JP2001231251A - 非絶縁型ｄｃ−ｄｃコンバータ - Google Patents
非絶縁型ｄｃ−ｄｃコンバータInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータに過電流保護機
能を設ける。 【解決手段】主半導体スイッチ回路３１，リアクトル３
２，コンデンサ３３，第１半導体スイッチ回路３４，コ
ンデンサ３５，第２半導体スイッチ回路３６，電流検出
手段４１で構成された非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータ１
１において、電流検出手段４１が過電流を検出したとき
に、主半導体スイッチ回路３１，第１半導体スイッチ回
路３４，第２半導体スイッチ３６のうち、少なくともい
ずれか一つをオフさせる。
能を設ける。 【解決手段】主半導体スイッチ回路３１，リアクトル３
２，コンデンサ３３，第１半導体スイッチ回路３４，コ
ンデンサ３５，第２半導体スイッチ回路３６，電流検出
手段４１で構成された非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータ１
１において、電流検出手段４１が過電流を検出したとき
に、主半導体スイッチ回路３１，第１半導体スイッチ回
路３４，第２半導体スイッチ３６のうち、少なくともい
ずれか一つをオフさせる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は非絶縁型ＤＣ−Ｄ
Ｃコンバータ（チョッパ回路とも称する）に係わり、特
に、該ＤＣ−ＤＣコンバータの過電流保護ための回路構
成に関する。
Ｃコンバータ（チョッパ回路とも称する）に係わり、特
に、該ＤＣ−ＤＣコンバータの過電流保護ための回路構
成に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータ
として、同一出願人による平成１１年特許願第９８２４
５号に記載されている回路構成のものがある。
として、同一出願人による平成１１年特許願第９８２４
５号に記載されている回路構成のものがある。
【０００３】図１６は、前記平成１１年特許願第９８２
４５号に記載されている非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータ
に相当する主回路構成図である。
４５号に記載されている非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータ
に相当する主回路構成図である。
【０００４】図１６において、１は高圧直流電源、２は
低圧直流電源、１０は非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータで
ある。
低圧直流電源、１０は非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータで
ある。
【０００５】この非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータ１０
は、図示の如き極性に接続されるＭＯＳＦＥＴ３１ａ，
３１ｂと図示しない主半導体スイッチ制御回路とからな
る主半導体スイッチ回路３１と、リアクトル３２と、コ
ンデンサ３３と、図示の如き極性に接続されるＭＯＳＦ
ＥＴと図示しない第１半導体スイッチ制御回路とからな
る第１半導体スイッチ回路３４と、コンデンサ３５と、
図示の如き極性に接続されるＭＯＳＦＥＴと図示しない
第２半導体スイッチ制御回路とからなる第２半導体スイ
ッチ回路３６とから構成されている。
は、図示の如き極性に接続されるＭＯＳＦＥＴ３１ａ，
３１ｂと図示しない主半導体スイッチ制御回路とからな
る主半導体スイッチ回路３１と、リアクトル３２と、コ
ンデンサ３３と、図示の如き極性に接続されるＭＯＳＦ
ＥＴと図示しない第１半導体スイッチ制御回路とからな
る第１半導体スイッチ回路３４と、コンデンサ３５と、
図示の如き極性に接続されるＭＯＳＦＥＴと図示しない
第２半導体スイッチ制御回路とからなる第２半導体スイ
ッチ回路３６とから構成されている。
【０００６】図１６に示した非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバ
ータ１０において、通常動作時には第１半導体スイッチ
回路３４と第２半導体スイッチ回路３６とを共にオン状
態とし、主半導体スイッチ回路３１を構成するＭＯＳＦ
ＥＴ３１ａとＭＯＳＦＥＴ３１ｂとを交互のオンさせる
ときの両者のオン期間の比率などを前記主半導体スイッ
チ制御回路により調整することで高圧直流電源１と低圧
直流電源２との間でいずれか一方向又は双方向に電力を
供給できることは周知である。
ータ１０において、通常動作時には第１半導体スイッチ
回路３４と第２半導体スイッチ回路３６とを共にオン状
態とし、主半導体スイッチ回路３１を構成するＭＯＳＦ
ＥＴ３１ａとＭＯＳＦＥＴ３１ｂとを交互のオンさせる
ときの両者のオン期間の比率などを前記主半導体スイッ
チ制御回路により調整することで高圧直流電源１と低圧
直流電源２との間でいずれか一方向又は双方向に電力を
供給できることは周知である。
【０００７】なお、この非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータ
１０において、高圧直流電源１から低圧直流電源２へ電
力を供給する、いわゆる降圧動作を行わせるときには、
ＭＯＳＦＥＴ３１ｂを常にオフ状態にして図示の破線の
寄生ダイオードのみを動作させるか、又は、前記平成１
１年特許願第９８２４５号に記載されている如くＭＯＳ
ＦＥＴ３１ｂをダイオードに取り替えてもよい。
１０において、高圧直流電源１から低圧直流電源２へ電
力を供給する、いわゆる降圧動作を行わせるときには、
ＭＯＳＦＥＴ３１ｂを常にオフ状態にして図示の破線の
寄生ダイオードのみを動作させるか、又は、前記平成１
１年特許願第９８２４５号に記載されている如くＭＯＳ
ＦＥＴ３１ｂをダイオードに取り替えてもよい。
【０００８】また、図１６に示した非絶縁型ＤＣ−ＤＣ
コンバータ１０において、上述の如く通常動作時は、第
１半導体スイッチ回路３４のＭＯＳＦＥＴはオン状態に
し、破線の寄生ダイオードを動作させることなく、順方
向，逆方向共に通流可能にしているが、例えば、高圧直
流電源１を誤って逆極性に接続されたときには、これを
前記第１半導体スイッチ制御回路により検知して第１半
導体スイッチ回路３４のＭＯＳＦＥＴはオフ状態にする
ことにより、前記ＭＯＳＦＥＴ３１ａの破線の寄生ダイ
オードを介して流れる短絡電流が阻止される。
コンバータ１０において、上述の如く通常動作時は、第
１半導体スイッチ回路３４のＭＯＳＦＥＴはオン状態に
し、破線の寄生ダイオードを動作させることなく、順方
向，逆方向共に通流可能にしているが、例えば、高圧直
流電源１を誤って逆極性に接続されたときには、これを
前記第１半導体スイッチ制御回路により検知して第１半
導体スイッチ回路３４のＭＯＳＦＥＴはオフ状態にする
ことにより、前記ＭＯＳＦＥＴ３１ａの破線の寄生ダイ
オードを介して流れる短絡電流が阻止される。
【０００９】同様に、図１６に示した非絶縁型ＤＣ−Ｄ
Ｃコンバータ１０において、上述の如く通常動作時は、
第２半導体スイッチ回路３６のＭＯＳＦＥＴはオン状態
にし、破線の寄生ダイオードを動作させることなく、順
方向，逆方向共に通流可能にしているが、例えば、低圧
直流電源２を誤って逆極性に接続されたときには、これ
を前記第２半導体スイッチ制御回路により検知して第２
半導体スイッチ回路３６のＭＯＳＦＥＴはオフ状態にす
ることにより、前記ＭＯＳＦＥＴ３１ｂの破線の寄生ダ
イオードを介して流れる短絡電流が阻止される。
Ｃコンバータ１０において、上述の如く通常動作時は、
第２半導体スイッチ回路３６のＭＯＳＦＥＴはオン状態
にし、破線の寄生ダイオードを動作させることなく、順
方向，逆方向共に通流可能にしているが、例えば、低圧
直流電源２を誤って逆極性に接続されたときには、これ
を前記第２半導体スイッチ制御回路により検知して第２
半導体スイッチ回路３６のＭＯＳＦＥＴはオフ状態にす
ることにより、前記ＭＯＳＦＥＴ３１ｂの破線の寄生ダ
イオードを介して流れる短絡電流が阻止される。
【００１０】図１７は、図１６に示した回路構成とは別
の前記平成１１年特許願第９８２４５号に記載されてい
る非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータに相当する主回路構成
図であり、図１６に示した回路構成と同一機能を有する
ものには同一符号を付して重複する説明を省略する。
の前記平成１１年特許願第９８２４５号に記載されてい
る非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータに相当する主回路構成
図であり、図１６に示した回路構成と同一機能を有する
ものには同一符号を付して重複する説明を省略する。
【００１１】すなわち図１７に示した非絶縁型ＤＣ−Ｄ
Ｃコンバータ２０が図１６に示した回路構成と異なる点
は、第２半導体スイッチ回路３７として、図示の如き極
性に接続されたＭＯＳＦＥＴ３７ａ，３７ｂと図示しな
い第２半導体スイッチ制御回路とを備えている。
Ｃコンバータ２０が図１６に示した回路構成と異なる点
は、第２半導体スイッチ回路３７として、図示の如き極
性に接続されたＭＯＳＦＥＴ３７ａ，３７ｂと図示しな
い第２半導体スイッチ制御回路とを備えている。
【００１２】前記ＭＯＳＦＥＴ３７ａは上述の第２半導
体スイッチ回路３６のＭＯＳＦＥＴと同様の保護動作を
行ない、また、前記ＭＯＳＦＥＴ３７ｂは、例えば、高
圧直流電源１を誤って逆極性に接続し、その結果、コン
デンサ３３の両端電圧が異常下降したときに、前記第２
