JP2001188240A - 透明導電膜を有する電子装置 - Google Patents
透明導電膜を有する電子装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 Al導電膜および透明導電膜を有する電子装置
において、透明導電膜用のエッチャントによるAl導電膜
の腐食の問題ならびにAl導電膜と透明導電膜との直接コ
ンタクトによる電触発生の問題を、バリア膜を用いるこ
となく解決すること。 【解決手段】 ＴＦＴ液晶装置のアクティブマトリクス
基板において、画素電極１および端子電極１１を構成す
る透明導電膜を、Ti酸化物によって形成する。Ti酸化物
のエッチングガスであるCF4O2はAlをエッチングせず、
また、Ti酸化物とAlとの間には電触が発生しない。従っ
て、画素電極１および端子電極１１を、バリア膜を介在
させることなく、Al導電膜からなるドレイン接続電極
９、および、端子１０，ソース配線３にそれぞれ直接接
続する。
において、透明導電膜用のエッチャントによるAl導電膜
の腐食の問題ならびにAl導電膜と透明導電膜との直接コ
ンタクトによる電触発生の問題を、バリア膜を用いるこ
となく解決すること。 【解決手段】 ＴＦＴ液晶装置のアクティブマトリクス
基板において、画素電極１および端子電極１１を構成す
る透明導電膜を、Ti酸化物によって形成する。Ti酸化物
のエッチングガスであるCF4O2はAlをエッチングせず、
また、Ti酸化物とAlとの間には電触が発生しない。従っ
て、画素電極１および端子電極１１を、バリア膜を介在
させることなく、Al導電膜からなるドレイン接続電極
９、および、端子１０，ソース配線３にそれぞれ直接接
続する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばＬＣＤ（液
晶ディスプレイ）やＥＣＤ（エレクトロクロミックディ
スプレイ）等の受光型表示装置、およびＥＬＤ（真性電
界効果型発光ディスプレイ）等の発光型表示装置、ある
いはＣＣＤ（電荷結合デバイス）撮像装置等に使用さ
れ、電極の少なくとも一部に透明導電膜を利用する電子
装置に関する。
晶ディスプレイ）やＥＣＤ（エレクトロクロミックディ
スプレイ）等の受光型表示装置、およびＥＬＤ（真性電
界効果型発光ディスプレイ）等の発光型表示装置、ある
いはＣＣＤ（電荷結合デバイス）撮像装置等に使用さ
れ、電極の少なくとも一部に透明導電膜を利用する電子
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）駆動
のアクティブマトリックス型液晶ディスプレイに関して
高精細、高開口率、大型化への要求が高まっている。こ
れらの要求に対応するために、上記ディスプレイなどの
電子装置には、Al（アルミニウム）等の低抵抗配線材料
が使用されるようになってきている。
のアクティブマトリックス型液晶ディスプレイに関して
高精細、高開口率、大型化への要求が高まっている。こ
れらの要求に対応するために、上記ディスプレイなどの
電子装置には、Al（アルミニウム）等の低抵抗配線材料
が使用されるようになってきている。
【０００３】上記Alによる低抵抗配線材料を用いた従来
の電子装置の一例として、高開口率ＴＦＴ表示装置の断
面図を図５に示す。この電子装置は、ガラス基板１１１
上に形成されたＴＦＴ１１２上に、ITO（錫添加酸化イ
ンジウム：Indium Tin Oxide）からなる透明導電膜を
スパッタ法によって成膜して、この透明導電膜にフォト
リソグラフィおよびエッチングを行って形成した画素電
極１１３を有する。上記ITOによる透明導電膜は、上記
ＴＦＴ１１２を含むＴＦＴ部Ａ上の画素電極１１３の他
に、ＴＣＰ（表示装置ドライバ用半導体パッケージ）取
り付け用の端子１１４を備える端子部Ｂの上に端子電極
１１５として形成されている。そして、低抵抗配線材料
としてのAlが、ゲート配線１１６やソース配線１１７，
ドレイン接続電極１１８及び端子１１４に用いられてい
る。
の電子装置の一例として、高開口率ＴＦＴ表示装置の断
面図を図５に示す。この電子装置は、ガラス基板１１１
上に形成されたＴＦＴ１１２上に、ITO（錫添加酸化イ
ンジウム：Indium Tin Oxide）からなる透明導電膜を
スパッタ法によって成膜して、この透明導電膜にフォト
リソグラフィおよびエッチングを行って形成した画素電
極１１３を有する。上記ITOによる透明導電膜は、上記
ＴＦＴ１１２を含むＴＦＴ部Ａ上の画素電極１１３の他
に、ＴＣＰ（表示装置ドライバ用半導体パッケージ）取
り付け用の端子１１４を備える端子部Ｂの上に端子電極
１１５として形成されている。そして、低抵抗配線材料
としてのAlが、ゲート配線１１６やソース配線１１７，
ドレイン接続電極１１８及び端子１１４に用いられてい
る。
【０００４】ＴＦＴ部ＡのITO製画素電極１１３は、Al
からなるドレイン接続電極１１８と直接コンタクトし、
端子部ＢのITOからなる端子電極１１５は、Alからなる
端子１１４と直接コンタクトしている。
からなるドレイン接続電極１１８と直接コンタクトし、
端子部ＢのITOからなる端子電極１１５は、Alからなる
端子１１４と直接コンタクトしている。
