JP2001247956A - Vacuum treatment apparatus - Google Patents
Vacuum treatment apparatusInfo
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- JP2001247956A JP2001247956A JP2000063131A JP2000063131A JP2001247956A JP 2001247956 A JP2001247956 A JP 2001247956A JP 2000063131 A JP2000063131 A JP 2000063131A JP 2000063131 A JP2000063131 A JP 2000063131A JP 2001247956 A JP2001247956 A JP 2001247956A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、真空処理装置にか
かり、特に、異常放電を防止した真空処理装置に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a vacuum processing apparatus, and more particularly to a vacuum processing apparatus which prevents abnormal discharge.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図３を参照し、符号１３０はスパッタリ
ング装置であり、真空槽１３１を有している。該真空槽
１３１は、底板１２２と、底板１２２上に配置された筒
状のチャンバー本体１２０と、チャンバー本体１２０の
蓋となる天板１０７とで構成されている。2. Description of the Related Art Referring to FIG. 3, reference numeral 130 denotes a sputtering apparatus having a vacuum chamber 131. The vacuum chamber 131 includes a bottom plate 122, a cylindrical chamber main body 120 disposed on the bottom plate 122, and a top plate 107 serving as a lid of the chamber main body 120.
【０００３】天板１０７には、絶縁部材１２６を介し
て、バッキングプレート１０３が配置されており、該バ
ッキングプレート１０３の底板１２２に対向する面上に
は、誘電体から成るターゲット１０１が固定されてい
る。ターゲット１０１の周囲には、ターゲット１０１の
構成材料の一成分から成るシールドリング１０２が配置
されている。[0003] A backing plate 103 is disposed on a top plate 107 via an insulating member 126, and a target 101 made of a dielectric is fixed on a surface of the backing plate 103 facing the bottom plate 122. I have. Around the target 101, a shield ring 102 made of one component of the constituent material of the target 101 is arranged.
【０００４】底板１２２上には、ランプユニット１１８
が配置されており、該ランプユニット１１８上には、プ
ラテン１１６が載せられている。ランプユニット１１８
の周囲には、アースブロック１１５が配置されており、
更に、その周囲には、防着リング１１４が配置されてい
る。On the bottom plate 122, a lamp unit 118 is provided.
, And a platen 116 is mounted on the lamp unit 118. Lamp unit 118
Around the ground block 115,
Further, a protection ring 114 is disposed around the periphery.
【０００５】上記の底板１２２と、アースブロック１１
５と、天板１０７と、防着リング１１４とは、接地電位
に置かれている。他方、バッキングプレート１０３は、
絶縁部材１２６によって天板１０７とは絶縁されてい
る。そして、そのバッキングプレート１０３は、真空槽
１３１外に配置された電源に接続されており、所望の電
圧(ＤＣ電圧とＲＦ電圧)を印加できるように構成されて
いる。[0005] The bottom plate 122 and the earth block 11
5, top plate 107, and deposition prevention ring 114 are at the ground potential. On the other hand, the backing plate 103
The insulating member 126 is insulated from the top plate 107. The backing plate 103 is connected to a power source arranged outside the vacuum chamber 131, and is configured to apply a desired voltage (DC voltage and RF voltage).
【０００６】バッキングプレート１０３裏面側には磁気
回路１０４が配置されており、真空雰囲気中でプラテン
１１６上に成膜対象の基板１１７を載置し、真空槽１３
１内にスパッタリングガスを導入し、磁気回路１０４を
回転させながらバッキングプレート１０３に交流電圧を
印加すると、バッキングプレート１０３がカソード電極
となり、真空槽１３１及びアースブロック１１５がアノ
ード電極となり、その間に放電が誘起され、ターゲット
１０１表面がマグネトロンスパッタされる。A magnetic circuit 104 is disposed on the back side of the backing plate 103. A substrate 117 to be formed is placed on a platen 116 in a vacuum atmosphere, and a vacuum chamber 13 is provided.
When an AC voltage is applied to the backing plate 103 while rotating the magnetic circuit 104 while introducing a sputtering gas into the inside 1, the backing plate 103 becomes a cathode electrode, and the vacuum chamber 131 and the earth block 115 become an anode electrode. It is induced and the surface of the target 101 is magnetron sputtered.
【０００７】このスパッタリング装置１３０内には、防
着容器１３２が配置されている。防着容器１３２は、シ
ールド板１０９と、上部防着容器１１０と、下部防着容
器１１１とで構成されている。シールド板１０９と、上
部及び下部防着容器１１０、１１１は、筒状に形成され
ており、シールド板１０９は、上部防着容器１１０の内
側に配置され、上記ターゲット１０１及びシールドリン
グ１０２が、シールド板１０９の内側に収容されてい
る。[0007] Inside the sputtering apparatus 130, a deposition-proof container 132 is disposed. The deposition prevention container 132 includes a shield plate 109, an upper deposition prevention container 110, and a lower deposition prevention container 111. The shield plate 109 and the upper and lower deposition-proof containers 110 and 111 are formed in a cylindrical shape. The shield plate 109 is disposed inside the upper deposition-resistant container 110, and the target 101 and the shield ring 102 are shielded. It is housed inside the plate 109.
