JP2001228609A - ポジ型感光性ポリイミド樹脂組成物 - Google Patents

ポジ型感光性ポリイミド樹脂組成物

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JP2001228609A
JP2001228609A JP2000364293A JP2000364293A JP2001228609A JP 2001228609 A JP2001228609 A JP 2001228609A JP 2000364293 A JP2000364293 A JP 2000364293A JP 2000364293 A JP2000364293 A JP 2000364293A JP 2001228609 A JP2001228609 A JP 2001228609A
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寛晴 中山
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貴康 仁平
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】 アルカリ水溶液での現像が可能、かつ基材と
の密着性、現像性に優れたポジ型感光性樹脂組成物を提
供する。 【解決手段】 式(1)で示される溶媒可溶性ポリイミ
ド100重量部に対し、式(2)で示されるポリイミド
前駆体を1〜50重量部を含有し、かつ式(1)および
式(2)の総量100重量部に対し、オルトキノンジア
ジド化合物を1〜100重量部を含有するポジ型感光性
ポリイミド樹脂組成物。 (式中、R1及びR3は2価の有機基であり、R1の1〜
90モル%がフェノール性水酸基、カルボキシル基、チ
オフェノール基、スルホン基からなる群より選ばれた少
なくとも一種以上の基を1個以上有する2価の有機基で
あり、10〜99モル%がフェノール性水酸基、カルボ
キシル基、チオフェノール基またはスルホン基を有しな
い2価の有機基、R2及びR4はテトラカルボン酸および
その誘導体を構成する4価の有機基である。)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電気・電子デバイ
ス、特に半導体装置などに用いるのに好適な感光性材料
に係り、特に基材との密着性、現像性等に優れるポジ型
感光性ポリイミド樹脂組成物に関する。
【0002】
【従来の技術】ポリイミド樹脂に感光性を付与する手法
としては、例えば特開昭54−116216号公報及
び、特開昭54−116217号公報に記載されている
架橋性基を可溶性ポリイミド前駆体に化学的に結合する
方法や、特開昭54−145794号公報及び、特開昭
57−168942号公報に記載されている架橋性単量
体を混合する方法などがある。
【0003】上記の方法は、露光部が光により架橋不溶
化するネガ型であり、現像の際に有機溶媒を用いるため
安全性に問題があるほか、現像液により露光部の膨潤が
起こるため、高解像度の微細加工を行うのが難しいとい
う欠点がある。
【0004】それに対し、最近ではアルカリ水溶液によ
る現像が可能なポジ型の感光性樹脂材料が開発され、注
目を集めている。例えば特開昭64−60630号公報
においてはヒドロキシル基を導入した有機溶媒可溶性の
ポリイミド樹脂にオルトキノンジアジド化合物を混合す
る方法が、さらに特開平3−209478号公報におい
ては有機溶媒可溶性ポリイミド樹脂として極めて透明性
に優れる樹脂を用いるため、オルトキノンジアジド化合
物を混合することで、極めて高感度、高解像度となる方
法がある。
【0005】しかし、これらはシリコン等の基板に対す
る密着性が十分でなく、パターン形成の際シランカップ
リング剤等による基板の前処理をしないと現像時、ある
いは硬化後、樹脂が基板から剥離してしまうという問題
があった。また、オルトキノンジアジドを混合した際に
未露光部のアルカリ溶解性を抑制し、露光部との高溶解
速度差をつけるため、アルカリ親和性を極端に低下した
溶媒可溶性ポリイミド樹脂を用いている。
【0006】このように、従来のポジ型感光性ポリイミ
ド樹脂は優れた特性がある反面、その低密着性、低現像
性等、プロセス的に十分なものではなかった。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の事情
に鑑みてなされたものであって、アルカリ水溶液での現
像が可能、かつ基材との密着性、現像性に優れたポジ型
感光性樹脂組成物を提供しようとするものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明者は上記課題を解
決するため鋭意検討を行った結果、本発明を見出すに至
った。本発明は式(1)
【0009】
【化3】
【0010】(式中、繰り返し単位nは3以上1000
以下の整数であり、式中R1はジアミンを構成する2価
の有機基を示し、R2はテトラカルボン酸およびその誘
導体を構成する4価の有機基を示し、且つ、R1は、そ
のジアミン成分の1〜90モル%がフェノール性水酸
基、カルボキシル基、チオフェノール基、スルホン基か
らなる群より選ばれた少なくとも一種以上の基を1個ま
たは複数個有し、10〜99モル%がフェノール性水酸
基、カルボキシル基、チオフェノール基またはスルホン
基を有しない2価の有機基である。)で示される繰り返
し単位を有する溶媒可溶性ポリイミド100重量部に対
し、式(2)
【0011】
【化4】
【0012】(式中、繰り返し単位mは3以上1000
以下の整数であり、R3はジアミンを構成する2価の有
機基であり、R4はテトラカルボン酸およびその誘導体
を構成する4価の有機基である。)で示される繰り返し
