JP2001077019A - 処理システム - Google Patents
処理システムInfo
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- JP2001077019A JP2001077019A JP2000213129A JP2000213129A JP2001077019A JP 2001077019 A JP2001077019 A JP 2001077019A JP 2000213129 A JP2000213129 A JP 2000213129A JP 2000213129 A JP2000213129 A JP 2000213129A JP 2001077019 A JP2001077019 A JP 2001077019A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- wafer
- processing system
- processing
- unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 システムの占有スペースを大幅に縮小して、
クリーンルームコストを下げ、高速の搬送ないしアクセ
ス速度を可能とし、スループットを向上させること。 [構成]この処理システムは、被処理基板たとえば半導
体ウエハWをウエハカセットCRで複数枚たとえば25
枚単位で外部からシステムに搬入しまたはシステムから
搬出するためのカセットステーション10と、現像塗布
工程の中で1枚ずつ半導体ウエハWに所定の処理を施す
枚葉式の各種処理ユニットを複数の組G1〜G4 にわた
って主ウエハ搬送機構24の回りに多段配置してなる処
理ステーション12と、この処理ステーション12と隣
の露光装置(図示せず)との間で半導体ウエハWを受け
渡しするためのインタフェース部14とを一体に接続し
ている。主ウエハ搬送機構24は、垂直軸の回りに回転
可能な側面開口部を有する筒状支持体と、この筒状支持
体の内側に上下方向(Z方向)に移動可能に設けられ、
該筒状支持体側面開口部を通り抜けできるように水平方
向に前後移動可能なピンセットを有するウエハ搬送体と
を備えている。
クリーンルームコストを下げ、高速の搬送ないしアクセ
ス速度を可能とし、スループットを向上させること。 [構成]この処理システムは、被処理基板たとえば半導
体ウエハWをウエハカセットCRで複数枚たとえば25
枚単位で外部からシステムに搬入しまたはシステムから
搬出するためのカセットステーション10と、現像塗布
工程の中で1枚ずつ半導体ウエハWに所定の処理を施す
枚葉式の各種処理ユニットを複数の組G1〜G4 にわた
って主ウエハ搬送機構24の回りに多段配置してなる処
理ステーション12と、この処理ステーション12と隣
の露光装置(図示せず)との間で半導体ウエハWを受け
渡しするためのインタフェース部14とを一体に接続し
ている。主ウエハ搬送機構24は、垂直軸の回りに回転
可能な側面開口部を有する筒状支持体と、この筒状支持
体の内側に上下方向(Z方向)に移動可能に設けられ、
該筒状支持体側面開口部を通り抜けできるように水平方
向に前後移動可能なピンセットを有するウエハ搬送体と
を備えている。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板やLCD基
板等の被処理基板を枚葉式で処理する一連の処理ユニッ
トを備えた処理システムに関する。
板等の被処理基板を枚葉式で処理する一連の処理ユニッ
トを備えた処理システムに関する。
【0002】
【従来の技術】図27に、半導体デバイス製造のフォト
リソグラフィー工程に使用されるレジスト塗布現像処理
システムの一例を示す。
リソグラフィー工程に使用されるレジスト塗布現像処理
システムの一例を示す。
【0003】この処理システムでは、被処理基板として
の半導体ウエハWをカセットに対して搬入・搬出するカ
セット・ステーション300、ウエハWをブラシ洗浄す
るブラシ洗浄ユニット302、ウエハWを高圧ジェット
水で洗浄するジェット水洗浄装置304、ウエハWの表
面を疏水化処理するアドヒージョンユニット306、ウ
エハWを所定温度に冷却する冷却ユニット308、ウエ
ハWの表面にレジストを塗布するレジスト塗布ユニット
310、レジスト塗布の前後でウエハWを加熱してプリ
ベークまたはポストベークを行うベーキングユニット3
12、ウエハWの周縁部のレジストを除去するための周
辺露光ユニット314、隣接する露光装置(図示せず)
とウエハWの受け渡しを行うためのウエハ受渡し台31
8、および露光処理済みのウエハWを現像液に晒してレ
ジストの感光部または非感光部を選択的に現像液に溶解
せしめる現像ユニット316等を一体に集約化して作業
効率の向上を図っている。
の半導体ウエハWをカセットに対して搬入・搬出するカ
セット・ステーション300、ウエハWをブラシ洗浄す
るブラシ洗浄ユニット302、ウエハWを高圧ジェット
水で洗浄するジェット水洗浄装置304、ウエハWの表
面を疏水化処理するアドヒージョンユニット306、ウ
エハWを所定温度に冷却する冷却ユニット308、ウエ
ハWの表面にレジストを塗布するレジスト塗布ユニット
310、レジスト塗布の前後でウエハWを加熱してプリ
ベークまたはポストベークを行うベーキングユニット3
12、ウエハWの周縁部のレジストを除去するための周
辺露光ユニット314、隣接する露光装置(図示せず)
とウエハWの受け渡しを行うためのウエハ受渡し台31
8、および露光処理済みのウエハWを現像液に晒してレ
ジストの感光部または非感光部を選択的に現像液に溶解
せしめる現像ユニット316等を一体に集約化して作業
効率の向上を図っている。
【0004】システムの中央部には長手方向に廊下状の
ウエハ搬送路320が設けられ、各ユニット302〜3
16はウエハ搬送路320に各々の正面を向けて配設さ
れ、ウエハ搬送体322が各部300〜318にウエハ
Wを搬送するためにウエハ搬送路320上を移動するよ
うになっている。
ウエハ搬送路320が設けられ、各ユニット302〜3
16はウエハ搬送路320に各々の正面を向けて配設さ
れ、ウエハ搬送体322が各部300〜318にウエハ
Wを搬送するためにウエハ搬送路320上を移動するよ
うになっている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の処理システ
ムにおいては、水平方向に延びるウエハ搬送路320に
沿って各種処理ユニット302〜316が配列される横
長のシステム構成であるため、どうしてもシステム全体
の占有スペースが大きくなり、クリーンルームコストも
高くついていた。特に、この種の処理システムに有効な
垂直層流方式によってシステムの全体ないし各部の清浄
度を高めようとすると、スペースが大きいため、空調器
またはフィルタ等のイニシャルコストおよびメンナテナ
ンスコストが非常に高くついていた。
ムにおいては、水平方向に延びるウエハ搬送路320に
沿って各種処理ユニット302〜316が配列される横
長のシステム構成であるため、どうしてもシステム全体
の占有スペースが大きくなり、クリーンルームコストも
高くついていた。特に、この種の処理システムに有効な
垂直層流方式によってシステムの全体ないし各部の清浄
度を高めようとすると、スペースが大きいため、空調器
またはフィルタ等のイニシャルコストおよびメンナテナ
ンスコストが非常に高くついていた。
【0006】また、システム内の各部300〜318に
アクセスするために、ウエハ搬送体322は、ウエハ搬
送路320上で(Y方向に)直線移動するだけでなく、
垂直方向(Z方向)にも昇降移動可能であって、かつ
(θ方向に)回転可能であり、ウエハ搬送体322のア
ームまたはピンセット322aはウエハWの受渡しを行
う際に(X方向に)前進または後退移動するようになっ
ている。このように、ウエハ搬送体322は、4軸
(X,Y,Z,θ)で移動可能な搬送体であるため、構
成が繁雑であるうえ、アクセス速度が制限されていた。
この種のシステムにおいて最も忙しく動作するのはシス
テム中心部のウエハ搬送体322であり、ウエハ搬送体
322のアクセスないし搬送速度によってシステムのス
ループットが左右される。従来は、ウエハ搬送体322
のアクセス速度が制限されていたため、システムのスル
ープットも制限されていた。
アクセスするために、ウエハ搬送体322は、ウエハ搬
送路320上で(Y方向に)直線移動するだけでなく、
垂直方向(Z方向)にも昇降移動可能であって、かつ
(θ方向に)回転可能であり、ウエハ搬送体322のア
ームまたはピンセット322aはウエハWの受渡しを行
う際に(X方向に)前進または後退移動するようになっ
ている。このように、ウエハ搬送体322は、4軸
(X,Y,Z,θ)で移動可能な搬送体であるため、構
成が繁雑であるうえ、アクセス速度が制限されていた。
この種のシステムにおいて最も忙しく動作するのはシス
テム中心部のウエハ搬送体322であり、ウエハ搬送体
322のアクセスないし搬送速度によってシステムのス
ループットが左右される。従来は、ウエハ搬送体322
のアクセス速度が制限されていたため、システムのスル
ープットも制限されていた。
【0007】また、上記従来の処理システムにおいて、
アドヒージョンユニット306やベーキングユニット3
12等のオーブン型処理ユニットは積み木のようにユニ
ット同士が多段に積み重ねられた構成になっているた
め、いずれかの処理ユニットについて修理を行う際には
その上に載っている処理ユニットの全部をいったん退け
なくてはならず、メンテナンス作業が重労働になってい
た。そのうえ、従来のベーキングユニット312では、
半導体ウエハWを載置台の上に直に載せるため、載置台
上の塵埃がウエハ裏面に付着するという不具合があり、
載置台表面の微小な凹凸のために載置台からウエハWへ
の熱伝導が不均一になるおそれもあった。さらに、載置
台上へのウエハWの位置合わせ(センタリング)は専ら
ウエハ搬送体322側で行うようになっているが、ティ
ーチングも含めてソフトウェアの負担が大きかった。
アドヒージョンユニット306やベーキングユニット3
12等のオーブン型処理ユニットは積み木のようにユニ
ット同士が多段に積み重ねられた構成になっているた
め、いずれかの処理ユニットについて修理を行う際には
その上に載っている処理ユニットの全部をいったん退け
なくてはならず、メンテナンス作業が重労働になってい
た。そのうえ、従来のベーキングユニット312では、
半導体ウエハWを載置台の上に直に載せるため、載置台
上の塵埃がウエハ裏面に付着するという不具合があり、
載置台表面の微小な凹凸のために載置台からウエハWへ
の熱伝導が不均一になるおそれもあった。さらに、載置
台上へのウエハWの位置合わせ(センタリング)は専ら
ウエハ搬送体322側で行うようになっているが、ティ
ーチングも含めてソフトウェアの負担が大きかった。
【0008】本発明は、かかる問題点に鑑みてなされた
もので、システムの占有スペースを大幅に縮小して、ク
リーンルームコストを下げるとともに、高速の搬送ない
しアクセス速度を可能とし、スループットの向上をはか
る処理システムを提供することを主たる目的とする。
もので、システムの占有スペースを大幅に縮小して、ク
リーンルームコストを下げるとともに、高速の搬送ない
しアクセス速度を可能とし、スループットの向上をはか
る処理システムを提供することを主たる目的とする。
【0009】本発明の別の目的は、載置台から被処理基
板への塵埃の付着を防止するとともに、熱伝導性の均一
化および効率を向上させ、さらには被処理基板の位置決
めを容易にするベーキング装置を提供することにある。
板への塵埃の付着を防止するとともに、熱伝導性の均一
化および効率を向上させ、さらには被処理基板の位置決
めを容易にするベーキング装置を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の第1の処理システムは、側面に開口部が
形成され、中心部の垂直軸を回転中心軸として回転可能
な筒状支持体と、前記筒状支持体の内側で垂直方向に移
動可能に設けられ、前記側面開口部を通って水平方向に
移動可能な被処理基板支持部を有する被処理基板搬送体
とで第1の被処理基板搬送手段を構成し、前記第1の被
処理基板搬送手段の周囲に複数の枚葉式ユニットを1組
または複数組に亙って多段に配置し、前記第1の被処理
基板搬送手段が被処理基板を所定の順序で複数の前記ユ
ニットに搬送して、前記被処理基板に一連の処理が施さ
れる構成とした。
めに、本発明の第1の処理システムは、側面に開口部が
形成され、中心部の垂直軸を回転中心軸として回転可能
な筒状支持体と、前記筒状支持体の内側で垂直方向に移
動可能に設けられ、前記側面開口部を通って水平方向に
移動可能な被処理基板支持部を有する被処理基板搬送体
とで第1の被処理基板搬送手段を構成し、前記第1の被
処理基板搬送手段の周囲に複数の枚葉式ユニットを1組
または複数組に亙って多段に配置し、前記第1の被処理
基板搬送手段が被処理基板を所定の順序で複数の前記ユ
ニットに搬送して、前記被処理基板に一連の処理が施さ
れる構成とした。
【0011】本発明の第2の処理システムは、側面に開
口部が形成され、中心部の垂直軸を回転中心軸として回
転可能な筒状支持体と、前記筒状支持体の内側で垂直方
向に移動可能に設けられ、前記側面開口部を通って水平
方向に移動可能な被処理基板支持部を有する被処理基板
搬送体とで第1の被処理基板搬送手段を構成し、前記第
1の被処理基板搬送手段の周囲に被処理基板を載置台に
載せて所定の処理を行うオーブン型の枚葉式処理ユニッ
トを1組または複数組に亙って多段に配置するとともに
前記被処理基板をスピンチャックに載せて所定の処理を
行うスピンナ型の枚葉式処理ユニットを1組または複数
組に亙って多段に配置し、前記第1の被処理基板搬送手
段が被処理基板を所定の順序で複数の前記枚葉式処理ユ
ニットに搬送して、前記被処理基板に一連の処理が施さ
れる構成とした。
口部が形成され、中心部の垂直軸を回転中心軸として回
転可能な筒状支持体と、前記筒状支持体の内側で垂直方
向に移動可能に設けられ、前記側面開口部を通って水平
方向に移動可能な被処理基板支持部を有する被処理基板
搬送体とで第1の被処理基板搬送手段を構成し、前記第
1の被処理基板搬送手段の周囲に被処理基板を載置台に
載せて所定の処理を行うオーブン型の枚葉式処理ユニッ
トを1組または複数組に亙って多段に配置するとともに
前記被処理基板をスピンチャックに載せて所定の処理を
行うスピンナ型の枚葉式処理ユニットを1組または複数
組に亙って多段に配置し、前記第1の被処理基板搬送手
段が被処理基板を所定の順序で複数の前記枚葉式処理ユ
ニットに搬送して、前記被処理基板に一連の処理が施さ
れる構成とした。
【0012】本発明の処理システムにおいて、好ましく
は、前記被処理基板搬送体が、前記筒状支持体にそれぞ
れ取付され上下方向に延在する駆動ベルトおよびロッド
レスシリンダに接続されていてよい。
は、前記被処理基板搬送体が、前記筒状支持体にそれぞ
れ取付され上下方向に延在する駆動ベルトおよびロッド
レスシリンダに接続されていてよい。
【0013】本発明のベーキング装置は、載置台上に、
被処理基板の外周縁部をテーパ面に沿って案内して位置
決めし、かつ前記被処理基板を載置台表面から所定の間
隔だけ浮かした状態で支持するための被処理基板案内支
持手段を設けてなる構成とした。
被処理基板の外周縁部をテーパ面に沿って案内して位置
決めし、かつ前記被処理基板を載置台表面から所定の間
隔だけ浮かした状態で支持するための被処理基板案内支
持手段を設けてなる構成とした。
【0014】本発明の処理システムでは、所要の枚葉式
ユニットが第1の被処理基板搬送手段の周りに1組また
は複数の組に亙って多段に配置される。第1の被処理基
板搬送手段においては、筒状支持体を所定の角度に回転
移動させると同時に、筒状支持体内で被処理基板搬送体
を垂直方向に所定の高さ位置へ上下移動させることによ
り、各ユニットへ高速にアクセスできる。つまり、筒状
