JP2001144432A - 絶縁層上の導体層の製造方法およびビルドアップ回路基板の製造方法 - Google Patents
絶縁層上の導体層の製造方法およびビルドアップ回路基板の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 バラツキの少ない均一な樹脂絶縁層表面の軟
化処理により、樹脂絶縁層上へのメッキ金属層の接着力
を向上させ、より信頼性の高い回路基板を提供する絶縁
層上の導体層の製造方法及びビルドアップ回路基板の製
造方法を提供する。 【解決手段】 少なくとも表面に絶縁層を有する基板を
準備するステップ２０と、絶縁層表面に紫外光を照射す
るステップ２４と、紫外光照射後の絶縁層表面を酸化処
理するステップ２６と、酸化処理後の絶縁層上に導体層
を設けるステップ２９とを含む。基板を準備するステッ
プは、基板上に感光性樹脂層を塗布するステップ２１
と、塗布された感光性樹脂層を光硬化するステップ２２
と、光硬化した感光性樹脂層を現像するステップ２３と
を含む。酸化処理するステップは過マンガン酸処理の前
に膨潤処理するステップ２５を含み、さらに過マンガン
酸処理ステップの後に中和処理するステップ２７を含
む。
化処理により、樹脂絶縁層上へのメッキ金属層の接着力
を向上させ、より信頼性の高い回路基板を提供する絶縁
層上の導体層の製造方法及びビルドアップ回路基板の製
造方法を提供する。 【解決手段】 少なくとも表面に絶縁層を有する基板を
準備するステップ２０と、絶縁層表面に紫外光を照射す
るステップ２４と、紫外光照射後の絶縁層表面を酸化処
理するステップ２６と、酸化処理後の絶縁層上に導体層
を設けるステップ２９とを含む。基板を準備するステッ
プは、基板上に感光性樹脂層を塗布するステップ２１
と、塗布された感光性樹脂層を光硬化するステップ２２
と、光硬化した感光性樹脂層を現像するステップ２３と
を含む。酸化処理するステップは過マンガン酸処理の前
に膨潤処理するステップ２５を含み、さらに過マンガン
酸処理ステップの後に中和処理するステップ２７を含
む。
Description
【０００１】
【発明の属する利用分野】本発明は、一般的には、絶縁
層上の導体層の製造方法に関し、より詳細には、ビルド
アップ回路基板における絶縁層上の導体層の製造方法に
関する。
層上の導体層の製造方法に関し、より詳細には、ビルド
アップ回路基板における絶縁層上の導体層の製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】表面に導体回路が形成されたベース基板
上に絶縁層と導体回路層を交互に積層して高密度な回路
を形成した、いわゆるビルドアップ回路基板がある。こ
のビルドアップ回路基板の製造では、一般にベース基板
上の絶縁層上にメッキにより導体（金属）層が形成され
る。
上に絶縁層と導体回路層を交互に積層して高密度な回路
を形成した、いわゆるビルドアップ回路基板がある。こ
のビルドアップ回路基板の製造では、一般にベース基板
上の絶縁層上にメッキにより導体（金属）層が形成され
る。
【０００３】絶縁層が樹脂からなる場合、樹脂とメッキ
金属との接着力を上げるために、一般に金属メッキ前に
樹脂層表面を粗化するための前処理が行われる。例えば
過マンガン酸あるいはクロム酸等の酸化剤を用いて樹脂
層表面が酸化処理される。この酸化処理では、酸化作用
を利用して樹脂表面を酸化エッチングして、その表面に
微細な凹凸を形成（粗化）している。また、この酸化処
理の前に、さらにいわゆる膨潤(swelling)処理と呼ばれ
る表面処理がおこなわれている。膨潤(swelling)処理と
は、水溶性有機溶剤と苛性ソーダ等の強アルカリを含む
処理液を用いて樹脂表面を軟化させる（ふやかす）こと
を意味する。この表面の軟化によりその後の酸化処理に
よる酸化（エッチング）作用が促進される。
金属との接着力を上げるために、一般に金属メッキ前に
樹脂層表面を粗化するための前処理が行われる。例えば
過マンガン酸あるいはクロム酸等の酸化剤を用いて樹脂
層表面が酸化処理される。この酸化処理では、酸化作用
を利用して樹脂表面を酸化エッチングして、その表面に
微細な凹凸を形成（粗化）している。また、この酸化処
理の前に、さらにいわゆる膨潤(swelling)処理と呼ばれ
る表面処理がおこなわれている。膨潤(swelling)処理と
は、水溶性有機溶剤と苛性ソーダ等の強アルカリを含む
処理液を用いて樹脂表面を軟化させる（ふやかす）こと
を意味する。この表面の軟化によりその後の酸化処理に
