JP2001076375A - 整形プリズム及び該整形プリズムを用いた光ピックアップ装置 - Google Patents
整形プリズム及び該整形プリズムを用いた光ピックアップ装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光ピックアップ装置に用いる整形プリズムに
おいて、入射光束が整形プリズムの全部分を無駄なく通
過する構成とすることにより、光ピックアップ装置の厚
さ方向の寸法を、より薄型化、小型化する。 【構成】 半導体レーザ1から出射された、光強度分布
が楕円の光ビームを拡大整形して出射させる整形プリズ
ム6と、出射光束を記録媒体8上に集光させる対物レン
ズ7等からなる有する光ピックアップ装置。整形プリズ
ム6は光強度分布が楕円の平行光束を入射する第1面6
a、光束を全反射する第2面6b、第2面で全反射した
光束を垂直に入射させる第3面6cを備え、拡大整形さ
れて出射する短軸方向のビーム径が拡大されない側の長
軸方向のビーム径より小さくなるような拡大倍率とす
る。整形プリズム6の屈折率を1.45以上、拡大倍率
を2.3以下とすると、最も薄くすることができる。
おいて、入射光束が整形プリズムの全部分を無駄なく通
過する構成とすることにより、光ピックアップ装置の厚
さ方向の寸法を、より薄型化、小型化する。 【構成】 半導体レーザ1から出射された、光強度分布
が楕円の光ビームを拡大整形して出射させる整形プリズ
ム6と、出射光束を記録媒体8上に集光させる対物レン
ズ7等からなる有する光ピックアップ装置。整形プリズ
ム6は光強度分布が楕円の平行光束を入射する第1面6
a、光束を全反射する第2面6b、第2面で全反射した
光束を垂直に入射させる第3面6cを備え、拡大整形さ
れて出射する短軸方向のビーム径が拡大されない側の長
軸方向のビーム径より小さくなるような拡大倍率とす
る。整形プリズム6の屈折率を1.45以上、拡大倍率
を2.3以下とすると、最も薄くすることができる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、コンパクトディス
ク,レーザーディスク等の再生専用型光ディスクの再生
を行う光学的再生装置または追記型,書き換え可能型等
の光ディスクに記録再生を行う光学的記録再生装置にお
いて使用される光ピックアップ装置、及びそれらに用い
る整形プリズムに関する。
ク,レーザーディスク等の再生専用型光ディスクの再生
を行う光学的再生装置または追記型,書き換え可能型等
の光ディスクに記録再生を行う光学的記録再生装置にお
いて使用される光ピックアップ装置、及びそれらに用い
る整形プリズムに関する。
【0002】
【従来の技術】従来の光ピックアップ光学系において、
光ビームを整形拡大しながらピックアップの厚みを薄く
する方法として特開平6−215413号公報に記載さ
れたような整形プリズムを採用することが考えられる。
光ビームを整形拡大しながらピックアップの厚みを薄く
する方法として特開平6−215413号公報に記載さ
れたような整形プリズムを採用することが考えられる。
【0003】図5は、その整形プリズムを使った光ピッ
クアップの一例を示す図で、(A)は側面図、(B)は
平面図である。図5において、半導体レーザ1から出射
されたレーザ光は光モジュールMに内蔵された第1の回
折素子2により光ディスク8上にメインスポットと2つ
のサブスポットを形成するために0次光と±1次光に分
離される。その後、コリメートレンズ4により平行光に
変換され、整形プリズム6の第1面6aに入射する。第
1面6aに入射した光は屈折して第2面6bで全反射し
て第3面6cに向かう。次に、第3面6cで反射した光
は再び第2面6bに向かい出射角0度でこの整形プリズ
ム6から出射する。このときの整形プリズム6のビーム
拡大倍率は整形プリズム6への入射光の楕円の強度分布
の真円の強度分布になるように設定されている。また整
形プリズム6への入射光の楕円強度の長軸:短軸の長さ
の比は半導体レーザ光源1の強度分布で決まり、一般に
