JP2001085483A - 試料の検査方法及びその装置 - Google Patents

試料の検査方法及びその装置

Info

Publication number
JP2001085483A
JP2001085483A JP26416499A JP26416499A JP2001085483A JP 2001085483 A JP2001085483 A JP 2001085483A JP 26416499 A JP26416499 A JP 26416499A JP 26416499 A JP26416499 A JP 26416499A JP 2001085483 A JP2001085483 A JP 2001085483A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
inspection
defect
attribute
information
sample
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP26416499A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3802716B2 (ja
Inventor
Kenji Obara
健二 小原
Yuji Takagi
裕治 高木
Toshifumi Honda
敏文 本田
Akira Nakagaki
亮 中垣
Toshishige Kurosaki
利栄 黒▲崎▼
Yasuhiko Ozawa
康彦 小沢
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP26416499A priority Critical patent/JP3802716B2/ja
Priority to US09/661,182 priority patent/US6553323B1/en
Publication of JP2001085483A publication Critical patent/JP2001085483A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3802716B2 publication Critical patent/JP3802716B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8851—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
    • G01N2021/8854—Grading and classifying of flaws
    • G01N2021/8861—Determining coordinates of flaws

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 欠陥検査の検査情報に基づいて行なう欠陥の
詳細検査の検査効率を高める。 【解決手段】 例えば、欠陥検査装置１で検出された異
物や欠陥を、ＳＥＭなどを用いた詳細検査装置３で詳細
に検査してその発生原因などを解明するのであるが、詳
細検査する前に、欠陥検査装置１で検出された異物や欠
陥を光学顕微鏡などを用いた属性検査装置で検査して夫
々の属性を求め、この属性に基づいて、これら欠陥や異
物を詳細検査を必要とするものと、詳細検査を必要とし
ないものあるいは詳細検査ができないものとに区分し、
詳細検査を必要とする異物や欠陥のみ詳細検査装置３で
検査するようにする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造過程で
の半導体ウェハなどの試料上に発生する異物や欠陥の検
査方法及びその検査装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスは、基板となるウェハに
対して、露光・現像・エッチングなどの複数の処理を行
なうことにより製造され、その複数の処理工程のうちの
所定の処理工程での処理後に、異物検査装置や外観検査
装置により、ウェハ上の異物や欠陥の位置，大きさの検
査が行なわれる。そして、この検査によって検出された
異物や欠陥に対し、その全数あるいは一部を、人手によ
り、光学顕微鏡あるいはＳＥＭ(Scanning Electron Mic
roscope：走査電子顕微鏡)などの拡大撮像装置で拡大撮
像することにより、その大きさや形状，テクスチャ（表
面の模様）などの詳細情報を得、これを異物や欠陥の発
生工程を特定するための一助としていた。
【０００３】また、近年では、異物検査装置や外観検査
装置からの検査データを基に、自動的に異物や欠陥の拡
大画像を取得する機能、即ち、ＡＤＲ（Auto Defect Re
view）を有する拡大撮像装置が開発されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ＡＤＲは、
前述したように、異物検査装置や外観検査装置からの検
査データを基に行なわれる。かかる検査装置の検出情報
には、ノイズなどにより少なからぬ虚報（例えば、欠陥
でないのに、欠陥とすること）が含まれている場合が多
い。検査精度を高めようとすると、かかる虚報が増加す
る。このような場合、ＡＤＲでは、欠陥の存在しない画
像を多量に取得することになり、検査時間に無駄が発生
してしまう。
【０００５】また、検出系の違いにより、異物検査装置
や外観検査装置で欠陥として検出されても、詳細検査装
置では、これが検出できない場合がある。例えば、詳細
検査装置をＳＥＭとした場合、ウェハ上に形成された透
明な層の下に存在する異物を観察することができない。
このような場合でも、ＡＤＲでは、同様に、異物や欠陥
が観測できない画像、あるいはまた、異物や欠陥が存在
しない画像を多量に取得することになり、検査時間に大
きな無駄が生じてしまうことになる。
【０００６】また、人手により観察する場合、異物や欠
陥の特徴が正面からの画像でわかりにくい場合には、観
察角度を変化させて俯瞰像を得るなど撮像条件を調整す
ることがある。しかし、ＡＤＲを行なう場合、このよう
な異物や欠陥の特徴に応じて撮像条件を変える、という
ようなことはできないため、解析するに必要な情報を得
る画像が得られない場合がある。このような場合も、無
駄な検査となる。
【０００７】本発明の目的は、かかる従来技術の問題点
を解消し、詳細検査の検査効率や検査効果の向上を実現
した試料の検査方法及びその装置を提供することにあ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明による試料の検査方法は、欠陥検査処理で検
出された欠陥の情報に基づいて検出された該欠陥の詳細
検査処理の制御を行なう試料の欠陥を検査する方法であ
って、該欠陥検査処理で試料の欠陥位置情報を得、該欠
陥位置情報に検出された欠陥の性質を示す属性情報を付
加し、詳細検査処理で、該位置情報に基づいて検査位置
を特定し、該属性に基づいて詳細検査を行なうものであ
る。
【０００９】また、本発明による試料の検査方法は、前
記属性情報を、前記欠陥検査処理で得られた前記欠陥位
置情報の相対的位置関係より得られる欠陥の性質を含む
ものである。
【００１０】また、本発明による試料の検査方法は、前
記属性情報を、前記欠陥検査処理で得られた前記欠陥位
置情報に基づいて、光学的検出手段による前記欠陥の検
査によって得られる前記欠陥の属性に関する情報を含む
ものである。
【００１１】また、本発明による試料の検査方法は、前
記属性情報を、前記欠陥検査処理で得られた該欠陥位置
情報と別工程の欠陥検査処理により得られた欠陥位置情
報との比較によって得られる前記欠陥の属性に関する情
報を含むものである。
【００１２】また、本発明による試料の検査方法は、前
記属性情報は、前記欠陥が前記試料の表面に存在するか
否か、あるいは、前記欠陥の前記詳細検査を行なうか否
かを示す情報を含むものである。
【００１３】また、本発明による試料の検査方法は、前
記欠陥の属性毎に予め設定した個数のみ前記詳細検査処
理を行なう、あるいは、前記欠陥の属性毎に、属する欠
陥の個数に応じて設定した個数のみ前記詳細検査処理を
行なうものである。
【００１４】また、本発明による試料の検査方法は、前
記属性情報に基づいて前記詳細検査処理を行なわない前
記欠陥を決める、あるいは、前記属性情報に基づいて傾
斜観察による前記欠陥の詳細検査処理を行なうものであ
る。
【００１５】また、本発明による試料の検査方法は、前
記詳細検査処理を走査型電子顕微鏡を用いて、あるい
は、走査型電子顕微鏡及びＸ線分析装置を用いて行なう
ものである。そして、走査型電子顕微鏡の加速電圧，プ
ローブ電流，検出器の種類，ワークディスタンス，画像
の加算回数，観察角度，倍率のうちの少なくとも１つ以
上を変更するものである。
【００１６】また、本発明による試料の検査方法は、前
記属性情報に基づいて、前記Ｘ線分析装置による詳細検
査処理を行なうか否か判定して検査するものである。
【００１７】上記目的を達成するために、本発明による
試料の検査装置は、該試料の欠陥を検出する欠陥検出手
段と、該欠陥にその属性情報を付加する属性付加手段
と、該属性情報を記憶する記憶手段と、該属性情報に基
づいて該欠陥の詳細検査を行なう詳細検査手段とを備え
た構成をなしている。
【００１８】また、本発明による試料の検査装置は、該
試料の属性情報を取得する情報取得手段と、該属性情報
に基づいて検査方法を判断する判断手段と、該判断手段