半導体スイッチ制御回路がこれを検知して前記ＭＯＳＦ
ＥＴ３７ａ，３７ｂ共にオフ状態にすることにより、低
圧直流電源２から前記ＭＯＳＦＥＴ３７ａの破線の寄生
ダイオードを介してコンデンサ３３に流れる過電流を阻
止することができる。
体スイッチ回路３６のＭＯＳＦＥＴと同様の保護動作を
行ない、また、前記ＭＯＳＦＥＴ３７ｂは、例えば、高
圧直流電源１を誤って逆極性に接続し、その結果、コン
デンサ３３の両端電圧が異常下降したときに、前記第２
半導体スイッチ制御回路がこれを検知して前記ＭＯＳＦ
ＥＴ３７ａ，３７ｂ共にオフ状態にすることにより、低
圧直流電源２から前記ＭＯＳＦＥＴ３７ａの破線の寄生
ダイオードを介してコンデンサ３３に流れる過電流を阻
止することができる。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】上述の如く、図１６，
１７に示した非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータ１０，２０
は、．高圧直流電源１の逆極性接続、．低圧直流電
源２の逆極性接続、．高圧直流電源１と低圧直流電源
２とを入れ違えて接続したときなどには、第１半導体ス
イッチ回路３４と、第２半導体スイッチ回路３６または
第２半導体スイッチ回路３７とによりこれらの誤接続に
よる非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータ１０，２０の内部の
損傷は保護されており、例えば、定期的に保守点検が行
われ、その際に上述の誤接続の恐れがある自動車の内部
電源に供される用途などにおける実使用上の問題点は除
かれているが、さらに、この種の非絶縁型ＤＣ−ＤＣコ
ンバータにおいては、該ＤＣ−ＤＣコンバータ内部の異
常動作、例えば、構成する半導体素子の破損に対しても
保護できることが望まれている。
１７に示した非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータ１０，２０
は、．高圧直流電源１の逆極性接続、．低圧直流電
源２の逆極性接続、．高圧直流電源１と低圧直流電源
２とを入れ違えて接続したときなどには、第１半導体ス
イッチ回路３４と、第２半導体スイッチ回路３６または
第２半導体スイッチ回路３７とによりこれらの誤接続に
よる非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータ１０，２０の内部の
損傷は保護されており、例えば、定期的に保守点検が行
われ、その際に上述の誤接続の恐れがある自動車の内部
電源に供される用途などにおける実使用上の問題点は除
かれているが、さらに、この種の非絶縁型ＤＣ−ＤＣコ
ンバータにおいては、該ＤＣ−ＤＣコンバータ内部の異
常動作、例えば、構成する半導体素子の破損に対しても
保護できることが望まれている。
【００１４】この発明の目的は、上記課題を解決する非
絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータを提供することにある。
絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータを提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】この第１の発明は、高圧
直流電源と低圧直流電源との間でいずれか一方向又は双
方向に電力を供給するためにオン，オフ動作を行う主半
導体スイッチ回路と、該主半導体スイッチ回路の前記高
圧直流電源側及び低圧直流電源側に配置され、保護動作
を行う第１及び第２半導体スイッチ回路とからなる非絶
縁型ＤＣ−ＤＣコンバータに、前記主半導体スイッチ回
路の電流を検出する電流検出手段を設け、該電流検出手
段により検出された電流が規定値を超えたときに、前記
主半導体スイッチ回路，第１半導体スイッチ回路，第２
半導体スイッチ回路のうち、少なくともいずれか一つを
オフするようにしたことを特徴とする非絶縁型ＤＣ−Ｄ
Ｃコンバータにする。
直流電源と低圧直流電源との間でいずれか一方向又は双
方向に電力を供給するためにオン，オフ動作を行う主半
導体スイッチ回路と、該主半導体スイッチ回路の前記高
圧直流電源側及び低圧直流電源側に配置され、保護動作
を行う第１及び第２半導体スイッチ回路とからなる非絶
縁型ＤＣ−ＤＣコンバータに、前記主半導体スイッチ回
路の電流を検出する電流検出手段を設け、該電流検出手
段により検出された電流が規定値を超えたときに、前記
主半導体スイッチ回路，第１半導体スイッチ回路，第２
半導体スイッチ回路のうち、少なくともいずれか一つを
オフするようにしたことを特徴とする非絶縁型ＤＣ−Ｄ
Ｃコンバータにする。
【００１６】第２の発明は前記第１の発明の非絶縁型Ｄ
Ｃ−ＤＣコンバータにおいて、前記電流検出手段はＣＴ
とし、該ＣＴの一次巻線には前記主半導体スイッチ回路
の電流を流すようにしたことを特徴とする。
Ｃ−ＤＣコンバータにおいて、前記電流検出手段はＣＴ
とし、該ＣＴの一次巻線には前記主半導体スイッチ回路
の電流を流すようにしたことを特徴とする。
【００１７】第３の発明は前記第１の発明の非絶縁型Ｄ
Ｃ−ＤＣコンバータにおいて、前記電流検出手段はＣＴ
と、該ＣＴの一次巻線に直列接続され該巻線の通流制御
半導体素子とからなることを特徴とする。
Ｃ−ＤＣコンバータにおいて、前記電流検出手段はＣＴ
と、該ＣＴの一次巻線に直列接続され該巻線の通流制御
半導体素子とからなることを特徴とする。
【００１８】第４の発明は前記第３の発明の非絶縁型Ｄ
Ｃ−ＤＣコンバータにおいて、前記主半導体スイッチ回
路と通流制御半導体素子とは互いに同期してオン又はオ
フするようにしたことを特徴とする。
Ｃ−ＤＣコンバータにおいて、前記主半導体スイッチ回
路と通流制御半導体素子とは互いに同期してオン又はオ
フするようにしたことを特徴とする。
【００１９】第５の発明は前記第３又は第４の発明の非
絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータにおいて、前記電流検出手
段側の回路時定数と前記主半導体スイッチ回路側の回路
時定数とをほぼ等しく設定したことを特徴とする。
絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータにおいて、前記電流検出手
段側の回路時定数と前記主半導体スイッチ回路側の回路
時定数とをほぼ等しく設定したことを特徴とする。
【００２０】第６の発明は、高圧直流電源と低圧直流電
源との間でいずれか一方向又は双方向に電力を供給する
ためにオン，オフ動作を行う主半導体スイッチ回路と、
該主半導体スイッチ回路の前記高圧直流電源側及び低圧
直流電源側に配置され、保護動作を行う第１及び第２半
導体スイッチ回路とからなる非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバ
ータに、前記第１半導体スイッチ回路の電流を検出する
電流検出手段を設け、該電流検出手段により検出された
電流が規定値を超えたときに、前記主半導体スイッチ回
路，第１半導体スイッチ回路，第２半導体スイッチ回路
のうち、少なくともいずれか一つをオフするようにした
ことを特徴とする非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータにす
る。
源との間でいずれか一方向又は双方向に電力を供給する
ためにオン，オフ動作を行う主半導体スイッチ回路と、
該主半導体スイッチ回路の前記高圧直流電源側及び低圧
直流電源側に配置され、保護動作を行う第１及び第２半
導体スイッチ回路とからなる非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバ
ータに、前記第１半導体スイッチ回路の電流を検出する
電流検出手段を設け、該電流検出手段により検出された
電流が規定値を超えたときに、前記主半導体スイッチ回
路，第１半導体スイッチ回路，第２半導体スイッチ回路
のうち、少なくともいずれか一つをオフするようにした
ことを特徴とする非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータにす
る。
【００２１】第７の発明は前記第６の発明の非絶縁型Ｄ
Ｃ−ＤＣコンバータにおいて、前記電流検出手段はＣＴ
とし、該ＣＴの一次巻線には前記第１半導体スイッチ回
路の電流を流すようにしたことを特徴とする。
Ｃ−ＤＣコンバータにおいて、前記電流検出手段はＣＴ
とし、該ＣＴの一次巻線には前記第１半導体スイッチ回
路の電流を流すようにしたことを特徴とする。
【００２２】第８の発明は前記第６の発明の非絶縁型Ｄ
Ｃ−ＤＣコンバータにおいて、前記電流検出手段はＣＴ
と、該ＣＴの一次巻線に直列接続され該巻線の通流制御
半導体素子とからなることを特徴とする。
Ｃ−ＤＣコンバータにおいて、前記電流検出手段はＣＴ
と、該ＣＴの一次巻線に直列接続され該巻線の通流制御
半導体素子とからなることを特徴とする。
【００２３】第９の発明は前記第８の発明の非絶縁型Ｄ
Ｃ−ＤＣコンバータにおいて、前記第１半導体スイッチ
回路と通流制御半導体素子とは互いに同期してオン又は
オフするようにしたことを特徴とする。
Ｃ−ＤＣコンバータにおいて、前記第１半導体スイッチ
回路と通流制御半導体素子とは互いに同期してオン又は
オフするようにしたことを特徴とする。
【００２４】第１０の発明は前記第８又は第９の発明の
非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータにおいて、前記電流検出
手段側の回路時定数と前記第１半導体スイッチ回路側の
回路時定数とをほぼ等しく設定したことを特徴とする。
