流バイアスを
印加する方法などのように、システムが複雑化したり、
コストが高くなったりなどの問題がない。さらに、本発
明の膜体は、高実効屈折率の材料から構成されているた
めに、基板及び基板に形成された光導波路の実効屈折率
を大きく変化させることができる。したがって、作製し
た光導波路素子の実効屈折率変動が大きく、動作点が設
定値より大きくずれてしまったような場合においても、
かかる実効屈折率変動を補償して十分高い消光比を得る
ことができる。また、膜体の大きさを比較的小さくした
場合においても、前述のような実効屈折率変動を補償し
て、高い消光比を得ることができる。

【００１８】また、本発明における膜体や特開平４−２
５８９１８号公報などに記載されている位相調整領域な
どは、一般的に光導波路中を導波する光波と変調用電極
に印加される高周波外部電気信号とが相互作用する領域
外に形成する。そして、上記のような膜体及び位相調整
領域などを形成するに当たっては、前記相互作用する領
域外において、これらを形成するためのスペースをある
程度の大きさで積極的に形成することが必要となる。こ
のため、光導波路素子は、このスペースを考慮して本来
必要とされるよりも大きく形成することが必要となる。

【００１９】本発明においては、膜体の大きさを比較的
小さくした場合においても実効屈折率変動を十分補償す
ることができるので、上述のようなスペースを比較的小
さくすることができる。したがって、光導波路素子の大
きさを本来的なものに近づけることができ、上記のよう
に位相調整領域などを形成する従来の方法と比較して、
光導波路素子を小型化することができる。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、本発明を図面と関連させな
がら、発明の実施の形態に即して詳細に説明する。図１
は、本発明の光導波路素子の一例を示す平面図である。
なお、図１においては、本発明の特徴を明確にすべく、
その構成及び大きさなどについては実際のものと異なる
ようにして描いている。

【００２１】図１に示す光導波路素子１０は、電気光学
効果を有する基板１と、基板１内に形成された光波を導
波させるためのマッハツエンダー型の光導波路２と、光
導波路２中を導波する光波を変調するための変調用電極
である信号電極４及び接地電極５−１、５−２とを具え
ている。マッハツエンダー型の光導波路２は、第１の分
岐光導波路３−１及び第２の分岐光導波路３−２を有し
ている。

【００２２】さらに、光導波路素子１０は、基板１上
の、第１の分岐光導波路３−１が位置する部分におい
て、膜体６を有している。また、この膜体６は、長さＬ
で示される光導波路２中を導波する光波と信号電極４及
び接地電極５−１、５−２に印加される高周波外部電気
信号とが相互作用する領域（以下、「相互作用領域Ｌ」
と略す場合がある）の外に形成されている。なお、この
相互作用領域の長さＬは、一般に信号電極と接地電極と
が略平行に存在する長さによって定義づけられる。

【００２３】膜体６の実効屈折率は、光導波路２の実効
屈折率よりも大きければ、その値については特に限定さ
れない。しかしながら、基板１は電気光学効果を有する
ことが必要であり、一般にニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂ
Ｏ_３）、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ_３）、及びジ
ルコン酸チタン酸鉛ランタン（ＰＬＺＴ）などから形成
される。そして、これらの材料は２．０〜２．３の実効
屈折率を有する。したがって、膜体６は、実効屈折率が
３以上の材料から構成されることが好ましい。このよう
な材料としては、シリコン、ゲルマニウム、及びガリウ
ムヒ素などを例示することができる。これらの中でも成
膜制御性、トリミング制御性の観点からシリコンを好ま
しく用いることができる。

【００２４】また、膜体６の厚さは、光道破路２中を導
波する光波の波長の１／４以下であることが必要であ
り、さらには１／１０以下、特には１／１５以下である
ことが好ましい。これによって、光導波路２中を導波す
る光波の膜体６へのリークを効果的に防止することがで
きる。