の判断結果に基づいて該欠陥の詳細検査を行なう詳細検
査手段とを備えた構成をなしている。
【００１９】また、本発明による試料の検査装置は、複
数の検査装置を用い、第１の検査装置から得られた欠陥
に関する情報に基づいて第２，第３の検査装置で再度該
欠陥の検査を行なうものであって、該第１の検査装置
は、該試料の欠陥位置を検出する検出手段と、該検出手
段により検出された欠陥の位置情報を出力する出力手段
とを備え、該第２の検査装置は、該第１の検査装置の該
出力手段から出力された該位置情報を取得する情報取得
手段と、該位置情報に基づいて該試料の検査位置を制御
する制御手段と、該検査位置での欠陥の検査を行なう検
査手段と、該検査手段の検査結果に基づいて属性情報を
形成し、検査した該欠陥に該属性情報を付加する属性付
加手段と、該属性情報を出力する出力手段とを備え、第
３の検査装置は、該第２の検査装置の該出力手段から出
力された該属性情報を取得する情報取得手段と、取得し
た該属性情報に基づいて検査方法を判断する判断手段
と、該判断手段の判断結果に基づいて該属性情報が付加
された該欠陥の詳細検査を行なう検査手段とを備えた構
成をなしている。
【００２０】また、本発明による試料の検査装置は、複
数の検査装置を用い、第４の検査装置から得られた欠陥
に関する情報に基づいて第５の検査装置で該欠陥の詳細
検査を行なうものであって、第４の検査装置は、該試料
の欠陥の位置を検出する検出手段と、該検出手段によっ
て検出された該欠陥の位置情報を記憶する記憶手段と、
該位置情報に基づいて該試料での検査位置を制御する制
御手段と、該欠陥の属性検査を行なう検査手段と、該属
性検査の結果に基づいて該欠陥に属性情報を付加する属
性付加手段と、該属性情報を出力する出力手段を備え、
該第５の検査装置は、該第４の手段の該出力手段から出
力された該属性情報を取得する情報取得手段と、取得し
た該属性情報に基づいて検査方法を判断する判断手段
と、該判断手段の判断結果に基づいて該属性情報が付加
された該欠陥の詳細検査を行なう検査手段とを備えた構
成をなしている。
【００２１】また、本発明による試料の検査装置は、複
数の検査装置を用い、第６の検査装置から得られた欠陥
に関する情報に基づいて第７の検査装置で該欠陥の詳細
検査を行なうものであって、該第６の検査装置は、該試
料の欠陥の位置を検出する検出手段と、該検出手段によ
り検出された該欠陥の位置情報を出力する出力手段とを
備え、該第７の検査装置は、該第６の検査装置の該出力
手段から出力された該位置情報を取得する情報取得手段
と、取得した該位置情報に基づいて該試料の検査位置を
制御する制御手段と、該制御手段で制御された検査位置
での該欠陥の属性検査を行なう属性検査手段と、該属性
検査手段によって得られた該欠陥の属性情報を付加する
属性付加手段と、該属性情報を記憶する記憶手段と、該
属性情報に基づいて検査方法を判断する判断手段と、該
判断手段の判断結果に基づいて該欠陥の詳細検査を行な
う詳細検査手段とを備えた構成をなしている。
【００２２】また、本発明による試料の検査装置は、試
料の欠陥の位置を検出する検出手段と、該検出手段によ
り検出された欠陥の位置情報を記憶する第１の記憶手段
と、該記憶手段に記憶された位置情報に基づいて該試料
の検査位置を制御する制御手段と、該制御手段によって
制御された該試料の検査位置を検査し、該検査位置での
欠陥の属性検査を行なう属性検査手段と、該属性検査手
段の検査結果に基づいて該欠陥に属性情報を付加する属
性付加手段と、該属性情報を記憶する第２の記憶手段
と、該第２の記憶手段に記憶された該属性情報に基づい
て詳細検査での検査方法を判断する判断手段と、該判断
手段の判断結果に基づいて該欠陥の詳細検査を行なう詳
細検査手段とを備えた構成をなしている。
【００２３】また、本発明による試料の検査装置は、試
料としての半導体ウェハの欠陥を検出する欠陥検出手段
と、該欠陥検出手段で検出される欠陥が該半導体ウェハ
の表面に存在するか、下地に存在するかを判定する判定
手段と該欠陥検出手段で検出された欠陥の座標に関する
情報と該判定手段の判定結果とを記憶する記憶手段と、
該記憶手段に記憶された該欠陥の座標に関する情報と該
判定結果とを出力する出力手段と、を備えた構成をなし
ている。
【００２４】また、本発明による試料の検査装置は、前
記詳細検査手段が走査型電子顕微鏡とＸ線分析装置との
少なくともいずれか一方を有する構成をなしている。
【００２５】また、本発明による試料の検査装置は、前
記属性検査手段が光学式顕微鏡を有する構成をなしてい
る。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面を
用いて説明する。図１は本発明による試料の検査装置及
びその装置に用いる各検査装置を示す図であって、１は
欠陥検査装置、２は属性検査装置、３は詳細検査装置、
４は欠陥／属性検査装置、５は属性／詳細検査装置、６
は欠陥／属性／詳細検査装置、７はデータサーバであ
る。
【００２７】同図において、欠陥検査装置１は、半導体
ウェハ上の異物や欠陥（以下、特別の場合を除き、これ
らをまとめて、欠陥という）の位置を検査するものであ
って、例えば、日立製作所製WI−890 のような検査装置
である。属性検査装置２は、検査情報取得手段と欠陥の
属性に関する検査手段と属性を付加する属性付加手段と
を備えた検査装置である。詳細検査装置３は、上記の属
性に基づいて検査方法を判断する判断手段と欠陥の詳細
検査用の検査手段とを備えた検査装置である。欠陥／属
性検査装置４は、欠陥の検出手段とその属性を付加する
属性付加手段とを備えた検査装置である。属性／詳細検
査装置５は、検査情報取得手段と欠陥の属性に関する検
査手段と属性を付加する属性付加手段とを備え、かつこ
の属性に基づいて詳細検査を行なう検査手段を備えた検
査装置である。欠陥／属性／詳細検査装置６は、欠陥の
位置を検査する検査手段やその位置情報に基づいて欠陥
の属性を検査する検査手段，この欠陥の属性を付加する
属性付加手段を備え、かつこの属性に基づいて詳細検査
を行なう検査手段を備えた検査装置である。データサー
バ７は、これら検査装置１〜６で得られた検査データを
管理するデータサーバである。
【００２８】これら検査装置１〜６はサーバ７とはネッ
トワークにより接続され、夫々の検査装置で得られた欠
陥に関するデータがネットワークを介してデータサーバ
７に送られ、管理されるのであるが、これら検査装置１
〜６が全て用いられるのではなく、これら検査装置の１
つあるいは２つ以上を組み合わせて半導体ウェハの検査
を行なうものである。以下、かかる組み合わせからなる
本発明による試料の検査方法とその装置の各実施形態に
ついて説明する。
【００２９】〔第１の実施形態〕この第１の実施形態
は、図１の検査装置１〜３を組み合わせたものであっ
て、欠陥検査装置１で検出された欠陥をその半導体ウェ
ハ上での位置を表わすデータ（以下、欠陥位置データと
いう）を用いて光学式顕微鏡と撮像装置を備えた属性検
査装置２で検査し、これによって得られる画像を解析す
ることにより、これら欠陥の属性を求めるものであっ
て、この属性を基に選択された欠陥のみを詳細検査装置
３での詳細な検査の対象とするものである。
【００３０】図２は図１における属性検査装置２の一具
体例を示す構成図であって、８は情報入出力装置、９は
コンピュータ、１０は制御装置、１１はモニタ、１２は
撮像装置、１３はＸＹＺステージ、ＷＦは検査試料とし
ての半導体ウェハである。
【００３１】同図において、検査試料としての半導体ウ
ェハＷＦがＸＹＺステージ１３に固定されている。この
ＸＹＺステージ１３は、制御装置１０により、コンピュ
ータ９からの制御信号に応じてＸ，Ｙ，Ｚ方向に移動が
可能である。
【００３２】撮像装置１２は光学顕微鏡を備えており、
この光学顕微鏡を介して半導体ウェハＷＦを拡大撮像す
るものであって、ＸＹＺステージ１３を制御することに
より、半導体ウェハＷＦ上の任意の位置を拡大して観察
することができる。この半導体ウェハＷＦは欠陥検査装
置１（図１）によって欠陥の検査が行なわれており、こ
の検査によって得られた欠陥位置データがデータサーバ
７（図１）に格納されている。この半導体ウェハＷＦを
この属性検査装置２で検査する場合には、図２におい
て、コンピュータ９がこの半導体ウェハＷＦから得られ
た欠陥位置データをこのサーバ７から情報入出力装置８
から取り込み、この欠陥位置データに基づいて制御信号
を制御回路１０に送り、半導体ウェハＷＦ上の欠陥また
は異物の位置が撮像装置１２で観測できる位置になるよ
うに、ＸＹＺステージ１３を位置決め制御する。なお、
情報入出力装置８は、コンピュータ９に含まれていても
よい。
【００３３】コンピュータ９は、撮像装置１２で得られ
る画像を取り込み、モニタ１１で表示させるとともに、
この画像を解析してこの欠陥の属性の情報（以下、属性
情報という）を欠陥位置データに付加し、情報入出力装
置８を介してデータサーバ７に格納する。
【００３４】この属性は、欠陥が次の詳細検査装置３
（図１）の検査対象とすべきか否かを決めるための基準
であって、コンピュータ１０での画像解析の結果、発生
工程や発生原因が明らかな属性を持つ欠陥、詳細検査装
置３では観測できない属性を持つ欠陥は詳細検査装置３
の検査対象としないようにする。
【００３５】この属性としては、欠陥の色合い（例え
ば、白黒といった色の違い）や大きさ，形状などであっ
て、これによって欠陥の発生原因を特定できるものとで
きないものとを区別することができる。例えば、画像解
