JP2001236136A - 情報処理装置内蔵デバイスの耐衝撃支持構造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 内蔵デバイスの耐衝撃支持構造において、衝
撃吸収弾性体の数や体積を増やすよりも効果的に、衝撃
吸収弾性体の厚さを従来より薄くすることを目的とす
る。 【解決手段】 内蔵デバイス1からの慣性力によって衝
撃吸収弾性体2a₁〜2a₄が均等に圧縮されるように、それ
ぞれの受け面積または内蔵デバイス1の重心4からの距離
を変化させる。または、衝撃吸収弾性体を予め圧縮させ
て配置する。または、衝撃吸収弾性体の「遊び」の範囲
で衝撃吸収弾性体よりも大きな弾性力を有する弾性構造
体を、衝撃吸収弾性体と並列に配置する。または、衝撃
吸収弾性体内に空間を設け、圧縮されるとその空間内の
空気が小さい穴を通して押し出されるようにする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はノートパソコン等の
情報処理装置に関し、特に、その内部に収められるハー
ドディスク装置等の内蔵デバイスに対する耐衝撃支持構
造に関する。

【０００２】

【従来の技術】ノートパソコン等の情報処理装置の開発
において、薄型・軽量化と共に重要な課題となっている
のが、内蔵デバイスに対する支持構造における耐衝撃性
の向上である。

【０００３】図11に、ノート型パソコン等の筐体3内に
おける内蔵デバイス1に対する従来の耐衝撃支持構造を
示す。尚、本明細書が参照する図面では、便宜上、衝撃
吸収弾性体を示す部分には多数の点を、また、内蔵デバ
イス1を示す部分には比較的間隔が広い斜線を付してい
る。これらの部分が通常の製図法のように多孔性物質や
金属の断面を示しているのではないことに注意を要す
る。

【０００４】筐体3は上側筐体と下側筐体とがはめ合わ
されたものから成る。上側筐体の内面3aと下側筐体の内
面3bとはいずれも実質的に平面である。そして、それら
が所定の間隔を置いて平行に、かつ、互いに対向するよ
うにはめ合わされている。下側筐体の内面3bには仕切3c
が、内部に矩形状の空間を囲むように設けられている。

【０００５】内蔵デバイス1は実質的に矩形の平板状で
あり、その外周を仕切3cに囲まれ、かつ、その上面1aを
上部筐体の内面3aと実質的に平行にするように、上側筐
体の内面3aと下側筐体の内面3bとの間に収められる。内
蔵デバイス1は、上からは上側筐体の内面3aに接着され
た衝撃吸収弾性体2a₀₁、2a₀₂、2a₀₃及び2a₀₄によって、
下からは下側筐体の内面3bに接着された衝撃吸収弾性体
2bによって、前後からは仕切3cの内面に接着された衝撃
吸収弾性体2cによって、そして、左右からは仕切3cの内
面に接着された衝撃吸収弾性体2dによって、それぞれ支
持される。内蔵デバイス1の四隅が、図11のように対称
的に配置された衝撃吸収弾性体2a₀₁〜2a_{0 4}、2b、2c及び
2dによって、それぞれ均等に固定される。

【０００６】衝撃吸収弾性体2a₀₁〜2a₀₄、2b、2c及び2d
は、シリコーンやウレタン等の熱硬化性樹脂をゲル状に
したものから成る。衝撃吸収弾性体2a₀₁〜2a₀₄はいずれ
も同じサイズの直方体の形状を有し、それぞれ上側筐体
の内面3aに両面テープ等によって接着されている。衝撃
吸収弾性体2bはいずれも同じサイズの直方体の形状を有
し、それぞれ下側筐体の内面3bに両面テープ等によって
接着されている。衝撃吸収弾性体2cはいずれも同じサイ
ズの直方体の形状を有し、それぞれ仕切3cに両面テープ
等によって接着されている。衝撃吸収弾性体2dはいずれ
も同じサイズの直方体の形状を有し、それぞれ仕切3cに
両面テープ等によって接着されている。

【０００７】上記の耐衝撃支持構造によれば、外部から
の衝撃により筐体3全体に対して、例えば図11に示した
矢印Aの向きの加速度が生じた場合、内蔵デバイス1に生
じる慣性力Bによって衝撃吸収弾性体2a₀₁〜2a₀₄が圧縮
されて、内蔵デバイス1が受けた衝撃エネルギーを吸収
する。これにより、内蔵デバイス1自体が吸収する衝撃
エネルギーを減少させ、それによる破損を防ぐ。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の耐
衝撃支持構造は、情報処理装置全体の薄型化に対して、
以下のような問題点を有している。 (a) 図11に示したように、従来の耐衝撃支持構造で
は、衝撃吸収弾性体2a₀₁〜2a₀₄及び2bがいずれも同じ大
きさの直方体形状を有し、内蔵デバイス1の四隅に対称
的に配置される。つまり、衝撃吸収弾性体2a₀₁〜2a₀₄及
び2bそれぞれにおける内蔵デバイス1との接触面積（受
け面積）及び内蔵デバイス1の外形の中心1cからの距離
が等しい。しかし、一般には内蔵デバイス1の重心4はそ
の中心1cと一致しない。つまり、重心4と衝撃吸収弾性
体2a₀₁〜2a₀₄及び2bとの距離はそれぞれ異なる。このた
め、図11の矢印Aの向きのような筐体3の内面3a及び3bに
対して垂直な加速度が筐体3全体に一様に生じた場合、
内蔵デバイス1から衝撃吸収弾性体2a₀₁〜2a₀₄のそれぞ
れに及ぼされる慣性力Bは不均等である。

【０００９】この時、衝撃吸収弾性体2a₀₁〜2a₀₄の受け
面積及び厚みは全て等しいため、慣性力Bが比較的大き
く及ぼされるものが他より大きく圧縮されてしまう。図
11に示した例では、重心4に最も近い衝撃吸収弾性体2a
₀₂が最も大きく圧縮される。それ故、衝撃吸収弾性体2a
₀₁〜2a₀₄の厚みは、その内の一つだけが大きく圧縮され
る場合にも内蔵デバイス1が上側筐体の内面3aに接触し
ない程度にしなければならない。この結果、衝撃吸収弾
性体2a₀₁〜2a₀₄全体が均等に圧縮される場合に比べて、
衝撃吸収弾性体2a₀₁〜2a₀₄それぞれの厚みはかなり厚く
ならざるを得ない。

【００１０】(b) 図12の曲線8は、衝撃吸収弾性体2a₀₁
〜2a₀₄等として従来用いられているゲル状熱硬化性樹脂
における典型的な応力−歪み線図を表す。縦軸は衝撃吸
収弾性体の圧縮応力を、横軸はその圧縮歪みをそれぞれ
示している。従来の衝撃吸収弾性体では、曲線8が下に
凸の形状を有する。つまり、圧縮歪みが小さいほど曲線
8の傾き、すなわち、圧縮歪みの一定の増分に対する圧
縮応力の増分が小さい。例えば、図12に示すように、圧
縮歪みが0からΔηまで増大する間に圧縮応力は0からf₀
まで増大し、一方、圧縮歪みがη₀(＞0)からη₀＋Δη
まで増大する間に圧縮応力はf₁からf₂まで増大する。こ
の時、図12から明らかなように、f₀−0＜f₂−f₁であ
る。

