JP2001092384A

JP2001092384A - 表示装置

Info

Publication number: JP2001092384A
Application number: JP26767899A
Authority: JP
Inventors: Mutsumi Kimura; 睦木村; Yojiro Matsueda; 洋二郎松枝; Hiroshi Maeda; 浩前田
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 1999-09-21
Filing date: 1999-09-21
Publication date: 2001-04-06
Anticipated expiration: 2019-09-21
Also published as: JP3733802B2

Abstract

(57)【要約】【課題】各画素に配された表示素子群の配置に関し、画
素形状のアスペクト比を考慮しつつ、中間調表現時の発
光重心の偏りを少なくし、かつ画素間及び画素内のデッ
ドスペースを減らすことのできるような配置を実現す
る。【解決手段】マトリクス状に形成された画素を備えて
おり、各画素にはｎ個（ｎ≧３）の表示素子が配されて
いる。１画素あたり表示可能な階調数が２^ｐ階調である
とき、前記ｎと前記ｐはｎ＋１＝２^ｐの関係にあり、前
記ｎ個の表示素子はｐ個のグループに分類されていて、
ｉ（１≦ｉ≦ｐ）番目のグループには２^ｉ ^−１個の表示
素子を割り当てる。そして、各グループごとの表示素子
群の重心位置が、全てのグループに関し同一直線上に位
置するように、前記ｎ個の表示素子を配置する。前記ｎ
個の表示素子の発光状態を前記グループ単位で制御する
ことにより階調表示を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は表示装置に関し、特に、
表示装置における表示素子の配置技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】平面型の表示装置としては液晶表示装置
が知られているが、かかる液晶表示装置は、視野角が狭
い、応答特性が悪いといった問題を有しているため、表
示素子としてエレクトロルミネッセンス素子（以下、
「ＥＬ素子」と呼ぶ。）を用いたＥＬ表示装置が開発さ
れてきた。

【０００３】かかるＥＬ素子を用いて中間調を表現する
方法の一つとして、特開平１１−７３１５８号公報に記
載された方法がある。かかる方法は、１つの画素につい
て複数の駆動用トランジスタと複数の発光強度の異なる
ＥＬ素子を一列に配し、それら複数の駆動用トランジス
タと複数のＥＬ素子を各々直列に接続させることで、中
間調の表現を実現している。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】表示素子を組み合わせ
て中間調を表現しようとした場合、それぞれの表示素子
の配置をどうするかは、大変重要な問題である。

【０００５】例えば、中間調表現時における発光重心の
位置は表示素子の配置により定まるが、かかる重心位置
に関し中間調ごとに偏りがある場合、意図しないテクス
チャが表示されてしまったり、ちらつきが生じてしまう
おそれがある。

【０００６】また、各画素の形状は表示素子の配置に大
きく依存するが、本来、各画素の形状はアスペクト比が
１となることが望ましい。アスペクト比が１であれば、
表示しようとする図形等の縦横比が正しく再現されるこ
とになるからである。

【０００７】また、高精細な表示を実現するためには、
各画素の占有面積をできるだけ小さくして単位面積あた
りの画素数を増やすことが必要となる。そのためには、
デッドスペースが生じないように画素及び表示素子を配
置することが重要となる。

【０００８】しかし、従来は上記の観点で各画素におけ
る表示素子の配置に関わる問題についての検討は充分に
なされていなかった。

【０００９】そこで、本発明は、各画素に配された表示
素子群の配置に関し、画素形状のアスペクト比を考慮し
つつ、中間調表現時の発光重心の偏りを少なくし、かつ
画素間及び画素内のデッドスペースを減らすことのでき
るような配置を実現することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は、マトリクス状
に形成された画素を備えており、各画素にはｎ個（ｎ≧
３）の表示素子が配され、前記ｎ個の表示素子の発光状
態を制御することにより階調表示を行う表示装置であっ
て、各画素における前記ｎ個の表示素子には、表示素子
の重心を結ぶ図形が三角形となるように配置された３個
の表示素子の組み合わせが、少なくとも一組含まれてい
ることを特徴とする。

【００１１】前記三角形は２等辺三角形であることが好
ましい。また、前記三角形となるように配置された３個
の表示素子のうち、少なくとも１個の表示素子が、他の
２個の表示素子を最小に包囲する領域と重なって配置さ
れることが好ましい。

