JP2001127369A - 半導体レーザー素子の製造方法および劈開装置 - Google Patents
半導体レーザー素子の製造方法および劈開装置Info
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Abstract
バー状素子結合体を、効率よく、しかも、確実に、複数
の半導体レーザー素子に劈開することができる。 【解決手段】活性層を含む複数の半導体層が積層された
半導体積層体11上に、パターン電極13を設けて、こ
のパターン電極13に対して、それぞれが平行になった
複数の劈開用溝部15をエッチング処理によって形成し
て、相互に平行した複数のパターン電極13を形成す
る。その後に、各劈開用溝部15と直交する方向に沿っ
て1次劈開することにより、複数のバー状素子結合体1
6を形成し、得られたバー状素子結合体16を、劈開装
置の支持台21上に設けられた支持シート23に載置す
る。このバー状素子結合体16を保護シート23にて覆
った状態で、押圧体22によって一定の荷重を加えて、
そのバー状素子結合体16の長手方向に沿って所定の速
度にて平行移動させる。
Description
子の製造方法、および、その製造方法の実施に使用され
る劈開装置に関する。
は、まず、半導体ウエハー1(図5(a)参照、以下同
様)に活性層を含む複数の半導体層を順次積層して、半
導体積層体11を準備する。このような半導体積層体1
1に対して、半導体層を形成した側の表面に半導体レー
ザ素子の共振器長方向(図中のX方向)に沿って、レー
ザー素子の間隔ごとに複数の劈開用溝部15を、等しい
間隔をあけて、相互に平行に形成する。ここで、活性層
は、半導体積層対11の表面から4μm程度のところに
形成されている。
部全面にわたって、劈開用溝部15を除く部位にストラ
イプ状にパターン形成したパターン電極13を設けると
ともに、反対側の半導体積層体11の裏面に裏面電極1
2を全面にわたって設ける。次いで、半導体積層体11
を長方形に切り出して、短い複数のスクライブ傷14
を、長方形状の半導体積層体11の共振器長方向(X方
向)に沿った側縁に、等しい間隔をあけて形成する。こ
れにより、図5(a)に示す状態になる。
けられた各スクライブ傷14を起点として、それぞれの
パターン電極13の間に設けられた各劈開用溝部15と
は直交する方向に、半導体積層体11、パターン電極1
3および裏面電極12を、それぞれ一体として劈開(1
次劈開)することにより、複数のバー状素子結合体16
を得る。それぞれのバー状素子結合体16は、バー状の
半導体積層体11の裏面に裏面電極12aを全面にわた
って備えるとともに、表面には、劈開用溝部15でそれ
ぞれ区切られた複数のパターン電極13を備える。これ
により、図5(b)に示す状態になる。
素子結合体16を、劈開用溝部15に沿って劈開(2次
劈開)することにより、複数の半導体レーザー素子17
を得る。各半導体レーザー素子17は、半導体積層体1
1の表面にパターン電極13がそれぞれ設けられるとと
もに、裏面に裏面電極12aがそれぞれ設けられたもの
であり、パターン電極13および裏面電極12a間に電
圧が印加されることによって、1次劈開面によって形成
された端面からレーザー光が出射される。
におけるダイヤモンド針によって機械的に形成されたス
クライブ傷(溝)14である。この場合には、機械的に
形成された劈開用溝部15から半導体積層体11の内部
に向かってマイクロクラックが生じており、このマイク
ロクラックが生じているところでは結晶強度が低くなっ
ている。そこで、裏面電極12a側からバー状素子結合
体16上に形成された劈開用溝部15に荷重を加えるこ
とにより、劈開用溝部15から半導体積層体11内に形
成された結晶強度の低いマイクロクラック部分に沿って
容易に劈開される。このために、劈開用溝部15である
