JP2001223466A - プリント配線板の製造方法 - Google Patents
プリント配線板の製造方法Info
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- JP2001223466A JP2001223466A JP2000029988A JP2000029988A JP2001223466A JP 2001223466 A JP2001223466 A JP 2001223466A JP 2000029988 A JP2000029988 A JP 2000029988A JP 2000029988 A JP2000029988 A JP 2000029988A JP 2001223466 A JP2001223466 A JP 2001223466A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 配線の信頼性を高めたプリント配線板の製造
方法を提供することにある。 【解決手段】 スルーホール36に粗化層36αを形成
した後に、スルーホール36のランド36aの表面を研
磨して平坦にする。それにより、フィラーと樹脂から成
る樹脂充填材をスルーホール36に充填する際、樹脂充
填材中の樹脂分がスルーホール36のランド36aに形
成された粗化層36αに沿って外へ流れ出さず、スルー
ホール内の樹脂充填材を平滑にすることができ、配線の
信頼性を高めることが可能となる。
方法を提供することにある。 【解決手段】 スルーホール36に粗化層36αを形成
した後に、スルーホール36のランド36aの表面を研
磨して平坦にする。それにより、フィラーと樹脂から成
る樹脂充填材をスルーホール36に充填する際、樹脂充
填材中の樹脂分がスルーホール36のランド36aに形
成された粗化層36αに沿って外へ流れ出さず、スルー
ホール内の樹脂充填材を平滑にすることができ、配線の
信頼性を高めることが可能となる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、プリント配線板
の製造方法に関し、特にスルーホールに樹脂充填材を充
填してなるプリント配線板の製造方法である。
の製造方法に関し、特にスルーホールに樹脂充填材を充
填してなるプリント配線板の製造方法である。
【0002】
【従来の技術】現在、ビルドアップ多層プリント配線板
において、信頼性を高めるためにスルーホール内に樹脂
を充填することが行われている。樹脂を充填する際に
は、スルーホールの表面には、密着性を高めるために黒
化−還元処理などを施して、粗化層が設けられている。
また、プリント配線板の高密度化によるスルーホールの
微細化に伴い、スルーホールに充填する樹脂充填材は低
粘度のものが用いられている。スルーホールに粗化層を
形成して、樹脂充填材を充填させる従来例として、特開
平9−181415号には、スルーホールに酸化銅層を
形成した後、樹脂充填材を充填させてから層間絶縁層を
形成させることが記載されている。また、特開平9−2
60849号には、スルーホールにエッチングによって
粗化層を形成した後、樹脂充填材を充填させてから層間
絶縁層を形成させることが記載されている。
において、信頼性を高めるためにスルーホール内に樹脂
を充填することが行われている。樹脂を充填する際に
は、スルーホールの表面には、密着性を高めるために黒
化−還元処理などを施して、粗化層が設けられている。
また、プリント配線板の高密度化によるスルーホールの
微細化に伴い、スルーホールに充填する樹脂充填材は低
粘度のものが用いられている。スルーホールに粗化層を
形成して、樹脂充填材を充填させる従来例として、特開
平9−181415号には、スルーホールに酸化銅層を
形成した後、樹脂充填材を充填させてから層間絶縁層を
形成させることが記載されている。また、特開平9−2
60849号には、スルーホールにエッチングによって
粗化層を形成した後、樹脂充填材を充填させてから層間
絶縁層を形成させることが記載されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、低粘度
の樹脂充填材を用いると、スルーホール内の樹脂充填材
に窪みができ、上層に配線を形成する際に断線等を生ぜ
しめた。この原因を本発明者が研究したところ、樹脂充
填材を構成するフィラーと樹脂の内、樹脂分がスルーホ
ールのランドに形成された粗化層(微小アンカー)に沿
って流れ出すためであることが判明した。その結果、ス
ルーホール内の充填材に凹みが発生して、コア基板を平
滑にすることができなくなっていた。そのため、コア基
板の上に層間樹脂絶縁層および配線を形成してプリント
配線板を製造した際に、断線が生じ易く、不良品発生率
が高くなることが明らかになった。
の樹脂充填材を用いると、スルーホール内の樹脂充填材
に窪みができ、上層に配線を形成する際に断線等を生ぜ
しめた。この原因を本発明者が研究したところ、樹脂充
填材を構成するフィラーと樹脂の内、樹脂分がスルーホ
ールのランドに形成された粗化層(微小アンカー)に沿
って流れ出すためであることが判明した。その結果、ス
ルーホール内の充填材に凹みが発生して、コア基板を平
滑にすることができなくなっていた。そのため、コア基
板の上に層間樹脂絶縁層および配線を形成してプリント
配線板を製造した際に、断線が生じ易く、不良品発生率
が高くなることが明らかになった。
【0004】本発明は、上述した課題を解決するために
なされたものであり、その目的は配線の信頼性を高めた
プリント配線板の製造方法を提供することにある。
なされたものであり、その目的は配線の信頼性を高めた
プリント配線板の製造方法を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項1の発明では、少なくとも以下(a)〜
(d)の工程を備えることを技術的特徴とするプリント
配線板の製造方法にある: (a)コア基板に、スルーホールを形成する工程; (b)前記スルーホールに、粗化層を形成する工程; (c)前記スルーホールのランドの表面を研磨して平坦
にする工程。 (d)前記スルーホール内に、樹脂充填材を充填して樹
脂層を形成する工程。
め、請求項1の発明では、少なくとも以下(a)〜
(d)の工程を備えることを技術的特徴とするプリント
配線板の製造方法にある: (a)コア基板に、スルーホールを形成する工程; (b)前記スルーホールに、粗化層を形成する工程; (c)前記スルーホールのランドの表面を研磨して平坦
にする工程。 (d)前記スルーホール内に、樹脂充填材を充填して樹
脂層を形成する工程。
【0006】請求項1では、スルーホールに粗化層を形
成した後に、スルーホールのランドの表面を研磨して平
坦にしている。それにより、樹脂充填材をスルーホール
に充填する際、樹脂充填材がスルーホールのランドに形
成された粗化層(アンカー)に沿って流れ出すことを防
ぐことができる。よって、スルーホール内の充填材を平
滑に形成でき、スルーホールの上層に形成される配線の
信頼性を高めることができる。
成した後に、スルーホールのランドの表面を研磨して平
坦にしている。それにより、樹脂充填材をスルーホール
に充填する際、樹脂充填材がスルーホールのランドに形
成された粗化層(アンカー)に沿って流れ出すことを防
ぐことができる。よって、スルーホール内の充填材を平
滑に形成でき、スルーホールの上層に形成される配線の
信頼性を高めることができる。
【0007】請求項2の発明では、請求項1において、
前記粗化層は、酸化銅層であることを技術的特徴とす
る。
前記粗化層は、酸化銅層であることを技術的特徴とす
る。
【0008】請求項3の発明では、請求項1において、
前記粗化層は、エッチングにより形成されていることを
技術的特徴とする。
前記粗化層は、エッチングにより形成されていることを
技術的特徴とする。
【0009】請求項4の発明では、請求項1において、
前記粗化層は、銅−ニッケル−リンからなる針状合金層
であることを技術的特徴とする。
前記粗化層は、銅−ニッケル−リンからなる針状合金層
であることを技術的特徴とする。
【0010】請求項2、3,4では、スルーホールに形
成する粗化層は、黒化−還元処理による酸化銅層の形
成、銅−ニッケル−リンからなる針状合金層の形成およ
びエッチング処理のいずれかの方法で形成することが望
ましい。それにより、スルーホール内壁の導体回路と樹
脂充填材の密着性を向上することが可能となる。
成する粗化層は、黒化−還元処理による酸化銅層の形
成、銅−ニッケル−リンからなる針状合金層の形成およ
びエッチング処理のいずれかの方法で形成することが望
ましい。それにより、スルーホール内壁の導体回路と樹
脂充填材の密着性を向上することが可能となる。
【0011】請求項5の発明では、請求項1において、
前記樹脂充填材は、エポキシ樹脂と有機フィラーの混合
物、エポキシ樹脂と無機フィラーの混合物、およびエポ
キシ樹脂と無機ファイバーの混合物のなかから選ばれる
いずれか1つであることを特徴とする。
前記樹脂充填材は、エポキシ樹脂と有機フィラーの混合
物、エポキシ樹脂と無機フィラーの混合物、およびエポ
キシ樹脂と無機ファイバーの混合物のなかから選ばれる
いずれか1つであることを特徴とする。
【0012】請求項5では、樹脂充填材は、エポキシ樹
脂と有機フィラーの混合物、エポキシ樹脂と無機フィラ
ーの混合物、およびエポキシ樹脂と無機ファイバーの混
合物のなかから選ばれるいずれか1つを用いることが望
ましい。それにより、コア基板との熱膨張率との調整が
計れる。
脂と有機フィラーの混合物、エポキシ樹脂と無機フィラ
ーの混合物、およびエポキシ樹脂と無機ファイバーの混
合物のなかから選ばれるいずれか1つを用いることが望
ましい。それにより、コア基板との熱膨張率との調整が
計れる。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図を参照して説明する。先ず、本発明の第1実施形態に
係るプリント配線板の構成について、図6を参照して説
明する。図6は、プリント配線板10の断面を示してい
る。
図を参照して説明する。先ず、本発明の第1実施形態に
係るプリント配線板の構成について、図6を参照して説
明する。図6は、プリント配線板10の断面を示してい
る。
【0014】図6に示すようにプリント配線板10は、
コア基板30と、ビルドアップ配線層80A、80Bと
からなる。ビルドアップ配線層80A、80Bは、層間
樹脂絶縁層50、150からなる。層間樹脂絶縁層50
には、バイアホール60および導体回路58が形成さ
れ、層間樹脂絶縁層150には、バイアホール160お
よび導体回路158が形成されている。層間樹脂絶縁層
150の上には、ソルダーレジスト層70が配設されて
いる。
コア基板30と、ビルドアップ配線層80A、80Bと
からなる。ビルドアップ配線層80A、80Bは、層間
樹脂絶縁層50、150からなる。層間樹脂絶縁層50
には、バイアホール60および導体回路58が形成さ
れ、層間樹脂絶縁層150には、バイアホール160お
よび導体回路158が形成されている。層間樹脂絶縁層
150の上には、ソルダーレジスト層70が配設されて
いる。
【0015】次に、本発明の第1実施形態に係るプリン
ト配線板の製造方法について説明する。ここでは、第1
実施形態のプリント配線板の製造方法に用いるA.層間
樹脂絶縁層用樹脂フィルム、B.樹脂充填材について説
明する。
ト配線板の製造方法について説明する。ここでは、第1
実施形態のプリント配線板の製造方法に用いるA.層間
樹脂絶縁層用樹脂フィルム、B.樹脂充填材について説
明する。
【0016】A.層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムの作製 ビスフェノールA型エポキシ樹脂(エポキシ当量46
9、油化シェルエポキシ社製エピコート1001)30
重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(エポキ
シ当量215、大日本インキ化学工業社製 エピクロン
N−673)40重量部、トリアジン構造含有フェノー
ルノボラック樹脂(フェノール性水酸基当量120、大
日本インキ化学工業社製 フェノライトKA−705
2)30重量部をエチルジグリコールアセテート20重
量部、ソルベントナフサ20重量部に攪拌しながら加熱
溶解させ、そこへ末端エポキシ化ポリブタジエンゴム
(ナガセ化成工業社製 デナレックスR−45EPT)
15重量部と2−フェニル−4、5−ビス(ヒドロキシ
メチル)イミダゾール粉砕品1.5重量部、微粉砕シリ
カ2重量部、シリコン系消泡剤0.5重量部を添加しエ
ポキシ樹脂組成物を調製する。得られたエポキシ樹脂組
成物を厚さ38μmのPETフィルム上に乾燥後の厚さ
が50μmとなるようにロールコーターを用いて塗布し
た後、80〜120℃で10分間乾燥させることによ
り、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを作製する。
9、油化シェルエポキシ社製エピコート1001)30
重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(エポキ
シ当量215、大日本インキ化学工業社製 エピクロン
N−673)40重量部、トリアジン構造含有フェノー
ルノボラック樹脂(フェノール性水酸基当量120、大
日本インキ化学工業社製 フェノライトKA−705
2)30重量部をエチルジグリコールアセテート20重
量部、ソルベントナフサ20重量部に攪拌しながら加熱
溶解させ、そこへ末端エポキシ化ポリブタジエンゴム
(ナガセ化成工業社製 デナレックスR−45EPT)
15重量部と2−フェニル−4、5−ビス(ヒドロキシ
メチル)イミダゾール粉砕品1.5重量部、微粉砕シリ
カ2重量部、シリコン系消泡剤0.5重量部を添加しエ
ポキシ樹脂組成物を調製する。得られたエポキシ樹脂組
成物を厚さ38μmのPETフィルム上に乾燥後の厚さ
が50μmとなるようにロールコーターを用いて塗布し
