JP2001189326A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JP2001189326A JP2001189326A JP37352799A JP37352799A JP2001189326A JP 2001189326 A JP2001189326 A JP 2001189326A JP 37352799 A JP37352799 A JP 37352799A JP 37352799 A JP37352799 A JP 37352799A JP 2001189326 A JP2001189326 A JP 2001189326A
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- semiconductor device
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- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68318—Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
- H01L2221/68322—Auxiliary support including means facilitating the selective separation of some of a plurality of devices from the auxiliary support
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- Die Bonding (AREA)
- Dicing (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】薄型化された半導体素子であっても、半導体素
子の位置検出や良品/不良品を判別するためのマーク検
出が確実且つ容易にできる半導体装置の製造方法を提供
することを目的としている。 【解決手段】半導体ウェーハを個片化して形成した厚さ
100μm以下の複数の半導体素子11,11,…を粘
着性シート12に接着し、バックアップフォルダ内をバ
キュームで吸引することにより、半導体素子の反りを強
制的に戻した状態で位置検出、及び良品/不良品を判別
するためのマーク検出を行い、引き続き、各半導体素子
を粘着性シートからピックアップすることを特徴とす
る。半導体素子と粘着性シートをバキュームで吸引し
て、半導体素子の反りを戻した状態で位置検出とマーク
検出を行うので、半導体素子の反りによる影響をなくす
ことができ、確実に且つ容易に検出が行える。
子の位置検出や良品/不良品を判別するためのマーク検
出が確実且つ容易にできる半導体装置の製造方法を提供
することを目的としている。 【解決手段】半導体ウェーハを個片化して形成した厚さ
100μm以下の複数の半導体素子11,11,…を粘
着性シート12に接着し、バックアップフォルダ内をバ
キュームで吸引することにより、半導体素子の反りを強
制的に戻した状態で位置検出、及び良品/不良品を判別
するためのマーク検出を行い、引き続き、各半導体素子
を粘着性シートからピックアップすることを特徴とす
る。半導体素子と粘着性シートをバキュームで吸引し
て、半導体素子の反りを戻した状態で位置検出とマーク
検出を行うので、半導体素子の反りによる影響をなくす
ことができ、確実に且つ容易に検出が行える。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体装置の製
造方法に関するもので、特に半導体素子の厚さが100
μm以下の薄いものにおいて、複数の半導体素子を粘着
性のシートに接着(転写)した後、各半導体素子を粘着
性シートからピックアップ(剥離)する工程での半導体
素子の位置検出、及び良品/不良品を判別するためのマ
ーク検出を行う方法に係る。
造方法に関するもので、特に半導体素子の厚さが100
μm以下の薄いものにおいて、複数の半導体素子を粘着
性のシートに接着(転写)した後、各半導体素子を粘着
性シートからピックアップ(剥離)する工程での半導体
素子の位置検出、及び良品/不良品を判別するためのマ
ーク検出を行う方法に係る。
【0002】
【従来の技術】一般に、素子形成の終了した半導体ウェ
ーハは、ダイシングラインやチップ分割ラインに沿って
分離され、個片化されて複数の半導体素子(チップまた
はペレット)が形成される。これらの半導体素子は粘着
性のシートに接着(転写)された後、各半導体素子が粘
着性シートからピックアップされ、マウント工程やパッ
ケージへの封止工程等を経て半導体装置が完成される。
ーハは、ダイシングラインやチップ分割ラインに沿って
分離され、個片化されて複数の半導体素子(チップまた
はペレット)が形成される。これらの半導体素子は粘着
性のシートに接着(転写)された後、各半導体素子が粘
着性シートからピックアップされ、マウント工程やパッ
ケージへの封止工程等を経て半導体装置が完成される。
【0003】図4は、上記各半導体素子を粘着性シート
からピックアップする工程を示す断面図である。また、
図5は、上記ピックアップ工程に関係する固定テーブル
の移動動作、位置検出や良品/不良品を判別するための
マーク検出動作、バックアップフォルダ内のバキューム
動作、及び突き上げピンによる突き上げ動作について説
明するためのタイミングチャートである。
からピックアップする工程を示す断面図である。また、
図5は、上記ピックアップ工程に関係する固定テーブル
の移動動作、位置検出や良品/不良品を判別するための
マーク検出動作、バックアップフォルダ内のバキューム
動作、及び突き上げピンによる突き上げ動作について説
明するためのタイミングチャートである。
【0004】図4及び図5に示すように、従来は、複数
の半導体素子11,11,…を粘着性シート12に接着
した後、リング状の治具で固定し、この治具をピックア
ップ装置の固定テーブルに装着する。そして、まずピッ
クアップする半導体素子11が突き上げピン13上に位
置するように、固定テーブルを移動させる(t1)。次
に、上記ピックアップの対象となる半導体素子11を光
学系、例えばTVカメラ14でモニタし、このモニタし
て得た画像データを二値化または多値化して半導体素子
11の位置検出や良品/不良品を判別するためのマーク
検出を行う(t2)。その後、バックアップフォルダ1
5内をバキュームで吸引し(t3)、ピックアップする
半導体素子11と粘着性シート12を吸着した状態で、
突き上げピンフォルダ16から突き上げピン13を突出
(上昇)させ、粘着性シート12を介して半導体素子1
1を突き上げることによりピックアップしている(t
4)。
の半導体素子11,11,…を粘着性シート12に接着
した後、リング状の治具で固定し、この治具をピックア
ップ装置の固定テーブルに装着する。そして、まずピッ
クアップする半導体素子11が突き上げピン13上に位
置するように、固定テーブルを移動させる(t1)。次
に、上記ピックアップの対象となる半導体素子11を光
学系、例えばTVカメラ14でモニタし、このモニタし
て得た画像データを二値化または多値化して半導体素子
11の位置検出や良品/不良品を判別するためのマーク
検出を行う(t2)。その後、バックアップフォルダ1
5内をバキュームで吸引し(t3)、ピックアップする
半導体素子11と粘着性シート12を吸着した状態で、
突き上げピンフォルダ16から突き上げピン13を突出
(上昇)させ、粘着性シート12を介して半導体素子1
1を突き上げることによりピックアップしている(t
4)。
【0005】ところで、近年は、半導体素子を例えばカ
ード状のパッケージに実装するために、半導体素子の薄
型化が強く望まれており、半導体ウェーハの裏面を研磨
及び研削して100μm以下にまで薄くしている。
ード状のパッケージに実装するために、半導体素子の薄
型化が強く望まれており、半導体ウェーハの裏面を研磨
及び研削して100μm以下にまで薄くしている。
【0006】しかし、半導体素子を100μm以下にま
で薄くすると反りが発生し、半導体素子11の位置検出
や良品/不良品を判別するためのマーク検出を行う工程
において、TVカメラ14での検出ができないという問
題が発生している。例えば、6mm角の半導体素子で、
厚さΔDが50μmの場合、反り量ΔLは50μmにも
達する。
で薄くすると反りが発生し、半導体素子11の位置検出
や良品/不良品を判別するためのマーク検出を行う工程
において、TVカメラ14での検出ができないという問
題が発生している。例えば、6mm角の半導体素子で、
厚さΔDが50μmの場合、反り量ΔLは50μmにも
達する。
【0007】図6(a)は、薄型化(ΔD=50μm)
した半導体素子の表面を長辺方向に沿ってスキャンした
時の測定結果を示す図、図6(b)は同半導体素子の表
面を短辺方向に沿ってスキャンした時の測定結果を示す
図である。図6(a)に示すように、長辺方向での反り
量ΔL1は52μmであり、図6(b)に示すように、
短辺方向での反り量ΔL2は44.4μmであった。
した半導体素子の表面を長辺方向に沿ってスキャンした
時の測定結果を示す図、図6(b)は同半導体素子の表
面を短辺方向に沿ってスキャンした時の測定結果を示す
図である。図6(a)に示すように、長辺方向での反り
量ΔL1は52μmであり、図6(b)に示すように、
短辺方向での反り量ΔL2は44.4μmであった。
【0008】半導体素子に、このような大きな反りが発
生すると、半導体素子11の表面からの光がTVカメラ
14のレンズに到達せず、コーナー部が暗くなったり、
二値化画像全体が暗くなったりしてしまい、半導体素子
11の位置検出が困難になったり、良品/不良品を判別
するためのマーク検出ができない。
生すると、半導体素子11の表面からの光がTVカメラ
14のレンズに到達せず、コーナー部が暗くなったり、
二値化画像全体が暗くなったりしてしまい、半導体素子