析で白く見える欠陥は発生原因を特定でき、黒く見える
欠陥はその発生原因を特定できない場合があるし、ま
た、小さい欠陥は倍率が低く、低解像度の光学式顕微鏡
では充分解析することができず、高解像度のＳＥＭなど
の詳細検査装置３による再検査が必要になる。このよう
に、属性情報は、欠陥を詳細検査装置３でさらに再検査
することが必要か否かを判定するのに使用するためのも
のである。
【００３６】なお、欠陥に付与する属性としては、上記
のように、画像解析して得られたものばかりでなく、そ
の他の方法によって得られたものであってもよい。例え
ば、欠陥が多数密集している場合には、その発生原因が
不明な場合があり、詳細検査装置３でさらに検査する必
要がある場合がある。従って、欠陥が多数密集している
か否かもそれら欠陥の属性とすることができる。また、
ひっかき傷のように、多数の欠陥が１つの曲線上に並ん
でいる場合もあるが、このようなことも属性とすること
ができる。さらに、検査対象の半導体ウェハの欠陥検査
装置１による現在の検査工程の検査結果とそれ以前の欠
陥検査装置による検査工程での検査結果と比較し、現在
の検査工程で検出された欠陥が新規に発生したものであ
るか、それ以前の製造工程で既に発生していたものかも
属性とすることができる。それ以前の製造工程で既に発
生していた欠陥は、詳細検査装置３で検査する必要がな
いことになる。さらには、属性情報としては、属性検査
装置２の検査結果に基づいて、「詳細検査装置３による
検査要」，「詳細検査装置３による検査不要」といった
情報としてもよい。
【００３７】図３は図２における属性検査装置２による
検査動作を示すフローチャートである。
【００３８】図２及び図３において、コンピュータ９
は、まず、ＸＹＺステージ１３に搭載した検査対象の半
導体ウェハＷＦに関するデータをデータサーバ７に問い
合わせることにより、この半導体ウェハＷＦの欠陥位置
データを取得する（ステップ１００）。そして、この取
得した欠陥位置データを用いて、この異物または欠陥が
撮像装置１２が備えた光学顕微鏡の視野内に入るよう
に、制御装置１０によってＸＹＺステージ１３を移動制
御し、この光学顕微鏡で拡大された異物または欠陥の部
分を撮像装置１２で撮像する（ステップ１０１）。
【００３９】次に、撮像した異物の欠陥の拡大画像をモ
ニタ１１に表示するとともに、この拡大画像から異物ま
たは欠陥を解析する。この解析は、予め人手によって学
習させた学習データを基にニューラルネットワークやフ
ァジィ推論などの分類エンジンにより分類するものであ
って、分類結果を属性として欠陥に付与する（ステップ
１０２）。この付与された属性は、属性情報として、情
報入出力装置８を介してデータサーバ７（図１）に出力
され、該当する欠陥位置データとともに管理される（ス
テップ１０３）。かかる検査が欠陥検査装置１（図１）
で検出された全ての欠陥について行なわれる（ステップ
１０４）。
【００４０】図４は図１における詳細検査装置３の一具
体例を示す構成図であって、１４は情報入出力装置、１
５はコンピュータ、１６は制御装置、１７はモニタ、１
８はＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）を用いた撮像装置、１
９は電子ビーム源、２０は電子光学系、２１はＸＹステ
ージ、２２は２次電子検出器、ＥＢは電子ビーム，Ｅ
Ｂ’は２次電子である。また、ＷＦは図２に示した属性
検査装置２で検査された半導体ウェハである。
【００４１】この詳細検査装置３は、図２で示した属性
検査装置２で検査された欠陥のうち、その属性を基に必
要とされる欠陥のみ詳細に検査するものであり、ここで
は、ＳＥＭを用いているため、高い倍率で詳細に欠陥の
検査をすることができる。
【００４２】同図において、コンピュータ１５は、図２
に示した属性検査装置２で得られた属性を基に、各欠陥
の詳細検査の要不要や設定する検査条件を判断する判断
手段をなすものであって、撮像装置１８は、この判断手
段の判断に基づいて、検査対象とする欠陥を詳細に検査
し、この拡大画像を出力する検査手段をなすものであ
る。
【００４３】被検査対象となる半導体ウェハＷＦが、撮
像装置１８内のＸＹステージ２１に固定されている。ま
た、コンピュータ１５は、ＸＹステージ２１に固定され
ている半導体ウェハＷＦで欠陥検出装置１（図１）によ
り検出された欠陥についての欠陥位置データと属性情報
とをデータサーバ７（図１）から情報入出力装置１４を
介して取り込み、これらの欠陥位置データを有する欠陥
毎に、属性情報に基づいて、この欠陥や異物が検査対象
となるか否かを判定し、検査対象となる欠陥に対して
は、その欠陥位置データに基づいて制御信号を制御装置
１６に送り、この制御装置１６により、撮像装置１８で
この検査対象となる欠陥が撮像装置１８で検査できるよ
うに、ＸＹステージ２１を位置決めし、これとともに、
この検査対象となる欠陥の属性に基づいて欠陥の撮像条
件などの検査条件を判断し、この検査条件を設定するた
めの設定制御信号を撮像装置１８に送る。
【００４４】そこで、撮像装置１８では、ＳＥＭでの電
子ビーム発生源１９や電子光学系２０を制御して電子ビ
ームＥＢを集束，偏向させ、半導体ウェハＷＦ上の検査
対象となった欠陥の領域を電子ビームＥＢで走査する。
この場合、検査条件に応じて走査領域を異ならせてもよ
い。例えば、検査対象となる欠陥が１つの欠陥または異
物であれば、それが存在する領域を、また、検査対象が
多数密集した欠陥である場合には、これら欠陥を含む領
域を夫々電子ビームＥＢで走査する。
【００４５】この電子ビームＥＢの照射により、半導体
ウェハＷＦの欠陥の部分から２次電子ＥＢ’が発生す
る。これを２次電子検出器２２で検出することにより、
半導体ウェハＷＦの異物または欠陥部分の拡大画像（こ
れをＳＥＭ画像という）が得られる。このＳＥＭ画像は
コンピュータ１５に取り込まれ、モニタ１７に表示され
るとともに、情報入出力装置１４を介してデータサーバ
７（図１）に送られて保管される。作業者は、このモニ
タ画面から欠陥の詳細を観察することができ、これによ
ってこれら欠陥の発生原因などを知ることができる。勿
論、これらのことをコンピュータ１５がＳＥＭ画像から
解析し、新たな属性情報として情報入出力装置１４を介
してデータサーバ７（図１）に送り、そこに保管するよ
うにしてもよい。
【００４６】なお、撮像装置１８に、さらに、Ｘ線分析
装置も装備するようにし、属性に応じて欠陥を構成する
材料の分析などを行なうようにすることもできる。この
ような分析結果の拡大画像のコンピュータ１５に取り込
まれ、モニタ１７に表示されたり、データサーバ７に保
管されたりし、さらに、その解析結果を新たな属性とし
てデータサーバ７に保管するようにしてもよい。
【００４７】また、データサーバ７に保管された欠陥位
置データや上記の各属性情報は、別途設けられたモニタ
やプリンタなどの出力装置に出力するようにすることも
できる。
【００４８】図５は図４に示した詳細検査装置３の検査
動作を示すフローチャートである。
【００４９】同図において、コンピュータ１５は、ま
ず、検査対象の半導体ウェハＷＦについてデータサーバ
７に問い合わせることにより、この半導体ウェハＷＦの
欠陥検査装置１（図１）で得られた欠陥に関する欠陥位
置データと属性検査装置２（図１）で付与された属性情
報を取得する（ステップ２００）。そして、このときの
異物または欠陥が、この属性情報により、この詳細検査
装置３での検査対象でないことが判明したときには（ス
テップ２０１）、データサーバ７に問い合わせて次の欠
陥位置データとこれに付与された属性情報とを取得して
（ステップ２００）検査対象の異物または欠陥か否かを
判定するが（ステップ２０１）、検査対象とする異物ま
たは欠陥であるときには（ステップ２０１）、上記のよ
うに撮像装置１８を動作させてＳＥＭ画像を取得する
（ステップ２０３）。以上の動作をＸＹステージ２１に
載置された半導体ウェハＷＦ上の検出された欠陥の全て
について行なう（ステップ２０４）。
【００５０】以上のようにして、欠陥検査装置１，属性
検査装置２及び詳細検査装置３を用いた第１の実施形態
では、属性検査装置２で取得した属性情報に基づいて、
詳細検査装置３で検査対象とする欠陥を選別することが
できる。
【００５１】ここで、属性検査装置２は光学顕微鏡を用
いて検査するものであるが、欠陥の検査を迅速に短時間
で行なうことができるという利点がある反面、倍率が小
さくて解像度が低く、精密な検査ができず、特に、非常
に細かい欠陥の検査が難しいという問題もある。これに
対し、ＳＥＭやＸ線分析装置は、１つ１つの欠陥の検査
に時間が掛り、検査に長時間を要するという欠点がある
が、倍率が高く、解像度の高い画像が得られて精度の良
い解析，分析が可能という利点がある。また、ＳＥＭや
Ｘ線分析装置では、層の中にあるなど、欠陥によって
は、検査できないものもある。
【００５２】この第１の実施形態は、光学顕微鏡を備え
た属性検査装置２とＳＥＭやＸ線分析装置を備えた詳細
検査装置３との特徴を活かし、光学顕微鏡を用いた検査
で発生原因が明らかとなる欠陥、また、詳細検査装置３
で検査できないような欠陥に対しては、属性検査装置２
による検査のみとし、詳細検査装置３で検査が可能で、
かつさらに詳細に検査が必要な欠陥は詳細検査装置３で
検査するようにするものであって、詳細検査装置３で検
査する必要があるかどうかを属性検査装置２での解析結
果で得られる属性で決めるようにするものである。
【００５３】このように、この第１の実施形態では、詳
細な検査を必要とする欠陥を詳細検査装置３で検査で
