JP2001127369A - 半導体レーザー素子の製造方法および劈開装置 - Google Patents
半導体レーザー素子の製造方法および劈開装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】エッチングにて形成される劈開用溝部を有する
バー状素子結合体を、効率よく、しかも、確実に、複数
の半導体レーザー素子に劈開することができる。 【解決手段】活性層を含む複数の半導体層が積層された
半導体積層体１１上に、パターン電極１３を設けて、こ
のパターン電極１３に対して、それぞれが平行になった
複数の劈開用溝部１５をエッチング処理によって形成し
て、相互に平行した複数のパターン電極１３を形成す
る。その後に、各劈開用溝部１５と直交する方向に沿っ
て１次劈開することにより、複数のバー状素子結合体１
６を形成し、得られたバー状素子結合体１６を、劈開装
置の支持台２１上に設けられた支持シート２３に載置す
る。このバー状素子結合体１６を保護シート２３にて覆
った状態で、押圧体２２によって一定の荷重を加えて、
そのバー状素子結合体１６の長手方向に沿って所定の速
度にて平行移動させる。
バー状素子結合体を、効率よく、しかも、確実に、複数
の半導体レーザー素子に劈開することができる。 【解決手段】活性層を含む複数の半導体層が積層された
半導体積層体１１上に、パターン電極１３を設けて、こ
のパターン電極１３に対して、それぞれが平行になった
複数の劈開用溝部１５をエッチング処理によって形成し
て、相互に平行した複数のパターン電極１３を形成す
る。その後に、各劈開用溝部１５と直交する方向に沿っ
て１次劈開することにより、複数のバー状素子結合体１
６を形成し、得られたバー状素子結合体１６を、劈開装
置の支持台２１上に設けられた支持シート２３に載置す
る。このバー状素子結合体１６を保護シート２３にて覆
った状態で、押圧体２２によって一定の荷重を加えて、
そのバー状素子結合体１６の長手方向に沿って所定の速
度にて平行移動させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザー素
子の製造方法、および、その製造方法の実施に使用され
る劈開装置に関する。
子の製造方法、および、その製造方法の実施に使用され
る劈開装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザー素子を製造する場合に
は、まず、半導体ウエハー１（図５（ａ）参照、以下同
様）に活性層を含む複数の半導体層を順次積層して、半
導体積層体１１を準備する。このような半導体積層体１
１に対して、半導体層を形成した側の表面に半導体レー
ザ素子の共振器長方向（図中のＸ方向）に沿って、レー
ザー素子の間隔ごとに複数の劈開用溝部１５を、等しい
間隔をあけて、相互に平行に形成する。ここで、活性層
は、半導体積層対１１の表面から４μｍ程度のところに
形成されている。
は、まず、半導体ウエハー１（図５（ａ）参照、以下同
様）に活性層を含む複数の半導体層を順次積層して、半
導体積層体１１を準備する。このような半導体積層体１
１に対して、半導体層を形成した側の表面に半導体レー
ザ素子の共振器長方向（図中のＸ方向）に沿って、レー
ザー素子の間隔ごとに複数の劈開用溝部１５を、等しい
間隔をあけて、相互に平行に形成する。ここで、活性層
は、半導体積層対１１の表面から４μｍ程度のところに
形成されている。
【０００３】その後、半導体積層体１１の半導体層最上
部全面にわたって、劈開用溝部１５を除く部位にストラ
イプ状にパターン形成したパターン電極１３を設けると
ともに、反対側の半導体積層体１１の裏面に裏面電極１
２を全面にわたって設ける。次いで、半導体積層体１１
を長方形に切り出して、短い複数のスクライブ傷１４
を、長方形状の半導体積層体１１の共振器長方向（Ｘ方
向）に沿った側縁に、等しい間隔をあけて形成する。こ
れにより、図５（ａ）に示す状態になる。
部全面にわたって、劈開用溝部１５を除く部位にストラ
イプ状にパターン形成したパターン電極１３を設けると
ともに、反対側の半導体積層体１１の裏面に裏面電極１
２を全面にわたって設ける。次いで、半導体積層体１１
を長方形に切り出して、短い複数のスクライブ傷１４
を、長方形状の半導体積層体１１の共振器長方向（Ｘ方
向）に沿った側縁に、等しい間隔をあけて形成する。こ
れにより、図５（ａ）に示す状態になる。
【０００４】その後、長方形状の半導体積層体１１に設
けられた各スクライブ傷１４を起点として、それぞれの
パターン電極１３の間に設けられた各劈開用溝部１５と
は直交する方向に、半導体積層体１１、パターン電極１
３および裏面電極１２を、それぞれ一体として劈開（１
次劈開）することにより、複数のバー状素子結合体１６
を得る。それぞれのバー状素子結合体１６は、バー状の
半導体積層体１１の裏面に裏面電極１２ａを全面にわた
って備えるとともに、表面には、劈開用溝部１５でそれ
ぞれ区切られた複数のパターン電極１３を備える。これ
により、図５（ｂ）に示す状態になる。
けられた各スクライブ傷１４を起点として、それぞれの
パターン電極１３の間に設けられた各劈開用溝部１５と
は直交する方向に、半導体積層体１１、パターン電極１
３および裏面電極１２を、それぞれ一体として劈開（１
次劈開）することにより、複数のバー状素子結合体１６
を得る。それぞれのバー状素子結合体１６は、バー状の
半導体積層体１１の裏面に裏面電極１２ａを全面にわた
って備えるとともに、表面には、劈開用溝部１５でそれ
ぞれ区切られた複数のパターン電極１３を備える。これ
により、図５（ｂ）に示す状態になる。
【０００５】次に、図５（ｃ）に示すように、各バー状
素子結合体１６を、劈開用溝部１５に沿って劈開（２次
劈開）することにより、複数の半導体レーザー素子１７
を得る。各半導体レーザー素子１７は、半導体積層体１
１の表面にパターン電極１３がそれぞれ設けられるとと
もに、裏面に裏面電極１２ａがそれぞれ設けられたもの
であり、パターン電極１３および裏面電極１２ａ間に電
圧が印加されることによって、１次劈開面によって形成
された端面からレーザー光が出射される。
素子結合体１６を、劈開用溝部１５に沿って劈開（２次
劈開）することにより、複数の半導体レーザー素子１７
を得る。各半導体レーザー素子１７は、半導体積層体１
１の表面にパターン電極１３がそれぞれ設けられるとと
もに、裏面に裏面電極１２ａがそれぞれ設けられたもの
であり、パターン電極１３および裏面電極１２ａ間に電
圧が印加されることによって、１次劈開面によって形成
された端面からレーザー光が出射される。
【０００６】劈開用溝部１５は、例えば、スクライバ等
におけるダイヤモンド針によって機械的に形成されたス
クライブ傷（溝）１４である。この場合には、機械的に
形成された劈開用溝部１５から半導体積層体１１の内部
に向かってマイクロクラックが生じており、このマイク
ロクラックが生じているところでは結晶強度が低くなっ
ている。そこで、裏面電極１２ａ側からバー状素子結合
体１６上に形成された劈開用溝部１５に荷重を加えるこ
とにより、劈開用溝部１５から半導体積層体１１内に形
成された結晶強度の低いマイクロクラック部分に沿って
容易に劈開される。このために、劈開用溝部１５である
スクライブ傷が形成されたバー状素子結合体１６を２次
劈開する場合には、裏面電極１２ａに対して比較的低い
荷重を、バー状素子結合体１６の長手方向に加えればよ
く、例えば、裏面電極１２に対して、ローラーを転動さ
せて荷重を加えればよい。
におけるダイヤモンド針によって機械的に形成されたス
クライブ傷（溝）１４である。この場合には、機械的に