非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータにおいて、前記電流検出
手段側の回路時定数と前記第１半導体スイッチ回路側の
回路時定数とをほぼ等しく設定したことを特徴とする。
【００２５】第１１の発明は、高圧直流電源と低圧直流
電源との間でいずれか一方向又は双方向に電力を供給す
るためにオン，オフ動作を行う主半導体スイッチ回路
と、該主半導体スイッチ回路の前記高圧直流電源側及び
低圧直流電源側に配置され、保護動作を行う第１及び第
２半導体スイッチ回路とからなる非絶縁型ＤＣ−ＤＣコ
ンバータに、前記第２半導体スイッチ回路の電流を検出
する電流検出手段を設け、該電流検出手段により検出さ
れた電流が規定値を超えたときに、前記主半導体スイッ
チ回路，第１半導体スイッチ回路，第２半導体スイッチ
回路のうち、少なくともいずれか一つをオフするように
したことを特徴とする非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータと
する。
電源との間でいずれか一方向又は双方向に電力を供給す
るためにオン，オフ動作を行う主半導体スイッチ回路
と、該主半導体スイッチ回路の前記高圧直流電源側及び
低圧直流電源側に配置され、保護動作を行う第１及び第
２半導体スイッチ回路とからなる非絶縁型ＤＣ−ＤＣコ
ンバータに、前記第２半導体スイッチ回路の電流を検出
する電流検出手段を設け、該電流検出手段により検出さ
れた電流が規定値を超えたときに、前記主半導体スイッ
チ回路，第１半導体スイッチ回路，第２半導体スイッチ
回路のうち、少なくともいずれか一つをオフするように
したことを特徴とする非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータと
する。
【００２６】第１２の発明は前記第１１の発明の非絶縁
型ＤＣ−ＤＣコンバータにおいて、前記電流検出手段は
ＣＴとし、該ＣＴの一次巻線には前記第２半導体スイッ
チ回路の電流を流すようにしたことを特徴とする。
型ＤＣ−ＤＣコンバータにおいて、前記電流検出手段は
ＣＴとし、該ＣＴの一次巻線には前記第２半導体スイッ
チ回路の電流を流すようにしたことを特徴とする。
【００２７】第１３の発明は前記第１１の発明の非絶縁
型ＤＣ−ＤＣコンバータにおいて、前記電流検出手段は
ＣＴと、該ＣＴの一次巻線に直列接続され該巻線の通流
制御半導体素子とからなることを特徴とする。
型ＤＣ−ＤＣコンバータにおいて、前記電流検出手段は
ＣＴと、該ＣＴの一次巻線に直列接続され該巻線の通流
制御半導体素子とからなることを特徴とする。
【００２８】第１４の発明は前記第１３の発明の非絶縁
型ＤＣ−ＤＣコンバータにおいて、前記第２半導体スイ
ッチ回路と通流制御半導体素子とは互いに同期してオン
又はオフするようにしたことを特徴とする。
型ＤＣ−ＤＣコンバータにおいて、前記第２半導体スイ
ッチ回路と通流制御半導体素子とは互いに同期してオン
又はオフするようにしたことを特徴とする。
【００２９】第１５の発明は前記第１３又は第１４の発
明の非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータにおいて、前記電流
検出手段側の回路時定数と前記第２半導体スイッチ回路
側の回路時定数とをほぼ等しく設定したことを特徴とす
る。
明の非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータにおいて、前記電流
検出手段側の回路時定数と前記第２半導体スイッチ回路
側の回路時定数とをほぼ等しく設定したことを特徴とす
る。
【００３０】第１６の発明は前記第１乃至第１５のいず
れかの発明の非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータにおいて、
前記非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータを構成するそれぞれ
の半導体素子は、ユニポーラ型半導体素子としたことを
特徴とする。
れかの発明の非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータにおいて、
前記非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータを構成するそれぞれ
の半導体素子は、ユニポーラ型半導体素子としたことを
特徴とする。
【００３１】第１７の発明は前記第１６の発明の非絶縁
型ＤＣ−ＤＣコンバータにおいて、前記ユニポーラ型半
導体素子は、ＭＯＳＦＥＴとしたことを特徴とする。
型ＤＣ−ＤＣコンバータにおいて、前記ユニポーラ型半
導体素子は、ＭＯＳＦＥＴとしたことを特徴とする。
【００３２】この発明は，前記非絶縁型ＤＣ−ＤＣコン
バータそれぞれに備える前記主半導体スイッチ回路を構
成する半導体素子のいずれかが破損したときには、この
破損に伴って発生する異常電流が他の健全な半導体素子
に流れることに着目し、前記電流検出手段によりこの異
常電流を検知して前記健全な半導体素子をオフすること
により、このＤＣ−ＤＣコンバータでの破損の拡大を阻
止している。
バータそれぞれに備える前記主半導体スイッチ回路を構
成する半導体素子のいずれかが破損したときには、この
破損に伴って発生する異常電流が他の健全な半導体素子
に流れることに着目し、前記電流検出手段によりこの異
常電流を検知して前記健全な半導体素子をオフすること
により、このＤＣ−ＤＣコンバータでの破損の拡大を阻
止している。
【００３３】
【発明の実施の形態】図１は、この発明の第１の実施例
を示す非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータの回路構成図であ
り、図１６に示した回路構成と同一機能を有するものに
は同一符号を付して重複する説明を省略する。
を示す非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータの回路構成図であ
り、図１６に示した回路構成と同一機能を有するものに
は同一符号を付して重複する説明を省略する。
【００３４】すなわち図1に示した非絶縁型ＤＣ−ＤＣ
コンバータ１１には、主半導体スイッチ回路３１を構成
するＭＯＳＦＥＴ３１ａのドレイン端子側に、一次巻線
を前記ドレイン端子側としたＣＴ４１ａ，ＣＴ４１ａの
二次巻線の両端に接続される抵抗４１ｂ，ＣＴ４１ａの
一次巻線の電流が増大して抵抗４１ｂの両端電圧が規定
値を超えたときに「過電流」信号を出力する比較器４１
ｃからなる電流検出手段４１が挿設されている。
コンバータ１１には、主半導体スイッチ回路３１を構成
するＭＯＳＦＥＴ３１ａのドレイン端子側に、一次巻線
を前記ドレイン端子側としたＣＴ４１ａ，ＣＴ４１ａの
二次巻線の両端に接続される抵抗４１ｂ，ＣＴ４１ａの
一次巻線の電流が増大して抵抗４１ｂの両端電圧が規定
値を超えたときに「過電流」信号を出力する比較器４１
ｃからなる電流検出手段４１が挿設されている。
【００３５】この非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータ１１に
おいて、主半導体スイッチ回路３１のＭＯＳＦＥＴ３１
ｂが短絡故障すると、主半導体スイッチ回路３１のＭＯ
ＳＦＥＴ３１ａがオン時に高圧直流電源１から電流検出
手段４１を経由した異常電流（短絡電流）が流れるの
で、電流検出手段４１がこれを検知して「過電流」信号
を出力し、この「過電流」信号により主半導体スイッチ
回路３１と第２半導体スイッチ回路３６とをオフさせ
て、この非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータ１１での破損の
拡大を阻止している。
おいて、主半導体スイッチ回路３１のＭＯＳＦＥＴ３１
ｂが短絡故障すると、主半導体スイッチ回路３１のＭＯ
ＳＦＥＴ３１ａがオン時に高圧直流電源１から電流検出
手段４１を経由した異常電流（短絡電流）が流れるの
で、電流検出手段４１がこれを検知して「過電流」信号
を出力し、この「過電流」信号により主半導体スイッチ
回路３１と第２半導体スイッチ回路３６とをオフさせ
て、この非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータ１１での破損の
拡大を阻止している。
【００３６】図２は、この発明の第２の実施例を示す非
絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータの回路構成図であり、図１
６に示した回路構成と同一機能を有するものには同一符
号を付して重複する説明を省略する。
絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータの回路構成図であり、図１
６に示した回路構成と同一機能を有するものには同一符
号を付して重複する説明を省略する。
【００３７】すなわち図２に示した非絶縁型ＤＣ−ＤＣ
コンバータ１２には、主半導体スイッチ回路３１を構成
するＭＯＳＦＥＴ３１ｂのドレイン端子側に、一次巻線
を前記ドレイン端子側としたＣＴ４２ａ，ＣＴ４２ａの
二次巻線の両端に接続される抵抗４２ｂ，ＣＴ４２ａの
一次巻線の電流が増大して抵抗４２ｂの両端電圧が規定
値を超えたときに「過電流」信号を出力する比較器４２
ｃからなる電流検出手段４２が挿設されている。
コンバータ１２には、主半導体スイッチ回路３１を構成
するＭＯＳＦＥＴ３１ｂのドレイン端子側に、一次巻線
を前記ドレイン端子側としたＣＴ４２ａ，ＣＴ４２ａの
二次巻線の両端に接続される抵抗４２ｂ，ＣＴ４２ａの
一次巻線の電流が増大して抵抗４２ｂの両端電圧が規定
値を超えたときに「過電流」信号を出力する比較器４２
ｃからなる電流検出手段４２が挿設されている。
