JP2001181294A - エリスロマイシン誘導体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】抗菌剤又は抗潰瘍剤として有用な化合物を提供
する。 【解決手段】次の一般式 【化１】 （式中、Ｒ¹は水素原子又は低級アルキル基を表し、Ｒ²
及びＲ³は各々独立して置換基を有してもよいアルキル
基，置換基を有してもよいアルケニル基，置換基を有し
てもよいアルキニル基，置換基を有してもよい同素もし
くは複素環基，置換基を有してもよい同素もしくは複素
環置換アルキル基を表し、Ｒ⁴は置換基を有するメチル
基,置換基を有してもよい炭素数２以上のアルキル基，
置換基を有してもよいアルケニル基，置換基を有しても
よいアルキニル基，置換基を有してもよい同素もしくは
複素環基，置換基を有してもよい同素もしくは複素環置
換アルキル基を表す。）で示されるエリスロマイシン誘
導体又はその塩は、多剤耐性菌を含むヘリコバクター・
ピロリに対して優れた抗菌力を有し、抗菌剤又は抗潰瘍
剤として極めて有用である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は医薬、例えば抗菌剤
又は抗潰瘍剤として有用な化合物に関するものであり、
特にヘリコバクター・ピロリ（Helicobacter pylori）
に有効な新規なエリスロマイシン誘導体又はその塩に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】１９８３年にヘリコバクター・ピロリが
人の胃粘膜から分離され、ヘリコバクター・ピロリと胃
及び十二指腸潰瘍との関連性が指摘された。その後の研
究で、ヘリコバクター・ピロリが潰瘍の主要原因の１つ
と考えられるようになり、現在では、ヘリコバクター・
ピロリを抗菌剤で除菌するいわゆる化学療法による潰瘍
治療が行なわれている。この化学療法は、優れた治療効
果を有していることが多くの報告で明らかになってきて
いる。本発明化合物と類似の薬効を有する化合物として
は、クラリスロマイシン［clarithromycin；ザ・メルク
・インデックス（The Merck Index），１２版，２４０
０］が知られており、そのヘリコバクター・ピロリに対
する臨床試験が試みられている。又、本発明化合物と類
似の化学構造を有するマクロライド系抗菌剤として、９
位オキシム型化合物のロキシスロマイシン（roxithromy
cin；The MerckIndex，１２版，８４３３）が、又、Ｗ
Ｏ９３／１３１１６号等に３位エステル型の化合物が開
示されている。一方、マクロライド系抗菌剤が、黄色ブ
ドウ球菌（Staphylococcus aureus）等の一般細菌に対
して、３’位のジメチルアミノ基を変換することにより
抗菌活性が消失することは、有機合成化学協会誌，第３
８巻，３９５頁（１９８０年）に開示されているが、マ
クロライド系抗菌剤のヘリコバクター・ピロリに対する
系統的な研究報告は全くなく、これら従来技術から、
３’位がジメチルアミノ基以外の置換基を有するマクロ
ライド系抗菌剤の優れた抗菌活性については全く予測で
きない。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】感染症の治療法とし
て、化学療法は優れた治療方法であるが、化学療法にお
ける重大な問題の一つとして、耐性菌の出現が挙げられ
る。例えば、メチシリン耐性黄色ブドウ球菌（Methicil
lin-resistant Staphylococcus aureus）等に代表され
る多剤耐性菌の出現又は増加が、これまでの化学療法に
よる治療を困難なものとしつつある。近年、潰瘍治療の
分野で試みられている化学療法による治療においても、
既に多剤耐性菌のヘリコバクター・ピロリの出現が知ら
れている。本発明の課題はヘリコバクター・ピロリ、特
に多剤に耐性を示すヘリコバクター・ピロリに対して優
れた抗菌活性を有し、且つ抗潰瘍剤として有用である化
合物を提供することにある。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明者らは上記の課題
を解決すべく鋭意研究してきた結果、本発明に係る新規
なエリスロマイシン誘導体又はその塩が、従来知られて
いた３’位のＮ−置換誘導体の知見とは異なり、抗菌剤
として有用であること、特に、ヘリコバクター・ピロリ
に対して優れた抗菌力を有し、抗潰瘍剤として有用な化
合物であることを見い出し、本発明を完成させた。

【０００５】即ち、本発明は次の一般式（Ｉ）

【化２】 （式中、Ｒ¹は水素原子又は低級アルキル基を表し、Ｒ²
及びＲ³は各々独立して置換基を有してもよいアルキル
基，置換基を有してもよいアルケニル基，置換基を有し
てもよいアルキニル基，置換基を有してもよい同素もし
くは複素環基又は置換基を有してもよい同素もしくは複
素環置換アルキル基を表し、Ｒ⁴は置換基を有するメチ
ル基，置換基を有してもよい炭素数２以上のアルキル
基，置換基を有してもよいアルケニル基，置換基を有し
てもよいアルキニル基，置換基を有してもよい同素もし
くは複素環基又は置換基を有してもよい同素もしくは複
素環置換アルキル基を表す。）で示される新規なエリス
ロマイシン誘導体又はその塩に関するものである。

【０００６】本発明の別の態様によれば、前記一般式
（Ｉ）で示される化合物又はその塩を有効成分とする医
薬が提供される。本発明により提供される医薬は、例え
ば、抗菌剤又は抗潰瘍剤として好適に用いることができ
る。

【０００７】

【発明の実施の形態】本発明の前記一般式（Ｉ）におい
て、Ｒ¹で示される低級アルキル基としては、例えば、
メチル基，エチル基，n-プロピル基，n-ブチル基等が挙
げられる。又、Ｒ²又はＲ³で示される置換基を有しても
よいアルキル基のアルキル基は、炭素数１〜１２個の直
鎖状又は分枝鎖状のアルキル基を、Ｒ⁴で示される置換
基を有してもよい炭素数２以上のアルキル基のアルキル
基は、炭素数２〜１２個の直鎖状又は分枝鎖状のアルキ
ル基を表し、例えば、メチル基，エチル基，n-プロピル
基，イソプロピル基，n-ブチル基，イソブチル基，sec-
ブチル基，tert-ブチル基，n-ペンチル基，イソペンチ
ル基，ネオペンチル基，tert-ペンチル基，１−メチル
ブチル基，２−メチルブチル基，１−エチルプロピル
基，n-ヘキシル基，１−メチルペンチル基，２−メチル
ペンチル基，３−メチルペンチル基，４−メチルペンチ
ル基，２，３−ジメチルブチル基，１，３−ジメチルブ
チル基，１，２−ジメチルブチル基，１−エチルブチル
基，２−エチルブチル基，１−（１’−メチル）エチル
プロピル基，n-ヘプチル基，n-オクチル基，n-ノニル
基，n-デシル基，n-ウンデシル基，n-ドデシル基等が挙
げられる。

【０００８】本発明の前記一般式（Ｉ）において、
Ｒ²，Ｒ³又はＲ⁴で示される置換基を有してもよいアル
ケニル基のアルケニル基としては、炭素数２〜１２個の
直鎖状又は分枝鎖状の任意の位置に１個以上の二重結合
を有するアルケニル基又はアルカポリエニル基を表し、
例えば、ビニル基，アリル基，１−メチルビニル基，プ
ロペニル基，ブテニル基，ブタジエニル基，ペンテニル
基，イソプレニル基，４−メチルペンテニル基，ヘキセ
ニル基，ヘキサジエニル基，ヘキサトリエニル基，ヘプ
テニル基，オクテニル基，ノネニル基，デセニル基，ウ
ンデセニル基，ドデセニル基，ゲラニル基，ミルセニル
基，オシメニル基，ネリル基，リナロイル基，シトロネ
リル基等が挙げられる。Ｒ²，Ｒ³又はＲ⁴で示される置
換基を有してもよいアルキニル基のアルキニル基として
は、炭素数２〜１２個の直鎖状又は分枝鎖状の任意の位
置に１個以上の三重結合を有するアルキニル基又はアル
カポリイニル基を表し、例えば、エチニル基，プロピニ
ル基，ブチニル基，ペンチニル基，ヘキシニル基，ヘキ
サジイニル基，ヘプチニル基，オクチニル基，ノニニル
基，デシニル基，ウンデシニル基，ドデシニル基等が挙
げられる。