形成された劈開用溝部１５から半導体積層体１１の内部
に向かってマイクロクラックが生じており、このマイク
ロクラックが生じているところでは結晶強度が低くなっ
ている。そこで、裏面電極１２ａ側からバー状素子結合
体１６上に形成された劈開用溝部１５に荷重を加えるこ
とにより、劈開用溝部１５から半導体積層体１１内に形
成された結晶強度の低いマイクロクラック部分に沿って
容易に劈開される。このために、劈開用溝部１５である
スクライブ傷が形成されたバー状素子結合体１６を２次
劈開する場合には、裏面電極１２ａに対して比較的低い
荷重を、バー状素子結合体１６の長手方向に加えればよ
く、例えば、裏面電極１２に対して、ローラーを転動さ
せて荷重を加えればよい。
【０００７】特開平６−３３８６６２号公報には、半導
体レーザー素子が形成される半導体ウエハー（半導体積
層体１１）に対して、劈開用溝部１５としてのスクライ
ブ傷（溝）を形成する方法が開示されている。しかしな
がら、このように、劈開用溝部１５をスクライバ等によ
って機械的に形成する場合には、長方形状の半導体ウエ
ハー１の表面に、複数本の劈開用溝部１５を、それぞ
れ、パターン電極１３の間に一方の側縁から他方の側縁
にわたって確実に形成する必要がある。しかし、このよ
うな工程をとることについては、作業効率が悪いという
問題がある。
体レーザー素子が形成される半導体ウエハー（半導体積
層体１１）に対して、劈開用溝部１５としてのスクライ
ブ傷（溝）を形成する方法が開示されている。しかしな
がら、このように、劈開用溝部１５をスクライバ等によ
って機械的に形成する場合には、長方形状の半導体ウエ
ハー１の表面に、複数本の劈開用溝部１５を、それぞ
れ、パターン電極１３の間に一方の側縁から他方の側縁
にわたって確実に形成する必要がある。しかし、このよ
うな工程をとることについては、作業効率が悪いという
問題がある。
【０００８】さらに、半導体ウエハーにスクライブ傷を
形成中にスクライブ傷に沿って容易に破断し、また、ス
クライブ傷に対して直交する方向に１次劈開する際に、
スクライブ傷に沿って容易に破断してしまう。その結
果、半導体レーザー素子の製造に際しての歩留まりが低
下するという問題がある。
形成中にスクライブ傷に沿って容易に破断し、また、ス
クライブ傷に対して直交する方向に１次劈開する際に、
スクライブ傷に沿って容易に破断してしまう。その結
果、半導体レーザー素子の製造に際しての歩留まりが低
下するという問題がある。
【０００９】これに対して、劈開用溝部１５を、エッチ
ングによって形成する方法も開発されている。この場合
には、劈開用溝部１５を形成する部分を除いて、レジス
ト膜で半導体ウエハー表面を被覆し、レジスト膜で被覆
していない部分をエッチング処理することにより、図７
に示すように、断面Ｖ字状の劈開用溝部１５が形成され
る。この場合には、全ての劈開用溝部１５が一括して形
成されるために、前述のスクライバ等によって劈開用溝
部１５を機械的に形成する場合に比べて、作業性に優れ
ており、生産効率が向上する。
ングによって形成する方法も開発されている。この場合
には、劈開用溝部１５を形成する部分を除いて、レジス
ト膜で半導体ウエハー表面を被覆し、レジスト膜で被覆
していない部分をエッチング処理することにより、図７
に示すように、断面Ｖ字状の劈開用溝部１５が形成され
る。この場合には、全ての劈開用溝部１５が一括して形
成されるために、前述のスクライバ等によって劈開用溝
部１５を機械的に形成する場合に比べて、作業性に優れ
ており、生産効率が向上する。
【００１０】特開昭６２−１３７８９４号公報には、図
６に示すように、劈開用溝部１５としてエッチング溝が
形成されたバー状素子結合体１６を、フィルム３１上に
配置して、さらに、バー状素子結合体１６上にシート３
４を載置した状態で、シート３４をフイルム３２にて覆
い、バー状素子結合体１６に対して、フィルム３１を介
して、ローラー３３により荷重を加えて劈開する装置が
開示されている。
６に示すように、劈開用溝部１５としてエッチング溝が
形成されたバー状素子結合体１６を、フィルム３１上に
配置して、さらに、バー状素子結合体１６上にシート３
４を載置した状態で、シート３４をフイルム３２にて覆
い、バー状素子結合体１６に対して、フィルム３１を介
して、ローラー３３により荷重を加えて劈開する装置が
開示されている。
【００１１】しかしながら、このように、エッチング処
理によって劈開用溝部１５であるエッチング溝を形成し
た場合には、ダイヤモンド針等によって機械的に形成し
たスクライブ傷のように、半導体積層体１１の内部に
は、マイクロクラックが形成されず、半導体積層体１１
の内部には、低強度部分が明確に形成されない。その結
果、バー状素子結合体１６を２次劈開する場合には、機
械的に劈開用溝部１５が形成されたバー状素子結合体１
６を２次劈開する場合よりも、大きな荷重が必要にな
る。従って、ローラー３３を転動させることにより劈開
用溝部１５に沿って２次劈開する場合に、前述したよう
な、ローラー３３を転動させる荷重を比較的低くしたと
きに、バー状素子結合体１６を確実に２次劈開すること
ができない。
理によって劈開用溝部１５であるエッチング溝を形成し
た場合には、ダイヤモンド針等によって機械的に形成し
たスクライブ傷のように、半導体積層体１１の内部に
は、マイクロクラックが形成されず、半導体積層体１１
の内部には、低強度部分が明確に形成されない。その結
果、バー状素子結合体１６を２次劈開する場合には、機
械的に劈開用溝部１５が形成されたバー状素子結合体１
６を２次劈開する場合よりも、大きな荷重が必要にな
る。従って、ローラー３３を転動させることにより劈開
用溝部１５に沿って２次劈開する場合に、前述したよう
な、ローラー３３を転動させる荷重を比較的低くしたと
きに、バー状素子結合体１６を確実に２次劈開すること
ができない。
【００１２】特に、この装置は、一対のフィルム３１お
よび３２でバー状素子結合体１６を挟み、さらにリング
で挟持することにより、フィルム３１に張力を付与し、
ローラー３３によって荷重が加えられる構成になってい
るために、フィルム３１の張力が変動することによっ
て、バー状素子結合体１６に加わる荷重が変動するおそ
れがある。また、フィルム３１に対するローラー３３の
圧接力によっては、フィルム３１が移動したり、バー状
素子結合体１６が移動するおそれがあり、これによって
も、バー状素子結合体１６に対して一定の荷重を加える
ことが困難である。さらに、一対のフィルム３１および
３２にて挟まれた状態のバー状素子結合体１６の端部に
対して、一定荷重を加えたまま、ローラー３３が円滑に
転動することは難しい。
よび３２でバー状素子結合体１６を挟み、さらにリング
で挟持することにより、フィルム３１に張力を付与し、
ローラー３３によって荷重が加えられる構成になってい
るために、フィルム３１の張力が変動することによっ
て、バー状素子結合体１６に加わる荷重が変動するおそ
れがある。また、フィルム３１に対するローラー３３の
圧接力によっては、フィルム３１が移動したり、バー状
素子結合体１６が移動するおそれがあり、これによって
も、バー状素子結合体１６に対して一定の荷重を加える
ことが困難である。さらに、一対のフィルム３１および
３２にて挟まれた状態のバー状素子結合体１６の端部に
対して、一定荷重を加えたまま、ローラー３３が円滑に
転動することは難しい。
【００１３】このように、一対のフィルム３１および３
２にて挟まれた状態で保持されたバー状素子結合体１６
に対して、一定の荷重を加えて、確実に劈開することは
きわめて困難である。
２にて挟まれた状態で保持されたバー状素子結合体１６
に対して、一定の荷重を加えて、確実に劈開することは
