JP2001139368A - インダクター素子用フェライト焼結体 - Google Patents
インダクター素子用フェライト焼結体Info
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- H01F1/34—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials non-metallic substances, e.g. ferrites
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 初透磁率の変化率が小さく、損失係数が低
く、かつ、温度係数が小さい安価なインダクター素子用
MgCuZnフェライト焼結体を提供する。 【解決手段】 15.0〜26.0モル%の酸化マグネ
シウム、5.0〜9.0モル%の酸化銅、18.0〜2
7.0モル%の酸化亜鉛、47.0〜49.6モル%の
酸化鉄を実質的な主成分組成として構成されるMgCu
Zn系のフェライト焼結体であって、前記フェライト焼
結体の平均粒径が1.0〜10.0μm、粒度分布の標
準偏差σが0.6〜5.0の範囲となるように構成され
る。
く、かつ、温度係数が小さい安価なインダクター素子用
MgCuZnフェライト焼結体を提供する。 【解決手段】 15.0〜26.0モル%の酸化マグネ
シウム、5.0〜9.0モル%の酸化銅、18.0〜2
7.0モル%の酸化亜鉛、47.0〜49.6モル%の
酸化鉄を実質的な主成分組成として構成されるMgCu
Zn系のフェライト焼結体であって、前記フェライト焼
結体の平均粒径が1.0〜10.0μm、粒度分布の標
準偏差σが0.6〜5.0の範囲となるように構成され
る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、インダクターとし
て使用されるインダクター素子用MgCuZnフェライ
ト焼結体に関する。
て使用されるインダクター素子用MgCuZnフェライ
ト焼結体に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化が進むにつれ、
電子部品の小型化が求められてきている。各種電子機器
の電子回路に使用されるインダクターもその要求に答
え、小型化かつ高性能化が進められている。インダクタ
ーにはフェライト材料が用いられ、そのフェライト材料
には、小型化、高性能化のために透磁率が高いこと、損
失係数が小さいこと、温度係数が小さいこと、飽和磁束
密度が高いこと等が要求される。このような各特性を満
たすフェライト材料としては、従来からNiCuZnが
用いられてきた。
電子部品の小型化が求められてきている。各種電子機器
の電子回路に使用されるインダクターもその要求に答
え、小型化かつ高性能化が進められている。インダクタ
ーにはフェライト材料が用いられ、そのフェライト材料
には、小型化、高性能化のために透磁率が高いこと、損
失係数が小さいこと、温度係数が小さいこと、飽和磁束
密度が高いこと等が要求される。このような各特性を満
たすフェライト材料としては、従来からNiCuZnが
用いられてきた。
【0003】しかしながら、インダクターなどに広く使
用されるNiCuZnフェライトは、使用されるNiO
原料が高価なことから安価なフェライト材料が提供でき
ないという問題がある。このため、NiO原料よりもよ
り安価なMg(OH)2、MgO、もしくはMgCO3等
を用いたMgCuZnフェライトもしくはMnMgCu
Znフェライトを製造し、このものを、インダクター用
フェライト焼結体として利用する動きがある。
用されるNiCuZnフェライトは、使用されるNiO
原料が高価なことから安価なフェライト材料が提供でき
ないという問題がある。このため、NiO原料よりもよ
り安価なMg(OH)2、MgO、もしくはMgCO3等
を用いたMgCuZnフェライトもしくはMnMgCu
Znフェライトを製造し、このものを、インダクター用
フェライト焼結体として利用する動きがある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、例え
ば、論文Journal of the Japan Society of Powder and
Powder Metallurgy 42(1995)、22および論文Journal of