スクライブ傷が形成されたバー状素子結合体16を2次
劈開する場合には、裏面電極12aに対して比較的低い
荷重を、バー状素子結合体16の長手方向に加えればよ
く、例えば、裏面電極12に対して、ローラーを転動さ
せて荷重を加えればよい。
体レーザー素子が形成される半導体ウエハー(半導体積
層体11)に対して、劈開用溝部15としてのスクライ
ブ傷(溝)を形成する方法が開示されている。しかしな
がら、このように、劈開用溝部15をスクライバ等によ
って機械的に形成する場合には、長方形状の半導体ウエ
ハー1の表面に、複数本の劈開用溝部15を、それぞ
れ、パターン電極13の間に一方の側縁から他方の側縁
にわたって確実に形成する必要がある。しかし、このよ
うな工程をとることについては、作業効率が悪いという
問題がある。
形成中にスクライブ傷に沿って容易に破断し、また、ス
クライブ傷に対して直交する方向に1次劈開する際に、
スクライブ傷に沿って容易に破断してしまう。その結
果、半導体レーザー素子の製造に際しての歩留まりが低
下するという問題がある。
ングによって形成する方法も開発されている。この場合
には、劈開用溝部15を形成する部分を除いて、レジス
ト膜で半導体ウエハー表面を被覆し、レジスト膜で被覆
していない部分をエッチング処理することにより、図7
に示すように、断面V字状の劈開用溝部15が形成され
る。この場合には、全ての劈開用溝部15が一括して形
成されるために、前述のスクライバ等によって劈開用溝
部15を機械的に形成する場合に比べて、作業性に優れ
ており、生産効率が向上する。
6に示すように、劈開用溝部15としてエッチング溝が
形成されたバー状素子結合体16を、フィルム31上に
配置して、さらに、バー状素子結合体16上にシート3
4を載置した状態で、シート34をフイルム32にて覆
い、バー状素子結合体16に対して、フィルム31を介
して、ローラー33により荷重を加えて劈開する装置が
開示されている。
理によって劈開用溝部15であるエッチング溝を形成し
た場合には、ダイヤモンド針等によって機械的に形成し
たスクライブ傷のように、半導体積層体11の内部に
は、マイクロクラックが形成されず、半導体積層体11
の内部には、低強度部分が明確に形成されない。その結
果、バー状素子結合体16を2次劈開する場合には、機
械的に劈開用溝部15が形成されたバー状素子結合体1
6を2次劈開する場合よりも、大きな荷重が必要にな
る。従って、ローラー33を転動させることにより劈開
用溝部15に沿って2次劈開する場合に、前述したよう
な、ローラー33を転動させる荷重を比較的低くしたと
きに、バー状素子結合体16を確実に2次劈開すること
ができない。
よび32でバー状素子結合体16を挟み、さらにリング
で挟持することにより、フィルム31に張力を付与し、
ローラー33によって荷重が加えられる構成になってい
るために、フィルム31の張力が変動することによっ
て、バー状素子結合体16に加わる荷重が変動するおそ
れがある。また、フィルム31に対するローラー33の
圧接力によっては、フィルム31が移動したり、バー状
素子結合体16が移動するおそれがあり、これによって
も、バー状素子結合体16に対して一定の荷重を加える
ことが困難である。さらに、一対のフィルム31および
32にて挟まれた状態のバー状素子結合体16の端部に
対して、一定荷重を加えたまま、ローラー33が円滑に
転動することは難しい。
2にて挟まれた状態で保持されたバー状素子結合体16
に対して、一定の荷重を加えて、確実に劈開することは
きわめて困難である。
6号公報には、エッチング処理によって、断面V字状の
劈開用溝部15を形成した後に、その劈開用溝部15の
内部を粗面処理して、半導体積層体11の内部にマイク
ロクラックを形成し、さらにその後に、劈開用溝部15
が形成された面とは反対側の面にローラーを転動させて