1:3程度である。このため、上記整形プリズム6の整
形比も1:3近傍になっている。
クアップの一例を示す図で、(A)は側面図、(B)は
平面図である。図5において、半導体レーザ1から出射
されたレーザ光は光モジュールMに内蔵された第1の回
折素子2により光ディスク8上にメインスポットと2つ
のサブスポットを形成するために0次光と±1次光に分
離される。その後、コリメートレンズ4により平行光に
変換され、整形プリズム6の第1面6aに入射する。第
1面6aに入射した光は屈折して第2面6bで全反射し
て第3面6cに向かう。次に、第3面6cで反射した光
は再び第2面6bに向かい出射角0度でこの整形プリズ
ム6から出射する。このときの整形プリズム6のビーム
拡大倍率は整形プリズム6への入射光の楕円の強度分布
の真円の強度分布になるように設定されている。また整
形プリズム6への入射光の楕円強度の長軸:短軸の長さ
の比は半導体レーザ光源1の強度分布で決まり、一般に
1:3程度である。このため、上記整形プリズム6の整
形比も1:3近傍になっている。
【0004】このため、この出射した光は対物レンズ7
に入射する光のうち、図中、ディスクトラック方向の光
がm倍に拡大されて対物レンズ7に入射し、光ディスク
8上にスポットを形成する。光ディスク8からの反射光
は再び対物レンズ7により平行光となり、先程と反対の
経路で整形プリズム6の第2面6bに入射し、第3面6
c,第2面6bで反射して第1面6aから出射する。出
射した光は、コリメートレンズ4を介して一部の光はビ
ームスプリッタ5を反射して光ディスク8を再生するた
めの情報信号再生光学系9に入射するように配置され
る。一方、ビームスプリッタ5を透過した光は光モジュ
ールMに内蔵されている回折素子3によって回折され1
次回折光が受光素子10により受光され、サーボ誤差信
号が検出される。
に入射する光のうち、図中、ディスクトラック方向の光
がm倍に拡大されて対物レンズ7に入射し、光ディスク
8上にスポットを形成する。光ディスク8からの反射光
は再び対物レンズ7により平行光となり、先程と反対の
経路で整形プリズム6の第2面6bに入射し、第3面6
c,第2面6bで反射して第1面6aから出射する。出
射した光は、コリメートレンズ4を介して一部の光はビ
ームスプリッタ5を反射して光ディスク8を再生するた
めの情報信号再生光学系9に入射するように配置され
る。一方、ビームスプリッタ5を透過した光は光モジュ
ールMに内蔵されている回折素子3によって回折され1
次回折光が受光素子10により受光され、サーボ誤差信
号が検出される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところが、この整形プ
リズムによるビーム拡大率は、従来整形プリズム入射光
の楕円の強度分布が真円の強度分布になるように設定す
る。例えば、一般に光学部品に使用される硝材BK7
(n=1.51)で拡大率を上記3倍に設定した場合、
整形プリズムの形状は概ね図6のようになり、入射光の
光軸aは整形プリズム6の厚み方向の中心a′より下方
にbだけシフトした構成となるため、整形プリズムのビ
ーム入射側において厚みb分の上部部分を利用しない構
成となる。そのため、光ピックアップとしての厚みは整
形プリズムへの入射ビーム径で決まる厚みより整形プリ
ズムによりbだけ厚くなってしまい、光ピックアップの
薄型化が十分はかれないという課題があった。
リズムによるビーム拡大率は、従来整形プリズム入射光
の楕円の強度分布が真円の強度分布になるように設定す
る。例えば、一般に光学部品に使用される硝材BK7
(n=1.51)で拡大率を上記3倍に設定した場合、
整形プリズムの形状は概ね図6のようになり、入射光の
光軸aは整形プリズム6の厚み方向の中心a′より下方
にbだけシフトした構成となるため、整形プリズムのビ
ーム入射側において厚みb分の上部部分を利用しない構
成となる。そのため、光ピックアップとしての厚みは整
形プリズムへの入射ビーム径で決まる厚みより整形プリ
ズムによりbだけ厚くなってしまい、光ピックアップの
