JP2001240726A - エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents

エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

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JP2001240726A
JP2001240726A JP2000051793A JP2000051793A JP2001240726A JP 2001240726 A JP2001240726 A JP 2001240726A JP 2000051793 A JP2000051793 A JP 2000051793A JP 2000051793 A JP2000051793 A JP 2000051793A JP 2001240726 A JP2001240726 A JP 2001240726A
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JP
Japan
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epoxy resin
coupling agent
silane coupling
resin composition
general formula
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JP2000051793A
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English (en)
Inventor
Naoko Toyosawa
尚子 豊澤
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Sumitomo Bakelite Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Bakelite Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 吸湿後の半田処理においてクラックや基材と
の剥離が発生せず耐半田性に優れた特性を有するエポキ
シ樹脂組成物を提供すること。 【解決手段】 (A)エポキシ樹脂、(B)フェノール
樹脂、(C)無機充填材、(D)硬化促進剤、及び
(E)硫黄を含むシランカップリング剤、又は前記シラ
ンカップリング剤の全部あるいは一部を加水分解して得
られた加水分解物からなることを特徴とする半導体封止
用エポキシ樹脂組成物。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、耐半田性に優れる
半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びこれを用いた半導
体装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】IC、LSI等の半導体素子の封止方法
としてエポキシ樹脂組成物のトランスファー成形が低コ
スト、大量生産に適しており、採用されて久しく、信頼
性の点でもエポキシ樹脂や硬化剤であるフェノール樹脂
の改良により特性の向上が図られてきた。しかし、近年
の電子機器の小型化、軽量化、高性能化の市場動向にお
いて、半導体の高集積化も年々進み、又半導体装置の表
面実装化が促進されるなかで、半導体封止用エポキシ樹
脂組成物への要求は益々厳しいものとなってきている。
このため、従来からのエポキシ樹脂組成物では解決出来
ない問題点も出てきている。その最大の問題点は、表面
実装の採用により半導体装置が半田浸漬、あるいはリフ
ロー工程で急激に200℃以上の高温にさらされ、半導
体装置が吸湿していた水分が爆発的に気化する際の応力
により、半導体装置にクラックが発生したり、半導体素
子、リードフレーム、インナーリード上の各種メッキさ
れた各接合部分と樹脂組成物の硬化物の界面で剥離が生
じ信頼性が著しく低下する現象である。
【0003】半田処理による信頼性低下を改善するため
に、エポキシ樹脂組成物中の無機充填材の充填量を増加
させることで低吸湿化、高強度化、低熱膨張化を達成し
耐半田性を向上させるとともに、低溶融粘度の樹脂を使
用して、成形時に低粘度で高流動性を維持させる手法が
一般的となりつつある。一方、半田処理による信頼性に