荷重を加えることにより、バー状素子結合体16を2次
劈開する構成が開示されている。本方法によれば、劈開
用溝部15と、劈開用溝部15の形成されていない部分
との強度差が明確化する。このため、裏面からの小さな
荷重によって、バー状素子結合体16を2次劈開するこ
とができる。
理によって劈開用溝部15を形成した後に、劈開用溝部
15を粗面処理する構成では、粗面処理作業が必要であ
るために、作業効率が悪いという問題がある。また、劈
開用溝部15を粗面処理する際に、劈開用溝部15の内
部以外の部分にマイクロクラックが形成されることがあ
り、その場合には、劈開用溝部15以外の部分で割れて
しまう。
16を形成する際に、深く形成された劈開用溝部15に
沿って不所望な方向に破断するおそれがある。
であり、その目的は、エッチングのみによって形成され
る浅い劈開用溝部を有するバー状素子結合体を、効率よ
く、しかも、確実に、複数の半導体レーザー素子に劈開
することができる半導体レーザー素子の製造方法および
劈開装置を提供することにある。
素子の製造方法は、活性層を含む複数の半導体層を積層
して半導体積層体を形成する工程と、前記半導体積層体
の前記半導体層に近い側の表面に、各々が平行の複数の
劈開用溝部を形成する工程と、前記劈開用溝部と直交す
る方向に前記半導体積層体を劈開することにより、該劈
開方向を長手方向とする複数のバー状素子結合体を形成
する工程と、前記バー状結合体の前記劈開用溝部を設け
た側の面を支持台側にして前記バー状素子結合体を前記
支持台上に載置する工程と、前記バー状素子結合体の前
記長手方向に押圧体を移動しながら、前記バー状結合体
の前記劈開用溝部を設けた面とは反対側の面に対して一
定の荷重を押圧体により印加することにより、前記劈開
用溝部で前記バー状素子結合体が劈開される工程と、を
有することを特徴とする。
形成する。
して支持台上に載置されている。
る。
ー状素子結合体に荷重を印加する。
リコーン樹脂でコーティング処理をしたポリエチレンテ
レフタレートからなる。
表面から深さを、0.5μm以上5μm以下とする。
動させる速度および印加する荷重を、それぞれ10mm
/秒以上100mm/秒以下、及び、5N以上20N以
下とする。
半導体層を積層して半導体積層体を形成した後に、前記
半導体積層体の前記半導体層に近い側の表面に、各々が
平行の複数の劈開用溝部を形成し、次いで、前記劈開用
溝部と直交する方向に前記半導体積層体を劈開すること
により、該劈開方向を長手方向とするよう形成した複数
のバー状素子結合体を用いて半導体レーザー素子を作製
する劈開装置であって、前記バー状素子結合体が載置さ
れる支持台と、前記支持台に載置される前記バー状素子
結合体に対して一定の荷重を加えた状態で、前記バー状
素子結合体の長手方向に沿って所定の速度にて平行移動
するように配置された押圧体と、を具備することを特徴
とする。
ッチング処理により形成されている。
動させる速度および印加する荷重を、それぞれ10mm
/秒以上100mm/秒以下、及び5N以上20N以下
とする。
の実施の形態を説明する。本発明の半導体レーザー素子
の製造方法では、図5に示す従来の半導体レーザー素子
の製造方法と同様にして、バー状素子結合体16が製造
される。ただし、図5の説明と異なる点は、劈開用溝部
15を機械的に形成したスクライブ溝とせず、エッチン
グにより形成したエッチング溝とした点である。そし
て、製造されたバー状素子結合体16が、図1に示す装
置によって2次劈開される。
30mmであり、これを2次劈開することにより、共振
器長が200μm、幅寸法が160μmの複数の半導体
レーザー素子17を得る。また、半導体積層体11の厚
さは100μm、活性層の深さは4μmであり、パター
ン電極13間に形成される劈開用溝部15の深さは、
0.5〜5μmであり、この劈開用溝部15は、半導体
