JP2001247956A - 真空処理装置 - Google Patents
真空処理装置Info
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- JP2001247956A JP2001247956A JP2000063131A JP2000063131A JP2001247956A JP 2001247956 A JP2001247956 A JP 2001247956A JP 2000063131 A JP2000063131 A JP 2000063131A JP 2000063131 A JP2000063131 A JP 2000063131A JP 2001247956 A JP2001247956 A JP 2001247956A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】異常放電を防止できる真空処理装置を提供す
る。 【解決手段】本発明の真空処理装置３０は、真空槽３１
内に、二重構造の防着容器３２が配置されている。外側
容器１０1、１１1と内側容器１０2、１１2の間を、互い
に絶縁した状態で近接配置させておくと、その間は放電
しない。従って、防着容器３１内に基板１７を配置して
真空処理する際に、防着容器３１外には放電は発生せ
ず、安定した真空処理を行うことができる。
る。 【解決手段】本発明の真空処理装置３０は、真空槽３１
内に、二重構造の防着容器３２が配置されている。外側
容器１０1、１１1と内側容器１０2、１１2の間を、互い
に絶縁した状態で近接配置させておくと、その間は放電
しない。従って、防着容器３１内に基板１７を配置して
真空処理する際に、防着容器３１外には放電は発生せ
ず、安定した真空処理を行うことができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、真空処理装置にか
かり、特に、異常放電を防止した真空処理装置に関す
る。
かり、特に、異常放電を防止した真空処理装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】図３を参照し、符号１３０はスパッタリ
ング装置であり、真空槽１３１を有している。該真空槽
１３１は、底板１２２と、底板１２２上に配置された筒
状のチャンバー本体１２０と、チャンバー本体１２０の
蓋となる天板１０７とで構成されている。
ング装置であり、真空槽１３１を有している。該真空槽
１３１は、底板１２２と、底板１２２上に配置された筒
状のチャンバー本体１２０と、チャンバー本体１２０の
蓋となる天板１０７とで構成されている。
【０００３】天板１０７には、絶縁部材１２６を介し
て、バッキングプレート１０３が配置されており、該バ
ッキングプレート１０３の底板１２２に対向する面上に
は、誘電体から成るターゲット１０１が固定されてい
る。ターゲット１０１の周囲には、ターゲット１０１の
構成材料の一成分から成るシールドリング１０２が配置
されている。
て、バッキングプレート１０３が配置されており、該バ
ッキングプレート１０３の底板１２２に対向する面上に
は、誘電体から成るターゲット１０１が固定されてい
る。ターゲット１０１の周囲には、ターゲット１０１の
構成材料の一成分から成るシールドリング１０２が配置
されている。
【０００４】底板１２２上には、ランプユニット１１８
が配置されており、該ランプユニット１１８上には、プ
ラテン１１６が載せられている。ランプユニット１１８
の周囲には、アースブロック１１５が配置されており、
更に、その周囲には、防着リング１１４が配置されてい
る。
が配置されており、該ランプユニット１１８上には、プ
ラテン１１６が載せられている。ランプユニット１１８
の周囲には、アースブロック１１５が配置されており、
更に、その周囲には、防着リング１１４が配置されてい
る。
【０００５】上記の底板１２２と、アースブロック１１
５と、天板１０７と、防着リング１１４とは、接地電位
に置かれている。他方、バッキングプレート１０３は、
絶縁部材１２６によって天板１０７とは絶縁されてい
る。そして、そのバッキングプレート１０３は、真空槽
１３１外に配置された電源に接続されており、所望の電
圧(ＤＣ電圧とＲＦ電圧)を印加できるように構成されて
いる。
５と、天板１０７と、防着リング１１４とは、接地電位
に置かれている。他方、バッキングプレート１０３は、
絶縁部材１２６によって天板１０７とは絶縁されてい
る。そして、そのバッキングプレート１０３は、真空槽
１３１外に配置された電源に接続されており、所望の電
圧(ＤＣ電圧とＲＦ電圧)を印加できるように構成されて
いる。
【０００６】バッキングプレート１０３裏面側には磁気
回路１０４が配置されており、真空雰囲気中でプラテン
１１６上に成膜対象の基板１１７を載置し、真空槽１３
１内にスパッタリングガスを導入し、磁気回路１０４を
