JP2001089748A - 研磨剤 - Google Patents
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Abstract
において、研削力に優れ、高い平滑性が優れ、かつ、品
質の安定した研磨剤を提供する。 【解決手段】 酸化セリウム含量の全稀土類酸化物含
量に対する純度が95%以上である高純度酸化セリウム
からなる砥粒を含有した研磨剤を使用する。
Description
ガラス基板を研磨するために好適に使用される、酸化セ
リウム砥粒を含む研磨剤に関する。
低価格化が可能なことから、現在のパソコンに使用され
ている代表的な不揮発性外部メモリであって、インスト
ールされたOSやアプリケーションソフトウエア等のプ
ログラムは、通常ここに記憶され、必要時に随時DRA
M等のメインメモリに呼び出されることにより、演算が
行われる。
したものであるが、この基板としては、従来からアルミ
ニウムやガラスが使用されている。しかして近年、イン
ターネットを通じて配信される画像や音楽情報等の所謂
マルチメディア情報の増大、OSやCAD・CAMやフ
ォトレタッチソフト等アプリケーションソフト自体の多
様化、高機能化等に起因して、一般的なパソコンにおい
ても、従来数百メガバイトが普通だったものが、現在で
は数ギガから十数ギガバイトの容量のハードディスクを
搭載することが普通の状態になっており、この高密度化
の趨勢は、これにとどまらず、さらに加速する状況にあ
る。
rpmで高速回転するディスクの距離( 隙間 )を出来る
限り小さくして、すなわち、ヘッドの低浮上量を、例え
ば0.15μm以下にまですることが要請される。すな
わち、高速で回転するハードディスクの基板としては、
強度とかつ低浮上量の点から、表面のより高度の平滑性
が求められている。
を薄くする必要があり、強度上の観点からガラス基板が
主に用いられるようになってきた。ハードディスク用ガ
ラス基板の製造工程においては、表面の平滑性をさらに
向上させるため、より高度に研磨する必要がある。
ては、通常、酸化セリウムを含む希土類酸化物混合物を
研磨砥粒として含む研磨剤が代表的なものとして使用さ
れている。
(bastnaesite)を低純度のまま原料として使用したセリ
ウム含有率が低いセリウム研磨剤では、作業時や廃棄時
に原料中に含まれる放射性物質やフッ素が環境汚染源と
なるという問題がある。また、他の希土類元素との混合
物であるため組成が一定でなく研磨性能にばらつきが生
じることも問題となっている。
したのでは、ガラス基板の面精度のさらなる向上につい
ても要求を満足させる研磨剤が得られていないことも問
題である。特に本発明者の詳細な検討によれば、バスト
ネサイト鉱を原料にした低純度希土類混合物からなる砥
粒を使用して表面の平滑性を上げようとすれば、研削力
が低下したり、ガラス表面に研磨砥粒が付着するという
問題が生じることがわかった。
の研磨に適し、特に平滑性をより向上させる、優れた研
磨剤が必要である。
ように、ハードディスク用ガラス基板の研磨工程におい
て、研削力を落とすことなく、品質の安定した、高い平
滑性を与えることのできる研磨剤を提供することであ
る。
(1) ハードディスク用ガラス基板の研磨工程で使用さ
れ、酸化セリウムを含む希土類酸化物を主体とする砥粒
を含有する研磨剤であって、前記砥粒中の酸化セリウム
含量/全希土類酸化物含量が95質量%以上であること
を特徴とする研磨剤、によって解決される。
記載の研磨剤を研磨布に供給しながら当該研磨布を用い
て、ハードディスク用ガラス基板の平坦化を行うことを
特徴とする研磨方法、によって解決される。
含量/全希土類酸化物含量が95質量%以上である高純
度酸化セリウムからなる砥粒を含有する。
全希土類酸化物含量( 全希土類酸化物含量を以下、TR
EO(total rare earth oxid
e)と表す。)に対する含量が、95質量%以上である
高純度酸化セリウムからなる砥粒( 以下、「本発明の砥
粒」ともいう。 )を含有することを特徴とする研磨剤で
ある。
リウム含量/全希土類酸化物含量が98質量%以上、よ
り好ましくは99質量%以上の高純度酸化セリウムから
なることが望ましい。また、砥粒中の放射性物質として
ウランやトリウムの含量が各々0.01質量%以下であ
ることが好ましく、また、砥粒中のフッ素含量は、1質
量%以下であることが好ましく、環境への悪影響を減ら
す上で、特に0.1質量%が好ましい。
得られるものが市販品として入手可能であるが、市販の
高純度炭酸セリウムを焼成することによっても製造でき
る。またバストネサイト鉱等から分離精製操作をした
後、焼成を行ってもよい。
あるバストネサイト鉱やモナザイト鉱を焙焼、硝酸溶
解、沈殿分離、焙焼して得られた酸化希土を、再度硝酸
に溶解し、水相中のセリウムイオンを、リン酸トリブチ
ル−ベンゼン等の溶媒で有機相に抽出し、さらに亜硝酸
ナトリウムのような還元剤を含む水相により逆抽出して
シュウ酸セリウムとした後、焼成することによって得ら
れる。
分離抽出操作と焙焼を行い、不純物である他の希土類元
素やフッ素等を取り除きセリウムの純度を高めた高純度
炭酸セリウムを出発原料とすることもでき、より好まし
い方法として挙げられる。
すと次のとおりである。 セリウム含量/全希土類含量=99.0質量% (ウラン+トリウム)<0.01質量% フッ素<0.1質量%
ったものである。 酸化セリウム及び希土類:蛍光X線分析 ウラン及びトリウム:ICP( 誘導結合プラズマ )発
光分析 フッ素:吸光光度法
により、これを空気中で加熱処理(焼成 )するだけで容
易に高純度の酸化セリウムを得ることができる。
セリウム中のセリウム含量/全希土類含量と、得られる
酸化セリウム中の酸化セリウム含量/TREOは、実質
的に一定に保持される。かくして得られる酸化セリウム
は、焼成の条件により3価〜4価の酸化物となる。焼成
温度は、研磨対象となるガラスの性質によって適宜選択
されるが、500〜1,100℃、より好ましくは60
0〜1,000℃が望ましく、研磨後の表面平滑性を向
上させるためには、特に750〜850℃が好ましい。
と表面の平滑性とを考慮して適宜選択され、焼成の前か
後に、粉砕工程を実施することにより調整することがで
きる。また、液体サイクロン、遠心沈降機、遠心傾しゃ
機( デカンター )等の湿式分級により所望の粒径範囲の
ものを分離して使用することも可能である。
m、特に0.5〜4μmであることが好ましい。平均粒
径が0.2μm未満であると、研削力が低下するおそれ
があり、6μmを越えるとスクラッチが増加するおそれ
がある。
度分布を求め、全質量を100%とした累積カーブにお
いて、その累積カーブが50%となる点の粒径である。
これを質量基準累積50%径ともいう(例えば、化学工
学便覧「改定5版」(化学工学会編)p220〜221
の記載参照)。
イクロトラックHRAX−100等の機器を使用し、酸
化セリウム粒子を水等の媒体に超音波処理して粒子の分
散状態が安定化した時点で粒度分布測定することにより
行われる。
酸化セリウム砥粒等を水又は水性媒体( 本明細書では、
両者をあわせて単に「水系媒体」と云う。 )に撹拌混合
機、ホモジナイザー、ボールミル等で十分分散させ、研
磨砥粒が1〜40質量%、好ましくは5〜30質量%分
散しているスラリー( 以下、研磨剤スラリーとも云う。
)として用いることが好ましい。ここで水性媒体とは、
水を主体とし、これにメタノール、エタノール、イソプ
ロパノール等の水溶性又は水と混和しうる有機溶媒を3
0質量%以下、好ましくは20質量%以下程度含む混合
溶媒である。また、この研磨剤スラリー中には、用途に
応じて、分散剤、増粘剤、防カビ剤、酸化剤又はpH調
節剤等を適宜添加して使用してもよい。
用され、ポリアクリル酸アンモニウム、ポリアクリル酸
ナトリウム、オレイン酸アンモニウム、ラウリル硫酸ア
ンモニウム、ラウリル硫酸トリエタノールアミン等の陰
イオン性界面活性剤、ポリオキシエチレンラウリルエー
テル、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、
ポリエチレングリコールジステアレート等の非イオン性
界面活性剤が好適に使用される。
明の砥粒に対して50質量%以下、好ましくは30質量
%以下の他の研磨砥粒の一種類以上を加えることも可能
である。他の研磨砥粒としては、アルミナ、シリカ、ジ
ルコニア、チタニア、ゲルマニア等から選択されること
が好ましく、なかでも、アルミナ、シリカ、ジルコニア
等が特に好ましいものとして挙げられる。
磨剤を、片面研磨機、両面研磨機等の研磨装置の研磨布
に供給しながら当該研磨布を用い、ガラス基板を研磨す
るが、通常、研磨剤はスラリー状で供給される。この研
磨剤スラリーを使用する研磨工程は、常法に従って行う
ことができる。例えば不織布や発泡ポリウレタン製の研
磨パッド( 研磨布 )がそれぞれ表面に貼りつけられてい
る上定盤と下定盤の間に、研磨すべきガラス基板を保持
せしめ、研磨パッドと基板との間に研磨剤スラリーを供
給しながら研磨する。すなわち所定の圧力をかけて研磨
パッドにより研磨剤を基板に密着させながら定盤を回
転、摺動することにより研磨を行うのである。このよう
に供給された研磨剤スラリーは、研磨パッドに担持され
て研磨が行われると考えられる。
2 、好ましくは50〜120g/cm2 、定盤回転数
は、10〜80rpm、好ましくは30〜60rpm程
度であり、ガラス基板の研磨速度は、0.05〜3μm
/min、好ましくは0.1〜1μm/min程度であ
る。
研磨において高い平滑性を与える研磨機構については、
完全には明確ではないが、おそらく次のようであろうと
推定される。すなわち、本発明の研磨剤の砥粒は、高純
度の酸化セリウムからなり、従来の酸化セリウム研磨剤
と比較して、不純物である他の希土類含量が少ない。他
の希土類元素は、ガラスの研磨において研削力をほとん
ど持たないため、全体としての研削力を低下させるもの
であった。
部分がガラスに対して大きな研削力を持つ酸化セリウム
であるため、研削力が全体として大幅に向上する。従っ
て、原料の炭酸セリウムを低温で焼成して酸化セリウム
としたものを使用することにより、従来よりも研磨砥粒
がより柔らかいものとなっても、研磨剤全体としては、
十分な研削力を持つことができると考えられる。同様
に、粉砕、分級等により、一次粒径の小さい砥粒粒子と
なった場合でも、やはり全体としては、十分な研削力を
持つことができるのである。
リウム研磨剤と比較して、これと同様な研削力を有しな
がら、かつ、より高い平滑性を研磨後のガラス表面に与
えることができる理由と考えられる。
の技術的範囲がこれに限定されるものではない。以下、
%とあるのは、質量%である。
の炭酸セリウムをジェットミルで乾式粉砕後、700℃
で焼成を行った。この焼成物を湿式分級して平均粒子径
1.2μmの研磨砥粒を得た。これをイオン交換水で砥
粒が10%になるように調製し研磨剤スラリーを製造し
た。
EO=99.0%、フッ素含量<0.1%、放射性物質
( ウラン+トリウム )含量<0.01%であった。TR
EOの分析は、JIS M8404−1976に基づい
て行った。
=99.0%の炭酸セリウムをジェットミルで乾式粉砕
後、750℃で焼成を行った。この焼成物を湿式分級し
て平均粒子径1.2μmの研磨砥粒を得た。これをイオ
ン交換水で砥粒が10%になるように調製し研磨剤スラ
リーを製造した。
=99.0%、フッ素含量<0.1%、放射性物質( ウ
ラン+トリウム )含量<0.01%であった。
=99.0%の炭酸セリウムを、700℃で焼成を行っ
た。この焼成物をジェットミルで乾式粉砕後、湿式分級
して平均粒子径1.1μmの研磨砥粒を得た。これをイ
オン交換水で砥粒が10%になるように調製し研磨剤ス
ラリーを製造した。
EO=99.0%、フッ素含量<0.1%、放射性物質
( ウラン+トリウム )含量<0.01%であった。
=99.0%の炭酸セリウムを、750℃で焼成を行っ
た。この焼成物をジェットミルで乾式粉砕後、湿式分級
して平均粒子径1.1μmの研磨砥粒を得た。これをイ
オン交換水で砥粒が10%になるように調製し研磨剤ス
ラリーを製造した。
EO=99.0%、フッ素含量<0.1%、放射性物質
( ウラン+トリウム )含量<0.01%であった。
=99.0%の炭酸セリウムを、800℃で焼成を行っ
た。この焼成物をジェットミルで乾式粉砕後、湿式分級
して平均粒子径1.1μmの研磨砥粒を得た。これをイ
オン交換水で砥粒が10%になるように調製し研磨剤ス
ラリーを製造した。
EO=99.0%、フッ素含量<0.1%、放射性物質
( ウラン+トリウム )含量<0.01%であった。
=99.0%の炭酸セリウムを、850℃で焼成を行っ
た。この焼成物をジェットミルで乾式粉砕後、湿式分級
して平均粒子径1.1μmの研磨砥粒を得た。これをイ
オン交換水で砥粒が10%になるように調製し研磨剤ス
ラリーを製造した。
EO=99.0%、フッ素含量<0.1%、放射性物質
( ウラン+トリウム )含量<0.01%であった。
するセリウム含量/全希土類含量=55.0%の希土類
混合炭酸セリウム( 原料ロットの異なる3ロット )をジ
ェットミルで乾式粉砕後、800℃で焼成を行った。こ
の焼成物を湿式分級して平均粒子径が1.1μmの研磨
砥粒を得た。これをイオン交換水で砥粒が10%になる
ように調製し研磨剤スラリーを製造した。
EO=55.0%、フッ素含量6.0%、放射性物質(
ウラン+トリウム )含量が0.1%のものであった。
比較例1は3ロット )を、以下の方法により、研磨速度
の測定、表面の平滑性の評価を行った。
ィスク用ガラス基板の質量差を測定し、比較例1の研磨
剤を使用して研磨したときの研磨前後の質量差(3ロッ
ト平均)を100とした相対的な値で評価した。
鏡を用い研磨後のガラス基板の表面を10μm×10μ
mの範囲で走査し、JIS B0601に規定されてい
る平均粗さ測定を行ってRa値で比較した。試験結果を
表1に示した。
比較例1は3ロット )を、以下の方法により、研磨速度
の測定、表面の平滑性の評価を行った。
ィスク用ガラス基板の質量差を測定し、比較例1の研磨
剤を使用して研磨したときの研磨前後の質量差(3ロッ
トの平均)を100とした相対的な値で評価した。
ブ顕微鏡を用い研磨後のガラス基板の表面を10μm×
10μmの範囲で走査し、JIS B0601に規定さ
れている平均粗さ測定を行ってRa値で比較した。試験
結果を表2に示した。
外の希土類元素酸化物の多い研磨砥粒を使用する比較例
の場合は、高純度酸化セリウムからなる研磨砥粒を使用
する実施例に対して、研磨速度が低く、表面平滑性も劣
るだけでなく、特に比較例1の研磨砥粒の場合は、原料
ロットにより結果にバラツキが出る。すなわち品質が安
定しないことが明らかである。
とすることによって、ハードディスク用ガラス基板研磨
工程において、従来に比べて研削力を落とすことなく高
い表面平滑性を得ることができる。
品質の安定した研磨剤を提供することができる。
ると、放射性物質やフッ素を含まず廃棄物が環境を汚染
することもない。
用ガラス基板だけでなく、光ディスクや光磁気ディクス
( MO )用ガラス基板の研磨にも、好適に適用すること
ができる。
Claims (5)
- 【請求項1】 ハードディスク用ガラス基板の研磨工程
で使用され、酸化セリウムを含む希土類酸化物を主体と
する砥粒を含有する研磨剤であって、前記砥粒中の酸化
セリウム含量/全希土類酸化物含量が95質量%以上で
あることを特徴とする研磨剤。 - 【請求項2】 前記砥粒中のウラン及びトリウムの含量
が、各々0.01質量%以下である請求項1に記載の研
磨剤。 - 【請求項3】 前記砥粒中のフッ素含量が1質量%以下
である請求項1または2に記載の研磨剤。 - 【請求項4】 水系媒体に懸濁させてスラリー状態で用
いられる請求項1〜3の何れかに記載の研磨剤。 - 【請求項5】 請求項1〜4の何れかに記載の研磨剤を
研磨布に供給しながら当該研磨布を用いて、ハードディ
スク用ガラス基板の平坦化を行うことを特徴とする研磨
方法。
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP2000207766A JP2001089748A (ja) | 1999-07-16 | 2000-07-10 | 研磨剤 |
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---|---|---|---|
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JP20297499 | 1999-07-16 | ||
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
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ID=29781704
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (1)
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Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002062917A1 (fr) * | 2001-02-07 | 2002-08-15 | Mitsui Mining & Smelting Co.,Ltd. | Matiere abrasive a base de cerium et procede de preparation de celle-ci |
WO2003025085A1 (fr) * | 2001-09-17 | 2003-03-27 | Mitsui Mining & Smelting Co.,Ltd. | Suspension epaisse d'une matiere abrasive a base de cerium |
WO2005007769A1 (en) * | 2003-07-17 | 2005-01-27 | Showa Denko K.K. | Method for setting firing temperature of cerium carbonate, method for producing cerium oxide abrasives and cerium oxide abrasives obtained by the method |
US20050136803A1 (en) * | 2003-11-04 | 2005-06-23 | Keigo Ohashi | Polishing composition and polishing method |
JP2007051057A (ja) * | 2005-08-12 | 2007-03-01 | Degussa Ag | 酸化セリウム粉末および酸化セリウム分散液 |
JP2007231158A (ja) * | 2006-03-01 | 2007-09-13 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | セリウム系研摩材 |
JP2008001907A (ja) * | 2007-07-26 | 2008-01-10 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | セリウム系研摩材スラリー及びセリウム系研摩材スラリーの製造方法 |
JP2008105168A (ja) * | 2006-04-28 | 2008-05-08 | Asahi Glass Co Ltd | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法および磁気ディスク |
JP2012038361A (ja) * | 2010-08-03 | 2012-02-23 | Showa Denko Kk | 酸化セリウム系研磨剤及びガラス製ハードディスク基板の製造方法 |
WO2012043214A1 (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-05 | コニカミノルタオプト株式会社 | 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法および情報記録媒体 |
JP2012079369A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Konica Minolta Opto Inc | 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法 |
US8323604B2 (en) | 2003-09-12 | 2012-12-04 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Cerium salt, producing method thereof, cerium oxide and cerium based polishing slurry |
US9868886B2 (en) | 2011-12-28 | 2018-01-16 | Konica Minolta, Inc. | Abrasive agent for substrates and substrate manufacturing method |
-
2000
- 2000-07-10 JP JP2000207766A patent/JP2001089748A/ja active Pending
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6843816B2 (en) | 2001-02-07 | 2005-01-18 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Cerium-based abrasive material and method for preparation thereof |
WO2002062917A1 (fr) * | 2001-02-07 | 2002-08-15 | Mitsui Mining & Smelting Co.,Ltd. | Matiere abrasive a base de cerium et procede de preparation de celle-ci |
WO2003025085A1 (fr) * | 2001-09-17 | 2003-03-27 | Mitsui Mining & Smelting Co.,Ltd. | Suspension epaisse d'une matiere abrasive a base de cerium |
US6893477B2 (en) | 2001-09-17 | 2005-05-17 | Mitsui Mining & Smelting Co, Ltd. | Cerium-based abrasive material slurry and method for producing cerium-based abrasive material slurry |
WO2005007769A1 (en) * | 2003-07-17 | 2005-01-27 | Showa Denko K.K. | Method for setting firing temperature of cerium carbonate, method for producing cerium oxide abrasives and cerium oxide abrasives obtained by the method |
US8323604B2 (en) | 2003-09-12 | 2012-12-04 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Cerium salt, producing method thereof, cerium oxide and cerium based polishing slurry |
US20050136803A1 (en) * | 2003-11-04 | 2005-06-23 | Keigo Ohashi | Polishing composition and polishing method |
JP2007051057A (ja) * | 2005-08-12 | 2007-03-01 | Degussa Ag | 酸化セリウム粉末および酸化セリウム分散液 |
JP4653705B2 (ja) * | 2005-08-12 | 2011-03-16 | エボニック デグサ ゲーエムベーハー | 酸化セリウム粉末および酸化セリウム分散液 |
JP2007231158A (ja) * | 2006-03-01 | 2007-09-13 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | セリウム系研摩材 |
JP2008105168A (ja) * | 2006-04-28 | 2008-05-08 | Asahi Glass Co Ltd | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法および磁気ディスク |
JP2008001907A (ja) * | 2007-07-26 | 2008-01-10 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | セリウム系研摩材スラリー及びセリウム系研摩材スラリーの製造方法 |
JP2012038361A (ja) * | 2010-08-03 | 2012-02-23 | Showa Denko Kk | 酸化セリウム系研磨剤及びガラス製ハードディスク基板の製造方法 |
WO2012043214A1 (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-05 | コニカミノルタオプト株式会社 | 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法および情報記録媒体 |
JP2012079369A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Konica Minolta Opto Inc | 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法 |
US8938990B2 (en) | 2010-09-30 | 2015-01-27 | Hoya Corporation | Method for producing glass substrate for information storage medium, and information storage medium |
JP5695068B2 (ja) * | 2010-09-30 | 2015-04-01 | Hoya株式会社 | 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法および情報記録媒体の製造方法 |
US9868886B2 (en) | 2011-12-28 | 2018-01-16 | Konica Minolta, Inc. | Abrasive agent for substrates and substrate manufacturing method |
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