【００１１】従来の情報処理装置では、衝撃吸収弾性体
2a₀₁〜2a₀₄及び2bを歪みのない状態で配置していた。従
って、ある程度圧縮された後でなければ衝撃吸収弾性体
2a₀₁〜2a₀₄及び2b内の応力が十分に大きく増加しない。
このため、そこまでの圧縮量は衝撃吸収においてはあま
り有効に機能しないもの、いわゆる「遊び」になってい
た。情報処理装置の薄型化においては、この「遊び」に
相当する圧縮量も省く必要がある。

【００１２】本発明は、内蔵デバイスの主に上下方向に
対する耐衝撃支持構造において、単純に衝撃吸収弾性体
の数や体積を増やすのに比べてはるかに効果的に、衝撃
吸収弾性体の厚さを従来より薄くすることを目的とす
る。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記の問題点を解決する
ために、本発明の情報処理装置内蔵デバイスの耐衝撃支
持構造は、実質的に平板状の外形を有し、重心が前記外
形の中心とは実質的に一致しない内蔵デバイス；互いの
内面を対向させるように互いにはめ合わされて、前記内
面間に前記内蔵デバイスを収める上側筐体及び下側筐
体；前記内蔵デバイスの上面と前記上側筐体の前記内面
との間に配置され、前記内蔵デバイスに働く上向きの慣
性力によりそれぞれ均等に圧縮される、複数の上側衝撃
吸収弾性体；及び、前記内蔵デバイスの下面と前記下側
筐体の前記内面との間に配置され、前記内蔵デバイスに
働く下向きの慣性力によりそれぞれ均等に圧縮される、
複数の下側衝撃吸収弾性体；を有する。

【００１４】これにより、内蔵デバイスの下向き及び上
向きの加速度にそれぞれ伴う上向き及び下向きの慣性力
によって、複数の上側及び下側衝撃吸収弾性体がそれぞ
れ均等に圧縮され、いずれかだけが他より大きく圧縮さ
れることがない。従って、各衝撃吸収弾性体の厚みを、
そのいずれか一つだけが大きく圧縮される場合を考慮し
て十分に大きくする必要がない。

【００１５】上記の上側または下側衝撃吸収弾性体にお
ける好ましい一つの態様として、前記複数の上側衝撃吸
収弾性体それぞれと前記内蔵デバイスの上面との接触
面、及び、前記複数の下側衝撃吸収弾性体それぞれと前
記内蔵デバイスの下面との接触面が、前記内蔵デバイス
の重心に近いものほど大きく、遠いものほど小さい。そ
れとは別に、上側または下側衝撃吸収弾性体における好
ましい態様として、前記複数の上側衝撃吸収弾性体それ
ぞれと前記内蔵デバイスの上面との接触面の中心を頂点
とする図形の重心、及び、前記複数の下側衝撃吸収弾性
体それぞれと前記内蔵デバイスの下面との接触面の中心
を頂点とする図形の重心が、前記内蔵デバイスの重心の
上方及び下方にそれぞれある。上記いずれの態様におい
ても、内蔵デバイスからの慣性力によって上側または下
側衝撃吸収弾性体それぞれが均等に圧縮されるように、
それぞれの面の大きさまたは配置を比較的容易に設計で
きる。

【００１６】上記のものとは別の観点による、本発明の
情報処理装置内蔵デバイスの耐衝撃支持構造は、実質的
に平板状の外形を有する内蔵デバイス；互いの内面を対
向させるように互いにはめ合わされて、前記内面間に前
記内蔵デバイスを収める上側筐体及び下側筐体；並び
に、応力−歪み線図の傾きが所定の大きさ以上であるよ
うな歪みを予め与えられて、(a) 前記内蔵デバイスの
上面と前記上側筐体の前記内面との間に配置された上側
衝撃吸収弾性体、及び、(b) 前記内蔵デバイスの下面
と前記下側筐体の前記内面との間に配置された下側衝撃
吸収弾性体；を有する。これにより、衝撃吸収弾性体の
圧縮歪みが比較的小さく増大しただけで、その応力を十
分に増加させ得る。従って、いわゆる「遊び」が省ける
ため、従来の耐衝撃支持構造と同じ構造でその耐衝撃強
度を損なうことなく、衝撃吸収弾性体を従来よりも薄く
できる。

【００１７】上記のものとは更に別の観点による、本発
明の情報処理装置内蔵デバイスの耐衝撃支持構造は、実
質的に平板状の外形を有する内蔵デバイス；互いの内面
を対向させるように互いにはめ合わされて、前記内面間
に前記内蔵デバイスを収める上側筐体及び下側筐体；前
記内蔵デバイスの上面と前記上側筐体の前記内面との間
に配置された上側衝撃吸収弾性体；前記内蔵デバイスの
下面と前記下側筐体の前記内面との間に配置された下側
衝撃吸収弾性体；及び、前記上側衝撃吸収弾性体及び前
記下側衝撃吸収弾性体それぞれと並列して前記内蔵デバ
イスの上面及び下面上にそれぞれ配置され、所定の歪み
の範囲で前記上側衝撃吸収弾性体及び前記下側衝撃吸収
弾性体よりも大きな弾性力を生じる弾性構造体を有す
る。

【００１８】これにより、衝撃吸収弾性体の応力が十分
に増大するまで圧縮歪みが変化する間、すなわち、圧縮
歪みがいわゆる「遊び」の範囲にある間、衝撃吸収弾性
体の応力を弾性構造体の弾性力で補って、内蔵デバイス
を支持できる。従って、単純に衝撃吸収弾性体の数や体
積を増やすのに比べてはるかに効果的に、衝撃エネルギ
ー吸収効率（圧縮量の変化に対する、その変化の間に吸
収される衝撃エネルギーの割合）を高くできる。

【００１９】好ましくは、前記上側衝撃吸収弾性体及び
前記下側衝撃吸収弾性体が、それぞれ前記弾性構造体に
内包される。これにより、衝撃吸収弾性体が粘着性を有
する材料から成っていても取り扱いやすくなる。また、
好ましくは、前記弾性構造体が所定の大きさの衝撃力で
脆性破壊を起こす。これにより、衝撃吸収弾性体及び弾
性構造体の弾性力では支えきれないほどの衝撃力が生じ
た場合、弾性構造体が脆性破壊を起こして衝撃エネルギ
ーを散逸させ、内蔵デバイスと筐体内面との衝突を避
け、内蔵デバイスに吸収される衝撃エネルギーを減少さ
せ得る。ここで、弾性構造体が脆性を持ち、破壊される
直前まで弾性変形すると見なせるため、弾性構造体及び
衝撃吸収弾性体の厚さの設定が比較的容易にできる。