the Japan Society of Powder and Powder Metallurgy
43(1996)、1399に記載されているようにMnもしくはC
uを置換したMgCuZnフェライトもしくはMnMg
Znフェライトでは、周波数10〜1000kHzにか
けて緩和現象、すなわち、周波数の増加に伴う初透磁率
の減少がおきてしまい、損失係数が高くなってしまうと
いう問題がある。
ば、論文Journal of the Japan Society of Powder and
Powder Metallurgy 42(1995)、22および論文Journal of
the Japan Society of Powder and Powder Metallurgy
43(1996)、1399に記載されているようにMnもしくはC
uを置換したMgCuZnフェライトもしくはMnMg
Znフェライトでは、周波数10〜1000kHzにか
けて緩和現象、すなわち、周波数の増加に伴う初透磁率
の減少がおきてしまい、損失係数が高くなってしまうと
いう問題がある。
【0005】このような実状のもとに本発明は創案され
たものであり、その目的は、上記の緩和現象をフェライ
トの組成ないしは微細構造から抑制し、初透磁率の変化
率が小さく、損失係数が低く、かつ、温度係数が小さい
安価なインダクター素子用MgCuZnフェライト焼結
体を提供することにある。
たものであり、その目的は、上記の緩和現象をフェライ
トの組成ないしは微細構造から抑制し、初透磁率の変化
率が小さく、損失係数が低く、かつ、温度係数が小さい
安価なインダクター素子用MgCuZnフェライト焼結
体を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】このような課題を解決す
るために、本発明のインダクター素子用フェライト焼結
体は、15.0〜26.0モル%の酸化マグネシウム、
5.0〜9.0モル%の酸化銅、18.0〜27.0モ
ル%の酸化亜鉛、47.0〜49.6モル%の酸化鉄を
実質的な主成分組成として構成されるMgCuZn系の
フェライト焼結体であって、前記フェライト焼結体の平
均粒径が1.0〜10.0μm、粒度分布の標準偏差σ
が0.6〜5.0の範囲であるように構成される。
るために、本発明のインダクター素子用フェライト焼結
体は、15.0〜26.0モル%の酸化マグネシウム、
5.0〜9.0モル%の酸化銅、18.0〜27.0モ
ル%の酸化亜鉛、47.0〜49.6モル%の酸化鉄を
実質的な主成分組成として構成されるMgCuZn系の
フェライト焼結体であって、前記フェライト焼結体の平
均粒径が1.0〜10.0μm、粒度分布の標準偏差σ
が0.6〜5.0の範囲であるように構成される。
【0007】また、本発明の態様において、前記酸化鉄
の一部は、酸化マンガンで置換されており、その置換量
が1.0モル%以内であるように構成される。
の一部は、酸化マンガンで置換されており、その置換量
が1.0モル%以内であるように構成される。
【0008】また、本発明の態様において、周波数10
0kHzにおけるQファクターが40以上であり、か
つ、温度−20℃から20℃、温度20℃から60℃に
おける周波数100kHzの初透磁率の相対温度係数
が、それぞれ25×10-6以下であるように構成され
る。
0kHzにおけるQファクターが40以上であり、か
つ、温度−20℃から20℃、温度20℃から60℃に
おける周波数100kHzの初透磁率の相対温度係数
が、それぞれ25×10-6以下であるように構成され
る。
【0009】また、本発明の態様において、周波数10
kHzから100kHzの初透磁率の変化量が2%以下
であるように構成される。
kHzから100kHzの初透磁率の変化量が2%以下
であるように構成される。
【0010】
【発明の実施の形態】以下、本発明のフェライト焼結体
について詳細に説明する。本発明の焼結体は、特に、イ
ンダクター素子として用いられるフェライト焼結体であ
る。
について詳細に説明する。本発明の焼結体は、特に、イ
ンダクター素子として用いられるフェライト焼結体であ
る。
【0011】本発明のフェライト焼結体の実質的な主成
分組成は、原料組成として酸化マグネシウム15.0〜
26.0モル%、酸化銅5.0〜9.0モル%、酸化亜
鉛18.0〜27.0モル%、酸化鉄47.0〜49.