【００２５】図１に示す光導波路素子１０において、膜
体６は基板１上の、第１の分岐光導波路３−１が位置す
る部分にのみ設けられている。しかしながら、膜体の形
成は第１の分岐光導波路が位置する部分に限定されるも
のではなく、第２の分岐光導波路が位置する部分に設け
ることもできる。さらには、第１及び第２の分岐光導波
路が位置する部分に、それぞれ膜体を形成することもで
きる。また、膜体の数については、図１に示すように１
つである必要はなく、例えば、第１の分岐光導波路３−
１が位置する部分において複数設けることもできる。

【００２６】本発明においては、膜体を以下のようにし
て形成することにより、分岐光導波路中を導波する光波
の位相を制御する。以下、図１にしたがって、膜体６の
形成方法について説明する。最初に、ニオブ酸リチウム
などからなる基板１に、第１及び第２の分岐光導波路３
−１及び３−２を有するマッハツエンダー型の光導波路
２を、例えば、熱チタン拡散法やプロトン交換法などに
より形成する。次いで、蒸着法とメッキ法などとを併用
することによって、分岐光導波路３−１及び３−２を挟
むようにして信号電極４並びに接地電極５−１及び５−
２を形成する。

【００２７】次いで、シリコンなどの高実効屈折率材料
からなる薄膜を、その厚さが光導波路２中を導波する光
波の波長の１／４以下となるように、基板１上の分岐光
導波路３−１が位置する部分において所定の大きさに形
成する。ここで、前記薄膜は蒸着法やスパッタリング法
などによって形成することができる。次いで、光導波路
２の入射口２Ａ及び出射口２Ｂに、それぞれ光ファイバ
を接続する。そして、光導波路２中に、実際の光導波路
素子として完成した場合に使用するものと同じ光波を導
波させる。この光波は、光ファイバを通じて入射口２Ａ
から光導波路２中に導入する。そして、前記光波は、第
１及び第２の分岐光導波路３−１及び３−２を通過した
後、出射口２Ｂから光ファイバを通って外部へ抜ける。

【００２８】このように光導波路２中に光波を導波させ
ている際において、信号電極４と接地電極５−１及び５
−２との間に、実際の変調に用いるのと同じ高周波外部
電気信号を印加する。そして、この際における出射口２
Ｂからの出力光の強度をフォトデイテクタなどによって
モニターする。次いで、この出力光強度をモニターしな
がら、前記薄膜をＹＡＧレーザなどによってトリミング
する。前記出力光強度がほぼ０になった時点において前
記トリミングを中止し、膜体６を完成させる。出射口２
Ｂにおける出力光強度が０になるということは、光導波
路２などの実効屈折率変動が補償されて、第１の分岐光
導波路３−１を導波する第１の分岐光波と第２の分岐光
導波路３−２を導波する第２の分岐光波との間の位相が
最適な状態（位相が約１８０度ずれた状態）に調節され
たことを示している。

【００２９】本発明によれば、光導波路素子の実効屈折
率変動に対して高い補償効果を有する高実効屈折率材料
から膜体を構成するとともに、かかる膜体の大きさをト
リミングによって調節することができる。したがって、
十分広い範囲の実効屈折率変動を極めて簡易にほぼ完全
に補償することができ、光導波路素子の歩留まりを向上
させることができる。

【００３０】

【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説
明する。（実施例）本実施例では、図１に示すような光導波路素
子１０を作製した。基板１としてニオブ酸リチウムのＸ
カット板を用い、このＸカット板上に、スピンコータを
用いてフォトレジストを０．５μｍの厚さに形成した
後、露光及び現像処理を行って、現像幅７μｍの光導波
路パターンを形成した。次いで、この光導波路パターン
上に、蒸着法によってチタンからなる層を厚さ８００Å
に形成し、電気炉中で１０００℃、１０時間の熱処理を
行って前記チタンを基板１中に拡散させ、幅９μｍの光
導波路２（実効屈折率２．１０）を形成した。なお、光
導波路２を構成する第１の分岐光導波路３−１及び第２
の分岐光導波路３−２についても、それらの幅が９μｍ
になるように形成した。