た後、80〜120℃で10分間乾燥させることによ
り、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを作製する。
【0017】B.樹脂充填材の調製 ビスフェノールF型エポキシモノマー(油化シェル社
製、分子量:310、YL983U)100重量部、表
面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒
径が1.6μmで、最大粒子の直径が15μm以下のS
iO2 球状粒子(アドテック社製、CRS 1101−
CE)170重量部およびレベリング剤(サンノプコ社
製 ペレノールS4)1.5重量部を容器にとり、攪拌
混合することにより、その粘度が23±1℃で45〜4
9Pa・sの樹脂充填材を調製する。なお、硬化剤とし
て、イミダゾール硬化剤(四国化成社製、2E4MZ−
CN)6.5重量部を用いる。
製、分子量:310、YL983U)100重量部、表
面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒
径が1.6μmで、最大粒子の直径が15μm以下のS
iO2 球状粒子(アドテック社製、CRS 1101−
CE)170重量部およびレベリング剤(サンノプコ社
製 ペレノールS4)1.5重量部を容器にとり、攪拌
混合することにより、その粘度が23±1℃で45〜4
9Pa・sの樹脂充填材を調製する。なお、硬化剤とし
て、イミダゾール硬化剤(四国化成社製、2E4MZ−
CN)6.5重量部を用いる。
【0018】引き続き、図6を参照して上述したプリン
ト配線板の製造方法について、図1〜図6を参照して説
明する。
ト配線板の製造方法について、図1〜図6を参照して説
明する。
【0019】(1)厚さ0.8mmのガラスエポキシ樹
脂またはBT(ビスマレイミドトリアジン)樹脂からな
る基板30の両面に18μmの銅箔32がラミネートさ
れている銅張積層板30Aを出発材料とする(図1
(A)参照)。まず、この銅貼積層板30Aをドリル削
孔し、無電解めっき処理を施し、パターン状にエッチン
グすることにより、基板30の両面に下層導体回路34
とスルーホール36を形成する(図1(B)参照)。
脂またはBT(ビスマレイミドトリアジン)樹脂からな
る基板30の両面に18μmの銅箔32がラミネートさ
れている銅張積層板30Aを出発材料とする(図1
(A)参照)。まず、この銅貼積層板30Aをドリル削
孔し、無電解めっき処理を施し、パターン状にエッチン
グすることにより、基板30の両面に下層導体回路34
とスルーホール36を形成する(図1(B)参照)。
【0020】(2)スルーホール36および下層導体回
路34を形成した基板30を水洗いし、乾燥した後、N
aOH(10g/l)、NaClO2 (40g/l)、
Na3PO4 (6g/l)を含む水溶液を黒化浴(酸化
浴)とする黒化処理、および、NaOH(10g/
l)、NaBH4 (6g/l)を含む水溶液を還元浴と
する還元処理を行い、スルーホール36を含む下層導体
回路34の全表面に粗化層34α、36αを形成する
(図1(C)参照)。また、粗化処理としてはソフトエ
ッチングや銅−ニッケル−リンからなる針状合金めっき
(荏原ユージライト製商品名インタープレート)の形
成、メック社製の商品名「メック エッチボンド」なる
エッチング液による表面粗化などの方法で粗化処理を行
ってもよい。
路34を形成した基板30を水洗いし、乾燥した後、N
aOH(10g/l)、NaClO2 (40g/l)、
Na3PO4 (6g/l)を含む水溶液を黒化浴(酸化
浴)とする黒化処理、および、NaOH(10g/
l)、NaBH4 (6g/l)を含む水溶液を還元浴と
する還元処理を行い、スルーホール36を含む下層導体
回路34の全表面に粗化層34α、36αを形成する
(図1(C)参照)。また、粗化処理としてはソフトエ
ッチングや銅−ニッケル−リンからなる針状合金めっき
(荏原ユージライト製商品名インタープレート)の形
成、メック社製の商品名「メック エッチボンド」なる
エッチング液による表面粗化などの方法で粗化処理を行
ってもよい。
【0021】(3)次に、粗化層36αが形成されたス
ルーホール36のランド36aの表面を、バフ研磨によ
り研磨し、ランド36aの粗化層36αを剥離して表面
を平坦にする(図1(D)参照)。
ルーホール36のランド36aの表面を、バフ研磨によ
り研磨し、ランド36aの粗化層36αを剥離して表面
を平坦にする(図1(D)参照)。
【0022】(4)上記Bに記載した樹脂充填材を調製
し、調製後24時間以内にスルーホール36に相当する
部分38aが開口したマスク38を基板30上に載置
し、スキージを用いてスルーホール36内に樹脂充填材
40を押し込んだ後、100℃、20分の条件で乾燥さ
せる(図2(A)参照)。上記(3)の工程において、
スルーホール36に粗化層36αを形成した後に、スル
ーホール36のランド36αの表面を研磨して平坦にし
ている。このため、樹脂充填材をスルーホール36に充
填する際、樹脂充填材40がスルーホール36のランド
36aに形成された粗化層(アンカー)に沿って流れ出
すことを防げる。よって、スルーホール内の充填材40
を平滑に形成でき、後述する工程において形成するスル
ーホールの上層の配線の信頼性を高めることができる。
し、調製後24時間以内にスルーホール36に相当する
部分38aが開口したマスク38を基板30上に載置
し、スキージを用いてスルーホール36内に樹脂充填材
40を押し込んだ後、100℃、20分の条件で乾燥さ
せる(図2(A)参照)。上記(3)の工程において、
スルーホール36に粗化層36αを形成した後に、スル
ーホール36のランド36αの表面を研磨して平坦にし
ている。このため、樹脂充填材をスルーホール36に充
填する際、樹脂充填材40がスルーホール36のランド
36aに形成された粗化層(アンカー)に沿って流れ出
すことを防げる。よって、スルーホール内の充填材40
を平滑に形成でき、後述する工程において形成するスル
ーホールの上層の配線の信頼性を高めることができる。
【0023】さらに、下層導体回路34非形成部にスキ
ージを用いて樹脂充填材40の層を形成し、100℃、
20分の条件で乾燥させる(図2(B)参照)。樹脂充
填材40としてはエポキシ樹脂と有機フィラーの混合
物、エポキシ樹脂と無機フィラーの混合物、およびエポ
キシ樹脂と無機ファイバーの混合物のなかから選ばれる
いずれか1つを用いることが望ましい。
ージを用いて樹脂充填材40の層を形成し、100℃、
20分の条件で乾燥させる(図2(B)参照)。樹脂充
填材40としてはエポキシ樹脂と有機フィラーの混合
物、エポキシ樹脂と無機フィラーの混合物、およびエポ
キシ樹脂と無機ファイバーの混合物のなかから選ばれる
いずれか1つを用いることが望ましい。
【0024】(5)上記(4)の処理を終えた基板30
の片面を、#600のベルト研磨紙(三共理化学製)を
用いたベルトサンダー研磨により、下層導体回路34の
表面やスルーホール36のランド36a表面に樹脂充填
材40が残らないように研磨し、次いで、上記ベルトサ
ンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行う。
このような一連の研磨を基板30の他方の面についても
同様に行う(図2(C)参照)。次いで、100℃で1
時間、150℃で1時間の加熱処理を行って樹脂充填材
40を硬化させる。このようにして、下層導体回路34
間またはスルーホール36内に充填された樹脂充填材4
0の表層部および下層導体回路34の上面の粗化面34
αを除去して基板両面を平滑化する。それにより、樹脂
充填材40と下層導体回路34およびスルーホール36
とが粗化層34α、36αを介して強固に密着した配線
基板を得ることができる。
の片面を、#600のベルト研磨紙(三共理化学製)を
用いたベルトサンダー研磨により、下層導体回路34の
表面やスルーホール36のランド36a表面に樹脂充填
材40が残らないように研磨し、次いで、上記ベルトサ
ンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行う。
このような一連の研磨を基板30の他方の面についても
同様に行う(図2(C)参照)。次いで、100℃で1
時間、150℃で1時間の加熱処理を行って樹脂充填材
40を硬化させる。このようにして、下層導体回路34
間またはスルーホール36内に充填された樹脂充填材4
0の表層部および下層導体回路34の上面の粗化面34
αを除去して基板両面を平滑化する。それにより、樹脂
充填材40と下層導体回路34およびスルーホール36
とが粗化層34α、36αを介して強固に密着した配線
基板を得ることができる。
【0025】(6)基板30を水洗、酸性脱脂した後、
ソフトエッチングし、次いで、エッチング液を基板30
の両面にスプレイで吹きつけて、下層導体回路34の表
面とスルーホール36のランド表面36aをエッチング
することにより、スルーホール36のランド36a及び
下層導体回路34の全表面に粗化面42を形成する(図
2(D)参照)。エッチング液としては、イミダゾール
銅(II)錯体10重量部、グリコール酸7重量部、塩
化カリウム5重量部からなるエッチング液(メック社
製、メックエッチボンド)を使用する。
ソフトエッチングし、次いで、エッチング液を基板30
の両面にスプレイで吹きつけて、下層導体回路34の表
面とスルーホール36のランド表面36aをエッチング
することにより、スルーホール36のランド36a及び
下層導体回路34の全表面に粗化面42を形成する(図
2(D)参照)。エッチング液としては、イミダゾール
銅(II)錯体10重量部、グリコール酸7重量部、塩
化カリウム5重量部からなるエッチング液(メック社
製、メックエッチボンド)を使用する。
【0026】(7)基板30の両面に、Aで作製した基
板30より少し大きめの層間樹脂絶縁層用樹脂フィルム
を基板30上に載置し、圧力4kgf/cm2 、温度8
0℃、圧着時間10秒の条件で仮圧着して裁断した後、
さらに、以下の方法により真空ラミネーター装置を用い
て貼り付けることにより層間樹脂絶縁層50を形成する
(図3(A)参照)。すなわち、層間樹脂絶縁層用樹脂
フィルムを基板上に、真空度0.5Torr、圧力4k
gf/cm2 、温度80℃、圧着時間60秒の条件で本
圧着し、その後、170℃で30分間熱硬化させる。
板30より少し大きめの層間樹脂絶縁層用樹脂フィルム
を基板30上に載置し、圧力4kgf/cm2 、温度8
0℃、圧着時間10秒の条件で仮圧着して裁断した後、
さらに、以下の方法により真空ラミネーター装置を用い
て貼り付けることにより層間樹脂絶縁層50を形成する
(図3(A)参照)。すなわち、層間樹脂絶縁層用樹脂
フィルムを基板上に、真空度0.5Torr、圧力4k
gf/cm2 、温度80℃、圧着時間60秒の条件で本
圧着し、その後、170℃で30分間熱硬化させる。
【0027】(8)次に、層間樹脂絶縁層50上に、厚
さ1.2mmの貫通孔51aが形成されたマスク51を
介して、波長10.4μmのCO2 ガスレーザにて、ビ
ーム径4.0mm、トップハットモード、パルス幅8.
0μ秒、マスク51の貫通孔51の径1.0mm、1シ
ョットの条件で層間樹脂絶縁層50に、直径80μmの
バイアホール用開口52を形成する(図3(B)参
照)。
さ1.2mmの貫通孔51aが形成されたマスク51を
介して、波長10.4μmのCO2 ガスレーザにて、ビ
ーム径4.0mm、トップハットモード、パルス幅8.
0μ秒、マスク51の貫通孔51の径1.0mm、1シ
ョットの条件で層間樹脂絶縁層50に、直径80μmの
バイアホール用開口52を形成する(図3(B)参
照)。
【0028】(9)バイアホール用開口52を形成した
基板30を、60g/lの過マンガン酸を含む80℃の
溶液に10分間浸漬し、層間樹脂絶縁層50の表面に存
在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、バ
イアホール用開口52の内壁を含む層間樹脂絶縁層50
の表面に粗化面50αを形成する(図3(C)参照)。
基板30を、60g/lの過マンガン酸を含む80℃の
溶液に10分間浸漬し、層間樹脂絶縁層50の表面に存
在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、バ
イアホール用開口52の内壁を含む層間樹脂絶縁層50
の表面に粗化面50αを形成する(図3(C)参照)。
【0029】(10)次に、上記処理を終えた基板30
を、中和溶液(シプレイ社製)に浸漬してから水洗いす
る。さらに、粗面化処理(粗化深さ3μm)した該基板
30の表面に、パラジウム触媒を付与することにより、
層間樹脂絶縁層50の表面およびバイアホール用開口5
2の内壁面に触媒核を付着させる。
を、中和溶液(シプレイ社製)に浸漬してから水洗いす
る。さらに、粗面化処理(粗化深さ3μm)した該基板
30の表面に、パラジウム触媒を付与することにより、
層間樹脂絶縁層50の表面およびバイアホール用開口5
2の内壁面に触媒核を付着させる。
【0030】(11)次に、以下の組成の無電解銅めっ
き水溶液中に基板30を浸漬して、粗化面50α全体に
厚さ0.6〜3.0μmの無電解銅めっき膜53を形成
する(図3(D)参照)。
き水溶液中に基板30を浸漬して、粗化面50α全体に
厚さ0.6〜3.0μmの無電解銅めっき膜53を形成
する(図3(D)参照)。
【0031】〔無電解めっき水溶液〕 NiSO4 0.003 mol/l 酒石酸 0.200 mol/l 硫酸銅 0.030 mol/l HCHO 0.050 mol/l NaOH 0.100 mol/l α、α′−ビピリジル 40 mg/l ポリエチレングリコール(PEG) 0.10 g/l 〔無電解めっき条件〕35℃の液温度で40分
【0032】(12)市販の感光性ドライフィルムを無
電解銅めっき膜53に貼り付け、マスクを載置して、1
00mJ/cm2 で露光し、0.8%炭酸ナトリウム水
溶液で現像処理することにより、厚さ30μmのめっき
