JPH10180198A - Cleaning device - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は洗浄装置に係り、特
に半導体ウエハ、ガラス基板、液晶パネル等の高度の清
浄度が要求される基板を洗浄するのに好適な洗浄装置に
関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a cleaning apparatus, and more particularly to a cleaning apparatus suitable for cleaning a substrate requiring a high degree of cleanliness, such as a semiconductor wafer, a glass substrate, and a liquid crystal panel.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、半導体デバイスの高集積化が進む
につれて半導体基板上の回路の配線が微細化し、配線間
距離もより狭くなりつつある。しかしながら、半導体ウ
エハの処理にあたっては、半導体片の微粒子、塵埃、結
晶状の突起等のパーティクルが付着する場合がある。半
導体基板上に配線間距離より大きなパーティクルが存在
すると、配線がショートするなどの不具合が生じるた
め、基板上に存在するパーティクルは配線間距離に比べ
て十分小さいものでなければならない。このような事情
は、マスク等に用いるガラス基板、或いは液晶パネル等
の基板のプロセス処理においても同様である。このよう
な要求に伴い、より微細なサブミクロンレベルのパーテ
ィクルを半導体ウエハ等から落とす洗浄技術が必要とさ
れている。2. Description of the Related Art In recent years, as the degree of integration of semiconductor devices has increased, the wiring of circuits on a semiconductor substrate has become finer, and the distance between the wirings has become smaller. However, in processing a semiconductor wafer, particles such as fine particles of semiconductor pieces, dust, and crystal projections may adhere. If particles larger than the distance between the wirings exist on the semiconductor substrate, problems such as short-circuiting of the wirings will occur. Therefore, the particles existing on the substrate must be sufficiently smaller than the distance between the wirings. Such a situation is the same in the process of processing a glass substrate used as a mask or the like or a substrate such as a liquid crystal panel. With such demands, a cleaning technique for dropping finer submicron-level particles from a semiconductor wafer or the like is required.
【０００３】ポリッシングの終了した半導体ウエハを洗
浄する方法としては、ナイロン、モヘア等のブラシやＰ
ＶＡ（ポリビニルアルコール）よりなるスポンジで半導
体ウエハの表面を擦って行ういわゆるスクラビング洗
浄、超音波の振動エネルギーを与えた水をウエハ表面に
噴射して洗浄する超音波洗浄、またはキャビテーション
を有する高圧水をウエハに噴射して洗浄する方法等によ
る複数段の洗浄工程を用いる方法が知られている。[0003] As a method of cleaning a semiconductor wafer which has been polished, brushes such as nylon and mohair or P
So-called scrubbing cleaning is performed by rubbing the surface of the semiconductor wafer with a sponge made of VA (polyvinyl alcohol), ultrasonic cleaning is performed by spraying water given ultrasonic vibration energy onto the wafer surface, or high-pressure water having cavitation. 2. Description of the Related Art There is known a method using a plurality of cleaning steps, such as a method of cleaning by spraying on a wafer.
【０００４】スクラビング洗浄装置の一例として図４に
示すようなブラシ洗浄装置が公知である。該ブラシ洗浄
装置は、ウエハＷの周縁部を支持し回転させる複数本
（図４では６本）のスピンドル１、ウエハＷの上方で一
方向に延伸して設けられたブラシアーム２、該ブラシア
ーム２を矢印Ｇに示すように上下動させ、かつ矢印Ｆに
示すように回転させるブラシ駆動機構３、ウエハＷの洗
浄面に洗浄液（超純水）を供給する洗浄液ノズル４を具
備する。ブラシアーム２は円筒状の全表面にブラシを有
している。ウエハＷの平面形状は円形状に対して切り欠
き部を設けオリエンテーションフラットを形成した形状
をなす。A brush cleaning device as shown in FIG. 4 is known as an example of a scrubbing cleaning device. The brush cleaning apparatus includes a plurality of (six in FIG. 4) spindles 1 for supporting and rotating a peripheral portion of a wafer W, a brush arm 2 extending in one direction above the wafer W, and a brush arm. The cleaning apparatus includes a brush driving mechanism 3 for moving the nozzle 2 up and down as indicated by an arrow G and rotating as indicated by an arrow F, and a cleaning liquid nozzle 4 for supplying a cleaning liquid (ultra pure water) to the cleaning surface of the wafer W. The brush arm 2 has a brush on the entire cylindrical surface. The planar shape of the wafer W is a shape in which a notch is provided in the circular shape to form an orientation flat.
【０００５】スピンドル１はウエハＷの周囲に略等間隔
にかつある円周上に配置されるように設けてある。ブラ
シアーム２はウエハＷの全面に摺接する必要があるた
め、ブラシアーム２の全長はウエハＷの最大寸法を超え
るものとなっており、ブラシアーム２はスピンドル１に
接触しないようこれを避けるように配置してある。The spindles 1 are provided around the wafer W at substantially equal intervals and on a certain circumference. Since the brush arm 2 needs to be in sliding contact with the entire surface of the wafer W, the total length of the brush arm 2 exceeds the maximum dimension of the wafer W. It is arranged.
【０００６】ウエハＷはこの洗浄装置に対して外部から
供給されるものであり、以下その供給方法について説明
する。すなわちスピンドル１が図４の状態よりも外方に
遠ざかるように退避した状態で、ウエハＷはブラシアー
ム２のブラシ駆動機構３とは反対側の端部の側からブラ
シアーム２の長手方向と平行にスピンドル群の上方へ、
ロボットハンド５により搬送される。ロボットハンド５
は、半導体ウエハＷを支持するための略矩形状の支持部
５ａと、ウエハＷの外縁部と係合する支持部５ａから突
出したガイド部５ｂ，５ｂとを有している。支持部５ａ
の幅は隣接するスピンドル１，１の間隔よりも小さい寸
法に設定されている。ロボットハンド５の後端はロボッ
ト（図示せず）に接続されている。その後、ロボットハ
ンド５が下降し、ウエハＷをスピンドル１の上部にある
保持部（コマ）の肩部に載せ、そしてスピンドル１が図
４の状態まで内方に移動することにより、スピンドル１
の保持部はウエハＷの周縁部を支持する。そののち、ロ
ボットハンド５はさらに下降したのち洗浄装置から退避
する。なお、上述の動作の間、ブラシアーム２はブラシ
駆動機構３によりスピンドル群の上方等に退避してい
る。[0006] The wafer W is supplied from the outside to the cleaning apparatus, and a method of supplying the wafer W will be described below. That is, in a state where the spindle 1 is retracted so as to be more outward than the state shown in FIG. 4, the wafer W is parallel to the longitudinal direction of the brush arm 2 from the end of the brush arm 2 opposite to the brush driving mechanism 3. Above the spindle group,
It is transported by the robot hand 5. Robot hand 5
Has a substantially rectangular support portion 5a for supporting the semiconductor wafer W, and guide portions 5b, 5b protruding from the support portion 5a engaged with the outer edge of the wafer W. Support part 5a
Is set to a dimension smaller than the interval between the adjacent spindles 1 and 1. The rear end of the robot hand 5 is connected to a robot (not shown). Thereafter, the robot hand 5 descends, places the wafer W on the shoulder of the holding portion (frame) on the upper part of the spindle 1, and moves the spindle 1 inward to the state of FIG.