回転させながらバッキングプレート１０３に交流電圧を
印加すると、バッキングプレート１０３がカソード電極
となり、真空槽１３１及びアースブロック１１５がアノ
ード電極となり、その間に放電が誘起され、ターゲット
１０１表面がマグネトロンスパッタされる。
回路１０４が配置されており、真空雰囲気中でプラテン
１１６上に成膜対象の基板１１７を載置し、真空槽１３
１内にスパッタリングガスを導入し、磁気回路１０４を
回転させながらバッキングプレート１０３に交流電圧を
印加すると、バッキングプレート１０３がカソード電極
となり、真空槽１３１及びアースブロック１１５がアノ
ード電極となり、その間に放電が誘起され、ターゲット
１０１表面がマグネトロンスパッタされる。
【０００７】このスパッタリング装置１３０内には、防
着容器１３２が配置されている。防着容器１３２は、シ
ールド板１０９と、上部防着容器１１０と、下部防着容
器１１１とで構成されている。シールド板１０９と、上
部及び下部防着容器１１０、１１１は、筒状に形成され
ており、シールド板１０９は、上部防着容器１１０の内
側に配置され、上記ターゲット１０１及びシールドリン
グ１０２が、シールド板１０９の内側に収容されてい
る。
着容器１３２が配置されている。防着容器１３２は、シ
ールド板１０９と、上部防着容器１１０と、下部防着容
器１１１とで構成されている。シールド板１０９と、上
部及び下部防着容器１１０、１１１は、筒状に形成され
ており、シールド板１０９は、上部防着容器１１０の内
側に配置され、上記ターゲット１０１及びシールドリン
グ１０２が、シールド板１０９の内側に収容されてい
る。
【０００８】底板１２２には、絶縁碍子１４０を介して
昇降ロッド１１３が挿通されており、その上端部には接
地台座１１２が配置されている。下部防着容器１１１
は、その接地台座１１２上に取り付けられており、昇降
ロッド１１３を下方に移動させた状態では、下部防着容
器１１１は、若干のオーバーラップを介して上部防着容
器１１０の下方に位置するようにされている。その状態
では、プラテン１１６及びその上に載置された基板１１
７は、下部防着容器１１１内に収容されるようになって
いる。
昇降ロッド１１３が挿通されており、その上端部には接
地台座１１２が配置されている。下部防着容器１１１
は、その接地台座１１２上に取り付けられており、昇降
ロッド１１３を下方に移動させた状態では、下部防着容
器１１１は、若干のオーバーラップを介して上部防着容
器１１０の下方に位置するようにされている。その状態
では、プラテン１１６及びその上に載置された基板１１
７は、下部防着容器１１１内に収容されるようになって
いる。
【０００９】プラテン１１６上に載置された基板１１７
は、ターゲット１０１に対向するようになっている。タ
ーゲット１０１がスパッタリングされると、スパッタリ
ング粒子は基板１１７表面に到達し、誘電体から成る薄
膜が形成される。このとき、基板１１７方向に飛行しな
いスパッタリング粒子は、防着容器１３２内壁に付着
し、真空槽１３１内壁には付着しないようになってい
る。従って、ある程度薄膜が付着したら、新しい防着容
器１３２と交換することで、真空槽１３１内にパーティ
クルが発生しないようになっている。
は、ターゲット１０１に対向するようになっている。タ
ーゲット１０１がスパッタリングされると、スパッタリ
ング粒子は基板１１７表面に到達し、誘電体から成る薄
膜が形成される。このとき、基板１１７方向に飛行しな
いスパッタリング粒子は、防着容器１３２内壁に付着
し、真空槽１３１内壁には付着しないようになってい
る。従って、ある程度薄膜が付着したら、新しい防着容
器１３２と交換することで、真空槽１３１内にパーティ
クルが発生しないようになっている。
【００１０】上述のシールド板１０９と、上部防着容器
１１０は、アースとは絶縁されたガスリング１０８を介
して天板１０７に固定されており、また、下部防着容器
１１１は、接地台座１１２上に配置されており、シール
ド板１０９と上部及び下部防着容器１１０、１１１は、
電源や真空槽１３１とは接続されておらず、フローティ
ング電位におかれている。これは付着した膜がプラズマ
ダメージによりパーティクルになるのを防止するためで
ある。
１１０は、アースとは絶縁されたガスリング１０８を介
して天板１０７に固定されており、また、下部防着容器
１１１は、接地台座１１２上に配置されており、シール
ド板１０９と上部及び下部防着容器１１０、１１１は、
電源や真空槽１３１とは接続されておらず、フローティ
ング電位におかれている。これは付着した膜がプラズマ
ダメージによりパーティクルになるのを防止するためで
ある。
【００１１】この状態では、防着容器１３２及び防着リ
ング１１４によりターゲット１０１を含む放電空間が囲
まれているため、バッキングプレート１０３に電圧を印
加しても、防着容器１３２と真空槽１３１との間には放
電は発生しないはずであるが、バッキングプレート１０
