JP2001076375A - 整形プリズム及び該整形プリズムを用いた光ピックアップ装置 - Google Patents
整形プリズム及び該整形プリズムを用いた光ピックアップ装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光ピックアップ装置に用いる整形プリズムに
おいて、入射光束が整形プリズムの全部分を無駄なく通
過する構成とすることにより、光ピックアップ装置の厚
さ方向の寸法を、より薄型化、小型化する。 【構成】 半導体レーザ１から出射された、光強度分布
が楕円の光ビームを拡大整形して出射させる整形プリズ
ム６と、出射光束を記録媒体８上に集光させる対物レン
ズ７等からなる有する光ピックアップ装置。整形プリズ
ム６は光強度分布が楕円の平行光束を入射する第１面６
ａ、光束を全反射する第２面６ｂ、第２面で全反射した
光束を垂直に入射させる第３面６ｃを備え、拡大整形さ
れて出射する短軸方向のビーム径が拡大されない側の長
軸方向のビーム径より小さくなるような拡大倍率とす
る。整形プリズム６の屈折率を１．４５以上、拡大倍率
を２．３以下とすると、最も薄くすることができる。
おいて、入射光束が整形プリズムの全部分を無駄なく通
過する構成とすることにより、光ピックアップ装置の厚
さ方向の寸法を、より薄型化、小型化する。 【構成】 半導体レーザ１から出射された、光強度分布
が楕円の光ビームを拡大整形して出射させる整形プリズ
ム６と、出射光束を記録媒体８上に集光させる対物レン
ズ７等からなる有する光ピックアップ装置。整形プリズ
ム６は光強度分布が楕円の平行光束を入射する第１面６
ａ、光束を全反射する第２面６ｂ、第２面で全反射した
光束を垂直に入射させる第３面６ｃを備え、拡大整形さ
れて出射する短軸方向のビーム径が拡大されない側の長
軸方向のビーム径より小さくなるような拡大倍率とす
る。整形プリズム６の屈折率を１．４５以上、拡大倍率
を２．３以下とすると、最も薄くすることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、コンパクトディス
ク，レーザーディスク等の再生専用型光ディスクの再生
を行う光学的再生装置または追記型，書き換え可能型等
の光ディスクに記録再生を行う光学的記録再生装置にお
いて使用される光ピックアップ装置、及びそれらに用い
る整形プリズムに関する。
ク，レーザーディスク等の再生専用型光ディスクの再生
を行う光学的再生装置または追記型，書き換え可能型等
の光ディスクに記録再生を行う光学的記録再生装置にお
いて使用される光ピックアップ装置、及びそれらに用い
る整形プリズムに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の光ピックアップ光学系において、
光ビームを整形拡大しながらピックアップの厚みを薄く
する方法として特開平６−２１５４１３号公報に記載さ
れたような整形プリズムを採用することが考えられる。
光ビームを整形拡大しながらピックアップの厚みを薄く
する方法として特開平６−２１５４１３号公報に記載さ
れたような整形プリズムを採用することが考えられる。
【０００３】図５は、その整形プリズムを使った光ピッ
クアップの一例を示す図で、（Ａ）は側面図、（Ｂ）は
平面図である。図５において、半導体レーザ１から出射
されたレーザ光は光モジュールＭに内蔵された第１の回
折素子２により光ディスク８上にメインスポットと２つ
のサブスポットを形成するために０次光と±１次光に分
離される。その後、コリメートレンズ４により平行光に
変換され、整形プリズム６の第１面６ａに入射する。第
１面６ａに入射した光は屈折して第２面６ｂで全反射し
て第３面６ｃに向かう。次に、第３面６ｃで反射した光
は再び第２面６ｂに向かい出射角０度でこの整形プリズ
ム６から出射する。このときの整形プリズム６のビーム