きわめて困難である。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】特開昭５４−９３３５
６号公報には、エッチング処理によって、断面Ｖ字状の
劈開用溝部１５を形成した後に、その劈開用溝部１５の
内部を粗面処理して、半導体積層体１１の内部にマイク
ロクラックを形成し、さらにその後に、劈開用溝部１５
が形成された面とは反対側の面にローラーを転動させて
荷重を加えることにより、バー状素子結合体１６を２次
劈開する構成が開示されている。本方法によれば、劈開
用溝部１５と、劈開用溝部１５の形成されていない部分
との強度差が明確化する。このため、裏面からの小さな
荷重によって、バー状素子結合体１６を２次劈開するこ
とができる。
６号公報には、エッチング処理によって、断面Ｖ字状の
劈開用溝部１５を形成した後に、その劈開用溝部１５の
内部を粗面処理して、半導体積層体１１の内部にマイク
ロクラックを形成し、さらにその後に、劈開用溝部１５
が形成された面とは反対側の面にローラーを転動させて
荷重を加えることにより、バー状素子結合体１６を２次
劈開する構成が開示されている。本方法によれば、劈開
用溝部１５と、劈開用溝部１５の形成されていない部分
との強度差が明確化する。このため、裏面からの小さな
荷重によって、バー状素子結合体１６を２次劈開するこ
とができる。
【００１５】しかしながら、このように、エッチング処
理によって劈開用溝部１５を形成した後に、劈開用溝部
１５を粗面処理する構成では、粗面処理作業が必要であ
るために、作業効率が悪いという問題がある。また、劈
開用溝部１５を粗面処理する際に、劈開用溝部１５の内
部以外の部分にマイクロクラックが形成されることがあ
り、その場合には、劈開用溝部１５以外の部分で割れて
しまう。
理によって劈開用溝部１５を形成した後に、劈開用溝部
１５を粗面処理する構成では、粗面処理作業が必要であ
るために、作業効率が悪いという問題がある。また、劈
開用溝部１５を粗面処理する際に、劈開用溝部１５の内
部以外の部分にマイクロクラックが形成されることがあ
り、その場合には、劈開用溝部１５以外の部分で割れて
しまう。
【００１６】また、１次劈開によってバー状素子結合体
１６を形成する際に、深く形成された劈開用溝部１５に
沿って不所望な方向に破断するおそれがある。
１６を形成する際に、深く形成された劈開用溝部１５に
沿って不所望な方向に破断するおそれがある。
【００１７】本発明は、このような問題を解決するもの
であり、その目的は、エッチングのみによって形成され
る浅い劈開用溝部を有するバー状素子結合体を、効率よ
く、しかも、確実に、複数の半導体レーザー素子に劈開
することができる半導体レーザー素子の製造方法および
劈開装置を提供することにある。
であり、その目的は、エッチングのみによって形成され
る浅い劈開用溝部を有するバー状素子結合体を、効率よ
く、しかも、確実に、複数の半導体レーザー素子に劈開
することができる半導体レーザー素子の製造方法および
劈開装置を提供することにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザー
素子の製造方法は、活性層を含む複数の半導体層を積層
して半導体積層体を形成する工程と、前記半導体積層体
の前記半導体層に近い側の表面に、各々が平行の複数の
劈開用溝部を形成する工程と、前記劈開用溝部と直交す
る方向に前記半導体積層体を劈開することにより、該劈
開方向を長手方向とする複数のバー状素子結合体を形成
する工程と、前記バー状結合体の前記劈開用溝部を設け
た側の面を支持台側にして前記バー状素子結合体を前記
支持台上に載置する工程と、前記バー状素子結合体の前
記長手方向に押圧体を移動しながら、前記バー状結合体
の前記劈開用溝部を設けた面とは反対側の面に対して一
定の荷重を押圧体により印加することにより、前記劈開
用溝部で前記バー状素子結合体が劈開される工程と、を
有することを特徴とする。
素子の製造方法は、活性層を含む複数の半導体層を積層
して半導体積層体を形成する工程と、前記半導体積層体
の前記半導体層に近い側の表面に、各々が平行の複数の
劈開用溝部を形成する工程と、前記劈開用溝部と直交す
る方向に前記半導体積層体を劈開することにより、該劈
開方向を長手方向とする複数のバー状素子結合体を形成
する工程と、前記バー状結合体の前記劈開用溝部を設け
た側の面を支持台側にして前記バー状素子結合体を前記
支持台上に載置する工程と、前記バー状素子結合体の前
記長手方向に押圧体を移動しながら、前記バー状結合体
の前記劈開用溝部を設けた面とは反対側の面に対して一
定の荷重を押圧体により印加することにより、前記劈開
用溝部で前記バー状素子結合体が劈開される工程と、を
有することを特徴とする。
【００１９】前記劈開用溝部をエッチング処理によって
形成する。
形成する。
【００２０】前記バー状素子結合体は、支持シートを介
して支持台上に載置されている。
して支持台上に載置されている。
【００２１】前記支持シートは、ポリ塩化ビニルからな
る。
る。
【００２２】前記押圧体は、保護シートを介して前記バ
ー状素子結合体に荷重を印加する。
ー状素子結合体に荷重を印加する。
【００２３】前記保護シートは、前記押圧体側の面をシ
リコーン樹脂でコーティング処理をしたポリエチレンテ
レフタレートからなる。
リコーン樹脂でコーティング処理をしたポリエチレンテ
レフタレートからなる。
【００２４】前記支持台は、硬質材料からなる。
【００２５】前記劈開用溝部の前記半導体層に近い側の
表面から深さを、０．５μｍ以上５μｍ以下とする。
表面から深さを、０．５μｍ以上５μｍ以下とする。
【００２６】前記バー状素子結合体上で前記押圧体を移
動させる速度および印加する荷重を、それぞれ１０ｍｍ
／秒以上１００ｍｍ／秒以下、及び、５Ｎ以上２０Ｎ以
下とする。
動させる速度および印加する荷重を、それぞれ１０ｍｍ
／秒以上１００ｍｍ／秒以下、及び、５Ｎ以上２０Ｎ以
下とする。
【００２７】本発明の劈開装置は、活性層を含む複数の
半導体層を積層して半導体積層体を形成した後に、前記
半導体積層体の前記半導体層に近い側の表面に、各々が
平行の複数の劈開用溝部を形成し、次いで、前記劈開用
溝部と直交する方向に前記半導体積層体を劈開すること
により、該劈開方向を長手方向とするよう形成した複数
のバー状素子結合体を用いて半導体レーザー素子を作製
する劈開装置であって、前記バー状素子結合体が載置さ
れる支持台と、前記支持台に載置される前記バー状素子
結合体に対して一定の荷重を加えた状態で、前記バー状
素子結合体の長手方向に沿って所定の速度にて平行移動
するように配置された押圧体と、を具備することを特徴
とする。
半導体層を積層して半導体積層体を形成した後に、前記
半導体積層体の前記半導体層に近い側の表面に、各々が
平行の複数の劈開用溝部を形成し、次いで、前記劈開用
溝部と直交する方向に前記半導体積層体を劈開すること
により、該劈開方向を長手方向とするよう形成した複数
のバー状素子結合体を用いて半導体レーザー素子を作製
する劈開装置であって、前記バー状素子結合体が載置さ
れる支持台と、前記支持台に載置される前記バー状素子
結合体に対して一定の荷重を加えた状態で、前記バー状
素子結合体の長手方向に沿って所定の速度にて平行移動
するように配置された押圧体と、を具備することを特徴
とする。
【００２８】前記バー状素子結合体の劈開用の溝部がエ
ッチング処理により形成されている。
ッチング処理により形成されている。
【００２９】前記バー状素子結合体上で前記押圧体を移
動させる速度および印加する荷重を、それぞれ１０ｍｍ