おいて、エポキシ樹脂組成物の硬化物と半導体装置内部
に存在する半導体素子やリードフレーム等の基材との界
面の接着性は非常に重要になってきている。この界面で
の接着力が弱いと半田処理後に基材との界面で剥離が生
じ、更にはこの剥離に起因し半導体装置にクラックが発
生する。従来から耐半田性の向上を目的として、γ−グ
リシドキシプロピルトリメトキシシランやγ―アミノプ
ロピルトリエトキシシラン等のカップリング剤をエポキ
シ樹脂組成物中に添加してきた。しかし近年益々厳しく
なっている耐半田性に対する要求に対して、これらのカ
ップリング剤では充分な対応ができなくなっている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、吸湿後の半
田処理において半導体装置にクラックや基材との剥離が
発生しない耐半田性に優れたエポキシ樹脂組成物及び半
導体装置を提供するものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、(A)エポキ
シ樹脂、(B)フェノール樹脂、(C)無機充填材、
(D)硬化促進剤、及び(E)一般式(1)で示される
シランカップリング剤、又は前記シランカップリング剤
の全部あるいは一部を加水分解してなる加水分解物から
なることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成
物、及びこれを用いて半導体素子を封止してなる半導体
装置である。
【化5】 (R1は炭素数1〜10のアルコキシ基、R2は炭素数1
〜10のアルキル基である。aは1〜3の正数、mは1
〜5の整数、nは1〜10の整数。)
【0006】
【発明の実施の形態】以下に本発明を詳細に説明する。
本発明に用いられる一般式(1)で示されるカップリン
グ剤は、硫黄原子同士が直接結合しており、成形時に硫
黄原子間の結合が切断されると、切断部分の硫黄原子が
各種基材表面の水酸基あるいは金属と反応することによ
り接着強度が高まる。更に硫黄原子は銀との反応性に優
れているため、銀との接着強度は特に高まり、耐半田性
を向上させる特徴がある。
【0007】一般式(1)中のR1は炭素数1〜10の
アルコキシ基、R2は炭素数1〜10のアルキル基であ
り、aは1〜3の整数であるが、アルコキシ基が無機充
填材や各種基材との接着性を向上させることから、a=
3が最も好ましい。又アルコキシ基の炭素数を調整する
ことにより、カップリング剤と樹脂や無機充填材との反
応性を調整することができる。mは1〜5の整数である
が、m=3が入手し易く好ましい。又nが大きくなるこ
とによりシランカップリング剤の粘度が上昇し、エポキ
シ樹脂組成物中で均一混合が難しくなるので、このよう
な場合シランカップリング剤をアルコール等に溶解さ
せ、粘度を調整して用いても良い。R1としては、加水
分解の起こり易いメトキシ基、エトキシ基が好ましい。
一般式(1)で示されるシランカップリング剤の具体例
を以下に示すが、これらに限定されるものではない。
【化6】
【0008】本発明に用いられる一般式(1)で示され
るシランカップリング剤の特性が損なわれない範囲で、
他のシランカップリング剤と併用しても良い。併用でき
るカップリング剤としては、1分子中にアルコキシシリ
ル基と、エポキシ基等の有機官能基を有するシラン化合
物全般を指し、例えば、γ−アミノプロピルトリエトキ
シシラン、N−β(アミノエチル)−γ−アミノプロピ
ルトリメトキシシラン、N−フェニル−γ−アミノプロ
ピルトリメトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリエ
トキシシラン等のアミノ基を有するシラン、γ−グリシ
ドキシプロピルトリメトキシシラン、β−(3,4−エ
ポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン等の
エポキシ基を有するシラン、γ−メルカプトプロピルト
リメトキシシラン等のメルカプト基を有するシラン、ビ
ニルトリメトキシシラン等のビニル基を有するシラン、
γ−(メタクリロキシプロピル)トリメトキシシラン等
のメタクリル基を有するシラン等を挙げることができる
が、これらに限定されるものではない。
【0009】一般式(1)で示されるシランカップリン
グ剤は、予めアルコキシ基の全部あるいは一部を加水分
解した加水分解物をエポキシ樹脂組成物の製造時に添加
しても良い。この場合、予めアルコキシ基が加水分解さ