単位を有するポリイミド前駆体を1〜50重量部を含有
し、且つ、式(1)で表される繰り返し単位および一般
式(2)で表される繰り返し単位の総量100重量部に
対し、オルトキノンジアジド化合物を1〜100重量部
を含有することを特徴とするポジ型感光性ポリイミド樹
脂組成物に関する。
【0013】本発明の一態様においては、式(2)で示
される繰り返し単位を有するポリイミド前駆体に置い
て、R3のジアミンを構成する2価の有機基は、そのジ
アミン成分の1〜100モル%がシリコーンジアミンで
あり、さらに式(1)で表される溶媒可溶性ポリイミド
樹脂、および式(2)で示される繰り返し単位を有する
ポリイミド樹脂前駆体において、R2およびR4がシクロ
ブタン残基であることを特徴とするポジ型感光性ポリイ
ミド樹脂組成物に関するものである。以下に本発明を詳
細に説明する。
【0014】
【発明の実施の形態】本発明の前記式(1)中のR1
構成するジアミンは、そのジアミン成分の1〜90モル
%がフェノール性水酸基、カルボキシル基、チオフェノ
ール基、スルホン酸基からなる群より選ばれた少なくと
も1種類以上の基を、1個または複数個有する2価の有
機基であり、10〜99モル%がフェノール性水酸基、
カルボキシル基、チオフェノール基、スルホン酸基を有
しない2価の有機基であれば特に限定されない。
【0015】また、上記の1〜90モル%及び10〜9
9モル%のジアミン成分は、それぞれ単独又は複数個で
あっても構わない。あえてその具体例を挙げれば、フェ
ノール性水酸基、カルボキシル基、チオフェノール基、
スルホン酸基を有するジアミンとしては、1,3-ジアミノ
-4-ヒドロキシベンゼン、1,3-ジアミノ-5-ヒドロキシベ
ンゼン、1,3-ジアミノ-4,6-ジヒドロキシベンゼン、1,4
-ジアミノ-2-ヒドロキシベンゼン、1,4-ジアミノ-2,5-
ジヒドロキシベンゼン、ビス(3-アミノ-4-ヒドロキシ
フェニル)エーテル、ビス(4-アミノ-3-ヒドロキシフ
ェニル)エーテル、ビス(4-アミノ-3,5-ジヒドロキシ
フェニル)エーテル、ビス(3-アミノ-4-ヒドロキシフ
ェニル)メタン、ビス(4-アミノ-3-ヒドロキシフェニ
ル)メタン、ビス(4-アミノ-3,5-ジヒドロキシフェニ
ル)メタン、ビス(3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル)
スルホン、ビス(4-アミノ-3-ヒドロキシフェニル)ス
ルホン、ビス(4-アミノ-3,5-ジヒドロキシフェニル)
スルホン、2,2-ビス(3-アミノ-4-ヒドロキシフェニ
ル)ヘキサフルオロプロパン、2,2-ビス(4-アミノ-3-
ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2-ビ
ス(4-アミノ-3,5-ジヒドロキシフェニル)ヘキサフル
オロプロパン、4,4'-ジアミノ-3,3'-ジヒドロキシビフ
ェニル、4,4'-ジアミノ-3,3'-ジヒドロキシ-5,5'-ジメ
チルビフェニル、4,4'-ジアミノ-3,3'-ジヒドロキシ-5,
5'-ジメトキシビフェニル、1,4-ビス(3-アミノ-4-ヒド
ロキシフェノキシ)ベンゼン、1,3-ビス(3-アミノ-4-
ヒドロキシフェノキシ)ベンゼン、1,4-ビス(4-アミノ
-3-ヒドロキシフェノキシ)ベンゼン、
【0016】1,3-ビス(4-アミノ-3-ヒドロキシフェノ
キシ)ベンゼン、ビス[4-(3-アミノ-4-ヒドロキシフ
ェノキシ)フェニル]スルホン、ビス[4-(3-アミノ-4
-ヒドロキシフェノキシ)フェニル]プロパン、2,2-ビ
ス[4-(3-アミノ-4-ヒドロキシフェノキシ)フェニ
ル]ヘキサフルオロプロパン等のフェノール性水酸基を
有するジアミン、1,3-ジアミノ-4-カルボキシベンゼ
ン、1,3-ジアミノ-5-カルボキシベンゼン、1,3-ジアミ
ノ-4,6-ジカルボキシベンゼン、1,4-ジアミノ-2-カルボ
キシベンゼン、1,4-ジアミノ-2,5-ジカルボキシベンゼ
ン、ビス(4-アミノ-3-カルボキシフェニル)エーテ
ル、ビス(4-アミノ-3,5-ジカルボキシフェニル)エー
テル、ビス(4-アミノ-3-カルボキシフェニル)スルホ
ン、ビス(4-アミノ-3,5-ジカルボキシフェニル)スル
ホン、4,4'-ジアミノ-3,3'-ジカルボキシビフェニル、
4,4'-ジアミノ-3,3'-ジカルボキシ-5,5'-ジメチルビフ
ェニル、4,4'-ジアミノ-3,3'-ジカルボキシ-5,5'-ジメ
トキシビフェニル、1,4-ビス(4-アミノ-3-カルボキシ
フェノキシ)ベンゼン、1,3-ビス(4-アミノ-3-カルボ
キシフェノキシ)ベンゼン、ビス[4-(4-アミノ-3-カ
ルボキシフェノキシ)フェニル]スルホン、ビス[4-
(4-アミノ-3-カルボキシフェノキシ)フェニル]プロ
パン、2,2-ビス[4-(4-アミノ-3-カルボキシフェノキ
シ)フェニル]ヘキサフルオロプロパン等のカルボキシ
ル基を有するジアミン、1,3-ジアミノ-4-メルカプトベ
ンゼン、1,3-ジアミノ-5-メルカプトベンゼン、1,4-ジ
アミノ-2-メルカプトベンゼン、ビス(4-アミノ-3-メル
カプトフェニル)エーテル、2,2-ビス(3-アミノ-4-メ
ルカプトフェニル)ヘキサフルオロプロパン等のチオフ
ェノール基を有するジアミン、1,3-ジアミノベンゼン-4
-スルホン酸、1,3-ジアミノベンゼン-5-スルホン酸、1,
4-ジアミノベンゼン-2-スルホン酸、ビス(4-アミノベ
ンゼン-3-スルホン酸)エーテル、4,4'-ジアミノビフェ
ニル)3,3'-ジスルホン酸、4,4'-ジアミノ-3,3'-ジメチ
ルビフェニル-6,6'-ジスルホン酸等のスルホン酸基を有
するジアミン、更にこれらの基を複数個有するビス(4-