6モル%を含有するMgCuZn系のフェライト焼結体
である。これらの主成分組成のさらに好ましい範囲は、
酸化マグネシウム16.0〜23.0モル%、酸化銅
5.0〜7.0モル%、酸化亜鉛25.0〜27.0モ
ル%、酸化鉄47.0〜49.0モル%である。
分組成は、原料組成として酸化マグネシウム15.0〜
26.0モル%、酸化銅5.0〜9.0モル%、酸化亜
鉛18.0〜27.0モル%、酸化鉄47.0〜49.
6モル%を含有するMgCuZn系のフェライト焼結体
である。これらの主成分組成のさらに好ましい範囲は、
酸化マグネシウム16.0〜23.0モル%、酸化銅
5.0〜7.0モル%、酸化亜鉛25.0〜27.0モ
ル%、酸化鉄47.0〜49.0モル%である。
【0012】さらに、本発明におけるフェライト焼結体
において、その微細構造は以下のように設定される。す
なわち平均粒径は1.0〜10.0μmの範囲に設定さ
れ、さらに粒度分布の標準偏差σは0.6〜5.0の範
囲に設定される。これらの値は、以下の手順で求められ
る。すなわち、光学顕微鏡にて観察される多結晶体粒子
300個を母集団として取りだし、これらを円相当径に
換算し、これらの換算値を用いて、直径の平均(平均粒
径)と標準偏差とをそれぞれ求める。
において、その微細構造は以下のように設定される。す
なわち平均粒径は1.0〜10.0μmの範囲に設定さ
れ、さらに粒度分布の標準偏差σは0.6〜5.0の範
囲に設定される。これらの値は、以下の手順で求められ
る。すなわち、光学顕微鏡にて観察される多結晶体粒子
300個を母集団として取りだし、これらを円相当径に
換算し、これらの換算値を用いて、直径の平均(平均粒
径)と標準偏差とをそれぞれ求める。
【0013】このようにして組成範囲と焼成後の微細構
造を上記のように設定することによって、本発明のフェ
ライト焼結体の所望の特性を得ることが可能となる。
造を上記のように設定することによって、本発明のフェ
ライト焼結体の所望の特性を得ることが可能となる。
【0014】また、前記酸化鉄の一部は、酸化マンガン
で置換されてもよく、その場合、置換量は1.0モル%
以内とされる。この値が1.0モル%を超えると、初透
磁率の相対温度係数が大きくなる傾向が生じるという不
都合が生じる。
で置換されてもよく、その場合、置換量は1.0モル%
以内とされる。この値が1.0モル%を超えると、初透
磁率の相対温度係数が大きくなる傾向が生じるという不
都合が生じる。
【0015】本発明におけるインダクター用フェライト
焼結体は、周波数100kHzにおけるQファクターが
40以上、特に、40〜150となるように構成され
る。この値が40未満となると、本願が要求する高性能
なインダクター用フェライト材料として相応しなくなる
という不都合が生じる。なお、Qファクターは、Q=1
/tanδで定義され、このものは損失の度合いを示
し、Qの値が大きいほど損失が小さくて好適である。
焼結体は、周波数100kHzにおけるQファクターが
40以上、特に、40〜150となるように構成され
る。この値が40未満となると、本願が要求する高性能
なインダクター用フェライト材料として相応しなくなる
という不都合が生じる。なお、Qファクターは、Q=1
/tanδで定義され、このものは損失の度合いを示
し、Qの値が大きいほど損失が小さくて好適である。
【0016】さらに、本発明におけるインダクター用フ
ェライト焼結体は、温度−20℃から20℃、温度20
℃から60℃における周波数100kHzの初透磁率の
相対温度係数が、それぞれ25×10-6以下、特に、0