れているため、無機充填材や各種基材表面の水酸基と容
易に水素結合あるいは共有結合を形成し、耐半田性を向
上させることができる。通常カップリング剤は、エポキ
シ樹脂組成物中にインテグラルブレンドにより混合され
るが、一般式(1)で示されるシランカップリング剤、
又は前記シランカップリング剤の加水分解物の全部ある
いは一部を、予めエポキシ樹脂あるいはフェノール樹脂
の全部又は一部に加熱混合してもよい。シランカップリ
ング剤は、半導体装置の内部に存在する各種基材と樹脂
組成物の硬化物との界面での親和性向上や化学結合形成
による界面接着性向上にも効果がある。シランカップリ
ング剤を予め樹脂に加熱混合させたものを用いることに
より、エポキシ樹脂組成物の成形時に各種基材との界面
に効率的に移行し易くなる。又シランカップリング剤は
予め全てのエポキシ樹脂、フェノール樹脂と加熱混合し
ても、一部のエポキシ樹脂あるいはフェノール樹脂と加
熱混合してもよい。
【0010】一方シランカップリング剤は、無機充填材
の表面に存在することにより、無機充填材とエポキシ樹
脂組成物中の有機成分を化学的に結合させ、界面接着性
の向上に有効であると考えられる。従って無機充填材と
有機成分の界面接着性を向上させるためには、シランカ
ップリング剤が無機充填材表面に存在することが必要
で、このために一般式(1)で示されるシランカップリ
ング剤で予め無機充填材の表面を処理することにより界
面での接着性が向上し、熱時強度や耐半田性の向上に効
果がある。無機充填材の表面をシランカップリング剤で
処理する方法としては、攪拌している無機充填材にシラ
ンカップリング剤あるいはそのアルコール等の溶液を噴
霧し、更に攪拌を行った後、室温に放置したり、あるい
は加熱することにより表面処理された無機充填材を得る
ことができる。又表面処理したシランカップリング剤の
他に、シランカップリング剤をインテグラルブレンド又
はエポキシ樹脂あるいはフェノール樹脂と予め加熱混合
する手法と併用してもよい。
【0011】本発明に用いられるエポキシ樹脂は、エポ
キシ基を有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般を
指し、例えば、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノ
ール型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、ハイ
ドロキノン型エポキシ樹脂、等の結晶性エポキシ樹脂、
フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビスフェノール
A型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポ
キシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポ
キシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、ナフ
トール型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらの内で
は、無機充填材を高充填化し、低吸湿化、高強度化、低
膨張化が可能なビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノ
ール型エポキシ樹脂又はスチルベン型エポキシ樹脂等の
結晶性エポキシ樹脂が好ましい。
【0012】本発明に用いられる結晶性エポキシ樹脂と
しては種々の樹脂があるが、これらの内では融点150
℃以下のものが好ましく、150℃を越えると溶融混練
時に十分に融解せず均一分散できないので、この溶融混
合物を用いた樹脂組成物の成形品は不均一となり、強度
が各部分によって異なるために半導体装置の性能が低下
するので好ましくない。これらの条件を満たす結晶性エ
ポキシ樹脂としては、例えば、一般式(2)のビフェニ
ル型エポキシ樹脂、一般式(3)のビスフェノール型エ
ポキシ樹脂、一般式(4)のスチルベン型エポキシ樹脂
等が挙げられる。
【化7】 (R3は炭素数1〜6のアルキル基で、又は基を表し、
それらは同一もしくは異なっていてもよい。mは0〜4
の整数)
【0013】
【化8】
【0014】
【化9】 (R6は水素原子、炭素数1〜6のアルキル基で、それ
らは同一もしくは異なっていてもよい。R7は炭素数1
〜6のアルキル基で、それらは同一もしくは異なってい
てもよい。mは0〜4の整数)