【００３８】この非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータ１２に
おいて、主半導体スイッチ回路３１のＭＯＳＦＥＴ３１
ａが短絡故障すると、例えば、主半導体スイッチ回路３
１のＭＯＳＦＥＴ３１ｂがオン時に高圧直流電源１から
電流検出手段４２を経由した異常電流（短絡電流）が流
れるので、電流検出手段４２がこれを検知して「過電
流」信号を出力し、この「過電流」信号により主半導体
スイッチ回路３１と第２半導体スイッチ回路３６とをオ
フさせて、この非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータ１２での
破損の拡大を阻止している。
おいて、主半導体スイッチ回路３１のＭＯＳＦＥＴ３１
ａが短絡故障すると、例えば、主半導体スイッチ回路３
１のＭＯＳＦＥＴ３１ｂがオン時に高圧直流電源１から
電流検出手段４２を経由した異常電流（短絡電流）が流
れるので、電流検出手段４２がこれを検知して「過電
流」信号を出力し、この「過電流」信号により主半導体
スイッチ回路３１と第２半導体スイッチ回路３６とをオ
フさせて、この非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータ１２での
破損の拡大を阻止している。
【００３９】図３は、この発明の第３の実施例を示す非
絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータの回路構成図であり、図１
６に示した回路構成と同一機能を有するものには同一符
号を付して重複する説明を省略する。
絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータの回路構成図であり、図１
６に示した回路構成と同一機能を有するものには同一符
号を付して重複する説明を省略する。
【００４０】すなわち図３に示した非絶縁型ＤＣ−ＤＣ
コンバータ１３には、主半導体スイッチ回路３１を構成
するＭＯＳＦＥＴ３１ａのドレイン端子とソース端子間
に、一次巻線の一端を前記ドレイン端子側としたＣＴ５
１ａ，図示の極性に接続されてＭＯＳＦＥＴ３１ａと互
いに同期してオン，オフするるＭＯＳＦＥＴ５１ｂ，Ｃ
Ｔ５１ａの二次巻線の両端に接続される抵抗５１ｃ，Ｃ
Ｔ５１ａの一次巻線の電流が増大して抵抗５１ｃの両端
電圧が規定値を超えたときに「過電流」信号を出力する
比較器５１ｄからなる電流検出手段５１が接続されてい
る。
コンバータ１３には、主半導体スイッチ回路３１を構成
するＭＯＳＦＥＴ３１ａのドレイン端子とソース端子間
に、一次巻線の一端を前記ドレイン端子側としたＣＴ５
１ａ，図示の極性に接続されてＭＯＳＦＥＴ３１ａと互
いに同期してオン，オフするるＭＯＳＦＥＴ５１ｂ，Ｃ
Ｔ５１ａの二次巻線の両端に接続される抵抗５１ｃ，Ｃ
Ｔ５１ａの一次巻線の電流が増大して抵抗５１ｃの両端
電圧が規定値を超えたときに「過電流」信号を出力する
比較器５１ｄからなる電流検出手段５１が接続されてい
る。
【００４１】ここで先ず、この発明の実施例回路に係わ
る基本的要件として、主半導体スイッチ回路３１，第１
半導体スイッチ回路３４，第２半導体スイッチ回路３６
又は３７を構成するそれぞれのＭＯＳＦＥＴと、ＭＯＳ
ＦＥＴ５１ｂとが有する電圧−電流特性について、図４
に示す特性図を参照しつつ、以下に説明をする。
る基本的要件として、主半導体スイッチ回路３１，第１
半導体スイッチ回路３４，第２半導体スイッチ回路３６
又は３７を構成するそれぞれのＭＯＳＦＥＴと、ＭＯＳ
ＦＥＴ５１ｂとが有する電圧−電流特性について、図４
に示す特性図を参照しつつ、以下に説明をする。
【００４２】すなわち、ユニポーラ型半導体素子として
のＭＯＳＦＥＴは、先述の如く、破線の寄生ダイオード
を介することなく順方向，逆方向ともに通流可能であ
り、図４の太実線に示す如く、通流時のドレイン−ソー
ス間電圧はドレイン電流に対して直線状に変化するいわ
ゆる抵抗特性を有しており、この抵抗値を小さく製作す
ることにより、ユニポーラ特性を有するために高周波特
性が劣る寄生ダイオードの立ち上がり電圧以下の範囲で
動作させることが可能となり、その結果、スイッチング
損失を低減した高効率の非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータ
を提供できる。
のＭＯＳＦＥＴは、先述の如く、破線の寄生ダイオード
を介することなく順方向，逆方向ともに通流可能であ
り、図４の太実線に示す如く、通流時のドレイン−ソー
ス間電圧はドレイン電流に対して直線状に変化するいわ
ゆる抵抗特性を有しており、この抵抗値を小さく製作す
ることにより、ユニポーラ特性を有するために高周波特
性が劣る寄生ダイオードの立ち上がり電圧以下の範囲で
動作させることが可能となり、その結果、スイッチング
損失を低減した高効率の非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータ
を提供できる。
【００４３】一方、図４の細実線の特性を有するパイポ
ーラ型半導体素子としてのＩＧＢＴでは、順方向のみが
通流可能であり、このＩＧＢＴは高速動作ができるが、
そのコレクタ−エミッタ電圧特性は図示の如き立ち上が
り電圧を有するために、スイッチング損失を増大させ
る。また、逆方向に通流させるためにＩＧＢＴと逆並列
に接続されるダイオードもバイポーラ特性を有する半導
体素子である。
ーラ型半導体素子としてのＩＧＢＴでは、順方向のみが
通流可能であり、このＩＧＢＴは高速動作ができるが、
そのコレクタ−エミッタ電圧特性は図示の如き立ち上が
り電圧を有するために、スイッチング損失を増大させ
る。また、逆方向に通流させるためにＩＧＢＴと逆並列
に接続されるダイオードもバイポーラ特性を有する半導
体素子である。
【００４４】次に、電流検出手段５１の動作について、
図５，図６に示す等価回路を参照しつつ、以下に説明を
する。
図５，図６に示す等価回路を参照しつつ、以下に説明を
する。
【００４５】図５はインダクタンスを無視したときの等
価回路であり、ＲａはＭＯＳＦＥＴ３１ａの等価抵抗
値、ｒ1 は電流検出手段５１を構成するＭＯＳＦＥＴ５
１ｂを含めた電流検出手段５１の等価抵抗値、Ｉは検出
すべき電流、ＩａはＭＯＳＦＥＴ３１ａに流れる電流、
Ｉ1 はＣＴ５１ａの一次巻線に流れる電流とすると、下
記式（１）〜（２）の関係にある。
価回路であり、ＲａはＭＯＳＦＥＴ３１ａの等価抵抗
値、ｒ1 は電流検出手段５１を構成するＭＯＳＦＥＴ５
１ｂを含めた電流検出手段５１の等価抵抗値、Ｉは検出
すべき電流、ＩａはＭＯＳＦＥＴ３１ａに流れる電流、
Ｉ1 はＣＴ５１ａの一次巻線に流れる電流とすると、下
記式（１）〜（２）の関係にある。
【００４６】Ｉ1 ：Ｉａ＝Ｒａ：ｒ1 （１） Ｖａ＝Ｉａ・Ｒａ＝Ｉ1 ・ｒ1 （２） ここで、ｍ＝Ｉａ／Ｉ1 ＝ｒ1 ／Ｒａ （３） ｎ＝Ｉ／Ｉ1 ＝１＋ｍ （４）とすると、 上記式（１）〜式（４）から、ＭＯＳＦＥＴ３１ａの等
価抵抗値を電流検出手段５１側の抵抗値の１／ｍにする
と、ＣＴ５１ａの一次巻線に流れる電流（Ｉ1 ）は検出
すべき電流（Ｉ）の１／（ｍ＋１）になり、従って、Ｃ
Ｔ５１ａ，ＭＯＳＦＥＴ５１ｂを小型にすることができ
る。
価抵抗値を電流検出手段５１側の抵抗値の１／ｍにする
と、ＣＴ５１ａの一次巻線に流れる電流（Ｉ1 ）は検出
すべき電流（Ｉ）の１／（ｍ＋１）になり、従って、Ｃ
Ｔ５１ａ，ＭＯＳＦＥＴ５１ｂを小型にすることができ
る。
【００４７】図６は、ＭＯＳＦＥＴ３１ａに流れる電流
が高周波になり、前述のインダクタンスの影響が無視で
きなくなったときの等価回路であり、ＬａはＭＯＳＦＥ
Ｔ３１ａのドレイン−ソース間のインダクタンス、ｌ1
は電流検出手段５１側のインダクタンスを示す。
が高周波になり、前述のインダクタンスの影響が無視で
きなくなったときの等価回路であり、ＬａはＭＯＳＦＥ
Ｔ３１ａのドレイン−ソース間のインダクタンス、ｌ1
は電流検出手段５１側のインダクタンスを示す。
【００４８】図６の等価回路において、それぞれの抵抗
とインダクタンスとの関係を下記式（５）の関係に設定
する。
とインダクタンスとの関係を下記式（５）の関係に設定
する。
【００４９】Ｌａ／Ｒａ＝ｌ1 ／ｒ1 （５） すなわち、ＭＯＦＥＴ３１ａのドレイン−ソース間から
見たＭＯＳＦＥＴ３１ａがオン時の回路時定数と、電流
検出手段５１の時定数とをほぼ同じすることにより、電
流検出手段５１の検出タイミングを整合することができ
る。
見たＭＯＳＦＥＴ３１ａがオン時の回路時定数と、電流
検出手段５１の時定数とをほぼ同じすることにより、電
流検出手段５１の検出タイミングを整合することができ
る。
【００５０】すなわち図３に示した非絶縁型ＤＣ−ＤＣ
コンバータ１３において、主半導体スイッチ回路３１の
ＭＯＳＦＥＴ３１ｂが短絡故障すると、主半導体スイッ
チ回路３１のＭＯＳＦＥＴ３１ａがオン時に高圧直流電
源１から異常電流（短絡電流）が流れるので、電流検出
手段５１がこれを検知して「過電流」信号を出力し、こ
の「過電流」信号により主半導体スイッチ回路３１と第
２半導体スイッチ回路３６とをオフさせて、この非絶縁
型ＤＣ−ＤＣコンバータ１３での破損の拡大を阻止して
いる。
コンバータ１３において、主半導体スイッチ回路３１の
ＭＯＳＦＥＴ３１ｂが短絡故障すると、主半導体スイッ
チ回路３１のＭＯＳＦＥＴ３１ａがオン時に高圧直流電
源１から異常電流（短絡電流）が流れるので、電流検出
手段５１がこれを検知して「過電流」信号を出力し、こ
の「過電流」信号により主半導体スイッチ回路３１と第
２半導体スイッチ回路３６とをオフさせて、この非絶縁
型ＤＣ−ＤＣコンバータ１３での破損の拡大を阻止して
いる。