【００２０】更に好ましくは、前記弾性構造体が耐衝撃
強度の異なる複数種を並列させたものから成る。これに
より、耐衝撃強度が比較的弱い弾性構造体が上記のよう
に脆性破壊を起こした後でも、耐衝撃強度が比較的強い
弾性構造体が破壊されずに残り得る。従って、衝撃を受
けた直後でも、破壊された弾性構造体を交換しなくて
も、内蔵デバイスを支持し得る。特に、前記弾性構造体
が、耐衝撃強度の比較的強いものが比較的弱いものを内
包する構造を有し、その最内部に前記上側衝撃吸収弾性
体または前記下側衝撃吸収弾性体を内包するのが好まし
い。これにより、耐衝撃強度の比較的弱い弾性構造体が
ゲル状の衝撃吸収弾性体を内包していた場合、それが脆
性破壊を起こし内部の衝撃吸収弾性体が外へと飛び出し
ても、更に外側にある耐衝撃強度の比較的強い弾性構造
体が衝撃吸収弾性体の飛散を防ぎ得る。

【００２１】上記の衝撃吸収弾性体を内包する弾性構造
体において、好ましくは、その形状が筒状であって、そ
の軸に垂直な断面における外側の境界線が閉じているよ
うな形状、例えば、円または楕円である。これにより、
弾性構造体が圧縮される時内部の衝撃吸収弾性体が外部
へと飛び出すことがない。このため、弾性構造体及び衝
撃吸収弾性体が効率良く衝撃力を吸収できる。好ましく
は、前記弾性構造体が金属または樹脂から成る。これに
より、弾性構造体が金属であればその形状により、また
樹脂であれば、例えば炭素繊維含有量を調節することに
より、所定の脆性を持たせ得る。

【００２２】上記のものとは異なる観点による、本発明
の情報処理装置内蔵デバイスの耐衝撃支持構造は、実質
的に平板状の外形を有する内蔵デバイス；互いの内面を
対向させるように互いにはめ合わされて、前記内面間に
前記内蔵デバイスを収める上側筐体及び下側筐体；前記
内蔵デバイスの上面と前記上側筐体の前記内面との間に
配置された上側衝撃吸収弾性体；及び、前記内蔵デバイ
スの下面と前記下側筐体の前記内面との間に配置された
下側衝撃吸収弾性体；を有し、前記上側衝撃吸収弾性体
の内面または前記内蔵デバイスの上面または前記上側筐
体の前記内面で囲まれた空間、及び、前記下側衝撃吸収
弾性体の内面または前記内蔵デバイスの下面または前記
下側筐体の前記内面で囲まれた空間、がそれぞれ、前記
空間を囲むそれぞれの面に対して十分小さいサイズの小
穴でのみ外部と通じる。

【００２３】好ましくは、前記***が、前記上側衝撃吸
収弾性体及び前記下側衝撃吸収弾性体の側壁、または、
それぞれの内面に面した前記上側筐体の前記内面及び前
記下側筐体の前記内面に設けられる。これにより、内蔵
デバイスの慣性力により衝撃吸収弾性体が圧縮される
と、内部の空気が穴から押し出される。この時、押し出
された空気がその運動エネルギーとして衝撃エネルギー
を外部へと持ち去る。このようにして、衝撃吸収弾性体
の変形によって吸収すべき衝撃エネルギーを従来よりも
減少させ得る。

【００２４】

【発明の実施の形態】本発明の好ましい実施の形態につ
いて、その最適な実施例を、図面を参照しつつ、以下の
ように説明する。 《実施例１》図1は、ノート型パソコンの筐体3内におけ
る本発明の実施例１の耐衝撃支持構造を模式的に示す図
である。図1(a)はその上面図を、図1(b)及び図1(c)はそ
れぞれ図1(a)に示した直線1(b)−1(b)及び1(c)−1(c)に
それぞれ沿った断面図を示す。尚、従来例として示した
図11のものと同じ構造のものについては同じ符号を付し
て、その詳細は省略する。また、図11同様に、図1にお
いて点を多数付した部分は衝撃吸収弾性体を、間隔の広
い斜線を付した部分は内蔵デバイス1をそれぞれ示す。

【００２５】実施例１の衝撃吸収弾性体2a₁、2a₂、2a₃
及び2a₄は、共通の厚さを有する点では従来と同じだ
が、それぞれ異なる受け面積を有する点で従来と異な
る。衝撃吸収弾性体2a₁、2a₂、2a₃及び2a₄それぞれの受
け面積は、内蔵デバイス1の慣性力Bによってそれぞれが
均等に圧縮されるように、内蔵デバイス1の重心の位置
に基づいて次のように決定される。

【００２６】上面1aに対して垂直に射影された内蔵デバ
イス1の重心の位置4に対して、内蔵デバイス1の上面1a
と衝撃吸収弾性体2a₁、2a₂、2a₃及び2a₄との接触面それ
ぞれの中心の位置ベクトルをL₁、L₂、L₃及びL₄とする。
ここで、位置ベクトルL₁、L₂、L₃及びL₄は全て、実質的
に平面である上面1a内にある。また、衝撃吸収弾性体2a
₁、2a₂、2a₃及び2a₄の受け面積をそれぞれS₁、S₂、S₃及
びS₄とする。この時、次式(1)を満足するように衝撃吸
収弾性体2a₁〜2a₄の受け面積S₁〜S₄が決定される。

【００２７】 Σ_i=1 ⁴ Si×Li＝0 ・・・・・(1)

【００２８】つまり、式(1)に従って、内蔵デバイス1の
重心4に近い衝撃吸収弾性体ほどその受け面積を大きく
し、遠いものほど小さくする。尚、式(1)は、内蔵デバ
イス1がその重心のまわりに回転して傾くことなく、衝
撃吸収弾性体2a₁、2a₂、2a₃及び2a₄それぞれが均等に歪
むように圧縮されるための必要条件である。

【００２９】筐体3全体に、図1の矢印Aの向きのよう
な、内面3a及び3bに対して垂直な加速度が一様に生じる
場合、衝撃吸収弾性体2a₁〜2a₄それぞれに内蔵デバイス
1から及ぼされる慣性力Bの大きさは不均等である。しか
し、慣性力Bの大小に併せて各吸収弾性体の受け面積が
上記のように異なるため、衝撃吸収弾性体それぞれに生
じる応力は均等になる。従って、衝撃吸収弾性体の圧縮
量は均等となる。つまり、上記のような場合に対して
は、衝撃吸収弾性体2a₁〜2a₄のいずれか一つだけが大き
く圧縮される場合を考慮してそれを十分厚くする必要が
なくなる。このため、衝撃吸収弾性体の厚さを比較的薄
くできる。尚、図1では衝撃吸収弾性体2a₁、2a₂、2a₃及
び2a₄をそれぞれ直方体状に描いているが、この形状は
本質的ではなく、例えば、円柱状や多角柱状でも良い。

