JP2001084927A5 - - Google Patents

Claims (21)

1. 基板上に配置された複数個のトランジスタ素子と、
   前記各トランジスタ素子毎に設けられるとともに、下部電極と、絶縁層と、上部電極とをこの順番に積層した構造を有し、前記上部電極に正極性の電圧を印加した際に、前記上部電極表面から電子を放出する薄膜電子源素子と、
   第１の方向に設けられる第１の信号線と、
   前記第１方向と直交する第２の方向に設けられる第２信号線とを有する第１の基板と、
   枠部材と、
   蛍光体を有する第２の基板とを備え、前記第１の基板、前記枠部材および前記第２の基板とで囲まれる空間が真空雰囲気とされる表示素子を備える画像表示装置であって、
   前記各トランジスタ素子と前記各薄膜電子源素子の一つは、前記第１の信号線と前記第２の信号線との交差領域に設けられることを特徴とする画像表示装置。
2. 基板上に配置された複数個のトランジスタ素子と、
   前記各トランジスタ素子毎に設けられるとともに、下部電極と、絶縁層と、上部電極とをこの順番に積層した構造を有し、前記上部電極に正極性の電圧を印加した際に、前記上部電極表面から電子を放出する薄膜電子源素子と、
   第１の方向に設けられる第１の信号線と、
   前記第１方向と直交する第２の方向に設けられる第２信号線とを有する第１の基板と、
   枠部材と、
   蛍光体を有する第２の基板とを備え、前記第１の基板、前記枠部材および前記第２の基板とで囲まれる空間が真空雰囲気とされる表示素子を備える画像表示装置であって、
   前記各トランジスタ素子は、前記第１の信号線と前記第２の信号線とで囲まれる複数の領域の一つに設けられることを特徴とする画像表示装置。
3. 基板上に設けられた複数個のトランジスタ素子と、
   前記各トランジスタ素子毎に設けられるとともに、下部電極と、絶縁層と、上部電極とをこの順番に積層した構造を有し、前記上部電極に正極性の電圧を印加した際に、前記上部電極表面から電子を放出する薄膜電子源素子と、
   第１の方向に設けられる第１の信号線と、
   前記第１方向と直交する第２の方向に設けられる第２信号線とを有する第１の基板と、
   枠部材と、
   蛍光体を有する第２の基板とを備え、前記第１の基板、前記枠部材および前記第２の基板とで囲まれる空間が真空雰囲気とされる表示素子を備える画像表示装置であって、
   前記各トランジスタ素子の制御電極は、前記複数の第１の信号線の中の１つに電気的に接続され、
   前記各トランジスタ素子の第１の電極は、前記複数の第２の信号線の中の１つに電気的に接続され、
   前記各トランジスタ素子の第２の電極は、前記各トランジスタ素子毎に設けられる前記薄膜電子源素子の前記下部電極に電気的に接続されることを特徴とする画像表示装置。
4. 前記トランジスタ素子と前記薄膜電子源素子とは、異なる層に形成されることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の画像表示装置。
5. 前記トランジスタ素子は、前記薄膜電子源素子の前記下部電極より下側の層で、かつ前記下部電極の下側に形成されることを特徴とする請求項４記載の画像表示装置。
6. 前記第１の基板は、前記第１の基板上に形成される複数個の半導体層と、
   前記複数個の半導体層上に形成される第１の絶縁層と、
   前記第１の絶縁層上に形成される前記制御電極と、
   前記第１の絶縁層上に形成され、前記制御電極と電気的に接続される前記第１の信号線と、
   前記第１の絶縁層上に形成される第２の絶縁層と、
   前記第２の絶縁層上に形成される前記第２の信号線と、
   前記第２の絶縁層上に形成される第３の絶縁層と、
   前記第３の絶縁層上に形成される前記各薄膜電子源素子の前記下部電極とを有し、
   前記各トランジスタ素子は、前記各半導体層と前記各制御電極とで構成され、
   前記各半導体層の第１の電極領域は、前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層に形成される第１のコンタクトホールを介して、前記第２の信号線と電気的に接続され、
   前記各半導体層の第２の電極領域は、前記第１の絶縁層、前記第２の絶縁層および前記第３の絶縁層に形成される第２のコンタクトホールを介して、前記各下部電極と電気的に接続されていることを特徴とする請求項４または請求項５に記載の画像表示装置。
7. 前記上部電極は、前記各薄膜電子源素子に対して共通に形成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の画像表示装置。
8. 前記各薄膜電子源素子が形成される領域以外の領域に形成される上部電極バスラインを有し、
   前記上部電極は、その周辺部が前記上部電極バスラインを覆うように形成されることを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の画像表示装置。
9. 前記上部電極に、反転パルス電圧を印加することを特徴とする請求項７または請求項８に記載の画像表示装置。
10. 前記各トランジスタ素子の出力インピーダンスは、前記各薄膜電子源の動作領域での微分抵抗値よりも小さいことを特徴とする請求項１ないし請求項９に記載の画像表示装置。
11. 前記各第１の信号線に駆動電圧を供給する第１の駆動系と、
    前記各第２の信号線に駆動電圧を供給する第２の駆動系とを備え、
    前記第２の駆動系は、前記各第２の信号線に定電流を供給する定電流回路を有することを特徴とする請求項１ないし請求項１０のいずれか１項に記載の画像表示装置。
12. 基板上に配置された複数個のトランジスタ素子と、
    前記各トランジスタ素子毎に設けられる複数個の電子放出素子と、
    第１の方向に設けられる第１の信号線と、
