JP2001191037A - Washing device - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハ、液
晶表示用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板などの
薄板状の被処理体である基板に所定の洗浄処理を行う洗
浄装置に関する。特に基板の端部をも効率的に洗浄でき
る基板の洗浄装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a cleaning apparatus for performing a predetermined cleaning process on a thin substrate such as a semiconductor wafer, a glass substrate for a liquid crystal display, and a glass substrate for a photomask. In particular, the present invention relates to a substrate cleaning apparatus capable of efficiently cleaning even the edge of the substrate.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来から基板の一種であるウェハの処理
過程において、ウェハ（以下、基板という）の表面に形
成された多層構造化に伴う凹凸を取り除くために、化学
研磨剤（スラリー）やパッド等を使用してウェハの表面
を機械的に削ることにより、ウェハの表面の平坦化を行
うＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ ＭｅｃｈａｎｉｃａｌＰ
ｏｌｉｓｈｉｎｇ）処理を行っている。2. Description of the Related Art Conventionally, in the process of processing a wafer, which is a kind of substrate, a chemical polishing agent (slurry) or a pad is used to remove irregularities associated with a multilayer structure formed on the surface of the wafer (hereinafter, referred to as a substrate). CMP (Chemical Mechanical P) for planarizing the wafer surface by mechanically shaving the wafer surface using
processing).
【０００３】ＣＭＰ（化学機械研磨）処理が行われた基
板の表面には研磨によって研磨屑等が付着しているた
め、ＣＭＰ処理後の基板に対する処理として基板を洗浄
して研磨屑等を除去する処理が行われる。このＣＭＰ洗
浄は、上記ＣＭＰにおいて、基板面を汚染させるスラリ
ーを除去するための後処理洗浄であり、下記のように、
ブラシスクラブ洗浄が一般に採用されている。[0003] Since polishing debris and the like are attached to the surface of the substrate that has been subjected to the CMP (chemical mechanical polishing) process by polishing, the substrate is washed to remove the polishing debris and the like as a process for the substrate after the CMP process. Processing is performed. This CMP cleaning is a post-processing cleaning for removing the slurry that contaminates the substrate surface in the above-mentioned CMP.
Brush scrub cleaning is commonly employed.
【０００４】上述のような基板の洗浄を行うための従来
技術の概念的な構成は、図１５および図１６に示されて
いる。すなわち、基板Ｗの端面が一対の端面支持ハンド
２１０，２１１によって挟持されることにより、基板Ｗ
の支持が達成されている。そして、基板Ｗの上面は、円
板状のベース部２１２とその下面に固設された洗浄用ブ
ラシ２１４とからなるスクラブ洗浄部材２１６によって
スクラブ洗浄される。すなわち、洗浄用ブラシ２１４の
接触面２１８が基板Ｗの上面に接触した状態で、スクラ
ブ洗浄部材２１６が図示しない回転駆動機構によって回
転され、かつ洗浄用ブラシ２１４のほぼ中心に配置され
たノズル２２０から洗浄液が吐出されて、基板Ｗの上面
がスクラブ洗浄される。FIGS. 15 and 16 show a conceptual structure of the prior art for cleaning the substrate as described above. That is, the end face of the substrate W is sandwiched between the pair of end face support hands 210 and 211, so that the substrate W
Support has been achieved. Then, the upper surface of the substrate W is scrub-cleaned by a scrub cleaning member 216 composed of a disk-shaped base portion 212 and a cleaning brush 214 fixed on the lower surface thereof. That is, in a state where the contact surface 218 of the cleaning brush 214 is in contact with the upper surface of the substrate W, the scrub cleaning member 216 is rotated by a rotation driving mechanism (not shown), and The cleaning liquid is discharged, and the upper surface of the substrate W is scrub-cleaned.
【０００５】また、基板Ｗの下面も同様に、円板状のベ
ース部２１３とその上面に固設された洗浄用ブラシ２１
５とからなるスクラブ洗浄部材２１７が、洗浄用ブラシ
２１５の接触面２１９が基板Ｗの下面に接触した状態
で、図示しない回転駆動機構によって回転され、かつ洗
浄用ブラシ２１５のほぼ中心に配置されたノズル２２１
から洗浄液が吐出されて、基板Ｗの下面がスクラブ洗浄
される。Similarly, the lower surface of the substrate W has a disk-shaped base portion 213 and a cleaning brush 21 fixed on the upper surface thereof.
5 is rotated by a rotation drive mechanism (not shown) with the contact surface 219 of the cleaning brush 215 in contact with the lower surface of the substrate W, and disposed substantially at the center of the cleaning brush 215. Nozzle 221
, The scrubbing cleaning of the lower surface of the substrate W is performed.
【０００６】なお、この構成において、端面支持ハンド
２１０，２１１は、基板Ｗを保持しつつ、図１５に示す
ように基板Ｗの中心ＯＷが円軌道を描くように、基板Ｗ
を円運動させる。この結果、接触面２１８，２１９は、
基板Ｗのほぼ全面に接触することとなるから、基板Ｗの
ほぼ全面をスクラブ洗浄できる。In this configuration, the end face supporting hands 210 and 211 hold the substrate W while holding the substrate W such that the center OW of the substrate W follows a circular orbit as shown in FIG.
To make a circular motion. As a result, the contact surfaces 218, 219
Since almost the entire surface of the substrate W is brought into contact, scrub cleaning can be performed on almost the entire surface of the substrate W.
【０００７】ところで、基板Ｗは、一般に、その表面全
体が半導体装置の形成に用いられるわけではなく、図１
７に示すように、周縁付近の上下面２３０および端面２
３１を含む周縁部２３２を除く中央部２３３だけが半導
体装置の形成に用いられる有効エリアである。したがっ
て、基板Ｗの表面上に薄膜をパターン形成していくと、
基板Ｗの中央部２３３と周縁部２３２とでは膜厚や膜硬
などの膜質が異なってくる。そのため、本来なら、基板
Ｗの中央部２３３の洗浄の仕方と周縁部２３２の洗浄の
仕方とを変える必要がある。たとえば、用いられる洗浄
液の種類や濃度を変えることにより、中央部２３３に残
留しているスラリーを除去し、また、周縁部２３２に残
留しているスラリーや不要な薄膜を除去する必要があ
る。In general, the entire surface of the substrate W is not used for forming a semiconductor device.
As shown in FIG.
Only the central portion 233 excluding the peripheral portion 232 including 31 is an effective area used for forming a semiconductor device. Therefore, when a thin film is patterned on the surface of the substrate W,
The film quality such as the film thickness and the film hardness is different between the central portion 233 and the peripheral portion 232 of the substrate W. Therefore, it is originally necessary to change the way of cleaning the central part 233 of the substrate W and the way of cleaning the peripheral part 232. For example, it is necessary to remove the slurry remaining in the central portion 233 and to remove the slurry remaining in the peripheral portion 232 and unnecessary thin films by changing the type and concentration of the cleaning liquid used.
【０００８】しかし、上記従来技術の構成では、エッチ
ング処理による基板Ｗの薄膜に対するパターン形成にお
いて、基板Ｗの中央部２３３の有効エリア内にのみ注意
が払われているから、基板Ｗの周縁部２３２にエッチン
グ不足領域が残ったままとなり、これが、不要な薄膜と
なる場合がある。また、基板Ｗの周縁部２３２の全域、
特に端面２３１の洗浄が不充分となり、スラリーが基板
Ｗの周縁部２３２に残ってしまうことがある。[0008] However, in the above-described prior art configuration, in forming a pattern on the thin film of the substrate W by etching, attention is paid only to the effective area of the central portion 233 of the substrate W. In some cases, an insufficiently etched region remains, which may become an unnecessary thin film. Further, the entire area of the peripheral portion 232 of the substrate W,
In particular, the cleaning of the end surface 231 may be insufficient, and the slurry may remain on the peripheral portion 232 of the substrate W.
【０００９】もしも、基板Ｗの周縁部２３２に不要な薄
膜およびスラリーが残っていると、当該薄膜とスラリー
とが反応し、その結果生成された物質が基板Ｗの周縁部
２３２に残る場合もある。このように、上記従来技術の
構成においては、基板Ｗの周縁部２３２に、不要な薄膜
やスラリー、薄膜とスラリーとの反応生成物が残るとい
う不具合がある。この場合、これらの物質はパーティク
ルとなるから、半導体装置の製造工程において歩留りの
低下につながり、大きな問題となっていた。If an unnecessary thin film and slurry remain on the peripheral portion 232 of the substrate W, the thin film and the slurry react with each other, and the resulting substance may remain on the peripheral portion 232 of the substrate W. . As described above, in the configuration of the related art, there is a problem that an unnecessary thin film or slurry, or a reaction product of the thin film and the slurry remains on the peripheral portion 232 of the substrate W. In this case, since these substances become particles, the yield is reduced in the manufacturing process of the semiconductor device, which has been a serious problem.
【００１０】ところで、基板の清浄度は年々厳しくな
り、基板の周縁部汚染も無視できなくなってきており、
周縁部を洗浄する装置が開発されている。その一例とし
て、特開平１１−６２５号公報には、基板の周縁部に接
触して基板を定位置に保持するとともに、基板を回転さ
せるための一対のエッジ部洗浄用ローラが開示されてい
る。このエッジ部洗浄用ローラの表面の洗浄用弾性部材
には、基板の周縁部が入り込むような略Ｖ字型の周溝が
形成されている。そして、回転するエッジ部洗浄用ロー
ラに基板の周縁部を押圧し、基板は回転しつつ全周の周
縁部がエッジ部洗浄用ローラの洗浄用弾性部材で擦られ
て洗浄される。[0010] By the way, the cleanliness of the substrate is becoming severer year by year, and the contamination of the peripheral portion of the substrate cannot be ignored.
Devices for cleaning the periphery have been developed. As one example, Japanese Patent Application Laid-Open No. H11-625 discloses a pair of edge cleaning rollers for rotating the substrate while holding the substrate in a fixed position by contacting the peripheral edge of the substrate. The cleaning elastic member on the surface of the edge cleaning roller has a substantially V-shaped peripheral groove into which the peripheral edge of the substrate enters. Then, the peripheral edge of the substrate is pressed against the rotating edge cleaning roller, and the peripheral edge of the substrate is rubbed by the cleaning elastic member of the edge cleaning roller while being rotated, and the substrate is cleaned.
【００１１】[0011]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記特
開平１１−６２５号公報に記載の洗浄装置は、基板に対
して回転駆動を与える構成上、基板の周縁部とエッジ部
洗浄用ローラの周速は同じである。そのため、洗浄用弾
性部材により周縁部の不要な薄膜やスラリーを充分な擦
り取るという洗浄力は発生せず、充分な洗浄が期待でき
ない。However, the cleaning device described in Japanese Patent Application Laid-Open No. H11-625 has a structure in which the rotation of the substrate is performed. Is the same. For this reason, the cleaning elastic member does not generate sufficient detergency to scrape off unnecessary thin films and slurry on the peripheral portion, and thus sufficient cleaning cannot be expected.
【００１２】更に、基板の周縁部の洗浄用弾性部材に対
する押圧状態が不均一であり、基板の回転駆動を定常的
に行うことも困難であり、基板の周縁部において均一状
態での洗浄が達成できないという問題もあった。Further, the pressing state of the peripheral portion of the substrate against the cleaning elastic member is not uniform, and it is difficult to constantly drive the substrate to rotate. Therefore, the cleaning of the peripheral portion of the substrate in the uniform state is achieved. There was also a problem that it could not be done.
【００１３】本発明は、かかる事情を鑑みてなされたも
のであって、上述の技術的課題を解決し、かつ基板の周
縁部の粒子汚染物を確実に除去できる基板の洗浄装置を
提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and has as its object to provide a substrate cleaning apparatus which solves the above-mentioned technical problems and which can surely remove particle contaminants on the periphery of the substrate. With the goal.
【００１４】[0014]
【課題を解決するための手段およびその作用・効果】上
記目的を達成するために、本発明は、薄板状の被処理体
を基板保持手段にて保持して処理する洗浄装置において
基板保持手段は、被処理体の中心に対して接近または離
隔するように移動する本体部と、前記本体部に配置さ
れ、被処理体の周縁部に当接して被処理体を保持するた
めの少なくとも３本の保持具と、前記保持具のうち少な
くとも１本の保持具を回転させるための回転駆動部と、
本体部に配設された被処理体の周縁部を洗浄する周縁部
洗浄具と、を具備し、前記周縁部洗浄具は、保持具が被
処理体を保持すると同時に、被処理体の周縁部に接触す
るよう本体部に配置されることを特徴とする洗浄装置で
ある。SUMMARY OF THE INVENTION In order to achieve the above object, the present invention provides a cleaning apparatus for processing a thin plate-like workpiece by holding it in a substrate holding means. A main body moving toward or away from the center of the object to be processed, and at least three main bodies disposed on the main body for holding the object by contacting a peripheral portion of the object to be processed. A holder, a rotation drive unit for rotating at least one of the holders,
A peripheral portion cleaning tool for cleaning a peripheral portion of the processing object provided in the main body portion, wherein the peripheral cleaning device holds the processing target object at the same time as the holder holds the processing target object. A cleaning device, wherein the cleaning device is disposed on a main body portion so as to contact the cleaning device.