き、それ以外の欠陥は検査時間が短かい属性検査装置２
の検査で済ますようにするものであるから、無駄な詳細
検査を省いて検査時間を大幅に短縮することができる
し、充分な検査結果が得られることになる。従って、検
査効率と検査効果の向上が実現する。
【００５４】〔第２の実施形態〕この第２の実施形態
は、図１における欠陥／属性検査装置４と詳細検査装置
３とを組み合わせたものである。この欠陥／属性検査装
置４は、図１における欠陥検査装置１と属性検査装置２
とを備えた構成をなすものであって、詳細検査装置３
は、この欠陥／属性検査装置４で得られる属性を基に、
上記のように、詳細検査の対象となる欠陥を選別して詳
細検査するものである。
【００５５】図６はこの欠陥／属性検査装置４の一具体
例を示す構成図であって、２３は欠陥検査系、２４は属
性検査系、２５はＸＹＺステージ、２６は制御装置であ
り、図２に対応する部分には同一符号を付けて重複する
説明を省略する。
【００５６】同図において、この欠陥／属性検査装置４
は、図１における欠陥検査装置１のように、欠陥の位置
を検査する欠陥検査系２３と、図１における属性検査装
置２のように、欠陥検査系２３で得られた位置データを
もとに、各欠陥の属性を検査する属性検査系２４とから
構成されている。
【００５７】検査対象となる半導体ウェハＷＦは、ま
ず、欠陥検査系２３において、ＸＹＺステージ２５に載
置され、コンピュータ９の制御のもとにこの半導体ウエ
ハＷＦでの欠陥の検査が行なわれる。この欠陥検査系２
３はコンピュータ９で制御されるのであるが、この場
合、制御装置２６はコンピュータ９からの検査位置の指
示に応じてＸＹＺステージ２５をＸＹ方向に移動制御
し、この半導体ウェハＷＦの検査領域全体での検査がで
きるようにする。このとき、コンピュータ９は半導体ウ
ェハＷＦでの順次の検査位置を把握しており、欠陥検査
系２３での検査で欠陥が検出されると、そのときの検査
位置を欠陥位置データとして記憶する。このようにし
て、半導体ウェハＷＦでの欠陥位置データがコンピュー
タ９に得られることになる。なお、このようして得られ
た欠陥位置データは、情報入出力装置８を介してデータ
サーバ７（図１）に格納するようにしてもよい。
【００５８】欠陥検査系２３でのこの半導体ウェハＷＦ
の欠陥検査が終了すると、次に、この半導体ウェハＷＦ
は属性検査系２４に移送されてＸＹＺステージ１３に載
置される。この属性検査系２４は、得られた欠陥位置デ
ータをもとにしたコンピュータ９の制御のもとに、図２
で説明した属性検査装置２と同様に動作して、この欠陥
位置データで表わされる位置の欠陥毎に上記のような属
性が検出される。このようにして検出された属性情報は
欠陥位置データに付加され、情報入出力装置８を介して
データサーバ７（図１）に格納される。勿論、このよう
にして得られた欠陥位置データや属性情報をモニタ１１
で表示するようにしてもよいし、また、図示しないプリ
ンタで出力するようにしてもよい。
【００５９】次に、データサーバ７からこれら欠陥位置
データと属性情報とが詳細検査装置３（図４）に取り込
まれ、上記のように、この属性情報を用いて詳細検査の
対象となる欠陥が選別され、この選別された欠陥に対し
て詳細検査が行なわれる。
【００６０】このようにして、この第２の実施形態にお
いても、上記第１の実施形態と同様の効果が得られる
が、さらに、欠陥検査系２３と属性検査系２４とが一体
に設けられているので、欠陥検査と属性検査とを一連の
流れとして行なうことができ、同じ検査対象に対して検
査に要する時間を短縮することができる。
【００６１】なお、上記では、欠陥検査系２３から属性
検査系２４に半導体ウェハＷＦを搬送するようにした
が、欠陥検査系２３と属性検査系２４とで半導体ウェハ
ＷＦが載置されるＸＹＺステージを共通とし、欠陥検査
系２３で検査が終了すると、この半導体ウェハＷＦが載
置されているＸＹＺステージを属性検査系２４に移動さ
せるようにしてもよい。勿論、この場合には、検査系２
３，２４毎に制御装置２６，１０を設ける必要がなく、
共通の制御装置を用いて検査系２３，２４毎にそれに応
じた制御を行なわせるようにすることもでき、装置の簡
略化が図れることになる。
【００６２】〔第３の実施形態〕この第３の実施形態
は、図１における属性／詳細検査装置５と欠陥検査装置
１とを組み合わせたものである。この属性／詳細検査装
置５は、図１における属性検査装置２と詳細検査装置３
とを備えた構成をなすものである。
【００６３】図７はこの属性／詳細検査装置５の一具体
例を示す構成図であって、２７は詳細検査系、２８は情
報入出力装置、２９はコンピュータ、３０はモニタであ
り、図４及び図６に対応する部分には同一符号を付けて
重複する説明を省略する。
【００６４】同図において、この欠陥／属性検査装置４
は、図６で説明した属性検査系２４と、図４に示した詳
細検査装置３のように、属性検査系２４で得られた属性
情報をもとに選択された欠陥の詳細検査を行なう詳細検
査系２７とから構成されている。ここで、情報入出力装
置２８やコンピュータ２９，モニタ３０は属性検査系２
４と詳細検査系２７とで共通に使用されるものであり、
属性検査系２４に対しては、これら情報入出力装置２８
やコンピュータ２９，モニタ３０が夫々図２における情
報入出力装置８やコンピュータ９，モニタ１１に対応
し、詳細検査系２７に対しては、これら情報入出力装置
２８やコンピュータ２９，モニタ３０が夫々図４での情
報入出力装置１４やコンピュータ１５，モニタ１７に対
応する。
【００６５】検査対象となる半導体ウェハＷＦは、ま
ず、図１での欠陥検査装置１で欠陥検査が行なわれ、そ
の検査結果である欠陥位置データがデータサーバ７に格
納される。
【００６６】欠陥検査装置１で欠陥検査が終了した半導
体ウェハＷＦは属性検査系２４のＸＹＺステージ１３に
載置される。これとともに、コンピュータ２９はデータ
サーバ７（図１）から、情報入出力装置２８を介して、
この半導体ウェハＷＦに対する欠陥位置データを取り込
み、この欠陥位置データをもとに、図２で説明したよう
にして、欠陥検査装置１で検出された欠陥を検査し、そ
れらの属性情報を求める。かかる属性情報は、欠陥位置
データとともに、コンピュータ２９に保持されるが、情
報入出力装置２８を介してデータサーバ（図１）に格納
するようにしてもよい。
【００６７】属性検査系２４での属性検査が終了する
と、次に、この半導体ウェハＷＦは属性検査系２４から
詳細検査系２７に搬送され、ＸＹＺステージ２１に載置
される。この詳細検査系２７では、図４で説明した詳細
検査装置３と同様に、コンピュータ２９の制御のもと
に、属性検査系２４で得られた属性情報によって選択さ
れた欠陥の詳細検査が行なわれ、あるいはまた、この属
性情報に応じて各欠陥の撮像条件が変更され、これによ
って夫々の欠陥の拡大画像を得たり、これを解析して詳
細検査が行なわれる。また、詳細検査系２７にＸ線分析
手段も装備するようにすることにより、上記のように、
欠陥のＸ線分析を行なうようにすることもできる。勿
論、このようにして得られた拡大画像や解析・分析結果
をモニタ３０で表示するようにしてもよいし、また、図
示しないプリンタで出力するようにしてもよい。
【００６８】このようにして得られた拡大画像や解析・
分析情報は、上記の欠陥位置データや属性情報ととも
に、情報入出力装置２８を介してデータサーバ（図１）
に格納される。
【００６９】以上のようにして、この第３の実施形態に
おいても、上記第１の実施形態と同様の効果が得られる
が、さらに、属性検査系２４と詳細検査系２７とが一体
に設けられているので、属性検査と詳細検査とを一連の
流れとして行なうことができ、同じ検査対象に対して検
査に要する時間を短縮することができる。
【００７０】なお、上記では、属性検査系２４から詳細
検査系２７に半導体ウェハＷＦを搬送するようにした
が、これら属性検査系２４と詳細検査系２７とで半導体
ウェハＷＦが載置されるＸＹＺステージを共通とし、属
性検査系２４で検査が終了すると、この半導体ウェハＷ
Ｆが載置されているＸＹＺステージを詳細検査系２７に
移動させるようにしてもよい。勿論、この場合には、検
査系２４，２７毎に制御装置１０，１６を設ける必要が
なく、共通の制御装置を用いて検査系２４，２７毎にそ
れに応じた制御を行なわせるようにすることもでき、装
置の簡略化が図れることになる。
【００７１】〔第４の実施形態〕この第４の実施形態
は、図１における欠陥／属性／詳細検査装置６のみから
なるものである。この欠陥／属性／詳細検査装置６は、
図１における欠陥検査装置１と属性検査装置２と詳細検
査装置３とを備えた構成をなすものである。
【００７２】図８はこの欠陥／属性／詳細検査装置６の
一具体例を示す構成図であって、３１は情報入出力装
置、３２はコンピュータ、３３はモニタであり、前出図
面に対応する部分には同一符号を付けて重複する説明を
省略する。
【００７３】同図において、この欠陥／属性検査装置４
は、図６に説明した欠陥／属性検査装置４に図７に示し
た詳細検査系２７を追加した構成をなすものであり、情
報入出力装置３１やコンピュータ３２，モニタ３３はこ
れら欠陥検査系２３，属性検査系２４及び詳細検査系２
７に共通に使用されるものである。
【００７４】検査対象となる半導体ウェハＷＦは、ま
ず、欠陥検査系２３のＸＹＺステージ２５に載置され、
先に図６で説明したように、この半導体ウェハＷＦでの
欠陥検出が行なわれ、この検査結果得られる欠陥位置デ
ータがコンピュータ３２に保持される。なお、この欠陥
位置データは、情報入出力装置３１を介してデータサー
