JP2001189326A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

Info

Publication number
JP2001189326A
JP2001189326A JP37352799A JP37352799A JP2001189326A JP 2001189326 A JP2001189326 A JP 2001189326A JP 37352799 A JP37352799 A JP 37352799A JP 37352799 A JP37352799 A JP 37352799A JP 2001189326 A JP2001189326 A JP 2001189326A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor element
adhesive sheet
semiconductor
semiconductor device
manufacturing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP37352799A
Other languages
English (en)
Inventor
Tetsuya Kurosawa
哲也 黒澤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP37352799A priority Critical patent/JP2001189326A/ja
Publication of JP2001189326A publication Critical patent/JP2001189326A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68318—Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
    • H01L2221/68322—Auxiliary support including means facilitating the selective separation of some of a plurality of devices from the auxiliary support

Landscapes

  • Die Bonding (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】薄型化された半導体素子であっても、半導体素
子の位置検出や良品／不良品を判別するためのマーク検
出が確実且つ容易にできる半導体装置の製造方法を提供
することを目的としている。 【解決手段】半導体ウェーハを個片化して形成した厚さ
１００μｍ以下の複数の半導体素子１１，１１，…を粘
着性シート１２に接着し、バックアップフォルダ内をバ
キュームで吸引することにより、半導体素子の反りを強
制的に戻した状態で位置検出、及び良品／不良品を判別
するためのマーク検出を行い、引き続き、各半導体素子
を粘着性シートからピックアップすることを特徴とす
る。半導体素子と粘着性シートをバキュームで吸引し
て、半導体素子の反りを戻した状態で位置検出とマーク
検出を行うので、半導体素子の反りによる影響をなくす
ことができ、確実に且つ容易に検出が行える。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体装置の製
造方法に関するもので、特に半導体素子の厚さが１００
μｍ以下の薄いものにおいて、複数の半導体素子を粘着
性のシートに接着（転写）した後、各半導体素子を粘着
性シートからピックアップ（剥離）する工程での半導体
素子の位置検出、及び良品／不良品を判別するためのマ
ーク検出を行う方法に係る。
【０００２】
【従来の技術】一般に、素子形成の終了した半導体ウェ
ーハは、ダイシングラインやチップ分割ラインに沿って
分離され、個片化されて複数の半導体素子（チップまた
はペレット）が形成される。これらの半導体素子は粘着
性のシートに接着（転写）された後、各半導体素子が粘
着性シートからピックアップされ、マウント工程やパッ
ケージへの封止工程等を経て半導体装置が完成される。
【０００３】図４は、上記各半導体素子を粘着性シート
からピックアップする工程を示す断面図である。また、
図５は、上記ピックアップ工程に関係する固定テーブル
の移動動作、位置検出や良品／不良品を判別するための
マーク検出動作、バックアップフォルダ内のバキューム
動作、及び突き上げピンによる突き上げ動作について説
明するためのタイミングチャートである。
【０００４】図４及び図５に示すように、従来は、複数
の半導体素子１１，１１，…を粘着性シート１２に接着
した後、リング状の治具で固定し、この治具をピックア
ップ装置の固定テーブルに装着する。そして、まずピッ