薄型化が十分はかれないという課題があった。
【0006】本発明は、上記課題を解決するためのもの
であって、入射ビームが整形プリズムの全部分を無駄な
く通過する構成とし、より薄型で小型の整形プリズム、
及びその整形プリズム使用した光ピックアップ装置を提
供することを目的とする。
であって、入射ビームが整形プリズムの全部分を無駄な
く通過する構成とし、より薄型で小型の整形プリズム、
及びその整形プリズム使用した光ピックアップ装置を提
供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、光強
度分布が楕円の平行光束の光軸を垂直方向に偏向すると
ともに前記楕円の短軸方向のビームを所定の倍率で拡大
整形して出射させる整形プリズムであって、該整形プリ
ズムは前記光強度分布が楕円の平行光束を入射する第1
面と、第1面から入射した光束を全反射する第2面と、
第2面で全反射した光束を反射して前記第2面に対して
垂直に入射させる第3面を備え、前記所定の倍率は拡大
整形されて出射する短軸方向のビーム径が拡大されない
側の長軸方向のビーム径より小さくなるような拡大倍率
であることを特徴とする。
度分布が楕円の平行光束の光軸を垂直方向に偏向すると
ともに前記楕円の短軸方向のビームを所定の倍率で拡大
整形して出射させる整形プリズムであって、該整形プリ
ズムは前記光強度分布が楕円の平行光束を入射する第1
面と、第1面から入射した光束を全反射する第2面と、
第2面で全反射した光束を反射して前記第2面に対して
垂直に入射させる第3面を備え、前記所定の倍率は拡大
整形されて出射する短軸方向のビーム径が拡大されない
側の長軸方向のビーム径より小さくなるような拡大倍率
であることを特徴とする。
【0008】請求項2の発明は、請求項1記載の整形プ
リズムにおいて、前記整形プリズムの入射平行光束に対
する屈折率が1.45以上であり、前記規定倍率が2.3
倍以下であることを特徴とする。
リズムにおいて、前記整形プリズムの入射平行光束に対
する屈折率が1.45以上であり、前記規定倍率が2.3
倍以下であることを特徴とする。
【0009】請求項3の発明は、光発生手段と、該光発
生手段から出射された光を所定の倍率で拡大整形して出
射させる整形プリズムと、出射光束を記録媒体上に集光
させるレンズを有する光ピックアップ装置において、前
記整形プリズムが請求項1記載の整形プリズムであるこ
とを特徴とする。
生手段から出射された光を所定の倍率で拡大整形して出
射させる整形プリズムと、出射光束を記録媒体上に集光
させるレンズを有する光ピックアップ装置において、前
記整形プリズムが請求項1記載の整形プリズムであるこ
とを特徴とする。
【0010】請求項4の発明は、請求項3記載の光ピッ
クアップ装置において、前記光発生手段の光出射方向と
記録媒体面が平行であり、出射光の光強度分布のうち、
短軸方向を記録媒体面に対して垂直となるように配置さ
れていることを特徴とする。
クアップ装置において、前記光発生手段の光出射方向と
記録媒体面が平行であり、出射光の光強度分布のうち、
短軸方向を記録媒体面に対して垂直となるように配置さ
れていることを特徴とする。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図に基づ
いて説明する。なお、これらの図において従来例と同一
の構成要素については同一の符号を付与する。図1は、
本発明の整形プリズムを使用した光ピックアップ装置の
実施例を示す模式図であり、(A)は側面図、(B)は
平面図である。図1において、光モジュールMに内蔵さ
れている半導体レーザ1から出射されたレーザ光は、光
モジュールMに内蔵された第1の回折素子2により光デ
ィスク8上にメインスポットと2つのサブスポットを形
成するために0次光と±1次光に分離される。その後、
第2の回折素子3を透過後、ビームスプリッタ5を透過
しコリメートレンズ4により平行光に変換され、整形プ
リズム6の第1面6aに入射する。第1面6aに入射し
た光は屈折して第2面6bで全反射して第3面6cに向
かう。次に、第3面6cで反射した光は再び第2面6b
に向かい出射角0度でこの整形プリズム6から出射す
る。また、このときの整形プリズム6への入射ビーム幅
に対する同プリズム出射ビーム幅の拡大率mは後述する
方法で設計されているため、入射ビームの光軸aと整形
プリズム6の厚みt方向の中心線a′をほぼ一致させる
ことができる。このため入射ビームは整形プリズム6の
全部分を無駄なく透過するため、必要最小限の薄くて、
小さい光学部品を形成できる。この結果、整形プリズム
6の厚みtは入射ビームの厚み方向の大きさ程度とな
り、ピックアップの薄型化をはかることができる。
いて説明する。なお、これらの図において従来例と同一
の構成要素については同一の符号を付与する。図1は、
本発明の整形プリズムを使用した光ピックアップ装置の
実施例を示す模式図であり、(A)は側面図、(B)は
平面図である。図1において、光モジュールMに内蔵さ
れている半導体レーザ1から出射されたレーザ光は、光
モジュールMに内蔵された第1の回折素子2により光デ
ィスク8上にメインスポットと2つのサブスポットを形
成するために0次光と±1次光に分離される。その後、
第2の回折素子3を透過後、ビームスプリッタ5を透過
しコリメートレンズ4により平行光に変換され、整形プ
リズム6の第1面6aに入射する。第1面6aに入射し
た光は屈折して第2面6bで全反射して第3面6cに向
かう。次に、第3面6cで反射した光は再び第2面6b
に向かい出射角0度でこの整形プリズム6から出射す
る。また、このときの整形プリズム6への入射ビーム幅
に対する同プリズム出射ビーム幅の拡大率mは後述する
方法で設計されているため、入射ビームの光軸aと整形
プリズム6の厚みt方向の中心線a′をほぼ一致させる
ことができる。このため入射ビームは整形プリズム6の
全部分を無駄なく透過するため、必要最小限の薄くて、
小さい光学部品を形成できる。この結果、整形プリズム
6の厚みtは入射ビームの厚み方向の大きさ程度とな
り、ピックアップの薄型化をはかることができる。
【0012】次に、整形プリズム6を出射した光は対物
レンズ7に入射するビームのうち、図中、ディスクトラ
ック方向の光がm倍に拡大されて対物レンズ7に入射
し、光ディスク8上に光スポットを形成する。このとき
対物レンズ7に入射する光の強度分布は半導体レーザー
1から出射した光の強度分布より整形プリズム6により
真円に近く整形されているため、光ディスク8上で絞っ
たビームスポットは整形プリズム6がない場合に比べて
小さく絞れるため、光ディスク8に対する記録密度を上
げることができるとともに良好な記録情報読み取りが可
能となる。光ディスク8からの反射ビームは再び対物レ
ンズ7により平行光となり、先程と反対の経路で整形プ
リズム6の第2面6bに入射し、第3面6c,第2面6
bで反射して第1面6aから出射する。整形プリズム6
から出射した光はコリメートレンズ4を介して一部の光
はビームスプリッタ5を反射して光ディスク8を再生す
るための情報信号再生光学系9に入射する。一方、ビー
ムスプリッタ5を透過したビームは光モジュールMに内
蔵されている第2の回折素子3によって回折され、1次
回折光が同じく光モジュール2に内蔵されている受光素
子10により受光され、サーボ誤差信号が検出される。
レンズ7に入射するビームのうち、図中、ディスクトラ
ック方向の光がm倍に拡大されて対物レンズ7に入射
し、光ディスク8上に光スポットを形成する。このとき
対物レンズ7に入射する光の強度分布は半導体レーザー
1から出射した光の強度分布より整形プリズム6により
真円に近く整形されているため、光ディスク8上で絞っ
たビームスポットは整形プリズム6がない場合に比べて
小さく絞れるため、光ディスク8に対する記録密度を上
げることができるとともに良好な記録情報読み取りが可
能となる。光ディスク8からの反射ビームは再び対物レ
ンズ7により平行光となり、先程と反対の経路で整形プ
リズム6の第2面6bに入射し、第3面6c,第2面6
bで反射して第1面6aから出射する。整形プリズム6
から出射した光はコリメートレンズ4を介して一部の光
はビームスプリッタ5を反射して光ディスク8を再生す
るための情報信号再生光学系9に入射する。一方、ビー
ムスプリッタ5を透過したビームは光モジュールMに内
蔵されている第2の回折素子3によって回折され、1次
回折光が同じく光モジュール2に内蔵されている受光素
子10により受光され、サーボ誤差信号が検出される。
【0013】ここで、前記整形プリズム6の拡大率mの
設計方法について、図2を用いて詳細に説明する。整形
プリズム6を形成する光学ガラスの屈折率をn、入射ビ
ーム径をWIN、出射ビーム径をWOUTとしたときの拡大
率=WOUT/WINをm倍とした場合、拡大率m、整形プ
リズム内屈折角θ、光学ガラスの屈折率をnとの間には m=cosθ/√(1−n2sin2θ) …(1) という関係が成り立つ。
設計方法について、図2を用いて詳細に説明する。整形
プリズム6を形成する光学ガラスの屈折率をn、入射ビ
ーム径をWIN、出射ビーム径をWOUTとしたときの拡大
率=WOUT/WINをm倍とした場合、拡大率m、整形プ
リズム内屈折角θ、光学ガラスの屈折率をnとの間には m=cosθ/√(1−n2sin2θ) …(1) という関係が成り立つ。
【0014】なお(1)の関係式は、図2において、第
1面6aに水平方向から入射した光を第2面6bの垂直
方向に出射するように設計するため、以下の関係をもっ
てプリズムを設計する場合に成り立つ。 sinα1=nsinθ …(2) α2=90°−α1 …(3) α3=α1−θ …(4) α4=(90°−α3)/2 …(5) 但し、プリズムへのビーム入射角をα1、プリズムの第
1面6aと第2面6bとのなす頂角をα2、第2面6b
と反射ビームとのなす角をα3、第2面6bと第3面6
cとのなす頂角をα4とする。
1面6aに水平方向から入射した光を第2面6bの垂直
方向に出射するように設計するため、以下の関係をもっ
てプリズムを設計する場合に成り立つ。 sinα1=nsinθ …(2) α2=90°−α1 …(3) α3=α1−θ …(4) α4=(90°−α3)/2 …(5) 但し、プリズムへのビーム入射角をα1、プリズムの第
1面6aと第2面6bとのなす頂角をα2、第2面6b
と反射ビームとのなす角をα3、第2面6bと第3面6
cとのなす頂角をα4とする。
【0015】以上の関係から、第2面6bからの出射ビ
ーム径WOUTと整形プリズム厚みtとの関係は、次のよ
うに計算される(但し、このときのtは設計上の可能な
最小厚みであり、図面の整形プリズムは作製上のエッジ
の欠け、面精度等を考慮して使用ビーム径より大きな余
裕のあるものに記載されている)。 (イ)α3<α4,α2<α3のとき t=WOUTtanα4 …(6) (ロ)α3<α4,α2≧α3のとき t=WOUTtanα4あるいはt=WOUT/mで大きい方 …(7) (ハ)α3≧α4のとき t=(WOUTtanα4+WOUTtanα3)/2 …(8) 上記の関係について、例えば出射ビーム径をWOUT=3.
7mmとしたときn=1.2〜1.8の硝材に関して、縦
軸に整形プリズム厚みtmm、横軸に整形倍率mをとっ
た計算結果を図3に示す。図3より明らかなように屈折
率nにより最小厚みとなる整形倍率が存在し、図3で
は、t=2.14mm近傍がプリズムの薄さの限界とな
る。
ーム径WOUTと整形プリズム厚みtとの関係は、次のよ
うに計算される(但し、このときのtは設計上の可能な
最小厚みであり、図面の整形プリズムは作製上のエッジ
の欠け、面精度等を考慮して使用ビーム径より大きな余
裕のあるものに記載されている)。 (イ)α3<α4,α2<α3のとき t=WOUTtanα4 …(6) (ロ)α3<α4,α2≧α3のとき t=WOUTtanα4あるいはt=WOUT/mで大きい方 …(7) (ハ)α3≧α4のとき t=(WOUTtanα4+WOUTtanα3)/2 …(8) 上記の関係について、例えば出射ビーム径をWOUT=3.
7mmとしたときn=1.2〜1.8の硝材に関して、縦
軸に整形プリズム厚みtmm、横軸に整形倍率mをとっ
た計算結果を図3に示す。図3より明らかなように屈折
率nにより最小厚みとなる整形倍率が存在し、図3で
は、t=2.14mm近傍がプリズムの薄さの限界とな
る。
【0016】次に、図4に出射ビーム径WOUTとした場
合のn=1.2〜1.8の硝材に関して、縦軸に整形プリ
ズム厚みtをWOUTで正規化し、横軸に整形倍率mをと
ったものを示す。図4より、屈折率が大きくなるほど最
小厚みになる整形倍率は小さくなる。言い換えると、プ
リズムの硝材により最小厚みを実現する最適整形倍率が
存在することになる。例えば、光学部品の硝材として一
般的に使用されるBK7の光ピックアップ光源波長帯域
(λ=768.2〜365nm)での屈折率(nA′=
1.51〜ni=1.54)では整形倍率2倍近傍で最小
厚みのプリズムが実現でき、硝材SF2の同様な屈折率
(nA′=1.64〜ni=1.70)では整形比1.8近
傍で最小厚みの整形プリズムが実現できる。
合のn=1.2〜1.8の硝材に関して、縦軸に整形プリ
ズム厚みtをWOUTで正規化し、横軸に整形倍率mをと
ったものを示す。図4より、屈折率が大きくなるほど最
小厚みになる整形倍率は小さくなる。言い換えると、プ
リズムの硝材により最小厚みを実現する最適整形倍率が
存在することになる。例えば、光学部品の硝材として一
般的に使用されるBK7の光ピックアップ光源波長帯域
(λ=768.2〜365nm)での屈折率(nA′=
1.51〜ni=1.54)では整形倍率2倍近傍で最小
厚みのプリズムが実現でき、硝材SF2の同様な屈折率
(nA′=1.64〜ni=1.70)では整形比1.8近
傍で最小厚みの整形プリズムが実現できる。
【0017】また、プリズム光学部品に一般的によく使
われる硝材の屈折率nは1.45〜1.70であり、この
とき図4より整形倍率mを1.7〜2.3とすることで整
形プリズムの厚みを最も薄くすることができることが分
かる。
われる硝材の屈折率nは1.45〜1.70であり、この
とき図4より整形倍率mを1.7〜2.3とすることで整
形プリズムの厚みを最も薄くすることができることが分
かる。
【0018】また、上記以下の整形倍率である場合はプ
リズムの厚みはビーム整形前の入射ビーム径程度であ
り、光ピックアップの厚みはプリズムの厚みに起因して
厚くなることはない。
リズムの厚みはビーム整形前の入射ビーム径程度であ
り、光ピックアップの厚みはプリズムの厚みに起因して
厚くなることはない。
【0019】
【発明の効果】以上の記載から明らかなように、請求項
1の発明の整形プリズムによれば、入射ビームの光軸と
整形プリズムの厚み方向の中心をほぼ一致させることが
できるため、入射ビームは整形プリズムの全部分を無駄
なく透過し、必要最小限の薄さで、より小型とすること
ができる。
1の発明の整形プリズムによれば、入射ビームの光軸と
整形プリズムの厚み方向の中心をほぼ一致させることが
できるため、入射ビームは整形プリズムの全部分を無駄
なく透過し、必要最小限の薄さで、より小型とすること
ができる。
【0020】請求項2の発明によれば、整形プリズムの
入射ビームに対する屈折率が1.45以上であり、拡大
率が2.3倍以下であるので、整形プリズムの厚みを最
も薄くすることができる。
入射ビームに対する屈折率が1.45以上であり、拡大
率が2.3倍以下であるので、整形プリズムの厚みを最
も薄くすることができる。
【0021】また、請求項3の発明の光ピックアップ装
置では、対物レンズに入射するビームの強度分布が、半
導体レーザから出射したビームの強度分布から整形プリ
ズムにより真円に近く整形されているため、ディスク上
で絞ったビームスポットは、整形プリズムがない場合に
比べて小さく絞ることができ、光ディスクに対する記録
密度を上げることができるとともに良好な記録情報読み
取りができる。
置では、対物レンズに入射するビームの強度分布が、半
導体レーザから出射したビームの強度分布から整形プリ
ズムにより真円に近く整形されているため、ディスク上
で絞ったビームスポットは、整形プリズムがない場合に
比べて小さく絞ることができ、光ディスクに対する記録
密度を上げることができるとともに良好な記録情報読み
取りができる。
【0022】さらに、請求項4の光ピックアップ装置で
は、整形プリズムの厚みが入射ビームの厚み方向の大き
さ程度に構成できるため、さらに光ピックアップの薄型
化をはかることができる。
は、整形プリズムの厚みが入射ビームの厚み方向の大き
さ程度に構成できるため、さらに光ピックアップの薄型
化をはかることができる。
【図1】本発明の光ピックアップ装置を説明するための
側面図、及び平面図である。
側面図、及び平面図である。
【図2】本発明の整形プリズムを説明するための図であ
る
る
【図3】本発明の整形プリズムの厚みと整形倍率の関係
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図4】本発明の整形プリズムの厚みと整形倍率の一般