レジスト55を設ける。次いで、基板30を50℃の水
で洗浄して脱脂し、25℃の水で水洗後、さらに硫酸で
洗浄してから、以下の条件で電解銅めっきを施し、厚さ
20μmの電解銅めっき膜56を形成する(図4(A)
参照)。
電解銅めっき膜53に貼り付け、マスクを載置して、1
00mJ/cm2 で露光し、0.8%炭酸ナトリウム水
溶液で現像処理することにより、厚さ30μmのめっき
レジスト55を設ける。次いで、基板30を50℃の水
で洗浄して脱脂し、25℃の水で水洗後、さらに硫酸で
洗浄してから、以下の条件で電解銅めっきを施し、厚さ
20μmの電解銅めっき膜56を形成する(図4(A)
参照)。
【0033】〔電解めっき水溶液〕 硫酸 2.24 mol/l 硫酸銅 0.26 mol/l 添加剤 19.5 ml/l (アトテックジャパン社製、カパラシドHL) 〔電解めっき条件〕 電流密度 1 A/dm2 時間 65 分 温度 22±2 ℃
【0034】(13)めっきレジスト55を5%NaO
Hで剥離除去した後、そのめっきレジスト55下の無電
解めっき膜53を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチン
グ処理して溶解除去し、無電解銅めっき膜53と電解銅
めっき膜56からなる厚さ18μmの導体回路(バイア
ホール60を含む)58を形成する(図4(B)参
照)。
Hで剥離除去した後、そのめっきレジスト55下の無電
解めっき膜53を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチン
グ処理して溶解除去し、無電解銅めっき膜53と電解銅
めっき膜56からなる厚さ18μmの導体回路(バイア
ホール60を含む)58を形成する(図4(B)参
照)。
【0035】(14)(6)と同様の処理を行い、第二
銅錯体と有機酸とを含有するエッチング液によって、導
体回路58上に粗化面58αを形成する(図4(C)参
照)。
銅錯体と有機酸とを含有するエッチング液によって、導
体回路58上に粗化面58αを形成する(図4(C)参
照)。
【0036】(15)上記(7)〜(14)の工程を繰
り返すことにより、さらに上層に、層間樹脂絶縁層15
0および導体回路158(バイアホール160を含む)
を形成する(図4(D)参照)。
り返すことにより、さらに上層に、層間樹脂絶縁層15
0および導体回路158(バイアホール160を含む)
を形成する(図4(D)参照)。
【0037】(16)次に、ジエチレングリコールジメ
チルエーテル(DMDG)に60重量%の濃度になるよ
うに溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
(日本化薬社製)のエポキシ基50%をアクリル化した
感光性付与のオリゴマー(分子量:4000)46.6
7重量部、メチルエチルケトンに溶解させた80重量%
のビスフェノールA型エポキシ樹脂(油化シェル社製、
商品名:エピコート1001)15.0重量部、イミダ
ゾール硬化剤(四国化成社製、商品名:2E4MZ−C
N)1.6重量部、感光性モノマーである2官能アクリ
ルモノマー(日本化薬社製、商品名:R604)4.5
重量部、同じく多価アクリルモノマー(共栄化学社製、
商品名:DPE6A)1.5重量部、分散系消泡剤(サ
ンノプコ社製、S−65)0.71重量部を容器にと
り、攪拌、混合して混合組成物を調製し、この混合組成
物に対して光重合開始剤としてベンゾフェノン(関東化
学社製)2.0重量部、光増感剤としてのミヒラーケト
ン(関東化学社製)0.2重量部、を加えることによ
り、粘度を25℃で2.0Pa・sに調整したソルダー
レジスト組成物を得る。なお、粘度測定は、B型粘度計
(東京計器社製、DVL−B型)で60rpmの場合は
ローターNo.4、6rpmの場合はローターNo.3
によった。
チルエーテル(DMDG)に60重量%の濃度になるよ
うに溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
(日本化薬社製)のエポキシ基50%をアクリル化した
感光性付与のオリゴマー(分子量:4000)46.6
7重量部、メチルエチルケトンに溶解させた80重量%
のビスフェノールA型エポキシ樹脂(油化シェル社製、
商品名:エピコート1001)15.0重量部、イミダ
ゾール硬化剤(四国化成社製、商品名:2E4MZ−C
N)1.6重量部、感光性モノマーである2官能アクリ
ルモノマー(日本化薬社製、商品名:R604)4.5
重量部、同じく多価アクリルモノマー(共栄化学社製、
商品名:DPE6A)1.5重量部、分散系消泡剤(サ
ンノプコ社製、S−65)0.71重量部を容器にと
り、攪拌、混合して混合組成物を調製し、この混合組成
物に対して光重合開始剤としてベンゾフェノン(関東化
学社製)2.0重量部、光増感剤としてのミヒラーケト
ン(関東化学社製)0.2重量部、を加えることによ
り、粘度を25℃で2.0Pa・sに調整したソルダー
レジスト組成物を得る。なお、粘度測定は、B型粘度計
(東京計器社製、DVL−B型)で60rpmの場合は
ローターNo.4、6rpmの場合はローターNo.3
によった。
【0038】(17)次に、基板30の両面に、上記ソ
ルダーレジスト組成物を20μmの厚さで塗布し、70
℃で20分間、70℃で30分間の条件で乾燥処理を行
った後、ソルダーレジストレジスト開口部のパターンが
描画された厚さ5mmのフォトマスクをソルダーレジス
ト層70に密着させて1000mJ/cm2の紫外線で
露光し、DMTG溶液で現像処理し、200μmの直径
の開口71U、71Dを形成する。そして、さらに、8
0℃で1時間、100℃で1時間、120℃で1時間、
150℃で3時間の条件でそれぞれ加熱処理を行ってソ
ルダーレジスト層70を硬化させ、開口71U、71D
を有し、その厚さが20μmのソルダーレジスト層70
を形成する(図5(A)参照)。上記ソルダーレジスト
組成物としては、市販のソルダーレジスト組成物を使用
することもできる。
ルダーレジスト組成物を20μmの厚さで塗布し、70
℃で20分間、70℃で30分間の条件で乾燥処理を行
った後、ソルダーレジストレジスト開口部のパターンが
描画された厚さ5mmのフォトマスクをソルダーレジス
ト層70に密着させて1000mJ/cm2の紫外線で
露光し、DMTG溶液で現像処理し、200μmの直径
の開口71U、71Dを形成する。そして、さらに、8
0℃で1時間、100℃で1時間、120℃で1時間、
150℃で3時間の条件でそれぞれ加熱処理を行ってソ
ルダーレジスト層70を硬化させ、開口71U、71D
を有し、その厚さが20μmのソルダーレジスト層70
を形成する(図5(A)参照)。上記ソルダーレジスト
組成物としては、市販のソルダーレジスト組成物を使用
することもできる。
【0039】(18)次に、ソルダーレジスト層70を
形成した基板30を、塩化ニッケル(2.3×10-1m
ol/l)、次亜リン酸ナトリウム(2.8×10-1m
ol/l)、クエン酸ナトリウム(1.6×10-1mo
l/l)を含むpH=4.5の無電解ニッケルめっき液
に20分間浸漬して、開口部71U、71Dに厚さ5μ
mのニッケルめっき層72を形成する。さらに、その基
板30をシアン化金カリウム(7.6×10-3mol/
l)、塩化アンモニウム(1.9×10-1mol/
l)、クエン酸ナトリウム(1.2×10-1mol/
l)、次亜リン酸ナトリウム(1.7×10-1mol/
l)を含む無電解金めっき液に80℃の条件で7.5分
間浸漬して、ニッケルめっき層72上に、厚さ0.03
μmの金めっき層74を形成する(図5(B)参照)。
形成した基板30を、塩化ニッケル(2.3×10-1m
ol/l)、次亜リン酸ナトリウム(2.8×10-1m
ol/l)、クエン酸ナトリウム(1.6×10-1mo
l/l)を含むpH=4.5の無電解ニッケルめっき液
に20分間浸漬して、開口部71U、71Dに厚さ5μ
mのニッケルめっき層72を形成する。さらに、その基
板30をシアン化金カリウム(7.6×10-3mol/
l)、塩化アンモニウム(1.9×10-1mol/
l)、クエン酸ナトリウム(1.2×10-1mol/
l)、次亜リン酸ナトリウム(1.7×10-1mol/
l)を含む無電解金めっき液に80℃の条件で7.5分
間浸漬して、ニッケルめっき層72上に、厚さ0.03
μmの金めっき層74を形成する(図5(B)参照)。
【0040】(19)この後、基板30のソルダーレジ
スト層70の開口71Uにスズ−鉛を含有する半田ペー
ストを印刷する。さらに、他方の面の開口部71D内に
導電性接着剤97として半田ペーストを印刷する。次
に、導電性接続ピン96を適当なピン保持装置に取り付
けて支持し、導電性接続ピン96の固定部98を開口部
71D内の導電性接着剤97に当接させる。そしてリフ
ローを行い、導電性接続ピン96を導電性接着剤97に
固定する。また、導電性接続ピン96の取り付け方法と
しては、導電性接着剤97をボール状等に形成したもの
を開口部71D内に入れる、あるいは、固定部98に導
電性接着剤97を接合させて導電性接続ピン96を取り
付け、その後にリフローさせてもよい。これにより、半
田バンプ76および導電性接続ピン96を有するプリン
ト配線板10を得ることができる(図6参照)。
スト層70の開口71Uにスズ−鉛を含有する半田ペー
ストを印刷する。さらに、他方の面の開口部71D内に
導電性接着剤97として半田ペーストを印刷する。次
に、導電性接続ピン96を適当なピン保持装置に取り付
けて支持し、導電性接続ピン96の固定部98を開口部
71D内の導電性接着剤97に当接させる。そしてリフ
ローを行い、導電性接続ピン96を導電性接着剤97に
固定する。また、導電性接続ピン96の取り付け方法と
しては、導電性接着剤97をボール状等に形成したもの
を開口部71D内に入れる、あるいは、固定部98に導
電性接着剤97を接合させて導電性接続ピン96を取り
付け、その後にリフローさせてもよい。これにより、半
田バンプ76および導電性接続ピン96を有するプリン
ト配線板10を得ることができる(図6参照)。
【0041】次に、本発明の第2実施形態に係るプリン
ト配線板20について、図12を参照して説明する。上
述した第1実施形態では、図6に示すように導電性接続
ピン96を介して接続を取るPGA方式で説明した。第
2実施形態では、第1実施形態とほぼ同様であるが、ド
ータボード側のバンプ76がBGA方式で構成されてい
る。
ト配線板20について、図12を参照して説明する。上
述した第1実施形態では、図6に示すように導電性接続
ピン96を介して接続を取るPGA方式で説明した。第
2実施形態では、第1実施形態とほぼ同様であるが、ド
ータボード側のバンプ76がBGA方式で構成されてい
る。
【0042】引き続き、第2実施形態に係るプリント配
線板の製造方法について、図7〜図12を参照して説明
する。
線板の製造方法について、図7〜図12を参照して説明
する。
【0043】(1)厚さ1mmのガラスエポキシ樹脂ま
たはBT(ビスマレイミド−トリアジン)樹脂からなる
基板30の両面に18μmの銅箔32がラミネートされ
ている銅貼積層板30Aを出発材料とする(図7(A)
参照)。まず、この銅貼積層板30Aをドリル削孔し、
続いてめっきレジストを形成した後、この基板30に無
電解銅めっき処理を施してスルーホール36を形成し、
さらに、銅箔32を常法に従いパターン状にエッチング
することにより、基板30の両面に下層導体回路34を
形成する(図7(B)参照)。
たはBT(ビスマレイミド−トリアジン)樹脂からなる
基板30の両面に18μmの銅箔32がラミネートされ
ている銅貼積層板30Aを出発材料とする(図7(A)
参照)。まず、この銅貼積層板30Aをドリル削孔し、
続いてめっきレジストを形成した後、この基板30に無
電解銅めっき処理を施してスルーホール36を形成し、
さらに、銅箔32を常法に従いパターン状にエッチング
することにより、基板30の両面に下層導体回路34を
形成する(図7(B)参照)。
【0044】(2)下層導体回路34を形成した基板3
0を水洗いし、乾燥した後、エッチング液を基板30の
両面にスプレイで吹きつけて、下層導体回路34の表面
とスルーホール36の内壁およびランド36a表面とを
エッチングすることにより、スルーホール36を含む下
層導体回路34の全表面に粗化層34α、36αを形成
する(図7(C)参照)。エッチング液として、イミダ
ゾール銅(II)錯体10重量部、グリコール酸7重量
部、塩化カリウム5重量部およびイオン交換水78重量
部を混合したものを使用する。また、粗化処理としては
ソフトエッチングや黒化(酸化)−還元処理や銅−ニッ
ケル−リンからなる針状合金めっき(荏原ユージライト
製 商品名インタープレート)の形成などの方法で粗化
処理を行ってもよい。
0を水洗いし、乾燥した後、エッチング液を基板30の
両面にスプレイで吹きつけて、下層導体回路34の表面
とスルーホール36の内壁およびランド36a表面とを
エッチングすることにより、スルーホール36を含む下
層導体回路34の全表面に粗化層34α、36αを形成
する(図7(C)参照)。エッチング液として、イミダ
ゾール銅(II)錯体10重量部、グリコール酸7重量
部、塩化カリウム5重量部およびイオン交換水78重量
部を混合したものを使用する。また、粗化処理としては
ソフトエッチングや黒化(酸化)−還元処理や銅−ニッ
ケル−リンからなる針状合金めっき(荏原ユージライト
製 商品名インタープレート)の形成などの方法で粗化
処理を行ってもよい。
【0045】(3)次に、粗化面36αが形成されたス
ルーホール36のランド36aを、バフ研磨により研磨
し、ランド36aの表面を平坦にする(図7(D)参
照)。
ルーホール36のランド36aを、バフ研磨により研磨
し、ランド36aの表面を平坦にする(図7(D)参
照)。
【0046】(4)次に、スルーホール36に相当する
部分38aが開口したマスク38を基板30上に載置
し、シクロオレフィン系樹脂を主成分とする樹脂充填材