11の位置検出が困難になったり、良品/不良品を判別
するためのマーク検出ができない。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】上記のように従来の半
導体装置の製造方法は、半導体素子を薄型化した時に発
生する反りによって、半導体素子の位置検出や良品/不
良品を判別するためのマーク検出ができなくなるという
問題があった。
導体装置の製造方法は、半導体素子を薄型化した時に発
生する反りによって、半導体素子の位置検出や良品/不
良品を判別するためのマーク検出ができなくなるという
問題があった。
【0010】この発明は上記のような事情に鑑みてなさ
れたもので、その目的とするところは、薄型化された半
導体素子であっても、半導体素子の位置検出や良品/不
良品を判別するためのマーク検出が確実且つ容易にでき
る半導体装置の製造方法を提供することにある。
れたもので、その目的とするところは、薄型化された半
導体素子であっても、半導体素子の位置検出や良品/不
良品を判別するためのマーク検出が確実且つ容易にでき
る半導体装置の製造方法を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】この発明の半導体装置の
製造方法は、半導体ウェーハを個片化して形成した複数
の半導体素子を粘着性シートに接着する工程と、前記半
導体素子と粘着性シートをバキュームで吸引し、半導体
素子の反りを戻した状態で半導体素子の位置検出、及び
良品/不良品を判別するためのマーク検出を行う工程
と、前記各半導体素子を粘着性シートから剥離する工程
とを具備することを特徴としている。
製造方法は、半導体ウェーハを個片化して形成した複数
の半導体素子を粘着性シートに接着する工程と、前記半
導体素子と粘着性シートをバキュームで吸引し、半導体
素子の反りを戻した状態で半導体素子の位置検出、及び
良品/不良品を判別するためのマーク検出を行う工程
と、前記各半導体素子を粘着性シートから剥離する工程
とを具備することを特徴としている。
【0012】また、下記(a)〜(d)のような特徴を
備えている。
備えている。
【0013】(a)前記各半導体素子の厚さはそれぞ
れ、100μm以下である。
れ、100μm以下である。
【0014】(b)前記位置検出、及び良品/不良品を
判別するためのマーク検出を行う工程は、バックアップ
フォルダ内をバキュームで吸引することにより、個々の
半導体素子と粘着性シートの反りを強制的に平らな状態
へと戻し、この状態で光学系を用いてモニタして得たデ
ータを二値化または多値化して、位置検出、及び良品/
不良品を判別するためのマーク検出を行うものである。
判別するためのマーク検出を行う工程は、バックアップ
フォルダ内をバキュームで吸引することにより、個々の
半導体素子と粘着性シートの反りを強制的に平らな状態
へと戻し、この状態で光学系を用いてモニタして得たデ
ータを二値化または多値化して、位置検出、及び良品/
不良品を判別するためのマーク検出を行うものである。
【0015】(c)前記各半導体素子を粘着性シートか
ら剥離する工程は、前記粘着性シートにおける半導体素
子の接着面の裏面側から突き上げピンにより半導体素子
を突き上げ、粘着性シートから半導体素子を剥がすもの
である。
ら剥離する工程は、前記粘着性シートにおける半導体素
子の接着面の裏面側から突き上げピンにより半導体素子
を突き上げ、粘着性シートから半導体素子を剥がすもの
である。
【0016】(d)前記各半導体素子を粘着性シートか
ら剥離する工程は、バックアップフォルダ内をバキュー
ムで吸引することにより、個々の半導体素子と粘着性シ
ートの反りを強制的に平らな状態へと戻した状態で、前
記粘着性シートにおける半導体素子の接着面の裏面側か
ら突き上げピンにより半導体素子を突き上げ、粘着性シ
ートから半導体素子を剥がすものである。
ら剥離する工程は、バックアップフォルダ内をバキュー
ムで吸引することにより、個々の半導体素子と粘着性シ
ートの反りを強制的に平らな状態へと戻した状態で、前
記粘着性シートにおける半導体素子の接着面の裏面側か
ら突き上げピンにより半導体素子を突き上げ、粘着性シ
ートから半導体素子を剥がすものである。
【0017】更に、この発明の半導体装置の製造方法
は、粘着性シートから剥離する対象となる半導体素子の
位置に突き上げピンが対応するように固定テーブルを移
動させるステップと、バックアップフォルダ内をバキュ
ームで吸引し、半導体素子の反りを強制的に平らな状態
へと戻すステップと、バックアップフォルダ内をバキュ
ームで吸引した状態で、光学系を用いて半導体素子をモ
ニタし、このモニタで得たデータを二値化もしくは多値
化して半導体素子の位置検出、及び良品/不良品を判別
するためのマーク検出を行うステップと、バックアップ
フォルダ内をバキュームで吸引した状態で、突き上げピ
ンにより粘着性シートを介して半導体素子を剥離するス
テップとを具備することを特徴としている。
は、粘着性シートから剥離する対象となる半導体素子の