クアップする半導体素子１１が突き上げピン１３上に位
置するように、固定テーブルを移動させる（ｔ１）。次
に、上記ピックアップの対象となる半導体素子１１を光
学系、例えばＴＶカメラ１４でモニタし、このモニタし
て得た画像データを二値化または多値化して半導体素子
１１の位置検出や良品／不良品を判別するためのマーク
検出を行う（ｔ２）。その後、バックアップフォルダ１
５内をバキュームで吸引し（ｔ３）、ピックアップする
半導体素子１１と粘着性シート１２を吸着した状態で、
突き上げピンフォルダ１６から突き上げピン１３を突出
（上昇）させ、粘着性シート１２を介して半導体素子１
１を突き上げることによりピックアップしている（ｔ
４）。
【０００５】ところで、近年は、半導体素子を例えばカ
ード状のパッケージに実装するために、半導体素子の薄
型化が強く望まれており、半導体ウェーハの裏面を研磨
及び研削して１００μｍ以下にまで薄くしている。
【０００６】しかし、半導体素子を１００μｍ以下にま
で薄くすると反りが発生し、半導体素子１１の位置検出
や良品／不良品を判別するためのマーク検出を行う工程
において、ＴＶカメラ１４での検出ができないという問
題が発生している。例えば、６ｍｍ角の半導体素子で、
厚さΔＤが５０μｍの場合、反り量ΔＬは５０μｍにも
達する。
【０００７】図６（ａ）は、薄型化（ΔＤ＝５０μｍ）
した半導体素子の表面を長辺方向に沿ってスキャンした
時の測定結果を示す図、図６（ｂ）は同半導体素子の表
面を短辺方向に沿ってスキャンした時の測定結果を示す
図である。図６（ａ）に示すように、長辺方向での反り
量ΔＬ１は５２μｍであり、図６（ｂ）に示すように、
短辺方向での反り量ΔＬ２は４４．４μｍであった。
【０００８】半導体素子に、このような大きな反りが発
生すると、半導体素子１１の表面からの光がＴＶカメラ
１４のレンズに到達せず、コーナー部が暗くなったり、
二値化画像全体が暗くなったりしてしまい、半導体素子
１１の位置検出が困難になったり、良品／不良品を判別
するためのマーク検出ができない。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上記のように従来の半
導体装置の製造方法は、半導体素子を薄型化した時に発
生する反りによって、半導体素子の位置検出や良品／不
良品を判別するためのマーク検出ができなくなるという
問題があった。
【００１０】この発明は上記のような事情に鑑みてなさ
れたもので、その目的とするところは、薄型化された半
導体素子であっても、半導体素子の位置検出や良品／不
良品を判別するためのマーク検出が確実且つ容易にでき
る半導体装置の製造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この発明の半導体装置の
製造方法は、半導体ウェーハを個片化して形成した複数
の半導体素子を粘着性シートに接着する工程と、前記半
導体素子と粘着性シートをバキュームで吸引し、半導体
素子の反りを戻した状態で半導体素子の位置検出、及び
良品／不良品を判別するためのマーク検出を行う工程
と、前記各半導体素子を粘着性シートから剥離する工程
とを具備することを特徴としている。
【００１２】また、下記（ａ）〜（ｄ）のような特徴を
備えている。
【００１３】（ａ）前記各半導体素子の厚さはそれぞ
れ、１００μｍ以下である。
【００１４】（ｂ）前記位置検出、及び良品／不良品を
判別するためのマーク検出を行う工程は、バックアップ
フォルダ内をバキュームで吸引することにより、個々の
半導体素子と粘着性シートの反りを強制的に平らな状態
へと戻し、この状態で光学系を用いてモニタして得たデ
ータを二値化または多値化して、位置検出、及び良品／
不良品を判別するためのマーク検出を行うものである。
【００１５】（ｃ）前記各半導体素子を粘着性シートか
ら剥離する工程は、前記粘着性シートにおける半導体素
子の接着面の裏面側から突き上げピンにより半導体素子
を突き上げ、粘着性シートから半導体素子を剥がすもの
である。
【００１６】（ｄ）前記各半導体素子を粘着性シートか
ら剥離する工程は、バックアップフォルダ内をバキュー
ムで吸引することにより、個々の半導体素子と粘着性シ
ートの反りを強制的に平らな状態へと戻した状態で、前
記粘着性シートにおける半導体素子の接着面の裏面側か
ら突き上げピンにより半導体素子を突き上げ、粘着性シ
ートから半導体素子を剥がすものである。
【００１７】更に、この発明の半導体装置の製造方法
は、粘着性シートから剥離する対象となる半導体素子の
位置に突き上げピンが対応するように固定テーブルを移
動させるステップと、バックアップフォルダ内をバキュ
ームで吸引し、半導体素子の反りを強制的に平らな状態
へと戻すステップと、バックアップフォルダ内をバキュ
ームで吸引した状態で、光学系を用いて半導体素子をモ
ニタし、このモニタで得たデータを二値化もしくは多値