40を印刷機を用いて塗布する(図8(A)参照)。上
記(3)の工程において、スルーホール36に粗化層3
6αを形成した後に、スルーホール36のランド36α
の表面を研磨して平坦にしている。このため、樹脂充填
材をスルーホール36に充填する際、樹脂充填材40が
スルーホール36のランド36aに形成された粗化層
(アンカー)に沿って流れ出すことを防げる。よって、
スルーホール内の充填材40を平滑に形成でき、後述す
る工程において形成するスルーホールの上層の配線の信
頼性を高めることができる。
部分38aが開口したマスク38を基板30上に載置
し、シクロオレフィン系樹脂を主成分とする樹脂充填材
40を印刷機を用いて塗布する(図8(A)参照)。上
記(3)の工程において、スルーホール36に粗化層3
6αを形成した後に、スルーホール36のランド36α
の表面を研磨して平坦にしている。このため、樹脂充填
材をスルーホール36に充填する際、樹脂充填材40が
スルーホール36のランド36aに形成された粗化層
(アンカー)に沿って流れ出すことを防げる。よって、
スルーホール内の充填材40を平滑に形成でき、後述す
る工程において形成するスルーホールの上層の配線の信
頼性を高めることができる。
【0047】その後、基板30の両面に印刷機を用い
て、同じくシクロオレフィン系樹脂を主成分とする樹脂
充填材40を塗布し、加熱乾燥を行う。即ち、この工程
により、樹脂充填材40が下層導体回路34の間に充填
される(図8(B)参照)。樹脂充填材40としては、
エポキシ樹脂と有機フィラーの混合物、エポキシ樹脂と
無機フィラーの混合物、およびエポキシ樹脂と無機ファ
イバーの混合物のなかから選ばれるいずれか1つを用い
ることが望ましい。
て、同じくシクロオレフィン系樹脂を主成分とする樹脂
充填材40を塗布し、加熱乾燥を行う。即ち、この工程
により、樹脂充填材40が下層導体回路34の間に充填
される(図8(B)参照)。樹脂充填材40としては、
エポキシ樹脂と有機フィラーの混合物、エポキシ樹脂と
無機フィラーの混合物、およびエポキシ樹脂と無機ファ
イバーの混合物のなかから選ばれるいずれか1つを用い
ることが望ましい。
【0048】(5)上記(4)の処理を終えた基板30
の片面を、ベルト研磨紙(三共理化学社製)を用いたベ
ルトサンダー研磨により、下層導体回路34の表面やス
ルーホール36のランド36a表面に樹脂充填材40が
残らないように研磨し、次いで、上記ベルトサンダー研
磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行う。このよう
な一連の研磨を基板30の他方の面についても同様に行
う。そして、充填した樹脂充填材40を加熱硬化させる
(図8(C)参照)。このようにして、下層導体回路3
4間またはスルーホール36内に充填された樹脂充填材
40の表層部および下層導体回路34の上面の粗化層3
4αを除去して基板両面を平滑化する。それにより、樹
脂充填材40と下層導体回路34およびスルーホール3
6とが粗化層34α、36αを介して強固に密着した配
線基板を得ることができる。
の片面を、ベルト研磨紙(三共理化学社製)を用いたベ
ルトサンダー研磨により、下層導体回路34の表面やス
ルーホール36のランド36a表面に樹脂充填材40が
残らないように研磨し、次いで、上記ベルトサンダー研
磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行う。このよう
な一連の研磨を基板30の他方の面についても同様に行
う。そして、充填した樹脂充填材40を加熱硬化させる
(図8(C)参照)。このようにして、下層導体回路3
4間またはスルーホール36内に充填された樹脂充填材
40の表層部および下層導体回路34の上面の粗化層3
4αを除去して基板両面を平滑化する。それにより、樹
脂充填材40と下層導体回路34およびスルーホール3
6とが粗化層34α、36αを介して強固に密着した配
線基板を得ることができる。
【0049】(6)次に、上記(5)の処理を終えた基
板30の両面に、上記(2)で用いたエッチング液と同
じエッチング液をスプレイで吹きつけ、一旦平坦化され
た下層導体回路34の表面とスルーホール36のランド
36a表面とをエッチングすることにより、下層導体回
路34の全表面に粗化面42を形成する(図8(D)参
照)。
板30の両面に、上記(2)で用いたエッチング液と同
じエッチング液をスプレイで吹きつけ、一旦平坦化され
た下層導体回路34の表面とスルーホール36のランド
36a表面とをエッチングすることにより、下層導体回
路34の全表面に粗化面42を形成する(図8(D)参
照)。
【0050】(7)次に、上記工程を経た基板30の両
面に、厚さ50μmの熱硬化型シクロオレフィン系樹脂
シートを温度50〜150℃まで昇温しながら圧力5k
g/cm2 で真空圧着ラミネートし、シクロオレフィン
系樹脂からなる層間樹脂絶縁層50を設けた(図9
(A)参照)。真空圧着時の真空度は、10mmHgで
あった。
面に、厚さ50μmの熱硬化型シクロオレフィン系樹脂
シートを温度50〜150℃まで昇温しながら圧力5k
g/cm2 で真空圧着ラミネートし、シクロオレフィン
系樹脂からなる層間樹脂絶縁層50を設けた(図9
(A)参照)。真空圧着時の真空度は、10mmHgで
あった。
【0051】(8)次に、層間樹脂絶縁層50上に、厚
さ1.2mmの貫通孔51aが形成されたマスク51を
介して、波長10.4μmのCO2 ガスレーザにて、ビ
ーム径5mm、トップハットモード、パルス幅50μ
秒、マスクの穴径0.5mm、3ショットの条件で層間
樹脂絶縁層50に直径80μmのバイアホール用開口5
2を設ける(図9(B)参照)。この後、酸素プラズマ
を用いてデスミア処理を行う。
さ1.2mmの貫通孔51aが形成されたマスク51を
介して、波長10.4μmのCO2 ガスレーザにて、ビ
ーム径5mm、トップハットモード、パルス幅50μ
秒、マスクの穴径0.5mm、3ショットの条件で層間
樹脂絶縁層50に直径80μmのバイアホール用開口5
2を設ける(図9(B)参照)。この後、酸素プラズマ
を用いてデスミア処理を行う。
【0052】(9)次に、日本真空技術株式会社製のS
V−4540を用いてプラズマ処理を行い、層間樹脂絶
縁層50の表面を粗化し、粗化面50αを形成する(図
9(C)参照)。この際、不活性ガスとしてはアルゴン
ガスを使用し、電力200W、ガス圧0.6Pa、温度
70℃の条件で、2分間プラズマ処理を実施する。
V−4540を用いてプラズマ処理を行い、層間樹脂絶
縁層50の表面を粗化し、粗化面50αを形成する(図
9(C)参照)。この際、不活性ガスとしてはアルゴン
ガスを使用し、電力200W、ガス圧0.6Pa、温度
70℃の条件で、2分間プラズマ処理を実施する。
【0053】(10)次に、同じ装置を用い、内部のア
ルゴンガスを交換した後、Ni及びCuをターゲットに
したスパッタリングを、気圧0.6Pa、温度80℃、
電力200W、時間5分間の条件で行い、Ni/Cu金
属層54を層間樹脂絶縁層50の表面に形成する。この
とき、形成されるNi/Cu金属層54の厚さは0.2
μmである(図9(D)参照)。
ルゴンガスを交換した後、Ni及びCuをターゲットに
したスパッタリングを、気圧0.6Pa、温度80℃、
電力200W、時間5分間の条件で行い、Ni/Cu金
属層54を層間樹脂絶縁層50の表面に形成する。この
とき、形成されるNi/Cu金属層54の厚さは0.2
μmである(図9(D)参照)。
【0054】(11)上記処理を終えた基板30の両面
に、市販の感光性ドライフィルムを貼り付け、フォトマ
スクフィルムを載置して、100mJ/cm2 で露光し
た後、0.8%炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ15
μmのめっきレジスト55のパターンを形成する。次
に、以下の条件で電解めっきを施して、厚さ15μmの
電解めっき膜56を形成する(図10(A)参照)。な
お、電解めっき水溶液中の添加剤は、アトテックジャパ
ン社製のカパラシドHLである。
に、市販の感光性ドライフィルムを貼り付け、フォトマ
スクフィルムを載置して、100mJ/cm2 で露光し
た後、0.8%炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ15
μmのめっきレジスト55のパターンを形成する。次
に、以下の条件で電解めっきを施して、厚さ15μmの
電解めっき膜56を形成する(図10(A)参照)。な
お、電解めっき水溶液中の添加剤は、アトテックジャパ
ン社製のカパラシドHLである。
【0055】〔電解めっき水溶液〕 硫酸 2.24 mol/l 硫酸銅 0.26 mol/l 添加剤 19.5 ml/l 〔電解めっき条件〕 電流密度 1 A/dm2 時間 65 分 温度 22±2 ℃
【0056】(12)ついで、めっきレジスト55を5
%NaOHで剥離除去した後、そのめっきレジスト55
の下に存在していたNi/Cu金属層54を硝酸および
硫酸と過酸化水素との混合液を用いるエッチングにて溶
解除去し、電解銅めっき膜56等からなる厚さ16μm
の導体回路58(バイアホール60を含む)を形成する
(図10(B)参照)。
%NaOHで剥離除去した後、そのめっきレジスト55
の下に存在していたNi/Cu金属層54を硝酸および
硫酸と過酸化水素との混合液を用いるエッチングにて溶
解除去し、電解銅めっき膜56等からなる厚さ16μm
の導体回路58(バイアホール60を含む)を形成する
(図10(B)参照)。
【0057】(13)次に、(6)と同様のエッチング
処理を行い、導体回路58上に粗化面58αを形成する
(図10(C)参照)。
処理を行い、導体回路58上に粗化面58αを形成する
(図10(C)参照)。
【0058】(14)続いて、上記(7)〜(13)の
工程を、繰り返すことにより、さらに上層に、層間樹脂
絶縁層150および導体回路158(バイアホール16
0を含む)を形成する。(図10(D)参照)。
工程を、繰り返すことにより、さらに上層に、層間樹脂
絶縁層150および導体回路158(バイアホール16
0を含む)を形成する。(図10(D)参照)。
【0059】(15)次に、ジエチレングリコールジメ
チルエーテル(DMDG)に60重量%の濃度になるよ
うに溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
(日本化薬社製)のエポキシ基50%をアクリル化した
感光性付与のオリゴマー(分子量:4000)46.6
7重量部、メチルエチルケトンに溶解させた80重量%
のビスフェノールA型エポキシ樹脂(油化シェル社製、
商品名:エピコート1001)15重量部、イミダゾー
ル硬化剤(四国化成社製、商品名:2E4MZ−CN)
1.6重量部、感光性モノマーである多官能アクリルモ
ノマー(日本化薬社製、商品名:R604)3重量部、
同じく多価アクリルモノマー(共栄化学社製、商品名:
DPE6A)1.5重量部、分散系消泡剤(サンノプコ
社製、商品名:S−65)0.71重量部を容器にと
り、攪拌、混合して混合組成物を調製し、この混合組成
物に対して光重合開始剤としてベンゾフェノン(関東化
学社製)2.0重量部、光増感剤としてのミヒラーケト
ン(関東化学社製)0.2重量部を加えて、粘度を25
℃で2.0Pa・sに調整したソルダーレジスト組成物
(有機樹脂絶縁材料)を得る。なお、粘度測定は、B型
粘度計(東京計器社製、DVL−B型)で60rpmの
場合はローターNo.4、6rpmの場合はローターN
o.3によった。
チルエーテル(DMDG)に60重量%の濃度になるよ
うに溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
(日本化薬社製)のエポキシ基50%をアクリル化した
感光性付与のオリゴマー(分子量:4000)46.6
7重量部、メチルエチルケトンに溶解させた80重量%
のビスフェノールA型エポキシ樹脂(油化シェル社製、
商品名:エピコート1001)15重量部、イミダゾー
ル硬化剤(四国化成社製、商品名:2E4MZ−CN)
1.6重量部、感光性モノマーである多官能アクリルモ
ノマー(日本化薬社製、商品名:R604)3重量部、
同じく多価アクリルモノマー(共栄化学社製、商品名:
DPE6A)1.5重量部、分散系消泡剤(サンノプコ
社製、商品名:S−65)0.71重量部を容器にと
り、攪拌、混合して混合組成物を調製し、この混合組成
物に対して光重合開始剤としてベンゾフェノン(関東化
学社製)2.0重量部、光増感剤としてのミヒラーケト
ン(関東化学社製)0.2重量部を加えて、粘度を25
℃で2.0Pa・sに調整したソルダーレジスト組成物
(有機樹脂絶縁材料)を得る。なお、粘度測定は、B型
粘度計(東京計器社製、DVL−B型)で60rpmの
場合はローターNo.4、6rpmの場合はローターN
o.3によった。
【0060】(16)次に、基板30の両面に、上記ソ
ルダーレジスト組成物を20μmの厚さで塗布し、70
℃で20分間、70℃で30分間の条件で乾燥処理を行
った後、ソルダーレジストレジスト開口部のパターンが
描画された厚さ5mmのフォトマスクをソルダーレジス
ト層70に密着させて1000mJ/cm2の紫外線で
露光し、DMTG溶液で現像処理し、200μmの直径
の開口71を形成する。そして、さらに、80℃で1時
間、100℃で1時間、120℃で1時間、150℃で
3時間の条件でそれぞれ加熱処理を行ってソルダーレジ
スト層70を硬化させ、開口71を有し、その厚さが2
0μmのソルダーレジスト層70を形成する(図11
(A)参照)。
ルダーレジスト組成物を20μmの厚さで塗布し、70
℃で20分間、70℃で30分間の条件で乾燥処理を行
った後、ソルダーレジストレジスト開口部のパターンが
描画された厚さ5mmのフォトマスクをソルダーレジス
ト層70に密着させて1000mJ/cm2の紫外線で
露光し、DMTG溶液で現像処理し、200μmの直径
の開口71を形成する。そして、さらに、80℃で1時