３へ大きな電圧を印加した場合は、防着容器１３２の外
部に漏れ出た高速粒子等がトリガとなり、防着容器１３
２を介し、防着容器１３２と真空槽１３１との間に(異
常)放電が発生してしまう。また、この時真空槽１３１
の表面には、アーキング(異常放電)が生じ易い。
ング１１４によりターゲット１０１を含む放電空間が囲
まれているため、バッキングプレート１０３に電圧を印
加しても、防着容器１３２と真空槽１３１との間には放
電は発生しないはずであるが、バッキングプレート１０
３へ大きな電圧を印加した場合は、防着容器１３２の外
部に漏れ出た高速粒子等がトリガとなり、防着容器１３
２を介し、防着容器１３２と真空槽１３１との間に(異
常)放電が発生してしまう。また、この時真空槽１３１
の表面には、アーキング(異常放電)が生じ易い。
【００１２】上記のような異常放電が発生すると、基板
１１７上の成膜速度が変化したり、形成される薄膜中に
パーティクルが混入したり、真空槽内面を傷つけたりす
る原因となるため、対策が望まれている。
１１７上の成膜速度が変化したり、形成される薄膜中に
パーティクルが混入したり、真空槽内面を傷つけたりす
る原因となるため、対策が望まれている。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来技
術の不都合を解決するために創作されたものであり、そ
の目的は、防着容器外部に(異常)放電が発生しない真空
処理装置を提供することにある。
術の不都合を解決するために創作されたものであり、そ
の目的は、防着容器外部に(異常)放電が発生しない真空
処理装置を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１記載の発明は、真空槽と、該真空槽内に配
置された防着容器とを有し、前記防着容器内に基板を配
置し、該基板を真空雰囲気中で処理する真空処理装置で
あって、前記防着容器は、外側容器と、該外側容器内に
配置され、該外側容器と絶縁された内側容器とを有する
ことを特徴とする。請求項２記載の発明は、請求項１記
載の真空処理装置であって、前記内側容器をフローティ
ング電位に、前記外側容器を所望電位におけるように構
成されたことを特徴とする。請求項３記載の発明は、請
求項１又は請求項２のいずれか１項記載の真空処理装置
であって、前記外側容器と前記内側容器の間は、０．５
ｍｍ以上５ｍｍ以下の距離で離間されたことを特徴とす
る。請求項４記載の発明は、請求項１乃至請求項３のい
ずれか１項記載の真空処理装置であって、前記外側容器
と前記内側容器の間には絶縁物が充填されていることを
特徴とする。
に、請求項１記載の発明は、真空槽と、該真空槽内に配
置された防着容器とを有し、前記防着容器内に基板を配
置し、該基板を真空雰囲気中で処理する真空処理装置で
あって、前記防着容器は、外側容器と、該外側容器内に
配置され、該外側容器と絶縁された内側容器とを有する
ことを特徴とする。請求項２記載の発明は、請求項１記
載の真空処理装置であって、前記内側容器をフローティ
ング電位に、前記外側容器を所望電位におけるように構
成されたことを特徴とする。請求項３記載の発明は、請
求項１又は請求項２のいずれか１項記載の真空処理装置
であって、前記外側容器と前記内側容器の間は、０．５
ｍｍ以上５ｍｍ以下の距離で離間されたことを特徴とす
る。請求項４記載の発明は、請求項１乃至請求項３のい
ずれか１項記載の真空処理装置であって、前記外側容器
と前記内側容器の間には絶縁物が充填されていることを
特徴とする。
【００１５】本発明は上記のように構成されており、内
部に防着容器が配置された真空槽を有している。真空槽
に薄膜が付着した場合には、パーティクルの原因となる
が、この防着容器内に基板を配置し、成膜処理を行う
と、薄膜は防着容器の内壁に付着しても、真空槽の内壁
には付着しない。防着容器を着脱自在に構成しておき、
薄膜がある程度付着すると交換又は洗浄するようにすれ
ば、パーティクルのない環境で真空処理を行うことがで
きる。
部に防着容器が配置された真空槽を有している。真空槽
に薄膜が付着した場合には、パーティクルの原因となる
が、この防着容器内に基板を配置し、成膜処理を行う
と、薄膜は防着容器の内壁に付着しても、真空槽の内壁
には付着しない。防着容器を着脱自在に構成しておき、
薄膜がある程度付着すると交換又は洗浄するようにすれ
ば、パーティクルのない環境で真空処理を行うことがで
きる。
【００１６】この防着容器は外側容器と内側容器とに分
離されており、電気的に互いに絶縁されている。外側容
器と内側容器の間を近接させておく(真空雰囲気中で、
通常の成膜処理に用いる電圧では放電が生じない程度ま
で近接させておく)と、容器間では放電は生じない。
離されており、電気的に互いに絶縁されている。外側容
器と内側容器の間を近接させておく(真空雰囲気中で、
通常の成膜処理に用いる電圧では放電が生じない程度ま
で近接させておく)と、容器間では放電は生じない。