位置に突き上げピンが対応するように固定テーブルを移
動させるステップと、バックアップフォルダ内をバキュ
ームで吸引し、半導体素子の反りを強制的に平らな状態
へと戻すステップと、バックアップフォルダ内をバキュ
ームで吸引した状態で、光学系を用いて半導体素子をモ
ニタし、このモニタで得たデータを二値化もしくは多値
化して半導体素子の位置検出、及び良品/不良品を判別
するためのマーク検出を行うステップと、バックアップ
フォルダ内をバキュームで吸引した状態で、突き上げピ
ンにより粘着性シートを介して半導体素子を剥離するス
テップとを具備することを特徴としている。
【0018】また、次のような特徴を備えている。
【0019】前記半導体素子を剥離するステップの後
に、前記バックアップフォルダ内のバキューム吸引を終
了して大気圧へと戻すステップと、次に剥離する半導体
素子の位置へ固定テーブルを移動するステップとを更に
具備する。
に、前記バックアップフォルダ内のバキューム吸引を終
了して大気圧へと戻すステップと、次に剥離する半導体
素子の位置へ固定テーブルを移動するステップとを更に
具備する。
【0020】上記のような製造方法によれば、半導体素
子と粘着性シートをバキュームで吸引して、半導体素子
の反りを強制的に戻した状態で位置検出、及び良品/不
良品を判別するためのマーク検出を行うので、半導体素
子の反りによる影響をなくすことができ、確実に且つ容
易に検出が行える。
子と粘着性シートをバキュームで吸引して、半導体素子
の反りを強制的に戻した状態で位置検出、及び良品/不
良品を判別するためのマーク検出を行うので、半導体素
子の反りによる影響をなくすことができ、確実に且つ容
易に検出が行える。
【0021】また、上記位置検出やマーク検出を行う工
程は、バックアップフォルダ内をバキュームで吸引すれ
ば良く、光学系を用いてモニタして得た画像データを二
値化または多値化することにより、位置検出、及び良品
/不良品を判別するためのマーク検出を容易化できる。
程は、バックアップフォルダ内をバキュームで吸引すれ
ば良く、光学系を用いてモニタして得た画像データを二
値化または多値化することにより、位置検出、及び良品
/不良品を判別するためのマーク検出を容易化できる。
【0022】更に、上記のような製造方法によれば、バ
ックアップフォルダ内をバキュームで吸引した状態を維
持し、半導体素子の反りを強制的に戻した状態で位置検
出とマーク検出、及び剥離工程を連続して確実且つ容易
に行うことができる。
ックアップフォルダ内をバキュームで吸引した状態を維
持し、半導体素子の反りを強制的に戻した状態で位置検
出とマーク検出、及び剥離工程を連続して確実且つ容易
に行うことができる。
【0023】半導体素子の剥離後に、バックアップフォ
ルダ内を大気圧へ戻し、固定テーブルを次に剥離する半
導体素子の位置へ移動すれば、粘着性シートから半導体
素子を連続的に剥離できる。
ルダ内を大気圧へ戻し、固定テーブルを次に剥離する半
導体素子の位置へ移動すれば、粘着性シートから半導体
素子を連続的に剥離できる。
【0024】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて図面を参照して説明する。図1及び図2はそれぞ
れ、この発明の第1の実施の形態に係る半導体装置の製
造方法について説明するためのもので、図1は各半導体
素子を粘着性シートからピックアップする工程を示す断
面図、図2は上記ピックアップ工程に関係する固定テー
ブルの移動動作、位置検出や良品/不良品を判別するた
めのマーク検出動作、バックアップフォルダ内のバキュ
ーム動作、及び突き上げピンによる突き上げ動作につい
て説明するためのタイミングチャートである。
いて図面を参照して説明する。図1及び図2はそれぞ
れ、この発明の第1の実施の形態に係る半導体装置の製
造方法について説明するためのもので、図1は各半導体
素子を粘着性シートからピックアップする工程を示す断
面図、図2は上記ピックアップ工程に関係する固定テー
ブルの移動動作、位置検出や良品/不良品を判別するた
めのマーク検出動作、バックアップフォルダ内のバキュ
ーム動作、及び突き上げピンによる突き上げ動作につい
て説明するためのタイミングチャートである。
【0025】まず、周知の種々のプロセスにより半導体
ウェーハの表面に素子を形成する。この素子形成の終了
した半導体ウェーハを、ダイシングラインまたはチップ
分割ラインに沿って分離し、個片化して複数の半導体素
子(チップまたはペレット)を形成する。この際、上記
半導体ウェーハにおける素子形成面の裏面側を研削及び
研磨することにより、個片化した各半導体素子の厚さを
100μm以下、例えば50μmにする。これら複数の
半導体素子11,11,…を粘着性シート12に接着
(転写)した後、例えばリング状の治具で固定し、この
治具をピックアップ装置の固定テーブルに装着する。
ウェーハの表面に素子を形成する。この素子形成の終了
した半導体ウェーハを、ダイシングラインまたはチップ