Hold the peripheral portion of the wafer W. Thereafter, the robot hand 5 further descends and then retreats from the cleaning device. During the operation described above, the brush arm 2 is retracted above the spindle group by the brush driving mechanism 3.
【０００７】そののち、ブラシ駆動機構３により、ウエ
ハＷに対してブラシアーム２を下降させてウエハＷの上
面に当接させ、洗浄液ノズル４からウエハＷの上面に洗
浄液（超純水）を噴射しつつ、ウエハＷ及びブラシアー
ム２をそれぞれ回転させることにより、ウエハＷの上面
を洗浄する。図４では、ウエハＷの上面のみをブラシア
ーム２により洗浄する構成であるが、ブラシアーム２を
ウエハの下方にも設けてウエハの両面を洗浄する構成も
考えられる。After that, the brush arm 2 is lowered with respect to the wafer W by the brush driving mechanism 3 so that the brush arm 2 comes into contact with the upper surface of the wafer W, and a cleaning liquid (ultra pure water) is sprayed from the cleaning liquid nozzle 4 onto the upper surface of the wafer W. While rotating, the upper surface of the wafer W is cleaned by rotating the wafer W and the brush arm 2 respectively. Although FIG. 4 shows a configuration in which only the upper surface of the wafer W is cleaned by the brush arm 2, a configuration in which the brush arm 2 is provided below the wafer to clean both surfaces of the wafer is also conceivable.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】以上述べたように、従
来技術ではスピンドル１はウエハＷの周囲に略等間隔に
配置してあるため、相隣接するスピンドル１，１の間隔
は狭くなっている。スピンドル１に近接してロボットハ
ンドが進退し、かつブラシアーム２がスピンドル１に近
接して設けられるため、ロボットハンドが洗浄装置に対
して進退する際にスピンドル、ロボットハンド、ブラシ
アームの三者が互いに接触しないように、これらを配置
する必要がある。As described above, in the prior art, since the spindles 1 are arranged at substantially equal intervals around the wafer W, the interval between adjacent spindles 1 and 1 is narrow. . Since the robot hand advances and retreats close to the spindle 1 and the brush arm 2 is provided close to the spindle 1, when the robot hand advances and retreats with respect to the cleaning device, the three members of the spindle, the robot hand and the brush arm are connected. These need to be arranged so that they do not touch each other.
【０００９】したがって、例えばブラシアームをウエハ
下方に追加して設けるときは、これをスピンドル間に設
ける必要があり設置が困難である。また、ロボットハン
ドもスピンドル間を通るように進退するため、進退が困
難である。さらに、これら三者が互いに接触しないよう
に、ロボットハンドの寸法と進退経路、ブラシアーム２
の直径と位置、スピンドル１の直径を決定する必要があ
り、これらを設計するときに大きい制約が生じていた。Therefore, for example, when a brush arm is additionally provided below the wafer, it is necessary to provide the brush arm between the spindles, which makes installation difficult. Further, since the robot hand also advances and retreats so as to pass between the spindles, it is difficult to advance and retreat. In addition, the dimensions of the robot hand, the reciprocating path, the brush arm 2
It is necessary to determine the diameter and position of the spindle 1 and the diameter of the spindle 1, and when designing these, great restrictions have arisen.
【００１０】また、スピンドル１はウエハＷの周囲に等
間隔にかつある円周上に配置されているため、ウエハＷ
が洗浄装置に供給されるとき、全てのスピンドルがスピ
ンドルの保持部とウエハＷとの間に等しい間隙を形成す
るように変位するわけではない。すなわち、従来のスク
ラブ洗浄装置においては、図５（ａ）に示すように、全
てのスピンドル１１（図４のスピンドル１に相当）はウ
エハＷの中心Ｃの周囲に６０゜の等間隔で配置されてい
る。６個のスピンドル１１は、各々３個のスピンドル１
１から構成される２つのスピンドル群１１ＧＲ，１１Ｇ
Ｌに分割され、これら２つのスピンドル群１１ＧＲ，１
１ＧＬは駆動機構によって独立に駆動される。すなわ
ち、２つのスピンドル群１１ＧＲ，１１ＧＬは、全ての
スピンドル１１がウエハＷから離間するように互いに反
対方向に中心線ＣLに沿って外方に変位する。各スピン
ドル群１１ＧＲ，１１ＧＬが中心線ＣLに沿って距離Ｌ
だけ変位すると仮定すると、各スピンドル群１１ＧＲ，
１１ＧＬにおける中心線ＣL上のスピンドル１１もウエ
ハＷの中心Ｃから半径方向に距離Ｌだけ変位する。Since the spindles 1 are arranged at equal intervals around the wafer W and on a certain circumference, the spindle W
Is supplied to the cleaning apparatus, not all the spindles are displaced so as to form an equal gap between the holder of the spindle and the wafer W. That is, in the conventional scrub cleaning apparatus, all the spindles 11 (corresponding to the spindle 1 in FIG. 4) are arranged at equal intervals of 60 ° around the center C of the wafer W as shown in FIG. ing. Each of the six spindles 11 has three spindles 1
Two spindle groups 11GR and 11G composed of 1
L, and these two spindle groups 11GR, 1
1GL is independently driven by a driving mechanism. That is, the two spindles groups 11GR, 11GL, all the spindle 11 is displaced outward along the center line C L to the opposite directions to each other so as to be separated from the wafer W. Each spindle groups 11gr, distance 11GL is along the center line C L L
Assuming that each spindle group 11GR,
Displaced radially by a distance L from the center C of the spindle 11 also wafer W on the center line C L at 11GL.
【００１１】しかしながら、各スピンドル群１１ＧＲ，
１１ＧＬにおける中心線ＣLから離間した位置にある他
の２つのスピンドル１１は、ウエハＷの中心Ｃから半径
方向にＬｃｏｓ６０゜＝０．５Ｌだけ変位する。この場
合、距離Ｌが大きすぎると、ウエハをロボットハンド５
によって下降させるとき、スピンドル１１の肩がウエハ
Ｗの外周部を受けることができない。これゆえ、前記距
離Ｌをスピンドル１１の肩の幅の範囲内に設定すること
が必要となる。これは、ウエハＷをスピンドル１１に適
正に移送するために、適正な間隙が必要であることを意
味している。しかしながら、ウエハＷを全てのスピンド
ル１１の間に位置させるとき、スピンドル１１の保持部
とウエハＷの間に、中心線ＣLから離間した位置のスピ
ンドル１１において、適正な間隙を形成することができ
ず、ウエハの周縁部がスピンドル１１の頂部に接触する
ことがあるという問題点があった。However, each spindle group 11GR,
The other two spindles 11 in a position separated from the center line C L in 11GL is displaced from the center C of the wafer W in the radial direction by Lcos60 ° = 0.5 L. In this case, if the distance L is too large, the wafer is transferred to the robot hand 5.
When it is lowered, the shoulder of the spindle 11 cannot receive the outer peripheral portion of the wafer W. Therefore, it is necessary to set the distance L within the range of the shoulder width of the spindle 11. This means that a proper gap is necessary to transfer the wafer W to the spindle 11 properly. However, when positioning the wafer W between all of the spindle 11, between the holding unit and the wafer W of the spindle 11, the spindle 11 at a position spaced from the center line C L, it is possible to form an appropriate gap However, there is a problem that the peripheral portion of the wafer may come into contact with the top of the spindle 11.