【0015】一般式(2)のビフェニル型エポキシ樹脂
としては、例えば、4,4’−ジヒドロキシビフェニ
ル、4,4’−ジヒドロキシ−3,3’,5,5’−テ
トラメチルビフェニル、4,4’−ジヒドロキシ−3,
3’−ジターシャリブチル−6,6’−ジメチルビフェ
ニル、2,2’−ジヒドロキシ−3,3’−ジターシャ
リブチル−6,6’−ジメチルビフェニル、4,4’−
ジヒドロキシ−3,3’−ジターシャリブチル−5,
5’−ジメチルビフェニル、又は4,4’−ジヒドロキ
シ−3,3’,5,5’−テトラターシャリブチルビフ
ェニル等(置換位置の異なる異性体を含む)のグリシジ
ルエーテル化物が挙げられる。
【0016】一般式(3)のビスフェノール型エポキシ
樹脂としては、例えば、ビス(4−ヒドロキシフェニ
ル)メタン、ビス(3−メチル−4−ヒドロキシフェニ
ル)メタン、ビス(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシ
フェニル)メタン、ビス(2,3,5−トリメチル−4
−ヒドロキシフェニル)メタン、1,1−ビス(3’,
5’−ジメチル−4’−ヒドロキシフェニル)エタン、
2,2−ビス(4’−ヒドロキシフェニル)プロパン、
2,2−ビス(3’−メチル−4’−ヒドロキシフェニ
ル)プロパン、2,2−ビス(3’,5’−ジメチル−
4’−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス
(3’−ターシャリブチル−4’−ヒドロキシフェニ
ル)プロパン、又はビス(2−ターシャリブチル−5−
メチル−4−ヒドロキシフェニル)スルフィド等のグリ
シジルエーテル化物が挙げられる。
【0017】一般式(4)のスチルベン型エポキシ樹脂
としては、例えば、3−ターシャリブチル−4,4’−
ジヒドロキシ−5,3’−ジメチルスチルベン、3−タ
ーシャリブチル−4,4’−ジヒドロキシ−3’,6−
ジメチルスチルベン、3−ターシャリブチル−2,4’
−ジヒドロキシ−3’,5’,6−トリメチルスチルベ
ン、3−ターシャリブチル−4,4’−ジヒドロキシ−
3’,5’,6−トリメチルスチルベン、3−ターシャ
リブチル−4,4’−ジヒドロキシ−3’,5,5’−
トリメチルスチルベン、4,4’−ジヒドロキシ−3,
3’−ジメチルスチルベン、4,4’−ジヒドロキシ−
3,3’,5,5’−テトラメチルスチルベン,4,
4’−ジヒドロキシ−3,3’−ジターシャリブチルス
チルベン、4,4’−ジヒドロキシ−3,3’−ジター
シャリブチル−6,6’−ジメチルスチルベン、2,
2’−ジヒドロキシ−3,3’−ジターシャリブチル−
6,6’−ジメチルスチルベン、2,4’−ジヒドロキ
シ−3,3’−ジターシャリブチル−6,6’−ジメチ
ルスチルベン、2,2’−ジヒドロキシ−3,3’,
5,5’−テトラメチルスチルベン、4,4’−ジヒド
ロキシ−3,3’−ジターシャリブチル−5,5’−ジ
メチルスチルベン、又は4,4’−ジヒドロキシ−3,
3’,5,5’−テトラターシャリブチルスチルベン等
(置換位置の異なる異性体を含む)のグリシジルエーテ
ル化物が挙げられる。
【0018】これらの内では、入手のし易さ、性能、原
料価格等の点から、4,4’−ジヒドロキシビフェニ
ル、4、4’−ジヒドロキシ−3,3’,5,5’−テ
トラメチルビフェニル、ビス(3,5−ジメチル−4−
ヒドロキシフェニル)メタン、ビス(2,3,5−トリ
メチル−4−ヒドロキシフェニル)メタン、2,2−ビ
ス(3’−メチル−4’−ヒドロキシフェニル)プロパ
ン、2,2−ビス(3’,5’−ジメチル−4’−ヒド
ロキシフェニル)プロパン、ビス(2−ターシャリブチ
ル−5−メチル−4−ヒドロキシフェニル)スルフィド
のグリシジルエーテル化物(以上7種のエポキシ樹脂
を、以下a群という)、3−ターシャリブチル−2,
4’−ジヒドロキシ−3’,5’,6−トリメチルスチ
ルベン、3−ターシャリブチル−4,4’−ジヒドロキ
シ−3’,5’,6−トリメチルスチルベン、3−ター
シャリブチル−4,4’−ジヒドロキシ−3’,5,
5’−トリメチルスチルベンのグリシジルエーテル化物
(以上3種のエポキシ樹脂を、以下b群という)、4,
4’−ジヒドロキシ−3,3’,5,5’−テトラメチ
ルスチルベン、4,4’−ジヒドロキシ−3,3’−ジ
ターシャリブチル−6,6’−ジメチルスチルベン、
2,2’−ジヒドロキシ−3,3’−ジターシャリブチ
ル−6,6’−ジメチルスチルベン、2,4’−ジヒド