支持体が回転移動する間に、その回転運動系の内部で被
処理基板搬送体が被処理基板を支持しつつ垂直方向で昇
降移動するため、回転方向および垂直方向における被処
理基板の搬送を可及的に高速かつスムースに同時実行す
ることが可能であり、安定した高速アクセスを実現する
ことができる。そして、アクセス先のユニットに対向す
る位置で筒状支持体の回転移動と被処理基板搬送体の昇
降移動とをそれぞれ止めた状態で、被処理基板搬送体が
被処理基板支持部を筒状支持体の側面開口部を通り抜け
るようにして水平方向に前後移動させることにより、該
ユニットに対する被処理基板の搬入または搬出を行う。
ユニットが第1の被処理基板搬送手段の周りに1組また
は複数の組に亙って多段に配置される。第1の被処理基
板搬送手段においては、筒状支持体を所定の角度に回転
移動させると同時に、筒状支持体内で被処理基板搬送体
を垂直方向に所定の高さ位置へ上下移動させることによ
り、各ユニットへ高速にアクセスできる。つまり、筒状
支持体が回転移動する間に、その回転運動系の内部で被
処理基板搬送体が被処理基板を支持しつつ垂直方向で昇
降移動するため、回転方向および垂直方向における被処
理基板の搬送を可及的に高速かつスムースに同時実行す
ることが可能であり、安定した高速アクセスを実現する
ことができる。そして、アクセス先のユニットに対向す
る位置で筒状支持体の回転移動と被処理基板搬送体の昇
降移動とをそれぞれ止めた状態で、被処理基板搬送体が
被処理基板支持部を筒状支持体の側面開口部を通り抜け
るようにして水平方向に前後移動させることにより、該
ユニットに対する被処理基板の搬入または搬出を行う。
【0015】本発明のベーキング装置では、被処理基板
が支持ピン等に支持されて載置台に下ろされると、被処
理基板の外周縁部が被処理基板案内支持手段のテーパ面
に沿って所定の位置まで案内されることにより自動的に
位置合わせされる。また、被処理基板は、載置台の表面
から所定の間隔だけ浮いた状態で載置されるため、載置
台表面の塵埃が基板裏面に付着するおそれはなく、また
載置台表面からの輻射熱によって基板全体が均一に加熱
される。
が支持ピン等に支持されて載置台に下ろされると、被処
理基板の外周縁部が被処理基板案内支持手段のテーパ面
に沿って所定の位置まで案内されることにより自動的に
位置合わせされる。また、被処理基板は、載置台の表面
から所定の間隔だけ浮いた状態で載置されるため、載置
台表面の塵埃が基板裏面に付着するおそれはなく、また
載置台表面からの輻射熱によって基板全体が均一に加熱
される。
【0016】
【発明の実施形態】以下、図1〜図26を参照して本発
明の実施形態を説明する。
明の実施形態を説明する。
【0017】図1〜図3は本発明の一実施形態による塗
布現像処理システムの全体構成を示す図であって、図1
は平面図、図2は正面図および図3は背面図である。
布現像処理システムの全体構成を示す図であって、図1
は平面図、図2は正面図および図3は背面図である。
【0018】この処理システムは、被処理基板として半
導体ウエハWをウエハカセットCRで複数枚たとえば2
5枚単位で外部からシステムに搬入しまたはシステムか
ら搬出したり、ウエハカセットCRに対して半導体ウエ
ハWを搬入・搬出したりするためのカセットステーショ
ン10と、塗布現像工程の中で1枚ずつ半導体ウエハW
に所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニットを所定位
置に多段配置してなる処理ステーション12と、この処
理ステーション12と隣接して設けられる露光装置(図
示せず)との間で半導体ウエハWを受け渡しするための
インタフェース部14とを一体に接続した構成を有して
いる。
導体ウエハWをウエハカセットCRで複数枚たとえば2
5枚単位で外部からシステムに搬入しまたはシステムか
ら搬出したり、ウエハカセットCRに対して半導体ウエ
ハWを搬入・搬出したりするためのカセットステーショ
ン10と、塗布現像工程の中で1枚ずつ半導体ウエハW
に所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニットを所定位
置に多段配置してなる処理ステーション12と、この処
理ステーション12と隣接して設けられる露光装置(図
示せず)との間で半導体ウエハWを受け渡しするための
インタフェース部14とを一体に接続した構成を有して
いる。
【0019】カセットステーション10では、図1に示
すように、カセット載置台20上の突起20aの位置に
複数個たとえば4個までのウエハカセットCRがそれぞ
れのウエハ出入口を処理ステーション12側に向けてX
方向一列に載置され、カセット配列方向(X方向)およ
びウエハカセットCR内に収納されたウエハのウエハ配
列方向(Z方向)に移動可能なウエハ搬送体22が各ウ
エハカセットCRに選択的にアクセスするようになって
いる。さらに、このウエハ搬送体22は、θ方向に回転
可能に構成されており、後述するように処理ステーショ
ン12側の第3の組G3 の多段ユニット部に属するアラ
イメントユニット(ALIM)およびイクステンション
ユニット(EXT)にもアクセスできるようになってい
る。
すように、カセット載置台20上の突起20aの位置に
複数個たとえば4個までのウエハカセットCRがそれぞ
れのウエハ出入口を処理ステーション12側に向けてX
方向一列に載置され、カセット配列方向(X方向)およ
びウエハカセットCR内に収納されたウエハのウエハ配
列方向(Z方向)に移動可能なウエハ搬送体22が各ウ
エハカセットCRに選択的にアクセスするようになって
いる。さらに、このウエハ搬送体22は、θ方向に回転
可能に構成されており、後述するように処理ステーショ
ン12側の第3の組G3 の多段ユニット部に属するアラ
イメントユニット(ALIM)およびイクステンション
ユニット(EXT)にもアクセスできるようになってい
る。
【0020】処理ステーション12では、図1に示すよ
うに、中心部に垂直搬送型の主ウエハ搬送機構24が設
けられ、その周りに全ての処理ユニットが1組または複
数の組に亙って多段に配置されている。この例では、5
組G1,G2,G3,G4,G5 の多段配置構成であり、第1お
よび第2の組G1,G2 の多段ユニットはシステム正面
(図1において手前)側に並置され、第3の組G3 の多
段ユニットはカセットステーション10に隣接して配置
され、第4の組G4 の多段ユニットはインタフェース部
14に隣接して配置され、第5の組G5 の多段ユニット
は背部側に配置されている。
うに、中心部に垂直搬送型の主ウエハ搬送機構24が設
けられ、その周りに全ての処理ユニットが1組または複
数の組に亙って多段に配置されている。この例では、5
組G1,G2,G3,G4,G5 の多段配置構成であり、第1お
よび第2の組G1,G2 の多段ユニットはシステム正面
(図1において手前)側に並置され、第3の組G3 の多
段ユニットはカセットステーション10に隣接して配置
され、第4の組G4 の多段ユニットはインタフェース部
14に隣接して配置され、第5の組G5 の多段ユニット
は背部側に配置されている。
【0021】図2に示すように、第1の組G1 では、カ
ップCP内で半導体ウエハWをスピンチャックに載せて
所定の処理を行う2台のスピンナ型処理ユニット、たと
えばレジスト塗布ユニット(COT)および現像ユニッ
ト(DEV)が下から順に2段に重ねられている。第2
の組G2 でも、2台のスピンナ型処理ユニット、たとえ
ばレジスト塗布ユニット(COT)および現像ユニット
(DEV)が下から順に2段に重ねられている。レジス
ト塗布ユニット(COT)ではレジスト液の排液が機構
的にもメンテナンスの上でも面倒であることから、この
ように下段に配置するのが好ましい。しかし、必要に応
じて上段に配置することも可能である。
ップCP内で半導体ウエハWをスピンチャックに載せて
所定の処理を行う2台のスピンナ型処理ユニット、たと
えばレジスト塗布ユニット(COT)および現像ユニッ
ト(DEV)が下から順に2段に重ねられている。第2
の組G2 でも、2台のスピンナ型処理ユニット、たとえ
ばレジスト塗布ユニット(COT)および現像ユニット
(DEV)が下から順に2段に重ねられている。レジス
ト塗布ユニット(COT)ではレジスト液の排液が機構
的にもメンテナンスの上でも面倒であることから、この
ように下段に配置するのが好ましい。しかし、必要に応
じて上段に配置することも可能である。
【0022】図3に示すように、第3の組G3 では、半
導体ウエハWを載置台SPに載せて所定の処理を行うオ
ーブン型の処理ユニットたとえばクーリングユニット
(COL)、アドヒージョンユニット(AD)、アライ
メントユニット(ALIM)、イクステンションユニッ
ト(EXT)、プリベーキングユニット(PREBAK
E)およびポストベーキングユニット(POBAKE)
が下から順に8段に重ねられている。第4の組G4 で
も、オーブン型の処理ユニット、たとえばクーリングユ
ニット(COL)、イクステンション・クーリングユニ
ット(EXTCOL)、イクステンションユニット(E
XT)、クーリングユニット(COL)、プリベーキン
グユニット(PREBAKE)およびポストベーキング
ユニット(POBAKE)が下から順にたとえば8段に
重ねられている。
導体ウエハWを載置台SPに載せて所定の処理を行うオ
ーブン型の処理ユニットたとえばクーリングユニット
(COL)、アドヒージョンユニット(AD)、アライ
メントユニット(ALIM)、イクステンションユニッ
ト(EXT)、プリベーキングユニット(PREBAK
E)およびポストベーキングユニット(POBAKE)
が下から順に8段に重ねられている。第4の組G4 で
も、オーブン型の処理ユニット、たとえばクーリングユ
ニット(COL)、イクステンション・クーリングユニ
ット(EXTCOL)、イクステンションユニット(E
XT)、クーリングユニット(COL)、プリベーキン
グユニット(PREBAKE)およびポストベーキング
ユニット(POBAKE)が下から順にたとえば8段に
重ねられている。
【0023】このように処理温度の低いクーリングユニ
ット(COL)、(EXTCOL)を下段に配置し、処
理温度の高いベーキングユニット(PREBAKE)、
ポストベーキングユニット(POBAKE)およびアド
ヒージョンユニット(AD)を上段に配置することで、
ユニット間の熱的な相互干渉を少なくすることができ
る。しかし、ランダムな多段配置とすることも可能であ
る。
ット(COL)、(EXTCOL)を下段に配置し、処
理温度の高いベーキングユニット(PREBAKE)、
ポストベーキングユニット(POBAKE)およびアド
ヒージョンユニット(AD)を上段に配置することで、
ユニット間の熱的な相互干渉を少なくすることができ
る。しかし、ランダムな多段配置とすることも可能であ
る。
【0024】インタフェース部14は、奥行方向では処
理ステーション12と同じ寸法を有するが、幅方向では
小さなサイズにつくられている。インタフェース部14
の正面部には可搬性のピックアップカセットCRと定置
型のバッファカセットBRが2段に配置され、背面部に
は周辺露光装置28が配設され、中央部にはウエハ搬送
体26が設けられている。このウエハ搬送体26は、
X,Z方向に移動して両カセットCR,BRおよび周辺
露光装置28にアクセスするようになっている。さら
に、ウエハ搬送体26は、θ方向に回転可能に構成さ
れ、処理ステーション12側の第4の組G4 の多段ユニ
ットに属するイクステンションユニット(EXT)に
も、および隣接する露光装置側のウエハ受渡し台(図示
せず)にもアクセスできるようになっている。
理ステーション12と同じ寸法を有するが、幅方向では
小さなサイズにつくられている。インタフェース部14
の正面部には可搬性のピックアップカセットCRと定置
型のバッファカセットBRが2段に配置され、背面部に
は周辺露光装置28が配設され、中央部にはウエハ搬送
体26が設けられている。このウエハ搬送体26は、
X,Z方向に移動して両カセットCR,BRおよび周辺
露光装置28にアクセスするようになっている。さら
に、ウエハ搬送体26は、θ方向に回転可能に構成さ
れ、処理ステーション12側の第4の組G4 の多段ユニ
ットに属するイクステンションユニット(EXT)に
も、および隣接する露光装置側のウエハ受渡し台(図示
せず)にもアクセスできるようになっている。
【0025】この処理システムは、クリーンルームに設
置されるが、さらにシステム内でも効率的な垂直層流方
式によって各部の清浄度を高めている。図4および図5
に、システム内における清浄空気の流れを示す。
置されるが、さらにシステム内でも効率的な垂直層流方
式によって各部の清浄度を高めている。図4および図5
に、システム内における清浄空気の流れを示す。
【0026】図4および図5において、カセットステー
ション10,処理ステーション12およびインタフェー
ス部14の上方にはエア供給室12a,14a,16a
が設けられており、各エア供給室12a,14a,16
aの下面に防塵機能付きフィルタたとえばULPAフィ
ルタ30,32,34が取り付けられている。図5に示
すように、本処理システムの外部または背後に空調器3
6が設置されており、この空調器36より配管38を通
って空気が各エア供給室12a,14a,16aに導入
され、各エア供給室のULPAフィルタ30,32,3
4より清浄な空気がダウンフローで各部10,12,1
4に供給されるようになっている。このダウンフローの
空気は、システム下部の適当な箇所に多数設けられてい
る通風孔40を通って底部の排気口42に集められ、こ
の排気口42から配管44を通って空調器36に回収さ
れるようになっている。
ション10,処理ステーション12およびインタフェー
ス部14の上方にはエア供給室12a,14a,16a
が設けられており、各エア供給室12a,14a,16
aの下面に防塵機能付きフィルタたとえばULPAフィ
ルタ30,32,34が取り付けられている。図5に示
すように、本処理システムの外部または背後に空調器3
6が設置されており、この空調器36より配管38を通
って空気が各エア供給室12a,14a,16aに導入
され、各エア供給室のULPAフィルタ30,32,3
4より清浄な空気がダウンフローで各部10,12,1
4に供給されるようになっている。このダウンフローの
空気は、システム下部の適当な箇所に多数設けられてい
る通風孔40を通って底部の排気口42に集められ、こ
の排気口42から配管44を通って空調器36に回収さ
れるようになっている。
【0027】図4に示すように、カセットステーション
10において、カセット載置台20の上方空間とウエハ
搬送アーム22の移動空間とは垂れ壁式の仕切り板11
によって互いに仕切られており、ダウンフローの空気は
両空間で別個に流れるようになっている。
10において、カセット載置台20の上方空間とウエハ
搬送アーム22の移動空間とは垂れ壁式の仕切り板11
によって互いに仕切られており、ダウンフローの空気は
両空間で別個に流れるようになっている。
【0028】図4および図5に示すように、処理ステー
ション12では、第1および第2の組G1,G2 の多段ユ
ニットの中で下段に配置されているレジスト塗布ユニッ
ト(COT),(COT)の天井面にULPAフィルタ
46が設けられており、空調器36からの空気は配管3
8より分岐した配管48を通ってフィルタ46まで送ら
れるようになっている。この配管48の途中に温度・湿
度調整器(図示せず)が設けられ、レジスト塗布工程に
適した所定の温度および湿度の清浄空気がレジスト塗布
ユニット(COT),(COT)に供給されるようにな
っている。そして、フィルタ46の吹き出し側付近に温
度・湿度センサ50が設けられており、そのセンサ出力
が該温度・湿度調整器の制御部に与えられ、フィードバ
ック方式で清浄空気の温度および湿度が正確に制御され
るようになっている。
ション12では、第1および第2の組G1,G2 の多段ユ
ニットの中で下段に配置されているレジスト塗布ユニッ
ト(COT),(COT)の天井面にULPAフィルタ
46が設けられており、空調器36からの空気は配管3
8より分岐した配管48を通ってフィルタ46まで送ら
れるようになっている。この配管48の途中に温度・湿
度調整器(図示せず)が設けられ、レジスト塗布工程に
適した所定の温度および湿度の清浄空気がレジスト塗布
ユニット(COT),(COT)に供給されるようにな
っている。そして、フィルタ46の吹き出し側付近に温
度・湿度センサ50が設けられており、そのセンサ出力
が該温度・湿度調整器の制御部に与えられ、フィードバ
ック方式で清浄空気の温度および湿度が正確に制御され
るようになっている。
【0029】図4において、各スピンナ型処理ユニット
(COT),(DEV)の主ウエハ搬送機構24に面す
る側壁には、ウエハおよび搬送アームが出入りするため
の開口部DRが設けられている。各開口部DRには、各
ユニットからパーティクルまたはコンタミネーションが
主ウエハ搬送機構24側に入り込まないようにするた
め、シャッタ(図示せず)が取り付けられている。
(COT),(DEV)の主ウエハ搬送機構24に面す
る側壁には、ウエハおよび搬送アームが出入りするため
の開口部DRが設けられている。各開口部DRには、各
ユニットからパーティクルまたはコンタミネーションが
主ウエハ搬送機構24側に入り込まないようにするた
め、シャッタ(図示せず)が取り付けられている。
【0030】なお、図1に示すように、処理ステーショ
ン12において、第1および第2の組G1,G2 の多段ユ
ニット(スピンナ型処理ユニット)に隣接する第3およ
び第4の組G3,G4 の多段ユニット(オーブン型処理ユ
ニット)の側壁の中にはそれぞれダクト52,54が垂
直方向に縦断して設けられている。これらのダクト5
2,54には上記のダウンフローの清浄空気または特別
に温度調整された空気が流されるようになっている。こ
のダクト構造によって、第3および第4の組G3,G4 の
オーブン型処理ユニットで発生した熱は遮断され、第1
および第2の組G1,G2 のスピンナ型処理ユニットへは
及ばないようになっている。
ン12において、第1および第2の組G1,G2 の多段ユ
ニット(スピンナ型処理ユニット)に隣接する第3およ
び第4の組G3,G4 の多段ユニット(オーブン型処理ユ
ニット)の側壁の中にはそれぞれダクト52,54が垂
直方向に縦断して設けられている。これらのダクト5
2,54には上記のダウンフローの清浄空気または特別
に温度調整された空気が流されるようになっている。こ
のダクト構造によって、第3および第4の組G3,G4 の
オーブン型処理ユニットで発生した熱は遮断され、第1
および第2の組G1,G2 のスピンナ型処理ユニットへは
及ばないようになっている。
【0031】また、この処理システムでは、主ウエハ搬
送機構24の背部側にも点線で示すように第5の組G5
の多段ユニットを配置できるようになっている。この第
5の組G5 の多段ユニットは、案内レール56に沿って
主ウエハ搬送機構24から見て側方へシフトできるよう
になっている。したがって、第5の組G5 の多段ユニッ
トを設けた場合でも、スライドすることにより空間部が
確保されるので、主ウエハ搬送機構24に対して背後か
らメンテナンス作業が容易に行えるようになっている。
送機構24の背部側にも点線で示すように第5の組G5
の多段ユニットを配置できるようになっている。この第
5の組G5 の多段ユニットは、案内レール56に沿って
主ウエハ搬送機構24から見て側方へシフトできるよう
になっている。したがって、第5の組G5 の多段ユニッ
トを設けた場合でも、スライドすることにより空間部が
確保されるので、主ウエハ搬送機構24に対して背後か
らメンテナンス作業が容易に行えるようになっている。
【0032】次に、図6および図7につき本処理システ
ムにおけるカセットステーション10の構成および作用
をより詳しく説明する。
ムにおけるカセットステーション10の構成および作用
をより詳しく説明する。
【0033】図示のように、カセットステーション10
におけるウエハ搬送体22は、搬送基台60上に、Y方
向(前後方向)に移動可能なピンセット62を備えてい
る。搬送基台60は、回転軸63を介して昇降台64上
でθ方向に回転可能に取り付けられ、昇降台64は水平
移動台66に垂直方向に昇降移動可能に支持され、水平
移動台66はX方向に横架されたガイドレール68に同
方向に摺動可能に支持されている。ピンセット62をY
方向(前後方向)に移動させるためのY方向駆動部は、
搬送基台60に内蔵された駆動モータおよびベルト(図
示せず)によって構成されている。搬送基台60をθ方
向に回転移動させるための回転駆動部は昇降台64に内
蔵された駆動モータ(図示せず)によって構成されてい
る。昇降台64をZ方向に昇降移動させるためのZ方向
駆動部は、水平移動台66の中に設けられた駆動モータ
およびボールスクリュー軸(図示せず)によって構成さ
れている。水平移動台66をX方向に移動させるX方向
駆動部は、水平移動台66に接続されたベルトと駆動モ
ータ(図示せず)によって構成されている。
におけるウエハ搬送体22は、搬送基台60上に、Y方
向(前後方向)に移動可能なピンセット62を備えてい
る。搬送基台60は、回転軸63を介して昇降台64上
でθ方向に回転可能に取り付けられ、昇降台64は水平
移動台66に垂直方向に昇降移動可能に支持され、水平
移動台66はX方向に横架されたガイドレール68に同
方向に摺動可能に支持されている。ピンセット62をY
方向(前後方向)に移動させるためのY方向駆動部は、
搬送基台60に内蔵された駆動モータおよびベルト(図
示せず)によって構成されている。搬送基台60をθ方
向に回転移動させるための回転駆動部は昇降台64に内
蔵された駆動モータ(図示せず)によって構成されてい
る。昇降台64をZ方向に昇降移動させるためのZ方向
駆動部は、水平移動台66の中に設けられた駆動モータ
およびボールスクリュー軸(図示せず)によって構成さ
れている。水平移動台66をX方向に移動させるX方向
駆動部は、水平移動台66に接続されたベルトと駆動モ
ータ(図示せず)によって構成されている。
【0034】上記のような駆動機構および支持機構によ
り、カセットステーション10のウエハ搬送体22は、
カセット載置台20上の各カセットCRと処理ステーシ
ョン12側のイクステンションユニット(EXT)また
はアライメントユニット(ALIM)との間でX,Y,
Z,θ方向に移動して、半導体ウエハWを1枚ずつ移送
できるようになっている。
り、カセットステーション10のウエハ搬送体22は、
カセット載置台20上の各カセットCRと処理ステーシ
ョン12側のイクステンションユニット(EXT)また
はアライメントユニット(ALIM)との間でX,Y,
Z,θ方向に移動して、半導体ウエハWを1枚ずつ移送
できるようになっている。
【0035】ウエハ搬送体22には、ピンセット62の
基端部から両側に円弧状に延在するウエハセンタリング
用のアーム部材70が設けられるとともに、搬送基台6
0の先端部からL字状に前方に突出するウエハマッピン
グ用の一対のセンサアーム72,74も取り付けられて
いる。
基端部から両側に円弧状に延在するウエハセンタリング
用のアーム部材70が設けられるとともに、搬送基台6
0の先端部からL字状に前方に突出するウエハマッピン
グ用の一対のセンサアーム72,74も取り付けられて
いる。
【0036】図6では、処理ステーション12側のイク
ステンションユニット(EXT)が示されている。この
イクステンションユニット(EXT)には、円周方向に
複数本たとえば3本のウエハ支持ピン76aを立設して
なるウエハ受渡し台76が設けられている。
ステンションユニット(EXT)が示されている。この
イクステンションユニット(EXT)には、円周方向に
複数本たとえば3本のウエハ支持ピン76aを立設して
なるウエハ受渡し台76が設けられている。
【0037】また、図7に示すように、カセット載置台
20の下には、メインコントローラ(M/C)や各種制
御回路(E/C)等を実装または収納した回路板または
回路ボックス78が設けられている。
20の下には、メインコントローラ(M/C)や各種制
御回路(E/C)等を実装または収納した回路板または
回路ボックス78が設けられている。
【0038】上記のようなウエハ搬送体22において、
昇降台64に内蔵されている回転駆動用のモータは、そ
のモータ回転軸が正確に芯合わせされた状態で取り付け
られているのが好ましい。このため、モータ取付部には
水平度または傾き度を調節するための調整ネジまたはボ
ルトが用いられている。しかし、モータ支持板としてア
ルミニウムを使用した場合、調整ボルトを何度も回すう
ちに当接するボルトの先端で支持板が削れ、その破片が
パーティクルの原因になるおそれがあった。そのような
調整ボルトに代えてシム(スペーサ)を用いることも行
われているが、これによると微細な調整が難しいという
不具合がある。本実施例では、図8および図9に示すよ
うな構成によって、この問題を解決している。
昇降台64に内蔵されている回転駆動用のモータは、そ
のモータ回転軸が正確に芯合わせされた状態で取り付け
られているのが好ましい。このため、モータ取付部には
水平度または傾き度を調節するための調整ネジまたはボ
ルトが用いられている。しかし、モータ支持板としてア
ルミニウムを使用した場合、調整ボルトを何度も回すう
ちに当接するボルトの先端で支持板が削れ、その破片が
パーティクルの原因になるおそれがあった。そのような
調整ボルトに代えてシム(スペーサ)を用いることも行
われているが、これによると微細な調整が難しいという
不具合がある。本実施例では、図8および図9に示すよ
うな構成によって、この問題を解決している。
【0039】図8において、アルミニウムからなるL形
の支持板80は昇降台64の中に固定配置され、この支
持板80の上に駆動モータ82を内蔵する筐体84が取
り付けられる。この筐体84の両側面の下端部にはフラ
ンジ84aが形成され、このフランジ84aに適当な間
隔を置いて複数の固定取付用ネジ穴84bおよび平行度
調整用の貫通したネジ穴84cが穿孔されている。一
方、支持板80の上面には、筐体84の各固定取付用ネ
ジ穴84bと対応する位置にネジ穴80bが形成される
とともに、平行度調整用のネジ穴84cと対応する位置
に円形の凹所80cが形成され、各凹所80cにステン
レス製の板片86が配置されている。
の支持板80は昇降台64の中に固定配置され、この支
持板80の上に駆動モータ82を内蔵する筐体84が取
り付けられる。この筐体84の両側面の下端部にはフラ
ンジ84aが形成され、このフランジ84aに適当な間
隔を置いて複数の固定取付用ネジ穴84bおよび平行度
調整用の貫通したネジ穴84cが穿孔されている。一
方、支持板80の上面には、筐体84の各固定取付用ネ
ジ穴84bと対応する位置にネジ穴80bが形成される
とともに、平行度調整用のネジ穴84cと対応する位置
に円形の凹所80cが形成され、各凹所80cにステン
レス製の板片86が配置されている。
【0040】筐体84の各ネジ穴84b,84cが支持
板80の各対応するネジ穴80bまたは凹所80cに重
なるように筐体84を支持板80の上に載せ、平行度調
整用のボルト88を各ネジ穴84cにネジ込む。そうす
ると、図9に示すように、各ボルト88の先端がステン
レス板片86に当接する。各ボルト88のネジ込み具合
を調整することで、筐体84ないしモータ82の平行度
を調整することができる。調整後に、固定取付用のボル
ト90を固定取付用ネジ穴84b,80bに螺合する。
板80の各対応するネジ穴80bまたは凹所80cに重
なるように筐体84を支持板80の上に載せ、平行度調
整用のボルト88を各ネジ穴84cにネジ込む。そうす
ると、図9に示すように、各ボルト88の先端がステン
レス板片86に当接する。各ボルト88のネジ込み具合
を調整することで、筐体84ないしモータ82の平行度
を調整することができる。調整後に、固定取付用のボル
ト90を固定取付用ネジ穴84b,80bに螺合する。
【0041】このように、本実施例によれば、平行度調
整用のボルト88の先端は直接的にはステンレス製の板
片86に当たるので、ボルト88を何度回してもステン
レス板片86から削り屑が発生することは殆どない。ま
た、ボルト88で調整するので、シムを用いる場合より
も平行度を正確に合わせることができる。この平行度調
整手段はウエハ搬送体22に限るものでなく、他の任意
の取付構造に適用可能なものである。
整用のボルト88の先端は直接的にはステンレス製の板
片86に当たるので、ボルト88を何度回してもステン
レス板片86から削り屑が発生することは殆どない。ま
た、ボルト88で調整するので、シムを用いる場合より
も平行度を正確に合わせることができる。この平行度調
整手段はウエハ搬送体22に限るものでなく、他の任意
の取付構造に適用可能なものである。
【0042】次に、図10〜図14を参照して処理ステ
ーション12における主ウエハ搬送機構24の構成およ
び作用について説明する。図10は主ウエハ搬送機構2
4の要部の構成を示す略斜視図、図11は主ウエハ搬送
機構24の要部の構成を示す縦断面図、図12は図11
において矢印Aの向きに見た断面平面図、図13は図1
1において矢印Bの向きに見た内側側面図および図14
は図11において矢印Cの向きに見た内側側面図であ
る。
ーション12における主ウエハ搬送機構24の構成およ
び作用について説明する。図10は主ウエハ搬送機構2
4の要部の構成を示す略斜視図、図11は主ウエハ搬送
機構24の要部の構成を示す縦断面図、図12は図11
において矢印Aの向きに見た断面平面図、図13は図1
1において矢印Bの向きに見た内側側面図および図14
は図11において矢印Cの向きに見た内側側面図であ
る。
【0043】図10および図11に示すように、主ウエ
ハ搬送機構24は、上端および下端で接続された相対向
する一対の垂直壁部91,92からなる筒状支持体94
の内側にウエハ搬送体96を上下方向(Z方向)に移動
可能に取り付けている。筒状支持体94は、回転駆動モ
ータ98の回転軸に接続されており、モータ98の回転
駆動力によって回転軸を回転中心としてウエハ搬送体9
6と一体に回転するようになっている。回転駆動モータ
98は本システムのベース板100に固定されており、
モータ98の周りには給電用の可撓性ケーブルベア(登
録商標)102が巻かれている。なお、筒状支持体94
は、回転駆動モータ98によって回転される別の回転軸
(図示せず)に取着するように構成してもよい。
ハ搬送機構24は、上端および下端で接続された相対向
する一対の垂直壁部91,92からなる筒状支持体94
の内側にウエハ搬送体96を上下方向(Z方向)に移動
可能に取り付けている。筒状支持体94は、回転駆動モ
ータ98の回転軸に接続されており、モータ98の回転
駆動力によって回転軸を回転中心としてウエハ搬送体9
6と一体に回転するようになっている。回転駆動モータ
98は本システムのベース板100に固定されており、
モータ98の周りには給電用の可撓性ケーブルベア(登
録商標)102が巻かれている。なお、筒状支持体94
は、回転駆動モータ98によって回転される別の回転軸
(図示せず)に取着するように構成してもよい。
【0044】ウエハ搬送体96の上下方向の移動範囲
は、ウエハ搬送体96が第1〜第5組G1 〜G5 の多段
ユニットの全てにアクセスできるように設定されてい
る。
は、ウエハ搬送体96が第1〜第5組G1 〜G5 の多段
ユニットの全てにアクセスできるように設定されてい
る。
【0045】ウエハ搬送体96は、搬送基台104上
に、X方向(前後方向)に移動可能な複数本たとえば3
本のピンセット106A,106B,106Cを備えて
いる。各ピンセット106は、筒状支持体94の両垂直
壁部91,92の間の側面開口部95を通り抜けできる
ようになっている。各ピンセット106をX方向に移動
させるためのX方向駆動部は、搬送基台104に内蔵さ
