CN110291632B - Led单元 - Google Patents

Led单元 Download PDF

Info

Publication number
CN110291632B
CN110291632B CN201880011177.8A CN201880011177A CN110291632B CN 110291632 B CN110291632 B CN 110291632B CN 201880011177 A CN201880011177 A CN 201880011177A CN 110291632 B CN110291632 B CN 110291632B
Authority
CN
China
Prior art keywords
led
led chip
light
conversion layer
led unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201880011177.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110291632A (zh
Inventor
法尔杭·卡西米阿夫沙尔
拉尔夫·维尔特
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Publication of CN110291632A publication Critical patent/CN110291632A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110291632B publication Critical patent/CN110291632B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0756—Stacked arrangements of devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

提出一种LED单元(100，300)，所述LED单元包括：基板(105)，所述基板具有第一LED芯片(110)，所述第一LED芯片具有第一光出射面(115)并且所述第一LED芯片设置在基板(105)上，使得由其发射的光沿着LED单元(100，300)的放射方向(Z)放射。此外，LED单元(100，300)包括第二LED芯片(120)，所述第二LED芯片具有第二光出射面(125)并且所述第二LED芯片设置在第一LED芯片(110)之上，使得第二LED芯片(120)至少部分遮盖第一LED芯片(110)并且由其发射的光沿着LED单元(100，300)的放射方向(Z)放射。此外，LED单元(100，300)包括第一转换层(135)和第二转换层(410)，其中第一转换层(135)至少部分覆盖第一光出射面(115)和/或至少部分侧面包围第一LED芯片(110)并且第二转换层(140)至少部分包封第二LED芯片(120)。