【００１５】請求項２に係る発明は、請求項１に記載の
洗浄装置において、前記周縁部洗浄具は弾性部材で形成
されたことを特徴とする。According to a second aspect of the present invention, in the cleaning apparatus according to the first aspect, the peripheral edge cleaning tool is formed of an elastic member.
【００１６】請求項３に係る発明は、請求項１または請
求項２に記載の洗浄装置において、前記周縁部洗浄具は
被処理板の回転方向に対して逆回転することを特徴とす
る。According to a third aspect of the present invention, in the cleaning apparatus according to the first or second aspect, the peripheral edge cleaning tool rotates in a reverse direction to a rotation direction of the plate to be processed.
【００１７】請求項４に係る発明は、請求項１または請
求項２に記載の洗浄装置において、前記周縁部洗浄具は
被処理体と異なる周速で回転するようにしたことを特徴
とする。According to a fourth aspect of the present invention, in the cleaning apparatus according to the first or second aspect, the peripheral edge cleaning tool is rotated at a peripheral speed different from that of the object to be processed.
【００１８】請求項５に係る発明は、請求項１乃至請求
項４に記載の洗浄装置において、前記被処理体は、薄膜
が形成された表面を研磨する加工処理がされた基板であ
ることを特徴とする。According to a fifth aspect of the present invention, in the cleaning apparatus according to any one of the first to fourth aspects, the object to be processed is a substrate that has been processed to polish a surface on which a thin film is formed. Features.
【００１９】本発明の作用は次のとおりである。請求項
１に係る発明の洗浄装置においては、被処理体の周縁部
を良好に洗浄することができる。即ち、被処理体の保持
手段に周縁部洗浄具を配設し被処理体の保持と同時に周
縁部洗浄具を洗浄位置に配置することで、被処理体を確
実に保持した状態で回転による摺擦により充分な洗浄効
果を得ることができる。また被処理板の保持と、周縁部
洗浄具の洗浄位置へのセットを同じタイミングにするよ
うにしているから、短い時間で被処理板の洗浄を行うこ
とができるThe operation of the present invention is as follows. In the cleaning apparatus according to the first aspect of the present invention, the peripheral portion of the object to be processed can be cleaned well. That is, by disposing the peripheral edge cleaning tool in the holding means of the object to be processed and arranging the peripheral edge cleaning tool in the cleaning position at the same time as the holding of the object to be processed, the sliding by rotating while the object to be processed is securely held A sufficient cleaning effect can be obtained by rubbing. Further, since the holding of the plate to be processed and the setting of the peripheral edge cleaning tool to the cleaning position are performed at the same timing, the plate to be processed can be cleaned in a short time.
【００２０】請求項２記載の発明は、周縁部洗浄具は弾
性部材で形成される。本発明によれば、被処理体はその
周縁部にて確実に保持され、かつその状態で回転させら
れる。その状態の被処理体に対して周縁部洗浄具が押し
当てられる。周縁部洗浄具は弾性部材なのでその弾性で
被処理体の周縁部で必要な洗浄面に当接する。したがっ
て、回転している被処理体の周縁部のすべてを確実に洗
浄することができる。すなわち、未洗浄領域をなくすこ
とができる。そのため、被処理体を一層良好に洗浄する
ことができる。According to the second aspect of the present invention, the peripheral edge cleaning tool is formed of an elastic member. According to the present invention, the object to be processed is securely held at the peripheral edge thereof, and is rotated in that state. The peripheral edge cleaning tool is pressed against the object to be processed in that state. Since the peripheral edge cleaning tool is an elastic member, it comes into contact with a required cleaning surface at the peripheral edge of the object to be processed due to its elasticity. Therefore, it is possible to surely clean the entire periphery of the rotating target object. That is, the uncleaned area can be eliminated. Therefore, the object to be processed can be more favorably washed.
【００２１】請求項３記載の発明は、周縁部洗浄具が被
処理体の回転方向に対して逆回転する。即ち、相対的な
摺擦により回転している被処理体の周縁部のすべてをさ
らに確実に洗浄することができる。According to the third aspect of the present invention, the peripheral edge cleaning tool rotates in the opposite direction to the rotation direction of the workpiece. That is, it is possible to more reliably clean the entire periphery of the rotating target object by the relative rubbing.
【００２２】請求項４記載の発明は、周縁部洗浄具が被
処理体と異なる周速で回転する。即ち、周速を異ならせ
ることで摺擦作用を確実に発生させて、回転している被
処理体の周縁部のすべてをさらに確実に洗浄することが
できる。According to the fourth aspect of the present invention, the peripheral edge cleaning tool rotates at a peripheral speed different from that of the object to be processed. In other words, by making the peripheral speed different, the rubbing action can be reliably generated, and the entire peripheral portion of the rotating object can be more reliably cleaned.
【００２３】請求項５記載の発明は、被処理体が薄膜が
形成された表面を研磨する加工処理がされた基板であっ
ても周縁部のすべてをさらに確実に洗浄することができ
る。なお、ここでいう加工処理には、薄膜が形成された
基板の表面を研磨するＣＭＰ処理等の研磨処理が考えら
れる。According to the fifth aspect of the present invention, even when the object to be processed is a substrate on which the surface on which the thin film is formed is polished, the entire periphery can be more reliably cleaned. In addition, a polishing process such as a CMP process for polishing the surface of the substrate on which the thin film is formed can be considered as the processing process here.
【００２４】[0024]
【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明に係
る基板処理装置の一実施の形態について説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００２５】図１は、本発明の実施の形態に係る基板処
理装置を示す平面図である。また、図２は、本発明の実
施の形態に係る基板処理装置のＹＺ平面における概略断
面図である。さらに、図３は、本発明の実施の形態に係
る基板処理装置のＺＸ平面における概略断面図である。FIG. 1 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view in the YZ plane of the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention. FIG. 3 is a schematic cross-sectional view in the ZX plane of the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention.
【００２６】この基板処理装置１００では、薄板状の被
処理体である基板の一種であるウェハＷを複数枚収納す
るポッド（ＰＯＤ）９が収納器として使用されＣＭＰ処
理の対象となる複数のウェハＷがポッド９内に密閉され
た状態で基板収納部７に配置される。この基板収納部７
には、複数のポッド９がＸ軸方向に一列に配置されてい
る。なお、ポッド９の代わりにウェハカセットを用いて
もよい。In the substrate processing apparatus 100, a pod (POD) 9 for accommodating a plurality of wafers W, which is a kind of substrate as a thin plate-like object, is used as a container and a plurality of wafers to be subjected to CMP processing. The W is placed in the substrate storage unit 7 in a state where the W is sealed in the pod 9. This board storage section 7
Has a plurality of pods 9 arranged in a line in the X-axis direction. Note that a wafer cassette may be used instead of the pod 9.
【００２７】また、基板収納部７のＸ軸方向に沿って設
けられた搬送路１５を挟んで、複数の処理部３０，４
０，５０が設けられている。これらの処理部３０，４
０，５０もＸ軸方向に沿って一列に配置されており、ウ
ェハＷに対する処理手順に応じて隣接して設けられてい
る。Further, a plurality of processing units 30 and 4 are sandwiched by a transport path 15 provided along the X-axis direction of the substrate storage unit 7.
0 and 50 are provided. These processing units 30, 4
0 and 50 are also arranged in a line along the X-axis direction, and are provided adjacent to each other according to the processing procedure for the wafer W.
【００２８】複数の処理部のうち一端側に配置された処
理部３０は、詳細には後述するが図３に示すように、Ｃ
ＭＰ処理が終了した直後のウェハＷを保持装置３３が支
持した状態で、ウェハＷの表面に接触してウェハＷの表
面を洗浄する表面ブラシ３１とウェハＷの裏面に接触し
てウェハＷの裏面を洗浄する裏面ブラシ３２とを使用し
てウェハＷの両面をブラッシングすることによって、Ｃ
ＭＰ処理によってウェハＷに付着した研磨屑等のパーテ
ィクルを除去する処理を行う処理部である。この処理部
３０では、表面ブラシ３１及び裏面ブラシ３２による洗
浄効果を高めるために、図示しないノズルによってアル
カリ液等の所定の処理液をウェハＷの表面や裏面に供給
することが行われる。なお、この処理部３０が、本発明
の洗浄装置に相当する。The processing unit 30 arranged at one end of the plurality of processing units will be described in detail later, but as shown in FIG.
With the holding device 33 supporting the wafer W immediately after the completion of the MP process, the front brush 31 that contacts the front surface of the wafer W to clean the front surface of the wafer W and the back surface of the wafer W that contacts the rear surface of the wafer W By brushing both sides of the wafer W using the back brush 32 for cleaning
This is a processing unit that performs a process of removing particles such as polishing debris attached to the wafer W by the MP process. In the processing section 30, a nozzle (not shown) supplies a predetermined processing liquid such as an alkaline liquid to the front and rear surfaces of the wafer W in order to enhance the cleaning effect of the front brush 31 and the back brush 32. The processing unit 30 corresponds to the cleaning device of the present invention.
【００２９】また、処理部４０は、さらにパーティクル
除去能力の高いブラシ４１を使用してウェハＷの表面に
付着している微細なパーティクルを取り除く処理部（表
面処理部）である。処理部４０では、ブラシ４１による
洗浄効果を高めるために、ノズル４３よりウェハＷの表
面に対して所定の処理液が吐出することができるととも
に、回転部４２がウェハＷを保持しながら回転させるこ
とも可能である。The processing section 40 is a processing section (surface processing section) for removing fine particles adhering to the surface of the wafer W by using a brush 41 having a higher particle removing ability. In the processing unit 40, in order to enhance the cleaning effect of the brush 41, a predetermined processing liquid can be discharged from the nozzle 43 to the surface of the wafer W, and the rotating unit 42 rotates while holding the wafer W. Is also possible.
【００３０】さらに、複数の処理部の内、他端側に配置
された処理部５０は、ウェハＷが回転部５２に回転可能
な状態に載置され、ウェハＷを回転させながらノズル５
３より純水等のリンス液をウェハＷの表面に向けて吐出
することにより、ウェハＷに対する最終リンスを行った
後、リンス液の吐出を停止させてウェハＷを高速に回転
させて、スピンドライ乾燥を行う処理部（リンス処理・
乾燥処理部）である。Further, among the plurality of processing units, the processing unit 50 disposed on the other end side is mounted so that the wafer W can be rotated on the rotating unit 52, and the nozzle 5 is rotated while rotating the wafer W.
Then, a final rinse of the wafer W is performed by discharging a rinsing liquid such as pure water toward the surface of the wafer W from step 3, and then the discharge of the rinsing liquid is stopped, and the wafer W is rotated at a high speed. Processing unit that performs drying (rinse processing /
Drying processing section).
【００３１】なお、搬送路１５と処理部３０，４０，５
０等との上方には、基板処理装置１００の内部の雰囲気
を清浄に保つために、フィルタファンユニットＦＦＵが
設けられている。そして、フィルタファンユニットＦＦ
Ｕからは搬送路１５や処理部３０，４０，５０等に向け
てクリーンエアのダウンフローが形成されている。The transport path 15 and the processing units 30, 40, 5
Above 0 or the like, a filter fan unit FFU is provided to keep the atmosphere inside the substrate processing apparatus 100 clean. And the filter fan unit FF
From U, a downflow of clean air is formed toward the transport path 15 and the processing units 30, 40, 50 and the like.
【００３２】この基板処理装置１００では、図１に示す
ように、処理部３０のＸ軸方向に隣接する部分をＣＭＰ
装置２００とのインタフェース部分として構成してお
り、この部分に載置部２０が設けられている。載置部２
０では、ＣＭＰ装置２００に設けられた搬送部２１０と
の間でウェハＷの受け渡しを行うことができる位値とし
て、図３に示すように、上下方向に２箇所の受け渡し位
置Ｌａ，Ｌｂが設定されている。In this substrate processing apparatus 100, as shown in FIG.
It is configured as an interface portion with the device 200, and the mounting portion 20 is provided in this portion. Mounting part 2
In FIG. 3, two transfer positions La and Lb are set in the vertical direction as shown in FIG. 3 as positions at which the wafer W can be transferred to and from the transfer unit 210 provided in the CMP apparatus 200. Have been.