バ７（図１）に格納することもできる。
【００７５】この欠陥検査系２３での検査が終了する
と、半導体ウェハＷＦは属性検査系２４に搬送され、そ
のＸＹＺステージ１３に載置される。そして、この属性
検査系２４では、図６で説明したように、コンピュータ
３２に保持されている欠陥位置データをもとに、欠陥検
査系２３で検出された欠陥を検査し、それらの属性情報
を求める。かかる属性情報は、欠陥位置データととも
に、コンピュータ２９に保持されるが、情報入出力装置
３１を介してデータサーバ（図１）に格納するようにし
てもよい。また、かかる属性情報は、欠陥位置データと
ともにモニタ３３で表示するようにしてもよい。
【００７６】属性検査系２４での属性検査が終了する
と、次に、この半導体ウェハＷＦは属性検査系２４から
詳細検査系２７に搬送され、ＸＹＺステージ２１に載置
される。この詳細検査系２７では、図７で説明したよう
に、属性検査系２４で得られた属性情報によって選択さ
れた欠陥の詳細検査が行なわれ、あるいはまた、この属
性情報に応じて各欠陥の撮像条件が変更され、これによ
って夫々の欠陥の拡大画像を得たり、これを解析して詳
細検査が行なわれる。また、詳細検査系２７にＸ線分析
手段も装備するようにすることにより、上記のように、
欠陥のＸ線分析を行なうようにすることもできる。勿
論、このようにして得られた拡大画像や解析・分析結果
をモニタ３３で表示するようにしてもよいし、また、図
示しないプリンタで出力するようにしてもよい。
【００７７】このようにして得られた拡大画像や解析・
分析情報は、上記の欠陥位置データや属性情報ととも
に、情報入出力装置３１を介してデータサーバ７（図
１）に格納される。
【００７８】以上のようにして、この第４の実施形態に
おいても、上記第１の実施形態と同様の効果が得られる
が、さらに、欠陥検査系２３と属性検査系２４と詳細検
査系２７とが一体に設けられているので、欠陥検査から
詳細検査までを一連の流れとして行なうことができ、同
じ検査対象に対して検査に要する時間をさらに短縮する
ことができる。
【００７９】なお、上記では、欠陥検査系２３から属性
検査系２４へ、さらに、属性検査系２４から詳細検査系
２７へ半導体ウェハＷＦを搬送するようにしたが、これ
ら欠陥検査系２３と属性検査系２４と詳細検査系２７と
で半導体ウェハＷＦが載置されるＸＹＺステージを共通
とし、これら検査系間でＸＹＺステージを移動させるよ
うにしてもよい。勿論、この場合には、検査系２３，２
４，２７毎に制御装置２６，１０，１６を設ける必要が
なく、共通の制御装置を用いて検査系２３，２４，２７
毎にそれに応じた制御を行なわせるようにすることもで
き、装置の簡略化が図れることになる。
【００８０】ここで、半導体ウェハＷＦの処理工程で生
ずる異物を例にとり、その属性の具体例についてさらに
説明する。
【００８１】図９は製造中の半導体ウェハＷＦの１処理
工程での縦断面を示す図であって、Ｆｍは異物、Ｓｂは
基板となるシリコンウェハ、Ｈｗ1，Ｈｗ2は配線などの
階層である。
【００８２】図９(ａ），(ｂ）は基板Ｓｂ上に階層Ｈｗ
1，Ｈｗ2が形成された処理工程までを示すものであっ
て、同図（ａ）は透明な酸化膜の階層Ｈｗ2 の上に、即
ち、ウェハ表面に欠陥Ｆｍが存在する場合を、また、同
図（ｂ）は階層Ｈｗ1，Ｈｗ2間、即ち、下地に異物Ｆｍ
が存在する場合を夫々示している。図９（ａ）に示すよ
うな欠陥Ｆｍの場合には、光学顕微鏡は勿論のこと、Ｓ
ＥＭやＸ線分析装置でも観測できるが、図９（ｂ）に示
すように、異物が下地に存在する場合には、光学顕微鏡
で観測できるものの、ＳＥＭやＸ線分析装置では観測す
ることができない。そこで、このような異物Ｆｍの属性
としては、異物Ｆｍがウェハ表面に存在するか、下地に
存在するかで与えることができる。かかる属性により、
下地に存在する異物ＦｍをＳＥＭやＸ線分析装置などの
詳細検査の対象からはずすことができ、詳細検査の効率
化を図ることができる。
【００８３】なお、かかる異物Ｆｍの検査から、属性
を、異物Ｆｍがウェハ表面に存在するか、下地に存在す
るかを表わす情報とするのではなく、詳細検査を行なう
か否か、即ち、詳細検査要か否かを表わす情報としても
よい。
【００８４】また、下地に存在するものは傾斜観察を行
なうこととすれば、異物によるパターンの盛り上がり具
合が観察し易い画像を、異物が下地に存在する場合だけ
選択的に撮ることができる。
【００８５】欠陥がウェハ表面に存在するか、下地に存
在するかの判定は、光学顕微鏡の画像を解析することに
よって行なう。例えば、欠陥の輪郭は、欠陥がウェハ表
面に存在するときに比べ、下地に存在するときの方がぼ
やけてしまう。このぼけ具合を解析することにより判定
する。また、欠陥の色は、欠陥がウェハ表面に存在する
ときに比べて、下地に存在するときの方がある傾向をも
って変化する。そこで、欠陥領域の色を解析することに
より判定する。
【００８６】また、属性検査装置２での撮像装置１２
（図２）には、光学式顕微鏡だけでなく、属性を判定す
るための専用の検出系を用いてもよい。例えば、属性と
して、上記のように、欠陥がウェハの表面にあるか、下
地にあるのかを与えるとするものの専用の検出系とし
て、図１０に示す構成のものがある。但し、Ｌｍは光
源、Ｌｓ1はコリメータ、Ｌｓ2は集光レンズ、Ｈｍはハ
ーフミラー、Ｐｆは偏光板であり、図９に対応する部分
には同一符号をつけている。
【００８７】同図において、この検出系は、光源Ｌｍ
と、光源Ｌｍから出射される照明光を平行光にするコリ
メータＬｓ1と、この平行光を反射するハーフミラーＨ
ｍと、このハーフミラーＨｍで反射された平行光を対象
物に集光する集光レンズＬｓ2とから構成されて対象物
を明視野照明し、さらに、かかる光路中、例えば、ハー
フミラーＨｍと集光レンズＬｓ2との間にＳ偏光のみを
通過させる偏光板またはこれと同等の光減衰を生じさせ
るＮＤフィルタ（Neutral Density Filter：濃度フィル
タ）を入替え可能としているものであり、対象物からの
反射光を、集光レンズＬｓ2，偏光板ＰｆまたはＮＤフ
ィルタ及びハーフミラーＨｍを介して図示しない光検出
器で検出するものである。照明光が集光した位置に異物
Ｆｍが存在すると、その表面での乱反射によって検出器
での受光量が変化し、これによって異物Ｆｍが存在する
ことが検出できるが、光路中に偏光板Ｐｆを挿入した場
合の受光量とＮＤフィルタを挿入した場合の受光量との
差の有無により、異物Ｆｍがウェハ表面に存在するか、
下地に存在するかを検出することができる。
【００８８】即ち、光路中に偏光板Ｐｆを挿入してＳ偏
光で半導体ウェハＷＦを照明したときと、光路中にＮＤ
フィルタを挿入して光源Ｌｍからの照明光を減衰して半
導体ウェハＷＦを照明したときとで、光検出器から画像
を得、これらの画像の明るさを比較するのであるが、図
１０（ａ）はウェハ表面に異物Ｆｍがある場合を示すも
のであって、このような場合には、異物Ｆｍの表面での
光の反射は、偏光板Ｐｆを挿入した場合とＮＤフィルタ
を挿入した場合とで同等である。従って、夫々毎に得ら
れる画像の明るさも同等である。このことから、検出さ
れる異物Ｆｍはウェハの表面に存在することが分かる。
【００８９】図１０(ｂ)は下地に異物Ｆｍが存在する場
合であって、この場合には、照明光は階層Ｈｗ2 内を通
り、異物Ｆｍで反射されるのであるが、光路中に偏光板
Ｐｆを挿入して照明光をＳ偏光とした場合には、このＳ
偏光は階層Ｈｗ2の表面、即ち、ウェハ表面で反射され
てしまうため、異物Ｆｍからの反射光量が少ない。これ
に対し、ＮＤフィルタを挿入した場合には、照明光に含
まれるＳ偏光はウェハ表面で反射されるものの、かなり
の光量の照明光が階層Ｈｗ２内を通って異物Ｆｍで反射
されることになり、反射光量が多い。このため、ＮＤフ
ィルタを挿入した場合に得られる画像に比べ、偏光板Ｐ
ｆを挿入した場合に得られる画像の方が暗くなり、これ
ら画像の明るさの違いから、異物Ｆｍが下地に存在する
ことが分かる。以上のことは、欠陥についても同様であ
る。
【００９０】このようにして、図１０に示した専用の検
出系を用いることにより、得られる画像の明るさを比較
して欠陥がウェハ表面にあるか、下地にあるのかを判定
することができる。
【００９１】図１１は暗視野照明系を用いた専用の検出
系を示す図である。この検出系は、Ｐ偏光とＳ偏光の２
種類の照明を行ない、夫々の表明に対して画像を取得す
るものである。
【００９２】図１１（ａ）に示すように、異物Ｆｍが表
面に存在する場合には、相対的に、表面での反射率の低
いＰ偏光の照明による画像が暗く、表面での反射率の高
いＳ偏光の照明による画像が明るくなる。一方、図１１
（ｂ）に示すように、異物Ｆｍが下地に存在する場合に
は、相対的に、表面での反射率の低いＰ偏光の照明によ
る画像が明るく、表面での反射率の高いＳ偏光の照明に
よる画像が暗くなる。従って、これら両者の画像の明る
さを比較することにより、異物Ｆｍがウェハ表面に存在
するか、下地に存在するかを判定することができる。こ
のことは、欠陥についても同様である。
【００９３】なお、図１０及び図１１に示す具体例にお
いて、半導体ウェハＷＦでの照明位置は、勿論、欠陥検
査装置１（図１）で得られた欠陥位置データを用いて決
められるものである。
【００９４】以上の方法以外に、共焦点系の光学系を用
いて合焦点位置を厳密に測定することにより、欠陥がウ
ェハ表面に存在するか、下地に存在するかを判定するこ
ともできるし、現在検査中の工程よりも以前の工程にお
ける検査データを参照し、同一位置にある欠陥は下地に
存在すると判定するようにしてもよい。
【００９５】また、欠陥の属性をその発生原因としても
よく、このような場合には、同一属性を持つ欠陥につい
ては、それらの全てについて画像を取得するようにする
ものではなく、属性毎に予め決められた個数の欠陥の画
像を取得し、それ以上の欠陥については画像を取得しな
いようにしてもよい。このような場合には、欠陥の発生
原因となる画像は取得しつつも、残りの欠陥に対して詳
細検査を省くことができるので、欠陥の詳細検査時間を
さらに短縮することができる。
【００９６】また、属性毎に、検出された欠陥の個数に
応じて設定した個数の欠陥の詳細検査を行なうようにし
てもよい。これによると、上記と同様、詳細検査時間を
短縮できるとともに、属性毎の欠陥の発生比率を認識す
ることができる。
【００９７】また、詳細検査装置３や詳細検査系２７に
おいて、属性毎に、ＳＥＭでの欠陥の観察が最もし易い
ように、あるいは画像処理がし易いように、ＳＥＭでの
加速電圧やプローブ電流、検出器の種類、ワークディス
タンス、画像の加算回数、観察角度などの条件を予め設
定しておき、詳細検査時に欠陥の属性毎に予め設定した
条件を用いて画像を取得するようにすることができる。
これによると、欠陥の属性に応じた最適な撮像条件で画
像を取得することができ、観察し易い画像を取得するこ
とができる。また、画像処理に適した設定を行なうこと
により、安定した画像処理結果を得ることができる。
【００９８】また、欠陥の属性をその大きさとし、この
大きさに応じてＳＥＭでの撮像倍率を変更するようにす
ることもできる。これによると、最適な倍率で欠陥の画
像を取得することができる。
【００９９】また、欠陥の外観検査装置から大きさなど
の属性を取得し、ある大きさより小さいもののみを詳細
検査装置３あるいは詳細検査部２７で詳細検査して画像
を取得するようにしてもよく、必ずしもかかる検査装置
による出力結果を用いて再度属性を付加するための検査
を行なうというようにしなくてもよい。
【０１００】また、上記各実施形態では、属性検査装置
２や属性検査系２４で欠陥の属性を取得するものである
が、使用する属性によっては、欠陥検査装置１あるいは
欠陥検査系２３において、欠陥の位置検出のために使用
する画像を利用して属性の検出も行なうようにしてもよ
い。例えば、かかる画像を利用することにより、欠陥の
面積（大きさ）や周囲長，色，明るさ，テクスチャ，背
景パータンとの相対関係などの特徴を検出することがで
きるものであり、これらやこれらの複合を属性として、
欠陥の検査と並行して取得するようにしてもよい。
【０１０１】また、詳細検査装置３や詳細検査系２７で
どのような属性を持つ欠陥を検査するか否かを判定する
場合、そのための判定条件を設定する手法が必要であ
る。その一例をＳＥＭによる詳細検査を例として図１２
に示す。
【０１０２】同図において、ここでは、設定を行なう属
性の例として、サイズ，密集部サンプリング，前工程欠
陥削除，膜，配線，パターン欠陥，異物を挙げている。
「サイズ」は、欠陥部分の寸法である。「密集部サンプ
リング」は、欠陥が多数密集している部分を認識し、密
集部分に属すると判定した欠陥から詳細検査を行なう欠
陥をランダムサンプリングする割合を指定するものであ
る。「前工程欠陥削除」は、前の工程での欠陥位置デー
タと現在の工程での欠陥位置データとを比較し、前工程
と重複して存在する欠陥位置データを削除して、現在の
工程で新たに出現した欠陥位置データを用いることを指
定するものである。「膜」，「配線」，「パターン欠
陥」及び「異物」は、これら夫々の属性を持つ欠陥を詳
細検査するか否かを指定するものである。
【０１０３】なお、設定する属性としては、以上のもの
のみに限定されるものではなく、詳細検査装置や詳細検
査系で検査できる欠陥の特徴を表わすものであればよ
い。
【０１０４】また、上記の判定条件を設定する手法は、
属性と検査する／しないとの関係を関連付ける機能を有
しておればよく、テキストデータなどをエディタで編集
するなど、ＧＵＩ（Graphic User Interface）を有して
いなくとも構わない。この機能は、各欠陥検査装置毎に
実現されていてもよく、データサーバ上に実現されてい
てもよい。
【０１０５】また、かかる設定手法により設定された条
件により、図１の欠陥検査装置１で検出された欠陥位置
データに対して、半導体ウェハＷＦ上のどの位置の欠陥
が検査対象として選ばれたかをモニタに表示するように
してもよい。図１３はその表示画面の一具体例を示すも
のである。
【０１０６】この具体例は、図１２に示した設定条件に
基づいて、検出された欠陥が詳細検査の対象として選ば
れたか否かを示すものであり、〇印は検査対象となる欠
陥を、×印は検査対象とならない欠陥を夫々表わしてい
る。これら欠陥の表示位置は、欠陥検査装置で得られた
欠陥位置データによるものである。
【０１０７】かかる表示は、詳細検査装置３や詳細検査
系２７で行なうようにしてもよいが、データサーバ７に
モニタを設けてこれで表示するようにしてもよい。ま
た、この表示は、欠陥検査で得られた欠陥位置データに
対し、どの欠陥が詳細検査の対象と判定されたかが分か
る機能を有していればよい。また、このように欠陥の位
置を表示した後、検査する属性を変更できるようにして
もよい。
【０１０８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
試料で検出した欠陥毎に、それに付加された属性に基づ
いて詳細検査を行なう必要があるか否かを判別できるか
ら、確実に詳細検査を必要とする欠陥のみ詳細検査をす
ることができて、無駄な詳細検査を省くことができ、詳
細検査の効率化・時間短縮化を図ることができる。
【０１０９】また、本発明によれば、異物や欠陥毎に付
加される属性に応じた詳細検査での撮像条件を予め設定
しておき、検出した異物や欠陥の撮像条件をその属性を
もとに変更することにより、異物や欠陥の種類に応じて
観察し易い画像を取得することができるし、画像処理に
適した条件設定を行なうことにより、安定した画像処理
結果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による試料の検査方法及びその装置に用
いる各種の検査装置を示す図である。
【図２】本発明による試料の検査方法及び装置の第１の
実施例に用いる図１での属性検査装置の一具体例を示す
構成図である。
【図３】図２に示した属性検査装置による検査過程を示
すフローチャートである。
【図４】本発明による試料の検査方法及び装置の第１の
実施例に用いる図１での詳細検査装置の一具体例を示す
構成図である。
【図５】図４に示した詳細検査装置による検査過程を示
すフローチャートである。
【図６】本発明による試料の検査方法及び装置の第２の
実施例に用いる図１での欠陥／属性検査装置の一具体例
を示す構成図である。
【図７】本発明による試料の検査方法及び装置の第３の
実施例に用いる図１での属性／詳細検査装置の一具体例
を示す構成図である。
【図８】本発明による試料の検査方法及び装置の第４の
実施例に用いる図１での欠陥／属性／詳細検査装置の一
具体例を示す構成図である。
【図９】試料に生ずる異物の状態の例を示す断面図であ
る。
【図１０】図９に示した異物の属性を検査する検査装置
の検出光学系の一具体例を示す図である。
【図１１】図９に示した異物の属性を検査する検査装置
の検出光学系の他の具体例を示す図である。
【図１２】詳細検査の検査対象となる異物や欠陥の判定
条件の一具体例を示す図である。
【図１３】図１２に示した判定条件の結果を表わす表示
画面を示す図である。
【符号の説明】
１ 欠陥検査装置 ２ 属性検査装置 ３ 詳細検査装置 ４ 欠陥／属性検査装置 ５ 属性／詳細検査装置 ６ 欠陥／属性／詳細検査装置 ７ データサーバ ８ 情報入出力装置 ９ コンピュータ １０ 制御装置 １１ モニタ １２ 撮像装置 ＷＦ 半導体ウェハ １３ ステージ １４ 情報入出力装置 １５ コンピュータ １６ 制御装置 １７ モニタ １８ 走査型電子顕微鏡を用いた撮像装置 １９ 電子源 ＥＢ 電子ビーム ２０ 電子光学系 ２１ ステージ ２２ 二次電子検出器 ２３ 欠陥検出系 ２４ 属性検出系 ２５ ステージ ２６ 制御装置 ２７ 詳細検出系 ２８ 情報入出力装置 ２９ コンピュータ ３０ モニタ ３１ 情報入出力装置 ３２ コンピュータ ３３ モニタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 本田 敏文 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 中垣 亮 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 黒▲崎▼ 利栄 茨城県ひたちなか市市毛882番地 株式会 社日立製作所計測器グループ内 (72)発明者 小沢 康彦 茨城県ひたちなか市市毛882番地 株式会 社日立製作所計測器グループ内 Ｆターム(参考） 2G001 AA03 AA07 BA07 CA01 CA03 CA07 GA01 GA06 GA13 HA01 HA13 JA02 JA12 JA16 KA03 LA11 MA05 PA11 PA14 2G051 AA51 AB01 AB07 AC02 BA11 CA04 CB01 CC12 DA07 EA16 4M106 AA01 CA38 CA41 CA50 DB05 DB18 DJ20 DJ21 DJ27 DJ28 5C033 UU03 UU05 UU06