拡大倍率は整形プリズム６への入射光の楕円の強度分布
の真円の強度分布になるように設定されている。また整
形プリズム６への入射光の楕円強度の長軸：短軸の長さ
の比は半導体レーザ光源１の強度分布で決まり、一般に
１：３程度である。このため、上記整形プリズム６の整
形比も１：３近傍になっている。
クアップの一例を示す図で、（Ａ）は側面図、（Ｂ）は
平面図である。図５において、半導体レーザ１から出射
されたレーザ光は光モジュールＭに内蔵された第１の回
折素子２により光ディスク８上にメインスポットと２つ
のサブスポットを形成するために０次光と±１次光に分
離される。その後、コリメートレンズ４により平行光に
変換され、整形プリズム６の第１面６ａに入射する。第
１面６ａに入射した光は屈折して第２面６ｂで全反射し
て第３面６ｃに向かう。次に、第３面６ｃで反射した光
は再び第２面６ｂに向かい出射角０度でこの整形プリズ
ム６から出射する。このときの整形プリズム６のビーム
拡大倍率は整形プリズム６への入射光の楕円の強度分布
の真円の強度分布になるように設定されている。また整
形プリズム６への入射光の楕円強度の長軸：短軸の長さ
の比は半導体レーザ光源１の強度分布で決まり、一般に
１：３程度である。このため、上記整形プリズム６の整
形比も１：３近傍になっている。
【０００４】このため、この出射した光は対物レンズ７
に入射する光のうち、図中、ディスクトラック方向の光
がｍ倍に拡大されて対物レンズ７に入射し、光ディスク
８上にスポットを形成する。光ディスク８からの反射光
は再び対物レンズ７により平行光となり、先程と反対の
経路で整形プリズム６の第２面６ｂに入射し、第３面６
ｃ，第２面６ｂで反射して第１面６ａから出射する。出
射した光は、コリメートレンズ４を介して一部の光はビ
ームスプリッタ５を反射して光ディスク８を再生するた
めの情報信号再生光学系９に入射するように配置され
る。一方、ビームスプリッタ５を透過した光は光モジュ
ールＭに内蔵されている回折素子３によって回折され１
次回折光が受光素子１０により受光され、サーボ誤差信
号が検出される。
に入射する光のうち、図中、ディスクトラック方向の光
がｍ倍に拡大されて対物レンズ７に入射し、光ディスク
８上にスポットを形成する。光ディスク８からの反射光
は再び対物レンズ７により平行光となり、先程と反対の
経路で整形プリズム６の第２面６ｂに入射し、第３面６
ｃ，第２面６ｂで反射して第１面６ａから出射する。出
射した光は、コリメートレンズ４を介して一部の光はビ
ームスプリッタ５を反射して光ディスク８を再生するた
めの情報信号再生光学系９に入射するように配置され
る。一方、ビームスプリッタ５を透過した光は光モジュ
ールＭに内蔵されている回折素子３によって回折され１
次回折光が受光素子１０により受光され、サーボ誤差信
号が検出される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、この整形プ
リズムによるビーム拡大率は、従来整形プリズム入射光
の楕円の強度分布が真円の強度分布になるように設定す
る。例えば、一般に光学部品に使用される硝材ＢＫ７
（ｎ＝１.５１）で拡大率を上記３倍に設定した場合、
整形プリズムの形状は概ね図６のようになり、入射光の
光軸ａは整形プリズム６の厚み方向の中心ａ′より下方
にｂだけシフトした構成となるため、整形プリズムのビ
ーム入射側において厚みｂ分の上部部分を利用しない構
成となる。そのため、光ピックアップとしての厚みは整
形プリズムへの入射ビーム径で決まる厚みより整形プリ
ズムによりｂだけ厚くなってしまい、光ピックアップの
薄型化が十分はかれないという課題があった。
リズムによるビーム拡大率は、従来整形プリズム入射光
の楕円の強度分布が真円の強度分布になるように設定す
る。例えば、一般に光学部品に使用される硝材ＢＫ７
（ｎ＝１.５１）で拡大率を上記３倍に設定した場合、