【００１７】外側容器を真空槽と同電位におき、内側容
器をフローティング電位においた場合、内側容器はプラ
ズマ電位に近い電位になるが、外側容器と内側容器の間
では放電は発生しないため、内側容器表面がアース電位
に近くなって表面がプラズマによりダメージを受けるこ
とによるパーティクルの発生や、防着容器外側での(異
常)放電が防止される。なお、外側容器と内側容器の間
には絶縁物を充填してもよい。
器をフローティング電位においた場合、内側容器はプラ
ズマ電位に近い電位になるが、外側容器と内側容器の間
では放電は発生しないため、内側容器表面がアース電位
に近くなって表面がプラズマによりダメージを受けるこ
とによるパーティクルの発生や、防着容器外側での(異
常)放電が防止される。なお、外側容器と内側容器の間
には絶縁物を充填してもよい。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態を説明する。図１を参照し、符号３０は、本発明
の一実施形態の真空装置(スパッタリング装置)を示して
いる。この真空装置３０は、底板２２と、チャンバー本
体２０と、天板７とで構成された真空槽３１を有してい
る。
施形態を説明する。図１を参照し、符号３０は、本発明
の一実施形態の真空装置(スパッタリング装置)を示して
いる。この真空装置３０は、底板２２と、チャンバー本
体２０と、天板７とで構成された真空槽３１を有してい
る。
【００１９】チャンバー本体２０は角形に近い形の筒状
にされており、底板２２上に配置されている。チャンバ
ー本体２０の上端部には、天板７及びシートフランジ４
１とが配置されている。
にされており、底板２２上に配置されている。チャンバ
ー本体２０の上端部には、天板７及びシートフランジ４
１とが配置されている。
【００２０】シートフランジ４１には、絶縁部材２６を
介して、銅製のバッキングプレート３が配置されてお
り、該バッキングプレート３のチャンバー本体２０側の
面上には、誘電体から成るターゲット１が固定されてい
る(誘電体から成るターゲットには、ＳＴＯ、ＢＳＴ、
ＰＺＴ、ＳＢＴ、ＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、Ａｌ2Ｏ3等があ
る)。
介して、銅製のバッキングプレート３が配置されてお
り、該バッキングプレート３のチャンバー本体２０側の
面上には、誘電体から成るターゲット１が固定されてい
る(誘電体から成るターゲットには、ＳＴＯ、ＢＳＴ、
ＰＺＴ、ＳＢＴ、ＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、Ａｌ2Ｏ3等があ
る)。
【００２１】ターゲット１の周囲には、ターゲット１を
構成する材料から成るシールドリング２が配置されてい
る。
構成する材料から成るシールドリング２が配置されてい
る。
【００２２】底板２２上には、ランプユニット１８が配
置されており、該ランプユニット１８上には、プラテン
１６が載せられている。ランプユニット１８は、図示し
ない電源に接続されており、プラテン１６上に載置され
た基板１７を裏面から加熱できるように構成されてい
る。
置されており、該ランプユニット１８上には、プラテン
１６が載せられている。ランプユニット１８は、図示し
ない電源に接続されており、プラテン１６上に載置され
た基板１７を裏面から加熱できるように構成されてい
る。
【００２３】ランプユニット１８の周囲には、アルミニ
ウム合金から成るアースブロック１５が配置されてお
り、更に、その外側には、防着リング１４が配置されて
いる。
ウム合金から成るアースブロック１５が配置されてお
り、更に、その外側には、防着リング１４が配置されて
いる。
【００２４】バッキングプレート３は、真空槽３１外に
配置されたＤＣ電源及びＲＦ電源に接続されている。底
板２２と、アースブロック１５と、天板７と、シートフ
ランジ４１と、防着リング１４とは、接地電位に置かれ
ている。他方、バッキングプレート３は、絶縁部材２６
及びシートフランジ４１を介して天板７に取り付けられ
ている。従って、バッキングプレート３は、天板７とは
絶縁されており、所望電圧(ＤＣ電圧、ＲＦ電圧、ＤＣ
電圧にＲＦ電圧を重畳した電圧)が印加できるように構
成されている。
配置されたＤＣ電源及びＲＦ電源に接続されている。底
板２２と、アースブロック１５と、天板７と、シートフ
ランジ４１と、防着リング１４とは、接地電位に置かれ
ている。他方、バッキングプレート３は、絶縁部材２６
及びシートフランジ４１を介して天板７に取り付けられ
ている。従って、バッキングプレート３は、天板７とは
絶縁されており、所望電圧(ＤＣ電圧、ＲＦ電圧、ＤＣ
電圧にＲＦ電圧を重畳した電圧)が印加できるように構
成されている。
【００２５】真空槽３１内を真空雰囲気にし、プラテン
１６上に成膜対象の基板１７を載置し、真空槽３１内に
スパッタリングガスを導入し、バッキングプレート３を