／秒以上１００ｍｍ／秒以下、及び５Ｎ以上２０Ｎ以下
とする。
動させる速度および印加する荷重を、それぞれ１０ｍｍ
／秒以上１００ｍｍ／秒以下、及び５Ｎ以上２０Ｎ以下
とする。
【００３０】前記押圧体は、非回転体である。
【００３１】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の実施の形態を説明する。本発明の半導体レーザー素子
の製造方法では、図５に示す従来の半導体レーザー素子
の製造方法と同様にして、バー状素子結合体１６が製造
される。ただし、図５の説明と異なる点は、劈開用溝部
１５を機械的に形成したスクライブ溝とせず、エッチン
グにより形成したエッチング溝とした点である。そし
て、製造されたバー状素子結合体１６が、図１に示す装
置によって２次劈開される。
の実施の形態を説明する。本発明の半導体レーザー素子
の製造方法では、図５に示す従来の半導体レーザー素子
の製造方法と同様にして、バー状素子結合体１６が製造
される。ただし、図５の説明と異なる点は、劈開用溝部
１５を機械的に形成したスクライブ溝とせず、エッチン
グにより形成したエッチング溝とした点である。そし
て、製造されたバー状素子結合体１６が、図１に示す装
置によって２次劈開される。
【００３２】バー状素子結合体１６は、例えば、長さが
３０ｍｍであり、これを２次劈開することにより、共振
器長が２００μｍ、幅寸法が１６０μｍの複数の半導体
レーザー素子１７を得る。また、半導体積層体１１の厚
さは１００μｍ、活性層の深さは４μｍであり、パター
ン電極１３間に形成される劈開用溝部１５の深さは、
０．５〜５μｍであり、この劈開用溝部１５は、半導体
層を形成した側の半導体積層体１１の表面にエッチング
により形成したエッチング溝である。劈開用溝部１５の
深さが５μｍよりも大であれば、１次劈開時にこの劈開
用溝部１５を起点とした割れが生じる。また、劈開用溝
部１５の深さが０．５μｍ未満であれば、以下に説明す
る２次劈開が実現できない。
３０ｍｍであり、これを２次劈開することにより、共振
器長が２００μｍ、幅寸法が１６０μｍの複数の半導体
レーザー素子１７を得る。また、半導体積層体１１の厚
さは１００μｍ、活性層の深さは４μｍであり、パター
ン電極１３間に形成される劈開用溝部１５の深さは、
０．５〜５μｍであり、この劈開用溝部１５は、半導体
層を形成した側の半導体積層体１１の表面にエッチング
により形成したエッチング溝である。劈開用溝部１５の
深さが５μｍよりも大であれば、１次劈開時にこの劈開
用溝部１５を起点とした割れが生じる。また、劈開用溝
部１５の深さが０．５μｍ未満であれば、以下に説明す
る２次劈開が実現できない。
【００３３】図１に示す劈開装置は、バー状素子結合体
１６が載置された水平な円板状の支持台２１と、この支
持台２１上を支持台２１の表面に対して平行移動する押
圧体２２とを有している。
１６が載置された水平な円板状の支持台２１と、この支
持台２１上を支持台２１の表面に対して平行移動する押
圧体２２とを有している。
【００３４】支持台２１は、例えば、硬質な石英板によ
って構成されており、上面が鏡面仕上げされて水平に保
持されている。また、支持台２１は、特に円板上でなく
てもよい。
って構成されており、上面が鏡面仕上げされて水平に保
持されている。また、支持台２１は、特に円板上でなく
てもよい。
【００３５】押圧体２２は、例えば、直径５ｍｍのステ
ンレス棒によって構成されており、支持台２１の上面の
上方に、バネあるいは自重によって下方に付勢された状
態で支持台２１の上面に対して平行に保持されている。
そして、押圧体２２は、バー状素子結合体１６の長辺方
向（１次劈開で形成された辺に沿う方向）に、バー状素
子結合体１６の長辺方向全長にわたって、一定の速度に
て水平にスライドするように構成されている。
ンレス棒によって構成されており、支持台２１の上面の
上方に、バネあるいは自重によって下方に付勢された状
態で支持台２１の上面に対して平行に保持されている。
そして、押圧体２２は、バー状素子結合体１６の長辺方
向（１次劈開で形成された辺に沿う方向）に、バー状素
子結合体１６の長辺方向全長にわたって、一定の速度に
て水平にスライドするように構成されている。
【００３６】このような装置によって、バー状素子結合
体１６を２次劈開する場合には、まず、図２（ａ）に示
すように、例えば、厚さが７０μｍ程度のポリ塩化ビニ
ル（ＰＶＣ）によって構成された支持シート２３と、リ
ング状のフィルムフレーム２５とが準備され、図２
（ｂ）に示すように、リング状のフイルムフレーム２５
に支持シート２３を貼り付けて支持する。そして、図２
（ｃ）に示すように、支持シート２３上に、バー状素子
結合体１６を、それぞれ適当な間隔をあけて平行に配置
する。バー状素子結合体１６は、各パターン電極１３の
表面を、支持シート２３の表面側に向けて、支持シート
２３表面上に載置する。
体１６を２次劈開する場合には、まず、図２（ａ）に示
すように、例えば、厚さが７０μｍ程度のポリ塩化ビニ
ル（ＰＶＣ）によって構成された支持シート２３と、リ
ング状のフィルムフレーム２５とが準備され、図２
（ｂ）に示すように、リング状のフイルムフレーム２５
に支持シート２３を貼り付けて支持する。そして、図２
（ｃ）に示すように、支持シート２３上に、バー状素子
結合体１６を、それぞれ適当な間隔をあけて平行に配置
する。バー状素子結合体１６は、各パターン電極１３の
表面を、支持シート２３の表面側に向けて、支持シート
２３表面上に載置する。
【００３７】その後、図２（ｄ）に示すように、支持シ
ート２３上に載置された各バー状素子結合体１６全体を
覆うように、保護シート２４を被せて、図２（ｅ）に示
す状態とする。保護シート２４は、厚さが５０μｍ程度
の比較的硬質のポリエチレンテレフタレートシート（Ｐ
ＥＴ）の表面をシリコーン樹脂にてコーティング処理し
て構成されている。保護シート２４は、シリコーン樹脂
コーティング処理された表面を押圧体２２側にして、バ
ー状素子結合体１６全体を覆うように配置される。保護
シート２４は、比較的硬質な材料からなるために、ほと
んどたわむことなく、バー状素子結合体１６上にほぼ水
平な状態で載置される。
ート２３上に載置された各バー状素子結合体１６全体を
覆うように、保護シート２４を被せて、図２（ｅ）に示
す状態とする。保護シート２４は、厚さが５０μｍ程度
の比較的硬質のポリエチレンテレフタレートシート（Ｐ
ＥＴ）の表面をシリコーン樹脂にてコーティング処理し
て構成されている。保護シート２４は、シリコーン樹脂
コーティング処理された表面を押圧体２２側にして、バ
ー状素子結合体１６全体を覆うように配置される。保護
シート２４は、比較的硬質な材料からなるために、ほと
んどたわむことなく、バー状素子結合体１６上にほぼ水
平な状態で載置される。
【００３８】以上のように構成されたフィルムリング２
５が、図２（ｆ）に示すように、支持台２１上に配置さ
れる。この際、支持シート２３に取り付けられた各バー
状素子結合体１６の２次劈開される劈開用溝部１５は、
支持台２１上の押圧体２２の移動方向とは直交するよう
に配置される。
５が、図２（ｆ）に示すように、支持台２１上に配置さ
れる。この際、支持シート２３に取り付けられた各バー
状素子結合体１６の２次劈開される劈開用溝部１５は、
支持台２１上の押圧体２２の移動方向とは直交するよう
に配置される。
【００３９】各バー状素子結合体１６の一方の端部上
に、押圧体２２を持って来て、次に、押圧体２２をバー
状素子結合体１６の端部に、保護シート２４を介して、
予め設定された適当な荷重で圧接させる。そして、図２
（ｇ）に示すように、押圧体２２を、各バー状素子結合