【００３３】受け渡し位置Ｌｂは、ウェハＷをＣＭＰ装
置２００に受け渡す際に、ウェハＷが一旦載置される位
置である。そして、ＣＭＰ装置２００の搬送部２１０の
搬送アーム（図示せず）が載置部２０の受け渡し位置Ｌ
ｂに対してアクセスし、この搬送アームがウェハＷをＣ
ＭＰ装置２００側に搬送し、ＣＭＰ装置２００において
所定の研磨処理を行う。The transfer position Lb is a position where the wafer W is temporarily placed when transferring the wafer W to the CMP apparatus 200. Then, the transfer arm (not shown) of the transfer unit 210 of the CMP apparatus 200 moves the transfer position L of the mounting unit 20.
b, the transfer arm transfers the wafer W to C
The wafer is transported to the MP apparatus 200 side, and a predetermined polishing process is performed in the CMP apparatus 200.
【００３４】また、受け渡し位置Ｌａは、ＣＭＰ処理が
終了したウェハＷをＣＭＰ装置２００の搬送部２１０の
搬送アームが基板処理装置１００に渡す際に、ウェハＷ
を一旦載置する位置である。ＣＭＰ装置２００の搬送部
２１０の搬送アームが載置部２０の受け渡し位置Ｌａに
アクセスし、ＣＭＰ処理が終了したウェハＷを載置する
ように構成されている。The transfer position La is set at the time when the transfer arm of the transfer unit 210 of the CMP apparatus 200 transfers the wafer W after the CMP process to the substrate processing apparatus 100.
This is the position where is once placed. The transfer arm of the transfer unit 210 of the CMP apparatus 200 accesses the transfer position La of the mounting unit 20, and mounts the wafer W on which the CMP process has been completed.
【００３５】そして、処理部３０，４０，５０等および
載置部２０と、基板収納部７との間に設けられた搬送路
１５には、Ｘ軸方向に沿って移動可能な搬送ロボット１
０が設けられている。この搬送ロボット１０は、上下方
向に２つの搬送アーム１１を備えており、この搬送アー
ム１１がウェハＷを保持した状態でウェハＷの搬送を行
う。また、図２に示すように、基台部分１４には、Ｘ軸
方向に設けられたボールネジ１３が螺嵌されており、ボ
ールネジ１３が回転することによって搬送ロボット１０
がＸ軸方向に沿って移動可能となっている。また、搬送
ロボット１０は、昇降部分１２が伸縮することによって
ウェハＷをＺ軸方向（上下方向）にも搬送することがで
きるとともに、θ軸を中心とする回転動作も行うことが
可能となっている。したがって、搬送ロボット１０の搬
送アーム１１は、基板収納部７に配置された複数のポッ
ド９と、ウェハ載置部２０と、処理部５０とにアクセス
することができ、これらの処理部間でウェハＷの搬送を
行う。A transfer robot 15 movable along the X-axis direction is provided on a transfer path 15 provided between the processing units 30, 40, 50 and the like and the mounting unit 20 and the substrate storage unit 7.
0 is provided. The transfer robot 10 is provided with two transfer arms 11 in a vertical direction, and transfers the wafer W while the transfer arm 11 holds the wafer W. As shown in FIG. 2, a ball screw 13 provided in the X-axis direction is screwed into the base portion 14. The rotation of the ball screw 13 causes the transfer robot 10 to rotate.
Are movable along the X-axis direction. Further, the transfer robot 10 can transfer the wafer W also in the Z-axis direction (vertical direction) by expanding and contracting the elevating portion 12, and can also perform a rotation operation around the θ-axis. I have. Therefore, the transfer arm 11 of the transfer robot 10 can access the plurality of pods 9 arranged in the substrate storage unit 7, the wafer mounting unit 20, and the processing unit 50, and can transfer the wafer between these processing units. W is conveyed.
【００３６】ここで、搬送ロボット１０の搬送アーム１
１をポッド９にアクセスする際には、密閉状態のポッド
９を開放して搬送アーム１１がアクセス可能な状態にす
る必要がある。そこで、基板処理装置１００には、ポッ
ド９が載置されるそれぞれの位置にポッドオープナ８が
設けられている。基板収納部７にポッド９が配置される
と、図２に示す符号８ａの状態のようにポッドオープナ
８はアームを伸ばしてポッド９の蓋のロックを解除す
る。そして、図２に示す符号８ｂの状態のように、アー
ムがポッド９の蓋を把持した状態でＹ軸方向に移動し
て、ポッド９を密閉状態から開放する。符号８ｂの状態
のままでは、搬送ロボット１０の搬送アーム１１がポッ
ド９内にアクセスすることができないので、図２に示す
８ｃの状態のように、ポッドオープナ９は蓋を保持して
いるアームを下降させる。Here, the transfer arm 1 of the transfer robot 10
When the user accesses the pod 9, it is necessary to open the hermetically closed pod 9 so that the transfer arm 11 can access the pod 9. Therefore, in the substrate processing apparatus 100, pod openers 8 are provided at respective positions where the pods 9 are placed. When the pod 9 is placed in the substrate storage section 7, the pod opener 8 extends the arm to unlock the lid of the pod 9 as shown by the reference numeral 8a in FIG. Then, as shown by a reference numeral 8b in FIG. 2, the arm is moved in the Y-axis direction while holding the lid of the pod 9, and the pod 9 is released from the closed state. In the state of reference numeral 8b, the transfer arm 11 of the transfer robot 10 cannot access the inside of the pod 9, so that the pod opener 9 moves the arm holding the lid as shown in the state of 8c in FIG. Lower it.
【００３７】このような動作により、ポッド９の密閉状
態が開放され、搬送ロボット１０の搬送アーム１１は、
ポッド９内のウェハＷにアクセスすることが可能とな
る。なお、ポッド９は、ウェハＷを外気とは隔離した清
浄な雰囲気に保つことでウェハＷの汚染をしないように
密閉されるものであるが、基板処理装置１００の内部は
ポッド９内部と同様に清浄な雰囲気を維持するように構
成されており、ポッド９の開放動作は、基板処理装置１
００の内部で蓋を開放するため、ウェハＷを汚染する問
題はない。By such an operation, the closed state of the pod 9 is released, and the transfer arm 11 of the transfer robot 10
The wafer W in the pod 9 can be accessed. The pod 9 is sealed so as not to contaminate the wafer W by keeping the wafer W in a clean atmosphere separated from the outside air. However, the inside of the substrate processing apparatus 100 is the same as the inside of the pod 9. It is configured to maintain a clean atmosphere, and the opening operation of the pod 9 is performed by the substrate processing apparatus 1.
Since the lid is opened inside the wafer W, there is no problem of contaminating the wafer W.
【００３８】そして、搬送ロボット１０は、搬送アーム
１１をポッド９の内部に向けて伸ばし、ポッド９の内部
からウェハＷを１枚取り出す。搬送ロボット１０は、Ｘ
軸方向の移動やＺ軸方向の移動を行うとともに、θ軸に
ついての回転動作を行い、搬送アーム１１は、ポッド９
から取り出したウェハＷを載置部２０の受け渡し位置Ｌ
ｂに載置する。また、搬送ロボット１０の搬送アーム１
１は、処理部５０に対してアクセスし、全ての処理が完
了したウェハＷを取り出す。そして、搬送ロボット１０
は、Ｘ軸方向の移動やＺ軸方向の移動を行うとともに、
θ軸についての回転動作を行い、搬送アーム１１はポッ
ド９の所定位置にアクセスして、ＣＭＰ処理後の洗浄処
理が終了したウェハＷをポッド９内に収納する。Then, the transfer robot 10 extends the transfer arm 11 toward the inside of the pod 9 and takes out one wafer W from the inside of the pod 9. The transfer robot 10
The transfer arm 11 moves in the axial direction and the Z-axis direction, and rotates about the θ-axis.
The transfer position L of the wafer W taken out of the
b. The transfer arm 1 of the transfer robot 10
1 accesses the processing unit 50 and takes out the wafer W on which all processing is completed. Then, the transfer robot 10
Performs movement in the X-axis direction and movement in the Z-axis direction,
By performing a rotation operation about the θ axis, the transfer arm 11 accesses a predetermined position of the pod 9 and stores the wafer W, which has been subjected to the cleaning process after the CMP process, in the pod 9.
【００３９】また、この基板処理装置１００には、載置
部２０に載置されたＣＭＰ処理後のウェハＷを処理部３
０に搬送し、処理部３０での処理が終了したウェハＷを
処理部４０に搬送し、処理部４０での処理が終了したウ
ェハＷを処理部５０に搬送するためにシャトル搬送ロボ
ット６０が設けられている。シャトル搬送ロボット６０
は、後述するように、Ｘ軸方向に沿って移動可能であ
り、基板受け渡し位置Ｌａに載置されているウェハＷを
処理部３０に、また、処理部３０での処理が終了したウ
ェハＷを処理部４０に、さらに、処理部４０での処理が
終了したウェハＷを処理部５０に搬送するので、それぞ
れの処理部間の搬送動作は一括して同時に行われる。In the substrate processing apparatus 100, the wafer W after the CMP processing placed on the mounting section 20 is processed by the processing section 3.
0, and a shuttle transfer robot 60 is provided to transfer the wafer W having been processed by the processing unit 30 to the processing unit 40 and to transfer the wafer W having been processed by the processing unit 40 to the processing unit 50. Have been. Shuttle transfer robot 60
Can be moved along the X-axis direction, as described later. The wafer W placed at the substrate transfer position La can be transferred to the processing unit 30, and the wafer W processed by the processing unit 30 can be transferred to the processing unit 30. Since the wafer W that has been processed by the processing unit 40 is further transferred to the processing unit 50, the transfer operation between the processing units is performed simultaneously and collectively.
【００４０】このように、この基板処理装置１００にお
いては、搬送ロボット１０がポッド９から載置部２０へ
のウェハＷの搬送動作を行い、シャトル搬送ロボット６
０が載置部２０から処理部３０，４０，５０へのウェハ
Ｗの搬送動作を行う。そして、処理部５０からポッド９
へのウェハＷの搬送は、再び搬送ロボット１０が担当す
るように構成されている。As described above, in the substrate processing apparatus 100, the transfer robot 10 performs the transfer operation of the wafer W from the pod 9 to the mounting section 20, and the shuttle transfer robot 6
0 performs a transfer operation of the wafer W from the mounting unit 20 to the processing units 30, 40, and 50. Then, the processing unit 50 sends the pod 9
The transfer robot 10 is again in charge of transferring the wafer W to the wafer W.
【００４１】また、この基板処理装置１００には、処理
部３０，４０，５０における処理の際に使用される処理
液等が処理部外部へ飛散しないように、昇降可能なカバ
ー７０が設けられている。このカバー７０は、シャトル
搬送ロボット６０によって各処理部間のウェハＷの搬送
が行われる際には、図示しないシリンダやモータ等の昇
降駆動機構によって上昇し、シャトル搬送ロボット６０
のＸ軸方向に沿った移動と緩衝しないように構成されて
おり、シャトル搬送ロボット６０による処理部間搬送が
終了して各処理部において洗浄処理を行う際には、昇降
駆動機構によってカバー７０が下降し、各処理部３０，
４０，５０の側面等を覆う。したがって、各処理部にお
いてウェハＷに対する処理を行っている際に、他の処理
部からの処理液やパーティクル等が付着することがな
く、清浄な処理を行うことができる。The substrate processing apparatus 100 is provided with a cover 70 that can be moved up and down so that a processing solution or the like used in processing in the processing units 30, 40, and 50 does not scatter outside the processing unit. I have. When the wafer W is transferred between the processing units by the shuttle transfer robot 60, the cover 70 is lifted by a lift drive mechanism such as a cylinder or a motor (not shown), and the shuttle transfer robot 60
When the transfer between the processing units by the shuttle transfer robot 60 is completed and the cleaning processing is performed in each of the processing units, the cover 70 is moved up and down by the lifting drive mechanism. Descend, each processing unit 30,
40, 50, etc. are covered. Therefore, when processing is performed on the wafer W in each processing unit, the processing liquid, particles, and the like from other processing units do not adhere, and clean processing can be performed.
【００４２】この基板処理装置１００の全体構成は上記
のごとくであり、ウェハＷに対して処理を行うための複
数の処理部３０，４０，５０をＸ軸方向に沿って隣接す
るように一列に配置しており、各処理部間のウェハＷの
搬送を１台のシャトル搬送ロボット６０で一括して行う
ことができるように構成されているため、基板処理装置
１００のフットプリントを縮小することができる。ま
た、載置部２０によって直接外部装置であるＣＭＰ装置
２００とインライン化することができるため、基板処理
装置１００とＣＭＰ装置２００とをインライン化したと
きのフットプリントも縮小することができる。The overall configuration of the substrate processing apparatus 100 is as described above, and a plurality of processing units 30, 40, and 50 for processing a wafer W are arranged in a row so as to be adjacent to each other along the X-axis direction. The shuttle W is arranged so that the wafer W can be transferred between the processing units by a single shuttle transfer robot 60. Therefore, the footprint of the substrate processing apparatus 100 can be reduced. it can. Further, since the mounting unit 20 can be directly inlined with the CMP apparatus 200 which is an external apparatus, the footprint when the substrate processing apparatus 100 and the CMP apparatus 200 are inlined can be reduced.