    前記第１方向と直交する第２の方向に設けられる第２の信号線とを有する第１の基板と、
    枠部材と、
    蛍光体を有する第２の基板とを備え、前記第１の基板、前記枠部材および前記第２の基板とで囲まれる空間が真空雰囲気とされる表示素子と、
    前記各第１の信号線に駆動電圧を供給する第１の駆動系と、
    前記各第２の信号線に駆動電圧を供給する第２の駆動系とを備える画像表示装置であって、
    前記各トランジスタ素子の制御電極は、前記複数の第１の信号線の１つに電気的に接続され、
    前記各トランジスタ素子の第１の電極は、前記複数の第２の信号線の中の１つに電気的に接続され、
    前記各トランジスタ素子の第２の電極は、前記各トランジスタ素子毎に設けられる前記複数個の電子放出素子に電気的に接続され、
    前記第２の駆動系は、前記各第２の信号線に定電流を供給する定電流回路を有することを特徴とする画像表示装置。
13. 前記第１の基板は、前記第１の基板上に形成される前記第２の信号線と、
    前記第１の基板上に形成される複数個の第３の電極と、
    前記第１の基板上に、前記第２の信号線および前記第３の電極の一部を覆うように形成される複数個の半導体層と、
    前記各第３の電極上に、前記各半導体層の一部を覆うように形成される前記電子放出素子と、
    前記電子放出素子が形成される領域を除いて、前記第２の信号線および前記半導体層上に形成される第１の絶縁層と、
    前記第１の絶縁層上に形成される前記制御電極と、
    前記第１の絶縁層上に形成され、前記制御電極と電気的に接続される前記第１の信号線とを有し、
    前記各トランジスタ素子は、前記半導体層と前記制御電極とで構成されることを特徴とする請求項１２に記載の画像表示装置。
14. 基板上に配置された複数個のトランジスタ素子と、
    前記各トランジスタ素子毎に設けられる電界発光素子と、
    第１の方向に設けられる第１の信号線と、
    前記第１方向と直交する第２の方向に設けられる第２の信号線とを有する第１の基板を備える表示素子と、
    前記各第１の信号線に駆動電圧を供給する第１の駆動系と、
    前記各第２の信号線に駆動電圧を供給する第２の駆動系とを備える画像表示装置であって、
    前記各トランジスタ素子の制御電極は、前記複数の第１の信号線の中の１つに電気的に接続され、
    前記各トランジスタ素子の第１の電極は、前記複数の第２の信号線の中の１つに電気的に接続され、
    前記各トランジスタ素子の第２の電極は、前記各トランジスタ素子毎に設けられる前記各電界発光素子の第１の電極に電気的に接続され、
    前記第２の駆動系は、前記各第２の信号線に定電流を供給する定電流回路を有することを特徴とする画像表示装置。
15. 前記トランジスタ素子と前記電界発光素子とは、異なる層に形成されることを特徴とする請求項１４に記載の画像表示装置。
16. 前記第１の基板は、前記第１の基板上に形成される複数個の半導体層と、
    前記複数個の半導体層上に形成される第１の絶縁層と、
    前記第１の絶縁層上に形成される前記制御電極と、
    前記第１の絶縁層上に形成され、前記制御電極と電気的に接続される前記第１の信号線と、
    前記第１の絶縁層上に形成される第２の絶縁層と、
    前記第２の絶縁層上に形成される前記第２の信号線と、
    前記第２の絶縁層上に形成される前記電界発光素子の第１の電極とを有し、
    前記各トランジスタ素子は、前記各半導体層と前記各制御電極とで構成され、
    前記各半導体層の第１の電極領域は、前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層に形成される第１のコンタクトホールを介して、前記第２の信号線と電気的に接続され、
    前記各半導体層の第２の電極領域は、前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層に形成される第２のコンタクトホールを介して、前記電界発光素子の第１の電極と電気的に接続されていることを特徴とする請求項１５に記載の画像表示装置。
17. 基板上に配置された複数個のトランジスタ素子と、
    前記各トランジスタ素子毎に設けられる発光ダイオード素子と、
    第１の方向に設けられる第１の信号線と、
    前記第１方向と直交する第２の方向に設けられる第２の信号線とを有する第１の基板を備える表示素子と、
    前記各第１の信号線に駆動電圧を供給する第１の駆動系と、
    前記各第２の信号線に駆動電圧を供給する第２の駆動系とを備える画像表示装置であって、
    前記各トランジスタ素子の制御電極は、前記複数の第１の信号線の中の１つに電気的に接続され、
    前記各トランジスタ素子の第１の電極は、前記複数の第２の信号線の中の１つに電気的に接続され、
    前記各トランジスタ素子の第２の電極は、前記各トランジスタ素子毎に設けられる前記発光ダイオードの第１の電極に電気的に接続され、
    前記第２の駆動系は、前記各第２の信号線に定電流を供給する定電流回路を有することを特徴とする画像表示装置。
18. 前記各トランジスタ素子は、薄膜トランジスタであり、当該薄膜トランジスタを非飽和領域で動作させることを特徴とする請求項１ないし請求項１７のいずれか１項に記載の画像表示装置。
19. 前記トランジスタ素子は、ポリシリコンで構成されることを特徴とする請求項１ないし請求項１８のいずれか１項に記載の画像表示装置。
20. 前記トランジスタ素子は、アモルファスシリコンで構成されることを特徴とする請求項１ないし請求項１８のいずれか１項に記載の画像表示装置。
21. 前記第１の駆動系および前記第２の駆動系の少なくとも一方を、前記第１の基板上に形成したことを特徴とする請求項１ないし請求項２０のいずれか１項に記載の画像表示装置。