層を形成した側の半導体積層体11の表面にエッチング
により形成したエッチング溝である。劈開用溝部15の
深さが5μmよりも大であれば、1次劈開時にこの劈開
用溝部15を起点とした割れが生じる。また、劈開用溝
部15の深さが0.5μm未満であれば、以下に説明す
る2次劈開が実現できない。
16が載置された水平な円板状の支持台21と、この支
持台21上を支持台21の表面に対して平行移動する押
圧体22とを有している。
って構成されており、上面が鏡面仕上げされて水平に保
持されている。また、支持台21は、特に円板上でなく
てもよい。
ンレス棒によって構成されており、支持台21の上面の
上方に、バネあるいは自重によって下方に付勢された状
態で支持台21の上面に対して平行に保持されている。
そして、押圧体22は、バー状素子結合体16の長辺方
向(1次劈開で形成された辺に沿う方向)に、バー状素
子結合体16の長辺方向全長にわたって、一定の速度に
て水平にスライドするように構成されている。
体16を2次劈開する場合には、まず、図2(a)に示
すように、例えば、厚さが70μm程度のポリ塩化ビニ
ル(PVC)によって構成された支持シート23と、リ
ング状のフィルムフレーム25とが準備され、図2
(b)に示すように、リング状のフイルムフレーム25
に支持シート23を貼り付けて支持する。そして、図2
(c)に示すように、支持シート23上に、バー状素子
結合体16を、それぞれ適当な間隔をあけて平行に配置
する。バー状素子結合体16は、各パターン電極13の
表面を、支持シート23の表面側に向けて、支持シート
23表面上に載置する。
ート23上に載置された各バー状素子結合体16全体を
覆うように、保護シート24を被せて、図2(e)に示
す状態とする。保護シート24は、厚さが50μm程度
の比較的硬質のポリエチレンテレフタレートシート(P
ET)の表面をシリコーン樹脂にてコーティング処理し
て構成されている。保護シート24は、シリコーン樹脂
コーティング処理された表面を押圧体22側にして、バ
ー状素子結合体16全体を覆うように配置される。保護
シート24は、比較的硬質な材料からなるために、ほと
んどたわむことなく、バー状素子結合体16上にほぼ水
平な状態で載置される。
5が、図2(f)に示すように、支持台21上に配置さ
れる。この際、支持シート23に取り付けられた各バー
状素子結合体16の2次劈開される劈開用溝部15は、
支持台21上の押圧体22の移動方向とは直交するよう
に配置される。
に、押圧体22を持って来て、次に、押圧体22をバー
状素子結合体16の端部に、保護シート24を介して、
予め設定された適当な荷重で圧接させる。そして、図2
(g)に示すように、押圧体22を、各バー状素子結合
体16に圧接した状態で、各バー状素子結合体16の長
辺方向(1次劈開で形成された辺に沿う方向)に沿って
水平に平行移動させる。押圧体22は、各バー状素子結
合体16と劈開用溝部15に沿う方向におおむね線状に
接触して、一定の荷重を加えた状態で、各バー状素子結
合体16の長辺方向の全長にわたって、例えば、10m
m/秒の一定の速度で移動する。
結合体16を適当に押圧した状態で、平行移動して、各
バー状素子結合体16に設けられた各劈開用溝部15の
上方を通過すると、図3(a)に示すように、バー状素
子結合体16は、各劈開用溝部15を起点として裏面電
極12a方向に向かって、順次、劈開が発生し、厚さ方
向の全体にわたって平坦な劈開面が形成される。この連
続動作により、各バー状素子結合体16の次劈開が完了
し、図3(b)に示すように、所定の大きさの半導体レ
ーザー素子17が得られる。図3(a)および(b)
で、19は活性層、20は、レーザー光発光部を示す。
された各半導体レーザー素子17は、支持シート23に
それぞれ載置された状態で保護シート24にて覆われて