れた駆動モータおよびベルト(図示せず)によって構成
されている。
に、X方向(前後方向)に移動可能な複数本たとえば3
本のピンセット106A,106B,106Cを備えて
いる。各ピンセット106は、筒状支持体94の両垂直
壁部91,92の間の側面開口部95を通り抜けできる
ようになっている。各ピンセット106をX方向に移動
させるためのX方向駆動部は、搬送基台104に内蔵さ
れた駆動モータおよびベルト(図示せず)によって構成
されている。
【0046】なお、上記3本のピンセットのうち最上段
のピンセット106Aを冷却されたウエハの搬送専用と
して使用してもよい。また、各ピンセット間に断熱板を
配置して、熱の相互干渉を防止するように構成してもよ
い。
のピンセット106Aを冷却されたウエハの搬送専用と
して使用してもよい。また、各ピンセット間に断熱板を
配置して、熱の相互干渉を防止するように構成してもよ
い。
【0047】図11、図12および図13に示すよう
に、一方の垂直壁部91の内側のほぼ中央の上端部およ
び下端部に一対のプーリ108,110が取り付けら
れ、これらのプーリ108,110間に垂直駆動用の無
端ベルト112が掛け渡されている。この垂直駆動ベル
ト112にベルトクランプ114を介してウエハ搬送体
96の搬送基台104が接続されている。下部プーリ1
10は、筒状支持体94の底面に固定配置された駆動モ
ータ116の回転軸116aに接続され、駆動プーリを
構成している。また、図12および図13に明示するよ
うに、垂直壁部91の内側の左右端部に一対のガイドレ
ール116,118が垂直方向に延在して設けられ、搬
送基台104の側面に突設された一対の水平支持棹12
0,122の先端にそれぞれ設けられたスライダ12
4,126が両ガイドレール116,118に摺動可能
に係合している。このような垂直ベルト駆動機構および
垂直スライダ機構により、ウエハ搬送体96は駆動モー
タ116の駆動力で垂直方向に昇降移動できるようにな
っている。
に、一方の垂直壁部91の内側のほぼ中央の上端部およ
び下端部に一対のプーリ108,110が取り付けら
れ、これらのプーリ108,110間に垂直駆動用の無
端ベルト112が掛け渡されている。この垂直駆動ベル
ト112にベルトクランプ114を介してウエハ搬送体
96の搬送基台104が接続されている。下部プーリ1
10は、筒状支持体94の底面に固定配置された駆動モ
ータ116の回転軸116aに接続され、駆動プーリを
構成している。また、図12および図13に明示するよ
うに、垂直壁部91の内側の左右端部に一対のガイドレ
ール116,118が垂直方向に延在して設けられ、搬
送基台104の側面に突設された一対の水平支持棹12
0,122の先端にそれぞれ設けられたスライダ12
4,126が両ガイドレール116,118に摺動可能
に係合している。このような垂直ベルト駆動機構および
垂直スライダ機構により、ウエハ搬送体96は駆動モー
タ116の駆動力で垂直方向に昇降移動できるようにな
っている。
【0048】図12および図13に明示するように、垂
直壁部91の内側の中央部と一方のガイドレール116
との間にはロッドレスシリンダ130が垂直方向に延在
して立設されている。このロッドレスシリンダ130の
外側に遊動可能に外嵌されている円筒状の可動部130
aは、水平支持棹120を介してウエハ搬送体96の搬
送基台104に接続されている。可動部130aはシリ
ンダ130の内部に可動に挿入されているピストン(図
示せず)と磁気的に結合しているので、可動部130a
を介してウエハ搬送体96とピストンとが同時に移動可
能なように作動接続されている。シリンダ130の下端
のポート130bには、レギュレータ132よりウエハ
搬送体96の重量にほぼ等しい力がピストンに発生する
ような圧力で圧縮空気が配管134を介して供給され
る。シリンダ130の上端のポート130cは大気に開
放されている。
直壁部91の内側の中央部と一方のガイドレール116
との間にはロッドレスシリンダ130が垂直方向に延在
して立設されている。このロッドレスシリンダ130の
外側に遊動可能に外嵌されている円筒状の可動部130
aは、水平支持棹120を介してウエハ搬送体96の搬
送基台104に接続されている。可動部130aはシリ
ンダ130の内部に可動に挿入されているピストン(図
示せず)と磁気的に結合しているので、可動部130a
を介してウエハ搬送体96とピストンとが同時に移動可
能なように作動接続されている。シリンダ130の下端
のポート130bには、レギュレータ132よりウエハ
搬送体96の重量にほぼ等しい力がピストンに発生する
ような圧力で圧縮空気が配管134を介して供給され
る。シリンダ130の上端のポート130cは大気に開
放されている。
【0049】このようにウエハ搬送体96の重量がシリ
ンダ130の揚力によってキャンセルされているため、
ウエハ搬送体96は重力の影響を受けることなく高速度
で上昇移動できるようになっている。さらに、万一駆動
ベルト112が切れた場合でも、ウエハ搬送体96はシ
リンダ130の揚力によってその位置に保持され、重力
で落下するおそれはない。したがって、ウエハ搬送体9
6ないし筒状支持体96が損壊するおそれはない。
ンダ130の揚力によってキャンセルされているため、
ウエハ搬送体96は重力の影響を受けることなく高速度
で上昇移動できるようになっている。さらに、万一駆動
ベルト112が切れた場合でも、ウエハ搬送体96はシ
リンダ130の揚力によってその位置に保持され、重力
で落下するおそれはない。したがって、ウエハ搬送体9
6ないし筒状支持体96が損壊するおそれはない。
【0050】図10、図12および図14に示すよう
に、他方の垂直壁部92の内側の中央部および両端部に
は、ウエハ搬送体96に電力および制御信号を供給する
ための可撓性のケーブルベア134を垂直方向に延在さ
せて収容するスリーブ136が設けられている。中央部
の2つのスリーブ136,136の相対向する外側面は
垂直ガイド138を構成しており、このガイド138で
搬送基台104の側面に突設されたスライダ104aが
案内されるようになっている。
に、他方の垂直壁部92の内側の中央部および両端部に
は、ウエハ搬送体96に電力および制御信号を供給する
ための可撓性のケーブルベア134を垂直方向に延在さ
せて収容するスリーブ136が設けられている。中央部
の2つのスリーブ136,136の相対向する外側面は
垂直ガイド138を構成しており、このガイド138で
搬送基台104の側面に突設されたスライダ104aが
案内されるようになっている。
【0051】図10に示すように、筒状支持体94の上
面には回転中心軸94aの両側に一対の開口94bが設
けられ、上記した天井面のフィルタ32からのダウンフ
ローの清浄空気がこれらの開口94bを通って主ウエハ
搬送機構24内に流入するようになっている。このダウ
ンフローの清浄空気によってウエハ搬送体96の昇降移
動空間は常時清浄に保たれる。
面には回転中心軸94aの両側に一対の開口94bが設
けられ、上記した天井面のフィルタ32からのダウンフ
ローの清浄空気がこれらの開口94bを通って主ウエハ
搬送機構24内に流入するようになっている。このダウ
ンフローの清浄空気によってウエハ搬送体96の昇降移
動空間は常時清浄に保たれる。
【0052】また、両垂直壁部91,92の内側には、
図12に示すように、垂直仕切り板91a,92aが設
けられており、これらの仕切り板91a,92aの裏側
と垂直壁部91,92とでダクト91b,92bが形成
されている。これらのダクト91b,92bは、垂直仕
切り板91a,92aに一定の間隔を置いて取り付けら
れている複数のファン93を介して垂直壁部90,92
の内側空間に連通している。これにより、垂直駆動ベル
ト112、ロッドレスエアシリンダ130、ケーブルベ
ア134等の可動体より発生した塵埃はファン93によ
ってダクト91b,92b側へ排出されるようになって
いる。
図12に示すように、垂直仕切り板91a,92aが設
けられており、これらの仕切り板91a,92aの裏側
と垂直壁部91,92とでダクト91b,92bが形成
されている。これらのダクト91b,92bは、垂直仕
切り板91a,92aに一定の間隔を置いて取り付けら
れている複数のファン93を介して垂直壁部90,92
の内側空間に連通している。これにより、垂直駆動ベル
ト112、ロッドレスエアシリンダ130、ケーブルベ
ア134等の可動体より発生した塵埃はファン93によ
ってダクト91b,92b側へ排出されるようになって
いる。
【0053】また、図11および図12に示すように、
ウエハ搬送体96においても、搬送基台104の内部空
間がファン142および水平支持棹120,122の内
部の孔を介して垂直壁部91,92の内側空間に連通し
ている。これにより、搬送基台104に内蔵されている
ピンセット駆動モータおよびベルト等で発生した塵芥も
ダクト91b,92b側へ排出されるようになってい
る。
ウエハ搬送体96においても、搬送基台104の内部空
間がファン142および水平支持棹120,122の内
部の孔を介して垂直壁部91,92の内側空間に連通し
ている。これにより、搬送基台104に内蔵されている
ピンセット駆動モータおよびベルト等で発生した塵芥も
ダクト91b,92b側へ排出されるようになってい
る。
【0054】次に、図15および図16につき処理ステ
ーション12において第3の組G3の多段ユニットに含
まれているアライメントユニット(ALIM)の構成お
よび作用を説明する。図15および図16は、アライメ
ントユニット(ALIM)内の要部の構成を詳細に示す
平面図および側面図である。
ーション12において第3の組G3の多段ユニットに含
まれているアライメントユニット(ALIM)の構成お
よび作用を説明する。図15および図16は、アライメ
ントユニット(ALIM)内の要部の構成を詳細に示す
平面図および側面図である。
【0055】このアライメントユニット(ALIM)
は、カセットステーション10側のウエハ搬送体22と
処理ステーション12側の主ウエハ搬送機構24のウエ
ハ搬送体96との間で半導体ウエハWの受け渡しが行わ
れる際にバッファとして一時的に半導体ウエハWを載置
するウエハ受渡し台150を有しており、このウエハ受
渡し台150上で中心合わせおよびオリフラ合わせが可
能なように構成されている。
は、カセットステーション10側のウエハ搬送体22と
処理ステーション12側の主ウエハ搬送機構24のウエ
ハ搬送体96との間で半導体ウエハWの受け渡しが行わ
れる際にバッファとして一時的に半導体ウエハWを載置
するウエハ受渡し台150を有しており、このウエハ受
渡し台150上で中心合わせおよびオリフラ合わせが可
能なように構成されている。
【0056】図15および図16に示すように、ウエハ
受渡し台150は、水平支持板152上に、半導体ウエ
ハWの裏面を担持するための複数本たとえば3本の支持
ピン154と、半導体ウエハWの外周縁を保持するため
の円周面が円弧状に形成され対向して配置された2個の
ガイド部材156とを固着してなる。水平支持板152
の中心部には円形の開口152aが設けられており、こ
の開口152aを通ってスピンチャック158が昇降移
動できるようになっている。スピンチャック158は、
上面で半導体ウエハWを真空吸着できるもので、水平支
持板152の下側に設けられた駆動モータ160の回転
駆動軸に結合されている。
受渡し台150は、水平支持板152上に、半導体ウエ
ハWの裏面を担持するための複数本たとえば3本の支持
ピン154と、半導体ウエハWの外周縁を保持するため
の円周面が円弧状に形成され対向して配置された2個の
ガイド部材156とを固着してなる。水平支持板152
の中心部には円形の開口152aが設けられており、こ
の開口152aを通ってスピンチャック158が昇降移
動できるようになっている。スピンチャック158は、
上面で半導体ウエハWを真空吸着できるもので、水平支
持板152の下側に設けられた駆動モータ160の回転
駆動軸に結合されている。
【0057】駆動モータ160は、支持台162に固定
されたエアシリンダ164のピストン軸164aに水平
支持部材166を介して結合され、ピストン軸164a
が垂直方向に前進または後退することによりそれと一体
に駆動モータ160およびスピンチャック158が昇降
移動するようになっている。2個のうちの一方のガイド
部材156の一端部には半導体ウエハWのオリフラ合わ
せ用の光学センサ168の発光部168Aが取付されて
おり、その真上には発光部168Aと対向するように受
光部168Bが図示しない支持部材に取付されている。
されたエアシリンダ164のピストン軸164aに水平
支持部材166を介して結合され、ピストン軸164a
が垂直方向に前進または後退することによりそれと一体
に駆動モータ160およびスピンチャック158が昇降
移動するようになっている。2個のうちの一方のガイド
部材156の一端部には半導体ウエハWのオリフラ合わ
せ用の光学センサ168の発光部168Aが取付されて
おり、その真上には発光部168Aと対向するように受
光部168Bが図示しない支持部材に取付されている。
【0058】たとえば、カセットステーション10側の
ウエハ搬送体22がこのアライメントユニット(ALI
M)にアクセスして、半導体ウエハWを水平支持板15
2の真上に搬送すると、スピンチャック158が図16
の一点鎖線158’で示すように上昇移動して半導体ウ
エハWを受け取る。次いで、スピンチャック158は駆
動モータ160の駆動で回転して半導体ウエハWを周回
方向に回転(自転)させる。そうして、光学センサ16
8が半導体ウエハWのオリフラを検出すると、その位置
(時点)からスピンチャック158は所定の角度だけ回
転して停止し、半導体ウエハWは所定の向きに、たとえ
ばオリフラが図15に示すように手前側に来る向きに位
置決めされる。
ウエハ搬送体22がこのアライメントユニット(ALI
M)にアクセスして、半導体ウエハWを水平支持板15
2の真上に搬送すると、スピンチャック158が図16
の一点鎖線158’で示すように上昇移動して半導体ウ
エハWを受け取る。次いで、スピンチャック158は駆
動モータ160の駆動で回転して半導体ウエハWを周回
方向に回転(自転)させる。そうして、光学センサ16
8が半導体ウエハWのオリフラを検出すると、その位置
(時点)からスピンチャック158は所定の角度だけ回
転して停止し、半導体ウエハWは所定の向きに、たとえ
ばオリフラが図15に示すように手前側に来る向きに位
置決めされる。
【0059】このようにしてオリフラ合わせが行われた
後、スピンチャック158は下降し始め、真空吸着を解
除して半導体ウエハWを水平支持板152上の支持ピン
154上に支持させ、ガイド部材156にウエハ周縁部
を当接させてセンタリングを行い、水平支持板152よ
り低い位置まで下降する。この後に、再びスピンチャッ
ク158が上昇して半導体ウエハWを保持し、処理ステ
ーション12側の主ウエハ搬送体96がいずれかのピン
セット106を水平支持板152と半導体ウエハWの裏
面との隙間に挿入し、半導体ウエハWを持ち上げてウエ
ハ受渡し台150から受け取るようになっている。
後、スピンチャック158は下降し始め、真空吸着を解
除して半導体ウエハWを水平支持板152上の支持ピン
154上に支持させ、ガイド部材156にウエハ周縁部
を当接させてセンタリングを行い、水平支持板152よ
り低い位置まで下降する。この後に、再びスピンチャッ
ク158が上昇して半導体ウエハWを保持し、処理ステ
ーション12側の主ウエハ搬送体96がいずれかのピン
セット106を水平支持板152と半導体ウエハWの裏
面との隙間に挿入し、半導体ウエハWを持ち上げてウエ
ハ受渡し台150から受け取るようになっている。
【0060】次に、図17〜図20につき処理ステーシ
ョン12において第3および第4の組G3 ,G4 の多段
ユニットに含まれているベーキングユニット(PREB
AKE)、(POBAKE)の構成および作用を説明す
る。
ョン12において第3および第4の組G3 ,G4 の多段
ユニットに含まれているベーキングユニット(PREB
AKE)、(POBAKE)の構成および作用を説明す
る。
【0061】図17および図18は、本実施形態におけ
るベーキングユニット内の構成を示す平面図および断面
図である。なお、図17は、図解のために水平遮蔽板1
74を除いた平面図である。
るベーキングユニット内の構成を示す平面図および断面
図である。なお、図17は、図解のために水平遮蔽板1
74を除いた平面図である。
【0062】このベーキングユニットの処理室170は
両側壁172と水平遮蔽板174とで形成され、処理室
170の正面側(主ウエハ搬送機構24側)および背面
側はそれぞれ開口部170A,170Bとなっている。
遮蔽板174の中心部には円形の開口176が形成さ
れ、この開口176内にヒータ等の発熱体を内蔵した円
板状の熱板178が載置台SPとして設けられる。
両側壁172と水平遮蔽板174とで形成され、処理室
170の正面側(主ウエハ搬送機構24側)および背面
側はそれぞれ開口部170A,170Bとなっている。
遮蔽板174の中心部には円形の開口176が形成さ
れ、この開口176内にヒータ等の発熱体を内蔵した円
板状の熱板178が載置台SPとして設けられる。
【0063】熱板178にはたとえば3つの孔180が
設けられ、各孔180内には支持ピン182が遊嵌状態
で挿通されており、半導体ウエハWのローティング・ア
ンローディング時には各支持ピン182が熱板178の
表面より上に突出または上昇して主ウエハ搬送機構24
のウエハ搬送体94とウエハWの受け渡しを行うように
なっている。熱板178の外周囲には、円周方向にたと
えば2゜間隔で多数の通気孔184を形成したリング状
の帯板からなるシャッタ186が設けられている。この
シャッタ186は、通常は熱板178より下の位置に退
避しているが、加熱処理時には図18に示すように熱板
178の上面よりも高い位置まで上昇して、熱板178
とカバー体188との間にリング状の側壁を形成し、装
置正面側より流入するダウンフローの清浄空気を通気孔
184より周方向で均等に流入させるようになってい
る。
設けられ、各孔180内には支持ピン182が遊嵌状態
で挿通されており、半導体ウエハWのローティング・ア
ンローディング時には各支持ピン182が熱板178の
表面より上に突出または上昇して主ウエハ搬送機構24
のウエハ搬送体94とウエハWの受け渡しを行うように
なっている。熱板178の外周囲には、円周方向にたと
えば2゜間隔で多数の通気孔184を形成したリング状
の帯板からなるシャッタ186が設けられている。この
シャッタ186は、通常は熱板178より下の位置に退
避しているが、加熱処理時には図18に示すように熱板
178の上面よりも高い位置まで上昇して、熱板178
とカバー体188との間にリング状の側壁を形成し、装
置正面側より流入するダウンフローの清浄空気を通気孔
184より周方向で均等に流入させるようになってい
る。
【0064】カバー体188の中心部には加熱処理時に
ウエハ表面から発生するガスを排出するための排気口1
88aが設けられ、この排気口188aに排気管190
が接続されている。この排気管190は、装置正面側
(主ウエハ搬送機構24側)のダクト52(もしくは5
4)または図示しないダクトに通じている。
ウエハ表面から発生するガスを排出するための排気口1
88aが設けられ、この排気口188aに排気管190
が接続されている。この排気管190は、装置正面側
(主ウエハ搬送機構24側)のダクト52(もしくは5
4)または図示しないダクトに通じている。
【0065】遮蔽板174の下には、遮蔽板174、両
側壁172および底板192によって機械室194が形
成されており、室内には熱板支持板196、シャッタア
ーム198、支持ピンアーム200、シャッタアーム昇
降駆動用シリンダ202、支持ピンアーム昇降駆動用シ
リンダ204が設けられている。
側壁172および底板192によって機械室194が形
成されており、室内には熱板支持板196、シャッタア
ーム198、支持ピンアーム200、シャッタアーム昇
降駆動用シリンダ202、支持ピンアーム昇降駆動用シ
リンダ204が設けられている。
【0066】図17に示すように、半導体ウエハWの外
周縁部が載るべき熱板178の表面位置に複数個たとえ
ば4個のウエハ案内支持突起部206が設けられてい
る。図19および図20は、ウエハ案内支持突起部20
6の構成および作用を説明するための部分側面図および
要部断面図である。
周縁部が載るべき熱板178の表面位置に複数個たとえ
ば4個のウエハ案内支持突起部206が設けられてい
る。図19および図20は、ウエハ案内支持突起部20
6の構成および作用を説明するための部分側面図および
要部断面図である。
【0067】図20に示すように、各ウエハ案内支持突
起部206は、所定の厚さDを有する平板片208を介
して所定の角度たとえば45゜の円錐テーパ(傾斜面)
210aを有する断面台形型板片210をボルト212
で熱板178に固着してなるものである。平板片208
は少なくとも半径方向において断面台形型板片210よ
りも内側に延在している。両板片208,210はたと
えばセラミックからなり、断面台形型板片210がウエ
ハ案内手段を構成し、平板片208はウエハ支持手段を
構成している。
起部206は、所定の厚さDを有する平板片208を介
して所定の角度たとえば45゜の円錐テーパ(傾斜面)
210aを有する断面台形型板片210をボルト212
で熱板178に固着してなるものである。平板片208
は少なくとも半径方向において断面台形型板片210よ
りも内側に延在している。両板片208,210はたと
えばセラミックからなり、断面台形型板片210がウエ
ハ案内手段を構成し、平板片208はウエハ支持手段を
構成している。
【0068】図19に示すように、ローディング時にウ
エハ支持ピン182が上昇してウエハ搬送体94(図示
せず)から半導体ウエハWを受け取り、この状態つまり
半導体ウエハWを担持したまま下降すると、熱板178
の上方で半導体ウエハWの外周縁部(エッジ)がウエハ
案内支持突起部206の断面台形型板片210のテーパ
面210aに乗り、そのままテーパ面210aに沿って
平板片208まで落とし込まれ、図20に示すように位
置決めされる。断面台形型板片210のテーパ面210
aの上端と平板片208の半径内側端との間の距離Kは
センタリング幅を規定しており、断面台形型板片210
の円錐テーパ角および平板片208の厚みDと併せて所
望の値に設定することができる。
エハ支持ピン182が上昇してウエハ搬送体94(図示
せず)から半導体ウエハWを受け取り、この状態つまり
半導体ウエハWを担持したまま下降すると、熱板178
の上方で半導体ウエハWの外周縁部(エッジ)がウエハ
案内支持突起部206の断面台形型板片210のテーパ
面210aに乗り、そのままテーパ面210aに沿って
平板片208まで落とし込まれ、図20に示すように位
置決めされる。断面台形型板片210のテーパ面210
aの上端と平板片208の半径内側端との間の距離Kは
センタリング幅を規定しており、断面台形型板片210
の円錐テーパ角および平板片208の厚みDと併せて所
望の値に設定することができる。
【0069】このように、ローディング時にウエハ支持
ピン182が半導体ウエハWを担持したまま下降する
と、半導体ウエハWがウエハ案内支持突起部206の断
面台形型板片210のテーパ面210aに沿って案内さ
れ、自動的に位置合わせ(センタリング)される。した
がって、主ウエハ搬送機構24のウエハ搬送体94側に
おけるウエハ搬送位置決めに多少の誤差があっても、ベ
ーキングユニット側でその誤差を吸収(補正)し、半導
体ウエハWを熱板178上に正確に位置合わせして載置
することができる。さらに、半導体ウエハWは、熱板1
78の表面からウエハ案内支持突起部206の平板片2
08の厚みDだけ浮いた状態で載置されるため、熱板表
面の塵埃がウエハ裏面に付着するおそれはなく、また熱
板表面からの輻射熱によってウエハ全面が均一に加熱さ
れる。
ピン182が半導体ウエハWを担持したまま下降する
と、半導体ウエハWがウエハ案内支持突起部206の断
面台形型板片210のテーパ面210aに沿って案内さ
れ、自動的に位置合わせ(センタリング)される。した
がって、主ウエハ搬送機構24のウエハ搬送体94側に
おけるウエハ搬送位置決めに多少の誤差があっても、ベ
ーキングユニット側でその誤差を吸収(補正)し、半導
体ウエハWを熱板178上に正確に位置合わせして載置
することができる。さらに、半導体ウエハWは、熱板1
78の表面からウエハ案内支持突起部206の平板片2
08の厚みDだけ浮いた状態で載置されるため、熱板表
面の塵埃がウエハ裏面に付着するおそれはなく、また熱
板表面からの輻射熱によってウエハ全面が均一に加熱さ
れる。
【0070】本処理システムにおけるクーリングユニッ
ト(COL)およびイクステンション・クーリングユニ
ット(EXTCOL)も、処理温度(載置台SPの温
度)が異なるだけで、構成的にはプリベーキングユニッ
ト(PREBAKE)およびポストベーキングユニット
(POBAKE)と共通しているので、これらのユニッ
ト(COL)、(EXTCOL)にも上記した本実施例
によるウエハ案内支持突起部206を適用することが可
能である。
ト(COL)およびイクステンション・クーリングユニ
ット(EXTCOL)も、処理温度(載置台SPの温
度)が異なるだけで、構成的にはプリベーキングユニッ
ト(PREBAKE)およびポストベーキングユニット
(POBAKE)と共通しているので、これらのユニッ
ト(COL)、(EXTCOL)にも上記した本実施例
によるウエハ案内支持突起部206を適用することが可
能である。
【0071】なお、ウエハ案内支持突起部206の形状
は上記したものに限らず、種々の変形が可能であり、た
とえば半導体ウエハWの外周縁に対応した円弧状のもの
でもよい。
は上記したものに限らず、種々の変形が可能であり、た
とえば半導体ウエハWの外周縁に対応した円弧状のもの
でもよい。
【0072】次に、図21を参照して処理ステーション
12において第3の組G3 の多段ユニットに含まれてい
るアドヒージョンユニット(AD)の構成および作用を
説明する。
12において第3の組G3 の多段ユニットに含まれてい
るアドヒージョンユニット(AD)の構成および作用を
説明する。
【0073】図21は、本実施形態におけるアドヒージ
ョンユニット(AD)の主要部の構成を示す断面図であ
る。このユニット(AD)の処理容器220は、載置台
SPとして円盤状の熱板224を収容した筒状の熱板保
持体226と熱板224の上に隙間および空間227,
227aを介して被される蓋体228とから構成され
る。蓋体228の中心部には、HMDSガス供給部(図
示せず)よりガス供給管230を介してHMDSガスを
容器内に導入するためのHMDSガス導入口228aが
形成されている。
ョンユニット(AD)の主要部の構成を示す断面図であ
る。このユニット(AD)の処理容器220は、載置台
SPとして円盤状の熱板224を収容した筒状の熱板保
持体226と熱板224の上に隙間および空間227,
227aを介して被される蓋体228とから構成され
る。蓋体228の中心部には、HMDSガス供給部(図
示せず)よりガス供給管230を介してHMDSガスを
容器内に導入するためのHMDSガス導入口228aが
形成されている。
【0074】蓋体228はガス導入口228a付近から
半径方向外側に向かって上下2つに分岐して二重蓋構造
(228b,228c)になっており、内側蓋部228
bの外周縁部と外側蓋部228cの側壁内側面との間に
ほぼ全周にわたり隙間228dが形成されている。両蓋
部228b,228cの間の連結部228eにもほぼ全
周にわたり通孔が形成され、両蓋部228b,228c
間の隙間228fは蓋体228の外側面に設けられた排
気口231に通じている。これにより、ガス導入口22
8aより導入されたHMDSガスは周囲に向かって空間
227aを均一に拡散し、隙間228dより均一に排気
されるようになっている。排気口231は、排気管23
2を介してポンプ(図示せず)に接続されている。
半径方向外側に向かって上下2つに分岐して二重蓋構造
(228b,228c)になっており、内側蓋部228
bの外周縁部と外側蓋部228cの側壁内側面との間に
ほぼ全周にわたり隙間228dが形成されている。両蓋
部228b,228cの間の連結部228eにもほぼ全
周にわたり通孔が形成され、両蓋部228b,228c
間の隙間228fは蓋体228の外側面に設けられた排
気口231に通じている。これにより、ガス導入口22
8aより導入されたHMDSガスは周囲に向かって空間
227aを均一に拡散し、隙間228dより均一に排気
されるようになっている。排気口231は、排気管23
2を介してポンプ(図示せず)に接続されている。
【0075】熱板224は、熱伝導率の高い金属たとえ
ばアルミニウムからなり、その上面には被処理体として
半導体ウエハWが載置される。熱板224の内側には半
導体ウエハWを加熱処理するためのヒータたとえば発熱
抵抗体および温度センサ等が内蔵され、熱板224の外
にはヒータの発熱温度を制御するための温度制御機構
(図示せず)等も設けられている。また、熱板224に
は複数箇所たとえば3箇所に貫通孔224aが設けら
れ、これらの貫通孔224aにはウエハ受け渡し用の上
下移動可能な支持ピン225が遊嵌状態で挿通されてい
る。ウエハWの搬入・搬出時には、これらの支持ピン2
25が熱板224の上面よりも上に突出(上昇)してウ
エハWを担持し、主ウエハ搬送機構24のウエハ搬送体
96との間でウエハWの受け渡しを行うようになってい
る。
ばアルミニウムからなり、その上面には被処理体として
半導体ウエハWが載置される。熱板224の内側には半
導体ウエハWを加熱処理するためのヒータたとえば発熱
抵抗体および温度センサ等が内蔵され、熱板224の外
にはヒータの発熱温度を制御するための温度制御機構
(図示せず)等も設けられている。また、熱板224に
は複数箇所たとえば3箇所に貫通孔224aが設けら
れ、これらの貫通孔224aにはウエハ受け渡し用の上
下移動可能な支持ピン225が遊嵌状態で挿通されてい
る。ウエハWの搬入・搬出時には、これらの支持ピン2
25が熱板224の上面よりも上に突出(上昇)してウ
エハWを担持し、主ウエハ搬送機構24のウエハ搬送体
96との間でウエハWの受け渡しを行うようになってい
る。
【0076】かかる構成のアドヒージョンユニット(A
D)においては、容器220内を予め、HMDSガスが
導入可能なように所定の減圧状態とせずに、ポンプで排
気口231より容器内のガスを排気しながら、HMDS
ガス供給部からのHMDSガスをHMDSガス導入口2
28aから導入する。半導体ウエハWは、所定温度で加
熱されながら、導入された均一に拡散するHMDSガス
の雰囲気に晒されることにより、その表面が疏水化処理
される。処理後のガスは、蓋体228の隙間228d,
228fおよび通孔を通って排気口231より容器22
0の外へ排出される。一定時間が経過すると、HMDS
ガスの代わりにガス供給管230よりN2 ガスが供給さ
れ、このN2 ガスで容器220内が置換され、パーシン
グが行われる。
D)においては、容器220内を予め、HMDSガスが
導入可能なように所定の減圧状態とせずに、ポンプで排
気口231より容器内のガスを排気しながら、HMDS
ガス供給部からのHMDSガスをHMDSガス導入口2
28aから導入する。半導体ウエハWは、所定温度で加
熱されながら、導入された均一に拡散するHMDSガス
の雰囲気に晒されることにより、その表面が疏水化処理
される。処理後のガスは、蓋体228の隙間228d,
228fおよび通孔を通って排気口231より容器22
0の外へ排出される。一定時間が経過すると、HMDS
ガスの代わりにガス供給管230よりN2 ガスが供給さ
れ、このN2 ガスで容器220内が置換され、パーシン
グが行われる。
【0077】このように、本実施形態のアドヒージョン
ユニット(AD)においては、容器220内を排気しな
がらHMDSガスを導入するため、容器220からHM
DSガスが漏れるおそれはない。さらに、容器220に
導入されるHMDSガスの流量よりも排気口231から
排気されるガスの流量を多めに設定し、外の空気が蓋体
228と熱板保持体226との隙間227から容器22
0内に流入するように構成することで、この隙間227
からのHMDSガスの漏れをより効果的に防止すること
ができる上、容器220を高度な密閉構造にしなくて済
み、装置コストを大幅に下げることができる。
ユニット(AD)においては、容器220内を排気しな
がらHMDSガスを導入するため、容器220からHM
DSガスが漏れるおそれはない。さらに、容器220に
導入されるHMDSガスの流量よりも排気口231から
排気されるガスの流量を多めに設定し、外の空気が蓋体
228と熱板保持体226との隙間227から容器22
0内に流入するように構成することで、この隙間227
からのHMDSガスの漏れをより効果的に防止すること
ができる上、容器220を高度な密閉構造にしなくて済
み、装置コストを大幅に下げることができる。
【0078】なお、HMDSガス導入口228aおよび
排気口231の形状、取付箇所は上記したものに限ら
ず、種々の変形が可能であり、たとえば排気口を熱板保
持体226側たとえば上端部の空間227a側付近に設
けることも可能である。
排気口231の形状、取付箇所は上記したものに限ら
ず、種々の変形が可能であり、たとえば排気口を熱板保
持体226側たとえば上端部の空間227a側付近に設
けることも可能である。
【0079】また、上記ベーキングユニット、クーリン
グユニット、イクステンションクーリングユニット、ク
ーリングユニット、アドヒージョンユニット、アライメ
ントユニット等の上下に多段配置される各ユニットをス
ライド式に構成し、着脱可能にしてもよい。これによ
り、メンテナンス性が向上する。
グユニット、イクステンションクーリングユニット、ク
ーリングユニット、アドヒージョンユニット、アライメ
ントユニット等の上下に多段配置される各ユニットをス
ライド式に構成し、着脱可能にしてもよい。これによ
り、メンテナンス性が向上する。
【0080】次に、図22および図23につき本処理シ
ステムのインタフェース部14の構成および作用を説明
する。
ステムのインタフェース部14の構成および作用を説明
する。
【0081】図示のように、インタフェース部14にお
けるウエハ搬送体26は、搬送基台240上に、X方向
(前後方向)に移動可能なウエハ搬送用のピンセット2
42を備えている。搬送基台240は、回転軸244を
介して昇降台246上でθ方向に回転可能に取り付けら
れ、昇降台246は水平移動体248に垂直方向(Z方
向)に昇降移動可能に支持され、水平移動台248はY
方向に横架されたガイドレール250に同方向に摺動可
能に支持されている。ピンセット242をX方向に移動
させるためのX方向駆動部は、搬送基台240に内蔵さ
れた駆動モータおよびベルト(図示せず)によって構成
されている。搬送基台240をθ方向に回転移動させる
ための回転駆動部は、昇降台246に内蔵された駆動モ
ータ(図示せず)によって構成されている。昇降台24
6をZ方向に昇降移動させるためのZ方向駆動部は、水
平移動台248の中に設けられた駆動モータ252およ
びボールスクリュー軸(図示せず)によって構成されて
いる。水平移動台248をY方向に移動させるY方向駆
動部は、水平移動台248に接続されたベルトと駆動モ
ータ(図示せず)によって構成されている。
けるウエハ搬送体26は、搬送基台240上に、X方向
(前後方向)に移動可能なウエハ搬送用のピンセット2
42を備えている。搬送基台240は、回転軸244を
介して昇降台246上でθ方向に回転可能に取り付けら
れ、昇降台246は水平移動体248に垂直方向(Z方
向)に昇降移動可能に支持され、水平移動台248はY
方向に横架されたガイドレール250に同方向に摺動可
能に支持されている。ピンセット242をX方向に移動
させるためのX方向駆動部は、搬送基台240に内蔵さ
れた駆動モータおよびベルト(図示せず)によって構成
されている。搬送基台240をθ方向に回転移動させる
ための回転駆動部は、昇降台246に内蔵された駆動モ
ータ(図示せず)によって構成されている。昇降台24
6をZ方向に昇降移動させるためのZ方向駆動部は、水
平移動台248の中に設けられた駆動モータ252およ
びボールスクリュー軸(図示せず)によって構成されて
いる。水平移動台248をY方向に移動させるY方向駆
動部は、水平移動台248に接続されたベルトと駆動モ
ータ(図示せず)によって構成されている。
【0082】上記のような駆動機構および支持機構によ
り、インタフェース部14のウエハ搬送体26は、イン
タフェース部正面側のピックアップカセットCRおよび
バッファカセットBR、背面側の周辺露光装置28、処
理ステーション12側の第4の組G4 の多段ユニットに
属するイクステンションユニット(EXT)、ならびに
隣接する露光装置側のウエハ受渡し台(図示せず)との
間でX,Y,Z,θ方向に移動して、半導体ウエハWを
1枚ずつ移送できるようになっている。ウエハ搬送体2
6には、搬送基台240の先端部からL字状に前方に突
出するウエハマッピング用の一対のセンサアーム25
4,256も取り付けられている。
り、インタフェース部14のウエハ搬送体26は、イン
タフェース部正面側のピックアップカセットCRおよび
バッファカセットBR、背面側の周辺露光装置28、処
理ステーション12側の第4の組G4 の多段ユニットに
属するイクステンションユニット(EXT)、ならびに
隣接する露光装置側のウエハ受渡し台(図示せず)との
間でX,Y,Z,θ方向に移動して、半導体ウエハWを
1枚ずつ移送できるようになっている。ウエハ搬送体2
6には、搬送基台240の先端部からL字状に前方に突
出するウエハマッピング用の一対のセンサアーム25
4,256も取り付けられている。
【0083】ピックアップカセットCRは、本処理シス
テムの正面パネル側の開閉扉(図示せず)から着脱可能
にインタフェース部14内に装填されるもので、サンプ
ルの半導体ウエハWがこのカセットCRに収納される。
テムの正面パネル側の開閉扉(図示せず)から着脱可能
にインタフェース部14内に装填されるもので、サンプ
ルの半導体ウエハWがこのカセットCRに収納される。
【0084】バッファカセットBRは、インタフェース
部14内に固定配置される定置型のカセットであり、本
処理システム内で、あるいは本処理システムと露光装置
との間で、被処理半導体ウエハWが必要に応じて(普通
は待機あるいは保管のために)一時的にカセットBRに
収納される。ウエハ搬送体26の移動ストロークは比較
的大きく、ピンセット242は比較的大きな板厚を有し
ているため、このバッファカセットBRのウエハ収納間
隔(つまりウエハ収納溝ピッチ)は普通の可搬型カセッ
トCRのそれよりも大きな寸法に選ばれている。たとえ
ば、普通のカセットCRのウエハ収納間隔は6.35m
mであるが、バッファカセットBRのウエハ収納間隔は
11mmに選ばれる。これにより、ウエハ搬送体26の
ピンセット242は、バッファカセットBRの各ウエハ
収納溝に支障なく半導体ウエハWを出し入れすることが
できる。
部14内に固定配置される定置型のカセットであり、本
処理システム内で、あるいは本処理システムと露光装置
との間で、被処理半導体ウエハWが必要に応じて(普通
は待機あるいは保管のために)一時的にカセットBRに
収納される。ウエハ搬送体26の移動ストロークは比較
的大きく、ピンセット242は比較的大きな板厚を有し
ているため、このバッファカセットBRのウエハ収納間
隔(つまりウエハ収納溝ピッチ)は普通の可搬型カセッ
トCRのそれよりも大きな寸法に選ばれている。たとえ
ば、普通のカセットCRのウエハ収納間隔は6.35m
mであるが、バッファカセットBRのウエハ収納間隔は
11mmに選ばれる。これにより、ウエハ搬送体26の
ピンセット242は、バッファカセットBRの各ウエハ
収納溝に支障なく半導体ウエハWを出し入れすることが
できる。
【0085】周辺露光装置28は、半導体ウエハWをス
ピンチャック28c上に載せてウエハWのエッジ部のみ
を選択的に露光するスピンナ型の処理ユニットであり、
装置筐体28aの中には露光装置本体(図示せず)が設
けられ、装置筐体28aの正面側(ウエハ搬送体26
側)の壁面には半導体ウエハWおよびピンセット242
が出入りするためのシャッタ付き開口部28bが設けら
れている。
ピンチャック28c上に載せてウエハWのエッジ部のみ
を選択的に露光するスピンナ型の処理ユニットであり、
装置筐体28aの中には露光装置本体(図示せず)が設
けられ、装置筐体28aの正面側(ウエハ搬送体26
側)の壁面には半導体ウエハWおよびピンセット242
が出入りするためのシャッタ付き開口部28bが設けら
れている。
【0086】図23では、処理ステーション12側の第
4の組G4 に属するイクステンションユニット(EX
T)が示されている。このイクステンションユニット
(EXT)には、円周方向に等間隔で複数本たとえば3
本のウエハ支持ピン258aを立設してなるウエハ受渡
し台258が設けられている。
4の組G4 に属するイクステンションユニット(EX
T)が示されている。このイクステンションユニット
(EXT)には、円周方向に等間隔で複数本たとえば3
本のウエハ支持ピン258aを立設してなるウエハ受渡
し台258が設けられている。
【0087】次に、本処理システムにおいて半導体ウエ
ハWが一連の処理を受けるときのウエハ搬送動作を説明
する。
ハWが一連の処理を受けるときのウエハ搬送動作を説明
する。
【0088】先ず、カセットステーション10におい
て、ウエハ搬送体22がカセット載置台20上の処理前
のウエハを収容しているカセットCRにアクセスして、
そのカセットCRから1枚の半導体ウエハWを取り出
す。ウエハ搬送体22は、カセットCRより半導体ウエ
ハWを取り出すと、処理ステーンション12側の第3の
組G3 の多段ユニット内に配置されているアライメント
ユニット(ALIM)まで移動し、ユニット(ALI
M)内のウエハ載置台150上に半導体ウエハWを載せ
る。半導体ウエハWは、上記のようにしてウエハ載置台
150上でオリフラ合わせおよびセンタリングを受け
る。その後、主ウエハ搬送機構24のウエハ搬送体96
がアライメントユニット(ALIM)に反対側からアク
セスし、ウエハ載置台150から半導体ウエハWを受け
取る。
て、ウエハ搬送体22がカセット載置台20上の処理前
のウエハを収容しているカセットCRにアクセスして、
そのカセットCRから1枚の半導体ウエハWを取り出
す。ウエハ搬送体22は、カセットCRより半導体ウエ
ハWを取り出すと、処理ステーンション12側の第3の
組G3 の多段ユニット内に配置されているアライメント
ユニット(ALIM)まで移動し、ユニット(ALI
M)内のウエハ載置台150上に半導体ウエハWを載せ
る。半導体ウエハWは、上記のようにしてウエハ載置台
150上でオリフラ合わせおよびセンタリングを受け
る。その後、主ウエハ搬送機構24のウエハ搬送体96
がアライメントユニット(ALIM)に反対側からアク
セスし、ウエハ載置台150から半導体ウエハWを受け
取る。
【0089】処理ステーション12において、主ウエハ
搬送機構24は半導体ウエハWを最初に第3の組G3 の
多段ユニットに属するアドヒージョンユニット(AD)
に搬入する。このユニット(AD)内で半導体ウエハW
は上記したようなアドヒージョン処理を受ける。
搬送機構24は半導体ウエハWを最初に第3の組G3 の
多段ユニットに属するアドヒージョンユニット(AD)
に搬入する。このユニット(AD)内で半導体ウエハW
は上記したようなアドヒージョン処理を受ける。
【0090】アドヒージョン処理が終了すると、主ウエ
ハ搬送機構24は、半導体ウエハWをアドヒージョンユ
ニット(AD)から搬出して、次に第3の組G3 または
第4の組G4 の多段ユニットに属するクーリングユニッ
ト(COL)へ搬入する。このユニット(COL)内で
半導体ウエハWはレジスト塗布処理前の設定温度たとえ
ば23゜Cまで冷却される。
ハ搬送機構24は、半導体ウエハWをアドヒージョンユ
ニット(AD)から搬出して、次に第3の組G3 または
第4の組G4 の多段ユニットに属するクーリングユニッ
ト(COL)へ搬入する。このユニット(COL)内で
半導体ウエハWはレジスト塗布処理前の設定温度たとえ
ば23゜Cまで冷却される。
【0091】冷却処理が終了すると、主ウエハ搬送機構
24は、ピンセット106Aにより半導体ウエハWをク
ーリングユニット(COL)から搬出し、次に第1の組
G1または第2の組G2 の多段ユニットに属するレジス
ト塗布ユニット(COT)へ搬入する。このレジスト塗
布ユニット(COT)内で半導体ウエハWはスピンコー
ト法によりウエハ表面に一様な膜厚でレジストを塗布さ
れる。
24は、ピンセット106Aにより半導体ウエハWをク
ーリングユニット(COL)から搬出し、次に第1の組
G1または第2の組G2 の多段ユニットに属するレジス
ト塗布ユニット(COT)へ搬入する。このレジスト塗
布ユニット(COT)内で半導体ウエハWはスピンコー
ト法によりウエハ表面に一様な膜厚でレジストを塗布さ
れる。
【0092】レジスト塗布処理が終了すると、主ウエハ
搬送機構24は、半導体ウエハWをレジスト塗布ユニッ
ト(COT)から搬出し、次にプリベークユニット(P
REBAKE)内へ搬入する。プリベークユニット(P
REBAKE)内で半導体ウエハWは熱板178上に載
置され、所定温度たとえば100゜Cで所定時間だけ加
熱される。これによって、半導体ウエハW上の塗布膜か
ら残存溶剤が蒸発除去される。
搬送機構24は、半導体ウエハWをレジスト塗布ユニッ
ト(COT)から搬出し、次にプリベークユニット(P
REBAKE)内へ搬入する。プリベークユニット(P
REBAKE)内で半導体ウエハWは熱板178上に載
置され、所定温度たとえば100゜Cで所定時間だけ加
熱される。これによって、半導体ウエハW上の塗布膜か
ら残存溶剤が蒸発除去される。
【0093】プリベークが終了すると、主ウエハ搬送機
構24は、半導体ウエハWをプリベークユニット(PR
EBAKE)から搬出し、次に第4の組G4 の多段ユニ
ットに属するイクステンション・クーリングユニット
(EXTCOL)へ搬入する。このユニット(COL)
内で半導体ウエハWは次工程つまり周辺露光装置28に
おける周辺露光処理に適した温度たとえば24゜Cまで
冷却される。この冷却後に、主ウエハ搬送機構24は、
半導体ウエハWを直ぐ上のイクステンションユニット
(EXT)へ移送し、このユニット(EXT)内の載置
台258の上にウエハWを載置する。
構24は、半導体ウエハWをプリベークユニット(PR
EBAKE)から搬出し、次に第4の組G4 の多段ユニ
ットに属するイクステンション・クーリングユニット
(EXTCOL)へ搬入する。このユニット(COL)
内で半導体ウエハWは次工程つまり周辺露光装置28に
おける周辺露光処理に適した温度たとえば24゜Cまで
冷却される。この冷却後に、主ウエハ搬送機構24は、
半導体ウエハWを直ぐ上のイクステンションユニット
(EXT)へ移送し、このユニット(EXT)内の載置
台258の上にウエハWを載置する。
【0094】このイクステンションユニット(EXT)
の載置台258上に半導体ウエハWが載置されると、図
23に示すように、インタフェース部14のウエハ搬送
体26が反対側からアクセスして、半導体ウエハWを受
け取る。そして、ウエハ搬送体26は半導体ウエハWを
インタフェース部14内の周辺露光装置28へ搬入す
る。ここで、半導体ウエハWはウエハWのエッジ部に露
光処理を受ける。
の載置台258上に半導体ウエハWが載置されると、図
23に示すように、インタフェース部14のウエハ搬送
体26が反対側からアクセスして、半導体ウエハWを受
け取る。そして、ウエハ搬送体26は半導体ウエハWを
インタフェース部14内の周辺露光装置28へ搬入す
る。ここで、半導体ウエハWはウエハWのエッジ部に露
光処理を受ける。
【0095】周辺露光処理が終了すると、ウエハ搬送体
26は、半導体ウエハWを周辺露光装置28から搬出
し、隣接する露光装置側のウエハ受取り台(図示せず)
へ移送する。この場合、半導体ウエハWは、露光装置へ
渡される前に、バッファカセットBRに一時的に格納さ
れることもある。
26は、半導体ウエハWを周辺露光装置28から搬出
し、隣接する露光装置側のウエハ受取り台(図示せず)
へ移送する。この場合、半導体ウエハWは、露光装置へ
渡される前に、バッファカセットBRに一時的に格納さ
れることもある。
【0096】露光装置で全面露光処理が済んで、半導体
ウエハWが露光装置側のウエハ受渡し台に戻されると、
インタフェース部14のウエハ搬送体26はそのウエハ
受渡し台へアクセスして半導体ウエハWを受け取り、図
23に示すように、受け取ったウエハWを処理ステーシ
ョン12側の第4の組G4 の多段ユニットに属するイク
ステンションユニット(EXT)へ搬入し、ウエハ受渡
し台258上に載置する。この場合にも、半導体ウエハ
Wは、処理ステーション12側へ渡される前にインタフ
ェース部14内のバッファカセットBRに一時的に格納
されることがある。
ウエハWが露光装置側のウエハ受渡し台に戻されると、
インタフェース部14のウエハ搬送体26はそのウエハ
受渡し台へアクセスして半導体ウエハWを受け取り、図
23に示すように、受け取ったウエハWを処理ステーシ
ョン12側の第4の組G4 の多段ユニットに属するイク
ステンションユニット(EXT)へ搬入し、ウエハ受渡
し台258上に載置する。この場合にも、半導体ウエハ
Wは、処理ステーション12側へ渡される前にインタフ
ェース部14内のバッファカセットBRに一時的に格納
されることがある。
【0097】上記イクステンションユニット(EXT)
に半導体ウエハWが搬入されると、反対側から主ウエハ
搬送体24がアクセスして半導体ウエハWを受け取り、
第1の組G1 または第2の組G2 の多段ユニットに属す
る現像ユニット(DEV)に搬入する。この現像ユニッ
ト(DEV)内では、半導体ウエハWはスピンチャック
の上に載せられ、たとえばスプレー方式により、ウエハ
表面のレジストに現像液を万遍にかけられる。現像が終
了すると、ウエハ表面にリンス液をかけられ、現像液を
洗い落とされる。
に半導体ウエハWが搬入されると、反対側から主ウエハ
搬送体24がアクセスして半導体ウエハWを受け取り、
第1の組G1 または第2の組G2 の多段ユニットに属す
る現像ユニット(DEV)に搬入する。この現像ユニッ
ト(DEV)内では、半導体ウエハWはスピンチャック
の上に載せられ、たとえばスプレー方式により、ウエハ
表面のレジストに現像液を万遍にかけられる。現像が終
了すると、ウエハ表面にリンス液をかけられ、現像液を
洗い落とされる。
【0098】現像工程が終了すると、主ウエハ搬送機構
24は、半導体ウエハWを現像ユニット(DEV)から
搬出して、次に第3の組G3 または4の組G4 の多段ユ
ニットに属するポストベーキングユニット(POBAK
E)へ搬入する。このユニット(POBAKE)内で半
導体ウエハWは熱板178に載せられ、たとえば100
゜Cで所定時間だけ加熱される。これによって、現像で
膨潤したレジストが硬化し、耐薬品性が向上する。
24は、半導体ウエハWを現像ユニット(DEV)から
搬出して、次に第3の組G3 または4の組G4 の多段ユ
ニットに属するポストベーキングユニット(POBAK
E)へ搬入する。このユニット(POBAKE)内で半
導体ウエハWは熱板178に載せられ、たとえば100
゜Cで所定時間だけ加熱される。これによって、現像で
膨潤したレジストが硬化し、耐薬品性が向上する。
【0099】ポストベーキングが終了すると、主ウエハ
搬送機構24は、半導体ウエハWをポストベーキングユ
ニット(POBAKE)から搬出し、次にいずれかのク
ーリングユニット(COL)へ搬入する。ここで半導体
ウエハWが常温に戻った後、主ウエハ搬送機構24は、
次に半導体ウエハWを第3の組G3 に属するイクステン
ションユニット(EXT)へ移送する。
搬送機構24は、半導体ウエハWをポストベーキングユ
ニット(POBAKE)から搬出し、次にいずれかのク
ーリングユニット(COL)へ搬入する。ここで半導体
ウエハWが常温に戻った後、主ウエハ搬送機構24は、
次に半導体ウエハWを第3の組G3 に属するイクステン
ションユニット(EXT)へ移送する。
【0100】このイクステンションユニット(EXT)
の載置台76上に半導体ウエハWが載置されると、図6
に示すように、カセットステーション10側のウエハ搬
送体22が反対側からアクセスして、半導体ウエハWを
受け取る。そして、ウエハ搬送体22は、受け取った半
導体ウエハWをカセット載置台20上の処理済みウエハ
収容用のカセットCRの所定のウエハ収容溝に入れる。
の載置台76上に半導体ウエハWが載置されると、図6
に示すように、カセットステーション10側のウエハ搬
送体22が反対側からアクセスして、半導体ウエハWを
受け取る。そして、ウエハ搬送体22は、受け取った半
導体ウエハWをカセット載置台20上の処理済みウエハ
収容用のカセットCRの所定のウエハ収容溝に入れる。
【0101】本処理システムで最も忙しく動作するのは
処理ステーション12における主ウエハ搬送機構24で
ある。上記したウエハ搬送動作は多数の半導体ウエハW
について次々と繰り返される。主ウエハ搬送機構24
は、ほとんど間断なく処理ステーション12内のユニッ
ト間を行き来して半導体ウエハWの搬送を行う。
処理ステーション12における主ウエハ搬送機構24で
ある。上記したウエハ搬送動作は多数の半導体ウエハW
について次々と繰り返される。主ウエハ搬送機構24
は、ほとんど間断なく処理ステーション12内のユニッ
ト間を行き来して半導体ウエハWの搬送を行う。
【0102】各ユニットに対して、主ウエハ搬送機構2
4は、筒状支持体94をθ方向に回転移動させると同時
にウエハ搬送体96を上下方向に移動させ、ピンセット
106をX方向に前進・後退移動させて、ウエハWの受
け取りを行う。主ウエハ搬送機構24のウエハ搬送体9
6は3本のピンセット106A,106B,106Cを
備えているので、たとえば第1のピンセット106Aで
半導体ウエハW1 を保持した状態で所望のユニットへア
クセスし、先ず手の空いている第2のピンセット106
Bで当該ユニットから処理済みの半導体ウエハW2 を搬
出し、次に第1のピンセット106Aで半導体ウエハW
1 を当該ユニットへ搬入する。
4は、筒状支持体94をθ方向に回転移動させると同時
にウエハ搬送体96を上下方向に移動させ、ピンセット
106をX方向に前進・後退移動させて、ウエハWの受
け取りを行う。主ウエハ搬送機構24のウエハ搬送体9
6は3本のピンセット106A,106B,106Cを
備えているので、たとえば第1のピンセット106Aで
半導体ウエハW1 を保持した状態で所望のユニットへア
クセスし、先ず手の空いている第2のピンセット106
Bで当該ユニットから処理済みの半導体ウエハW2 を搬
出し、次に第1のピンセット106Aで半導体ウエハW
1 を当該ユニットへ搬入する。
【0103】本処理システムでは、処理ステーション1
2内の全てのユニットが主ウエハ搬送機構24の周りに
多段配置され、主ウエハ搬送機構24のウエハ搬送体9
6は上下移動および/または回転移動するだけで水平方
向への移動はなく全てのユニットへアクセスできるた
め、アクセス時間が従来よりも大幅に短縮されている。
これにより、全工程の処理時間が著しく短縮され、スル
ープットが大幅に向上している。また、搬送機構も簡素
化されている。
2内の全てのユニットが主ウエハ搬送機構24の周りに
多段配置され、主ウエハ搬送機構24のウエハ搬送体9
6は上下移動および/または回転移動するだけで水平方
向への移動はなく全てのユニットへアクセスできるた
め、アクセス時間が従来よりも大幅に短縮されている。
これにより、全工程の処理時間が著しく短縮され、スル
ープットが大幅に向上している。また、搬送機構も簡素
化されている。
【0104】また、処理ステーション12内の全てのユ
ニットが主ウエハ搬送機構24の周りに多段配置される
構成であるため、システム全体の占有床スペース(フッ
トプリント)が従来よりも格段に小さく、したがってク
リーンルームコストが低い。さらに、システム内に垂直
層流方式を適用するのに有利で、かつ清浄効率が非常に
高く、フィルタ等の設備コストも少なくて済むという利
点がある。
ニットが主ウエハ搬送機構24の周りに多段配置される
構成であるため、システム全体の占有床スペース(フッ
トプリント)が従来よりも格段に小さく、したがってク
リーンルームコストが低い。さらに、システム内に垂直
層流方式を適用するのに有利で、かつ清浄効率が非常に
高く、フィルタ等の設備コストも少なくて済むという利
点がある。
【0105】上記した実施例における処理システム内の
各部の配置構成は一例であり、種々の変形が可能であ
る。
各部の配置構成は一例であり、種々の変形が可能であ
る。
【0106】たとえば、上記した実施例では、処理ステ
ーション12内の多段ユニット構成において、第1およ
び第2の組G1,G2 はスピンナ型処理ユニットをそれぞ
れ2段に多段配置し、第3および第4の組G3,G4 はオ
ーブン型処理ユニットおよびウエハ受渡しユニットをそ
れぞれ8段に多段配置したが、これ以外の任意の段数が
可能であり、1つの組の中にスピンナ型処理ユニットと
オーブン型処理ユニットまたはウエハ受渡しユニットと
を混在させることも可能である。また、スクラバユニッ
ト等の他の処理ユニットを加えることも可能である。
ーション12内の多段ユニット構成において、第1およ
び第2の組G1,G2 はスピンナ型処理ユニットをそれぞ
れ2段に多段配置し、第3および第4の組G3,G4 はオ
ーブン型処理ユニットおよびウエハ受渡しユニットをそ
れぞれ8段に多段配置したが、これ以外の任意の段数が
可能であり、1つの組の中にスピンナ型処理ユニットと
オーブン型処理ユニットまたはウエハ受渡しユニットと
を混在させることも可能である。また、スクラバユニッ
ト等の他の処理ユニットを加えることも可能である。
【0107】また、図1および図24に示すように、処
理ステーション12の両側に配置されるカセットステー
ション10とインタフェース部14との相対位置関係を
左右逆に構成することが可能である。処理ステーション
12に対してカセットステーション10とインタフェー
ス部14はそれぞれボルト等の結合手段BTによって着
脱可能に連結されている。また、カセットステーション
10の正面部に取り付けられる制御パネル264も着脱
可能となっている。これにより、レイアウトの変更に対
して容易に対応可能となる。たとえば、露光装置を左右
どちら側に配置する場合でも対応できる。また、新規の
設計・製作も不要で、コストダウン化も計れる。
理ステーション12の両側に配置されるカセットステー
ション10とインタフェース部14との相対位置関係を
左右逆に構成することが可能である。処理ステーション
12に対してカセットステーション10とインタフェー
ス部14はそれぞれボルト等の結合手段BTによって着
脱可能に連結されている。また、カセットステーション
10の正面部に取り付けられる制御パネル264も着脱
可能となっている。これにより、レイアウトの変更に対
して容易に対応可能となる。たとえば、露光装置を左右
どちら側に配置する場合でも対応できる。また、新規の
設計・製作も不要で、コストダウン化も計れる。
【0108】本処理システムに隣接して露光装置が設け
られない場合は、インタフェース部14は不要であり、
図25に示すように、カセットステーション10と処理
ステーション12だけを連結したシステム構成とするこ
とも可能である。この図示の例のように、処理ステーシ
ョン12内の空きスペース、たとえば主ウエハ搬送機構
24の背部にカセット載置台266を設け、この台の上
に載置されたカセットCRに主ウエハ搬送機構24が直
接アクセスするように構成したり、周辺露光装置28
(図示せず)を配置することも可能である。
られない場合は、インタフェース部14は不要であり、
図25に示すように、カセットステーション10と処理
ステーション12だけを連結したシステム構成とするこ
とも可能である。この図示の例のように、処理ステーシ
ョン12内の空きスペース、たとえば主ウエハ搬送機構
24の背部にカセット載置台266を設け、この台の上
に載置されたカセットCRに主ウエハ搬送機構24が直
接アクセスするように構成したり、周辺露光装置28
(図示せず)を配置することも可能である。
【0109】さらに、図26に示すように、左右両側に
カセットステーション10を配置した構成としてもよ
い。そして、左右に異なるロットのウエハを配置して連
続処理を可能としたり、また、ウエハの流れを左→右、
右→左と一方通行あるいは双方向通行可能としてもよ
い、これにより、生産性の向上、レイアウトの変更に対
する対応性の向上をはかることが可能となる。
カセットステーション10を配置した構成としてもよ
い。そして、左右に異なるロットのウエハを配置して連
続処理を可能としたり、また、ウエハの流れを左→右、
右→左と一方通行あるいは双方向通行可能としてもよ
い、これにより、生産性の向上、レイアウトの変更に対
する対応性の向上をはかることが可能となる。
【0110】上記した実施形態は半導体デバイス製造の
フォトリソグラフィー工程に使用されるレジスト塗布現
像処理システムに係るものであったが、本発明は他の処
理システムにも適用可能であり、被処理基板も半導体ウ
エハに限るものでなく、LCD基板、ガラス基板、CD
基板、フォトマスク、プリント基板、セラミック基板等
でも可能である。
フォトリソグラフィー工程に使用されるレジスト塗布現
像処理システムに係るものであったが、本発明は他の処
理システムにも適用可能であり、被処理基板も半導体ウ
エハに限るものでなく、LCD基板、ガラス基板、CD
基板、フォトマスク、プリント基板、セラミック基板等
でも可能である。
【0111】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の処理シス
テムによれば、側面に開口部が形成され、中心部の垂直
軸を回転中心軸として回転可能な筒状支持体と、この筒
状支持体の内側で垂直方向に移動可能に設けられ、該側
面開口部を通って水平方向に移動可能な被処理基板支持
部を有する被処理基板搬送体とで構成される第1の被処
理基板搬送手段が、その周囲に1組または複数組に亙っ
て多段に配置される複数の枚葉式ユニットに被処理基板
を所定の順序で搬送して、該被処理基板に一連の処理が
施されるようにしたので、システムの占有スペースを大
幅に縮小して、クリーンルームコストを下げるととも
に、高速の搬送ないしアクセス速度を可能とし、スルー
プットの向上をはかることができる。
テムによれば、側面に開口部が形成され、中心部の垂直
軸を回転中心軸として回転可能な筒状支持体と、この筒
状支持体の内側で垂直方向に移動可能に設けられ、該側
面開口部を通って水平方向に移動可能な被処理基板支持
部を有する被処理基板搬送体とで構成される第1の被処
理基板搬送手段が、その周囲に1組または複数組に亙っ
て多段に配置される複数の枚葉式ユニットに被処理基板
を所定の順序で搬送して、該被処理基板に一連の処理が
施されるようにしたので、システムの占有スペースを大
幅に縮小して、クリーンルームコストを下げるととも
に、高速の搬送ないしアクセス速度を可能とし、スルー
プットの向上をはかることができる。
【0112】また、本発明のベーキング装置によれば、
被処理基板の外周縁部をテーパ面に沿って案内して位置
決めし、かつ被処理基板を載置台表面から所定の間隔だ
け浮かした状態で支持するための被処理基板案内支持手
段を載置台上に設けたので、載置台から被処理基板への
塵芥の付着を防止するとともに、熱伝導性の均一化およ
び効率を向上させ、被処理基板の位置決めを容易にする
ことができる。
被処理基板の外周縁部をテーパ面に沿って案内して位置
決めし、かつ被処理基板を載置台表面から所定の間隔だ
け浮かした状態で支持するための被処理基板案内支持手
段を載置台上に設けたので、載置台から被処理基板への
塵芥の付着を防止するとともに、熱伝導性の均一化およ
び効率を向上させ、被処理基板の位置決めを容易にする
ことができる。
【図1】本発明の一実施形態によるレジスト塗布現像処
理システムの全体構成を示す平面図である。
理システムの全体構成を示す平面図である。
【図2】実施形態による処理システムの全体構成を示す
側面図である。
側面図である。
【図3】実施形態による処理システムの全体構成を示す
背面図である。
背面図である。
【図4】実施形態の処理システムにおける清浄空気の流
れを示す略正面図である。
れを示す略正面図である。
【図5】実施形態の処理システムにおける清浄空気の流
れを示す略側面図である。
れを示す略側面図である。
【図6】実施形態の処理システムにおけるカセットステ
ーションの構成を示す略平面図である。
ーションの構成を示す略平面図である。
【図7】実施形態の処理システムにおけるカセットステ
ーションの構成を示す略断面側面図である。
ーションの構成を示す略断面側面図である。
【図8】実施形態による平行度調整手段を適用したカセ
ットステーションのウエハ搬送体における駆動モータ支
持構造を示す斜視図である。
ットステーションのウエハ搬送体における駆動モータ支
持構造を示す斜視図である。
【図9】図8の平行度調整手段の要部を示す拡大部分断
面図である。
面図である。
【図10】実施形態の処理システムの処理ステーション
における主ウエハ搬送機構の要部の構成を示す略斜視図
である。
における主ウエハ搬送機構の要部の構成を示す略斜視図
である。
【図11】実施形態における主ウエハ搬送機構の要部の
構成を示す縦断面図である。
構成を示す縦断面図である。
【図12】図11において矢印Aの向きに見た断面平面
図である。
図である。
【図13】図11において矢印Bの向きに見た内側側面
図である。
図である。
【図14】図11において矢印Cの向きに見た内側側面
図である。
図である。
【図15】実施形態の処理ステーションにおけるアライ
メントユニット内の要部の構成を示す平面図である。
メントユニット内の要部の構成を示す平面図である。
【図16】実施形態におけるアライメントユニット内の
要部の構成を示す側面図である。
要部の構成を示す側面図である。
【図17】実施形態におけるベーキングユニット内の構
成を示す平面図である。
成を示す平面図である。
【図18】実施形態におけるベーキングユニット内の構
成を示す断面図である。
成を示す断面図である。
【図19】実施形態のベーキングユニットにおけるウエ
ハ案内支持突起部の構成を示す部分側面図である。
ハ案内支持突起部の構成を示す部分側面図である。
【図20】図19のウエハ案内支持突起部の構成を示す
要部断面図である。
要部断面図である。
【図21】実施形態におけるアドヒージョンユニットの
構成を示す断面図である。
構成を示す断面図である。
【図22】実施形態における処理システムのインタフェ
ース部の構成を示す側面図である。
ース部の構成を示す側面図である。
【図23】実施形態におけるインタフェース部の構成を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図24】実施形態における処理システムの一変形例を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図25】実施形態における処理システムの別の変形例
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図26】実施形態における処理システムの別の変形例
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図27】従来のレジスト塗布現像処理システム例を示
す斜視図である。
す斜視図である。
10 カセットステーション 12 処理ステーション 14 インタフエース部 22 カセットステーションのウエハ搬送機構 24 主ウエハ搬送機構 26 インタフエース部のウエハ搬送機構 28 周辺露光装置 94 筒状支持体 96 主ウエハ搬送機構のウエハ搬送体 98 回転駆動モータ 112 垂直駆動ベルト 178 熱板 206 ウエハ案内支持手段 220 アドヒージョンユニットの処理容器 230 排気口 G1 〜G5 多段ユニット
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 飯田 成昭 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東京 エレクトロン九州株式会社内 (72)発明者 原田 浩二 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東京 エレクトロン九州株式会社内 (72)発明者 上田 一成 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東京 エレクトロン九州株式会社内
Claims (17)
- 【請求項1】 側面に開口部が形成され、中心部の垂直
軸を回転中心軸として回転可能な筒状支持体と、前記筒
状支持体の内側で垂直方向に移動可能に設けられ、前記
側面開口部を通って水平方向に移動可能な被処理基板支
持部を有する被処理基板搬送体とで第1の被処理基板搬
送手段を構成し、前記第1の被処理基板搬送手段の周囲
に複数の枚葉式ユニットを1組または複数組に亙って多
段に配置し、前記第1の被処理基板搬送手段が被処理基
板を所定の順序で複数の前記ユニットに搬送して、前記
被処理基板に一連の処理が施されるようにしたことを特
徴とする処理システム。 - 【請求項2】 側面に開口部が形成され、中心部の垂直
軸を回転中心軸として回転可能な筒状支持体と、前記筒
状支持体の内側で垂直方向に移動可能に設けられ、前記
側面開口部を通って水平方向に移動可能な被処理基板支
持部を有する被処理基板搬送体とで第1の被処理基板搬
送手段を構成し、前記第1の被処理基板搬送手段の周囲
に被処理基板を載置台に載せて所定の処理を行うオーブ
ン型の枚葉式処理ユニットを1組または複数組に亙って
多段に配置するとともに前記被処理基板をスピンチャッ
クに載せて所定の処理を行うスピンナ型の枚葉式処理ユ
ニットを1組または複数組に亙って多段に配置し、前記
第1の被処理基板搬送手段が被処理基板を所定の順序で
複数の前記枚葉式処理ユニットに搬送して、前記被処理
基板に一連の処理が施されるようにしたことを特徴とす
る処理システム。 - 【請求項3】 請求項2に記載の処理システムにおい
て、前記多段配置されるオーブン型の枚葉式処理ユニッ
トには、前記被処理基板にプリベークまたはポストベー
ク処理を施すためのベーキングユニットと、前記被処理
基板にアドヒージョン処理を施すためのアドヒージョン
ユニットとが含まれることを特徴とする処理システム。 - 【請求項4】 請求項1〜3のいずれかに記載の処理シ
ステムにおいて、 前記被処理基板を多段に収納するカセットを所定の位置
に配置し、未処理の前記被処理基板を前記カセットから
取り出し、処理済みの前記被処理基板を前記カセットに
戻すための第2の被処理基板搬送手段を有するカセット
ステーションを所定の組の前記多段配置された枚葉式ユ
ニットに隣接して配設し、 前記所定の組の前記多段配置された枚葉式ユニットの中
に被処理基板受渡し手段を設け、 前記第1の被処理基板搬送手段が前記被処理基板受渡し
手段を介して前記カセットステーション側の前記第2の
被処理基板搬送手段と前記被処理基板を受け渡しするよ
うにしたことを特徴とする処理システム。 - 【請求項5】 請求項1〜4のいずれかに記載の処理シ
ステムにおいて、 前記被処理基板を隣接する他の処理システムへ搬入しま
たは前記他の枚葉式システムから搬出するための第3の
被処理基板搬送手段を有するインタフェース部を所定の
組の前記多段配置された枚葉式ユニットに隣接して配設
し、 前記所定の組の前記多段配置された枚葉式ユニットの中
に被処理基板受渡し手段を設け、 前記第1の被処理基板搬送手段が前記被処理基板受渡し
手段を介して前記インタフェース部側の前記第3の被処
理基板搬送手段と前記被処理基板を受け渡しするように
したことを特徴とする処理システム。 - 【請求項6】 請求項5に記載の処理システムにおい
て、 前記インタフェース部の中に、前記被処理基板の外周縁
部を露光するための周辺露光装置が組み込まれているこ
とを特徴とする処理システム。 - 【請求項7】 請求項5に記載の処理システムにおい
て、 前記インタフェース部の中に、前記被処理基板を一時的
に多段に格納しておくための比較的大きな被処理基板収
納間隔を有するバッファカセットが設けられていること
を特徴とする処理システム。 - 【請求項8】 請求項1〜7のいずれかに記載の処理シ
ステムにおいて、いずれかの組の前記多段配置された枚
葉式ユニットは所定の方向に一体に移動可能に構成され
ていることを特徴とする処理システム。 - 【請求項9】 請求項1〜8のいずれかに記載の処理シ
ステムにおいて、前記被処理基板搬送体が、前記筒状支
持体にそれぞれ取付され上下方向に延在する駆動ベルト
およびロッドレスシリンダに接続されていることを特徴
とする処理システム。 - 【請求項10】 請求項9に記載の処理システムにおい
て、前記支持体には、前記被処理基板搬送手段側と連通
する排気通路が設けられていることを特徴とする処理シ
ステム。 - 【請求項11】 請求項2に記載の処理システムにおい
て、前記オーブン型処理ユニットと前記スピンナ型処理
ユニットとの間に冷却ダクトが設けられていることを特
徴とする処理システム。 - 【請求項12】 請求項2に記載の処理システムにおい
て、前記オーブン型処理ユニットの各々は共通のフレー
ムに各々スライド式で着脱可能に取り付つけられている
ことを特徴とする処理システム。 - 【請求項13】 請求項3に記載の処理システムにおい
て、前記アドヒージョンユニットが、処理容器内に処理
ガスを導入するための処理ガス導入手段と、前記容器内
のガスを排出するための排気手段とを有し、前記ガス排
気手段により前記容器内を実質的に減圧せずに排気しな
がら前記処理ガス導入手段により前記容器内に処理ガス
を導入することを特徴とする処理システム。 - 【請求項14】 請求項1〜13のいずれかに記載の処
理システムにおいて、処理システム内に清浄な空気を導
入する空気供給手段を処理システムの上方に設け、処理
システム内にダウンフローで供給された前記空気を排気
する排気口を処理システムの底部に設け、前記空気供給
手段と前記排気口とを処理システムの外部または背後に
配置された空調器に接続したことを特徴とする処理シス
テム。 - 【請求項15】 請求項14に記載の処理システムにお
いて、処理システム内に導入される清浄な空気の温度を
所望の設定値に制御するための温度調整手段を有するこ
とを特徴とする処理システム。 - 【請求項16】 請求項14または15に記載の処理シ
ステムにおいて、処理システム内に導入される清浄な空
気の湿度を所望の設定値に制御するための湿度調整手段
を有することを特徴とする処理システム。 - 【請求項17】 載置台上に、被処理基板の外周縁部を
テーパ面に沿って案内して位置決めし、かつ前記被処理
基板を載置台表面から所定の間隔だけ浮かした状態で支
持するための被処理基板案内支持手段を設けてなること
を特徴とするベーキング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000213129A JP3254583B2 (ja) | 2000-07-13 | 2000-07-13 | 処理システム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000213129A JP3254583B2 (ja) | 2000-07-13 | 2000-07-13 | 処理システム |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20271794A Division JP3213748B2 (ja) | 1994-06-30 | 1994-08-04 | 処理システム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001077019A true JP2001077019A (ja) | 2001-03-23 |
JP3254583B2 JP3254583B2 (ja) | 2002-02-12 |
Family
ID=18708934
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000213129A Expired - Lifetime JP3254583B2 (ja) | 2000-07-13 | 2000-07-13 | 処理システム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3254583B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007242967A (ja) * | 2006-03-09 | 2007-09-20 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び処理ユニットの取り付け方法及び記憶媒体。 |
CN114130618A (zh) * | 2021-12-10 | 2022-03-04 | 沈阳芯源微电子设备股份有限公司 | 一种涂胶装置 |
KR20220130643A (ko) * | 2016-11-18 | 2022-09-27 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 노광 장치, 노광 방법 및 기억 매체 |
-
2000
- 2000-07-13 JP JP2000213129A patent/JP3254583B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007242967A (ja) * | 2006-03-09 | 2007-09-20 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び処理ユニットの取り付け方法及び記憶媒体。 |
JP4611918B2 (ja) * | 2006-03-09 | 2011-01-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理ユニットの傾き調整方法 |
KR20220130643A (ko) * | 2016-11-18 | 2022-09-27 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 노광 장치, 노광 방법 및 기억 매체 |
KR102576504B1 (ko) | 2016-11-18 | 2023-09-07 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 노광 장치, 노광 방법 및 기억 매체 |
CN114130618A (zh) * | 2021-12-10 | 2022-03-04 | 沈阳芯源微电子设备股份有限公司 | 一种涂胶装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3254583B2 (ja) | 2002-02-12 |
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