【０００８】底板１２２には、絶縁碍子１４０を介して
昇降ロッド１１３が挿通されており、その上端部には接
地台座１１２が配置されている。下部防着容器１１１
は、その接地台座１１２上に取り付けられており、昇降
ロッド１１３を下方に移動させた状態では、下部防着容
器１１１は、若干のオーバーラップを介して上部防着容
器１１０の下方に位置するようにされている。その状態
では、プラテン１１６及びその上に載置された基板１１
７は、下部防着容器１１１内に収容されるようになって
いる。An elevating rod 113 is inserted into the bottom plate 122 via an insulator 140, and a grounding pedestal 112 is disposed at an upper end thereof. Lower deposition container 111
Are mounted on the grounding pedestal 112, and when the lifting rod 113 is moved downward, the lower deposition-resistant container 111 is positioned below the upper deposition-resistant container 110 with a slight overlap. Has been. In this state, the platen 116 and the substrate 11 placed thereon
7 is accommodated in the lower deposition-proof container 111.
【０００９】プラテン１１６上に載置された基板１１７
は、ターゲット１０１に対向するようになっている。タ
ーゲット１０１がスパッタリングされると、スパッタリ
ング粒子は基板１１７表面に到達し、誘電体から成る薄
膜が形成される。このとき、基板１１７方向に飛行しな
いスパッタリング粒子は、防着容器１３２内壁に付着
し、真空槽１３１内壁には付着しないようになってい
る。従って、ある程度薄膜が付着したら、新しい防着容
器１３２と交換することで、真空槽１３１内にパーティ
クルが発生しないようになっている。A substrate 117 mounted on a platen 116
Are opposed to the target 101. When the target 101 is sputtered, the sputtered particles reach the surface of the substrate 117, and a thin film made of a dielectric is formed. At this time, the sputtered particles that do not fly in the direction of the substrate 117 adhere to the inner wall of the deposition-proof container 132 and do not adhere to the inner wall of the vacuum chamber 131. Therefore, when a thin film is adhered to some extent, a new anti-deposition container 132 is replaced to prevent particles from being generated in the vacuum chamber 131.
【００１０】上述のシールド板１０９と、上部防着容器
１１０は、アースとは絶縁されたガスリング１０８を介
して天板１０７に固定されており、また、下部防着容器
１１１は、接地台座１１２上に配置されており、シール
ド板１０９と上部及び下部防着容器１１０、１１１は、
電源や真空槽１３１とは接続されておらず、フローティ
ング電位におかれている。これは付着した膜がプラズマ
ダメージによりパーティクルになるのを防止するためで
ある。The shield plate 109 and the upper deposition-proof container 110 are fixed to the top plate 107 via a gas ring 108 insulated from the ground. The shield plate 109 and the upper and lower deposition containers 110 and 111 are
It is not connected to the power supply or the vacuum chamber 131, but is at a floating potential. This is to prevent the adhered film from becoming particles due to plasma damage.
【００１１】この状態では、防着容器１３２及び防着リ
ング１１４によりターゲット１０１を含む放電空間が囲
まれているため、バッキングプレート１０３に電圧を印
加しても、防着容器１３２と真空槽１３１との間には放
電は発生しないはずであるが、バッキングプレート１０
３へ大きな電圧を印加した場合は、防着容器１３２の外
部に漏れ出た高速粒子等がトリガとなり、防着容器１３
２を介し、防着容器１３２と真空槽１３１との間に(異
常)放電が発生してしまう。また、この時真空槽１３１
の表面には、アーキング(異常放電)が生じ易い。In this state, the discharge space including the target 101 is surrounded by the deposition-proof container 132 and the deposition-proof ring 114. Therefore, even if a voltage is applied to the backing plate 103, the deposition-proof container 132 and the vacuum chamber 131 are not sealed. No discharge should occur during the backing plate 10
When a large voltage is applied to the protection container 13, the high-speed particles or the like leaking out of the protection container 132 serve as a trigger.
2, an (abnormal) discharge occurs between the deposition-proof container 132 and the vacuum chamber 131. At this time, the vacuum chamber 131
Arcing (abnormal discharge) is likely to occur on the surface of.
【００１２】上記のような異常放電が発生すると、基板
１１７上の成膜速度が変化したり、形成される薄膜中に
パーティクルが混入したり、真空槽内面を傷つけたりす
る原因となるため、対策が望まれている。When the above-described abnormal discharge occurs, the film formation rate on the substrate 117 is changed, particles are mixed in the formed thin film, or the inner surface of the vacuum chamber is damaged. Measures are desired.
【００１３】[0013]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来技
術の不都合を解決するために創作されたものであり、そ
の目的は、防着容器外部に(異常)放電が発生しない真空
処理装置を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned disadvantages of the prior art, and an object of the present invention is to provide a vacuum processing apparatus which does not generate (abnormal) discharge outside the deposition-resistant container. To provide.
