JP2001205099A - 光触媒及びその製造方法、光触媒装置 - Google Patents
光触媒及びその製造方法、光触媒装置Info
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- 239000011941 photocatalyst Substances 0.000 title claims abstract description 70
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 6
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 205
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 claims abstract description 53
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 47
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 33
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 32
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 22
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims abstract description 15
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 21
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 14
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 13
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 13
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 8
- 230000001699 photocatalysis Effects 0.000 claims description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 6
- 239000002759 woven fabric Substances 0.000 claims description 5
- 241000894006 Bacteria Species 0.000 claims description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 3
- 238000004898 kneading Methods 0.000 claims description 2
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 abstract description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 abstract 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000001877 deodorizing effect Effects 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- -1 superoxide ions Chemical class 0.000 description 2
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- TUJKJAMUKRIRHC-UHFFFAOYSA-N hydroxyl Chemical compound [OH] TUJKJAMUKRIRHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- VUZPPFZMUPKLLV-UHFFFAOYSA-N methane;hydrate Chemical compound C.O VUZPPFZMUPKLLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 235000019353 potassium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Exhaust Gas Treatment By Means Of Catalyst (AREA)
- Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来のチタニアを用いた光触媒は、ただ単に
アナターゼ型のチタニア微粒子をスプレーコート又はス
ピンコートもしくはバインダーにより、基板上に2次元
的に定着させ、平板化しているだけなので、太陽光等の
吸収面積が非常に小さく、十分な光触媒効果を発揮する
ことができなかった。また、チタニアを用いた光触媒
は、チタニアが吸収する光の波長が400nm以下の主
として紫外線であったため、光の吸収効率が悪く、光触
媒としての機能を十分に発揮できなかった。 【解決手段】 二酸化チタン(TiO2)を用いた光触
媒において、該二酸化チタンは、空孔率が5〜90%で
ある多孔質のチタン(Ti)合金を焼結することにより
酸化して形成したアナターゼ型の二酸化チタンであるこ
とを特徴とする光触媒。
アナターゼ型のチタニア微粒子をスプレーコート又はス
ピンコートもしくはバインダーにより、基板上に2次元
的に定着させ、平板化しているだけなので、太陽光等の
吸収面積が非常に小さく、十分な光触媒効果を発揮する
ことができなかった。また、チタニアを用いた光触媒
は、チタニアが吸収する光の波長が400nm以下の主
として紫外線であったため、光の吸収効率が悪く、光触
媒としての機能を十分に発揮できなかった。 【解決手段】 二酸化チタン(TiO2)を用いた光触
媒において、該二酸化チタンは、空孔率が5〜90%で
ある多孔質のチタン(Ti)合金を焼結することにより
酸化して形成したアナターゼ型の二酸化チタンであるこ
とを特徴とする光触媒。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は二酸化チタンを用い
た光触媒及びその製造方法に関する。
た光触媒及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来から、太陽光等の光により有機物を
分解、脱臭する機能または、超親水性機能を機能を有す
る触媒としてチタニア(二酸化シリコン)を用いた光触
媒が注目されている(NIKKEI MECHANIC
AL 1998.4 no.523)。
分解、脱臭する機能または、超親水性機能を機能を有す
る触媒としてチタニア(二酸化シリコン)を用いた光触
媒が注目されている(NIKKEI MECHANIC
AL 1998.4 no.523)。
【0003】このチタニア(二酸化チタン)を用いた光
触媒は、アナターゼ型のチタニア微粒子をスプレーコー
ト又はスピンコートもしくはバインダー(光触媒の分解
機能の影響を受けないシリカや水ガラスのような無機
系、あるいは分解機能に耐えるシロキサン結合を持った
シリコーンなどの有機系のバインダー)により、基板上
に定着させている。
触媒は、アナターゼ型のチタニア微粒子をスプレーコー
ト又はスピンコートもしくはバインダー(光触媒の分解
機能の影響を受けないシリカや水ガラスのような無機
系、あるいは分解機能に耐えるシロキサン結合を持った
シリコーンなどの有機系のバインダー)により、基板上
に定着させている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
チタニアを用いた光触媒は、ただ単にアナターゼ型のチ
タニア微粒子をスプレーコート又はスピンコートもしく
はバインダーにより、基板上に2次元的に定着させ、平
板化しているだけなので、太陽光等の吸収面積が非常に
小さく、十分な光触媒効果を発揮することができなかっ
た。また、チタニアを用いた光触媒は、チタニアが吸収
する光の波長が400nm以下の主として紫外線であっ
たため、光の吸収効率が悪く、光触媒としての機能を十
分に発揮できなかった。
チタニアを用いた光触媒は、ただ単にアナターゼ型のチ
タニア微粒子をスプレーコート又はスピンコートもしく
はバインダーにより、基板上に2次元的に定着させ、平
板化しているだけなので、太陽光等の吸収面積が非常に
小さく、十分な光触媒効果を発揮することができなかっ
た。また、チタニアを用いた光触媒は、チタニアが吸収
する光の波長が400nm以下の主として紫外線であっ
たため、光の吸収効率が悪く、光触媒としての機能を十
分に発揮できなかった。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明の光触媒は、二酸
化チタン(TiO2)を用いた光触媒において、該二酸
化チタンは、空孔率が5〜90%である多孔質のチタン
(Ti)合金を焼結することにより酸化して形成したア
ナターゼ型の二酸化チタンであることを特徴とする。
化チタン(TiO2)を用いた光触媒において、該二酸
化チタンは、空孔率が5〜90%である多孔質のチタン
(Ti)合金を焼結することにより酸化して形成したア
ナターゼ型の二酸化チタンであることを特徴とする。
【0006】前記チタン合金にはCrまたはVなどの金
属の不純物が含有させていることを特徴とする。
属の不純物が含有させていることを特徴とする。
【0007】前記チタン合金には0.1〜2.0μmo
