JP2001083885A - 表示装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体基板側に加えられるストレスによる画
素欠陥の低減化を図るとともに、スぺーサなどを表示領
域に配置する必要をなくして工程の短縮化と、設備投資
の軽減を図り、低コストで、高い歩留が得られるように
する。 【解決手段】 画素を表示する回路素子１０２を有する
半導体基板１の機械的強度を、これに対向する対向ガラ
ス基板１６より強くしてこの対向ガラス基板１６を半導
体基板１の反り方向に合わせるようにすることにより双
方の反り方向を揃えて均一のギャップを形成するように
した。
素欠陥の低減化を図るとともに、スぺーサなどを表示領
域に配置する必要をなくして工程の短縮化と、設備投資
の軽減を図り、低コストで、高い歩留が得られるように
する。 【解決手段】 画素を表示する回路素子１０２を有する
半導体基板１の機械的強度を、これに対向する対向ガラ
ス基板１６より強くしてこの対向ガラス基板１６を半導
体基板１の反り方向に合わせるようにすることにより双
方の反り方向を揃えて均一のギャップを形成するように
した。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、画像、文字などを
表示する表示装置に係り、詳しくは液晶パネルを用いた
表示装置に関するものである。
表示する表示装置に係り、詳しくは液晶パネルを用いた
表示装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の液晶パネルを用いた表示装置は、
例えば半導体素子を有する半導体基板と、この半導体基
板に対向するガラス（以下、対向ガラスという）とを貼
り合わせて均一なギャップのパネルを得るようにしたも
のである。この均一なギャップのパネルを得るための手
法としては、 表示領域内にギャップ厚に相当するスぺーサを散布す
る方法、 半導体基板に対向するガラスを厚くして、対向ガラス
の機械的強度を高め、半導体基板の反りを対向ガラスに
合わせて矯正する方法、などがある。
例えば半導体素子を有する半導体基板と、この半導体基
板に対向するガラス（以下、対向ガラスという）とを貼
り合わせて均一なギャップのパネルを得るようにしたも
のである。この均一なギャップのパネルを得るための手
法としては、 表示領域内にギャップ厚に相当するスぺーサを散布す
る方法、 半導体基板に対向するガラスを厚くして、対向ガラス
の機械的強度を高め、半導体基板の反りを対向ガラスに
合わせて矯正する方法、などがある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の従来例には各々次のような問題点があった。
の従来例には各々次のような問題点があった。
【０００４】１）の方法では、スぺーサを散布して均
一なギャップを得るようにしているので、高精細化が進
むにつれて画素サイズが微小になり、スぺーサの存在に
より開口率の低下、あるいは液晶配向の乱れなどの要因
から画質の低下を招く。その結果、液晶プロジェクショ
ンディスプレイのような拡大投影する装置においては画
質の著しい劣化となってしまう。
一なギャップを得るようにしているので、高精細化が進
むにつれて画素サイズが微小になり、スぺーサの存在に
より開口率の低下、あるいは液晶配向の乱れなどの要因
から画質の低下を招く。その結果、液晶プロジェクショ
ンディスプレイのような拡大投影する装置においては画
質の著しい劣化となってしまう。
【０００５】２）またの方法では、機械的強度の大き
い対向ガラスによって半導体素子を有する半導体基板を
強制的に平坦にしているので、内部応力による半導体回
路内でのリーク電流が生じ、回路の誤動作、あるいは画
素欠陥が生じる。また、機械的強度を大きくするため
に、対向ガラスの厚みを厚くしているので、光の透過率
が低下し、ディスプレイそのものの明るさが低下すると
いう問題点を有する。
い対向ガラスによって半導体素子を有する半導体基板を
強制的に平坦にしているので、内部応力による半導体回
路内でのリーク電流が生じ、回路の誤動作、あるいは画
素欠陥が生じる。また、機械的強度を大きくするため
に、対向ガラスの厚みを厚くしているので、光の透過率
が低下し、ディスプレイそのものの明るさが低下すると
いう問題点を有する。
【０００６】本発明は、上述の点に鑑みなされたもの
で、半導体基板側に加えられるストレスによる画素欠陥
の低減化を図るとともに、スぺーサなどを表示領域に配
置する必要をなくして工程の短縮化と、設備投資の軽減