【００１２】本発明は上述した事情に鑑み、ロールスポ
ンジ等の洗浄部材を比較的容易に設置するとともに、ロ
ボットハンドの進退経路を容易に確保することができ、
しかも設計の自由度を増すことができるようにした洗浄
装置を提供することを目的とする。また本発明は、ウエ
ハを全てのスピンドル間に位置させるとき、ウエハとス
ピンドルの保持部間に最適な間隙を形成するように変位
する複数のスピンドルを具備した複数のスピンドル群を
備えた洗浄装置を提供することを目的とする。In view of the circumstances described above, the present invention makes it possible to relatively easily install a cleaning member such as a roll sponge and to easily secure a path for the robot hand to advance and retreat.
Moreover, it is an object of the present invention to provide a cleaning device capable of increasing the degree of freedom in design. Further, the present invention provides a cleaning apparatus including a plurality of spindle groups each including a plurality of spindles which are displaced so as to form an optimum gap between a wafer and a holding portion of the spindle when the wafer is positioned between all spindles. The purpose is to provide.
【００１３】[0013]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明では、薄板状の被洗浄物を支持して回転させる
回転支持体と、回転しながら前記被洗浄物の表面および
裏面の少なくとも一方に摺接する洗浄部材と、前記被洗
浄物の表面および裏面の少なくとも一方に洗浄液を供給
するノズルとを有し、回転する前記被洗浄物の表面およ
び裏面の少なくとも一方に対して前記洗浄液を供給しつ
つ前記洗浄部材を摺接させることにより、前記被洗浄物
の表面および裏面の少なくとも一方を洗浄する洗浄装置
において、前記回転支持体は、前記被洗浄物の周縁部に
その周面が当接する保持部を有した複数のスピンドルよ
りなり、前記複数のスピンドルは、上方より見た場合、
前記回転支持体に対して前記被洗浄物が供給又は離脱さ
れる経路を避けるように前記被洗浄物の周囲のある部分
に密集して配置されていることを特徴とするものであ
る。According to the present invention, there is provided a rotary support for supporting and rotating a thin plate-like object to be cleaned, and at least one of a front surface and a back surface of the object to be cleaned while rotating. A cleaning member that slidably contacts one side, and a nozzle that supplies a cleaning liquid to at least one of a front surface and a back surface of the object to be cleaned, and supplies the cleaning liquid to at least one of a front surface and a back surface of the rotating object to be cleaned. In the cleaning device for cleaning at least one of the front surface and the back surface of the object to be cleaned by bringing the cleaning member into sliding contact with the cleaning member, the peripheral surface of the rotating support comes into contact with a peripheral portion of the object to be cleaned. It consists of a plurality of spindles having a holding part, and the plurality of spindles, when viewed from above,
The object to be cleaned is densely arranged in a part around the object to be cleaned so as to avoid a path in which the object to be cleaned is supplied or detached from the rotating support.
【００１４】すなわち、従来の被洗浄物の周囲に複数の
スピンドルが等間隔に配置する構成にかえて、複数のス
ピンドルがロボットハンド、洗浄アームの障害にならな
いような位置に適宜密集して配置されることにより、ロ
ボットハンド、洗浄アーム、スピンドルが十分な間隔を
おいて位置するようにする。そのため、洗浄アームを設
置しやすくしロボットハンドも進退しやすくし、さら
に、ロボットハンドの寸法と進退経路、洗浄アームの径
と位置、スピンドルの保持部の径を設定するときの自由
度を増すことが可能である。That is, instead of the conventional configuration in which a plurality of spindles are arranged at equal intervals around the object to be cleaned, the plurality of spindles are appropriately densely arranged at a position where they do not hinder the robot hand and the cleaning arm. By doing so, the robot hand, the cleaning arm, and the spindle are located at a sufficient interval. Therefore, the cleaning arm can be easily installed and the robot hand can easily move forward and backward.Furthermore, the degree of freedom when setting the robot hand dimensions and moving paths, the diameter and position of the cleaning arm, and the diameter of the spindle holding section is increased. Is possible.
【００１５】[0015]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。本発明は、研磨装置によって研磨
された半導体ウエハの洗浄を行う洗浄装置として適用さ
れた際に特に有用である。研磨プロセスにおいては、砥
粒を含む砥液をウエハＷに供給しながらウエハＷを鏡面
に研磨する。それゆえ、ポリッシングの終了した半導体
ウエハＷの研磨面には砥粒を含む砥液と削り屑が付着し
ており、非常に汚染されている。本実施の形態ではこの
ポリッシングの終了した半導体ウエハを複数の洗浄工程
を経て清浄に洗浄する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. The present invention is particularly useful when applied as a cleaning apparatus for cleaning a semiconductor wafer polished by a polishing apparatus. In the polishing process, the wafer W is polished to a mirror surface while an abrasive liquid containing abrasive grains is supplied to the wafer W. Therefore, the polishing liquid containing the abrasive grains and the shavings adhere to the polished surface of the semiconductor wafer W after the polishing, and are extremely contaminated. In the present embodiment, the semiconductor wafer that has been subjected to the polishing is cleaned cleanly through a plurality of cleaning steps.
【００１６】第１の洗浄工程では、図示しない洗浄装置
によりウエハＷを水平に保持して、ノズルからウエハ両
面に超純水等の洗浄液を吹き付け、半導体ウエハＷの両
面に保持されている砥粒や削り屑を洗い流す。このと
き、ウエハＷを回転してもよいし、また超純水をウエハ
面に吹き付ける方法としては、ノズルから高圧の超純水
を噴射させてもよいし、キャビテーションを有する超純
水を噴射させてもよいし、超音波の振動エネルギーを与
えた超純水を吹き付けてもよく、またはこれらを組み合
わせてもよい。In the first cleaning step, a cleaning device (not shown) holds the wafer W horizontally, and a cleaning liquid such as ultrapure water is sprayed on both surfaces of the wafer from a nozzle, and the abrasive grains held on both surfaces of the semiconductor wafer W Wash away shavings. At this time, the wafer W may be rotated, and as a method of spraying ultrapure water onto the wafer surface, high-pressure ultrapure water may be jetted from a nozzle, or ultrapure water having cavitation may be jetted. Alternatively, ultrapure water provided with ultrasonic vibration energy may be sprayed, or a combination thereof may be used.
【００１７】第２の洗浄工程では、図１に示す洗浄装置
を用いる。すなわち、洗浄装置は、ウエハＷの周縁部を
支持し回転させる６本のスピンドル１１、ＰＶＡ等より
なり全表面に突起が形成され、ウエハＷの下方で一方向
に延伸して設けられたロールスポンジを構成する洗浄ア
ーム１２、該洗浄アーム１２を矢印Ｇ１に示すように上
下動させ、かつ矢印Ｆ１に示すように回転させる駆動機
構１３、ウエハＷの上下面に洗浄液（超純水）を供給す
る洗浄液ノズル１４を具備する。図示しないが洗浄液ノ
ズル１４はウエハＷの下面に洗浄液を供給可能なように
ウエハＷの下面にも対向して１台設けてある。ウエハＷ
の平面形状は円形状に対して切り欠き部を設けオリエン
テーションフラットを形成した形状をなしている。In the second cleaning step, the cleaning device shown in FIG. 1 is used. That is, the cleaning device is composed of six spindles 11 for supporting and rotating the peripheral portion of the wafer W, a PVA or the like, a projection formed on the entire surface, and a roll sponge extending in one direction below the wafer W and provided. , A driving mechanism 13 for moving the cleaning arm 12 up and down as shown by the arrow G1 and rotating it as shown by the arrow F1, and supplying a cleaning liquid (ultra pure water) to the upper and lower surfaces of the wafer W. A cleaning liquid nozzle 14 is provided. Although not shown, one cleaning liquid nozzle 14 is provided so as to face the lower surface of the wafer W so that the cleaning liquid can be supplied to the lower surface of the wafer W. Wafer W
Has a notch in the circular shape to form an orientation flat.