l/gのCrまたはVの不純物が含有させていることを
特徴とする。
l/gのCrまたはVの不純物が含有させていることを
特徴とする。
【0008】前記多孔質のチタン合金の表面のみがアナ
ターゼ型の二酸化チタンに酸化されてなることを特徴と
する。
ターゼ型の二酸化チタンに酸化されてなることを特徴と
する。
【0009】二酸化チタン(TiO2)を用いた光触媒
において、該二酸化チタンは、繊維状のチタン(Ti)
をメッシュ状にした織物を焼結することにより酸化して
形成したアナターゼ型の二酸化チタンであることを特徴
とする。
において、該二酸化チタンは、繊維状のチタン(Ti)
をメッシュ状にした織物を焼結することにより酸化して
形成したアナターゼ型の二酸化チタンであることを特徴
とする。
【0010】前記チタン繊維にはCrまたはVなどの金
属の不純物が含有させていることを特徴とする。
属の不純物が含有させていることを特徴とする。
【0011】前記チタン繊維には0.1〜2.0μmo
l/gのCrまたはVの不純物が含有させていることを
特徴とする。
l/gのCrまたはVの不純物が含有させていることを
特徴とする。
【0012】前記チタン繊維は表面のみがアナターゼ型
の二酸化チタンに酸化されてなることを特徴とする。
の二酸化チタンに酸化されてなることを特徴とする。
【0013】また、本発明の光触媒装置は、二酸化チタ
ン(TiO2)に光を当てることにより有機物や細菌等
を分解する光触媒装置において、該二酸化チタンは、空
孔率が5〜90%である多孔質のチタン(Ti)合金を
焼結することにより酸化して形成したアナターゼ型の二
酸化チタンであることを特徴とする。
ン(TiO2)に光を当てることにより有機物や細菌等
を分解する光触媒装置において、該二酸化チタンは、空
孔率が5〜90%である多孔質のチタン(Ti)合金を
焼結することにより酸化して形成したアナターゼ型の二
酸化チタンであることを特徴とする。
【0014】また、本発明の光触媒装置は、二酸化チタ
ン(TiO2)に光を当てることにより有機物や細菌等
を分解する光触媒装置において、該二酸化チタンは、繊
維状のチタン(Ti)をメッシュ状にした織物を焼結す
ることにより酸化して形成したアナターゼ型の二酸化チ
タンであることを特徴とする。
ン(TiO2)に光を当てることにより有機物や細菌等
を分解する光触媒装置において、該二酸化チタンは、繊
維状のチタン(Ti)をメッシュ状にした織物を焼結す
ることにより酸化して形成したアナターゼ型の二酸化チ
タンであることを特徴とする。
【0015】さらに、本発明の二酸化チタンを用いた光
触媒または光触媒装置の製造方法は、該二酸化チタン
は、空孔率が5〜90%である多孔質のチタン(Ti)
合金を900℃以下で焼結することにより酸化して形成
したアナターゼ型の二酸化チタンであることを特徴とす
る。
触媒または光触媒装置の製造方法は、該二酸化チタン
は、空孔率が5〜90%である多孔質のチタン(Ti)
合金を900℃以下で焼結することにより酸化して形成
したアナターゼ型の二酸化チタンであることを特徴とす
る。
【0016】また、本発明の二酸化チタン(TiO2)
を用いた光触媒または光触媒装置の製造方法は、該二酸
化チタンはチタン繊維を900℃以下で焼結することに
より酸化して形成したアナターゼ型の二酸化チタンの繊
維であることを特徴とする二酸化チタンを用いた光触媒
または光触媒装置の製造方法。
を用いた光触媒または光触媒装置の製造方法は、該二酸
化チタンはチタン繊維を900℃以下で焼結することに
より酸化して形成したアナターゼ型の二酸化チタンの繊
維であることを特徴とする二酸化チタンを用いた光触媒
または光触媒装置の製造方法。
【0017】また、本発明の二酸化チタンからなる光触
媒の製造方法は、チタン微粉末に、樹脂バインダーを添
加・混練し、原料コンパウンドを形成する工程、前記樹
脂バインダーを除去するための工程、該脱バインダーさ
れたチタン(Ti)の微粉末を非酸素雰囲気中で120
0〜1350℃で焼結する工程とを有することを特徴と
する。
媒の製造方法は、チタン微粉末に、樹脂バインダーを添
加・混練し、原料コンパウンドを形成する工程、前記樹
脂バインダーを除去するための工程、該脱バインダーさ
れたチタン(Ti)の微粉末を非酸素雰囲気中で120
0〜1350℃で焼結する工程とを有することを特徴と
する。
【0018】前記チタン微粉末は、20nm〜200μ
mの粒径のチタン微粉末であることを特徴とする。
mの粒径のチタン微粉末であることを特徴とする。
【0019】前記原料コンパウンドには、クロム(C
r)またはバナジウム(V)等の不純物が添加されてい
ることを特徴とする。
r)またはバナジウム(V)等の不純物が添加されてい
ることを特徴とする。
【0020】
【発明の実施の形態】次に、本発明に係る実施形態につ
いて詳細に説明する。図1は本発明に係る光触媒の構造
を模式的に示す概略断面図である。
いて詳細に説明する。図1は本発明に係る光触媒の構造