を図り、低コストで、高い歩留が得られるようにした表
示装置を提供することを目的とする。
で、半導体基板側に加えられるストレスによる画素欠陥
の低減化を図るとともに、スぺーサなどを表示領域に配
置する必要をなくして工程の短縮化と、設備投資の軽減
を図り、低コストで、高い歩留が得られるようにした表
示装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１記載の発明に係る表示装置は、画素を表示
する回路素子を有する第１の基板と、該第１の基板に対
向する透明な第２の基板とを有するものであって、前記
第２の基板より前記第１の基板の機械的強度を強く形成
して、該第２の基板を、該第１の基板の反り方向に合わ
せて形成可能としたことを特徴とする。
め、請求項１記載の発明に係る表示装置は、画素を表示
する回路素子を有する第１の基板と、該第１の基板に対
向する透明な第２の基板とを有するものであって、前記
第２の基板より前記第１の基板の機械的強度を強く形成
して、該第２の基板を、該第１の基板の反り方向に合わ
せて形成可能としたことを特徴とする。
【０００８】請求項２記載の発明は、前記第２の基板に
ヤング率が小さく、かつ板厚の薄い材料を用いる。
ヤング率が小さく、かつ板厚の薄い材料を用いる。
【０００９】請求項３記載の発明は、前記第２の基板の
反り量を前記第１の基板の反り量の１／３以上で、３倍
以下とした。
反り量を前記第１の基板の反り量の１／３以上で、３倍
以下とした。
【００１０】［作用］以上の構成に基づいて、画素を表
示する回路素子を有する第１の基板の機械的強度を、該
第１の基板に対向する第２の基板より強くして該第２の
基板を該第１の基板の反り方向に合わせるようにするこ
とにより双方の反り方向を揃えて均一のギャップを形成
するようにした。
示する回路素子を有する第１の基板の機械的強度を、該
第１の基板に対向する第２の基板より強くして該第２の
基板を該第１の基板の反り方向に合わせるようにするこ
とにより双方の反り方向を揃えて均一のギャップを形成
するようにした。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。
に基づいて詳細に説明する。
【００１２】〈第１の実施の形態〉図１は本発明の特徴
を表したものであり、１は画素を表示する回路素子１０
２を有する第１の基板としての半導体基板、１６は半導
体基板１に対向する透明な対向ガラス基板、１０４は半
導体基板１と対向ガラス基板１６との間にセルギャップ
を形成するためのシール材、１０５は透明電極、１０６
は反射防止コートである。
を表したものであり、１は画素を表示する回路素子１０
２を有する第１の基板としての半導体基板、１６は半導
体基板１に対向する透明な対向ガラス基板、１０４は半
導体基板１と対向ガラス基板１６との間にセルギャップ
を形成するためのシール材、１０５は透明電極、１０６
は反射防止コートである。
【００１３】本発明では半導体基板１と対向ガラス基板
１６とを同一の方向へ反らせて半導体基板１および対向
ガラス基板１６の双方に機械的ストレスを生じさせない
ようにしている。
１６とを同一の方向へ反らせて半導体基板１および対向
ガラス基板１６の双方に機械的ストレスを生じさせない
ようにしている。
【００１４】以下、半導体基板１と対向ガラス基板１６
との双方に機械的ストレスを生じさせないようにした構
成について説明する。
との双方に機械的ストレスを生じさせないようにした構
成について説明する。
【００１５】本来、半導体基板１、対向ガラス基板１６
のいづれも、加工前は平面であっても、加工中に何らか
の熱ストレス、成膜などが繰り返して加えられることに
より凹形状、あるいは凸形状の反りを生じてしまう。こ
の反りを矯正する際に生じるストレスが、特に半導体基
板１側に加えられると、回路素子１０２に欠陥が生じ、
接合間のリーク電流の増大をもたらし画素欠陥を招く。
のいづれも、加工前は平面であっても、加工中に何らか
の熱ストレス、成膜などが繰り返して加えられることに
より凹形状、あるいは凸形状の反りを生じてしまう。こ
の反りを矯正する際に生じるストレスが、特に半導体基
板１側に加えられると、回路素子１０２に欠陥が生じ、
接合間のリーク電流の増大をもたらし画素欠陥を招く。
【００１６】本発明は半導体基板１および対向ガラス基
板１６を同一方向へ反らせて半導体基板１にストレスを
生じさせず均一なセルギャップを形成するように構成す
る。
板１６を同一方向へ反らせて半導体基板１にストレスを
生じさせず均一なセルギャップを形成するように構成す
る。
【００１７】図２は半導体素子を搭載した液晶パネル部