体１６に圧接した状態で、各バー状素子結合体１６の長
辺方向（１次劈開で形成された辺に沿う方向）に沿って
水平に平行移動させる。押圧体２２は、各バー状素子結
合体１６と劈開用溝部１５に沿う方向におおむね線状に
接触して、一定の荷重を加えた状態で、各バー状素子結
合体１６の長辺方向の全長にわたって、例えば、１０ｍ
ｍ／秒の一定の速度で移動する。
に、押圧体２２を持って来て、次に、押圧体２２をバー
状素子結合体１６の端部に、保護シート２４を介して、
予め設定された適当な荷重で圧接させる。そして、図２
（ｇ）に示すように、押圧体２２を、各バー状素子結合
体１６に圧接した状態で、各バー状素子結合体１６の長
辺方向（１次劈開で形成された辺に沿う方向）に沿って
水平に平行移動させる。押圧体２２は、各バー状素子結
合体１６と劈開用溝部１５に沿う方向におおむね線状に
接触して、一定の荷重を加えた状態で、各バー状素子結
合体１６の長辺方向の全長にわたって、例えば、１０ｍ
ｍ／秒の一定の速度で移動する。
【００４０】このように、押圧体２２が、各バー状素子
結合体１６を適当に押圧した状態で、平行移動して、各
バー状素子結合体１６に設けられた各劈開用溝部１５の
上方を通過すると、図３（ａ）に示すように、バー状素
子結合体１６は、各劈開用溝部１５を起点として裏面電
極１２ａ方向に向かって、順次、劈開が発生し、厚さ方
向の全体にわたって平坦な劈開面が形成される。この連
続動作により、各バー状素子結合体１６の次劈開が完了
し、図３（ｂ）に示すように、所定の大きさの半導体レ
ーザー素子１７が得られる。図３（ａ）および（ｂ）
で、１９は活性層、２０は、レーザー光発光部を示す。
結合体１６を適当に押圧した状態で、平行移動して、各
バー状素子結合体１６に設けられた各劈開用溝部１５の
上方を通過すると、図３（ａ）に示すように、バー状素
子結合体１６は、各劈開用溝部１５を起点として裏面電
極１２ａ方向に向かって、順次、劈開が発生し、厚さ方
向の全体にわたって平坦な劈開面が形成される。この連
続動作により、各バー状素子結合体１６の次劈開が完了
し、図３（ｂ）に示すように、所定の大きさの半導体レ
ーザー素子１７が得られる。図３（ａ）および（ｂ）
で、１９は活性層、２０は、レーザー光発光部を示す。
【００４１】バー状素子結合体１６を２次劈開して形成
された各半導体レーザー素子１７は、支持シート２３に
それぞれ載置された状態で保護シート２４にて覆われて
いるために、押圧体２２により劈開される際に、劈開さ
れた各半導体レーザー素子１７は、支持シート２３上か
ら飛散することはない。
された各半導体レーザー素子１７は、支持シート２３に
それぞれ載置された状態で保護シート２４にて覆われて
いるために、押圧体２２により劈開される際に、劈開さ
れた各半導体レーザー素子１７は、支持シート２３上か
ら飛散することはない。
【００４２】そのため、支持シート２３の表面上に糊材
が塗布してある必要はなく、レーザー素子１７のパター
ン電極１３面、１次劈開面や２次劈開面に糊材が付着す
ることは全くなく、後のダイボンディングやレーザー発
振に対する支障は生じず、また、前記エキスパンド実施
時に、糊材を介して、２次劈開面同士が接着して、レー
ザー素子１７が分離しない等の問題も発生しない。
が塗布してある必要はなく、レーザー素子１７のパター
ン電極１３面、１次劈開面や２次劈開面に糊材が付着す
ることは全くなく、後のダイボンディングやレーザー発
振に対する支障は生じず、また、前記エキスパンド実施
時に、糊材を介して、２次劈開面同士が接着して、レー
ザー素子１７が分離しない等の問題も発生しない。
【００４３】そして、保護シート２４を取り除いた状態
で、支持シート２３を伸張することによって、各半導体
レーザー素子１７の各々の間隔が拡がり、次工程の作業
が容易になる。つまり、各半導体素子１７を簡単にピッ
クアップすることができる。これにより、所定形状であ
って、しかも、２次劈開面が全体にわたって平坦になっ
た複数の半導体レーザー素子１７が得られる。
で、支持シート２３を伸張することによって、各半導体
レーザー素子１７の各々の間隔が拡がり、次工程の作業
が容易になる。つまり、各半導体素子１７を簡単にピッ
クアップすることができる。これにより、所定形状であ
って、しかも、２次劈開面が全体にわたって平坦になっ
た複数の半導体レーザー素子１７が得られる。
【００４４】本実施の形態の装置を用いて、個々の半導
体レーザー素子１７を確実に分割し、また、平坦な２次
劈開面を得るためには、押圧体２２による荷重制御が重
要である。従来例の項で述べたように、エッチングによ
って形成される浅い劈開用溝部１５では、劈開部分とそ
の他の部分との結晶強度さが明確でないために、これを
起点として劈開を進行させるためには、スクライバ等に
よって機械的に形成されたスクライブ傷に比べて高荷重
を要する。また、保護シート２４を介して、押圧体２２
がバー状素子結合体１６の裏面全面を連続的に確実に移
動する必要がある。
体レーザー素子１７を確実に分割し、また、平坦な２次
劈開面を得るためには、押圧体２２による荷重制御が重
要である。従来例の項で述べたように、エッチングによ
って形成される浅い劈開用溝部１５では、劈開部分とそ
の他の部分との結晶強度さが明確でないために、これを
起点として劈開を進行させるためには、スクライバ等に
よって機械的に形成されたスクライブ傷に比べて高荷重
を要する。また、保護シート２４を介して、押圧体２２
がバー状素子結合体１６の裏面全面を連続的に確実に移
動する必要がある。
【００４５】バー状素子結合体１６上を長手方向に連続
的に移動する押圧荷重は、劈開用溝部１５の結晶強度よ
りも大きく、且つ、その他の部分の結晶強度よりも低く
なるように設定される。押圧荷重が劈開用溝部１５の結
晶強度よりも小さい場合は、押圧荷重が劈開用溝部１５
上方に達しても劈開が発生せず、個々の半導体レーザー
素子に分割することができない。また、押圧荷重が、劈
開用溝部１５以外の部分の結晶強度よりも大きい場合
は、半導体レーザー素子１７の幅よりも小さく分割され
たり、結晶が破損し、２次劈開での歩留まりを大幅に悪
化させる。この押圧荷重は、支持シート２３や保護シー
ト２４の材質や厚さ、２次劈開される半導体レーザー素
子の結晶強度や結晶方向、共振器長、幅、厚さ等によっ
て異なる。本発明者らの実験おいては、本実施形態の半
導体レーザー素子１７について、５Ｎ以上、２０Ｎ以下
の許容範囲で安定した２次劈開が実現されている。
的に移動する押圧荷重は、劈開用溝部１５の結晶強度よ
りも大きく、且つ、その他の部分の結晶強度よりも低く
なるように設定される。押圧荷重が劈開用溝部１５の結
晶強度よりも小さい場合は、押圧荷重が劈開用溝部１５
上方に達しても劈開が発生せず、個々の半導体レーザー
素子に分割することができない。また、押圧荷重が、劈
開用溝部１５以外の部分の結晶強度よりも大きい場合
は、半導体レーザー素子１７の幅よりも小さく分割され
たり、結晶が破損し、２次劈開での歩留まりを大幅に悪
化させる。この押圧荷重は、支持シート２３や保護シー
ト２４の材質や厚さ、２次劈開される半導体レーザー素
子の結晶強度や結晶方向、共振器長、幅、厚さ等によっ
て異なる。本発明者らの実験おいては、本実施形態の半
導体レーザー素子１７について、５Ｎ以上、２０Ｎ以下
の許容範囲で安定した２次劈開が実現されている。
【００４６】また、押圧体２２の平行移動速度について
は、１０ｍｍ／秒以上が適しており、速度が１００ｍｍ
／秒より大になると、押圧荷重が劈開溝部１５上を非常
に高速で移動するため劈開動作に寄与できる荷重が低下
し、より大きな押圧荷重が必要となる。さらに、押圧荷