【００３１】次いで、基板１上の全体にチタン層を、蒸
着法によって厚さ０．０５μｍに形成した後、スパッタ
リング法によって、前記チタン層上にＡｕ層を厚さ０．
２μｍに形成した。次いで、前記Ａｕ層上にクロムマス
クを設置した後、スピンコータでフォトレジストを厚さ
２５μｍに形成した。その後、露光及び現像処理を施し
て電極パターンを形成し、この電極パターンをマスクと
して電界メッキを行うことにより、厚さ１５μｍ、幅５
μｍの信号電極４並びに接地電極５−１及び５−２を形
成した。

【００３２】この時点において、光導波路２中に波長
１．５５μｍの光波を導入し、膜体６を形成する以前の
光導波路素子の変調曲線を求めたところ、図２（ａ）に
示すような曲線が得られた。

【００３３】次いで、シリコン（実効屈折率３．５）か
らなる薄膜を蒸着によって、相互作用領域Ｌ外におい
て、厚さ０．０５μｍ、幅１０μｍ、長さ１５０μｍに
形成した。そして、光導波路２中に上記光波を導入し、
信号電極４に周波数１０ｋＨｚの高周波外部電気信号を
印加した状態において、前記光波の出力光強度をモニタ
ーながら前記薄膜をトリミングして、膜体６を形成し
た。その結果、膜体６を長さ１２０μｍに形成したとこ
ろで、出力光強度がほぼ０になった。このときの変調曲
線を求めたところ図２（ｂ）に示すような曲線が得られ
た。図２（ａ）及び（ｂ）から明らかなように、本実施
例の光導波路素子及びその位相制御方法において、変調
曲線は約４／５波長分シフトしていることが分かる。

【００３４】（比較例）シリコンに代えてフォトレジス
ト（実効屈折率１．７）からなる薄膜を厚さ０．５μ
ｍ、幅１０μｍ、長さ１８ｍｍに形成した以外は、実施
例と同様にして光導波路素子を作製した。このときの、
変調曲線を実施例同様に測定したところ、図２（ｃ）に
示すような曲線が得られた。その後、前記薄膜を実施例
と同様にしてトリミングし、実施例における膜体６と同
じ大きさの膜体を形成した。このときの変調曲線を同様
にして測定したところ、図２（ｄ）に示すような曲線が
得られた。

【００３５】図２（ａ）、（ｃ）、及び（ｄ）から明ら
かなように、図２（ｃ）に示すフォトレジストからなる
薄膜を形成した時点における変調曲線は、図２（ａ）に
示す薄膜を形成していない状態の変調曲線から約３／５
波長分シフトしていることが分かる。そして、薄膜をト
リミングすることにより変調曲線は左へシフトし、フォ
トレジストからなる薄膜を膜体６と同じ大きさに形成し
た場合においては、図２（ｄ）に示すような変調曲線が
得られることが分かった。図２（ｄ）は図２（ａ）から
約４×１０^−３波長分しかシフトしておらず、これらは
ほぼ重なった状態を呈することが分かる。

【００３６】すなわち、上記実施例によれば、本発明の
光導波路素子及び光導波路素子の位相制御方法により、
トリミングによって約４／５波長分の位相シフトを簡易
かつ正確に行えることが分かる。これに対し、光導波路
よりも実効屈折率の低いフォトレジストを用いた比較例
においては、膜体６よりも大きな薄膜を形成した時点に
おいても、その位相シフトは膜体６を形成した場合より
も小さいことが分かる。そして、膜体６と同じ大きさの
膜体をトリミングによって形成した場合においては、上
記実施例の約１／２００の大きさの位相シフトしか得ら
れないことが分かる。