の断面詳細図を示している。
の断面詳細図を示している。
【００１８】同図において、１は半導体基板、２，２’
はそれぞれＰ型及びＮ型ウエル領域、３，３’はトラン
ジスタのソース領域、４はゲート領域、５，５’はドレ
イン領域、６はフィールド酸化膜、８，８’，１８はＢ
ＰＳＧ（Boron-Phosphorous-Doped-Silica-Glass）など
の絶縁層、１０、１１はアルミニウムなどの電極、１２
は画素電極、７はＴｉ，Ｔｉｎなどで形成された表示領
域および周辺領域を覆う遮光層、９は画素毎の画素電極
１２と遮光層７との間および各画素電極１２の間に設け
られた絶縁層で、この絶縁層９が画素電極１２の電荷保
持容量となっている。さらに、１４は液晶材料、１５は
画素電極１２に対向する共通透明電極、１６は透明な対
向ガラス基板、１９は表示領域、２０は反射防止膜、１
７、１７’は高濃度不純物領域である。なお、２２はシ
ール、２３はスルーホール部、２４は半導体装置部分で
ある。
はそれぞれＰ型及びＮ型ウエル領域、３，３’はトラン
ジスタのソース領域、４はゲート領域、５，５’はドレ
イン領域、６はフィールド酸化膜、８，８’，１８はＢ
ＰＳＧ（Boron-Phosphorous-Doped-Silica-Glass）など
の絶縁層、１０、１１はアルミニウムなどの電極、１２
は画素電極、７はＴｉ，Ｔｉｎなどで形成された表示領
域および周辺領域を覆う遮光層、９は画素毎の画素電極
１２と遮光層７との間および各画素電極１２の間に設け
られた絶縁層で、この絶縁層９が画素電極１２の電荷保
持容量となっている。さらに、１４は液晶材料、１５は
画素電極１２に対向する共通透明電極、１６は透明な対
向ガラス基板、１９は表示領域、２０は反射防止膜、１
７、１７’は高濃度不純物領域である。なお、２２はシ
ール、２３はスルーホール部、２４は半導体装置部分で
ある。
【００１９】ところで、これらの中で半導体基板１に反
りを生じさせる主要因となっているのはフィールド酸化
膜６、絶縁層８，８’，１８間の膜および画素電極１２
である。これらの膜の相互作用により図２の構成では例
えば２５μｍほど６インチウエハでは凹形状の反りを生
じる。この素子を例えば１．５インチの長方形にダイシ
ングを施した際には１．０μｍほど凹形状に反る。この
反りを低減化するためには対向ガラス基板１６の厚さを
厚くしたり、フィールド酸化膜６などの膜構成を変更す
るなどの手法があるものの、現状ＴＦＴ用の対向ガラス
基板１６は０．７ｍｍ、Ｓｉ基板は０．６２５ｍｍが主
流であり、これを変更することは半導体基板１の価格、
あるいはプロセス装置の改造など多大なコストを要する
こととなり現実的には不可能である。
りを生じさせる主要因となっているのはフィールド酸化
膜６、絶縁層８，８’，１８間の膜および画素電極１２
である。これらの膜の相互作用により図２の構成では例
えば２５μｍほど６インチウエハでは凹形状の反りを生
じる。この素子を例えば１．５インチの長方形にダイシ
ングを施した際には１．０μｍほど凹形状に反る。この
反りを低減化するためには対向ガラス基板１６の厚さを
厚くしたり、フィールド酸化膜６などの膜構成を変更す
るなどの手法があるものの、現状ＴＦＴ用の対向ガラス
基板１６は０．７ｍｍ、Ｓｉ基板は０．６２５ｍｍが主
流であり、これを変更することは半導体基板１の価格、
あるいはプロセス装置の改造など多大なコストを要する
こととなり現実的には不可能である。
【００２０】また、機械的強度の大きい対向ガラス基板
１６に半導体素子（回路素子）１０２を有する半導体基
板１を貼り合わせて強制的に半導体基板１を平坦にする
と、内部応力により、ドレイン領域５，５’とウエル領
域２，２’との間（ＰＮ接合間）、フィールド酸化膜６
のバーズピーク部（酸化膜下のＰＮ接合間）にストレス
によるリーク電流が発生する。このことにより、回路の
誤動作、あるいは画素欠陥が生じるという問題がある。
１６に半導体素子（回路素子）１０２を有する半導体基
板１を貼り合わせて強制的に半導体基板１を平坦にする
と、内部応力により、ドレイン領域５，５’とウエル領
域２，２’との間（ＰＮ接合間）、フィールド酸化膜６
のバーズピーク部（酸化膜下のＰＮ接合間）にストレス
によるリーク電流が発生する。このことにより、回路の
誤動作、あるいは画素欠陥が生じるという問題がある。
【００２１】また、膜構成を変更させて反り量を低減さ
せる方法もあるが、このことは半導体プロセス設計の自
由度を奪い、歩留まりを低下させる原因となる。したが
って、半導体基板１の反りが全くない状態に形成するこ