【００１４】[0014]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１記載の発明は、真空槽と、該真空槽内に配
置された防着容器とを有し、前記防着容器内に基板を配
置し、該基板を真空雰囲気中で処理する真空処理装置で
あって、前記防着容器は、外側容器と、該外側容器内に
配置され、該外側容器と絶縁された内側容器とを有する
ことを特徴とする。請求項２記載の発明は、請求項１記
載の真空処理装置であって、前記内側容器をフローティ
ング電位に、前記外側容器を所望電位におけるように構
成されたことを特徴とする。請求項３記載の発明は、請
求項１又は請求項２のいずれか１項記載の真空処理装置
であって、前記外側容器と前記内側容器の間は、０．５
ｍｍ以上５ｍｍ以下の距離で離間されたことを特徴とす
る。請求項４記載の発明は、請求項１乃至請求項３のい
ずれか１項記載の真空処理装置であって、前記外側容器
と前記内側容器の間には絶縁物が充填されていることを
特徴とする。Means for Solving the Problems In order to solve the above-mentioned problems, the invention according to claim 1 has a vacuum tank and a deposition-proof container disposed in the vacuum tank, and the inside of the deposition-proof container is provided. A vacuum processing apparatus for disposing a substrate in a vacuum atmosphere for processing the substrate in a vacuum atmosphere, wherein the deposition-proof container includes an outer container, and an inner container disposed in the outer container and insulated from the outer container. It is characterized by having. The invention according to claim 2 is the vacuum processing apparatus according to claim 1, wherein the inner container is configured to be at a floating potential and the outer container is configured to be at a desired potential. The invention according to claim 3 is the vacuum processing apparatus according to any one of claims 1 or 2, wherein a distance between the outer container and the inner container is 0.5.
It is characterized by being separated by a distance of not less than 5 mm and not more than 5 mm. The invention according to claim 4 is the vacuum processing apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein an insulator is filled between the outer container and the inner container. And
【００１５】本発明は上記のように構成されており、内
部に防着容器が配置された真空槽を有している。真空槽
に薄膜が付着した場合には、パーティクルの原因となる
が、この防着容器内に基板を配置し、成膜処理を行う
と、薄膜は防着容器の内壁に付着しても、真空槽の内壁
には付着しない。防着容器を着脱自在に構成しておき、
薄膜がある程度付着すると交換又は洗浄するようにすれ
ば、パーティクルのない環境で真空処理を行うことがで
きる。The present invention is configured as described above, and has a vacuum chamber in which a deposition-proof container is disposed. If a thin film adheres to the vacuum chamber, it causes particles.However, if the substrate is placed in this deposition-proof container and the film is formed, the thin film adheres to the inner wall of the deposition-proof container. Does not adhere to the inner wall of the tank. The deposition container is configured to be detachable,
If the thin film adheres to a certain extent, if the thin film is replaced or washed, vacuum processing can be performed in a particle-free environment.
【００１６】この防着容器は外側容器と内側容器とに分
離されており、電気的に互いに絶縁されている。外側容
器と内側容器の間を近接させておく(真空雰囲気中で、
通常の成膜処理に用いる電圧では放電が生じない程度ま
で近接させておく)と、容器間では放電は生じない。[0016] The adhesion-proof container is separated into an outer container and an inner container, and are electrically insulated from each other. Keep the outer container and the inner container close together (in a vacuum atmosphere,
If they are kept close to each other to the extent that no discharge occurs at the voltage used for normal film forming processing), no discharge occurs between the containers.
【００１７】外側容器を真空槽と同電位におき、内側容
器をフローティング電位においた場合、内側容器はプラ
ズマ電位に近い電位になるが、外側容器と内側容器の間
では放電は発生しないため、内側容器表面がアース電位
に近くなって表面がプラズマによりダメージを受けるこ
とによるパーティクルの発生や、防着容器外側での(異
常)放電が防止される。なお、外側容器と内側容器の間
には絶縁物を充填してもよい。When the outer container is set at the same potential as the vacuum tank and the inner container is set at the floating potential, the inner container has a potential close to the plasma potential, but no discharge occurs between the outer container and the inner container. The generation of particles due to the surface of the container being close to the ground potential and being damaged by the plasma, and (abnormal) discharge outside the anti-deposition container are prevented. The space between the outer container and the inner container may be filled with an insulator.
【００１８】[0018]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態を説明する。図１を参照し、符号３０は、本発明
の一実施形態の真空装置(スパッタリング装置)を示して
いる。この真空装置３０は、底板２２と、チャンバー本
体２０と、天板７とで構成された真空槽３１を有してい
る。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. Referring to FIG. 1, reference numeral 30 indicates a vacuum apparatus (sputtering apparatus) according to an embodiment of the present invention. The vacuum device 30 has a vacuum chamber 31 composed of a bottom plate 22, a chamber main body 20, and a top plate 7.