【０００５】しかし、この電子装置は、ITOからなる画
素電極１１３および端子電極１１５を形成する工程のう
ちのエッチング工程において、ITOの成膜不良による膜
欠損部または配線の側面から塩鉄系のエッチャントがし
み込み、Alからなるゲート配線１１６，ソース配線１１
７，ドレイン接続電極１１８及び端子１１４が腐食する
という問題があった。
素電極１１３および端子電極１１５を形成する工程のう
ちのエッチング工程において、ITOの成膜不良による膜
欠損部または配線の側面から塩鉄系のエッチャントがし
み込み、Alからなるゲート配線１１６，ソース配線１１
７，ドレイン接続電極１１８及び端子１１４が腐食する
という問題があった。
【０００６】また、Alによる電極および配線とITOによ
る透明導電膜とを直接コンタクトさせると、上記AlとIT
Oとの間の電位差によって電蝕が発生するという問題が
あった。
る透明導電膜とを直接コンタクトさせると、上記AlとIT
Oとの間の電位差によって電蝕が発生するという問題が
あった。
【０００７】以上の問題を解決した電子装置が、例えば
特開平８−１４６４６３号公報，特開平５―３２３３７
７号公報，特開平４―２０９３０号公報によって開示さ
れている。これらの公報によれば、Al電極に接して、IT
Oのエッチャントによってエッチングされない膜あるい
は層、もしくは、Alと電触反応を生じない材料、例えば
MoやMo-Crの膜あるいは層を設けている。そして、上記
膜あるいは層によって、ITO透明導電膜のエッチャント
の侵入およびAl電極とITO透明導電膜との接触を防いで
いる。図６は、Alと電蝕反応を生じない材料による膜あ
るいは層を備えた従来の電極構造の一例を示したもので
あり、図５と同一の部分は同一の参照番号を付してい
る。この電極構造では、Alによるソース配線１１７およ
びドレイン接続電極１１８に接して上側にバリア膜１２
０を設ける一方、ゲート配線１１６および端子１１４に
接して上側にバリア膜１２１を設けている。上記バリア
膜１２０は、Alとの電触反応を示さない例えばMoやMo-C
rからなる。また、バリア膜１２１は、ITOの塩鉄系のエ
ッチャントによって腐食しない膜からなる。
特開平８−１４６４６３号公報，特開平５―３２３３７
７号公報，特開平４―２０９３０号公報によって開示さ
れている。これらの公報によれば、Al電極に接して、IT
Oのエッチャントによってエッチングされない膜あるい
は層、もしくは、Alと電触反応を生じない材料、例えば
MoやMo-Crの膜あるいは層を設けている。そして、上記
膜あるいは層によって、ITO透明導電膜のエッチャント
の侵入およびAl電極とITO透明導電膜との接触を防いで
いる。図６は、Alと電蝕反応を生じない材料による膜あ
るいは層を備えた従来の電極構造の一例を示したもので
あり、図５と同一の部分は同一の参照番号を付してい
る。この電極構造では、Alによるソース配線１１７およ
びドレイン接続電極１１８に接して上側にバリア膜１２
０を設ける一方、ゲート配線１１６および端子１１４に
接して上側にバリア膜１２１を設けている。上記バリア
膜１２０は、Alとの電触反応を示さない例えばMoやMo-C
rからなる。また、バリア膜１２１は、ITOの塩鉄系のエ
ッチャントによって腐食しない膜からなる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】図７は、上記電極構造
を形成する過程を示した工程図である。この図からわか
るように、Al電極およびAl配線のパターンを形成する工
程Ｓ１１，Ｓ１６，Ｓ１７，Ｓ１８，Ｓ１９の間に、上
記バリア膜の成膜工程Ｓ１２、パターニング工程Ｓ１
３、エッチング工程Ｓ１４および剥離洗浄工程Ｓ１５が
付加されている。このように、上記従来の電子装置は、
Al電極およびAl配線を形成する工程に加えて、バリア膜
の成膜、パターニング、エッチングおよび剥離洗浄の工
程が必要であるため、電子装置の製造工程数が多くな
り、製造コストが高いという問題がある。
を形成する過程を示した工程図である。この図からわか
るように、Al電極およびAl配線のパターンを形成する工
程Ｓ１１，Ｓ１６，Ｓ１７，Ｓ１８，Ｓ１９の間に、上
記バリア膜の成膜工程Ｓ１２、パターニング工程Ｓ１
３、エッチング工程Ｓ１４および剥離洗浄工程Ｓ１５が
付加されている。このように、上記従来の電子装置は、
Al電極およびAl配線を形成する工程に加えて、バリア膜
の成膜、パターニング、エッチングおよび剥離洗浄の工
程が必要であるため、電子装置の製造工程数が多くな
り、製造コストが高いという問題がある。
【０００９】そこで、本発明の目的は、配線や電極とし
てのAl導電膜および透明電極や端子電極としての透明導
電膜を有する電子装置において、上述した透明導電膜の
エッチング工程に使用されるエッチャントによるAl導電
膜の腐食の問題ならびにAl導電膜と透明導電膜との直接
コンタクトによる電触発生の問題を、バリア膜を用いる
ことなく解決でき、従って、少ない工程数で製造が可能
なAlによる低抵抗配線材料を用いた電子装置を提供する
ことにある。
てのAl導電膜および透明電極や端子電極としての透明導
電膜を有する電子装置において、上述した透明導電膜の
エッチング工程に使用されるエッチャントによるAl導電
膜の腐食の問題ならびにAl導電膜と透明導電膜との直接
コンタクトによる電触発生の問題を、バリア膜を用いる
ことなく解決でき、従って、少ない工程数で製造が可能
なAlによる低抵抗配線材料を用いた電子装置を提供する
ことにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の電子装置は、Alからなる導電膜と、Ti酸化
物（TiOx）からなる透明導電膜とを直接接続したことを
特徴としている。
め、本発明の電子装置は、Alからなる導電膜と、Ti酸化
物（TiOx）からなる透明導電膜とを直接接続したことを
特徴としている。
【００１１】Ti酸化物からなる透明導電膜は、Alに対し
てエッチング効果のないCF4O2を用いてドライエッチン
グでエッチングできるので、上記透明導電膜のエッチン
グの際に、Alからなる導電膜（電極，配線，端子）を腐
食することがない。また、上記透明導電膜の材料のTi酸
化物は、Alと接触しても電触反応を示さない。したがっ
て、本発明の電子装置は、従来の電子装置に比べてAl導
電膜の上にバリア膜を設置する必要がなくなり、上記バ
リア膜を形成する工程を削除することができ、コストダ
ウンが可能となる。
てエッチング効果のないCF4O2を用いてドライエッチン
グでエッチングできるので、上記透明導電膜のエッチン
グの際に、Alからなる導電膜（電極，配線，端子）を腐
食することがない。また、上記透明導電膜の材料のTi酸
化物は、Alと接触しても電触反応を示さない。したがっ
て、本発明の電子装置は、従来の電子装置に比べてAl導
電膜の上にバリア膜を設置する必要がなくなり、上記バ
リア膜を形成する工程を削除することができ、コストダ
ウンが可能となる。
【００１２】また、上記電子装置によれば、上記透明導
電膜をドライエッチングでエッチングできるので、従来
のウェットエッチングでエッチングするよりも、微細な
透明導電膜パターンを得ることができる。
電膜をドライエッチングでエッチングできるので、従来
のウェットエッチングでエッチングするよりも、微細な
透明導電膜パターンを得ることができる。
【００１３】上記Alからなる導電膜は、例えばAl-NCl等
のAl系合金からなる導電膜に置き換えることができる。
このAl系合金からなる導電膜は、上記Alからなる導電膜
と同様に、Ti酸化物からなる透明導電膜のドライエッチ
ング時のエッチングガス（CF 4O2）によってはエッチン
グされない。また、上記Ti酸化物からなる透明導電膜と
接触しても電触反応を示さない。したがって、Al系合金
による導電膜の上にバリア膜を設置する必要がなくな
り、上記バリア膜を形成する工程を削除することがで
き、コストダウンが可能となる。
のAl系合金からなる導電膜に置き換えることができる。
このAl系合金からなる導電膜は、上記Alからなる導電膜
と同様に、Ti酸化物からなる透明導電膜のドライエッチ
ング時のエッチングガス（CF 4O2）によってはエッチン
グされない。また、上記Ti酸化物からなる透明導電膜と
接触しても電触反応を示さない。したがって、Al系合金
による導電膜の上にバリア膜を設置する必要がなくな
り、上記バリア膜を形成する工程を削除することがで
き、コストダウンが可能となる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。
て説明する。
【００１５】図１は本発明の電子装置の一例としての、
高開口率構造の透過型ＴＦＴ液晶表示装置におけるアク
ティブマトリクス基板の平面図、図２は図１のX-X'線断
面図である。
高開口率構造の透過型ＴＦＴ液晶表示装置におけるアク
ティブマトリクス基板の平面図、図２は図１のX-X'線断
面図である。
【００１６】図１に示すように、このアクティブマトリ
クス基板には、Ti酸化膜からなる複数の画素電極１（２
個のみを示す）がマトリクス状に設けられ、これら画素
電極１の外周部の下方には、走査信号を供給するための
ゲート配線２と表示信号を供給するためのソース配線３
が、画素電極１とオーバーラップすると共に層間絶縁膜
４を介して互いに直交するように設けられている。
クス基板には、Ti酸化膜からなる複数の画素電極１（２
個のみを示す）がマトリクス状に設けられ、これら画素
電極１の外周部の下方には、走査信号を供給するための
ゲート配線２と表示信号を供給するためのソース配線３
が、画素電極１とオーバーラップすると共に層間絶縁膜
４を介して互いに直交するように設けられている。
【００１７】このゲート配線２とソース配線３の交差部
分には、画素電極１に接続されるスイッチング素子とし
てＴＦＴ３０が設けられ、ＴＦＴ３０のゲート電極６に
はゲート配線２、ソース電極７にはソース配線３が接続
され、さらに、ドレイン電極８には画素電極１がドレイ
ン接続電極９を介して接続されている。
分には、画素電極１に接続されるスイッチング素子とし
てＴＦＴ３０が設けられ、ＴＦＴ３０のゲート電極６に
はゲート配線２、ソース電極７にはソース配線３が接続
され、さらに、ドレイン電極８には画素電極１がドレイ
ン接続電極９を介して接続されている。
【００１８】各ソース配線３の一端には、ゲート配線２
を構成する膜と同じ膜からなるＴＣＰ取り付け用端子１
０が設けられており、これにソース配線３が接続され
て、図２に示すゲート接続部Ｂを構成している。図２に
おいてＡはＴＦＴ部である。また、各ゲート配線２の一
端にも同様にＴＣＰ取り付け用端子１０が設けられてお
り、ＴＦＴ部Ａから延びるソース端子部を構成してい
る。ゲート配線２側の端子１０はゲート配線２の延長部
分からなる。各端子１０上には、端子の酸化を防止する
ための端子電極１１が、画素電極１と同材質の膜で設け
られている。
を構成する膜と同じ膜からなるＴＣＰ取り付け用端子１
０が設けられており、これにソース配線３が接続され
て、図２に示すゲート接続部Ｂを構成している。図２に
おいてＡはＴＦＴ部である。また、各ゲート配線２の一
端にも同様にＴＣＰ取り付け用端子１０が設けられてお
り、ＴＦＴ部Ａから延びるソース端子部を構成してい
る。ゲート配線２側の端子１０はゲート配線２の延長部
分からなる。各端子１０上には、端子の酸化を防止する
ための端子電極１１が、画素電極１と同材質の膜で設け
られている。
【００１９】本実施形態の透過型ＴＦＴ液晶表示装置に
おけるアクティブマトリクス基板の構造を、図２を用い
てさらに詳しく説明する。
おけるアクティブマトリクス基板の構造を、図２を用い
てさらに詳しく説明する。
【００２０】図２に示すように、上記ゲート配線２、ゲ
ート電極６および端子１０は絶縁性基板４０上に設けら
れ、これらを覆うように陽極酸化膜１５が設けられてい
る。さらにその上を覆うようにゲート絶縁膜１６が設け
られている。このゲート絶縁膜１６上に、ゲート電極６
に重畳するように半導体層１７が設けられ、この半導体
層１７の両端部分にソース電極７、ドレイン電極８が設
けられて、ＴＦＴ３０が形成されている。
ート電極６および端子１０は絶縁性基板４０上に設けら
れ、これらを覆うように陽極酸化膜１５が設けられてい
る。さらにその上を覆うようにゲート絶縁膜１６が設け
られている。このゲート絶縁膜１６上に、ゲート電極６
に重畳するように半導体層１７が設けられ、この半導体
層１７の両端部分にソース電極７、ドレイン電極８が設
けられて、ＴＦＴ３０が形成されている。
【００２１】上述したように、このＴＦＴ３０のソース
電極７にはソース配線３が接続され、ドレイン電極８に
はドレイン接続電極９が接続されている。その上には、
コンタクトホール１２が設けられた層間絶縁膜４が設け
られ、この層間絶縁膜４上に画素電極１が設けられてい
る。画素電極１はコンタクトホール１２を介してドレイ
ン接続電極９に接続されている。なお、図１，２には簡
単のため示していないが、アクティブマトリクス基板
は、実際には後述するように配向膜を備えている。
電極７にはソース配線３が接続され、ドレイン電極８に
はドレイン接続電極９が接続されている。その上には、
コンタクトホール１２が設けられた層間絶縁膜４が設け
られ、この層間絶縁膜４上に画素電極１が設けられてい
る。画素電極１はコンタクトホール１２を介してドレイ
ン接続電極９に接続されている。なお、図１，２には簡
単のため示していないが、アクティブマトリクス基板
は、実際には後述するように配向膜を備えている。
【００２２】図３は上記構成のアクティブマトリクス基
板を備えた高開口率構造の透過型ＴＦＴ液晶表示装置の
断面図である。
板を備えた高開口率構造の透過型ＴＦＴ液晶表示装置の
断面図である。
【００２３】図３において、２０は図１，２のように構
成されたアクティブマトリクス基板上に設けられた有機
材料からなる配向膜であり、２１は配向膜２０の上に設
けられ、開口率を妨げることなく一定間隔を保てる微小
な絶縁物（スペーサ）である。このスペーサ２１を介し
て、アクティブマトリクス基板と同様に、有機材料から
なる配向膜２２が設けられたカラーフィルタ基板が、ア
クティブマトリクス基板に対向し、これら両基板の間の
スペースに液晶２６が封入されている。このカラーフィ
ルタ基板は周知のタイプのもので、透明絶縁性基板２３
上に、アクティブマトリクス基板のマトリクスに対応す
る位置に開口部を持つ遮光膜（ＢＭ）２４と、その開口
部内に設けられたゼラチンからなるＲＧＢ画素２５を有
し、さらにその上に上記配向膜２２を形成したものであ
る。
成されたアクティブマトリクス基板上に設けられた有機
材料からなる配向膜であり、２１は配向膜２０の上に設
けられ、開口率を妨げることなく一定間隔を保てる微小
な絶縁物（スペーサ）である。このスペーサ２１を介し
て、アクティブマトリクス基板と同様に、有機材料から
なる配向膜２２が設けられたカラーフィルタ基板が、ア
クティブマトリクス基板に対向し、これら両基板の間の
スペースに液晶２６が封入されている。このカラーフィ
ルタ基板は周知のタイプのもので、透明絶縁性基板２３
上に、アクティブマトリクス基板のマトリクスに対応す
る位置に開口部を持つ遮光膜（ＢＭ）２４と、その開口
部内に設けられたゼラチンからなるＲＧＢ画素２５を有
し、さらにその上に上記配向膜２２を形成したものであ
る。
【００２４】以上の様に構成された液晶表示装置は、以
下のようにして製造することができる。
下のようにして製造することができる。
【００２５】まず、ガラス基板からなる絶縁性基板４０
上に、ゲート電極６，ゲート配線２，端子１０を形成す
るために、Alの導電性膜をスパッタ法にて成膜し、続い
てフォトリソ工程にてレジストパターンを形成する。次
に、ドライまたはウェットエッチングを行った後、剥離
洗浄工程を経て所望の形状に形成する。
上に、ゲート電極６，ゲート配線２，端子１０を形成す
るために、Alの導電性膜をスパッタ法にて成膜し、続い
てフォトリソ工程にてレジストパターンを形成する。次
に、ドライまたはウェットエッチングを行った後、剥離
洗浄工程を経て所望の形状に形成する。
【００２６】次に、先に形成したゲート電極６，ゲート
配線２および端子１０を陽極酸化法にて陽極酸化し、陽
極酸化膜１５を形成する。
配線２および端子１０を陽極酸化法にて陽極酸化し、陽
極酸化膜１５を形成する。
【００２７】更に、上記ゲート電極６，ゲート配線２を
被覆するように、ゲート絶縁膜１６，真性半導体層１
７，リン（Ｐ）等をドープした導電性半導体層からなる
ソース電極７、及びドレイン電極８となる各膜をＣＶＤ
法等で成膜し、フォトリソ工程，エッチング，剥離洗浄
等の各工程を通して所望の形状に形成する。その上に、
ソース配線３及びドレイン接続電極９を形成するためAl
の導電性膜をスパッタ法により成膜し、フォトリソ工
程、エッチング、洗浄等の各工程を通して所望の形状に
形成する。
被覆するように、ゲート絶縁膜１６，真性半導体層１
７，リン（Ｐ）等をドープした導電性半導体層からなる
ソース電極７、及びドレイン電極８となる各膜をＣＶＤ
法等で成膜し、フォトリソ工程，エッチング，剥離洗浄
等の各工程を通して所望の形状に形成する。その上に、
ソース配線３及びドレイン接続電極９を形成するためAl
の導電性膜をスパッタ法により成膜し、フォトリソ工
程、エッチング、洗浄等の各工程を通して所望の形状に
形成する。
【００２８】以上の電極構造の上に、層間絶縁膜４を設
けた後、Ti酸化物からなる透明導電膜を、TiO2ターゲッ
トを用いて、Arおよび酸素混合雰囲気中での反応性スパ
ッタリング法により成膜する。最後に、上記透明導電膜
をレジストパターニングした後、CF4O2でドライエッチ
ングして、画素電極１，端子電極１１を形成した後、そ
の上に配向膜２０を印刷にて成膜し、ラビングによる配
向処理を行うことによって上記アクティブマトリクス基
板が形成される。
けた後、Ti酸化物からなる透明導電膜を、TiO2ターゲッ
トを用いて、Arおよび酸素混合雰囲気中での反応性スパ
ッタリング法により成膜する。最後に、上記透明導電膜
をレジストパターニングした後、CF4O2でドライエッチ
ングして、画素電極１，端子電極１１を形成した後、そ
の上に配向膜２０を印刷にて成膜し、ラビングによる配
向処理を行うことによって上記アクティブマトリクス基
板が形成される。
【００２９】次に、上記アクティブマトリクス基板にス
クリーン印刷法によってシール剤を表示領域の周縁に印
刷し、絶縁物（スペーサ）２１を散布した後、上記カラ
ーフィルター基板と貼り合わせ、分断処理し、減圧法に
より上記両基板間に液晶２６を図示しない注入口から注
入し、その注入口を封止することによって図３に示した
ＴＦＴ液晶表示装置が形成される。
クリーン印刷法によってシール剤を表示領域の周縁に印
刷し、絶縁物（スペーサ）２１を散布した後、上記カラ
ーフィルター基板と貼り合わせ、分断処理し、減圧法に
より上記両基板間に液晶２６を図示しない注入口から注
入し、その注入口を封止することによって図３に示した
ＴＦＴ液晶表示装置が形成される。
【００３０】以上のように形成された上記ＴＦＴ液晶表
示装置を構成するアクティブマトリクス基板の電極構造
において、Alからなる上記端子１０、ソース配線３およ
びドレイン接続電極９に、Ti酸化物からなる端子電極１
１および画素電極１が、それぞれ直接に接続している。
示装置を構成するアクティブマトリクス基板の電極構造
において、Alからなる上記端子１０、ソース配線３およ
びドレイン接続電極９に、Ti酸化物からなる端子電極１
１および画素電極１が、それぞれ直接に接続している。
【００３１】上記透明導電膜材料としてのTi酸化物と、
従来の透明導電膜材料としてのITOと、低抵抗配線材料
としてのAlについて、ウェットエッチング時の塩鉄系エ
ッチャントとドライエッチング時のCF4O2エッチングガ
スによるエッチング性の相違を表１に示す。
従来の透明導電膜材料としてのITOと、低抵抗配線材料
としてのAlについて、ウェットエッチング時の塩鉄系エ
ッチャントとドライエッチング時のCF4O2エッチングガ
スによるエッチング性の相違を表１に示す。
【００３２】
【表１】 ○：エッチングされる ×：エッチングされない
【００３３】この表より、本実施形態の電子装置の電極
構造において、Ti酸化物による透明導電膜をエッチング
する際のエッチングガスとしてのCF4O2は、Ti酸化物の
みをエッチングして、Alはエッチングしないことがわか
る。したがって、Alからなる端子１０，ソース配線３と
Ti酸化物からなる端子電極１１との間、および、Alから
なるドレイン接続電極９とTi酸化物からなる画素電極１
との間に、Ti酸化物のエッチングに用いられるCF4O2の
エッチングガスが、Alに触れることを防止するためのバ
リア膜を設ける必要がない。
構造において、Ti酸化物による透明導電膜をエッチング
する際のエッチングガスとしてのCF4O2は、Ti酸化物の
みをエッチングして、Alはエッチングしないことがわか
る。したがって、Alからなる端子１０，ソース配線３と
Ti酸化物からなる端子電極１１との間、および、Alから
なるドレイン接続電極９とTi酸化物からなる画素電極１
との間に、Ti酸化物のエッチングに用いられるCF4O2の
エッチングガスが、Alに触れることを防止するためのバ
リア膜を設ける必要がない。
【００３４】本実施形態の電子装置の透明導電膜材料と
してのTi酸化物と、従来の透明導電膜材料としてのITO
について、低抵抗配線材料としてのAlとの電触性を下の
表２に示す。
してのTi酸化物と、従来の透明導電膜材料としてのITO
について、低抵抗配線材料としてのAlとの電触性を下の
表２に示す。
【００３５】
【表２】
【００３６】この表より、Alは従来の透明導電膜として
のITOと電触反応を示すが、本発明の透明導電膜として
のTi酸化物とは電触反応を示さないことがわかる。した
がって、Alからなる端子１０，ソース配線３とTi酸化物
からなる端子電極１１、および、Alからなるドレイン接
続電極９とTi酸化物からなる画素電極１との間に、バリ
ア膜を設ける必要がない。
のITOと電触反応を示すが、本発明の透明導電膜として
のTi酸化物とは電触反応を示さないことがわかる。した
がって、Alからなる端子１０，ソース配線３とTi酸化物
からなる端子電極１１、および、Alからなるドレイン接
続電極９とTi酸化物からなる画素電極１との間に、バリ
ア膜を設ける必要がない。
【００３７】本実施形態の電子装置の透明導電膜材料と
してのTi酸化物について、フォトリソ工程で用いる現像
液、および、レジストパターン除去時に用いる剥離液に
対する耐性を、下の表３に示す。
してのTi酸化物について、フォトリソ工程で用いる現像
液、および、レジストパターン除去時に用いる剥離液に
対する耐性を、下の表３に示す。
【００３８】
【表３】
【００３９】この表より、本発明の透明導電膜としての
Ti酸化物は、フォトリソ工程で用いる現像液、および、
フォトレジスト除去時に用いる剥離液によって腐食しな
いことがわかる。したがって、透明電極１と端子電極１
１とを良好な状態で形成することができる。
Ti酸化物は、フォトリソ工程で用いる現像液、および、
フォトレジスト除去時に用いる剥離液によって腐食しな
いことがわかる。したがって、透明電極１と端子電極１
１とを良好な状態で形成することができる。
【００４０】図４は、同一のAl導電膜からなるゲート電
極６とゲート配線２と端子１０（あるいはソース配線３
とドレイン接続電極９）の形成工程をAl配線工程として
まとめたものである。この工程図と、図７に示した従来
のAl配線工程図とを比較すると、従来の工程図の工程Ｓ
１２からＳ１５までの、バリア膜を形成するための工程
がない。したがって、アクティブマトリクス基板を少な
い工程で製造することができ、この基板を備えたＴＦＴ
液晶表示装置の製造コストを低減することができる。
極６とゲート配線２と端子１０（あるいはソース配線３
とドレイン接続電極９）の形成工程をAl配線工程として
まとめたものである。この工程図と、図７に示した従来
のAl配線工程図とを比較すると、従来の工程図の工程Ｓ
１２からＳ１５までの、バリア膜を形成するための工程
がない。したがって、アクティブマトリクス基板を少な
い工程で製造することができ、この基板を備えたＴＦＴ
液晶表示装置の製造コストを低減することができる。
【００４１】また、従来のITOからなる透明導電膜のエ
ッチングは、塩鉄系エッチャントを用いたウェットエッ
チングで行っているため、サイドシフトが問題となって
いる。しかし、本実施形態によれば、ウェットエッチン
グに代わってドライエッチングを行うことによって、上
記サイドシフトを抑えることができ、かつ、微細なパタ
ーニングが可能となる。
ッチングは、塩鉄系エッチャントを用いたウェットエッ
チングで行っているため、サイドシフトが問題となって
いる。しかし、本実施形態によれば、ウェットエッチン
グに代わってドライエッチングを行うことによって、上
記サイドシフトを抑えることができ、かつ、微細なパタ
ーニングが可能となる。
【００４２】上記実施形態では、配線、電極および端子
をAlからなる導電膜によって形成したが、Al系合金から
なる導電膜によって形成してもよい。Al系合金からなる
導電膜も、Alからなる導電膜と同様に、透明導電膜を形
成するTi酸化物と電触反応を示さず、かつ、透明導電膜
をエッチングする際、Al系合金はTi酸化物のエッチング
に用いられるCF4O2のエッチングガスによって腐食され
ない。したがって、Al系合金からなる導電膜と、Ti酸化
物からなる透明導電膜との間にバリア膜を設ける必要が
ないため、従来より電子装置の製造工程を短縮すること
ができ、電子装置の製造コストを低減することができ
る。
をAlからなる導電膜によって形成したが、Al系合金から
なる導電膜によって形成してもよい。Al系合金からなる
導電膜も、Alからなる導電膜と同様に、透明導電膜を形
成するTi酸化物と電触反応を示さず、かつ、透明導電膜
をエッチングする際、Al系合金はTi酸化物のエッチング
に用いられるCF4O2のエッチングガスによって腐食され
ない。したがって、Al系合金からなる導電膜と、Ti酸化
物からなる透明導電膜との間にバリア膜を設ける必要が
ないため、従来より電子装置の製造工程を短縮すること
ができ、電子装置の製造コストを低減することができ
る。
【００４３】なお、上記説明は、本発明を透過型ＴＦＴ
液晶表示装置に適用したものについて行ったが、本発明
は、透明導電膜とAl膜とを接続させる構造を有するもの
であれば、いかなる電子装置にも適用できることは言う
までもない。
液晶表示装置に適用したものについて行ったが、本発明
は、透明導電膜とAl膜とを接続させる構造を有するもの
であれば、いかなる電子装置にも適用できることは言う
までもない。
【００４４】
【発明の効果】以上より明らかなように、本発明は、Al
あるいはAl系合金からなる導電膜とTi酸化物（TiOx）か
らなる透明導電膜とを直接接続したものである。Ti酸化
物は、AlならびにAl系合金を腐食しないエッチングガス
でエッチングできるから、バリア膜を設けることなくパ
ターニングができ、しかも、Ti酸化物はAlならびにAl系
合金との間に電触が発生しないから、AlあるいはAl系合
金からなる導電膜にバリア膜を用いることなく直接接続
できる。したがって、この発明の電子装置はバリア膜を
製造する工程が不要であるため、従来のITOからなる透
明導電膜を有する電子装置に比べて製造時間の短縮なら
びにコストダウンが可能となる。
あるいはAl系合金からなる導電膜とTi酸化物（TiOx）か
らなる透明導電膜とを直接接続したものである。Ti酸化
物は、AlならびにAl系合金を腐食しないエッチングガス
でエッチングできるから、バリア膜を設けることなくパ
ターニングができ、しかも、Ti酸化物はAlならびにAl系
合金との間に電触が発生しないから、AlあるいはAl系合
金からなる導電膜にバリア膜を用いることなく直接接続
できる。したがって、この発明の電子装置はバリア膜を
製造する工程が不要であるため、従来のITOからなる透
明導電膜を有する電子装置に比べて製造時間の短縮なら
びにコストダウンが可能となる。
【００４５】また、上記電子装置によれば、上記Ti酸化
物はAlおよびAl系合金のいずれとも電触反応を示さない
ので、上記AlあるいはAl系合金からなる導電膜とTi酸化
物からなる透明導電膜の接続部が腐食することなく、長
期にわたって安定した性能を有する電子装置が得られ
る。
物はAlおよびAl系合金のいずれとも電触反応を示さない
ので、上記AlあるいはAl系合金からなる導電膜とTi酸化
物からなる透明導電膜の接続部が腐食することなく、長
期にわたって安定した性能を有する電子装置が得られ
る。
【００４６】また、上記透明導電膜は、ドライエッチン
グによってパターニングを行えるので、従来のウェット
エッチングによるものよりも微細なパターニングが可能
である。
グによってパターニングを行えるので、従来のウェット
エッチングによるものよりも微細なパターニングが可能
である。
【図１】 本発明の電子装置の実施形態であるＴＦＴ液
晶表示装置のアクティブマトリクス基板の電極構造を示
す平面図である。
晶表示装置のアクティブマトリクス基板の電極構造を示
す平面図である。
【図２】 図１のアクティブマトリクス基板の電極構造
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図３】 本発明の電子装置の実施形態であるＴＦＴ液
晶表示装置の電極構造を示す断面図である。
晶表示装置の電極構造を示す断面図である。
【図４】 本発明の実施形態である電子装置のAl導電膜
を形成する工程図である。
を形成する工程図である。
【図５】 従来の電子装置の電極構造を示す断面図であ
る。
る。
【図６】 従来の電子装置の電極構造を示す断面図であ
る。
る。
【図７】 従来の電子装置のAl導電膜を形成する工程図
である。
である。
１ 画素電極（透明導電膜） ２ ゲート配線 ３ ソース配線 ４ 層間絶縁膜 ６ ゲート電極 ７ ソース電極 ８ ドレイン電極 ９ ドレイン接続電極 １０ 端子 １１ 端子電極（透明導電膜） １５ 陽極酸化膜 １６ ゲート絶縁膜 １７ 半導体層 ３０ ＴＦＴ ４０ 絶縁性基板（ガラス基板） Ａ ＴＦＴ部 Ｂ 端子部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 29/786 Ｈ０１Ｌ 21/90 Ａ // Ｈ０５Ｋ 1/09 29/78 ６１２Ｃ
Claims (2)
- 【請求項１】 Alからなる導電膜と、Ti酸化物（TiOx）
からなる透明導電膜とを直接接続したことを特徴とする
電子装置。 - 【請求項２】 Al系合金からなる導電膜と、Ti酸化物
（TiOx）からなる透明導電膜とを直接接続したことを特
徴とする電子装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP37332899A JP2001188240A (ja) | 1999-12-28 | 1999-12-28 | 透明導電膜を有する電子装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP37332899A JP2001188240A (ja) | 1999-12-28 | 1999-12-28 | 透明導電膜を有する電子装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001188240A true JP2001188240A (ja) | 2001-07-10 |
Family
ID=18501979
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP37332899A Pending JP2001188240A (ja) | 1999-12-28 | 1999-12-28 | 透明導電膜を有する電子装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001188240A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7098985B2 (en) | 2002-09-12 | 2006-08-29 | Seiko Epson Corporation | Multilayer external connection structure having third layer covering sidewalls of the first and second, made of reflective conductive material |
| CN100412665C (zh) * | 2004-07-30 | 2008-08-20 | 乐金显示有限公司 | 液晶显示装置及其制造方法 |
| US7563658B2 (en) | 2004-12-27 | 2009-07-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US8289491B2 (en) | 2005-11-09 | 2012-10-16 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device with shield lines on data lines and thin film transistor components |
| JP2014063179A (ja) * | 2008-03-05 | 2014-04-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
-
1999
- 1999-12-28 JP JP37332899A patent/JP2001188240A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7098985B2 (en) | 2002-09-12 | 2006-08-29 | Seiko Epson Corporation | Multilayer external connection structure having third layer covering sidewalls of the first and second, made of reflective conductive material |
| CN100412665C (zh) * | 2004-07-30 | 2008-08-20 | 乐金显示有限公司 | 液晶显示装置及其制造方法 |
| US7563658B2 (en) | 2004-12-27 | 2009-07-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US8289491B2 (en) | 2005-11-09 | 2012-10-16 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device with shield lines on data lines and thin film transistor components |
| US8553164B2 (en) | 2005-11-09 | 2013-10-08 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device with shield lines on data lines and thin film transistor components |
| JP2014063179A (ja) * | 2008-03-05 | 2014-04-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
| JP2016048378A (ja) * | 2008-03-05 | 2016-04-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| JP2016212435A (ja) * | 2008-03-05 | 2016-12-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、表示モジュール及び電子機器 |
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