よる酸化（エッチング）作用が促進される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この従来の膨
潤(swelling)処理には以下のような問題がある。すなわ
ち、 （ａ）膨潤処理にバラツキがあり、一様な(均一な）樹
脂表面の軟化ができない。その結果、酸化処理において
樹脂表面の酸化エッチングのバラツキが生じ、その後の
メッキ金属層の付着力が弱くなってしまう恐れがある。
また、このバラツキを低減させるために、頻繁に膨潤処
理の効果（軟化状態）の検査あるいは処理液の調整等を
おこなう必要がある。 （ｂ）水溶性有機溶剤と苛性ソーダ等の強アルカリを含
む処理液は、通常４０℃〜１００℃程度の温度下で使用
されるので、発生する溶媒蒸気によって環境に悪影響が
及ぼされる。
潤(swelling)処理には以下のような問題がある。すなわ
ち、 （ａ）膨潤処理にバラツキがあり、一様な(均一な）樹
脂表面の軟化ができない。その結果、酸化処理において
樹脂表面の酸化エッチングのバラツキが生じ、その後の
メッキ金属層の付着力が弱くなってしまう恐れがある。
また、このバラツキを低減させるために、頻繁に膨潤処
理の効果（軟化状態）の検査あるいは処理液の調整等を
おこなう必要がある。 （ｂ）水溶性有機溶剤と苛性ソーダ等の強アルカリを含
む処理液は、通常４０℃〜１００℃程度の温度下で使用
されるので、発生する溶媒蒸気によって環境に悪影響が
及ぼされる。
【０００５】本発明の目的は上記従来の問題を改善する
ことである。
ことである。
【０００６】より具体的には、本発明の目的は、従来の
膨潤処理に代る新規な樹脂軟化処理方法を提供して、バ
ラツキの少ない均一な樹脂絶縁層表面の軟化処理をおこ
なうことである。
膨潤処理に代る新規な樹脂軟化処理方法を提供して、バ
ラツキの少ない均一な樹脂絶縁層表面の軟化処理をおこ
なうことである。
【０００７】また、本発明の目的は、バラツキの少ない
均一な樹脂絶縁層表面の軟化処理により、樹脂絶縁層上
へのメッキ金属層の接着力を向上させ、より信頼性の高
いビルドアップ回路基板を提供することである。
均一な樹脂絶縁層表面の軟化処理により、樹脂絶縁層上
へのメッキ金属層の接着力を向上させ、より信頼性の高
いビルドアップ回路基板を提供することである。
【０００８】また、本発明の目的は、膨潤処理溶液の使
用量を削減あるいは低減して環境への悪影響を軽減する
ことである。
用量を削減あるいは低減して環境への悪影響を軽減する
ことである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、従来の
膨潤(swelling)処理を削除あるいは軽減可能な、新規
な”絶縁(樹脂）層表面に紫外光を照射するステップ”
を有する、絶縁層上の導体層の製造方法が提供される。
膨潤(swelling)処理を削除あるいは軽減可能な、新規
な”絶縁(樹脂）層表面に紫外光を照射するステップ”
を有する、絶縁層上の導体層の製造方法が提供される。
【００１０】さらに、本発明によれば、従来の膨潤(swe
lling)処理を削除あるいは軽減可能な、新規な”絶縁
(樹脂）層表面に紫外光を照射するステップ”を有す
る、ビルドアップ回路基板の製造方法が提供される。
lling)処理を削除あるいは軽減可能な、新規な”絶縁
(樹脂）層表面に紫外光を照射するステップ”を有す
る、ビルドアップ回路基板の製造方法が提供される。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。なお、以下の例はビルドアップ回路基板の
製造方法を対象として説明している。しかし、本発明の
対象はこれに限られたものではなく、一般のプリント回
路基板のように、絶縁層上にメッキ導体を有するあらゆ
る構造が対象になる。
て説明する。なお、以下の例はビルドアップ回路基板の
製造方法を対象として説明している。しかし、本発明の
対象はこれに限られたものではなく、一般のプリント回
路基板のように、絶縁層上にメッキ導体を有するあらゆ
る構造が対象になる。
【００１２】図１は本発明によって製造されるビルドア
ップ回路基板１２の断面図である。ビルドアップ回路基
板は、ベース基板１とその２つの表面上に形成されたビ
ルドアップ層２から構成される。ベース基板１はガラス
エポキシ樹脂等の絶縁材からなるベース材３を有してい
る。ベース材３に設けられたスルーホール４の内壁に、
銅等の金属が導通ビア５としてメッキ等により形成され
ている。導通ビア５はベース材３表面の導体回路７と接
続されている。スルーホール４は樹脂６により充填され
ている。