【００１９】チャンバー本体２０は角形に近い形の筒状
にされており、底板２２上に配置されている。チャンバ
ー本体２０の上端部には、天板７及びシートフランジ４
１とが配置されている。The chamber main body 20 is formed in a substantially square cylindrical shape, and is disposed on the bottom plate 22. The top plate 7 and the seat flange 4
1 are arranged.
【００２０】シートフランジ４１には、絶縁部材２６を
介して、銅製のバッキングプレート３が配置されてお
り、該バッキングプレート３のチャンバー本体２０側の
面上には、誘電体から成るターゲット１が固定されてい
る(誘電体から成るターゲットには、ＳＴＯ、ＢＳＴ、
ＰＺＴ、ＳＢＴ、ＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、Ａｌ2Ｏ3等があ
る)。A backing plate 3 made of copper is disposed on the sheet flange 41 via an insulating member 26. A target 1 made of a dielectric is fixed on a surface of the backing plate 3 on the side of the chamber body 20. (Targets made of dielectric materials include STO, BST,
PZT, SBT, SiO 2 , Ta 2 O 5 , Al 2 O 3 and the like).
【００２１】ターゲット１の周囲には、ターゲット１を
構成する材料から成るシールドリング２が配置されてい
る。Around the target 1, a shield ring 2 made of a material constituting the target 1 is arranged.
【００２２】底板２２上には、ランプユニット１８が配
置されており、該ランプユニット１８上には、プラテン
１６が載せられている。ランプユニット１８は、図示し
ない電源に接続されており、プラテン１６上に載置され
た基板１７を裏面から加熱できるように構成されてい
る。A lamp unit 18 is disposed on the bottom plate 22, and a platen 16 is mounted on the lamp unit 18. The lamp unit 18 is connected to a power supply (not shown), and is configured to heat the substrate 17 placed on the platen 16 from the back surface.
【００２３】ランプユニット１８の周囲には、アルミニ
ウム合金から成るアースブロック１５が配置されてお
り、更に、その外側には、防着リング１４が配置されて
いる。An earth block 15 made of an aluminum alloy is arranged around the lamp unit 18, and a protection ring 14 is arranged outside the earth block 15.
【００２４】バッキングプレート３は、真空槽３１外に
配置されたＤＣ電源及びＲＦ電源に接続されている。底
板２２と、アースブロック１５と、天板７と、シートフ
ランジ４１と、防着リング１４とは、接地電位に置かれ
ている。他方、バッキングプレート３は、絶縁部材２６
及びシートフランジ４１を介して天板７に取り付けられ
ている。従って、バッキングプレート３は、天板７とは
絶縁されており、所望電圧(ＤＣ電圧、ＲＦ電圧、ＤＣ
電圧にＲＦ電圧を重畳した電圧)が印加できるように構
成されている。The backing plate 3 is connected to a DC power supply and an RF power supply arranged outside the vacuum chamber 31. The bottom plate 22, the earth block 15, the top plate 7, the seat flange 41, and the deposition prevention ring 14 are set at the ground potential. On the other hand, the backing plate 3
And is attached to the top plate 7 via a seat flange 41. Therefore, the backing plate 3 is insulated from the top plate 7 and has a desired voltage (DC voltage, RF voltage, DC voltage).
A voltage (a voltage obtained by superimposing an RF voltage on a voltage) can be applied.
【００２５】真空槽３１内を真空雰囲気にし、プラテン
１６上に成膜対象の基板１７を載置し、真空槽３１内に
スパッタリングガスを導入し、バッキングプレート３を
カソード電極としてＲＦ電圧を印加すると、真空槽３１
及びアースブロック１５及び防着リング１４がアノード
電極となり、ターゲット１表面がスパッタされる。バッ
キングプレート３の裏面側には磁気回路４が配置されて
おり、その磁気回路４を回転させるとターゲット１の全
表面をマグネトロンスパッタすることができる。When the inside of the vacuum chamber 31 is set to a vacuum atmosphere, the substrate 17 to be formed is placed on the platen 16, a sputtering gas is introduced into the vacuum chamber 31, and an RF voltage is applied using the backing plate 3 as a cathode electrode. , Vacuum chamber 31
In addition, the earth block 15 and the deposition prevention ring 14 serve as anode electrodes, and the surface of the target 1 is sputtered. A magnetic circuit 4 is arranged on the back side of the backing plate 3. By rotating the magnetic circuit 4, magnetron sputtering can be performed on the entire surface of the target 1.
【００２６】このスパッタリング装置３０では、シール
ド板９と、上部防着容器１０と、下部防着容器１１とで
構成された防着容器３２を有している。シールド板９、
上部防着容器１０、下部防着容器１１は、筒状のステン
レスで構成されている。The sputtering apparatus 30 has a deposition-proof container 32 composed of a shield plate 9, an upper deposition-proof container 10, and a lower deposition-proof container 11. Shield plate 9,
The upper deposition-proof container 10 and the lower deposition-proof container 11 are made of tubular stainless steel.