Description

LED单元
技术领域
本发明涉及一种LED单元，所述LED单元包括基板、两个LED芯片和两个转换层。此外，本发明涉及一种LED模块，在所述LED模块中设置有多个LED单元。
本申请要求德国专利申请10 2017 102 619.3的优先权，其公开内容通过参引结合于此。
背景技术
已知如下LED单元，所述LED单元具有基板、壳体和LED芯片，所述LED芯片设置在壳体的凹部中。LED芯片例如是表面发射器或体积发射器。表面发射的LED芯片典型地在其上侧上具有电触点和在其下侧上具有电触点。体积发射的LED芯片典型地在其上侧上具有两个电触点。此外，也已知如下LED芯片，所述LED芯片构成为倒装芯片。倒装芯片典型地在其下侧上具有两个电触点。
LED芯片的一个或多个发光表面可以由转换元件或转换层覆盖，所述转换元件或转换层用于将由LED芯片产生的光在其波长方面进行转换。替选地或附加地，LED芯片可以在壳体的凹部中嵌入囊封料中。囊封料例如可以具有散射颗粒和/或转换材料。从第一波长的电磁辐射(LED芯片)形成第二波长的电磁辐射称作波长转换。波长转换在发光二极管中用于颜色变换，例如用于简化白色光的产生。在此，例如蓝色光(LED芯片)被转换成黄色光。蓝色光和黄色光的颜色混合形成白色光。转换元件包括转换材料，也称作发光材料。转换元件可以设置在发光二极管的光路中用于波长转换。这样，例如发光二极管可以包括基于InGaN的发射蓝光或UV光的芯片和转换元件。
已知的LED单元的缺点是，通常不能以所期望的紧凑的结构方式实现具有高的光通量和高的发光密度的LED单元。
发明内容
本发明所基于的问题是，提供一种LED单元，其中以简单的方式实现光的发光密度以及高的光通量。此外，可以简单地且成本适宜地制造呈紧凑的结构方式的LED单元。另一目的是，提供一种LED模块，所述LED模块具有多个有利的LED单元。
根据本发明，所述问题通过一种LED单元来实现。LED单元以及LED模块的改进方案和有利的设计方案在下面的说明中得到。
LED单元的实施方式
LED单元的一个实施方式包括具有第一LED芯片的基板，所述第一LED芯片具有第一光出射面并且所述第一LED芯片设置在基板上，使得由其发射的光沿着LED单元的放射方向放射。此外，LED单元包括第二LED芯片，所述第二LED芯片具有第二光出射面并且所述第二LED芯片设置在第一LED芯片之上，使得第二LED芯片至少部分遮盖第一LED芯片并且由其发射的光沿着LED单元的放射方向放射。此外，LED单元包括第一转换层和第二转换层，其中第一转换层至少部分覆盖第一光出射面和/或至少部分侧向包围第一LED芯片，并且第二转换层至少部分包封第二LED芯片。
第一转换器至少部分侧向包围第一芯片表示：第一芯片的连接于第一光出射面的侧面被至少部分地包围。对于第一转换器的空间布置而言，因此可能有两种情况。在第一种情况中，第一转换器至少部分覆盖第一光出射面。同时，第一转换器至少部分包围第一芯片的连接于第一光出射面的侧面。在第二种情况下，转换器并不覆盖第一光出射面。所述转换器仅包围第一芯片的连接于第一光出射面的侧面。
基板可以具有陶瓷的基本体。在所述基本体上构成有电线路，用于电接触LED芯片。基板优选具有陶瓷和/或玻璃和/或蓝宝石。例如，所述基板可以由陶瓷和/或玻璃和/或蓝宝石构成。然而也可行的是，基板在引线框技术中制造。在此情况下，将更大的金属板结构化，使得通过冲出来预定义多个电接触结构，并且所产生的中间空间由热塑性塑料或硅树脂作为绝缘材料填充。在此情况下，电的印制导线和电的接触面直接通过引线框形成。
第一LED芯片和第二LED芯片可以是表面发射的和/或体积发射的LED芯片。在一个优选的设计方案中，第一LED芯片是倒装芯片。第一和第二LED芯片可以发射相同或不同波长的光。第一和第二LED芯片可以构成为蓝宝石芯片。
主放射方向对于相应的LED芯片或LED单元而言可以理解为如下方向，该方向对应于由其放射的光的对称轴线。主放射方向可以对应于最高光通量或最高光强的方向。
主光出射面对于相应的LED芯片而言可以理解为如下面，经由所述面发射最高的光通量或最高的光强。第一LED单元的第一光出射面可以构成第一LED芯片的主光出射面。第二LED芯片的第二光出射面可以构成第二LED芯片的主光出射面。
第一和第二转换层可以分别具有载体材料，转换材料和/或散射颗粒嵌入到所述载体材料中。转换材料可以具有转换颗粒。对此替选地，转换层可以由转换材料形成。转换材料适合于将光在其波长方面进行转换。例如，LED芯片发射蓝色光，转换材料吸收蓝色光的至少一部分并且发射黄色光或薄荷色光。黄色光或薄荷色光与剩余的未经转换的蓝色光混合，由此可以产生白色光。对此替选地，蓝色光可以借助于转换材料转换成黄色光，并且借助于其他转换材料可以将蓝色光转换成蓝白色光(青白色)，由此可以产生可调节的白色光。第一和第二转换层可以具有一种或多种转换材料。第一和第二转换层可以具有相同的或不同的转换材料。
一个设计方案是，基板具有反射性的表面。基板的反射性的表面可以由基板的基本材料、例如金属构成。此外可行的是，反射性的表面包括反射性的涂层，例如嵌入到基质材料、如硅树脂中的二氧化钛。也可行的是，反射性的表面具有金属化部，例如铝层或银层，或白色漆，或者由其形成。
在LED单元运行时，反射性的表面引起，所发射的光的特别高的份额经由光出射面放射。这能够有助于LED单元的有特别高的效率，因为在LED单元中的光学损失最小化。
根据LED单元的一个改进方案，第一LED芯片和第二LED芯片具有独立的在空间上分离的电流接触部。