【００１２】本発明は、マトリクス状に形成された画素
を備えており、各画素にはｎ個（ｎ≧３）の表示素子が
配され、前記ｎ個の表示素子の発光状態を制御すること
により階調表示を行う表示装置であって、前記ｎ個の表
示素子は２列に配置されており、一方の列に（ｎ−１）
／２個、他方の列に（ｎ＋１）／２個の表示素子が配置
されていることを特徴とする。

【００１３】本発明は、マトリクス状に形成された画素
を備えており、各画素にはｎ個（ｎ≧３）の表示素子が
配され、１画素あたり表示可能な階調数が２^ｐ階調であ
るとき、前記ｎと前記ｐはｎ＋１＝２^ｐの関係にあり、
前記ｎ個の表示素子はｐ個のグループに分類されてい
て、ｉ（１≦ｉ≦ｐ）番目のグループには２^ｉ−１個の
表示素子が割り当てられており、前記ｎ個の表示素子の
発光状態を前記グループ単位で制御することにより階調
表示を行う表示装置であって、前記ｎ個の表示素子は２
列に配置されており、１番目からｐ−１番目のグループ
に割り当てられた表示素子群は一方の列に、ｐ番目に割
り当てられた表示素子群は他方の列に配置されているこ
とを特徴とする。

【００１４】本発明は、マトリクス状に形成された画素
を備えており、各画素にはｎ個（ｎ≧３）の表示素子が
配され、１画素あたり表示可能な階調数が２^ｐ階調であ
るとき、前記ｎと前記ｐはｎ＋１＝２^ｐの関係にあり、
前記ｎ個の表示素子はｐ個のグループに分類されてい
て、ｉ（１≦ｉ≦ｐ）番目のグループには２^ｉ−１個の
表示素子が割り当てられており、前記ｎ個の表示素子の
発光状態を前記グループ単位で制御することにより階調
表示を行う表示装置であって、前記ｎ個の表示素子は２
列に配置されており、１番目のグループを除く各グルー
プに割り当てられた表示素子群は、半数が一方の列に、
残りの半数が他方の列に配置されていることを特徴とす
る。

【００１５】本発明は、マトリクス状に形成された画素
を備えており、各画素にはｎ個（ｎ≧３）の表示素子が
配され、１画素あたり表示可能な階調数が２^ｐ階調であ
るとき、前記ｎと前記ｐはｎ＋１＝２^ｐの関係にあり、
前記ｎ個の表示素子はｐ個のグループに分類されてい
て、ｉ（１≦ｉ≦ｐ）番目のグループには２^ｉ−１個の
表示素子が割り当てられており、前記ｎ個の表示素子の
発光状態を前記グループ単位で制御することにより階調
表示を行う表示装置であって、前記ｎ個の表示素子は２
列に配置されており、１番目のグループに割り当てられ
た表示素子群は第１の列に、２番目のグループに割り当
てられた表示素子群は第２の列に、１番目のグループと
２番目のグループを除く各グループに割り当てられた表
示素子群は、半数が前記第１の列に、残りの半数が前記
第２の列に配置されていることを特徴とする。

【００１６】本発明は、マトリクス状に形成された画素
を備えており、各画素にはｎ個（ｎ≧３）の表示素子が
配され、１画素あたり表示可能な階調数が２^ｐ階調であ
るとき、前記ｎと前記ｐはｎ＋１＝２^ｐの関係にあり、
前記ｎ個の表示素子はｐ個のグループに分類されてい
て、ｉ（１≦ｉ≦ｐ）番目のグループには２^ｉ−１個の
表示素子が割り当てられており、前記ｎ個の表示素子の
発光状態を前記グループ単位で制御することにより階調
表示を行う表示装置であって、各グループごとの表示素
子群の重心位置が、全てのグループに関し同一直線上に
位置するように、前記ｎ個の表示素子を配置することを
特徴とする。

【００１７】本発明における表示素子はＥＬ素子である
ことが好ましく、また輪郭が曲面状に形成されているこ
とが好ましい。

【００１８】本発明は、複数の走査線及び複数の信号線
と、各走査線と信号線の交差部に対応してマトリクス状
に形成された画素を備えており、各画素には複数のＥＬ
素子が配され、前記複数のＥＬ素子の発光状態を制御す
ることにより階調表示を行う表示装置であって、各画素
における前記複数のＥＬ素子が、前記走査線及び信号線
のいずれの方向にも一列に配置されていないことを特徴
とする表示装置。

【００１９】前記複数のＥＬ素子は少なくとも２列に配
列されており、第１の列内の隣接する２つのＥＬ素子の
重心から略等距離の位置に、第２の列内の１つのＥＬ素
子の重心が存在することが好ましい。

【００２０】前記１つのＥＬ素子は、前記２つのＥＬ素
子を最小に包囲する領域と重なって配置されることが好
ましい。

【００２１】前記ＥＬ素子の輪郭は曲面状に形成されて
いることが好ましい。

【００２２】本発明の電子機器装置は本発明の表示装置
を備えていることを特徴とする。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい実施の形
態を、図面に基づいて説明する。（第１の実施例）図１は、本発明の第１の実施例に係る
表示装置の、各画素における表示素子の配置を示す模式
図である。かかる実施例では、１画素について素子面積
の等しい円形状の３つの表示素子１１、１２、１３が配
されている。

【００２４】ここで、表示素子を組み合わせて中間調を
表現する方法として、素子面積の異なる表示素子を用い
ることにより、発光強度の異なる状態を実現することも
できる。

【００２５】しかし、表示素子の表面が長方形であって
も、実際に発光する部分は長方形とはならない場合があ
る。例えば、有機ＥＬ素子の場合、有機ＥＬ材料は必ず
しも平らには形成されず、図１３（ａ）に示すように凹
状、または（ｂ）に示すように凸状に形成されてしま
う。電流は有機ＥＬ材料が薄い部分７０を流れるため、
材料が凹状に形成されている場合であれば図１３（ｃ）
に示すように発光し、凸状に形成されている場合であれ
ば図１３（ｄ）に示すように発光することになる。ここ
で、斜線部分が発光している部分（発光面積）を示す。
このような場合、素子面積を１対２としても、発光面積
は１対２とならないため、発光強度を正確に１対２とす
ることができない。

【００２６】そこで、本実施例では、素子面積の等しい
表示素子を複数個同時に発光させることで、発光強度の
異なる状態を実現している。かかる方法によれば、発光
強度は表示素子の数に比例するため、正確な中間調を表
現することが可能となる。

【００２７】本実施例の構成では、1画素について４階
調レベルの中間調が表現できる。すなわち、３つの表示
素子がともに発光しない場合、１個の表示素子のみ発光
する場合、２個の表示素子のみ発光する場合、３つの表
示素子がともに発光する場合が、ぞれぞれ階調レベル
０、１、２、３に対応することになる。

【００２８】図１に示すように、１画素における３つの
表示素子は、表示素子の重心を結ぶ図形が三角形１４と
なっており、３つの表示素子が直線状に並ばないように
配置されている。すなわち、走査線がＸ方向に配線さ
れ、信号線がＹ方向に配線されているとすると、本実施
例における各画素における表示素子の配置は、走査線、
信号線のいずれの方向においても一列には配置されてい
ない状態となっている。

【００２９】３つの表示素子を直線状に一列に並べた場
合、アスペクト比は３（または１／３）となるが、本実
施例のように３つの表示素子の中心が三角形をなすよう
に配置することにより、アスペクト比は１／３以上３以
下となり、１に近づけることができる。

【００３０】本実施例において好適には、図２に示すよ
うに、前記三角形が２等辺三角形（辺２１−２２と辺２
１−２３が等しい三角形）となるように３つの表示素子
を配置し、階調レベル１のときには表示素子１１を、階
調レベル２のときには表示素子１２と１３を発光させる
ように制御する。

【００３１】かかる配置は、表示素子１２、１３が第１
列を形成し、表示素子１１が第２列を形成しているとみ
ると、第２列内の１つの表示素子１１の重心２１は、第
１列内の隣接する２つの表示素子１２、１３の重心２
２、２３から等距離の位置にある状態となっている。

【００３２】図２（ａ）は、階調レベル１の中間調を表
現した場合を、（ｂ）は階調レベル２の中間調を表現し
た場合を表わしており、斜線のかかっている表示素子が
発光していることを示す。図２において、重心２１は階
調レベル１における発光重心、重心２４は階調レベル２
における発光重心を示している。図より、重心２１と重
心２４はＹ方向の位置が等しくなっており、Ｙ方向に関
し発光重心の偏りが発生していないことがわかる。

【００３３】比較のために、図３に前記三角形が２等辺
三角形となっていない場合を示す。階調レベル１におけ
る発光重心３１と、階調レベル２における発光重心３２
は、Ｘ方向においてもＹ方向においてもずれており、発
光重心の偏りが発生していることがわかる。

【００３４】更に好適には、図４に示すように、前記三
角形となる３個の表示素子のうち、１個の表示素子（例
えば表示素子１１）が、他の２個の表示素子を最小に包
囲する領域４１と重なるように配置する。このように配
置することで、画素内のデッドスペースを減らすことが
でき、１画素をコンパクトに形成することが可能とな
る。

【００３５】図５に、本発明の第１の実施例をＴＦＴと
有機ＥＬ素子で実現した場合の、各画素の等価回路図を
示す。各画素は、有機ＥＬ素子１０８１０〜１９８１２
と、ＴＦＴで構成される駆動用トランジスタ１０７１０
〜１０７１１と、ＴＦＴで構成される選択用トランジス
タ１０５１０〜１０５１１と、保持容量１０６１０〜１
０６１１とを含んで構成される。

【００３６】薄膜トランジスタである駆動用トランジス
タ１０７１０と電流素子である有機ＥＬ素子１０８１
０、駆動用トランジスタ１０７１１と有機ＥＬ素子１０
８１１、１０８１２とは、各々直列に接続されており、
有機ＥＬ素子１０８１０と、有機ＥＬ素子１０８１１と
１０８１２の組が、独立して発光できるように構成され
ている。

【００３７】このときゲート線１０９が選択されること
により、デジタル信号は、それぞれ第０〜１ビットの選
択用トランジスタ１０５１０〜１０５１１を通じて、そ
れぞれ第０〜１ビットの保持容量１０６１０〜１０６１
１に伝達される。

【００３８】かかる構成において、シフトレジスタ１０
１からパルスが出力され、第０〜１ビットのデジタル信
号供給線１０２１０〜１０２１１のデジタル信号は、そ
れぞれ第０〜１ビットの伝送スイッチ１０３１０〜１０
３１１を通じて、それぞれ第０〜１ビットのソース線１
０４１０〜１０４１１へ伝達される。すなわち、デジタ
ル信号が、各画素まで伝達されることになる。デジタル
信号により第０〜１ビットの駆動用トランジスタ１０７
１０〜１０７１１のオン・オフが制御され、第０〜１ビ
ットの有機ＥＬ素子１０８１０〜１０８１２はデジタル
信号に対応して発光または非発光となる。

【００３９】図６に、図５に示す各画素の平面図および
断面図を示す。表示素子である第０〜１ビットの有機Ｅ
Ｌ素子１０８１０〜１０８１２は、それぞれ素子面積が
等しく、オン状態において面積に応じた発光強度で発光
する。ここで、ＤＡコンバータの機能は各画素毎に内蔵
している。

【００４０】本実施例においては、シフトレジスタ１０
１、第０〜１ビットの伝送スイッチ１０３１０〜１０３
１１、第０〜１ビットの選択用トランジスタ１０５１０
〜１０５１１、駆動用トランジスタ１０７１０〜１０７
１１等を構成する薄膜トランジスタは、６００℃以下の
低温プロセスで形成された多結晶シリコン薄膜トランジ
スタを用いているが、同等の機能を持つものであれば他
の素子でも構わない。

【００４１】また、第０〜１ビットの有機ＥＬ素子１０
８１０〜１０８１２は、インクジェットプロセスで形成
されてたものを用いているが、他のプロセスで形成され
ていたり、有機ＥＬ素子以外の電流表示素子であっても
かまわない。

【００４２】図７に、図５に示す表示装置の駆動方法を
説明するタイミングチャートを示す。第０列のシフトレ
ジスタ１０１のパルスＳＲ０により、第０および１ビッ
トのデジタル信号供給線１０２１０〜１０２１１のデジ
タル信号Ｄ０およびＤ１は、第０列・第０および１ビッ
トのソース線１０４１０〜１０４１１の電位Ｓ００およ
びＳ０１へと伝達される。また、第１列のシフトレジス
タ１０１のパルスＳＲ１により、第０および１ビットの
デジタル信号Ｄ０およびＤ１は、第１列・第０および１
ビットのソース線１０４１０〜１０４１１の電位Ｓ１０
およびＳ１１へと伝達される。

【００４３】まず、第０行のゲート線１０９のパルスＧ
０が印加されているときは、第０列・第０および１ビッ
トのソース線１０４１０〜１０４１１の電位Ｓ００およ
びＳ０１は、第０行・第０列・第０および１ビットの保
持容量１０６１０〜１０６１１の電位Ｃ０００およびＣ
００１に伝達され、第１列・第０および１ビットのソー
ス線１０４１０〜１０４１１の電位Ｓ１０およびＳ１１
は、第０行・第１列・第０および１ビットの保持容量１
０６１０〜１０６１１の電位Ｃ０１０およびＣ０１１に
伝達される。

【００４４】次に、第１行のゲート線のパルスが印加さ
れているときは、第０列・第０および１ビットのソース
線１０４１０〜１０４１１の電位Ｓ００およびＳ０１
は、第１行・第０列・第０、１ビットの保持容量１０６
１０〜１０６１１の電位Ｃ１００およびＣ１０１に伝達
され、第１列・第０および１ビットのソース線１０４１
０〜１０４１１の電位Ｓ１０およびＳ１１は、第１行・
第１列・第０および１ビットの保持容量１０６１０〜１
０６１１の電位Ｃ１１０およびＣ１１１に伝達される。

【００４５】各有機ＥＬ素子は、各保持容量の電位、す
なわち対応するデジタル信号に従って発光または非発光
となる。

【００４６】ここで、オン状態の駆動用トランジスタの
抵抗は、オン状態の有機ＥＬ素子の抵抗に比べて、無視
できるほど小さくなっている。このため、有機ＥＬ素子
を流れる電流は、共通電極１１０と上側電極１１１間電
圧に対する有機ＥＬ素子の抵抗のみで決定されることに
なり、駆動用トランジスタの抵抗が多少増減しようと影
響を受けずにすむ。そのため、トランジスタのコンダク
タンスの不均一性に起因する発光強度の不均一性は抑制
されることになる。また、オフ状態の駆動用トランジス
タの抵抗は、オフ状態の有機ＥＬ素子の抵抗に比べて極
めて大きくなっているため、確実に有機ＥＬ素子をオフ
状態にすることができる。（第２の実施例）図８は、本発明の第２の実施例に係る
表示装置の、各画素における表示素子の配置を示す模式
図である。かかる実施例では、１画素について素子面積
の等しいｎ個の表示素子が配されている。

【００４７】本実施例の構成では、1画素について（ｎ
＋１）階調レベルの中間調が表現できる。ｎ個の表示素
子はｐ個のグループに分類されており、ｉ（１≦ｉ≦
ｐ）番目のグループには２^ｉ−１個の表示素子が割り当
てられている。図において、各素子に付された番号はグ
ループ番号を表わしている。ここで、表示可能な階調数
（ｎ＋１）とｐのあいだには、ｎ＋１＝２^ｐの関係が成
立する。

【００４８】本実施例では、前記ｎ個の表示素子の発光
状態を前記グループ単位で制御することにより（ｎ＋
１）階調レベルの階調表示を行う。すなわち、各グルー
プは階調レベルを２進数で表現した場合の各ビット
（桁）に相当している。

【００４９】図８に示すように、各画素におけるｎ個の
表示素子は２列に配置されており、一方の列に（ｎ−
１）／２個、他方の列に（ｎ＋１）／２個の表示素子が
配置されている。このように２列に配置することによ
り、一列に並べた場合に比べ、よりアスペクト比を１に
近づけることができる。

【００５０】各グループの表示素子をそれぞれどの列に
どのように配置するかについては、様々な形態が考えら
れる。

【００５１】図８（ａ）の例では、ｎ個の表示素子のう
ち、１番目からｐ−１番目のグループに割り当てられた
表示素子群は一方の列に、ｐ番目に割り当てられた表示
素子群は他方の列に配置している。

【００５２】図８（ｂ）の例では、ｎ個の表示素子のう
ち、１番目のグループに割り当てられた表示素子を、
（ｎ＋１）／２個の表示素子が配置される列に、配置し
ている。また、１番目のグループを除く各グループに割
り当てられた表示素子群は、半数を一方の列に、残りの
半数を他方の列に配置している。

【００５３】図８（ｃ）の例では、ｎ個の表示素子のう
ち、１番目のグループに割り当てられた表示素子を、
（ｎ−１）／２個の表示素子が配置される列に、２番目
のグループに割り当てられた表示素子群を、（ｎ＋１）
／２個の表示素子が配置される列に、配置している。ま
た、１番目のグループと２番目のグループを除く各グル
ープに割り当てられた表示素子群は、半数を一方の列
に、残りの半数を他方の列に配置している。

【００５４】更に、各グループごとの表示素子群の重心
位置が、全てのグループに関し同一直線上に位置するよ
うに、前記ｎ個の表示素子を配置することで、中間調表
現時における発光重心の偏りを軽減させることができ
る。

【００５５】図９（ａ）の例では、ｎ個の表示素子のう
ち、１番目からｐ−１番目のグループに割り当てられた
表示素子群は一方の列に、ｐ番目に割り当てられた表示
素子群は他方の列に配置し、更に各グループごとの表示
素子群の重心位置が、全てのグループに関し直線５０上
に位置するように配置している。

【００５６】図９（ｂ）の例では、ｎ個の表示素子のう
ち、１番目のグループに割り当てられた表示素子を、
（ｎ−１）／２個の表示素子が配置される列に、２番目
のグループに割り当てられた表示素子群を、（ｎ＋１）
／２個の表示素子が配置される列に、配置している。ま
た、１番目と２番目のグループを除く各グループに割り
当てられた表示素子群は、半数を一方の列に、残りの半
数を他方の列に配置し、更に各グループごとの表示素子
群の平均中心位置が、全てのグループに関し直線５０上
に位置するように配置している。

【００５７】ここで、上記の各例において、隣接する各
表示素子の重心を結ぶ図形が正三角形となるように、す
なわち隣接する表示素子どうしの距離が等しくなるよう
に配置してもよい。このような等間隔に表示素子が配置
された形態は、インクジェットプロセスで表示素子を形
成する場合に適している。

【００５８】また、上記各実施例において表示素子は隣
接する列において表示素子の位置がずれた状態で配置さ
れているが、図１０（ａ）（ｂ）に示すように、隣接す
る列において表示素子の位置がずれないように配置する
ことも考えられる。（画素の配置）図１１を参照して、本発明における画素
の配置方法について説明する。第１の実施例、第２の実
施例において、各画素の外形は台形状となる。このよう
な台形状の画素の配置方法としては、図１１（ａ）に示
すように横一列ごとに向きを反転させて配置する方法
や、図１１（ｂ）に示すように隣接する画素ごとに向き
を反転させて配置する方法が考えられる。

【００５９】なお、図１０に示すように表示素子を配置
した場合は、図１１（ｃ）に示すような配置のしかたが
考えられる。

【００６０】このように配することにより、画素につい
て隙間なく配置することが可能となり、デッドスペース
を抑制することができる。

【００６１】ここで、表示素子に関しては、画素の配置
にかかわらずに、画素内における表示素子間の距離と隣
接画素における表示素子間の距離が等しくなるように、
すなわち等間隔に配置することが考えられる。このよう
な等間隔に表示素子が配置された形態は、インクジェッ
トプロセスで表示素子を形成する場合に適している。

【００６２】上述したような画素配置において、図５、
６等で説明したような駆動用トランジスタ及び選択用ト
ランジスタを設けることにより、ＥＬ素子等からなる表
示素子を駆動することができる。（バス配線の配置）図１２を参照して、各画素に７個の
表示素子が配されている場合における、バス配線の配置
方法について説明する。

【００６３】この場合、７個の表示素子は３つのグルー
プに分類され、１番目のグループには１個の表示素子、
２番目のグループには２個の表示素子、３番目のグルー
プには４個の表示素子が割り当てられることになる。図
において表示素子に付された番号はグループ番号を表わ
している。各画素の発光状態は、かかる３つのグループ
単位でＯＮ／ＯＦＦが制御されることにより定まる。

【００６４】図１２（ａ）に示すように、信号線は各グ
ループに対して１本ずつ隣接するように配線される。具
体的には、１番目のグループには信号線６１が、２番目
のグループには信号線６２が、３番目のグループには信
号線６３が隣接して配線されている。また、走査線６４
は、各グループに割り当てられた表示素子のうち少なく
とも一つに隣接するように配線される。

【００６５】バス配線をこのように配線した場合、画素
間の走査線の接続を考慮すると、画素は図１１（ｂ）の
ように配置することが望ましい。かかる場合の、画素間
における走査線の接続の様子を図１２（ｂ）に示す。

【００６６】なお、図１１（ｃ）に示すように画素を配
置した場合は、走査線を図１２（ｃ）に示すように直線
状に配線することが可能となる。（その他の変形例）表示装置を有する電子機器装置、例
えばビデオカメラ、デジタルカメラ、カーオーディオ、
ビデオCDプレーヤー、携帯端末、ノートパソコンなどに
おいて、本発明の表示装置を用いることができる。

【００６７】なお、本発明は上記各実施例に限定される
ことなく、種々に変形して適用することが可能である。
階調レベル、色数、画素形状、表示素子の並び等につい
て種々の変形を行うことが可能である。例えば、上記各
実施例では表示素子の形状を円形状としたが、楕円形状
等の輪郭が曲面状の形状の表示素子を用いることもでき
る。また、例えば、上記各実施例では各画素における表
示素子の配置例について説明したが、画素が複数の色に
対応した副画素より構成されている場合であれば、本発
明を各副画素における表示素子の配置に適用することも
可能である。

【００６８】また、上記実施例においては、表示素子と
して有機エレクトロルミネッセンス素子を用いている
が、表示素子として無機エレクトロルミネッセンス素子
を用いても良い。また、本発明はアクティブマトリクス
方式の表示装置に限られず、パッシブマトリクス方式の
表示装置や液晶表示装置に対しても適用することができ
る。

【００６９】

【発明の効果】本発明は、各画素に配された表示素子群
の配置に関し、画素形状のアスペクト比を考慮しつつ、
中間調表現時の発光重心の偏りを少なくし、かつ画素内
のデッドスペースを減らすことのできるような配置を実
現するができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例に係る表示装置の、各画
素における表示素子の配置を示す模式図である。

【図２】本発明の第１の実施例に係る表示装置の、各画
素における表示素子の配置を示す模式図である。

【図３】本発明の第１の実施例に係る表示装置の、各画
素における表示素子の配置を示す模式図である。

【図４】本発明の第１の実施例に係る表示装置の、各画
素における表示素子の配置を示す模式図である。

【図５】本発明の第１の実施例をＴＦＴと有機ＥＬ素子
で実現した場合の、各画素の等価回路図である。

【図６】本発明の第１の実施例をＴＦＴと有機ＥＬ素子
で実現した場合の、各画素の平面図および断面図であ
る。

【図７】本発明の第１の実施例をＴＦＴと有機ＥＬ素子
で実現した場合の、表示装置の駆動方法を説明するため
の図である。

【図８】本発明の第２の実施例に係る表示装置の、各画
素における表示素子の配置を示す模式図である。

【図９】本発明の第２の実施例に係る表示装置の、各画
素における表示素子の配置を示す模式図である。

【図１０】本発明の第２の実施例に係る表示装置の、各
画素における表示素子の配置を示す模式図である。

【図１１】本発明の表示装置における、各画素の配置を
示す模式図である。

【図１２】本発明のバス配線の配置を説明するための模
式図である。

【図１３】素子面積と発光面積の相違を説明するための
模式図である。

【符号の説明】１１、１２、１３表示素子

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者前田浩長野県諏訪市大和３丁目３番５号セイコーエプソン株式会社内Ｆターム(参考） 3K007 AB01 AB17 BA06 DA02 GA04 5C080 AA06 BB05 DD06 EE29 FF09 GG09 JJ01 JJ02 JJ03 JJ04 JJ06 5C094 AA05 BA27 CA19 CA25 EA04 FA04 GA10

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】マトリクス状に形成された画素を備えて
おり、各画素にはｎ個（ｎ≧３）の表示素子が配され、
前記ｎ個の表示素子の発光状態を制御することにより階
調表示を行う表示装置であって、各画素における前記ｎ個の表示素子には、表示素子の重
心を結ぶ図形が三角形となるように配置された３個の表
示素子の組み合わせが、少なくとも一組含まれているこ
とを特徴とする表示装置。
【請求項２】前記三角形が２等辺三角形であることを
特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項３】前記三角形となるように配置された３個
の表示素子のうち、少なくとも１個の表示素子が、他の
２個の表示素子を最小に包囲する領域と重なって配置さ
れることを特徴とする請求項１または２記載の表示装
置。
【請求項４】マトリクス状に形成された画素を備えて
おり、各画素にはｎ個（ｎ≧３）の表示素子が配され、
前記ｎ個の表示素子の発光状態を制御することにより階
調表示を行う表示装置であって、前記ｎ個の表示素子は２列に配置されており、一方の列
に（ｎ−１）／２個、他方の列に（ｎ＋１）／２個の表
示素子が配置されていることを特徴とする表示装置。
【請求項５】マトリクス状に形成された画素を備えて
おり、各画素にはｎ個（ｎ≧３）の表示素子が配され、１画素あたり表示可能な階調数が２^ｐ階調であるとき、
前記ｎと前記ｐはｎ＋１＝２^ｐの関係にあり、前記ｎ個の表示素子はｐ個のグループに分類されてい
て、ｉ（１≦ｉ≦ｐ）番目のグループには２^ｉ−１個の
表示素子が割り当てられており、前記ｎ個の表示素子の発光状態を前記グループ単位で制
御することにより階調表示を行う表示装置であって、前記ｎ個の表示素子は２列に配置されており、１番目か
らｐ−１番目のグループに割り当てられた表示素子群は
一方の列に、ｐ番目に割り当てられた表示素子群は他方
の列に配置されていることを特徴とする表示装置。
【請求項６】マトリクス状に形成された画素を備えて
おり、各画素にはｎ個（ｎ≧３）の表示素子が配され、１画素あたり表示可能な階調数が２^ｐ階調であるとき、
前記ｎと前記ｐはｎ＋１＝２^ｐの関係にあり、前記ｎ個の表示素子はｐ個のグループに分類されてい
て、ｉ（１≦ｉ≦ｐ）番目のグループには２^ｉ−１個の
表示素子が割り当てられており、前記ｎ個の表示素子の発光状態を前記グループ単位で制
御することにより階調表示を行う表示装置であって、前記ｎ個の表示素子は２列に配置されており、１番目の
グループを除く各グループに割り当てられた表示素子群
は、半数が一方の列に、残りの半数が他方の列に配置さ
れていることを特徴とする表示装置。
【請求項７】マトリクス状に形成された画素を備えて
おり、各画素にはｎ個（ｎ≧３）の表示素子が配され、１画素あたり表示可能な階調数が２^ｐ階調であるとき、
前記ｎと前記ｐはｎ＋１＝２^ｐの関係にあり、前記ｎ個の表示素子はｐ個のグループに分類されてい
て、ｉ（１≦ｉ≦ｐ）番目のグループには２^ｉ−１個の
表示素子が割り当てられており、前記ｎ個の表示素子の発光状態を前記グループ単位で制
御することにより階調表示を行う表示装置であって、前記ｎ個の表示素子は２列に配置されており、１番目の
グループに割り当てられた表示素子は第１の列に、２番
目のグループに割り当てられた表示素子群は第２の列
に、１番目のグループと２番目のグループを除く各グル
ープに割り当てられた表示素子群は、半数が前記第１の
列に、残りの半数が前記第２の列に配置されていること
を特徴とする表示装置。
【請求項８】マトリクス状に形成された画素を備えて
おり、各画素にはｎ個（ｎ≧３）の表示素子が配され、１画素あたり表示可能な階調数が２^ｐ階調であるとき、
前記ｎと前記ｐはｎ＋１＝２^ｐの関係にあり、前記ｎ個の表示素子はｐ個のグループに分類されてい
て、ｉ（１≦ｉ≦ｐ）番目のグループには２^ｉ−１個の
表示素子が割り当てられており、前記ｎ個の表示素子の発光状態を前記グループ単位で制
御することにより階調表示を行う表示装置であって、各グループごとの表示素子群の重心位置が、全てのグル
ープに関し同一直線上に位置するように、前記ｎ個の表
示素子を配置することを特徴とする表示装置。
【請求項９】前記表示素子がＥＬ素子であることを特
徴とする請求項1乃至８のいずれか１項に記載の表示装
置。
【請求項１０】前記表示素子の輪郭が曲面状に形成さ
れていることを特徴とする請求項1乃至９のいずれか１
項に記載の表示装置。
【請求項１１】複数の走査線及び複数の信号線と、各
走査線と信号線の交差部に対応してマトリクス状に形成
された画素を備えており、各画素には複数のＥＬ素子が
配され、前記複数のＥＬ素子の発光状態を制御すること
により階調表示を行う表示装置であって、各画素における前記複数のＥＬ素子が、前記走査線及び
信号線のいずれの方向にも一列に配置されていないこと
を特徴とする表示装置。
【請求項１２】前記複数のＥＬ素子が少なくとも２列
に配列されており、第１の列内の隣接する２つのＥＬ素
子の重心から略等距離の位置に、第２の列内の１つのＥ
Ｌ素子の重心が存在することを特徴とする請求項１１記
載の表示装置。
【請求項１３】前記１つのＥＬ素子が、前記２つのＥ
Ｌ素子を最小に包囲する領域と重なって配置されること
を特徴とする請求項１２記載の表示装置。
【請求項１４】前記ＥＬ素子の輪郭が曲面状に形成さ
れていることを特徴とする請求項1０乃至１３のいずれ
か１項に記載の表示装置。
【請求項１５】請求項１乃至１４のいずれか一項に記
載の表示装置を備えた電子機器装置。