化して半導体素子の位置検出、及び良品／不良品を判別
するためのマーク検出を行うステップと、バックアップ
フォルダ内をバキュームで吸引した状態で、突き上げピ
ンにより粘着性シートを介して半導体素子を剥離するス
テップとを具備することを特徴としている。
【００１８】また、次のような特徴を備えている。
【００１９】前記半導体素子を剥離するステップの後
に、前記バックアップフォルダ内のバキューム吸引を終
了して大気圧へと戻すステップと、次に剥離する半導体
素子の位置へ固定テーブルを移動するステップとを更に
具備する。
【００２０】上記のような製造方法によれば、半導体素
子と粘着性シートをバキュームで吸引して、半導体素子
の反りを強制的に戻した状態で位置検出、及び良品／不
良品を判別するためのマーク検出を行うので、半導体素
子の反りによる影響をなくすことができ、確実に且つ容
易に検出が行える。
【００２１】また、上記位置検出やマーク検出を行う工
程は、バックアップフォルダ内をバキュームで吸引すれ
ば良く、光学系を用いてモニタして得た画像データを二
値化または多値化することにより、位置検出、及び良品
／不良品を判別するためのマーク検出を容易化できる。
【００２２】更に、上記のような製造方法によれば、バ
ックアップフォルダ内をバキュームで吸引した状態を維
持し、半導体素子の反りを強制的に戻した状態で位置検
出とマーク検出、及び剥離工程を連続して確実且つ容易
に行うことができる。
【００２３】半導体素子の剥離後に、バックアップフォ
ルダ内を大気圧へ戻し、固定テーブルを次に剥離する半
導体素子の位置へ移動すれば、粘着性シートから半導体
素子を連続的に剥離できる。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて図面を参照して説明する。図１及び図２はそれぞ
れ、この発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製
造方法について説明するためのもので、図１は各半導体
素子を粘着性シートからピックアップする工程を示す断
面図、図２は上記ピックアップ工程に関係する固定テー
ブルの移動動作、位置検出や良品／不良品を判別するた
めのマーク検出動作、バックアップフォルダ内のバキュ
ーム動作、及び突き上げピンによる突き上げ動作につい
て説明するためのタイミングチャートである。
【００２５】まず、周知の種々のプロセスにより半導体
ウェーハの表面に素子を形成する。この素子形成の終了
した半導体ウェーハを、ダイシングラインまたはチップ
分割ラインに沿って分離し、個片化して複数の半導体素
子（チップまたはペレット）を形成する。この際、上記
半導体ウェーハにおける素子形成面の裏面側を研削及び
研磨することにより、個片化した各半導体素子の厚さを
１００μｍ以下、例えば５０μｍにする。これら複数の
半導体素子１１，１１，…を粘着性シート１２に接着
（転写）した後、例えばリング状の治具で固定し、この
治具をピックアップ装置の固定テーブルに装着する。
【００２６】次に、図１及び図２に示す如く、ピックア
ップ（剥離）する対象となる半導体素子１１に突き上げ
ピン１３が対応するように、固定テーブルを移動させる
（ｔ１）。その後、バックアップフォルダ１５内をバキ
ューム（例えば５００ｍＨｇ）で吸引し、ピックアップ
する半導体素子１１の反りを強制的に平らな状態へと戻
す（ｔ２）。この状態を維持することにより、半導体素
子１１の反りを低減した状態で光学系、例えばＴＶカメ
ラ１４を用いてこの半導体素子１１の表面をモニタし、
このモニタで得た画像データを二値化もしくは多値化し
て半導体素子１１の位置検出、及び良品／不良品を判別
するためのマーク検出を行う（ｔ３）。引き続き、バッ
クアップフォルダ１５内をバキュームで吸引しつつ、突
き上げピンフォルダ１６から突き上げピン１３を突出
（上昇）させ、粘着性シート１２を介して半導体素子１
１を突き上げることによりピックアップする（ｔ４）。
【００２７】ピックアップの終了後、バックアップフォ
ルダ１５内のバキューム吸引を終了して大気圧へと戻し
（ｔ５）、次にピックアップする半導体素子の位置へ固
定テーブルを移動し（ｔ６）、上述した動作を繰り返
す。
【００２８】そして、粘着性シート１２からピックアッ
プした個々の半導体素子１１は、リードフレームやＴＡ
Ｂテープへの実装工程、樹脂パッケージ等への封止工程
を経て半導体装置が完成する。
【００２９】上記のような製造方法によれば、半導体素
子１１と粘着性シート１２をバキュームで吸引して、半
導体素子１１の反りを戻した状態で位置検出、及び良品
／不良品を判別するためのマーク検出を行うので、半導
体素子１１の反りによる影響をなくすことができ、確実
に且つ容易に検出が行える。
【００３０】また、バックアップフォルダ１５内をバキ
ュームで吸引した状態を維持しつつ、半導体素子１１の
位置検出とマーク検出、及びピックアップ工程を連続し
て確実且つ容易に行うことができる。
【００３１】更に、半導体素子１１のピックアップ後
に、バックアップフォルダ１５内を大気圧へ戻し、固定
テーブルを次にピックアップする半導体素子１１の位置
へ移動するので、粘着性シート１２から半導体素子１１
を連続してピックアップできる。
【００３２】図３は、この発明の第２の実施の形態に係
る半導体装置の製造方法について説明するためのもの
で、半導体素子を粘着性シートからピックアップする工
程に関係する固定テーブルの移動動作、検出動作、バッ
クアップフォルダ内のバキューム動作、及び突き上げピ
ンによる突き上げ動作の他の例について説明するための
タイミングチャートである。
【００３３】まず、ピックアップ（剥離）する対象とな
る半導体素子１１に突き上げピン１３が対応するよう
に、固定テーブルを移動させる（ｔ１）。その後、バッ
クアップフォルダ１５内をバキューム（例えば５００ｍ
Ｈｇ）で吸引し、ピックアップする半導体素子１１の反
りを強制的に平らな状態へと戻す（ｔ２）。この状態を
維持することにより、半導体素子１１の反りを低減した
状態で光学系、例えばＴＶカメラ１４を用いてこの半導
体素子１１の表面をモニタし、このモニタで得た画像デ
ータを二値化もしくは多値化して半導体素子１１の位置
検出、及び良品／不良品を判別するためのマーク検出を
行う（ｔ３）。位置検出とマーク検出の終了後（ｔ
４）、バキュームを停止し（ｔ５）、上記位置検出とマ
ーク検出結果に基づいて、良品の半導体素子１１の中央
と突き上げピン１３による突き上げのセンターを合わせ
るために、固定テーブルを移動させる（ｔ６）。そし
て、固定テーブルの移動終了後（ｔ７）、再びバックア
ップフォルダ１５内をバキュームで吸引し（ｔ８）、突
き上げピンフォルダ１６から突き上げピン１３を突出
（上昇）させ、粘着性シート１２を介して半導体素子１
１を突き上げることによりピックアップする（ｔ９）。
【００３４】ピックアップの終了後（ｔ１０）、バック
アップフォルダ１５内のバキューム吸引を終了して大気
圧へと戻し（ｔ１１）、次にピックアップする半導体素
子１１の位置へ固定テーブルを移動し（ｔ１２）、上述
した動作を繰り返す。
【００３５】そして、粘着性シート１２からピックアッ
プした個々の半導体素子１１は、リードフレームやＴＡ
Ｂテープへの実装工程、樹脂パッケージ等への封止工程
を経て半導体装置が完成する。
【００３６】上記のような製造方法によれば、基本的に
は上述した第１の実施の形態と同様な作用効果が得られ
る。また、位置検出及びマーク検出のためにバックアッ
プフォルダ１５内をバキュームで吸引した後、これらの
検出結果に基づいて半導体素子１１の中央と突き上げピ
ン１３による突き上げのセンターを合わせる際に、バキ
ュームを停止するので、固定テーブルを容易に移動でき
る。
【００３７】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、薄型化された半導体素子であっても、半導体素子の
位置検出や良品／不良品を判別するためのマーク検出が
確実且つ容易にできる半導体装置の製造方法が得られ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１の実施の形態に係る半導体装置
の製造方法について説明するためのもので、半導体素子
を粘着性シートからピックアップする工程を示す断面
図。
【図２】半導体素子を粘着性シートからピックアップす
る工程に関係する固定テーブルの移動動作、検出動作、
バックアップフォルダ内のバキューム動作、及び突き上
げピンによる突き上げ動作について説明するためのタイ
ミングチャート。
【図３】この発明の第２の実施の形態に係る半導体装置
の製造方法について説明するためのもので、半導体素子
を粘着性シートからピックアップする工程に関係する固
定テーブルの移動動作、検出動作、バックアップフォル
ダ内のバキューム動作、及び突き上げピンによる突き上
げ動作の他の例について説明するためのタイミングチャ
ート。
【図４】従来の半導体装置の製造方法について説明する
ためのもので、半導体素子を粘着性シートからピックア
ップする工程を示す断面図。
【図５】半導体素子を粘着性シートからピックアップす
る工程に関係する固定テーブルの移動動作、検出動作、
バックアップフォルダ内のバキューム動作、及び突き上
げピンによる突き上げ動作について説明するためのタイ
ミングチャート。
【図６】半導体素子の反りについて説明するためのもの
で、（ａ）図は半導体素子の表面を長辺方向に沿ってス
キャンした時の測定結果を示す図、（ｂ）図は半導体素
子の表面を短辺方向に沿ってスキャンした時の測定結果
を示す図。
【符号の説明】
１１…半導体素子（チップまたはペレット） １２…粘着性シート １３…突き上げピン １４…ＴＶカメラ（光学系） １５…バックアップフォルダ １６…突き上げピンフォルダ

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体ウェーハを個片化して形成した複
    数の半導体素子を粘着性シートに接着する工程と、 前記半導体素子と粘着性シートをバキュームで吸引し、
    半導体素子の反りを戻した状態で半導体素子の位置検
    出、及び良品／不良品を判別するためのマーク検出を行
    う工程と、 前記各半導体素子を粘着性シートから剥離する工程と を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  2. 【請求項２】 前記各半導体素子の厚さはそれぞれ、１
    ００μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の
    半導体装置の製造方法。
  3. 【請求項３】 前記位置検出、及び良品／不良品を判別
    するためのマーク検出を行う工程は、バックアップフォ
    ルダ内をバキュームで吸引することにより、個々の半導
    体素子と粘着性シートの反りを強制的に平らな状態へと
    戻し、この状態で光学系を用いてモニタして得たデータ
    を二値化または多値化して、位置検出、及び良品／不良
    品を判別するためのマーク検出を行うものであることを
    特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置の製造
    方法。
  4. 【請求項４】 前記各半導体素子を粘着性シートから剥
    離する工程は、前記粘着性シートにおける半導体素子の
    接着面の裏面側から突き上げピンにより半導体素子を突
    き上げ、粘着性シートから半導体素子を剥がすものであ
    ることを特徴とする請求項１乃至３いずれか１つの項に
    記載の半導体装置の製造方法。
  5. 【請求項５】 前記各半導体素子を粘着性シートから剥
    離する工程は、バックアップフォルダ内をバキュームで
    吸引することにより、個々の半導体素子と粘着性シート
    の反りを強制的に平らな状態へと戻した状態で、前記粘
    着性シートにおける半導体素子の接着面の裏面側から突
    き上げピンにより半導体素子を突き上げ、粘着性シート
    から半導体素子を剥がすものであることを特徴とする請
    求項１乃至３いずれか１つの項に記載の半導体装置の製
    造方法。
  6. 【請求項６】 粘着性シートから剥離する対象となる半
    導体素子の位置に突き上げピンが対応するように固定テ
    ーブルを移動させるステップと、 バックアップフォルダ内をバキュームで吸引し、半導体
    素子の反りを強制的に平らな状態へと戻すステップと、 バックアップフォルダ内をバキュームで吸引した状態
    で、光学系を用いて半導体素子をモニタし、このモニタ
    で得たデータを二値化もしくは多値化して半導体素子の
    位置検出、及び良品／不良品を判別するためのマーク検
    出を行うステップと、 バックアップフォルダ内をバキュームで吸引した状態
    で、突き上げピンにより粘着性シートを介して半導体素
    子を剥離するステップとを具備することを特徴とする半
    導体装置の製造方法。
  7. 【請求項７】 前記半導体素子を剥離するステップの後
    に、前記バックアップフォルダ内のバキューム吸引を終
    了して大気圧へと戻すステップと、次に剥離する半導体
    素子の位置へ固定テーブルを移動するステップとを更に
    具備することを特徴とする請求項６に記載の半導体装置
    の製造方法。
JP37352799A 1999-12-28 1999-12-28 半導体装置の製造方法 Pending JP2001189326A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP37352799A JP2001189326A (ja) 1999-12-28 1999-12-28 半導体装置の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP37352799A JP2001189326A (ja) 1999-12-28 1999-12-28 半導体装置の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001189326A true JP2001189326A (ja) 2001-07-10

Family

ID=18502316

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP37352799A Pending JP2001189326A (ja) 1999-12-28 1999-12-28 半導体装置の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001189326A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005044949A (ja) * 2003-07-25 2005-02-17 Hitachi High-Technologies Corp 半導体チップの選別装置、半導体チップの選別方法、及び半導体チップの製造方法
WO2012137902A1 (ja) * 2011-04-07 2012-10-11 日産自動車株式会社 位置検出装置および位置検出方法
CN104106174A (zh) * 2012-02-13 2014-10-15 日产自动车株式会社 电池按压装置和电池按压方法
KR101513471B1 (ko) * 2013-12-27 2015-04-20 주식회사 로보스타 엠엘씨씨칩어레이 플레이트 절곡장치

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005044949A (ja) * 2003-07-25 2005-02-17 Hitachi High-Technologies Corp 半導体チップの選別装置、半導体チップの選別方法、及び半導体チップの製造方法
WO2012137902A1 (ja) * 2011-04-07 2012-10-11 日産自動車株式会社 位置検出装置および位置検出方法
JP2012227124A (ja) * 2011-04-07 2012-11-15 Nissan Motor Co Ltd 位置検出装置および位置検出方法
CN103443990A (zh) * 2011-04-07 2013-12-11 日产自动车株式会社 位置检测装置和位置检测方法
TWI472080B (zh) * 2011-04-07 2015-02-01 Nissan Motor A position detecting device and a position detecting method
US9310194B2 (en) 2011-04-07 2016-04-12 Nissan Motor Co., Ltd. Position detection device and position detection method
CN104106174A (zh) * 2012-02-13 2014-10-15 日产自动车株式会社 电池按压装置和电池按压方法
EP2816652A4 (en) * 2012-02-13 2015-10-07 Nissan Motor BATTERY PRESSING DEVICE AND BATTERY PRESSING METHOD
US9634348B2 (en) 2012-02-13 2017-04-25 Nissan Motor Co., Ltd. Battery pressing device and battery pressing method
KR101513471B1 (ko) * 2013-12-27 2015-04-20 주식회사 로보스타 엠엘씨씨칩어레이 플레이트 절곡장치

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW569355B (en) Ablation means for adhesive tape, ablation device for adhesive tape, ablation method for adhesive tape, pick-up device for semiconductor chip, pick-up method for semiconductor chips, manufacturing method and device for semiconductor device
US20240021572A1 (en) Die processing
US6297131B1 (en) Semiconductor device manufacturing method for grinding and dicing a wafer from a back side of the wafer
US9576854B2 (en) Peeling apparatus, peeling system, and peeling method
US20190148333A1 (en) Method for bonding wafers and bonding tool
TWI734030B (zh) 半導體製造裝置及半導體裝置之製造方法
JP2000162275A (ja) 半導体試験方法及び半導体試験装置
Phommahaxay et al. Enabling ultra-thin die to wafer hybrid bonding for future heterogeneous integrated systems
KR102654506B1 (ko) 웨이퍼 분리 방법 및 웨이퍼 분리 장치
TW201725390A (zh) 缺陷檢查裝置
CN111952235B (zh) 半导体制造装置及半导体装置的制造方法
JPH0794563A (ja) 半導体基板の異物除去装置
JP2001189326A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2002118153A (ja) 電子部品の製造方法及び実装装置
JP2006351848A (ja) コレット、角錐コレット、ダイボンディング装置、及びダイボンディング方法
EP2284863A1 (en) Method and apparatus for inspecting a chip prior to bonding
JPH1064958A (ja) ボンディング方法および装置
TWI761582B (zh) 外觀檢查裝置暨電路基板之製造方法
JP2011044497A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2606890B2 (ja) 半導体チップのピックアップ方法
JP2004153270A (ja) 半導体素子の分離方法およびその装置並びに半導体素子の搭載方法
JP2010040821A (ja) 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
JP4093930B2 (ja) フレーム搬送プローバ
KR102336913B1 (ko) 다이 이송 방법
CN110632093A (zh) 电子元件检测设备

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20031226

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20040323