JP2001114533A - 透明導電膜付きガラス板およびこれを用いたガラス物品 - Google Patents
透明導電膜付きガラス板およびこれを用いたガラス物品Info
- Publication number
- JP2001114533A JP2001114533A JP29760999A JP29760999A JP2001114533A JP 2001114533 A JP2001114533 A JP 2001114533A JP 29760999 A JP29760999 A JP 29760999A JP 29760999 A JP29760999 A JP 29760999A JP 2001114533 A JP2001114533 A JP 2001114533A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent conductive
- conductive film
- glass
- film
- glass plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/3411—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials
- C03C17/3417—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials all coatings being oxide coatings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
- C03C17/23—Oxides
- C03C17/245—Oxides by deposition from the vapour phase
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24942—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24942—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
- Y10T428/2495—Thickness [relative or absolute]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24942—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
- Y10T428/2495—Thickness [relative or absolute]
- Y10T428/24967—Absolute thicknesses specified
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24942—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
- Y10T428/2495—Thickness [relative or absolute]
- Y10T428/24967—Absolute thicknesses specified
- Y10T428/24975—No layer or component greater than 5 mils thick
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
- Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
- Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
- Y10T428/264—Up to 3 mils
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
- Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
- Y10T428/264—Up to 3 mils
- Y10T428/265—1 mil or less
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ガラス板上に成膜された透明導電膜は、大気
中で熱処理されると導電性が低下する。予め窒素雰囲気
中などで熱処理して導電性を向上させても、最終製品へ
の加工の際の大気中での加熱により導電性が大きく低下
するため、却って特性不確定要素を持ち込むことにな
る。 【解決手段】 錫フロート層１２内のコータ１６から被
膜形成原料をガラスリボン１０へと供給してＣＶＤ法に
より２層の中間膜と酸化錫を主成分とする透明導電膜と
を連続的に成膜する。透明導電膜の膜厚は３６０ｎｍ以
上とする。中間膜の膜厚はともに５〜５０ｎｍとする。
成膜時のガラス温度は６００℃以上とする。こうして、
大気中４５０℃で３時間加熱しても、シート抵抗値の増
加が１５％以下である透明導電膜を形成する。
中で熱処理されると導電性が低下する。予め窒素雰囲気
中などで熱処理して導電性を向上させても、最終製品へ
の加工の際の大気中での加熱により導電性が大きく低下
するため、却って特性不確定要素を持ち込むことにな
る。 【解決手段】 錫フロート層１２内のコータ１６から被
膜形成原料をガラスリボン１０へと供給してＣＶＤ法に
より２層の中間膜と酸化錫を主成分とする透明導電膜と
を連続的に成膜する。透明導電膜の膜厚は３６０ｎｍ以
上とする。中間膜の膜厚はともに５〜５０ｎｍとする。
成膜時のガラス温度は６００℃以上とする。こうして、
大気中４５０℃で３時間加熱しても、シート抵抗値の増
加が１５％以下である透明導電膜を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ガラス板の表面に
透明導電膜が形成された透明導電膜付きガラス板に関す
るものであり、さらに詳しくは熱処理前後の抵抗変化率
が少ない透明導電膜付きガラス板およびこれを用いたガ
ラス物品に関するものである。
透明導電膜が形成された透明導電膜付きガラス板に関す
るものであり、さらに詳しくは熱処理前後の抵抗変化率
が少ない透明導電膜付きガラス板およびこれを用いたガ
ラス物品に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】透明導電膜を形成したガラス板は、透明
導電体として、太陽電池などの光起電力デバイスや、液
晶表示素子、プラズマディスプレイパネルなどの画像表
示装置に広く利用されている。建築物の窓では、Ｌｏｗ
−Ｅガラス、電磁遮蔽ガラスなどとして利用されてい
る。車両の窓ガラスや店舗用冷蔵庫においても、熱線遮
蔽ガラスやくもり止め機能付きガラスなどとして利用さ
れている。透明導電膜としては、フッ素やアンチモンな
どの微量成分をドープした酸化錫膜、錫をドープした酸
化インジウム（ＩＴＯ）膜などが知られている。透明導
電膜は、スパッタリング法、真空蒸着法などのいわゆる
物理蒸着法によっても成膜されるが、スプレー法や化学
気相法（ＣＶＤ法）など熱分解酸化反応を伴う化学蒸着
法によっても成膜される。
導電体として、太陽電池などの光起電力デバイスや、液
晶表示素子、プラズマディスプレイパネルなどの画像表
示装置に広く利用されている。建築物の窓では、Ｌｏｗ
−Ｅガラス、電磁遮蔽ガラスなどとして利用されてい
る。車両の窓ガラスや店舗用冷蔵庫においても、熱線遮
蔽ガラスやくもり止め機能付きガラスなどとして利用さ
れている。透明導電膜としては、フッ素やアンチモンな
どの微量成分をドープした酸化錫膜、錫をドープした酸
化インジウム（ＩＴＯ）膜などが知られている。透明導
電膜は、スパッタリング法、真空蒸着法などのいわゆる
物理蒸着法によっても成膜されるが、スプレー法や化学
気相法（ＣＶＤ法）など熱分解酸化反応を伴う化学蒸着
法によっても成膜される。
【０００３】ＣＶＤ法により、フロート法におけるガラ
ス板製造ライン上で透明導電膜を成膜する方法も知られ
ている。例えば、特開平１−９６０４４号公報には、錫
フロート槽内のガラスリボン上に酸化錫膜を成膜する方
法が開示されている。同公報によると、この方法により
成膜された酸化錫膜は、所定膜厚では最も低い抵抗値を
示す。同公報には、酸化錫膜の好ましい膜厚として２０
０〜３５０ｎｍが記載されている。また、特表平４−５
０２３０５号公報にも、錫フロート槽内で酸化錫膜を成
膜する方法が開示されており、具体的には、膜厚約２２
０ｎｍの酸化錫膜を成膜した例が記載されている。
ス板製造ライン上で透明導電膜を成膜する方法も知られ
ている。例えば、特開平１−９６０４４号公報には、錫
フロート槽内のガラスリボン上に酸化錫膜を成膜する方
法が開示されている。同公報によると、この方法により
成膜された酸化錫膜は、所定膜厚では最も低い抵抗値を
示す。同公報には、酸化錫膜の好ましい膜厚として２０
０〜３５０ｎｍが記載されている。また、特表平４−５
０２３０５号公報にも、錫フロート槽内で酸化錫膜を成
膜する方法が開示されており、具体的には、膜厚約２２
０ｎｍの酸化錫膜を成膜した例が記載されている。
【０００４】被膜形成原料の熱分解酸化反応により成膜
された透明導電膜、特に酸化錫膜は、耐薬品性などに優
れ、安価な原料で成膜できる。しかし、熱分解酸化反応
を伴う方法により成膜すると、高い導電性（低い比抵