【００２７】シールド板９は、上部防着容器１０の内側
に挿入されており、その状態で、ガスリング８を介して
天板７に固定されている。従って、上部防着容器１０及
びシールド板９は、真空槽３１内の上方に配置されてい
る。The shield plate 9 is inserted inside the upper deposition-inhibiting container 10 and is fixed to the top plate 7 via the gas ring 8 in this state. Therefore, the upper deposition-inhibiting container 10 and the shield plate 9 are disposed above the vacuum chamber 31.
【００２８】特に、シールド板９は、シールドリング２
側面に近接配置されており、シールドリング２の周囲及
び表面を覆うようにされている。In particular, the shield plate 9 includes the shield ring 2
It is arranged close to the side surface and covers the periphery and the surface of the shield ring 2.
【００２９】底板２２には、絶縁碍子４０を介して昇降
ロッド１３が挿通されており、その上端部には接地台座
１２が設けられている。下部防着容器１１は、その接地
台座１２上に取り付けられており、従って、下部防着容
器１１は、真空槽３１内の下方位置の上部防着容器１０
の内側に配置されている。The lifting rod 13 is inserted into the bottom plate 22 via an insulator 40, and the grounding pedestal 12 is provided at the upper end thereof. The lower deposition container 11 is mounted on its ground pedestal 12, so that the lower deposition container 11 is located at a lower position in the vacuum chamber 31.
It is located inside.
【００３０】昇降ロッド１３は、昇降移動可能に構成さ
れており、接地台座１２を昇降移動させることで、下部
防着容器１１を上部防着容器１０の内側で昇降移動させ
られるようになっている。The elevating rod 13 is configured to be able to move up and down, and by moving the grounding pedestal 12 up and down, the lower deposition container 11 can be moved up and down inside the upper deposition container 10. .
【００３１】接地台座１２を降下させ、下部防着板１１
を下方に移動させた状態では、プラテン１６と、プラテ
ン１６上に載置された基板１７は、下部防着板１１内部
に収容されるようになっている。このとき、下部防着容
器１１の上端部が上部防着容器１０の下端部内側に位置
し、プラテン１６、基板１７、ターゲット１は、真空槽
３１壁面から遮蔽されるように構成されている。The grounding pedestal 12 is lowered, and the lower protection plate 11
Is moved downward, the platen 16 and the substrate 17 placed on the platen 16 are accommodated in the lower attachment plate 11. At this time, the upper end of the lower deposition-proof container 11 is located inside the lower end of the upper deposition-proof container 10, and the platen 16, the substrate 17, and the target 1 are configured to be shielded from the vacuum vessel 31 wall surface.
【００３２】他方、接地台座１２を上方に移動させ、下
部防着板１１を持ち上げたときには、プラテン１６周囲
から下部防着板１１が取り除かれ、プラテン１６の横方
向から基板１７を搬出入できるように構成されている。On the other hand, when the grounding pedestal 12 is moved upward and the lower protection plate 11 is lifted, the lower protection plate 11 is removed from around the platen 16 so that the substrate 17 can be carried in and out from the side of the platen 16. Is configured.
【００３３】上部防着容器１０と下部防着容器１１と
は、それぞれ二重構造になっており、それぞれ外側容器
１０1、１１1と、該外側容器１０1、１１1の内側に近接
配置された内側容器１０2、１１2とで構成されている。[0033] The upper adhesion-preventing vessel 10 and the lower adhesion preventing container 11 has a double structure, respectively, the outer container 10 1, 11 1, respectively, disposed close to the inside of the outer container 10 1, 11 1 And inner containers 10 2 and 11 2 .
【００３４】図２に、上部防着容器１０と下部防着容器
１１の拡大図を示す。上部防着容器１０の外側容器１０
1と内側容器１０2は、互いに絶縁された状態で、絶縁性
のガスリング８に取り付けられている。外側容器１０1
は、ガスリング８に沿って外側に延び、組立時に天板７
と接触し、アース電位となるように構成されている。FIG. 2 is an enlarged view of the upper deposition-proof container 10 and the lower deposition-proof container 11. Outer container 10 of upper deposition-proof container 10
1 and the inner container 10 2 is in a state of being insulated from each other, it mounted on an insulating gas ring 8. Outer container 10 1
Extends outward along the gas ring 8, and the top plate 7
And is configured to be at the ground potential.
【００３５】他方、接地台座１２には、下部防着容器１
１の外側容器１１1が取り付けられており、下部防着容
器１１の内側容器１１2は、絶縁物１９を介して外側容
器１１1に取り付けられている。従って、下部防着容器
１１の外側及び内側容器１１1、１１2は接地台座１２の
昇降移動に伴って一緒に昇降移動するようになってい
る。On the other hand, the grounding pedestal 12 has
1 and outer container 11 1 is fitted, the inner container 11 second lower adhesion-preventing vessel 11 is attached to the outer container 11 1 via an insulator 19. Therefore, the outer and inner containers 11 1 and 11 2 of the lower deposition-inhibiting container 11 move up and down together with the up and down movement of the grounding pedestal 12.
【００３６】このように、防着容器３２の外側容器１０
1、１１1と内側容器１０2、１１2との間は電気的に絶縁
されており、この防着容器３２では、外側容器１０1、
１１1は接地電位に置かれ、内側容器１０2、１１2はフ
ローティング電位に置かれている。As described above, the outer container 10 of the deposition-proof container 32
1 , 11 1 and the inner containers 10 2 , 11 2 are electrically insulated. In this adhesion-preventing container 32, the outer containers 10 1 , 11 2
11 1 is at ground potential and the inner vessels 10 2 , 11 2 are at floating potential.
【００３７】スパッタガスは、ガスリング８内に流路を
持ち、これと内側容器１０2とを貫通する穴を通って真
空槽３１内へ導入される。ガスリング８へは、これの取
付時に外側よりチャンバー本体２０を貫通し、絶縁物を
介して天板７を貫通し、ガスリング８と接触し、シール
するように設けられたパイプを介してガスが供給され
る。The sputtering gas has a flow path in the gas ring 8, it is introduced into the vacuum chamber 31 through a hole penetrating the inner container 10 2 thereto. When the gas ring 8 is attached, the gas ring 8 penetrates through the chamber main body 20 from the outside, penetrates the top plate 7 via an insulator, contacts the gas ring 8, and supplies gas through a pipe provided to seal the gas ring 8. Is supplied.
【００３８】また、外側容器１０1、１１1と内側容器１
０2、１１2の間は０．５ｍｍ以上５ｍｍ以下の距離、望
ましくは約１ｍｍの距離だけ離間されている。この間隔
では、０．４Ｐａ程度の真空雰囲気中(スパッタリング
雰囲気中)で、１８００Ｖ程度の電位差があった場合で
も、外側容器１０1、１１1と内側容器１０2、１１2間で
は放電が発生することがない。従って、バッキングプレ
ート３にＲＦ電圧を印加し、ターゲット１をスパッタリ
ングする際に、フローティング電位におかれている内側
容器１０2、１１2がバッキングプレート３と同電位にな
った場合でも、外側容器１０1、１１1と内側容器１
０2、１１2の間には放電は発生しない。The outer containers 10 1 and 11 1 and the inner container 1
0 2, 11 between 2 5mm or less distance than 0.5 mm, preferably it is spaced apart by a distance of about 1 mm. At this interval, discharge occurs between the outer vessels 10 1 and 11 1 and the inner vessels 10 2 and 11 2 even when there is a potential difference of about 1800 V in a vacuum atmosphere of about 0.4 Pa (in a sputtering atmosphere). Nothing. Therefore, the RF voltage is applied to the backing plate 3, at the time of sputtering target 1, inner container 10 2 that are placed in a floating potential, 11 2 even when the same potential as the backing plate 3, the outer container 10 1 , 11 1 and inner container 1
0 2, 11 between the second discharge does not occur.
【００３９】また、上記防着容器３２では、下部防着容
器１１の外側容器１１2は、上部防着板１０の内側容器
１０1に面しているが、その間の距離も約０．５〜５．
０ｍｍになるように設定されている。この距離では、ス
パッタリングの際に、下部防着板１１の外側容器１１2
と、上部防着板１０の内側容器１０1との間に放電が生
じない。Further, in the deposition-inhibitory container 32, outer container 11 2 of the lower adhesion-preventing vessel 11 is facing the inner container 10 1 of the upper deposition preventing plate 10, also about 0.5 to distance therebetween 5.
It is set to be 0 mm. At this distance, the outer container 11 2
When, discharge does not occur between the inner container 10 1 of the upper deposition preventing plate 10.
【００４０】更に、外側容器１０1、１１1は真空槽３１
と同電位であり、外側容器１０1、１１1と真空槽３１の
間には放電が生じることはないから、結局、この防着容
器３２の外側では(異常)放電が生じることがない。Further, the outer containers 10 1 and 11 1 are provided in the vacuum chamber 31.
Since no electric discharge is generated between the outer containers 10 1 and 11 1 and the vacuum chamber 31, no (abnormal) electric discharge is generated outside the deposition-proof container 32.
【００４１】また、上部及び下部防着板１０、１１が近
接しているので、スパッタリングの際にプラズマが防着
容器３１外に漏出しない。Since the upper and lower deposition preventing plates 10 and 11 are close to each other, plasma does not leak out of the deposition preventing container 31 during sputtering.
【００４２】なお、上記の防着容器３２では、外側容器
１０1、１１1と内側容器１０2、１１2の間は離間されて
いたが、絶縁物で充填してもよい。また防着容器３２の
表面には付着膜が剥離しにくい処理(ブラスティングや
溶射等の表面積拡大処理)を行ってもよい。[0042] In the above-described adhesion-preventing vessel 32, although between the outer container 10 1, 11 1 and the inner container 10 2, 11 2 have been separated, may be filled with an insulating material. Further, the surface of the deposition-inhibiting container 32 may be subjected to a process in which the adhered film is hardly peeled off (a surface area increasing process such as blasting or thermal spraying).
【００４３】ターゲットも導電体のものでもよく、反応
性ガスを添加したリアクティブスパッタでもよい。The target may be a conductor or a reactive sputter to which a reactive gas is added.