カソード電極としてＲＦ電圧を印加すると、真空槽３１
及びアースブロック１５及び防着リング１４がアノード
電極となり、ターゲット１表面がスパッタされる。バッ
キングプレート３の裏面側には磁気回路４が配置されて
おり、その磁気回路４を回転させるとターゲット１の全
表面をマグネトロンスパッタすることができる。
１６上に成膜対象の基板１７を載置し、真空槽３１内に
スパッタリングガスを導入し、バッキングプレート３を
カソード電極としてＲＦ電圧を印加すると、真空槽３１
及びアースブロック１５及び防着リング１４がアノード
電極となり、ターゲット１表面がスパッタされる。バッ
キングプレート３の裏面側には磁気回路４が配置されて
おり、その磁気回路４を回転させるとターゲット１の全
表面をマグネトロンスパッタすることができる。
【００２６】このスパッタリング装置３０では、シール
ド板９と、上部防着容器１０と、下部防着容器１１とで
構成された防着容器３２を有している。シールド板９、
上部防着容器１０、下部防着容器１１は、筒状のステン
レスで構成されている。
ド板９と、上部防着容器１０と、下部防着容器１１とで
構成された防着容器３２を有している。シールド板９、
上部防着容器１０、下部防着容器１１は、筒状のステン
レスで構成されている。
【００２７】シールド板９は、上部防着容器１０の内側
に挿入されており、その状態で、ガスリング８を介して
天板７に固定されている。従って、上部防着容器１０及
びシールド板９は、真空槽３１内の上方に配置されてい
る。
に挿入されており、その状態で、ガスリング８を介して
天板７に固定されている。従って、上部防着容器１０及
びシールド板９は、真空槽３１内の上方に配置されてい
る。
【００２８】特に、シールド板９は、シールドリング２
側面に近接配置されており、シールドリング２の周囲及
び表面を覆うようにされている。
側面に近接配置されており、シールドリング２の周囲及
び表面を覆うようにされている。
【００２９】底板２２には、絶縁碍子４０を介して昇降
ロッド１３が挿通されており、その上端部には接地台座
１２が設けられている。下部防着容器１１は、その接地
台座１２上に取り付けられており、従って、下部防着容
器１１は、真空槽３１内の下方位置の上部防着容器１０
の内側に配置されている。
ロッド１３が挿通されており、その上端部には接地台座
１２が設けられている。下部防着容器１１は、その接地
台座１２上に取り付けられており、従って、下部防着容
器１１は、真空槽３１内の下方位置の上部防着容器１０
の内側に配置されている。
【００３０】昇降ロッド１３は、昇降移動可能に構成さ
れており、接地台座１２を昇降移動させることで、下部
防着容器１１を上部防着容器１０の内側で昇降移動させ
られるようになっている。
れており、接地台座１２を昇降移動させることで、下部
防着容器１１を上部防着容器１０の内側で昇降移動させ
られるようになっている。
【００３１】接地台座１２を降下させ、下部防着板１１
を下方に移動させた状態では、プラテン１６と、プラテ
ン１６上に載置された基板１７は、下部防着板１１内部
に収容されるようになっている。このとき、下部防着容
器１１の上端部が上部防着容器１０の下端部内側に位置
し、プラテン１６、基板１７、ターゲット１は、真空槽
３１壁面から遮蔽されるように構成されている。
を下方に移動させた状態では、プラテン１６と、プラテ
ン１６上に載置された基板１７は、下部防着板１１内部
に収容されるようになっている。このとき、下部防着容
器１１の上端部が上部防着容器１０の下端部内側に位置
し、プラテン１６、基板１７、ターゲット１は、真空槽
３１壁面から遮蔽されるように構成されている。
【００３２】他方、接地台座１２を上方に移動させ、下
部防着板１１を持ち上げたときには、プラテン１６周囲
から下部防着板１１が取り除かれ、プラテン１６の横方
向から基板１７を搬出入できるように構成されている。
部防着板１１を持ち上げたときには、プラテン１６周囲
から下部防着板１１が取り除かれ、プラテン１６の横方
向から基板１７を搬出入できるように構成されている。
【００３３】上部防着容器１０と下部防着容器１１と
は、それぞれ二重構造になっており、それぞれ外側容器
１０1、１１1と、該外側容器１０1、１１1の内側に近接
配置された内側容器１０2、１１2とで構成されている。
は、それぞれ二重構造になっており、それぞれ外側容器
１０1、１１1と、該外側容器１０1、１１1の内側に近接
配置された内側容器１０2、１１2とで構成されている。
【００３４】図２に、上部防着容器１０と下部防着容器
１１の拡大図を示す。上部防着容器１０の外側容器１０
1と内側容器１０2は、互いに絶縁された状態で、絶縁性
のガスリング８に取り付けられている。外側容器１０1
は、ガスリング８に沿って外側に延び、組立時に天板７
と接触し、アース電位となるように構成されている。
１１の拡大図を示す。上部防着容器１０の外側容器１０