ップ回路基板１２の断面図である。ビルドアップ回路基
板は、ベース基板１とその２つの表面上に形成されたビ
ルドアップ層２から構成される。ベース基板１はガラス
エポキシ樹脂等の絶縁材からなるベース材３を有してい
る。ベース材３に設けられたスルーホール４の内壁に、
銅等の金属が導通ビア５としてメッキ等により形成され
ている。導通ビア５はベース材３表面の導体回路７と接
続されている。スルーホール４は樹脂６により充填され
ている。
【００１３】ビルドアップ層２は、絶縁層８、１０と導
体層９から構成される。なお、導体層と絶縁層をさらに
交互に積層した構造でもよい。本発明は、このビルドア
ップ層２の形成に関し、特に絶縁層８上の導体層９の形
成に関する。なお、絶縁層８はスルーホールの充填樹脂
６と同時に一体的に形成することもできる。以下、この
絶縁層８上の導体層９の形成に関して詳述する。
体層９から構成される。なお、導体層と絶縁層をさらに
交互に積層した構造でもよい。本発明は、このビルドア
ップ層２の形成に関し、特に絶縁層８上の導体層９の形
成に関する。なお、絶縁層８はスルーホールの充填樹脂
６と同時に一体的に形成することもできる。以下、この
絶縁層８上の導体層９の形成に関して詳述する。
【００１４】図２は絶縁層８上の導体層９の形成方法
（フロー）を示した図である。表面に導体回路７が形成
されたベース基板１を準備する（ステップ２０）。ベー
ス基板１の表面に感光性樹脂を塗布し、その後乾燥する
（ステップ２１）。乾燥した感光性樹脂を光で硬化する
（ステップ２２）。パターン化されたレジスト膜等のマ
スクを用いて、硬化した樹脂を現像してパターン化する
(ステップ２３）。このパターン化により、図１のビア
１３用の穴を有する絶縁層８が形成される。なお、絶縁
層８用の樹脂としては熱硬化性樹脂を用いてもよい。熱
硬化性樹脂を用いた場合は、熱硬化後にレーザビーム等
でビアを設ける。
（フロー）を示した図である。表面に導体回路７が形成
されたベース基板１を準備する（ステップ２０）。ベー
ス基板１の表面に感光性樹脂を塗布し、その後乾燥する
（ステップ２１）。乾燥した感光性樹脂を光で硬化する
（ステップ２２）。パターン化されたレジスト膜等のマ
スクを用いて、硬化した樹脂を現像してパターン化する
(ステップ２３）。このパターン化により、図１のビア
１３用の穴を有する絶縁層８が形成される。なお、絶縁
層８用の樹脂としては熱硬化性樹脂を用いてもよい。熱
硬化性樹脂を用いた場合は、熱硬化後にレーザビーム等
でビアを設ける。
【００１５】パターン化された樹脂層表面に紫外光を照
射する（ステップ２４）。紫外光を照射するのは、樹脂
表面を変質させ、膨潤(swelling)処理と同様な効果（軟
化、濡れ性の向上等）を得るためである。照射する紫外
光としては、樹脂を構成する有機物の化学結合を切断す
るのに必要なエネルギーを有するものが好ましい。一般
的には約３００ｎｍ以下の波長範囲においてピーク波長
を有する紫外光がよい。例えば、有機物を構成する”炭
素（Ｃ）−水素（Ｈ）”の化学結合エネルギーは約４１
５（ｋＪ／ｍｏｌ）である。低圧水銀ランプは約２５３
ｎｍや１８４ｎｍのピーク波長を有する紫外光を発す
る。ここで、波長２５３ｎｍは約４７１（ｋＪ／ｍｏ
ｌ）のエネルギーに相当する。したがって、低圧水銀ラ
ンプの紫外光は有効である。また、他のエキシマレーザ
等の紫外光源を用いてもよい。
射する（ステップ２４）。紫外光を照射するのは、樹脂
表面を変質させ、膨潤(swelling)処理と同様な効果（軟
化、濡れ性の向上等）を得るためである。照射する紫外
光としては、樹脂を構成する有機物の化学結合を切断す
るのに必要なエネルギーを有するものが好ましい。一般
的には約３００ｎｍ以下の波長範囲においてピーク波長
を有する紫外光がよい。例えば、有機物を構成する”炭
素（Ｃ）−水素（Ｈ）”の化学結合エネルギーは約４１
５（ｋＪ／ｍｏｌ）である。低圧水銀ランプは約２５３
ｎｍや１８４ｎｍのピーク波長を有する紫外光を発す
る。ここで、波長２５３ｎｍは約４７１（ｋＪ／ｍｏ
ｌ）のエネルギーに相当する。したがって、低圧水銀ラ
ンプの紫外光は有効である。また、他のエキシマレーザ
等の紫外光源を用いてもよい。
【００１６】次に膨潤(swelling)処理をする（ステップ
２５）。膨潤(swelling)処理は、上述したように、水溶
性有機溶剤と苛性ソーダ等の強アルカリを含む処理液を
用いて樹脂表面を軟化させる（ふやかす）ためにおこな
う。なお、この膨潤(swelling)処理は省略してもよい。
ステップ２４の紫外光照射により同様な効果が得られる