いるために、押圧体22により劈開される際に、劈開さ
れた各半導体レーザー素子17は、支持シート23上か
ら飛散することはない。
が塗布してある必要はなく、レーザー素子17のパター
ン電極13面、1次劈開面や2次劈開面に糊材が付着す
ることは全くなく、後のダイボンディングやレーザー発
振に対する支障は生じず、また、前記エキスパンド実施
時に、糊材を介して、2次劈開面同士が接着して、レー
ザー素子17が分離しない等の問題も発生しない。
で、支持シート23を伸張することによって、各半導体
レーザー素子17の各々の間隔が拡がり、次工程の作業
が容易になる。つまり、各半導体素子17を簡単にピッ
クアップすることができる。これにより、所定形状であ
って、しかも、2次劈開面が全体にわたって平坦になっ
た複数の半導体レーザー素子17が得られる。
体レーザー素子17を確実に分割し、また、平坦な2次
劈開面を得るためには、押圧体22による荷重制御が重
要である。従来例の項で述べたように、エッチングによ
って形成される浅い劈開用溝部15では、劈開部分とそ
の他の部分との結晶強度さが明確でないために、これを
起点として劈開を進行させるためには、スクライバ等に
よって機械的に形成されたスクライブ傷に比べて高荷重
を要する。また、保護シート24を介して、押圧体22
がバー状素子結合体16の裏面全面を連続的に確実に移
動する必要がある。
的に移動する押圧荷重は、劈開用溝部15の結晶強度よ
りも大きく、且つ、その他の部分の結晶強度よりも低く
なるように設定される。押圧荷重が劈開用溝部15の結
晶強度よりも小さい場合は、押圧荷重が劈開用溝部15
上方に達しても劈開が発生せず、個々の半導体レーザー
素子に分割することができない。また、押圧荷重が、劈
開用溝部15以外の部分の結晶強度よりも大きい場合
は、半導体レーザー素子17の幅よりも小さく分割され
たり、結晶が破損し、2次劈開での歩留まりを大幅に悪
化させる。この押圧荷重は、支持シート23や保護シー
ト24の材質や厚さ、2次劈開される半導体レーザー素
子の結晶強度や結晶方向、共振器長、幅、厚さ等によっ
て異なる。本発明者らの実験おいては、本実施形態の半
導体レーザー素子17について、5N以上、20N以下
の許容範囲で安定した2次劈開が実現されている。
は、10mm/秒以上が適しており、速度が100mm
/秒より大になると、押圧荷重が劈開溝部15上を非常
に高速で移動するため劈開動作に寄与できる荷重が低下
し、より大きな押圧荷重が必要となる。さらに、押圧荷
重の平行移動によって、劈開用溝部15上方近傍に到達
して劈開が開始されても、すぐに押圧荷重が移動するた
め、劈開進行が停止し、押圧体22の平行移動方向に半
導体レーザー素子17が引きずられ、未劈開部分につい
ては、無理やり結晶が分離される。そのため、図4
(a)に示すように、基板裏面付近が屈曲した形状とな
り、一方の2次劈開面側凸部17aが、また、他方の2
次劈開面側凹部17bが、形成され、本発明の求める平
坦な2次劈開面から逸脱した形状となる。このような半
導体レーザー素子17では、光学装置として使用するべ
く、適当な基板にダイボンディングする際の位置決め時
に、基板表面側と基板裏面側との位置ずれが生じ、レー
ザー発光位置ずれを招くおそれがある。また、凸部17
aは、非常に欠けやすく、光学装置の組立時に剥離し
て、レーザー発振面に付着して、レーザー光の出射を妨
げるおそれがある。
よってバー状素子結合体16に荷重が加えられた際に、
支持台21が窪むことによりバー状素子結合体16の載
置位置が沈下するということがないように、硬質な材質
であればよく、石英板に限らず、例えば、ガラス板、金
属板、石板、硬質プラスチック板等でもよい。また、平
行移動する押圧体22によって、バー状素子結合体16
全体にわたって均一に荷重が加えられるように、バー状
素子結合体16が載置される上面は、鏡面のように平坦