【００３０】《実施例２》図2は、本発明の実施例２の
耐衝撃支持構造を模式的に示す図である。図2(a)はその
上面図を、図2(b)及び図2(c)はそれぞれ図2(a)に示した
直線2(b)−2(b)及び2(c)−2(c)にそれぞれ沿った断面図
を示す。尚、従来例として示した図11のものと同じ構造
のものについては同じ符号を付して、その詳細は省略す
る。また、図11同様に、図2において点を多数付した部
分は衝撃吸収弾性体を、間隔の広い斜線を付した部分は
内蔵デバイスをそれぞれ示す。

【００３１】実施例２の衝撃吸収弾性体2a₅、2a₆、2a₇
及び2a₈は、共通のサイズを有する点では図11に示した
従来例の衝撃吸収弾性体2a₀₁、2a₀₂、2a₀₃及び2a₀₄と同
じである。しかし、従来例の衝撃吸収弾性体2a₀₁、2
a₀₂、2a₀₃及び2a₀₄(図11)が内蔵デバイス1の上面1aの四
隅に対称的に配置されるのに対し、実施例２の衝撃吸収
弾性体2a₅、2a₆、2a₇及び2a₈は非対称的に配置される。

【００３２】各衝撃吸収弾性体2aの配置は、それぞれに
内蔵デバイス1からの慣性力Bが均等に加わるように、内
蔵デバイス1の重心の位置に基づいて次のように決定さ
れる。上面1aに対して垂直に射影された内蔵デバイス1
の重心の位置4に対して、内蔵デバイス1の上面1aと衝撃
吸収弾性体2a₅、2a₆、2a₇及び2a₈との接触面それぞれの
中心の位置ベクトルをL₅、L₆、L₇及びL₈とする。ここ
で、位置ベクトルL₅、L₆、L₇及びL₈は全て、実質的に平
面である上面1a内にある。衝撃吸収弾性体2a₅、2a₆、2a
₇及び2a₈の受け面積が全て等しいため、次式(2)を満足
するように、衝撃吸収弾性体2a₅、2a₆、2a₇及び2a₈それ
ぞれの位置ベクトルL₅、L₆、L₇及びL₈が決定される。

【００３３】 Σ_i=5 ⁸ Li＝0 ・・・・・(2)

【００３４】つまり、衝撃吸収弾性体2a₅〜2a₈それぞれ
と内蔵デバイス1の上面1aとの接触面の中心を頂点とす
る図形の重心が、上記のように上面1aに射影された内蔵
デバイス1の重心の位置4と一致するように、位置ベクト
ルL₅、L₆、L₇及びL₈が決定される。尚、式(2)も式(1)同
様、内蔵デバイス1がその重心のまわりに回転して傾く
ことなく、衝撃吸収弾性体2a₅、2a₆、2a₇及び2a₈それぞ
れが均等に歪むように圧縮されるための必要条件であ
る。このように衝撃吸収弾性体2a₅〜2a₈の位置が決めら
れると、筐体3全体に、図2の矢印Aの向きのような、内
面3a及び3bに対して垂直な加速度が一様に生じる場合、
衝撃吸収弾性体2a₅〜2a₈それぞれに内蔵デバイス1から
及ぼされる慣性力Bの大きさは均等である。その結果、
それぞれの衝撃吸収弾性体の圧縮量は均等となる。つま
り、上記のような場合に対しては、衝撃吸収弾性体2a₁
〜2a₄のいずれか一つだけが大きく圧縮される場合を考
慮してそれを十分厚くする必要がなくなる。このため、
衝撃吸収弾性体の厚さを比較的薄くできる。尚、実施例
２では衝撃吸収弾性体2a₅〜2a₈それぞれの受け面積を全
て等しくしたが、本発明はこれに限られない。受け面積
及び位置ベクトル全てをパラメータとして、内蔵デバイ
ス1からの慣性力Bによって均等に圧縮されるために最適
なそれぞれの受け面積及び配置を決定するようにしても
良い。

【００３５】《実施例３》実施例３の耐衝撃支持構造の
構成は従来のもの(図11)と全く同じである。実施例３が
従来と異なる点は、衝撃吸収弾性体2a₀₁、2a₀₂、2a₀₃、
2a₀₄及び2bが、所定の初期圧縮量だけ予め圧縮された状
態で配置される点にある。図3に示された曲線8は、図12
のものと同じ、従来の衝撃吸収弾性体の応力−歪み線図
である。直線6a、6b及び6cはそれぞれ圧縮歪みの値がη
a、ηb及びηcである位置を示している。領域7aは応力
−歪み線図8、横軸及び直線6aに、領域7bは応力−歪み
線図8、横軸、直線6a及び6bに、そして、領域7cは応力
−歪み線図8、横軸、直線6b及び6cに、それぞれ囲まれ
た領域である。領域7a、7b及び7cの面積は、圧縮歪みが
0〜ηa、ηa〜ηb、ηb〜ηcと変化するように圧縮され
る間に衝撃吸収弾性体が吸収する単位体積当たりの衝撃
エネルギーにそれぞれ相当する。ここで、領域7aと領域
7cとの面積が等しいとする。

【００３６】例えば、図11の矢印Aの向きのように、筐
体3全体に内面3a及び3bに対して垂直な加速度が一様に
生じ、圧縮歪みが0〜ηbと変化するように衝撃吸収弾性
体2a₀₁〜2a₀₄が圧縮されたとする。但し、ここでは衝撃
吸収弾性体2a₀₁〜2a₀₄それぞれの圧縮量の違いを無視す
る。この時、従来の衝撃吸収弾性体2a₀₁〜2a₀₄はそれぞ
れ単位体積当たり、領域7aと領域7bとの面積の和に相当
する衝撃エネルギーを吸収したことになる。

【００３７】一方、実施例３では、組み立て時における
圧縮歪みがηaであるように、所定の初期圧縮量だけ衝
撃吸収弾性体2a₀₁〜2a₀₄が予め圧縮されている。実施例
３の筐体3に上記と同じ加速度が生じると、衝撃吸収弾
性体2a₀₁〜2a₀₄は単位体積当たり、領域7aと領域7bとの
面積の和に相当する衝撃エネルギーを吸収するはずであ
る。この時、実施例３の衝撃吸収弾性体2a₀₁〜2a₀₄は予
め圧縮されているため、圧縮歪みがηa（図3）からηc
へと変化するように圧縮される。ここで、ηcの値は、
領域7aと領域7bとの面積の和と、領域7bと領域7cとの面
積の和とが等しいように決まる。すると、図3のように
応力−歪み線図8は下に凸の形状を有しているため、0と
ηbとの差の方がηaとηcとの差よりも大きくなる。す
なわち、予め初期圧縮量だけ圧縮していた実施例３の方
が、衝撃による厚さの変化が小さい。