【００３７】以上、具体例を挙げながら発明の実施の形
態に基づいて本発明を詳細に説明したが、本発明は上記
内容に限定されるものではなく、本発明の範疇逸脱しな
い限りにおいて、あらゆる変形や変更が可能である。

【００３８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の光導波路
素子及び光導波路素子の位相制御方法によれば、光導波
路よりも実効屈折率の高い材料からなる膜体を、前記基
板上の、光導波路を構成する２本の分岐光導波路の少な
くとも一部にトリミングによって形成する。このため、
光導波路素子の実効屈折率変動を広い範囲内で補償する
ことができる。したがって、光導波路素子の歩留まりを
向上させることが可能となる。さらには、膜体の大きさ
を十分に小さくした場合においても、比較的大きな実効
屈折率変動を補償することができるため、素子全体に占
める膜体の割合を減少させて、素子自体を小型化するこ
ともできる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光導波路素子の一例を示す平面図で
ある。

【図２】実施例及び比較例における光導波路素子の変
調曲線である。

【符号の説明】

１基板２光導波路３−１第１の分岐光導波路３−２第２の分岐光導波路４信号電極５−１、５−２接地電極６膜体１０光導波路素子

フロントページの続き (72)発明者永田裕俊千葉県船橋市豊富町585番地住友大阪セメント株式会社新規技術研究所内 (72)発明者久保寺憲一千葉県船橋市豊富町585番地住友大阪セメント株式会社新規技術研究所内Ｆターム(参考） 2H047 KA12 LA12 NA02 PA12 QA03 RA08 TA42 2H079 AA02 AA12 CA04 DA03 EA05 HA11 JA05

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電気光学効果を有する基板と、光波を導
波させるためのマッハツエンダー型の光導波路と、この
光導波路を導波する光波を制御するための変調用電極と
を具えた光導波路素子であって、前記基板上の、前記マッハツエンダー型の光導波路を構
成する第１及び第２の分岐光導波路が位置する部分の少
なくとも一部において、前記光導波路よりも高実効屈折
率の材料から構成される膜体を形成するとともに、この
膜体の厚さを前記光導波路を導波する前記光波の波長の
１／４以下にしたことを特徴とする、光導波路素子。
【請求項２】前記膜体は、３以上の実効屈折率を有す
る高屈折材料から構成したことを特徴とする、請求項１
に記載の光導波路素子。
【請求項３】前記膜体の厚さは、前記光導波路を導波
する前記光波の波長の１／１０以下にしたことを特徴と
する、請求項１又は２に記載の光導波路素子。
【請求項４】電気光学効果を有する基板と、光波を導
波させるためのマッハツエンダー型の光導波路と、この
光導波路を導波する光波を制御するための変調用電極と
を具えた光導波路素子の位相制御方法であって、前記基板上の、前記マッハツエンダー型の光導波路を構
成する第１及び第２の分岐光導波路が位置する部分の少
なくとも一部において、前記光導波路よりも高実効屈折
率の材料から構成されるともに、前記光導波路を導波す
る前記光波の波長の１／４以下の厚さの薄膜を形成し、
前記変調用電極に外部変調信号を印加した状態で前記光
導波路からの光出力をモニターしながら、前記薄膜をト
リミングすることにより所定の膜体を形成し、前記第１
の分岐光導波路中を導波する第１の分岐光波と前記第２
の分岐光導波路中を導波する第２の分岐光波との間の位
相を調節するようにしたことを特徴とする、光導波路素
子の位相制御方法。
【請求項５】前記膜体は、３以上の実効屈折率を有す
る高屈折材料から構成したことを特徴とする、請求項４
に記載の光導波路素子の位相制御方法。
【請求項６】前記膜体の厚さは、前記光導波路を導波
する前記光波の波長の１／１０以下にしたことを特徴と
する、請求項４又は５に記載の光導波路素子の位相制御
方法。