Claims (23)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 欠陥検査処理で検出された欠陥の情報に
    基づいて検出された該欠陥の詳細検査処理の制御を行な
    う試料の欠陥を検査する方法であって、 該欠陥検査処理で試料の欠陥位置情報を得、 該欠陥位置情報に検出された欠陥の性質を示す属性情報
    を付加し 詳細検査処理で、該位置情報に基づいて検査位置を特定
    し、該属性に基づいて詳細検査を行なうことを特徴とす
    る試料の検査方法。
  2. 【請求項２】 請求項１において、 前記属性情報は、前記欠陥検査処理で得られた前記欠陥
    位置情報の相対的位置関係より得られる欠陥の性質であ
    ることを特徴とする試料の検査方法。
  3. 【請求項３】 請求項１において、 前記属性情報は、前記欠陥検査処理で得られた前記欠陥
    位置情報に基づいて、光学的検出手段による前記欠陥の
    検査によって得られる前記欠陥の属性に関する情報であ
    ることを特徴とする試料の検査方法。
  4. 【請求項４】 請求項１において、 前記属性情報は、前記欠陥検査処理で得られた該欠陥位
    置情報と別工程の欠陥検査処理により得られた欠陥位置
    情報との比較によって得られる前記欠陥の属性に関する
    情報であることを特徴とする試料の検査方法。
  5. 【請求項５】 請求項１において、 前記属性情報は、前記欠陥が前記試料の表面に存在する
    か否かを含むことを特徴とする試料の検査方法。
  6. 【請求項６】 請求項１において、 前記属性情報は、前記欠陥の前記詳細検査を行なうか否
    かを示す情報を含むことを特徴とする請求項１記載の試
    料の検査方法。
  7. 【請求項７】 請求項１において、 前記欠陥の属性毎に予め設定した個数のみ前記詳細検査
    処理を行なうことを特徴とする試料の検査方法。
  8. 【請求項８】 請求項１において、 前記欠陥の属性毎に、これに属する欠陥の個数に応じて
    設定した個数のみ前記詳細検査処理を行なうことを特徴
    とする試料の検査方法。
  9. 【請求項９】 請求項１または３において、 前記属性情報に基づいて前記詳細検査処理を行なわない
    前記欠陥を決めることを特徴とする試料の検査方法。
  10. 【請求項１０】 請求項１または３において、 前記属性情報に基づいて傾斜観察による前記欠陥の詳細
    検査処理を行なうことを特徴とする試料の検査方法。
  11. 【請求項１１】 請求項１において、 前記詳細検査処理を走査型電子顕微鏡を用いて行なうこ
    とを特徴とする試料の検査方法。
  12. 【請求項１２】 請求項１において、 前記詳細検査処理を走査型電子顕微鏡及びＸ線分析装置
    を用いて行なうことを特徴とする試料の検査方法。
  13. 【請求項１３】 請求項１１または１２において、 前記属性情報に基づいて、前記走査型電子顕微鏡の加速
    電圧，プローブ電流，検出器の種類，ワークディスタン
    ス，画像の加算回数，観察角度，倍率のうちの少なくと
    も１つ以上を変更することを特徴とする試料の検査方
    法。
  14. 【請求項１４】 請求項１２において、 前記属性情報に基づいて、前記Ｘ線分析装置による詳細
    検査処理を行なうか否か判定して検査することを特徴と
    する試料の検査方法。
  15. 【請求項１５】 試料の欠陥を検査する装置であって、 該試料の欠陥を検出する欠陥検出手段と、 該欠陥にその属性情報を付加する属性付加手段と、 該属性情報を記憶する記憶手段と、 該属性情報に基づいて該欠陥の詳細検査を行なう詳細検
    査手段とを備えたことを特徴とする試料の検査装置。
  16. 【請求項１６】 試料の欠陥を検査する装置であって、 該試料の属性情報を取得する情報取得手段と、 該属性情報に基づいて検査方法を判断する判断手段と、 該判断手段の判断結果に基づいて該欠陥の詳細検査を行
    なう詳細検査手段とを備えたことを特徴とする試料の検
    査装置。
  17. 【請求項１７】 複数の検査装置を用い、第１の検査装
    置から得られた欠陥に関する情報に基づいて第２，第３
    の検査装置で再度該欠陥の検査を行なうようにした試料
    の検査装置において、 該第１の検査装置は、該試料の欠陥位置を検出する検出
    手段と、該検出手段により検出された欠陥の位置情報を
    出力する出力手段とを備え、 該第２の検査装置は、該第１の検査装置の該出力手段か
    ら出力された該位置情報を取得する情報取得手段と、該
    位置情報に基づいて該試料の検査位置を制御する制御手
    段と、該検査位置での欠陥の検査を行なう検査手段と、
    該検査手段の検査結果に基づいて属性情報を形成し、検
    査した該欠陥に該属性情報を付加する属性付加手段と、
    該属性情報を出力する出力手段とを備え、 第３の検査装置は、該第２の検査装置の該出力手段から
    出力された該属性情報を取得する情報取得手段と、取得
    した該属性情報に基づいて検査方法を判断する判断手段
    と、該判断手段の判断結果に基づいて該属性情報が付加
    された該欠陥の詳細検査を行なう検査手段とを備えたこ
    とを特徴とする試料の検査装置。
  18. 【請求項１８】 複数の検査装置を用い、第４の検査装
    置から得られた欠陥に関する情報に基づいて第５の検査
    装置で該欠陥の詳細検査を行なう試料の検査装置におい
    て、 第４の検査装置は、該試料の欠陥の位置を検出する検出
    手段と、該検出手段によって検出された該欠陥の位置情
    報を記憶する記憶手段と、該位置情報に基づいて該試料
    での検査位置を制御する制御手段と、該欠陥の属性検査
    を行なう検査手段と、該属性検査の結果に基づいて該欠
    陥に属性情報を付加する属性付加手段と、該属性情報を
    出力する出力手段を備え、 該第５の検査装置は、該第４の手段の該出力手段から出
    力された該属性情報を取得する情報取得手段と、取得し
    た該属性情報に基づいて検査方法を判断する判断手段
    と、該判断手段の判断結果に基づいて該属性情報が付加
    された該欠陥の詳細検査を行なう検査手段とを備えたこ
    とを特徴とする試料の検査装置。
  19. 【請求項１９】 複数の検査装置を用い、第６の検査装
    置から得られた欠陥に関する情報に基づいて第７の検査
    装置で該欠陥の詳細検査を行なう試料の検査装置におい
    て、 該第６の検査装置は、 該試料の欠陥の位置を検出する検出手段と、 該検出手段により検出された該欠陥の位置情報を出力す
    る出力手段とを備え、 該第７の検査装置は、 該第６の検査装置の該出力手段から出力された該位置情
    報を取得する情報取得手段と、 取得した該位置情報に基づいて該試料の検査位置を制御
    する制御手段と、 該制御手段で制御された検査位置での該欠陥の属性検査
    を行なう属性検査手段と、 該属性検査手段によって得られた該欠陥の属性情報を付
    加する属性付加手段と、 該属性情報を記憶する記憶手段と、 該属性情報に基づいて検査方法を判断する判断手段と、 該判断手段の判断結果に基づいて該欠陥の詳細検査を行
    なう詳細検査手段とを備えたことを特徴とする試料の検
    査装置。
  20. 【請求項２０】 試料の欠陥の位置を検出する検出手段
    と、 該検出手段により検出された欠陥の位置情報を記憶する
    第１の記憶手段と、 該記憶手段に記憶された位置情報に基づいて該試料の検
    査位置を制御する制御手段と、 該制御手段によって制御された該試料の検査位置を検査
    し、該検査位置での欠陥の属性検査を行なう属性検査手
    段と、 該属性検査手段の検査結果に基づいて該欠陥に属性情報
    を付加する属性付加手段と、 該属性情報を記憶する第２の記憶手段と、 該第２の記憶手段に記憶された該属性情報に基づいて詳
    細検査での検査方法を判断する判断手段と、 該判断手段の判断結果に基づいて該欠陥の詳細検査を行
    なう詳細検査手段とを備えたことを特徴とする試料の検
    査装置。
  21. 【請求項２１】 試料としての半導体ウェハの欠陥を検
    出する欠陥検出手段と、 該欠陥検出手段で検出される欠陥が該半導体ウェハの表
    面に存在するか、下地に存在するかを判定する判定手段
    と該欠陥検出手段で検出された欠陥の座標に関する情報
    と該判定手段の判定結果とを記憶する記憶手段と、 該記憶手段に記憶された該欠陥の座標に関する情報と該
    判定結果とを出力する出力手段と、 を備えたことを特徴とする試料の検査装置。
  22. 【請求項２２】 請求項１５〜２０のいずれか１つにお
    いて、 前記詳細検査手段が走査型電子顕微鏡とＸ線分析装置と
    の少なくともいずれか一方を有することを特徴とする試
    料の検査装置。
  23. 【請求項２３】 請求項１５〜２０のいずれか１つにお
    いて、 前記属性検査手段が光学式顕微鏡を有することを特徴と
    する試料の検査装置。
JP26416499A 1999-09-17 1999-09-17 試料の検査方法及びその装置 Expired - Fee Related JP3802716B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP26416499A JP3802716B2 (ja) 1999-09-17 1999-09-17 試料の検査方法及びその装置
US09/661,182 US6553323B1 (en) 1999-09-17 2000-09-13 Method and its apparatus for inspecting a specimen