〜18×10-6の特性を有するように構成される。これ
らの初透磁率の相対温度係数が、25×10-6を超える
と本願が要求する高性能なインダクター用フェライト材
料として相応しなくなるという不都合が生じる。なお、
一般式として、温度t1℃から温度t2℃の初透磁率の変
化率は下記式で示される。
ェライト焼結体は、温度−20℃から20℃、温度20
℃から60℃における周波数100kHzの初透磁率の
相対温度係数が、それぞれ25×10-6以下、特に、0
〜18×10-6の特性を有するように構成される。これ
らの初透磁率の相対温度係数が、25×10-6を超える
と本願が要求する高性能なインダクター用フェライト材
料として相応しなくなるという不都合が生じる。なお、
一般式として、温度t1℃から温度t2℃の初透磁率の変
化率は下記式で示される。
【0017】(μi(t2)−μi(t1))/(μi(t
1))2/(t2−t1) ここで、μi(t2)は温度t2℃における初透磁率を示
し、μi(t1)は温度t1℃における初透磁率を示す。
1))2/(t2−t1) ここで、μi(t2)は温度t2℃における初透磁率を示
し、μi(t1)は温度t1℃における初透磁率を示す。
【0018】また、本発明におけるインダクター用フェ
ライト焼結体は、好ましい態様として、周波数10kH
zから100kHzの初透磁率の変化量が2%以下、特
に、0〜1.15%の変化量特性を有するように構成さ
れる。この変化率が2%を超えると、本願が要求する高
性能なインダクター用フェライト材料として相応しなく
なるという不都合が生じる。25℃における周波数10
kHzから100kHzの初透磁率の変化率は下記式で
示される。
ライト焼結体は、好ましい態様として、周波数10kH
zから100kHzの初透磁率の変化量が2%以下、特
に、0〜1.15%の変化量特性を有するように構成さ
れる。この変化率が2%を超えると、本願が要求する高
性能なインダクター用フェライト材料として相応しなく
なるという不都合が生じる。25℃における周波数10
kHzから100kHzの初透磁率の変化率は下記式で
示される。
【0019】 (μi10kHz−μi100kHz)/μi10kHz ×100 (%) ここで、μi10kHzは、25℃、周波数10kHzにおけ
る初透磁率であり、μi100kHzは25℃、周波数100
kHzにおける初透磁率である。
る初透磁率であり、μi100kHzは25℃、周波数100
kHzにおける初透磁率である。
【0020】本発明におけるインダクター用フェライト
焼結体の上記組成範囲において、酸化亜鉛の量が上記の
設定範囲を外れ18.0モル%未満となると、主とし
て、初透磁率の相対温度係数が大きくなる傾向にあり上
記所定の初透磁率の相対温度係数が得られなくなってし
まう。酸化亜鉛の量が上記の設定範囲を外れ27.0モ
ル%を超えると、主として、キュリー点が低下する傾向
にある。キュリー点の低下は、発熱により特性劣化が生
じいわゆる熱暴走を引き起こす原因ともなるので好まし
くない。
焼結体の上記組成範囲において、酸化亜鉛の量が上記の
設定範囲を外れ18.0モル%未満となると、主とし
て、初透磁率の相対温度係数が大きくなる傾向にあり上
記所定の初透磁率の相対温度係数が得られなくなってし
まう。酸化亜鉛の量が上記の設定範囲を外れ27.0モ
ル%を超えると、主として、キュリー点が低下する傾向
にある。キュリー点の低下は、発熱により特性劣化が生
じいわゆる熱暴走を引き起こす原因ともなるので好まし
くない。
【0021】酸化銅の量が上記の設定範囲を外れ、9.
0モル%を超えると、主として、初透磁率の相対温度係
数が大きくなる傾向にあり上記所定の初透磁率の相対温
度係数が得られなくなってしまう。酸化銅の量が上記の
設定範囲を外れ、5.0モル%未満となると主として、
キュリー点が低下する傾向にある。
0モル%を超えると、主として、初透磁率の相対温度係
数が大きくなる傾向にあり上記所定の初透磁率の相対温
度係数が得られなくなってしまう。酸化銅の量が上記の
設定範囲を外れ、5.0モル%未満となると主として、
キュリー点が低下する傾向にある。
【0022】酸化鉄の量が上記の設定範囲を外れ、4
9.6モル%を超えると、主として、初透磁率の相対温
度係数が大きくなる傾向にあり上記所定の初透磁率の相
対温度係数が得られなくなってしまう。酸化鉄の量が上
記の設定範囲を外れ、47.0モル%未満となると、主
として、キュリー点が低下する傾向にあり好ましくな
い。
9.6モル%を超えると、主として、初透磁率の相対温
度係数が大きくなる傾向にあり上記所定の初透磁率の相
対温度係数が得られなくなってしまう。酸化鉄の量が上
記の設定範囲を外れ、47.0モル%未満となると、主
として、キュリー点が低下する傾向にあり好ましくな
い。
【0023】なお、酸化マグネシウムは、他の成分の割
合を維持させ、補充的な役割を果たす。
合を維持させ、補充的な役割を果たす。
【0024】本発明のフェライト焼結体を製造するにあ
たり、焼成温度は900〜1180℃の温度で焼成する
のが望ましい。900℃未満では、焼結体の密度が十分
に高くならないため、透磁率が低くなってしまう傾向に
ある。また、CuOを5モル%以上含む組成において、
焼成温度が1180℃を超えると、不連続粒成長に伴う
透磁率の変化率の増加や、透磁率の相対温度係数が大き
くなる傾向が生じ好ましくない。
たり、焼成温度は900〜1180℃の温度で焼成する
のが望ましい。900℃未満では、焼結体の密度が十分
に高くならないため、透磁率が低くなってしまう傾向に
ある。また、CuOを5モル%以上含む組成において、
焼成温度が1180℃を超えると、不連続粒成長に伴う
透磁率の変化率の増加や、透磁率の相対温度係数が大き
くなる傾向が生じ好ましくない。
【0025】本発明のMgCuZnフェライト焼結体
は、上記の成分の他にCaO、CoO、NiO、SiO
2、TiO2、HfO2、GeO2、ZrO2、MoO3、W
O3、Bi2O3、In2O3、Cr2O3、Al2O3、Ta2
O5、Nb3O5、V3O5等の一種あるいは二種以上を1
重量%以下の割合で含有してもよい。
は、上記の成分の他にCaO、CoO、NiO、SiO
2、TiO2、HfO2、GeO2、ZrO2、MoO3、W
O3、Bi2O3、In2O3、Cr2O3、Al2O3、Ta2
O5、Nb3O5、V3O5等の一種あるいは二種以上を1
重量%以下の割合で含有してもよい。
【0026】
【実施例】以下、具体的実施例を挙げて本発明をさらに
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【0027】下記表1に示されるようにMgO、Cu
O、ZnO、Fe2O3、Mn2O3を所定量配合した後、
鋼鉄製ボールミルで15時間ほど湿式混合した。さらに
これらの混合粉を900℃で2時間仮焼きした後、鋼鉄
製ボールミルで15時間湿式粉砕した。得られたフェラ
イト粉にポリビニルアルコール溶液を10重量%添加
し、造粒し、1ton/cm2の圧力で外径20mm、内径1
0mm、高さ5mmの筒状体に成形した。このように成
形した成形体を大気中で下記表1に示される焼成温度で
3時間焼成して、各種のインダクター素子用フェライト
焼結体サンプルを作製した。
O、ZnO、Fe2O3、Mn2O3を所定量配合した後、
鋼鉄製ボールミルで15時間ほど湿式混合した。さらに
これらの混合粉を900℃で2時間仮焼きした後、鋼鉄
製ボールミルで15時間湿式粉砕した。得られたフェラ
イト粉にポリビニルアルコール溶液を10重量%添加
し、造粒し、1ton/cm2の圧力で外径20mm、内径1
0mm、高さ5mmの筒状体に成形した。このように成
形した成形体を大気中で下記表1に示される焼成温度で
3時間焼成して、各種のインダクター素子用フェライト
焼結体サンプルを作製した。
【0028】得られた各サンプルについて、(1)平均
結晶粒径、(2)粒度分布の標準偏差σ、(3)25℃
における周波数10kHzから100kHzの初透磁率
の変化率Δμi、(4)温度−20℃から20℃におけ
る周波数100kHzの初透磁率の相対温度係数αμir
(-20〜20℃)、および温度20℃から60℃における周