重の平行移動によって、劈開用溝部１５上方近傍に到達
して劈開が開始されても、すぐに押圧荷重が移動するた
め、劈開進行が停止し、押圧体２２の平行移動方向に半
導体レーザー素子１７が引きずられ、未劈開部分につい
ては、無理やり結晶が分離される。そのため、図４
（ａ）に示すように、基板裏面付近が屈曲した形状とな
り、一方の２次劈開面側凸部１７ａが、また、他方の２
次劈開面側凹部１７ｂが、形成され、本発明の求める平
坦な２次劈開面から逸脱した形状となる。このような半
導体レーザー素子１７では、光学装置として使用するべ
く、適当な基板にダイボンディングする際の位置決め時
に、基板表面側と基板裏面側との位置ずれが生じ、レー
ザー発光位置ずれを招くおそれがある。また、凸部１７
ａは、非常に欠けやすく、光学装置の組立時に剥離し
て、レーザー発振面に付着して、レーザー光の出射を妨
げるおそれがある。
は、１０ｍｍ／秒以上が適しており、速度が１００ｍｍ
／秒より大になると、押圧荷重が劈開溝部１５上を非常
に高速で移動するため劈開動作に寄与できる荷重が低下
し、より大きな押圧荷重が必要となる。さらに、押圧荷
重の平行移動によって、劈開用溝部１５上方近傍に到達
して劈開が開始されても、すぐに押圧荷重が移動するた
め、劈開進行が停止し、押圧体２２の平行移動方向に半
導体レーザー素子１７が引きずられ、未劈開部分につい
ては、無理やり結晶が分離される。そのため、図４
（ａ）に示すように、基板裏面付近が屈曲した形状とな
り、一方の２次劈開面側凸部１７ａが、また、他方の２
次劈開面側凹部１７ｂが、形成され、本発明の求める平
坦な２次劈開面から逸脱した形状となる。このような半
導体レーザー素子１７では、光学装置として使用するべ
く、適当な基板にダイボンディングする際の位置決め時
に、基板表面側と基板裏面側との位置ずれが生じ、レー
ザー発光位置ずれを招くおそれがある。また、凸部１７
ａは、非常に欠けやすく、光学装置の組立時に剥離し
て、レーザー発振面に付着して、レーザー光の出射を妨
げるおそれがある。
【００４７】支持台２１は、平行移動する押圧体２２に
よってバー状素子結合体１６に荷重が加えられた際に、
支持台２１が窪むことによりバー状素子結合体１６の載
置位置が沈下するということがないように、硬質な材質
であればよく、石英板に限らず、例えば、ガラス板、金
属板、石板、硬質プラスチック板等でもよい。また、平
行移動する押圧体２２によって、バー状素子結合体１６
全体にわたって均一に荷重が加えられるように、バー状
素子結合体１６が載置される上面は、鏡面のように平坦
な状態とすることが好ましい。
よってバー状素子結合体１６に荷重が加えられた際に、
支持台２１が窪むことによりバー状素子結合体１６の載
置位置が沈下するということがないように、硬質な材質
であればよく、石英板に限らず、例えば、ガラス板、金
属板、石板、硬質プラスチック板等でもよい。また、平
行移動する押圧体２２によって、バー状素子結合体１６
全体にわたって均一に荷重が加えられるように、バー状
素子結合体１６が載置される上面は、鏡面のように平坦
な状態とすることが好ましい。
【００４８】支持シート２３は、バー状素子結合体１６
を２次劈開した際に、各半導体レーザー素子１７が、飛
び散らないように設けられており、押圧体２２によって
バー状素子結合体１６に加えられる荷重が分散されるこ
となく、また、バー状素子結合体１６が大きく沈下する
ことなく支持台２１にて確実に支持されるように、小さ
な弾性力であることが好ましく、例えば、７０μｍ程度
の比較的薄いものが使用される。
を２次劈開した際に、各半導体レーザー素子１７が、飛
び散らないように設けられており、押圧体２２によって
バー状素子結合体１６に加えられる荷重が分散されるこ
となく、また、バー状素子結合体１６が大きく沈下する
ことなく支持台２１にて確実に支持されるように、小さ
な弾性力であることが好ましく、例えば、７０μｍ程度
の比較的薄いものが使用される。
【００４９】押圧体２２による荷重を受けたバー状素子
結合体１６は、支持シート２３内部へ一定量沈下した
後、硬質な支持台２１の作用によって安定し、それ以上
沈下することはない。また、支持シート２３による荷重
の吸収によって、バー状素子結合体の割れ欠けを全くな
きものにすることができる。さらに、本実施形態による
２次劈開後の各半導体レーザー素子１７は、支持シート
２３に密着されるために、飛散したり、位置がずれたり
することがない。
結合体１６は、支持シート２３内部へ一定量沈下した
後、硬質な支持台２１の作用によって安定し、それ以上
沈下することはない。また、支持シート２３による荷重
の吸収によって、バー状素子結合体の割れ欠けを全くな
きものにすることができる。さらに、本実施形態による
２次劈開後の各半導体レーザー素子１７は、支持シート
２３に密着されるために、飛散したり、位置がずれたり
することがない。
【００５０】バー状素子結合体１６上に載置される保護
シート２４は、少なくとも押圧体２２に圧接される側の
表面がシリコーン樹脂にてコーティング処理されている
ことが望ましい。このようにすれば、押圧体２２が、ロ
ーラーのごとき自転機構を有していなくても、押圧体２
２と保護シート２４との動的摩擦係数を非常に小さくで
きるため、大きな荷重を安定して付勢したまま、両者を
円滑に平行移動させることが可能である。逆に、押圧体
２２が自転するローラー状のものである場合、大きな荷
重を付勢したまま、転動させると、保護シート２４にロ
ーラーが絡みついたり、あるいは空回りしたりして、一
定荷重を確実に加えることができないおそれがある。ま
た、ローラーの回転部と支持部との接合機構によって
は、平行移動時に振動が発生して、劈開荷重のばらつき
が発生するおそれもある。また、常に一定荷重を一定速
度で加えるためには、ローラー部の保守管理を徹底する
必要があり、量産には適さない。
シート２４は、少なくとも押圧体２２に圧接される側の
表面がシリコーン樹脂にてコーティング処理されている
ことが望ましい。このようにすれば、押圧体２２が、ロ
ーラーのごとき自転機構を有していなくても、押圧体２
２と保護シート２４との動的摩擦係数を非常に小さくで
きるため、大きな荷重を安定して付勢したまま、両者を
円滑に平行移動させることが可能である。逆に、押圧体
２２が自転するローラー状のものである場合、大きな荷
重を付勢したまま、転動させると、保護シート２４にロ
ーラーが絡みついたり、あるいは空回りしたりして、一
定荷重を確実に加えることができないおそれがある。ま
た、ローラーの回転部と支持部との接合機構によって
は、平行移動時に振動が発生して、劈開荷重のばらつき
が発生するおそれもある。また、常に一定荷重を一定速
度で加えるためには、ローラー部の保守管理を徹底する
必要があり、量産には適さない。
【００５１】押圧体２２は、バー状素子結合体１６の全
体にわたって、一定の高荷重が一定速度で加えられるも
のであれば、材質、形状等は、特に限定されるものでは
ない。
体にわたって、一定の高荷重が一定速度で加えられるも
のであれば、材質、形状等は、特に限定されるものでは
ない。
【００５２】保護シート２４の表面と押圧体２２との間
の動的摩擦係数としては、それぞれの材質によって異な
る（例えば、日刊工業新聞社発行の「プラスチックの機
械的性質」における第２２３ページの図１６・１５参
照）が、０．１以下になっていることが好ましい。
の動的摩擦係数としては、それぞれの材質によって異な
る（例えば、日刊工業新聞社発行の「プラスチックの機
械的性質」における第２２３ページの図１６・１５参
照）が、０．１以下になっていることが好ましい。
【００５３】また、保護シート２４は、比較的硬質な樹
脂シートであるポリエチレンテレフタレートシート（Ｐ
ＥＴ）によって構成されているために、押圧体２２によ
る荷重が、バー状素子結合体１６に対して確実に加えら
れる。
脂シートであるポリエチレンテレフタレートシート（Ｐ
ＥＴ）によって構成されているために、押圧体２２によ
る荷重が、バー状素子結合体１６に対して確実に加えら
れる。
【００５４】保護シート２４の介在によって、バー状素
子結合体１６と押圧体２２とが直接接触することがない
ため、大きな荷重を加えても、２次劈開中に半導体レー
ザー素子１７が飛散したり、破損したりすることはな
い。
子結合体１６と押圧体２２とが直接接触することがない
ため、大きな荷重を加えても、２次劈開中に半導体レー
ザー素子１７が飛散したり、破損したりすることはな
い。
【００５５】しかも、バー状素子結合体１６上に載置さ
れた保護シート２４は、バー状素子結合体１６を覆った
際に、バー状素子結合体１６の側方に延出する部分が、
バー状素子結合体１６の側面に沿ってたわむことなく、
ほぼ水平な状態に保持されることが好ましい。このよう
な状態では、押圧体２２が、バー状素子結合体１６の側
方から平行移動する場合に、移動方向の上流側に位置す
るバー状素子結合体１６の端部において、保護シート２
４の段差が緩和されるために、バー状素子結合体１６の
端部近傍にある半導体レーザー素子１７の破損につなが
るダメージが加わることがない。
れた保護シート２４は、バー状素子結合体１６を覆った
際に、バー状素子結合体１６の側方に延出する部分が、
バー状素子結合体１６の側面に沿ってたわむことなく、
ほぼ水平な状態に保持されることが好ましい。このよう
な状態では、押圧体２２が、バー状素子結合体１６の側
方から平行移動する場合に、移動方向の上流側に位置す
るバー状素子結合体１６の端部において、保護シート２
４の段差が緩和されるために、バー状素子結合体１６の
端部近傍にある半導体レーザー素子１７の破損につなが
るダメージが加わることがない。
【００５６】なお、本実施の形態では、浅いエッチング
溝からなる劈開用溝部１５を起点とする２次劈開方法お
よび装置について述べたが、その他の劈開用溝、例え
ば、従来例の項で述べたようなスクライバ等によって機
械的に形成されたスクライブ傷を起点とする劈開や、ダ
イシングによってハーフブレークされたバー状素子結合
体の分離においても好適であることは明白である。
溝からなる劈開用溝部１５を起点とする２次劈開方法お
よび装置について述べたが、その他の劈開用溝、例え
ば、従来例の項で述べたようなスクライバ等によって機
械的に形成されたスクライブ傷を起点とする劈開や、ダ
イシングによってハーフブレークされたバー状素子結合
体の分離においても好適であることは明白である。
【００５７】
【発明の効果】本発明の半導体レーザー素子の製造方法
および劈開装置は、このように、エッチングにて形成さ
れる劈開用溝部を有するバー状素子結合体を、効率よ
く、しかも、確実に、複数の半導体レーザー素子に劈開
することができる。また、ローラー機構を有しない押圧
体２２をスライドさせるだけで、劈開できるので、装置
の機構を大幅に簡略化できる。
および劈開装置は、このように、エッチングにて形成さ
れる劈開用溝部を有するバー状素子結合体を、効率よ
く、しかも、確実に、複数の半導体レーザー素子に劈開
することができる。また、ローラー機構を有しない押圧
体２２をスライドさせるだけで、劈開できるので、装置
の機構を大幅に簡略化できる。
【図１】本発明の半導体レーザー素子の製造装置の実施
の形態の一例を示す要部の断面図である。
の形態の一例を示す要部の断面図である。
【図２】（ａ）〜(ｇ)は、それぞれ、本発明の半導体レ
ーザー素子の製造工程を示す概略図である。
ーザー素子の製造工程を示す概略図である。
【図３】（ａ）は、その装置に使用されるバー状素子結
合体の側面図、（ｂ）は、そのバー状素子結合体を劈開
して得られる半導体レーザー素子の斜視図である。
合体の側面図、（ｂ）は、そのバー状素子結合体を劈開
して得られる半導体レーザー素子の斜視図である。
【図４】（ａ）は、劈開が不良な状態のバー状素子結合
体の側面図、（ｂ）は、その不良な劈開によって得られ
た半導体レーザー素子の斜視図である。
体の側面図、（ｂ）は、その不良な劈開によって得られ
た半導体レーザー素子の斜視図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ、半導体レーザー
素子の製造工程を示す斜視図である。
素子の製造工程を示す斜視図である。
【図６】従来の半導体レーザー素子の製造装置の一例を
示す概略構成図である。
示す概略構成図である。
【図７】エッチングによって劈開用溝部が形成されたバ
ー状素子結合体の要部の斜視図である。
ー状素子結合体の要部の斜視図である。
１１ 半導体積層体 １２ 裏面電極板 １２ａ 裏面電極 １３ パターン電極 １４ スクライブ傷 １５ 劈開用溝部 １６ バー状素子結合体 １７ 半導体レーザー素子 ２１ 支持台 ２２ 押圧体 ２３ 支持シート ２４ 保護シート
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高森 晃 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工業 株式会社内 Ｆターム(参考） 5F073 DA32
Claims (13)
- 【請求項１】 活性層を含む複数の半導体層を積層して
半導体積層体を形成する工程と、 前記半導体積層体の前記半導体層に近い側の表面に、各
々が平行の複数の劈開用溝部を形成する工程と、 前記劈開用溝部と直交する方向に前記半導体積層体を劈
開することにより、該劈開方向を長手方向とする複数の
バー状素子結合体を形成する工程と、 前記バー状結合体の前記劈開用溝部を設けた側の面を支
持台側にして前記バー状素子結合体を前記支持台上に載
置する工程と、 前記バー状素子結合体の前記長手方向に押圧体を移動し
ながら、前記バー状結合体の前記劈開用溝部を設けた面
とは反対側の面に対して一定の荷重を押圧体により印加
することにより、前記劈開用溝部で前記バー状素子結合
体が劈開される工程と、 を有することを特徴とする半導体レーザー素子の製造方
法。 - 【請求項２】 前記劈開用溝部をエッチング処理によっ
て形成する請求項１に記載の半導体レーザー素子の製造
方法。 - 【請求項３】 前記バー状素子結合体は、支持シートを
介して支持台上に載置されている請求項１または２に記
載の半導体レーザー素子の製造方法。 - 【請求項４】 前記支持シートは、ポリ塩化ビニルから
なる請求項３に記載の半導体レーザー素子の製造方法。 - 【請求項５】 前記押圧体は、保護シートを介して前記
バー状素子結合体に荷重を印加する請求項１〜４のいず
れかに記載の半導体レーザー素子の製造方法。 - 【請求項６】 前記保護シートは、前記押圧体側の面を
シリコーン樹脂でコーティング処理をしたポリエチレン
テレフタレートからなる請求項５に記載の半導体レーザ
ー素子の製造方法。 - 【請求項７】 前記支持台は、硬質材料からなる請求項
１に記載の半導体レーザー素子の製造方法。 - 【請求項８】 前記劈開用溝部の前記半導体層に近い側
の表面から深さを、０．５μｍ以上５μｍ以下とする請
求項１〜７のいずれかに記載の半導体レーザー素子の製
造方法。 - 【請求項９】 前記バー状素子結合体上で前記押圧体を
移動させる速度および印加する荷重を、それぞれ１０ｍ
ｍ／秒以上１００ｍｍ／秒以下、及び、５Ｎ以上２０Ｎ
以下とする請求項１〜８のいずれかに記載の半導体レー
ザー素子の製造方法。 - 【請求項１０】 活性層を含む複数の半導体層を積層し
て半導体積層体を形成した後に、前記半導体積層体の前
記半導体層に近い側の表面に、各々が平行の複数の劈開
用溝部を形成し、次いで、前記劈開用溝部と直交する方
向に前記半導体積層体を劈開することにより、該劈開方
向を長手方向とするよう形成した複数のバー状素子結合
体を用いて半導体レーザー素子を作製する劈開装置であ
って、前記バー状素子結合体が載置される支持台と、 前記支持台に載置される前記バー状素子結合体に対して
一定の荷重を加えた状態で、前記バー状素子結合体の長
手方向に沿って所定の速度にて平行移動するように配置
された押圧体と、 を具備することを特徴とする劈開装置。 - 【請求項１１】 前記バー状素子結合体の劈開用の溝部
がエッチング処理により形成されている請求項１０に記
載の劈開装置。 - 【請求項１２】 前記バー状素子結合体上で前記押圧体
を移動させる速度および印加する荷重を、それぞれ１０
ｍｍ／秒以上１００ｍｍ／秒以下、及び５Ｎ以上２０Ｎ
以下とする請求項１０に記載の劈開装置。 - 【請求項１３】 前記押圧体は、非回転体である請求項
１０に記載の劈開装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30317999A JP3444536B2 (ja) | 1999-10-25 | 1999-10-25 | 半導体レーザー素子の製造方法および劈開装置 |
| US09/695,773 US6488021B1 (en) | 1999-10-25 | 2000-10-25 | Method and apparatus for producing semiconductor element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30317999A JP3444536B2 (ja) | 1999-10-25 | 1999-10-25 | 半導体レーザー素子の製造方法および劈開装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001127369A true JP2001127369A (ja) | 2001-05-11 |
| JP3444536B2 JP3444536B2 (ja) | 2003-09-08 |
Family
ID=17917844
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30317999A Expired - Fee Related JP3444536B2 (ja) | 1999-10-25 | 1999-10-25 | 半導体レーザー素子の製造方法および劈開装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6488021B1 (ja) |
| JP (1) | JP3444536B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2010267795A (ja) * | 2009-05-14 | 2010-11-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| JP2015529020A (ja) * | 2012-08-13 | 2015-10-01 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ | 半導体レーザ素子を製造する方法および半導体レーザ素子 |
| US10930559B2 (en) | 2017-04-12 | 2021-02-23 | Mitsubishi Electric Corporation | Method for manufacturing semiconductor device |
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| DE10101737A1 (de) * | 2001-01-16 | 2002-07-25 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Vereinzeln von Wafern in Chips |
| US7052977B1 (en) | 2004-07-06 | 2006-05-30 | National Semiconductor Corporation | Method of dicing a semiconductor wafer that substantially reduces the width of the saw street |
| JP2006150385A (ja) * | 2004-11-26 | 2006-06-15 | Canon Inc | レーザ割断方法 |
| US20070134833A1 (en) * | 2005-12-14 | 2007-06-14 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Semiconductor element and method of making same |
| WO2010011851A1 (en) * | 2008-07-23 | 2010-01-28 | Cleveland State University | An electrode, an electrochemical device and method thereof |
| CN113675079B (zh) * | 2020-05-14 | 2022-08-23 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 一种转移方法及显示装置 |
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| JPH0834337B2 (ja) * | 1990-04-02 | 1996-03-29 | シャープ株式会社 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
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| JP3409928B2 (ja) * | 1994-10-15 | 2003-05-26 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
-
1999
- 1999-10-25 JP JP30317999A patent/JP3444536B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-10-25 US US09/695,773 patent/US6488021B1/en not_active Expired - Lifetime
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| US10930559B2 (en) | 2017-04-12 | 2021-02-23 | Mitsubishi Electric Corporation | Method for manufacturing semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3444536B2 (ja) | 2003-09-08 |
| US6488021B1 (en) | 2002-12-03 |
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