1と内側容器１０2は、互いに絶縁された状態で、絶縁性
のガスリング８に取り付けられている。外側容器１０1
は、ガスリング８に沿って外側に延び、組立時に天板７
と接触し、アース電位となるように構成されている。
【００３５】他方、接地台座１２には、下部防着容器１
１の外側容器１１1が取り付けられており、下部防着容
器１１の内側容器１１2は、絶縁物１９を介して外側容
器１１1に取り付けられている。従って、下部防着容器
１１の外側及び内側容器１１1、１１2は接地台座１２の
昇降移動に伴って一緒に昇降移動するようになってい
る。
１の外側容器１１1が取り付けられており、下部防着容
器１１の内側容器１１2は、絶縁物１９を介して外側容
器１１1に取り付けられている。従って、下部防着容器
１１の外側及び内側容器１１1、１１2は接地台座１２の
昇降移動に伴って一緒に昇降移動するようになってい
る。
【００３６】このように、防着容器３２の外側容器１０
1、１１1と内側容器１０2、１１2との間は電気的に絶縁
されており、この防着容器３２では、外側容器１０1、
１１1は接地電位に置かれ、内側容器１０2、１１2はフ
ローティング電位に置かれている。
1、１１1と内側容器１０2、１１2との間は電気的に絶縁
されており、この防着容器３２では、外側容器１０1、
１１1は接地電位に置かれ、内側容器１０2、１１2はフ
ローティング電位に置かれている。
【００３７】スパッタガスは、ガスリング８内に流路を
持ち、これと内側容器１０2とを貫通する穴を通って真
空槽３１内へ導入される。ガスリング８へは、これの取
付時に外側よりチャンバー本体２０を貫通し、絶縁物を
介して天板７を貫通し、ガスリング８と接触し、シール
するように設けられたパイプを介してガスが供給され
る。
持ち、これと内側容器１０2とを貫通する穴を通って真
空槽３１内へ導入される。ガスリング８へは、これの取
付時に外側よりチャンバー本体２０を貫通し、絶縁物を
介して天板７を貫通し、ガスリング８と接触し、シール
するように設けられたパイプを介してガスが供給され
る。
【００３８】また、外側容器１０1、１１1と内側容器１
０2、１１2の間は０．５ｍｍ以上５ｍｍ以下の距離、望
ましくは約１ｍｍの距離だけ離間されている。この間隔
では、０．４Ｐａ程度の真空雰囲気中(スパッタリング
雰囲気中)で、１８００Ｖ程度の電位差があった場合で
も、外側容器１０1、１１1と内側容器１０2、１１2間で
は放電が発生することがない。従って、バッキングプレ
ート３にＲＦ電圧を印加し、ターゲット１をスパッタリ
ングする際に、フローティング電位におかれている内側
容器１０2、１１2がバッキングプレート３と同電位にな
った場合でも、外側容器１０1、１１1と内側容器１
０2、１１2の間には放電は発生しない。
０2、１１2の間は０．５ｍｍ以上５ｍｍ以下の距離、望
ましくは約１ｍｍの距離だけ離間されている。この間隔
では、０．４Ｐａ程度の真空雰囲気中(スパッタリング
雰囲気中)で、１８００Ｖ程度の電位差があった場合で
も、外側容器１０1、１１1と内側容器１０2、１１2間で
は放電が発生することがない。従って、バッキングプレ
ート３にＲＦ電圧を印加し、ターゲット１をスパッタリ
ングする際に、フローティング電位におかれている内側
容器１０2、１１2がバッキングプレート３と同電位にな
った場合でも、外側容器１０1、１１1と内側容器１
０2、１１2の間には放電は発生しない。
【００３９】また、上記防着容器３２では、下部防着容
器１１の外側容器１１2は、上部防着板１０の内側容器
１０1に面しているが、その間の距離も約０．５〜５．
０ｍｍになるように設定されている。この距離では、ス
パッタリングの際に、下部防着板１１の外側容器１１2
と、上部防着板１０の内側容器１０1との間に放電が生
じない。
器１１の外側容器１１2は、上部防着板１０の内側容器
１０1に面しているが、その間の距離も約０．５〜５．
０ｍｍになるように設定されている。この距離では、ス
パッタリングの際に、下部防着板１１の外側容器１１2
と、上部防着板１０の内側容器１０1との間に放電が生
じない。
【００４０】更に、外側容器１０1、１１1は真空槽３１
と同電位であり、外側容器１０1、１１1と真空槽３１の
間には放電が生じることはないから、結局、この防着容
器３２の外側では(異常)放電が生じることがない。
と同電位であり、外側容器１０1、１１1と真空槽３１の
間には放電が生じることはないから、結局、この防着容
器３２の外側では(異常)放電が生じることがない。
【００４１】また、上部及び下部防着板１０、１１が近
接しているので、スパッタリングの際にプラズマが防着
容器３１外に漏出しない。
接しているので、スパッタリングの際にプラズマが防着
容器３１外に漏出しない。
【００４２】なお、上記の防着容器３２では、外側容器
１０1、１１1と内側容器１０2、１１2の間は離間されて
いたが、絶縁物で充填してもよい。また防着容器３２の
表面には付着膜が剥離しにくい処理(ブラスティングや
溶射等の表面積拡大処理)を行ってもよい。
１０1、１１1と内側容器１０2、１１2の間は離間されて
いたが、絶縁物で充填してもよい。また防着容器３２の
表面には付着膜が剥離しにくい処理(ブラスティングや
溶射等の表面積拡大処理)を行ってもよい。
【００４３】ターゲットも導電体のものでもよく、反応
性ガスを添加したリアクティブスパッタでもよい。
性ガスを添加したリアクティブスパッタでもよい。
【００４４】上記真空処理装置３０はスパッタリング装
置であったが、本発明はそれに限定されるものではな
く、ＣＶＤ装置等の成膜装置やエッチング装置等の真空
処理装置に広く適用することができる。
置であったが、本発明はそれに限定されるものではな
く、ＣＶＤ装置等の成膜装置やエッチング装置等の真空
処理装置に広く適用することができる。
【００４５】
【発明の効果】外側容器と内側容器の間が放電せず、外
側容器がアース電位なので、防着容器外部で放電が生じ
ることがない。内側容器はフローティングなので、付着
膜へのプラズマダメージが緩和され、パーティクルの発
生が抑制される。
側容器がアース電位なので、防着容器外部で放電が生じ
ることがない。内側容器はフローティングなので、付着
膜へのプラズマダメージが緩和され、パーティクルの発
生が抑制される。
【図１】本発明の真空処理装置の概略構成図
【図２】防着容器の部分拡大図
【図３】従来技術の真空処理装置を説明するための図
３０‥‥真空処理装置 ３１‥‥真空槽 ３２‥‥防着容器 １０1、１１1‥‥外側容器 １０2、１１2‥‥内側容器
フロントページの続き (72)発明者 谷村 径夫 千葉県山武郡山武町横田523番地 日本真 空技術株式会社千葉超材料研究所内 (72)発明者 宮口 有典 千葉県山武郡山武町横田523番地 日本真 空技術株式会社千葉超材料研究所内 (72)発明者 小松 孝 千葉県山武郡山武町横田523番地 日本真 空技術株式会社千葉超材料研究所内 (72)発明者 小日向 久治 静岡県裾野市須山1220−14 日本真空技術 株式会社富士裾野工場内 (72)発明者 門倉 好之 静岡県裾野市須山1220−14 日本真空技術 株式会社富士裾野工場内 (72)発明者 斎藤 和彦 静岡県裾野市須山1220−14 日本真空技術 株式会社富士裾野工場内 (72)発明者 柏木 悦郎 静岡県裾野市須山1220−14 日本真空技術 株式会社富士裾野工場内 (72)発明者 高橋 哲也 静岡県裾野市須山1220−14 日本真空技術 株式会社富士裾野工場内 Ｆターム(参考） 4K029 DA10 DC20
Claims (4)
- 【請求項１】真空槽と、該真空槽内に配置された防着容
器とを有し、前記防着容器内に基板を配置し、該基板を
真空雰囲気中で処理する真空処理装置であって、 前記防着容器は、外側容器と、該外側容器内に配置さ
れ、該外側容器と絶縁された内側容器とを有することを
特徴とする真空処理装置。 - 【請求項２】前記内側容器をフローティング電位に、前
記外側容器を所望電位におけるように構成されたことを
特徴とする請求項１記載の真空処理装置。 - 【請求項３】前記外側容器と前記内側容器の間は０．５
ｍｍ以上５ｍｍ以下の距離で離間されたことを特徴とす
る請求項１又は請求項２のいずれか１項記載の真空処理
装置。 - 【請求項４】前記外側容器と前記内側容器の間には絶縁
物が充填されていることを特徴とする請求項１乃至請求
項３のいずれか１項記載の真空処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000063131A JP4450472B2 (ja) | 2000-03-08 | 2000-03-08 | スパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000063131A JP4450472B2 (ja) | 2000-03-08 | 2000-03-08 | スパッタリング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001247956A true JP2001247956A (ja) | 2001-09-14 |
| JP4450472B2 JP4450472B2 (ja) | 2010-04-14 |
Family
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000063131A Expired - Fee Related JP4450472B2 (ja) | 2000-03-08 | 2000-03-08 | スパッタリング装置 |
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| Country | Link |
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| JP (1) | JP4450472B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100591433B1 (ko) | 2004-12-29 | 2006-06-22 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 질화 티타늄(ＴｉＮ) 스퍼터링 공정용 실드 및 코팅방법 |
| JP2009158416A (ja) * | 2007-12-27 | 2009-07-16 | Ulvac Japan Ltd | 固体電解質薄膜の製造方法、平行平板型マグネトロンスパッタ装置、及び薄膜固体リチウムイオン２次電池の製造方法 |
| JP2009187682A (ja) * | 2008-02-01 | 2009-08-20 | Ulvac Japan Ltd | カソード電極の製造方法及び薄膜固体リチウムイオン２次電池の製造方法 |
| JP2011021264A (ja) * | 2009-07-17 | 2011-02-03 | Ulvac Japan Ltd | 成膜装置 |
| JP2012153983A (ja) * | 2012-05-07 | 2012-08-16 | Ulvac Japan Ltd | 固体電解質薄膜の製造方法、及び薄膜固体リチウムイオン２次電池の製造方法 |
| JP2014084483A (ja) * | 2012-10-22 | 2014-05-12 | Ulvac Japan Ltd | スパッタリング装置 |
| WO2018098100A1 (en) * | 2016-11-25 | 2018-05-31 | Applied Materials, Inc. | Process kit and method for processing a substrate |
| WO2020004619A1 (ja) * | 2018-06-28 | 2020-01-02 | 株式会社アルバック | スパッタ成膜装置 |
| KR102105868B1 (ko) | 2018-10-24 | 2020-04-29 | 가부시키가이샤 알박 | 캐소드 장치 및 스퍼터링 장치 |
-
2000
- 2000-03-08 JP JP2000063131A patent/JP4450472B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP2009187682A (ja) * | 2008-02-01 | 2009-08-20 | Ulvac Japan Ltd | カソード電極の製造方法及び薄膜固体リチウムイオン２次電池の製造方法 |
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| US10886113B2 (en) | 2016-11-25 | 2021-01-05 | Applied Materials, Inc. | Process kit and method for processing a substrate |
| KR20190078657A (ko) * | 2016-11-25 | 2019-07-04 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 프로세스 키트 및 기판을 프로세싱하기 위한 방법 |
| WO2018098100A1 (en) * | 2016-11-25 | 2018-05-31 | Applied Materials, Inc. | Process kit and method for processing a substrate |
| KR102488946B1 (ko) | 2016-11-25 | 2023-01-13 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 프로세스 키트 및 기판을 프로세싱하기 위한 방법 |
| WO2020004619A1 (ja) * | 2018-06-28 | 2020-01-02 | 株式会社アルバック | スパッタ成膜装置 |
| KR20200083568A (ko) * | 2018-06-28 | 2020-07-08 | 가부시키가이샤 알박 | 스퍼터 성막 장치 |
| CN111417741A (zh) * | 2018-06-28 | 2020-07-14 | 株式会社爱发科 | 溅射成膜装置 |
| KR102351170B1 (ko) | 2018-06-28 | 2022-01-14 | 가부시키가이샤 알박 | 스퍼터 성막 장치 |
| CN111417741B (zh) * | 2018-06-28 | 2022-05-10 | 株式会社爱发科 | 溅射成膜装置 |
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