【０００９】Ｒ²，Ｒ³又はＲ⁴で示される置換基を有し
てもよい同素もしくは複素環基の同素もしくは複素環基
は、単環又は多環で飽和又は不飽和の同素もしくは複素
環基を表し、例えば、シクロプロピル基，シクロブチル
基，シクロペンチル基，シクロヘキシル基，ビシクロ
［３．２．１］オクチル基，ビシクロ［５．２．０］ノ
ニル基，アジリジニル基，アゼチジニル基，ピロリジニ
ル基，ピペリジニル基，ヘキサヒドロ−１Ｈ−アゼピニ
ル基，ピペラジニル基，モルホリニル基，チオモルホリ
ニル基，テトラヒドロピラニル基，テトラヒドロチオピ
ラニル基，フェニル基，ナフチル基，ピリジル基，ピリ
ミジル基，ピラジニル基，イミダゾリル基，オキサゾリ
ル基，イソオキサゾリル基，チアゾリル基，イソチアゾ
リル基，フリル基，チエニル基，ピロリル基，ベンゾフ
ラニル基，ベンゾ［ｂ］チエニル基，ベンゾイミダゾリ
ル基，インドリル基，キノリル基，イソキノリル基，
１，２，３，４−テトラヒドロナフチル基等が挙げられ
る。Ｒ²，Ｒ³又はＲ⁴で示される置換基を有してもよい
同素もしくは複素環置換アルキル基の同素もしくは複素
環置換アルキル基は、炭素数１〜１２個の直鎖状又は分
枝鎖状のアルキル基に、単環又は多環で飽和又は不飽和
の同素もしくは複素環基が任意の位置で置換した基を表
し、例えば、シクロプロピルメチル基，シクロブチルメ
チル基，シクロペンチルメチル基，シクロヘキシルメチ
ル基，シクロプロピルエチル基，シクロブチルエチル
基，シクロペンチルエチル基，シクロヘキシルエチル
基，シクロヘキシルプロピル基，シクロヘキシルブチル
基，シクロヘキシルペンチル基，シクロヘキシルヘキシ
ル基，シクロヘキシルヘプチル基，シクロヘキシルオク
チル基，シクロヘキシルノニル基，シクロヘキシルデシ
ル基，シクロヘキシルウンデシル基，シクロヘキシルド
デシル基，アジリジニルエチル基，アゼチジニルエチル
基，ピロリジニルエチル基，ピペリジニルエチル基，ヘ
キサヒドロ−１Ｈ−アゼピニルエチル基，ピペラジニル
エチル基，モルホリニルエチル基，チオモルホリニルエ
チル基，ピペリジニルプロピル基，ピペリジニルブチル
基，ピペリジニルペンチル基，ピペリジニルヘキシル
基，ピペリジニルヘプチル基，ピペリジニルオクチル
基，ピペリジニルノニル基，ピペリジニルデシル基，ピ
ペリジニルウンデシル基，ピペリジニルドデシル基，テ
トラヒドロピラニルメチル基，テトラヒドロチオピラニ
ルメチル基，ベンジル基，フェネチル基，α−メチルフ
ェネチル基，フェニルプロピル基，フェニルブチル基，
フェニルペンチル基，フェニルヘキシル基，フェニルヘ
プチル基，フェニルオクチル基，フェニルノニル基，フ
ェニルデシル基，フェニルウンデシル基，フェニルドデ
シル基，ナフチルメチル基，ピリジルメチル基，ピリジ
ルエチル基，ピリジルプロピル基，ピリミジルメチル
基，ピラジニルメチル基，イミダゾリルメチル基，オキ
サゾリルメチル基，イソオキサゾリルメチル基，チアゾ
リルメチル基，イソチアゾリルメチル基，フリルメチル
基，フリルエチル基，テニル基，チエニルエチル基，ピ
ロリルメチル基，ピロリルエチル基，ピロリルプロピル
基，ベンゾフラニルメチル基，ベンゾフラニルエチル
基，ベンゾ［ｂ］チエニルメチル基，ベンゾ［ｂ］チエ
ニルエチル基，ベンゾイミダゾリルメチル基，インドリ
ルメチル基，インドリルエチル基，インドリルプロピル
基，キノリルメチル基，キノリルエチル基，イソキノリ
ルメチル基，イソキノリルエチル基，１，２，３，４−
テトラヒドロナフチルエチル基，２，３−ジヒドロベン
ゾフラニルメチル基，２，３−ジヒドロベンゾフラニル
エチル基，クロマン−２−イルメチル基，２，３−ジヒ
ドロベンゾジオキシニルメチル基等が挙げられる。

【００１０】尚、本明細書において、「同素もしくは複
素環」の置換／結合部位としては、環構成成分中、置換
／結合可能な元素であればいかなる位置でもよい基を包
含する概念として用いる。

【００１１】本発明の前記一般式（Ｉ）において、ある
官能基について「置換基を有してもよい」という場合に
は、これらの基に置換可能な基ならばいかなるものでも
よい。置換基の個数及び種類は特に限定されず、２個以
上の置換基が存在する場合には、それらは同一でも異な
っていてもよい。例えば、保護基を有してもよい水酸
基，アルコキシ基，アルキルチオ基，置換基を有しても
よいアミノ基，置換基を有してもよいカルバモイル基，
アリールオキシ基，アリールチオ基，アラルキルオキシ
基，アラルキルチオ基，ハロゲン原子，アルキル基，ト
リフルオロメチル基，アシル基，シクロアルキル基，ア
リール基，アラルキル基，シアノ基，ニトロ基，グアニ
ジノ基，アミジノ基，カルボキシル基，アルコキシカル
ボニル基，アリールオキシカルボニル基，アラルキルオ
キシカルボニル基，アルキルスルフィニル基，アリール
スルフィニル基，アラルキルスルフィニル基，アルキル
スルホニル基，アリールスルホニル基，アラルキルスル
ホニル基等が挙げられる。

【００１２】水酸基の保護基としては、水酸基が反応に
関与すべきでない系において実質的に不活性であって、
且つ特定の脱保護反応の条件下で容易に開裂できるもの
ならばいかなるものを用いてもよく、例えば、アルカノ
イル基，トリアルキルシリル基，ベンジル基等が挙げら
れる。水酸基の保護基であるアルカノイル基としては、
例えば、ホルミル基，アセチル基，プロピオニル基，ブ
チリル基，ピバロイル基等が、水酸基の保護基であるト
リアルキルシリル基としては、例えば、トリメチルシリ
ル基，トリエチルシリル基等が挙げられる。アルコキシ
基は直鎖状又は分枝鎖状のアルコキシ基を表し、例え
ば、メトキシ基，エトキシ基，n-プロポキシ基，イソプ
ロポキシ基，n-ブトキシ基，イソブトキシ基，sec-ブト
キシ基，tert-ブトキシ基，n-ペンチルオキシ基，イソ
ペンチルオキシ基，ネオペンチルオキシ基，tert-ペン
チルオキシ基，n-ヘキシルオキシ基，n-ヘプチルオキシ
基，n-オクチルオキシ基，n-ノニルオキシ基，n-デシル
オキシ基，n-ウンデシルオキシ基，n-ドデシルオキシ基
等が挙げられる。アルキルチオ基は直鎖状又は分枝鎖状
のアルキルチオ基を表し、例えば、メチルチオ基，エチ
ルチオ基，n-プロピルチオ基，イソプロピルチオ基，n-
ブチルチオ基，イソブチルチオ基，sec-ブチルチオ基，
tert-ブチルチオ基，n-ペンチルチオ基，イソペンチル
チオ基，ネオペンチルチオ基，tert-ペンチルチオ基，n
-ヘキシルチオ基，n-ヘプチルチオ基，n-オクチルチオ
基，n-ノニルチオ基，n-デシルチオ基，n-ウンデシルチ
オ基，n-ドデシルチオ基等が挙げられる。

【００１３】置換基を有してもよいアミノ基としては、
例えば、アミノ基，メチルアミノ基，エチルアミノ基，
n-プロピルアミノ基，イソプロピルアミノ基，n-ブチル
アミノ基，イソブチルアミノ基，sec-ブチルアミノ基，
tert-ブチルアミノ基，n-ペンチルアミノ基，イソペン
チルアミノ基，ネオペンチルアミノ基，tert-ペンチル
アミノ基，n-ヘキシルアミノ基，アニリノ基，ベンジル
アミノ基，ジメチルアミノ基，ジエチルアミノ基，ジベ
ンジルアミノ基，Ｎ−エチル−Ｎ−メチルアミノ基，Ｎ
−メチルアニリノ基，Ｎ−ベンジル−Ｎ−メチルアミノ
基，アセチルアミノ基，プロピオニルアミノ基等が挙げ
られ、置換基を有してもよいカルバモイル基としては、
例えば、カルバモイル基，Ｎ−メチルカルバモイル基，
Ｎ−エチルカルバモイル基，Ｎ−n-プロピルカルバモイ
ル基，Ｎ−イソプロピルカルバモイル基，Ｎ−n-ブチル
カルバモイル基，Ｎ−イソブチルカルバモイル基，Ｎ−
sec-ブチルカルバモイル基，Ｎ−tert-ブチルカルバモ
イル基，Ｎ−n-ペンチルカルバモイル基，Ｎ−イソペン
チルカルバモイル基，Ｎ−ネオペンチルカルバモイル
基，Ｎ−tert-ペンチルカルバモイル基，Ｎ−n-ヘキシ
ルカルバモイル基，Ｎ−ベンジルカルバモイル基，Ｎ，
Ｎ−ジメチルカルバモイル基，Ｎ，Ｎ−ジエチルカルバ
モイル基，Ｎ，Ｎ−ジベンジルカルバモイル基，Ｎ−エ
チル−Ｎ−メチルカルバモイル基等が挙げられる。

【００１４】アリールオキシ基としては、例えば、フェ
ノキシ基，メチルフェノキシ基，ニトロフェノキシ基，
ピリジルオキシ基，ピリミジルオキシ基，ピラジニルオ
キシ基，イミダゾリルオキシ基，オキサゾリルオキシ
基，イソオキサゾリルオキシ基，チアゾリルオキシ基，
イソチアゾリルオキシ基，ナフチルオキシ基，フリルオ
キシ基，ベンゾフラニルオキシ基，ベンゾ［ｂ］チエニ
ルオキシ基，ベンゾイミダゾリルオキシ基，インドリル
オキシ基，チエニルオキシ基，ピロリルオキシ基，キノ
リルオキシ基，イソキノリルオキシ基，（１，２，３，
４−テトラヒドロナフタレン−５−イル）オキシ基，
（１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−６−イ
ル）オキシ基等が挙げられ、アリールチオ基としては、
例えば、フェニルチオ基，ピリジルチオ基，ピリミジル
チオ基，ピラジニルチオ基，イミダゾリルチオ基，オキ
サゾリルチオ基，イソオキサゾリルチオ基，チアゾリル
チオ基，イソチアゾリルチオ基，ナフチルチオ基，フリ
ルチオ基，ベンゾフラニルチオ基，ベンゾ［ｂ］チエニ
ルチオ基，ベンゾイミダゾリルチオ基，インドリルチオ
基，チエニルチオ基，ピロリルチオ基，キノリルチオ
基，イソキノリルチオ基，（１，２，３，４−テトラヒ
ドロナフタレン−５−イル）チオ基，（１，２，３，４
−テトラヒドロナフタレン−６−イル）チオ基等が挙げ
られる。アラルキルオキシ基としては、例えば、ベンジ
ルオキシ基，フェネチルオキシ基，フェニルプロピルオ
キシ基，フェニルヘキシルオキシ基，フェニルドデシル
オキシ基等が挙げられ、アラルキルチオ基としては、例
えば、ベンジルチオ基，フェネチルチオ基，フェニルプ
ロピルチオ基，フェニルヘキシルチオ基，フェニルドデ
シルチオ基等が挙げられ、ハロゲン原子としては、例え
ば、フッ素原子，塩素原子，臭素原子，ヨウ素原子が挙
げられる。