間、100℃で1時間、120℃で1時間、150℃で
3時間の条件でそれぞれ加熱処理を行ってソルダーレジ
スト層70を硬化させ、開口71を有し、その厚さが2
0μmのソルダーレジスト層70を形成する(図11
(A)参照)。
【0061】(17)次に、ソルダーレジスト層70を
形成した基板30を、塩化ニッケル(2.3×10-1m
ol/l)、次亜リン酸ナトリウム(2.8×10-1m
ol/l)、クエン酸ナトリウム(1.6×10-1mo
l/l)を含むpH=4.5の無電解ニッケルめっき液
に20分間浸漬して、開口部71に厚さ5μmのニッケ
ルめっき層72を形成する。さらに、その基板30をシ
アン化金カリウム(7.6×10-3mol/l)、塩化
アンモニウム(1.9×10-1mol/l)、クエン酸
ナトリウム(1.2×10-1mol/l)、次亜リン酸
ナトリウム(1.7×10-1mol/l)を含む無電解
めっき液に80℃の条件で7.5分間浸漬して、ニッケ
ルめっき層72上に、厚さ0.03μmの金めっき層7
4を形成する(図11(B)参照)。
形成した基板30を、塩化ニッケル(2.3×10-1m
ol/l)、次亜リン酸ナトリウム(2.8×10-1m
ol/l)、クエン酸ナトリウム(1.6×10-1mo
l/l)を含むpH=4.5の無電解ニッケルめっき液
に20分間浸漬して、開口部71に厚さ5μmのニッケ
ルめっき層72を形成する。さらに、その基板30をシ
アン化金カリウム(7.6×10-3mol/l)、塩化
アンモニウム(1.9×10-1mol/l)、クエン酸
ナトリウム(1.2×10-1mol/l)、次亜リン酸
ナトリウム(1.7×10-1mol/l)を含む無電解
めっき液に80℃の条件で7.5分間浸漬して、ニッケ
ルめっき層72上に、厚さ0.03μmの金めっき層7
4を形成する(図11(B)参照)。
【0062】(18)この後、ソルダーレジスト層70
の開口71に、はんだペーストを印刷して、200℃で
リフローすることにより半田バンプ76を形成し、半田
バンプ76を有するプリント配線板20を製造する(図
12参照)。
の開口71に、はんだペーストを印刷して、200℃で
リフローすることにより半田バンプ76を形成し、半田
バンプ76を有するプリント配線板20を製造する(図
12参照)。
【0063】以下、本発明の第3実施形態について図を
参照して説明する。先ず、本発明の第3実施形態に係る
多層プリント配線板の構成について縦断面を示す図18
を参照して説明する。該多層プリント配線板10ではコ
ア基板30の表面及び裏面にビルドアップ配線層80
U、80Dが形成されている。該ビルドアップ配線層8
0U、80Dは、バイアホール46の形成された下層層
間樹脂絶縁層50と、上層のバイアホール66の形成さ
れた上層層間樹脂絶縁層60と、上層層間樹脂絶縁層6
0上に形成されたソルダーレジスト層70から成る。該
ソルダーレジスト70の開口部71を介して、上側のバ
イアホール66には、ICチップ(図示せず)への接続
用の半田バンプ(外部接続端子)76が形成され、下側
のバイアホール66には、ドータボード(図示せず)へ
の接続用の導電性接続ピン(外部接続端子)96が接続
されている。
参照して説明する。先ず、本発明の第3実施形態に係る
多層プリント配線板の構成について縦断面を示す図18
を参照して説明する。該多層プリント配線板10ではコ
ア基板30の表面及び裏面にビルドアップ配線層80
U、80Dが形成されている。該ビルドアップ配線層8
0U、80Dは、バイアホール46の形成された下層層
間樹脂絶縁層50と、上層のバイアホール66の形成さ
れた上層層間樹脂絶縁層60と、上層層間樹脂絶縁層6
0上に形成されたソルダーレジスト層70から成る。該
ソルダーレジスト70の開口部71を介して、上側のバ
イアホール66には、ICチップ(図示せず)への接続
用の半田バンプ(外部接続端子)76が形成され、下側
のバイアホール66には、ドータボード(図示せず)へ
の接続用の導電性接続ピン(外部接続端子)96が接続
されている。
【0064】第3実施形態において、該ビルドアップ配
線層80U、80Dを接続するスルーホール36は、コ
ア基板30及び下層層間樹脂絶縁層50を貫通するよう
に形成されている。該スルーホール36には、樹脂充填
材40が充填され、開口部には蓋めっき58が配設され
ている。同様に、下層層間樹脂絶縁層50に形成された
バイアホール46には、樹脂充填材40が充填され、開
口部には蓋めっき58が配設されている。
線層80U、80Dを接続するスルーホール36は、コ
ア基板30及び下層層間樹脂絶縁層50を貫通するよう
に形成されている。該スルーホール36には、樹脂充填
材40が充填され、開口部には蓋めっき58が配設され
ている。同様に、下層層間樹脂絶縁層50に形成された
バイアホール46には、樹脂充填材40が充填され、開
口部には蓋めっき58が配設されている。
【0065】第3実施形態では、コア基板30及び下層
層間樹脂絶縁層50を貫通するようにスルーホール36
を形成し、スルーホール36の直上にバイアホール66
を形成してある。このため、スルーホール36とバイア
ホール66とが直線状になって配線長さが短縮し、信号
の伝送速度を高めることが可能になる。
層間樹脂絶縁層50を貫通するようにスルーホール36
を形成し、スルーホール36の直上にバイアホール66
を形成してある。このため、スルーホール36とバイア
ホール66とが直線状になって配線長さが短縮し、信号
の伝送速度を高めることが可能になる。
【0066】引き続き、該多層プリント配線板10の製
造方法について図13〜図17を参照にして説明する。 (1) 厚さ0.8mmのガラスエポキシ樹脂、FR4,FR
5,又はBT(ビスマレイミドトリアジン)樹脂からな
る基板30の両面に18μmの銅箔32がラミネートされ
ている銅張積層板30Aを出発材料とした(図13
(A))。まず、この銅張積層板をパターン状にエッチ
ングすることにより、基板の両面に内層銅パターン34
を形成する(図13(B))。
造方法について図13〜図17を参照にして説明する。 (1) 厚さ0.8mmのガラスエポキシ樹脂、FR4,FR
5,又はBT(ビスマレイミドトリアジン)樹脂からな
る基板30の両面に18μmの銅箔32がラミネートされ
ている銅張積層板30Aを出発材料とした(図13
(A))。まず、この銅張積層板をパターン状にエッチ
ングすることにより、基板の両面に内層銅パターン34
を形成する(図13(B))。
【0067】(2) 内層銅パターン34およびスルーホー
ル36を形成した基板30を水洗した後、第二銅錯体と
有機酸とを含有するエッチング液を、スプレーやバブリ
ング等の酸素共存条件で作用させて、導体回路の銅導体
を溶解させボイドを形成する処理により、内層銅パター
ン34の表面に粗化層38を設ける(図13(C))。
それ以外にも、酸化−還元処理や無電解めっきの合金に
よって粗化層を設けてもよい。形成される粗化層は、
0.1〜5μmの範囲にあるものが望ましい。その範囲
であれば、導体回路と層間樹脂絶縁層の剥離が起きにく
い。
ル36を形成した基板30を水洗した後、第二銅錯体と
有機酸とを含有するエッチング液を、スプレーやバブリ
ング等の酸素共存条件で作用させて、導体回路の銅導体
を溶解させボイドを形成する処理により、内層銅パター
ン34の表面に粗化層38を設ける(図13(C))。
それ以外にも、酸化−還元処理や無電解めっきの合金に
よって粗化層を設けてもよい。形成される粗化層は、
0.1〜5μmの範囲にあるものが望ましい。その範囲
であれば、導体回路と層間樹脂絶縁層の剥離が起きにく
い。
【0068】第二銅錯体は、アゾール類の第二銅錯体が
よい。このアゾール類の第二銅錯体は、金属銅等を酸化
する酸化剤として作用する。アゾール類としては、ジア
ゾール、トリアゾール、テトラゾールがよい。中でも、
イミダゾール、2−メチルイミダゾール、2−エチレイ
ミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2
−フェニルイミダゾール、2−ウンデシルイミダゾール
等がよい。アゾール類の第二銅錯体の添加量は、1〜15
重量%がよい。溶解性及び安定性に優れるからである。
よい。このアゾール類の第二銅錯体は、金属銅等を酸化
する酸化剤として作用する。アゾール類としては、ジア
ゾール、トリアゾール、テトラゾールがよい。中でも、
イミダゾール、2−メチルイミダゾール、2−エチレイ
ミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2
−フェニルイミダゾール、2−ウンデシルイミダゾール
等がよい。アゾール類の第二銅錯体の添加量は、1〜15
重量%がよい。溶解性及び安定性に優れるからである。
【0069】また、酸化銅を溶解させるために、有機酸
をアゾール類の第二銅錯体に配合する。具体例として
は、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、カプロ
ン酸、アクリル酸、クロトン酸、シュウ酸、マロン酸、
コハク酸、グルタル酸、マレイン酸、安息香酸、グリコ
ール酸、乳酸、リンゴ酸、スルファミン酸からなる群よ
り選ばれる少なくとも1種がよい。有機酸の含有量は、
0.1 〜30重量%がよい。酸化された銅の溶解性を維持
し、かつ溶解安定性を確保するためである。
をアゾール類の第二銅錯体に配合する。具体例として
は、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、カプロ
ン酸、アクリル酸、クロトン酸、シュウ酸、マロン酸、
コハク酸、グルタル酸、マレイン酸、安息香酸、グリコ
ール酸、乳酸、リンゴ酸、スルファミン酸からなる群よ
り選ばれる少なくとも1種がよい。有機酸の含有量は、
0.1 〜30重量%がよい。酸化された銅の溶解性を維持
し、かつ溶解安定性を確保するためである。
【0070】発生した第一銅錯体は、酸の作用で溶解
し、酸素と結合して第二銅錯体となって、再び銅の酸化
に寄与する。
し、酸素と結合して第二銅錯体となって、再び銅の酸化
に寄与する。
【0071】また、銅の溶解やアゾール類の酸化作用を
補助するために、ハロゲンイオン、例えば、フッ素イオ
ン、塩素イオン、臭素イオン等をエッチング液に加えて
もよい。本発明では、塩酸、塩化ナトリウム等を添加し
て、ハロゲンイオンを供給することができる。ハロゲン
イオン量は、0.01〜20重量%がよい。形成された粗化面
と層間樹脂絶縁層との密着性に優れるからである。
補助するために、ハロゲンイオン、例えば、フッ素イオ
ン、塩素イオン、臭素イオン等をエッチング液に加えて
もよい。本発明では、塩酸、塩化ナトリウム等を添加し
て、ハロゲンイオンを供給することができる。ハロゲン
イオン量は、0.01〜20重量%がよい。形成された粗化面
と層間樹脂絶縁層との密着性に優れるからである。
【0072】アゾール類の第二銅錯体と有機酸(必要に
応じてハロゲンイオン)を、水に溶解してエッチング液
を調整する。また、市販のエッチング液、例えば、メッ
ク社製、商品名「メック エッチボンド」を使用し、本
発明にかかる粗化面を形成することができる。
応じてハロゲンイオン)を、水に溶解してエッチング液
を調整する。また、市販のエッチング液、例えば、メッ
ク社製、商品名「メック エッチボンド」を使用し、本
発明にかかる粗化面を形成することができる。
【0073】(3)該基板30の表面に下層層間樹脂絶縁
層となる樹脂フィルム50αを、温度50〜150℃ま
で昇温しながら圧力5kgf/cm2で真空圧着ラミネー
トして貼り付ける(図13(D))。該樹脂フィルムと
しては、難溶性樹脂、可溶性粒子、硬化剤、その他の成
分が含有されている。それぞれについて以下に説明す
る。
層となる樹脂フィルム50αを、温度50〜150℃ま
で昇温しながら圧力5kgf/cm2で真空圧着ラミネー
トして貼り付ける(図13(D))。該樹脂フィルムと
しては、難溶性樹脂、可溶性粒子、硬化剤、その他の成
分が含有されている。それぞれについて以下に説明す
る。
【0074】本発明の製造方法において使用する樹脂フ
ィルムは、酸または酸化剤に可溶性の粒子(以下、可溶
性粒子という)が酸または酸化剤に難溶性の樹脂(以
下、難溶性樹脂という)中に分散したものである。な
お、本発明で使用する「難溶性」「可溶性」という語
は、同一の酸または酸化剤からなる溶液に同一時間浸漬
した場合に、相対的に溶解速度の早いものを便宜上「可
溶性」と呼び、相対的に溶解速度の遅いものを便宜上
「難溶性」と呼ぶ。
ィルムは、酸または酸化剤に可溶性の粒子(以下、可溶
性粒子という)が酸または酸化剤に難溶性の樹脂(以
下、難溶性樹脂という)中に分散したものである。な
お、本発明で使用する「難溶性」「可溶性」という語
は、同一の酸または酸化剤からなる溶液に同一時間浸漬
した場合に、相対的に溶解速度の早いものを便宜上「可
溶性」と呼び、相対的に溶解速度の遅いものを便宜上
「難溶性」と呼ぶ。
【0075】上記可溶性粒子としては、例えば、酸また
は酸化剤に可溶性の樹脂粒子(以下、可溶性樹脂粒
子)、酸または酸化剤に可溶性の無機粒子(以下、可溶
性無機粒子)、酸または酸化剤に可溶性の金属粒子(以
下、可溶性金属粒子)等が挙げられる。これらの可溶性
粒子は、単独で用いても良いし、2種以上併用してもよ
い。
は酸化剤に可溶性の樹脂粒子(以下、可溶性樹脂粒
子)、酸または酸化剤に可溶性の無機粒子(以下、可溶
性無機粒子)、酸または酸化剤に可溶性の金属粒子(以
下、可溶性金属粒子)等が挙げられる。これらの可溶性
粒子は、単独で用いても良いし、2種以上併用してもよ
い。
【0076】上記可溶性粒子の形状は特に限定されず、
球状、破砕状等が挙げられる。また、上記可溶性粒子の
形状は、一様な形状であることが望ましい。均一な粗さ
の凹凸を有する粗化面を形成することができるからであ
る。
球状、破砕状等が挙げられる。また、上記可溶性粒子の
形状は、一様な形状であることが望ましい。均一な粗さ
の凹凸を有する粗化面を形成することができるからであ
る。
【0077】上記可溶性粒子の平均粒径としては、0.