【００４３】次に、処理部３０である洗浄装置の詳細な
構成について説明する。図４は、本発明の一実施形態で
ある洗浄装置の構成を示す平面図である。図５は、図４
のＤ−Ｄ断面図であり、一部を省略し、かつ一部を概念
的に示している。また、図６は、洗浄装置の構成を示す
要部を断面とした側面図である。Next, a detailed configuration of the cleaning device as the processing unit 30 will be described. FIG. 4 is a plan view showing the configuration of the cleaning apparatus according to one embodiment of the present invention. FIG.
5 is a sectional view taken along line D-D of FIG. FIG. 6 is a side view in which a main part showing the configuration of the cleaning apparatus is sectioned.
【００４４】この洗浄装置は、ウェハＷの表面に形成さ
れた薄膜を研磨するＣＭＰ処理が行われた後にウェハＷ
の表面に残っているスラリーおよび不要な薄膜を除去す
るためのもので、側壁３０ａ，３０ｂ，３０ｃ，３０ｄ
によって囲まれた平面視においてほぼ矩形の処理室３０
１、および処理室３０１内においてウェハＷを水平に保
持し、かつこの状態でウェハＷを回転させることができ
る保持装置（基板保持手段）３３を備えている。This cleaning apparatus performs a CMP process for polishing a thin film formed on the surface of
For removing slurry and unnecessary thin film remaining on the surface of the side wall 30a, 30b, 30c, 30d
Processing chamber 30 having a substantially rectangular shape in plan view surrounded by
1, and a holding device (substrate holding means) 33 that can hold the wafer W horizontally in the processing chamber 301 and rotate the wafer W in this state.
【００４５】さらに、この処理部３０は、保持装置３３
により保持されたウェハＷの上面および下面の各中央部
に残っているスラリーをスクラブして除去するための表
面ブラシ３１と裏面ブラシ３２よりなる両面洗浄装置３
４を備えている。Further, the processing unit 30 includes a holding device 33
Cleaning device 3 consisting of a front brush 31 and a back brush 32 for scrubbing and removing the slurry remaining at the center of each of the upper and lower surfaces of the wafer W held by the wafer W
4 is provided.
【００４６】そして、処理室３０１は底壁３０ｅにより
上記ウェハ保持装置３３と両面洗浄装置３４が配置され
る底壁３０ｅより上部の処理区画３０２と、底壁３０ｅ
より下部で主に保持装置３３の駆動部が配置される駆動
区画３０３より構成される。The processing chamber 301 has a bottom wall 30e, a processing section 302 above the bottom wall 30e where the wafer holding device 33 and the double-side cleaning device 34 are arranged, and a bottom wall 30e.
The lower part is mainly composed of a driving section 303 in which a driving part of the holding device 33 is arranged.
【００４７】保持装置３３は、処理室３０１の側壁３０
ｂまたは３０ｄに対して直交する方向（以下「保持方
向」という。）Ａ（Ａ′）に関して対向配置された一対
の保持ハンド３５ａ，３５ｂを有している。保持ハンド
３５ａ，３５ｂは本実施例において同一構造を採用し、
図５中左右対称であるので以下、一方の保持ハンド３５
ａをもって説明する。尚、他方の保持ハンド３５ｂは同
一構造に同符号を付与して説明を省略する。The holding device 33 is provided on the side wall 30 of the processing chamber 301.
It has a pair of holding hands 35a and 35b opposed to each other in a direction perpendicular to b or 30d (hereinafter referred to as "holding direction") A (A '). The holding hands 35a and 35b adopt the same structure in the present embodiment,
Since it is symmetric in FIG. 5, one of the holding hands 35 will be described below.
This will be described with reference to a. Note that the other holding hand 35b is given the same reference numeral for the same structure, and the description is omitted.
【００４８】保持ハンド３５ａは図７に示すように、保
持方向Ａに沿って移動可能なもので、ベース取付部３６
に取り付けられたベース部３７と、ベース部３７の上方
に配置されるハンド軸３８と、ウェハＷを保持するため
の３つの保持用ローラ（保持具）８０（ａ〜ｃ）を配設
される本体部３９をそれぞれ有している。The holding hand 35a is movable along the holding direction A as shown in FIG.
, A hand shaft 38 disposed above the base 37, and three holding rollers (holding tools) 80 (ac) for holding the wafer W are provided. Each has a main body 39.
【００４９】また保持ハンド３５ａの本体部３９には保
持されたウェハＷの周縁付近の上下面および端面を含む
周縁部のみを洗浄するため後述する周縁部洗浄具９０
（ａ，ｂ）を備えている。すなわち、周縁部洗浄具９０
（ａ，ｂ）によってウェハＷの周縁部に残っているスラ
リーや不要な薄膜を除去するようになっている。The main body 39 of the holding hand 35a has a peripheral edge cleaning tool 90, which will be described later, for cleaning only the peripheral edge including the upper and lower surfaces and the end surface near the peripheral edge of the held wafer W.
(A, b). That is, the peripheral edge cleaning tool 90
By (a, b), the slurry and unnecessary thin film remaining on the peripheral portion of the wafer W are removed.
【００５０】ベース取付部３６には、側壁３０ａに締結
された連結部材３６１を介して保持方向Ａに沿って長く
形成され、ベース部３７の下方まで延びた台部３６２の
一端が連結されている。台部３６２の一端には、Ｌ字状
の取付板３６３の立設面にシリンダ３６４が固定され、
シリンダ３６４のロッド３６４ａが連結板３７１を介し
てベース部３７に取り付けられている。ロッド３６４ａ
は、保持方向Ａに沿って突出したり引っ込んだりできる
ようになっている。また、台部３６２上には保持方向Ａ
に沿ってスライドレール３６５が配置される。One end of a base 362 formed long in the holding direction A and extending below the base 37 is connected to the base attachment 36 via a connecting member 361 fastened to the side wall 30a. . At one end of the base 362, a cylinder 364 is fixed to an upright surface of an L-shaped mounting plate 363,
The rod 364 a of the cylinder 364 is attached to the base part 37 via a connecting plate 371. Rod 364a
Can be protruded or retracted along the holding direction A. In addition, the holding direction A
The slide rail 365 is arranged along.
【００５１】一方、ベース部３７は、スライドレール３
６５上に装着されるスライド部３７２と、スライド部３
７２上に底板３７３を配置して構成される。底板３７３
には下面にブラケット３７４が装着され、このブラケッ
ト３７４にモータＭ１が支持される。また、底板３７３
の上面にはハンド軸３８が固定される。On the other hand, the base portion 37 is
65, a slide portion 372 mounted on the
A bottom plate 373 is arranged on the base 72. Bottom plate 373
, A bracket 374 is attached to the lower surface, and the bracket 374 supports the motor M1. Also, the bottom plate 373
A hand shaft 38 is fixed to the upper surface of the head.
【００５２】ハンド軸３８は、２つの筒状体より構成さ
れ、底板３７３の挿通口３７３ａの位置に合わせて底板
３７３上面に装着される外筒体３８１と、その内部に装
着される内筒体３８２により構成される。そして、内筒
体３８２の上部は底壁３０ｅの挿通穴３０ｆを通って処
理区画３０２に延在し、その内筒体３８２の上端に本体
部３９が装着され支持される。The hand shaft 38 is composed of two cylindrical bodies, an outer cylindrical body 381 mounted on the upper surface of the bottom plate 373 in accordance with the position of the insertion port 373a of the bottom plate 373, and an inner cylindrical body mounted inside the outer cylindrical body 381. 382. The upper portion of the inner cylinder 382 extends to the processing section 302 through the insertion hole 30f of the bottom wall 30e, and the main body 39 is mounted and supported on the upper end of the inner cylinder 382.
【００５３】本体部３９上面の保持用ローラ８０（ａ〜
ｃ）は、ウェハＷを保持した状態でウェハＷを回転させ
るべく、本体部３９に回転可能に設けられている。これ
らの保持用ローラ８０（ａ〜ｃ）は、ウェハＷの端面形
状に対応した円周上に配置されている。ウェハＷは、保
持用ローラ８０（ａ〜ｃ）の側面にその端面が当接した
状態で保持される。すなわち、保持用ローラ８０（ａ〜
ｃ）は、本体部３９に鉛直軸まわりの回転が自在である
ように支持されたローラ軸８１（ａ〜ｃ）と、ローラ軸
８１（ａ〜ｃ）の上端に固定されている保持具８２（ａ
〜ｃ）により構成される。The holding rollers 80 (a to
In (c), the main body 39 is rotatably provided to rotate the wafer W while holding the wafer W. These holding rollers 80 (a to c) are arranged on a circumference corresponding to the shape of the end surface of the wafer W. The wafer W is held in a state where the end surface thereof is in contact with the side surface of the holding roller 80 (ac). That is, the holding rollers 80 (a to
c) is a roller shaft 81 (a to c) supported by the main body 39 so as to be freely rotatable around a vertical axis, and a holder 82 fixed to the upper end of the roller shaft 81 (a to c). (A
To c).
【００５４】保持具８２（ａ〜ｃ）は同じ構成であり、
図８に示すように、軸部８２１と、外周面に略Ｖ字状の
周溝８２２が形成された駆動伝達部８２３により構成さ
れる。この周溝８２２にウェハＷの端部が当接しながら
回転がウェハＷに伝達される。保持具８２は周縁部洗浄
具９０ａ，９０ｂの表面より硬度の高い樹脂等で一体成
形で形成される。これは、ウェハＷの端部の当接によっ
ても傷がつかないような硬さに設定されている。The holding members 82 (ac) have the same configuration.
As shown in FIG. 8, it is configured by a shaft portion 821 and a drive transmission portion 823 having a substantially V-shaped peripheral groove 822 formed on the outer peripheral surface. The rotation is transmitted to the wafer W while the end of the wafer W abuts on the peripheral groove 822. The holder 82 is integrally formed of a resin or the like having a higher hardness than the surfaces of the peripheral edge cleaning tools 90a and 90b. This is set to such a hardness that the wafer W is not damaged even when it comes into contact with the end of the wafer W.
【００５５】ウェハＷを回転させるために必要な駆動力
は、保持用ローラ８０ｂにのみ与えられるようになって
いる。すなわち、保持用ローラ８０（ａ〜ｃ）のうち中
央の保持用ローラ８０ｂには、ベース部３７の下端に取
り付けられたモータＭ1 の駆動力が連結部８２４とロー
ラ軸８１ｂを介して伝達されるようになっている。The driving force required to rotate the wafer W is applied only to the holding roller 80b. That is, the driving force of the motor M1 attached to the lower end of the base portion 37 is transmitted to the central holding roller 80b of the holding rollers 80 (a to c) via the connecting portion 824 and the roller shaft 81b. It has become.
【００５６】さらに詳述する。保持用ローラ８０ａのロ
ーラ軸８１ａは、図６に示すように、本体部３９に形成
された挿通穴３９１ａを通って本体部３９の内部に形成
された空間３９２まで延ばされており、挿通穴３９１ａ
に配置された２つの軸受３９３ａ，３９３ｂを介して本
体部３９に回転自在に支持されている。他の保持用ロー
ラ８０ｃのローラ軸８１ｃも同様に、挿通穴３９１ｃを
通って空間３９２まで延ばされ、かつ挿通穴３９１ｃに
配置された２つの軸受３９４ａ，３９４ｂを介して本体
部３９に回転自在に支持されている。This will be described in more detail. As shown in FIG. 6, the roller shaft 81a of the holding roller 80a extends through an insertion hole 391a formed in the main body 39 to a space 392 formed inside the main body 39. 391a
Are rotatably supported by the main body 39 via two bearings 393a and 393b arranged in the main body. Similarly, the roller shaft 81c of the other holding roller 80c extends to the space 392 through the insertion hole 391c, and is rotatable to the main body 39 via two bearings 394a and 394b arranged in the insertion hole 391c. It is supported by.
【００５７】中央の保持用ローラ８０ｂのローラ軸８１
ｂは、本体部３９に形成された挿通穴３９１ｂを通って
本体部３９の内部に形成された空間３９２まで延ばされ
ており、及び挿通穴３９５を介して本体部３９の下方に
突出している。そして、挿通穴３９１ｂに配置された軸
受３９６ａと、挿通穴３９５に配置された軸受３９６ｂ
を介して本体部３９に回転自在に支持されている。The roller shaft 81 of the central holding roller 80b
b extends through an insertion hole 391b formed in the main body 39 to a space 392 formed inside the main body 39, and protrudes below the main body 39 through the insertion hole 395. . A bearing 396a arranged in the insertion hole 391b and a bearing 396b arranged in the insertion hole 395
Is rotatably supported by the main body 39 via the.
【００５８】中央のローラ軸８１ｂには、２つのプーリ
８３ｂ，８４ｂが取り付けられている。そして、２つの
プーリ８３ｂ，８４ｂと他の２つのローラ軸８１ａ，８
１ｃにそれぞれ取り付けられたプーリ８３ａ，８４ｃと
の間に、ベルト８５，８６がそれぞれ巻き掛けられてい
る。符号８７，８８はそれぞれのベルト８５，８６にテ
ンションを付与するテンション軸である。Two pulleys 83b and 84b are mounted on the central roller shaft 81b. Then, the two pulleys 83b and 84b and the other two roller shafts 81a and 81
Belts 85 and 86 are respectively wound around pulleys 83a and 84c attached to 1c, respectively. Reference numerals 87 and 88 are tension shafts for applying tension to the respective belts 85 and 86.
【００５９】以上の構成により、モータＭ１によって中
央の保持用ローラ８０ｂが駆動されると、中央の保持用
ローラ８０ｂに伝達されてきた駆動力は、ベルト８５，
８６を介して他の２つの保持用ローラ８０ａ，８０ｃに
も伝達され、これに伴って他の２つの保持用ローラ８０
ａ，８０ｃが駆動される。その結果、保持用ローラ８０
に保持されているウェハＷは回転を始める。このように
して、ウェハＷは保持用ローラ８０（ａ〜ｃ）に保持さ
れた状態で回転方向Ｂに沿って回転する。この場合にお
けるウェハＷの回転速度は、たとえば約１０〜２０（回
転／分）である。以上のように、この実施形態では、モ
ータＭ１およびベルト８５，８６が回転駆動部に対応し
ている。With the above configuration, when the central holding roller 80b is driven by the motor M1, the driving force transmitted to the central holding roller 80b is reduced by the belt 85,
86 to the other two holding rollers 80a and 80c, and accordingly, the other two holding rollers 80a and 80c.
a, 80c are driven. As a result, the holding roller 80
Starts rotating. In this manner, the wafer W rotates along the rotation direction B while being held by the holding rollers 80 (a to c). The rotation speed of wafer W in this case is, for example, about 10 to 20 (rotation / minute). As described above, in this embodiment, the motor M1 and the belts 85 and 86 correspond to the rotation driving unit.
【００６０】周縁部洗浄具９０（ａ，ｂ）は、図９に示
すように軸部９１と、軸部９１に連結される円柱状の本
体部９２と、本体部９２の外周表面に被覆された洗浄用
弾性部材９３とから構成されている。本例で洗浄用弾性
部材９３はＰＶＡが用いられるが、ＰＶＡに限らず、多
数の気孔を有するスポンジ状の部材を用いてもよい。As shown in FIG. 9, the peripheral edge cleaning tool 90 (a, b) is coated on a shaft 91, a cylindrical main body 92 connected to the shaft 91, and an outer peripheral surface of the main body 92. And a cleaning elastic member 93. In this example, PVA is used as the cleaning elastic member 93. However, the cleaning elastic member 93 is not limited to PVA, and may be a sponge-like member having many pores.
【００６１】周縁部洗浄ぐ９０（ａ，ｂ）は図４に示す
ように、ウェハＷの端面形状に対応した円周上で保持用
ローラ８０（ａ〜ｃ）の間に配置される。ウェハＷは、
その周縁部が洗浄用弾性部材９３に押圧され、ウェハＷ
の上下面及び端面を含む周縁部が洗浄用弾性部材９３に
より洗浄されるべく、洗浄用弾性部材９３は変形する。As shown in FIG. 4, the peripheral edge cleaning gutter 90 (a, b) is disposed between the holding rollers 80 (a to c) on the circumference corresponding to the shape of the end surface of the wafer W. The wafer W is
The periphery is pressed by the cleaning elastic member 93, and the wafer W
The cleaning elastic member 93 is deformed so that the periphery including the upper and lower surfaces and the end surface is cleaned by the cleaning elastic member 93.
【００６２】この構成により、シリンダ３６４を駆動す
ることによって、ベース部３７が連結板３７１を介して
スライドレール３６５上をスライド部３７２によって移
動し、保持ハンド３５ａを保持方向Ａに沿って進退させ
ることができる。そして、保持ハンド３５ａ，３５ｂが
互いに反対方向に進退することでウェハＷを保持用ロー
ラ７０の間で挾持したり、この挾持を解放したりするこ
とができる。即ち、シリンダ３６４が保持装置３３の駆
動手段を構成する。この際、底壁３０ｅの挿通穴３０ｆ
はハンド軸３８のスライド領域より大きく開孔されてお
り、保持ハンド３５ａの移動が妨げられることがない。With this configuration, by driving the cylinder 364, the base portion 37 moves on the slide rail 365 via the connecting plate 371 by the slide portion 372, and the holding hand 35a moves forward and backward in the holding direction A. Can be. The holding hands 35a and 35b move in opposite directions to hold the wafer W between the holding rollers 70 or release the holding. That is, the cylinder 364 constitutes a driving unit of the holding device 33. At this time, the insertion hole 30f of the bottom wall 30e
The opening is larger than the sliding area of the hand shaft 38, so that the movement of the holding hand 35a is not hindered.
【００６３】なお、参照符号３００は、保持ハンド３５
ａの移動とともに変形及び伸縮自在なベローズであり、
両面洗浄装置３４において使用される洗浄液ならびにそ
の雰囲気が、駆動部に影響を与えないようにするため、
あるいは処理区画３０２の外部に漏れるのを防ぐための
ものである。また、シリンダ３６４のロッド３６４ａや
後述するハンド軸３８から発生するパーティクルが処理
区画３０２の内部に侵入するのを防止するためのもので
もある。The reference numeral 300 indicates the holding hand 35.
It is a bellows that can deform and expand and contract with the movement of a.
To prevent the cleaning liquid used in the double-sided cleaning device 34 and its atmosphere from affecting the driving unit,
Alternatively, this is for preventing leakage to the outside of the processing section 302. Further, it is also for preventing particles generated from the rod 364 a of the cylinder 364 and the hand shaft 38 described later from entering the inside of the processing section 302.
【００６４】図５に戻って、両面洗浄装置３４は、保持
装置３３により保持されたウェハＷの上方および下方に
配置された表面ブラシ３１および裏面ブラシ３２を備え
ている。表面ブラシ３１および裏面ブラシ３２は、それ
ぞれ、保持ハンド３５ａ，３５ｂに干渉しない位置に、
ウェハＷの中心部から周縁部に至るウェハＷの表面領域
を覆うように配置されている。Returning to FIG. 5, the double-side cleaning device 34 includes a front brush 31 and a rear brush 32 disposed above and below the wafer W held by the holding device 33. The front brush 31 and the back brush 32 are located at positions where they do not interfere with the holding hands 35a and 35b, respectively.
The wafer W is disposed so as to cover a surface area of the wafer W from a center portion to a peripheral portion of the wafer W.
【００６５】表面ブラシ３１および裏面ブラシ３２は、
ウェハＷに対向する側に取付面３１１，３２１を有する
ベース部３１２，３２２と、ベース部３１２，３２２に
取り付けられた回転軸３１３，３２３とを有し、回転駆
動部３１４，３２４により鉛直軸方向に沿う回転軸を中
心に回転方向Ｃに沿って回転できるようにされている。
さらに、表面ブラシ３１および裏面ブラシ３２は、それ
ぞれ、昇降駆動部３１５，３２５によって上下方向に移
動できるようになっている。これにより、ウェハ洗浄時
においてはウェハＷを表面ブラシ３１および裏面ブラシ
３２で挟み込むことができ、また、ウェハ洗浄後におい
ては、ウェハＷから表面ブラシ３１および裏面ブラシ３
２を離すことができるようになっている。The front brush 31 and the back brush 32
It has base portions 312, 322 having mounting surfaces 311, 321 on the side facing the wafer W, and rotating shafts 313, 323 mounted on the base portions 312, 322. Can be rotated along a rotation direction C about a rotation axis along the axis.
Further, the front brush 31 and the back brush 32 can be moved in the vertical direction by the elevation drive units 315 and 325, respectively. Thereby, the wafer W can be sandwiched between the front brush 31 and the back brush 32 during the wafer cleaning, and the front brush 31 and the back brush 3 can be removed from the wafer W after the wafer cleaning.
2 can be separated.
【００６６】ベース部３１２，３２２の各取付面３１
１，３２１には、洗浄用ブラシ（両面スクラブ手段）３
１６，３２６が設けられている。洗浄用ブラシ３１６，
３２６の中央付近には、ウェハＷに洗浄液を供給するた
めの洗浄液供給ノズル３１７（ａ，ｂ），３２７（ａ，
ｂ）がそれぞれ配置されている。洗浄液は、フッ酸、硝
酸、塩酸、リン酸、酢酸、アンモニアなどの薬液、およ
び純水を含む。Each mounting surface 31 of base portions 312 and 322
1, 321 includes a cleaning brush (double-sided scrub means) 3
16, 326 are provided. Cleaning brush 316,
Near the center of 326, cleaning liquid supply nozzles 317 (a, b) and 327 (a,
b) are respectively arranged. The cleaning liquid includes a chemical such as hydrofluoric acid, nitric acid, hydrochloric acid, phosphoric acid, acetic acid, and ammonia, and pure water.
【００６７】洗浄液供給ノズル３１７（ａ，ｂ），３２
７（ａ，ｂ）には、洗浄用パイプ３１８（ａ，ｂ），３
２８（ａ，ｂ）が連結されている。洗浄用パイプ３１８
（ａ，ｂ），３２８（ａ，ｂ）は、回転軸３１３，３２
３内に回転しないように挿通されており、その他端に
は、図示しない薬液用タンクから薬液が導かれる薬液供
給路３１９ａ，３２９ａ、および図示しない純水用タン
クから純水が導かれる純水供給路３１９ｂ，３２９ｂが
開閉弁３３０（ａ，ｂ），３３１（ａ，ｂ）に接続され
ている。この構成により、薬液および純水を洗浄液供給
ノズル３１７（ａ，ｂ），３２７（ａ，ｂ）から選択的
に吐出させることができる。The cleaning liquid supply nozzles 317 (a, b), 32
7 (a, b) includes cleaning pipes 318 (a, b), 3
28 (a, b) are connected. Cleaning pipe 318
(A, b), 328 (a, b)
3 is provided so as not to rotate, and the other end thereof is provided with chemical solution supply paths 319a and 329a through which a chemical solution is guided from a chemical solution tank (not shown), and pure water supply through which pure water is guided from a pure water tank (not shown). Lines 319b and 329b are connected to on-off valves 330 (a, b) and 331 (a, b). With this configuration, the chemical solution and pure water can be selectively discharged from the cleaning liquid supply nozzles 317 (a, b) and 327 (a, b).
【００６８】次に、シャトル搬送ロボット６０の構成に
ついて説明する。図１０は、シャトル搬送ロボットの平
面図、図１１（ａ），（ｂ）はシャトル搬送ロボット６
０とウェハＷの処理部との関係を示す概略側面図であ
る。Next, the configuration of the shuttle transfer robot 60 will be described. FIG. 10 is a plan view of the shuttle transfer robot, and FIGS.
FIG. 3 is a schematic side view showing a relationship between a reference numeral 0 and a processing unit of a wafer W.
【００６９】図１０に示すシャトル搬送ロボット６０に
は、ウェハＷの処理部間搬送を行う際に、ウェハＷを保
持する３個の保持部６１，６２，６３が設けられている
が、このうち最も＋Ｘ軸方向側に設けられている保持部
６１は載置部２０から処理部３０へのウェハＷの搬送を
担当し、中央に設けられている保持部６２は処理部３０
から処理部４０へのウェハＷの搬送を担当し、最も−Ｘ
軸方向側に設けられている保持部６３は処理部４０から
処理部５０へのウェハＷの搬送を担当する。The shuttle transfer robot 60 shown in FIG. 10 is provided with three holding units 61, 62, and 63 for holding the wafer W when transferring the wafer W between the processing units. The holding section 61 provided on the + X-axis direction side is in charge of transferring the wafer W from the mounting section 20 to the processing section 30, and the holding section 62 provided at the center is provided with the processing section 30.
Is in charge of transporting the wafer W from the
The holding unit 63 provided on the axial direction is responsible for transferring the wafer W from the processing unit 40 to the processing unit 50.
【００７０】それぞれの保持部６１，６２，６３は、第
１アーム６１ａ，６２ａ，６３ａと第２アーム６１ｂ，
６２ｂ，６３ｂとを備えている。そして、各々のアーム
にはウェハＷを周縁部で保持するための保持部材６４が
各々２個設けられている。Each of the holding portions 61, 62, 63 includes a first arm 61a, 62a, 63a and a second arm 61b,
62b and 63b. Each arm is provided with two holding members 64 for holding the wafer W at the periphery.
【００７１】そして、基板処理装置１００内にある後述
する制御部が、図示しない駆動手段に対して駆動命令を
送ると、各第１アーム６１ａ，６２ａ，６３ａは−Ｘ軸
方向に移動する一方、各第２アーム６１ｂ，６２ｂ，６
３ｂは＋Ｘ軸方向に移動する。この動作により、シャト
ル搬送ロボット６０によるウェハＷを保持する動作（す
なわち、ウェハＷのチャッキング動作）が行われる。こ
のチャッキング動作は、第１アーム６１ａ，６２ａ，６
３ａと第２アーム６１ｂ，６２ｂ，６３ｂとの２本のア
ームによってウェハＷを挟み込む動作であるため、ウェ
ハＷの下面を支持するだけのものに比べると、各処理部
に対して搬送するウェハＷの位置アライメントを行う。When a later-described control unit in the substrate processing apparatus 100 sends a driving command to a driving unit (not shown), the first arms 61a, 62a, and 63a move in the −X-axis direction, Each second arm 61b, 62b, 6
3b moves in the + X axis direction. With this operation, the operation of holding the wafer W by the shuttle transfer robot 60 (that is, the operation of chucking the wafer W) is performed. This chucking operation is performed by the first arms 61a, 62a, 6
3a and the second arm 61b, 62b, 63b sandwich the wafer W between the two arms, so that the wafer W to be transported to each processing unit is compared with the one that only supports the lower surface of the wafer W. Is performed.
【００７２】また、逆に各第１アーム６１ａ，６２ａ，
６３ａは＋Ｘ軸方向に移動する一方、各第２アーム６１
ｂ，６２ｂ，６３ｂは−Ｘ軸方向に移動する動作によ
り、シャトル搬送ロボット６０のウェハＷの保持状態を
開放する動作が行われる。Conversely, each of the first arms 61a, 62a,
63a moves in the + X-axis direction, while each second arm 61
The operation of releasing the holding state of the wafer W of the shuttle transfer robot 60 is performed by the operations of b, 62b, and 63b moving in the −X axis direction.
【００７３】また、図示しないモータ等の駆動によって
α方向に保持部６１，６２，６３も回転軸６５を中心に
して回転する。よって保持部６１，６２，６３がウェハ
Ｗを保持した状態でモータを駆動することにより、ウェ
ハＷもＹＺ平面での回転動作を行う。The holding portions 61, 62, 63 also rotate about the rotation shaft 65 in the α direction by driving a motor or the like (not shown). Therefore, by driving the motor while the holding units 61, 62, and 63 hold the wafer W, the wafer W also performs the rotation operation on the YZ plane.
【００７４】ここで、図１１（ａ）に示すように回転軸
６５にα方向の微少量の回転を与えると、ウェハＷの保
持状態の保持部６１は、その状態でα方向に微少量の回
転を行う。したがって、載置部２０に載置されているウ
ェハＷは、保持部６１に保持されてα方向に回転するこ
とによって、離脱することとなる。同様に、各処理部３
０，４０で保持されていたウェハＷについても、保持部
６１，６２，６３に保持されてα方向に回転することに
よって各処理部３０，４０における保持状態から開放さ
れることになる。Here, when a very small amount of rotation in the α direction is given to the rotating shaft 65 as shown in FIG. 11A, the holding portion 61 in the holding state of the wafer W in this state causes a very small amount of rotation in the α direction. Perform rotation. Therefore, the wafer W mounted on the mounting unit 20 is detached by being held by the holding unit 61 and rotating in the α direction. Similarly, each processing unit 3
The wafer W held at 0, 40 is also held by the holding units 61, 62, 63, and is released from the holding state in the processing units 30, 40 by rotating in the α direction.
【００７５】そして、保持部６１，６２，６３は下部に
移動台６６が連結されており、移動台６６は−Ｘ軸方向
に沿って移動する。したがって、同時に保持部６１，６
２，６３も−Ｘ軸方向に沿って移動する。A moving table 66 is connected to the lower part of the holding units 61, 62, 63, and the moving table 66 moves along the -X axis direction. Therefore, at the same time, the holding portions 61, 6
2 and 63 also move along the -X axis direction.
【００７６】まず、図１０に示すように、シャトル搬送
ロボット６０は、載置部２０と処理部３０，４０に対応
する側に位置する。処理部３０，４０におけるウェハＷ
の処理中は、保持部６１，６２，６３は図中一点鎖線で
示す位置にある。そして、処理部３０，４０のおけるウ
ェハＷの処理が終了すると、各保持部６１はそれぞれ図
中実線で示す位置に移動し、載置部２０，処理部３０，
処理部４０にあるウェハＷの保持を行う。そして、各ウ
ェハＷを上昇させた後、シャトル搬送ロボット６０を−
Ｘ軸方向に移動させる。First, as shown in FIG. 10, the shuttle transfer robot 60 is located on the side corresponding to the mounting section 20 and the processing sections 30 and 40. Wafer W in processing units 30 and 40
During the processing of, the holding units 61, 62, 63 are at the positions indicated by the dashed lines in the figure. When the processing of the wafer W in the processing units 30 and 40 is completed, each holding unit 61 moves to the position shown by the solid line in the drawing, and the mounting unit 20, the processing unit 30,
The wafer W in the processing unit 40 is held. Then, after raising each wafer W, the shuttle transfer robot 60 is
Move in the X-axis direction.
【００７７】そして、処理部３０，処理部４０，処理部
５０へ搬送したウェハＷを下降させた後、保持部６１を
一点鎖線で示す位置に退避させることによって、各処理
部へのウェハＷの搬送動作を完了する。なお、保持部６
１が退避する際には、各処理部間等に設けられた退避位
置６７に退避する。Then, after lowering the wafer W transported to the processing units 30, 40, and 50, the holding unit 61 is retracted to the position shown by the alternate long and short dash line, whereby the wafer W is transferred to each processing unit. The transfer operation is completed. The holding unit 6
When the device 1 retreats, it retreats to a retreat position 67 provided between processing units and the like.
【００７８】このように、このシャトル搬送ロボット６
０は、隣接する処理部間でのウェハＷの搬送を同時に行
うようになっているため、効率的なウェハＷの処理部間
の搬送を実現しているとともに、載置部２０から処理部
３０へのウェハＷの搬送と、処理部３０から処理部４０
へのウェハＷの搬送と、処理部４０から処理部５０への
ウェハＷの搬送については個別に搬送ロボットを設ける
必要がなく、基板処理装置１００のフットプリントを減
少させることが可能となる。As described above, the shuttle transfer robot 6
0 indicates that the transfer of the wafer W between the adjacent processing units is performed at the same time, so that the efficient transfer of the wafer W between the processing units is realized, and the transfer of the wafer W from the mounting unit 20 to the processing unit 30 is performed. Of the wafer W to the processing unit 30 and the processing unit 40
It is not necessary to separately provide a transfer robot for the transfer of the wafer W to the processing unit 40 and the transfer of the wafer W from the processing unit 40 to the processing unit 50, and the footprint of the substrate processing apparatus 100 can be reduced.
【００７９】なお、処理部５０からのウェハＷの取り出
しは、上述のように搬送ロボット１０の搬送アーム１１
が行うように構成されている。The removal of the wafer W from the processing section 50 is performed by the transfer arm 11 of the transfer robot 10 as described above.
Is configured to do so.
【００８０】次に、カバー７０について説明する。図１
０に示すように、カバー７０は、処理部３０，４０，５
０におけるウェハＷの処理の際に処理液等が飛散しない
ように各処理部を覆っている。また、カバー７０は、下
降した際に、退避位置６７に退避しているシャトル搬送
ロボット６０の保持部６１，６２，６３に緩衝しないよ
うに各退避位置６７に対応する位置の凹部７１が設けら
れている。したがって、シャトル搬送ロボット６０の保
持部６１，６２，６３が図１０の一点鎖線で示す位置に
退避した場合に、カバー７０を下降させれば、カバー７
０は保持部６１，６２，６３に接触することなく各処理
部３０，４０，５０を良好に覆うことができる。Next, the cover 70 will be described. FIG.
0, the cover 70 includes the processing units 30, 40, and 5.
Each processing unit is covered so that the processing liquid or the like does not scatter during the processing of the wafer W at 0. When the cover 70 descends, the holding portions 61, 62, 63 of the shuttle transfer robot 60 retracted to the retracted position 67 are provided with concave portions 71 at positions corresponding to the retracted positions 67 so as not to buffer. ing. Therefore, when the holding portions 61, 62, and 63 of the shuttle transfer robot 60 are retracted to the positions indicated by the dashed lines in FIG.
0 can cover the processing units 30, 40, 50 satisfactorily without contacting the holding units 61, 62, 63.
【００８１】また、シャトル搬送ロボット６０の保持部
６１，６２，６３が退避位置６７に退避した直後にカバ
ー７０を下降させれば、各処理部３０，４０，５０にお
ける上述のウェハＷの処理を開始することができる。If the cover 70 is lowered immediately after the holding units 61, 62, 63 of the shuttle transfer robot 60 have retreated to the retreat position 67, the processing of the wafer W in the processing units 30, 40, 50 can be performed. You can start.
【００８２】次に、図１１（ａ），（ｂ）に基づいて、
カバー７０とシャトル搬送ロボット６０との関係につい
て説明する。図１１（ａ）に示すように、シャトル搬送
ロボット６０の回転軸６５がα方向に微少量回転し、保
持部６１がウェハＷを持ち上げた状態で処理部間搬送を
行う。このとき、カバー７０は、シャトル搬送ロボット
６０の搬送動作の際に緩衝しないように図示しない昇降
手段によって上昇した状態となっている。Next, based on FIGS. 11A and 11B,
The relationship between the cover 70 and the shuttle transfer robot 60 will be described. As shown in FIG. 11A, the rotation shaft 65 of the shuttle transfer robot 60 rotates a small amount in the α direction, and the transfer between the processing units is performed with the holding unit 61 lifting the wafer W. At this time, the cover 70 is in a state of being lifted by a lifting means (not shown) so as not to be buffered during the transfer operation of the shuttle transfer robot 60.
【００８３】ところで、ウェハＷの処理部間搬送が終了
し、カバー７０が下降して各処理部におけるウェハＷの
処理が開始された際に、処理部３０，４０，５０に対応
する位置にあるシャトル搬送ロボット６０を次の処理部
間搬送に備えて、載置部２０，処理部３０，４０に対応
する位置に予め移動させておくことが必要に応じて行わ
れる。By the way, when the transfer of the wafer W between the processing units is completed and the cover 70 is lowered to start the processing of the wafer W in each processing unit, the wafer W is located at a position corresponding to the processing unit 30, 40, 50. In preparation for the next transfer between the processing units, the shuttle transfer robot 60 is moved to a position corresponding to the mounting unit 20 and the processing units 30 and 40 in advance as necessary.
【００８４】しかし、各処理部はウェハＷの処理中であ
り、カバー７０は閉じた状態であるため、保持部６１が
退避位置６７にある状態で、シャトル搬送ロボット６０
を＋Ｘ軸方向に移動させると、カバー７０に衝突する。However, since each processing section is processing the wafer W and the cover 70 is in the closed state, the shuttle transfer robot 60 is in a state where the holding section 61 is at the retreat position 67.
Is moved in the + X-axis direction, and collides with the cover 70.
【００８５】そこで、このシャトル搬送ロボット６０で
は、図１１（ｂ）に示すように、シャトル搬送ロボット
６０の回転軸６５を９０度程度回転させることによって
保持部６１を起立状態にし、側面視でカバー７０と保持
部６１とが重ならないような状態にする。こうすること
により、シャトル搬送ロボット６０が＋Ｘ軸方向に移動
しても保持部６１がカバー７０と緩衝しないようにな
り、各処理部におけるウェハＷの処理中に、シャトル搬
送ロボット６０を載置部２０，処理部３０，４０に対応
する位置に予め移動させておくことが可能となる。Therefore, in the shuttle transfer robot 60, as shown in FIG. 11 (b), by rotating the rotary shaft 65 of the shuttle transfer robot 60 by about 90 degrees, the holding portion 61 is raised, and the cover is viewed from the side. The state is such that the 70 and the holding section 61 do not overlap. In this way, even if the shuttle transfer robot 60 moves in the + X-axis direction, the holding unit 61 does not buffer the cover 70, and during processing of the wafer W in each processing unit, the shuttle transfer robot 60 is mounted. 20, and can be moved in advance to positions corresponding to the processing units 30 and 40.