在空间上分离的电流接触部能够实现，以不同的电参数运行第一和第二LED芯片。在LED单元中，可以使用LED芯片和转换层，其发射不同波长的光。例如，第一LED芯片可以借助第一转换层发射第一光，而第二LED芯片可以利用第二转换层发射第二光。第一光例如可以是暖白色光而第二光例如可以是蓝白色光。为了使LED单元的总光通量和光密度优化，技术上有利的会是，第一LED芯片与第二LED芯片相比以更高的电流运行。第一LED芯片的更高的电负荷与电负荷较低的第二LED芯片相比造成更高的热负荷。因为基板在其导热性方面可以优化，所以在第一LED芯片中形成的热负荷可以更有效地通过基板导出。
根据LED单元的一个改进方案，第一转换层设计用于将由第一LED芯片发射的光转换成暖白色光。
术语“暖白色光”在此以如下含义来理解：所发射的光的色温位于从大约2700K到大约3500K的范围中。
术语“色温”在此作为黑体、所谓的普朗克辐射体的温度的含义来使用，该温度属于来自该辐射源的光的特定的颜色。具体而言，所述色温是如下温度，该温度的光效果在相同的亮度的情况下并且在规定的观察条件下最接近要描述的颜色。色温是定量地确定光源的相应的色彩印象的量度。
根据LED单元的一个改进方案，第二转换层设计用于将由第二LED芯片发射的光转换成冷白色光。
术语“冷白色光”在此以如下含义来理解：所发射的光的色温位于从大约5000K到大约10000K的范围中。
根据LED单元的一个改进方案，第一转换层和第二转换层相对彼此协调，使得在第一LED芯片单独运行时发射的光转换成暖白色光。
由第一LED芯片发射的具有第一波长的光大部分在第一转换层中转换成第二波长的光。然而可行的是，由第一LED芯片发射的光的小部分穿过第一转换层，而没有发生波长转换。因此，由第一LED芯片发射的光可以射到第二转换层上并且转换成第三波长的光。然而也可行的是，第一波长的光既不在第一转换层中、也不在第二转换层中转换。第一转换层和第二转换层相对彼此协调，使得在第一LED芯片单独运行时发射的光转换成暖白色光。换言之，由第一、第二和第三波长的光构成的混合光对应于暖白色光。
根据LED单元的一个改进方案，第一转换层和第二转换层相对彼此协调，使得在第二LED芯片单独运行时发射的光转换成冷白色光。
由第二LED芯片发射的具有第一波长的光大部分在第二转换层中转换成第二波长的光。然而可行的是，由第二LED芯片发射的光的小部分穿过第二转换层，而未发生波长转换。因此，由第二LED芯片发射的光可以射到第一转换层上并且转换成第三波长的光。然而也可行的是，第一波长的光既不在第二转换层中、也不在第一转换层中转换。第一转换层和第二转换层相对彼此协调，使得在第二LED芯片单独运行时发射的光转换成冷白色光。换言之，由第一、第二和第三波长的光构成的混合光对应于冷白色光。
根据LED单元的一个改进方案，由LED单元发射的光的色温可以在2700K和10000K之间设定。
LED单元的所发射的光的可设定的色温由此可以通过如下方式实现：一方面第一和第二LED芯片以不同的电参数运行，并且另一方面由第一LED芯片和第一转换层以及第二LED芯片和第二转换层构成的组合分别发射具有不同色温的光。2700K的色温可以通过如下方式实现：LED单元的仅仅第一LED芯片由电能供应。由第一LED芯片发射的光借助于第一和第二转换层转换成具有2700K的色温的光。10000K的色温可以通过如下方式实现：LED单元的仅仅第二LED芯片由电能供应。由第二LED芯片发射的光借助于第二和第一转换层转换成具有10000K的色温的光。LED单元的所发射的光的在2700K和10000K之间的色温可以通过如下方式实现，第一LED芯片和第二LED芯片以合适的电参数运行。在LED单元的上文所描述的设计方案中，第一LED芯片或第二LED芯片的电工作点的改变引起光通量、发光密度和色温改变。
根据LED单元的一个改进方案，第一LED芯片和/或第二LED芯片在朝向基板或朝向第一LED芯片的设置面的区域中具有镜面部。
在第一和第二LED芯片中产生的光可以在整个空间角度中放射。为了使在LED芯片的设置面处的吸收损失最小化，第一和第二LED芯片可以在其设置面的区域中具有镜面部。射到镜面部上的光向回反射到LED单元中，进而还作为光提供给LED单元。镜面部例如可以具有金属化部、例如铝层或银层、白色漆和/或二氧化钛或者由其形成。
根据LED单元的一个改进方案，第二光出射面至少部分由半透明的层覆盖。
第二转换层高出第二光出射面的高度延伸与第二转换层朝向第二LED芯片的侧面延伸相比更小。由于更小的高度延伸，由第二LED芯片发射的光、例如蓝色光的提高的辐射份额可以未经转换地离开LED单元。由LED单元发射的光的蓝色光份额因此提高。通过至少部分覆盖第二光出射面的半透明的层吸收由第二LED芯片发射的光、例如蓝色光的一部分。由LED单元发射的光的蓝色光份额因此可以降低。
使用半透明的层在如下情况下是有利的：例如第一LED芯片和第二LED芯片发射蓝色光，并且LED单元应发射色温小于5000K的光。
根据LED单元的一个改进方案，半透明的层包括硅树脂层连同在其中分散的构成为散射光的颗粒。
通过硅树脂层可以在技术上限定地吸收由第二LED芯片发射的光的特定份额。嵌入在硅树脂层中的散射颗粒增强了统一的发光表面的效果。
根据LED单元的一个改进方案，第二光出射面至少部分由反射性的层覆盖。
通过使用反射性的层可以实现，由第二LED芯片发射的光不能穿过第二光出射面。由第二LED芯片发射的光在该层处反射并且能够通过第二LED芯片的侧面离开第二LED芯片。接着，所发射的光优选在第二转换层中转换。反射性的层例如可以具有金属化部、例如铝层或银层、白色漆和/或二氧化钛，或者由其形成。
使用反射性的层在如下情况下是有利的：例如第一LED芯片和第二LED芯片发射蓝色光并且LED单元应发射色温小于3500K的光。
根据LED单元的一个改进方案，在基板上或在基板侧向设置壳体壁，所述壳体壁沿着放射方向的方向延伸。壳体壁完全包围第一LED芯片和第二LED芯片，其中壳体壁的内部高度大于由第一LED芯片和第二LED芯片构成的装置的高度。