整形プリズムの形状は概ね図６のようになり、入射光の
光軸ａは整形プリズム６の厚み方向の中心ａ′より下方
にｂだけシフトした構成となるため、整形プリズムのビ
ーム入射側において厚みｂ分の上部部分を利用しない構
成となる。そのため、光ピックアップとしての厚みは整
形プリズムへの入射ビーム径で決まる厚みより整形プリ
ズムによりｂだけ厚くなってしまい、光ピックアップの
薄型化が十分はかれないという課題があった。
【０００６】本発明は、上記課題を解決するためのもの
であって、入射ビームが整形プリズムの全部分を無駄な
く通過する構成とし、より薄型で小型の整形プリズム、
及びその整形プリズム使用した光ピックアップ装置を提
供することを目的とする。
であって、入射ビームが整形プリズムの全部分を無駄な
く通過する構成とし、より薄型で小型の整形プリズム、
及びその整形プリズム使用した光ピックアップ装置を提
供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、光強
度分布が楕円の平行光束の光軸を垂直方向に偏向すると
ともに前記楕円の短軸方向のビームを所定の倍率で拡大
整形して出射させる整形プリズムであって、該整形プリ
ズムは前記光強度分布が楕円の平行光束を入射する第１
面と、第１面から入射した光束を全反射する第２面と、
第２面で全反射した光束を反射して前記第２面に対して
垂直に入射させる第３面を備え、前記所定の倍率は拡大
整形されて出射する短軸方向のビーム径が拡大されない
側の長軸方向のビーム径より小さくなるような拡大倍率
であることを特徴とする。
度分布が楕円の平行光束の光軸を垂直方向に偏向すると
ともに前記楕円の短軸方向のビームを所定の倍率で拡大
整形して出射させる整形プリズムであって、該整形プリ
ズムは前記光強度分布が楕円の平行光束を入射する第１
面と、第１面から入射した光束を全反射する第２面と、
第２面で全反射した光束を反射して前記第２面に対して
垂直に入射させる第３面を備え、前記所定の倍率は拡大
整形されて出射する短軸方向のビーム径が拡大されない
側の長軸方向のビーム径より小さくなるような拡大倍率
であることを特徴とする。
【０００８】請求項２の発明は、請求項１記載の整形プ
リズムにおいて、前記整形プリズムの入射平行光束に対
する屈折率が１.４５以上であり、前記規定倍率が２.３
倍以下であることを特徴とする。
リズムにおいて、前記整形プリズムの入射平行光束に対
する屈折率が１.４５以上であり、前記規定倍率が２.３
倍以下であることを特徴とする。
【０００９】請求項３の発明は、光発生手段と、該光発
生手段から出射された光を所定の倍率で拡大整形して出
射させる整形プリズムと、出射光束を記録媒体上に集光
させるレンズを有する光ピックアップ装置において、前
記整形プリズムが請求項１記載の整形プリズムであるこ
とを特徴とする。
生手段から出射された光を所定の倍率で拡大整形して出
射させる整形プリズムと、出射光束を記録媒体上に集光
させるレンズを有する光ピックアップ装置において、前
記整形プリズムが請求項１記載の整形プリズムであるこ
とを特徴とする。
【００１０】請求項４の発明は、請求項３記載の光ピッ
クアップ装置において、前記光発生手段の光出射方向と
記録媒体面が平行であり、出射光の光強度分布のうち、
短軸方向を記録媒体面に対して垂直となるように配置さ
れていることを特徴とする。
クアップ装置において、前記光発生手段の光出射方向と
記録媒体面が平行であり、出射光の光強度分布のうち、
短軸方向を記録媒体面に対して垂直となるように配置さ
れていることを特徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図に基づ
いて説明する。なお、これらの図において従来例と同一
の構成要素については同一の符号を付与する。図１は、
本発明の整形プリズムを使用した光ピックアップ装置の
実施例を示す模式図であり、（Ａ）は側面図、（Ｂ）は
平面図である。図１において、光モジュールＭに内蔵さ
れている半導体レーザ１から出射されたレーザ光は、光
モジュールＭに内蔵された第１の回折素子２により光デ
ィスク８上にメインスポットと２つのサブスポットを形
成するために０次光と±１次光に分離される。その後、
第２の回折素子３を透過後、ビームスプリッタ５を透過
しコリメートレンズ４により平行光に変換され、整形プ
リズム６の第１面６ａに入射する。第１面６ａに入射し
た光は屈折して第２面６ｂで全反射して第３面６ｃに向
かう。次に、第３面６ｃで反射した光は再び第２面６ｂ
に向かい出射角０度でこの整形プリズム６から出射す
る。また、このときの整形プリズム６への入射ビーム幅
に対する同プリズム出射ビーム幅の拡大率ｍは後述する
方法で設計されているため、入射ビームの光軸ａと整形
プリズム６の厚みｔ方向の中心線ａ′をほぼ一致させる
ことができる。このため入射ビームは整形プリズム６の
全部分を無駄なく透過するため、必要最小限の薄くて、
小さい光学部品を形成できる。この結果、整形プリズム
６の厚みｔは入射ビームの厚み方向の大きさ程度とな
り、ピックアップの薄型化をはかることができる。
いて説明する。なお、これらの図において従来例と同一
の構成要素については同一の符号を付与する。図１は、
本発明の整形プリズムを使用した光ピックアップ装置の
実施例を示す模式図であり、（Ａ）は側面図、（Ｂ）は
平面図である。図１において、光モジュールＭに内蔵さ
れている半導体レーザ１から出射されたレーザ光は、光
モジュールＭに内蔵された第１の回折素子２により光デ
ィスク８上にメインスポットと２つのサブスポットを形
成するために０次光と±１次光に分離される。その後、
第２の回折素子３を透過後、ビームスプリッタ５を透過
しコリメートレンズ４により平行光に変換され、整形プ
リズム６の第１面６ａに入射する。第１面６ａに入射し
た光は屈折して第２面６ｂで全反射して第３面６ｃに向
かう。次に、第３面６ｃで反射した光は再び第２面６ｂ
に向かい出射角０度でこの整形プリズム６から出射す
る。また、このときの整形プリズム６への入射ビーム幅
に対する同プリズム出射ビーム幅の拡大率ｍは後述する
方法で設計されているため、入射ビームの光軸ａと整形
プリズム６の厚みｔ方向の中心線ａ′をほぼ一致させる
ことができる。このため入射ビームは整形プリズム６の
全部分を無駄なく透過するため、必要最小限の薄くて、
小さい光学部品を形成できる。この結果、整形プリズム
６の厚みｔは入射ビームの厚み方向の大きさ程度とな
り、ピックアップの薄型化をはかることができる。
【００１２】次に、整形プリズム６を出射した光は対物
レンズ７に入射するビームのうち、図中、ディスクトラ
ック方向の光がｍ倍に拡大されて対物レンズ７に入射
し、光ディスク８上に光スポットを形成する。このとき
対物レンズ７に入射する光の強度分布は半導体レーザー
１から出射した光の強度分布より整形プリズム６により
真円に近く整形されているため、光ディスク８上で絞っ
たビームスポットは整形プリズム６がない場合に比べて
小さく絞れるため、光ディスク８に対する記録密度を上
げることができるとともに良好な記録情報読み取りが可
能となる。光ディスク８からの反射ビームは再び対物レ
ンズ７により平行光となり、先程と反対の経路で整形プ
リズム６の第２面６ｂに入射し、第３面６ｃ，第２面６
ｂで反射して第１面６ａから出射する。整形プリズム６
から出射した光はコリメートレンズ４を介して一部の光
はビームスプリッタ５を反射して光ディスク８を再生す
るための情報信号再生光学系９に入射する。一方、ビー
ムスプリッタ５を透過したビームは光モジュールＭに内
蔵されている第２の回折素子３によって回折され、１次
回折光が同じく光モジュール２に内蔵されている受光素
子１０により受光され、サーボ誤差信号が検出される。
レンズ７に入射するビームのうち、図中、ディスクトラ
ック方向の光がｍ倍に拡大されて対物レンズ７に入射
し、光ディスク８上に光スポットを形成する。このとき
対物レンズ７に入射する光の強度分布は半導体レーザー
１から出射した光の強度分布より整形プリズム６により
真円に近く整形されているため、光ディスク８上で絞っ
たビームスポットは整形プリズム６がない場合に比べて
小さく絞れるため、光ディスク８に対する記録密度を上
げることができるとともに良好な記録情報読み取りが可
能となる。光ディスク８からの反射ビームは再び対物レ
ンズ７により平行光となり、先程と反対の経路で整形プ
リズム６の第２面６ｂに入射し、第３面６ｃ，第２面６
ｂで反射して第１面６ａから出射する。整形プリズム６
から出射した光はコリメートレンズ４を介して一部の光
はビームスプリッタ５を反射して光ディスク８を再生す
るための情報信号再生光学系９に入射する。一方、ビー
ムスプリッタ５を透過したビームは光モジュールＭに内
蔵されている第２の回折素子３によって回折され、１次
回折光が同じく光モジュール２に内蔵されている受光素
子１０により受光され、サーボ誤差信号が検出される。
【００１３】ここで、前記整形プリズム６の拡大率ｍの
設計方法について、図２を用いて詳細に説明する。整形
プリズム６を形成する光学ガラスの屈折率をｎ、入射ビ
ーム径をＷIN、出射ビーム径をＷOUTとしたときの拡大
率＝ＷOUT／ＷINをｍ倍とした場合、拡大率ｍ、整形プ
リズム内屈折角θ、光学ガラスの屈折率をｎとの間には ｍ＝ｃｏｓθ／√（１−ｎ2ｓｉｎ2θ） …（１） という関係が成り立つ。
設計方法について、図２を用いて詳細に説明する。整形
プリズム６を形成する光学ガラスの屈折率をｎ、入射ビ
ーム径をＷIN、出射ビーム径をＷOUTとしたときの拡大
率＝ＷOUT／ＷINをｍ倍とした場合、拡大率ｍ、整形プ
リズム内屈折角θ、光学ガラスの屈折率をｎとの間には ｍ＝ｃｏｓθ／√（１−ｎ2ｓｉｎ2θ） …（１） という関係が成り立つ。
【００１４】なお（１）の関係式は、図２において、第
１面６ａに水平方向から入射した光を第２面６ｂの垂直
方向に出射するように設計するため、以下の関係をもっ
てプリズムを設計する場合に成り立つ。 ｓｉｎα１＝ｎｓｉｎθ …（２） α２＝９０°−α１ …（３） α３＝α１−θ …（４） α４＝（９０°−α３）／２ …（５） 但し、プリズムへのビーム入射角をα１、プリズムの第
１面６ａと第２面６ｂとのなす頂角をα２、第２面６ｂ
と反射ビームとのなす角をα３、第２面６ｂと第３面６
ｃとのなす頂角をα４とする。
１面６ａに水平方向から入射した光を第２面６ｂの垂直
方向に出射するように設計するため、以下の関係をもっ
てプリズムを設計する場合に成り立つ。 ｓｉｎα１＝ｎｓｉｎθ …（２） α２＝９０°−α１ …（３） α３＝α１−θ …（４） α４＝（９０°−α３）／２ …（５） 但し、プリズムへのビーム入射角をα１、プリズムの第
１面６ａと第２面６ｂとのなす頂角をα２、第２面６ｂ
と反射ビームとのなす角をα３、第２面６ｂと第３面６
ｃとのなす頂角をα４とする。
【００１５】以上の関係から、第２面６ｂからの出射ビ
ーム径ＷOUTと整形プリズム厚みｔとの関係は、次のよ
うに計算される（但し、このときのｔは設計上の可能な
最小厚みであり、図面の整形プリズムは作製上のエッジ
の欠け、面精度等を考慮して使用ビーム径より大きな余
裕のあるものに記載されている）。 （イ）α３＜α４，α２＜α３のとき ｔ＝ＷOUTｔａｎα４ …（６） （ロ）α３＜α４，α２≧α３のとき ｔ＝ＷOUTｔａｎα４あるいはｔ＝ＷOUT／ｍで大きい方 …（７） （ハ）α３≧α４のとき ｔ＝（ＷOUTｔａｎα４＋ＷOUTｔａｎα３）／２ …（８） 上記の関係について、例えば出射ビーム径をＷOUT＝３.
７ｍｍとしたときｎ＝１.２〜１.８の硝材に関して、縦
軸に整形プリズム厚みｔｍｍ、横軸に整形倍率ｍをとっ
た計算結果を図３に示す。図３より明らかなように屈折
率ｎにより最小厚みとなる整形倍率が存在し、図３で
は、ｔ＝２.１４ｍｍ近傍がプリズムの薄さの限界とな
る。
ーム径ＷOUTと整形プリズム厚みｔとの関係は、次のよ
うに計算される（但し、このときのｔは設計上の可能な
最小厚みであり、図面の整形プリズムは作製上のエッジ
の欠け、面精度等を考慮して使用ビーム径より大きな余
裕のあるものに記載されている）。 （イ）α３＜α４，α２＜α３のとき ｔ＝ＷOUTｔａｎα４ …（６） （ロ）α３＜α４，α２≧α３のとき ｔ＝ＷOUTｔａｎα４あるいはｔ＝ＷOUT／ｍで大きい方 …（７） （ハ）α３≧α４のとき ｔ＝（ＷOUTｔａｎα４＋ＷOUTｔａｎα３）／２ …（８） 上記の関係について、例えば出射ビーム径をＷOUT＝３.
７ｍｍとしたときｎ＝１.２〜１.８の硝材に関して、縦
軸に整形プリズム厚みｔｍｍ、横軸に整形倍率ｍをとっ
た計算結果を図３に示す。図３より明らかなように屈折
率ｎにより最小厚みとなる整形倍率が存在し、図３で
は、ｔ＝２.１４ｍｍ近傍がプリズムの薄さの限界とな
る。
【００１６】次に、図４に出射ビーム径ＷOUTとした場
合のｎ＝１.２〜１.８の硝材に関して、縦軸に整形プリ
ズム厚みｔをＷOUTで正規化し、横軸に整形倍率ｍをと
ったものを示す。図４より、屈折率が大きくなるほど最
小厚みになる整形倍率は小さくなる。言い換えると、プ
リズムの硝材により最小厚みを実現する最適整形倍率が
存在することになる。例えば、光学部品の硝材として一
般的に使用されるＢＫ７の光ピックアップ光源波長帯域
（λ＝７６８.２〜３６５ｎｍ）での屈折率（ｎA′＝
１.５１〜ｎi＝１.５４）では整形倍率２倍近傍で最小
厚みのプリズムが実現でき、硝材ＳＦ２の同様な屈折率
（ｎA′＝１.６４〜ｎi＝１.７０）では整形比１.８近
傍で最小厚みの整形プリズムが実現できる。
合のｎ＝１.２〜１.８の硝材に関して、縦軸に整形プリ
ズム厚みｔをＷOUTで正規化し、横軸に整形倍率ｍをと
ったものを示す。図４より、屈折率が大きくなるほど最
小厚みになる整形倍率は小さくなる。言い換えると、プ
リズムの硝材により最小厚みを実現する最適整形倍率が
存在することになる。例えば、光学部品の硝材として一
般的に使用されるＢＫ７の光ピックアップ光源波長帯域
（λ＝７６８.２〜３６５ｎｍ）での屈折率（ｎA′＝
１.５１〜ｎi＝１.５４）では整形倍率２倍近傍で最小
厚みのプリズムが実現でき、硝材ＳＦ２の同様な屈折率
（ｎA′＝１.６４〜ｎi＝１.７０）では整形比１.８近
傍で最小厚みの整形プリズムが実現できる。
【００１７】また、プリズム光学部品に一般的によく使
われる硝材の屈折率ｎは１.４５〜１.７０であり、この
とき図４より整形倍率ｍを１.７〜２.３とすることで整
形プリズムの厚みを最も薄くすることができることが分
かる。
われる硝材の屈折率ｎは１.４５〜１.７０であり、この
とき図４より整形倍率ｍを１.７〜２.３とすることで整
形プリズムの厚みを最も薄くすることができることが分
かる。
【００１８】また、上記以下の整形倍率である場合はプ
リズムの厚みはビーム整形前の入射ビーム径程度であ
り、光ピックアップの厚みはプリズムの厚みに起因して
厚くなることはない。
リズムの厚みはビーム整形前の入射ビーム径程度であ
り、光ピックアップの厚みはプリズムの厚みに起因して
厚くなることはない。
【００１９】
【発明の効果】以上の記載から明らかなように、請求項
１の発明の整形プリズムによれば、入射ビームの光軸と
整形プリズムの厚み方向の中心をほぼ一致させることが
できるため、入射ビームは整形プリズムの全部分を無駄
なく透過し、必要最小限の薄さで、より小型とすること
ができる。
１の発明の整形プリズムによれば、入射ビームの光軸と
整形プリズムの厚み方向の中心をほぼ一致させることが
できるため、入射ビームは整形プリズムの全部分を無駄
なく透過し、必要最小限の薄さで、より小型とすること
ができる。
【００２０】請求項２の発明によれば、整形プリズムの
入射ビームに対する屈折率が１.４５以上であり、拡大
率が２.３倍以下であるので、整形プリズムの厚みを最
も薄くすることができる。
入射ビームに対する屈折率が１.４５以上であり、拡大
率が２.３倍以下であるので、整形プリズムの厚みを最
も薄くすることができる。
【００２１】また、請求項３の発明の光ピックアップ装
置では、対物レンズに入射するビームの強度分布が、半
導体レーザから出射したビームの強度分布から整形プリ
ズムにより真円に近く整形されているため、ディスク上
で絞ったビームスポットは、整形プリズムがない場合に
比べて小さく絞ることができ、光ディスクに対する記録
密度を上げることができるとともに良好な記録情報読み
取りができる。
置では、対物レンズに入射するビームの強度分布が、半
導体レーザから出射したビームの強度分布から整形プリ
ズムにより真円に近く整形されているため、ディスク上
で絞ったビームスポットは、整形プリズムがない場合に
比べて小さく絞ることができ、光ディスクに対する記録
密度を上げることができるとともに良好な記録情報読み
取りができる。
【００２２】さらに、請求項４の光ピックアップ装置で
は、整形プリズムの厚みが入射ビームの厚み方向の大き
さ程度に構成できるため、さらに光ピックアップの薄型
化をはかることができる。
は、整形プリズムの厚みが入射ビームの厚み方向の大き
さ程度に構成できるため、さらに光ピックアップの薄型
化をはかることができる。
【図１】本発明の光ピックアップ装置を説明するための
側面図、及び平面図である。
側面図、及び平面図である。
【図２】本発明の整形プリズムを説明するための図であ
る
る
【図３】本発明の整形プリズムの厚みと整形倍率の関係
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図４】本発明の整形プリズムの厚みと整形倍率の一般
的な関係を説明するための図である。
的な関係を説明するための図である。
【図５】従来の光ピックアップ装置と整形プリズムを説
明するための図である。
明するための図である。
【図６】従来の整形プリズムを説明するための図であ
る。
る。
１…半導体レーザ、２…第１の回折素子、３…第２の回
折素子、４…コリメートレンズ、５…偏光ビームスプリ
ッタ、６…整形プリズム、７…対物レンズ、８…光ディ
スク（記録媒体）、９…情報信号再生光学系、１０…受
光素子、Ｍ…光モジュール。
折素子、４…コリメートレンズ、５…偏光ビームスプリ
ッタ、６…整形プリズム、７…対物レンズ、８…光ディ
スク（記録媒体）、９…情報信号再生光学系、１０…受
光素子、Ｍ…光モジュール。
Claims (4)
- 【請求項１】 光強度分布が楕円の平行光束の光軸を垂
直方向に偏向するとともに前記楕円の短軸方向のビーム
を所定の倍率で拡大整形して出射させる整形プリズムで
あって、該整形プリズムは前記光強度分布が楕円の平行
光束を入射する第１面と、第１面から入射した光束を全
反射する第２面と、第２面で全反射した光束を反射して
前記第２面に対して垂直に入射させる第３面を備え、前
記所定の倍率は拡大整形されて出射する短軸方向のビー
ム径が拡大されない側の長軸方向のビーム径より小さく
なるような拡大倍率であることを特徴とする整形プリズ
ム。 - 【請求項２】 前記整形プリズムの入射平行光束に対す
る屈折率が１.４５以上であり、前記所定倍率が２.３以
下であることを特徴とする請求項１記載の整形プリズ
ム。 - 【請求項３】 光発生手段と、該光発生手段から出射さ
れた光を所定の倍率で拡大整形して出射させる整形プリ
ズムと、出射光束を記録媒体上に集光させるレンズを有
する光ピックアップ装置において、前記整形プリズムが
請求項１記載の整形プリズムであることを特徴とする光
ピックアップ装置。 - 【請求項４】 前記光発生手段の光出射方向と記録媒体
面が平行であり、出射光の光強度分布のうち、短軸方向
を記録媒体面に対して垂直となるように配置することを
特徴とする請求項３記載の光ピックアップ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24895399A JP2001076375A (ja) | 1999-09-02 | 1999-09-02 | 整形プリズム及び該整形プリズムを用いた光ピックアップ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24895399A JP2001076375A (ja) | 1999-09-02 | 1999-09-02 | 整形プリズム及び該整形プリズムを用いた光ピックアップ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001076375A true JP2001076375A (ja) | 2001-03-23 |
Family
ID=17185871
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24895399A Pending JP2001076375A (ja) | 1999-09-02 | 1999-09-02 | 整形プリズム及び該整形プリズムを用いた光ピックアップ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001076375A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009070499A (ja) * | 2007-09-14 | 2009-04-02 | Sanyo Electric Co Ltd | 光ピックアップ装置 |
| CN116499975A (zh) * | 2023-06-29 | 2023-07-28 | 之江实验室 | 一种用于光学表面波传感器的棱镜装置及其设计安装方法 |
-
1999
- 1999-09-02 JP JP24895399A patent/JP2001076375A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009070499A (ja) * | 2007-09-14 | 2009-04-02 | Sanyo Electric Co Ltd | 光ピックアップ装置 |
| CN116499975A (zh) * | 2023-06-29 | 2023-07-28 | 之江实验室 | 一种用于光学表面波传感器的棱镜装置及其设计安装方法 |
| CN116499975B (zh) * | 2023-06-29 | 2023-09-22 | 之江实验室 | 一种用于光学表面波传感器的棱镜装置及其设计安装方法 |
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