アミノ-3-カルボキシ-5-ヒドロキシフェニル)エーテ
ル、ビス(4-アミノ-3-カルボキシ-5-ヒドロキシフェニ
ル)メタン、ビス(4-アミノ-3-カルボキシ-5-ヒドロキ
シフェニル)スルホン、2,2-ビス(4-アミノ-3-カルボ
キシ-5-ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2-ビス(4-
アミノ-3-カルボキシ-5-ヒドロキシフェニル)ヘキサフ
ルオロプロパン等が挙げられる。
【0017】フェノール性水酸基、カルボキシル基、チ
オフェノール基、スルホン酸基を有しないジアミンとし
ては、4,4-メチレン-ビス(2,6-エチルアニリン)、4,
4'-メチレン-ビス(2-イソプロピル-6-メチルアニリ
ン)4,4'-メチレン-ビス(2,6-ジイソプロピルアニリ
ン)、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]スル
ホン、2,2-ビス[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]
プロパン、2,2-ビス[4-(3-アミノフェノキシ)フェニ
ル]ヘキサフルオロプロパン、4,4'-ジアミノ-3,3'-ジ
メチルジシクロヘキシルメタン、4,4'-ジアミノジフェ
ニルエーテル、4,4'-ジアミノジフェニルメタン、1,4-
ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3-ビス(4-ア
ミノフェノキシ)ベンゼン、、ビス[4-(4-アミノフェ
ノキシ)フェニル]スルホン、2,2-ビス[4-(4-アミノ
フェノキシ)フェニル]プロパン、2,2-ビス[4-(4-ア
ミノフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパンな
どを挙げることができる。
【0018】ポリイミドの溶解性の観点からは4,4'-メ
チレン-ビス(2,6-エチルアニリン)、4,4'-メチレン-
ビス(2-イソプロピル-6-メチルアニリン)4,4'-メチレ
ン-ビス(2,6-ジイソプロピルアニリン)、ビス[4-(3
-アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、2,2-ビス[4
-(3-アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、2,2-ビ
ス[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオ
ロプロパン等が好ましい。また、以下に示すシロキサン
含有ジアミン成分とし、
【0019】
【化5】
【0020】(式中、pは1から10の整数を表す)な
どを挙げることができる。
【0021】式(1)中のR2を構成するテトラカルボ
ン酸およびその誘導体は特に限定されないが、あえてそ
の具体例を挙げれば、1,2,4,5-ベンゼンテトラカルボン
酸、3,3',4,4'-ビフェニルテトラカルボン酸、3,3',4,
4'-ベンゾフェノンテトラカルボン酸、ビス(3,4-ジカ
ルボキシフェニル)エーテル、2,2-ビス(3,4-ジカルボ
キシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、ビス(3,4-ジ
カルボキシフェニル)スルホンの様な芳香族テトラカル
ボン酸及びこれらの二無水物並びにこれらのジカルボン
酸ジ酸ハロゲン化物などを挙げることができる。溶解性
の観点からは3,3',4,4'-ビフェニルテトラカルボン酸、
3,3',4,4'-ベンゾフェノンテトラカルボン酸、2,2-ビス
(3,4-ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパ
ン、ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)スルホンなどの
テトラカルボン酸及びこれらの二無水物並びにこれらの
ジカルボン酸ジ酸ハロゲン化物が好ましい。
【0022】また、シクロブタン-1,2,3,4-テトラカル
ボン酸、3,4-ジカルボキシ-1,2,3,4-テトラヒドロ-1-ナ
フタレンコハク酸、2,3,5-トリカルボキシシクロペンチ
ル酢酸、ビシクロ(2,2,2)オクト-7-エン-2,3,5,6-テト
ラカルボン酸、テトラヒドロフラン-2,3,4,5-テトラカ
ルボン酸の様な脂環式テトラカルボン酸及びこれらの二
無水物並びにこれらのジカルボン酸ジ酸ハロゲン化物等
を挙げることができる。
【0023】また、ブタンテトラカルボン酸の様な脂肪
族テトラカルボン酸及びこれらの二無水物並びにこれら
のジカルボン酸ジ酸ハロゲン化物を挙げることもでき
る。
【0024】更に、これらの内感光性ポリイミドとして
十分な感度を得るために、透明性の高いポリイミド樹脂
を得るには、シクロブタン-1,2,3,4-テトラカルボン酸
及びその二無水物並びにそのジカルボン酸ジ酸ハロゲン
化物などが好ましい。
【0025】本発明の溶媒可溶性ポリイミドを得る方法
は、特に限定はされない。一般には、N-メチルピロリ
ドン、ジメチルアセトアミドなどの極性溶媒中でテトラ
カルボン酸二無水物とジアミンとの反応からポリイミド
前駆体を合成し、脱水閉環する方法がとられる。
【0026】テトラカルボン酸二無水物とジアミンの反
応温度は−20〜150℃、好ましくは−5〜100℃
の任意の温度を選択することができる。
【0027】また、ポリイミド前駆体をポリイミドに転
化するには、ポリイミド前駆体を溶液状態のまま150
℃〜250℃で加熱すればよく、脱水閉環で生成した水
を取り除くためトルエン、またはキシレンなどを添加し
共沸脱水すること等も可能である。