からである。
２５）。膨潤(swelling)処理は、上述したように、水溶
性有機溶剤と苛性ソーダ等の強アルカリを含む処理液を
用いて樹脂表面を軟化させる（ふやかす）ためにおこな
う。なお、この膨潤(swelling)処理は省略してもよい。
ステップ２４の紫外光照射により同様な効果が得られる
からである。
【００１７】ステップ２６では過マンガン酸溶液による
処理がおこなわれる。この処理は、酸化作用を利用して
樹脂表面を酸化除去（酸化エッチング）して、その表面
に微細な凹凸を形成（粗化）するためにおこなう。これ
により、後の導体メッキの付着力が向上する。なお、使
用する酸はクロム酸でもよい。過マンガン酸処理後に樹
脂表面を中和処理（ステップ２７）した後、乾燥する
（ステップ２８）。
処理がおこなわれる。この処理は、酸化作用を利用して
樹脂表面を酸化除去（酸化エッチング）して、その表面
に微細な凹凸を形成（粗化）するためにおこなう。これ
により、後の導体メッキの付着力が向上する。なお、使
用する酸はクロム酸でもよい。過マンガン酸処理後に樹
脂表面を中和処理（ステップ２７）した後、乾燥する
（ステップ２８）。
【００１８】次に、銅などの導体（金属）を樹脂上にメ
ッキする（ステップ２９）。メッキは電解あるいは無電
解いずれのメッキ法でもよい。また、メッキに先立って
パラジウム触媒処理等の一般的なメッキ前処理および後
処理をおこなう。その後、パターン化されたレジスト膜
等を形成した後、導体をエッチングしパターン化する。
これにより、図１の導体(回路）層９が形成される。こ
の後、ステップ２１に戻り、感光性樹脂層(図１の１
０）が形成される。層数に応じてステップ２１から３０
が繰り返される。
ッキする（ステップ２９）。メッキは電解あるいは無電
解いずれのメッキ法でもよい。また、メッキに先立って
パラジウム触媒処理等の一般的なメッキ前処理および後
処理をおこなう。その後、パターン化されたレジスト膜
等を形成した後、導体をエッチングしパターン化する。
これにより、図１の導体(回路）層９が形成される。こ
の後、ステップ２１に戻り、感光性樹脂層(図１の１
０）が形成される。層数に応じてステップ２１から３０
が繰り返される。
【００１９】
【実施例】以下、実施例により本発明の有効性について
さらに詳細に説明する。 （１）試験基板（ベース基板）の準備 両面銅箔付きのガラスエポキシ樹脂基板であるＦＲ−４
基板を準備し、以下の処理をした。 （ａ）ＦＲ−４基板をハローレスオキシデーション処理
する。ハローレスオキシデーション処理は、銅メッキの
前処理としておこなわれる酸処理によって作られる酸化
銅を予め薄く除去し、絶縁層(樹脂）と銅の剥離を防止
するためにおこなわれる。具体的には、ＦＲ−４基板表
面の銅を酸化処理した後に還元処理する。これにより、
銅箔の表面の数オングストローム程度の酸化銅が還元さ
れ銅となる。 （ｂ）基板表面に感光性エポキシ樹脂（Probelec 713
6）を約３０（μｍ）の厚さ塗布して乾燥する。 (ｃ)露光器で２０００（ｍＪ）の光量で露光する。 (ｄ)１１０℃の温度で１時間加熱する。 (ｅ)露光器でさらに２０００（ｍＪ）の光量で露光す
る。 (ｆ)最後に１５０℃の温度で１時間加熱して最終的に感
光性エポキシ樹脂を硬化する。
さらに詳細に説明する。 （１）試験基板（ベース基板）の準備 両面銅箔付きのガラスエポキシ樹脂基板であるＦＲ−４
基板を準備し、以下の処理をした。 （ａ）ＦＲ−４基板をハローレスオキシデーション処理
する。ハローレスオキシデーション処理は、銅メッキの
前処理としておこなわれる酸処理によって作られる酸化
銅を予め薄く除去し、絶縁層(樹脂）と銅の剥離を防止
するためにおこなわれる。具体的には、ＦＲ−４基板表
面の銅を酸化処理した後に還元処理する。これにより、
銅箔の表面の数オングストローム程度の酸化銅が還元さ
れ銅となる。 （ｂ）基板表面に感光性エポキシ樹脂（Probelec 713
6）を約３０（μｍ）の厚さ塗布して乾燥する。 (ｃ)露光器で２０００（ｍＪ）の光量で露光する。 (ｄ)１１０℃の温度で１時間加熱する。 (ｅ)露光器でさらに２０００（ｍＪ）の光量で露光す
る。 (ｆ)最後に１５０℃の温度で１時間加熱して最終的に感
光性エポキシ樹脂を硬化する。
【００２０】（２）本発明の実施例の準備 （１）で準備した試験基板をセン特殊光源(株）製のPho
to-Surface ProfessorPL16-110を用い、光源から１ｃｍ
の距離でDeep UV（遠紫外）光を１０分間照射した。こ
の光源は低圧水銀ランプ（5mW/cm2 at 254nm)を用いて