を模式的に示す概略断面図である。
【0021】図1は本発明に係る実施形態である光触媒
の構造を模式的に示す概略断面図である。
の構造を模式的に示す概略断面図である。
【0022】このアナターゼ型のチタニアからなる二酸
化チタン光触媒101は、空孔率(気孔率)が5〜90
%である多孔質のチタン(Ti)合金を焼結することに
より酸化して形成したアナターゼ型の二酸化チタンであ
る。
化チタン光触媒101は、空孔率(気孔率)が5〜90
%である多孔質のチタン(Ti)合金を焼結することに
より酸化して形成したアナターゼ型の二酸化チタンであ
る。
【0023】このとき、二酸化チタン光触媒101に太
陽光等の光線が当たることによって電子が励起され、電
子とホール(正孔)が発生すると、電子は、酸素をスー
パーオキサイドイオンに、ホールは水を水酸基ラジカル
に変える。スーパーオキサイドイオンと水酸基ラジカル
は強い酸化力を持ち、有機物のC-HやC-Oの結合を切
り、有機物を二酸化炭素と水に変える。
陽光等の光線が当たることによって電子が励起され、電
子とホール(正孔)が発生すると、電子は、酸素をスー
パーオキサイドイオンに、ホールは水を水酸基ラジカル
に変える。スーパーオキサイドイオンと水酸基ラジカル
は強い酸化力を持ち、有機物のC-HやC-Oの結合を切
り、有機物を二酸化炭素と水に変える。
【0024】本発明の二酸化チタン光触媒101の詳し
い製造方法については、別途詳述するが、二酸化チタン
光触媒101は、チタン(Ti)の微粉末を非酸素雰囲
気中(Ar等の不活性ガス中で焼結しても良いし、真空
中で焼結しても良い)で1200〜1350℃で焼結す
ることにより形成したチタン合金であり、チタン微粉末
は20nm〜200μm程度の微粒子である。
い製造方法については、別途詳述するが、二酸化チタン
光触媒101は、チタン(Ti)の微粉末を非酸素雰囲
気中(Ar等の不活性ガス中で焼結しても良いし、真空
中で焼結しても良い)で1200〜1350℃で焼結す
ることにより形成したチタン合金であり、チタン微粉末
は20nm〜200μm程度の微粒子である。
【0025】このチタン合金は、その後、800℃以下
の酸化雰囲気中で酸化されることにより、空孔率(また
は気孔率)が極めて高く、より具体的には空孔率(また
は気孔率)が5〜90%であるアナターゼ型の多孔質の
二酸化チタン合金となる。このアナターゼ型の二酸化チ
タン合金の空孔率(または気孔率)は、好ましくは15
〜50%であり、さらに好ましくは、空孔率(または気
孔率)が、20〜40%のアナターゼ型の二酸化チタン
である。
の酸化雰囲気中で酸化されることにより、空孔率(また
は気孔率)が極めて高く、より具体的には空孔率(また
は気孔率)が5〜90%であるアナターゼ型の多孔質の
二酸化チタン合金となる。このアナターゼ型の二酸化チ
タン合金の空孔率(または気孔率)は、好ましくは15
〜50%であり、さらに好ましくは、空孔率(または気
孔率)が、20〜40%のアナターゼ型の二酸化チタン
である。
【0026】また、上述のような空孔率の高いチタン
(Ti)合金を酸化する代わりに、繊維状のチタン(T
i)メッシュ状に織り込んだ織物を800℃以下の温度
で焼結することにより酸化して形成したアナターゼ型の
二酸化チタンを光触媒として用いることもできる。
(Ti)合金を酸化する代わりに、繊維状のチタン(T
i)メッシュ状に織り込んだ織物を800℃以下の温度
で焼結することにより酸化して形成したアナターゼ型の
二酸化チタンを光触媒として用いることもできる。
【0027】このように、光触媒である二酸化チタンの
空孔率(気孔率)または表面積を極めて高くすることに
より、チタニアを平板状に形成した従来の従来の光触媒
に比べて、チタニアの表面積が極端に増大する。すなわ
ち、1cm2のところに存在するチタニア微粒子の表面
積を1000〜10000cm2にすることができる。
これによって、図2に示すようにチタニアの微粒子と太
陽光等との接触面積も増大するので、光触媒機能が極め
て増大する。
空孔率(気孔率)または表面積を極めて高くすることに
より、チタニアを平板状に形成した従来の従来の光触媒
に比べて、チタニアの表面積が極端に増大する。すなわ
ち、1cm2のところに存在するチタニア微粒子の表面
積を1000〜10000cm2にすることができる。
これによって、図2に示すようにチタニアの微粒子と太
陽光等との接触面積も増大するので、光触媒機能が極め
て増大する。
【0028】また、このチタニア101は、太陽光等の
光の吸収波長を増感するために、0.1〜2.5μmo
l/gの微量のCr(クロム)、V(バナジウム)など
の不純物を含んでおり、さらに理想的には1.5〜2.
0μmol/gのCr、Vなどの不純物を含んでいるこ
とが好ましい。
光の吸収波長を増感するために、0.1〜2.5μmo
l/gの微量のCr(クロム)、V(バナジウム)など
の不純物を含んでおり、さらに理想的には1.5〜2.
0μmol/gのCr、Vなどの不純物を含んでいるこ
とが好ましい。
【0029】このように微量のCrやVを不純物として
含有することにより、通常のチタニア電極では効率的に
吸収できない400nm以上の可視光(通常、400〜
750nmの波長の光をいう)を吸収することができる
ようになり、光触媒機能の効率を大幅に向上させる。
含有することにより、通常のチタニア電極では効率的に
吸収できない400nm以上の可視光(通常、400〜
750nmの波長の光をいう)を吸収することができる
ようになり、光触媒機能の効率を大幅に向上させる。
【0030】また、このチタニア101には、太陽光等
の光の吸収波長を増感するために、Cr、Vなどの不純
物を含んでいるが、チタニア(二酸化チタン)の電極を
焼結するときに、チタニア中のTiの部分の一部が、C
r、Vに置換された状態にすると通常のチタニア電極で
は吸収できない400nm以上の可視光を吸収すること
ができるようになるので、太陽光を実用レベルで吸収す
ることができる。
の光の吸収波長を増感するために、Cr、Vなどの不純
物を含んでいるが、チタニア(二酸化チタン)の電極を
焼結するときに、チタニア中のTiの部分の一部が、C
r、Vに置換された状態にすると通常のチタニア電極で
は吸収できない400nm以上の可視光を吸収すること
ができるようになるので、太陽光を実用レベルで吸収す
ることができる。
【0031】さて、本願発明に用いられるチタン合金
は、いわゆる粉末射出成形法(PowderInjection Moldin
g:一般的にPIM法と呼ばれる)または、金属射出成
形法(Metal Injection Molding:一般的にMIM法と
呼ばれる)技術により形成される。
は、いわゆる粉末射出成形法(PowderInjection Moldin
g:一般的にPIM法と呼ばれる)または、金属射出成
形法(Metal Injection Molding:一般的にMIM法と
呼ばれる)技術により形成される。
【0032】すなわち、20nm〜200μm程度のチ
タン微粉末に、体積比で99〜50%の樹脂バインダー
を添加・混練し、射出成形可能な低粘度(1000〜3
000P)の原料コンパウンドを形成する。
タン微粉末に、体積比で99〜50%の樹脂バインダー
を添加・混練し、射出成形可能な低粘度(1000〜3
000P)の原料コンパウンドを形成する。
【0033】このとき、光の吸収波長域を広げるために
添加されるCr(クロム)またはV(バナジウム)は、
Crの酸化物(CrO3)またはVの酸化物の状態で添
加されるか、または純Crまたは純Vの状態で前記原料
コンパウンドに添加される。
添加されるCr(クロム)またはV(バナジウム)は、
Crの酸化物(CrO3)またはVの酸化物の状態で添
加されるか、または純Crまたは純Vの状態で前記原料
コンパウンドに添加される。
【0034】この後、樹脂バインダーを除去するための
脱バインダー工程(脱脂工程)を経て、脱バインダーさ
れたチタン微粉末は上述した添加物と共に非酸素雰囲気
中で1200〜1350℃で焼結される。
脱バインダー工程(脱脂工程)を経て、脱バインダーさ
れたチタン微粉末は上述した添加物と共に非酸素雰囲気
中で1200〜1350℃で焼結される。
【0035】その後、酸素雰囲気中で、チタン合金は焼
結される過程で酸化され、主として多孔質のチタン合金
の表面がアナターゼ型のチタニア(二酸化チタン)とな
る。
結される過程で酸化され、主として多孔質のチタン合金
の表面がアナターゼ型のチタニア(二酸化チタン)とな
る。
【0036】このとき、チタニアは熱的にはルチルが安
定であり、アナターゼの結晶構造は900℃以上の加熱
でルチルに変化してしまうため、酸素雰囲気中での焼結
・酸化工程の温度はチタニア(TiO2)がアナターゼ
の結晶構造を保てるように900℃以下で焼結され、酸
化が行われなければならない。
定であり、アナターゼの結晶構造は900℃以上の加熱
でルチルに変化してしまうため、酸素雰囲気中での焼結
・酸化工程の温度はチタニア(TiO2)がアナターゼ
の結晶構造を保てるように900℃以下で焼結され、酸
化が行われなければならない。
【0037】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、二
酸化チタン(TiO2)を用いた光触媒において、該二
酸化チタンを用いた光触媒は、空孔率が5〜90%の多
孔質のチタン合金を焼結してアナターゼ型の二酸化チタ
ン(TiO2)を形成した光触媒であるので、平板でチ
タニア電極を形成した従来の光触媒に比べて、チタニア
の表面積が極端に増大する。すなわち、1cm2のとこ
ろに存在するチタニアの表面積を1000〜10000
cm2にすることができる。これによって、チタニアと
太陽光等の光との接触面積も増大するので、光触媒機能
が極めて増大される。
酸化チタン(TiO2)を用いた光触媒において、該二
酸化チタンを用いた光触媒は、空孔率が5〜90%の多
孔質のチタン合金を焼結してアナターゼ型の二酸化チタ