【0028】また、ポリイミド前駆体をポリイミドに転
化する更に簡便な方法として、触媒イミド化がある。
【0029】この場合はポリイミド前駆体溶液に無水酢
酸とトリエチルアミン、ピリジン、イソキノリン、イミ
ダゾール等の三級アミンを添加し、0℃〜250℃の任
意の温度でイミド化を行うことができる。
【0030】また、本発明の前記式(2)中のR3を構
成するジアミンは、特に限定しないが、R3を構成する
ジアミン成分の1〜100モル%のシリコーンジアミン
を用いると基板への密着性を向上させるために好まし
く、特に5〜100モル%がシリコーンジアミンである
ことが好ましい。
【0031】またこれらは単独であっても複数であって
も構わない。あえてその具体例を挙げれば、シリコーン
含有ジアミン成分としては、
【0032】
【化6】
【0033】(式中、pは1から10の整数を表す) 等が挙げられる。又、これらのジアミンの1種又は2種
以上を混合して使用することもできる。
【0034】シリコーンジアミン以外のジアミンとして
は、4,4-メチレン-ビス(2,6-エチルアニリン)、4,4'-
メチレン-ビス(2-イソプロピル-6-メチルアニリン)4,
4'-メチレン-ビス(2,6-ジイソプロピルアニリン)、ビ
ス[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、2,
2-ビス[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]プロパ
ン、2,2-ビス[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]ヘ
キサフルオロプロパン、4,4'-ジアミノ-3,3'-ジメチル
ジシクロヘキシルメタン、4,4'-ジアミノジフェニルエ
ーテル、4,4'-ジアミノジフェニルメタン、1,4-ビス(4
-アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3-ビス(4-アミノフ
ェノキシ)ベンゼン、ビス[4-(4-アミノフェノキシ)
フェニル]スルホン、2,2-ビス[4-(4-アミノフェノキ
シ)フェニル]プロパン、2,2-ビス[4-(4-アミノフェ
ノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパンなどを挙げ
ることができる。
【0035】式(2)中のR4を構成するテトラカルボ
ン酸及びその誘導体は特に限定されないが、あえてその
具体例を挙げれば、1,2,4,5-ベンゼンテトラカルボン
酸、3,3',4,4'-ビフェニルテトラカルボン酸、3,3',4,
4'-ベンゾフェノンテトラカルボン酸、ビス(3,4-ジカ
ルボキシフェニル)エーテル、2,2-ビス(3,4-ジカルボ
キシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、ビス(3,4-ジ
カルボキシフェニル)スルホンの様な芳香族テトラカル
ボン酸及びこれらの二無水物並びにこれらのジカルボン
酸ジ酸ハロゲン化物などを挙げることができる。
【0036】また、シクロブタン-1,2,3,4-テトラカル
ボン酸、3,4-ジカルボキシ-1,2,3,4-テトラヒドロ-1-ナ
フタレンコハク酸、2,3,5-トリカルボキシシクロペンチ
ル酢酸、ビシクロ(2,2,2)オクト-7-エン-2,3,5,6-テト
ラカルボン酸、テトラヒドロフラン-2,3,4,5-テトラカ
ルボン酸の様な脂環式テトラカルボン酸及びこれらの二
無水物並びにこれらのジカルボン酸ジ酸ハロゲン化物を
挙げることができる。
【0037】また、ブタンテトラカルボン酸の様な脂肪
族テトラカルボン酸及びこれらの二無水物並びにこれら
のジカルボン酸ジ酸ハロゲン化物を挙げることもでき
る。
【0038】更に、これらの内感光性ポリイミドとして
十分な感度を得るために、透明性の高いポリイミド樹脂
を得るために、シクロブタン-1,2,3,4-テトラカルボン
酸及びその二無水物並びにそのジカルボン酸ジ酸ハロゲ
ン化物などが好ましい。
【0039】本発明のポリイミド前駆体を得る方法は、
特に限定はされない。一般には、N-メチルピロリド
ン、ジメチルアセトアミドなどの極性溶媒中でテトラカ
ルボン酸二無水物とジアミンとを反応、重合させて得る
ことができる。
【0040】テトラカルボン酸二無水物とジアミンの反
応温度は−20〜150℃、好ましくは−5〜100℃
の任意の温度を選択することができる。
【0041】上記ポリイミド前駆体の配合量は上記有機
溶媒可溶性ポリイミド100重量部に対して1〜100
重量部であり、配合量が1重量部より少ないと、得られ
る組成物のパターン形成時の密着性が不十分となり、ま
た100重量部より多いと、塗膜が相分離しやすくなる
ため、白化現象が発生したり、塗膜が形成されても未露
光部のアルカリ溶解性が高すぎるため良好なパターン形
状が得られない。
【0042】また、本発明のポジ型感光性ポリイミド樹
脂組成物を構成するオルトキノンジアジド化合物として
は、分子内にオルトキノンジアジド基を含有する化合物
であれば良く、特に限定されない。例えばオルトベンゾ
キノンジアジド化合物、オルトナフトキノンジアジド化
合物、オルトキノリンキノンジアジド化合物などが挙げ
られ、これらはいわゆるフェノールノボラック系ポジ型
感光性組成物で用いられるもので、中でもオルトナフト
キノンジアジド化合物を用いるのが一般的である。
【0043】上記オルトキノンジアジド化合物は、通
常、オルトキノンジアジドスルホン酸エステルとして用
いられる。
【0044】これらのオルトキノンジアジドスルホン酸
エステルは、通常オルトキノンジアジドスルホン酸クロ
ライドと、フェノール性水酸基を有する化合物との縮合
反応によって得られる。