【００４４】上記真空処理装置３０はスパッタリング装
置であったが、本発明はそれに限定されるものではな
く、ＣＶＤ装置等の成膜装置やエッチング装置等の真空
処理装置に広く適用することができる。Although the vacuum processing apparatus 30 is a sputtering apparatus, the present invention is not limited to this, and can be widely applied to a film forming apparatus such as a CVD apparatus and a vacuum processing apparatus such as an etching apparatus.
【００４５】[0045]
【発明の効果】外側容器と内側容器の間が放電せず、外
側容器がアース電位なので、防着容器外部で放電が生じ
ることがない。内側容器はフローティングなので、付着
膜へのプラズマダメージが緩和され、パーティクルの発
生が抑制される。According to the present invention, there is no discharge between the outer container and the inner container, and the outer container is at the ground potential. Since the inner container is floating, plasma damage to the adhered film is reduced, and generation of particles is suppressed.
【図１】本発明の真空処理装置の概略構成図FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a vacuum processing apparatus of the present invention.
【図２】防着容器の部分拡大図FIG. 2 is an enlarged view of a part of the deposition-proof container.
【図３】従来技術の真空処理装置を説明するための図FIG. 3 is a view for explaining a conventional vacuum processing apparatus.
３０‥‥真空処理装置 ３１‥‥真空槽 ３２‥‥防着容器 １０1、１１1‥‥外側容器 １０2、１１2‥‥内側容器30 ‥‥ Vacuum processing device 31 槽 Vacuum tank 32 ‥‥ Deposition-proof container 10 1 , 11 1 ‥‥ Outer container 10 2 , 11 2 ‥‥ Inner container
フロントページの続き (72)発明者 谷村 径夫 千葉県山武郡山武町横田523番地 日本真 空技術株式会社千葉超材料研究所内 (72)発明者 宮口 有典 千葉県山武郡山武町横田523番地 日本真 空技術株式会社千葉超材料研究所内 (72)発明者 小松 孝 千葉県山武郡山武町横田523番地 日本真 空技術株式会社千葉超材料研究所内 (72)発明者 小日向 久治 静岡県裾野市須山1220−14 日本真空技術 株式会社富士裾野工場内 (72)発明者 門倉 好之 静岡県裾野市須山1220−14 日本真空技術 株式会社富士裾野工場内 (72)発明者 斎藤 和彦 静岡県裾野市須山1220−14 日本真空技術 株式会社富士裾野工場内 (72)発明者 柏木 悦郎 静岡県裾野市須山1220−14 日本真空技術 株式会社富士裾野工場内 (72)発明者 高橋 哲也 静岡県裾野市須山1220−14 日本真空技術 株式会社富士裾野工場内 Ｆターム(参考） 4K029 DA10 DC20 Continuing on the front page (72) Inventor Tsutsuo Tanimura 523 Yokota, Yamatake-cho, Yamatake-gun, Chiba Prefecture Nippon Makoto Technology Co., Ltd.Chiba Super Materials Research Institute (72) Inventor Yukinori Miyaguchi 523 Yokota, Yamatake-cho, Yamatake-gun, Chiba Japan Inside the Chiba Super Materials Research Laboratory, Vapor Technology Co., Ltd. (72) Takashi Komatsu, 523 Yokota, Yamatake-cho, Sanmu-gun, Chiba Prefecture Japan Inside the Chiba Super Materials Research Laboratories, Japan (72) Inventor Hisashi Obinata 1220 Suyama, Susono City, Shizuoka Prefecture −14 Japan Vacuum Technology Co., Ltd. Fuji Susono Factory (72) Inventor Yoshiyuki Kadokura 1220−14 Suyama, Susono City, Shizuoka Prefecture Japan Vacuum Technology Co., Ltd. Fuji Susono Factory (72) Inventor Kazuhiko Saito 1220− Suyama, Shizuoka Prefecture 14 Japan Vacuum Engineering Co., Ltd. Fuji Susono Plant (72) Inventor Etsuro Kashiwagi 1220-14 Suyama, Susono City, Shizuoka Prefecture Japan Vacuum Technology Co., Ltd. Fuji Susono Plant (72) Inventor Tetsuya Takahashi 1220-14 Suyama, Susono City, Shizuoka Prefecture Japan Vacuum technology Fuji Susono Factory F Term (reference) 4K029 DA10 DC20
Claims (4)
器とを有し、前記防着容器内に基板を配置し、該基板を
真空雰囲気中で処理する真空処理装置であって、 前記防着容器は、外側容器と、該外側容器内に配置さ
れ、該外側容器と絶縁された内側容器とを有することを
特徴とする真空処理装置。1. A vacuum processing apparatus comprising: a vacuum chamber; and a deposition-proof container disposed in the vacuum vessel, wherein a substrate is disposed in the deposition-resistant vessel and the substrate is processed in a vacuum atmosphere. A vacuum processing apparatus, wherein the adhesion-preventing container has an outer container and an inner container disposed in the outer container and insulated from the outer container.