【００５１】図７は、この発明の第４の実施例を示す非
絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータの回路構成図であり、図１
６に示した回路構成と同一機能を有するものには同一符
号を付して重複する説明を省略する。
絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータの回路構成図であり、図１
６に示した回路構成と同一機能を有するものには同一符
号を付して重複する説明を省略する。
【００５２】すなわち図７に示した非絶縁型ＤＣ−ＤＣ
コンバータ１４には、主半導体スイッチ回路３１を構成
するＭＯＳＦＥＴ３１ｂのドレイン端子とソース端子間
に、一次巻線の一端を前記ドレイン端子側としたＣＴ５
２ａ，図示の極性に接続されてＭＯＳＦＥＴ３１ｂと互
いに同期してオン，オフするるＭＯＳＦＥＴ５２ｂ，Ｃ
Ｔ５２ａの二次巻線の両端に接続される抵抗５２ｃ，Ｃ
Ｔ５２ａの一次巻線の電流が増大して抵抗５２ｃの両端
電圧が規定値を超えたときに「過電流」信号を出力する
比較器５２ｄからなる電流検出手段５２が接続されてい
る。
コンバータ１４には、主半導体スイッチ回路３１を構成
するＭＯＳＦＥＴ３１ｂのドレイン端子とソース端子間
に、一次巻線の一端を前記ドレイン端子側としたＣＴ５
２ａ，図示の極性に接続されてＭＯＳＦＥＴ３１ｂと互
いに同期してオン，オフするるＭＯＳＦＥＴ５２ｂ，Ｃ
Ｔ５２ａの二次巻線の両端に接続される抵抗５２ｃ，Ｃ
Ｔ５２ａの一次巻線の電流が増大して抵抗５２ｃの両端
電圧が規定値を超えたときに「過電流」信号を出力する
比較器５２ｄからなる電流検出手段５２が接続されてい
る。
【００５３】この電流検出手段５２は上述の電流検出手
段５１と同等の機能を有しており、非絶縁型ＤＣ−ＤＣ
コンバータ１４において、主半導体スイッチ回路３１の
ＭＯＳＦＥＴ３１ａが短絡故障すると、例えば、主半導
体スイッチ回路３１のＭＯＳＦＥＴ３１ｂがオン時に高
圧直流電源１から異常電流（短絡電流）が流れるので、
電流検出手段５２がこれを検知して「過電流」信号を出
力し、この「過電流」信号により主半導体スイッチ回路
３１と第２半導体スイッチ回路３６とをオフさせて、こ
の非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータ１４での破損の拡大を
阻止している。
段５１と同等の機能を有しており、非絶縁型ＤＣ−ＤＣ
コンバータ１４において、主半導体スイッチ回路３１の
ＭＯＳＦＥＴ３１ａが短絡故障すると、例えば、主半導
体スイッチ回路３１のＭＯＳＦＥＴ３１ｂがオン時に高
圧直流電源１から異常電流（短絡電流）が流れるので、
電流検出手段５２がこれを検知して「過電流」信号を出
力し、この「過電流」信号により主半導体スイッチ回路
３１と第２半導体スイッチ回路３６とをオフさせて、こ
の非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータ１４での破損の拡大を
阻止している。
【００５４】図８は、この発明の第５の実施例を示す非
絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータの回路構成図であり、図３
又は図７に示した回路構成と同一機能を有するものには
同一符号を付して重複する説明を省略する。
絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータの回路構成図であり、図３
又は図７に示した回路構成と同一機能を有するものには
同一符号を付して重複する説明を省略する。
【００５５】すなわち図８に示した非絶縁型ＤＣ−ＤＣ
コンバータ１５には、主半導体スイッチ回路３１を構成
するＭＯＳＦＥＴ３１ａのドレイン端子とソース端子間
に電流検出手段５１が接続され、ＭＯＳＦＥＴ３１ｂの
ドレイン端子とソース端子間に電流検出手段５２が接続
されており、これら電流検出手段の動作の説明は重複す
るので省略する。
コンバータ１５には、主半導体スイッチ回路３１を構成
するＭＯＳＦＥＴ３１ａのドレイン端子とソース端子間
に電流検出手段５１が接続され、ＭＯＳＦＥＴ３１ｂの
ドレイン端子とソース端子間に電流検出手段５２が接続
されており、これら電流検出手段の動作の説明は重複す
るので省略する。
【００５６】図９は、この発明の第６の実施例を示す非
絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータの回路構成図であり、図１
６に示した回路構成と同一機能を有するものには同一符
号を付して重複する説明を省略する。
絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータの回路構成図であり、図１
６に示した回路構成と同一機能を有するものには同一符
号を付して重複する説明を省略する。
【００５７】すなわち図９に示した非絶縁型ＤＣ−ＤＣ
コンバータ１６には、主半導体スイッチ回路３１を構成
するＭＯＳＦＥＴ３１ａのドレイン端子に図示の極性に
接続されてＭＯＳＦＥＴ３１ａと互いに同期してオン，
オフするるＭＯＳＦＥＴ５３ａ，ＭＯＳＦＥＴ３１ｂの
ソース端子に図示の極性に接続されてＭＯＳＦＥＴ３１
ｂと互いに同期してオン，オフするるＭＯＳＦＥＴ５３
ｂ，図示の如く接続される一次巻線を２組有するＣＴ５
３ｃ，ＣＴ５３ｃの二次巻線の両端に接続される抵抗５
３ｄ，ＣＴ５３ｃのいずれかの一次巻線の電流が増大し
て抵抗５３ｄの両端電圧が規定値を超えたときに「過電
流」信号を出力する比較器５３ｅからなる電流検出手段
５３が接続されている。
コンバータ１６には、主半導体スイッチ回路３１を構成
するＭＯＳＦＥＴ３１ａのドレイン端子に図示の極性に
接続されてＭＯＳＦＥＴ３１ａと互いに同期してオン，
オフするるＭＯＳＦＥＴ５３ａ，ＭＯＳＦＥＴ３１ｂの
ソース端子に図示の極性に接続されてＭＯＳＦＥＴ３１
ｂと互いに同期してオン，オフするるＭＯＳＦＥＴ５３
ｂ，図示の如く接続される一次巻線を２組有するＣＴ５
３ｃ，ＣＴ５３ｃの二次巻線の両端に接続される抵抗５
３ｄ，ＣＴ５３ｃのいずれかの一次巻線の電流が増大し
て抵抗５３ｄの両端電圧が規定値を超えたときに「過電
流」信号を出力する比較器５３ｅからなる電流検出手段
５３が接続されている。
【００５８】この電流検出手段５３は上述の電流検出手
段５１及び電流検出手段５２と同等の機能を有してお
り、非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータ１６における電流検
出手段５３の動作の説明は重複するので省略する。
段５１及び電流検出手段５２と同等の機能を有してお
り、非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータ１６における電流検
出手段５３の動作の説明は重複するので省略する。
【００５９】図１０は、この発明の第７の実施例を示す
非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータの回路構成図であり、図
１６に示した回路構成と同一機能を有するものには同一
符号を付して重複する説明を省略する。
非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータの回路構成図であり、図
１６に示した回路構成と同一機能を有するものには同一
符号を付して重複する説明を省略する。
【００６０】すなわち図1０に示した非絶縁型ＤＣ−Ｄ
Ｃコンバータ１７には、第２半導体スイッチ回路３６を
構成するＭＯＳＦＥＴのドレイン端子側に、一次巻線を
前記ドレイン端子側としたＣＴ４３ａ，ＣＴ４３ａの二
次巻線の両端に接続される抵抗４３ｂ，ＣＴ４３ａの一
次巻線の電流が増大して抵抗４３ｂの両端電圧が規定値
を超えたときに「過電流」信号を出力する比較器４３ｃ
からなる電流検出手段４３が挿設されている。
Ｃコンバータ１７には、第２半導体スイッチ回路３６を
構成するＭＯＳＦＥＴのドレイン端子側に、一次巻線を
前記ドレイン端子側としたＣＴ４３ａ，ＣＴ４３ａの二
次巻線の両端に接続される抵抗４３ｂ，ＣＴ４３ａの一
次巻線の電流が増大して抵抗４３ｂの両端電圧が規定値
を超えたときに「過電流」信号を出力する比較器４３ｃ
からなる電流検出手段４３が挿設されている。
【００６１】この非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータ１７に
おいて、例えば、主半導体スイッチ回路３１のＭＯＳＦ
ＥＴ３１ａが短絡故障すると、高圧直流電源１，電流検
出手段４３，低圧直流電源２の経路に異常電流（短絡電
流）が流れるので、電流検出手段４３がこれを検知して
「過電流」信号を出力し、この「過電流」信号により第
２半導体スイッチ回路３６をオフさせて、この非絶縁型
ＤＣ−ＤＣコンバータ１７での破損の拡大を阻止してい
る。
おいて、例えば、主半導体スイッチ回路３１のＭＯＳＦ
ＥＴ３１ａが短絡故障すると、高圧直流電源１，電流検
出手段４３，低圧直流電源２の経路に異常電流（短絡電
流）が流れるので、電流検出手段４３がこれを検知して
「過電流」信号を出力し、この「過電流」信号により第
２半導体スイッチ回路３６をオフさせて、この非絶縁型
ＤＣ−ＤＣコンバータ１７での破損の拡大を阻止してい
る。
【００６２】図１１は、この発明の第８の実施例を示す
非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータの回路構成図であり、図
１７に示した回路構成と同一機能を有するものには同一
符号を付して重複する説明を省略する。
非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータの回路構成図であり、図
１７に示した回路構成と同一機能を有するものには同一
符号を付して重複する説明を省略する。
【００６３】すなわち図１１に示した非絶縁型ＤＣ−Ｄ
Ｃコンバータ２１には、第２半導体スイッチ回路３７を
構成するＭＯＳＦＥＴ３７ｂのドレイン端子とソース端
子間に、一次巻線の一端を前記ドレイン端子側としたＣ
Ｔ５４ａ，図示の極性に接続されてＭＯＳＦＥＴ３７ｂ
と互いに同期してオン，オフするるＭＯＳＦＥＴ５４
ｂ，ＣＴ５４ａの二次巻線の両端に接続される抵抗５４
ｃ，ＣＴ５４ａの一次巻線の電流が増大して抵抗５４ｃ
の両端電圧が規定値を超えたときに「過電流」信号を出
力する比較器５４ｄからなる電流検出手段５４が接続さ
れている。
Ｃコンバータ２１には、第２半導体スイッチ回路３７を
構成するＭＯＳＦＥＴ３７ｂのドレイン端子とソース端
子間に、一次巻線の一端を前記ドレイン端子側としたＣ
Ｔ５４ａ，図示の極性に接続されてＭＯＳＦＥＴ３７ｂ
と互いに同期してオン，オフするるＭＯＳＦＥＴ５４
ｂ，ＣＴ５４ａの二次巻線の両端に接続される抵抗５４
ｃ，ＣＴ５４ａの一次巻線の電流が増大して抵抗５４ｃ
の両端電圧が規定値を超えたときに「過電流」信号を出
力する比較器５４ｄからなる電流検出手段５４が接続さ
れている。
【００６４】この電流検出手段５４は上述の電流検出手
段５１と同等の機能を有しており、非絶縁型ＤＣ−ＤＣ
コンバータ２１において、主半導体スイッチ回路３１の
ＭＯＳＦＥＴ３１ａ，ＭＯＳＦＥＴ３１ｂのいずれかが
短絡故障すると、低圧直流電源２側にも異常電流（短絡
電流）が流れるので、電流検出手段５４がこれを検知し
て「過電流」信号を出力し、この「過電流」信号により
第１半導体スイッチ回路３４と第２半導体スイッチ回路
３７とをオフさせて、この非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバー
タ２１での破損の拡大を阻止している。
段５１と同等の機能を有しており、非絶縁型ＤＣ−ＤＣ
コンバータ２１において、主半導体スイッチ回路３１の
ＭＯＳＦＥＴ３１ａ，ＭＯＳＦＥＴ３１ｂのいずれかが
短絡故障すると、低圧直流電源２側にも異常電流（短絡
電流）が流れるので、電流検出手段５４がこれを検知し
て「過電流」信号を出力し、この「過電流」信号により
第１半導体スイッチ回路３４と第２半導体スイッチ回路
３７とをオフさせて、この非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバー
タ２１での破損の拡大を阻止している。
【００６５】図１２は、この発明の第９の実施例を示す
非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータの回路構成図であり、図
１７に示した回路構成と同一機能を有するものには同一
符号を付して重複する説明を省略する。
非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータの回路構成図であり、図
１７に示した回路構成と同一機能を有するものには同一
符号を付して重複する説明を省略する。
【００６６】すなわち図１２に示した非絶縁型ＤＣ−Ｄ
Ｃコンバータ２２には、第２半導体スイッチ回路３７を
構成するＭＯＳＦＥＴ３７ａのドレイン端子とソース端
子間に、一次巻線の一端を前記ドレイン端子側としたＣ
Ｔ５５ａ，図示の極性に接続されてＭＯＳＦＥＴ３７ａ
と互いに同期してオン，オフするるＭＯＳＦＥＴ５５
ｂ，ＣＴ５５ａの二次巻線の両端に接続される抵抗５５
ｃ，ＣＴ５５ａの一次巻線の電流が増大して抵抗５５ｃ
の両端電圧が規定値を超えたときに「過電流」信号を出
力する比較器５５ｄからなる電流検出手段５５が接続さ
れている。
Ｃコンバータ２２には、第２半導体スイッチ回路３７を
構成するＭＯＳＦＥＴ３７ａのドレイン端子とソース端
子間に、一次巻線の一端を前記ドレイン端子側としたＣ
Ｔ５５ａ，図示の極性に接続されてＭＯＳＦＥＴ３７ａ
と互いに同期してオン，オフするるＭＯＳＦＥＴ５５
ｂ，ＣＴ５５ａの二次巻線の両端に接続される抵抗５５
ｃ，ＣＴ５５ａの一次巻線の電流が増大して抵抗５５ｃ
の両端電圧が規定値を超えたときに「過電流」信号を出
力する比較器５５ｄからなる電流検出手段５５が接続さ
れている。
【００６７】この電流検出手段５５は上述の電流検出手
段５１と同等の機能を有しており、非絶縁型ＤＣ−ＤＣ
コンバータ２２において、主半導体スイッチ回路３１の
ＭＯＳＦＥＴ３１ａ，ＭＯＳＦＥＴ３１ｂのいずれかが
短絡故障すると、低圧直流電源２側にも異常電流（短絡
電流）が流れるので、電流検出手段５５がこれを検知し
て「過電流」信号を出力し、この「過電流」信号により
第１半導体スイッチ回路３４と第２半導体スイッチ回路
３７とをオフさせて、この非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバー
タ２１での破損の拡大を阻止している。
段５１と同等の機能を有しており、非絶縁型ＤＣ−ＤＣ
コンバータ２２において、主半導体スイッチ回路３１の
ＭＯＳＦＥＴ３１ａ，ＭＯＳＦＥＴ３１ｂのいずれかが
短絡故障すると、低圧直流電源２側にも異常電流（短絡
電流）が流れるので、電流検出手段５５がこれを検知し
て「過電流」信号を出力し、この「過電流」信号により
第１半導体スイッチ回路３４と第２半導体スイッチ回路
３７とをオフさせて、この非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバー
タ２１での破損の拡大を阻止している。
【００６８】図１３は、この発明の第１０の実施例を示
す非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータの回路構成図であり、
図１７に示した回路構成と同一機能を有するものには同
一符号を付して重複する説明を省略する。
す非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータの回路構成図であり、
図１７に示した回路構成と同一機能を有するものには同
一符号を付して重複する説明を省略する。
【００６９】すなわち図１３に示した非絶縁型ＤＣ−Ｄ
Ｃコンバータ２３には、第２半導体スイッチ回路３７を
構成するＭＯＳＦＥＴ３７ａのドレイン端子に図示の極
性に接続されてＭＯＳＦＥＴ３７ａと互いに同期してオ
ン，オフするるＭＯＳＦＥＴ５６ａ，ＭＯＳＦＥＴ３７
ｂのソース端子に図示の極性に接続されてＭＯＳＦＥＴ
３７ｂと互いに同期してオン，オフするるＭＯＳＦＥＴ
５６ｂ，図示の如く接続される一次巻線を２組有するＣ
Ｔ５６ｃ，ＣＴ５６ｃの二次巻線の両端に接続される抵
抗５６ｄ，ＣＴ５６ｃのいずれかの一次巻線の電流が増
大して抵抗５６ｄの両端電圧が規定値を超えたときに
「過電流」信号を出力する比較器５６ｅからなる電流検
出手段５６が接続されている。
Ｃコンバータ２３には、第２半導体スイッチ回路３７を
構成するＭＯＳＦＥＴ３７ａのドレイン端子に図示の極
性に接続されてＭＯＳＦＥＴ３７ａと互いに同期してオ
ン，オフするるＭＯＳＦＥＴ５６ａ，ＭＯＳＦＥＴ３７
ｂのソース端子に図示の極性に接続されてＭＯＳＦＥＴ
３７ｂと互いに同期してオン，オフするるＭＯＳＦＥＴ
５６ｂ，図示の如く接続される一次巻線を２組有するＣ
Ｔ５６ｃ，ＣＴ５６ｃの二次巻線の両端に接続される抵
抗５６ｄ，ＣＴ５６ｃのいずれかの一次巻線の電流が増
大して抵抗５６ｄの両端電圧が規定値を超えたときに
「過電流」信号を出力する比較器５６ｅからなる電流検
出手段５６が接続されている。
【００７０】この電流検出手段５６は上述の電流検出手
段５４及び電流検出手段５５と同等の機能を有してお
り、非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータ２３における電流検
出手段５６の動作の説明は重複するので省略する。
段５４及び電流検出手段５５と同等の機能を有してお
り、非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータ２３における電流検
出手段５６の動作の説明は重複するので省略する。
【００７１】図１４は、この発明の第１１の実施例を示
す非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータの回路構成図であり、
図１６に示した回路構成と同一機能を有するものには同
一符号を付して重複する説明を省略する。
す非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータの回路構成図であり、
図１６に示した回路構成と同一機能を有するものには同
一符号を付して重複する説明を省略する。
【００７２】すなわち図1４に示した非絶縁型ＤＣ−Ｄ
Ｃコンバータ１８には、高圧直流電源１から第１半導体
スイッチ回路３４への経路に、一次巻線を高圧直流電源
１側としたＣＴ４４ａ，ＣＴ４４ａの二次巻線の両端に
接続される抵抗４４ｂ，ＣＴ４４ａの一次巻線の電流が
増大して抵抗４４ｂの両端電圧が規定値を超えたときに
「過電流」信号を出力する比較器４４ｃからなる電流検
出手段４４が挿設されている。
Ｃコンバータ１８には、高圧直流電源１から第１半導体
スイッチ回路３４への経路に、一次巻線を高圧直流電源
１側としたＣＴ４４ａ，ＣＴ４４ａの二次巻線の両端に
接続される抵抗４４ｂ，ＣＴ４４ａの一次巻線の電流が
増大して抵抗４４ｂの両端電圧が規定値を超えたときに
「過電流」信号を出力する比較器４４ｃからなる電流検
出手段４４が挿設されている。
【００７３】この非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータ１８に
おいて、主半導体スイッチ回路３１のＭＯＳＦＥＴ３１
ｂが短絡故障すると、主半導体スイッチ回路３１のＭＯ
ＳＦＥＴ３１ａがオン時に高圧直流電源１から電流検出
手段４４を経由した異常電流（短絡電流）が流れるの
で、電流検出手段４４がこれを検知して「過電流」信号
を出力し、この「過電流」信号により主半導体スイッチ
回路３１と第２半導体スイッチ回路３６とをオフさせ
て、この非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータ１８での破損の
拡大を阻止している。
おいて、主半導体スイッチ回路３１のＭＯＳＦＥＴ３１
ｂが短絡故障すると、主半導体スイッチ回路３１のＭＯ
ＳＦＥＴ３１ａがオン時に高圧直流電源１から電流検出
手段４４を経由した異常電流（短絡電流）が流れるの
で、電流検出手段４４がこれを検知して「過電流」信号
を出力し、この「過電流」信号により主半導体スイッチ
回路３１と第２半導体スイッチ回路３６とをオフさせ
て、この非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータ１８での破損の
拡大を阻止している。
【００７４】図１５は、この発明の第１２の実施例を示
す非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータの回路構成図であり、
図１７に示した回路構成と同一機能を有するものには同
一符号を付して重複する説明を省略する。
す非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータの回路構成図であり、
図１７に示した回路構成と同一機能を有するものには同
一符号を付して重複する説明を省略する。
【００７５】すなわち図１５に示した非絶縁型ＤＣ−Ｄ
Ｃコンバータ２４には、第１半導体スイッチ回路３４を
構成するＭＯＳＦＥＴのドレイン端子とソース端子間
に、一次巻線の一端を前記ドレイン端子側としたＣＴ５
７ａ，図示の極性に接続されて前記ＭＯＳＦＥＴと互い
に同期してオン，オフするるＭＯＳＦＥＴ５７ｂ，ＣＴ
５７ａの二次巻線の両端に接続される抵抗５７ｃ，ＣＴ
５７ａの一次巻線の電流が増大して抵抗５７ｃの両端電
圧が規定値を超えたときに「過電流」信号を出力する比
較器５７ｄからなる電流検出手段５７が接続されてい
る。
Ｃコンバータ２４には、第１半導体スイッチ回路３４を
構成するＭＯＳＦＥＴのドレイン端子とソース端子間
に、一次巻線の一端を前記ドレイン端子側としたＣＴ５
７ａ，図示の極性に接続されて前記ＭＯＳＦＥＴと互い
に同期してオン，オフするるＭＯＳＦＥＴ５７ｂ，ＣＴ
５７ａの二次巻線の両端に接続される抵抗５７ｃ，ＣＴ
５７ａの一次巻線の電流が増大して抵抗５７ｃの両端電
圧が規定値を超えたときに「過電流」信号を出力する比
較器５７ｄからなる電流検出手段５７が接続されてい
る。
【００７６】この電流検出手段５７は上述の電流検出手
段５１と同等の機能を有しており、非絶縁型ＤＣ−ＤＣ
コンバータ２４において、主半導体スイッチ回路３１の
ＭＯＳＦＥＴ３１ｂが短絡故障すると、高圧直流電源１
から異常電流（短絡電流）が流れるので、電流検出手段
５７がこれを検知して「過電流」信号を出力し、この
「過電流」信号により主半導体スイッチ回路３１と第２
半導体スイッチ回路３７とをオフさせて、この非絶縁型
ＤＣ−ＤＣコンバータ２４での破損の拡大を阻止してい
る。
段５１と同等の機能を有しており、非絶縁型ＤＣ−ＤＣ
コンバータ２４において、主半導体スイッチ回路３１の
ＭＯＳＦＥＴ３１ｂが短絡故障すると、高圧直流電源１
から異常電流（短絡電流）が流れるので、電流検出手段
５７がこれを検知して「過電流」信号を出力し、この
「過電流」信号により主半導体スイッチ回路３１と第２
半導体スイッチ回路３７とをオフさせて、この非絶縁型
ＤＣ−ＤＣコンバータ２４での破損の拡大を阻止してい
る。
【００７７】
【発明の効果】この発明によれば、非絶縁型ＤＣ−ＤＣ
コンバータの主回路電流を電流検出手段により直接的ま
たは間接的に検出して、該ＤＣ−ＤＣコンバータの主半
導体スイッチ回路の異常動作に伴う損傷の拡大を阻止す
る機能を追加したので、各種の電子機器の電源として好
適である。
コンバータの主回路電流を電流検出手段により直接的ま
たは間接的に検出して、該ＤＣ−ＤＣコンバータの主半
導体スイッチ回路の異常動作に伴う損傷の拡大を阻止す
る機能を追加したので、各種の電子機器の電源として好
適である。
【００７８】また、前記電流検出手段が小型・軽量，低
価格で具現でき、従って、この非絶縁型ＤＣ−ＤＣコン
バータ全体の小型・軽量化，低価格化に寄与できる。
価格で具現でき、従って、この非絶縁型ＤＣ−ＤＣコン
バータ全体の小型・軽量化，低価格化に寄与できる。
【図１】この発明の第１の実施例を示す非絶縁型ＤＣ−
ＤＣコンバータの回路構成図
ＤＣコンバータの回路構成図
【図２】この発明の第２の実施例を示す非絶縁型ＤＣ−
ＤＣコンバータの回路構成図
ＤＣコンバータの回路構成図
【図３】この発明の第３の実施例を示す非絶縁型ＤＣ−
ＤＣコンバータの回路構成図
ＤＣコンバータの回路構成図
【図４】図３の動作を説明する半導体素子の特性図
【図５】図３の動作を説明する電流検出手段の等価回路
【図６】図３の動作を説明する電流検出手段の等価回路
図
図
【図７】この発明の第４の実施例を示す非絶縁型ＤＣ−
ＤＣコンバータの回路構成図
ＤＣコンバータの回路構成図
【図８】この発明の第５の実施例を示す非絶縁型ＤＣ−
ＤＣコンバータの回路構成図
ＤＣコンバータの回路構成図
【図９】この発明の第６の実施例を示す非絶縁型ＤＣ−
ＤＣコンバータの回路構成図
ＤＣコンバータの回路構成図
【図１０】この発明の第７の実施例を示す非絶縁型ＤＣ
−ＤＣコンバータの回路構成図
−ＤＣコンバータの回路構成図
【図１１】この発明の第８の実施例を示す非絶縁型ＤＣ
−ＤＣコンバータの回路構成図
−ＤＣコンバータの回路構成図
【図１２】この発明の第９の実施例を示す非絶縁型ＤＣ
−ＤＣコンバータの回路構成図
−ＤＣコンバータの回路構成図
【図１３】この発明の第１０の実施例を示す非絶縁型Ｄ
Ｃ−ＤＣコンバータの回路構成図
Ｃ−ＤＣコンバータの回路構成図
【図１４】この発明の第１１の実施例を示す非絶縁型Ｄ
Ｃ−ＤＣコンバータの回路構成図
Ｃ−ＤＣコンバータの回路構成図
【図１５】この発明の第１２の実施例を示す非絶縁型Ｄ
Ｃ−ＤＣコンバータの回路構成図
Ｃ−ＤＣコンバータの回路構成図
【図１６】従来例を示す非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータ
の回路構成図
の回路構成図
【図１７】従来例を示す非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータ
の回路構成図
の回路構成図
１…高圧直流電源、２…低圧直流電源、１０〜１８，２
０〜２４…非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータ、３１…主半
導体スイッチ回路、３２…リアクトル、３３…コンデン
サ、３４…第１半導体スイッチ回路、３５…コンデン
サ、３６，３７…第２半導体スイッチ回路、４１〜４
４，５１〜５７…電流検出手段。
０〜２４…非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータ、３１…主半
導体スイッチ回路、３２…リアクトル、３３…コンデン
サ、３４…第１半導体スイッチ回路、３５…コンデン
サ、３６，３７…第２半導体スイッチ回路、４１〜４
４，５１〜５７…電流検出手段。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中原 和仁 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内 (72)発明者 高橋 文人 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内 Ｆターム(参考） 5G004 AA05 AB02 BA03 BA04 DA01 DC04 EA01 5G053 AA01 AA03 BA01 CA02 DA01 EB03 EC03 5H730 AA12 AA20 AS04 AS05 BB13 BB14 DD04 EE13 XX04 XX15 XX25 XX35 XX42
Claims (17)
- 【請求項１】 高圧直流電源と低圧直流電源との間でい
ずれか一方向又は双方向に電力を供給するためにオン，
オフ動作を行う主半導体スイッチ回路と、 該主半導体スイッチ回路の前記高圧直流電源側及び低圧
直流電源側に配置され、保護動作を行う第１及び第２半
導体スイッチ回路とからなる非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバ
ータに、 前記主半導体スイッチ回路の電流を検出する電流検出手
段を設け、 該電流検出手段により検出された電流が規定値を超えた
ときに、前記主半導体スイッチ回路，第１半導体スイッ
チ回路，第２半導体スイッチ回路のうち、少なくともい
ずれか一つをオフするようにしたことを特徴とする非絶
縁型ＤＣ−ＤＣコンバータ。 - 【請求項２】 請求項１に記載の非絶縁型ＤＣ−ＤＣコ
ンバータにおいて、 前記電流検出手段はＣＴとし、 該ＣＴの一次巻線には前記主半導体スイッチ回路の電流
を流すようにしたことを特徴とする非絶縁型ＤＣ−ＤＣ
コンバータ。 - 【請求項３】 請求項１に記載の非絶縁型ＤＣ−ＤＣコ
ンバータにおいて、 前記電流検出手段はＣＴと、該ＣＴの一次巻線に直列接
続され該巻線の通流制御半導体素子とからなることを特
徴とする非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータ。 - 【請求項４】 請求項３に記載の非絶縁型ＤＣ−ＤＣコ