【0045】上記オルトキノンジアジドスルホン酸クロ
ライドを構成するオルトキノンジアジドスルホン酸成分
としては、例えば、1,2-ナフトキノン-2-ジアジド-4-ス
ルホン酸、1,2-ナフトキノン-2-ジアジド-5-スルホン
酸、1,2-ナフトキノン-2-ジアジド-6-スルホン酸などを
挙げることができる。
【0046】また、上記フェノール性水酸基を有する化
合物としては、例えば、2,4-ジヒドロキシベンゾフェノ
ン、2,3,4-トリヒドロキシベンゾフェノン、2,2',4,4'-
テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,4'-テトラヒ
ドロキシベンゾフェノン、2,2-ビス(4-ヒドロキシフェ
ニル)プロパン、2,2-ビス(2,3,4-トリヒドロキシフェ
ニル)プロパン、4,4'-ジヒドロキシフェニルスルホン
などを挙げることができる。
【0047】通常、これらの化合物のフェノール性水酸
基の一部、あるいは全部を、上記オルトキノンジアジド
スルホン酸基で置換、反応した2置換体、3置換体、4
置換体、5置換体、6置換体を単独、或いはそれらの混
合物として用いるのが一般的である。
【0048】上記オルトキノンジアジド化合物の配合量
は、上記有機溶媒可溶性ポリイミドおよびポリイミド前
駆体の総量100重量部に対して1〜100重量部であ
り、配合量が1重量部より少ないと、得られる組成物の
露光時の感度が著しく低くなり、パターン形成ができな
い。また、100重量部より多いと、得られる組成物よ
り形成される膜の機械的性質、電気的特性などが低下す
る。
【0049】本発明のポジ型感光性ポリイミド樹脂組成
物は、電気・電子デバイスなどに用いられる場合、有機
溶媒に溶解された溶液として用いられる。この有機溶媒
は、ポリイミド、ポリイミド前駆体、オルトキノンジア
ジド化合物を均一に溶解するものであれば、特に限定さ
れない。その具体例としては、例えば、N,N-ジメチルホ
ルムアミド、N.N-ジメチルアセトアミド、N-メチルピロ
リドン、N-ビニルピロリドン、ジメチルスルホキシド、
m-クレゾール、γ-ブチロラクトンなどが挙げられる。
【0050】その他、目的に応じ本組成物の溶解性を阻
害しない限りは、他の有機溶媒を混合して使用してもよ
い。そのような有機溶媒の具体例としては、エチルセロ
ソルブ、ブチルセロソルブ、エチルカルビトール、ブチ
ルカルビトール、エチルカルビトールアセテート、ブチ
ルカルビトールアセテート、エチレングリコールなどが
挙げられる。有機溶媒可溶性ポリイミドを反応、重合し
た溶液にポリイミド前駆体溶液、オルトキノンジアジド
化合物を溶解させても良く、貧溶媒を使用して沈殿回収
した有機溶媒可溶性ポリイミド樹脂、ポリイミド前駆体
樹脂を、前記オルトキノンジアジド化合物と共に、前記
有機溶媒に溶解させてもよい。
【0051】上記のポジ型感光性ポリイミド樹脂組成物
の有機溶媒溶液の濃度は、ポリイミドおよびオルトキノ
ンジアジド化合物が有機溶媒に均一に溶解している限り
は、特に限定されない。加工面の容易さから、1〜50
重量%の範囲が一般的である。
【0052】本発明のポジ型感光性ポリイミド樹脂組成
物は、シリコーンウェハーなどの基材上に回転塗布した
後、80〜130℃で予備乾燥して膜を形成することが
できる。この際、本組成物から得られる塗膜は密着性が
高く、シラン系のカップリング剤などを処理した基板を
用いる必要がない。
【0053】上記の膜上に所定のパターンを有するマス
クを装着し、光を照射し、アルカリ現像液で現像するこ
とにより、露光部が洗い出される。さらに現像後、蒸留
水を用いてリンスを行うことで、端面のシャープなレリ
ーフパターンが得られる。この際使用される照射光とし
ては紫外線、可視光線等が使用できるが、200〜50
0nmの波長の光が望ましい。現像液としては、アルカ
リ水溶液であればどのようなものでもよく、苛性カリウ
ム、苛性ソーダなどのアルカリ金属水酸化物の水溶液、
テトラメチルアンモニウムヒドロキサイド、テトラエチ
ルアンモニウムヒドロキサイド、コリンなどの水酸化四
級アンモニウムの水溶液、エタノールアミン、プロピル
アミン、エチレンジアミンなどのアミン水溶液を例とし
て挙げることができる。本組成物は、露光部の溶解性が
高く、上記現像は室温で容易に行うことができる。
【0054】かくして得られたレリーフパターンを有す
る基板を200〜400℃で熱処理を行うことにより、
耐熱性、耐薬品性、電気特性に優れ、良好なレリーフパ
ターンを有するポリイミド塗膜を得ることができる。
【0055】本発明の組成物は、高感度、高解像度のポ
ジ型感光特性を有し、しかもアルカリ水溶液によるエッ
チングが容易であり、所定パターンを有するマスクを用
いて露光することにより、微細形状かつ寸法精度の高い
レリーフパターンを有するポリイミド樹脂塗膜を容易に
得ることができる。
【0056】更に、本発明の組成物は、シラン系のカッ
プリング剤などによる基材の前処理なしに、レリーフパ
ターン形成が可能であり、かつ溶媒可溶性ポリイミドお
よびオルトキノンジアジド化合物のみの混合組成物に比
べ現像速度の向上がなされ、パターン形成プロセスの大
幅な効率化が図れる。
【0057】本発明のポジ型感光性ポリイミド樹脂組成
物は、半導体素子用の層間絶縁膜、パッシベーション
膜、バッファーコート膜、多層プリント基板用絶縁膜な
どに用いることができる。
【0058】以下に実施例を挙げ、本発明を更に詳しく
説明するが、本発明はこれらに限定されるものではな
い。実施例および比較例の評価結果は表1および表2に
示した。
【0059】
【実施例】実施例1 (有機溶媒可溶性ポリイミドの合成)1,3-ジアミノ-5-
カルボキシベンゼン(以下、DABAと略記する)4.