壳体壁在基板上或在基板侧向的设置可以简化LED单元的制造。在第一和第二LED芯片设置在基板上之后设置壳体壁。壳体壁完全包围第一和第二LED芯片从而形成腔，接着以简单的方式和方法可以将一个或多个转换层填入到所述腔中。壳体壁防止转换层侧向流动，并且能够实现转换层的精确配量。接着，LED单元可以通过常规的拾取和放置技术来进一步处理。
一个设计方案是，壳体壁具有反射性的表面。壳体壁的反射性的表面可以由壳体壁的基本材料、例如塑料构成。此外可行的是，反射性的表面包括反射性的涂层，例如嵌入到基质材料、如硅树脂中的二氧化钛。也可行的是，反射性的表面具有金属化部，例如铝层或银层，或白色漆，或者由其形成。在LED单元运行时，反射性的表面引起，所发射的光的特别高份额可以在表面处反射并且还提供给LED单元。这能够有助于LED单元的特别高的效率，因为在LED单元中的光学损失最小化。
一个设计方案是，壳体壁具有楔形的基本形状，其中壳体壁的宽度沿着放射方向的方向减小。在LED单元运行时，楔形的壳体壁引起，射到壳体壁上的光的提高的份额倾斜向回反射到LED单元中。这能够有助于LED单元的所发射的光的特别好的颜色混匀。
所述目的也通过包括多个LED单元的LED模块来实现。
LED模块可以包括多个LED单元，其中各个LED单元结构相同地和/或不同地构造。因此可行的是，在LED模块中使用LED单元，所述LED单元具有不同的第一LED芯片和/或第二LED芯片和/或第一转换层和/或第二转换层。因此可行的是，通过有针对性地选择要使用的LED单元，将LED模块关于一个或多个光方面的预设、如光通量、光密度或色温进行优化。
根据LED模块的一个改进方案，所有LED单元具有共同的基板。
使用共同的基板能够实现：实现紧凑的且可简单制造的LED模块。
一个设计方案是，多个LED单元在共同的基板上形成组并且以串联电路和/或并联电路彼此导电连接。也可行的是，多个组的LED单元设置在共同的基板上。每个组都可以由统一的或不同的电参数供应。此外可行的是，多个组彼此以串联电路和/或并联电路导电连接。因此可行的是，通过有针对性地选择要使用的LED单元，通过有针对性地将LED单元电连接成一个或多个组，通过有针对性地将这些组电连接并且通过适当地选择用于每个组的电运行参数，将LED模块关于一个或多个光方面的预设、如光通量、光密度或色温进行优化。
根据LED模块的一个改进方案，在基板上或在基板侧向设置壳体壁，所述壳体壁沿着放射方向的方向延伸。壳体壁完全包围LED单元，其中壳体壁的高度大于由第一LED芯片和第二LED芯片构成的装置的高度。
壳体壁在共同的基板上或在共同的基板侧向的设置可以简化LED模块的制造。在LED单元设置在共同的基板上之后，设置壳体壁。壳体壁完全包围LED芯片从而形成腔，接着以简单的方式和方法可以将一个或多个转换层填入到所述腔中。壳体壁防止转换层侧向流动并且能够实现转换层的精确配量。接着，LED模块可以通过常规的拾取和放置技术来进一步处理。
一个设计方案是，壳体壁具有反射性的表面。壳体壁的反射性的表面可以由壳体壁的基本材料、例如塑料构成。此外可行的是，反射性的表面包括反射性的涂层，例如嵌入到基质材料、如硅树脂中的二氧化钛。也可行的是，反射性的表面具有金属化部，例如铝层或银层，或白色漆，或者由其形成。在LED模块运行时，反射性的表面引起，所发射的光的特别高的份额可以在表面处反射并且还提供给LED模块。这能够有助于LED模块的特别高的效率，因为在LED模块中的光学损失最小化。
一个设计方案是，壳体壁具有楔形的基本形状，其中壳体壁的宽度沿着放射方向减小。在LED模块运行时，楔形的壳体壁引起，射到壳体壁上的光的提高的份额倾斜向回反射到LED模块中。这能够有助于LED模块的所发射的光的特别好的颜色混匀。
附图说明
根据本发明的解决方案的不同实施例在下文中根据附图更为详细地阐述。在附图中，附图标记的(多个)第一数字说明首先使用该附图标记的附图。相同的附图标记用于在所有附图中的同类的或作用相同的元件或特征。
在附图中：
图1以剖视图示出根据第一实施例的LED单元的示意图；
图2a、2b和2c以俯视图示出根据第一实施例的LED单元的电接触部的示意图；
图3以剖视图示出根据第二实施例的LED单元的示意图；
图4以剖视图示出根据第三实施例的LED单元的示意图；
图5以剖视图示出根据第一实施例的LED模块的示意图；
图6以剖视图示出根据第二实施例的LED模块的示意图。
具体实施方式
图1以剖视图示出根据第一实施例的LED单元100的示意图。LED单元100包括具有第一LED芯片110的基板105，所述第一LED芯片具有第一光出射面115并且设置在基板上，使得由其发射的光沿着LED单元100的放射方向Z放射。此外，LED单元100包括第二LED芯片120，所述第二LED芯片具有第二光出射面125并且所述第二LED芯片设置在第一LED芯片110之上，使得第二LED芯片120至少部分遮盖第一LED芯片110并且由其发射的光沿着LED单元100的放射方向Z放射。此外，LED单元100包括第一转换层135和第二转换层140，其中第一转换层135至少部分覆盖第一光出射面115并且侧向包围第一LED芯片110。第二转换层140至少部分包封第二LED芯片120。
第一LED单元110的第一光出射面115可以构成为第一LED芯片110的主光出射面。第二LED芯片120的第二光出射面125可以构成为第二LED芯片120的主光出射面。放射方向Z可以构成为LED单元的主放射方向。
基板105借助于引线框技术制造。如果需要基板105的特别高的导热性，则基板105也可以构成为金属芯电路板或者陶瓷电路板。