ロキシ−3,3’−ジターシャリブチル−6,6’−ジ
メチルスチルベン、2,2’−ジヒドロキシ−3,
3’,5,5’−テトラメチルスチルベン、又は4,
4’−ジヒドロキシ−3,3’−ジターシャリブチル−
5,5’−ジメチルスチルベンのグリシジルエーテル化
物(以上6種のエポキシ樹脂を、以下c群という)から
選択される1種以上が好ましい。
【0019】a群の内、ビフェニル型エポキシ樹脂で
は、低粘度化効果が大きく、かつ反応性に富む4,4’
−ジヒドロキシビフェニルの骨格が含まれるグリシジル
エーテル化物が好ましい。その他のa群では、ビス
(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)メタ
ン、2,2−ビス(3’,5’−ジメチル−4’−ヒド
ロキシフェニル)プロパン、ビス(2−ターシャリブチ
ル−5−メチル−4−ヒドロキシフェニル)スルフィド
のグリシジルエーテル化物が好ましい。又スチルベン型
エポキシ樹脂では、b群から選ばれる1種以上と、c群
から選ばれる1種以上との混合物が、融点が低くなるた
め好ましい。これらの混合比、混合方法等は特に限定し
ない。例えば、スチルベン型エポキシ樹脂の原料である
スチルベン型フェノール類をグリシジルエーテル化する
前に混合したり、両方のスチルベン型エポキシ樹脂を溶
融混合する方法等がある。又耐湿信頼性向上のために、
塩素イオン、ナトリウムイオン、その他フリーのイオン
は、極力少ないことが望ましい。
【0020】本発明に用いられるフェノール樹脂として
は、分子内にフェノール性水酸基を有するモノマー、オ
リゴマー、ポリマー全般を指し、例えば、フェノールノ
ボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、テルペン変
性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノー
ル樹脂、トリフェノールメタン型樹脂、フェニレン及び
/又はジフェニレン骨格を含むフェノールアラルキル樹
脂等が挙げられるが、これらに限定されるものではな
い。又これらのフェノール樹脂は、単独もしくは混合し
て用いても差し支えない。全エポキシ樹脂のエポキシ基
と全フェノール樹脂のフェノール性水酸基との当量比と
しては、好ましくは0.5〜2.0、特に好ましくは
0.7〜1.5である。0.5〜2.0の範囲を外れる
と、硬化性、耐湿信頼性等が低下するので好ましくな
い。
【0021】本発明に用いられる無機充填材の種類につ
いては、特に制限はなく、一般に封止材料に用いられて
いるものを使用することができる。例えば、溶融破砕シ
リカ、溶融球状シリカ、結晶シリカ、2次凝集シリカ、
アルミナ、チタンホワイト、水酸化アルミニウム等が挙
げられ、特に溶融球状シリカが好ましい。形状は限りな
く真球状であることが好ましく、又粒子の大きさの異な
るものを混合することにより充填量を多くすることがで
きる。この無機充填材の配合量としては、全樹脂組成物
中に75〜94重量%が好ましい。75重量%未満だ
と、無機充填材による補強効果が十分に発現せず、かつ
吸湿要因である樹脂成分の配合量が多くなるので、樹脂
組成物の硬化物の吸湿量が増大してしまうため、半田処
理時に半導体装置にクラックが発生しやすくなるため好
ましくない。94重量%を越えると、樹脂組成物の流動
性が低下し、成形時に充填不良やチップシフト、パッド
シフト、ワイヤースイープが発生し易くなるため好まし
くない。本発明に用いられる無機充填材は、前記したよ
うにカップリング剤で予め処理されていてもよく、又エ
ポキシ樹脂あるいはフェノール樹脂で予め表面処理して
用いてもよい。処理の方法としては、溶剤を用いて混合
した後に溶媒を除去する方法や、直接無機充填材に添加
し混合機を用いて処理する方法等がある。
【0022】本発明に用いられる硬化促進剤としては、
エポキシ樹脂とフェノール樹脂との架橋反応を促進する
ものであればよく、例えば、1,8−ジアザビシクロ
(5,4,0)ウンデセン−7等のアミン系化合物、ト
リフェニルホスフィン、テトラフェニルホスフォニウム
・テトラフェニルボレート塩等の有機リン系化合物、2
−メチルイミダゾール等のイミダゾール化合物等が挙げ
られるが、これらに限定されるものではない。これらの
硬化促進剤は単独でも混合して用いても差し支えない。
【0023】本発明のエポキシ樹脂組成物は、(A)〜
(E)成分の他、必要に応じて臭素化エポキシ樹脂、酸
化アンチモン、リン化合物等の難燃剤、酸化ビスマス水
和物等の無機イオン交換体、カーボンブラック、ベンガ
ラ等の着色剤、シリコーンオイル、シリコーンゴム等の
低応力化剤、天然ワックス、合成ワックス、高級脂肪酸
及びその金属塩類もしくはパラフィン等の離型剤、酸化
防止剤等の各種添加剤を配合することができる。本発明
のエポキシ樹脂組成物は、(A)〜(E)成分、及びそ
の他の添加剤等をミキサーを用いて混合後、熱ロール、
加熱ニーダー、押出機等の混練機で溶融混練し、冷却後
粉砕して得られる。本発明のエポキシ樹脂組成物を用い
て、半導体素子等の電子部品を封止し、半導体装置を製
造するには、トランスファーモールド、コンプレッショ
ンモールド、インジェクションモールド等の成形方法で
硬化成形すればよい。
【0024】以下、本発明を実施例で具体的に説明する
が、本発明はこれらに限定されるものではない。配合単
位は重量部とする。 実施例1 式(5)の構造を主成分とするエポキシ樹脂(エポキシ当量190、融点10 5℃) 6.1重量部 式(6)のフェノール樹脂(水酸基当量174、軟化点75℃) 5.7重量部 式(7)のシランカップリング剤(以下、シランカップリング剤Aと略す) 0.4重量部 溶融球状シリカ粉末 87.0重量部 1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7(以下、DBUと略す ) 0.3重量部 カルナバワックス 0.2重量部 カーボンブラック 0.3重量部 をミキサーを用いて混合した後、表面温度が90℃と4
5℃の2本ロールを用いて30回混練し、得られた混練
物シートを冷却後粉砕して、樹脂組成物を得た.得られ
た樹脂組成物を以下の方法で評価した.結果を表1に示
す。
【化10】
【0025】
【化11】
【0026】
【化12】
【0027】評価方法 スパイラルフロー:EMMI−1−66に準じたスパイ
ラルフロー測定用の金型を用いて、金型温度175℃、
注入圧力70kg/cm2、硬化時間2分で測定した.
単位はcm。 熱時強度:240℃での曲げ強さをJIS K 6911
に準じて測定した。単位はN/mm2。 耐半田性:100ピンTQFP(パッケージサイズは1
4×14mm、厚み1.4mm、シリコンチップサイズ
は8.0×8.0mm、リードフレームは42アロイ
製)を、金型温度175℃、注入圧力75kg/c
2、硬化時間2分でトランスファー成形し、175
℃、8時間で後硬化させた。得られた半導体パッケージ
を85℃、相対湿度85%の環境下で72時間及び16
8時間放置し、その後240℃の半田槽に10秒間浸漬
した。顕微鏡で外部クラックを観察し、クラック数
[(クラック発生パッケージ数)/(全パッケージ数)
×100]を%で表示した。又チップと樹脂組成物の硬
化物との剥離面積の割合を超音波探傷装置を用いて測定
し、剥離率[(剥離面積)/(チップ面積)×100]
として、5個のパッケージの平均値を求め、%で表示し
た。
【0028】実施例2〜8、比較例1〜3 表1に示す割合で各成分を配合し、実施例1と同様にし
て樹脂組成物を得、実施例1と同様にして評価した。結
果を表1に示す。なお実施例1で用いた以外の、エポキ
シ樹脂、フェノール樹脂、溶融混合物、カップリング
剤、カップリング剤の加水分解物の詳細を以下に示す。 ・オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂(エポキ
シ当量196、軟化点55℃) ・式(8)の構造を主成分とするエポキシ樹脂(エポキ
シ当量187、融点110℃) ・フェノールノボラック樹脂(水酸基当量105、軟化
点105℃) ・式(9)のシランカップリング剤(以下、シランカッ
プリング剤Bと略す)
【化13】
【0029】
【化14】
【0030】・シランカップリング剤の加水分解物の製
造例 実施例1で用いたシランカップリング剤Aと純水を8
0:20で混合し、この混合物が2層に分離しなくなる
まで、十分攪拌混合し加水分解物を得た。(シランカツ
プリング剤Aの加水分解物と略す) ・溶融混合物の製造例 溶融混合物A 実施例1で用いた式(5)のエポキシ樹脂6.2重量部
と式(6)のフェノール樹脂5.7重量部を110℃で
完全に溶融混合させた後、実施例1で用いたシランカッ
プリング剤A0.4重量部を加えて溶融混合物Aを得
た。 溶融混合物B 実施例1で用いた式(6)のフェノール樹脂5.7重量
部を110℃で完全に溶融させた後、実施例1で用いた
シランカップリング剤A0.2重量部を加えて溶融混合
物Bを得た。 ・処理シリカの製造例 処理溶融球状シリカA 実施例1で用いた溶融球状シリカ87重量部をミキサー
で攪拌しながら、実施例1で用いたシランカップリング
剤A0.4重量部を滴下し加えた。そのまま攪拌を15
分間継続した後、室温で8時間放置し、処理シリカAを
得た。 処理溶融球状シリカB 実施例1で用いた溶融球状シリカ87重量部をミキサー
で攪拌しながら、実施例1で用いたシランカップリング
剤A0.2重量部を滴下し加えた。そのまま攪拌を15
分間継続したのち、室温で8時間放置し、処理シリカB
を得た。
【0031】
【表1】
【0032】
【発明の効果】本発明のエポキシ樹脂組成物を用いた半
導体装置は、吸湿後の半田処理においてクラックや基材
との剥離が発生せず耐半田性に優れている。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C08K 5/548 C08K 5/548 H01L 23/29 H01L 23/30 R 23/31 Fターム(参考) 4J002 CC04X CC05X CC06X CD04W CD05W CD06W CD07W CD11W CE00W CE00X DE136 DE146 DJ016 EU117 EU137 EW017 EW177 EX088 EY017 FD020 FD090 FD130 FD14X FD148 FD157 FD160 4J036 AA01 AC01 AC02 AC05 AD04 AD07 AD08 AD10 AD15 AD20 AE05 AE07 AF05 DC40 DC46 DD07 FA03 FA05 FB08 GA04 GA06 GA28 JA07 4M109 AA01 CA21 EA03 EB06 EC03 EC05

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 (A)エポキシ樹脂、(B)フェノール
    樹脂、(C)無機充填材、(D)硬化促進剤、及び
    (E)一般式(1)で示されるシランカップリング剤、
    又は前記シランカップリング剤の全部あるいは一部を加
    水分解して得られた加水分解物からなることを特徴とす
    る半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 【化1】 (R1は炭素数1〜10のアルコキシ基、R2は炭素数1
    〜10のアルキル基である。aは1〜3の整数、mは1
    〜5の整数、nは1〜10の整数。)
  2. 【請求項2】 (A)エポキシ樹脂が、一般式(2)、
    一般式(3)又は一般式(4)から選ばれる1種以上で
    ある請求項1記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 【化2】 (R3は炭素数1〜6のアルキル基で、それらは同一も
    しくは異なっていても良い。mは0〜4の整数) 【化3】 【化4】 (R6は水素原子、炭素数1〜6のアルキル基で、それ
    らは同一もしくは異なっていてもよい。R7は炭素数1
    〜6のアルキル基で、それらは同一もしくは異なってい
    てもよい。mは0〜4の整数)
  3. 【請求項3】 一般式(1)で示されるシランカップリ
    ング剤、又は前記シランカップリング剤の全部あるいは
    一部を加水分解して得られた加水分解物が、(A)エポ
    キシ樹脂あるいは(B)フェノール樹脂の全部又は一部
    に予め加熱混合されてなる請求項1、2、又は3記載の
    半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
  4. 【請求項4】 一般式(1)で示されるシランカップリ
    ング剤、又は前記シランカップリング剤の全部あるいは
    一部を加水分解してなる加水分解物が、(C)無機充填
    材を予め表面処理してなる請求項1、2、又は3記載の
    半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
  5. 【請求項5】 請求項1〜4記載のいずれかのエポキシ
    樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなることを特
    徴とする半導体装置。
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