ン(TiO2)を形成した光触媒であるので、平板でチ
タニア電極を形成した従来の光触媒に比べて、チタニア
の表面積が極端に増大する。すなわち、1cm2のとこ
ろに存在するチタニアの表面積を1000〜10000
cm2にすることができる。これによって、チタニアと
太陽光等の光との接触面積も増大するので、光触媒機能
が極めて増大される。
【0038】また、前記二酸化チタン電極は0.1〜
2.0μmol/gのCrまたはVの不純物を含んでい
るので、通常のチタニア電極では効率的に吸収できない
400nm以上の可視光(通常、400〜750nmの
波長の光をいう)を吸収することができるようになり、
光触媒機能が極めて増大される。
2.0μmol/gのCrまたはVの不純物を含んでい
るので、通常のチタニア電極では効率的に吸収できない
400nm以上の可視光(通常、400〜750nmの
波長の光をいう)を吸収することができるようになり、
光触媒機能が極めて増大される。
【0039】よって、本発明の光触媒は、従来の光触媒
に比べて、極めて優れた脱臭作用、浄化作用を有する。
さらに、本発明の光触媒は、従来の光触媒に比べて、極
めて優れた、有機物の分解機能を有する。
に比べて、極めて優れた脱臭作用、浄化作用を有する。
さらに、本発明の光触媒は、従来の光触媒に比べて、極
めて優れた、有機物の分解機能を有する。
【図1】 図1は本発明に係る実施形態としての光触媒
の構造を示す模式的な概略断面図である。
の構造を示す模式的な概略断面図である。
【図2】 図2は本発明に係る実施形態としての光触媒
の構造を示す模式的な概略断面図である。
の構造を示す模式的な概略断面図である。
101 二酸化チタン合金
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) B01J 35/06 B01J 37/00 K 37/00 37/02 301K 37/02 301 B01D 53/36 J Fターム(参考) 4D048 AA17 AA22 AB01 AB03 BA07X BA23X BA25X BA41X BA42X BB08 CA06 CC38 CC40 EA01 4G069 AA01 AA03 AA08 AA09 AA12 BA04A BA04B BA17 BB02A BB02B BB04A BB04B BB06A BB06B BC50A BC50B BC54A BC54B BC58A BC58B CA07 CA10 CA15 CA17 DA06 EA09 FA02 FA08 FB30 FB40 FB70 FC07
Claims (15)
- 【請求項1】 二酸化チタン(TiO2)を用いた光触
媒において、該二酸化チタンは、空孔率が5〜90%で
ある多孔質のチタン(Ti)合金を焼結することにより
酸化して形成したアナターゼ型の二酸化チタンであるこ
とを特徴とする光触媒。 - 【請求項2】 前記チタン合金にはCrまたはVなどの
金属の不純物が含有させていることを特徴とする請求項
1記載の光触媒。 - 【請求項3】 前記チタン合金には0.1〜2.0μm
ol/gのCrまたはVの不純物が含有させていること
を特徴とする請求項1記載の光触媒。 - 【請求項4】 前記多孔質のチタン合金の表面のみがア
ナターゼ型の二酸化チタンに酸化されてなることを特徴
とする請求項1記載の光触媒。 - 【請求項5】 二酸化チタン(TiO2)を用いた光触
媒において、該二酸化チタンは、繊維状のチタン(T
i)をメッシュ状に織り込んだ織物を焼結することによ
り酸化して形成したアナターゼ型の二酸化チタンである
ことを特徴とする光触媒。 - 【請求項6】 前記チタン繊維にはCrまたはVなどの
金属の不純物が含有させていることを特徴とする請求項
7記載の光触媒。 - 【請求項7】 前記チタン繊維には0.1〜2.0μm
ol/gのCrまたはVの不純物が含有させていること
を特徴とする請求項7記載の光触媒。 - 【請求項8】 前記チタン繊維は表面のみがアナターゼ
型の二酸化チタンに酸化されてなることを特徴とする請
求項7記載の光触媒。 - 【請求項9】 二酸化チタン(TiO2)に光を当てる
ことにより有機物や細菌等を分解する光触媒装置におい
て、該二酸化チタンは、空孔率が5〜90%である多孔
質のチタン(Ti)合金を焼結することにより酸化して
形成したアナターゼ型の二酸化チタンであることを特徴
とする光触媒装置。 - 【請求項10】 二酸化チタン(TiO2)に光を当て
ることにより有機物や細菌等を分解する光触媒装置にお
いて、該二酸化チタンは、繊維状のチタン(Ti)をメ
ッシュ状にした織物を焼結することにより酸化して形成
したアナターゼ型の二酸化チタンであることを特徴とす
る光触媒装置。 - 【請求項11】 二酸化チタン(TiO2)を用いた光
触媒または光触媒装置の製造方法において、該二酸化チ
タンは、空孔率が5〜90%である多孔質のチタン(T
i)合金を900℃以下で焼結することにより酸化して
形成したアナターゼ型の二酸化チタンであることを特徴
とする二酸化チタンを用いた光触媒または光触媒装置の
製造方法。 - 【請求項12】 二酸化チタン(TiO2)を用いた光
触媒または光触媒装置の製造方法において、該二酸化チ
タンはチタン繊維を900℃以下で焼結することにより
酸化して形成したアナターゼ型の二酸化チタンの繊維で
あることを特徴とする二酸化チタンを用いた光触媒また
は光触媒装置の製造方法。 - 【請求項13】 二酸化チタン(TiO2)からなる光
触媒の製造方法において、チタン微粉末に、樹脂バイン
ダーを添加・混練し、原料コンパウンドを形成する工
程、 前記樹脂バインダーを除去するための工程、 該脱バインダーされたチタン(Ti)の微粉末を非酸素
雰囲気中で1200〜1350℃で焼結する工程とを有
することを特徴とする二酸化チタンからなる光触媒の製
造方法。 - 【請求項14】 前記チタン微粉末は、20nm〜20
0μmの粒径のチタン微粉末であることを特徴とする請
求項13記載の二酸化チタンからなる光触媒の製造方
法。 - 【請求項15】 前記原料コンパウンドには、クロム
(Cr)またはバナジウム(V)等の不純物が添加され
ていることを特徴とする請求項13記載の二酸化チタン
からなる光触媒の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000013101A JP2001205099A (ja) | 2000-01-21 | 2000-01-21 | 光触媒及びその製造方法、光触媒装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000013101A JP2001205099A (ja) | 2000-01-21 | 2000-01-21 | 光触媒及びその製造方法、光触媒装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001205099A true JP2001205099A (ja) | 2001-07-31 |
Family
ID=18540742
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000013101A Withdrawn JP2001205099A (ja) | 2000-01-21 | 2000-01-21 | 光触媒及びその製造方法、光触媒装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001205099A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011092541A1 (en) * | 2010-01-26 | 2011-08-04 | Yuko Morito | Photocatalyst element structure, ultraviolet radiation air purification system, photocatalyst sheet, and method of manufacturing photocatalyst sheet |
CN104549396A (zh) * | 2014-10-24 | 2015-04-29 | 阜阳师范学院 | 一种光解水产生氢的复合光催化剂及其制备与应用 |
CN111495348A (zh) * | 2020-04-23 | 2020-08-07 | 王伟东 | 一种多孔光触媒过滤网的制备方法 |
-
2000
- 2000-01-21 JP JP2000013101A patent/JP2001205099A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011092541A1 (en) * | 2010-01-26 | 2011-08-04 | Yuko Morito | Photocatalyst element structure, ultraviolet radiation air purification system, photocatalyst sheet, and method of manufacturing photocatalyst sheet |
US9061086B2 (en) | 2010-01-26 | 2015-06-23 | U-VIX Corporation | Photocatalyst element structure, ultraviolet radiation air purification system, photocatalyst sheet, and method of manufacturing photocatalyst sheet |
CN104549396A (zh) * | 2014-10-24 | 2015-04-29 | 阜阳师范学院 | 一种光解水产生氢的复合光催化剂及其制备与应用 |
CN111495348A (zh) * | 2020-04-23 | 2020-08-07 | 王伟东 | 一种多孔光触媒过滤网的制备方法 |
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