JP2001188240A - Electronic device having transparent conductive film - Google Patents
Electronic device having transparent conductive filmInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばＬＣＤ（液
晶ディスプレイ）やＥＣＤ（エレクトロクロミックディ
スプレイ）等の受光型表示装置、およびＥＬＤ（真性電
界効果型発光ディスプレイ）等の発光型表示装置、ある
いはＣＣＤ（電荷結合デバイス）撮像装置等に使用さ
れ、電極の少なくとも一部に透明導電膜を利用する電子
装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light-receiving display device such as an LCD (liquid crystal display) or an ECD (electrochromic display), a light-emitting display device such as an ELD (intrinsic field effect light-emitting display), or a CCD. (Charge-coupled device) The present invention relates to an electronic device that is used in an imaging device or the like and uses a transparent conductive film for at least a part of an electrode.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）駆動
のアクティブマトリックス型液晶ディスプレイに関して
高精細、高開口率、大型化への要求が高まっている。こ
れらの要求に対応するために、上記ディスプレイなどの
電子装置には、Al（アルミニウム）等の低抵抗配線材料
が使用されるようになってきている。2. Description of the Related Art In recent years, there has been an increasing demand for a TFT (thin film transistor) driven active matrix type liquid crystal display with high definition, high aperture ratio and large size. In order to meet these demands, low-resistance wiring materials such as Al (aluminum) have been used in electronic devices such as the above-mentioned displays.
【０００３】上記Alによる低抵抗配線材料を用いた従来
の電子装置の一例として、高開口率ＴＦＴ表示装置の断
面図を図５に示す。この電子装置は、ガラス基板１１１
上に形成されたＴＦＴ１１２上に、ITO（錫添加酸化イ
ンジウム：Indium Tin Oxide）からなる透明導電膜を
スパッタ法によって成膜して、この透明導電膜にフォト
リソグラフィおよびエッチングを行って形成した画素電
極１１３を有する。上記ITOによる透明導電膜は、上記
ＴＦＴ１１２を含むＴＦＴ部Ａ上の画素電極１１３の他
に、ＴＣＰ（表示装置ドライバ用半導体パッケージ）取
り付け用の端子１１４を備える端子部Ｂの上に端子電極
１１５として形成されている。そして、低抵抗配線材料
としてのAlが、ゲート配線１１６やソース配線１１７，
ドレイン接続電極１１８及び端子１１４に用いられてい
る。FIG. 5 is a cross-sectional view of a high aperture ratio TFT display device as an example of a conventional electronic device using a low-resistance wiring material made of Al. This electronic device includes a glass substrate 111
A pixel electrode formed by forming a transparent conductive film made of ITO (Indium Tin Oxide) by sputtering on the TFT 112 formed thereon, and performing photolithography and etching on the transparent conductive film. 113. The transparent conductive film made of ITO is used as a terminal electrode 115 on a terminal section B having a terminal 114 for attaching a TCP (semiconductor package for a display device driver) in addition to the pixel electrode 113 on the TFT section A including the TFT 112. Is formed. Then, Al as a low-resistance wiring material is deposited on the gate wiring 116, the source wiring 117,
It is used for the drain connection electrode 118 and the terminal 114.
【０００４】ＴＦＴ部ＡのITO製画素電極１１３は、Al
からなるドレイン接続電極１１８と直接コンタクトし、
端子部ＢのITOからなる端子電極１１５は、Alからなる
端子１１４と直接コンタクトしている。The pixel electrode 113 made of ITO in the TFT section A is made of Al.
Directly in contact with the drain connection electrode 118 made of
The terminal electrode 115 made of ITO in the terminal portion B is in direct contact with the terminal 114 made of Al.
【０００５】しかし、この電子装置は、ITOからなる画
素電極１１３および端子電極１１５を形成する工程のう
ちのエッチング工程において、ITOの成膜不良による膜
欠損部または配線の側面から塩鉄系のエッチャントがし
み込み、Alからなるゲート配線１１６，ソース配線１１
７，ドレイン接続電極１１８及び端子１１４が腐食する
という問題があった。However, in this electronic device, in the etching step of the step of forming the pixel electrode 113 and the terminal electrode 115 made of ITO, a salt-iron-based etchant is formed from a film defect due to a film formation defect of ITO or a side surface of the wiring. The gate wiring 116 and the source wiring 11 made of Al
7, there is a problem that the drain connection electrode 118 and the terminal 114 are corroded.
【０００６】また、Alによる電極および配線とITOによ
る透明導電膜とを直接コンタクトさせると、上記AlとIT
Oとの間の電位差によって電蝕が発生するという問題が
あった。Further, when an electrode and a wiring made of Al are brought into direct contact with a transparent conductive film made of ITO, the above Al and IT
There is a problem that electric corrosion occurs due to a potential difference between O and O.
【０００７】以上の問題を解決した電子装置が、例えば
特開平８−１４６４６３号公報，特開平５―３２３３７
７号公報，特開平４―２０９３０号公報によって開示さ
れている。これらの公報によれば、Al電極に接して、IT
Oのエッチャントによってエッチングされない膜あるい
は層、もしくは、Alと電触反応を生じない材料、例えば
MoやMo-Crの膜あるいは層を設けている。そして、上記
膜あるいは層によって、ITO透明導電膜のエッチャント
の侵入およびAl電極とITO透明導電膜との接触を防いで
いる。図６は、Alと電蝕反応を生じない材料による膜あ
るいは層を備えた従来の電極構造の一例を示したもので
あり、図５と同一の部分は同一の参照番号を付してい
る。この電極構造では、Alによるソース配線１１７およ
びドレイン接続電極１１８に接して上側にバリア膜１２
０を設ける一方、ゲート配線１１６および端子１１４に
接して上側にバリア膜１２１を設けている。上記バリア
膜１２０は、Alとの電触反応を示さない例えばMoやMo-C
rからなる。また、バリア膜１２１は、ITOの塩鉄系のエ
ッチャントによって腐食しない膜からなる。An electronic device which solves the above problems is disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 8-146463 and 5-32337.
No. 7, JP-A-4-20930. According to these gazettes, in contact with an Al electrode,
A film or layer that is not etched by an etchant of O, or a material that does not cause an electrocatalytic reaction with Al, for example,
Mo or Mo-Cr film or layer is provided. The film or the layer prevents the intrusion of the etchant in the ITO transparent conductive film and the contact between the Al electrode and the ITO transparent conductive film. FIG. 6 shows an example of a conventional electrode structure provided with a film or layer made of a material that does not cause an electrolytic corrosion reaction with Al. The same parts as those in FIG. 5 are denoted by the same reference numerals. In this electrode structure, the barrier film 12 is formed on the upper side in contact with the source wiring 117 and the drain connection electrode 118 made of Al.
0, and a barrier film 121 is provided on the upper side in contact with the gate wiring 116 and the terminal 114. The barrier film 120 does not show a contact reaction with Al, for example, Mo or Mo-C
Consists of r. Further, the barrier film 121 is a film that is not corroded by a salt-iron based etchant of ITO.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】図７は、上記電極構造
を形成する過程を示した工程図である。この図からわか
るように、Al電極およびAl配線のパターンを形成する工
程Ｓ１１，Ｓ１６，Ｓ１７，Ｓ１８，Ｓ１９の間に、上
記バリア膜の成膜工程Ｓ１２、パターニング工程Ｓ１
３、エッチング工程Ｓ１４および剥離洗浄工程Ｓ１５が
付加されている。このように、上記従来の電子装置は、
Al電極およびAl配線を形成する工程に加えて、バリア膜
の成膜、パターニング、エッチングおよび剥離洗浄の工
程が必要であるため、電子装置の製造工程数が多くな
り、製造コストが高いという問題がある。FIG. 7 is a process diagram showing a process of forming the above-mentioned electrode structure. As can be seen from this figure, the barrier film forming step S12 and the patterning step S1 are performed between steps S11, S16, S17, S18, and S19 for forming an Al electrode and an Al wiring pattern.
3. An etching step S14 and a peeling cleaning step S15 are added. Thus, the above-described conventional electronic device includes:
In addition to the steps of forming the Al electrode and the Al wiring, the steps of forming, patterning, etching, and peeling and cleaning the barrier film are required. is there.
【０００９】そこで、本発明の目的は、配線や電極とし
てのAl導電膜および透明電極や端子電極としての透明導
電膜を有する電子装置において、上述した透明導電膜の
エッチング工程に使用されるエッチャントによるAl導電
膜の腐食の問題ならびにAl導電膜と透明導電膜との直接
コンタクトによる電触発生の問題を、バリア膜を用いる
ことなく解決でき、従って、少ない工程数で製造が可能
なAlによる低抵抗配線材料を用いた電子装置を提供する
ことにある。Therefore, an object of the present invention is to provide an electronic device having an Al conductive film as a wiring or an electrode and a transparent conductive film as a transparent electrode or a terminal electrode by using an etchant used in the above-described etching step of the transparent conductive film. The problem of corrosion of the Al conductive film and the problem of electrode generation due to direct contact between the Al conductive film and the transparent conductive film can be solved without using a barrier film. An object of the present invention is to provide an electronic device using a wiring material.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の電子装置は、Alからなる導電膜と、Ti酸化
物（TiOx）からなる透明導電膜とを直接接続したことを
特徴としている。In order to achieve the above object, an electronic device according to the present invention is characterized in that a conductive film made of Al and a transparent conductive film made of Ti oxide (TiOx) are directly connected. I have.
【００１１】Ti酸化物からなる透明導電膜は、Alに対し
てエッチング効果のないCF4O2を用いてドライエッチン
グでエッチングできるので、上記透明導電膜のエッチン
グの際に、Alからなる導電膜（電極，配線，端子）を腐
食することがない。また、上記透明導電膜の材料のTi酸
化物は、Alと接触しても電触反応を示さない。したがっ
て、本発明の電子装置は、従来の電子装置に比べてAl導
電膜の上にバリア膜を設置する必要がなくなり、上記バ
リア膜を形成する工程を削除することができ、コストダ
ウンが可能となる。The transparent conductive film made of Ti oxide can be etched by dry etching using CF 4 O 2 which has no etching effect on Al. Therefore, when etching the transparent conductive film, the conductive film made of Al is used. (Electrodes, wiring, terminals) are not corroded. Further, the Ti oxide as a material of the transparent conductive film does not show an electrocatalytic reaction even when it comes into contact with Al. Therefore, the electronic device of the present invention does not need to provide a barrier film on the Al conductive film as compared with the conventional electronic device, and the step of forming the barrier film can be omitted, which can reduce the cost. Become.
【００１２】また、上記電子装置によれば、上記透明導
電膜をドライエッチングでエッチングできるので、従来
のウェットエッチングでエッチングするよりも、微細な
透明導電膜パターンを得ることができる。Further, according to the electronic device, since the transparent conductive film can be etched by dry etching, a finer transparent conductive film pattern can be obtained than by conventional wet etching.
【００１３】上記Alからなる導電膜は、例えばAl-NCl等
のAl系合金からなる導電膜に置き換えることができる。
このAl系合金からなる導電膜は、上記Alからなる導電膜
と同様に、Ti酸化物からなる透明導電膜のドライエッチ
ング時のエッチングガス（CF 4O2）によってはエッチン
グされない。また、上記Ti酸化物からなる透明導電膜と
接触しても電触反応を示さない。したがって、Al系合金
による導電膜の上にバリア膜を設置する必要がなくな
り、上記バリア膜を形成する工程を削除することがで
き、コストダウンが可能となる。The conductive film made of Al is, for example, Al-NCl or the like.
Can be replaced by a conductive film made of an Al-based alloy.
The conductive film made of this Al-based alloy is the conductive film made of Al.
Dry etching of transparent conductive film made of Ti oxide
Etching gas (CF FourOTwoDepending on the etchin
Not be logged. Further, a transparent conductive film made of the Ti oxide
No contact reaction when contacted. Therefore, Al-based alloy
Eliminates the need to install a barrier film on the conductive film
Therefore, the step of forming the barrier film can be omitted.
Cost can be reduced.
【００１４】[0014]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。Embodiments of the present invention will be described below.
【００１５】図１は本発明の電子装置の一例としての、
高開口率構造の透過型ＴＦＴ液晶表示装置におけるアク
ティブマトリクス基板の平面図、図２は図１のX-X'線断
面図である。FIG. 1 shows an example of an electronic device according to the present invention.
FIG. 2 is a plan view of an active matrix substrate in a transmission type TFT liquid crystal display device having a high aperture ratio structure. FIG.
【００１６】図１に示すように、このアクティブマトリ
クス基板には、Ti酸化膜からなる複数の画素電極１（２
個のみを示す）がマトリクス状に設けられ、これら画素
電極１の外周部の下方には、走査信号を供給するための
ゲート配線２と表示信号を供給するためのソース配線３
が、画素電極１とオーバーラップすると共に層間絶縁膜
４を介して互いに直交するように設けられている。As shown in FIG. 1, the active matrix substrate has a plurality of pixel electrodes 1 (2) made of a Ti oxide film.
Are provided in the form of a matrix, and a gate line 2 for supplying a scanning signal and a source line 3 for supplying a display signal are provided below the outer periphery of the pixel electrode 1.
Are provided so as to overlap with the pixel electrode 1 and to be orthogonal to each other via the interlayer insulating film 4.
【００１７】このゲート配線２とソース配線３の交差部
分には、画素電極１に接続されるスイッチング素子とし
てＴＦＴ３０が設けられ、ＴＦＴ３０のゲート電極６に
はゲート配線２、ソース電極７にはソース配線３が接続
され、さらに、ドレイン電極８には画素電極１がドレイ
ン接続電極９を介して接続されている。At the intersection of the gate line 2 and the source line 3, a TFT 30 is provided as a switching element connected to the pixel electrode 1. The gate electrode 6 of the TFT 30 has a gate line 2, and the source electrode 7 has a source line 7. The pixel electrode 1 is connected to the drain electrode 8 via the drain connection electrode 9.
【００１８】各ソース配線３の一端には、ゲート配線２
を構成する膜と同じ膜からなるＴＣＰ取り付け用端子１
０が設けられており、これにソース配線３が接続され
て、図２に示すゲート接続部Ｂを構成している。図２に
おいてＡはＴＦＴ部である。また、各ゲート配線２の一
端にも同様にＴＣＰ取り付け用端子１０が設けられてお
り、ＴＦＴ部Ａから延びるソース端子部を構成してい
る。ゲート配線２側の端子１０はゲート配線２の延長部
分からなる。各端子１０上には、端子の酸化を防止する
ための端子電極１１が、画素電極１と同材質の膜で設け
られている。One end of each source line 3 has a gate line 2
Mounting terminal 1 made of the same film as the film constituting
0 is provided, and the source wiring 3 is connected to this to form the gate connection portion B shown in FIG. In FIG. 2, A is a TFT section. Similarly, a terminal 10 for attaching a TCP is provided at one end of each gate wiring 2 to constitute a source terminal portion extending from the TFT portion A. The terminal 10 on the side of the gate wiring 2 is an extension of the gate wiring 2. On each terminal 10, a terminal electrode 11 for preventing oxidation of the terminal is provided with a film of the same material as the pixel electrode 1.
【００１９】本実施形態の透過型ＴＦＴ液晶表示装置に
おけるアクティブマトリクス基板の構造を、図２を用い
てさらに詳しく説明する。The structure of the active matrix substrate in the transmission type TFT liquid crystal display device of this embodiment will be described in more detail with reference to FIG.
【００２０】図２に示すように、上記ゲート配線２、ゲ
ート電極６および端子１０は絶縁性基板４０上に設けら
れ、これらを覆うように陽極酸化膜１５が設けられてい
る。さらにその上を覆うようにゲート絶縁膜１６が設け
られている。このゲート絶縁膜１６上に、ゲート電極６
に重畳するように半導体層１７が設けられ、この半導体
層１７の両端部分にソース電極７、ドレイン電極８が設
けられて、ＴＦＴ３０が形成されている。As shown in FIG. 2, the gate wiring 2, gate electrode 6, and terminal 10 are provided on an insulating substrate 40, and an anodic oxide film 15 is provided so as to cover them. Further, a gate insulating film 16 is provided so as to cover it. The gate electrode 6 is formed on the gate insulating film 16.
A semiconductor layer 17 is provided so as to overlap with the TFT. A source electrode 7 and a drain electrode 8 are provided at both ends of the semiconductor layer 17 to form a TFT 30.
【００２１】上述したように、このＴＦＴ３０のソース
電極７にはソース配線３が接続され、ドレイン電極８に
はドレイン接続電極９が接続されている。その上には、
コンタクトホール１２が設けられた層間絶縁膜４が設け
られ、この層間絶縁膜４上に画素電極１が設けられてい
る。画素電極１はコンタクトホール１２を介してドレイ
ン接続電極９に接続されている。なお、図１，２には簡
単のため示していないが、アクティブマトリクス基板
は、実際には後述するように配向膜を備えている。As described above, the source line 3 is connected to the source electrode 7 of the TFT 30, and the drain connection electrode 9 is connected to the drain electrode 8. On top of that,
An interlayer insulating film 4 provided with a contact hole 12 is provided, and the pixel electrode 1 is provided on the interlayer insulating film 4. The pixel electrode 1 is connected to the drain connection electrode 9 via the contact hole 12. Although not shown in FIGS. 1 and 2 for simplicity, the active matrix substrate actually has an alignment film as described later.
【００２２】図３は上記構成のアクティブマトリクス基
板を備えた高開口率構造の透過型ＴＦＴ液晶表示装置の
断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view of a transmissive TFT liquid crystal display device having a high aperture ratio structure provided with the active matrix substrate having the above configuration.
【００２３】図３において、２０は図１，２のように構
成されたアクティブマトリクス基板上に設けられた有機
材料からなる配向膜であり、２１は配向膜２０の上に設
けられ、開口率を妨げることなく一定間隔を保てる微小
な絶縁物（スペーサ）である。このスペーサ２１を介し
て、アクティブマトリクス基板と同様に、有機材料から
なる配向膜２２が設けられたカラーフィルタ基板が、ア
クティブマトリクス基板に対向し、これら両基板の間の
スペースに液晶２６が封入されている。このカラーフィ
ルタ基板は周知のタイプのもので、透明絶縁性基板２３
上に、アクティブマトリクス基板のマトリクスに対応す
る位置に開口部を持つ遮光膜（ＢＭ）２４と、その開口
部内に設けられたゼラチンからなるＲＧＢ画素２５を有
し、さらにその上に上記配向膜２２を形成したものであ
る。In FIG. 3, reference numeral 20 denotes an alignment film made of an organic material provided on the active matrix substrate configured as shown in FIGS. It is a minute insulator (spacer) that can keep a certain interval without hindrance. As with the active matrix substrate, a color filter substrate provided with an alignment film 22 made of an organic material is opposed to the active matrix substrate via the spacer 21, and a liquid crystal 26 is sealed in a space between the two substrates. ing. This color filter substrate is of a known type, and is a transparent insulating substrate 23.
A light-shielding film (BM) 24 having an opening at a position corresponding to the matrix of the active matrix substrate and an RGB pixel 25 made of gelatin provided in the opening are further provided thereon. Is formed.
【００２４】以上の様に構成された液晶表示装置は、以
下のようにして製造することができる。The liquid crystal display device configured as described above can be manufactured as follows.
【００２５】まず、ガラス基板からなる絶縁性基板４０
上に、ゲート電極６，ゲート配線２，端子１０を形成す
るために、Alの導電性膜をスパッタ法にて成膜し、続い
てフォトリソ工程にてレジストパターンを形成する。次
に、ドライまたはウェットエッチングを行った後、剥離
洗浄工程を経て所望の形状に形成する。First, an insulating substrate 40 made of a glass substrate
To form the gate electrode 6, the gate wiring 2, and the terminal 10, an Al conductive film is formed thereon by a sputtering method, and then a resist pattern is formed by a photolithography process. Next, after performing dry or wet etching, a desired shape is formed through a peeling and cleaning step.
【００２６】次に、先に形成したゲート電極６，ゲート
配線２および端子１０を陽極酸化法にて陽極酸化し、陽
極酸化膜１５を形成する。Next, the previously formed gate electrode 6, gate wiring 2 and terminal 10 are anodized by anodization to form an anodized film 15.
【００２７】更に、上記ゲート電極６，ゲート配線２を
被覆するように、ゲート絶縁膜１６，真性半導体層１
７，リン（Ｐ）等をドープした導電性半導体層からなる
ソース電極７、及びドレイン電極８となる各膜をＣＶＤ
法等で成膜し、フォトリソ工程，エッチング，剥離洗浄
等の各工程を通して所望の形状に形成する。その上に、
ソース配線３及びドレイン接続電極９を形成するためAl
の導電性膜をスパッタ法により成膜し、フォトリソ工
程、エッチング、洗浄等の各工程を通して所望の形状に
形成する。Further, the gate insulating film 16 and the intrinsic semiconductor layer 1 are formed so as to cover the gate electrode 6 and the gate wiring 2.
7, a source electrode 7 made of a conductive semiconductor layer doped with phosphorus (P) and the like, and a film to be a drain electrode 8 are formed by CVD.
The film is formed by a method or the like, and is formed into a desired shape through each step such as a photolithography process, etching, and peeling cleaning. in addition,
Al for forming the source wiring 3 and the drain connection electrode 9
Is formed by a sputtering method, and is formed into a desired shape through respective steps such as a photolithography process, etching, and cleaning.
【００２８】以上の電極構造の上に、層間絶縁膜４を設
けた後、Ti酸化物からなる透明導電膜を、TiO2ターゲッ
トを用いて、Arおよび酸素混合雰囲気中での反応性スパ
ッタリング法により成膜する。最後に、上記透明導電膜
をレジストパターニングした後、CF4O2でドライエッチ
ングして、画素電極１，端子電極１１を形成した後、そ
の上に配向膜２０を印刷にて成膜し、ラビングによる配
向処理を行うことによって上記アクティブマトリクス基
板が形成される。After the interlayer insulating film 4 is provided on the above electrode structure, a transparent conductive film made of Ti oxide is formed by a reactive sputtering method in a mixed atmosphere of Ar and oxygen using a TiO 2 target. Form a film. Finally, after the transparent conductive film is subjected to resist patterning, dry etching is performed with CF 4 O 2 to form a pixel electrode 1 and a terminal electrode 11, and then an alignment film 20 is formed thereon by printing, and rubbing is performed. The active matrix substrate is formed by performing the alignment treatment according to the above.
【００２９】次に、上記アクティブマトリクス基板にス
クリーン印刷法によってシール剤を表示領域の周縁に印
刷し、絶縁物（スペーサ）２１を散布した後、上記カラ
ーフィルター基板と貼り合わせ、分断処理し、減圧法に
より上記両基板間に液晶２６を図示しない注入口から注
入し、その注入口を封止することによって図３に示した
ＴＦＴ液晶表示装置が形成される。Next, a sealing agent is printed on the periphery of the display area by a screen printing method on the active matrix substrate, and an insulator (spacer) 21 is sprayed thereon. The liquid crystal 26 is injected between the two substrates through an injection port (not shown), and the injection port is sealed to form the TFT liquid crystal display device shown in FIG.
【００３０】以上のように形成された上記ＴＦＴ液晶表
示装置を構成するアクティブマトリクス基板の電極構造
において、Alからなる上記端子１０、ソース配線３およ
びドレイン接続電極９に、Ti酸化物からなる端子電極１
１および画素電極１が、それぞれ直接に接続している。In the electrode structure of the active matrix substrate constituting the TFT liquid crystal display device formed as described above, the terminal 10 made of Al, the source wiring 3 and the drain connection electrode 9 are connected to the terminal electrode made of Ti oxide. 1
1 and the pixel electrode 1 are directly connected to each other.
【００３１】上記透明導電膜材料としてのTi酸化物と、
従来の透明導電膜材料としてのITOと、低抵抗配線材料
としてのAlについて、ウェットエッチング時の塩鉄系エ
ッチャントとドライエッチング時のCF4O2エッチングガ
スによるエッチング性の相違を表１に示す。A Ti oxide as the transparent conductive film material,
Table 1 shows the difference in etchability between the ITO as a conventional transparent conductive film material and the Al as a low-resistance wiring material using a salt-iron-based etchant during wet etching and a CF 4 O 2 etching gas during dry etching.
【００３２】[0032]
【表１】 ○：エッチングされる ×：エッチングされない[Table 1] ：: etched ×: not etched
【００３３】この表より、本実施形態の電子装置の電極
構造において、Ti酸化物による透明導電膜をエッチング
する際のエッチングガスとしてのCF4O2は、Ti酸化物の
みをエッチングして、Alはエッチングしないことがわか
る。したがって、Alからなる端子１０，ソース配線３と
Ti酸化物からなる端子電極１１との間、および、Alから
なるドレイン接続電極９とTi酸化物からなる画素電極１
との間に、Ti酸化物のエッチングに用いられるCF4O2の
エッチングガスが、Alに触れることを防止するためのバ
リア膜を設ける必要がない。According to this table, in the electrode structure of the electronic device according to the present embodiment, CF 4 O 2 as an etching gas when etching the transparent conductive film made of Ti oxide is obtained by etching only Ti oxide, It can be seen that is not etched. Therefore, the terminal 10 and the source wiring 3 made of Al
Between the terminal electrode 11 made of Ti oxide, and the drain connection electrode 9 made of Al and the pixel electrode 1 made of Ti oxide
In between, there is no need to provide a barrier film for preventing the etching gas of CF 4 O 2 used for etching the Ti oxide from coming into contact with Al.
【００３４】本実施形態の電子装置の透明導電膜材料と
してのTi酸化物と、従来の透明導電膜材料としてのITO
について、低抵抗配線材料としてのAlとの電触性を下の
表２に示す。The Ti oxide as the transparent conductive film material of the electronic device of the present embodiment and the ITO as the conventional transparent conductive film material
Table 2 below shows the contact properties with Al as a low-resistance wiring material.
【００３５】[0035]
【表２】 [Table 2]
【００３６】この表より、Alは従来の透明導電膜として
のITOと電触反応を示すが、本発明の透明導電膜として
のTi酸化物とは電触反応を示さないことがわかる。した
がって、Alからなる端子１０，ソース配線３とTi酸化物
からなる端子電極１１、および、Alからなるドレイン接
続電極９とTi酸化物からなる画素電極１との間に、バリ
ア膜を設ける必要がない。From this table, it can be seen that Al exhibits an electrocatalytic reaction with ITO as a conventional transparent conductive film, but does not exhibit an electrocatalytic reaction with Ti oxide as a transparent conductive film of the present invention. Therefore, it is necessary to provide a barrier film between the terminal 10 made of Al, the source line 3 and the terminal electrode 11 made of Ti oxide, and the drain connection electrode 9 made of Al and the pixel electrode 1 made of Ti oxide. Absent.
【００３７】本実施形態の電子装置の透明導電膜材料と
してのTi酸化物について、フォトリソ工程で用いる現像
液、および、レジストパターン除去時に用いる剥離液に
対する耐性を、下の表３に示す。Table 3 below shows the resistance of the Ti oxide as the transparent conductive film material of the electronic device of the present embodiment to the developing solution used in the photolithography step and the stripping solution used for removing the resist pattern.
【００３８】[0038]
【表３】 [Table 3]
【００３９】この表より、本発明の透明導電膜としての
Ti酸化物は、フォトリソ工程で用いる現像液、および、
フォトレジスト除去時に用いる剥離液によって腐食しな
いことがわかる。したがって、透明電極１と端子電極１
１とを良好な状態で形成することができる。From this table, it is clear that the transparent conductive film of the present invention
Ti oxide is a developer used in the photolithography process, and
It can be seen that the resist is not corroded by the stripping solution used when removing the photoresist. Therefore, the transparent electrode 1 and the terminal electrode 1
1 can be formed in a favorable state.
【００４０】図４は、同一のAl導電膜からなるゲート電
極６とゲート配線２と端子１０（あるいはソース配線３
とドレイン接続電極９）の形成工程をAl配線工程として
まとめたものである。この工程図と、図７に示した従来
のAl配線工程図とを比較すると、従来の工程図の工程Ｓ
１２からＳ１５までの、バリア膜を形成するための工程
がない。したがって、アクティブマトリクス基板を少な
い工程で製造することができ、この基板を備えたＴＦＴ
液晶表示装置の製造コストを低減することができる。FIG. 4 shows a gate electrode 6, a gate wiring 2 and a terminal 10 (or a source wiring 3) made of the same Al conductive film.
And the step of forming the drain connection electrode 9) are summarized as an Al wiring step. Comparing this process diagram with the conventional Al wiring process diagram shown in FIG.
There is no step from 12 to S15 for forming a barrier film. Therefore, an active matrix substrate can be manufactured in a small number of steps, and a TFT provided with this substrate can be manufactured.
The manufacturing cost of the liquid crystal display device can be reduced.
【００４１】また、従来のITOからなる透明導電膜のエ
ッチングは、塩鉄系エッチャントを用いたウェットエッ
チングで行っているため、サイドシフトが問題となって
いる。しかし、本実施形態によれば、ウェットエッチン
グに代わってドライエッチングを行うことによって、上
記サイドシフトを抑えることができ、かつ、微細なパタ
ーニングが可能となる。Further, since conventional etching of a transparent conductive film made of ITO is performed by wet etching using a salt iron-based etchant, side shift is a problem. However, according to the present embodiment, the side shift can be suppressed and fine patterning can be performed by performing dry etching instead of wet etching.
【００４２】上記実施形態では、配線、電極および端子
をAlからなる導電膜によって形成したが、Al系合金から
なる導電膜によって形成してもよい。Al系合金からなる
導電膜も、Alからなる導電膜と同様に、透明導電膜を形
成するTi酸化物と電触反応を示さず、かつ、透明導電膜
をエッチングする際、Al系合金はTi酸化物のエッチング
に用いられるCF4O2のエッチングガスによって腐食され
ない。したがって、Al系合金からなる導電膜と、Ti酸化
物からなる透明導電膜との間にバリア膜を設ける必要が
ないため、従来より電子装置の製造工程を短縮すること
ができ、電子装置の製造コストを低減することができ
る。In the above embodiment, the wires, electrodes, and terminals are formed of a conductive film made of Al, but may be formed of a conductive film made of an Al-based alloy. Similarly to the conductive film made of Al, the conductive film made of an Al-based alloy does not show a contact reaction with the Ti oxide forming the transparent conductive film, and when etching the transparent conductive film, the Al-based alloy is made of Ti. It is not corroded by CF 4 O 2 etching gas used for oxide etching. Therefore, since there is no need to provide a barrier film between the conductive film made of an Al-based alloy and the transparent conductive film made of Ti oxide, the manufacturing process of the electronic device can be shortened compared to the related art, Cost can be reduced.
【００４３】なお、上記説明は、本発明を透過型ＴＦＴ
液晶表示装置に適用したものについて行ったが、本発明
は、透明導電膜とAl膜とを接続させる構造を有するもの
であれば、いかなる電子装置にも適用できることは言う
までもない。In the above description, the present invention is applied to a transmission type TFT.
Although the present invention was applied to a liquid crystal display device, it goes without saying that the present invention can be applied to any electronic device having a structure for connecting a transparent conductive film and an Al film.
【００４４】[0044]
【発明の効果】以上より明らかなように、本発明は、Al
あるいはAl系合金からなる導電膜とTi酸化物（TiOx）か
らなる透明導電膜とを直接接続したものである。Ti酸化
物は、AlならびにAl系合金を腐食しないエッチングガス
でエッチングできるから、バリア膜を設けることなくパ
ターニングができ、しかも、Ti酸化物はAlならびにAl系
合金との間に電触が発生しないから、AlあるいはAl系合
金からなる導電膜にバリア膜を用いることなく直接接続
できる。したがって、この発明の電子装置はバリア膜を
製造する工程が不要であるため、従来のITOからなる透
明導電膜を有する電子装置に比べて製造時間の短縮なら
びにコストダウンが可能となる。As is clear from the above, the present invention provides
Alternatively, a conductive film made of an Al-based alloy and a transparent conductive film made of Ti oxide (TiOx) are directly connected. Since Ti oxide can be etched with an etching gas that does not corrode Al and Al-based alloys, patterning can be performed without providing a barrier film, and no contact occurs between Ti oxide and Al and Al-based alloys Therefore, direct connection can be made to a conductive film made of Al or an Al-based alloy without using a barrier film. Therefore, the electronic device of the present invention does not require a step of manufacturing a barrier film, so that the manufacturing time and cost can be reduced as compared with a conventional electronic device having a transparent conductive film made of ITO.
【００４５】また、上記電子装置によれば、上記Ti酸化
物はAlおよびAl系合金のいずれとも電触反応を示さない
ので、上記AlあるいはAl系合金からなる導電膜とTi酸化
物からなる透明導電膜の接続部が腐食することなく、長
期にわたって安定した性能を有する電子装置が得られ
る。Further, according to the electronic device, since the Ti oxide does not show an electrocatalytic reaction with any of Al and the Al alloy, the conductive film made of the Al or Al alloy and the transparent film made of the Ti oxide are used. An electronic device having stable performance for a long period without corrosion of a connection portion of a conductive film can be obtained.
【００４６】また、上記透明導電膜は、ドライエッチン
グによってパターニングを行えるので、従来のウェット
エッチングによるものよりも微細なパターニングが可能
である。Further, since the transparent conductive film can be patterned by dry etching, finer patterning can be performed than by conventional wet etching.
【図１】 本発明の電子装置の実施形態であるＴＦＴ液
晶表示装置のアクティブマトリクス基板の電極構造を示
す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing an electrode structure of an active matrix substrate of a TFT liquid crystal display device which is an embodiment of the electronic device of the present invention.
【図２】 図１のアクティブマトリクス基板の電極構造
を示す断面図である。FIG. 2 is a sectional view showing an electrode structure of the active matrix substrate of FIG.
【図３】 本発明の電子装置の実施形態であるＴＦＴ液
晶表示装置の電極構造を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating an electrode structure of a TFT liquid crystal display device which is an embodiment of the electronic device of the present invention.
【図４】 本発明の実施形態である電子装置のAl導電膜
を形成する工程図である。FIG. 4 is a process chart for forming an Al conductive film of the electronic device according to the embodiment of the present invention.
【図５】 従来の電子装置の電極構造を示す断面図であ
る。FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating an electrode structure of a conventional electronic device.
【図６】 従来の電子装置の電極構造を示す断面図であ
る。FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating an electrode structure of a conventional electronic device.
【図７】 従来の電子装置のAl導電膜を形成する工程図
である。FIG. 7 is a process chart for forming an Al conductive film of a conventional electronic device.
１ 画素電極（透明導電膜） ２ ゲート配線 ３ ソース配線 ４ 層間絶縁膜 ６ ゲート電極 ７ ソース電極 ８ ドレイン電極 ９ ドレイン接続電極 １０ 端子 １１ 端子電極（透明導電膜） １５ 陽極酸化膜 １６ ゲート絶縁膜 １７ 半導体層 ３０ ＴＦＴ ４０ 絶縁性基板（ガラス基板） Ａ ＴＦＴ部 Ｂ 端子部 Reference Signs List 1 pixel electrode (transparent conductive film) 2 gate wiring 3 source wiring 4 interlayer insulating film 6 gate electrode 7 source electrode 8 drain electrode 9 drain connection electrode 10 terminal 11 terminal electrode (transparent conductive film) 15 anodized film 16 gate insulating film 17 Semiconductor layer 30 TFT 40 Insulating substrate (glass substrate) A TFT section B Terminal section
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 29/786 Ｈ０１Ｌ 21/90 Ａ // Ｈ０５Ｋ 1/09 29/78 ６１２Ｃ ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01L 29/786 H01L 21/90 A // H05K 1/09 29/78 612C
Claims (2)
からなる透明導電膜とを直接接続したことを特徴とする
電子装置。1. A conductive film made of Al and a Ti oxide (TiOx)
An electronic device, wherein the electronic device is directly connected to a transparent conductive film made of:
（TiOx）からなる透明導電膜とを直接接続したことを特
徴とする電子装置。2. An electronic device, wherein a conductive film made of an Al-based alloy and a transparent conductive film made of Ti oxide (TiOx) are directly connected.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP37332899A JP2001188240A (en) | 1999-12-28 | 1999-12-28 | Electronic device having transparent conductive film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP37332899A JP2001188240A (en) | 1999-12-28 | 1999-12-28 | Electronic device having transparent conductive film |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001188240A true JP2001188240A (en) | 2001-07-10 |
Family
ID=18501979
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP37332899A Pending JP2001188240A (en) | 1999-12-28 | 1999-12-28 | Electronic device having transparent conductive film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001188240A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7098985B2 (en) | 2002-09-12 | 2006-08-29 | Seiko Epson Corporation | Multilayer external connection structure having third layer covering sidewalls of the first and second, made of reflective conductive material |
| CN100412665C (en) * | 2004-07-30 | 2008-08-20 | 乐金显示有限公司 | Liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
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| US8289491B2 (en) | 2005-11-09 | 2012-10-16 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device with shield lines on data lines and thin film transistor components |
| JP2014063179A (en) * | 2008-03-05 | 2014-04-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Display device |
-
1999
- 1999-12-28 JP JP37332899A patent/JP2001188240A/en active Pending
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