1〜10μmが望ましい。この粒径の範囲であれば、2
種類以上の異なる粒径のものを含有してもよい。すなわ
ち、平均粒径が0.1〜0.5μmの可溶性粒子と平均
粒径が1〜3μmの可溶性粒子とを含有する等である。
これにより、より複雑な粗化面を形成することができ、
導体回路との密着性にも優れる。なお、本発明におい
て、可溶性粒子の粒径とは、可溶性粒子の一番長い部分
の長さである。
1〜10μmが望ましい。この粒径の範囲であれば、2
種類以上の異なる粒径のものを含有してもよい。すなわ
ち、平均粒径が0.1〜0.5μmの可溶性粒子と平均
粒径が1〜3μmの可溶性粒子とを含有する等である。
これにより、より複雑な粗化面を形成することができ、
導体回路との密着性にも優れる。なお、本発明におい
て、可溶性粒子の粒径とは、可溶性粒子の一番長い部分
の長さである。
【0078】上記可溶性樹脂粒子としては、熱硬化性樹
脂、熱可塑性樹脂等からなるものが挙げられ、酸あるい
は酸化剤からなる溶液に浸漬した場合に、上記難溶性樹
脂よりも溶解速度が速いものであれば特に限定されな
い。上記可溶性樹脂粒子の具体例としては、例えば、エ
ポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフ
ェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等から
なるものが挙げられ、これらの樹脂の一種からなるもの
であってもよいし、2種以上の樹脂の混合物からなるも
のであってもよい。
脂、熱可塑性樹脂等からなるものが挙げられ、酸あるい
は酸化剤からなる溶液に浸漬した場合に、上記難溶性樹
脂よりも溶解速度が速いものであれば特に限定されな
い。上記可溶性樹脂粒子の具体例としては、例えば、エ
ポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフ
ェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等から
なるものが挙げられ、これらの樹脂の一種からなるもの
であってもよいし、2種以上の樹脂の混合物からなるも
のであってもよい。
【0079】また、上記可溶性樹脂粒子としては、ゴム
からなる樹脂粒子を用いることもできる。上記ゴムとし
ては、例えば、ポリブタジエンゴム、エポキシ変性、ウ
レタン変性、(メタ)アクリロニトリル変性等の各種変
性ポリブタジエンゴム、カルボキシル基を含有した(メ
タ)アクリロニトリル・ブタジエンゴム等が挙げられ
る。これらのゴムを使用することにより、可溶性樹脂粒
子が酸あるいは酸化剤に溶解しやすくなる。つまり、酸
を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、強酸以外の
酸でも溶解することができ、酸化剤を用いて可溶性樹脂
粒子を溶解する際には、比較的酸化力の弱い過マンガン
酸塩でも溶解することができる。また、クロム酸を用い
た場合でも、低濃度で溶解することができる。そのた
め、酸や酸化剤が樹脂表面に残留することがなく、後述
するように、粗化面形成後、塩化パラジウム等の触媒を
付与する際に、触媒が付与されなたかったり、触媒が酸
化されたりすることがない。
からなる樹脂粒子を用いることもできる。上記ゴムとし
ては、例えば、ポリブタジエンゴム、エポキシ変性、ウ
レタン変性、(メタ)アクリロニトリル変性等の各種変
性ポリブタジエンゴム、カルボキシル基を含有した(メ
タ)アクリロニトリル・ブタジエンゴム等が挙げられ
る。これらのゴムを使用することにより、可溶性樹脂粒
子が酸あるいは酸化剤に溶解しやすくなる。つまり、酸
を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、強酸以外の
酸でも溶解することができ、酸化剤を用いて可溶性樹脂
粒子を溶解する際には、比較的酸化力の弱い過マンガン
酸塩でも溶解することができる。また、クロム酸を用い
た場合でも、低濃度で溶解することができる。そのた
め、酸や酸化剤が樹脂表面に残留することがなく、後述
するように、粗化面形成後、塩化パラジウム等の触媒を
付与する際に、触媒が付与されなたかったり、触媒が酸
化されたりすることがない。
【0080】上記可溶性無機粒子としては、例えば、ア
ルミニウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合
物、マグネシウム化合物およびケイ素化合物からなる群
より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げら
れる。
ルミニウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合
物、マグネシウム化合物およびケイ素化合物からなる群
より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げら
れる。
【0081】上記アルミニウム化合物としては、例え
ば、アルミナ、水酸化アルミニウム等が挙げられ、上記
カルシウム化合物としては、例えば、炭酸カルシウム、
水酸化カルシウム等が挙げられ、上記カリウム化合物と
しては、炭酸カリウム等が挙げられ、上記マグネシウム
化合物としては、マグネシア、ドロマイト、塩基性炭酸
マグネシウム等が挙げられ、上記ケイ素化合物として
は、シリカ、ゼオライト等が挙げられる。これらは単独
で用いても良いし、2種以上併用してもよい。
ば、アルミナ、水酸化アルミニウム等が挙げられ、上記
カルシウム化合物としては、例えば、炭酸カルシウム、
水酸化カルシウム等が挙げられ、上記カリウム化合物と
しては、炭酸カリウム等が挙げられ、上記マグネシウム
化合物としては、マグネシア、ドロマイト、塩基性炭酸
マグネシウム等が挙げられ、上記ケイ素化合物として
は、シリカ、ゼオライト等が挙げられる。これらは単独
で用いても良いし、2種以上併用してもよい。
【0082】上記可溶性金属粒子としては、例えば、
銅、ニッケル、鉄、亜鉛、鉛、金、銀、アルミニウム、
マグネシウム、カルシウムおよびケイ素からなる群より
選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられ
る。また、これらの可溶性金属粒子は、絶縁性を確保す
るために、表層が樹脂等により被覆されていてもよい。
銅、ニッケル、鉄、亜鉛、鉛、金、銀、アルミニウム、
マグネシウム、カルシウムおよびケイ素からなる群より
選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられ
る。また、これらの可溶性金属粒子は、絶縁性を確保す
るために、表層が樹脂等により被覆されていてもよい。
【0083】上記可溶性粒子を、2種以上混合して用い
る場合、混合する2種の可溶性粒子の組み合わせとして
は、樹脂粒子と無機粒子との組み合わせが望ましい。両
者とも導電性が低くいため樹脂フィルムの絶縁性を確保
することができるとともに、難溶性樹脂との間で熱膨張
の調整が図りやすく、樹脂フィルムからなる層間樹脂絶
縁層にクラックが発生せず、層間樹脂絶縁層と導体回路
との間で剥離が発生しないからである。
る場合、混合する2種の可溶性粒子の組み合わせとして
は、樹脂粒子と無機粒子との組み合わせが望ましい。両
者とも導電性が低くいため樹脂フィルムの絶縁性を確保
することができるとともに、難溶性樹脂との間で熱膨張
の調整が図りやすく、樹脂フィルムからなる層間樹脂絶
縁層にクラックが発生せず、層間樹脂絶縁層と導体回路
との間で剥離が発生しないからである。
【0084】上記難溶性樹脂としては、層間樹脂絶縁層
に酸または酸化剤を用いて粗化面を形成する際に、粗化
面の形状を保持できるものであれば特に限定されず、例
えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの複合体等
が挙げられる。また、これらの樹脂に感光性を付与した
感光性樹脂であってもよい。感光性樹脂を用いることに
より、層間樹脂絶縁層に露光、現像処理を用いてバイア
ホール用開口を形成することできる。これらのなかで
は、熱硬化性樹脂を含有しているものが望ましい。それ
により、めっき液あるいは種々の加熱処理によっても粗
化面の形状を保持することができるからである。
に酸または酸化剤を用いて粗化面を形成する際に、粗化
面の形状を保持できるものであれば特に限定されず、例
えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの複合体等
が挙げられる。また、これらの樹脂に感光性を付与した
感光性樹脂であってもよい。感光性樹脂を用いることに
より、層間樹脂絶縁層に露光、現像処理を用いてバイア
ホール用開口を形成することできる。これらのなかで
は、熱硬化性樹脂を含有しているものが望ましい。それ
により、めっき液あるいは種々の加熱処理によっても粗
化面の形状を保持することができるからである。
【0085】上記難溶性樹脂の具体例としては、例え
ば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、
ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂
等が挙げられる。これらの樹脂は単独で用いてもよい
し、2種以上を併用してもよい。さらには、1分子中
に、2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂がより
望ましい。前述の粗化面を形成することができるばかり
でなく、耐熱性等にも優れてるため、ヒートサイクル条
件下においても、金属層に応力の集中が発生せず、金属
層の剥離などが起きにくいからである。
ば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、
ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂
等が挙げられる。これらの樹脂は単独で用いてもよい
し、2種以上を併用してもよい。さらには、1分子中
に、2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂がより
望ましい。前述の粗化面を形成することができるばかり
でなく、耐熱性等にも優れてるため、ヒートサイクル条
件下においても、金属層に応力の集中が発生せず、金属
層の剥離などが起きにくいからである。
【0086】上記エポキシ樹脂としては、例えば、クレ
ゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型
エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、フェ
ノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノール
ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールF型エポキシ
樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエ
ン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基
を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、
トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂
等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、2種
以上を併用してもよい。それにより、耐熱性等に優れる
ものとなる。
ゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型
エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、フェ
ノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノール
ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールF型エポキシ
樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエ
ン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基
を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、
トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂
等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、2種
以上を併用してもよい。それにより、耐熱性等に優れる
ものとなる。
【0087】本発明で用いる樹脂フィルムにおいて、上
記可溶性粒子は、上記難溶性樹脂中にほぼ均一に分散さ
れていることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗
化面を形成することができ、樹脂フィルムにバイアホー
ルやスルーホールを形成しても、その上に形成する導体
回路の金属層の密着性を確保することができるからであ
る。また、粗化面を形成する表層部だけに可溶性粒子を
含有する樹脂フィルムを用いてもよい。それによって、
樹脂フィルムの表層部以外は酸または酸化剤にさらされ
ることがないため、層間樹脂絶縁層を介した導体回路間
の絶縁性が確実に保たれる。
記可溶性粒子は、上記難溶性樹脂中にほぼ均一に分散さ
れていることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗
化面を形成することができ、樹脂フィルムにバイアホー
ルやスルーホールを形成しても、その上に形成する導体
回路の金属層の密着性を確保することができるからであ
る。また、粗化面を形成する表層部だけに可溶性粒子を
含有する樹脂フィルムを用いてもよい。それによって、
樹脂フィルムの表層部以外は酸または酸化剤にさらされ
ることがないため、層間樹脂絶縁層を介した導体回路間
の絶縁性が確実に保たれる。
【0088】上記樹脂フィルムにおいて、難溶性樹脂中
に分散している可溶性粒子の配合量は、樹脂フィルムに
対して、3〜40重量%が望ましい。可溶性粒子の配合
量が3重量%未満では、所望の凹凸を有する粗化面を形
成することができない場合があり、40重量%を超える
と、酸または酸化剤を用いて可溶性粒子を溶解した際
に、樹脂フィルムの深部まで溶解してしまい、樹脂フィ
ルムからなる層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁
性を維持できず、短絡の原因となる場合がある。
に分散している可溶性粒子の配合量は、樹脂フィルムに
対して、3〜40重量%が望ましい。可溶性粒子の配合
量が3重量%未満では、所望の凹凸を有する粗化面を形
成することができない場合があり、40重量%を超える
と、酸または酸化剤を用いて可溶性粒子を溶解した際
に、樹脂フィルムの深部まで溶解してしまい、樹脂フィ
ルムからなる層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁
性を維持できず、短絡の原因となる場合がある。
【0089】上記樹脂フィルムは、上記可溶性粒子、上
記難溶性樹脂以外に、硬化剤、その他の成分等を含有し
ていることが望ましい。上記硬化剤としては、例えば、
イミダゾール系硬化剤、アミン系硬化剤、グアニジン系
硬化剤、これらの硬化剤のエポキシアダクトやこれらの
硬化剤をマイクロカプセル化したもの、トリフェニルホ
スフィン、テトラフェニルホスフォニウム・テトラフェ
ニルボレート等の有機ホスフィン系化合物等が挙げられ
る。
記難溶性樹脂以外に、硬化剤、その他の成分等を含有し
ていることが望ましい。上記硬化剤としては、例えば、
イミダゾール系硬化剤、アミン系硬化剤、グアニジン系
硬化剤、これらの硬化剤のエポキシアダクトやこれらの
硬化剤をマイクロカプセル化したもの、トリフェニルホ
スフィン、テトラフェニルホスフォニウム・テトラフェ
ニルボレート等の有機ホスフィン系化合物等が挙げられ
る。
【0090】上記硬化剤の含有量は、樹脂フィルムに対
して0.05〜10重量%であることが望ましい。0.
05重量%未満では、樹脂フィルムの硬化が不十分であ
るため、酸や酸化剤が樹脂フィルムに侵入する度合いが
大きくなり、樹脂フィルムの絶縁性が損なわれることが
ある。一方、10重量%を超えると、過剰な硬化剤成分
が樹脂の組成を変性させることがあり、信頼性の低下を
招いたりしてしまうことがある。
して0.05〜10重量%であることが望ましい。0.