第一LED芯片110和第二LED芯片120分别是体积发射的LED芯片，所述LED芯片分别在其上侧上具有其电触点。在第一LED芯片110或第二LED芯片120与基板105之间的电接触通过金属丝130、160、即所谓的接合线130、160进行。接合线130、160的端部与相应的LED芯片110、120的处于上侧上的电触点(参见图2)连接。金属丝的第二端部与基板105的电印制导线连接。
第二LED芯片120借助于透明的且UV耐受的粘合剂固定在第一LED芯片之上。粘合层的厚度位于5μm到10μm的区域中。第一LED芯片110借助于粘合剂或焊料固定在基板105上。
第一LED芯片110和第二LED芯片120在其朝向基板105或第一LED芯片110的设置面145的区域中分别具有金属镜面部150。在第一和第二LED芯片110、120中产生的光在整个空间角度中放射。射到镜面部150上的光向回反射到LED芯片100中从而还作为光提供给LED单元100。镜面部使在LED芯片110、120的设置面145处的吸收损耗最小化。
由第一LED芯片110发射的光通过第一转换层135转换成暖白色光，即具有大约2700K到大约3500K的色温的光。由第二LED芯片120发射的光通过第二转换层140转换成冷白色光，即具有大约5000K到大约10000K的色温的光。
通过独立的、空间上分离的用于第一和第二LED芯片110、120的电流接触部，LED单元100的每个LED芯片110、120以各自的电参数运行。与此相应地，可以根据预设的光方面的要求来设定LED单元100。在上文所描述的实施方案中，因此可行的是，LED单元100发射具有大约2700K到大约10000K的色温的光。大约2700K的色温通过如下方式实现：LED单元100的仅仅第一LED芯片110由电能供应。大约10000K的色温通过如下方式实现：LED单元100的仅仅第二LED芯片120由电能供应。LED单元100的所发射的光在大约2700K与大约10000K的两个边界值之间的色温通过选择用于第一LED芯片110和第二LED芯片120的合适的电工作点来实现。在LED单元的上文所描述的设计方案中，第一LED芯片或第二LED芯片的电工作点的改变引起光通量、发光密度和色温改变。
图2a、2b和2c以俯视图示出根据第一实施例的LED单元的电接触部的示意图。图2a示出表面发射的第一LED芯片110的第一光出射面115。在第一光出射面115上设置有两个电流接触部210，在其上连接有接合线130(在图2a中未示出)。图2b示出表面发射的第二LED芯片120的第二光出射面125。在第二光出射面125上设置有两个电流接触部220，在其上连接有接合线160(在图2b中未示出)。图2c示出在第二LED芯片120设置在第一LED芯片110之上时电流接触部210、220的空间位置。
图3以剖视图示出根据第二实施例的LED单元300的示意图。LED单元300包括具有第一LED芯片110的基板105，所述第一LED芯片具有第一光出射面115并且设置在基板上，使得由其发射的光沿着LED单元300的放射方向Z放射。此外，LED单元300包括第二LED芯片120，所述第二LED芯片具有第二光出射面125并且所述第二LED芯片设置在所述第一LED芯片110之上，使得第二LED芯片120至少部分遮盖第一LED芯片110并且由其发射的光沿着LED单元300的放射方向Z放射。此外，LED单元300包括第一转换层135和第二转换层140，其中第一转换层135覆盖第一光出射面115并且第二转换层140包封第一和第二LED芯片110、120。
第一LED单元110的第一光出射面115可以构成为第一LED芯片110的主光出射面。第二LED芯片120的第二光出射面125可以构成为第二LED芯片120的主光出射面。放射方向Z可以构成为LED单元的主放射方向。
基板105借助于引线框技术制造。如果需要基板105的特别高的导热性，则基板105也可以构成为金属芯电路板或者陶瓷电路板。基板105具有反射性的表面310。反射性的表面310由基板105的基本材料、反射性的涂层或金属化部形成。
第一LED芯片110是表面发射的LED芯片，其构成为倒装芯片。倒装芯片在下侧上具有其电触点。第二LED芯片120是体积发射的LED芯片，其在其上侧上具有其电触点。在第一LED芯片110与基板105之间的电接触直接经由处于LED芯片110的下侧上的电触点和基板105的印制导线进行。在第一LED芯片110的电触点与基板105之间的导电连接借助于焊料或导电的粘合剂来确保。在第二LED芯片110与基板105之间的电接触通过金属丝160、即所谓的接合线进行。接合线160的一个端部为此与LED芯片120的处于上侧上的电触点连接。金属丝的第二端部与基板105的电印制导线连接。
第二LED芯片120已借助于透明的且UV耐受的粘合剂固定在第一LED芯片之上。粘合层的厚度处于5μm到10μm的范围中。第一LED芯片110已借助于导电粘合剂或焊料固定在基板105上。
由第一LED芯片110发射的光通过第一转换层135转换成暖白色光，即具有大约2700K到大约3500K的色温的光。由第二LED芯片120发射的光通过第二转换层140转换成冷白色光，即具有大约5000K到大约10000K的色温的光。
第一转换层135直接设置在第一光出射面115上。在此为陶瓷转换器。陶瓷转换器包括陶瓷基本体，所述陶瓷基本体包含对于波长转换所需的转换材料。陶瓷基本体已借助于透明的且UV耐受的粘合剂固定在光出射面115上。第二转换层140完全包封第一和第二LED芯片110、120。
在第二光出射面125之上设置有半透明的层320。第二转换层140高于第二光出射面125的高度延伸a1与第二转换层140朝向第二LED芯片120的侧面延伸a2更小。由于较小的高度延伸a1，由第二LED芯片120发射的光的提高的辐射份额可以未经转换地离开LED单元。通过覆盖第二光出射面125的半透明的层320吸收由第二LED芯片120发射的光的一部分。由LED单元300发射的光的未经转换的辐射份额因此降低。