56g、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]ス
ルホン(以下、BAPSと略記する)30.27g、シ
クロブタンテトラカルボン酸二無水物(以下、CBDA
と略記する)19.22gをN-メチルピロリドン(以
下、NMPと略記する)305.81g中室温で6時間
反応した。
【0060】NMPで固形分6.0重量%に希釈後、無
水酢酸、ピリジンを加え40℃で3時間、脱水閉環反応
を行った。この溶液をメタノール中に投入後、ろ別乾燥
して、ポリイミド粉末を得た。得られたポリイミドの数
平均分子量は39000(繰り返し単位換算でn=7
0)であった。尚、数平均分子量は(株)センシュー科
学製GPCシステムSSC−7200により測定した。
その際、標準物質としてはポリエチレングリコールを用
いた。以下に記載する数平均分子量も同様にして測定し
た。
【0061】(ポリイミド前駆体の合成)BAPS1
0.81g、CBDA4.76gをNMP88.22g
中室温で6時間反応させポリイミド前駆体のNMP溶液
を得た。得られたポリイミド前駆体の数平均分子量は3
5000(繰り返し単位換算でm=55)であった。
【0062】(感光特性の評価)溶媒可溶性ポリイミド
樹脂の20%NMP溶液20gとポリイミド前駆体の1
5%NMP溶液2.67gを混合し、溶媒可溶性ポリイ
ミドとポリイミド前駆体の割合を10:1とした混合溶
液に、ナフトキノン系ポジ型感光剤(2,3,4,4'-テトラ
ヒドロキシベンゾフェノンの1,2-ナフトキノン-2-ジア
ジド-5-スルホン酸の3モル置換化合物)1.32gを
加え、室温で1時間攪拌後、0.4μmのフィルターに
よりろ過し、本発明のポジ型感光性ポリイミド樹脂組成
物の溶液を得た。
【0063】この感光性ポリミド溶液をシリコンウェハ
ー上にスピンコーターを用いて直接塗布し、ホットプレ
ート上120℃で3分間加熱し、厚さ約2μmの塗膜を
得た。この塗膜にテストマスク(凸版テストチャート:
1〜50μmのライン幅を有するパターンを多数配置し
たマスク)を通してCanon(株)製紫外線照射装置
PLA−501により、紫外光を1分間照射した。この
露光面での紫外線照射強度は波長350nmで5mW/
cm2((株)オーク製作所製紫外線照度計UV−M0
1による測定)であった。露光後、およそ23℃のアル
カリ現像液(東京応化(株)製、NMD-3)に140
秒間浸漬することで、完全に露光部のみの溶出が確認で
きた。現像、リンス後の膜厚は約2μmであった。得ら
れたレリーフパターンを光学顕微鏡により観察し、現
像、リンス中に剥がれを起こさなかった最小のラインパ
ターンよりパターン密着性を評価した。その結果、ライ
ン幅で14μmまでパターン剥離なく形成された。以下
の比較例に示す可溶性ポリイミドもしくはポリイミド前
駆体を単独で用いる方法に比べ、現像時間の短縮、密着
力向上によるパターン解像性の向上が確認された。
【0064】また、同様に感光性ポリイミド溶液をシリ
コンウェハー上に塗布し、120℃3分間プリベークを
行った後、170℃60分間、350℃30分間循環乾
燥炉で加熱し硬化塗膜を得た。この塗膜中にカッターに
て碁盤目(11×11本)を入れ、セロテープ(登録商
標)剥離テストを行った。塗膜の剥がれは全く観測され
ず、硬化後の塗膜の密着性も非常に優れていることが観
測された。
【0065】実施例2 実施例1におけるポリイミド前駆体の合成において、ジ
アミン成分をBAPS、ビス(γ-アミノプロピル)テ
トラメチルジシロキサン(APTS)に変え、それぞれ
モル比で95:5となるように仕込んだ他は、実施例1
と同じ条件で行い、ポリイミド前駆体のNMP溶液を得
た。得られたポリイミド前駆体の数平均分子量は278
00(繰り返し単位換算でm=44)であった。さら
に、実施例1と同様のポリイミド樹脂の20%NMP溶
液20gとこのポリイミド前駆体の15%NMP溶液
2.67gを混合し、溶媒可溶性ポリイミドとポリイミ
ド前駆体の割合を10:1とした混合溶液に、ナフトキ
ノン系ポジ型感光剤(2,3,4,4'-テトラヒドロキシベン
ゾフェノンの1,2-ナフトキノン-2-ジアジド-5-スルホン
酸の3モル置換化合物)1.32gを加え、実施例1と
同様の方法で本発明のポジ型感光性ポリイミド樹脂組成
物の溶液を得た。
【0066】この感光性ポリミド溶液をシリコンウェハ
ー上にスピンコーターを用いて直接塗布し、ホットプレ
ート上120℃で3分間加熱し、厚さ約2μmの塗膜を
得た。この塗膜にテストマスクを通してCanon
(株)製紫外線照射装置PLA−501により、実施例
1と同様の照射強度の紫外光を1分間照射した。露光
後、およそ23℃のアルカリ現像液(東京応化(株)
製、NMD-3)に140秒間浸漬することで露光部の
みの溶出が確認できた。現像、リンス後の膜厚は約2μ
mであった。その結果、ライン幅で3μmまでパターン
剥離なく形成された。さらに現像時間を210秒として
も、3μmまでパターン剥離がないことが確認された。
比較例に示す可溶性ポリイミドもしくはポリイミド前駆
体を単独で用いる方法に比べ、現像時間の短縮、パター
ン解像性の向上が確認された。
【0067】また、同様に感光性ポリイミド溶液をシリ
コンウェハー上に塗布し、120℃3分間プリベークを
行った後、170℃60分間、350℃30分間循環乾
燥炉で加熱し硬化塗膜を得た。この塗膜中にカッターに
て碁盤目(11×11本)を入れ、セロテープ剥離テス
トを行った。塗膜の剥がれは全く観測されず、硬化後の
塗膜の密着性も非常に優れていることが観測された
【0068】比較例1 実施例1で合成を行った溶媒可溶性ポリイミド成分のみ
(5.0g)をNMP(29.6g)中に溶解し、さら
にナフトキノン系ポジ型感光剤(2,3,4,4'-テトラヒド
ロキシベンゾフェノンの1,2-ナフトキノン-2-ジアジド-
5-スルホン酸の3モル置換化合物)1.5gを加え、実
施例1と同様の方法で感光性ポリイミド樹脂組成物の溶
液を得た。
【0069】この感光性ポリイミド溶液をシリコンウェ
ハー上にスピンコーターを用いて直接塗布し、ホットプ
レート上120℃で3分間加熱し、厚さ約2μmの塗膜
を得た。この塗膜にテストマスクを通してCanon
(株)製紫外線照射装置PLA−501により、実施例
と同様の照射強度の紫外光を一分間照射した。露光後、
およそ23℃のアルカリ現像液(東京応化(株)製、N
MD-3)に150秒間浸漬して、現像を行った。しか