な状態とすることが好ましい。
を2次劈開した際に、各半導体レーザー素子17が、飛
び散らないように設けられており、押圧体22によって
バー状素子結合体16に加えられる荷重が分散されるこ
となく、また、バー状素子結合体16が大きく沈下する
ことなく支持台21にて確実に支持されるように、小さ
な弾性力であることが好ましく、例えば、70μm程度
の比較的薄いものが使用される。
結合体16は、支持シート23内部へ一定量沈下した
後、硬質な支持台21の作用によって安定し、それ以上
沈下することはない。また、支持シート23による荷重
の吸収によって、バー状素子結合体の割れ欠けを全くな
きものにすることができる。さらに、本実施形態による
2次劈開後の各半導体レーザー素子17は、支持シート
23に密着されるために、飛散したり、位置がずれたり
することがない。
シート24は、少なくとも押圧体22に圧接される側の
表面がシリコーン樹脂にてコーティング処理されている
ことが望ましい。このようにすれば、押圧体22が、ロ
ーラーのごとき自転機構を有していなくても、押圧体2
2と保護シート24との動的摩擦係数を非常に小さくで
きるため、大きな荷重を安定して付勢したまま、両者を
円滑に平行移動させることが可能である。逆に、押圧体
22が自転するローラー状のものである場合、大きな荷
重を付勢したまま、転動させると、保護シート24にロ
ーラーが絡みついたり、あるいは空回りしたりして、一
定荷重を確実に加えることができないおそれがある。ま
た、ローラーの回転部と支持部との接合機構によって
は、平行移動時に振動が発生して、劈開荷重のばらつき
が発生するおそれもある。また、常に一定荷重を一定速
度で加えるためには、ローラー部の保守管理を徹底する
必要があり、量産には適さない。
体にわたって、一定の高荷重が一定速度で加えられるも
のであれば、材質、形状等は、特に限定されるものでは
ない。
の動的摩擦係数としては、それぞれの材質によって異な
る(例えば、日刊工業新聞社発行の「プラスチックの機
械的性質」における第223ページの図16・15参
照)が、0.1以下になっていることが好ましい。
脂シートであるポリエチレンテレフタレートシート(P
ET)によって構成されているために、押圧体22によ
る荷重が、バー状素子結合体16に対して確実に加えら
れる。
子結合体16と押圧体22とが直接接触することがない
ため、大きな荷重を加えても、2次劈開中に半導体レー
ザー素子17が飛散したり、破損したりすることはな
い。
れた保護シート24は、バー状素子結合体16を覆った
際に、バー状素子結合体16の側方に延出する部分が、
バー状素子結合体16の側面に沿ってたわむことなく、
ほぼ水平な状態に保持されることが好ましい。このよう
な状態では、押圧体22が、バー状素子結合体16の側
方から平行移動する場合に、移動方向の上流側に位置す
るバー状素子結合体16の端部において、保護シート2
4の段差が緩和されるために、バー状素子結合体16の
端部近傍にある半導体レーザー素子17の破損につなが
るダメージが加わることがない。
溝からなる劈開用溝部15を起点とする2次劈開方法お
よび装置について述べたが、その他の劈開用溝、例え
ば、従来例の項で述べたようなスクライバ等によって機
械的に形成されたスクライブ傷を起点とする劈開や、ダ
イシングによってハーフブレークされたバー状素子結合
体の分離においても好適であることは明白である。
および劈開装置は、このように、エッチングにて形成さ
れる劈開用溝部を有するバー状素子結合体を、効率よ
く、しかも、確実に、複数の半導体レーザー素子に劈開
することができる。また、ローラー機構を有しない押圧
体22をスライドさせるだけで、劈開できるので、装置
の機構を大幅に簡略化できる。
の形態の一例を示す要部の断面図である。
ーザー素子の製造工程を示す概略図である。
合体の側面図、(b)は、そのバー状素子結合体を劈開
して得られる半導体レーザー素子の斜視図である。
体の側面図、(b)は、その不良な劈開によって得られ
た半導体レーザー素子の斜視図である。
素子の製造工程を示す斜視図である。
示す概略構成図である。
ー状素子結合体の要部の斜視図である。
Claims (13)
- 【請求項1】 活性層を含む複数の半導体層を積層して
半導体積層体を形成する工程と、 前記半導体積層体の前記半導体層に近い側の表面に、各
々が平行の複数の劈開用溝部を形成する工程と、 前記劈開用溝部と直交する方向に前記半導体積層体を劈
開することにより、該劈開方向を長手方向とする複数の
バー状素子結合体を形成する工程と、 前記バー状結合体の前記劈開用溝部を設けた側の面を支
持台側にして前記バー状素子結合体を前記支持台上に載
置する工程と、 前記バー状素子結合体の前記長手方向に押圧体を移動し
ながら、前記バー状結合体の前記劈開用溝部を設けた面
とは反対側の面に対して一定の荷重を押圧体により印加
することにより、前記劈開用溝部で前記バー状素子結合
体が劈開される工程と、 を有することを特徴とする半導体レーザー素子の製造方
法。 - 【請求項2】 前記劈開用溝部をエッチング処理によっ
て形成する請求項1に記載の半導体レーザー素子の製造
方法。 - 【請求項3】 前記バー状素子結合体は、支持シートを
介して支持台上に載置されている請求項1または2に記
載の半導体レーザー素子の製造方法。 - 【請求項4】 前記支持シートは、ポリ塩化ビニルから
なる請求項3に記載の半導体レーザー素子の製造方法。 - 【請求項5】 前記押圧体は、保護シートを介して前記
バー状素子結合体に荷重を印加する請求項1〜4のいず
れかに記載の半導体レーザー素子の製造方法。 - 【請求項6】 前記保護シートは、前記押圧体側の面を
シリコーン樹脂でコーティング処理をしたポリエチレン
テレフタレートからなる請求項5に記載の半導体レーザ
ー素子の製造方法。 - 【請求項7】 前記支持台は、硬質材料からなる請求項
1に記載の半導体レーザー素子の製造方法。 - 【請求項8】 前記劈開用溝部の前記半導体層に近い側
の表面から深さを、0.5μm以上5μm以下とする請
求項1〜7のいずれかに記載の半導体レーザー素子の製
造方法。 - 【請求項9】 前記バー状素子結合体上で前記押圧体を
移動させる速度および印加する荷重を、それぞれ10m
m/秒以上100mm/秒以下、及び、5N以上20N
以下とする請求項1〜8のいずれかに記載の半導体レー
ザー素子の製造方法。 - 【請求項10】 活性層を含む複数の半導体層を積層し
て半導体積層体を形成した後に、前記半導体積層体の前
記半導体層に近い側の表面に、各々が平行の複数の劈開
用溝部を形成し、次いで、前記劈開用溝部と直交する方
向に前記半導体積層体を劈開することにより、該劈開方
向を長手方向とするよう形成した複数のバー状素子結合
体を用いて半導体レーザー素子を作製する劈開装置であ
って、前記バー状素子結合体が載置される支持台と、 前記支持台に載置される前記バー状素子結合体に対して
一定の荷重を加えた状態で、前記バー状素子結合体の長
手方向に沿って所定の速度にて平行移動するように配置
された押圧体と、 を具備することを特徴とする劈開装置。 - 【請求項11】 前記バー状素子結合体の劈開用の溝部
がエッチング処理により形成されている請求項10に記
載の劈開装置。 - 【請求項12】 前記バー状素子結合体上で前記押圧体
を移動させる速度および印加する荷重を、それぞれ10
mm/秒以上100mm/秒以下、及び5N以上20N
以下とする請求項10に記載の劈開装置。 - 【請求項13】 前記押圧体は、非回転体である請求項
10に記載の劈開装置。
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