【００８６】そして、シャトル搬送ロボット６０がＸ軸
方向に移動して、載置部２０，処理部３０，４０に対応
する位置に到達すると、起立状態の保持部６１を再び略
水平状態に戻す。When the shuttle transfer robot 60 moves in the X-axis direction and reaches a position corresponding to the mounting section 20, the processing sections 30, 40, the upright holding section 61 is returned to a substantially horizontal state again.
【００８７】なお、ウェハＷの処理中に図１０の一点鎖
線で示す保持部６１の位置で待機しているときに保持部
６１の洗浄を行う場合は、載置部２０の近辺に載置部２
０内のウェハＷをチャッキングする保持部６１に対して
リンス液を吐出するノズル（図示せず）を設ければよ
い。そして、載置部２０の近辺に設けられたノズルから
リンス液を吐出することにより、保持部６１を洗浄する
ことが可能となる。When the holding unit 61 is to be cleaned while waiting at the position of the holding unit 61 shown by the dashed line in FIG. 10 during the processing of the wafer W, the mounting unit is placed near the mounting unit 20. 2
A nozzle (not shown) for discharging a rinsing liquid may be provided to the holding unit 61 for chucking the wafer W in the nozzle W. Then, by discharging the rinsing liquid from a nozzle provided in the vicinity of the mounting section 20, the holding section 61 can be cleaned.
【００８８】図１２は、この基板処理装置１００の主要
な電気的構成を示すブロック図である。この基板処理装
置１００には、当該装置の制御中枢として機能するマイ
クロコンピュータなどで構成された制御部５００が備え
られている。制御部５００は、ＲＯＭ５０１に格納され
た制御プログラムに従って、シリンダ３６４，３６４、
モータＭ１、回転駆動部３１４，３２４、昇降駆動部３
１５，３２５、および開閉弁３３０（ａ，ｂ），３３１
（ａ，ｂ）を制御する。FIG. 12 is a block diagram showing a main electrical configuration of the substrate processing apparatus 100. The substrate processing apparatus 100 includes a control unit 500 including a microcomputer or the like that functions as a control center of the apparatus. The control unit 500 controls the cylinders 364 and 364 according to a control program stored in the ROM 501.
Motor M1, rotation drive units 314, 324, lifting drive unit 3
15, 325 and on-off valves 330 (a, b), 331
(A, b) is controlled.
【００８９】次に、この基板処理装置１００の洗浄動作
について説明する。洗浄前においては、保持ハンド３５
ａ，３５ｂはウェハＷを保持する保持位置から退避した
位置で待機し、かつ表面ブラシ３１および裏面ブラシ３
２も互いにウェハＷから離れた状態で待機している。前
工程であるＣＭＰ処理が終了しシャトル搬送ロボット６
０によってウェハＷが搬送されてくると、制御部５００
は、シリンダ３６４のロッド３６４ａを進出させる。そ
の結果、保持ハンド３５ａ，３５ｂは互いに近づく。こ
れにより、ウェハＷがその端面において保持用ローラ８
０（ａ〜ｃ）に保持される。同時に周縁部洗浄具９０
（ａ，ｂ）もウェハＷの端部の洗浄位置に正確に配置さ
れることとなる。Next, the cleaning operation of the substrate processing apparatus 100 will be described. Before cleaning, the holding hand 35
a, 35b stand by at a position retracted from the holding position for holding the wafer W, and the front brush 31 and the back brush 3
2 also stand by while being away from the wafer W. Shuttle transfer robot 6 after CMP process, which is the previous process, is completed.
0, when the wafer W is transferred, the controller 500
Causes the rod 364a of the cylinder 364 to advance. As a result, the holding hands 35a and 35b approach each other. As a result, the wafer W is held at its end face by the holding roller 8.
0 (ac). At the same time, the peripheral edge cleaning tool 90
(A, b) will also be accurately arranged at the cleaning position at the edge of the wafer W.
【００９０】その後、制御部５００は、回転駆動部３１
４，３２４を駆動し、表面ブラシ３１および裏面ブラシ
３２を回転させる。これと同時に、制御部５００は、開
閉弁３３０ａ，３３１ａを制御し、薬液供給路３１９
ａ，３２９ａを接続させる。その結果、洗浄液供給ノズ
ル３１７ａ，３２７ａから薬液がそれぞれウェハＷの上
面および下面に供給される。Thereafter, the control section 500 controls the rotation drive section 31
4 and 324 to rotate the front brush 31 and the back brush 32. At the same time, the control unit 500 controls the on-off valves 330a and 331a, and
a, 329a are connected. As a result, the chemical liquid is supplied from the cleaning liquid supply nozzles 317a and 327a to the upper surface and the lower surface of the wafer W, respectively.
【００９１】その後、制御部５００は、モータＭ１を駆
動する。その結果、保持用ローラ８０（ａ〜ｃ）が回転
駆動される。これに伴って、ウェハＷが低速回転する。
さらに、制御部５００は、昇降駆動部３１５，３２５を
制御し、表面ブラシ３１および裏面ブラシ３２を互いに
近づく方向に移動させる。その結果、保持用ローラ８０
（ａ〜ｃ）に保持されているウェハＷは、表面ブラシ３
１および裏面ブラシ３２によって挟み込まれ、表面ブラ
シ３１および裏面ブラシ３２によりウェハＷの上面およ
び下面が擦られる。これにより、ウェハＷの上面および
下面に薬液が供給されつつ表面ブラシ３１および裏面ブ
ラシ３２によってスクラブ洗浄される。その結果、ウェ
ハＷの上面および下面に残っていたスラリーが除去され
る。Thereafter, the control section 500 drives the motor M1. As a result, the holding rollers 80 (a to c) are driven to rotate. Along with this, the wafer W rotates at a low speed.
Further, the control unit 500 controls the elevation drive units 315 and 325 to move the front brush 31 and the back brush 32 in directions approaching each other. As a result, the holding roller 80
The wafer W held in (a to c) is a surface brush 3
1 and the back brush 32, and the upper and lower surfaces of the wafer W are rubbed by the front brush 31 and the back brush 32. Thus, scrub cleaning is performed by the front brush 31 and the back brush 32 while the chemical solution is supplied to the upper surface and the lower surface of the wafer W. As a result, the slurry remaining on the upper and lower surfaces of the wafer W is removed.
【００９２】同時にウェハＷの周縁部は周縁部洗浄具９
０ａ，９０ｂにより洗浄される。周縁部洗浄具９０ａ，
９０ｂ は固定的に配置されているので、ウェハＷの回
転に追従して回転することはなく、洗浄位置にて充分な
洗浄作用をウェハＷの周縁部に対して行うこととなる。At the same time, the peripheral portion of the wafer W is
Washed by 0a, 90b. Peripheral part cleaning tool 90a,
Since 90b is fixedly arranged, it does not rotate following the rotation of the wafer W, and a sufficient cleaning action is performed on the periphery of the wafer W at the cleaning position.
【００９３】所定の時間経過後、制御部５００は、昇降
駆動部３１５，３２５を制御し、表面ブラシ３１および
裏面ブラシ３２を互いにウェハＷから離れる方向に移動
させ、ウェハＷから表面ブラシ３１および裏面ブラシ３
２を離れさせる。その後、開閉弁３１９ａ，３１９ｂを
閉じて開閉弁３２９ａ，３２９ｂを開くよう制御し、洗
浄用パイプ３１８ｂ，３２８ｂと純水供給路３１９ｂ，
３２９ｂとを接続させる。その結果、洗浄液供給ノズル
３１７ｂ，３２７ｂから純水がウェハＷの上面および下
面に供給され、ウェハＷの上面および下面に残っている
薬液等が洗い流される。After a lapse of a predetermined time, the control unit 500 controls the elevation driving units 315 and 325 to move the front brush 31 and the back brush 32 away from the wafer W, and to move the front brush 31 and the back brush Brush 3
Release 2 Thereafter, control is performed such that the on-off valves 319a and 319b are closed and the on-off valves 329a and 329b are opened, and the cleaning pipes 318b and 328b and the pure water supply path 319b and 319b are opened.
329b. As a result, pure water is supplied to the upper and lower surfaces of the wafer W from the cleaning liquid supply nozzles 317b and 327b, and the chemicals and the like remaining on the upper and lower surfaces of the wafer W are washed away.
【００９４】その後、制御部５００は、開閉弁３２９
ａ，３２９ｂを制御し純水の吐出を停止させ、また、回
転駆動部３１４，３２４の駆動を停止して表面ブラシ３
１および裏面ブラシ３２の回転を停止させる。さらに、
モータＭ１の駆動を停止させ、ウェハＷの回転を停止さ
せる。これにより、両面洗浄装置３４におけるスクラブ
洗浄処理が終了する。その結果、ウェハＷの周縁部の表
面上に残っているエッチング液が洗い流されるととも
に、ウェハＷの周縁部に残っていたスラリーが除去され
たり、不要な薄膜がエッチングされる。Thereafter, the control section 500 operates the on-off valve 329.
a, 329b to stop the discharge of pure water, and stop the driving of the rotary drive units 314, 324 to stop the surface brush 3
1 and the rotation of the back brush 32 are stopped. further,
The driving of the motor M1 is stopped, and the rotation of the wafer W is stopped. Thus, the scrub cleaning process in the double-sided cleaning device 34 ends. As a result, the etchant remaining on the surface of the peripheral portion of the wafer W is washed away, and the slurry remaining on the peripheral portion of the wafer W is removed, or an unnecessary thin film is etched.
【００９５】洗浄処理終了後、制御部５００は、シャト
ル搬送ロボット６０をウェハＷに向けて移動させる。こ
れにより、シャトル搬送ロボット６０はウェハＷを次の
処理部４０へ搬送する。処理部４０では、ブラシ４１に
より表面洗浄処理を行う。そして、処理部５０では、純
水等のリンス液を使用してウェハの最終リンスを行った
後、ウェハを高速に回転させて、スピンドライ乾燥（リ
ンス処理・乾燥処理）を行う。After the completion of the cleaning process, the control section 500 moves the shuttle transfer robot 60 toward the wafer W. Thereby, the shuttle transfer robot 60 transfers the wafer W to the next processing unit 40. In the processing unit 40, the surface cleaning process is performed by the brush 41. Then, in the processing section 50, after performing the final rinsing of the wafer using a rinsing liquid such as pure water, the wafer is rotated at a high speed to perform spin dry drying (rinse processing / drying processing).
【００９６】さらに、搬送ロボット１０は、処理部５０
での最終リンス処理が行われて、乾燥処理されたウェハ
Ｗを取り出してウェハＷを基板収納部７に設けられてい
るポッド９に収納する。Further, the transfer robot 10 includes a processing unit 50
Is performed, and the dried wafer W is taken out and stored in the pod 9 provided in the substrate storage unit 7.
【００９７】以上のように本実施形態によれば、ウェハ
Ｗの周縁部をウェハＷの保持と同時に洗浄できるように
しているから、別途、周縁部の洗浄手段を洗浄位置まで
移動させる構造を必要とせずウェハＷの周縁部の洗浄を
行うことができる。したがって、ウェハＷの周縁部の不
要な薄膜が残っている場合であっても、当該薄膜を確実
に除去できる。また、ウェハＷの周縁部にスラリーが残
っている場合であっても、当該スラリーを確実に除去で
きる。その結果、スラリーと薄膜との反応生成物が発生
することもなくなる。そのため、ＣＭＰ処理後のウェハ
Ｗの全体を良好に洗浄できる。よって、高品質な半導体
装置を提供できる。As described above, according to the present embodiment, since the peripheral portion of the wafer W can be cleaned simultaneously with the holding of the wafer W, it is necessary to separately provide a structure for moving the cleaning means of the peripheral portion to the cleaning position. The peripheral portion of the wafer W can be cleaned without the need. Therefore, even when an unnecessary thin film on the peripheral portion of the wafer W remains, the thin film can be surely removed. Further, even when the slurry remains on the peripheral portion of the wafer W, the slurry can be reliably removed. As a result, there is no generation of a reaction product between the slurry and the thin film. Therefore, the entire wafer W after the CMP processing can be favorably cleaned. Therefore, a high-quality semiconductor device can be provided.
【００９８】本発明の実施の一形態の説明は以上のとお
りであるが、本発明は上述の実施形態に限定されるもの
ではない。たとえば上記実施形態では、ウェハＷの中央
部と周縁部とを１つの処理室３０１にて洗浄する場合を
例にとって説明しているが、たとえばウェハＷの中央部
を第１の処理室にて洗浄した後、別の第２の処理室にて
ウェハＷの周縁部を洗浄するようにしてもよい。この構
成によっても、ウェハＷの中央部と周縁部とを洗浄する
ことができるから、上記実施形態と同様に、膜残り等の
不具合を解消でき、ウェハＷの表面の全体を良好に洗浄
できる。Although the embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited to the above embodiment. For example, in the above embodiment, the case where the central portion and the peripheral portion of the wafer W are cleaned in one processing chamber 301 is described as an example. For example, the central portion of the wafer W is cleaned in the first processing chamber. After that, the peripheral portion of the wafer W may be cleaned in another second processing chamber. Also with this configuration, the central portion and the peripheral portion of the wafer W can be cleaned, so that defects such as film residue can be eliminated and the entire surface of the wafer W can be cleaned well as in the above embodiment.
【００９９】また、上記実施形態では、図１から図９ま
でに示すように、ウェハＷを６つの保持用ローラ８０に
よって保持する構成を例にとって説明しているが、ウェ
ハＷを保持すべき保持用ローラは少なくとも３つ以上あ
ればよい。この場合、３つ以上の保持用ローラのうちい
ずれか１つに対してだけ駆動力を伝達するようにしても
よい。この構成によっても、ウェハＷを端面にて保持し
つつ回転させることができる。Further, in the above-described embodiment, as shown in FIGS. 1 to 9, a configuration in which the wafer W is held by the six holding rollers 80 is described as an example. It is sufficient that at least three or more rollers are used. In this case, the driving force may be transmitted to only one of the three or more holding rollers. With this configuration, the wafer W can be rotated while being held at the end face.
【０１００】さらに、上記実施形態では、周縁部洗浄具
９０ａ，９０ｂを固定しているが、ウェハＷの回転方向
Ｂと反対方向に回転させてもよい。または、同方向にウ
ェハＷの回転速度（周速）と異なる回転速度（周速）で
回転させてもよい。図１３に示すように周縁部洗浄具６
０１，６０２は軸部６０３，６０４を本体部３９の内部
に延設し、軸部６０４をさらに本体部３９の下方にて図
示しないモータに連結する。各々の軸部６０３，６０４
はプーリ６０５，６０６にベルト６０７が架け渡され、
軸部６０４の回転が軸部６０３に伝達される。この構成
において、軸部６０４の回転方向または回転速度（周
速）を制御することで充分な洗浄効果を得るものであ
る。Further, in the above embodiment, the peripheral edge cleaning tools 90a and 90b are fixed, but they may be rotated in a direction opposite to the rotation direction B of the wafer W. Alternatively, the wafer W may be rotated in the same direction at a rotation speed (peripheral speed) different from the rotation speed (peripheral speed) of the wafer W. As shown in FIG.
Numerals 01 and 602 extend the shaft portions 603 and 604 inside the main body portion 39, and further connect the shaft portion 604 to a motor (not shown) below the main body portion 39. Each shaft 603, 604
Has a belt 607 spanned over pulleys 605 and 606,
The rotation of the shaft 604 is transmitted to the shaft 603. In this configuration, a sufficient cleaning effect is obtained by controlling the rotation direction or rotation speed (peripheral speed) of the shaft portion 604.
【０１０１】さらに、上記実施形態では、周縁部洗浄具
９０ａ，９０ｂを保持用ローラ８０ａと８０ｂの間、保
持用ローラ８０ｂと８０ｃの間にそれぞれ１個配置する
構成としているが、図１４に示すように各々の保持ハン
ド３５ａ，３５ｂのウェハＷの回転方向Ｂ下流側に更に
１個の周縁部洗浄具７００ａ，７００ｂを配置するよう
にしてもよい。これによって、保持ローラ８０ｃ 直後
においてもウェハＷの端部が充分洗浄されることとな
る。Further, in the above embodiment, one peripheral edge cleaning tool 90a, 90b is arranged between the holding rollers 80a and 80b and one between the holding rollers 80b and 80c, respectively, as shown in FIG. One peripheral cleaning tool 700a, 700b may be further arranged on the downstream side in the rotation direction B of the wafer W of each of the holding hands 35a, 35b. As a result, the end of the wafer W is sufficiently cleaned immediately after the holding roller 80c.
【０１０２】さらに、上記実施形態では、保持ハンド３
５ａと保持ハンド３５ｂをそれぞれ保持方向Ａと保持方
向Ａ′に移動させるようにしているが、一方を固定して
他方を移動するように構成しウェハＷを保持するように
してもよい。Further, in the above embodiment, the holding hand 3
5a and the holding hand 35b are moved in the holding direction A and the holding direction A ', respectively, but one may be fixed and the other may be moved to hold the wafer W.
【０１０３】さらに、上記実施形態では、ＣＭＰ処理後
のウェハＷの洗浄を行う場合を例にとって説明している
が、本発明は、ＣＭＰ処理後に限らずに、ウェハＷの中
央部と周縁部とを洗浄する必要のある場合に広く適用す
ることができる。Further, in the above embodiment, the case where the wafer W is cleaned after the CMP process is described as an example. However, the present invention is not limited to the case where the wafer W is cleaned after the CMP process. Can be widely applied when cleaning is required.
【０１０４】さらに、上記実施形態では、ウェハＷの洗
浄が行われる場合について説明しているが、本発明は、
液晶表示装置用ガラス基板およびＰＤＰ（プラズマ・デ
ィスプレイ・パネル）基板など他の各種の基板の洗浄に
対して広く適用することができる。その他、特許請求の
範囲に記載された範囲で種々の設計変更を施すことが可
能である。Further, in the above embodiment, the case where the wafer W is cleaned is described.
The present invention can be widely applied to cleaning of various other substrates such as a glass substrate for a liquid crystal display device and a PDP (plasma display panel) substrate. In addition, it is possible to make various design changes within the scope described in the claims.
【０１０５】[0105]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
被処理体の周縁部を良好に洗浄することができる洗浄装
置が提供される。即ち、被処理体の保持手段に周縁部洗
浄具を配設し被処理体の保持と同時に周縁部洗浄具を洗
浄位置に配置することで、被処理体を確実に保持した状
態で回転による摺擦により充分な洗浄効果を得ることが
できる。また被処理板の保持と、周縁部洗浄具の洗浄位
置へのセットを同じタイミングにするようにしているか
ら、短い時間で被処理板の洗浄を行うことができる。As described above, according to the present invention,
A cleaning device capable of satisfactorily cleaning a peripheral portion of an object to be processed is provided. That is, by disposing the peripheral edge cleaning tool in the holding means of the object to be processed and arranging the peripheral edge cleaning tool at the cleaning position at the same time as holding the object to be processed, the sliding by rotation can be performed while the object to be processed is securely held. A sufficient cleaning effect can be obtained by rubbing. Further, since the holding of the plate to be processed and the setting of the peripheral edge cleaning tool to the cleaning position are performed at the same timing, the plate to be processed can be cleaned in a short time.
【図１】本発明の実施の形態に係る基板処理装置を示す
平面図である。FIG. 1 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の実施の形態に係る基板処理装置のＹＺ
平面における概略断面図である。FIG. 2 is a YZ diagram of the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention;
It is a schematic sectional drawing in a plane.
【図３】本発明の実施の形態に係る基板処理装置のＺＸ
平面における概略断面図である。FIG. 3 shows a ZX of the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention.
It is a schematic sectional drawing in a plane.
【図４】本発明の実施の形態に係る洗浄装置の構成を示
す平面図である。FIG. 4 is a plan view showing a configuration of a cleaning device according to the embodiment of the present invention.
【図５】本発明の実施の形態に係る洗浄装置を示す図４
のＤ−Ｄ矢視の断面図である。FIG. 5 shows a cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.
It is sectional drawing of the DD arrow.
【図６】本発明の実施の形態に係る洗浄装置を示す要部
を断面とした側面図である。FIG. 6 is a side view of a cleaning device according to an embodiment of the present invention, in which a main part is shown in cross section.
【図７】図５の保持ハンド３５ａの拡大図である。FIG. 7 is an enlarged view of a holding hand 35a of FIG.
【図８】保持ローラを示す側面図である。FIG. 8 is a side view showing a holding roller.
【図９】周縁部洗浄具を示す一部切欠断面図である。FIG. 9 is a partially cutaway sectional view showing the peripheral edge cleaning tool.
【図１０】シャトル搬送ロボットによる処理部間搬送の
様子を示す説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram illustrating a state of transfer between processing units by a shuttle transfer robot.
【図１１】カバーと保持部との動作関係を示す概略側面
図で、（ａ）はウェハを保持した状態、（ｂ）は保持部
を起立状態にした状態である。FIGS. 11A and 11B are schematic side views illustrating an operation relationship between a cover and a holding unit, wherein FIG. 11A illustrates a state where a wafer is held, and FIG. 11B illustrates a state where the holding unit is in an upright state.
【図１２】基板処理装置の制御部の構成を示すブロック
図である。FIG. 12 is a block diagram illustrating a configuration of a control unit of the substrate processing apparatus.
【図１３】他の実施例を示す概略断面図である。FIG. 13 is a schematic sectional view showing another embodiment.
【図１４】他の実施例を示す概略平面図である。FIG. 14 is a schematic plan view showing another embodiment.
【図１５】従来の洗浄装置の概略構成図である。FIG. 15 is a schematic configuration diagram of a conventional cleaning device.
【図１６】従来の洗浄装置の構成を示す側面図である。FIG. 16 is a side view showing a configuration of a conventional cleaning device.
【図１７】従来の基板の周縁部の洗浄領域を示す説明図
である。FIG. 17 is an explanatory diagram showing a cleaning region at a peripheral portion of a conventional substrate.
【符号の説明】 ２０ 載置部 ３０、４０、５０ 処理部 ３３ 保持装置 ３４ 両面洗浄装置 ３５ａ、３５ｂ 保持ハンド ３６ ベース取付部 ３７ ベース部 ３８ ハンド軸 ３９ 本体部 ６０ シャトル搬送ロボット ９０ａ、９０ｂ、７００ａ、７００ｂ 周縁部洗浄具 ９３ 洗浄用弾性部材 １００ 基板処理装置 ２００ ＣＭＰ装置[Description of Reference Numerals] 20 Placement unit 30, 40, 50 Processing unit 33 Holding device 34 Double-sided cleaning device 35a, 35b Holding hand 36 Base mounting unit 37 Base unit 38 Hand shaft 39 Main unit 60 Shuttle transport robot 90a, 90b, 700a , 700b Peripheral edge cleaning tool 93 Elastic member for cleaning 100 Substrate processing apparatus 200 CMP apparatus
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 3B116 AA03 AB23 AB34 AB42 BA02 BA08 BA13 BA14 BB01 BB24 BB62 CC01 CC03 CD23 CD42 CD43 3B201 AA03 AB23 AB34 AB42 BA02 BA08 BA13 BA14 BB05 BB24 BB62 BB93 CC01 CC13 CD23 CD42 CD43 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F-term (reference)
Claims (5)
持して処理する洗浄装置において、 基板保持手段は、被処理体の中心に対して接近または離
隔するように移動する本体部と、 前記本体部に配置され、被処理体の周縁部に当接して被
処理体を保持するための少なくとも３本の保持具と、 前記保持具のうち少なくとも１本の保持具を回転させる
ための回転駆動部と、 本体部に配設された被処理体の周縁部を洗浄する周縁部
洗浄具と、を具備し、 前記周縁部洗浄具は、保持具が被処理体を保持すると同
時に、被処理体の周縁部に接触するよう本体部に配置さ
れることを特徴とする洗浄装置。1. A cleaning apparatus for processing a thin plate-like object to be processed while holding the substrate by means of a substrate holding means, wherein the substrate holding means comprises a main body moving to approach or separate from the center of the object to be processed. At least three holding tools disposed on the main body portion for holding the processing object in contact with a peripheral portion of the processing object; and for rotating at least one of the holding tools. A rotation driving unit; and a peripheral cleaning tool for cleaning a peripheral portion of the processing target disposed on the main body. The peripheral cleaning tool simultaneously holds the processing target by the holding tool, and A cleaning device, wherein the cleaning device is disposed on a main body portion so as to contact a peripheral portion of a processing body.
する洗浄装置。2. The cleaning device according to claim 1, wherein the peripheral edge cleaning tool is formed of an elastic member.
置において、 前記周縁部洗浄具は被処理板の回転方向に対して逆回転
することを特徴とする洗浄装置。3. The cleaning apparatus according to claim 1, wherein the peripheral edge cleaning tool rotates reversely with respect to a rotation direction of the plate to be processed.
置において、 前記周縁部洗浄具は被処理体と異なる周速で回転するよ
うにしたことを特徴とする洗浄装置。4. The cleaning apparatus according to claim 1, wherein the peripheral edge cleaning tool is rotated at a peripheral speed different from that of the object to be processed.
において、 前記被処理体は、薄膜が形成された表面を研磨する加工
処理がされた基板であることを特徴とする洗浄装置。5. The cleaning apparatus according to claim 1, wherein the object to be processed is a substrate that has been processed to polish a surface on which a thin film is formed.
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