的な関係を説明するための図である。
的な関係を説明するための図である。
【図5】従来の光ピックアップ装置と整形プリズムを説
明するための図である。
明するための図である。
【図6】従来の整形プリズムを説明するための図であ
る。
る。
1…半導体レーザ、2…第1の回折素子、3…第2の回
折素子、4…コリメートレンズ、5…偏光ビームスプリ
ッタ、6…整形プリズム、7…対物レンズ、8…光ディ
スク(記録媒体)、9…情報信号再生光学系、10…受
光素子、M…光モジュール。
折素子、4…コリメートレンズ、5…偏光ビームスプリ
ッタ、6…整形プリズム、7…対物レンズ、8…光ディ
スク(記録媒体)、9…情報信号再生光学系、10…受
光素子、M…光モジュール。
Claims (4)
- 【請求項1】 光強度分布が楕円の平行光束の光軸を垂
直方向に偏向するとともに前記楕円の短軸方向のビーム
を所定の倍率で拡大整形して出射させる整形プリズムで
あって、該整形プリズムは前記光強度分布が楕円の平行
光束を入射する第1面と、第1面から入射した光束を全
反射する第2面と、第2面で全反射した光束を反射して
前記第2面に対して垂直に入射させる第3面を備え、前
記所定の倍率は拡大整形されて出射する短軸方向のビー
ム径が拡大されない側の長軸方向のビーム径より小さく
なるような拡大倍率であることを特徴とする整形プリズ
ム。 - 【請求項2】 前記整形プリズムの入射平行光束に対す
る屈折率が1.45以上であり、前記所定倍率が2.3以
下であることを特徴とする請求項1記載の整形プリズ
ム。 - 【請求項3】 光発生手段と、該光発生手段から出射さ
れた光を所定の倍率で拡大整形して出射させる整形プリ
ズムと、出射光束を記録媒体上に集光させるレンズを有
する光ピックアップ装置において、前記整形プリズムが
請求項1記載の整形プリズムであることを特徴とする光
ピックアップ装置。 - 【請求項4】 前記光発生手段の光出射方向と記録媒体
面が平行であり、出射光の光強度分布のうち、短軸方向
を記録媒体面に対して垂直となるように配置することを
特徴とする請求項3記載の光ピックアップ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24895399A JP2001076375A (ja) | 1999-09-02 | 1999-09-02 | 整形プリズム及び該整形プリズムを用いた光ピックアップ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24895399A JP2001076375A (ja) | 1999-09-02 | 1999-09-02 | 整形プリズム及び該整形プリズムを用いた光ピックアップ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001076375A true JP2001076375A (ja) | 2001-03-23 |
Family
ID=17185871
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24895399A Pending JP2001076375A (ja) | 1999-09-02 | 1999-09-02 | 整形プリズム及び該整形プリズムを用いた光ピックアップ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001076375A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009070499A (ja) * | 2007-09-14 | 2009-04-02 | Sanyo Electric Co Ltd | 光ピックアップ装置 |
CN116499975A (zh) * | 2023-06-29 | 2023-07-28 | 之江实验室 | 一种用于光学表面波传感器的棱镜装置及其设计安装方法 |
-
1999
- 1999-09-02 JP JP24895399A patent/JP2001076375A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009070499A (ja) * | 2007-09-14 | 2009-04-02 | Sanyo Electric Co Ltd | 光ピックアップ装置 |
CN116499975A (zh) * | 2023-06-29 | 2023-07-28 | 之江实验室 | 一种用于光学表面波传感器的棱镜装置及其设计安装方法 |
CN116499975B (zh) * | 2023-06-29 | 2023-09-22 | 之江实验室 | 一种用于光学表面波传感器的棱镜装置及其设计安装方法 |
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