抗）を有する透明導電膜を得ることが難しい。
された透明導電膜、特に酸化錫膜は、耐薬品性などに優
れ、安価な原料で成膜できる。しかし、熱分解酸化反応
を伴う方法により成膜すると、高い導電性（低い比抵
抗）を有する透明導電膜を得ることが難しい。
【０００５】特開昭６３−１８４２１０号公報には、熱
分解酸化反応を伴う方法により成膜した透明導電膜を、
窒素雰囲気中や水素雰囲気中で熱処理することにより、
透明導電膜の導電性を改善する方法が開示されている。
同公報には、上記熱処理により、膜厚約２００ｎｍの酸
化錫膜の抵抗値を低下させた例が記載されている。
分解酸化反応を伴う方法により成膜した透明導電膜を、
窒素雰囲気中や水素雰囲気中で熱処理することにより、
透明導電膜の導電性を改善する方法が開示されている。
同公報には、上記熱処理により、膜厚約２００ｎｍの酸
化錫膜の抵抗値を低下させた例が記載されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】特開昭６３−１８４２
１０号公報に記載の方法によれば、確かに、透明導電膜
の抵抗値は一旦低下する。しかし、透明導電膜が形成さ
れたガラス板は、最終製品へと加工する工程において、
再度加熱されることが多い。例えば、ガラス板の曲げ加
工や強化処理は、ガラス板を加熱してから行われる。複
層ガラスの製造にも、加熱を要する封止剤が使用される
ことがある。光起電力デバイスや画像表示装置は、透明
導電膜付きガラス板が基板として使用され、この基板の
加工工程において加熱が必須とされる場合もある。この
加熱は大気中で行われることが多い。大気中で加熱され
ると、酸化錫膜など透明導電膜の抵抗値は増加する傾向
を示す。
１０号公報に記載の方法によれば、確かに、透明導電膜
の抵抗値は一旦低下する。しかし、透明導電膜が形成さ
れたガラス板は、最終製品へと加工する工程において、
再度加熱されることが多い。例えば、ガラス板の曲げ加
工や強化処理は、ガラス板を加熱してから行われる。複
層ガラスの製造にも、加熱を要する封止剤が使用される
ことがある。光起電力デバイスや画像表示装置は、透明
導電膜付きガラス板が基板として使用され、この基板の
加工工程において加熱が必須とされる場合もある。この
加熱は大気中で行われることが多い。大気中で加熱され
ると、酸化錫膜など透明導電膜の抵抗値は増加する傾向
を示す。
【０００７】透明導電膜を予め窒素雰囲気中や水素雰囲
気中で加熱すると、大気中での熱処理後の抵抗値の変化
が大きくなる。したがって、透明導電膜の導電性につい
て、却って不確定要素を持ち込むことになる。このよう
な不確定要素は、最終製品の特性を安定させるためには
望ましくない。
気中で加熱すると、大気中での熱処理後の抵抗値の変化
が大きくなる。したがって、透明導電膜の導電性につい
て、却って不確定要素を持ち込むことになる。このよう
な不確定要素は、最終製品の特性を安定させるためには
望ましくない。
【０００８】そこで、本発明は、最終製品の特性を安定
させるという観点から、高い導電性を有しながらも、大
気中での加熱に伴う導電性の変化が抑制された透明導電
膜付きガラス板を提供することを目的とする。
させるという観点から、高い導電性を有しながらも、大
気中での加熱に伴う導電性の変化が抑制された透明導電
膜付きガラス板を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明者は、まず、加工に伴う熱処理として、大気
中４５０℃での熱処理を想定することとした。従来の透
明導電膜付きガラス板は、この条件で３時間程度熱処理
するとシート抵抗値（面積抵抗値）が大きく上昇する。
しかし、透明導電膜付きガラス板の加工工程を考慮する
と、上記程度の加熱温度、加熱時間を経てもシート抵抗
値の変化が小さいことが望まれる。
に、本発明者は、まず、加工に伴う熱処理として、大気
中４５０℃での熱処理を想定することとした。従来の透
明導電膜付きガラス板は、この条件で３時間程度熱処理
するとシート抵抗値（面積抵抗値）が大きく上昇する。
しかし、透明導電膜付きガラス板の加工工程を考慮する
と、上記程度の加熱温度、加熱時間を経てもシート抵抗
値の変化が小さいことが望まれる。
【００１０】次に、本発明者は、透明導電膜の導電性を
確保するために、窒素雰囲気中や水素雰囲気中で予め加
熱するのではなく、透明導電膜の膜厚を３６０ｎｍ以
上、好ましくは４００ｎｍ以上とすることとした。透明
導電膜の厚膜化による低抵抗化は、大気中での熱処理に
よる影響を受けにくい。さらに、本発明者は、透明導電
膜とガラス板との間に形成する中間膜の構成、透明導電
膜の成膜条件などを種々検討した結果、上記熱処理によ
る透明導電膜のシート抵抗値の変化率を、上記熱処理前
におけるシート抵抗値を基準として１５％以下にまで抑
制することに成功した。
確保するために、窒素雰囲気中や水素雰囲気中で予め加
熱するのではなく、透明導電膜の膜厚を３６０ｎｍ以
上、好ましくは４００ｎｍ以上とすることとした。透明
導電膜の厚膜化による低抵抗化は、大気中での熱処理に
よる影響を受けにくい。さらに、本発明者は、透明導電
膜とガラス板との間に形成する中間膜の構成、透明導電
膜の成膜条件などを種々検討した結果、上記熱処理によ
る透明導電膜のシート抵抗値の変化率を、上記熱処理前
におけるシート抵抗値を基準として１５％以下にまで抑
制することに成功した。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の透明導電膜付きガ
ラス板の好ましい形態について説明する。透明導電膜
は、酸化物を主成分とする膜が好ましく、特に酸化錫を
主成分とする膜が好ましい。透明導電膜には、フッ素、
アンチモンなどの微量成分を適宜添加して導電性を高め
ることが好ましい。透明導電膜の膜厚は３６０ｎｍ以
上、さらに３７０ｎｍ以上、特に４００ｎｍ以上の厚膜
とすることが好ましい。透明導電膜の膜厚の上限は、特
に制限されないが、１２００ｎｍ程度が適当である。
ラス板の好ましい形態について説明する。透明導電膜
は、酸化物を主成分とする膜が好ましく、特に酸化錫を
主成分とする膜が好ましい。透明導電膜には、フッ素、
アンチモンなどの微量成分を適宜添加して導電性を高め
ることが好ましい。透明導電膜の膜厚は３６０ｎｍ以
上、さらに３７０ｎｍ以上、特に４００ｎｍ以上の厚膜
とすることが好ましい。透明導電膜の膜厚の上限は、特
に制限されないが、１２００ｎｍ程度が適当である。
【００１２】ガラス板と透明導電膜との間には、中間膜
が介在していることが好ましい。中間膜は、ガラス板に
含まれるアルカリ成分の透明導電膜への拡散を抑制する
アルカリバリア層となる。アルカリ成分による透明導電
膜の抵抗値の上昇を抑えるために、ガラス板と透明導電
膜との間には、少なくとも２層の中間膜を形成すること
が好ましい。
が介在していることが好ましい。中間膜は、ガラス板に
含まれるアルカリ成分の透明導電膜への拡散を抑制する
アルカリバリア層となる。アルカリ成分による透明導電
膜の抵抗値の上昇を抑えるために、ガラス板と透明導電
膜との間には、少なくとも２層の中間膜を形成すること
が好ましい。
【００１３】中間膜を２層とした態様について、図１を
参照してさらに説明する。ガラス板１側に近い第１の中
間膜２としては、例えば、酸化錫を主成分とする膜が好
適である。第１の中間膜上に積層される第２の中間膜３
としては、例えば酸化珪素および酸化アルミニウムから
選ばれる少なくとも一方を主成分とする膜が好ましく、
特に酸化珪素を主成分とする膜が好適である。両中間膜
とも、好ましい膜厚の範囲は５ｎｍ〜５０ｎｍである。
中間膜の膜厚が薄すぎるとアルカリバリア性能が低下し
て透明導電膜４のシート抵抗値が大きく低下するおそれ
がある。一方、中間膜が厚すぎると透明導電膜付きガラ
ス板の光学特性や外観が劣化する場合がある。中間膜に
も、フッ素、塩素その他の微量成分が含まれていても構
わない。また、透明導電膜や中間膜には、上記に記載し
た以外にも、鉄、ニッケル、コバルト、クロム、バナジ
ウム、ニオブ、モリブデン、ランタン、チタン、タング
ステン、亜鉛その他の微量成分が含まれていても構わな
い。
参照してさらに説明する。ガラス板１側に近い第１の中
間膜２としては、例えば、酸化錫を主成分とする膜が好
適である。第１の中間膜上に積層される第２の中間膜３
としては、例えば酸化珪素および酸化アルミニウムから
選ばれる少なくとも一方を主成分とする膜が好ましく、
特に酸化珪素を主成分とする膜が好適である。両中間膜
とも、好ましい膜厚の範囲は５ｎｍ〜５０ｎｍである。
中間膜の膜厚が薄すぎるとアルカリバリア性能が低下し
て透明導電膜４のシート抵抗値が大きく低下するおそれ
がある。一方、中間膜が厚すぎると透明導電膜付きガラ
ス板の光学特性や外観が劣化する場合がある。中間膜に
も、フッ素、塩素その他の微量成分が含まれていても構
わない。また、透明導電膜や中間膜には、上記に記載し
た以外にも、鉄、ニッケル、コバルト、クロム、バナジ
ウム、ニオブ、モリブデン、ランタン、チタン、タング
ステン、亜鉛その他の微量成分が含まれていても構わな
い。
【００１４】透明導電膜の成膜には、スプレー法、ＣＶ
Ｄ法などの被膜形成原料の熱分解酸化反応を伴う方法が
適している。スプレー法としては、金属化合物を含む溶
液を高温のガラス板上に噴霧する溶液スプレー法、上記
溶液に代えて金属化合物の微粒子を液体に分散させた分
散液を用いる分散液スプレー法、上記溶液に代えて金属
化合物の粉末を用いる粉末スプレー法などが挙げられ
る。これに対し、ＣＶＤ法では、被膜形成原料の蒸気が
ガラス板上に供給される。
Ｄ法などの被膜形成原料の熱分解酸化反応を伴う方法が
適している。スプレー法としては、金属化合物を含む溶
液を高温のガラス板上に噴霧する溶液スプレー法、上記
溶液に代えて金属化合物の微粒子を液体に分散させた分
散液を用いる分散液スプレー法、上記溶液に代えて金属
化合物の粉末を用いる粉末スプレー法などが挙げられ
る。これに対し、ＣＶＤ法では、被膜形成原料の蒸気が
ガラス板上に供給される。
【００１５】スプレー法は、比較的簡便な装置で実施で
きるという利点があるが、液滴の制御や排気されるべき
生成物（反応生成物、未分解生成物など）の制御が難し
いため、膜厚の均一性を確保しにくい。また、ガラスの
歪みも大きくなる。このため、透明導電膜の成膜法とし
ては、総合的にはＣＶＤ法が優れている。
きるという利点があるが、液滴の制御や排気されるべき
生成物（反応生成物、未分解生成物など）の制御が難し
いため、膜厚の均一性を確保しにくい。また、ガラスの
歪みも大きくなる。このため、透明導電膜の成膜法とし
ては、総合的にはＣＶＤ法が優れている。
【００１６】ＣＶＤ法による透明導電膜の成膜は、所定
の大きさに切断し、加熱したガラス板にガス状の原料を
吹きつけて行うことができる。例えば、ガラス板をメッ
シュベルトを用いて加熱炉を通過させて所定温度にまで
加熱し、さらにガラス板の表面に被膜形成原料を供給し
てガラス板の熱により反応させれば、透明導電膜を成膜
できる。ＣＶＤ法などによる透明導電膜の成膜は、フロ
ート法によるガラス製造工程のガラスリボン上において
行うことが好ましい。この好ましい製法によれば、ガラ
ス成形時の熱エネルギーを活用できる。また、大面積の
成膜にも有利である。
の大きさに切断し、加熱したガラス板にガス状の原料を
吹きつけて行うことができる。例えば、ガラス板をメッ
シュベルトを用いて加熱炉を通過させて所定温度にまで
加熱し、さらにガラス板の表面に被膜形成原料を供給し
てガラス板の熱により反応させれば、透明導電膜を成膜
できる。ＣＶＤ法などによる透明導電膜の成膜は、フロ
ート法によるガラス製造工程のガラスリボン上において
行うことが好ましい。この好ましい製法によれば、ガラ
ス成形時の熱エネルギーを活用できる。また、大面積の
成膜にも有利である。
【００１７】ＣＶＤ法など熱分解酸化反応を伴う方法に
より透明導電膜を成膜する際のガラスの温度は、４００
℃以上７００℃以下が適当であるが、シート抵抗値の変
化を抑制するためにはガラスの温度がさらに高いことが
好ましく、具体的には６００℃以上、特に６２０℃以上
が好ましい。透明導電膜を高温で成膜するとシート抵抗
値の変化が抑制される理由は必ずしも明らかではない
が、結晶粒径の変化や不純物の再配列などの熱処理に伴
う構造変化が生じにくくなるためと考えられる。中間膜
についても、構造変化は望ましくないため、６００℃以
上、特に６２０℃以上のガラス上における、被膜形成原
料の熱分解酸化反応、特にＣＶＤ法により形成すること
が好ましい。
より透明導電膜を成膜する際のガラスの温度は、４００
℃以上７００℃以下が適当であるが、シート抵抗値の変
化を抑制するためにはガラスの温度がさらに高いことが
好ましく、具体的には６００℃以上、特に６２０℃以上
が好ましい。透明導電膜を高温で成膜するとシート抵抗
値の変化が抑制される理由は必ずしも明らかではない
が、結晶粒径の変化や不純物の再配列などの熱処理に伴
う構造変化が生じにくくなるためと考えられる。中間膜
についても、構造変化は望ましくないため、６００℃以
上、特に６２０℃以上のガラス上における、被膜形成原
料の熱分解酸化反応、特にＣＶＤ法により形成すること
が好ましい。
【００１８】ガラス製造工程におけるガラスリボン上に
成膜すれば、高い基板温度を保ちながら効率よく成膜で
きる。特に、錫フロート槽空間でＣＶＤ法を行えば、軟
化点以上の温度を有するガラス表面にも成膜が行うこと
ができる。錫フロート槽空間での成膜は、成膜速度、原
料反応効率の点でも好ましい結果が得られる。また、膜
のピンホール（膜抜け）などの欠点も抑制できる。さら
に、中間膜と透明導電膜とを、上記に記載した程度の高
温で連続して成膜できる。
成膜すれば、高い基板温度を保ちながら効率よく成膜で
きる。特に、錫フロート槽空間でＣＶＤ法を行えば、軟
化点以上の温度を有するガラス表面にも成膜が行うこと
ができる。錫フロート槽空間での成膜は、成膜速度、原
料反応効率の点でも好ましい結果が得られる。また、膜
のピンホール（膜抜け）などの欠点も抑制できる。さら
に、中間膜と透明導電膜とを、上記に記載した程度の高
温で連続して成膜できる。
【００１９】以下、フロート法によるガラス板製造ライ
ン上における成膜方法についてさらに説明する。フロー
ト法におけるガラスリボン上にＣＶＤ法により成膜する
ための装置の一形態を図２に示す。図２に示したよう
に、この装置では、溶融炉（フロート窯）１１から錫フ
ロート槽（フロートバス）１２内に流れ出し、錫浴１５
上を帯状に移動するガラスリボン１０の表面から所定距
離を隔て、所定個数のコータ１６（図示した形態では３
つのコータ１６ａ，１６ｂ，１６ｃ）が錫フロート槽内
に配置されている。これらのコータからは、ガス状の原
料が供給され、ガラスリボン１０上に連続して被膜が形
成されていく。また、複数のコータを利用すれば、ガラ
スリボン１０上に、複数の膜をＣＶＤ法により連続的に
積層できる。ガラスリボンの温度は、コータ１６の直前
で所定温度となるように、錫フロート槽内に配置された
ヒータおよびクーラ（図示省略）により調整される。透
明導電膜を含む被膜が形成されたガラスリボン１０は、
ローラ１７により引き上げられて、徐冷炉１３へと送り
込まれる。徐冷炉１３で徐冷されたガラス板は、図示を
省略するフロート法汎用の切断装置により、所定の大き
さのガラス板へと切断される。
ン上における成膜方法についてさらに説明する。フロー
ト法におけるガラスリボン上にＣＶＤ法により成膜する
ための装置の一形態を図２に示す。図２に示したよう
に、この装置では、溶融炉（フロート窯）１１から錫フ
ロート槽（フロートバス）１２内に流れ出し、錫浴１５
上を帯状に移動するガラスリボン１０の表面から所定距
離を隔て、所定個数のコータ１６（図示した形態では３
つのコータ１６ａ，１６ｂ，１６ｃ）が錫フロート槽内
に配置されている。これらのコータからは、ガス状の原
料が供給され、ガラスリボン１０上に連続して被膜が形
成されていく。また、複数のコータを利用すれば、ガラ
スリボン１０上に、複数の膜をＣＶＤ法により連続的に
積層できる。ガラスリボンの温度は、コータ１６の直前
で所定温度となるように、錫フロート槽内に配置された
ヒータおよびクーラ（図示省略）により調整される。透
明導電膜を含む被膜が形成されたガラスリボン１０は、
ローラ１７により引き上げられて、徐冷炉１３へと送り
込まれる。徐冷炉１３で徐冷されたガラス板は、図示を
省略するフロート法汎用の切断装置により、所定の大き
さのガラス板へと切断される。
【００２０】ＣＶＤ法で形成される透明導電膜の錫原料
としては、四塩化錫、ジメチル錫ジクロライド、ジブチ
ル錫ジクロライド、テトラメチル錫、テトラブチル錫、
ジオクチル錫ジクロライド、モノブチル錫トリクロライ
ド、ジブチル錫ジアセテートなどが挙げられる。錫原料
から酸化錫を得るために用いられる酸化原料としては、
酸素、水蒸気、乾燥空気などが挙げられる。また、フッ
素原料としては、フッ化水素、トリフルオロ酢酸、ブロ
モトリフルオロメタン、クロロジフルオロメタン、ジフ
ルオロエタンなどが挙げられる。また、アンチモンを添
加する場合には、五塩化アンチモン、三塩化アンチモン
などを用いることができる。
としては、四塩化錫、ジメチル錫ジクロライド、ジブチ
ル錫ジクロライド、テトラメチル錫、テトラブチル錫、
ジオクチル錫ジクロライド、モノブチル錫トリクロライ
ド、ジブチル錫ジアセテートなどが挙げられる。錫原料
から酸化錫を得るために用いられる酸化原料としては、
酸素、水蒸気、乾燥空気などが挙げられる。また、フッ
素原料としては、フッ化水素、トリフルオロ酢酸、ブロ
モトリフルオロメタン、クロロジフルオロメタン、ジフ
ルオロエタンなどが挙げられる。また、アンチモンを添
加する場合には、五塩化アンチモン、三塩化アンチモン
などを用いることができる。
【００２１】ＣＶＤ法により中間膜として酸化珪素膜を
形成する場合のシリコン原料としては、モノシラン、ジ
シラン、トリシラン、モノクロロシラン、ジクロロシラ
ン、1,2-ジメチルシラン、1,1,2-トリメチルジシラン、
1,1,2,2-テトラメチルジシランなどが、酸化剤として
は、酸素、水蒸気、乾燥空気、二酸化炭素、一酸化炭
素、二酸化窒素などが挙げられる。
形成する場合のシリコン原料としては、モノシラン、ジ
シラン、トリシラン、モノクロロシラン、ジクロロシラ
ン、1,2-ジメチルシラン、1,1,2-トリメチルジシラン、
1,1,2,2-テトラメチルジシランなどが、酸化剤として
は、酸素、水蒸気、乾燥空気、二酸化炭素、一酸化炭
素、二酸化窒素などが挙げられる。
【００２２】なお、シランを使用した場合にガラス表面
に達するまでの酸化を防止し、酸化珪素膜の屈折率を制
御するため、エチレン、アセチレン、トルエンなど不飽
和炭化水素ガスを添加してもよい。
に達するまでの酸化を防止し、酸化珪素膜の屈折率を制
御するため、エチレン、アセチレン、トルエンなど不飽
和炭化水素ガスを添加してもよい。
【００２３】また、ＣＶＤ法により中間膜として酸化錫
膜を形成する場合の錫原料としては、四塩化錫、ジメチ
ル錫ジクロライド、ジブチル錫ジクロライド、テトラメ
チル錫、テトラブチル錫、ジオクチル錫ジクロライド、
モノブチル錫トリクロライド、ジブチル錫ジアセテート
などが挙げられる。錫原料から酸化錫を得るために用い
られる酸化原料としては、酸素、水蒸気、乾燥空気など
が挙げられる。この酸化錫膜にも、フッ素やアンチモン
を添加してもかまわない。
膜を形成する場合の錫原料としては、四塩化錫、ジメチ
ル錫ジクロライド、ジブチル錫ジクロライド、テトラメ
チル錫、テトラブチル錫、ジオクチル錫ジクロライド、
モノブチル錫トリクロライド、ジブチル錫ジアセテート
などが挙げられる。錫原料から酸化錫を得るために用い
られる酸化原料としては、酸素、水蒸気、乾燥空気など
が挙げられる。この酸化錫膜にも、フッ素やアンチモン
を添加してもかまわない。
【００２４】以上説明した方法を用いれば、４５０℃の
大気中で３時間熱処理しても、透明導電膜付きガラス板
のシート抵抗値の変化率を１５％以下、特に１０％以下
にまで抑制した透明導電膜付きガラス板を製造できる。
熱処理前のシート抵抗値は、２５Ω／スクエア（Ω／
□）以下、特に２０Ω／□以下が好ましい。
大気中で３時間熱処理しても、透明導電膜付きガラス板
のシート抵抗値の変化率を１５％以下、特に１０％以下
にまで抑制した透明導電膜付きガラス板を製造できる。
熱処理前のシート抵抗値は、２５Ω／スクエア（Ω／
□）以下、特に２０Ω／□以下が好ましい。
【００２５】この透明導電膜付きガラス板は、従来から
透明導電膜を形成したガラス板が利用されていた各種ガ
ラス物品に特に制限することなく使用できる。ここで
は、ガラス物品として、太陽電池および複層ガラスを例
として説明する。
透明導電膜を形成したガラス板が利用されていた各種ガ
ラス物品に特に制限することなく使用できる。ここで
は、ガラス物品として、太陽電池および複層ガラスを例
として説明する。
【００２６】図３は、本発明の透明導電膜付きガラス板
を用いたアモルファスシリコン太陽電池の一例の断面図
である。このアモルファスシリコン太陽電池では、ガラ
ス板２１上に、第１の中間膜２２、第２の中間膜２３、
透明導電膜２４がこの順に形成され、さらに透明導電膜
上に光電変換層としてアモルファスシリコン（ａ−Ｓ
ｉ：Ｈ）層２５が形成されている。アモルファスシリコ
ン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）層は、水素ガスで希釈されたモノシ
ランを原料とし、グロー放電を用いたプラズマＣＶＤ法
により作製される。アモルファスシリコン層２５は、ｐ
ｉｎ接合が形成されるように、透明導電膜側から順に、
ｐ層（膜厚：１０ｎｍ程度）、ｉ層（膜厚：３００〜３
５０ｎｍ程度）、ｎ層（膜厚：４０ｎｍ程度）が積層さ
れて構成されている。アモルファスシリコン層２５の表
面上には、金属電極層２６が形成される。アモルファス
シリコン太陽電池の作製工程において、透明導電膜は、
ａ−Ｓｉ：Ｈ層形成に先立ち、洗浄、乾燥、焼成の各工
程を経る。焼成の際、透明導電膜は、通常、大気中にお
いて４５０℃程度で加熱される。この焼成は、洗浄後も
なお透明導電膜に残留している汚れの除去、および透明
導電膜の結晶性向上のために行われる。
を用いたアモルファスシリコン太陽電池の一例の断面図
である。このアモルファスシリコン太陽電池では、ガラ
ス板２１上に、第１の中間膜２２、第２の中間膜２３、
透明導電膜２４がこの順に形成され、さらに透明導電膜
上に光電変換層としてアモルファスシリコン（ａ−Ｓ
ｉ：Ｈ）層２５が形成されている。アモルファスシリコ
ン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）層は、水素ガスで希釈されたモノシ
ランを原料とし、グロー放電を用いたプラズマＣＶＤ法
により作製される。アモルファスシリコン層２５は、ｐ
ｉｎ接合が形成されるように、透明導電膜側から順に、
ｐ層（膜厚：１０ｎｍ程度）、ｉ層（膜厚：３００〜３
５０ｎｍ程度）、ｎ層（膜厚：４０ｎｍ程度）が積層さ
れて構成されている。アモルファスシリコン層２５の表
面上には、金属電極層２６が形成される。アモルファス
シリコン太陽電池の作製工程において、透明導電膜は、
ａ−Ｓｉ：Ｈ層形成に先立ち、洗浄、乾燥、焼成の各工
程を経る。焼成の際、透明導電膜は、通常、大気中にお
いて４５０℃程度で加熱される。この焼成は、洗浄後も
なお透明導電膜に残留している汚れの除去、および透明
導電膜の結晶性向上のために行われる。
【００２７】図４に、本発明の透明導電膜付きガラス板
を用いたいわゆる真空断熱ガラスの一例を示す。この真
空断熱ガラスでは、一対のガラス板３１，３２の間に多
数の円柱状のスペーサ３３を介在させ、このスペーサに
より間隔を保持しながら、図示を省略する減圧用のガラ
ス貫通孔からガラス板間を減圧してある。こうして形成
した減圧層３４の気圧は、例えば１．０Ｐａ以下、特に
０．１Ｐａ以下が好ましい。減圧層３４は、ガラス板３
１，３２の外周に沿って配置されたシール部材３５によ
り予め封止されている。シール部材３５としては、低融
点ガラス（例えば融点４００〜６００℃）が適してい
る。この低融点ガラスは、封止の際に軟化点を超える温
度にまで加熱される。
を用いたいわゆる真空断熱ガラスの一例を示す。この真
空断熱ガラスでは、一対のガラス板３１，３２の間に多
数の円柱状のスペーサ３３を介在させ、このスペーサに
より間隔を保持しながら、図示を省略する減圧用のガラ
ス貫通孔からガラス板間を減圧してある。こうして形成
した減圧層３４の気圧は、例えば１．０Ｐａ以下、特に
０．１Ｐａ以下が好ましい。減圧層３４は、ガラス板３
１，３２の外周に沿って配置されたシール部材３５によ
り予め封止されている。シール部材３５としては、低融
点ガラス（例えば融点４００〜６００℃）が適してい
る。この低融点ガラスは、封止の際に軟化点を超える温
度にまで加熱される。
【００２８】図４に示したように、一方のガラス板３１
としては、本発明の透明導電膜付きガラス板が用いられ
ている。透明導電膜を含む被膜３６は、減圧層側に配置
することが好ましい。なお、ここでは、図示を省略した
が、複層ガラスとして用いる場合に、２層の中間膜を含
む被膜３６が好適である。ガラス板間が減圧されている
ため、真空断熱ガラスによれば、ガラス板間の間隔が狭
くても大きな断熱効果が得られる。この断熱効果は、ガ
ラス板の一方を透明導電膜付きガラス板とすることによ
り、さらに向上する。しかも、本発明の透明導電膜付き
ガラス板は、封止などに伴って熱処理されても抵抗値が
大きく増加せず、Ｌｏｗ−Ｅガラスとしての性能も劣化
しにくい。
としては、本発明の透明導電膜付きガラス板が用いられ
ている。透明導電膜を含む被膜３６は、減圧層側に配置
することが好ましい。なお、ここでは、図示を省略した
が、複層ガラスとして用いる場合に、２層の中間膜を含
む被膜３６が好適である。ガラス板間が減圧されている
ため、真空断熱ガラスによれば、ガラス板間の間隔が狭
くても大きな断熱効果が得られる。この断熱効果は、ガ
ラス板の一方を透明導電膜付きガラス板とすることによ
り、さらに向上する。しかも、本発明の透明導電膜付き
ガラス板は、封止などに伴って熱処理されても抵抗値が
大きく増加せず、Ｌｏｗ−Ｅガラスとしての性能も劣化
しにくい。
【００２９】
【実施例】以下、本発明を実施例により説明するが、本
発明は以下の実施例により制限されるものではない。
発明は以下の実施例により制限されるものではない。
【００３０】（実施例１）図２に示した装置と同様の装
置を用い、ＣＶＤ法により、ガラスリボン上に下記に示
す被膜を成膜した。錫フロート槽内には、１５００〜１
６００℃に加熱して溶融炉で溶融した通常の板ガラス組
成のソーダライムシリカガラスを流し込んだ。槽内にお
けるガラスリボンの温度は６００〜７５０℃程度であ
り、表面に膜を形成する部分におけるガラスリボンの温
度は約６５０℃であった。
置を用い、ＣＶＤ法により、ガラスリボン上に下記に示
す被膜を成膜した。錫フロート槽内には、１５００〜１
６００℃に加熱して溶融炉で溶融した通常の板ガラス組
成のソーダライムシリカガラスを流し込んだ。槽内にお
けるガラスリボンの温度は６００〜７５０℃程度であ
り、表面に膜を形成する部分におけるガラスリボンの温
度は約６５０℃であった。
【００３１】錫フロート槽内において、槽内最上流側に
位置する第１のコータからジメチル錫ジクロライド（蒸
気）、酸素および窒素からなる混合ガスを供給して、膜
厚が３５ｎｍの酸化錫膜（ＳｎＯ2膜）を成膜し、次い
で第２のコータから、モノシラン、エチレン、酸素およ
び窒素からなる混合ガスを供給して、ＳｎＯ2膜上に、
膜厚が２５ｎｍの酸化珪素膜（ＳｉＯ2膜）を成膜し
た。引き続いて、第３のコータから、ジメチル錫ジクロ
ライド（蒸気）、酸素、窒素、ヘリウムおよびフッ化水
素（蒸気）からなる混合ガスを供給して、ＳｉＯ2膜上
に、膜厚が６９０ｎｍのフッ素がドープされた酸化錫膜
（ＳｎＯ2：Ｆ膜）を成膜した。成膜後、ガラスリボン
は徐冷炉で徐冷し、さらに搬送下流側に配置した切断機
により、所定寸法に切断した。
位置する第１のコータからジメチル錫ジクロライド（蒸
気）、酸素および窒素からなる混合ガスを供給して、膜
厚が３５ｎｍの酸化錫膜（ＳｎＯ2膜）を成膜し、次い
で第２のコータから、モノシラン、エチレン、酸素およ
び窒素からなる混合ガスを供給して、ＳｎＯ2膜上に、
膜厚が２５ｎｍの酸化珪素膜（ＳｉＯ2膜）を成膜し
た。引き続いて、第３のコータから、ジメチル錫ジクロ
ライド（蒸気）、酸素、窒素、ヘリウムおよびフッ化水
素（蒸気）からなる混合ガスを供給して、ＳｉＯ2膜上
に、膜厚が６９０ｎｍのフッ素がドープされた酸化錫膜
（ＳｎＯ2：Ｆ膜）を成膜した。成膜後、ガラスリボン
は徐冷炉で徐冷し、さらに搬送下流側に配置した切断機
により、所定寸法に切断した。
【００３２】こうした得た透明導電膜（ＳｎＯ2：Ｆ
膜）のシート抵抗値は、９．９Ω／□であった。
膜）のシート抵抗値は、９．９Ω／□であった。
【００３３】次に、この透明導電膜付きガラス板を、大
気中、４５０℃で３時間熱処理した。熱処理後の透明導
電膜のシート抵抗値は９．９Ω／□であり、熱処理前と
同じであった。
気中、４５０℃で３時間熱処理した。熱処理後の透明導
電膜のシート抵抗値は９．９Ω／□であり、熱処理前と
同じであった。
【００３４】（実施例２）錫フロート槽内において、槽
内最上流側に位置する第１のコータからモノブチル錫ト
リクロライド（蒸気）、酸素、窒素およびヘリウムから
なる混合ガスを供給して膜厚が２５ｎｍのＳｎＯ2膜を
成膜し、次いで第２のコータから、モノシラン、エチレ
ン、酸素および窒素からなる混合ガスを供給して、Ｓｎ
Ｏ2膜上に、膜厚が２５ｎｍのＳｉＯ2膜を成膜した。引
き続いて、第３のコータから、モノブチル錫トリクロラ
イド（蒸気）、酸素、窒素およびフッ化水素（蒸気）か
らなる混合ガスを実施例１とは異なるガス組成で供給し
て、ＳｉＯ2膜上に、膜厚が６９０ｎｍのＳｎＯ2：Ｆ膜
を成膜した。成膜後、ガラスリボンは徐冷炉で徐冷し、
さらに搬送下流側に配置した切断機により、所定寸法に
切断した。
内最上流側に位置する第１のコータからモノブチル錫ト
リクロライド（蒸気）、酸素、窒素およびヘリウムから
なる混合ガスを供給して膜厚が２５ｎｍのＳｎＯ2膜を
成膜し、次いで第２のコータから、モノシラン、エチレ
ン、酸素および窒素からなる混合ガスを供給して、Ｓｎ
Ｏ2膜上に、膜厚が２５ｎｍのＳｉＯ2膜を成膜した。引
き続いて、第３のコータから、モノブチル錫トリクロラ
イド（蒸気）、酸素、窒素およびフッ化水素（蒸気）か
らなる混合ガスを実施例１とは異なるガス組成で供給し
て、ＳｉＯ2膜上に、膜厚が６９０ｎｍのＳｎＯ2：Ｆ膜
を成膜した。成膜後、ガラスリボンは徐冷炉で徐冷し、
さらに搬送下流側に配置した切断機により、所定寸法に
切断した。
【００３５】こうした得た透明導電膜（ＳｎＯ2：Ｆ
膜）のシート抵抗値は、１３．６Ω／□であった。
膜）のシート抵抗値は、１３．６Ω／□であった。
【００３６】次に、この透明導電膜付きガラス板を、大
気中、４５０℃で３時間熱処理した。熱処理後の透明導
電膜のシート抵抗値は、１４．４Ω／□であった。
気中、４５０℃で３時間熱処理した。熱処理後の透明導
電膜のシート抵抗値は、１４．４Ω／□であった。
【００３７】（比較例１）予め一辺が１０ｃｍの正方形
となるように切断した厚さ１．１ｍｍの無アルカリガラ
ス（コーニング社製♯７０５９）を洗浄し、さらに乾燥
させた。このガラス板上に、大気開放型の搬送炉内にお
いて、ＣＶＤ法により、膜厚が６００ｎｍのＳｎＯ2：
Ｆ膜を成膜した。成膜は、ガラス板をメッシュベルトを
用いて約５５０℃に加熱された炉内を搬送しながら、炉
内に設置したコータから、ジメチル錫ジクロライド（蒸
気）、酸素、窒素およびトリフルオロ酢酸（蒸気）から
なる混合ガスを供給して行った。
となるように切断した厚さ１．１ｍｍの無アルカリガラ
ス（コーニング社製♯７０５９）を洗浄し、さらに乾燥
させた。このガラス板上に、大気開放型の搬送炉内にお
いて、ＣＶＤ法により、膜厚が６００ｎｍのＳｎＯ2：
Ｆ膜を成膜した。成膜は、ガラス板をメッシュベルトを
用いて約５５０℃に加熱された炉内を搬送しながら、炉
内に設置したコータから、ジメチル錫ジクロライド（蒸
気）、酸素、窒素およびトリフルオロ酢酸（蒸気）から
なる混合ガスを供給して行った。
【００３８】こうして得た透明導電膜（ＳｎＯ2：Ｆ
膜）のシート抵抗値は、１９．０Ω／□であった。
膜）のシート抵抗値は、１９．０Ω／□であった。
【００３９】次に、この透明導電膜付きガラス板を、大
気中、４５０℃で３時間熱処理した。熱処理後の透明導
電膜のシート抵抗値は、２３．０Ω／□であった。
気中、４５０℃で３時間熱処理した。熱処理後の透明導
電膜のシート抵抗値は、２３．０Ω／□であった。
【００４０】（比較例２）予め一辺が１０ｃｍの正方形
となるように切断した厚さ３ｍｍのソーダライムガラス
を洗浄し、さらに乾燥させた。このガラス板上に、大気
開放型の搬送炉内において、ＣＶＤ法により、厚さ２０
ｎｍのＳｉＯ2膜を成膜し、引き続いて厚さ８００ｎｍ
のＳｎＯ2：Ｆ膜を成膜した。成膜は、ガラス板をメッ
シュベルトを用いて約５５０℃に加熱された炉内を搬送
しながら、炉内に設置したコータから、ＳｉＯ2膜成膜
の際には、モノシラン、エチレン、酸素および窒素から
なる混合ガスを供給し、ＳｎＯ2：Ｆ膜成膜の際には、
モノブチル錫トリクロライド（蒸気）、酸素、窒素およ
びトリフルオロ酢酸（蒸気）からなる混合ガスを供給し
て行った。
となるように切断した厚さ３ｍｍのソーダライムガラス
を洗浄し、さらに乾燥させた。このガラス板上に、大気
開放型の搬送炉内において、ＣＶＤ法により、厚さ２０
ｎｍのＳｉＯ2膜を成膜し、引き続いて厚さ８００ｎｍ
のＳｎＯ2：Ｆ膜を成膜した。成膜は、ガラス板をメッ
シュベルトを用いて約５５０℃に加熱された炉内を搬送
しながら、炉内に設置したコータから、ＳｉＯ2膜成膜
の際には、モノシラン、エチレン、酸素および窒素から
なる混合ガスを供給し、ＳｎＯ2：Ｆ膜成膜の際には、
モノブチル錫トリクロライド（蒸気）、酸素、窒素およ
びトリフルオロ酢酸（蒸気）からなる混合ガスを供給し
て行った。
【００４１】こうして得た透明導電膜（ＳｎＯ2：Ｆ
膜）のシート抵抗値は、１１．０Ω／□であった。
膜）のシート抵抗値は、１１．０Ω／□であった。
【００４２】次に、この透明導電膜付きガラス板を、大
気中、４５０℃で３時間熱処理した。熱処理後の透明導
電膜のシート抵抗値は、２６．１Ω／□であった。
気中、４５０℃で３時間熱処理した。熱処理後の透明導
電膜のシート抵抗値は、２６．１Ω／□であった。
【００４３】上記の実施例および比較例から得られた結
果を、シート抵抗値の増加率とともに表１に示す。
果を、シート抵抗値の増加率とともに表１に示す。
【００４４】（表１） ――――――――――――――――――――――――――――― シート抵抗値（Ω／□) 増加率 熱処理前 熱処理後 （％） ――――――――――――――――――――――――――――― 実施例１ ９．９ ９．９ ０ 実施例２ １３．６ １４．４ ５．９ 比較例１ １９．０ ２３．０ ２１．１ 比較例２ １１．０ ２６．１ １３７．３ ―――――――――――――――――――――――――――――
【００４５】なお、実施例１〜２および比較例１〜２で
得られた透明導電膜付きガラス板の熱処理前後の可視光
透過率に変化は認められなかった。
得られた透明導電膜付きガラス板の熱処理前後の可視光
透過率に変化は認められなかった。
【００４６】（比較例３）予め一辺が１０ｃｍの正方形
となるように切断した厚さ３ｍｍのソーダライムガラス
を洗浄し、さらに乾燥させた。このガラス板上に、大気
開放型の搬送炉内において、ＣＶＤ法により、厚さ２０
ｎｍのＳｉＯ2膜を成膜し、引き続いて厚さ９２０ｎｍ
のＳｎＯ2：Ｆ膜を成膜した。成膜は、ガラス板をメッ
シュベルトを用いて約５５０℃に加熱された炉内を搬送
しながら、炉内に設置したコータから、ＳｉＯ2膜成膜
の際には、モノシラン、エチレン、酸素および窒素から
なる混合ガスを供給し、ＳｎＯ2：Ｆ膜成膜の際には、
モノブチル錫トリクロライド（蒸気）、酸素、窒素およ
びトリフルオロ酢酸（蒸気）からなる混合ガスを供給し
て行った。
となるように切断した厚さ３ｍｍのソーダライムガラス
を洗浄し、さらに乾燥させた。このガラス板上に、大気
開放型の搬送炉内において、ＣＶＤ法により、厚さ２０
ｎｍのＳｉＯ2膜を成膜し、引き続いて厚さ９２０ｎｍ
のＳｎＯ2：Ｆ膜を成膜した。成膜は、ガラス板をメッ
シュベルトを用いて約５５０℃に加熱された炉内を搬送
しながら、炉内に設置したコータから、ＳｉＯ2膜成膜
の際には、モノシラン、エチレン、酸素および窒素から
なる混合ガスを供給し、ＳｎＯ2：Ｆ膜成膜の際には、
モノブチル錫トリクロライド（蒸気）、酸素、窒素およ
びトリフルオロ酢酸（蒸気）からなる混合ガスを供給し
て行った。
【００４７】こうして得た透明導電膜（ＳｎＯ2：Ｆ
膜）の面積抵抗値は、１０．２Ω／□であった。
膜）の面積抵抗値は、１０．２Ω／□であった。
【００４８】次に、この透明導電膜付きガラス板を、窒
素気流中、４５０℃で３時間熱処理した。熱処理後のＳ
ｎＯ2：Ｆ膜のシート抵抗値は、７．４Ω／□にまで減
少した。さらに、このＳｎＯ2：Ｆ膜が形成されたガラ
ス板を、大気中において４５０℃で３時間熱処理した。
大気中での熱処理後のＳｎＯ2：Ｆ膜のシート抵抗値
は、１２．８Ω／□となった。ＳｎＯ2：Ｆ膜のシート
抵抗値は、窒素気流中および大気中での熱処理を経て、
これら熱処理前のシート抵抗値を基準にすると、２５．
５％変化したことになる。
素気流中、４５０℃で３時間熱処理した。熱処理後のＳ
ｎＯ2：Ｆ膜のシート抵抗値は、７．４Ω／□にまで減
少した。さらに、このＳｎＯ2：Ｆ膜が形成されたガラ
ス板を、大気中において４５０℃で３時間熱処理した。
大気中での熱処理後のＳｎＯ2：Ｆ膜のシート抵抗値
は、１２．８Ω／□となった。ＳｎＯ2：Ｆ膜のシート
抵抗値は、窒素気流中および大気中での熱処理を経て、
これら熱処理前のシート抵抗値を基準にすると、２５．
５％変化したことになる。
【００４９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
大気中での熱処理による導電性の変化を抑制した透明導
電膜付きガラス板を提供できる。この透明導電膜付きガ
ラス板を用いれば、各種デバイスの性能の向上および安
定化を実現できる。
大気中での熱処理による導電性の変化を抑制した透明導
電膜付きガラス板を提供できる。この透明導電膜付きガ
ラス板を用いれば、各種デバイスの性能の向上および安
定化を実現できる。
【図１】 本発明の透明導電膜付きガラス板の一形態の
断面図である。
断面図である。
【図２】 透明導電膜をフロート法におけるガラスリボ
ン上に成膜する際の装置の構成例を示す図である。
ン上に成膜する際の装置の構成例を示す図である。
【図３】 本発明の透明導電膜付きガラス板を用いたア
モルファスシリコン太陽電池の一例を示す断面図であ
る。
モルファスシリコン太陽電池の一例を示す断面図であ
る。
【図４】 本発明の透明導電膜付きガラス板を用いた複
層ガラスの一例を示す断面図である。
層ガラスの一例を示す断面図である。
１，２１ ガラス板 ２，２２ 第１の中間膜 ３，２３ 第２の中間膜 ４，２４ 透明導電膜 １０ ガラスリボン １１ 溶融炉（フロート窯） １２ 錫フロート槽（フロートバス） １３ 徐冷炉 １６ コータ ２５ 光電変換層（アモルファスシリコン層） ２６ 金属電極層 ３１，３２ ガラス板 ３３ スペーサ ３４ 減圧層 ３５ シール部材 ３６ 透明導電膜を含む被膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大谷 強 大阪府大阪市中央区道修町３丁目５番11号 日本板硝子株式会社内 (72)発明者 平田 昌宏 大阪府大阪市中央区道修町３丁目５番11号 日本板硝子株式会社内 Ｆターム(参考） 4G059 AA01 AC12 EA02 EA05 EB03 GA01 GA05 GA12 5F051 CB27 FA02 FA03 FA24 FA30 GA03
Claims (7)
- 【請求項１】 ガラス板と、前記ガラス板上に形成され
た膜厚が３６０ｎｍ以上の透明導電膜とを含み、４５０
℃の大気中における３時間の熱処理による前記透明導電
膜のシート抵抗値の増加率を、前記熱処理前におけるシ
ート抵抗値を基準として、１５％以下としたことを特徴
とする透明導電膜付きガラス板。 - 【請求項２】 熱処理前の透明導電膜のシート抵抗値が
２５Ω／スクエア以下である請求項１に記載の透明導電
膜付きガラス板。 - 【請求項３】 透明導電膜とガラス板との間に、少なく
とも２層の中間膜が形成された請求項１または２に記載
の透明導電膜付きガラス板。 - 【請求項４】 透明導電膜とガラス板との間に、前記ガ
ラス板側から順に、膜厚が５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であ
る第１中間膜および膜厚が５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であ
る第２中間膜が形成された請求項３に記載の透明導電膜
付きガラス板。 - 【請求項５】 透明導電膜とガラス板との間に中間膜が
形成され、前記中間膜および透明導電膜が、共に、６０
０℃以上のガラス板またはガラス板製造工程におけるガ
ラスリボン上における、被膜形成原料の熱分解酸化反応
により形成された請求項１または２に記載の透明導電膜
付きガラス板。 - 【請求項６】 請求項１〜５のいずれかに記載の透明導
電膜付きガラス板の透明導電膜上に光電変換層が形成さ
れたことを特徴とする太陽電池。 - 【請求項７】 複数のガラス板を減圧層を介して対向す
るように配置した複層ガラスであって、前記ガラス板の
少なくとも１枚を請求項１〜５のいずれかに記載の透明
導電膜付きガラス板としたことを特徴とする複層ガラ
ス。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29760999A JP2001114533A (ja) | 1999-10-20 | 1999-10-20 | 透明導電膜付きガラス板およびこれを用いたガラス物品 |
| US09/691,442 US6551715B1 (en) | 1999-10-20 | 2000-10-18 | Glass sheet with conductive film and glass article using the same |
| GB0025826A GB2355467B (en) | 1999-10-20 | 2000-10-20 | Glass sheet with conductive film and glass article using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29760999A JP2001114533A (ja) | 1999-10-20 | 1999-10-20 | 透明導電膜付きガラス板およびこれを用いたガラス物品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001114533A true JP2001114533A (ja) | 2001-04-24 |
Family
ID=17848779
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29760999A Pending JP2001114533A (ja) | 1999-10-20 | 1999-10-20 | 透明導電膜付きガラス板およびこれを用いたガラス物品 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6551715B1 (ja) |
| JP (1) | JP2001114533A (ja) |
| GB (1) | GB2355467B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7143919B1 (ja) * | 2021-05-07 | 2022-09-29 | Ａｇｃ株式会社 | 透明導電膜付きガラス基板及びその製造方法 |
Families Citing this family (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003060216A (ja) * | 2001-08-10 | 2003-02-28 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 光電変換装置用基板 |
| US20030113550A1 (en) * | 2001-09-14 | 2003-06-19 | Millett Frederick A. | Heat barrier window utilizing a combination of coatings |
| US7295154B2 (en) * | 2002-01-17 | 2007-11-13 | The Ohio State University | Vehicle obstacle warning radar |
| US6860081B2 (en) * | 2002-12-04 | 2005-03-01 | The Ohio State University | Sidelobe controlled radio transmission region in metallic panel |
| US6922175B2 (en) * | 2002-12-04 | 2005-07-26 | The Ohio State University | Radio transmission region in metallic panel |
| US7196657B2 (en) * | 2003-01-31 | 2007-03-27 | The Ohio State University | Radar system using RF noise |
| WO2004102677A1 (ja) * | 2003-05-13 | 2004-11-25 | Asahi Glass Company, Limited | 太陽電池用透明導電性基板およびその製造方法 |
| US7727588B2 (en) * | 2003-09-05 | 2010-06-01 | Yield Engineering Systems, Inc. | Apparatus for the efficient coating of substrates |
| WO2006123335A2 (en) * | 2005-05-17 | 2006-11-23 | Nervecorp Limited | Building structures having electrically functional architectural surfaces |
| US20080160321A1 (en) * | 2007-01-03 | 2008-07-03 | 3M Innovative Properties Company | Single pane glazing laminates |
| JP2009092860A (ja) * | 2007-10-05 | 2009-04-30 | Panasonic Corp | カメラモジュールおよびカメラモジュールの製造方法 |
| US9181124B2 (en) * | 2007-11-02 | 2015-11-10 | Agc Flat Glass North America, Inc. | Transparent conductive oxide coating for thin film photovoltaic applications and methods of making the same |
| DE102008005283B4 (de) * | 2008-01-19 | 2009-10-29 | Schott Solar Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer mit einem transparenten, Metalloxid beschichtetn Glasscheibe für ein photovoltaisches Modul und eine solche beschichtete Glasscheibe |
| US8101039B2 (en) | 2008-04-10 | 2012-01-24 | Cardinal Ig Company | Manufacturing of photovoltaic subassemblies |
| US20090255570A1 (en) * | 2008-04-10 | 2009-10-15 | Cardinal Solar Technologies Company | Glazing assemblies that incorporate photovoltaic elements and related methods of manufacture |
| WO2010126699A2 (en) | 2009-04-29 | 2010-11-04 | Hunter Douglas Industries B.V. | Architectural panels with organic photovoltaic interlayers and methods of forming the same |
| US20110056924A1 (en) * | 2009-09-10 | 2011-03-10 | Benjamin Park Townsend | Solar defrost panels |
| US20110088324A1 (en) * | 2009-10-20 | 2011-04-21 | Wessel Robert B | Apparatus and method for solar heat gain reduction in a window assembly |
| US9862640B2 (en) | 2010-01-16 | 2018-01-09 | Cardinal Cg Company | Tin oxide overcoat indium tin oxide coatings, coated glazings, and production methods |
| US10060180B2 (en) | 2010-01-16 | 2018-08-28 | Cardinal Cg Company | Flash-treated indium tin oxide coatings, production methods, and insulating glass unit transparent conductive coating technology |
| US10000411B2 (en) | 2010-01-16 | 2018-06-19 | Cardinal Cg Company | Insulating glass unit transparent conductivity and low emissivity coating technology |
| US11155493B2 (en) | 2010-01-16 | 2021-10-26 | Cardinal Cg Company | Alloy oxide overcoat indium tin oxide coatings, coated glazings, and production methods |
| EP2524099B1 (en) | 2010-01-16 | 2020-09-30 | Cardinal CG Company | High quality emission control coatings, emission control glazings |
| US10000965B2 (en) | 2010-01-16 | 2018-06-19 | Cardinal Cg Company | Insulating glass unit transparent conductive coating technology |
| US8932495B1 (en) * | 2011-03-10 | 2015-01-13 | Clearist, Inc. | Transparent conductor materials and processes for forming such materials |
| WO2014008508A1 (en) | 2012-07-06 | 2014-01-09 | The Ohio State University | Compact dual band gnss antenna design |
| GB201309717D0 (en) * | 2013-05-31 | 2013-07-17 | Pilkington Group Ltd | Interface layer for electronic devices |
| US9818888B2 (en) * | 2015-03-12 | 2017-11-14 | Vitro, S.A.B. De C.V. | Article with buffer layer and method of making the same |
| US11028012B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-06-08 | Cardinal Cg Company | Low solar heat gain coatings, laminated glass assemblies, and methods of producing same |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4206252A (en) | 1977-04-04 | 1980-06-03 | Gordon Roy G | Deposition method for coating glass and the like |
| US4325987A (en) | 1979-07-31 | 1982-04-20 | Societa Italiana Vetro-Siv-S.P.A. | Process for the production of an electrically conducting article |
| US4399194A (en) | 1981-12-30 | 1983-08-16 | Rca Corporation | Transparent conductive film |
| US5851642A (en) | 1985-01-22 | 1998-12-22 | Saint-Gobain Vitrage | Product produced by coating a substrate with an electrically conductive layer |
| US4776870A (en) | 1985-08-05 | 1988-10-11 | Ford Motor Company | Method for improving emmissivity value of a pyrolytically applied film |
| NO168762C (no) | 1985-12-20 | 1992-04-01 | Glaverbel | Belagt, flatt glass. |
| JPS63184210A (ja) | 1987-01-27 | 1988-07-29 | 日本板硝子株式会社 | 透明導電体の製造方法 |
| US4853257A (en) | 1987-09-30 | 1989-08-01 | Ppg Industries, Inc. | Chemical vapor deposition of tin oxide on float glass in the tin bath |
| US5090985A (en) | 1989-10-17 | 1992-02-25 | Libbey-Owens-Ford Co. | Method for preparing vaporized reactants for chemical vapor deposition |
| US5124180A (en) | 1991-03-11 | 1992-06-23 | Btu Engineering Corporation | Method for the formation of fluorine doped metal oxide films |
| CA2084247A1 (en) | 1992-03-18 | 1993-09-19 | Francis Paul Fehlner | Lcd panel production |
| US5248349A (en) * | 1992-05-12 | 1993-09-28 | Solar Cells, Inc. | Process for making photovoltaic devices and resultant product |
| US5580364A (en) | 1992-07-11 | 1996-12-03 | Libbey-Owens-Ford Co. | Method of producing a coated glass substrate exhibiting reflected color |
| FR2694451B1 (fr) * | 1992-07-29 | 1994-09-30 | Asulab Sa | Cellule photovoltaïque. |
| US5599387A (en) | 1993-02-16 | 1997-02-04 | Ppg Industries, Inc. | Compounds and compositions for coating glass with silicon oxide |
| DE4433206A1 (de) | 1994-09-17 | 1996-03-21 | Goldschmidt Ag Th | Verfahren zur pyrolytischen Beschichtung von Glas-, Glaskeramik- und Emailprodukten |
| GB9515198D0 (en) | 1995-07-25 | 1995-09-20 | Pilkington Plc | A method of coating glass |
| US5750265A (en) | 1996-01-11 | 1998-05-12 | Libbey-Owens-Ford Co. | Coated glass article having a pyrolytic solar control coating |
| US5756192A (en) | 1996-01-16 | 1998-05-26 | Ford Motor Company | Multilayer coating for defrosting glass |
| JP3247876B2 (ja) * | 1999-03-09 | 2002-01-21 | 日本板硝子株式会社 | 透明導電膜付きガラス基板 |
-
1999
- 1999-10-20 JP JP29760999A patent/JP2001114533A/ja active Pending
-
2000
- 2000-10-18 US US09/691,442 patent/US6551715B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-10-20 GB GB0025826A patent/GB2355467B/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7143919B1 (ja) * | 2021-05-07 | 2022-09-29 | Ａｇｃ株式会社 | 透明導電膜付きガラス基板及びその製造方法 |
| WO2022234811A1 (ja) * | 2021-05-07 | 2022-11-10 | Ａｇｃ株式会社 | 透明導電膜付きガラス基板及びその製造方法 |
| CN116395981A (zh) * | 2021-05-07 | 2023-07-07 | Ａｇｃ株式会社 | 带有透明导电膜的玻璃基板及其制造方法 |
| CN116395981B (zh) * | 2021-05-07 | 2024-03-22 | Ａｇｃ株式会社 | 带有透明导电膜的玻璃基板及其制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB0025826D0 (en) | 2000-12-06 |
| GB2355467B (en) | 2003-12-17 |
| GB2355467A (en) | 2001-04-25 |
| US6551715B1 (en) | 2003-04-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2001114533A (ja) | 透明導電膜付きガラス板およびこれを用いたガラス物品 | |
| JP6014024B2 (ja) | 高温用のガラス基板 | |
| US6362414B1 (en) | Transparent layered product and glass article using the same | |
| EP1230188B1 (en) | Glass sheet with metal oxide film, method of manufacturing the same, and double-glazing unit using the same | |
| JP2001199744A (ja) | 低放射ガラスと該低放射ガラスを使用したガラス物品 | |
| KR20120131191A (ko) | 개선된 기계적 강도를 갖는 층으로 코팅된 유리 기판 | |
| JP5711159B2 (ja) | 薄膜堆積方法 | |
| EP2737105B1 (en) | Apcvd of doped titanium oxide and the coated article made thereby | |
| WO2016163199A1 (ja) | ガラス板およびその製造方法 | |
| EP1635361B1 (en) | Method for producing a photoelectric converter comprising a transparent conductive substrate | |
| JP2017532281A (ja) | ガラス処理 | |
| JP4460108B2 (ja) | 光電変換装置用基板の製造方法 | |
| US9187825B2 (en) | Method of depositing and electrically conductive titanium oxide coating | |
| JP2001035262A (ja) | 導電膜付きガラス板とその製造方法、およびこれを用いた光電変換装置 | |
| JP2004362842A (ja) | 透明導電膜付き透明基体、その製造方法、および光電変換素子用基板ならびに光電変換素子 | |
| JP4485642B2 (ja) | 透明導電膜付き透明基板の製造方法、およびこれを用いた光電変換装置 | |
| JP4516657B2 (ja) | 光電変換装置用基板とその製造方法、およびこれを用いた光電変換装置 | |
| US20040200238A1 (en) | Low emissivity glass and method for production thereof | |
| JP2005029464A (ja) | 薄膜付きガラス板とその製造方法、およびこのガラス板を用いた光電変換装置 | |
| WO2001016041A1 (en) | Transparent heat shading glass sheet and multiple-glazing unit using the same | |
| JP2001036107A (ja) | 光電変換装置用基板およびこれを用いた光電変換装置 | |
| JP2001177127A (ja) | 光電変換装置用基板 | |
| JP7283529B1 (ja) | 積層膜付き基材 | |
| JP2005029463A (ja) | 透明導電膜付きガラス板とその製造方法、およびこのガラス板を用いた光電変換装置 | |
| JP2001043741A (ja) | 導電膜付きガラス板とその製造方法、およびこれを用いた光電変換装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060725 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20081120 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081125 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090119 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090522 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090924 |