いる。紫外光照射後の基板を図３のフローに従って処理
した。この時、基板は２種類（ＡとＢ）用意した。基板
Ａは、図３のステップ（ａ）〜（ｉ）までの全ての処理
をした。基板Ｂは図３のステップ（ａ）〜（ｃ）までを
省き、ステップ（ｄ）〜（ｉ）までの処理をした。した
がって、基板Ａは膨潤(swelling)処理をした基板であ
り、基板Ｂは膨潤(swelling)処理無しの基板である。
to-Surface ProfessorPL16-110を用い、光源から１ｃｍ
の距離でDeep UV（遠紫外）光を１０分間照射した。こ
の光源は低圧水銀ランプ（5mW/cm2 at 254nm)を用いて
いる。紫外光照射後の基板を図３のフローに従って処理
した。この時、基板は２種類（ＡとＢ）用意した。基板
Ａは、図３のステップ（ａ）〜（ｉ）までの全ての処理
をした。基板Ｂは図３のステップ（ａ）〜（ｃ）までを
省き、ステップ（ｄ）〜（ｉ）までの処理をした。した
がって、基板Ａは膨潤(swelling)処理をした基板であ
り、基板Ｂは膨潤(swelling)処理無しの基板である。
【００２１】（３）比較例の準備 （１）で準備した試験基板を紫外光照射無しで図３のフ
ローに従って処理した。この時、基板は２種類（Ｃと
Ｄ）用意した。そして、（２）本発明の実施例の準備の
場合と同様に、基板Ｃは、基板Ａと同様に図３のステッ
プ（ａ）〜（ｉ）までの全ての処理をした。また、基板
Ｄは基板Ｂと同様に図３のステップ（ａ）〜（ｃ）まで
を省き、ステップ（ｄ）〜（ｉ）までの処理をした。し
たがって、基板Ｃは膨潤(swelling)処理をした基板であ
り、基板Ｄは膨潤(swelling)処理無しの基板である。
ローに従って処理した。この時、基板は２種類（Ｃと
Ｄ）用意した。そして、（２）本発明の実施例の準備の
場合と同様に、基板Ｃは、基板Ａと同様に図３のステッ
プ（ａ）〜（ｉ）までの全ての処理をした。また、基板
Ｄは基板Ｂと同様に図３のステップ（ａ）〜（ｃ）まで
を省き、ステップ（ｄ）〜（ｉ）までの処理をした。し
たがって、基板Ｃは膨潤(swelling)処理をした基板であ
り、基板Ｄは膨潤(swelling)処理無しの基板である。
【００２２】（４）比較結果 本発明の実施例基板（ＡとＢ）と比較例基板（ＣとＤ）
の６０度での表面状態(グロス）と銅ピール強度を図４
に示す。なお、銅ピール強度は樹脂表面に銅メッキを行
った後の値である。図４のグロスの値から図３の（ｄ）
過マンガン酸処理による銅の酸化の程度を確認すること
ができる。すなわち、グロスの値が大きいほど（光沢が
大きい程）、図３の過マンガン酸処理（ｄ）による酸化
が十分でないことを示す。逆に、グロスの値が小さいほ
ど、図３の過マンガン酸処理（ｄ）による酸化が十分で
あることを示す。過マンガン酸処理（ｄ）は銅をエッチ
ングすると同時に酸化により表面を黒化させるからであ
る。すなわち、酸化程度が大きほど黒化の度合いが大き
くなる。また、図４の銅ピール強度から銅の付着力をみ
ることができる。銅ピール強度が大きいほど銅の接着力
が強い。
の６０度での表面状態(グロス）と銅ピール強度を図４
に示す。なお、銅ピール強度は樹脂表面に銅メッキを行
った後の値である。図４のグロスの値から図３の（ｄ）
過マンガン酸処理による銅の酸化の程度を確認すること
ができる。すなわち、グロスの値が大きいほど（光沢が
大きい程）、図３の過マンガン酸処理（ｄ）による酸化
が十分でないことを示す。逆に、グロスの値が小さいほ
ど、図３の過マンガン酸処理（ｄ）による酸化が十分で
あることを示す。過マンガン酸処理（ｄ）は銅をエッチ
ングすると同時に酸化により表面を黒化させるからであ
る。すなわち、酸化程度が大きほど黒化の度合いが大き
くなる。また、図４の銅ピール強度から銅の付着力をみ
ることができる。銅ピール強度が大きいほど銅の接着力
が強い。
【００２３】図４から明らかなように、紫外光照射をし
た本発明の実施例基板Ａ、Ｂは、いずれも紫外光照射な
しの比較例基板Ｃ、Ｄよりも、グロス値が小さく過マン
ガン酸処理が十分に行われている。また、膨潤(swellin
g)処理の有無に係らず、本発明の実施例基板Ａ、Ｂは比
較例基板Ｃ、Ｄよりも、グロス値が小さく過マンガン酸
処理が十分に行われている。銅ピール強度においても、
紫外光照射をした本発明の実施例基板Ａ、Ｂは、いずれ
も紫外光照射なしの比較例基板Ｃ、Ｄより値が大きく銅
の接着力が強いことがわかる。
た本発明の実施例基板Ａ、Ｂは、いずれも紫外光照射な
しの比較例基板Ｃ、Ｄよりも、グロス値が小さく過マン
