JP2001202830A

JP2001202830A - 異方導電性フィルム及びそれを用いた電気接続体

Info

Publication number: JP2001202830A
Application number: JP2000008328A
Authority: JP
Inventors: Shuichi Nakada; 秀一中田; Yasuki Shimamura; 泰樹島村
Original assignee: Asahi Kasei Corp
Current assignee: Asahi Kasei Corp
Priority date: 2000-01-17
Filing date: 2000-01-17
Publication date: 2001-07-27

Abstract

(57)【要約】【課題】金属めっき樹脂粒子を導電粒子として用いた異
方導電性フィルムは、基板電極と接続電極間で加圧され
たときに、めっきされた金属成分が粒子の表面からはが
れ落ち、信頼性に欠けていた。【解決手段】フレキシブルフィルムと、有機バインダー
と、導電性粒子と、を有する異方導電性フィルムであっ
て、導電性粒子は融点の高い金属合金の中心核［ｍ］
と、中心核の外側の層を中心核から外側に向かって順に
［ｍ＋１］層、・・・［ｍ＋ｎ］層とより成り中心核及
びそれぞれの層の融点を（ｍ）ｍｐ、（ｍ＋１）ｍｐ、
・・（ｍ＋ｎ）ｍｐと表すとき、中心核と各層の融点は
（ｍ）ｍｐ＞（ｍ＋１）ｍｐ＞・・＞（ｍ＋ｎ）ｍｐ
で、導電性粒子１重量部に対して、有機バインダーが
０．０５〜３００重量部含有することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、導電性粒子を用い
てなる異方導電性フィルム及びそれを用いた電気接続体
に関するものである。駆動ＩＣ回路を有するフレキシブ
ルフィルムを取り付け端子電極に直接ボンデイング（例
えばＴＡＢ（Tape Automated Bonding））してなる液
晶パネル、液晶テレビ、液晶ビデオカメラ、サーマルヘ
ッド、太陽電池、電卓、ファミリーコンピューター、ハ
イブリッドＩＣ導体回路基板、プリント回路基板、低温
焼成用多層基板の外層チップ実装、フレキシブルプリン
ト基板の導体回路基板との接続などに応用できる。

【０００２】

【従来の技術】最近、液晶パネル等の高密度化、カラー
化が進む中で、駆動用ＩＣ回路のパネルへの接続が重要
な因子になってきている。従来から、プリント配線板や
液晶パネル電極に、絶縁フィルム上にＩＣあるいはＬＳ
Ｉ実装され形成された導体回路（例えばＴＡＢ（Tape
Automated Bonding））を接続する場合、絶縁フィルム
上の接続電極（ＴＡＢフィルム外部接続リード）をはん
だ付けにより直接接続する方法とか、導電性粒子を有機
バインダーに分散させたもので接続する方法がある。

【０００３】これらに用いられる導電性粒子は、数μｍ
から数十μｍのポリエチレン、ポリプロピレン、ポリス
チレン等の樹脂粒子の表面に金あるいはニッケルをめっ
きした粒子等（例えば、特開平４―２４２０１０号公
報）や、はんだ粉末、ニッケルが用いられてきた。有機
バインダーとしては、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ス
チレンブタジエン樹脂、ブチラール樹脂など公知の熱硬
化型あるいは熱可塑性樹脂が用いられてきた。

【０００４】異方導電性フィルム状の場合には、厚さが
１０〜４０μｍで、幅２〜６ｍｍ、有機バインダー中に
導電性粒子を分散させた長さ数ｍから数十ｍのものが一
般的に公知である。異方導電性フィルムによる接続は、
例えば液晶パネルの場合には、液晶パネル側の取り出し
電極（数本〜数十本ライン／ｍｍ：＜ピッチ数百μｍ＞
上に異方導電接続用フィルムを貼り合わせ、５０〜１２
０℃程度の温度、０．１〜７ＭＰａ程度の圧力で軽く接
着させる。この時、異方導電性フィルムに取り扱い易い
ためにガイドとしてテトラフルオロエチレン、ポリエチ
レン、ポリプロプレン、ポリエチレンテレフタレート等
のガイドテープを異方導電性フィルムに貼り併せあるい
は硬化しておき、液晶パネル側あるいはフレキシブル絶
縁フィルム側に接着後ガイドテープをはぎ取ることも行
われている。

【０００５】異方導電性フィルムを接続後、駆動用ＩＣ
回路の乗った絶縁フィルム（例えばポリイミドフィル
ム）の接続電極を対向のパネル電極（基板電極）に向か
うように位置合わせして押さえつけ、５０〜２３０℃程
度の温度で０．１〜１８ＭＰａ程度の圧力で接続する。
この場合、絶縁フィルムの接続電極と液晶パネル電極
（基板電極）間に存在する異方導電性フィルム中の導電
性粒子が絶縁フィルムの接続電極とパネル電極と両方に
接点を有し（変形するものもある）、絶縁フィルム上回
路と液晶パネル間に電気的接続を確保するものである。

【０００６】この時、隣り合う基板電極あるいは接続電
極同士での電気的接続は無いように異方導電性フィルム
中の導電性粒子量、粒子径などをコントロールして作製
されている。かりに、隣り合う電極同士での電気的接続
があると液晶素子（液晶マトリックス）が作動しなくな
ったり、誤表示をしたりするからである。液晶パネル側
の基板電極としては、一般には、ＩＴＯ電極（インジウ
ムーすず酸化物）などがあり、ガラス基板上に塗布ある
いはスパッタ、蒸着により作製されたものが公知であ
る。また、絶縁フィルムの接続電極としては、アルミニ
ウム、すずめっき銅などが主に用いられている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】前記異方導電性フィル
ムに用いられてきた導電性粒子は以下の問題点を含んで
いる。つまり、金めっき樹脂粒子、ニッケルめっき樹脂
粒子などのめっき粒子を用いた場合には、基板電極と絶
縁フィルム接続電極間で加圧されたときに、めっきされ
た金属成分の金、ニッケルが樹脂粒子表面から剥がれ落
ちることが生じる。圧力がかかった時に粒子のうち変形
するものが多くあるが、特に、金めっき層、ニッケルめ
っき層の剥がれ落ちがひどくなり電極間での導通の確保
が困難になる。また、めっきの場合には、完全に樹脂粒
子表面を覆うことが不良な場合が発生したり、異方導電
性フィルムの作製に際し、有機バインダー中に分散させ
る時に粒子の表面からめっきが剥がれてしまう問題も抱
えている。

【０００８】特に、本質的な欠点として、高密度化、電
極間のファインピッチ化の流れの中で、接続電極と基板
電極間に存在する導電性粒子の数が少なくなり、導電性
が樹脂粒子表面のめっき金属成分しかなく充分な導電性
が確保できないことにある。また、公知金属あるいは合
金粒子を用いる場合には、ニッケル、はんだ粉末などが
公知であるが、ニッケルの場合には、ニッケル表面に酸
化ニッケルの絶縁膜を作り易く接点の抵抗値が高い。

【０００９】また、加圧した場合にも金属或いは合金粒
子が変形しにくく電極との接点の面積がとりにくい。は
んだ粉を用いた場合には、変形はしやすく接点も取れや
すいが、すずの酸化物が表面にできやすく接点抵抗が増
加する。さらに、鉛のα線発生による人体への影響や、
ＬＳＩチップ等の誤動作も重要な欠点の１つである。銅
粉を用いた場合には、接点での耐環境性が悪く、電極間
の抵抗値が増加する。銀粉を用いた場合には、隣り合う
電極間が数十μｍと狭くなると銀のマイグレーションの
問題が生じ、隣り合う電極間での短絡が起こりやすく、
また銀は柔らかく、加熱加圧した場合には変形がかえっ
て起こりやすく接続抵抗が上昇する。

【００１０】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決する為
に、導電性粒子を以下の如く規定することによって解決
することを見出し、本発明をなすに至った。すなわち、
請求項１に係る異方導電性フィルムは、フレキシブルフ
ィルムと、有機バインダーと、導電性粒子と、を有する
異方導電性フィルムであって、前記導電性粒子は融点の
高い金属合金の中心核［ｍ］と、該中心核の外側の層を
中心核から外側に向かって順に［ｍ＋１］層、［ｍ＋
２］層・・・［ｍ＋ｎ］層とより成り中心核及びそれぞ
れの層の融点を（ｍ）ｍｐ、（ｍ＋１）ｍｐ、（ｍ＋
２）ｍｐ・・・（ｍ＋ｎ）ｍｐと表すとき、中心核と各
層の融点は（ｍ）ｍｐ＞（ｍ＋１）ｍｐ＞（ｍ＋２）ｍ
ｐ・・・＞（ｍ＋ｎ）ｍｐで、前記導電性粒子１重量部
に対して、前記有機バインダーが０．０５〜３００重量
部含有することを特徴とする。

【００１１】また、請求項２に係る異方導電性フィルム
は、請求項１記載の異方導電性フィルムにおいて、前記
導電性粒子を構成する金属は３種類以上で、最外層以外
の層は前記中心核［ｍ］との合金層であって、最外層
［ｍ＋ｎ］層が錫或いは錫合金層であることを特徴とす
る。また、請求項３に係る異方導電性フィルムは、請求
項１乃至２記載の異方導電性フィルムにおいて、前記導
電性粒子は平均粒子径が２．５〜４０μｍで平均粒子径
±２μｍ粒子の含有率が８０体積％以上を占め、含有酸
素量が５０００ｐｐｍ以下であることを特徴とする。

【００１２】また、請求項４に係る異方導電性フィルム
は、請求項１乃至３記載の異方導電性フィルムにおい
て、前記導電性粒子の構成金属が金、銀、銅、錫、ビス
マス、亜鉛、ニッケル、パラジウム、クロム、インジウ
ム、アンチモン、アルミニウム、ゲルマニウム、シリコ
ン、ベリリウム、タングステン、モリブデン、マンガ
ン、タンタル、チタン、ネオジウム、マグネシウムのう
ち、いずれか３種類以上含むことを特徴とする。

【００１３】また、請求項５に係る異方導電性フィルム
は、請求項１乃至４記載の異方導電性フィルムにおい
て、前記導電性粒子の中心核［ｍ］の金属粒子が一般式
ＡｇｘＣｕｙ［０．００１≦ｘ≦０．４、０．６≦ｙ≦
０．９９９、ｘ＋ｙ＝１（原子比）］で表され、平均粒
子径が２．５〜３５μｍで平均粒子径±２μｍ粒子の含
有率が８０体積％以上を占め、含有酸素量が５０００ｐ
ｐｍ以下で、かつ前記中心核粒子表面のＡｇ濃度が粒子
の平均Ａｇ濃度より高く前記中心核粒子表面が微細な凸
凹形状（凸部と凹部の高さの差が１μｍ以下）を有して
いることを特徴とする。

【００１４】また、請求項６に係る異方導電性フィルム
は、請求項１乃至５記載の異方導電性フィルムにおい
て、前記有機バインダーが熱硬化性樹脂、熱可塑性樹
脂、光硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂及び光熱硬化性樹
脂から選ばれる１種類以上の樹脂を含有していることを
特徴とする。また、請求項７に係る電気接続体は、請求
項１乃至６記載の異方導電性フィルムと電気的接続して
いる電気接続体において、前記フレキシブルフィルム上
のフィルム接続電極と、接続している接続基板の基板電
極と、の間で電極接続していることを特徴とする。

【００１５】また、請求項８に係る電気接続体は、請求
項７記載の電気接続体において、前記基板電極が銅、錫
めっき銅、金、はんだめっき銅、アルミニウム、銀、ニ
ッケル、パラジウム、白金、ＩＴＯガラス、IＯガラス
電極から選ばれた一種以上であることを特徴とする。ま
た、請求項９に係る電気接続体は、請求項７または８記
載の電気接続体において、前記接続基板が液晶パネル、
プリント基板、ハイブリッドＩＣ基板のいずれかである
ことを特徴とする。

【００１６】

【発明の実施に形態】本発明について、以下具体的に説
明する。本発明の導電性粒子は最外層［ｍ＋ｎ］が錫或
いは錫合金層である事を特長とするが、錫合金層の一例
を示すと、錫／銀、錫／銅、錫／ビスマス、錫／亜鉛の
２元系合金層であり、錫／銀／銅、錫／銀／インジウ
ム、錫／銀／ビスマス、錫／亜鉛／ビスマスの３元系合
金層や錫／銀／銅／ビスマスの４元系合金層、錫／銀／
銅／ビスマス／ゲルマニウムの５元系合金層でもその効
果が発現する事は分かっている。

【００１７】最外層として好ましくは、錫単独層、錫／
銀、錫／銅、錫／ビスマス、錫／亜鉛の２元系合金層で
あり、さらに好ましくは、錫単独層、錫／銀、錫／銅、
錫／ビスマスの２元系合金層である。つまり、最外層は
錫或いは錫合金層であるため、接点での接点抵抗が小さ
いこと、柔らかくて、加圧接続した場合にも、電極を不
規則に変形せずに、複合導電性粒子が変形し、充分な接
触面積を確保できること等、分散性が必要な高密度ピッ
チに充分優れた特性を有している。

【００１８】導電性粒子の表面及び表面近傍の錫、銅、
ビスマス、銀等の濃度は、英国ＶＧ社製Ｘ線光電子分光
分析装置ＥＳＣＡＬＢ２００―Ｘ型を用いて、表面から
の深さ３０Ａ程度の表面濃度として求めたものである。
なお、この際の錫濃度はＳｎ３ｄ（ＭｇのＫα線）、銅
濃度はＣｕ３ｐ（ＭｇのＫα線）、ビスマスはＢｉ４ｆ
（ＭｇのＫα線）、銀濃度はＡｇ３ｄ（ＡｌのＫα線）
のピークを利用し、エネルギーカウント値を重量％に換
算して求めたものである。

【００１９】一方、導電性粒子中の各元素の平均濃度
は、試料を濃硝酸中で溶解したものを、高周波誘導結合
型プラズマ発光分析計（セイコー電子工業（株）製ＪＹ
３８Ｐ―Ｐ２型）を使用して測定したものである。平均
粒子径は２．５〜４０μｍでかつ平均粒子径±２μｍの
存在割合が８０体積％以上であることを特徴とするが、
平均粒子径が４０μｍを超える場合には、存在粒子が大
きすぎて、つぶれた場合に隣の電極と接点を有し、リー
ク電流を発生させてしまい好ましくない。平均粒子径１
μｍ未満の場合には、電極間での粒子が電極の厚さより
小さくなって接点が不十分になり、さらに、粒子間の凝
集が大きくなり分散が非常に困難となる。好ましい平均
粒径は、２．５〜２０μｍで、さらに好ましくは３〜１
０μｍである。

【００２０】また、平均粒子径±２μｍの粒子割合が８
０体積％以上であるが、８０体積％未満の場合には、粒
度分布が広すぎて電極間に粒子が存在しない組み合わせ
が生じてしまう。好ましくは、８５体積％以上である。
本発明の複合導電性粒子の平均粒子径および粒子径分布
については、レーザー回折型粒度分布測定装置（ＨＥＬ
ＯＳ＆ＲＯＤＯＳ：日本レーザー）或いは走査型電子顕
微鏡（ＳＥＭ：日立製作所製Ｓ−２７００）を用いて測
定した。測定値は体積基準の粒径分布を用い、平均粒子
径は体積積算基準で５０体積％の値を用いた。

【００２１】本発明における導電性粒子の含有酸素量は
粒子の表面、内部すべてのトータルの酸素量で、不活性
ガスインパルス加熱融解法による酸素・窒素同時分析装
置（堀場製作所製ＥＭＧＡ６５０）で測定することがで
きる。含有酸素量が５０００ｐｐｍを越えると、酸化膜
による導電性不良が生じる可能性がある。好ましい含有
酸素量は３０００ｐｐｍ以下であるが、さらに好ましく
は２０００ｐｐｍ以下である。

【００２２】導電性粒子の構成金属は、半導体素子の誤
動作を引き起こす可能性があるα線の放出、人体に対す
る毒性、環境問題として削減が訴えられている鉛を含ま
ない金属粒子であるという事を特徴としている。常温、
常圧において金属状態となる元素の中でいずれか３種類
以上含む事を特長とするが、好ましくは金、銀、銅、
錫、ビスマス、亜鉛、ニッケル、パラジウム、クロム、
インジウム、アンチモン、アルミニウム、ゲルマニウ
ム、シリコン、ベリリウムであり、さらに好ましくは
金、銀、銅、錫、ビスマス、亜鉛、インジウム、ゲルマ
ニウムである。

【００２３】本発明者らが開発した導電性粒子の中心核
［ｍ］となる金属粒子は、接続時に複合導電性粒子が熱
や荷重等の影響でひしゃげて、不具合を引き起こすこと
を防止する事を発明した。中心核金属粒子［ｍ］の表面
及び表面近傍のＡｇ濃度としては、英国ＶＧ社製Ｘ線光
電子分光分析装置ＥＳＣＡＬＡＢ２００−Ｘ型を用い
て、表面からの深さ３０Å程度の表面Ａｇ濃度として求
めたものである。なお、この際のＡｇ濃度は、Ａｇ３ｄ
_5/2（ＡｌのＫα線）とＣｕ３ｐ（ＭｇのＫα線）の
ピークを比較して求めたものである。一方、平均Ａｇ濃
度は、試料を濃硝酸中で溶解したものを、高周波誘導結
合型プラズマ発光分析計（セイコー電子工業（株）製Ｊ
Ｙ３８Ｐ−Ｐ２型）を使用して測定したものである。

【００２４】さらに、中心核金属粒子表面のＡｇ濃度が
粒子の平均Ａｇ濃度より高い領域を有する事を特長とし
ているために、中心核金属粒子の耐酸化性が向上し、ニ
ッケル下地処理（一般的に言われている拡散防止層の形
成）を必要とせず、中心核金属粒子のＡｇーＣｕ合金層
とその外側の層で合金層ができる特長を示している。こ
の際、金属粒子のＡｇ量ｘは、０．００１未満では充分
な耐酸化性が得られず、０．４を越える場合には金属粒
子の製造コストが高くなる。好ましいＡｇ量ｘの範囲と
しては０．００５≦ｘ≦０．３であり、さらに好ましく
は０．０２≦ｘ０．２５である。

【００２５】平均粒子径は２．５〜３５μｍでかつ平均
粒子径±２μｍの存在割合が８０体積％以上であること
を特徴とするが、複合化した後の平均粒子径が４０μｍ
を超える場合には、存在粒子が大きすぎて、つぶれた場
合に隣の電極と接点を有し、リーク電流を発生させてし
まい好ましくないので、中心核となる金属粒子の平均粒
子径は３５μｍ以下が好ましい。平均粒子径２．５μｍ
未満の場合には、電極間での粒子が電極の厚さより小さ
くなって接点が不十分になり、さらに、粒子間の凝集が
大きくなり分散が非常に困難となる。

【００２６】また、金属粒子間の凝集力が強くなり、複
合化も困難となる。好ましい平均粒径は、２．５〜２０
μｍで、さらに好ましくは３〜１０μｍである。また、
平均粒子径±２μｍの粒子割合が８０体積％以上である
が、８０体積％未満の場合には、粒度分布が広すぎて電
極間に粒子が存在しない組み合わせが生じてしまう。好
ましくは、８５体積％以上である。本発明の導電性粒子
の平均粒子径および粒子径分布については、レーザー回
折型粒度分布測定装置（ＨＥＬＯＳ＆ＲＯＤＯＳ：日本
レーザー）或いは走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：日立製作
所製Ｓ−２７００）を用いて測定した。測定値は体積基
準の粒径分布を用い、平均粒子径は体積積算基準で５０
体積％の値を用いた。

【００２７】本発明における中心核金属粒子の含有酸素
量は粒子の表面、内部すべてのトータルの酸素量で、不
活性ガスインパルス加熱融解法による酸素・窒素同時分
析装置（堀場製作所製ＥＭＧＡ６５０）で測定すること
ができる。含有酸素量が５０００ｐｐｍを越えると、酸
化膜による導電性不良が生じる可能性がある。好ましい
含有酸素量は３０００ｐｐｍ以下であるが、さらに好ま
しくは２０００ｐｐｍ以下である。

【００２８】また、中心核粒子表面が非常に微細な凸凹
形状（凸部と凹部の高さの差が１μｍ以下）をしている
ために、外側の層との接合では強度アップに適している
アンカー効果のようになっていて、金属粒子中心核とそ
の外側の層との剥離が起こらない構造になっている事も
見いだした。本発明の導電性粒子の中心核となる金属粒
子の製法は、かかる組成の金属融液を高圧の不活性ガス
によりアトマイズして得られるものであるが、特に、窒
素ガス、ヘリウムガスを用いるのがよい。粒子形状は球
状が好ましいが、球状よりはるかにはずれたものである
と基板電極とチップ電極間に存在する粒子中、両接点を
有することのない組み合わせが生じてしまいやすい。

【００２９】本発明の導電性粒子は、低温接続性、耐酸
化性、耐銀マイグレーション性が良いのみならず、分散
性、電極との接合性（変形しやすい）が良く、高い電流
密度、導電性が高く、液晶パネルなどのカラー化、高密
度化に対応できるファインピッチ電極での導通が充分確
保できるこれまでにはないものである。本発明は、かか
る組成の導電性粒子１重量部に対して、有機バインダー
０．０５〜３００重量部含有してなる異方導電性フィル
ムを提供するものであるが、本発明で用いることができ
る有機バインダーは、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂、電
子線硬化型樹脂、熱可塑性樹脂、光熱硬化型から選ばれ
た１種類以上を用いることができる。

【００３０】熱硬化型樹脂としては、エポキシ樹脂、レ
ゾール型フェノール樹脂、ポリアミド樹脂、シリコーン
樹脂、ノボラック型フェノール樹脂、ポリウレタン樹
脂、ポリイミド樹脂、熱硬化型アクリル樹脂などが挙げ
られる。エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型、
脂環式エポキシ、鎖状式エポキシ、エポキシアクリレー
ト、エポキシノボラック型、ビスフェノールＦ型、ブロ
ム化ビスフェノールＡ型、脂肪酸変性エポキシ、ポリア
ルキシレンエーテル型、ジグリシジルエステル型、異節
環型エポキシなどが挙げられる。また、必要に応じて、
公知の反応性希釈剤を用いることもできる。例えば、ジ
グリシジルエーテル、エチレングリコールジグリシジル
エーテル、１，３―ブタンジオールジグリシジルエーテ
ル、ジエチレングリコールジグリシジルエーテルなどを
混合して用いることもできる。

【００３１】必要に応じて、公知の硬化剤を用いること
ができ、例えば、脂肪族ジアミン（エポキシと脂肪族ポ
リアミン付加重合物）、ポリアミン及び芳香族ジアミン
（メタフェニレンジアミン、ジアミノジフェニルメタ
ン、ジアミノジフェニルサルフォン）、酸無水物（メチ
ルナジック酸無水物、ヘキサヒドロ酸無水物、ピロメリ
ット酸無水物、ルイス酸錯化合物）、コリア、フェノー
ル、メラミン、フェノール系化合物、メルカプタン系化
合物が挙げられる。また、反応性促進剤としては、三級
アミン、アミン塩、イミダゾール系硬化剤（２―エチル
ー４（５）―メチルイミダゾール、１−シアノエチルー
２−４（５）―メチルイミダゾール、２−ヘプタデシル
イミダゾール、２−メチルイミダゾールアジン、２−ウ
ンデシルイミダゾール、液状高活性イミダゾール）があ
る。アミン系硬化剤にはカルボン酸化合物が好ましい。
ジシアンジアミド、ベンゾグアナミンなどもある。

【００３２】シリコーン樹脂としては、―（Ｒ₂Ｓｉ
Ｏ）ｎ―の構造式で表される樹脂である。（式中、Ｒは
メチルあるいはフェニル基を示す。）。フェノール樹脂
としては、レゾール型フェノール樹脂、ノボラック型フ
ェノール樹脂を用いることができるが、レゾール型フェ
ノール樹脂としては、フェノールホルムアルデヒド型レ
ゾール樹脂、アルキルフェノールレゾール型、キシレン
樹脂変性レゾール型、ロジン変性フェノール樹脂などが
挙げられる。

【００３３】ポリイミド樹脂としては、縮合型ポリイミ
ドやビスマレイド系樹脂、付加型ポリイミド樹脂が挙げ
られる。ポリウレタン樹脂としては、ウレタンを形成す
るウレタンプレポリマーを用いるのが好ましい。好まし
くは、末端活性イソシアネート基を活性水素化合物でブ
ロックしたブロックイソシアヌレートを主体に用いたも
のが好ましい。熱可塑性樹脂としては、熱可塑性アクリ
ル樹脂、ブチラール樹脂、塩化ビニル樹脂、ウレタン樹
脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレン樹
脂、ポリプロピレン樹脂、ポリスチレン樹脂、ＡＢＳ樹
脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアミド樹脂、不飽和ポ
リエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、フッソ樹
脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルイ
ミド樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、ポリエーテルエー
テルエーテルケトン樹脂、ポリエーテルサルフォン樹
脂、ポリアリレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート
樹脂、ポリエチレンテレフタレト樹脂、ポリアミドイミ
ド樹脂、変性ポリフェニレンオキシド樹脂、ＡＡＳ樹
脂、ＡＥＳ樹脂、ＡＣＳ樹脂、ＡＳ樹脂などが挙げられ
る。

【００３４】光硬化型樹脂としては、光重合性オリゴマ
ー、光重合性モノマーを用い、必要に応じて、光開始
剤、光開始助剤を用いて硬化されるものである。光重合
性オリゴマーとしては、低分子量反応性分子（数百から
数千）で、ポリエステル、エポキシ、ウレタンなどの骨
格に官能基としてアクリル基、メタアクリル基が２つ以
上付加したものであり、例えば、エポキシアクリレー
ト、ウレタンアクリレート、ポリエステルアクリレー
ト、ポリエーテルアクリレートが挙げられる。

【００３５】光重合性モノマーとしては、アクリロイル
基（ＣＨ₂＝ＣＨＣＯ―）またはメタアクリロ基（ＣＨ₂
＝Ｃ（ＣＨ₃）ＣＯ―）を１分子当たり１個または２個
以上持つものであり、１個持つ単官能（メタ）アクリレ
ート、２個以上持つ多官能（メタ）アクリレート、その
他ビニル基（ＣＨ₂＝ＣＨ―）を持つものが好ましい。
単官能アクリレートとしては、例えば、アリルアクリレ
ート、アリルメタアクリレート、ベンジルアクリレート
（メタ）、イソボニルアクリレート、シクロヘキシルア
クリレート（メタ）、Ｎ，Ｎ―ジメチルアミノエチルア
クリレート、グリシジルメタアクリレート、ラウリルア
クリレート、ポリエチレンアクリレート９０メタアクリ
レート、トリフロロエチルメタアクリレートなどがあ
る。

【００３６】多官能アクリレートとしては、例えば、
１，４ブタンジオールジオールジアクリレート、１，６
ヘキサンジオールジアクリレート、ジエチレングリコー
ルジアクリレート、ネオペンチルグリコールアクリレー
ト、ポリエチレングリコール４００ジアクリレート、ト
リプロピレングリコールジアクリレート、ビスフェノー
ルＡジエトキシジアクリレート、テトラエチレングリコ
ールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアク
リレート、ペンタエリスリトールトリアクリレートなど
が挙げられる。ビニル基を有する反応性モノマーとして
は、例えば、スチレン、ビニルトルエン、酢酸ビニル、
Ｎ−ビニルピロリドンなどが挙げられる。

【００３７】上記光重合性オリゴマー、光重合性モノマ
ーとともに光開始剤を用いるが、紫外線を吸収してラジ
カルを発生しやすい物質が好ましく、アセトフェノン
系、チオキサントン系、ベンゾイン系、パーオキサイド
系の公知の物質を用いることができる。例えば、ジエト
キシアセトフェノン、４―フェノキシジクロロアセトフ
ェノン、ベンゾイン、ベンゾインエチルエーテル、ベン
ゾインイソプロピルエーテル、ベンジルジメチルケター
ル、ベンゾフェノン、４―フェニルベンゾフェノン、ア
クリル化ベンゾフェノン、チオキサントン、２―エチル
アンスラキノンなどが挙げられる。また、光開始助剤と
しては、光開始助剤と用いると光開始剤単独よりも開始
反応が促進され、硬化反応を効率的にするものであり、
脂肪族、芳香族のアミンなどの公知の光開始助剤を使用
できる。例えば、トリエタノールアミンなどの公知の光
開始助剤を使用できる。例えば、トリエタノールアミ
ン、Ｎ―メチルジエタノールアミン、ミヒラーケトン、
４，４−ジエチルアミノフェノンなどがある。

【００３８】また、必要に応じて、酸化防止剤（例え
ば、高級脂肪族、リノレン酸、バルミチン酸、オレイン
酸、ステアリン酸、リノール酸及びこれらの銅塩、ベン
ゾトリアゾール、トリルトリアゾール等のトリアゾール
化合物、重合燐酸塩、アルカノールアミン）、チキソ剤
分散剤（シランカップリング、アルミカップリング、ジ
ルコニウムカップリング剤）などを添加することもでき
る。また、公知の可塑剤を用いることもできる。この場
合、導電粉末１００重量部に対して、０．０００１〜１
５重量部添加して用いると効果がある。

【００３９】異方導電性フィルムの場合、導電性粒子が
前記有機バインダー中に高分散状態で作製されるのが好
ましく、この異方導電性フィルムは完全に乾燥あるいは
硬化状態のものでも良いが、むしろ半硬化状態のものが
より好ましい。異方導電性フィルムは、それ自身では導
電性を有する必要は無くむしろ絶縁性であるものが好ま
しい。即ち、フレキシブル絶縁フィルムと基板との間に
はさみ込み加圧、加熱することで電極と対向電極方向に
のみ導電性を発現させれば良く、フィルム自身は導電性
を有している必要はない。導電性を有していると隣り合
う電極同士での短絡が生じてしまう。

【００４０】異方導電性フィルムの形態は、接続電極の
大きさ、数にもよるが、０．１〜２０００ｍｍの幅が一
般に用いられるが特に指定されるものではない。好まし
くは、０．２〜２００ｍｍ、さらに好ましくは、０．３
〜５０ｍｍである。異方導電性フィルムの厚さが必要で
あり、３〜２００μｍ程度のものが好ましい。異方導電
性フィルムの長さは、特に指定はなく、例えば数十ｍの
長さのフィルムを必要に応じて切断して用いるのが好ま
しい。

【００４１】本発明は、フレキシブル絶縁フィルム上の
接続電極と接続される基板電極とが接続電極と対向基板
電極方向にのみ電気的導通を得る異方導電性フィルムを
提供するが、フレキシブル絶縁フィルムとしては、公知
のフレキシブル絶縁フィルムを用いることができる。例
えば、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリ
ブチレンテレフタレート、ポリアリレート、ポリアミド
イミド、ポリアミド、ポリエチレン、アルミナ、ポリプ
ロピレン、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルフォ
ン、ポリフェニレンエーテル、ポリエーテルケトン、ポ
リエーテルエーテルケトン、ポリアリレート、テトラフ
ルオロエチレン、エポキシ、チッ化アルミニウムから選
ばれた１種類以上からなるものを用いることが好まし
い。

【００４２】フレキシブル絶縁フィルムの形状は、幅は
特に用塗に応じて適応されるが、厚さとしては、５〜５
０００μｍのものが好ましく、さらに５〜５００μｍが
好ましく、５〜２００μｍのものが特に好ましい。ま
た、フレキシブル絶縁フィルム上の接続電極とは、フレ
キシブル絶縁フィルム上に直接あるいは接着剤を介して
導体回路、ＩＣ回路、ＬＳＩチップ実装など公知の回路
が形成されあるいは表面実装されているものの外部接続
用導体部分あるいは被接続基板に電気的接続する導体部
分を意味するものである。フレキシブル絶縁フィルム上
には必要に応じて、コンデンサー、抵抗、ＬＳＩ、Ｉ
Ｃ、ＭＣＭなどのチップ部品を実装したものでも良い。

【００４３】フレキシブル絶縁フィルム上の接続電極
は、銅、アルミニウム、金、銀、白金、パラジウム、銀
―パラジウム、すず−鉛、すず−鉛―ビスマス、金―白
金、ニッケル、金めっきニッケル、銅―銀合金、銀―白
金、すず−鉛はんだめっき銅、すず−鉛はんだめっきア
ルミニウムから選ばれた１種以上であることを特徴とす
る。接続電極の形状は、対向の基板電極との大きさにも
よるが、６〜５０００μｍ、好ましくは１０〜１０００
μｍ程度の幅あるいは径のもので良い。接続電極の厚さ
は、特に指定はないが、０．５〜２００μｍ程度が好ま
しい。

【００４４】フレキシブル絶縁フィルム上接続電極が異
方導電性フィルムを介して電気的に接続される基板上の
接続用導体電極（基板電極）が、ＩＴＯ（インジウムー
すずー酸化物）、酸化スズ、酸化インジウム、フッソド
ープ酸化すず、すずめっきアルミニウム、すずー鉛はん
だめっきアルミニウム、パラジウムから選ばれた１種類
以上からなることを特徴とするが、基板電極の形状は、
酸化物薄膜、金属あるいは合金箔の状態が良い。液晶パ
ネル用の基板電極としては、ＩＴＯ（インジウムーすず
ー酸化物）、酸化すず、酸化インジウムなどが好まし
く、例えば、スパッタリング、蒸着などの公知の方法で
作製されたもので良い。

【００４５】また、プリント回路基板の場合の基板電極
は、基板上に導体のエッチング、導電性ペースト印刷等
で回路形成する公知の方法で作製された基板電極で構わ
ない。基板電極の厚さは０．０２〜１０００μｍの程度
が好ましく、０．０９〜２００μｍがさらに好ましく、
０．１〜１００μｍが最も好ましい。形状は特に指定し
ないが、大きさとしては、幅６〜１０００μｍ程度の電
極が好ましい。電極間（ピッチ）は、６μｍ以上のもの
が良く、さらに１０μｍ以上のものがより好ましい。

【００４６】又、基板電極が形成されている基板は、公
知の基板で構わないが、ガラス、紙フェノール樹脂、ガ
ラスエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アルミナ、チッ化
アルミ、コージェライト、ムライト、アモルファスシリ
コン、単結晶シリコン、多結晶シリコン、アルミニウ
ム、ニッケル、カドミウム化合物、ほうろう、ポリアミ
ド樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリフェニレン
スルフィド樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、テトラフル
オロエチレン樹脂、ポリエーテルスルフォン樹脂、ポリ
アリレート樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポ
リエーテルエーテルケトン樹脂から選ばれた１種類以上
の硬質あるいはフレキシブルな基板が好ましい。

【００４７】液晶パネルの場合には、ガラス基板が好ま
しい。ガラスとしては、公知のガラス材料が使用できる
が、アルカリ亜鉛ホウケイ酸、ナトリウムホウケイ酸、
ソーダライム、低アルカリホウケイ酸、バリウムホウケ
イ酸、ホウケイ酸、アルミノホウケイ酸、アルミノケイ
酸、９６％ケイ酸、溶融石英ガラス、合成石英ガラスな
どから選ばれたガラスが好ましい。プリント回路基板の
場合には、紙フェノール樹脂、ガラスエポキシ樹脂、ポ
リイミド樹脂等が好ましい。

【００４８】基板の厚さは、０．０１〜４０ｍｍのもの
が好ましい。基板は多層で有っても良く、２〜２０層ま
での基板で良い。本発明の異方導電接続用組成物のペー
スト状のものを塗布して用いる場合には、前記の通り、
スクリーン印刷やデスペンサーの技術を用いて、基板電
極上に印刷塗布（電極部以外の部分も含む）しておく。
この時印刷あるいは塗布厚さは７〜５０μｍ程度が良
い。溶剤あるいは揮発成分を含む場合には、充分に乾燥
させた後、フレキシブル絶縁フィルム上の接続電極を位
置合わせして５０〜２５０℃程度の温度で０．１〜１２
ＭＰａ程度の圧力で加圧して接続する。

【００４９】本発明の異方導電性フィルムを用いてフレ
キシブル絶縁フィルム上の接続電極を接続される基板電
極に接続する方法としては、公知の方法で構わない。例
えば、前記の通り、基板の接続用電極上に異方導電性フ
ィルムを張り合わせる。必要に応じて、５０〜１２０℃
程度の低温度で０．１〜７ＭＰａ程度の圧力で仮押さえ
する。その後、必要に応じて異方導電接続用フィルムの
ガイドフィルム（例えば、テトラフルオロエチレン）を
引き剥がす。さらに、フレキシブル絶縁フィルムの接続
電極を位置合わせし、さらに、フレキシブル絶縁フィル
ムの接続電極を位置合わせし、さらに、ヒートツールを
用いて６０〜２５０℃程度の温度で、０．２〜１５ＭＰ
ａ程度で加圧、圧着する。圧力は、０．２〜１０ＭＰａ
程度が好ましく、さらに、０．６〜５ＭＰａが好まし
い。

【００５０】こうして得られた異方導電体は、フレキシ
ブル絶縁フィルム上接続電極と対向する基板電極の間に
存在する粒子の中、少なくとも両接点を有する粒子が存
在するが、加圧、加熱処理した場合に異方性導電体のか
かる組成の導電粒子が加圧時に多少変形するものがあっ
ても良く、例えば、球状粒子が変形することによって接
点での接触面積が大きく取れることにある。変形ささせ
る場合には、接続電極と対向基板電極の距離にもよる
が、接続電極の距離が一番近いところで０．３μｍまで
に押しつぶすことができる。この時、押しつぶれた粒子
が横に広がり隣の電極に接点を有することのないように
する必要があり、隣の電極あるいは端子同士のピッチ間
によってコントロールされるのが良い。

【００５１】接続電極と対向基板電極との距離は０．３
μｍ以上３０μｍ以下好ましく、さらに好ましくは１μ
ｍ以上３０μｍ以下、特に好ましくは１μｍ以上２５μ
以下である。粒子の変形率は、例えば球状粒子の場合に
は、フレキシブル絶縁フィルム上の接続電極と対向基板
電極間の長さとフレキシブル絶縁フィルムあるいは基板
と水平な方向）の粒子の最も長いところの長さの比（絶
縁フィルムあるいは基板と水平な方向／電極電極間）が
０．１〜３０であることが好ましいが特に指定されるも
のではない。

【００５２】こうして得られた異方導電体の電極電極間
の接続抵抗は、１００Ω以下の値が得られるものであ
り、抵抗値は低い方が好ましい。本発明は、さらに、前
記異方導電体を用いてなる液晶デスプレイ、プリント回
路基板、プラズマデスプレイ、サーマルヘッド、メンブ
レンスイッチも提供するものであるが、液晶デスプレイ
の場合には、液晶の駆動方式としては、単純マトリック
ス駆動方式、アクテイーブマトリックス駆動方式のもの
に利用できる。

【００５３】また、表示方式としては、ツイストネマチ
ック方式、強誘電正液晶表示方式ＦＬＣあるいはＳＳＦ
ＬＣ方式、高分子分散液晶方式、相転移方式、ダイナミ
ックスキャタリング方式、ＴＮ方式と組合わせたＴＦＴ
方式、アクテイーブマトリックス方式におけるスイッチ
チング素子としてダイオードを用いるＭＩＭ（ＭＥＴＡ
Ｌ―ＩＮＳＵＬＡＴＯＲ―ＭＥＴＡＬ）でコントラスト
を挙げる方式も当然使用できる。当然、白黒、カラーに
は充分対応できるデスプレイに用いられる。また、液晶
デスプレイの電極接続ピッチは５〜１０００μｍ程度の
ものに利用できる。

【００５４】また、本発明の異方導電性フィルムは、プ
リント回路基板へのフレキシブル絶縁フィルムの接続に
用いることができる。フレキシブル絶縁フィルムは、前
記に示される通り、絶縁フィルム上に導体回路、チップ
部品（コンデンサー、抵抗、ＬＳＩ等）が形成、実装さ
れているもので良いことはもちろんである。被接続のプ
リント回路基板としては、ハイブリッドＩＣ、銅箔エッ
チング処理を施したもの、導電性ペーストをスクリーン
印刷法により回路形成したもの、及び多層樹脂基板（例
えば２〜２０層）を意味するものである。特に指定はな
く、公知のプリント基板でよい。この場合には、例え
ば、基板上の導体電極としては、エッチングで形成され
た銅箔（例えば、５〜５０μｍ厚）が好ましい。

【００５５】プリント基板上の電極へのフレキシブル絶
縁フィルム（例えばフレキシブルプリント回路基板）の
接続に本発明の異方導電接続用組成物を用いて行うこと
により、プリント回路基板上のファインなプリント配線
（例えば、３０〜４００μｍ幅）にも充分な導通を確保
することができる。この場合にも、プリント回路基板上
のいかなる接続電極にも導電粒子柔らかくフィットし、
基板上の電極を傷つけたりすることが少ない特徴を有す
る。接続法は、前記に示される接続方法で構わない。以
下に実施例と比較例によって本発明を具体的に説明する
が、本発明はこの実施例の範囲に限定されるものではな
い。

【００５６】

【実施例１】Ｃｕ粒子（純度９９重量％以上）１６ｋｇ
とＡｇ粒子（純度９９重量％以上）４ｋｇを黒鉛るつぼ
に入れ、高周波誘導加熱装置により１４００℃に融解、
加熱した。雰囲気は９９体積％以上の窒素中で行った。
次に、この融解金属をるつぼの先端より、ヘリウムガス
雰囲気の噴霧槽内に導入した後、るつぼ先端付近に設け
られたガスノズルから、ヘリウムガス（純度９９体積％
以上、酸素濃度０．１体積％、圧力３．２ＭＰａＧ）を
噴出してアトマイズ（真壁技研製）を行い、金属粒子を
作製した。得られた金属粒子を走査型電子顕微鏡（日立
製作所製Ｓ−２７００）で観察したところ球状（体積平
均粒子径１２μｍ）であった。この金属粒子表面のＡｇ
濃度をＸ線光電子分光分析法（英国ＶＧ社製Ｘ線光電子
分光分析装置ＥＳＣＡＬＡＢ２００−Ｘ型）により測定
し、金属粒子の平均Ａｇ濃度は濃硝酸中で溶解しプラズ
マ発光分析法（セイコー電子工業（株）製ＪＹ３８Ｐ−
Ｐ２型）により測定した。得られた金属粒子の表面と平
均のＡｇ濃度比は２．２であった。

【００５７】また、エポキシ樹脂にて包埋し、金属粒子
断面の電子顕微鏡観察を実施したが、金属粒子内部にボ
イドはなく、凸部と凹部の高さの差は０．５μｍであっ
た。得られた導電性粒子を気流式分級機（日清エンジニ
アリング製）で分級した。得られた分級粉は平均粒径
６．５μｍであり、酸素含有量は８００ｐｐｍであっ
た。また、６．５±２μｍに含まれる分級粉の存在割合
は９９％以上であった。前述した方法により得られた導
電性粒子を核として、回転めっき装置（上村工業製フロ
ースループレーターＲＰ−１）にて、めっき前処理は水
洗のみでＳｎめっきを行った。Ｓｎめっき液はＳｎ／Ｐ
ｂ共晶はんだめっき用の液組成からＰｂ成分を除去した
組成であり、めっき温度は２５度、電流密度は０．１５
Ａ／ｄｍ ^２、めっき時間０．５時間で行った。

【００５８】得られた導電性粒子を走査型電子顕微鏡に
て１００個観察した結果、体積平均粒径が８．５μｍで
あった。断面観察によるめっき厚みは１μｍであった。
さらに、粒子表面及び中心の元素分析（堀場製作所製Ｅ
ＭＡＸ−５７７０）を実施したところ、次のような結果
が得られた。なお、分析に使用した線種はＡｇ；Ｌα
線、Ｃｕ；Ｋα線、Ｓｎ；Ｌα線であり、エネルギーカ
ウント値を重量％に換算した。次に最表面の元素分析（表面からの深さ３０Å程度）を
Ｘ線光電子分光分析法にて実施した。分析に使用したピ
ークは、Ａｇ３ｄ_3/2（ＭｇのＫα線）とＣｕ３ｐ
（ＭｇのＫα線）、Ｓｎ３ｄ_5/2（ＭｇのＫα線）であ
る。その結果、最表面にはＳｎしか存在していない事を
確認した。

【００５９】最後にこの導電性粒子を島津製作所製ＤＳ
Ｃ−５０により窒素雰囲気下で吸熱ピーク温度（融点を
示す）を測定した。その結果、２１７度、３５３度、４
９０度、６１０度に吸熱ピークが存在した。測定装置の
操作温度の上限は７２０度であり、核として使用してい
る合金粒子の融点は不明だったので、真空理工製の高温
顕微鏡にて窒素雰囲気下にて核の金属粒子のみ別途測定
したところ、７８０度付近で金属粒子が球状を維持でき
なくなり、９９０度で完全に溶解する事を観察でき、Ｄ
ＳＣ測定により得られた吸熱ピークはめっき層由来であ
る事を確認した。

【００６０】

【実施例２】実施例１と同様に不活性ガスアトマイズを
行い分級後、この金属粒子を核として、回転めっき装置
にて、めっき前処理は水洗のみでＳｎ／Ｂｉめっきを行
った。Ｓｎ／Ｂｉめっき液はＳｎめっき液にＢｉを５重
量％添加した組成であり、めっき温度は２５度、電流密
度は０．１５Ａ／ｄｍ²、めっき時間０．５時間で行っ
た。得られた導電性粒子を走査型電子顕微鏡にて１００
個観察した結果、体積平均粒径が８．５μｍであった。
また、導電性粒子をエポキシ樹脂にて包埋し、研磨後に
走査型電子顕微鏡にて断面観察を行った。断面観察によ
るめっき厚みは１μｍであった。さらに、粒子表面及び
中心の元素分析を実施したところ、次のような結果が得
られた。なお、分析に使用した線種はＡｇ；Ｌα線、Ｃ
ｕ；Ｋα線、Ｓｎ；Ｌα線、Ｂｉ；Ｍα線であり、エネ
ルギーカウント値を重量％に換算した。

【００６１】次に最表面の元素分析（表面からの深さ３
０Å程度）をＸ線光電子分光分析法にて実施した。分析
に使用したピークは、Ａｇ３ｄ_3/2（ＭｇのＫα線）と
Ｃｕ３ｐ（ＭｇのＫα線）、Ｓｎ３ｄ_5/2（ＭｇのＫα
線）、Ｂｉ４ｆ（ＭｇのＫα線）である。その結果、最
表面にはＳｎとＢｉが存在している事を確認した。存在
比はＳｎが４６重量％でＢｉが５４重量％であった。さ
らに、この導電性粒子をＤＳＣにより窒素雰囲気下で吸
熱ピーク温度（融点を示す）を測定した。その結果、１
３８度、２１７度、３５３度、４９０度、６１０度に吸
熱ピークが存在した。核として使用している金属粒子の
融点を高温顕微鏡にて窒素雰囲気下にて別途測定したと
ころ、７８０度付近で金属粒子が球状を維持できなくな
り、９９０度で完全に溶解する事を観察でき、ＤＳＣ測
定により得られた吸熱ピークはめっき層由来である事を
確認した。

【００６２】上記実施例１、２で得られた導電性粒子を
用いて、厚さは５〜５０００μｍの範囲でコーターでガ
イドテープを貼り合わせながら異方導電性フィルムを作
製した。幅については、０．１〜２０００ｍｍの範囲で
作製した。さらに、作製した異方導電性フィルムを用い
て、被接続基板上に少なくとも１００本（あるいは１０
０個）以上の電極が並ぶ箇所に位置合わせして、基板上
に仮圧着した（フレキシブル絶縁フィルムでも良い）。
温度は５０〜１２０℃／１〜１０秒間の範囲で行った。
圧力は、０．０５〜５ＭＰａ範囲でヒートツールを用い
て加圧した。その後、ガイドテープ（なくても構わな
い）を剥がし、さらに、フレキシブル絶縁フィルム（基
板でも良い）の接続電極を対抗基板電極に位置合わせし
て温度６０〜２００℃／１〜６０秒の範囲で圧力０．１
〜１２ＭＰａで本接続した。電極ピッチ間（導体と導体
の距離）は４０〜２００μｍで行った。

【００６３】作製した異方導電性フィルムの組成を表
１、得られた異方導電体の形態を表２、環境試験後の特
性を表３に示す。評価判断基準は、フレキシブル絶縁フ
ィルム上の接続電極と対抗基板電極との間の抵抗値（２
０Ω以下を良とする）、分散性と耐マイグレーション性
を測定するために隣り合う電極間の絶縁性（８５℃ ９
０％１０００時間放置後）の良否（１００本（個）以上
が１０⁸Ω以上を良◎、５０〜９９本（個）△、４９以
下を×とする。）、環境試験後の抵抗値の変化率の良否
（８５℃／３０分―５５℃／３０分―１０００サイクル
後で２０％以内の変化率は良◎とする）とした。併せて
用途も示す。

【００６４】

【比較例】市販の水アトマイズ銅粉を気流式分級機にて
分級し、平均粒径を合わせた。分級後の含有酸素量は１
８００ｐｐｍであった。その銅粉を用いて、表１に示さ
れた組成割合と全く同じ組成で実施例と同様にして異方
導電性フィルムを作製し（表４）、同様に評価した。そ
の評価結果は表５、６に示す。

【００６５】

【表１】

【００６６】

【表２】

【００６７】

【表３】

【００６８】

【表４】

【００６９】

【表５】

【００７０】

【表６】

【００７１】

【発明の効果】本発明の導電性粒子は、低温接続性、導
電性、耐酸化性、分散性が良く、鉛を含まないために人
体や環境にも優しく、さらに錫合金、銀、銅等で構成さ
れるために電極、導体間接合時に適度に変形することで
接点面積を大きくとれる。この環境問題を配慮した導電
性粒子を用いた異方導電性フィルムにより、高接続信頼
性、ファインピッチでの接続性や高電流密度が得られる
などの特長を持った、異方導電体も提供することができ
る。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 4F100 AB10B AB11B AB12B AB13B AB14B AB16B AB17B AB18B AB20B AB21B AB22B AB24B AB25B AB31B AK01A AR00B BA02 DE01B GB41 JA04B JB03 JG01B JK17A YY00B 5G307 HA02 HB03 HC01

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】フレキシブルフィルムと、有機バインダー
と、導電性粒子と、を有する異方導電性フィルムであっ
て、前記導電性粒子は融点の高い金属合金の中心核
［ｍ］と、該中心核の外側の層を中心核から外側に向か
って順に［ｍ＋１］層、［ｍ＋２］層・・・［ｍ＋ｎ］
層とより成り中心核及びそれぞれの層の融点を（ｍ）ｍ
ｐ、（ｍ＋１）ｍｐ、（ｍ＋２）ｍｐ・・・（ｍ＋ｎ）
ｍｐと表すとき、中心核と各層の融点は（ｍ）ｍｐ＞
（ｍ＋１）ｍｐ＞（ｍ＋２）ｍｐ・・・＞（ｍ＋ｎ）ｍ
ｐで、前記導電性粒子１重量部に対して、前記有機バイ
ンダーが０．０５〜３００重量部含有することを特徴と
する異方導電性フィルム。
【請求項２】請求項１記載の異方導電性フィルムにおい
て、前記導電性粒子を構成する金属は３種類以上で、最
外層以外の層は前記中心核［ｍ］との合金層であって、
最外層［ｍ＋ｎ］層が錫或いは錫合金層であることを特
徴とする異方導電性フィルム。
【請求項３】請求項１乃至２記載の異方導電性フィルム
において、前記導電性粒子は平均粒子径が２．５〜４０
μｍで平均粒子径±２μｍ粒子の含有率が８０体積％以
上を占め、含有酸素量が５０００ｐｐｍ以下であること
を特徴とする異方導電性フィルム。
【請求項４】請求項１乃至３記載の異方導電性フィルム
において、前記導電性粒子の構成金属が金、銀、銅、
錫、ビスマス、亜鉛、ニッケル、パラジウム、クロム、
インジウム、アンチモン、アルミニウム、ゲルマニウ
ム、シリコン、ベリリウム、タングステン、モリブデ
ン、マンガン、タンタル、チタン、ネオジウム、マグネ
シウムのうち、いずれか３種類以上含むことを特徴とす
る異方導電性フィルム。
【請求項５】請求項１乃至４記載の異方導電性フィルム
において、前記導電性粒子の中心核［ｍ］の金属粒子が
一般式ＡｇｘＣｕｙ［０．００１≦ｘ≦０．４、０．６
≦ｙ≦０．９９９、ｘ＋ｙ＝１（原子比）］で表され、
平均粒子径が２．５〜３５μｍで平均粒子径±２μｍ粒
子の含有率が８０体積％以上を占め、含有酸素量が５０
００ｐｐｍ以下で、かつ前記中心核粒子表面のＡｇ濃度
が粒子の平均Ａｇ濃度より高く前記中心核粒子表面が微
細な凸凹形状（凸部と凹部の高さの差が１μｍ以下）を
有していることを特徴とする異方導電性フィルム。
【請求項６】請求項１乃至５記載の異方導電性フィルム
において、前記有機バインダーが熱硬化性樹脂、熱可塑
性樹脂、光硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂及び光熱硬化
性樹脂から選ばれる１種類以上の樹脂を含有しているこ
とを特徴とする異方導電性フィルム。
【請求項７】請求項１乃至６記載の異方導電性フィルム
と電気的接続している電気接続体において、前記フレキ
シブルフィルム上のフィルム接続電極と、接続している
接続基板の基板電極と、の間で電極接続していることを
特徴とする電気接続体。
【請求項８】請求項７記載の電気接続体において、前記
基板電極が銅、錫めっき銅、金、はんだめっき銅、アル
ミニウム、銀、ニッケル、パラジウム、白金、ＩＴＯガ
ラス、IＯガラス電極から選ばれた一種以上であること
を特徴とする電気接続体。
【請求項９】請求項７または８記載の電気接続体におい
て、前記接続基板が液晶パネル、プリント基板、ハイブ
リッドＩＣ基板のいずれかであることを特徴とする電気
接続体。