とは極めて困難なことである。
せる方法もあるが、このことは半導体プロセス設計の自
由度を奪い、歩留まりを低下させる原因となる。したが
って、半導体基板１の反りが全くない状態に形成するこ
とは極めて困難なことである。
【００２２】一方、対向ガラス基板１６は反りの形状を
任意に変えることができる。図１に示したようにライト
バルブに入射する光の透過率を向上させ反射率を低下さ
せるための反射防止膜１０６を例えばＡｌ2 Ｏ3 、Ｍｇ
Ｆ2 、ＺｒＯ3 の３層構成で形成した場合、図２と同様
に凹形状に形成することができる。
任意に変えることができる。図１に示したようにライト
バルブに入射する光の透過率を向上させ反射率を低下さ
せるための反射防止膜１０６を例えばＡｌ2 Ｏ3 、Ｍｇ
Ｆ2 、ＺｒＯ3 の３層構成で形成した場合、図２と同様
に凹形状に形成することができる。
【００２３】このようにして形成された凹形状同士のも
のを貼り合わせることにより均一なギャップが形成でき
る。反り量については、例えば半導体基板１が１．０μ
ｍ反っている場合、対向ガラス基板１６は０．３〜３μ
ｍ凹形状に反っていればよく、望ましくは０．６〜１．
５μｍ、さらに望ましくは０．８〜１．２μｍの凹形状
の反り量が良い。これらの反り量を制御するためには対
向ガラス基板１６の板厚を変更すればよく、一般に同一
の成膜をガラスに対して行った場合、ガラスの厚みの２
乗に反比例して反り量は変化する。例えば前述のＡｌ2
Ｏ3 、ＭｇＦ2、ＺｒＯ3 の３層構成で形成した反射防
止膜１０６の場合、使用するガラスを１．１ｍｍの厚さ
のものを用いれば１．０μｍの凹形状の反りが得られ
る。
のを貼り合わせることにより均一なギャップが形成でき
る。反り量については、例えば半導体基板１が１．０μ
ｍ反っている場合、対向ガラス基板１６は０．３〜３μ
ｍ凹形状に反っていればよく、望ましくは０．６〜１．
５μｍ、さらに望ましくは０．８〜１．２μｍの凹形状
の反り量が良い。これらの反り量を制御するためには対
向ガラス基板１６の板厚を変更すればよく、一般に同一
の成膜をガラスに対して行った場合、ガラスの厚みの２
乗に反比例して反り量は変化する。例えば前述のＡｌ2
Ｏ3 、ＭｇＦ2、ＺｒＯ3 の３層構成で形成した反射防
止膜１０６の場合、使用するガラスを１．１ｍｍの厚さ
のものを用いれば１．０μｍの凹形状の反りが得られ
る。
【００２４】また、同一のガラス厚ならばヤング率の大
きなものを用いれば反りは小さく、逆に小さなものを用
いれば、反りは大きくすることができる。ガラスの厚み
を変更するには例えばガラスの平面研磨を行えば良い。
きなものを用いれば反りは小さく、逆に小さなものを用
いれば、反りは大きくすることができる。ガラスの厚み
を変更するには例えばガラスの平面研磨を行えば良い。
【００２５】また、半導体基板１と対向ガラス基板１６
とを貼り合わせ、均一なギャップを形成するためには双
方が全く同一の形状であるか、あるいは半導体基板１側
がほぼ変形しないことが重要であり、機械的な強度が半
導体基板１側の方が強いことが重要である。そのために
はヤング率が小さい材料を対向ガラス基板１６側に用い
ること、および板厚がなるべく薄いことが求められる。
例えばＳｉとＮＡ３５ガラスを比較すると、ＳｉはΟ．
６２５ｍｍ程度であり、ヤング率は１６５７Ｏｋｇ／ｍ
ｍ2 、ＮＡ３５ガラスは７０００ｋｇ／ｍｍ2 である。
ＮＡ３５ガラスの板厚１．１ｍｍ以下のものを用いた場
合、対向ガラス基板１６がＳｉにならい均一なギャップ
を形成できる範囲を以下に述べる。すなわち必要なギャ
ップのバラツキは用いる液晶、用途などによりさまざま
であるが、ギャップのバラツキを０．６μｍ以内に押さ
えるためにはＳｉの半導体基板１の１／３〜３倍までの
反り量に対向ガラス基板１６の反りを制御できればよい
し、０．３μｍ以内のギャップのバラツキに制御するな
らば、対向ガラス基板１６の２／３〜１．５倍まで、さ
らに望ましくは０．８〜１．２倍以内の反り量のものを
用いればよい。
とを貼り合わせ、均一なギャップを形成するためには双
方が全く同一の形状であるか、あるいは半導体基板１側
がほぼ変形しないことが重要であり、機械的な強度が半
導体基板１側の方が強いことが重要である。そのために
はヤング率が小さい材料を対向ガラス基板１６側に用い
ること、および板厚がなるべく薄いことが求められる。
例えばＳｉとＮＡ３５ガラスを比較すると、ＳｉはΟ．
６２５ｍｍ程度であり、ヤング率は１６５７Ｏｋｇ／ｍ
ｍ2 、ＮＡ３５ガラスは７０００ｋｇ／ｍｍ2 である。
ＮＡ３５ガラスの板厚１．１ｍｍ以下のものを用いた場
合、対向ガラス基板１６がＳｉにならい均一なギャップ
を形成できる範囲を以下に述べる。すなわち必要なギャ
ップのバラツキは用いる液晶、用途などによりさまざま
であるが、ギャップのバラツキを０．６μｍ以内に押さ
えるためにはＳｉの半導体基板１の１／３〜３倍までの
反り量に対向ガラス基板１６の反りを制御できればよい
し、０．３μｍ以内のギャップのバラツキに制御するな
らば、対向ガラス基板１６の２／３〜１．５倍まで、さ
らに望ましくは０．８〜１．２倍以内の反り量のものを
用いればよい。
【００２６】なお、本実施の形態では反射型のライトバ
ルブを例に挙げて本発明を説明したが、透過型のものに
ついても同様に取り扱うことができる。
ルブを例に挙げて本発明を説明したが、透過型のものに
ついても同様に取り扱うことができる。
【００２７】〈第２の実施の形態〉図３は本発明の第２
の実施の形態を示したものであり、基本構成は図１と同
一である。異なる点は半導体基板１ａの反り方向が凸形
状であることにある。図２において、半導体基板に例え
ばＴｉなどのＴｅｎｓｉｌｅな応力の強い膜を使用した
場合に、このような形状になることがある。このような
場合、例えば対向ガラス基板１６ａ側に樹脂層などのＴ
ｅｎｓｉｌｅな膜を２０〜１００μｍほど形成し、その
上にＩＴ０を成膜することにより反りの方向を制御する
ことができる。この反り量に付いてもガラスの厚み、ヤ
ング率の異なる材料を用いて形成することにより半導体
基板１ａと同一形状の反り量を形成することができる。
の実施の形態を示したものであり、基本構成は図１と同
一である。異なる点は半導体基板１ａの反り方向が凸形
状であることにある。図２において、半導体基板に例え
ばＴｉなどのＴｅｎｓｉｌｅな応力の強い膜を使用した
場合に、このような形状になることがある。このような
場合、例えば対向ガラス基板１６ａ側に樹脂層などのＴ
ｅｎｓｉｌｅな膜を２０〜１００μｍほど形成し、その
上にＩＴ０を成膜することにより反りの方向を制御する
ことができる。この反り量に付いてもガラスの厚み、ヤ
ング率の異なる材料を用いて形成することにより半導体
基板１ａと同一形状の反り量を形成することができる。
【００２８】〈第３の実施の形態〉図４は本発明の第３
の実施の形態を示したものである。本実施の形態の対向
ガラス基板１６ｂは半導体基板１ｂに対し同一の形状に
予めガラスを研磨することによって得られたものであ
る。
の実施の形態を示したものである。本実施の形態の対向
ガラス基板１６ｂは半導体基板１ｂに対し同一の形状に
予めガラスを研磨することによって得られたものであ
る。
【００２９】対向ガラス基板１６ｂに対する研磨は両面
に対し行ってもよいし、半導体基板１ｂに対向する面の
みに行ってもよい。また、この研磨後のガラスに対し反
射防止膜の形成などが必要な場合は、それらを併用し反
り量を調整してもよい。
に対し行ってもよいし、半導体基板１ｂに対向する面の
みに行ってもよい。また、この研磨後のガラスに対し反
射防止膜の形成などが必要な場合は、それらを併用し反
り量を調整してもよい。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
画素を表示する回路素子を有する第１の基板の機械的強
度を、該第１の基板に対向する第２の基板より強くして
該第２の基板を該第１の基板の反り方向に合わせるよう
にしたので、双方の反り方向を揃えて、均一なギャップ
を形成することができ、これにより画素を表示する回路
を有する第１の基板側に加えられるストレスによる回路
素子の欠陥が減少し、画素欠陥の低減化が図れる。
画素を表示する回路素子を有する第１の基板の機械的強
度を、該第１の基板に対向する第２の基板より強くして
該第２の基板を該第１の基板の反り方向に合わせるよう
にしたので、双方の反り方向を揃えて、均一なギャップ
を形成することができ、これにより画素を表示する回路
を有する第１の基板側に加えられるストレスによる回路
素子の欠陥が減少し、画素欠陥の低減化が図れる。
【００３１】また、上述のように構成することによりス
ペーサなどを表示領域に配置する必要がなくなるため、
工程の短縮化、設備投資の軽減が図れ、低コスト高歩留
まりの表示装置を提供できる。
ペーサなどを表示領域に配置する必要がなくなるため、
工程の短縮化、設備投資の軽減が図れ、低コスト高歩留
まりの表示装置を提供できる。
【図１】本発明の第１の実施の形態を示す断面図であ
る。
る。
【図２】本発明に係る半導体素子を搭載した液晶パネル
部の断面詳細図である。
部の断面詳細図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態を示す断面図であ
る。
る。
【図４】本発明の第３の実施の形態を示す断面図であ
る。
る。
１ 第１の基板（半導体基板） １６ 第２の基板（対向ガラス基板） １０２ 回路素子
フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H089 LA11 NA24 NA60 PA19 QA04 QA11 QA12 QA14 QA16 SA01 TA01 TA09 2H090 JA03 JA08 JA16 JB04 JC04 JC06 JC14 JC17 JD13 JD18 2H092 GA59 JA23 JB13 KA03 KA07 NA07 NA13 NA25 NA27 NA29 PA01 PA03 PA12 5G435 AA09 AA17 BB12 EE33 EE35 FF00 HH03
Claims (3)
- 【請求項１】 画素を表示する回路素子を有する第１の
基板と、該第１の基板に対向する透明な第２の基板とを
有する表示装置において、 前記第２の基板より前記第１の基板の機械的強度を強く
形成して、該第２の基板を、該第１の基板の反り方向に
合わせて形成可能とした、 ことを特徴とする表示装置。 - 【請求項２】 前記第２の基板にヤング率が小さく、か
つ板厚の薄い材料を用いる、 ことを特徴とする請求項１記載の表示装置。 - 【請求項３】 前記第２の基板の反り量を前記第１の基
板の反り量の１／３以上で、３倍以下とした、 ことを特徴とする請求項１または請求項２記載の表示装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25491799A JP2001083885A (ja) | 1999-09-08 | 1999-09-08 | 表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25491799A JP2001083885A (ja) | 1999-09-08 | 1999-09-08 | 表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001083885A true JP2001083885A (ja) | 2001-03-30 |
Family
ID=17271662
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25491799A Pending JP2001083885A (ja) | 1999-09-08 | 1999-09-08 | 表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001083885A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005308975A (ja) * | 2004-04-20 | 2005-11-04 | Nippon Electric Glass Co Ltd | ディスプレイ基板 |
| JP2010256930A (ja) * | 2010-07-22 | 2010-11-11 | Nippon Electric Glass Co Ltd | ディスプレイ基板 |
| CN104035258A (zh) * | 2014-06-27 | 2014-09-10 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种曲面显示面板及曲面显示装置 |
-
1999
- 1999-09-08 JP JP25491799A patent/JP2001083885A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005308975A (ja) * | 2004-04-20 | 2005-11-04 | Nippon Electric Glass Co Ltd | ディスプレイ基板 |
| JP2010256930A (ja) * | 2010-07-22 | 2010-11-11 | Nippon Electric Glass Co Ltd | ディスプレイ基板 |
| CN104035258A (zh) * | 2014-06-27 | 2014-09-10 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种曲面显示面板及曲面显示装置 |
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