ンバータにおいて、 前記主半導体スイッチ回路と通流制御半導体素子とは互
いに同期してオン又はオフするようにしたことを特徴と
する非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータ。 - 【請求項５】 請求項３又は請求項４に記載の非絶縁型
ＤＣ−ＤＣコンバータにおいて、 前記電流検出手段側の回路時定数と前記主半導体スイッ
チ回路側の回路時定数とをほぼ等しく設定したことを特
徴とする非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータ。 - 【請求項６】 高圧直流電源と低圧直流電源との間でい
ずれか一方向又は双方向に電力を供給するためにオン，
オフ動作を行う主半導体スイッチ回路と、 該主半導体スイッチ回路の前記高圧直流電源側及び低圧
直流電源側に配置され、保護動作を行う第１及び第２半
導体スイッチ回路とからなる非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバ
ータに、 前記第１半導体スイッチ回路の電流を検出する電流検出
手段を設け、 該電流検出手段により検出された電流が規定値を超えた
ときに、前記主半導体スイッチ回路，第１半導体スイッ
チ回路，第２半導体スイッチ回路のうち、少なくともい
ずれか一つをオフするようにしたことを特徴とする非絶
縁型ＤＣ−ＤＣコンバータ。 - 【請求項７】 請求項６に記載の非絶縁型ＤＣ−ＤＣコ
ンバータにおいて、 前記電流検出手段はＣＴとし、 該ＣＴの一次巻線には前記第１半導体スイッチ回路の電
流を流すようにしたことを特徴とする非絶縁型ＤＣ−Ｄ
Ｃコンバータ。 - 【請求項８】 請求項６に記載の非絶縁型ＤＣ−ＤＣコ
ンバータにおいて、 前記電流検出手段はＣＴと、該ＣＴの一次巻線に直列接
続され該巻線の通流制御半導体素子とからなることを特
徴とする非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータ。 - 【請求項９】 請求項８に記載の非絶縁型ＤＣ−ＤＣコ
ンバータにおいて、 前記第１半導体スイッチ回路と通流制御半導体素子とは
互いに同期してオン又はオフするようにしたことを特徴
とする非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータ。 - 【請求項１０】 請求項８又は請求項９に記載の非絶縁
型ＤＣ−ＤＣコンバータにおいて、 前記電流検出手段側の回路時定数と前記第１半導体スイ
ッチ回路側の回路時定数とをほぼ等しく設定したことを
特徴とする非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータ。 - 【請求項１１】 高圧直流電源と低圧直流電源との間で
いずれか一方向又は双方向に電力を供給するためにオ
ン，オフ動作を行う主半導体スイッチ回路と、 該主半導体スイッチ回路の前記高圧直流電源側及び低圧
直流電源側に配置され、保護動作を行う第１及び第２半
導体スイッチ回路とからなる非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバ
ータに、 前記第２半導体スイッチ回路の電流を検出する電流検出
手段を設け、 該電流検出手段により検出された電流が規定値を超えた
ときに、前記主半導体スイッチ回路，第１半導体スイッ
チ回路，第２半導体スイッチ回路のうち、少なくともい
ずれか一つをオフするようにしたことを特徴とする非絶
縁型ＤＣ−ＤＣコンバータ。 - 【請求項１２】 請求項１１に記載の非絶縁型ＤＣ−Ｄ
Ｃコンバータにおいて、 前記電流検出手段はＣＴとし、 該ＣＴの一次巻線には前記第２半導体スイッチ回路の電
流を流すようにしたことを特徴とする非絶縁型ＤＣ−Ｄ
Ｃコンバータ。 - 【請求項１３】 請求項１１に記載の非絶縁型ＤＣ−Ｄ
Ｃコンバータにおいて、 前記電流検出手段はＣＴと、該ＣＴの一次巻線に直列接
続され該巻線の通流制御半導体素子とからなることを特
徴とする非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータ。 - 【請求項１４】 請求項１３に記載の非絶縁型ＤＣ−Ｄ
Ｃコンバータにおいて、 前記第２半導体スイッチ回路と通流制御半導体素子とは
互いに同期してオン又はオフするようにしたことを特徴
とする非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータ。 - 【請求項１５】 請求項１３又は請求項１４に記載の非
絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータにおいて、 前記電流検出手段側の回路時定数と前記第２半導体スイ
ッチ回路側の回路時定数とをほぼ等しく設定したことを
特徴とする非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータ。 - 【請求項１６】 請求項１乃至請求項１５のいずれかに
記載の非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータにおいて、 前記非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータを構成するそれぞれ
の半導体素子は、ユニポーラ型半導体素子としたことを
特徴とする非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータ。 - 【請求項１７】 請求項１６に記載の非絶縁型ＤＣ−Ｄ
Ｃコンバータにおいて、 前記ユニポーラ型半導体素子は、ＭＯＳＦＥＴとしたこ
とを特徴とする非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000035574A JP2001231251A (ja) | 2000-02-14 | 2000-02-14 | 非絶縁型ｄｃ−ｄｃコンバータ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000035574A JP2001231251A (ja) | 2000-02-14 | 2000-02-14 | 非絶縁型ｄｃ−ｄｃコンバータ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001231251A true JP2001231251A (ja) | 2001-08-24 |
Family
ID=18559753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000035574A Pending JP2001231251A (ja) | 2000-02-14 | 2000-02-14 | 非絶縁型ｄｃ−ｄｃコンバータ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001231251A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2381140A (en) * | 2001-08-07 | 2003-04-23 | Yazaki Corp | Power supply arrangement to reduce in-rush current |
| JP2008029126A (ja) * | 2006-07-21 | 2008-02-07 | Fujitsu Ten Ltd | 昇圧回路、モータ駆動回路及び電動パワーステアリング制御装置 |
| US7760522B2 (en) | 2005-12-16 | 2010-07-20 | Fujitsu Limited | Control unit for controlling DC/DC converter, DC/DC converter, electric apparatus, and apparatus having supply circuit |
-
2000
- 2000-02-14 JP JP2000035574A patent/JP2001231251A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2381140A (en) * | 2001-08-07 | 2003-04-23 | Yazaki Corp | Power supply arrangement to reduce in-rush current |
| GB2381140B (en) * | 2001-08-07 | 2003-12-10 | Yazaki Corp | Load driving apparatus |
| US6693390B2 (en) | 2001-08-07 | 2004-02-17 | Yazaki Corporation | Load driving apparatus |
| US7760522B2 (en) | 2005-12-16 | 2010-07-20 | Fujitsu Limited | Control unit for controlling DC/DC converter, DC/DC converter, electric apparatus, and apparatus having supply circuit |
| JP2008029126A (ja) * | 2006-07-21 | 2008-02-07 | Fujitsu Ten Ltd | 昇圧回路、モータ駆動回路及び電動パワーステアリング制御装置 |
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