05重量%未満では、樹脂フィルムの硬化が不十分であ
るため、酸や酸化剤が樹脂フィルムに侵入する度合いが
大きくなり、樹脂フィルムの絶縁性が損なわれることが
ある。一方、10重量%を超えると、過剰な硬化剤成分
が樹脂の組成を変性させることがあり、信頼性の低下を
招いたりしてしまうことがある。
【0091】上記その他の成分としては、例えば、粗化
面の形成に影響しない無機化合物あるいは樹脂等のフィ
ラーが挙げられる。上記無機化合物としては、例えば、
シリカ、アルミナ、ドロマイト等が挙げられ、上記樹脂
としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアクリル樹
脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、メラ
ニン樹脂、オレフィン系樹脂等が挙げられる。これらの
フィラーを含有させることによって、熱膨脹係数の整合
や耐熱性、耐薬品性の向上などを図りプリント配線板の
性能を向上させることができる。
面の形成に影響しない無機化合物あるいは樹脂等のフィ
ラーが挙げられる。上記無機化合物としては、例えば、
シリカ、アルミナ、ドロマイト等が挙げられ、上記樹脂
としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアクリル樹
脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、メラ
ニン樹脂、オレフィン系樹脂等が挙げられる。これらの
フィラーを含有させることによって、熱膨脹係数の整合
や耐熱性、耐薬品性の向上などを図りプリント配線板の
性能を向上させることができる。
【0092】また、上記樹脂フィルムは、溶剤を含有し
ていてもよい。上記溶剤としては、例えば、アセトン、
メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、
酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテートやトル
エン、キシレン等の芳香族炭化水素等が挙げられる。こ
れらは単独で用いてもよいし、2種類以上併用してもよ
い。
ていてもよい。上記溶剤としては、例えば、アセトン、
メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、
酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテートやトル
エン、キシレン等の芳香族炭化水素等が挙げられる。こ
れらは単独で用いてもよいし、2種類以上併用してもよ
い。
【0093】(4)引き続き、樹脂フィルム50を貼り付
けたコア基板30に、ドリルにより直径300μmのス
ルーホール用貫通孔35を穿設する(図13(E))。
けたコア基板30に、ドリルにより直径300μmのス
ルーホール用貫通孔35を穿設する(図13(E))。
【0094】(5)そして、炭酸、エキシマ、YAG、又
はUVレーザにより樹脂フィルム50αに直径80μm
のバイアホール用開口52を穿設する(図14
(A))。その後、樹脂フィルムを熱硬化させて下層層
間樹脂絶縁層50を形成する。バイアホールは、レーザ
によるエリア加工、あるいは、マスクを載置させてレー
ザによるエリア加工によって形成させてもよい。又、混
在レーザ(炭酸レーザとエキシマレーザといった組み合
わせを意味する)でもよい。スルーホール及びバイアホ
ールを共にレーザで形成させてもよい。
はUVレーザにより樹脂フィルム50αに直径80μm
のバイアホール用開口52を穿設する(図14
(A))。その後、樹脂フィルムを熱硬化させて下層層
間樹脂絶縁層50を形成する。バイアホールは、レーザ
によるエリア加工、あるいは、マスクを載置させてレー
ザによるエリア加工によって形成させてもよい。又、混
在レーザ(炭酸レーザとエキシマレーザといった組み合
わせを意味する)でもよい。スルーホール及びバイアホ
ールを共にレーザで形成させてもよい。
【0095】(6)次に、クロム酸、又は、過マンガン酸
塩(過マンガン酸カリウム、過マンガン酸ナトリウム)
から成る酸化剤により、コア基板30及び下層層間樹脂
絶縁層50に形成したスルーホール用貫通孔35のデス
ミヤ処理を行うと同時に、下層層間樹脂絶縁層50表面
の粗化処理を行う(図14(B))。ここでは、温度6
5°Cで処理する。この処理は、40〜70°Cの範囲
で行うことができる。
塩(過マンガン酸カリウム、過マンガン酸ナトリウム)
から成る酸化剤により、コア基板30及び下層層間樹脂
絶縁層50に形成したスルーホール用貫通孔35のデス
ミヤ処理を行うと同時に、下層層間樹脂絶縁層50表面
の粗化処理を行う(図14(B))。ここでは、温度6
5°Cで処理する。この処理は、40〜70°Cの範囲
で行うことができる。
【0096】(7)表面を粗化した層間樹脂絶縁層50表
面に、パラジウム触媒を付与し、無電解めっき水溶液中
で、無電解銅めっき膜42を形成する(図14
(C))。ここでは、無電解銅めっき膜を形成している
が、スパッタを用いて、銅又はニッケル皮膜を形成する
ことも可能である。また、表層にドライ処理としてプラ
ズマ、UV、コロナ処理を行ってもよい。それにより、
表面を改質できる。
面に、パラジウム触媒を付与し、無電解めっき水溶液中
で、無電解銅めっき膜42を形成する(図14
(C))。ここでは、無電解銅めっき膜を形成している
が、スパッタを用いて、銅又はニッケル皮膜を形成する
ことも可能である。また、表層にドライ処理としてプラ
ズマ、UV、コロナ処理を行ってもよい。それにより、
表面を改質できる。
【0097】(8)無電解銅めっき膜42を形成した基板
を水洗いした後、所定パターンのめっきレジスト43を
形成する(図14(D))。(9)そして、基板を電解め
っき液中に浸漬し、無電解銅めっき膜42を介して電流
を流し、電解銅めっき膜44を形成する(図14
(E))。
を水洗いした後、所定パターンのめっきレジスト43を
形成する(図14(D))。(9)そして、基板を電解め
っき液中に浸漬し、無電解銅めっき膜42を介して電流
を流し、電解銅めっき膜44を形成する(図14
(E))。
【0098】(10)めっきレジスト43をKOHで剥離除
去し、めっきレジスト下の無電解銅めっき膜42をライ
トエッチングにより剥離することで、無電解銅めっき膜
42及び電解銅めっき膜44からなるバイアホール46
及びスルーホール36を形成する(図15(A))。
去し、めっきレジスト下の無電解銅めっき膜42をライ
トエッチングにより剥離することで、無電解銅めっき膜
42及び電解銅めっき膜44からなるバイアホール46
及びスルーホール36を形成する(図15(A))。
【0099】(11)バイアホール46及びスルーホール3
6に、粗化層(Cu−Ni−Pからなる合金)47を無
電解めっきにより形成する(図15(B))。この無電
解銅めっきの代わりに、エッチングにより(例 第二銅
錯体と有機酸塩とを配合した液によってスプレーや浸積
することでエッチングさせている)、又は、酸化―還元
処理により粗化層を形成することも可能である。
6に、粗化層(Cu−Ni−Pからなる合金)47を無
電解めっきにより形成する(図15(B))。この無電
解銅めっきの代わりに、エッチングにより(例 第二銅
錯体と有機酸塩とを配合した液によってスプレーや浸積
することでエッチングさせている)、又は、酸化―還元
処理により粗化層を形成することも可能である。
【0100】(12)次に、粗化層36αが形成されたスル
ーホール36のランド36aの表面を、バフ研磨により
研磨し、ランド36aの粗化層36αを剥離して表面を
平坦にする(図15(C)参照)。
ーホール36のランド36aの表面を、バフ研磨により
研磨し、ランド36aの粗化層36αを剥離して表面を
平坦にする(図15(C)参照)。
【0101】(13)スルーホール36内、及び、バイアホ
ール46内に、樹脂充填材40を、23℃における粘度
を50Pa・Sに調整して、それぞれの径に合わせた開
口を設けたマスクを載置して印刷により充填し、乾燥炉
内の温度100 ℃,20分間乾燥させる(図15
(D))。上記(12)の工程において、スルーホール36
に粗化層36αを形成した後に、スルーホール36のラ
ンド36αの表面を研磨して平坦にしている。このた
め、樹脂充填材をスルーホール36に充填する際、樹脂
充填材40がスルーホール36のランド36aに形成さ
れた粗化層(アンカー)に沿って流れ出すことを防ぐこ
とができる。よって、スルーホール内の充填材40を平
滑に形成でき、後述する工程において形成するスルーホ
ールの上層の配線の信頼性を高めることができる。ここ
で、樹脂充填材としては、下記の原料組成物を用いるこ
とができる。 〔樹脂組成物〕ビスフェノールF型エポキシモノマー
(油化シェル製、分子量310 、YL983U)100重量部、表
面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒
径 1.6μmのSiO2 球状粒子(アドマテック製、CRS
1101−CE、ここで、最大粒子の大きさは後述する内層銅
パターンの厚み(15μm)以下とする) 170重量部、レ
ベリング剤(サンノプコ製、ペレノールS4)1.5 重量
部を攪拌混合することにより、その混合物の粘度を23±
1℃で36000〜49,000cps に調整して得た。 〔硬化剤組成物〕イミダゾール硬化剤(四国化成製、
2E4MZ-CN)6.5 重量部。
ール46内に、樹脂充填材40を、23℃における粘度
を50Pa・Sに調整して、それぞれの径に合わせた開
口を設けたマスクを載置して印刷により充填し、乾燥炉
内の温度100 ℃,20分間乾燥させる(図15
(D))。上記(12)の工程において、スルーホール36
に粗化層36αを形成した後に、スルーホール36のラ
ンド36αの表面を研磨して平坦にしている。このた
め、樹脂充填材をスルーホール36に充填する際、樹脂
充填材40がスルーホール36のランド36aに形成さ
れた粗化層(アンカー)に沿って流れ出すことを防ぐこ
とができる。よって、スルーホール内の充填材40を平
滑に形成でき、後述する工程において形成するスルーホ
ールの上層の配線の信頼性を高めることができる。ここ
で、樹脂充填材としては、下記の原料組成物を用いるこ
とができる。 〔樹脂組成物〕ビスフェノールF型エポキシモノマー
(油化シェル製、分子量310 、YL983U)100重量部、表
面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒
径 1.6μmのSiO2 球状粒子(アドマテック製、CRS
1101−CE、ここで、最大粒子の大きさは後述する内層銅
パターンの厚み(15μm)以下とする) 170重量部、レ
ベリング剤(サンノプコ製、ペレノールS4)1.5 重量
部を攪拌混合することにより、その混合物の粘度を23±
1℃で36000〜49,000cps に調整して得た。 〔硬化剤組成物〕イミダゾール硬化剤(四国化成製、
2E4MZ-CN)6.5 重量部。
【0102】(14)前記(13) の処理を終えた基板30の
片面を、バイアホール46、スルーホール36の開口か
らはみ出した樹脂充填材40の表面を平滑化するように
研磨し、次いで、研磨による傷を取り除くためのバフ研
磨を行う。このような一連の研磨を基板の他方の面につ
いても同様に行う(図15(E))。次いで、100 ℃で
1時間、 150℃で1時間の加熱処理を行って樹脂充填材
40を硬化した。樹脂充填材を構成する樹脂は、エポキ
シ樹脂、フェノール樹脂、フッ素樹脂、トリアジン樹
脂、ポリオレフィン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂
などを意味して、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂あるい
は、それぞれの複合体でもよく、樹脂内にシリカ、アル
ミナなどの無機フィラーなどを含有させて熱膨張率など
を整えたものでもよい。また、導電性樹脂、金、銀、銅
などの導電性のある金属フィラーを主とするペーストを
用いてもよい。更に、上記のもので各々の複合体でもよ
い。同じ樹脂をスルーホールとバイアホールの凹部に入
れているのであれば、特に樹脂の種類には限定されな
い。
片面を、バイアホール46、スルーホール36の開口か
らはみ出した樹脂充填材40の表面を平滑化するように
研磨し、次いで、研磨による傷を取り除くためのバフ研
磨を行う。このような一連の研磨を基板の他方の面につ
いても同様に行う(図15(E))。次いで、100 ℃で
1時間、 150℃で1時間の加熱処理を行って樹脂充填材
40を硬化した。樹脂充填材を構成する樹脂は、エポキ
シ樹脂、フェノール樹脂、フッ素樹脂、トリアジン樹
脂、ポリオレフィン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂
などを意味して、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂あるい
は、それぞれの複合体でもよく、樹脂内にシリカ、アル
ミナなどの無機フィラーなどを含有させて熱膨張率など
を整えたものでもよい。また、導電性樹脂、金、銀、銅
などの導電性のある金属フィラーを主とするペーストを
用いてもよい。更に、上記のもので各々の複合体でもよ
い。同じ樹脂をスルーホールとバイアホールの凹部に入
れているのであれば、特に樹脂の種類には限定されな
い。
【0103】(15) 層間樹脂絶縁層50表面に、パラジ
ウム触媒を付与し、無電解めっき水溶液中で、無電解銅
めっき膜56を形成する(図16(A))。ここでは、
無電解銅めっき膜を形成しているが、あるいは、スパッ
タを用いて、銅又はニッケル皮膜を形成することも可能
である。
ウム触媒を付与し、無電解めっき水溶液中で、無電解銅
めっき膜56を形成する(図16(A))。ここでは、
無電解銅めっき膜を形成しているが、あるいは、スパッ
タを用いて、銅又はニッケル皮膜を形成することも可能
である。
【0104】(16)所定パターンのめっきレジスト(図示
せず)を形成した後、電解銅めっき膜57を形成してか
ら、めっきレジストを剥離除去し、めっきレジスト下の
無電解銅めっき膜56をライトエッチングにより剥離す
ることで、無電解銅めっき膜56及び電解銅めっき膜5
7からなる蓋めっき58を、バイアホール46及びスル
ーホール36の開口部に形成する(図16(B))。
せず)を形成した後、電解銅めっき膜57を形成してか
ら、めっきレジストを剥離除去し、めっきレジスト下の
無電解銅めっき膜56をライトエッチングにより剥離す
ることで、無電解銅めっき膜56及び電解銅めっき膜5
7からなる蓋めっき58を、バイアホール46及びスル
ーホール36の開口部に形成する(図16(B))。
【0105】(17) バイアホール46及びスルーホール
36の開口の蓋めっき58に、粗化層(Cu−Ni−
P)59を無電解めっきにより形成する(図16
(C))。この無電解銅めっきの代わりに、エッチン
グ、又は、酸化―還元処理により粗化層を形成できる。 (18)上述した工程(3)〜(12)の工程を繰り返すこと
で、上層層間樹脂絶縁層60を形成し、該上層層間樹脂
絶縁層60上に無電解銅めっき膜62及び電解銅めっき
膜64からなるバイアホール66を形成する(図16
(D))。 (19)引き続き、ソルダーレジスト及び半田バンプを形成
する。ソルダーレジストの原料組成物は以下からなる。
DMDGに溶解させた60重量%のクレゾールノボラック
型エポキシ樹脂(日本化薬製)のエポキシ基50%をアク
リル化した感光性付与のオリゴマー(分子量4000)を 4
6.67g、メチルエチルケトンに溶解させた80重量%のビ
スフェノールA型エポキシ樹脂(油化シェル製、エピコ
ート1001)15.0g、イミダゾール硬化剤(四国化成製、
2E4MZ-CN)1.6 g、感光性モノマーである多価アクリル
モノマー(日本化薬製、R604 )3g、同じく多価アク
リルモノマー(共栄社化学製、DPE6A ) 1.5g、分散系
消泡剤(サンノプコ社製、S−65)0.71gを混合し、さ
らにこの混合物に対して光開始剤としてのベンゾフェノ
ン(関東化学製)を2g、光増感剤としてのミヒラーケ
トン(関東化学製)を 0.2g加えて、粘度を25℃で2.0P
a・sに調整したソルダーレジスト組成物を得る。ソル
ダーレジスト層としては、種々の樹脂を使用でき、例え
ば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノール
A型エポキシ樹脂のアクリレート、ノボラック型エポキ
シ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂のアクリレートをア
ミン系硬化剤やイミダゾール硬化剤などで硬化させた樹
脂を使用できる。特に、ソルダーレジスト層に開口を設
けて半田バンプを形成する場合には、「ノボラック型エ
ポキシ樹脂もしくはノボラック型エポキシ樹脂のアクリ
レート」からなり「イミダゾール硬化剤」を硬化剤とし
て含むものが好ましい。上記(17)で得られた多層プリン
ト配線板の両面に、上記ソルダーレジスト組成物70α
を20μmの厚さで塗布する(図17(A))。
36の開口の蓋めっき58に、粗化層(Cu−Ni−
P)59を無電解めっきにより形成する(図16
(C))。この無電解銅めっきの代わりに、エッチン
グ、又は、酸化―還元処理により粗化層を形成できる。 (18)上述した工程(3)〜(12)の工程を繰り返すこと
で、上層層間樹脂絶縁層60を形成し、該上層層間樹脂
絶縁層60上に無電解銅めっき膜62及び電解銅めっき
膜64からなるバイアホール66を形成する(図16
(D))。 (19)引き続き、ソルダーレジスト及び半田バンプを形成
する。ソルダーレジストの原料組成物は以下からなる。
DMDGに溶解させた60重量%のクレゾールノボラック
型エポキシ樹脂(日本化薬製)のエポキシ基50%をアク
リル化した感光性付与のオリゴマー(分子量4000)を 4
6.67g、メチルエチルケトンに溶解させた80重量%のビ
スフェノールA型エポキシ樹脂(油化シェル製、エピコ
ート1001)15.0g、イミダゾール硬化剤(四国化成製、
2E4MZ-CN)1.6 g、感光性モノマーである多価アクリル
モノマー(日本化薬製、R604 )3g、同じく多価アク
リルモノマー(共栄社化学製、DPE6A ) 1.5g、分散系
消泡剤(サンノプコ社製、S−65)0.71gを混合し、さ
らにこの混合物に対して光開始剤としてのベンゾフェノ
ン(関東化学製)を2g、光増感剤としてのミヒラーケ
トン(関東化学製)を 0.2g加えて、粘度を25℃で2.0P
a・sに調整したソルダーレジスト組成物を得る。ソル
ダーレジスト層としては、種々の樹脂を使用でき、例え
ば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノール
A型エポキシ樹脂のアクリレート、ノボラック型エポキ
シ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂のアクリレートをア
ミン系硬化剤やイミダゾール硬化剤などで硬化させた樹
脂を使用できる。特に、ソルダーレジスト層に開口を設
けて半田バンプを形成する場合には、「ノボラック型エ
ポキシ樹脂もしくはノボラック型エポキシ樹脂のアクリ
レート」からなり「イミダゾール硬化剤」を硬化剤とし
て含むものが好ましい。上記(17)で得られた多層プリン
ト配線板の両面に、上記ソルダーレジスト組成物70α
を20μmの厚さで塗布する(図17(A))。
【0106】(20)次いで、70℃で20分間、80℃で30分間
の乾燥処理を行った後、円パターン(マスクパターン)
が描画された厚さ5mmのフォトマスクフィルムを密着さ
せて載置し、1000mJ/cm2 の紫外線で露光し、DMTG現
像処理する。そしてさらに、80℃で1時間、 100℃で1
時間、 120℃で1時間、 150℃で3時間の条件で加熱処
理し、開口部71を有する(開口径 200μm)ソルダー
レジスト層70(厚み20μm)を形成する(図17
(B))。
の乾燥処理を行った後、円パターン(マスクパターン)
が描画された厚さ5mmのフォトマスクフィルムを密着さ
せて載置し、1000mJ/cm2 の紫外線で露光し、DMTG現
像処理する。そしてさらに、80℃で1時間、 100℃で1
時間、 120℃で1時間、 150℃で3時間の条件で加熱処
理し、開口部71を有する(開口径 200μm)ソルダー
レジスト層70(厚み20μm)を形成する(図17
(B))。
【0107】(21)その後、多層プリント配線板を塩化ニ
ッケル2.3 ×10−1mol/l、次亜リン酸ナトリウム
2.8 ×10−1mol/l、クエン酸ナトリウム1.6 ×10
−1mol/l、からなるpH=4.5の無電解ニッケ
ルめっき液に、20分間浸漬して、開口部71に厚さ5μ
mのニッケルめっき層72を形成する。さらにシアン化
金カリウム7.6 ×10−3mol/l、塩化アンモニウム
1.9 ×10−1mol/l、クエン酸ナトリウム1.2 ×10
−1mol/l、次亜リン酸ナトリウム1.7 ×10 −1m
ol/lからなる無電解金めっき液に80℃の条件で7.
5分間浸漬して、ニッケルめっき層72上に厚さ0.03μ
mの金めっき層74を形成する(図17(C))。上述
の例は中間層としてニッケル、貴金属層を金で形成した
ものであるが、ニッケル以外に、パラジウム、チタンな
どで形成する場合などがあり、金以外に銀、白金などが
ある。また、貴金属層を2層以上で形成してもよい。表
面処理としてドライ処理、プラズマ、UV、コロナを行
ってもよい。それにより、アンダーフィルの充填性が向
上させれる。
ッケル2.3 ×10−1mol/l、次亜リン酸ナトリウム
2.8 ×10−1mol/l、クエン酸ナトリウム1.6 ×10
−1mol/l、からなるpH=4.5の無電解ニッケ
ルめっき液に、20分間浸漬して、開口部71に厚さ5μ
mのニッケルめっき層72を形成する。さらにシアン化
金カリウム7.6 ×10−3mol/l、塩化アンモニウム
1.9 ×10−1mol/l、クエン酸ナトリウム1.2 ×10
−1mol/l、次亜リン酸ナトリウム1.7 ×10 −1m
ol/lからなる無電解金めっき液に80℃の条件で7.
5分間浸漬して、ニッケルめっき層72上に厚さ0.03μ
mの金めっき層74を形成する(図17(C))。上述
の例は中間層としてニッケル、貴金属層を金で形成した
ものであるが、ニッケル以外に、パラジウム、チタンな
どで形成する場合などがあり、金以外に銀、白金などが
ある。また、貴金属層を2層以上で形成してもよい。表
面処理としてドライ処理、プラズマ、UV、コロナを行
ってもよい。それにより、アンダーフィルの充填性が向
上させれる。
【0108】(22)そして、ソルダーレジスト層70の開
口部71に、半田ペーストを印刷して200℃でリフロー
することにより、上面のバイアホール66に半田バンプ
(半田体)76を形成し、また、下面側のバイアホール
66に半田77を介して導電性接続ピン96を取り付け
る(図18参照)。この例では導電性接続ピンを用いた
が、この代わりにBGAを形成することも可能である。
口部71に、半田ペーストを印刷して200℃でリフロー
することにより、上面のバイアホール66に半田バンプ
(半田体)76を形成し、また、下面側のバイアホール
66に半田77を介して導電性接続ピン96を取り付け
る(図18参照)。この例では導電性接続ピンを用いた
が、この代わりにBGAを形成することも可能である。
【0109】(比較例1)比較例のプリント配線板は、
基本的に第1実施形態のプリント配線板と同様である
が、粗化層が形成されたスルーホールのランド表面を研
磨して平坦にすることなく、スルーホールに樹脂充填材
を充填している。その他の条件は同一である。
基本的に第1実施形態のプリント配線板と同様である
が、粗化層が形成されたスルーホールのランド表面を研
磨して平坦にすることなく、スルーホールに樹脂充填材
を充填している。その他の条件は同一である。
【0110】(比較例2)比較例のプリント配線板は、
基本的に第2実施形態のプリント配線板と同様である
が、粗化層が形成されたスルーホールのランド表面を研
磨して平坦にすることなく、スルーホールに樹脂充填材
を充填している。その他の条件は同一である。
基本的に第2実施形態のプリント配線板と同様である
が、粗化層が形成されたスルーホールのランド表面を研
磨して平坦にすることなく、スルーホールに樹脂充填材
を充填している。その他の条件は同一である。
【0111】(比較例3)比較例のプリント配線板は、
基本的に第3実施形態のプリント配線板と同様である
が、粗化層が形成されたスルーホールのランド表面を研
磨して平坦にすることなく、スルーホールに樹脂充填材
を充填している。その他の条件は同一である。
基本的に第3実施形態のプリント配線板と同様である
が、粗化層が形成されたスルーホールのランド表面を研
磨して平坦にすることなく、スルーホールに樹脂充填材
を充填している。その他の条件は同一である。
【0112】第1、第2、第3実施形態のプリント配線
板と比較例のプリント配線板について、粗化方法、スル
ーホールのランドの表面研磨、樹脂充填材のスルーホー
ル外への流出の計3項目について比較した結果を図19
中に示す。図19に示す結果から明らかなように、比較
例1,2、3のプリント配線板では、粗化層が形成され
たスルーホールのランドの表面を研磨していないため、
樹脂充填材を充填する際に、樹脂充填材がスルーホール
のランドに形成された粗化層に沿って流れ出てしまっ
た。
板と比較例のプリント配線板について、粗化方法、スル
ーホールのランドの表面研磨、樹脂充填材のスルーホー
ル外への流出の計3項目について比較した結果を図19
中に示す。図19に示す結果から明らかなように、比較
例1,2、3のプリント配線板では、粗化層が形成され
たスルーホールのランドの表面を研磨していないため、
樹脂充填材を充填する際に、樹脂充填材がスルーホール
のランドに形成された粗化層に沿って流れ出てしまっ
た。
【図1】(A)、(B)、(C)、(D)は、本発明の
第1実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。
第1実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。
【図2】(A)、(B)、(C)、(D)は、本発明の
第1実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。
第1実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。
【図3】(A)、(B)、(C)、(D)は、本発明の
第1実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。
第1実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。
【図4】(A)、(B)、(C)、(D)は、本発明の
第1実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。
第1実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。
【図5】(A)、(B)は、本発明の第1実施形態に係
るプリント配線板の製造工程図である。
るプリント配線板の製造工程図である。
【図6】本発明の第1実施形態に係るプリント配線板の
断面図である。
断面図である。
【図7】(A)、(B)、(C)、(D)は、本発明の
第2実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。
第2実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。
【図8】(A)、(B)、(C)、(D)は、本発明の
第2実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。
第2実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。
【図9】(A)、(B)、(C)、(D)は、本発明の
第2実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。
第2実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。
【図10】(A)、(B)、(C)、(D)は、本発明
の第2実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。
の第2実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。
【図11】(A)、(B)は、本発明の第2実施形態に
係るプリント配線板の製造工程図である。
係るプリント配線板の製造工程図である。
【図12】本発明の第2実施形態に係るプリント配線板
の断面図である。
の断面図である。
【図13】(A)、(B)、(C)、(D)、(E)
は、本発明の第3実施形態に係る多層プリント配線板の
製造工程図である。
は、本発明の第3実施形態に係る多層プリント配線板の
製造工程図である。
【図14】(A)、(B)、(C)、(D)、(E)
は、本発明の第3実施形態に係る多層プリント配線板の
製造工程図である。
は、本発明の第3実施形態に係る多層プリント配線板の
製造工程図である。
【図15】(A)、(B)、(C)、(D)、(E)
は、本発明の第3実施形態に係る多層プリント配線板の
製造工程図である。
は、本発明の第3実施形態に係る多層プリント配線板の
製造工程図である。
【図16】(A)、(B)、(C)、(D)は、本発明
の第3実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図
である。
の第3実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図
である。
【図17】(A)、(B)、(C)は、本発明の第3実
施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図18】本発明の第3実施形態に係る多層プリント配
線板の断面図である。
線板の断面図である。
【図19】本発明の第1〜第3実施形態と比較例との評
価結果を示す図表である。
価結果を示す図表である。
30 コア基板 36 スルーホール 36a ランド 36α 粗化層 40 樹脂充填材 50 層間樹脂絶縁層 58 導体回路 60 バイアホール 70 ソルダーレジスト層 71U、71D 開口部 72 ニッケルめっき層 74 金めっき層 76 半田バンプ 96 導電性接続ピン 97 導電性接着剤 98 固定部 150 層間樹脂絶縁層 158 導体回路 160 バイアホール
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5E314 AA32 AA41 AA42 BB06 BB13 CC01 DD01 FF05 FF08 GG11 5E317 AA24 CD01 CD05 CD25 CD27 CD32 GG05 GG09 5E343 AA02 AA07 AA12 BB15 BB21 BB24 BB44 BB53 BB71 DD33 DD43 DD76 EE43 EE55 EE60 ER49 GG04
Claims (5)
- 【請求項1】 少なくとも以下(a)〜(d)の工程を
備えることを特徴とするプリント配線板の製造方法: (a)コア基板に、スルーホールを形成する工程; (b)前記スルーホールに、粗化層を形成する工程; (c)前記スルーホールのランドの表面を研磨して平坦
にする工程; (d)前記スルーホール内に、樹脂充填材を充填して樹
脂層を形成する工程。 - 【請求項2】 前記粗化層は、酸化銅層であることを特
徴とする請求項1に記載のプリント配線板の製造方法。 - 【請求項3】 前記粗化層は、エッチングにより形成さ
れていることを特徴とする請求項1に記載のプリント配
線板の製造方法。 - 【請求項4】 前記粗化層は、銅−ニッケル−リンから
なる針状合金層であることを特徴とする請求項1に記載
のプリント配線板の製造方法。 - 【請求項5】 前記樹脂充填材は、エポキシ樹脂と有機
フィラーの混合物、エポキシ樹脂と無機フィラーの混合
物、およびエポキシ樹脂と無機ファイバーの混合物のな
かから選ばれるいずれか1つであることを特徴とする請
求項1〜4のいずれか1に記載のプリント配線板の製造
方法。
Priority Applications (20)
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---|---|---|---|
JP2000029988A JP2001223466A (ja) | 2000-02-08 | 2000-02-08 | プリント配線板の製造方法 |
KR1020017008133A KR100833723B1 (ko) | 1999-10-26 | 2000-10-10 | 다층프린트배선판 및 다층프린트배선판의 제조 방법 |
CNB008023913A CN1199536C (zh) | 1999-10-26 | 2000-10-10 | 多层印刷配线板及多层印刷配线板的制造方法 |
CN2006101001717A CN1909764B (zh) | 1999-10-26 | 2000-10-10 | 多层印刷配线板 |
EP00964763A EP1162867B1 (en) | 1999-10-26 | 2000-10-10 | Multilayer printed wiring board and method of producing multilayer printed wiring board |
PCT/JP2000/007037 WO2001031984A1 (fr) | 1999-10-26 | 2000-10-10 | Panneau de cablage realise en carte imprimee multicouche et procede de production |
DE60027141T DE60027141T2 (de) | 1999-10-26 | 2000-10-10 | Gedruckte mehrschichtleiterplatte und herstellungsverfahren für gedruckte mehrschichtleiterplatte |
CN2006101001596A CN1909762B (zh) | 1999-10-26 | 2000-10-10 | 多层印刷配线板 |
EP06003111A EP1672970B1 (en) | 1999-10-26 | 2000-10-10 | Multi-layer printed circuit board and method of manufacturing multi-layered printed circuit board |
CN2006101001609A CN1909763B (zh) | 1999-10-26 | 2000-10-10 | 多层印刷配线板 |
CNB2005100526249A CN100521868C (zh) | 1999-10-26 | 2000-10-10 | 多层印刷配线板及多层印刷配线板的制造方法 |
US09/830,963 US6930258B1 (en) | 1999-10-26 | 2000-10-20 | Multilayer printed wiring board and method of producing multilayer printed wiring board |
TW089122342A TWI252723B (en) | 1999-10-26 | 2000-10-24 | Multi-layer printed circuit board and method of manufacturing multi-layer printed circuit board |
MYPI20005015A MY129285A (en) | 1999-10-26 | 2000-10-25 | "multi-layer printed circuit board and method of manufacturing multi-layer printed circuit board" |
MYPI20051618A MY148600A (en) | 1999-10-26 | 2000-10-25 | Multi-layer printed circuit board and method of manufacturing multi-layer printed circuit board |
US11/106,642 US7178234B2 (en) | 1999-10-26 | 2005-04-15 | Method of manufacturing multi-layer printed circuit board |
US11/333,228 US7795542B2 (en) | 1999-10-26 | 2006-01-18 | Multi-layer printed circuit board and method of manufacturing multi-layer printed circuit board |
US12/179,201 US7999194B2 (en) | 1999-10-26 | 2008-07-24 | Multi-layer printed circuit board and method of manufacturing multi-layer printed circuit board |
US12/560,208 US8106310B2 (en) | 1999-10-26 | 2009-09-15 | Multi-layer printed circuit board and method of manufacturing multi-layer printed circuit board |
US13/307,213 US8822839B2 (en) | 1999-10-26 | 2011-11-30 | Multi-layer printed circuit board and method of manufacturing multi-layer printed circuit board |
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