半透明的层320包括具有构成用于散射光的颗粒的硅树脂层。通过硅树脂层可以吸收特定份额的由第二LED芯片120发射的光。嵌入在硅树脂层320中的散射颗粒增强统一发光的表面的效果。
图4以剖视图示出根据第二实施例的LED单元400的示意图。LED单元400根据LED单元300设计。关于LED单元400的基本描述，参考图3的描述。LED单元400在以下几点中相对于LED单元300修改。
在基板105上设置有壳体壁430，所述壳体壁沿着放射方向Z延伸。壳体壁完全包围第一LED芯片110和第二LED芯片120，其中壳体壁的内部高度H大于由第一LED芯片110和第二LED芯片120构成的装置的高度h。
壳体壁430具有反射性的表面440。壳体壁430的反射性的表面440可以由壳体壁的基本材料、塑料构成。此外可行的是，反射性的表面440包括反射性的涂层，例如嵌入到基质材料、如硅树脂中的二氧化钛。也可行的是，反射性的表面440具有金属化部，例如铝层或银层，或白色漆，或由其形成。在LED单元400运行时，反射性的表面430引起，所发射的光的特别高的份额在表面处反射并且还提供给LED单元400。这有助于LED单元的特别高的效率，因为在LED单元中的光学损失最小化。
壳体壁430具有楔形的基本形状，其中壳体壁430的宽度沿着放射方向Z减小。在LED单元400运行时，楔形的壳体壁430引起，射到壳体壁430上的光的提高的份额倾斜向回反射到LED单元400中。这有助于LED单元的所发射的光的特别好的颜色混匀。
在第二光出射面125之上设置有反射性的层410。通过使用反射性的层410实现，由第二LED芯片120发射的光不能穿过第二光出射面125。由第二LED芯片120发射的光在层410处反射并且能够通过第二LED芯片的侧面离开第二LED芯片。接着，所发射的光优选在第二转换层140中转换。由LED单元400发射的光的未经转换的辐射份额因此最小化。
反射性的层410例如可以具有金属化部、例如铝层或银层、白色漆和/或二氧化钛，或者由其形成。
使用反射性的层在如下情况下是有利的，例如第一LED芯片110和第二LED芯片120发射蓝色光并且LED单元400应发射色温小于3500K的光。
图5以剖视图示出根据第一实施例的LED模块500的示意图。LED模块500包括共同的基板505，在所述基板上设置有多个LED单元100。LED单元100根据图1构成。因此，关于LED单元100的基本描述，参考图1的描述。在基板505上设置有壳体壁430，所述壳体壁沿着放射方向Z延伸。壳体壁完全包围LED单元100，其中壳体壁的内部高度H大于由第一LED芯片110和第二LED芯片120构成的装置的高度h。
多个设置在共同的基板上的LED单元100形成第一组Gr1、第二组Gr2和第三组Gr3。在一组内，所有LED单元100彼此导电连接。一组的所有LED单元以统一的电参数供应。每个组都可以以统一的或不同的电参数供应。
通过选择合适的LED单元100、通过将多个LED单元100电组合成多个组Gr1、Gr2、Gr3和通过用于每个组的合适的电运行参数，可以根据不同的光方面的需求来灵活地设定LED模块。
图6以剖视图示出根据第二实施例的LED模块600的示意图。LED模块600包括共同的基板505，在所述基板上设置有多个LED单元300、400。LED单元300、400根据图3和图4构成。关于LED单元300、400的基本描述，参考图3和图4的描述。在基板505的侧向设置有壳体壁430，所述壳体壁沿着放射方向Z延伸。壳体壁完全包围LED单元300、400，其中壳体壁的高度H大于由第一LED芯片110和第二LED芯片120构成的装置的高度。
壳体壁430具有反射性的表面440。壳体壁430的反射性的表面440可以由壳体壁的基本材料、塑料构成。此外可行的是，反射性的表面440包括反射性的涂层，例如嵌入到基质材料、如硅树脂中的二氧化钛。也可行的是，反射性的表面440具有金属化部，例如铝层或银层，或白色漆，或者由其形成。在LED模块600运行时，反射性的表面430引起，所发射的光的特别高的份额在表面处反射并且还提供给LED模块600。这有助于LED模块的特别高的效率，因为在LED模块中的光学损失最小化。
壳体壁430具有楔形的基本形状，其中壳体壁430的宽度沿着放射方向Z减小。在LED模块600运行时，楔形的壳体壁430引起，射到壳体壁430上的光的提高的份额倾斜向回反射到LED模块600中。这有助于LED模块600的所发射的光的特别好的颜色混匀。
结论
为了说明所基于的构思，根据一些实施例描述了LED单元和LED模块。实施例在此并不限于特定的特征组合。即使一些特征和设计方案仅结合特定实施例或个别实施例予以描述，它们仍可以分别与其他实施例中的其他特征组合。只要保持实现一般技术教导，同样可行的是，省略或者添加实施例中的个别所示出的特征或特定的设计方案。
附图标记表
LED单元 100
基板 105
第一LED芯片 110
第一光出射面 115
第二LED芯片 120
第二光出射面 125
第一LED芯片的接合线 130
第一转换层 135
第二转换层 140
设置面 145
镜面部 150
第二LED芯片的接合线 160
第一LED芯片的电流接触部 210
第二LED芯片的电流接触部 220
LED单元 300
反射性的表面 310
半透明的层 320
LED单元 400
反射性的层 410
壳体壁 430
反射性的表面 440
LED模块 500
共同的基板 505
LED模块 600
高度延伸 a1
侧面延伸 a2
第一组 Gr1
第二组 Gr2
第三组 Gr3
内部高度(壳体壁) H
高度(芯片装置) h
放射方向 Z