【００３８】衝撃吸収弾性体2a₀₁〜2a₀₄及び2bに初期圧
縮量を与えるには、例えば、衝撃吸収弾性体2a₀₁〜2a₀₄
及び2bと内蔵デバイス1との厚みの和を、上側筐体の内
面3aと下側筐体の内面3bとの間隔より大きくすれば良
い。このようにすると、上側筐体と下側筐体とを互いに
はめる時の力によって、衝撃吸収弾性体2a₀₁〜2a₀₄及び
2bに所定の初期圧縮量を与えることができる。

【００３９】《実施例４》図4は、本発明の実施例４の
耐衝撃支持構造を模式的に示す図である。図4(a)はその
上面図を、図4(b)及び図4(c)はそれぞれ図4(a)に示した
直線4(b)−4(b)及び4(c)−4(c)にそれぞれ沿った断面図
を示す。尚、従来例として示した図11のものと同じ構造
のものについては同じ符号を付して、その詳細は省略す
る。また、図11同様に、図4において点を多数付した部
分は衝撃吸収弾性体を、間隔の広い斜線を付した部分は
内蔵デバイスをそれぞれ示す。

【００４０】実施例４は、従来とは異なり、内蔵デバイ
ス1の上面1a及び下面1b上に、弾性構造体としてバネ5を
それぞれ有する。バネ5は、例えば金属や樹脂等から成
り、図5に示したような波形の形状を有する。波形の中
央部5cが上側筐体の内面3aまたは下側筐体の内面3bに固
定される。波形の中央部5cが固定される位置は、好まし
くは、内蔵デバイス1の重心の近傍にある。波形の両端5
a及び5bは内蔵デバイス1の上面1aまたは下面1bに接触す
るように配置されるが、固定はされない。図4に示した
矢印Aの向きのように、筐体3全体に内面3a及び3bに対し
て垂直な加速度が一様に生じると、内蔵デバイス1が慣
性力Bを衝撃吸収弾性体2a₀₁〜2a₀₄に及ぼし、慣性力Cを
上側筐体の内面3a側にあるバネ5の両端5a及び5bに及ぼ
す。これにより、衝撃吸収弾性体2a₀₁〜2a₀₄が圧縮され
ると同時に、バネ5の両端5a及び5bが互いの間隔を広げ
ながら内蔵デバイス1の上面1aに沿って外側に向かって
移動するように、バネ5が変形する。衝撃Aが治まり慣性
力B及びCがなくなると、衝撃Aが過大でなければ、衝撃
吸収弾性体2a₀₁〜2a₀₄及びバネ5は元の形状に戻る。

【００４１】図6に、衝撃吸収弾性体2a₀₁〜2a₀₄、バネ
5、それぞれに対する圧縮力と圧縮量との関係を示す。
曲線8aは所定の厚みを有する衝撃吸収弾性体2a₀₁〜2a₀₄
に、曲線8bはバネ5にそれぞれ対応する。図4のように内
蔵デバイス1の上面1aに衝撃吸収弾性体2a₀₁〜2a₀₄とバ
ネ5とを並列に配置した場合、両方の効果を合わせた圧
縮力と圧縮量との関係は、曲線8a及び曲線8bを加え合わ
せた曲線8cで表される。曲線8a及び曲線8bを比較すれば
明らかなように、圧縮量が曲線8aと曲線8bとの交点Pで
の値ΔLより小さい間は主にバネ5の復元力が、そして、
圧縮量がΔLより十分に大きくなると主に衝撃吸収弾性
体2a₀₁〜2a₀₄の弾性力が、それぞれ内蔵デバイス1を支
持する。このように、衝撃吸収弾性体2a₀₁〜2a₀₄の衝撃
エネルギー吸収効率が比較的低い圧縮量の範囲におい
て、その範囲での衝撃エネルギー吸収効率が比較的高い
バネ5に衝撃エネルギーを吸収させる。すると、図4に示
したバネ5の位置に、衝撃吸収弾性体2a₀₁〜2a₀₄と同じ
衝撃吸収弾性体を新たに設けるよりも、衝撃エネルギー
吸収効率を効果的に向上でき、その結果効率良く衝撃吸
収弾性体2aの厚みを薄くできる。特に、衝撃吸収弾性体
2aの曲線8aの形状を変化させることは非常に困難である
のに比べ、バネ5の曲線8bの形状は、バネ5の形状、サイ
ズ等により容易に調整できる。このため、上記の衝撃エ
ネルギー吸収効率の向上を最も効果的に行えるようなバ
ネ5を選択できる。

【００４２】《実施例５》図7は、本発明の実施例５の
耐衝撃支持構造を模式的に示す図である。図7(a)はその
上面図を、図7(b)及び図7(c)はそれぞれ図7(a)に示した
直線7(b)−7(b)及び7(c)−7(c)にそれぞれ沿った断面図
を示す。尚、従来例として示した図11のものと同じ構造
のものについては同じ符号を付して、その詳細は省略す
る。また、図11同様に、図7において点を多数付した部
分は衝撃吸収弾性体及び弾性構造体である筒を、間隔の
広い斜線を付した部分は内蔵デバイスをそれぞれ示す。

【００４３】実施例５では、図7(a)に示すように、内蔵
デバイス1の上面1a及び下面1bの四隅を支持するための
弾性構造体である筒9を有する。筒9は炭素繊維含有量が
多く耐衝撃性に優れた樹脂から成る。図7(d)に示すよう
に、その形状は高さが低く厚みが薄い円筒である。その
内部には衝撃吸収弾性体2a及び2bがそれぞれ内包され、
両端が熱処理によって密閉されている。衝撃吸収弾性体
2a及び2bはインジェクション成形等により充填される。
筒9はそれぞれの一端を上側筐体の内面3aまたは下側筐
体の内面3bに両面テープ等により接着されている。

【００４４】筒9の材料である炭素繊維含有量の多い樹
脂における圧縮力と圧縮量との関係は、実施例４で示し
たバネ5における関係と同様、衝撃吸収弾性体2a及び2b
における関係に比べ一般に線形的である。つまり、衝撃
吸収弾性体2a及び2bの衝撃エネルギー吸収効率が比較的
低い圧縮量の範囲において、筒9の衝撃エネルギー吸収
効率は比較的高い。従って、上記のように筒9の中に衝
撃吸収弾性体2aまたは2bを内包させると、圧縮量の比較
的小さい時は主に筒9が、圧縮量がある程度大きくなる
と主に衝撃吸収弾性体2aまたは2bが、それぞれ相補的に
衝撃エネルギーを吸収するようにできる。この結果、実
施例４同様に、衝撃吸収弾性体2aまたは2bの数を単に増
やすよりも効果的に、衝撃吸収弾性体2a及び2bの厚さを
薄くできる。

【００４５】また、炭素繊維含有量の多い樹脂における
もう一つの特性は、圧縮力が所定の値を超えると、弾性
変形の状態から塑性変形の状態をほとんど経ずにすぐ破
壊に至る、いわゆる脆性を有することである。脆性破壊
に至る時の圧縮力の値は、炭素繊維含有量を調節するこ
とによってある程度設定できる。これにより、内蔵デバ
イス1に所定の許容加速度（Ｇ値）以上の衝撃が加わる
と、筒9がまず破壊されるようにできる。つまり、衝撃
エネルギーを筒9の破壊エネルギーとして消費すること
により、内蔵デバイス1への影響をできるだけ減らすこ
とができる。また、塑性変形をほとんど考慮する必要が
ないため、衝撃時の圧縮量が比較的容易に計算でき、耐
衝撃支持構造の設計が比較的容易になる。

【００４６】更に、従来例（図11）や実施例１等の衝撃
吸収弾性体として用いられる材料は一般に粘着性を有し
取り扱いにくいが、筒9で衝撃吸収弾性体2a及び2bを内
包することにより扱いやすくすることができる。尚、筒
9は円筒形状としたが、この形に限らず、例えば、楕円
筒や多角形筒であっても良い。また上記の例では、筒9
の断面を閉じた円形とし、その両端を密閉して、衝撃吸
収体2a及び2bを完全に内包している。しかし、これは取
り扱いをより容易にするためのもので、本発明にとって
本質的な構造ではない。つまり、筒9の断面の一部が途
切れていたり、複数の部分に分かれていたり、筒9の両
端が開いていたりして、内包されている衝撃吸収弾性体
2a及び2bが外部から見えている状態であっても、衝撃吸
収弾性体2a及び2bが筒9内から漏れ出ることなく、内蔵
デバイス1及び筐体3にしっかりと密着していればよい。

【００４７】《実施例６》図8は、本発明の実施例５の
耐衝撃支持構造を模式的に示す図である。図8(a)はその
上面図を、図8(b)及び図8(c)はそれぞれ図8(a)に示した
直線8(b)−8(b)及び8(c)−8(c)にそれぞれ沿った断面図
を示す。尚、図7に示した実施例５と同じ構造のものに
ついては、その詳細は省略する。また、図7同様に、図8
において点を多数付した部分は衝撃吸収弾性体及び弾性
構造体である筒を、間隔の広い斜線を付した部分は内蔵
デバイスをそれぞれ示す。

【００４８】実施例６では、実施例５の筒9の代わりに
筒9aが、図8(a)に示すように、内蔵デバイス1の上面1a
及び下面1bの四隅を支持するための弾性構造体として配
置される。筒9aは炭素繊維含有量の多い樹脂から成る。
図8(d)に示すように、その形状は高さが低く厚みが薄い
円筒である。その内部には筒9bが内包され、両端が熱処
理によって密閉されている。筒9aはそれぞれの一端を上
側筐体の内面3aまたは下側筐体の内面3bに両面テープ等
により接着されている。筒9bは、筒9aより炭素繊維含有
量が多い樹脂から成る。その形状は、筒9aと同様な、高
さが低く厚みが薄い円筒であるが、その大きさは筒9aの
内部に収まる程度である。筒9bの内部には衝撃吸収弾性
体2a及び2bがそれぞれ内包され、両端が熱処理によって
密閉されている。衝撃吸収弾性体2a及び2bはインジェク
ション成形等により充填される。

【００４９】筒9bが筒9aよりも十分小さい衝撃的圧縮力
によって破壊されるように、その炭素繊維含有量が設定
される。これにより、内蔵デバイス1に許容Ｇ値以上の
衝撃が加わると、まず筒9bが破壊される。この衝撃が筒
9aを破壊するほどの大きさよりも小さい場合、筒9aはそ
のまま破壊されずに残る。従って、筒9bが脆性破壊を起
こし内包していたゲル状の衝撃吸収弾性体2aまたは2bが
外へと飛び出しても、更に外側にある筒9aが衝撃吸収弾
性体2aまたは2bの飛散を防ぐ。この結果、衝撃後の耐衝
撃強度は、筒9bが破壊されただけ低下するものの、筒9a
と衝撃吸収弾性体2aまたは2bとを合わせた程度だけ確実
に残る。尚、筒9a及び9bはいずれも円筒形状としたが、
これに限られず、例えば、楕円柱状や多角柱状であって
も良い。また、筒9a及び9bが異なる柱状であっても良
い。更に、筒9a及び9bの破壊強度を炭素繊維含有量の調
節で相違させたが、全く異なる材料をそれぞれに用いる
ことで相違させても良い。

【００５０】また上記の例では、筒9a及び9bの断面を閉
じた円形とし、その両端を密閉して、衝撃吸収体2a及び
2bを完全に内包している。しかし、これは取り扱いをよ
り容易にするためのもので、本発明にとって本質的な構
造ではない。つまり、筒9aまたは9bの断面の一部が途切
れていたり、複数の部分に分かれていたり、筒9aまたは
9bの両端が開いていたりして、内包されている筒9bまた
は衝撃吸収弾性体2a及び2bが外部から見えている状態で
あっても、衝撃吸収弾性体2a及び2bが外部へと漏れ出る
ことなく、内蔵デバイス1及び筐体3に十分に弾性力を及
ぼすことができればよい。

【００５１】《実施例７》本発明の実施例７における耐
衝撃支持構造の全体的構成は、図11に示した従来例と全
く同様である。実施例７では衝撃吸収弾性体の構造が、
以下に述べるように従来例と異なる。図9に、上側筐体
の内面3aに接着された実施例７の衝撃吸収弾性体2aを示
す。衝撃吸収弾性体2aは直方体の外形を有する。上側筐
体の内面3aとの接触面には、直方体形状の凹部10があ
り、凹部10内の空間Hは衝撃吸収弾性体2aの側面に設け
られた複数の穴11によって外部と通じている。これによ
り、外部からの衝撃によって衝撃吸収弾性体2aが図9に
示した矢印Dの向きの圧縮力を受けて変形すると、凹部1
0内の空間Hの体積が収縮され、凹部10内の空間Hにある
空気が穴11を通して外部へと押し出される。この時、こ
の押し出された空気がその運動エネルギーとして衝撃エ
ネルギーを外部へと持ち去るため、それだけ多く衝撃エ
ネルギーを吸収できる。

【００５２】衝撃吸収弾性体2b、2c及び2d(図11)が、衝
撃吸収弾性体2aと同様な構造を有していても良い。ま
た、衝撃吸収体2a及び凹部10は直方体形状に限られず、
例えば、円柱や多角柱状でも良く、それぞれが異なる形
状であっても良い。更に、衝撃吸収弾性体2aが、凹部10
の空間Hの代わりに内部に空洞を有するような形状であ
っても良い。特に、その空洞が、衝撃吸収弾性体2aを貫
く穴の内部だけから成るものであっても良い。上記のい
ずれの場合でも、衝撃吸収弾性体2a内部の空間から押し
出される空気が十分に衝撃エネルギーを外部へと持ち去
ることができればよい。

【００５３】《実施例８》本発明の実施例８における耐
衝撃支持構造の全体的構成は、図11に示した従来例と全
く同様である。実施例８では衝撃吸収弾性体、上部筐体
の内面、及び、下部筐体の内面それぞれの構造が、以下
に述べるように従来例と異なる。図10に、上側筐体の内
面3aに接着された実施例８の衝撃吸収弾性体2aを示す。
衝撃吸収弾性体2aは直方体の外形を有する。上側筐体の
内面3aとの接触面には、直方体形状の凹部10がある。凹
部10に面している衝撃吸収弾性体2aの面上には、凹部10
内の空間Hと外部との間を空気が出入りできるように、
複数の穴12が設けられている。これにより、外部からの
衝撃によって衝撃吸収弾性体2aが図10に示した矢印Eの
向きの圧縮力を受けて変形すると、凹部10内の空間Hの
体積が収縮され、凹部10内の空間Hにある空気が穴12を
通して外部へと押し出される。この時、この押し出され
た空気がその運動エネルギーとして衝撃エネルギーを外
部へと持ち去るため、それだけ多く衝撃エネルギーを吸
収できる。

【００５４】また、実施例７と比べ、上側筐体の内面3a
に穴12を設ける方が容易に加工できる。更に、衝撃吸収
弾性体2bの側面に穴11（図10）を開けることによって衝
撃吸収弾性体2bの弾性力を損なうおそれもない。尚、衝
撃吸収弾性体2b、2c及び2d(図11)も同様な構造を有して
いても良い。また、衝撃吸収弾性体2a及び凹部10は直方
体形状に限られず、例えば、円柱や多角柱状でも良く、
それぞれが異なる形状であっても良い。また、実施例７
は衝撃吸収弾性体2aの側面だけに、実施例８は上側筐体
の内面3aだけに、それぞれ穴11、穴12を設けたが、その
両方に穴を設けても良い。また、衝撃吸収弾性体2aが凹
部10の代わりに空洞を有し、上側筐体の内面3aとの接触
面に空洞と穴12とをつなぐ穴を有しても良い。

【００５５】

【発明の効果】本発明の情報処理装置内蔵デバイスの耐
衝撃支持構造は、内蔵デバイスが及ぼす上向きまたは下
向きの慣性力によって複数の衝撃吸収弾性体が均等に圧
縮され、いずれかだけが他より大きく圧縮されることが
ない。従って、各衝撃吸収弾性体の厚みを、そのいずれ
か一つだけが大きく圧縮される場合を考慮して十分に大
きくする必要がない。このため、衝撃吸収弾性体を従来
よりも薄くできる。

【００５６】また、別の観点による本発明の耐衝撃支持
構造では、衝撃吸収弾性体の圧縮歪みが比較的小さく増
大しただけで、その応力を十分に増加させ得る。従っ
て、いわゆる「遊び」が省けるため、従来の耐衝撃強度
を損なうことなく、衝撃吸収弾性体を従来よりも薄くで
きる。

【００５７】更に、別の観点による本発明の耐衝撃支持
構造では、圧縮歪みがいわゆる「遊び」の範囲にある
間、衝撃吸収弾性体の応力を弾性構造体の弾性力で補っ
て、内蔵デバイスを支持できる。従って、単純に衝撃吸
収弾性体の数や体積を増やすよりも効果的に、衝撃エネ
ルギー吸収効率を高くできる。

【００５８】更に以上のものとは別の観点による本発明
の耐衝撃支持構造では、衝撃吸収弾性体が圧縮される
と、内部の空気が穴から押し出され、その運動エネルギ
ーとして衝撃エネルギーを外部へと持ち去る。これによ
り、衝撃吸収弾性体の変形によって吸収すべき衝撃エネ
ルギーを従来よりも減少させ得るため、従来より衝撃吸
収弾性体を薄くできる。

【図面の簡単な説明】

【図1】実施例１の情報処理装置における耐衝撃支持構
造を模式的に示す図である。ここで、(a)は筐体3の一部
を取り除いた時の上面図であり、(b)及び(c)はそれぞれ
(a)に示されている直線1(b)−1(b)及び1(c)−1(c)に沿
った断面図である。

【図2】実施例２の情報処理装置における耐衝撃支持構
造を模式的に示す図である。ここで、(a)は上面図であ
り、(b)及び(c)はそれぞれ(a)に示されている直線2(b)
−2(b)及び2(c)−2(c)に沿った断面図である。

【図3】実施例２の衝撃吸収弾性体2a及び2bの圧縮応力
−圧縮歪み線図を表した図である。

【図4】実施例３の情報処理装置における耐衝撃支持構
造を模式的に示す図である。ここで、(a)は上面図であ
り、(b)及び(c)はそれぞれ(a)に示されている直線4(b)
−4(b)及び4(c)−4(c)に沿った断面図である。

【図5】実施例４のバネ5の概形を示す図である。

【図6】実施例４の衝撃吸収弾性体2b、バネ5、及び、両
方を合わせたものにおける圧縮力と圧縮量との関係を表
す図である。

【図7】実施例５の情報処理装置における耐衝撃支持構
造を模式的に示す図である。ここで、(a)は上面図であ
り、(b)及び(c)はそれぞれ(a)に示されている直線7(b)
−7(b)及び7(c)−7(c)に沿った断面図である。

【図8】実施例６の情報処理装置における耐衝撃支持構
造を模式的に示す図である。ここで、(a)は上面図であ
り、(b)及び(c)はそれぞれ(a)に示されている直線8(b)
−8(b)及び8(c)−8(c)に沿った断面図である。

【図9】実施例７の情報処理装置における衝撃吸収弾性
体2aを表す平面図、正面図、及び側面図。

【図10】実施例８の情報処理装置における衝撃吸収弾性
体2aを表す平面図、正面図、及び側面図。

【図11】従来の情報処理装置における耐衝撃支持構造を
模式的に示す図である。ここで、(a)は筐体3の一部を取
り除いた時の上面図であり、(b)及び(c)はそれぞれ(a)
に示されている直線11(b)−11(b)及び11(c)−11(c)に沿
った断面図である。

【図12】従来の衝撃吸収弾性体2a及び2bの圧縮応力−圧
縮歪み線図を表す図である。

【符号の説明】

1 内蔵デバイス 1a 内蔵デバイスの上面 1b 内蔵デバイスの下面 1c 内蔵デバイスの外形の中心 2a、2b、2c、2d 衝撃吸収弾性体 3 情報処理装置の筐体 3a 上側筐体の内面 3b 下側筐体の内面 4 上面1aに射影された内蔵デバイス1
の重心の位置 5 バネ 9 筒 9a 外側の筒 9b 内側の筒 10 衝撃吸収弾性体2aの凹部 11 衝撃吸収弾性体2aの側面の穴 12 上側筐体の内面3aの穴

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 篠原 睦夫 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 4E360 AB51 ED03 ED23 ED27 EE02 GA12 GA14 GA52 GA54 GB46 GC08

Claims (16)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 実質的に平板状の外形を有し、重心が前
   記外形の中心とは実質的に一致しない内蔵デバイス；互
   いの内面を対向させるように互いにはめ合わされて、前
   記内面間に前記内蔵デバイスを収める上側筐体及び下側
   筐体；前記内蔵デバイスの上面と前記上側筐体の前記内
   面との間に配置され、前記内蔵デバイスに働く上向きの
   慣性力によりそれぞれ均等に圧縮される、複数の上側衝
   撃吸収弾性体；及び、 前記内蔵デバイスの下面と前記下側筐体の前記内面との
   間に配置され、前記内蔵デバイスに働く下向きの慣性力
   によりそれぞれ均等に圧縮される、複数の下側衝撃吸収
   弾性体；を有する情報処理装置内蔵デバイスの耐衝撃支
   持構造。
2. 【請求項２】 前記複数の上側衝撃吸収弾性体それぞれ
   と前記内蔵デバイスの上面との接触面、及び、前記複数
   の下側衝撃吸収弾性体それぞれと前記内蔵デバイスの下
   面との接触面が、前記内蔵デバイスの重心に近いものほ
   ど大きく、遠いものほど小さい、請求項１記載の情報処
   理装置内蔵デバイスの耐衝撃支持構造。
3. 【請求項３】 前記複数の上側衝撃吸収弾性体それぞれ
   と前記内蔵デバイスの上面との接触面の中心を頂点とす
   る図形の重心、及び、 前記複数の下側衝撃吸収弾性体それぞれと前記内蔵デバ
   イスの下面との接触面の中心を頂点とする図形の重心
   が、 前記内蔵デバイスの重心の上方及び下方にそれぞれあ
   る、 請求項１記載の情報処理装置内蔵デバイスの耐衝撃支持
   構造。
4. 【請求項４】 実質的に平板状の外形を有する内蔵デバ
   イス；互いの内面を対向させるように互いにはめ合わさ
   れて、前記内面間に前記内蔵デバイスを収める上側筐体
   及び下側筐体；並びに、 応力−歪み線図の傾きが所定の大きさ以上であるような
   歪みを予め与えられて、 (a) 前記内蔵デバイスの上面と前記上側筐体の前記内
   面との間に配置された上側衝撃吸収弾性体、及び、 (b) 前記内蔵デバイスの下面と前記下側筐体の前記内
   面との間に配置された下側衝撃吸収弾性体；を有する情
   報処理装置内蔵デバイスの耐衝撃支持構造。
5. 【請求項５】 実質的に平板状の外形を有する内蔵デバ
   イス；互いの内面を対向させるように互いにはめ合わさ
   れて、前記内面間に前記内蔵デバイスを収める上側筐体
   及び下側筐体；前記内蔵デバイスの上面と前記上側筐体
   の前記内面との間に配置された上側衝撃吸収弾性体；前
   記内蔵デバイスの下面と前記下側筐体の前記内面との間
   に配置された下側衝撃吸収弾性体；及び、 前記上側衝撃吸収弾性体及び前記下側衝撃吸収弾性体そ
   れぞれと並列して前記内蔵デバイスの上面及び下面上に
   それぞれ配置され、所定の歪みの範囲で前記上側衝撃吸
   収弾性体及び前記下側衝撃吸収弾性体よりも大きな弾性
   力を生じる弾性構造体を有する情報処理装置内蔵デバイ
   スの耐衝撃支持構造。
6. 【請求項６】 所定の大きさの衝撃力で脆性破壊を起こ
   すような前記弾性構造体を有する請求項５記載の情報処
   理装置内蔵デバイスの耐衝撃支持構造。
7. 【請求項７】 前記上側衝撃吸収弾性体及び前記下側衝
   撃吸収弾性体が、それぞれ前記弾性構造体に内包され
   る、請求項５または請求項６記載の情報処理装置内蔵デ
   バイスの耐衝撃支持構造。
8. 【請求項８】 前記弾性構造体が耐衝撃強度の異なる複
   数種を並列させたものから成る、請求項６記載の情報処
   理装置内蔵デバイスの耐衝撃支持構造。
9. 【請求項９】 前記弾性構造体が、耐衝撃強度の比較的
   強いものが比較的弱いものを内包する構造を有し、その
   最内部に前記上側衝撃吸収弾性体または前記下側衝撃吸
   収弾性体を内包する、請求項８記載の情報処理装置内蔵
   デバイスの耐衝撃支持構造。
10. 【請求項１０】 軸に垂直な断面における外側の境界線
    が閉じているような筒状の前記弾性構造体を有する請求
    項７または請求項９記載の情報処理装置内蔵デバイスの
    耐衝撃支持構造。
11. 【請求項１１】 前記弾性構造体の断面が円または楕円
    である、請求項１０記載の情報処理装置内蔵デバイスの
    耐衝撃支持構造。
12. 【請求項１２】 前記弾性構造体が樹脂から成る、請求
    項５から請求項１１までのいずれか一項に記載の情報処
    理装置内蔵デバイスの耐衝撃支持構造。
13. 【請求項１３】 前記弾性構造体が金属から成る、請求
    項５記載の情報処理装置内蔵デバイスの耐衝撃支持構
    造。
14. 【請求項１４】 実質的に平板状の外形を有する内蔵デ
    バイス；互いの内面を対向させるように互いにはめ合わ
    されて、前記内面間に前記内蔵デバイスを収める上側筐
    体及び下側筐体；前記内蔵デバイスの上面と前記上側筐
    体の前記内面との間に配置された上側衝撃吸収弾性体；
    及び、 前記内蔵デバイスの下面と前記下側筐体の前記内面との
    間に配置された下側衝撃吸収弾性体；を有し、 前記上側衝撃吸収弾性体の内面または前記内蔵デバイス
    の上面または前記上側筐体の前記内面で囲まれた空間、
    及び、 前記下側衝撃吸収弾性体の内面または前記内蔵デバイス
    の下面または前記下側筐体の前記内面で囲まれた空間、 がそれぞれ、前記空間を囲むそれぞれの面に対して十分
    小さいサイズの***でのみ外部と通じる、 情報処理装置内蔵デバイスの耐衝撃支持構造。
15. 【請求項１５】 前記***が前記上側衝撃吸収弾性体及
    び前記下側衝撃吸収弾性体の側壁に設けられた、請求項
    １４記載の情報処理装置内蔵デバイスの耐衝撃支持構
    造。
16. 【請求項１６】 前記***が前記上側衝撃吸収弾性体及
    び前記下側衝撃吸収弾性体それぞれの内面に面した前記
    上側筐体の前記内面及び前記下側筐体の前記内面にそれ
    ぞれ設けられた、請求項１４記載の情報処理装置内蔵デ
    バイスの耐衝撃支持構造。