JP2001222109A

JP2001222109A - 露光方法

Info

Publication number: JP2001222109A
Application number: JP2000035665A
Authority: JP
Inventors: Nobuyuki Matsuzawa; 伸行松澤; Ei Yano; 映矢野
Original assignee: Fujitsu Ltd; Sony Corp
Current assignee: Fujitsu Ltd; Sony Corp
Priority date: 2000-02-08
Filing date: 2000-02-08
Publication date: 2001-08-17

Abstract

(57)【要約】【課題】レジスト層の光透過率を向上し、これまで以
上の極微細加工を可能とする。【解決手段】Ｘ線、真空紫外線、極紫外線、軟Ｘ線の
いずれかでレジスト層を選択的に露光して所定の形状に
パターニングするに際し、レジスト層を構成する高分子
材料として、芳香族環を含む既存レジスト材料における
芳香族環のπ電子系をより拡張した高分子材料を用い
る。これにより、高分子材料を構成する原子全体に占め
る酸素原子の割合が相対的に少なくなり、高分子材料全
体の光学的な吸収が抑えられる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体分野
において極微細加工を行うための露光方法に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】例えば半導体の分野においては、半導体
素子の高集積化に伴い、例えば０．１μｍ以下の極微細
パターンの加工を可能にする新たなプロセス技術の確立
が急務となっている。

【０００３】微細パターンの加工には、いわゆるリソグ
ラフィの技術が不可欠であり、露光波長の短波長化によ
り光学的な解像度を向上し極微細加工に対応するため
に、従来の水銀ランプやエキシマレーザによる紫外線に
加えて、波長７ｎｍ〜１６ｎｍ付近の極紫外線（ＥＵ
Ｖ： Extreme ultraviolet）を用いた新しい露光技術の
開発が精力的に進められている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記極
紫外線ＥＵＶの波長領域では、通常のレジスト材料はそ
の光学的な吸収が大きく、照射した光がレジスト層の下
部にまで到達せず、レジストパターンが劣化するという
問題がある。

【０００５】上記レジストパターンの劣化は、極微細加
工の大きな妨げとなり、その改善が望まれる。

【０００６】本発明は、かかる問題点を改善するために
提案されたものであり、極紫外線ＥＵＶの波長領域にお
けるレジスト層の光透過率の問題を解消し、これまで以
上の極微細加工が可能な露光方法を提供することを目的
とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明は、Ｘ線、真空紫外線、極紫外線、軟Ｘ線
のいずれかでレジスト層を選択的に露光して所定の形状
にパターニングする露光方法において、レジスト層を構
成する高分子材料として、芳香族環を含む既存レジスト
材料における芳香族環のπ電子系をより拡張した高分子
材料、下記化３に示される化合物、並びに下記化４に示
される化合物のうち、少なくとも１つを用いることを特
徴とする。

【０００８】

【化３】

【０００９】

【化４】

【００１０】なお、ここで既存レジスト材料とは、本願
出願前に公知となっている全てのレジスト材料を指す。

【００１１】通常、レジスト層を構成する高分子材料
は、レジスト特性を発現するために酸素原子の存在が不
可欠である。高分子材料の中で、照射光に起因して何ら
かの化学反応を起こし、照射部と未照射部の物性値の変
化をもたらしてレジスト特性発現の起因となる部分は、
エステル基、フェノール基、アルコール基、カルボキシ
ル基等、必ず酸素を含む基である。

【００１２】極紫外線ＥＵＶの波長領域においては、酸
素の光学的な吸収は炭素や水素よりも大きく、高分子材
料の光透過率を低下する原因となる。酸素原子一原子当
たりの光学的な吸収は、炭素原子の約３倍、水素原子の
約５０〜１００倍と非常に大きい。

【００１３】本発明では、レジスト層を構成する高分子
材料は、芳香族環を含む既存レジスト材料における芳香
族環のπ電子系をより拡張している高分子材料、構造式
（１）に示されるφがベンゼン環以外の芳香族環又は複
素環、例えばナフタレン環等のベンゼン環より大きい構
造を有する化合物、並びに構造式（２）に示されるφが
ベンゼン環以外の芳香族環若しくは複素環、例えばナフ
タレン環等のベンゼン環より大きい構造を有する化合物
のうち、少なくとも１つである。従って、レジスト層を
構成する高分子材料は、高分子材料を構成する原子に占
める酸素原子の割合が相対的に少なくなり、高分子材料
全体の光学的な吸収が抑えられる。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明を適用した露光方法
について、詳細に説明する。

【００１５】本発明の露光方法は、例えば半導体素子に
おける極微細パターンの加工に応用されるものであり、
具体的には、基板上に感光作用を有するレジスト層を塗
布形成する工程と、レジスト層をＸ線、真空紫外線、極
紫外線、軟Ｘ線のいずれかで選択的に露光して感光させ
る工程と、レジスト層を現像によって所定のパターンに
する工程とからなる。

【００１６】露光用の露光波長としては、Ｘ線、真空紫
外線、極紫外線、軟Ｘ線のいずれか任意の露光波長を使
用することができるが、特に、波長７ｎｍ〜１６ｎｍの
極紫外線を使用することで、これまで以上の解像度の露
光が可能となる。

【００１７】露光に際しては、例えば、縮小投影光学系
を利用した縮小投影による露光を行う。

【００１８】上記レジスト層に使用する高分子材料は、
例えばノボラック樹脂、ポリヒドロキシスチレン樹脂、
アクリル樹脂、エステル基、カルボキシル基もしくはフ
ェノール基を有するシロキサン樹脂、シルセスキオキサ
ン樹脂、ポリシクロオレフィン樹脂等を基本骨格とする
ものである。

【００１９】なお、これらの高分子材料は、ベンゼン環
等の芳香族環を含むことが多い。これは、これらの高分
子材料が芳香族環を含む場合、レジスト材料のエッチン
グ耐性がより良好となるからである。

【００２０】上記基本骨格となる樹脂において、照射光
に起因して何らかの化学反応を起こし、照射部と未照射
部の物性値の変化をもたらしてレジスト特性発現の起因
となる部分は、エステル基、フェノール基、アルコール
基、カルボキシル基等、酸素を含む基である。

【００２１】極紫外線ＥＵＶの波長領域での光学的な吸
収は、例えば、７ｎｍでは、Ｓｉ＞Ｆ＞Ｏ＞Ｎ＞Ｃ＞
Ｈ、１０ｎｍ及び１１ｎｍでもＳｉ＞Ｆ＞Ｏ＞Ｎ＞Ｃ＞
Ｈ、１２ｎｍではＦ＞Ｓｉ＞Ｏ＞Ｎ＞Ｃ＞Ｈ、１３ｎｍ
及び１６ｎｍではＦ＞Ｏ＞Ｎ＞Ｃ＞Ｓｉ＞Ｈの順に大き
い。すなわち、酸素を含むことは、高分子材料の極紫外
線ＥＵＶの波長領域における光学的な吸収の観点からは
不利である。

【００２２】そこで、本発明では、レジスト材料として
用いる高分子材料の極紫外線ＥＵＶの波長領域での吸収
を低下させるため、酸素原子に対する炭素原子及び水素
原子の割合を増加させ、相対的に酸素原子を薄めてやる
こととする。

【００２３】レジスト層を構成する高分子材料として
は、上記基本骨格を有しており、芳香族環を含む既存レ
ジスト材料における芳香族環のπ電子系をより拡張した
高分子材料、構造式（１）に示される化合物、並びに構
造式（２）に示される化合物のうち、少なくとも１つを
用いる。

【００２４】具体的には、上記基本骨格を有しており、
芳香族環を含む既存レジスト材料における芳香族環のπ
電子系をより拡張した高分子材料としては、例えば、ベ
ンゼン環を含む既存レジスト材料のベンゼン環部をナフ
タレン環やアントラセン環等で置換したものが挙げられ
る。芳香族環のπ電子系を拡張した高分子材料は、高分
子材料を構成する原子に占める炭素原子及び水素原子の
割合が増加している。

【００２５】また、構造式（１）に示される化合物、並
びに構造式（２）に示される化合物としては、φがベン
ゼン環以外の芳香族環若しくは複素環、例えばナフタレ
ン環等のベンゼン環より大きい構造を有する化合物が挙
げられる。

【００２６】なお、構造式（１）に示されるφがベンゼ
ン環であり、且つｏ＝０である化合物は、既存レジスト
材料の一つであるポリヒドロキシスチレン樹脂である。
並びに、構造式（２）に示されるφがベンゼン環であ
り、ｏ＝１であり、Ｒ³がメチル基である化合物は、既
存レジスト材料の一つであるノボラック樹脂である。

【００２７】構造式（１）に示される化合物、並びに構
造式（２）に示される化合物は、既存レジスト材料と比
較すると、高分子材料を構成する原子に占める炭素原子
及び水素原子の割合が増加している。

【００２８】言い換えると、レジスト層を構成する上記
高分子材料は、高分子材料を構成する原子に占める酸素
原子の割合が相対的に少ないので、高分子材料全体の極
紫外線ＥＵＶの波長領域の吸収が抑えられている。

【００２９】このように、レジスト層を構成する材料と
して、上記基本骨格を有しており、芳香族環を含む既存
レジスト材料における芳香族環のπ電子系をより拡張し
た高分子材料、構造式（１）に示される化合物、並びに
構造式（２）に示される化合物のうち少なくとも１つを
用いることにより、極紫外線波長での吸収係数の低い高
分子材料を提供することができる。

【００３０】ただし、炭素原子や水素原子の割合を増加
させることによって、レジスト材料全体の密度が著しく
増加してしまうと、逆に極紫外線波長の吸収係数が増大
してしまう可能性がある。

【００３１】しかしながら、本発明者等が種々検討した
ところ、レジスト層を構成する高分子材料として、芳香
族環を含む既存レジスト材料における芳香族環のπ電子
系をより拡張した高分子材料、構造式（１）で示される
化合物、並びに構造式（２）で示される化合物のうち、
少なくとも１つを用いた場合であっても、レジスト材料
全体の密度の著しい増加は起こらず、極紫外線波長の吸
収係数の低下を有効に利用することが可能であることが
判明した。

【００３２】本発明においてレジスト層を構成する高分
子材料は、露光波長域における線吸収係数が３．８０μ
^-1以下であることが好ましく、３．７０μ^-1以下である
ことがより好ましい。

【００３３】線吸収係数が３．８０μ^-1以下の場合、レ
ジスト層の透過率は、膜厚が３００ｎｍの場合で約３０
％以上の十分高い値となる。線吸収係数が３．８０μ^-1
を越えて、これよりも透過率の値が小さくなると、照射
した光がレジスト層の下部まで十分には達せず、良好な
矩形のレジストパターンを生成することができなくなる
虞れがある。

【００３４】

【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて説明する。

【００３５】線吸収係数の理論導出本発明者等は、以下に述べる方法に従って、高分子材料
の波長１３ｎｍでの線吸収係数の理論導出を行った。

【００３６】高分子材料の波長１３ｎｍでの線吸収係数
の理論導出にあたっては、各原子１つあたりの波長１３
ｎｍでの吸収係数と、高分子材料の密度が必要になる。

【００３７】各原子１つあたりの波長１３ｎｍでの吸収
係数としては、Atomic Data and Nuclear Tables（Henk
e,B.L.; Gullikson,E.M; Davis,J.C 1993,54,181）にお
いて与えられた値を用いた。

【００３８】ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）に
関しては、この値と密度の実験値から求められる波長１
３ｎｍでの線吸収係数が、実験値と非常に良く一致する
ことが知られている[J.Vac.Sci.Technol.B（Kubiak,G.
D.; Kneedler,E.M.; Hwang,R.Q.; Schulberg,M.T.; Ber
ger,K.W.; Bjorkholm,J.E.;Mansfield,W.M. 1992,10,25
93 ）。

【００３９】高分子材料の密度の予測には、Biceranoの
理論を適用した（Bicerano, J.Predictions of Propert
ies of Polymers from their Structures, Marcel Dekk
er:New York,1993）。

【００４０】これは、グラフ理論の一種であり、高分子
の構造と多くの物性の相関を与える手法である。この手
法で計算された高分子の密度の誤差は、平均で２．２％
であることが知られている。このため、波長１３ｎｍで
の線吸収係数の予測の精度も平均で誤差２．２％であ
る。

【００４１】密度の実際の計算は、米国サンディエゴ州
のＭＳＩ社作成のソフトウェア“ＰＯＬＹＭＥＲ”の中
のモジュール“Ｓｙｎｔｈｉａ”を用いた。使用した計
算機は、ダイキン工業社製のワークステーション“Ｏｃ
ｔａｎｅ”である。

【００４２】＜実施例１＞ポリヒドロキシスチレン樹脂
を基本骨格となる高分子（既存レジスト材料）とし、そ
の芳香族環部のπ電子系を拡張したとき、具体的にはベ
ンゼン環部をナフタレン環で置換した化合物（ポリビニ
ルナフトール）を以下に示すようにして合成した。

【００４３】先ず、１−ビニル−４−アセトキシナフタ
レンを１００ｇと、アゾビスイソブチロニトリルとを５
００ｍｌの脱水テトラヒドロフラン中に溶解させ、反応
溶液を十分にアルゴン置換した後に、昇温させて７０℃
とし、この温度を維持した状態で撹拌を１６時間行っ
た。

【００４４】次に、反応溶液を室温まで放冷した後に、
５リットルの脱イオン水中に注ぎ、この時に生じる白色
沈殿を濾取して乾燥させることで、ポリビニルナフタレ
ンの祖ポリマーを得た。

【００４５】そして、この祖ポリマーを、２０％のジメ
チルアミノピリジンを含む５００ｍｌのメタノール中に
分散させ、４５℃で撹拌を行うことで、淡黄色である均
一溶液を得た。この溶液を１０リットルの脱イオン水中
に注ぎ、この時に生じる白色沈殿を濾取し、テトラヒド
ロフラン／水から再沈殿を行うことで、ポリビニルナフ
トール４８ｇを得た。

【００４６】また、ポリヒドロキシスチレン樹脂を基本
骨格となる高分子（既存レジスト材料）とし、その芳香
族環部のπ電子系を拡張したとき、具体的にはベンゼン
環部をアントラセン環で置換した化合物（ポリビニルヒ
ドロキシアントラセン）を以下に示すようにして合成し
た。

【００４７】先ず、９−ビニル−１０−アセトキシアン
トラセンを１４０ｇと、アゾビスイソブチロニトリルと
を７００ｍｌの脱水テトラヒドロフラン中に溶解させ、
反応溶液を十分にアルゴン置換した後に、昇温させて９
０℃とし、この温度を維持した状態で撹拌を２４時間行
った。

【００４８】次に、反応溶液を室温まで放冷した後に、
５リットルの脱イオン水中に注ぎ、この時に生じる白色
沈殿を濾取して乾燥させることで、ポリビニルアントラ
センの祖ポリマーを得た。

【００４９】そして、この祖ポリマーを、２０％のジメ
チルアミノピリジンを含む５００ｍｌのメタノール中に
分散させ、４５℃で撹拌を行うことで、淡黄色である均
一溶液を得た。この溶液を１０リットルの脱イオン水中
に注ぎ、この時に生じる白色沈殿を濾取し、テトラヒド
ロフラン／水から再沈殿を行うことで、ポリビニルアン
トラセン７５ｇを得た。

【００５０】以上のようにして合成されたポリビニルナ
フトール（化合物２とする）及びポリビニルアントラセ
ン（化合物５とする）の線吸収係数を計算により求め
た。更に、ポリヒドロキシスチレン樹脂（化合物１とす
る）を基本骨格となる高分子（既存レジスト材料）と
し、その芳香族環部のπ電子系を拡張したとき、具体的
には、ベンゼン環部を置換ナフタレン環やアントラセン
管や置換アントラセン環で置換した化合物の線吸収係数
をそれぞれ計算により求めた。

【００５１】基本骨格となるポリヒドロキシスチレン樹
脂（化合物１）及びナフタレン環で置換した化合物２、
メチルナフタレン環で置換した化合物３、アントラセン
環で置換した化合物４，５、エチルアントラセン環で置
換した化合物６の構造は、下記の化５に示す通りであ
る。

【００５２】

【化５】

【００５３】各化合物における線吸収係数（波長１３ｎ
ｍ）の計算結果を表１に示す。

【００５４】

【表１】

【００５５】表１から明らかなように、芳香族環を含む
既存レジスト材料の芳香族環のπ電子系をより拡張する
ことにより、波長１３ｎｍでの線吸収係数が低下して
３．８０μ^-1以下となることがわかる。特に、ポリヒド
ロキシスチレン樹脂のベンゼン環部をメチルナフタレン
環で置換した化合物３、アントラセン環で置換した化合
物４，５、エチルアントラセン環で置換した化合物６
は、線吸収係数が３．７０μ^-1以下となることがわか
る。

【００５６】＜実施例２＞ポリヒドロキシスチレン樹脂
を基本骨格となる高分子（既存レジスト材料）とし、構
造式（１）で示される化合物において、φがナフタレン
環であり、且つｏ＝０である化合物（ポリビニルナフト
ール）は、上述のようにして作製された化合物２と同様
の化合物である。

【００５７】そこで、ポリビニルナフトール（化合物
２）、基本骨格となるポリヒドロキシスチレン樹脂（化
合物１）、及び構造式（１）で示される種々の化合物に
ついて線吸収係数をそれぞれ計算により求めた。

【００５８】基本骨格となるポリヒドロキシスチレン樹
脂（化合物１）、φがナフタレン環である化合物２，
７，８、φがアントラセン環である化合物９の構造は、
下記の化６に示す通りである。

【００５９】

【化６】

【００６０】各化合物における線吸収係数（波長１３ｎ
ｍ）の計算結果を表２に示す。

【００６１】

【表２】

【００６２】表２から明らかなように、構造式（１）で
示される化合物をレジスト材料として用いることによ
り、波長１３ｎｍでの線吸収係数が低下して３．８０μ
^-1以下となることがわかる。特に、化合物８及び９は、
線吸収係数が３．７０μ^-1以下となることがわかる。

【００６３】＜実施例３＞ノボラック樹脂を基本骨格と
なる高分子（既存レジスト材料）とし、その芳香族環部
のπ電子系を拡張したとき、具体的にはベンゼン環部を
ナフタレン環で置換した化合物を、以下に示すようにし
て合成した。

【００６４】先ず、メチルナフトールを１５０ｇと、３
７％ホルムアルデヒド水溶液を７５ｇと、３５％濃塩酸
を０．１ｍｌとを混合し、加熱して８５℃とし、撹拌を
１２０分間行った。

【００６５】次に、反応溶液を室温まで放冷して樹脂を
沈殿させた。そして、樹脂を洗浄するために、応溶溶液
の上層を傾斜除去した後に純水を加える操作を３回繰り
返した。この操作の後に、装置内を８５℃とした真空乾
燥機を用いて樹脂を乾燥させることで、ノボラック樹脂
のベンゼン環部をナフタレン環で置換した化合物を１５
５ｇ得た。

【００６６】以上のようにして合成された樹脂（化合物
１２とする）の線吸収係数を計算により求めた。また、
ノボラック樹脂（化合物１０又は１１とする）を基本骨
格となる高分子（既存レジスト材料）とし、その芳香族
環部のπ電子系を拡張したとき、具体的にはベンゼン環
部をアントラセン環で置換したときの線吸収係数をそれ
ぞれ計算により求めた。

【００６７】基本骨格となるノボラック樹脂（化合物１
０，１１）及びナフタレン環で置換した化合物１２、ア
ントラセン環で置換した化合物１３の構造は、下記の化
７に示す通りである。

【００６８】

【化７】

【００６９】各化合物における線吸収係数（波長１３ｎ
ｍ）の計算結果を表３に示す。

【００７０】

【表３】

【００７１】表３から明らかなように、芳香族環を含む
既存レジスト材料の芳香族環のπ電子系をより拡張する
ことにより、波長１３ｎｍでの線吸収係数が低下するこ
とがわかる。また、芳香族環のπ電子系を拡張した高分
子材料は、何れも、線吸収係数が３．７０μ^-1以下とな
ることがわかる。

【００７２】＜実施例４＞ノボラック樹脂を基本骨格と
なる高分子（既存レジスト材料）とし、構造式（２）で
示される化合物において、φがナフタレン環であり、ｏ
＝１であり、Ｒ³がメチル基である化合物を以下に示す
ようにして合成した。

【００７３】先ず、メチルナフトールを１５０ｇと、３
７％ホルムアルデヒド水溶液を７５ｇと、３５％濃塩酸
を０．１ｍｌとを混合し、加熱して８５℃とし、撹拌を
１２０分間行った。

【００７４】次に、反応溶液を室温まで放冷して樹脂を
沈殿させた。そして、樹脂を洗浄するために、応溶溶液
の上層を傾斜除去した後に純水を加える操作を３回繰り
返した。この操作の後に、装置内を８５℃とした真空乾
燥機を用いて樹脂を乾燥させることで、ノボラック樹脂
のベンゼン環部をナフタレン環で置換した化合物を１５
５ｇ得た。

【００７５】以上のようにして合成され樹脂（化合物１
４とする）の線吸収係数を計算により求めた。更に、ノ
ボラック樹脂（化合物１０とする）、及び構造式（２）
で示される化合物について、線吸収係数をそれぞれ計算
により求めた。

【００７６】基本骨格となるノボラック樹脂（化合物１
０）、φがナフタレン環である化合物１４、φがアント
ラセン環である化合物１５の構造は、下記の化８に示す
通りである。

【００７７】

【化８】

【００７８】各化合物における線吸収係数（波長１３ｎ
ｍ）の計算結果を表４に示す。

【００７９】

【表４】

【００８０】表４から明らかなように、構造式（２）で
示される化合物をレジスト材料として用いることによ
り、波長１３ｎｍでの線吸収係数が低下することがわか
る。

【００８１】＜実施例５＞アクリル樹脂（化合物１６）
を基本骨格となる高分子（既存レジスト材料）とし、そ
の芳香族環部のπ電子系を拡張したとき、具体的にはベ
ンゼン環部をアントラセン環で置換したときの線吸収係
数をそれぞれ計算により求めた。

【００８２】基本骨格となるアクリル樹脂（化合物１
６：ポリ（エチルフェニルメタクリレート））及びアン
トラセン環で置換した化合物１７の構造は下記の化９に
示す通りである。

【００８３】

【化９】

【００８４】各化合物における線吸収係数（波長１３ｎ
ｍ）の計算結果を表５に示す。

【００８５】

【表５】

【００８６】表５から明らかなように、芳香族環を含む
既存レジスト材料の芳香族環のπ電子系をより拡張する
ことにより、波長１３ｎｍでの線吸収係数が低下するこ
とがわかる。また、芳香族環のπ電子系を拡張した化合
物１７は、線吸収係数が３．７０μ^-1以下となることが
わかる。

【００８７】以上のように、レジスト層を構成する高分
子材料は、芳香族環を含む既存レジスト材料における芳
香族環のπ電子系をより拡張した高分子材料、構造式
（１）に示される化合物、並びに構造式（２）に示され
る化合物のうち少なくとも１つを用いられることによ
り、既存のレジスト材料における波長１３ｎｍでの線吸
収係数と比較すると、その線吸収係数が低下することが
わかる。

【００８８】即ち、高分子材料として、芳香族環を含む
既存レジスト材料における芳香族環のπ電子系をより拡
張した高分子材料、構造式（１）に示される化合物、並
びに構造式（２）に示される化合物のうち少なくとも１
つを用いることにより、より好適な、透明性の高いレジ
スト材料を得ることができるのである。

【００８９】なお、上記の実施例においては、高分子と
してポリヒドロキシスチレン樹脂、ノボラック樹脂、ア
クリル樹脂を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限
られるものではなく、例えばその他のシロキサン系高分
子、シラン系高分子、ビニル系高分子、ポリイミド系高
分子、フッ素系高分子等についても、芳香族環が含まれ
る高分子である場合には適用可能である。

【００９０】また、芳香族環のπ電子系の拡張について
も、実施例のものに限らず、よりπ電子系を拡張するよ
うな置換であれば、例えば置換ピレン環、置換ピリジン
環、置換ピラン環、置換ピラジン環、置換ピロール環等
を用いてもよい。

【００９１】また、上記の実施例においては、構造式
（１）における置換基Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、並び
に構造式（２）における置換基Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴とし
て、水素原子若しくはメチル基、又はブチル基を例に挙
げて説明したが、本発明はこれに限られるものではな
く、アルキル基、置換アルキル基、フェニル基、置換フ
ェニル基、エーテル基、置換エーテル基、エステル基、
置換エステル基、ハロゲン原子等を用いても良い。

【００９２】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明において、レジスト層を構成する高分子材料は、芳香
族環を含む既存レジスト材料における芳香族環のπ電子
系をより拡張して極紫外線の波長領域での光透過率を高
めた高分子材料、構造式（１）に示される化合物、並び
に構造式（２）に示される化合物のうち少なくとも１つ
を用いるので、極紫外線の波長領域での光透過率が高め
られている。従って、この高分子材料をレジスト層に用
いることにより、より良い形状のレジストパターンを得
ることができ、これまで以上の極微細加工が可能にな
る。

【００９３】また、極紫外線（ＥＵＶ）リソグラフィー
プロセスにおいて、高い透明性を有する高分子材料を用
いることにより、レジスト層の膜厚を厚くすることが可
能であり、レジスト層のエッチング耐性を向上させるこ
とができる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 21/30 ５３１Ｅ (72)発明者矢野映神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番１号富士通株式会社内Ｆターム(参考） 2H025 AA02 AA03 AA09 AB16 AC03 AC05 AD01 AD03 CB14 CB17 CB29 CB41 CB51 5F046 AA07 AA08 CA08

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】Ｘ線、真空紫外線、極紫外線、軟Ｘ線の
いずれかでレジスト層を選択的に露光して所定の形状に
パターニングする露光方法において、上記レジスト層を構成する高分子材料として、芳香族環
を含む既存レジスト材料における芳香族環のπ電子系を
より拡張した高分子材料、下記化１に示される化合物、
並びに下記化２に示される化合物のうち、少なくとも１
つを用いることを特徴とする露光方法。【化１】【化２】
【請求項２】上記レジスト層を構成する高分子材料の
露光波長域での線吸収係数を３．８０μ^-1以下とするこ
とを特徴とする請求項１記載の露光方法。
【請求項３】上記露光波長が７ｎｍ〜１６ｎｍである
ことを特徴とする請求項１記載の露光方法。
【請求項４】上記露光は、縮小投影光学系を利用した
縮小投影による露光であることを特徴とする請求項１記
載の露光方法。