JP5711159B2 - 薄膜堆積方法 - Google Patents
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Description
b≦0.9×d
を満たすようにされ、式中、曲げ「b」が、加熱なしの基材の平面と、バーナーの先端を通りかつ加熱なしの基材の平面に平行な平面に最も近い基材の点との間のmm単位で表される距離に対応し、
「d」が、加熱なしの基材の平面とバーナーの先端との間のmm単位で表される距離に対応し、
走行方向に垂直な方向での基材の幅「L」が1.1m以上であることを特徴とする熱処理方法である。
b≦500×L2/e3
を満たし、式中、「e」がmm単位で表される基材の厚さに対応し、幅「L」がメートル単位で表される。
フロートプロセスにより得られ次にそのサイズが幅3.2m×長さ6m、厚さ4mmとなるように切断されたソーダ石灰シリカガラス基材を、マグネトロンスパッタリングプロセスにより公知の要領で、厚さ15nmの薄い酸化チタン膜でコーティングした。厚さ25nmのシリカ膜を基材と酸化チタン膜の間に間置した。
この例は例1と同一であるが、唯一の差異は、単一の線形火炎処理装置が、図3−1に表されているように走行方向に垂直に2列に位置づけされた長さ50cmの5つの線形装置で置換されているという点にある。
フロートプロセスにより得られ次にそのサイズが幅3.2m×長さ6m、厚さ4mmとなるように切断されたソーダ石灰シリカガラス基材を、マグネトロンスパッタリングプロセスにより公知の要領で、ガラスに低放射率特性を付与する銀膜を含んだ薄い多層コーティングでコーティングした。
ガラス/SnO2(18nm)ZnO(16nm)/Ag(8.5nm)/Ni−Cr/ZnO(14nm)/Si3N4(23nm)
・厚さ4mmのガラスシートと16mmの厚さを有するガス層(アルゴン90%と空気10%の混合物)を有する2重グレージングユニットについて、標準光源D65を基準とし「CIE1964」を基準オブザーバとし、実験スペクトルから計算した、TLと記されパーセント単位で表された、光源D65下の光透過率;
・Rcと記され、オーム単位で表されたシート抵抗;及び
・εnと記され、パーセント単位で表された、5〜50ミクロンのスペクトル範囲内の反射スペクトルからEN12898規格にしたがって計算された温度283Kにおける垂直放射率。
比較例4は、単一の火炎処理装置が使用され、その幅が基材の幅以上であったという点で、例3と異なるものであった。
この例では、例1のものと同一のコーティングされた基材、つまり酸化チタン膜を含む多層コーティングでコーティングされた基材を使用した。
厚さ700nmのアルミニウムドープ酸化亜鉛をベースとした透明で伝導性の膜を、マグネトロンスパッタリングプロセスによりガラス基材上に堆積させた。基材の幅は2.2mであり、厚さは2.9mmであった。
フロートプロセスにより得られ次にそのサイズが幅3.2m×長さ6m、厚さ4mmとなるように切断されたソーダ石灰シリカガラス基材の第1の面を、厚さ15nmの薄い酸化チタン膜でコーティングした。厚さ25nmのシリカ膜を基材と酸化チタン膜の間に間置した。
ガラス/SnO2(18nm)ZnO(16nm)/Ag(8.5nm)/Ni−Cr/ZnO(14nm)/Si3N4(23nm)。全ての堆積はマグネトロンスパッタリングプロセスで実施した。
Claims (14)
- 少なくとも1つのバーナー(2)を含む少なくとも1つの火炎処理装置の経路内を走行するガラス基材(1)上に堆積された少なくとも1つの薄膜を火炎処理することによる熱処理方法であり、この処理によって少なくとも1つの薄膜の結晶化度を増大させ及び/又は少なくとも1つの薄膜内の微結晶サイズを増大させることができる熱処理方法であって、少なくとも1つのバーナー(2)の位置が調整され及び/又は少なくとも1つの追加の手段が配置されて、最大の一時的な曲げ「b」が150mm未満でかつ以下の条件、すなわち、
b≦0.9×d
を満たすようにされ、式中、曲げ「b」が、加熱なしの基材の平面(P1)と、バーナー(2)の先端(6)を通りかつ加熱なしの基材の平面(P1)に平行な平面(P2)に最も近い基材の点との間のmm単位で表される距離に対応し、
「d」が、加熱なしの基材の平面(P1)とバーナー(2)の先端(6)との間のmm単位で表される距離に対応し、
走行方向(5)に垂直な方向での基材の幅「L」が1.1m以上であり、
基材(1)の幅全体が処理されるように配置されるが同じライン内には配置されない複数の線形火炎処理装置(7 a 〜7 i )が使用され、各装置(7)の長さが1.2m以下であることを特徴とする、熱処理方法。 - 最大の一時的な曲げ「b」が以下の条件、すなわち、
b≦500×L2/e3
を満たし、式中、「e」がmm単位で表される基材の厚さに対応し、幅「L」がメートル単位で表される、請求項1に記載の熱処理方法。 - 各火炎処理装置(7a〜7i)の長さが基材(1)の幅の3分の1以下である、請求項1に記載の熱処理方法。
- 火炎(4a,4b)と基材(1)の各面(8a,8b)の接点(9a,9b)が最大で30cm離れて配置されるように、少なくとも1つの火炎処理装置が面(8a,8b)の各々に対面して配置される、請求項1〜3のいずれか1項に記載の熱処理方法。
- 基材(1)が、基材の走行方向で火炎処理領域の直後に位置する領域において冷却される、請求項1〜4のいずれか1項に記載の熱処理方法。
- 薄膜の各点が300℃以上の温度にされ、一方で、第1の面と反対側の基材の面の任意の点において150℃以下の温度が維持される、請求項1〜3のいずれか1項に記載の熱処理方法。
- 基材(1)がゾーダ石灰シリカガラスからなる、請求項1〜6のいずれか1項に記載の熱処理方法。
- 薄膜が堆積される面とは反対側の基材(1)の面の任意の点において100℃以下、特には50℃以下の温度が維持される、請求項1〜3のいずれか1項に記載の熱処理方法。
- 薄膜の各点が1秒以下又は0.5秒以下の時間にわたり300℃以上の温度にされる、請求項1〜8のいずれか1項に記載の熱処理方法。
- 得られた結晶化度が20%以上、特には50%以上である、請求項1〜9のいずれか1項に記載の熱処理方法。
- 基材(1)の幅「L」が2m以上である、請求項1〜10のいずれか1項に記載の熱処理方法。
- 薄膜が、銀、モリブデン、ニオブ、酸化チタン、インジウム亜鉛又はインジウムスズ混合酸化物、アルミニウムドープ又はガリウムドープ酸化亜鉛、窒化チタン、窒化アルミニウム、窒化ジルコニウム、ニオブドープ酸化チタン、スズ酸カドミウム及び/又はスズ酸亜鉛、並びにフッ素ドープ及び/又はアンチモンドープ酸化スズから選択された金属、酸化物、窒化物、又は酸化物の混合物をベースとするものである、請求項1〜11のいずれか1項に記載の熱処理方法。
- 基材(1)と少なくとも1つの薄膜を含む材料を得るための方法であって、少なくとも1つの薄膜が基材(1)上に堆積され、次いで少なくとも1つの薄膜が請求項1〜12のいずれか1項に記載の熱処理方法にさらされる、方法。
- 少なくとも1つの薄膜がスパッタリング、特に磁気強化スパッタリングによって堆積される、請求項13に記載の方法。
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