【００１５】アシル基としては、例えば、ホルミル基，
アセチル基，プロピオニル基，ブチリル基，ピバロイル
基，ベンゾイル基，ニコチノイル基，イソニコチノイル
基，ピリミジルカルボニル基，ピラジニルカルボニル
基，オキサゾリルカルボニル基，イソオキサゾリルカル
ボニル基，チアゾリルカルボニル基，イソチアゾリルカ
ルボニル基，ナフトイル基，フロイル基，ベンゾフラニ
ルカルボニル基，ベンゾ［ｂ］チエニルカルボニル基，
ベンゾイミダゾリルカルボニル基，インドリルカルボニ
ル基，テノイル基，ピロリルカルボニル基，キノリルカ
ルボニル基，イソキノリルカルボニル基，（１，２，
３，４−テトラヒドロナフタレン−５−イル）カルボニ
ル基，（１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−６
−イル）カルボニル基，フェニルアセチル基，ピリジル
アセチル基，ピリミジルアセチル基，ピラジニルアセチ
ル基，イミダゾリルアセチル基，オキサゾリルアセチル
基，イソオキサゾリルアセチル基，チアゾリルアセチル
基，イソチアゾリルアセチル基，ナフチルアセチル基，
フリルアセチル基，ベンゾフラニルアセチル基，ベンゾ
［ｂ］チエニルアセチル基，ベンゾイミダゾリルアセチ
ル基，インドリルアセチル基，チエニルアセチル基，ピ
ロリルアセチル基，キノリルアセチル基，イソキノリル
アセチル基，（１，２，３，４−テトラヒドロナフタレ
ン−５−イル）アセチル基，（１，２，３，４−テトラ
ヒドロナフタレン−６−イル）アセチル基，フェニルプ
ロピオニル基，フェニルヘキシルカルボニル基，フェニ
ルドデシルカルボニル基，シクロヘキシルアセチル基等
が挙げられる。

【００１６】シクロアルキル基としては、例えば、シク
ロプロピル基，シクロブチル基，シクロペンチル基，シ
クロヘキシル基等が挙げられ、アリール基としては、例
えば、フェニル基，ナフチル基，ピリジル基，ピリミジ
ル基，ピラジニル基，イミダゾリル基，オキサゾリル
基，イソオキサゾリル基，チアゾリル基，イソチアゾリ
ル基，フリル基，チエニル基，ピロリル基，ベンゾフラ
ニル基，ベンゾ［ｂ］チエニル基，ベンゾイミダゾリル
基，インドリル基，キノリル基，イソキノリル基，１，
２，３，４−テトラヒドロナフチル基等が挙げられる。
アラルキル基としては、例えば、ベンジル基，フェネチ
ル基，フェニルプロピル基，フェニルブチル基，フェニ
ルペンチル基，フェニルヘキシル基，フェニルヘプチル
基，フェニルオクチル基，フェニルノニル基，フェニル
デシル基，フェニルウンデシル基，フェニルドデシル
基，ナフチルメチル基，ピリジルメチル基，ピリジルプ
ロピル基，ピリミジルプロピル基，ピラジニルプロピル
基，イミダゾリルプロピル基，オキサゾリルプロピル
基，イソオキサゾリルプロピル基，チアゾリルプロピル
基，イソチアゾリルプロピル基，フリルプロピル基，チ
エニルプロピル基，ピロリルプロピル基，ベンゾフラニ
ルプロピル基，ベンゾ［ｂ］チエニルプロピル基，ベン
ゾイミダゾリルプロピル基，インドリルプロピル基，キ
ノリルプロピル基，イソキノリルプロピル基等が挙げら
れる。

【００１７】アルコキシカルボニル基としては、例え
ば、メトキシカルボニル基，エトキシカルボニル基，n-
プロポキシカルボニル基，イソプロポキシカルボニル
基，n-ブトキシカルボニル基，イソブトキシカルボニル
基，sec-ブトキシカルボニル基，tert-ブトキシカルボ
ニル基，n-ペンチルオキシカルボニル基，イソペンチル
オキシカルボニル基，ネオペンチルオキシカルボニル
基，tert-ペンチルオキシカルボニル基，n-ヘキシルオ
キシカルボニル基，n-ヘプチルオキシカルボニル基，n-
オクチルオキシカルボニル基，n-ノニルオキシカルボニ
ル基，n-デシルオキシカルボニル基，n-ウンデシルオキ
シカルボニル基，n-ドデシルオキシカルボニル基等が挙
げられ、アリールオキシカルボニル基としては、例え
ば、フェノキシカルボニル基，ピリジルオキシカルボニ
ル基，ピリミジルオキシカルボニル基，ピラジニルオキ
シカルボニル基，イミダゾリルオキシカルボニル基，オ
キサゾリルオキシカルボニル基，イソオキサゾリルオキ
シカルボニル基，チアゾリルオキシカルボニル基，イソ
チアゾリルオキシカルボニル基，ナフチルオキシカルボ
ニル基，フリルオキシカルボニル基，ベンゾフラニルオ
キシカルボニル基，ベンゾ［ｂ］チエニルオキシカルボ
ニル基，ベンゾイミダゾリルオキシカルボニル基，イン
ドリルオキシカルボニル基，チエニルオキシカルボニル
基，ピロリルオキシカルボニル基，キノリルオキシカル
ボニル基，イソキノリルオキシカルボニル基，（１，
２，３，４−テトラヒドロナフタレン−５−イル）オキ
シカルボニル基，（１，２，３，４−テトラヒドロナフ
タレン−６−イル）オキシカルボニル基等が挙げられ、
アラルキルオキシカルボニル基としては、例えば、ベン
ジルオキシカルボニル基，ピリジルメチルオキシカルボ
ニル基，ピリミジルメチルオキシカルボニル基，ピラジ
ニルメチルオキシカルボニル基，イミダゾリルメチルオ
キシカルボニル基，オキサゾリルメチルオキシカルボニ
ル基，イソオキサゾリルメチルオキシカルボニル基，チ
アゾリルメチルオキシカルボニル基，イソチアゾリルメ
チルオキシカルボニル基，ナフチルメチルオキシカルボ
ニル基，フリルメチルオキシカルボニル基，ベンゾフラ
ニルメチルオキシカルボニル基，ベンゾ［ｂ］チエニル
メチルオキシカルボニル基，ベンゾイミダゾリルメチル
オキシカルボニル基，インドリルメチルオキシカルボニ
ル基，チエニルメチルオキシカルボニル基，ピロリルメ
チルオキシカルボニル基，キノリルメチルオキシカルボ
ニル基，イソキノリルメチルオキシカルボニル基，
（１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−５−イ
ル）メチルオキシカルボニル基，（１，２，３，４−テ
トラヒドロナフタレン−６−イル）メチルオキシカルボ
ニル基，フェネチルオキシカルボニル基，フェニルヘキ
シルオキシカルボニル基，フェニルドデシルオキシカル
ボニル基等が挙げられる。

【００１８】アルキルスルフィニル基としては、例え
ば、メチルスルフィニル基，エチルスルフィニル基，n-
プロピルスルフィニル基，イソプロピルスルフィニル
基，n-ブチルスルフィニル基，イソブチルスルフィニル
基，sec-ブチルスルフィニル基，tert-ブチルスルフィ
ニル基，n-ペンチルスルフィニル基，イソペンチルスル
フィニル基，ネオペンチルスルフィニル基，tert-ペン
チルスルフィニル基，n-ヘキシルスルフィニル基，n-ヘ
プチルスルフィニル基，n-オクチルスルフィニル基，n-
ノニルスルフィニル基，n-デシルスルフィニル基，n-ウ
ンデシルスルフィニル基，n-ドデシルスルフィニル基等
が挙げられ、アリールスルフィニル基としては、例え
ば、フェニルスルフィニル基，ピリジルスルフィニル
基，ピリミジルスルフィニル基，ピラジニルスルフィニ
ル基，イミダゾリルスルフィニル基，オキサゾリルスル
フィニル基，イソオキサゾリルスルフィニル基，チアゾ
リルスルフィニル基，イソチアゾリルスルフィニル基，
ナフチルスルフィニル基，フリルスルフィニル基，ベン
ゾフラニルスルフィニル基，ベンゾ［ｂ］チエニルスル
フィニル基，ベンゾイミダゾリルスルフィニル基，イン
ドリルスルフィニル基，チエニルスルフィニル基，ピロ
リルスルフィニル基，キノリルスルフィニル基，イソキ
ノリルスルフィニル基，（１，２，３，４−テトラヒド
ロナフタレン−５−イル）スルフィニル基，（１，２，
３，４−テトラヒドロナフタレン−６−イル）スルフィ
ニル基等が挙げられ、アラルキルスルフィニル基として
は、例えば、ベンジルスルフィニル基，ピリジルメチル
スルフィニル基，ピリミジルメチルスルフィニル基，ピ
ラジニルメチルスルフィニル基，イミダゾリルメチルス
ルフィニル基，オキサゾリルメチルスルフィニル基，イ
ソオキサゾリルメチルスルフィニル基，チアゾリルメチ
ルスルフィニル基，イソチアゾリルメチルスルフィニル
基，ナフチルメチルスルフィニル基，フリルメチルスル
フィニル基，ベンゾフラニルメチルスルフィニル基，ベ
ンゾ［ｂ］チエニルメチルスルフィニル基，ベンゾイミ
ダゾリルメチルスルフィニル基，インドリルメチルスル
フィニル基，チエニルメチルスルフィニル基，ピロリル
メチルスルフィニル基，キノリルメチルスルフィニル
基，イソキノリルメチルスルフィニル基，（１，２，
３，４−テトラヒドロナフタレン−５−イル）メチルス
ルフィニル基，（１，２，３，４−テトラヒドロナフタ
レン−６−イル）メチルスルフィニル基，フェネチルス
ルフィニル基，フェニルヘキシルスルフィニル基，フェ
ニルドデシルスルフィニル基等が挙げられる。

【００１９】アルキルスルホニル基としては、例えば、
メシル基，エチルスルホニル基，n-プロピルスルホニル
基，イソプロピルスルホニル基，n-ブチルスルホニル
基，イソブチルスルホニル基，sec-ブチルスルホニル
基，tert-ブチルスルホニル基，n-ペンチルスルホニル
基，イソペンチルスルホニル基，ネオペンチルスルホニ
ル基，tert-ペンチルスルホニル基，n-ヘキシルスルホ
ニル基，n-ヘプチルスルホニル基，n-オクチルスルホニ
ル基，n-ノニルスルホニル基，n-デシルスルホニル基，
n-ウンデシルスルホニル基，n-ドデシルスルホニル基等
が挙げられ、アリールスルホニル基としては、例えば、
フェニルスルホニル基，トリルスルホニル基，ピリジル
スルホニル基，ピリミジルスルホニル基，ピラジニルス
ルホニル基，イミダゾリルスルホニル基，オキサゾリル
スルホニル基，イソオキサゾリルスルホニル基，チアゾ
リルスルホニル基，イソチアゾリルスルホニル基，ナフ
チルスルホニル基，フリルスルホニル基，ベンゾフラニ
ルスルホニル基，ベンゾ［ｂ］チエニルスルホニル基，
ベンゾイミダゾリルスルホニル基，インドリルスルホニ
ル基，チエニルスルホニル基，ピロリルスルホニル基，
キノリルスルホニル基，イソキノリルスルホニル基，
（１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−５−イ
ル）スルホニル基，（１，２，３，４−テトラヒドロナ
フタレン−６−イル）スルホニル基等が挙げられ、アラ
ルキルスルホニル基としては、例えば、ベンジルスルホ
ニル基，ピリミジルメチルスルホニル基，ピラジニルメ
チルスルホニル基，イミダゾリルメチルスルホニル基，
オキサゾリルメチルスルホニル基，イソオキサゾリルメ
チルスルホニル基，チアゾリルメチルスルホニル基，イ
ソチアゾリルメチルスルホニル基，ナフチルメチルスル
ホニル基，フリルメチルスルホニル基，ベンゾフラニル
メチルスルホニル基，ベンゾ［ｂ］チエニルメチルスル
ホニル基，ベンゾイミダゾリルメチルスルホニル基，イ
ンドリルメチルスルホニル基，チエニルメチルスルホニ
ル基，ピロリルメチルスルホニル基，キノリルメチルス
ルホニル基，イソキノリルメチルスルホニル基，（１，
２，３，４−テトラヒドロナフタレン−５−イル）メチ
ルスルホニル基，（１，２，３，４−テトラヒドロナフ
タレン−６−イル）メチルスルホニル基，フェネチルス
ルホニル基，フェニルヘキシルスルホニル基，フェニル
ドデシルスルホニル基等が挙げられる。又、上記の置換
可能なアルキル基としては、例えば、前述に例記したよ
うな基が挙げられる。

【００２０】Ｒ⁴で示される置換基を有するメチル基の
置換基としては、上述に例示したような置換可能な基が
挙げられ、好ましくは、シアノ基，ニトロ基，ハロゲン
原子，カルボキシル基，アルコキシカルボニル基，アリ
ールオキシカルボニル基，アラルキルオキシカルボニル
基等が挙げられる。

【００２１】尚、本明細書において、置換可能な基のう
ち、「アリールオキシ基」，「アリールチオ基」，「ア
ラルキルオキシ基」，「アラルキルチオ基」，「アシル
基中のアリール基，アラルキル基」，「アリール基」，
「アラルキル基」，「アリールオキシカルボニル基」，
「アラルキルオキシカルボニル基」，「アリールスルフ
ィニル基」，「アラルキルスルフィニル基」，「アリー
ルスルホニル基」，「アラルキルスルホニル基」の中の
「アリール基」の置換／結合部位としては、芳香環構成
成分中、置換／結合可能な元素であればいかなる位置で
もよい基を包含する概念として用いる。

【００２２】本発明の前記一般式（Ｉ）で示される化合
物は不斉炭素を有し、光学異性体，ジアステレオ異性
体，幾何異性体などの立体異性体が存在しうるが、これ
ら異性体及びその混合物、並びにそれらの塩も本発明の
範囲に包含される。

【００２３】本発明の前記一般式（Ｉ）で示される化合
物は、所望により塩、好ましくは薬理学的に許容しうる
塩に変換することができ、又、生成した塩から遊離形態
の化合物に変換することもできる。本発明の前記一般式
（Ｉ）で示される化合物の塩としては、酸付加塩又はア
ルカリ付加塩が挙げられ、酸付加塩としては、例えば、
塩酸塩，臭化水素酸塩，硝酸塩，硫酸塩，ヨウ化水素酸
塩，燐酸塩等の鉱酸塩、酢酸塩，プロピオン酸塩，酪酸
塩，ギ酸塩，吉草酸塩，ピバル酸塩，トリフルオロ酢酸
塩，アクリル酸塩，マレイン酸塩，酒石酸塩，クエン酸
塩，オレイン酸塩，ラウリン酸塩，ステアリン酸塩，コ
ハク酸塩，ラクトビオン酸塩，グルタル酸塩，セバシン
酸塩，グルコン酸塩，安息香酸塩，メタンスルホン酸
塩，エタンスルホン酸塩，２−ヒドロキシエタンスルホ
ン酸塩，ベンゼンスルホン酸塩，フタル酸塩，ケイ皮酸
塩，p-トルエンスルホン酸塩，ラウリル硫酸塩，グルセ
プト酸塩，リンゴ酸塩，マロン酸塩，アスパラギン酸
塩，グルタミン酸塩，アジピン酸塩，シュウ酸塩，ニコ
チン酸塩，ピクリン酸塩，チオシアン酸塩，ウンデカン
酸塩，マンデル酸塩，フマル酸塩，１０−カンファース
ルホン酸塩，乳酸塩，５−オキソテトラヒドロフラン−
２−カルボン酸塩，２−ヒドロキシグルタル酸塩等の有
機酸塩が、アルカリ付加塩としては、例えば、ナトリウ
ム塩，カリウム塩，カルシウム塩，マグネシウム塩，ア
ンモニウム塩等の無機アルカリ塩、エタノールアミン
塩，Ｎ，Ｎ−ジアルキルエタノールアミン塩等の有機塩
基の塩が挙げられる。

【００２４】本発明の前記一般式（Ｉ）で示される化合
物又はその塩は、製造条件により任意の結晶形として、
又、任意の水和物もしくは有機溶媒の溶媒和物として存
在することができるが、これらの結晶形，水和物，溶媒
和物及びそれらの混合物も本発明の範囲に包含される。

【００２５】本発明の好ましい化合物としては、以下に
記載する化合物が挙げられるが、本発明はこれらに限定
されるものではない。尚、表中に示したMeはメチル基，
Etはエチル基，n-Prはn-プロピル基，i-Prはイソプロピ
ル基，n-Buはn-ブチル基，i-Buはイソブチル基，sec-Bu
はsec-ブチル基，tert-Buはtert-ブチル基，n-Pentはn-
ペンチル基，i-Pentはイソペンチル基，neo-Pentはネオ
ペンチル基，tert-Pentはtert-ペンチル基，n-Hexはn-
ヘキシル基，n-Heptはn-ヘプチル基，n-Octはn-オクチ
ル基，n-Nonはn-ノニル基，n-Decはn-デシル基，n-Unde
cはn-ウンデシル基，n-Dodecはn-ドデシル基，Acはアセ
チル基を表す。

【００２６】

【化３】

【００２７】

【表１】

【００２８】

【表２】

【００２９】

【表３】

【００３０】

【表４】

【００３１】

【表５】

【００３２】

【表６】

【００３３】

【表７】

【００３４】

【表８】

【００３５】

【表９】

【００３６】

【表１０】

【００３７】

【表１１】

【００３８】

【表１２】

【００３９】

【表１３】

【００４０】

【表１４】

【００４１】

【表１５】

【００４２】

【表１６】

【００４３】

【表１７】

【００４４】

【表１８】

【００４５】

【表１９】

【００４６】

【表２０】

【００４７】

【表２１】

【００４８】

【表２２】

【００４９】

【表２３】

【００５０】

【表２４】

【００５１】

【表２５】

【００５２】

【表２６】

【００５３】

【表２７】

【００５４】本発明の前記一般式（Ｉ）で示される新規
なエリスロマイシン誘導体は、例えば以下の方法により
製造することができるが、本発明化合物の製造方法はこ
れらの方法に限定されるわけではない。

【００５５】本発明化合物の製造方法の第一の様式によ
れば、前記一般式（Ｉ）で示される化合物は、次の一般
式（II）

【化４】 （式中、Ｒ⁵は水素原子又は水酸基の保護基を表し、
Ｒ¹，Ｒ³及びＲ⁴は前述と同意義を表す。）で示される
化合物と、次の一般式（III） Ｒ²−ＣＯ₂Ｈ （III） （式中、Ｒ²は前述と同意義を表す。）で示されるカル
ボン酸誘導体及び縮合剤を、塩基の存在下又は非存在
下、無溶媒又は溶媒中で反応させ、更に必要に応じて脱
保護することにより製造するか、あるいは、次の一般式
（IV） Ｒ²−ＣＯ₂Ｕ （IV） （式中、Ｕは酸無水物残基を表し、Ｒ²は前述と同意義
を表す。）で示される酸無水物、又は次の一般式（Ｖ） Ｒ²−ＣＯＷ （Ｖ） （式中、Ｗはハロゲン原子を表し、Ｒ²は前述と同意義
を表す。）で示される酸ハライド誘導体を、塩基の存在
下又は非存在下、無溶媒又は溶媒中で反応させ、更に必
要に応じて脱保護することにより製造することができ
る。

【００５６】本製造方法において使用される縮合剤とし
ては、例えば、１，３−ジシクロヘキシルカルボジイミ
ド，１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）
カルボジイミド塩酸塩，１，１’−カルボニルジイミダ
ゾール，ウッドワード試薬Ｋ（２−エチル−５−フェニ
ルイソキサゾリウム−３’−スルホン酸）等が挙げら
れ、使用される塩基としては、例えば、トリエチルアミ
ン，Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン，４−ジメチ
ルアミノピリジン，１，８−ジアザビシクロ［５．４．
０］−７−ウンデセン，１，２，２，６，６−ペンタメ
チルピペリジン等の有機塩基、又は炭酸ナトリウム，炭
酸カリウム，炭酸水素ナトリウム，炭酸水素カリウム等
の無機塩基が挙げられる。使用される溶媒は、それ自体
反応において不活性であって、且つ反応を阻害しないも
のであればいかなるものでもよく、例えば、ジクロロメ
タン，１，２−ジクロロエタン，クロロホルム等のハロ
ゲン化炭化水素系溶媒、ベンゼン，トルエン等の芳香族
炭化水素系溶媒、アセトン，アセトニトリル，Ｎ，Ｎ−
ジメチルホルムアミド，Ｎ−メチル−２−ピロリドン，
ジメチルスルホキシド，テトラメチレンスルホラン，テ
トラメチレンスルホキシド，ヘキサメチレンホスホリッ
クトリアミド等の非プロトン性極性溶媒、酢酸メチル，
酢酸エチル等のエステル系溶媒、テトラヒドロフラン，
ジエチルエーテル，１，４−ジオキサン等のエーテル系
溶媒、ピリジン，ピコリン，ルチジン，コリジン等の有
機塩基系溶媒又はこれらの混合溶媒が挙げられる。又、
反応は氷冷下から２００℃までの範囲で行われる。

【００５７】本製造方法における脱保護反応は、水酸基
の保護基Ｒ⁵の種類に応じて種々の方法により行うこと
ができ、一例として、次のような方法を用いることがで
きる。例えば、水酸基の保護基Ｒ⁵がアルカノイル基，
ハロゲノアルカノイル基，アリールカルボニル基のよう
なエステルを形成する保護基の場合には、無溶媒又は溶
媒中、酸もしくはアルカリの存在下又は非存在下、加水
分解することにより製造することができる。エステルの
加水分解はそれ自体公知の方法で、酸性加水分解には、
例えば、塩酸，硫酸等の酸を用いることができ、アルカ
リ性加水分解には、例えば、炭酸水素ナトリウム，炭酸
ナトリウム，水酸化ナトリウム，水酸化リチウム，水酸
化バリウム，メトキシナトリウム，エトキシナトリウ
ム，tert-ブトキシナトリウム，tert-ブトキシカリウム
等のアルカリを用いることができる。これらの酸又はア
ルカリは水溶液として用いることもできるが、メタノー
ル，エタノール，n-プロパノール，イソプロピルアルコ
ール，n-ブタノール，sec-ブチルアルコール，tert-ブ
チルアルコール等のアルコール系溶媒、アセトン，アセ
トニトリル，Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド，ジメチル
スルホキシド，テトラメチレンスルホラン，テトラメチ
レンスルホキシド，ヘキサメチレンホスホリックトリア
ミド等の非プロトン性極性溶媒、テトラヒドロフラン，
ジエチルエーテル，１，４−ジオキサン等のエーテル系
溶媒又はこれらの含水溶媒等を用いることができる。
又、反応は氷冷下から２００℃までの範囲で行われる。

【００５８】又、水酸基の保護基Ｒ⁵がアルコキシカル
ボニル基，アリールオキシカルボニル基，アラルキルオ
キシカルボニル基等のようなカーボネートを形成する保
護基の場合には、無溶媒又は溶媒中、カチオンスカベン
ジャーの存在下又は非存在下酸を作用させるか、もしく
は溶媒中触媒の存在下で加水素分解し、脱保護すること
により製造することができる。使用される溶媒は、それ
自体反応において不活性であって、且つ反応を阻害しな
いものであればいかなるものでもよく、例えば、水、酢
酸、メタノール，エタノール，n-プロパノール，イソプ
ロピルアルコール，n-ブタノール，sec-ブチルアルコー
ル，tert-ブチルアルコール等のアルコール系溶媒、ジ
クロロメタン，１，２−ジクロロエタン，クロロホルム
等のハロゲン化炭化水素系溶媒、ベンゼン，トルエン等
の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン，アセトニトリル，
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド，Ｎ−メチル−２−ピロ
リドン，ジメチルスルホキシド，テトラメチレンスルホ
ラン，テトラメチレンスルホキシド，ヘキサメチレンホ
スホリックトリアミド等の非プロトン性極性溶媒、酢酸
メチル，酢酸エチル等のエステル系溶媒、テトラヒドロ
フラン，ジエチルエーテル，１，４−ジオキサン等のエ
ーテル系溶媒又はこれらの混合溶媒等が挙げられる。使
用されるカチオンスカベンジャーとしては、例えば、ア
ニソール，チオアニソール，エタンチオール等が挙げら
れ、使用される酸としては、例えば、塩酸，臭化水素
酸，トリフルオロ酢酸，酢酸，硫酸等が挙げられる。
又、反応は氷冷下から２００℃までの範囲で行われる。
加水素分解に用いられる触媒としては、例えば、５％パ
ラジウム／炭素，１０％パラジウム／炭素，２０％水酸
化パラジウム／炭素等のパラジウム系の触媒又は酸化白
金等が挙げられる。水素源としては水素ガスの他、シク
ロヘキセン，１，３−シクロヘキサジエン，ギ酸，ギ酸
アンモニウム等を用いることができる。又、反応は室温
から２００℃の範囲で行われ、水素源として水素ガスを
用いる場合は、水素圧は常圧から２００Paの範囲で行わ
れる。

【００５９】又、水酸基の保護基Ｒ⁵がトリアルキルシ
リル型の保護基の場合には、無溶媒又は溶媒中、酸又は
フッ化テトラブチルアンモニウムを作用させ、脱保護す
ることにより製造することができる。使用される溶媒
は、それ自体反応において不活性であって、且つ反応を
阻害しないものであればいかなるものでもよく、例え
ば、水、酢酸、メタノール，エタノール，n-プロパノー
ル，イソプロピルアルコール，n-ブタノール，sec-ブチ
ルアルコール，tert-ブチルアルコール等のアルコール
系溶媒、ジクロロメタン，１，２−ジクロロエタン，ク
ロロホルム等のハロゲン化炭化水素系溶媒、ベンゼン，
トルエン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン，アセト
ニトリル，Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド，Ｎ−メチル
−２−ピロリドン，ジメチルスルホキシド，テトラメチ
レンスルホラン，テトラメチレンスルホキシド，ヘキサ
メチレンホスホリックトリアミド等の非プロトン性極性
溶媒、酢酸メチル，酢酸エチル等のエステル系溶媒、テ
トラヒドロフラン，ジエチルエーテル，１，４−ジオキ
サン等のエーテル系溶媒又はこれらの混合溶媒等が挙げ
られ、使用される酸としては、例えば、フッ化水素酸，
塩酸，臭化水素酸，硫酸等の鉱酸、トリフルオロ酢酸，
酢酸，p-トルエンスルホン酸，クエン酸，シュウ酸等の
有機酸が挙げられる。又、反応は氷冷下から２００℃ま
での範囲で行われる。

【００６０】本発明化合物の製造方法の第二の様式によ
れば、前記一般式（Ｉ）で示される化合物は、次の一般
式（VI）

【化５】 （式中、Ｒ¹，Ｒ²，Ｒ⁴及びＲ⁵は前述と同意義を表
す。）で示される化合物と、次の一般式（VII） Ｒ³−Ｑ （VII） （式中、Ｑはハロゲン原子，メシルオキシ基，トシルオ
キシ基又はトリフルオロメチルスルホニルオキシ基を表
し、Ｒ³は前述と同意義を表す。）で示される化合物及
びヨウ化テトラブチルアンモニウムを、ヨウ化ナトリウ
ムもしくは塩基の存在下又は非存在下、無溶媒又は溶媒
中で反応させ、更に必要に応じて脱保護することにより
製造することができる。

【００６１】本製造方法において使用される塩基として
は、例えば、トリエチルアミン，Ｎ，Ｎ−ジイソプロピ
ルエチルアミン，４−ジメチルアミノピリジン，１，８
−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン，
１，２，２，６，６−ペンタメチルピペリジン等の有機
塩基、又は炭酸ナトリウム，炭酸カリウム，炭酸水素ナ
トリウム，炭酸水素カリウム，水素化ナトリウム，水酸
化ナトリウム，水酸化カリウム等の無機塩基が挙げられ
る。使用される溶媒は、それ自体反応において不活性で
あって、且つ反応を阻害しないものであればいかなるも
のでもよく、例えば、ジクロロメタン，１，２−ジクロ
ロエタン，クロロホルム等のハロゲン化炭化水素系溶
媒、ベンゼン，トルエン等の芳香族炭化水素系溶媒、ア
セトン，アセトニトリル，Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミ
ド，Ｎ−メチル−２−ピロリドン，ジメチルスルホキシ
ド，テトラメチレンスルホラン，テトラメチレンスルホ
キシド，ヘキサメチレンホスホリックトリアミド等の非
プロトン性極性溶媒、酢酸メチル，酢酸エチル等のエス
テル系溶媒、テトラヒドロフラン，ジエチルエーテル，
１，４−ジオキサン等のエーテル系溶媒、ピリジン，ピ
コリン，ルチジン，コリジン等の有機塩基系溶媒又はこ
れらの混合溶媒等が挙げられる。又、反応は氷冷下から
２００℃までの範囲で行われる。

【００６２】本製造方法における脱保護反応は水酸基の
保護基Ｒ⁵の種類に応じて種々の方法を用いることがで
き、先に記載した第一の製造様式の方法に準じて行うこ
とができる。

【００６３】本発明化合物の製造方法の第三の様式によ
れば、前記一般式（Ｉ）で示される化合物のうち、Ｒ³
がアルコキシ基で置換されたシクロアルキル基である化
合物は、前記一般式（VI）で示される化合物と、次の一
般式（VIII）

【化６】 （式中、Ｒ⁶及びＲ⁷は各々独立してアルコキシ基を表
し、ｍは１以上の整数を表す。）で示されるシクロアル
キル化合物、又は次の一般式（IX）

【化７】 （式中、Ｒ⁸はアルコキシ基を表し、ｐは１以上の整数
を表す。）で示されるシクロアルケン化合物を、酸触媒
の存在下又は非存在下、無溶媒又は溶媒中で反応させ、
更に必要に応じて脱保護することにより製造することが
できる。

【００６４】本製造方法において使用される酸として
は、例えば、ピリジン塩酸塩，ピリジントリフルオロ酢
酸塩，ピリジンp-トルエンスルホン酸塩等が挙げられ、
使用される溶媒としては、それ自体反応において不活性
であって、且つ反応を阻害しないものであればいかなる
ものでもよく、例えば、ジクロロメタン，１，２−ジク
ロロエタン，クロロホルム等のハロゲン化炭化水素系溶
媒、ベンゼン，トルエン等の芳香族炭化水素系溶媒、ア
セトン，アセトニトリル，Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミ
ド，Ｎ−メチル−２−ピロリドン，ジメチルスルホキシ
ド，テトラメチレンスルホラン，テトラメチレンスルホ
キシド，ヘキサメチレンホスホリックトリアミド等の非
プロトン性極性溶媒、酢酸メチル，酢酸エチル等のエス
テル系溶媒、テトラヒドロフラン，ジエチルエーテル，
１，４−ジオキサン等のエーテル系溶媒又はこれらの混
合溶媒等が挙げられる。又、反応は氷冷下から２００℃
までの範囲で行われる。

【００６５】本製造方法における脱保護反応は水酸基の
保護基Ｒ⁵の種類に応じて種々の方法を用いることがで
き、先に記載した第一の製造様式の方法に準じて行うこ
とができる。

【００６６】本発明化合物の製造方法の第四の様式によ
れば、前記一般式（Ｉ）で示される化合物は、次の一般
式（Ｘ）

【化８】 （式中、Ｒ¹，Ｒ²，Ｒ⁴及びＲ⁵は前述と同意義を表
す。）で示される化合物と、次の一般式（XI） Ｒ³−Ｏ−ＮＨ₂ （XI） （式中、Ｒ³は前述と同意義を表す。）で示されるヒド
ロキシルアミン誘導体又はその塩を、塩基の存在下又は
非存在下、無溶媒又は溶媒中で反応させ、更に必要に応
じて脱保護することにより製造することができる。

【００６７】本製造方法において使用される塩基として
は、例えば、トリエチルアミン，イミダゾール，Ｎ，Ｎ
−ジイソプロピルエチルアミン，４−ジメチルアミノピ
リジン，１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−
ウンデセン，１，２，２，６，６−ペンタメチルピペリ
ジン等の有機塩基、又は炭酸ナトリウム，炭酸カリウ
ム，炭酸水素ナトリウム，炭酸水素カリウム等の無機塩
基が挙げられる。使用される溶媒は、それ自体反応にお
いて不活性であって、且つ反応を阻害しないものであれ
ばいかなるものでもよく、例えば、メタノール，エタノ
ール，n-プロパノール，イソプロピルアルコール，n-ブ
タノール，sec-ブチルアルコール，tert-ブチルアルコ
ール等のアルコール系溶媒、ジクロロメタン，１，２−
ジクロロエタン，クロロホルム等のハロゲン化炭化水素
系溶媒、ベンゼン，トルエン等の芳香族炭化水素系溶
媒、アセトン，アセトニトリル，Ｎ，Ｎ−ジメチルホル
ムアミド，Ｎ−メチル−２−ピロリドン，ジメチルスル
ホキシド，テトラメチレンスルホラン，テトラメチレン
スルホキシド，ヘキサメチレンホスホリックトリアミド
等の非プロトン性極性溶媒、酢酸メチル，酢酸エチル等
のエステル系溶媒、テトラヒドロフラン，ジエチルエー
テル，１，４−ジオキサン等のエーテル系溶媒、ピリジ
ン，ピコリン，ルチジン，コリジン等の有機塩基系溶媒
又はこれらの混合溶媒等が挙げられる。又、反応は氷冷
下から２００℃までの範囲で行われる。

【００６８】本製造方法における脱保護反応は、水酸基
の保護基Ｒ⁵の種類に応じて種々の方法を用いることが
でき、先に記載した第一の製造様式の方法に準じて行う
ことができる。

【００６９】本発明化合物の製造方法の第五の様式によ
れば、前記一般式（Ｉ）中、Ｒ²，Ｒ³又はＲ⁴で示され
る置換基中にアシルアミノ基又はアミノ基を有する化合
物は、第一〜第四の様式により製造されるＲ²，Ｒ³又は
Ｒ⁴で示される置換基中にニトロ基を有する化合物を、
アシル化剤の存在下あるいは非存在下、酸の存在下ある
いは非存在下、溶媒中金属により還元するか、又は触媒
の存在下で水素添加することにより製造することができ
る。

【００７０】本製造方法において使用されるアシル化剤
としては、例えば、塩化アセチル，塩化プロピオニル，
塩化ベンゾイル，フェニルアセチルクロリド等の酸クロ
リド、無水酢酸，無水プロピオン酸，無水安息香酸，無
水フェニル酢酸等の酸無水物が挙げられる。使用される
酸としては、例えば、塩酸，硫酸，酢酸等が挙げられ、
使用される金属としては、例えば、スズ，鉄，亜鉛等の
金属又はその塩が挙げられる。水素添加に用いられる触
媒としては、例えば、５％パラジウム／炭素，１０％パ
ラジウム／炭素，２０％水酸化パラジウム／炭素等のパ
ラジウム系の触媒又は酸化白金等が挙げられる。水素源
としては水素ガスの他、シクロヘキセン，１，３−シク
ロヘキサジエン，ギ酸，ギ酸アンモニウム等を用いるこ
とができる。使用される溶媒は、それ自体反応において
不活性であって、且つ反応を阻害しないものであればい
かなるものでもよく、例えば、水、酢酸、メタノール，
エタノール，n-プロパノール，イソプロピルアルコー
ル，n-ブタノール，sec-ブチルアルコール，tert-ブチ
ルアルコール等のアルコール系溶媒、ジクロロメタン，
１，２−ジクロロエタン，クロロホルム等のハロゲン化
炭化水素系溶媒、ベンゼン，トルエン等の芳香族炭化水
素系溶媒、アセトン，アセトニトリル，Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルホルムアミド，Ｎ−メチル−２−ピロリドン，ジメチ
ルスルホキシド，テトラメチレンスルホラン，テトラメ
チレンスルホキシド，ヘキサメチレンホスホリックトリ
アミド等の非プロトン性極性溶媒、酢酸メチル，酢酸エ
チル等のエステル系溶媒、テトラヒドロフラン，ジエチ
ルエーテル，１，４−ジオキサン等のエーテル系溶媒又
はこれらの混合溶媒等が挙げられる。又、反応は室温か
ら２００℃の範囲で行われ、水素源として水素ガスを用
いる場合は、水素圧は常圧から２００Paの範囲で行われ
る。

【００７１】本発明化合物の製造方法の第六の様式によ
れば、前記一般式（Ｉ）で示される化合物は、次の一般
式（XII）

【化９】 （式中、Ｒ¹，Ｒ²，Ｒ³及びＲ⁵は前述と同意義を表
す。）で示される化合物と、次の一般式（XIII） Ｒ⁴−Ｑ （XIII） （式中、Ｒ⁴及びＱは前述と同意義を表す。）で示され
る化合物を、塩基の存在下又は非存在下、無溶媒又は溶
媒中で反応させ、更に必要に応じて脱保護することによ
り製造するか、又は次の一般式（XIV） Ｒ⁹−ＣＨＯ （XIV） （式中、Ｒ⁹は置換基を有してもよいアルキル基，置換
基を有してもよいアルケニル基，置換基を有してもよい
アルキニル基，置換基を有してもよい同素もしくは複素
環基又は置換基を有してもよい同素もしくは複素環置換
アルキル基を表す。）で示される化合物を、無溶媒又は
溶媒中で反応させ、続いてギ酸又は水素化ホウ素化合物
で処理し、更に必要に応じて脱保護することにより製造
することができる。

【００７２】本製造方法において、前記一般式（XIII）
を用いる場合に使用される塩基としては、例えば、トリ
エチルアミン，Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン，
４−ジメチルアミノピリジン，１，８−ジアザビシクロ
［５．４．０］−７−ウンデセン，１，２，２，６，６
−ペンタメチルピペリジン等の有機塩基、又は炭酸ナト
リウム，炭酸カリウム，炭酸水素ナトリウム，炭酸水素
カリウム等の無機塩基が挙げられる。使用される溶媒
は、それ自体反応において不活性であって、且つ反応を
阻害しないものであればいかなるものでもよく、例え
ば、ジクロロメタン，１，２−ジクロロエタン，クロロ
ホルム等のハロゲン化炭化水素系溶媒、ベンゼン，トル
エン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン，アセトニト
リル，Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド，Ｎ−メチル−２
−ピロリドン，ジメチルスルホキシド，テトラメチレン
スルホラン，テトラメチレンスルホキシド，ヘキサメチ
レンホスホリックトリアミド等の非プロトン性極性溶
媒、酢酸メチル，酢酸エチル等のエステル系溶媒、テト
ラヒドロフラン，ジエチルエーテル，１，４−ジオキサ
ン等のエーテル系溶媒、ピリジン，ピコリン，ルチジ
ン，コリジン等の有機塩基系溶媒又はこれらの混合溶媒
等が挙げられる。又、反応は氷冷下から２００℃までの
範囲で行われる。

【００７３】本製造方法において、前記一般式（XIV）
を用いる場合に使用される水素化ホウ素化合物として
は、例えば、水素化ホウ素ナトリウム，トリメトキシ水
素化ホウ素ナトリウム，シアン化水素化ホウ素ナトリウ
ム，トリアセトキシ水素化ホウ素ナトリウム，水素化ホ
ウ素リチウム，水素化ホウ素カリウム等が挙げられる。
使用される溶媒は、それ自体反応において不活性であっ
て、且つ反応を阻害しないものであればいかなるもので
もよく、例えば、水、酢酸、メタノール，エタノール，
n-プロパノール，イソプロピルアルコール，n-ブタノー
ル，sec-ブチルアルコール，tert-ブチルアルコール等
のアルコール系溶媒、ジクロロメタン，１，２−ジクロ
ロエタン，クロロホルム等のハロゲン化炭化水素系溶
媒、ベンゼン，トルエン等の芳香族炭化水素系溶媒、ア
セトン，アセトニトリル，Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミ
ド，Ｎ−メチル−２−ピロリドン，ジメチルスルホキシ
ド，テトラメチレンスルホラン，テトラメチレンスルホ
キシド，ヘキサメチレンホスホリックトリアミド等の非
プロトン性極性溶媒、酢酸メチル，酢酸エチル等のエス
テル系溶媒、テトラヒドロフラン，ジエチルエーテル，
１，４−ジオキサン等のエーテル系溶媒又はこれらの混
合溶媒等が挙げられる。又、反応は氷冷下から２００℃
の範囲で行われる。

【００７４】本製造方法における脱保護反応は、水酸基
の保護基Ｒ⁵の種類に応じて種々の方法を用いることが
でき、先に記載した第一の製造様式の方法に準じて行う
ことができる。

【００７５】尚、本発明化合物の製造方法において出発
原料となった前記一般式（II），（VI），（Ｘ）及び
（XII）で示される化合物は、例えば、ＷＯ９３／１３
１１６号，特開平８−１０４６３８号，ジャーナル・オ
ブ・メディシナル・ケミストリー（Journal of Medicin
al Chemistry），第１７巻，９５３頁（１９７４年），
ザ・ジャーナル・オブ・オーガニック・ケミストリー
（The Journal of OrganicChemistry），第５７巻，４
３６１頁（１９９２年）等に記載の方法等に従い、以下
の様にして製造することができる。更に、以下の製造工
程において、前記一般式（II），（VI），（Ｘ）及び
（XII）で示される化合物のうち、Ｒ⁵が水酸基の保護基
である化合物は、製造工程中適宜、Ｒ⁵が水素原子であ
る化合物に保護基を導入することによっても製造するこ
とができる。これらのうち、新規な化合物については、
その詳細を参考例として記載した。

【００７６】

【化１０】 （式中、Acはアセチル基を表し、Ｒ¹，Ｒ²，Ｒ³，Ｒ⁴及
びＲ⁵は前述と同意義を表す。）

【００７７】このようにして製造される前記一般式
（Ｉ）で示される新規なエリスロマイシン誘導体又はそ
の塩の少なくとも１つを有効成分として含有する医薬
は、通常、カプセル剤，錠剤，細粒剤，顆粒剤，散剤，
シロップ剤等の経口剤、あるいは注射剤，坐剤，点眼
剤，眼軟膏剤，点耳剤，点鼻剤又は外皮用剤として投与
される。これらの製剤は、薬理学的，製剤学的に許容し
うる添加剤を加え、常法により製造することができる。
即ち経口剤及び坐剤にあっては、賦形剤（乳糖，白糖，
Ｄ−マンニトール，トウモロコシデンプン，結晶セルロ
ース等），崩壊剤（カルボキシメチルセルロース，カル
ボキシメチルセルロースカルシウム，部分アルファー化
デンプン，クロスカルメロースナトリウム，クロスポピ
ドン等），結合剤（ヒドロキシプロピルセルロース，ヒ
ドロキシプロピルメチルセルロース，ポリビニルピロリ
ドン等），滑沢剤（ステアリン酸マグネシウム，タル
ク，硬化油，ジメチルポリシロキサン，含水二酸化ケイ
素，軽質無水ケイ酸，カルナウバロウ等），コーティン
グ剤（ヒドロキシプロピルメチルセルロース，白糖，酸
化チタン等），可塑剤（クエン酸トリエチル，ポリエチ
レングリコール，グリセリン脂肪酸エステル等），基剤
（ポリエチレングリコール，ハードファット等）等の製
剤用成分が、注射剤，点眼剤又は点耳剤等にあっては水
性あるいは用時溶解型剤型を構成しうる溶解剤ないしは
溶解補助剤（注射用蒸留水，生理食塩水，プロピレング
リコール等），ｐＨ調節剤（無機又は有機の酸あるいは
塩基等），等張化剤（食塩，ブドウ糖，グリセリン
等），安定化剤等の製剤用成分が、又、眼軟膏剤，外用
剤にあっては、軟膏剤，クリーム剤，貼付剤として適切
な製剤用成分（白色ワセリン，マクロゴール，グリセリ
ン，流動パラフィン，綿布等）が使用される。

【００７８】本発明化合物を患者へ投与する場合は、患
者の症状にもよるが、通常成人の場合、１日量として経
口投与で１０〜２０００mg程度、非経口投与で１〜１０
００mg程度を１日１回から数回に分けて投与することが
できる。もっとも、治療又は予防の目的、感染の部位や
病原菌の種類、患者の年齢や症状などに応じて、適宜増
減することが望ましい。

【００７９】

【実施例】以下、本発明を参考例及び実施例によって説
明するが、本発明はこれらの例に限定されるものではな
い。尚、表中に示したMeはメチル基，Etはエチル基，n-
Prはn-プロピル基，i-Prはイソプロピル基，n-Buはn-ブ
チル基，i-Buはイソブチル基，sec-Buはsec-ブチル基，
i-Pentはイソペンチル基，n-Hexはn-ヘキシル基，n-Oct
はn-オクチル基，n-Dodecはn-ドデシル基，Acはアセチ
ル基，Bocはtert-ブトキシカルボニル基を表す。

【００８０】参考例１ ３’−Ｎ−デメチル−３’−Ｎ−エチルエリスロマイシ
ンＡ ９−［Ｏ−［３−（４−ピリジル）プロピル］オ
キシム］ ３’−Ｎ−デメチル−３’−Ｎ−エチルエリスロマイシ
ンＡ ９−オキシム０．５０ｇ，ヨウ化テトラブチルア
ンモニウム１２．０mg及び３−（４−ピリジル）プロピ
ルメタンスルホネート塩酸塩０．２５ｇのテトラヒドロ
フラン５ml混合液に室温攪拌下、粉末水酸化カリウム
０．１６ｇを加え、室温で１４時間攪拌した。反応液へ
水及びジイソプロピルエーテルを加え、析出した固体を
濾取し、無色固体０．４２ｇを得た。 ＮＭＲスペクトル δ(CDCl₃)ppm:0.85(3H,t,J=7.5Hz),
1.00-1.84(31H,m),1.04(3H,d,J=6.5Hz),1.07(3H,t,J=7H
z),1.87-2.05(4H,m),2.18(1H,d,J=10.5Hz),2.23(3H,s),
2.32-2.43(1H,m),2.36(1H,d,J=15.5Hz),2.45-2.53(1H,
m),2.55-2.65(1H,m),2.66-2.74(3H,m),2.86-2.96(1H,
m),3.01(1H,t,J=10Hz),3.07(1H,s),3.22(1H,dd,J=10,7.
5Hz),3.32(3H,s),3.44-3.54(1H,m),3.56-3.63(2H,m),3.
65-3.74(1H,m),3.69(1H,s),3.96-4.10(4H,m),4.34(1H,
s),4.44(1H,d,J=7.5Hz),4.92(1H,d,J=5Hz),5.11(1H,dd,
J=11,2Hz),7.13(2H,d,J=6Hz),8.50(2H,d,J=6Hz)

【００８１】参考例１と同様にして、参考例２〜参考例
３１の化合物を得た。

【００８２】

【表２８】

【００８３】

【表２９】

【００８４】

【表３０】

【００８５】

【表３１】

【００８６】

【表３２】

【００８７】

【表３３】

【００８８】

【表３４】

【００８９】

【表３５】

【００９０】参考例３２ ３’−Ｎ−デメチル−５−Ｏ−デソサミニル−３’−Ｎ
−エチルエリスロノライドＡ ９−［Ｏ−［３−（４−
ピリジル）プロピル］オキシム］ １mol/L塩酸７０ml中に室温攪拌下、３’−Ｎ−デメチ
ル−３’−Ｎ−エチルエリスロマイシンＡ ９−［Ｏ−
［３−（４−ピリジル）プロピル］オキシム］７．００
ｇを加え、室温で２．５時間攪拌した。反応後、氷水中
へ反応液を注ぎ、２mol/L水酸化ナトリウム水溶液でア
ルカリ性にした後、析出した固体を濾取し、水洗して無
色固体３．５０ｇを得た。 ＮＭＲスペクトル δ(CDCl₃)ppm:0.85(3H,t,J=7.5Hz),
1.00-1.73(30H,m),1.87-2.13(4H,m),2.21(3H,s),2.30-
2.42(2H,m),2.50-2.75(6H,m),3.15(1H,brs),3.26(1H,d
d,J=10,7.5Hz),3.45-3.77(3H,m),3.51(1H,d,J=2Hz),3.6
0(1H,d,J=10.5Hz),3.68(1H,s),3.97-4.12(2H,m),4.29(1
H,s),4.39(1H,d,J=7.5Hz),5.22(1H,dd,J=11,2Hz),7.12
(2H,d,J=6Hz),8.51(2H,d,J=6Hz)

【００９１】参考例３２と同様にして、参考例３３〜参
考例６２の化合物を得た。

【００９２】

【表３６】

【００９３】

【表３７】

【００９４】

【表３８】

【００９５】

【表３９】

【００９６】

【表４０】

【００９７】

【表４１】

【００９８】

【表４２】

【００９９】

【表４３】

【０１００】参考例６３ ２’−Ｏ−アセチル− ３’−Ｎ−デメチル−５−Ｏ−
デソサミニル−３’−Ｎ−エチルエリスロノライドＡ
９−［Ｏ−［３−（４−ピリジル）プロピル］オキシ
ム］ ３’−Ｎ−デメチル−５−Ｏ−デソサミニル−３’−Ｎ
−エチルエリスロノライドＡ ９−［Ｏ−［３−（４−
ピリジル）プロピル］オキシム］３．００ｇのアセトン
３０ml溶液に室温攪拌下、無水酢酸０．４７mlを加え、
室温で５時間攪拌した。反応液を減圧濃縮し、残渣に炭
酸水素ナトリウム水溶液を加えアルカリ性とし、酢酸エ
チルで抽出した。抽出液を水，飽和食塩水で順次洗浄、
硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減圧留去し、淡黄色無
晶形固体２．８０ｇを得た。 ＮＭＲスペクトル δ(CDCl₃)ppm:0.85(3H,t,J=7.5Hz),
0.94(3H,d,J=7.5Hz),0.98(3H,t,J=7Hz),1.04(3H,d,J=6.
5Hz),1.12-1.80(22H,m),1.88-2.17(4H,m),2.04(3H,s),
2.21(3H,s),2.31-2.42(1H,m),2.48-2.58(1H,m),2.63-2.
80(5H,m),3.12(1H,s),3.40-3.58(1H,m),3.50(1H,d,J=1
0.5Hz),3.55(1H,d,J=3.5Hz),3.59-3.72(1H,m),3.69(1H,
s),4.01-4.12(2H,m),4.38(1H,s),4.58(1H,d,J=7.5Hz),
4.76(1H,dd,J=10,7.5Hz),5.23(1H,dd,J=11,2.5Hz),7.12
(2H,d,J=5.5Hz),8.50(2H,d,J=5.5Hz)

【０１０１】参考例６３と同様にして、参考例６４〜参
考例９３の化合物を得た。

【０１０２】

【表４４】

【０１０３】

【表４５】

【０１０４】

【表４６】

【０１０５】

【表４７】

【０１０６】

【表４８】

【０１０７】

【表４９】

【０１０８】

【表５０】

【０１０９】

【表５１】

【０１１０】参考例９４ ３−Ｏ−（４−クロロフェニル）アセチル−３’−Ｎ−
デメチル−５−Ｏ−デソサミニルエリスロノライドＡ
９−（Ｏ−シクロヘキシルオキシム）３−Ｏ−（４−ク
ロロフェニル）アセチル−５−Ｏ−デソサミニルエリス
ロノライドＡ ９−（Ｏ−シクロヘキシルオキシム）
１．６０ｇのメタノール３０ml溶液に水３ml，酢酸ナト
リウム三水和物１．３２ｇ，ヨウ素０．５２ｇを順次加
え、レフランプを照射しながら外温５０℃にて２時間攪
拌した。反応液を減圧濃縮し、残渣に酢酸エチルを加
え、水酸化ナトリウム水溶液，炭酸水素ナトリウム水溶
液，水，チオ硫酸ナトリウム水溶液，水，飽和食塩水で
順次洗浄、硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減圧留去し
た。得られた残渣をジイソプロピルエーテルとn-ヘプタ
ンの混合溶媒にて洗浄し無色固体１．０７ｇを得た。 ＮＭＲスペクトル δ(CDCl₃)ppm:0.81(3H,t,J=7.5Hz),
0.89(3H,d,J=6.5Hz),0.95-2.00(33H,m),1.02(3H,d,J=7.
5Hz),2.04(1H,s),2.22-2.42(2H,m),2.42(3H,s),2.60-2.
67(1H,m),2.72-2.81(1H,m),3.02-3.20(1H,m),3.09(1H,d
d,J=9.5,7.5Hz),3.15(1H,brs),3.46(1H,d,J=3.5Hz),3.5
9-3.72(1H,m),3.63(1H,d,J=14.5Hz),3.67(1H,d,J=14.5H
z),3.69(1H,s),3.91(1H,d,J=7.5Hz),3.95-4.03(1H,m),
4.55(1H,s),5.15(1H,d,J=11Hz),5.21(1H,dd,J=11,2Hz),
7.20-7.35(4H,m)

【０１１１】実施例１ ３−Ｏ−（４−クロロフェニル）アセチル−３’−Ｎ−
デメチル−５−Ｏ−デソサミニル−３’−Ｎ−エチルエ
リスロノライドＡ ９−［Ｏ−［３−（４−ピリジル）
プロピル］オキシム］ ２’−Ｏ−アセチル− ３’−Ｎ−デメチル−５−Ｏ−
デソサミニル−３’−Ｎ−エチルエリスロノライドＡ
９−［Ｏ−［３−（４−ピリジル）プロピル］オキシ
ム］０．５０ｇ，１−エチル−３−（３−ジメチルアミ
ノプロピル）カルボジイミド塩酸塩０．３８ｇ，４−ク
ロロフェニル酢酸０．３３ｇ及び４−ジメチルアミノピ
リジン０．１０ｇのテトラヒドロフラン５ml混合液を、
室温で４時間攪拌した。反応液をデカントし、不溶粘性
物質にテトラヒドロフランを加え再度デカントした。デ
カントした上澄液を合せ、溶媒を減圧留去した。残渣に
炭酸水素ナトリウム水溶液を加え酢酸エチルで抽出し
た。抽出液を水，飽和食塩水で順次洗浄、硫酸ナトリウ
ムで乾燥後、溶媒を減圧留去し、黄褐色粘性物を得た。
得られた粘性物のメタノール２０ml溶液を室温で１８時
間攪拌した。反応液を減圧濃縮し、残渣をカラムクロマ
トグラフィー（シリカゲル、酢酸エチル）で精製し、無
色無晶形固体０．３２ｇを得た。 ＮＭＲスペクトル δ(CDCl₃)ppm:0.82(3H,t,J=7.5Hz),
0.90(3H,d,J=6.5Hz),1.02(3H,d,J=7.5Hz),1.07(3H,t,J=
7Hz),1.10-1.72(20H,m),1.81(1H,s),1.87-2.03(3H,m),
2.19-2.30(1H,m),2.23(3H,s),2.32-2.43(2H,m),2.54-2.
73(4H,m),2.78-2.88(1H,m),2.99-3.08(1H,m),3.10(1H,
s),3.17(1H,dd,J=10,7.5Hz),3.44(1H,d,J=5Hz),3.48(1
H,brs),3.62(1H,d,J=15.5Hz),3.58-3.74(1H,m),3.68(1
H,d,J=15.5Hz),3.72(1H,s),3.93(1H,d,J=7.5Hz),4.06(2
H,t,J=6.5Hz),4.37(1H,s),5.16(1H,d,J=11Hz),5.20(1H,
dd,J=11.5,2Hz),7.13(2H,d,J=6Hz),7.18-7.35(4H,m),8.
51(2H,d,J=6Hz)

【０１１２】実施例１と同様にして、実施例２〜実施例
３５の化合物を得た。

【０１１３】

【表５２】

【０１１４】

【表５３】

【０１１５】

【表５４】

【０１１６】

【表５５】

【０１１７】

【表５６】

【０１１８】

【表５７】

【０１１９】

【表５８】

【０１２０】

【表５９】

【０１２１】

【表６０】

【０１２２】実施例３６ ３−Ｏ−（４−クロロフェニル）アセチル−３’−Ｎ−
デメチル−５−Ｏ−デソサミニル−３’−Ｎ−エチルエ
リスロノライドＡ ９−（Ｏ−シクロヘキシルオキシ
ム） ３−Ｏ−（４−クロロフェニル）アセチル−３’−Ｎ−
デメチル−５−Ｏ−デソサミニルエリスロノライドＡ
９−（Ｏ−シクロヘキシルオキシム）０．９７ｇのメタ
ノール１０ml溶液に、室温攪拌下Ｎ，Ｎ−ジイソプロピ
ルエチルアミン１．０４ml及びヨウ化エチル０．３５ml
を順次加え、外温５０℃にて１５時間攪拌した。反応混
合物にＮ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン０．５２ml
及びヨウ化エチル０．１８mlを加え、外温５０℃にて２
２．５時間攪拌し、更に、反応混合物にＮ，Ｎ−ジイソ
プロピルエチルアミン０．５２ml及びヨウ化エチル０．
１８mlを加え、外温５０℃にて５時間攪拌した。反応液
を減圧濃縮し、残渣を酢酸エチルで抽出し、水，飽和食
塩水で順次洗浄、硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減圧
留去した。残渣をカラムクロマトグラフィー（シリカゲ
ル、酢酸エチル）で精製し、無色無晶形固体０．６２ｇ
を得た。 ＮＭＲスペクトル δ(CDCl₃)ppm:0.81(3H,t,J=7.5Hz),
0.89(3H,d,J=6.5Hz),0.98-1.97(31H,m),1.01(3H,d,J=6.
5Hz),1.07(3H,t,J=7Hz),1.95(1H,s),2.19-2.42(3H,m),
2.22(3H,s),2.53-2.69(2H,m),2.77-2.85(1H,m),3.00-3.
08(1H,m),3.13(1H,s),3.17(1H,dd,J=10,7.5Hz),3.45(1
H,d,J=4.5Hz),3.47(1H,brs),3.60-3.71(1H,m),3.62(1H,
d,J=15.5Hz),3.68(1H,d,J=15.5Hz),3.70(1H,s),3.93(1
H,d,J=7.5Hz),3.96-4.05(1H,m),4.56(1H,s),5.16(1H,d,
J=11Hz),5.21(1H,dd,J=11,2Hz),7.20-7.35(4H,m)

【０１２３】以下、本発明化合物の優れた効果を確認す
るために、ヘリコバクター・ピロリに対する抗菌スペク
トルの測定を行った。尚、対照化合物としてはクラリス
ロマイシンを用いた。

【０１２４】

【化１１】

【０１２５】ヘリコバクター・ピロリに対する抗菌スペ
クトル 抗菌力（最小発育阻止濃度:ＭＩＣ）の測定は、日本化
学療法学会標準法［日本化学療法学会雑誌，２９巻，７
６頁（１９８１年）]に準じて、臨床分離株のヘリコバ
クター・ピロリを用い、生菌数を１０⁶CFU/mlとして行
った。結果を表６１に示す。本発明化合物は、クラリス
ロマイシン耐性ヘリコバクター・ピロリ（H.pylori TK1
147等）に対して、対照化合物に比べて優れた抗菌力を
示した。

【０１２６】

【表６１】

【０１２７】

【発明の効果】本発明に係るエリスロマイシン誘導体又
はその塩は、多剤耐性菌を含むヘリコバクター・ピロリ
に対して優れた抗菌力を有し、抗菌剤又は抗潰瘍剤とし
て極めて有用である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 西本 明美 福井県勝山市猪野口37号１番地１ 北陸製 薬株式会社内 (72)発明者 成田 研 福井県勝山市猪野口37号１番地１ 北陸製 薬株式会社内 Ｆターム(参考） 4C057 BB02 DD01 KK13 4C086 AA01 AA02 AA03 EA13 MA04 NA14 ZA68 ZB35

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】次の一般式 【化１】 （式中、Ｒ¹は水素原子又は低級アルキル基を表し、Ｒ²
   及びＲ³は各々独立して置換基を有してもよいアルキル
   基，置換基を有してもよいアルケニル基，置換基を有し
   てもよいアルキニル基，置換基を有してもよい同素もし
   くは複素環基又は置換基を有してもよい同素もしくは複
   素環置換アルキル基を表し、Ｒ⁴は置換基を有するメチ
   ル基，置換基を有してもよい炭素数２以上のアルキル
   基，置換基を有してもよいアルケニル基，置換基を有し
   てもよいアルキニル基，置換基を有してもよい同素もし
   くは複素環基又は置換基を有してもよい同素もしくは複
   素環置換アルキル基を表す。）で示されるエリスロマイ
   シン誘導体又はその塩。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の化合物又はその塩を有
   効成分とする医薬。
3. 【請求項３】 請求項１に記載の化合物又はその塩を有
   効成分とする抗菌剤。
4. 【請求項４】 請求項１に記載の化合物又はその塩を有
   効成分とする抗潰瘍剤。