Claims (13)

1.一种LED单元，所述LED单元包括：
- 基板（105），所述基板具有第一LED芯片（110），所述第一LED芯片具有第一光出射面（115）并且所述第一LED芯片在所述基板（105）上设置成，使得由其发射的光沿着所述LED单元的放射方向（Z）放射，
- 第二LED芯片（120），所述第二LED芯片具有第二光出射面（125）并且所述第二LED芯片设置在所述第一LED芯片（110）之上，使得所述第二LED芯片（120）至少部分遮盖所述第一LED芯片（110）并且由其发射的光沿着所述LED单元的放射方向（Z）放射，
- 第一转换层（135）和第二转换层（140），
- 其中所述第一转换层（135）部分覆盖所述第一光出射面（115）和/或至少部分侧向包围所述第一LED芯片（110），并且所述第二LED芯片（120）的设置面（145）不由所述第一转换层（135）覆盖，并且所述第二转换层（140）至少部分包封所述第二LED芯片（120）；
或者
其中所述第一转换层（135）覆盖所述第一光出射面（115）并且所述第二转换层（140）包封所述第二LED芯片（120）和所述第一LED芯片（110），
- 其中所述第一转换层（135）设计为将由所述第一LED芯片（110）发射的光转换成暖白色光，并且所述第二转换层（140）设计为将由所述第二LED芯片（120）发射的光转换成冷白色光，并且
- 其中由所述LED单元发射的光的色温能够在2700K与10000K之间设定。
2.根据权利要求1所述的LED单元，
其中所述第一LED芯片（110）和所述第二LED芯片（120）具有独立的在空间上分离的电流接触部（210，220）。
3.根据权利要求1或2所述的LED单元，
其中所述第一转换层（135）和所述第二转换层（140）相对彼此协调，使得在所述第一LED芯片（110）单独运行时发射的光转换成暖白色光。
4.根据权利要求1或2所述的LED单元，
其中所述第一转换层（135）和所述第二转换层（140）相对彼此协调，使得在所述第二LED芯片（120）单独运行时发射的光转换成冷白色光。
5.根据权利要求3所述的LED单元，
其中所述第一转换层（135）和所述第二转换层（140）相对彼此协调，使得在所述第二LED芯片（120）单独运行时发射的光转换成冷白色光。
6.根据权利要求1或2所述的LED单元，
其中所述第一LED芯片（110）和/或所述第二LED芯片（120）在朝向所述基板（105）或所述第一LED芯片（110）的设置面（145）的区域中分别具有镜面部（150）。
7.根据权利要求1或2所述的LED单元，
其中所述第二光出射面（125）至少部分由半透明的层（320）覆盖。
8.根据权利要求7所述的LED单元，
其中所述半透明的层（320）包括具有构成用于光散射的颗粒的硅树脂层。
9.根据权利要求1或2所述的LED单元，
其中所述第二光出射面（125）至少部分由反射性的层（410）覆盖。
10.根据权利要求1或2所述的LED单元，
其中在所述基板（105）上或在所述基板（105）侧向设置有壳体壁（430），所述壳体壁沿着所述放射方向（Z）的方向延伸并且完全包围所述第一LED芯片（110）和所述第二LED芯片（120），其中所述壳体壁（430）的高度（H）大于由所述第一LED芯片（110）和所述第二LED芯片（120）构成的装置的高度（h）。
11.一种LED模块（500，600），所述LED模块具有多个根据权利要求1至10中任一项所述的LED单元。
12.根据权利要求11所述的LED模块（500，600），
其中所有LED单元具有共同的基板（505）。
13.根据权利要求12所述的LED模块（500，600），
其中在所述共同的基板（505）上或在所述共同的基板（505）侧向设置有壳体壁（430），所述壳体壁沿着所述放射方向（Z）的方向延伸并且完全包围所述LED单元，其中所述壳体壁（430）的高度（H）大于由所述第一LED芯片和所述第二LED芯片构成的装置的高度（h）。
CN201880011177.8A 2017-02-09 2018-02-06 Led单元 Active CN110291632B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102017102619.3 2017-02-09
DE102017102619.3A DE102017102619B4 (de) 2017-02-09 2017-02-09 LED-Einheit und LED-Modul
PCT/EP2018/052922 WO2018146084A1 (de) 2017-02-09 2018-02-06 Led-einheit