【００１８】スピンドル１１は上端に保持部（コマ）１
１ａを有しウエハＷの周囲に配設され、洗浄アーム１２
の長手方向に対して左右に３個ずつ密集して設けてあ
る。スピンドル１１の保持部１１ａは、ウエハＷの外周
縁と係合可能になっている。６個のスピンドル１１は、
各々３個のスピンドルから構成される２つのスピンドル
群１１ＧＲ，１１ＧＬに分割され、各スピンドル群１１
ＧＲ，１１ＧＬにおけるスピンドル１１は密集して配置
されている。２つのスピンドル群１１ＧＲ，１１ＧＬ間
には、広い間隔Ｓが形成されており、各スピンドル群１
１ＧＲ，１１ＧＬの隣接する２つのスピンドル間１１，
１１の間隔は狭くなっている。洗浄アーム１２はウエハ
Ｗの全面に摺接する必要があるため、洗浄アーム１２の
全長はウエハＷの最大寸法を超えるものとなっており、
洗浄アーム１２の突起については後述する。前記スピン
ドル１１は、上述したように洗浄アーム１２を避けるよ
うに、かつウエハＷの回転中心に関して略対称に配置さ
れるように２つのスピンドル群１１ＧＲ，１１ＧＬに分
割して設けてある。The spindle 11 has a holding portion (frame) 1 at the upper end.
1a, the cleaning arm 12
3 are densely provided on the left and right with respect to the longitudinal direction. The holding portion 11a of the spindle 11 can be engaged with the outer peripheral edge of the wafer W. The six spindles 11
Each spindle group 11 is divided into two spindle groups 11GR and 11GL each including three spindles.
The spindles 11 in GR and 11GL are densely arranged. A wide space S is formed between the two spindle groups 11GR and 11GL, and each spindle group 1GR
1 GR, 11GL between two adjacent spindles 11,
11 are narrower. Since the cleaning arm 12 needs to slide on the entire surface of the wafer W, the total length of the cleaning arm 12 exceeds the maximum dimension of the wafer W.
The protrusion of the cleaning arm 12 will be described later. The spindle 11 is divided into two spindle groups 11GR and 11GL so as to avoid the cleaning arm 12 and to be arranged substantially symmetrically with respect to the rotation center of the wafer W as described above.
【００１９】上記構成のブラシ洗浄装置において、スピ
ンドル１１はその上部の保持部１１ａをウエハＷの周縁
部に押しつけ、回転させることにより、ウエハＷを回転
させる。図中、６個の保持部１１ａの内２個が回転力を
ウエハＷに与え、他の保持部１１ａはウエハＷの回転を
受けるベアリングの働きをする。In the brush cleaning apparatus having the above-described structure, the spindle 11 rotates the wafer W by pressing the upper holding portion 11a against the peripheral portion of the wafer W and rotating the same. In the drawing, two of the six holding parts 11a apply a rotational force to the wafer W, and the other holding parts 11a function as bearings for receiving the rotation of the wafer W.
【００２０】符号３０はスポンジによる洗浄装置であ
り、該洗浄装置３０は軸３１に支持されたアーム３２
と、該アーム３２の先端に設けられたスポンジ装着部３
３を具備している。軸３１は上下に昇降でき、該軸３１
に支持されるアーム３２はこの昇降により上昇すると同
時に軸３１の回動により矢印Ｂに示すように回動できる
ようになっている。符号３４はスポンジ装着部３３に装
着されたスポンジであり、スポンジ装着部３３の自転に
よって矢印Ｄ方向に自転可能である。また図示していな
いが、このスポンジによる洗浄装置３０の停止時、スポ
ンジ装着部３３を収容させておくスポンジ収容部がスピ
ンドル１１に対してウエハＷと反対側に設けてある。こ
のスポンジ収容部はカップ状をしており、内部に純水が
収納されている。スクラブ洗浄がされていない際には、
スポンジ３４を保持したスポンジ装着部３３は、純水が
供給されるスポンジ収容部に収容され、純水によってス
ポンジ３４を洗浄する。Reference numeral 30 denotes a cleaning device using a sponge. The cleaning device 30 includes an arm 32 supported on a shaft 31.
And a sponge mounting portion 3 provided at the tip of the arm 32.
3 is provided. The shaft 31 can be moved up and down.
The arm 32 supported by the arm 31 is lifted by the vertical movement and, at the same time, can be rotated by the rotation of the shaft 31 as shown by the arrow B. Reference numeral 34 denotes a sponge mounted on the sponge mounting section 33, which can rotate in the direction of arrow D by the sponge mounting section 33 rotating. Although not shown, when the cleaning device 30 using the sponge is stopped, a sponge accommodating portion for accommodating the sponge mounting portion 33 is provided on the opposite side of the spindle 11 from the wafer W. The sponge accommodating portion has a cup shape and contains pure water therein. When not scrubbed,
The sponge mounting section 33 holding the sponge 34 is housed in a sponge housing section to which pure water is supplied, and cleans the sponge 34 with pure water.
【００２１】ウエハＷはこの洗浄装置に対して外部から
供給されるものであり、以下その供給方法について説明
する。すなわち、スポンジ３４を有したスポンジ装着部
３３がスポンジ収容部内にあり、かつ洗浄アーム１２が
駆動機構１３によりウエハＷの下方等に退避している状
態で、さらに２つのスピンドル群１１ＧＲ，１１ＧＬが
図１の状態よりも互いに遠ざかるように互いに平行に左
右に移動した状態で、ウエハＷは洗浄アーム１２の駆動
機構１３とは反対側の端部の側から洗浄アーム１２の長
手方向と平行にスピンドル群１１ＧＲ，１１ＧＬの上方
へ、ロボットハンドにより搬送される。さらにこのロボ
ットハンドが下降し、ウエハＷの外周部をスピンドル１
１の保持部１１ａの肩１１ｓ（図２及び図３参照）に載
せる。次に、２つのスピンドル群１１ＧＲ，１１ＧＬを
図１に示す位置まで直線的に内方に変位させ、スピンド
ル１１の保持部１１ａによりロボットハンドによって下
降させたウエハＷの外周縁を保持させる。その後、ロボ
ットハンドは洗浄装置から退避する。The wafer W is supplied to the cleaning apparatus from the outside, and a method of supplying the wafer W will be described below. That is, in a state where the sponge mounting section 33 having the sponge 34 is in the sponge accommodating section, and the cleaning arm 12 is retracted below the wafer W by the drive mechanism 13, two more spindle groups 11GR and 11GL are shown. In a state in which the wafer W has been moved to the left and right in parallel with each other so as to be farther from each other than the state 1, the wafer W is moved from the end opposite to the drive mechanism 13 of the cleaning arm 12 to the spindle group in parallel with the longitudinal direction of the cleaning arm 12. It is conveyed by a robot hand above 11GR and 11GL. The robot hand further descends, and the outer periphery of the wafer W is
The holder 11a is placed on the shoulder 11s (see FIGS. 2 and 3). Next, the two spindle groups 11GR and 11GL are linearly displaced inward to the position shown in FIG. 1, and the outer peripheral edge of the wafer W lowered by the robot hand is held by the holding portion 11a of the spindle 11. Thereafter, the robot hand retreats from the cleaning device.
【００２２】そののち、軸３１を上昇させ、スポンジ収
容部に載置されているスポンジ装着部３３をアーム３２
とともに持ち上げ、さらにアーム３２を回動させスポン
ジ装着部３３をウエハＷ面上に位置させる。After that, the shaft 31 is raised, and the sponge mounting portion 33 placed in the sponge accommodating portion is moved to the arm 32.
And the arm 32 is further rotated to position the sponge mounting portion 33 on the wafer W surface.
【００２３】そして、ウエハＷを回転させつつ、軸３１
を下降させ、スポンジ３４を半導体ウエハＷの上面に押
しつけ、さらに駆動機構１３により、ウエハＷに対して
洗浄アーム１２を上昇させてウエハＷの下面に当接さ
せ、洗浄アーム１２を回転させることにより、ウエハＷ
の両面を洗浄する。この際アーム３２も軸３１を中心に
図１のＢ方向に揺動させ、スポンジ３４によって半導体
ウエハＷの上面を擦る。また、洗浄の際には洗浄液ノズ
ル１４からウエハＷの両面に洗浄液（超純水）を噴射し
ている。Then, while rotating the wafer W, the shaft 31
Is lowered, the sponge 34 is pressed against the upper surface of the semiconductor wafer W, and the cleaning arm 12 is further raised by the driving mechanism 13 to contact the lower surface of the wafer W, and the cleaning arm 12 is rotated. , Wafer W
Wash both sides. At this time, the arm 32 is also swung about the axis 31 in the direction B in FIG. 1, and the upper surface of the semiconductor wafer W is rubbed by the sponge 34. Further, at the time of cleaning, a cleaning liquid (ultra pure water) is jetted from the cleaning liquid nozzle 14 to both surfaces of the wafer W.
【００２４】なお、該洗浄中は水等が洗浄装置の周囲に
飛散しないように、リング状のカバーがこの洗浄装置の
周囲を覆うように用意される。そののち、この洗浄装置
３０を停止させ、スポンジ３４と洗浄アーム１２とをウ
エハＷの面から退避させ、スポンジ３４が装着されたス
ポンジ装着部３３をスポンジ収容部に収容し、また、ロ
ボットハンドが上述の経路を通って、ウエハＷの方向へ
進出し、また上述と同様に２つのスピンドル群１１Ｇ
Ｒ，１１ＧＬが互いに遠ざかるように退避した状態で、
ロボットハンドがウエハＷを保持し、この洗浄装置から
退避して、第３の洗浄工程へウエハを搬送する。During the washing, a ring-shaped cover is provided so as to cover the periphery of the washing device so that water or the like does not scatter around the washing device. After that, the cleaning device 30 is stopped, the sponge 34 and the cleaning arm 12 are retracted from the surface of the wafer W, and the sponge mounting portion 33 on which the sponge 34 is mounted is stored in the sponge storage portion. Through the above-mentioned path, it advances in the direction of the wafer W, and the two spindle groups 11G
With R and 11GL retracted away from each other,
The robot hand holds the wafer W, retracts from the cleaning device, and transports the wafer to the third cleaning step.
【００２５】第３の洗浄工程では、図２及び図３に示す
洗浄装置を用いる。図２及び図３に示す洗浄装置が図１
に示す洗浄装置と相違する点は、ウエハＷの上面を洗浄
する装置が下面を洗浄するものと同様の洗浄アーム１２
である点である。図２及び図３において、図１と同一の
部分については同一の符号を付す。ウエハＷがこの洗浄
装置にロボットハンドにより供給されるとき、この一対
の洗浄アーム１２，１２はウエハＷから退避している。
ロボットハンド１５は、ウエハＷを支持するための略矩
形状の支持部１５ａと、ウエハＷの外縁部と係合する支
持部１５ａから突出したガイド部１５ｂ，１５ｂ（図２
では一方のみ示す）とを有している。支持部１５ａの幅
は２つのスピンドル群１１ＧＲ，１１ＧＬの間隔Ｓより
小さく設定されている。ロボットハンド１５の後端はロ
ボット（図示せず）に接続されている。図３のようにウ
エハＷが保持部１１ａにより保持されると、この一対の
洗浄アーム１２，１２はウエハＷに当接し、回転を開始
し、また、ウエハＷも回転し、図示しない洗浄液ノズル
からウエハＷの面に超純水を噴射しつつウエハＷの両面
の洗浄を行う。In the third cleaning step, the cleaning apparatus shown in FIGS. 2 and 3 is used. The cleaning device shown in FIGS.
Is different from the cleaning apparatus shown in FIG.
Is that 2 and 3, the same parts as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals. When the wafer W is supplied to the cleaning apparatus by the robot hand, the pair of cleaning arms 12, 12 are retracted from the wafer W.
The robot hand 15 has a substantially rectangular support portion 15a for supporting the wafer W, and guide portions 15b, 15b protruding from the support portion 15a engaging with the outer edge of the wafer W (FIG. 2).
Only one is shown). The width of the support portion 15a is set smaller than the interval S between the two spindle groups 11GR and 11GL. The rear end of the robot hand 15 is connected to a robot (not shown). When the wafer W is held by the holding portion 11a as shown in FIG. 3, the pair of cleaning arms 12, 12 abut on the wafer W and start rotating, and the wafer W also rotates, and a cleaning liquid nozzle (not shown) rotates. Cleaning of both surfaces of the wafer W is performed while spraying ultrapure water onto the surface of the wafer W.
【００２６】ここで洗浄アーム１２について説明する。
洗浄アーム１２の円筒の表面には、円筒の長手方向に、
所定のピッチＰで突起１２ａが配列され、この突起の列
は該円筒の円周方向に所定のピッチで配列してある。そ
して隣り合う突起列同士は、該円筒の長手方向に半ピッ
チ（Ｐ／２）ずつずれている。そのため、洗浄アームが
回転すると、まず第１の突起列がウエハＷを擦り、その
とき擦らなかったウエハＷ面の部分を、第１の突起列に
隣接する第２の突起列が擦ることになり、これを続ける
ことにより、ウエハＷ全面がこの突起１２ａにより擦ら
れ、洗浄が効果的に行える。Here, the cleaning arm 12 will be described.
On the surface of the cylinder of the cleaning arm 12, in the longitudinal direction of the cylinder,
The projections 12a are arranged at a predetermined pitch P, and the rows of the projections are arranged at a predetermined pitch in the circumferential direction of the cylinder. Then, adjacent projection rows are shifted by a half pitch (P / 2) in the longitudinal direction of the cylinder. Therefore, when the cleaning arm rotates, the first projection row first rubs the wafer W, and the second projection row adjacent to the first projection row rubs the portion of the wafer W that has not been rubbed at that time. By continuing this, the entire surface of the wafer W is rubbed by the projections 12a, and cleaning can be performed effectively.
【００２７】次に第４および第５の洗浄工程について説
明する。第４の洗浄工程の洗浄装置は特に図示しないが
図１のウエハＷの下方の洗浄アームを除いた構成とし、
回転するウエハＷの上面のみ洗浄するものである。ま
た、第５の洗浄工程の洗浄装置は、特に図示しないが図
１のウエハＷの下方の洗浄アームと、ウエハＷの上方の
スポンジ３４による洗浄装置３０とを除いた構成とし、
回転するウエハＷの上面のみに第１の洗浄工程と同様の
超純水等の洗浄液を吹き付けて洗浄するものである。第
４および第５の洗浄工程を経たウエハＷは、図示しない
乾燥装置により保持され、回転させられることにより、
付着した純水等を飛散させられ乾燥させられる。Next, the fourth and fifth cleaning steps will be described. Although not particularly shown, the cleaning apparatus in the fourth cleaning step has a configuration excluding a cleaning arm below the wafer W in FIG.
Only the upper surface of the rotating wafer W is cleaned. The cleaning device in the fifth cleaning step has a configuration excluding a cleaning arm below the wafer W in FIG. 1 and a cleaning device 30 using a sponge 34 above the wafer W in FIG.
The cleaning is performed by spraying the same cleaning liquid as the first cleaning step, such as ultrapure water, only on the upper surface of the rotating wafer W. The wafer W that has undergone the fourth and fifth cleaning steps is held and rotated by a drying device (not shown),
The attached pure water or the like is scattered and dried.
【００２８】次に、本発明におけるスピンドルと半導体
ウエハとの関係を図５（ｂ）を参照して説明する。本発
明において、上述したように、６個のスピンドル１１
は、各々３個のスピンドルから構成される２つのスピン
ドル群１１ＧＲ，１１ＧＬに分割され、これら２つのス
ピンドル群１１ＧＲ，１１ＧＬは駆動機構によって独立
に駆動される。２つのスピンドル群１１ＧＲ，１１ＧＬ
は、全てのスピンドル１１がウエハＷから離間するよう
に互いに反対方向に中心線ＣLに沿って外方に変位す
る。各スピンドル群１１ＧＲ，１１ＧＬにおける中心部
のスピンドル１１は中心線ＣL上に位置し、他の２つの
スピンドル１１は中心線ＣLから３６゜の角度位置に位
置している。Next, the relationship between the spindle and the semiconductor wafer according to the present invention will be described with reference to FIG. In the present invention, as described above, the six spindles 11
Is divided into two spindle groups 11GR and 11GL each composed of three spindles, and these two spindle groups 11GR and 11GL are independently driven by a driving mechanism. Two spindle groups 11GR, 11GL
All of the spindle 11 is displaced outward along the center line C L to the opposite directions to each other so as to be separated from the wafer W. Each spindle groups 11gr, spindle 11 of the central portion in 11GL is positioned on the center line C L, the other two spindles 11 are located in the 36 ° angle position from the center line C L.
【００２９】各スピンドル群１１ＧＲ，１１ＧＬが中心
線ＣLに沿って距離Ｌだけ変位すると仮定すると、各ス
ピンドル群１１ＧＲ，１１ＧＬにおける中心線ＣL上の
スピンドル１１もウエハＷの中心Ｃから半径方向に距離
Ｌだけ変位する。しかしながら、各スピンドル群１１Ｇ
Ｒ，１１ＧＬにおける中心線ＣLから離間した位置にあ
る他の２つのスピンドル１１は、ウエハＷの中心Ｃから
半径方向にＬｃｏｓ３６゜＝０．８１Ｌだけ変位する。
それゆえ、距離Ｌがスピンドルの肩の幅の範囲内に維持
されるが、ウエハＷをスピンドル１１の間に位置させる
とき、ウエハＷとスピンドル１１の保持部１１ａ間に、
中心線ＣLから離間した位置にあるスピンドル１１にお
いても適正な間隙を形成することができる。[0029] Each spindle groups 11gr, when 11GL is assumed distance L is displaced along the center line C L, the spindle group 11gr, radially from the center C of the spindle 11 also wafer W on the center line C L of 11GL Displaced by distance L. However, each spindle group 11G
R, other two spindles 11 in a position separated from the center line C L in 11GL is displaced by Lcos36 DEG = 0.81L in a radial direction from the center C of the wafer W.
Therefore, the distance L is maintained within the range of the shoulder width of the spindle, but when the wafer W is positioned between the spindles 11, the distance between the wafer W and the holding portion 11a of the spindle 11 is
It is possible to form an appropriate gap even spindle 11 in a position separated from the center line C L.
【００３０】本発明においては、隣接するスピンドル１
１間のピッチＹはオリエンテーションフラットの長さ、
すなわち弦の長さよりも長く設定されており、オリエン
テーションフラットが２つのスピンドル１１の保持部１
１ａに同時に接触しないようになっている。本実施例に
おいては、８インチ（２００ｍｍ）のウエハのオリエン
テーションの長さが５７．５ｍｍであるから、隣接する
スピンドル１１間のピッチＹは６１．７ｍｍに設定され
ている。In the present invention, the adjacent spindle 1
The pitch Y between 1 is the length of the orientation flat,
That is, the orientation flat is set longer than the length of the string, and the orientation flat is
1a is not simultaneously contacted. In the present embodiment, since the orientation length of an 8-inch (200 mm) wafer is 57.5 mm, the pitch Y between adjacent spindles 11 is set to 61.7 mm.
【００３１】本発明者の実験によれば、スピンドル群
は、３つ以上のスピンドル１１から構成されるスピンド
ル群が２個の場合が好ましいことが確認された。そし
て、２つのスピンドル群の各々が、ウエハＷの中心Ｃか
ら半径方向に一体の群として距離Ｌだけ変位するとき、
各スピンドル群における全てのスピンドル１１は０．７
Ｌ以上の距離だけ変位する。図５（ｂ）に示す例のよう
に、２つのスピンドル群の各々が３個のスピンドル１１
から構成される場合、スピンドル群１１ＧＲ，１１ＧＬ
の各々における中心部のスピンドル１１は中心線ＣL上
に位置し、各スピンドル群１１ＧＲ，１１ＧＬにおける
他の２つのスピンドル１１は、中心線ＣLから４５゜以
下の角度に位置している。According to the experiment of the present inventor, it has been confirmed that it is preferable that the number of the spindle groups is two when the number of the spindle groups including three or more spindles 11 is two. When each of the two spindle groups is displaced from the center C of the wafer W by a distance L as an integral group in the radial direction,
All spindles 11 in each spindle group are 0.7
Displaced by a distance of L or more. As in the example shown in FIG. 5B, each of the two spindle groups has three spindles 11.
, The spindle groups 11GR, 11GL
Is located on the center line C L , and the other two spindles 11 in each of the spindle groups 11GR, 11GL are located at an angle of 45 ° or less from the center line C L.
【００３２】図６は、スピンドル群を水平方向に移動さ
せる駆動装置を示す図である。図６に示すように、スピ
ンドル群１１ＧＲはエアシリンダ２０によって駆動さ
れ、スピンドル群１１ＧＬはエアシリンダ２１によって
駆動される。スピンドル群１１ＧＬの動きはストッパ２
３によって停止される。エアシリンダ２０の押圧力はエ
アシリンダ２１の押圧力よりも小さい。FIG. 6 is a diagram showing a driving device for moving the spindle group in the horizontal direction. As shown in FIG. 6, the spindle group 11GR is driven by an air cylinder 20, and the spindle group 11GL is driven by an air cylinder 21. The movement of the spindle group 11GL is the stopper 2
3 to stop. The pressing force of the air cylinder 20 is smaller than the pressing force of the air cylinder 21.
【００３３】上述の構成において、ウエハＷがスピンド
ル１１の保持部１１ａによって保持されるとき、スピン
ドル群１１ＧＬの保持部１１ａはストッパ２３によって
あらかじめ決められた位置に固定され、スピンドル群１
１ＧＲの保持部１１ａはウエハＷのわずかな水平方向の
動きに追随し、スピンドル群１１ＧＲの保持部１１ａが
スピンドル群１１ＧＬの保持部１１ａに対してウエハＷ
をやわらかな押圧力で押圧する。この駆動機構の構造に
よって、洗浄中に、許容誤差を有したウエハＷがスピン
ドル１１の保持部１１ａによって確実に保持される。In the above configuration, when the wafer W is held by the holding portion 11a of the spindle 11, the holding portion 11a of the spindle group 11GL is fixed at a predetermined position by the stopper 23, and
The holding unit 11a of 1GR follows a slight horizontal movement of the wafer W, and the holding unit 11a of the spindle group 11GR moves the wafer W with respect to the holding unit 11a of the spindle group 11GL.
Is pressed with a soft pressing force. Due to the structure of the drive mechanism, the wafer W having an allowable error is reliably held by the holding portion 11a of the spindle 11 during cleaning.
【００３４】上記実施例では半導体ウエハの洗浄例を示
したが、本発明はこれに限定されず、例えば、ガラス基
板やＬＣＤの洗浄等にも適用可能である。また、本実施
例では図１乃至図３においてウエハの洗浄装置への供給
方向は洗浄アームの延伸方向と一致していたが、これに
限らず一致せずに所定の角度をなしていてもよい。その
場合は、ウエハの供給方向および洗浄アームの延伸方向
ともに避けるようにスピンドルを配置すればよい。In the above embodiment, an example of cleaning a semiconductor wafer has been described. However, the present invention is not limited to this, and can be applied to, for example, cleaning of a glass substrate or an LCD. Further, in the present embodiment, the supply direction of the wafer to the cleaning apparatus in FIGS. 1 to 3 coincides with the extending direction of the cleaning arm. However, the present invention is not limited to this. . In that case, the spindle may be arranged so as to avoid both the wafer supply direction and the extending direction of the cleaning arm.
【００３５】また、上記実施例では、各洗浄工程におい
て、被洗浄物の両面または上面に洗浄部材が摺接するよ
うにしてあるが、本発明はこれに限らず被洗浄物の下面
にのみ洗浄部材が摺接するようにしてもよい。すなわ
ち、洗浄部材は、被洗浄物の上面および下面の少なくと
も一方に摺接していればよく、また、洗浄液ノズルも、
被洗浄物の上面および下面の少なくとも一方に洗浄液を
供給するようにすればよい。洗浄液として、純水以外
に、アンモニア水やフッ化水素酸（フッ酸）も使用可能
である。In the above embodiment, in each cleaning step, the cleaning member is brought into sliding contact with both surfaces or the upper surface of the object to be cleaned. However, the present invention is not limited to this, and the cleaning member is provided only on the lower surface of the object to be cleaned. May be in sliding contact with each other. That is, the cleaning member may be in sliding contact with at least one of the upper surface and the lower surface of the object to be cleaned.
The cleaning liquid may be supplied to at least one of the upper surface and the lower surface of the object to be cleaned. In addition to pure water, ammonia water and hydrofluoric acid (hydrofluoric acid) can be used as the cleaning liquid.
【００３６】さらに、図１において保持部１１ａの６個
全てが、ウエハに回転力を与えるもの、すなわち駆動力
を有するものとし、ベアリングのみの働きをする保持部
がない構成にしてもよいし、保持部１１ａのうち、駆動
力を有するものの個数は、本実施例では２個であった
が、１個でもまた何個でもよい。また、保持部の個数は
本実施例のように６個でなくてもよく適宜変更可能であ
る。Further, in FIG. 1, all of the six holding portions 11a may apply rotational force to the wafer, that is, may have a driving force, and may have a configuration in which there is no holding portion acting only as a bearing. The number of holding portions 11a having a driving force is two in the present embodiment, but may be one or any number. In addition, the number of the holding portions need not be six as in the present embodiment, and can be changed as appropriate.
【００３７】[0037]
【発明の効果】本発明によれば、複数のスピンドルがロ
ボットハンド、洗浄アームの障害にならないような位置
に適宜密集して配置されることにより、ロボットハン
ド、洗浄アーム、スピンドルが十分な間隔をおいて位置
するようになり、そのため洗浄アームを設置しやすく
し、ロボットハンドも進退しやすくし、さらにロボット
ハンドの寸法と進退経路、洗浄アームの径と位置および
保持部の径を設定するときの自由度を増すことが可能で
ある。According to the present invention, a plurality of spindles are appropriately densely arranged at a position where they do not interfere with the robot hand and the cleaning arm, so that the robot hand, the cleaning arm and the spindle have a sufficient interval. The robot hand is easy to set up, the robot hand is also easy to move back and forth, and when setting the dimensions of the robot hand and the reciprocating path, the diameter and position of the cleaning arm, and the diameter of the holding section. It is possible to increase the degree of freedom.
【００３８】また本発明によれば、ウエハをスピンドル
間に位置させる際、スピンドルの保持部とウエハ間に適
正な間隙を形成することができるように全てのスピンド
ルを変位させることができ、ウエハの周縁部がスピンド
ルに接触したりする事故を防止することができる。Further, according to the present invention, when the wafer is positioned between the spindles, all the spindles can be displaced so that an appropriate gap can be formed between the holder of the spindle and the wafer. It is possible to prevent an accident in which the peripheral edge comes into contact with the spindle.
【図１】本発明の一実施例における第２の洗浄工程の洗
浄装置を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing a cleaning apparatus in a second cleaning step in one embodiment of the present invention.
【図２】本発明の一実施例における第３の洗浄工程の洗
浄装置を示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing a cleaning apparatus in a third cleaning step in one embodiment of the present invention.
【図３】図２のIII−III線断面図である。FIG. 3 is a sectional view taken along line III-III of FIG. 2;
【図４】従来の洗浄装置を示す斜視図である。FIG. 4 is a perspective view showing a conventional cleaning device.
【図５】半導体ウエハとスピンドルとの関係を示す説明
図である。FIG. 5 is an explanatory diagram showing a relationship between a semiconductor wafer and a spindle.
【図６】スピンドル群を水平方向に移動させる駆動機構
を示す概略図である。FIG. 6 is a schematic diagram showing a drive mechanism for moving a spindle group in a horizontal direction.
１１ スピンドル １１ａ 保持部 １１ＧＲ，１１ＧＬ スピンドル群 １２ 洗浄アーム １２ａ 突起 １３ 駆動機構 １４ 洗浄液ノズル ２０，２１ エアシリンダ ２３ ストッパ ３０ 洗浄装置 ３２ アーム ３３ スポンジ装着部 ３４ スポンジ Ｗ 被洗浄物 DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Spindle 11a Holding part 11GR, 11GL Spindle group 12 Cleaning arm 12a Projection 13 Drive mechanism 14 Cleaning liquid nozzle 20, 21 Air cylinder 23 Stopper 30 Cleaning device 32 Arm 33 Sponge mounting part 34 Sponge W Cleaning object
Claims (7)
回転支持体と、回転しながら前記被洗浄物の表面および
裏面の少なくとも一方に摺接する洗浄部材と、前記被洗
浄物の表面および裏面の少なくとも一方に洗浄液を供給
するノズルとを有し、回転する前記被洗浄物の表面およ
び裏面の少なくとも一方に対して前記洗浄液を供給しつ
つ前記洗浄部材を摺接させることにより、前記被洗浄物
の表面および裏面の少なくとも一方を洗浄する洗浄装置
において、 前記回転支持体は、前記被洗浄物の周縁部にその周面が
当接する保持部を有した複数のスピンドルよりなり、前
記複数のスピンドルは、上方より見た場合、前記回転支
持体に対して前記被洗浄物が供給又は離脱される経路を
避けるように前記被洗浄物の周囲のある部分に密集して
配置されていることを特徴とする洗浄装置。A rotating member that supports and rotates a thin plate-shaped object to be cleaned; a cleaning member that slides on at least one of a front surface and a back surface of the object to be cleaned while rotating; A nozzle for supplying a cleaning liquid to at least one of the back surface; and supplying the cleaning liquid to at least one of the front surface and the back surface of the rotating object to be cleaned, by bringing the cleaning member into sliding contact with the object to be cleaned. A cleaning device for cleaning at least one of a front surface and a back surface of the object, wherein the rotating support comprises a plurality of spindles having a holding portion whose peripheral surface is in contact with a peripheral portion of the object to be cleaned; Are densely arranged in a portion around the object to be cleaned so as to avoid a path in which the object to be cleaned is supplied or detached from the rotating support when viewed from above. Cleaning apparatus, characterized in that is.
記被洗浄物は略円形の平面形状を有し、前記密集された
複数のスピンドルからなるスピンドル群は３個以上のス
ピンドルから構成される２つの群からなり、前記２つの
スピンドル群の各々が被洗浄物の中心から半径方向に距
離Ｌだけ一体の群として変位したとき、前記各スピンド
ル群の全てのスピンドルは被洗浄物の中心から０．７Ｌ
以上の距離だけ変位することを特徴とする洗浄装置。2. The cleaning device according to claim 1, wherein the object to be cleaned has a substantially circular planar shape, and the spindle group including a plurality of densely arranged spindles includes three or more spindles. When each of the two spindle groups is displaced from the center of the object to be cleaned as a unit by a distance L from the center of the object to be cleaned, all the spindles of each of the spindle groups are moved from the center of the object to be cleaned by 0. .7L
A cleaning device characterized by being displaced by the above distance.
なくとも前記被洗浄物の片面に摺接される前記洗浄部材
は、前記被洗浄物の一端から他端に亘り対向しかつこれ
と平行に延伸するロールスポンジよりなり、前記複数の
スピンドルは、上方より見た場合、前記ロールスポンジ
を避けるように前記被洗浄物の周囲のある部分に密集し
て配置されていることを特徴とする洗浄装置。3. The cleaning device according to claim 1, wherein the cleaning member slidably contacting at least one surface of the object to be cleaned is opposed from one end to the other end of the object to be cleaned and is in parallel with the cleaning member. A cleaning device comprising a roll sponge to be stretched, wherein the plurality of spindles are densely arranged in a portion around the object to be cleaned so as to avoid the roll sponge when viewed from above. .
記被洗浄物は略円形の平面形状を有し、前記複数のスピ
ンドルもこれに対応して、ある円周上に配置され、前記
ロールスポンジは、前記被洗浄物が前記スピンドルに対
し供給又は離脱される経路に沿って延伸するものであ
り、さらに前記複数のスピンドルは前記ロールスポンジ
を避けるように、かつ前記被洗浄物の回転中心に関して
略対称に配置されるように２群に分割して設けてあるこ
とを特徴とする洗浄装置。4. The cleaning device according to claim 3, wherein the object to be cleaned has a substantially circular planar shape, and the plurality of spindles are also arranged on a certain circumference correspondingly, and the roll is provided. The sponge extends along a path along which the object to be washed is supplied to or separated from the spindle, and the plurality of spindles avoid the roll sponge and with respect to a rotation center of the object to be washed. A cleaning device, wherein the cleaning device is divided into two groups so as to be arranged substantially symmetrically.
洗浄装置において、前記複数のスピンドルの保持部に対
し、前記被洗浄物が供給されるとき、前記被洗浄物が前
記複数の保持部の上に移動され、そののち前記複数の保
持部が上方から見て前記被洗浄物からその外方へ向けて
退避した状態で前記被洗浄物が下降されて被洗浄物が保
持部の肩部に載置され、さらにそののち前記複数の保持
部が前記被洗浄物の周縁部に当接するように移動するこ
とを特徴とする洗浄装置。5. The cleaning device according to claim 1, wherein when the object to be cleaned is supplied to a holding portion of the plurality of spindles, the object to be cleaned is the plurality of objects to be cleaned. The object to be cleaned is lowered while the plurality of holding parts are retracted outward from the object to be cleaned when viewed from above, and the object to be cleaned is moved to the holding part. A cleaning device which is placed on a shoulder portion, and thereafter moves so that the plurality of holding portions come into contact with a peripheral portion of the object to be cleaned.
記複数の保持部から前記被洗浄物が離脱されるとき、前
記複数の保持部が前記被洗浄物から退避した状態で前記
被洗浄物が上昇されることを特徴とする洗浄装置。6. The cleaning device according to claim 5, wherein when the object to be cleaned is detached from the plurality of holding units, the object to be cleaned is retracted from the object to be cleaned. The washing device characterized in that the height is raised.
記２つのスピンドル群はそれぞれ駆動機構によって移動
され、これら駆動機構の一方は他の駆動機構より小さな
押圧力を発生することを特徴とする洗浄装置。7. The cleaning apparatus according to claim 2, wherein each of the two spindle groups is moved by a driving mechanism, and one of the driving mechanisms generates a smaller pressing force than the other driving mechanism. Cleaning equipment.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9306603A JPH10180198A (en) | 1996-10-21 | 1997-10-21 | Cleaning device |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8-297751 | 1996-10-21 | ||
| JP29775196 | 1996-10-21 | ||
| JP9306603A JPH10180198A (en) | 1996-10-21 | 1997-10-21 | Cleaning device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10180198A true JPH10180198A (en) | 1998-07-07 |
Family
ID=26561218
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9306603A Pending JPH10180198A (en) | 1996-10-21 | 1997-10-21 | Cleaning device |
Country Status (1)
| Country | Link |
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