記外側容器を所望電位におけるように構成されたことを
特徴とする請求項１記載の真空処理装置。2. The vacuum processing apparatus according to claim 1, wherein the inner container is set at a floating potential and the outer container is set at a desired potential.
ｍｍ以上５ｍｍ以下の距離で離間されたことを特徴とす
る請求項１又は請求項２のいずれか１項記載の真空処理
装置。3. The space between the outer container and the inner container is 0.5.
The vacuum processing apparatus according to claim 1, wherein the vacuum processing apparatus is separated by a distance of not less than 5 mm and not more than 5 mm.
物が充填されていることを特徴とする請求項１乃至請求
項３のいずれか１項記載の真空処理装置。4. The vacuum processing apparatus according to claim 1, wherein an insulator is filled between the outer container and the inner container.
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Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100591433B1 (en) | 2004-12-29 | 2006-06-22 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | Shield for tin sputtering process and coating method thereof |
| JP2009158416A (en) * | 2007-12-27 | 2009-07-16 | Ulvac Japan Ltd | Manufacturing method for solid electrolyte thin film, parallel flat-plate type magnetron sputtering device, and manufacturing method for thin-film solid lithium ion secondary battery |
| JP2009187682A (en) * | 2008-02-01 | 2009-08-20 | Ulvac Japan Ltd | Method for manufacturing cathode electrode, and method for manufacturing thin film solid lithium-ion secondary battery |
| JP2011021264A (en) * | 2009-07-17 | 2011-02-03 | Ulvac Japan Ltd | Film deposition system |
| JP2012153983A (en) * | 2012-05-07 | 2012-08-16 | Ulvac Japan Ltd | Method for producing solid electrolyte thin film, and method for manufacturing thin film solid lithium-ion secondary battery |
| JP2014084483A (en) * | 2012-10-22 | 2014-05-12 | Ulvac Japan Ltd | Sputtering apparatus |
| WO2018098100A1 (en) * | 2016-11-25 | 2018-05-31 | Applied Materials, Inc. | Process kit and method for processing a substrate |
| WO2020004619A1 (en) * | 2018-06-28 | 2020-01-02 | 株式会社アルバック | Sputter deposition device |
| KR102105868B1 (en) | 2018-10-24 | 2020-04-29 | 가부시키가이샤 알박 | Cathode device and sputtering device |
-
2000
- 2000-03-08 JP JP2000063131A patent/JP4450472B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100591433B1 (en) | 2004-12-29 | 2006-06-22 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | Shield for tin sputtering process and coating method thereof |
| JP2009158416A (en) * | 2007-12-27 | 2009-07-16 | Ulvac Japan Ltd | Manufacturing method for solid electrolyte thin film, parallel flat-plate type magnetron sputtering device, and manufacturing method for thin-film solid lithium ion secondary battery |
| JP2009187682A (en) * | 2008-02-01 | 2009-08-20 | Ulvac Japan Ltd | Method for manufacturing cathode electrode, and method for manufacturing thin film solid lithium-ion secondary battery |
| JP2011021264A (en) * | 2009-07-17 | 2011-02-03 | Ulvac Japan Ltd | Film deposition system |
| JP2012153983A (en) * | 2012-05-07 | 2012-08-16 | Ulvac Japan Ltd | Method for producing solid electrolyte thin film, and method for manufacturing thin film solid lithium-ion secondary battery |
| JP2014084483A (en) * | 2012-10-22 | 2014-05-12 | Ulvac Japan Ltd | Sputtering apparatus |
| US10886113B2 (en) | 2016-11-25 | 2021-01-05 | Applied Materials, Inc. | Process kit and method for processing a substrate |
| KR20190078657A (en) * | 2016-11-25 | 2019-07-04 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | Process kit and method for processing substrate |
| WO2018098100A1 (en) * | 2016-11-25 | 2018-05-31 | Applied Materials, Inc. | Process kit and method for processing a substrate |
| KR102488946B1 (en) | 2016-11-25 | 2023-01-13 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | Methods for processing process kits and substrates |
| WO2020004619A1 (en) * | 2018-06-28 | 2020-01-02 | 株式会社アルバック | Sputter deposition device |
| KR20200083568A (en) * | 2018-06-28 | 2020-07-08 | 가부시키가이샤 알박 | Sputter film forming equipment |
| CN111417741A (en) * | 2018-06-28 | 2020-07-14 | 株式会社爱发科 | Sputtering film forming apparatus |
| KR102351170B1 (en) | 2018-06-28 | 2022-01-14 | 가부시키가이샤 알박 | sputter film forming device |
| CN111417741B (en) * | 2018-06-28 | 2022-05-10 | 株式会社爱发科 | Sputtering film forming apparatus |
| KR102105868B1 (en) | 2018-10-24 | 2020-04-29 | 가부시키가이샤 알박 | Cathode device and sputtering device |
| US10934616B2 (en) | 2018-10-24 | 2021-03-02 | Ulvac, Inc. | Cathode device and sputtering apparatus |
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| Publication number | Publication date |
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