し現像中に全てのパターン剥離が確認された。
【0070】比較例2 実施例2で合成を行ったポリイミド前駆体成分の15%
NMP溶液30gに、ナフトキノン系ポジ型感光剤(2,
3,4,4'-テトラヒドロキシベンゾフェノンの1,2-ナフト
キノン-2-ジアジド-5-スルホン酸の3モル置換化合物)
1.35gを加え、実施例1と同様の方法でポジ型感光
性ポリイミド樹脂組成物の溶液を得た。
【0071】この感光性ポリミド溶液をシリコンウェハ
ー上にスピンコーターを用いて直接塗布し、ホットプレ
ート上120℃で3分間加熱し、厚さ約2μmの塗膜を
得た。この塗膜にテストマスクを通してCanon
(株)製紫外線照射装置PLA−501により、実施例
1と同様の照射強度の紫外光を1分間照射した。露光
後、およそ23℃のアルカリ現像液(東京応化(株)
製、NMD-3)に150秒間浸漬して、現像を行っ
た。しかし現像中に露光部の大幅な膜べりが確認され、
シリコン基板上にはパターンはほとんど残っていなかっ
た。
【0072】比較例3 まず、シリコンウェハー上にアミノシラン系のカップリ
ング剤をスピンコーターを用いて塗布した。さらに比較
例1の感光性ポリイミド溶液をスピンコーターを用いて
塗布し、ホットプレート上120℃で3分間加熱し、厚
さ約2μmの塗膜を得た。この塗膜にテストマスクを通
してCanon(株)製紫外線照射装置PLA−501
により、実施例1と同様の照射強度の紫外光を1分間照
射した。露光後、およそ23℃のアルカリ現像液(東京
応化(株)製、NMD-3)にて現像を行ったところ、
露光部を完全に溶出するためには200秒間の浸漬が必
要であった。その結果、ライン幅で3μmまでパターン
剥離なく形成された。さらに現像時間を300秒とした
場合、10μmまでパターン剥離なく形成されていた。
【0073】
【表1】 表1 ────────────────────────────────── 実施例 ポリイミド成分* ホ゜リイミト゛前駆体成分* 現像 パターン密着性 CBDA BAPS DABA CBDA BAPS APTS 時間(秒) 現像 現像 mol比 mol比 X秒 X秒 1.5X秒 ────────────────────────────────── 1 98 70 30 97 100 - 140 14μm − 2 98 70 30 97 95 5 140 3μm 3μm ────────────────────────────────── *:ポリイミド成分とポリイミド前駆体成分の割合は10:1(wt比) (略号の説明) CBDA:シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、DABA:1,3-ジアミノ-5-カルボ キシベンゼン、BAPS:ビス[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、AP TS:ビス(γ-アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン
【0074】
【表2】 表2 ────────────────────────────────── 比較例 ポリイミド成分 ホ゜リイミト゛前駆体成分 現像 パターン密着性 CBDA BAPS DABA CBDA BAPS APTS 時間(秒) 現像 現像 mol比 mol比 X秒 X秒 1.5X秒 ────────────────────────────────── 1 98 70 30 − − − 150 膜剥離 膜剥離 2 − − − 97 95 5 150 膜溶出 膜溶出 3* 98 70 30 − − − 200 3μm 10μm ────────────────────────────────── *:感光性ポリイミド膜の下地をシランカップリング剤により前処理を行った 場合
【0075】
【発明の効果】酸性基を有するジアミンを構成成分とす
る溶媒可溶性ポリイミド樹脂溶液とポリイミド前駆体溶
液を混合して得られた物をベース樹脂とすることによ
り、基材の前処理なしに高いパターン密着性が得られ、
現像性(高現像速度)に優れるポジ型感光性ポリイミド
樹脂組成物を見出した。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/027 H01L 21/30 502R (72)発明者 袋 裕善 千葉県船橋市坪井町722番地1 日産化学 工業株式会社中央研究所内

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 式(1) 【化1】 (式中、繰り返し単位nは3以上1000以下の整数で
    あり、式中R1はジアミンを構成する2価の有機基を示
    し、R2はテトラカルボン酸およびその誘導体を構成す
    る4価の有機基を示し、且つ、R1は、そのジアミン成
    分の1〜90モル%がフェノール性水酸基、カルボキシ
    ル基、チオフェノール基、スルホン基からなる群より選
    ばれた少なくとも一種以上の基を1個または複数個有
    し、10〜99モル%がフェノール性水酸基、カルボキ
    シル基、チオフェノール基またはスルホン基を有しない
    2価の有機基である。)で示される繰り返し単位を有す
    る溶媒可溶性ポリイミド100重量部に対し、式(2) 【化2】 (式中、繰り返し単位mは3以上1000以下の整数で
    あり、R3はジアミンを構成する2価の有機基であり、
    4はテトラカルボン酸およびその誘導体を構成する4
    価の有機基である。)で示される繰り返し単位を有する
    ポリイミド前駆体を1〜50重量部を含有し、且つ、式
    (1)で表される繰り返し単位および一般式(2)で表
    される繰り返し単位の総量100重量部に対し、オルト
    キノンジアジド化合物を1〜100重量部を含有するこ
    とを特徴とするポジ型感光性ポリイミド樹脂組成物。
  2. 【請求項2】式(2)で示される繰り返し単位を有する
    ポリイミド前駆体に於いて、R3のジアミンを構成する
    2価の有機基は、そのジアミン成分の1〜100モル%
    がシリコーンジアミンである請求項1に記載のポジ型感
    光性ポリイミド樹脂組成物。
  3. 【請求項3】式(1)で示される繰り返し単位を有する
    溶媒可溶性ポリイミド樹脂、および式(2)で示される
    繰り返し単位を有するポリイミド樹脂前駆体において、
    2、およびR4がシクロブタン残基である請求項1又は
    請求項2に記載のポジ型感光性ポリイミド樹脂組成物。
  4. 【請求項4】オルトキノンジアジド化合が、式(1)で
    表される繰り返し単位および式(2)で表される繰り返
    し単位の総量100重量部に対し、5〜50重量部を含
    有する請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のポジ型
    感光性ポリイミド樹脂組成物。
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004051794A (ja) * 2002-07-19 2004-02-19 Shin Etsu Chem Co Ltd フェノール性水酸基を有するポリイミド樹脂、その製造方法、及びポリイミド樹脂組成物
JP2005330479A (ja) * 2004-04-22 2005-12-02 Shin Etsu Chem Co Ltd 無溶剤型ポリイミドシリコーン系樹脂組成物及びこれを用いた樹脂皮膜
CN1324402C (zh) * 2001-10-30 2007-07-04 钟渊化学工业株式会社 感光性树脂组合物、使用该组合物的感光性薄膜及层压体
JP2007246920A (ja) * 2007-06-01 2007-09-27 Shin Etsu Chem Co Ltd フェノール性水酸基を有するポリイミド樹脂及びポリイミド樹脂組成物
CN100352849C (zh) * 2005-12-28 2007-12-05 中国科学院长春应用化学研究所 一种水基显影共聚型光敏聚酰亚胺材料及其制备方法
JP2008033158A (ja) * 2006-07-31 2008-02-14 Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd ポジ型感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法および電子部品
KR100824573B1 (ko) * 2000-10-04 2008-04-23 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 포지티브형 감광성 폴리이미드 수지 조성물
JP2008095113A (ja) * 2007-11-19 2008-04-24 Shin Etsu Chem Co Ltd フェノール性水酸基を有するポリイミド樹脂の製造方法
CN100480856C (zh) * 2005-12-28 2009-04-22 中国科学院长春应用化学研究所 一种水基显影有机硅改性光敏聚酰亚胺材料及其制备方法
KR100905682B1 (ko) * 2001-09-26 2009-07-03 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 포지티브형 감광성 폴리이미드 수지 조성물
WO2023195322A1 (ja) * 2022-04-06 2023-10-12 Hdマイクロシステムズ株式会社 半導体装置の製造方法、ハイブリッドボンディング絶縁膜形成材料及び半導体装置

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100824573B1 (ko) * 2000-10-04 2008-04-23 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 포지티브형 감광성 폴리이미드 수지 조성물
KR100905682B1 (ko) * 2001-09-26 2009-07-03 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 포지티브형 감광성 폴리이미드 수지 조성물
CN1324402C (zh) * 2001-10-30 2007-07-04 钟渊化学工业株式会社 感光性树脂组合物、使用该组合物的感光性薄膜及层压体
JP2004051794A (ja) * 2002-07-19 2004-02-19 Shin Etsu Chem Co Ltd フェノール性水酸基を有するポリイミド樹脂、その製造方法、及びポリイミド樹脂組成物
JP2005330479A (ja) * 2004-04-22 2005-12-02 Shin Etsu Chem Co Ltd 無溶剤型ポリイミドシリコーン系樹脂組成物及びこれを用いた樹脂皮膜
JP4602151B2 (ja) * 2004-04-22 2010-12-22 信越化学工業株式会社 無溶剤型ポリイミドシリコーン系樹脂組成物及びこれを用いた樹脂皮膜
CN100352849C (zh) * 2005-12-28 2007-12-05 中国科学院长春应用化学研究所 一种水基显影共聚型光敏聚酰亚胺材料及其制备方法
CN100480856C (zh) * 2005-12-28 2009-04-22 中国科学院长春应用化学研究所 一种水基显影有机硅改性光敏聚酰亚胺材料及其制备方法
JP2008033158A (ja) * 2006-07-31 2008-02-14 Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd ポジ型感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法および電子部品
JP2007246920A (ja) * 2007-06-01 2007-09-27 Shin Etsu Chem Co Ltd フェノール性水酸基を有するポリイミド樹脂及びポリイミド樹脂組成物
JP4737447B2 (ja) * 2007-06-01 2011-08-03 信越化学工業株式会社 フェノール性水酸基を有するポリイミド樹脂及びポリイミド樹脂組成物
JP2008095113A (ja) * 2007-11-19 2008-04-24 Shin Etsu Chem Co Ltd フェノール性水酸基を有するポリイミド樹脂の製造方法
WO2023195322A1 (ja) * 2022-04-06 2023-10-12 Hdマイクロシステムズ株式会社 半導体装置の製造方法、ハイブリッドボンディング絶縁膜形成材料及び半導体装置

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