分割ラインに沿って分離し、個片化して複数の半導体素
子(チップまたはペレット)を形成する。この際、上記
半導体ウェーハにおける素子形成面の裏面側を研削及び
研磨することにより、個片化した各半導体素子の厚さを
100μm以下、例えば50μmにする。これら複数の
半導体素子11,11,…を粘着性シート12に接着
(転写)した後、例えばリング状の治具で固定し、この
治具をピックアップ装置の固定テーブルに装着する。
【0026】次に、図1及び図2に示す如く、ピックア
ップ(剥離)する対象となる半導体素子11に突き上げ
ピン13が対応するように、固定テーブルを移動させる
(t1)。その後、バックアップフォルダ15内をバキ
ューム(例えば500mHg)で吸引し、ピックアップ
する半導体素子11の反りを強制的に平らな状態へと戻
す(t2)。この状態を維持することにより、半導体素
子11の反りを低減した状態で光学系、例えばTVカメ
ラ14を用いてこの半導体素子11の表面をモニタし、
このモニタで得た画像データを二値化もしくは多値化し
て半導体素子11の位置検出、及び良品/不良品を判別
するためのマーク検出を行う(t3)。引き続き、バッ
クアップフォルダ15内をバキュームで吸引しつつ、突
き上げピンフォルダ16から突き上げピン13を突出
(上昇)させ、粘着性シート12を介して半導体素子1
1を突き上げることによりピックアップする(t4)。
ップ(剥離)する対象となる半導体素子11に突き上げ
ピン13が対応するように、固定テーブルを移動させる
(t1)。その後、バックアップフォルダ15内をバキ
ューム(例えば500mHg)で吸引し、ピックアップ
する半導体素子11の反りを強制的に平らな状態へと戻
す(t2)。この状態を維持することにより、半導体素
子11の反りを低減した状態で光学系、例えばTVカメ
ラ14を用いてこの半導体素子11の表面をモニタし、
このモニタで得た画像データを二値化もしくは多値化し
て半導体素子11の位置検出、及び良品/不良品を判別
するためのマーク検出を行う(t3)。引き続き、バッ
クアップフォルダ15内をバキュームで吸引しつつ、突
き上げピンフォルダ16から突き上げピン13を突出
(上昇)させ、粘着性シート12を介して半導体素子1
1を突き上げることによりピックアップする(t4)。
【0027】ピックアップの終了後、バックアップフォ
ルダ15内のバキューム吸引を終了して大気圧へと戻し
(t5)、次にピックアップする半導体素子の位置へ固
定テーブルを移動し(t6)、上述した動作を繰り返
す。
ルダ15内のバキューム吸引を終了して大気圧へと戻し
(t5)、次にピックアップする半導体素子の位置へ固
定テーブルを移動し(t6)、上述した動作を繰り返
す。
【0028】そして、粘着性シート12からピックアッ
プした個々の半導体素子11は、リードフレームやTA
Bテープへの実装工程、樹脂パッケージ等への封止工程
を経て半導体装置が完成する。
プした個々の半導体素子11は、リードフレームやTA
Bテープへの実装工程、樹脂パッケージ等への封止工程
を経て半導体装置が完成する。
【0029】上記のような製造方法によれば、半導体素
子11と粘着性シート12をバキュームで吸引して、半
導体素子11の反りを戻した状態で位置検出、及び良品
/不良品を判別するためのマーク検出を行うので、半導
体素子11の反りによる影響をなくすことができ、確実
に且つ容易に検出が行える。
子11と粘着性シート12をバキュームで吸引して、半
導体素子11の反りを戻した状態で位置検出、及び良品
/不良品を判別するためのマーク検出を行うので、半導
体素子11の反りによる影響をなくすことができ、確実
に且つ容易に検出が行える。
【0030】また、バックアップフォルダ15内をバキ
ュームで吸引した状態を維持しつつ、半導体素子11の
位置検出とマーク検出、及びピックアップ工程を連続し
て確実且つ容易に行うことができる。
ュームで吸引した状態を維持しつつ、半導体素子11の
位置検出とマーク検出、及びピックアップ工程を連続し
て確実且つ容易に行うことができる。
【0031】更に、半導体素子11のピックアップ後
に、バックアップフォルダ15内を大気圧へ戻し、固定
テーブルを次にピックアップする半導体素子11の位置
へ移動するので、粘着性シート12から半導体素子11
を連続してピックアップできる。
に、バックアップフォルダ15内を大気圧へ戻し、固定
テーブルを次にピックアップする半導体素子11の位置
へ移動するので、粘着性シート12から半導体素子11
を連続してピックアップできる。
【0032】図3は、この発明の第2の実施の形態に係
る半導体装置の製造方法について説明するためのもの
で、半導体素子を粘着性シートからピックアップする工
程に関係する固定テーブルの移動動作、検出動作、バッ
クアップフォルダ内のバキューム動作、及び突き上げピ
ンによる突き上げ動作の他の例について説明するための
タイミングチャートである。
る半導体装置の製造方法について説明するためのもの
で、半導体素子を粘着性シートからピックアップする工