ガン酸処理が十分に行われている。また、膨潤(swellin
g)処理の有無に係らず、本発明の実施例基板Ａ、Ｂは比
較例基板Ｃ、Ｄよりも、グロス値が小さく過マンガン酸
処理が十分に行われている。銅ピール強度においても、
紫外光照射をした本発明の実施例基板Ａ、Ｂは、いずれ
も紫外光照射なしの比較例基板Ｃ、Ｄより値が大きく銅
の接着力が強いことがわかる。
【００２４】また、図３の（ｄ）過マンガン酸処理後の
４つの基板の樹脂表面状態を顕微鏡で観察した。その結
果、本発明の実施例基板Ａ、Ｂ（ＵＶ照射あり）は、い
ずれも表面全体が、均一に酸化エッチングされ、凹凸が
できている（粗化されている）ことが観察された。すな
わち、紫外光照射の効果が樹脂表面全体で均一に現れて
いることが確認された。
４つの基板の樹脂表面状態を顕微鏡で観察した。その結
果、本発明の実施例基板Ａ、Ｂ（ＵＶ照射あり）は、い
ずれも表面全体が、均一に酸化エッチングされ、凹凸が
できている（粗化されている）ことが観察された。すな
わち、紫外光照射の効果が樹脂表面全体で均一に現れて
いることが確認された。
【００２５】さらに、図４の基板Ｂ（ＵＶ照射あり、膨
潤処理なし）と基板Ｃ（ＵＶ照射なし、膨潤処理あり）
との比較から、本発明の紫外光照射は、従来の膨潤処理
よりも効果が大きいことがわかる。これにより、従来の
膨潤処理に代って紫外光照射を採用することができるこ
とが確認された。また、従来の膨潤処理と本発明の紫外
光照射処理を併用することによりさらに効果が大きくな
ることが確認された。
潤処理なし）と基板Ｃ（ＵＶ照射なし、膨潤処理あり）
との比較から、本発明の紫外光照射は、従来の膨潤処理
よりも効果が大きいことがわかる。これにより、従来の
膨潤処理に代って紫外光照射を採用することができるこ
とが確認された。また、従来の膨潤処理と本発明の紫外
光照射処理を併用することによりさらに効果が大きくな
ることが確認された。
【００２６】
【効果】本発明は以下の効果を有する。導体メッキの前
処理として、従来の膨潤処理の代わりに紫外光照射処理
を採用することにより、従来の膨潤処理以上に樹脂表面
の改質（ふやかし）をすることができる。その結果、そ
の後の過マンガン酸処理において、樹脂表面の酸化エッ
チングを従来法よりも促進することができるので、樹脂
絶縁層上への導体メッキを均一かつ確実におこなうこと
ができる。特に樹脂絶縁層上へのメッキ導体の接着力を
向上させることができる。また、この効果は従来の膨潤
処理と本発明の紫外光照射処理を併用することによりさ
らに増強することができる。
処理として、従来の膨潤処理の代わりに紫外光照射処理
を採用することにより、従来の膨潤処理以上に樹脂表面
の改質（ふやかし）をすることができる。その結果、そ
の後の過マンガン酸処理において、樹脂表面の酸化エッ
チングを従来法よりも促進することができるので、樹脂
絶縁層上への導体メッキを均一かつ確実におこなうこと
ができる。特に樹脂絶縁層上へのメッキ導体の接着力を
向上させることができる。また、この効果は従来の膨潤
処理と本発明の紫外光照射処理を併用することによりさ
らに増強することができる。
【００２７】導体メッキの前処理として、従来の有機溶
剤等を用いるウエットなプロセスである膨潤処理の代わ
りにドライなプロセスである紫外光照射処理を採用する
ことにより、前処理工程をより簡易なものにすることが
できる。その結果、処理工程の迅速化を図ることができ
る。また、従来の膨潤処理と本発明の紫外光照射処理を
併用した場合においても、膨潤処理の時間を短縮した
り、あるいは使用する有機溶剤の量を軽減することがで
きる。これらの結果、有機溶剤による環境への悪影響を
低減することができる。
剤等を用いるウエットなプロセスである膨潤処理の代わ
りにドライなプロセスである紫外光照射処理を採用する
ことにより、前処理工程をより簡易なものにすることが
できる。その結果、処理工程の迅速化を図ることができ
る。また、従来の膨潤処理と本発明の紫外光照射処理を
併用した場合においても、膨潤処理の時間を短縮した
り、あるいは使用する有機溶剤の量を軽減することがで
きる。これらの結果、有機溶剤による環境への悪影響を
低減することができる。
【００２８】本発明の採用により、樹脂絶縁層上への均
一かつ高接着力な導体メッキが可能となるので、ビルド
アップ回路基板等を含むプリント回路基板の信頼性を向
上させることができる。
一かつ高接着力な導体メッキが可能となるので、ビルド
アップ回路基板等を含むプリント回路基板の信頼性を向
上させることができる。
【図１】本発明によって製造されるビルドアップ回路基
板の断面図である。
板の断面図である。
【図２】本発明の絶縁層上の導体層の形成方法（フロ
ー）を示した工程図である。
ー）を示した工程図である。
【図３】絶縁層の処理フローを示す工程図である。
【図４】本発明と従来例の比較効果を示す図である。
１・・・ベース基板 ２・・・ビルドアップ構造 ３・・・ベース絶縁材 ４・・・スルーホール ５・・・導通ビア（導体） ６・・・充填材 ７・・・導体回路 ８、１０・・・樹脂絶縁層 ９・・・・導体(金属） １０・・スルーホール １２・・・ビルドアップ回路基板 １３・・・ビア
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１２年６月１２日（２０００．６．１
２）
２）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正内容】
フロントページの続き (72)発明者 白井 正治 滋賀県野洲郡野洲町大字市三宅800番地 日本アイ・ビー・エム株式会社 野洲事業 所内 Ｆターム(参考） 5E343 AA07 AA15 AA17 CC48 DD33 EE32 EE38 GG02 5E346 AA12 AA15 AA43 CC08 CC51 CC58 DD03 DD22 EE33 EE35 EE38 GG01 GG27 HH11 HH40
Claims (10)
- 【請求項１】 絶縁層上の導体層の製造方法であって、 少なくとも表面に絶縁層を有する基板を準備するステッ
プと、 前記絶縁層表面に紫外光を照射するステップと、 前記紫外光照射後の絶縁層表面を酸化処理するステップ
と、 前記酸化処理後の絶縁層上に導体層を設けるステップ
と、を含む、絶縁層上の導体層の製造方法。 - 【請求項２】 前記基板を準備するステップは、 基板上に感光性樹脂層を塗布するステップと、 塗布された感光性樹脂層を光硬化するステップと、 光硬化した感光性樹脂層を現像するステップと、を含
む、請求項１記載の製造方法。 - 【請求項３】 前記基板を準備するステップは、 基板上に熱硬化性樹脂層を塗布するステップと、 塗布された感光性樹脂層を熱硬化するステップと、 熱硬化した感光性樹脂層にビアを設けるステップと、を
含む、請求項１記載の製造方法。 - 【請求項４】 前記酸化処理するステップは過マンガン
酸処理するステップを含む請求項１記載の製造方法。 - 【請求項５】 前記酸化処理するステップは過マンガン
酸処理の前に膨潤処理するステップを含み、さらに過マ
ンガン酸処理ステップの後に中和処理するステップを含
む、請求項１記載の製造方法。 - 【請求項６】 前記導体層を設けるステップは、無電解
メッキ法により樹脂層上に金属層を形成するステップを
含む請求項１記載の製造方法。 - 【請求項７】 前記基板は表面に導体回路を有するプリ
ント回路基板からなる請求項１記載の製造方法。 - 【請求項８】 ビルドアップ回路基板の製造方法であっ
て、 表面に導体回路を有する基板を準備するステップと、 基板上にパターン化された樹脂層を設けるステップと、 前記樹脂層表面に紫外光を照射するステップと、 前記紫外光照射後の樹脂層表面を過マンガン酸処理する
ステップと、 前記過マンガン酸処理後の樹脂層上にメッキ導体層を設
けるステップと、 前記導体層をパターン化するステップと、を含む、ビル
ドアップ回路基板の製造方法。 - 【請求項９】 前記過マンガン酸処理するステップは過
マンガン酸処理の前に膨潤処理するステップを含む、請
求項８記載の製造方法。 - 【請求項１０】 前記紫外光はピーク波長が３００ｎｍ
以下の波長域にある紫外光である請求項１または８記載
の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31195199A JP2001144432A (ja) | 1999-11-02 | 1999-11-02 | 絶縁層上の導体層の製造方法およびビルドアップ回路基板の製造方法 |
| US09/699,977 US6612028B1 (en) | 1999-11-02 | 2000-10-30 | Method for manufacturing a built-up circuit board |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31195199A JP2001144432A (ja) | 1999-11-02 | 1999-11-02 | 絶縁層上の導体層の製造方法およびビルドアップ回路基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001144432A true JP2001144432A (ja) | 2001-05-25 |
Family
ID=18023407
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31195199A Pending JP2001144432A (ja) | 1999-11-02 | 1999-11-02 | 絶縁層上の導体層の製造方法およびビルドアップ回路基板の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6612028B1 (ja) |
| JP (1) | JP2001144432A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008294296A (ja) * | 2007-05-25 | 2008-12-04 | Fujitsu Ltd | 回路基板の製造方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| ATE377099T1 (de) | 2004-11-10 | 2007-11-15 | Atotech Deutschland Gmbh | Verfahren zur metallisierung von nichtleitenden substraten, bei welchen das aufrauhen bzw. das anätzen des substrates anhand von glanzmessungen gesteuert wird |
| CN101543152A (zh) * | 2007-06-19 | 2009-09-23 | 株式会社村田制作所 | 元器件内置基板的制造方法及元器件内置基板 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3934335A (en) * | 1974-10-16 | 1976-01-27 | Texas Instruments Incorporated | Multilayer printed circuit board |
| US4261800A (en) * | 1977-08-15 | 1981-04-14 | Western Electric Co., Inc. | Method of selectively depositing a metal on a surface of a substrate |
| US4217182A (en) * | 1978-06-07 | 1980-08-12 | Litton Systems, Inc. | Semi-additive process of manufacturing a printed circuit |
| US4666735A (en) * | 1983-04-15 | 1987-05-19 | Polyonics Corporation | Process for producing product having patterned metal layer |
| US4775449A (en) * | 1986-12-29 | 1988-10-04 | General Electric Company | Treatment of a polyimide surface to improve the adhesion of metal deposited thereon |
| TW229350B (ja) * | 1992-08-28 | 1994-09-01 | Hitachi Seisakusyo Kk |
-
1999
- 1999-11-02 JP JP31195199A patent/JP2001144432A/ja active Pending
-
2000
- 2000-10-30 US US09/699,977 patent/US6612028B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008294296A (ja) * | 2007-05-25 | 2008-12-04 | Fujitsu Ltd | 回路基板の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6612028B1 (en) | 2003-09-02 |
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