波数100kHzの初透磁率の相対温度係数αμir(20
〜60℃)、(5)周波数100kHzにおけるQファク
ター、をそれぞれ求めた。
結晶粒径、(2)粒度分布の標準偏差σ、(3)25℃
における周波数10kHzから100kHzの初透磁率
の変化率Δμi、(4)温度−20℃から20℃におけ
る周波数100kHzの初透磁率の相対温度係数αμir
(-20〜20℃)、および温度20℃から60℃における周
波数100kHzの初透磁率の相対温度係数αμir(20
〜60℃)、(5)周波数100kHzにおけるQファク
ター、をそれぞれ求めた。
【0029】(1)平均結晶粒径、(2)粒度分布の標
準偏差σについいては、上述のごとく、光学顕微鏡にて
観察される多結晶体粒子300個を母集団として取りだ
し、これらを円相当径に換算し、その直径の平均と標準
偏差とをそれぞれ求めた。
準偏差σについいては、上述のごとく、光学顕微鏡にて
観察される多結晶体粒子300個を母集団として取りだ
し、これらを円相当径に換算し、その直径の平均と標準
偏差とをそれぞれ求めた。
【0030】また、上記(3)および(4)の評価項目
については、上述したように下記式よりそれぞれ算出し
た。
については、上述したように下記式よりそれぞれ算出し
た。
【0031】(3)25℃における周波数10kHzか
ら100kHzの初透磁率の変化率 (μi10kHz−μi100kHz)/μi10kHz ×100 (%)
ら100kHzの初透磁率の変化率 (μi10kHz−μi100kHz)/μi10kHz ×100 (%)
【0032】(4)温度t1℃から温度t2℃の初透磁率
の変化率 (μi(t2)−μi(t1))/(μi(t1))2/(t2
−t1)
の変化率 (μi(t2)−μi(t1))/(μi(t1))2/(t2
−t1)
【0033】また、上記評価項目(5)のQファクター
は以下の要領で求めた。すなわち、各周波数において複
素透磁率μ’およびμ”を測定し、Q=μ’/μ”の関
係よりQファクターを算出した。
は以下の要領で求めた。すなわち、各周波数において複
素透磁率μ’およびμ”を測定し、Q=μ’/μ”の関
係よりQファクターを算出した。
【0034】結果を下記表1に示した。
【表1】
【0035】なお、本発明におけるインダクター用フェ
ライト焼結体は、周波数100kHzのQファクターの
値もさることながら、周波数10kHz〜300kHz
の範囲内におけるQファクターの値がすべて40以上と
なるサンプル(例えば、実施例2サンプルおよび実施例
7〜12のサンプル:計7個)が存在し、Qファクター
に関して当面の目標となるNiMnZnフェライト系の
焼結体と同レベルであることが確認されている。
ライト焼結体は、周波数100kHzのQファクターの
値もさることながら、周波数10kHz〜300kHz
の範囲内におけるQファクターの値がすべて40以上と
なるサンプル(例えば、実施例2サンプルおよび実施例
7〜12のサンプル:計7個)が存在し、Qファクター
に関して当面の目標となるNiMnZnフェライト系の
焼結体と同レベルであることが確認されている。
【0036】
【発明の効果】上記の結果より本発明の効果は明らかで
ある。すなわち、本発明のインダクター素子用フェライ
ト焼結体は、15.0〜26.0モル%の酸化マグネシ
ウム、5.0〜9.0モル%の酸化銅、18.0〜2
7.0モル%の酸化亜鉛、47.0〜49.6モル%の
酸化鉄を実質的な主成分組成として構成されるMgCu
Zn系のフェライト焼結体であって、前記フェライト焼
結体の平均粒径が1.0〜10.0μm、粒度分布の標
準偏差σが0.6〜5.0の範囲となるように構成され
ているので、初透磁率の変化率が小さく、損失係数が低
く、かつ、温度係数が小さい安価なインダクター素子用
MgCuZnフェライト焼結体が得られる。
ある。すなわち、本発明のインダクター素子用フェライ
ト焼結体は、15.0〜26.0モル%の酸化マグネシ
ウム、5.0〜9.0モル%の酸化銅、18.0〜2
7.0モル%の酸化亜鉛、47.0〜49.6モル%の
酸化鉄を実質的な主成分組成として構成されるMgCu
Zn系のフェライト焼結体であって、前記フェライト焼
結体の平均粒径が1.0〜10.0μm、粒度分布の標
準偏差σが0.6〜5.0の範囲となるように構成され
ているので、初透磁率の変化率が小さく、損失係数が低
く、かつ、温度係数が小さい安価なインダクター素子用
MgCuZnフェライト焼結体が得られる。
フロントページの続き (72)発明者 金田 功 東京都中央区日本橋一丁目13番1号 ティ ーディーケイ株式会社内 Fターム(参考) 4G018 AA07 AA21 AA24 AA25 AC05 AC08 AC16 5E041 AB12 AB19 BD01 CA01 NN02 NN06 NN14 NN15 5E070 AA20 AB06 AB10 BA14 BB01
Claims (4)
- 【請求項1】 15.0〜26.0モル%の酸化マグネ
シウム、5.0〜9.0モル%の酸化銅、18.0〜2
7.0モル%の酸化亜鉛、47.0〜49.6モル%の
酸化鉄を実質的な主成分組成として構成されるMgCu
Zn系のフェライト焼結体であって、 前記フェライト焼結体の平均粒径が1.0〜10.0μ
m、粒度分布の標準偏差σが0.6〜5.0の範囲であ
ることを特徴とするインダクター素子用フェライト焼結
体。 - 【請求項2】 前記酸化鉄の一部が、酸化マンガンで置
換されており、その置換量が1.0モル%以内である請
求項1に記載のインダクター素子用フェライト焼結体。 - 【請求項3】 周波数100kHzにおけるQファクタ
ーが40以上であり、 かつ、温度−20℃から20℃、温度20℃から60℃
における周波数100kHzの初透磁率の相対温度係数
が、それぞれ25×10-6以下である請求項1または請
求項2に記載のインダクター素子用フェライト焼結体。 - 【請求項4】 周波数10kHzから100kHzの初
透磁率の変化量が2%以下である請求項3に記載のイン
ダクター素子用フェライト焼結体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31643299A JP2001139368A (ja) | 1999-11-08 | 1999-11-08 | インダクター素子用フェライト焼結体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31643299A JP2001139368A (ja) | 1999-11-08 | 1999-11-08 | インダクター素子用フェライト焼結体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001139368A true JP2001139368A (ja) | 2001-05-22 |
Family
ID=18077028
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31643299A Withdrawn JP2001139368A (ja) | 1999-11-08 | 1999-11-08 | インダクター素子用フェライト焼結体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001139368A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008239374A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Tdk Corp | 酸化物磁性材料及びノイズフィルタ |
JP2014024692A (ja) * | 2012-07-25 | 2014-02-06 | Jfe Chemical Corp | マイクロ波吸収発熱体用MgCuZnフェライト粉およびその粉末を用いたマイクロ波吸収発熱体 |
JP2019503068A (ja) * | 2015-11-16 | 2019-01-31 | アモテック・カンパニー・リミテッド | 無線電力伝送用磁場遮蔽ユニット及びこれを含む無線電力伝送モジュール |
-
1999
- 1999-11-08 JP JP31643299A patent/JP2001139368A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008239374A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Tdk Corp | 酸化物磁性材料及びノイズフィルタ |
JP2014024692A (ja) * | 2012-07-25 | 2014-02-06 | Jfe Chemical Corp | マイクロ波吸収発熱体用MgCuZnフェライト粉およびその粉末を用いたマイクロ波吸収発熱体 |
JP2019503068A (ja) * | 2015-11-16 | 2019-01-31 | アモテック・カンパニー・リミテッド | 無線電力伝送用磁場遮蔽ユニット及びこれを含む無線電力伝送モジュール |
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