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110291632A CN110291632A (zh) 2019-09-27
CN110291632B true CN110291632B (zh) 2024-03-01

Family

ID=61188803

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201880011177.8A Active CN110291632B (zh) 2017-02-09 2018-02-06 Led单元

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11004834B2 (zh)
CN (1) CN110291632B (zh)
DE (1) DE102017102619B4 (zh)
WO (1) WO2018146084A1 (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20210261860A1 (en) * 2018-07-25 2021-08-26 Osram Oled Gmbh µLED Chip Architecture Based on Nanostructured Perovskite Converter Materials
CN112992876A (zh) * 2019-12-12 2021-06-18 佛山市国星光电股份有限公司 一种多基色cob器件
JP7212282B2 (ja) 2020-11-26 2023-01-25 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103109383A (zh) * 2010-09-15 2013-05-15 欧司朗光电半导体有限公司 光电子器件和用于制造所述光电子器件的方法
CN103839937A (zh) * 2012-11-23 2014-06-04 东贝光电科技股份有限公司 白光发光二极管模块
WO2015080416A1 (ko) * 2013-11-28 2015-06-04 순천대학교 산학협력단 측면 발광 다이오드, 면광원 및 그 제조 방법
CN105324845A (zh) * 2013-06-19 2016-02-10 欧司朗股份有限公司 具有led芯片的led模块
CN105485573A (zh) * 2015-12-31 2016-04-13 广东晶科电子股份有限公司 一种高色域直下式led背光模组

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG185827A1 (en) 2002-03-22 2012-12-28 Nichia Corp Nitride phosphor and production process thereof, and light emitting device
US7309144B2 (en) * 2004-09-21 2007-12-18 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte Ltd Stacked light source
US8017955B2 (en) * 2004-11-19 2011-09-13 Koninklijke Philips Electronics N.V. Composite LED modules
US7922352B2 (en) * 2005-07-21 2011-04-12 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Device and method for emitting output light using multiple light sources with photoluminescent material
KR20090002284A (ko) * 2007-06-26 2009-01-09 엘지이노텍 주식회사 발광 장치
JP2011238811A (ja) * 2010-05-12 2011-11-24 Konica Minolta Opto Inc 波長変換素子および発光装置
JP5656461B2 (ja) * 2010-06-14 2015-01-21 日東光学株式会社 発光装置
JP2012114116A (ja) 2010-11-19 2012-06-14 Olympus Corp 発光装置
KR20130023841A (ko) * 2011-08-30 2013-03-08 엘지이노텍 주식회사 색 온도 제어가 가능한 발광 소자 패키지
JP6207402B2 (ja) 2012-02-02 2017-10-04 シチズン時計株式会社 発光装置
JP2014082438A (ja) 2012-09-25 2014-05-08 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光装置および照明装置
KR20150019828A (ko) 2013-08-16 2015-02-25 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
TW201532312A (zh) * 2014-02-10 2015-08-16 Edison Opto Corp 可調光ｌｅｄ封裝結構
DE102016212138A1 (de) 2016-07-04 2018-01-04 Osram Gmbh Licht-emittierendes Modul, Licht-emittierende Vorrichtung und Verfahren zum Herstellen und zum Betreiben desselben

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103109383A (zh) * 2010-09-15 2013-05-15 欧司朗光电半导体有限公司 光电子器件和用于制造所述光电子器件的方法
CN103839937A (zh) * 2012-11-23 2014-06-04 东贝光电科技股份有限公司 白光发光二极管模块
CN105324845A (zh) * 2013-06-19 2016-02-10 欧司朗股份有限公司 具有led芯片的led模块
WO2015080416A1 (ko) * 2013-11-28 2015-06-04 순천대학교 산학협력단 측면 발광 다이오드, 면광원 및 그 제조 방법
CN105485573A (zh) * 2015-12-31 2016-04-13 广东晶科电子股份有限公司 一种高色域直下式led背光模组

Also Published As

Publication number Publication date
WO2018146084A1 (de) 2018-08-16
CN110291632A (zh) 2019-09-27
DE102017102619B4 (de) 2022-10-06
US11004834B2 (en) 2021-05-11
US20190371769A1 (en) 2019-12-05
DE102017102619A1 (de) 2018-08-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101170401B1 (ko) 복합 발광 다이오드 모듈
JP4791381B2 (ja) 発光デバイスの製造方法
US7842960B2 (en) Light emitting packages and methods of making same
JP5768435B2 (ja) 発光装置
US11189601B2 (en) Reflective solder mask layer for LED phosphor package
US20110089815A1 (en) Light-emitting device
US8558259B2 (en) Optoelectronic component having a dome-like conversion element
US20110068354A1 (en) High power LED lighting device using high extraction efficiency photon guiding structure
JP4432724B2 (ja) 照明光源の製造方法および照明光源
JP2003152225A (ja) 発光装置
CN110291632B (zh) Led单元
JP2016171147A (ja) 発光装置および照明装置
JP4938255B2 (ja) 発光素子収納用パッケージ、光源および発光装置
JP5447686B2 (ja) 発光モジュール、および照明器具
JP2018129492A (ja) 発光装置、及び、照明装置
JP2005310911A (ja) 発光素子収納用パッケージおよび発光装置ならびに照明装置
JP4511238B2 (ja) 発光素子収納用パッケージおよび発光装置ならびに照明装置
JP2009212126A (ja) 照明装置
JP2023032709A (ja) 発光モジュール
JP2018032693A (ja) 発光装置、及び、照明装置
JP4601404B2 (ja) 発光装置および照明装置
US8148739B2 (en) LED package structure
CN204853254U (zh) Led光源组件、led光电一体化模组和led射灯
KR20110131429A (ko) 발광소자 및 이의 제조방법
JP2006156603A5 (zh)

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant