JP2001085807A - 配線基板 - Google Patents
配線基板Info
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- JP2001085807A JP2001085807A JP25940999A JP25940999A JP2001085807A JP 2001085807 A JP2001085807 A JP 2001085807A JP 25940999 A JP25940999 A JP 25940999A JP 25940999 A JP25940999 A JP 25940999A JP 2001085807 A JP2001085807 A JP 2001085807A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】配線層に外観不良を発生したり、金めっき層と
ニッケルめっき層との間に剥離やフクレが発生し、配線
層に電子部品を半田を介して強固に取着することができ
ない。 【解決手段】電子部品３の電極が半田ボール５を介して
接続される配線層２を有する配線基板であって、前記配
線層２のうち少なくとも電子部品３の電極が半田ボール
５を介して接続される領域の表面に、ニッケル−ホウ素
めっき層６、パラジウム−リンめっき層７、金めっき層
８を順次被着させた。
ニッケルめっき層との間に剥離やフクレが発生し、配線
層に電子部品を半田を介して強固に取着することができ
ない。 【解決手段】電子部品３の電極が半田ボール５を介して
接続される配線層２を有する配線基板であって、前記配
線層２のうち少なくとも電子部品３の電極が半田ボール
５を介して接続される領域の表面に、ニッケル−ホウ素
めっき層６、パラジウム−リンめっき層７、金めっき層
８を順次被着させた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子や容量
素子、抵抗器等の電子部品が搭載される配線基板に関す
るものである。
素子、抵抗器等の電子部品が搭載される配線基板に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体素子や容量素子、抵抗器等
の電子部品が搭載される配線基板は、一般に、酸化アル
ミニウム質焼結体から成る絶縁基体と、該絶縁基体の上
面から下面にかけて形成されたタングステンやモリブデ
ン等の高融点金属材料から成る複数個の配線層とから構
成されており、絶縁基体の上面に半導体素子や容量素
子、抵抗器等の電子部品を搭載するとともに該電子部品
の各電極を配線層に半田を介して電気的に接続するよう
になっている。
の電子部品が搭載される配線基板は、一般に、酸化アル
ミニウム質焼結体から成る絶縁基体と、該絶縁基体の上
面から下面にかけて形成されたタングステンやモリブデ
ン等の高融点金属材料から成る複数個の配線層とから構
成されており、絶縁基体の上面に半導体素子や容量素
子、抵抗器等の電子部品を搭載するとともに該電子部品
の各電極を配線層に半田を介して電気的に接続するよう
になっている。
【０００３】かかる配線基板は、配線層の絶縁基体下面
に導出されている部位を外部電気回路基板の配線導体に
半田等を介し接続することによって外部電気回路基板上
に実装され、同時に配線基板に搭載されている電子部品
の各電極が所定の外部電気回路に電気的に接続されるこ
ととなる。
に導出されている部位を外部電気回路基板の配線導体に
半田等を介し接続することによって外部電気回路基板上
に実装され、同時に配線基板に搭載されている電子部品
の各電極が所定の外部電気回路に電気的に接続されるこ
ととなる。
【０００４】また、上述の配線基板は配線層の少なくと
も電子部品が半田を介して接続される領域にニッケル−
リン合金またはニッケル−ホウ素合金から成るニッケル
めっき層と金めっき層が順次被着されており、該ニッケ
ルめっき層によってタングステン等の高融点金属材料か
ら成る配線層に対する半田の接合を良好とし、金めっき
層によってニッケルめっき層表面にニッケルの酸化物が
形成されて半田接合性等が劣化するのを防止している。
も電子部品が半田を介して接続される領域にニッケル−
リン合金またはニッケル−ホウ素合金から成るニッケル
めっき層と金めっき層が順次被着されており、該ニッケ
ルめっき層によってタングステン等の高融点金属材料か
ら成る配線層に対する半田の接合を良好とし、金めっき
層によってニッケルめっき層表面にニッケルの酸化物が
形成されて半田接合性等が劣化するのを防止している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の配線基板において、配線層上の電子部品が半田を介
して接続される領域にニッケル−リン合金からなるニッ
ケルめっき層を被着させた場合、ニッケル−リン合金の
リン成分が不活性であること及びタングステンやモリブ
デン等の高融点金属材料から成る配線層の表面が粗面で
あること等から配線層の表面全面にニッケル−リン合金
からなるニッケルめっき層を均一に被着させることがで
きず、多数のピンホール（***）やボイド（小空隙）を
有したものとなり、その結果、ピンホールやボイド内に
めっき液が残留し易く、ピンホールやボイド内にめっき
液が残留しているとこれが電子部品を配線層に半田を介
して接続させる際の熱によって金めっき層上にしみ出
し、斑点状のしみを形成して外観不良を生じるという欠
点を有する。
来の配線基板において、配線層上の電子部品が半田を介
して接続される領域にニッケル−リン合金からなるニッ
ケルめっき層を被着させた場合、ニッケル−リン合金の
リン成分が不活性であること及びタングステンやモリブ
デン等の高融点金属材料から成る配線層の表面が粗面で
あること等から配線層の表面全面にニッケル−リン合金
からなるニッケルめっき層を均一に被着させることがで
きず、多数のピンホール（***）やボイド（小空隙）を
有したものとなり、その結果、ピンホールやボイド内に
めっき液が残留し易く、ピンホールやボイド内にめっき
液が残留しているとこれが電子部品を配線層に半田を介
して接続させる際の熱によって金めっき層上にしみ出
し、斑点状のしみを形成して外観不良を生じるという欠
点を有する。
【０００６】また配線層上にニッケル−ホウ素合金から
成るニッケルめっき層を被着させた場合、ニッケル−ホ
ウ素合金のホウ素成分は金と密着性が悪いこと及びニッ
ケル−ホウ素合金の熱膨張係数が金の熱膨張係数に対し
大きく相異すること等からニッケル−ホウ素合金から成
るニッケルめっき層と金めっき層の両方に電子部品を配
線層に半田を介して接続させる際等の熱が作用するとニ
ッケル−ホウ素合金から成るニッケルめっき層と金めっ
き層との間に両者の熱膨張係数の相異に起因して発生す
る応力によって剥離やフクレが生じ、これによって配線
層上に電子部品を半田を介して強固に取着することがで
きないという欠点を有していた。
成るニッケルめっき層を被着させた場合、ニッケル−ホ
ウ素合金のホウ素成分は金と密着性が悪いこと及びニッ
ケル−ホウ素合金の熱膨張係数が金の熱膨張係数に対し
大きく相異すること等からニッケル−ホウ素合金から成
るニッケルめっき層と金めっき層の両方に電子部品を配
線層に半田を介して接続させる際等の熱が作用するとニ
ッケル−ホウ素合金から成るニッケルめっき層と金めっ
き層との間に両者の熱膨張係数の相異に起因して発生す
る応力によって剥離やフクレが生じ、これによって配線
層上に電子部品を半田を介して強固に取着することがで
きないという欠点を有していた。
【０００７】本発明は上記欠点に鑑み案出されたもので
その目的は、斑点状のしみの発生による外観不良や金め
っき層とニッケルめっき層との間に剥離やフクレが発生
するのを有効に防止し、配線層に電子部品を半田を介し
て強固に取着することができる配線基板を提供すること
にある。
その目的は、斑点状のしみの発生による外観不良や金め
っき層とニッケルめっき層との間に剥離やフクレが発生
するのを有効に防止し、配線層に電子部品を半田を介し
て強固に取着することができる配線基板を提供すること
にある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、電子部品の電
極が半田を介して接続される配線層を有する配線基板で
あって、前記配線層のうち少なくとも電子部品の電極が
半田を介して接続される領域の表面に、ニッケル−ホウ
素めっき層、パラジウム−リンめっき層、金めっき層を
順次被着させたことを特徴とするものである。
極が半田を介して接続される配線層を有する配線基板で
あって、前記配線層のうち少なくとも電子部品の電極が
半田を介して接続される領域の表面に、ニッケル−ホウ
素めっき層、パラジウム−リンめっき層、金めっき層を
順次被着させたことを特徴とするものである。
【０００９】また本発明は、前記パラジウム−リンめっ
き層の厚さが０．０５μｍ〜３μｍであることを特徴と
するものである。
き層の厚さが０．０５μｍ〜３μｍであることを特徴と
するものである。
【００１０】更に本発明は、前記ニッケル−ホウ素めっ
き層のホウ素含有量が０．０５重量％〜３重量％である
ことを特徴とするものである。
き層のホウ素含有量が０．０５重量％〜３重量％である
ことを特徴とするものである。
【００１１】また更に本発明は、前記パラジウム−リン
めっき層のリン含有量が０．２重量％〜２重量％である
ことを特徴とするものである。
めっき層のリン含有量が０．２重量％〜２重量％である
ことを特徴とするものである。
【００１２】本発明の配線基板によれば、配線層のうち
少なくとも電子部品の電極が半田を介して接続される領
域の表面に、ニッケル−ホウ素めっき層、パラジウム−
リンめっき層、金めっき層を順次被着させ、配線層の表
面に直接、触媒活性の強いホウ素を含有するニッケル−
ホウ素めっき層を被着させたことから配線層にニッケル
−ホウ素めっき層をピンホールやボイド等を生じること
なく表面を極めて平滑として均一厚みに、かつ強固に被
着させることがてき、またニッケル−ホウ素めっき層上
に、該ニッケル−ホウ素めっき層及び金めっき層のいず
れとも密着性が良好であるパラジウム−リンめっき層を
被着させたことからニッケル−ホウ素めっき層上に金め
っき層を強固に被着させることができ、さらにパラジウ
ム−リンめっき層上に耐蝕性に優れ、かつ半田との濡れ
性に優れる金めっき層を被着させたことからニッケル−
ホウ素めっき層及びパラジウム−リンめっき層が酸化腐
蝕するのを有効に防止することができるとともに半田を
強固に接合させることができ、その結果、配線基板の配
線層に斑点状のしみやフクレが発生するのを有効に防止
することができるとともに配線層に電子部品の電極を半
田を介して極めて強固に接続することができる。 〔発明の詳細な説明〕
少なくとも電子部品の電極が半田を介して接続される領
域の表面に、ニッケル−ホウ素めっき層、パラジウム−
リンめっき層、金めっき層を順次被着させ、配線層の表
面に直接、触媒活性の強いホウ素を含有するニッケル−
ホウ素めっき層を被着させたことから配線層にニッケル
−ホウ素めっき層をピンホールやボイド等を生じること
なく表面を極めて平滑として均一厚みに、かつ強固に被
着させることがてき、またニッケル−ホウ素めっき層上
に、該ニッケル−ホウ素めっき層及び金めっき層のいず
れとも密着性が良好であるパラジウム−リンめっき層を
被着させたことからニッケル−ホウ素めっき層上に金め
っき層を強固に被着させることができ、さらにパラジウ
ム−リンめっき層上に耐蝕性に優れ、かつ半田との濡れ
性に優れる金めっき層を被着させたことからニッケル−
ホウ素めっき層及びパラジウム−リンめっき層が酸化腐
蝕するのを有効に防止することができるとともに半田を
強固に接合させることができ、その結果、配線基板の配
線層に斑点状のしみやフクレが発生するのを有効に防止
することができるとともに配線層に電子部品の電極を半
田を介して極めて強固に接続することができる。 〔発明の詳細な説明〕
【００１３】次に、本発明を添付図面に基づき詳細に説
明する。図１は、本発明の配線基板を半導体素子を収容
する半導体素子収納用パッケージに適用した場合の一実
施例を示し、１は絶縁基体、２は配線層である。この絶
縁基体１と配線層２とで半導体素子３を搭載するための
配線基板４が形成される。
明する。図１は、本発明の配線基板を半導体素子を収容
する半導体素子収納用パッケージに適用した場合の一実
施例を示し、１は絶縁基体、２は配線層である。この絶
縁基体１と配線層２とで半導体素子３を搭載するための
配線基板４が形成される。
【００１４】前記絶縁基体１は、酸化アルミニウム質焼
結体、窒化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、
炭化珪素質焼結体、ガラスセラミック焼結体等の電気絶
縁材料から成り、その上面に半導体素子３を搭載する搭
載部を有し、該搭載部表面に露出した配線層２に半導体
素子３の電極が半田ボール５を介して接続される。
結体、窒化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、
炭化珪素質焼結体、ガラスセラミック焼結体等の電気絶
縁材料から成り、その上面に半導体素子３を搭載する搭
載部を有し、該搭載部表面に露出した配線層２に半導体
素子３の電極が半田ボール５を介して接続される。
【００１５】前記絶縁基体１は、例えば、酸化アルミニ
ウム質焼結体から成る場合には、酸化アルミニウム、酸
化珪素、酸化カルシウム、酸化マグネシウム等の原料粉
末に適当な有機バインダー、溶剤を添加混合して泥漿状
のセラミックスラリーとなすとともに該セラミックスラ
リーを従来周知のドクターブレード法やカレンダーロー
ル法等のシート成形技術を採用しシート状となすことに
よってセラミックグリーンシート（セラミック生シー
ト）を得、しかる後、前記セラミックグリーンシートを
切断加工や打ち抜き加工により適当な形状とするととも
にこれを複数枚積層し、最後に前記積層されたセラミッ
クグリーンシートを還元雰囲気中、約１６００℃の温度
で焼成することによって製作される。
ウム質焼結体から成る場合には、酸化アルミニウム、酸
化珪素、酸化カルシウム、酸化マグネシウム等の原料粉
末に適当な有機バインダー、溶剤を添加混合して泥漿状
のセラミックスラリーとなすとともに該セラミックスラ
リーを従来周知のドクターブレード法やカレンダーロー
ル法等のシート成形技術を採用しシート状となすことに
よってセラミックグリーンシート（セラミック生シー
ト）を得、しかる後、前記セラミックグリーンシートを
切断加工や打ち抜き加工により適当な形状とするととも
にこれを複数枚積層し、最後に前記積層されたセラミッ
クグリーンシートを還元雰囲気中、約１６００℃の温度
で焼成することによって製作される。
【００１６】また前記絶縁基体１は、その上面の搭載部
から下面にかけて多数の配線層２が被着形成されてお
り、該配線層２の搭載部に露出した部位には半導体素子
３の各電極が半田ボール５を介して電気的に接続され、
また絶縁基体１の下面に導出された部位には外部電気回
路基板の配線導体が半田等を介して電気的に接続され
る。
から下面にかけて多数の配線層２が被着形成されてお
り、該配線層２の搭載部に露出した部位には半導体素子
３の各電極が半田ボール５を介して電気的に接続され、
また絶縁基体１の下面に導出された部位には外部電気回
路基板の配線導体が半田等を介して電気的に接続され
る。
【００１７】前記配線層２は、搭載される半導体素子３
の各電極を外部電気回路に接続する作用をなし、例え
ば、タングステン、モリブデン、マンガン等の高融点金
属粉末から成り、タングステン等の高融点金属粉末に適
当な有機バインダーや溶剤を添加混合して得た金属ペー
ストを絶縁基体１となるセラミックグリーンシートに予
め従来周知のスクリーン印刷法により所定パターンに印
刷塗布しておくことによって絶縁基体１の搭載部から下
面にかけて被着される。
の各電極を外部電気回路に接続する作用をなし、例え
ば、タングステン、モリブデン、マンガン等の高融点金
属粉末から成り、タングステン等の高融点金属粉末に適
当な有機バインダーや溶剤を添加混合して得た金属ペー
ストを絶縁基体１となるセラミックグリーンシートに予
め従来周知のスクリーン印刷法により所定パターンに印
刷塗布しておくことによって絶縁基体１の搭載部から下
面にかけて被着される。
【００１８】前記配線層２は図２に示すように、少なく
とも半導体素子３の電極が半田ボール５を介して接続さ
れる領域にニッケル−ホウ素めっき層６、パラジウム−
リンめっき層７及び金めっき層８が順次被着されてい
る。
とも半導体素子３の電極が半田ボール５を介して接続さ
れる領域にニッケル−ホウ素めっき層６、パラジウム−
リンめっき層７及び金めっき層８が順次被着されてい
る。
【００１９】前記ニッケル−ホウ素めっき層６は、配線
層２にパラジウム−リンめっき層７および金めっき層８
を密着性良く被着させる下地金属層として作用する。
層２にパラジウム−リンめっき層７および金めっき層８
を密着性良く被着させる下地金属層として作用する。
【００２０】前記ニッケル−ホウ素めっき層６は、硫酸
ニッケル等のニッケル化合物とホウ素系還元剤、例えば
水素化ホウ素ナトリウムやジメチルアミンボラン等を含
む無電解ニッケルめっき浴を用いた無電解めっき法によ
り配線層２の表面に所定厚みに被着される。この場合、
前記ニッケル−ホウ素めっき層６はその内部に触媒活性
の強いホウ素を含有することから配線層２の表面が粗面
であるとしてもニッケル−ホウ素めっき層６にピンホー
ルやボイド等が形成されることはなく、同時に表面を極
めて平滑として均一厚みに、かつ強固に被着させること
がてきる。
ニッケル等のニッケル化合物とホウ素系還元剤、例えば
水素化ホウ素ナトリウムやジメチルアミンボラン等を含
む無電解ニッケルめっき浴を用いた無電解めっき法によ
り配線層２の表面に所定厚みに被着される。この場合、
前記ニッケル−ホウ素めっき層６はその内部に触媒活性
の強いホウ素を含有することから配線層２の表面が粗面
であるとしてもニッケル−ホウ素めっき層６にピンホー
ルやボイド等が形成されることはなく、同時に表面を極
めて平滑として均一厚みに、かつ強固に被着させること
がてきる。
【００２１】なお、前記ニッケル−ホウ素めっき層６
は、ホウ素の含有量が０．０５重量％未満の少ないもの
となるとニッケル−ホウ素めっき層６の耐蝕性が劣化し
て酸化し易くなる傾向にあり、また３重量％を超えると
電気抵抗が上昇し、配線基板としての特性が劣化してし
まう傾向にある。従って、前記ニッケル−ホウ素めっき
層６は、そのホウ素の含有量を０．０５重量％〜３重量
％の範囲としておくことが好ましい。
は、ホウ素の含有量が０．０５重量％未満の少ないもの
となるとニッケル−ホウ素めっき層６の耐蝕性が劣化し
て酸化し易くなる傾向にあり、また３重量％を超えると
電気抵抗が上昇し、配線基板としての特性が劣化してし
まう傾向にある。従って、前記ニッケル−ホウ素めっき
層６は、そのホウ素の含有量を０．０５重量％〜３重量
％の範囲としておくことが好ましい。
【００２２】また前記ニッケル−ホウ素めっき層６は、
その厚さが１μｍ未満の薄いものになるとニッケル−ホ
ウ素めっき層６を粗面な配線層２に表面を極めて平滑と
して均一厚みに被着させるのが困難となってしまう傾向
にあり、また８μｍを超えると内部応力が大きくなって
配線層２にニッケル−ホウ素めっき層６を強固に被着さ
せることが困難となってしまう。従って、前記ニッケル
−ホウ素めっき層６は、その厚さを１μｍ〜８μｍの範
囲としておくことが好ましい。
その厚さが１μｍ未満の薄いものになるとニッケル−ホ
ウ素めっき層６を粗面な配線層２に表面を極めて平滑と
して均一厚みに被着させるのが困難となってしまう傾向
にあり、また８μｍを超えると内部応力が大きくなって
配線層２にニッケル−ホウ素めっき層６を強固に被着さ
せることが困難となってしまう。従って、前記ニッケル
−ホウ素めっき層６は、その厚さを１μｍ〜８μｍの範
囲としておくことが好ましい。
【００２３】さらに前記ニッケル−ホウ素めっき層６上
には、パラジウム−リンめっき層７が所定厚みに被着さ
れており、該パラジウム−リンめっき層７はニッケル−
ホウ素めっき層６に金めっき層８を強固に被着接合させ
る作用をなす。
には、パラジウム−リンめっき層７が所定厚みに被着さ
れており、該パラジウム−リンめっき層７はニッケル−
ホウ素めっき層６に金めっき層８を強固に被着接合させ
る作用をなす。
【００２４】前記パラジウム−リンめっき層７は、塩化
パラジウム等のパラジウム化合物とリン系還元剤、例え
ば次亜リン酸ナトリウム等を含む無電解パラジウムめっ
き浴を用いた無電解めっき法によりニッケル−ホウ素め
っき層６上に被着される。この場合、下地のニッケル−
ホウ素めっき層６は表面が極めて平滑であること、パラ
ジウム−リンめっき層７はニッケル−ホウ素めっき層６
に対し密着性が良いことからパラジウム−リンめっき層
７をニッケル−ホウ素めっき層６表面にピンホールやボ
イド等を形成することなく均一厚みに、かつ強固に被着
させることができる。
パラジウム等のパラジウム化合物とリン系還元剤、例え
ば次亜リン酸ナトリウム等を含む無電解パラジウムめっ
き浴を用いた無電解めっき法によりニッケル−ホウ素め
っき層６上に被着される。この場合、下地のニッケル−
ホウ素めっき層６は表面が極めて平滑であること、パラ
ジウム−リンめっき層７はニッケル−ホウ素めっき層６
に対し密着性が良いことからパラジウム−リンめっき層
７をニッケル−ホウ素めっき層６表面にピンホールやボ
イド等を形成することなく均一厚みに、かつ強固に被着
させることができる。
【００２５】なお、前記パラジウム−リンめっき層７
は、リンの含有率が０．２重量％未満となると、その内
部をニッケル等の金属が移動拡散し易くなり、半導体素
子３の電極を半田ボール５を介して配線層２に接続する
際等において熱が印加されると、ニッケル−ホウ素めっ
き層６のニッケルが金めっき層８表面にまで移動拡散し
て酸化ニッケル層が形成され易くなり、電子部品を配線
層２に半田ボール５を介して強固に接続することが困難
となる傾向にあり、また２重量％を超えると、触媒不活
性なリン成分が増大してめっき速度が遅くなり、量産性
が低いものとなって実用性が損なわれてしまう傾向にあ
る。従って、前記パラジウム−リンめっき層は、リンの
含有率を０．２重量％〜２重量％の範囲としておくこと
が好ましい。
は、リンの含有率が０．２重量％未満となると、その内
部をニッケル等の金属が移動拡散し易くなり、半導体素
子３の電極を半田ボール５を介して配線層２に接続する
際等において熱が印加されると、ニッケル−ホウ素めっ
き層６のニッケルが金めっき層８表面にまで移動拡散し
て酸化ニッケル層が形成され易くなり、電子部品を配線
層２に半田ボール５を介して強固に接続することが困難
となる傾向にあり、また２重量％を超えると、触媒不活
性なリン成分が増大してめっき速度が遅くなり、量産性
が低いものとなって実用性が損なわれてしまう傾向にあ
る。従って、前記パラジウム−リンめっき層は、リンの
含有率を０．２重量％〜２重量％の範囲としておくこと
が好ましい。
【００２６】また前記パラジウム−リンめっき層７は、
その厚みが０．０５μｍ未満と薄いものとなった場合、
ニッケル−ホウ素めっき層６を完全に被覆することがで
きず、金めっき層８の被着強度が弱くなってしまう傾向
にあり、また３μｍを超えると内部応力が大きくなって
ニッケル−ホウ素めっき層６への被着強度が低いものと
なってしまう傾向がある。従って、前記パラジウム−リ
ンめっき層７は、その厚さを０．０５μｍ〜３μｍの範
囲としておくことが好ましい。
その厚みが０．０５μｍ未満と薄いものとなった場合、
ニッケル−ホウ素めっき層６を完全に被覆することがで
きず、金めっき層８の被着強度が弱くなってしまう傾向
にあり、また３μｍを超えると内部応力が大きくなって
ニッケル−ホウ素めっき層６への被着強度が低いものと
なってしまう傾向がある。従って、前記パラジウム−リ
ンめっき層７は、その厚さを０．０５μｍ〜３μｍの範
囲としておくことが好ましい。
【００２７】更に前記パラジウム−リンめっき層７の表
面には金めっき層８が所定厚みに被着されており、該金
めっき層８はニッケル−ホウ素めっき層６及びパラジウ
ム−リンめっき層７が酸化腐蝕するのを有効に防止する
ことができるとともに半田を配線層２に強固に接合させ
る作用をなす。
面には金めっき層８が所定厚みに被着されており、該金
めっき層８はニッケル−ホウ素めっき層６及びパラジウ
ム−リンめっき層７が酸化腐蝕するのを有効に防止する
ことができるとともに半田を配線層２に強固に接合させ
る作用をなす。
【００２８】前記金めっき層８は、例えば、従来周知の
シアン化金カリウム等の金化合物とエチレンジアミン四
酢酸（ナトリウム塩）等の錯化剤とを含有する置換型の
無電解金めっき液を用いる無電解めっき法によりパラジ
ウム−リンめっき層７表面に形成される。
シアン化金カリウム等の金化合物とエチレンジアミン四
酢酸（ナトリウム塩）等の錯化剤とを含有する置換型の
無電解金めっき液を用いる無電解めっき法によりパラジ
ウム−リンめっき層７表面に形成される。
【００２９】前記金めっき層８は、その厚みが０．０５
μｍ未満の薄いものとなると、パラジウム−リンめっき
層７やニッケル−ホウ素めっき層６の酸化を防ぐことが
困難となり、また０．８μｍを超えて厚くすると、半導
体素子３の電極を配線層２に接続する半田ボール５との
間で金−錫等の脆い金属間化合物が形成され、接続部の
長期信頼性を低いものとしてしまうおそれがある。従っ
て、前記金めっき層８は、その厚さを０．０５μｍ乃至
０．８μｍの範囲としておくことが好ましい。
μｍ未満の薄いものとなると、パラジウム−リンめっき
層７やニッケル−ホウ素めっき層６の酸化を防ぐことが
困難となり、また０．８μｍを超えて厚くすると、半導
体素子３の電極を配線層２に接続する半田ボール５との
間で金−錫等の脆い金属間化合物が形成され、接続部の
長期信頼性を低いものとしてしまうおそれがある。従っ
て、前記金めっき層８は、その厚さを０．０５μｍ乃至
０．８μｍの範囲としておくことが好ましい。
【００３０】また一方、前記半導体素子３が搭載された
絶縁基体１は、その上面に蓋体９が樹脂、ガラス、ロウ
材等から成る封止材を介して接合され、この蓋体９と絶
縁基体１とによって半導体素子３を気密に封止するよう
になっている。
絶縁基体１は、その上面に蓋体９が樹脂、ガラス、ロウ
材等から成る封止材を介して接合され、この蓋体９と絶
縁基体１とによって半導体素子３を気密に封止するよう
になっている。
【００３１】前記蓋体９は酸化アルミニウム質焼結体や
ムライト質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体等のセラ
ミックス材料、あるいは鉄−ニッケル−コバルト合金や
鉄−ニッケル合金等の金属材料から成り、例えば、酸化
アルミニウム質焼結体から成る場合には、酸化アルミニ
ウム、酸化珪素、酸化マグネシウム、酸化カルシウム等
の原料粉末を従来周知のプレス成形法を採用することに
よって椀状に成形するとともにこれを約１５００℃の温
度で焼成することによって形成される。
ムライト質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体等のセラ
ミックス材料、あるいは鉄−ニッケル−コバルト合金や
鉄−ニッケル合金等の金属材料から成り、例えば、酸化
アルミニウム質焼結体から成る場合には、酸化アルミニ
ウム、酸化珪素、酸化マグネシウム、酸化カルシウム等
の原料粉末を従来周知のプレス成形法を採用することに
よって椀状に成形するとともにこれを約１５００℃の温
度で焼成することによって形成される。
【００３２】かくして本発明の配線基板４によれば、絶
縁基体１上面の搭載部表面に露出した配線層２に半導体
素子３の電極を半田ボール５を介して電気的、機械的に
接続し、しかる後、絶縁基体１の上面に金属やセラミッ
クスから成る蓋体９をガラスや樹脂、ロウ材等の封止材
を介して接合させ、絶縁基体１と蓋体９とから成る容器
内部に半導体素子３を気密に収容することによって製品
としての半導体装置が完成する。
縁基体１上面の搭載部表面に露出した配線層２に半導体
素子３の電極を半田ボール５を介して電気的、機械的に
接続し、しかる後、絶縁基体１の上面に金属やセラミッ
クスから成る蓋体９をガラスや樹脂、ロウ材等の封止材
を介して接合させ、絶縁基体１と蓋体９とから成る容器
内部に半導体素子３を気密に収容することによって製品
としての半導体装置が完成する。
【００３３】なお、本発明の配線基板は上述の実施例に
限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範
囲であれば種々の変更は可能であり、例えば、上述の実
施例では本発明の配線基板を半導体素子を収容する半導
体素子収納用パッケージに適用したが、混成集積回路基
板等の他の用途に適用してもよい。
限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範
囲であれば種々の変更は可能であり、例えば、上述の実
施例では本発明の配線基板を半導体素子を収容する半導
体素子収納用パッケージに適用したが、混成集積回路基
板等の他の用途に適用してもよい。
【００３４】また本発明における「半田」とは、一般的
な錫（Ｓｎ）と鉛（Ｐｂ）の合金に限らず錫（Ｓｎ）を
成分とする低融点の合金、例えば、「鉛フリー半田」と
称される錫ー銀系等の合金をも含むものである。
な錫（Ｓｎ）と鉛（Ｐｂ）の合金に限らず錫（Ｓｎ）を
成分とする低融点の合金、例えば、「鉛フリー半田」と
称される錫ー銀系等の合金をも含むものである。
【００３５】
【発明の効果】本発明の配線基板によれば、配線層のう
ち少なくとも電子部品の電極が半田を介して接続される
領域の表面に、ニッケル−ホウ素めっき層、パラジウム
−リンめっき層、金めっき層を順次被着させ、配線層の
表面に直接、触媒活性の強いホウ素を含有するニッケル
−ホウ素めっき層を被着させたことから配線層にニッケ
ル−ホウ素めっき層をピンホールやボイド等を生じるこ
となく表面を極めて平滑として均一厚みに、かつ強固に
被着させることがてき、またニッケル−ホウ素めっき層
上に、該ニッケル−ホウ素めっき層及び金めっき層のい
ずれとも密着性が良好であるパラジウム−リンめっき層
を被着させたことからニッケル−ホウ素めっき層上に金
めっき層を強固に被着させることができ、さらにパラジ
ウム−リンめっき層上に耐蝕性に優れ、かつ半田との濡
れ性に優れる金めっき層を被着させたことからニッケル
−ホウ素めっき層及びパラジウム−リンめっき層が酸化
腐蝕するのを有効に防止することができるとともに半田
を強固に接合させることができ、その結果、配線基板の
配線層に斑点状のしみやフクレが発生するのを有効に防
止することができるとともに配線層に電子部品の電極を
半田を介して極めて強固に接続することができる。
ち少なくとも電子部品の電極が半田を介して接続される
領域の表面に、ニッケル−ホウ素めっき層、パラジウム
−リンめっき層、金めっき層を順次被着させ、配線層の
表面に直接、触媒活性の強いホウ素を含有するニッケル
−ホウ素めっき層を被着させたことから配線層にニッケ
ル−ホウ素めっき層をピンホールやボイド等を生じるこ
となく表面を極めて平滑として均一厚みに、かつ強固に
被着させることがてき、またニッケル−ホウ素めっき層
上に、該ニッケル−ホウ素めっき層及び金めっき層のい
ずれとも密着性が良好であるパラジウム−リンめっき層
を被着させたことからニッケル−ホウ素めっき層上に金
めっき層を強固に被着させることができ、さらにパラジ
ウム−リンめっき層上に耐蝕性に優れ、かつ半田との濡
れ性に優れる金めっき層を被着させたことからニッケル
−ホウ素めっき層及びパラジウム−リンめっき層が酸化
腐蝕するのを有効に防止することができるとともに半田
を強固に接合させることができ、その結果、配線基板の
配線層に斑点状のしみやフクレが発生するのを有効に防
止することができるとともに配線層に電子部品の電極を
半田を介して極めて強固に接続することができる。
【００３６】また本発明の配線基板によれば、パラジウ
ム−リンめっき層のリンがニッケル等の金属の移動拡散
に対する効果的な障壁となることから、金めっき層の厚
さを、例えば、金と半田（錫等）とから成る脆い金属間
化合物が大量に形成されることを防ぐために０．０５μ
ｍ〜０．８μｍと薄くしたとしても、ニッケル−ホウ素
めっき層のニッケルが金めっき層の表面にまで移動拡散
して酸化物層を形成し半田濡れ性を劣化させる、という
問題を生じることはなく、電子部品を配線層に半田を介
して極めて容易かつ確実に接続することが可能で、この
半田接続部の長期信頼性を優れたものとすることもでき
る。
ム−リンめっき層のリンがニッケル等の金属の移動拡散
に対する効果的な障壁となることから、金めっき層の厚
さを、例えば、金と半田（錫等）とから成る脆い金属間
化合物が大量に形成されることを防ぐために０．０５μ
ｍ〜０．８μｍと薄くしたとしても、ニッケル−ホウ素
めっき層のニッケルが金めっき層の表面にまで移動拡散
して酸化物層を形成し半田濡れ性を劣化させる、という
問題を生じることはなく、電子部品を配線層に半田を介
して極めて容易かつ確実に接続することが可能で、この
半田接続部の長期信頼性を優れたものとすることもでき
る。
【図１】本発明の配線基板の一実施例を示す断面図であ
る。
る。
【図２】図１に示す配線基板の要部拡大図である。
１・・・・絶縁基体 ２・・・・配線層 ３・・・・半導体素子 ４・・・・配線基板 ５・・・・半田ボール ６・・・・ニッケル−ホウ素めっき層 ７・・・・パラジウム−リンめっき層 ８・・・・金めっき層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4E351 AA07 AA09 AA11 AA12 BB01 BB31 BB33 BB35 BB36 BB49 CC07 CC12 CC22 CC35 DD17 DD18 DD19 DD20 DD28 DD52 EE11 EE24 EE27 GG01 GG15 GG20
Claims (4)
- 【請求項１】電子部品の電極が半田を介して接続される
配線層を有する配線基板であって、前記配線層のうち少
なくとも電子部品の電極が半田を介して接続される領域
の表面に、ニッケル−ホウ素めっき層、パラジウム−リ
ンめっき層、金めっき層を順次被着させたことを特徴と
する配線基板。 - 【請求項２】前記パラジウム−リンめっき層の厚さが
０．０５μｍ〜３μｍであることを特徴とする請求項１
に記載の配線基板。 - 【請求項３】前記ニッケル−ホウ素めっき層のホウ素含
有量が０．０５重量％〜３重量％であることを特徴とす
る請求項１に記載の配線基板。 - 【請求項４】前記パラジウム−リンめっき層のリン含有
量が０．２重量％〜２重量％であることを特徴とする請
求項１に記載の配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25940999A JP2001085807A (ja) | 1999-09-13 | 1999-09-13 | 配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25940999A JP2001085807A (ja) | 1999-09-13 | 1999-09-13 | 配線基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001085807A true JP2001085807A (ja) | 2001-03-30 |
Family
ID=17333725
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25940999A Pending JP2001085807A (ja) | 1999-09-13 | 1999-09-13 | 配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001085807A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003008190A (ja) * | 2001-06-26 | 2003-01-10 | Kyocera Corp | 配線基板 |
-
1999
- 1999-09-13 JP JP25940999A patent/JP2001085807A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003008190A (ja) * | 2001-06-26 | 2003-01-10 | Kyocera Corp | 配線基板 |
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