程に関係する固定テーブルの移動動作、検出動作、バッ
クアップフォルダ内のバキューム動作、及び突き上げピ
ンによる突き上げ動作の他の例について説明するための
タイミングチャートである。
【0033】まず、ピックアップ(剥離)する対象とな
る半導体素子11に突き上げピン13が対応するよう
に、固定テーブルを移動させる(t1)。その後、バッ
クアップフォルダ15内をバキューム(例えば500m
Hg)で吸引し、ピックアップする半導体素子11の反
りを強制的に平らな状態へと戻す(t2)。この状態を
維持することにより、半導体素子11の反りを低減した
状態で光学系、例えばTVカメラ14を用いてこの半導
体素子11の表面をモニタし、このモニタで得た画像デ
ータを二値化もしくは多値化して半導体素子11の位置
検出、及び良品/不良品を判別するためのマーク検出を
行う(t3)。位置検出とマーク検出の終了後(t
4)、バキュームを停止し(t5)、上記位置検出とマ
ーク検出結果に基づいて、良品の半導体素子11の中央
と突き上げピン13による突き上げのセンターを合わせ
るために、固定テーブルを移動させる(t6)。そし
て、固定テーブルの移動終了後(t7)、再びバックア
ップフォルダ15内をバキュームで吸引し(t8)、突
き上げピンフォルダ16から突き上げピン13を突出
(上昇)させ、粘着性シート12を介して半導体素子1
1を突き上げることによりピックアップする(t9)。
る半導体素子11に突き上げピン13が対応するよう
に、固定テーブルを移動させる(t1)。その後、バッ
クアップフォルダ15内をバキューム(例えば500m
Hg)で吸引し、ピックアップする半導体素子11の反
りを強制的に平らな状態へと戻す(t2)。この状態を
維持することにより、半導体素子11の反りを低減した
状態で光学系、例えばTVカメラ14を用いてこの半導
体素子11の表面をモニタし、このモニタで得た画像デ
ータを二値化もしくは多値化して半導体素子11の位置
検出、及び良品/不良品を判別するためのマーク検出を
行う(t3)。位置検出とマーク検出の終了後(t
4)、バキュームを停止し(t5)、上記位置検出とマ
ーク検出結果に基づいて、良品の半導体素子11の中央
と突き上げピン13による突き上げのセンターを合わせ
るために、固定テーブルを移動させる(t6)。そし
て、固定テーブルの移動終了後(t7)、再びバックア
ップフォルダ15内をバキュームで吸引し(t8)、突
き上げピンフォルダ16から突き上げピン13を突出
(上昇)させ、粘着性シート12を介して半導体素子1
1を突き上げることによりピックアップする(t9)。
【0034】ピックアップの終了後(t10)、バック
アップフォルダ15内のバキューム吸引を終了して大気
圧へと戻し(t11)、次にピックアップする半導体素
子11の位置へ固定テーブルを移動し(t12)、上述
した動作を繰り返す。
アップフォルダ15内のバキューム吸引を終了して大気
圧へと戻し(t11)、次にピックアップする半導体素
子11の位置へ固定テーブルを移動し(t12)、上述
した動作を繰り返す。
【0035】そして、粘着性シート12からピックアッ
プした個々の半導体素子11は、リードフレームやTA
Bテープへの実装工程、樹脂パッケージ等への封止工程
を経て半導体装置が完成する。
プした個々の半導体素子11は、リードフレームやTA
Bテープへの実装工程、樹脂パッケージ等への封止工程
を経て半導体装置が完成する。
【0036】上記のような製造方法によれば、基本的に
は上述した第1の実施の形態と同様な作用効果が得られ
る。また、位置検出及びマーク検出のためにバックアッ
プフォルダ15内をバキュームで吸引した後、これらの
検出結果に基づいて半導体素子11の中央と突き上げピ
ン13による突き上げのセンターを合わせる際に、バキ
ュームを停止するので、固定テーブルを容易に移動でき
る。
は上述した第1の実施の形態と同様な作用効果が得られ
る。また、位置検出及びマーク検出のためにバックアッ
プフォルダ15内をバキュームで吸引した後、これらの
検出結果に基づいて半導体素子11の中央と突き上げピ
ン13による突き上げのセンターを合わせる際に、バキ
ュームを停止するので、固定テーブルを容易に移動でき
る。
【0037】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、薄型化された半導体素子であっても、半導体素子の
位置検出や良品/不良品を判別するためのマーク検出が
確実且つ容易にできる半導体装置の製造方法が得られ
る。
ば、薄型化された半導体素子であっても、半導体素子の
位置検出や良品/不良品を判別するためのマーク検出が
確実且つ容易にできる半導体装置の製造方法が得られ
る。
【図1】この発明の第1の実施の形態に係る半導体装置
の製造方法について説明するためのもので、半導体素子
を粘着性シートからピックアップする工程を示す断面
図。
の製造方法について説明するためのもので、半導体素子
を粘着性シートからピックアップする工程を示す断面
図。
【図2】半導体素子を粘着性シートからピックアップす
る工程に関係する固定テーブルの移動動作、検出動作、
バックアップフォルダ内のバキューム動作、及び突き上
げピンによる突き上げ動作について説明するためのタイ
ミングチャート。
る工程に関係する固定テーブルの移動動作、検出動作、
バックアップフォルダ内のバキューム動作、及び突き上
げピンによる突き上げ動作について説明するためのタイ
ミングチャート。
【図3】この発明の第2の実施の形態に係る半導体装置
の製造方法について説明するためのもので、半導体素子
を粘着性シートからピックアップする工程に関係する固
定テーブルの移動動作、検出動作、バックアップフォル
ダ内のバキューム動作、及び突き上げピンによる突き上
げ動作の他の例について説明するためのタイミングチャ
ート。
の製造方法について説明するためのもので、半導体素子
を粘着性シートからピックアップする工程に関係する固
定テーブルの移動動作、検出動作、バックアップフォル
ダ内のバキューム動作、及び突き上げピンによる突き上
げ動作の他の例について説明するためのタイミングチャ
ート。
【図4】従来の半導体装置の製造方法について説明する
ためのもので、半導体素子を粘着性シートからピックア
ップする工程を示す断面図。
ためのもので、半導体素子を粘着性シートからピックア
ップする工程を示す断面図。
【図5】半導体素子を粘着性シートからピックアップす
る工程に関係する固定テーブルの移動動作、検出動作、
バックアップフォルダ内のバキューム動作、及び突き上
げピンによる突き上げ動作について説明するためのタイ
ミングチャート。
る工程に関係する固定テーブルの移動動作、検出動作、
バックアップフォルダ内のバキューム動作、及び突き上
げピンによる突き上げ動作について説明するためのタイ
ミングチャート。
【図6】半導体素子の反りについて説明するためのもの
で、(a)図は半導体素子の表面を長辺方向に沿ってス
キャンした時の測定結果を示す図、(b)図は半導体素
子の表面を短辺方向に沿ってスキャンした時の測定結果
を示す図。
で、(a)図は半導体素子の表面を長辺方向に沿ってス
キャンした時の測定結果を示す図、(b)図は半導体素
子の表面を短辺方向に沿ってスキャンした時の測定結果
を示す図。
11…半導体素子(チップまたはペレット) 12…粘着性シート 13…突き上げピン 14…TVカメラ(光学系) 15…バックアップフォルダ 16…突き上げピンフォルダ
Claims (7)
- 【請求項1】 半導体ウェーハを個片化して形成した複
数の半導体素子を粘着性シートに接着する工程と、 前記半導体素子と粘着性シートをバキュームで吸引し、
半導体素子の反りを戻した状態で半導体素子の位置検
出、及び良品/不良品を判別するためのマーク検出を行
う工程と、 前記各半導体素子を粘着性シートから剥離する工程と を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項2】 前記各半導体素子の厚さはそれぞれ、1
00μm以下であることを特徴とする請求項1に記載の
半導体装置の製造方法。 - 【請求項3】 前記位置検出、及び良品/不良品を判別
するためのマーク検出を行う工程は、バックアップフォ
ルダ内をバキュームで吸引することにより、個々の半導
体素子と粘着性シートの反りを強制的に平らな状態へと
戻し、この状態で光学系を用いてモニタして得たデータ
を二値化または多値化して、位置検出、及び良品/不良
品を判別するためのマーク検出を行うものであることを
特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造
方法。 - 【請求項4】 前記各半導体素子を粘着性シートから剥
離する工程は、前記粘着性シートにおける半導体素子の
接着面の裏面側から突き上げピンにより半導体素子を突
き上げ、粘着性シートから半導体素子を剥がすものであ
ることを特徴とする請求項1乃至3いずれか1つの項に
記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項5】 前記各半導体素子を粘着性シートから剥
離する工程は、バックアップフォルダ内をバキュームで
吸引することにより、個々の半導体素子と粘着性シート
の反りを強制的に平らな状態へと戻した状態で、前記粘
着性シートにおける半導体素子の接着面の裏面側から突
き上げピンにより半導体素子を突き上げ、粘着性シート
から半導体素子を剥がすものであることを特徴とする請
求項1乃至3いずれか1つの項に記載の半導体装置の製
造方法。 - 【請求項6】 粘着性シートから剥離する対象となる半
導体素子の位置に突き上げピンが対応するように固定テ
ーブルを移動させるステップと、 バックアップフォルダ内をバキュームで吸引し、半導体
素子の反りを強制的に平らな状態へと戻すステップと、 バックアップフォルダ内をバキュームで吸引した状態
で、光学系を用いて半導体素子をモニタし、このモニタ
で得たデータを二値化もしくは多値化して半導体素子の
位置検出、及び良品/不良品を判別するためのマーク検
出を行うステップと、 バックアップフォルダ内をバキュームで吸引した状態
で、突き上げピンにより粘着性シートを介して半導体素
子を剥離するステップとを具備することを特徴とする半
導体装置の製造方法。 - 【請求項7】 前記半導体素子を剥離するステップの後
に、前記バックアップフォルダ内のバキューム吸引を終
了して大気圧へと戻すステップと、次に剥離する半導体
素子の位置へ固定テーブルを移動するステップとを更に
具備することを特徴とする請求項6に記載の半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP37352799A JP2001189326A (ja) | 1999-12-28 | 1999-12-28 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP37352799A JP2001189326A (ja) | 1999-12-28 | 1999-12-28 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001189326A true JP2001189326A (ja) | 2001-07-10 |
Family
ID=18502316
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP37352799A Pending JP2001189326A (ja) | 1999-12-28 | 1999-12-28 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001189326A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005044949A (ja) * | 2003-07-25 | 2005-02-17 | Hitachi High-Technologies Corp | 半導体チップの選別装置、半導体チップの選別方法、及び半導体チップの製造方法 |
WO2012137902A1 (ja) * | 2011-04-07 | 2012-10-11 | 日産自動車株式会社 | 位置検出装置および位置検出方法 |
CN104106174A (zh) * | 2012-02-13 | 2014-10-15 | 日产自动车株式会社 | 电池按压装置和电池按压方法 |
KR101513471B1 (ko) * | 2013-12-27 | 2015-04-20 | 주식회사 로보스타 | 엠엘씨씨칩어레이 플레이트 절곡장치 |
-
1999
- 1999-12-28 JP JP37352799A patent/JP2001189326A/ja active Pending
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005044949A (ja) * | 2003-07-25 | 2005-02-17 | Hitachi High-Technologies Corp | 半導体チップの選別装置、半導体チップの選別方法、及び半導体チップの製造方法 |
WO2012137902A1 (ja) * | 2011-04-07 | 2012-10-11 | 日産自動車株式会社 | 位置検出装置および位置検出方法 |
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CN103443990A (zh) * | 2011-04-07 | 2013-12-11 | 日产自动车株式会社 | 位置检测装置和位置检测方法 |
TWI472080B (zh) * | 2011-04-07 | 2015-02-01 | Nissan Motor | A position detecting device and a position detecting method |
US9310194B2 (en) | 2011-04-07 | 2016-04-12 | Nissan Motor Co., Ltd. | Position detection device and position detection method |
CN104106174A (zh) * | 2012-02-13 | 2014-10-15 | 日产自动车株式会社 | 电池按压装置和电池按压方法 |
EP2816652A4 (en) * | 2012-02-13 | 2015-10-07 | Nissan Motor | BATTERY PRESSING DEVICE AND BATTERY PRESSING METHOD |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20031226 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040323 |