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP26416499A JP3802716B2 (ja) 1999-09-17 1999-09-17 試料の検査方法及びその装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005305912A Division JP2006074065A (ja) 2005-10-20 2005-10-20 試料の検査装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001085483A true JP2001085483A (ja) 2001-03-30
JP3802716B2 JP3802716B2 (ja) 2006-07-26

Family

ID=17399354

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP26416499A Expired - Fee Related JP3802716B2 (ja) 1999-09-17 1999-09-17 試料の検査方法及びその装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6553323B1 (ja)
JP (1) JP3802716B2 (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004170092A (ja) * 2002-11-18 2004-06-17 Hitachi Electronics Eng Co Ltd 表面検査方法及び表面検査装置
JP2004258035A (ja) * 2003-02-25 2004-09-16 Leica Microsystems Jena Gmbh 薄層測定装置及び方法
JP2005156537A (ja) * 2003-10-31 2005-06-16 Hitachi High-Technologies Corp 欠陥観察方法及びその装置
JP2007071803A (ja) * 2005-09-09 2007-03-22 Hitachi High-Technologies Corp 欠陥観察方法及びその装置
JP2007235023A (ja) * 2006-03-03 2007-09-13 Hitachi High-Technologies Corp 欠陥観察方法および装置
JP2012039147A (ja) * 2005-06-06 2012-02-23 Kla-Encor Corp １つ又は複数の欠陥関連の機能を遂行するコンピュータ実行方法
JP2017516107A (ja) * 2014-05-15 2017-06-15 ケーエルエー−テンカー コーポレイション 光学式検査及び光学式レビューからの欠陥属性に基づく電子ビームレビューのための欠陥サンプリング
JP2020526872A (ja) * 2017-06-29 2020-08-31 ケーエルエー コーポレイション 走査電子顕微鏡対物レンズ較正

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7739064B1 (en) * 2003-05-09 2010-06-15 Kla-Tencor Corporation Inline clustered defect reduction
JP2004363304A (ja) * 2003-06-04 2004-12-24 Toshiba Corp 半導体装置の検査方法及び検査装置
JP4438358B2 (ja) * 2003-09-04 2010-03-24 株式会社サタケ 表示調整機構を具えた粒状物色彩選別機
US7227628B1 (en) 2003-10-10 2007-06-05 Kla-Tencor Technologies Corp. Wafer inspection systems and methods for analyzing inspection data
US20060046501A1 (en) * 2004-08-27 2006-03-02 Texas Instruments Incorporated Screening of electroless nickel/immersion gold-plated substrates with black pad defect
JP4691453B2 (ja) * 2006-02-22 2011-06-01 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥表示方法およびその装置
JP5103058B2 (ja) * 2007-05-28 2012-12-19 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥観察装置及び欠陥観察方法
JP2009250645A (ja) * 2008-04-02 2009-10-29 Hitachi High-Technologies Corp 欠陥レビュー方法およびその装置
JP5287178B2 (ja) * 2008-11-27 2013-09-11 富士通セミコンダクター株式会社 欠陥レビュー装置
JP5460662B2 (ja) * 2011-09-07 2014-04-02 株式会社日立ハイテクノロジーズ 領域決定装置、観察装置または検査装置、領域決定方法および領域決定方法を用いた観察方法または検査方法
US20130335743A1 (en) * 2012-06-19 2013-12-19 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co. Ltd. Inspection Device for Glass Substrate Cassette
WO2020198752A1 (en) * 2019-03-28 2020-10-01 Massachusetts Institute Of Technology System and method for learning-guided electron microscopy
KR102351702B1 (ko) * 2020-03-26 2022-01-17 신종우 석면 채취 시스템

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4428235A (en) * 1980-06-20 1984-01-31 Hitachi, Ltd. Non-destructive inspection by frequency spectrum resolution
US5446584A (en) * 1989-09-11 1995-08-29 Kensington Laboratories, Inc. Compact specimen processing station
US5355212A (en) * 1993-07-19 1994-10-11 Tencor Instruments Process for inspecting patterned wafers
US5598341A (en) * 1995-03-10 1997-01-28 Advanced Micro Devices, Inc. Real-time in-line defect disposition and yield forecasting system
JP3967406B2 (ja) 1996-11-01 2007-08-29 日本電子株式会社 部品検査システム
JPH10213422A (ja) * 1997-01-29 1998-08-11 Hitachi Ltd パタ−ン検査装置

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004170092A (ja) * 2002-11-18 2004-06-17 Hitachi Electronics Eng Co Ltd 表面検査方法及び表面検査装置
JP2004258035A (ja) * 2003-02-25 2004-09-16 Leica Microsystems Jena Gmbh 薄層測定装置及び方法
JP2005156537A (ja) * 2003-10-31 2005-06-16 Hitachi High-Technologies Corp 欠陥観察方法及びその装置
JP4521240B2 (ja) * 2003-10-31 2010-08-11 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥観察方法及びその装置
JP2012039147A (ja) * 2005-06-06 2012-02-23 Kla-Encor Corp １つ又は複数の欠陥関連の機能を遂行するコンピュータ実行方法
US9037280B2 (en) 2005-06-06 2015-05-19 Kla-Tencor Technologies Corp. Computer-implemented methods for performing one or more defect-related functions
JP2007071803A (ja) * 2005-09-09 2007-03-22 Hitachi High-Technologies Corp 欠陥観察方法及びその装置
JP2007235023A (ja) * 2006-03-03 2007-09-13 Hitachi High-Technologies Corp 欠陥観察方法および装置
JP2017516107A (ja) * 2014-05-15 2017-06-15 ケーエルエー−テンカー コーポレイション 光学式検査及び光学式レビューからの欠陥属性に基づく電子ビームレビューのための欠陥サンプリング
JP2020118696A (ja) * 2014-05-15 2020-08-06 ケーエルエー コーポレイション 光学式検査及び光学式レビューからの欠陥属性に基づく電子ビームレビューのための欠陥サンプリング
JP7026719B2 (ja) 2014-05-15 2022-02-28 ケーエルエー コーポレイション 光学式検査及び光学式レビューからの欠陥属性に基づく電子ビームレビューのための欠陥サンプリング
JP2020526872A (ja) * 2017-06-29 2020-08-31 ケーエルエー コーポレイション 走査電子顕微鏡対物レンズ較正
JP7030856B2 (ja) 2017-06-29 2022-03-07 ケーエルエー コーポレイション 走査電子顕微鏡対物レンズ較正

Also Published As

Publication number Publication date
US6553323B1 (en) 2003-04-22
JP3802716B2 (ja) 2006-07-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2001085483A (ja) 試料の検査方法及びその装置
US7133550B2 (en) Pattern inspection method and apparatus
JP4230838B2 (ja) 欠陥検査装置における検査レシピ設定方法および欠陥検査方法
US6888959B2 (en) Method of inspecting a semiconductor device and an apparatus thereof
JP4312910B2 (ja) レビューｓｅｍ
WO2000003413A1 (fr) Procede et dispositif d'observation d'un objet
US7071468B2 (en) Circuit pattern inspection method and its apparatus
US20070047800A1 (en) Method and apparatus for inspecting defects of circuit patterns
JP2001326263A (ja) ウェーハー表面の構造欠陥を査定する方法
JP2001331784A (ja) 欠陥分類方法及びその装置
JP2003006614A (ja) 回路パターンの検査方法及びその装置並びに欠陥候補の表示方法及びそのシステム
KR20140141648A (ko) 체계적 결함 필터를 갖는 레티클 결함 검사
KR20120099481A (ko) 결함 검사 방법 및 그 장치
JP2004177139A (ja) 検査条件データ作成支援プログラム及び検査装置及び検査条件データ作成方法
JP4287863B2 (ja) レビューｓｅｍ
JP2009150718A (ja) 検査装置および検査プログラム
JP3186171B2 (ja) 異物観察装置
JP2006074065A (ja) 試料の検査装置
JP2009092673A (ja) レビューｓｅｍ
JP4021084B2 (ja) 電子顕微鏡及び検査方法
JP5374225B2 (ja) ウェハ検査条件決定方法、ウェハ検査条件決定システム及びウェハ検査システム
JPH10242227A (ja) ウエハのマクロ検査方法および自動ウエハマクロ検査装置
JPH1167136A (ja) 荷電粒子装置及び荷電粒子装置ネットワークシステム
JPH10221269A (ja) 異物検査装置
JP2008002934A (ja) 外観検査装置及び外観検査方法

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20040615

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040629

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040827

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20050823

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20051020

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20051202

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060117

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060309

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20060425

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20060428

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100512

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110512

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110512

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120512

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120512

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130512

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130512

Year of fee payment: 7

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees