JP2001068888A - 電磁波吸収体 - Google Patents
電磁波吸収体Info
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- JP2001068888A JP2001068888A JP23919499A JP23919499A JP2001068888A JP 2001068888 A JP2001068888 A JP 2001068888A JP 23919499 A JP23919499 A JP 23919499A JP 23919499 A JP23919499 A JP 23919499A JP 2001068888 A JP2001068888 A JP 2001068888A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 取扱い性がよくかつ電子部品から放射される
電磁波を漏れなく充分に吸収する電磁波吸収体を提供す
る。 【解決手段】 磁性体粒子からなる電磁波吸収材料と、
前記電磁波吸収材料と有機結合材を混練して形成された
混合体からなる電磁波吸収体５において、前記有機結合
材は加熱により軟化しさらに硬化可能な半硬化状態に形
成した。
電磁波を漏れなく充分に吸収する電磁波吸収体を提供す
る。 【解決手段】 磁性体粒子からなる電磁波吸収材料と、
前記電磁波吸収材料と有機結合材を混練して形成された
混合体からなる電磁波吸収体５において、前記有機結合
材は加熱により軟化しさらに硬化可能な半硬化状態に形
成した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電磁波吸収体に関す
る。より詳しくは、電子部品などから放射する電磁波を
吸収するための電磁波吸収材料と有機結合材を混練して
形成した電磁波吸収体に関するものである。
る。より詳しくは、電子部品などから放射する電磁波を
吸収するための電磁波吸収材料と有機結合材を混練して
形成した電磁波吸収体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電子機器あるいは通信装置等において、
電子部品から放射する電磁波による周囲の半導体装置等
への悪影響を防止するために、磁性体粒子からなる電磁
波吸収材料と有機結合材を混練した電磁波吸収体が用い
られている。
電子部品から放射する電磁波による周囲の半導体装置等
への悪影響を防止するために、磁性体粒子からなる電磁
波吸収材料と有機結合材を混練した電磁波吸収体が用い
られている。
【０００３】図２は従来の電磁波吸収体の使用状態を示
す概略図である。図示したように、基板３１上に銅パタ
ーン３２が形成され、この銅パターン３２にリード端子
３３を介してＩＣチップ３４が接合されている。このよ
うにして形成された半導体装置から放射する電磁波によ
る電磁干渉を抑制するために、ＩＣチップ３４上に、両
面テープ３５を介してシート状の電磁波吸収体（吸収シ
ート）３６を貼着していた。
す概略図である。図示したように、基板３１上に銅パタ
ーン３２が形成され、この銅パターン３２にリード端子
３３を介してＩＣチップ３４が接合されている。このよ
うにして形成された半導体装置から放射する電磁波によ
る電磁干渉を抑制するために、ＩＣチップ３４上に、両
面テープ３５を介してシート状の電磁波吸収体（吸収シ
ート）３６を貼着していた。
【０００４】このシート状電磁波吸収体３６は、電磁波
吸収材料としてフェライト系や金属系のものを用い、フ
ェライト系には例えば、Ｎｉ−Ｚｎ系、Ｍｎ−Ｚｎ系の
フェライト材料があり、金属系には例えば、ケイ素鋼
（Ｆｅ−Ｓｉ）、センダスト（Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ）、パ
ーマロイ（Ｆｅ−Ｎｉ）などの合金材料がある。これら
をそれぞれ１００μｍ以下の粒子の球状や扁平状のもの
をゴム、シリコン又は塩化ビニル等の有機結合材と混合
し、シート状にしたものを使用する。
吸収材料としてフェライト系や金属系のものを用い、フ
ェライト系には例えば、Ｎｉ−Ｚｎ系、Ｍｎ−Ｚｎ系の
フェライト材料があり、金属系には例えば、ケイ素鋼
（Ｆｅ−Ｓｉ）、センダスト（Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ）、パ
ーマロイ（Ｆｅ−Ｎｉ）などの合金材料がある。これら
をそれぞれ１００μｍ以下の粒子の球状や扁平状のもの
をゴム、シリコン又は塩化ビニル等の有機結合材と混合
し、シート状にしたものを使用する。
【０００５】このように、一定の厚さや形状に安定して
保持されるシート状の電磁波吸収体を用いることによ
り、これを使用すべき場所の形状や大きさに合わせて適
宜切断して貼布することができ、ムラなく安定した吸収
特性が得られるとともに取扱い性や取付け作業性が良好
なものとなる。
保持されるシート状の電磁波吸収体を用いることによ
り、これを使用すべき場所の形状や大きさに合わせて適
宜切断して貼布することができ、ムラなく安定した吸収
特性が得られるとともに取扱い性や取付け作業性が良好
なものとなる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の電磁波吸収体では、半導体装置からの電磁波による
放射ノイズを完全に吸収することはできなかった。これ
は、放射ノイズはリード端子からも放射されるため、従
来のようにＩＣチップの上面に吸収シートを被せただけ
では、リード端子と吸収シートとの間に隙間が形成さ
れ、そこから電磁波が漏れて放射されるためである。
来の電磁波吸収体では、半導体装置からの電磁波による
放射ノイズを完全に吸収することはできなかった。これ
は、放射ノイズはリード端子からも放射されるため、従
来のようにＩＣチップの上面に吸収シートを被せただけ
では、リード端子と吸収シートとの間に隙間が形成さ
れ、そこから電磁波が漏れて放射されるためである。
【０００７】一方、磁性粉を流動性のある有機結合材と
混合してペースト状混合体を形成し、これをリード端子
等を含め電子部品全体を覆って塗布するペースト状電磁
波吸収体が従来用いられている。
混合してペースト状混合体を形成し、これをリード端子
等を含め電子部品全体を覆って塗布するペースト状電磁
波吸収体が従来用いられている。
【０００８】しかしながら、このようなペースト状電磁
波吸収体は、流動性のため一定の厚さや形状に保たれ
ず、塗布ムラが生じたり、凸部や隅部での塗布不良が生
じやすく、安定した吸収特性が得られず、また形状が一
定でないため取扱い性も不便である。
波吸収体は、流動性のため一定の厚さや形状に保たれ
ず、塗布ムラが生じたり、凸部や隅部での塗布不良が生
じやすく、安定した吸収特性が得られず、また形状が一
定でないため取扱い性も不便である。
【０００９】本発明は、上記従来技術を考慮したもので
あって、取扱い性が良好でかつ電子部品から放射される
電磁波を漏れなく充分に吸収する電磁波吸収体の提供を
目的とする。
あって、取扱い性が良好でかつ電子部品から放射される
電磁波を漏れなく充分に吸収する電磁波吸収体の提供を
目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明では、磁性体粒子からなる電磁波吸収材料
と、前記電磁波吸収材料と有機結合材を混練して形成さ
れた混合体からなる電磁波吸収体において、前記有機結
合材は加熱により軟化しさらに硬化可能な半硬化状態に
形成されたことを特徴とする電磁波吸収体を提供する。
め、本発明では、磁性体粒子からなる電磁波吸収材料
と、前記電磁波吸収材料と有機結合材を混練して形成さ
れた混合体からなる電磁波吸収体において、前記有機結
合材は加熱により軟化しさらに硬化可能な半硬化状態に
形成されたことを特徴とする電磁波吸収体を提供する。
【００１１】この構成によれば、有機結合材として、加
熱により容易に軟化し、さらに加熱して硬化重合し、形
状や性質が安定する半硬化状態の例えばＢステージエポ
キシ系樹脂を用いる。使用時には、このような半硬化状
態の電磁波吸収体を電子部品などの上に載せ、これを加
熱して軟化させることによって電磁波を放射する部位
を、その形状の複雑さに関係なく覆うことができる。さ
らにこれを加熱、硬化させることによってその形状を保
つことができるので、電子部品から放射される電磁波を
漏れなく充分に吸収することができる。
熱により容易に軟化し、さらに加熱して硬化重合し、形
状や性質が安定する半硬化状態の例えばＢステージエポ
キシ系樹脂を用いる。使用時には、このような半硬化状
態の電磁波吸収体を電子部品などの上に載せ、これを加
熱して軟化させることによって電磁波を放射する部位
を、その形状の複雑さに関係なく覆うことができる。さ
らにこれを加熱、硬化させることによってその形状を保
つことができるので、電子部品から放射される電磁波を
漏れなく充分に吸収することができる。
【００１２】好ましい構成例においては、前記混合体を
シート状に形成したことを特徴としている。
シート状に形成したことを特徴としている。
【００１３】この構成によれば、混合体である半硬化状
態の電磁波吸収体はシート状の一定の形状を保つことが
できるので、ペースト状のように塗布したときに流れ落
ちたり、塗布ムラや塗布不良を生ずることはなく、ムラ
なく安定した吸収特性が得られ取扱い性も良好なものと
なる。
態の電磁波吸収体はシート状の一定の形状を保つことが
できるので、ペースト状のように塗布したときに流れ落
ちたり、塗布ムラや塗布不良を生ずることはなく、ムラ
なく安定した吸収特性が得られ取扱い性も良好なものと
なる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。図１は本発明に係る電磁波
吸収体の使用方法を順番に示す概略図である。（Ａ）に
示すように、基板１上に銅パターン２が形成され、この
銅パターン２にリード端子３を介してＩＣチップ４が接
合されている。このようにして形成された半導体装置か
ら放射する電磁波による電磁干渉を抑制するための、シ
ート状の厚さ０．５〜１ｍｍの電磁波吸収体５を用意す
る。
施の形態について説明する。図１は本発明に係る電磁波
吸収体の使用方法を順番に示す概略図である。（Ａ）に
示すように、基板１上に銅パターン２が形成され、この
銅パターン２にリード端子３を介してＩＣチップ４が接
合されている。このようにして形成された半導体装置か
ら放射する電磁波による電磁干渉を抑制するための、シ
ート状の厚さ０．５〜１ｍｍの電磁波吸収体５を用意す
る。
【００１５】このシート状電磁波吸収体５は、電磁波吸
収材料としてフェライト系や金属系のものを用い、フェ
ライト系には例えば、Ｎｉ−Ｚｎ系、Ｍｎ−Ｚｎ系のフ
ェライト材料があり、金属系には例えば、ケイ素鋼（Ｆ
ｅ−Ｓｉ）、センダスト（Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ）、パーマ
ロイ（Ｆｅ−Ｎｉ）などの合金材料がある。これらをそ
れぞれ１００μｍ以下の粒子の球状や扁平状のものを樹
脂（樹脂２０％以下）等の有機結合材と混合し、シート
状にしたものを使用する。
収材料としてフェライト系や金属系のものを用い、フェ
ライト系には例えば、Ｎｉ−Ｚｎ系、Ｍｎ−Ｚｎ系のフ
ェライト材料があり、金属系には例えば、ケイ素鋼（Ｆ
ｅ−Ｓｉ）、センダスト（Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ）、パーマ
ロイ（Ｆｅ−Ｎｉ）などの合金材料がある。これらをそ
れぞれ１００μｍ以下の粒子の球状や扁平状のものを樹
脂（樹脂２０％以下）等の有機結合材と混合し、シート
状にしたものを使用する。
【００１６】この有機結合材には、Ｂステージエポキシ
系樹脂等からなり、加熱により軟化しさらに加熱するこ
とによって硬化する半硬化状態のものを用いる。
系樹脂等からなり、加熱により軟化しさらに加熱するこ
とによって硬化する半硬化状態のものを用いる。
【００１７】次に（Ｂ）に示すように、電磁波吸収体５
をＩＣチップ４に載置した後、加熱（８０〜１００℃）
する。この加熱により電磁波吸収体５の軟化が開始する
ので、電磁波吸収体５の端部を下方（矢印方向）に押圧
する。
をＩＣチップ４に載置した後、加熱（８０〜１００℃）
する。この加熱により電磁波吸収体５の軟化が開始する
ので、電磁波吸収体５の端部を下方（矢印方向）に押圧
する。
【００１８】続いて（Ｃ）に示すように、軟化した電磁
波吸収体５がＩＣチップ４、リード端子３などの電磁波
を放射する電子部品を覆った後、１５０℃に加熱してキ
ュア（硬化）させる。この加熱を２時間ほど行うことに
より、電磁波吸収体５は硬化重合し、形状や性質が安定
し電子部品を完全に覆う。
波吸収体５がＩＣチップ４、リード端子３などの電磁波
を放射する電子部品を覆った後、１５０℃に加熱してキ
ュア（硬化）させる。この加熱を２時間ほど行うことに
より、電磁波吸収体５は硬化重合し、形状や性質が安定
し電子部品を完全に覆う。
【００１９】これにより取扱い性のよいシート状の電磁
波吸収体を用いて、ペースト状のように流れ落ちること
なく、安定した厚さを保って充分に電子部品を覆うこと
ができる。なお、本発明はリード端子を有するＩＣ部品
に限らず、各種電子部品や通信装置などに対し適用可能
であり、適用対象物をその形状に合わせて簡単に確実に
電磁的に覆うことができる。
波吸収体を用いて、ペースト状のように流れ落ちること
なく、安定した厚さを保って充分に電子部品を覆うこと
ができる。なお、本発明はリード端子を有するＩＣ部品
に限らず、各種電子部品や通信装置などに対し適用可能
であり、適用対象物をその形状に合わせて簡単に確実に
電磁的に覆うことができる。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明において
は、有機結合材として、加熱により容易に軟化し、さら
に加熱して硬化重合し、形状や性質が安定する半硬化状
態の例えばＢステージエポキシ系樹脂を用いるので、こ
れにより形成されたシート状電磁波吸収体を対象物の上
に載せて軟化させることによって電磁波を放射する部位
をその形状の複雑さに関係なく覆うことができ、さらに
硬化させることによってその形状を保つことができるの
で、電子部品から放射される電磁波を漏らすことなく充
分に吸収することができる。
は、有機結合材として、加熱により容易に軟化し、さら
に加熱して硬化重合し、形状や性質が安定する半硬化状
態の例えばＢステージエポキシ系樹脂を用いるので、こ
れにより形成されたシート状電磁波吸収体を対象物の上
に載せて軟化させることによって電磁波を放射する部位
をその形状の複雑さに関係なく覆うことができ、さらに
硬化させることによってその形状を保つことができるの
で、電子部品から放射される電磁波を漏らすことなく充
分に吸収することができる。
【図１】 本発明に係る電磁波吸収体の使用方法を順番
に示す概略図。
に示す概略図。
【図２】 従来の電磁波吸収体の使用状態を示す概略
図。
図。
１：基板、２：銅パターン、３：リード端子、４：ＩＣ
チップ、５：電磁波吸収体
チップ、５：電磁波吸収体
Claims (2)
- 【請求項１】磁性体粒子からなる電磁波吸収材料と、 前記電磁波吸収材料と有機結合材を混練して形成された
混合体からなる電磁波吸収体において、 前記有機結合材は加熱により軟化しさらに硬化可能な半
硬化状態に形成されたことを特徴とする電磁波吸収体。 - 【請求項２】前記混合体をシート状に形成したことを特
徴とする請求項１に記載の電磁波吸収体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23919499A JP2001068888A (ja) | 1999-08-26 | 1999-08-26 | 電磁波吸収体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23919499A JP2001068888A (ja) | 1999-08-26 | 1999-08-26 | 電磁波吸収体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001068888A true JP2001068888A (ja) | 2001-03-16 |
Family
ID=17041131
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23919499A Pending JP2001068888A (ja) | 1999-08-26 | 1999-08-26 | 電磁波吸収体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001068888A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001250873A (ja) * | 2000-01-24 | 2001-09-14 | Infineon Technologies Ag | 防護装置および装置を有する電気的な構成素子 |
| JP2003273571A (ja) * | 2002-03-18 | 2003-09-26 | Fujitsu Ltd | 素子間干渉電波シールド型高周波モジュール |
| KR100814278B1 (ko) | 2006-09-14 | 2008-03-18 | 한국기계연구원 | 비-스테이지 경화된 레진필름을 이용한 전자파 흡수체 및이의 제조방법 |
| US11444397B2 (en) | 2015-07-07 | 2022-09-13 | Amphenol Fci Asia Pte. Ltd. | Electrical connector with cavity between terminals |
| US11469554B2 (en) | 2020-01-27 | 2022-10-11 | Fci Usa Llc | High speed, high density direct mate orthogonal connector |
| US11522310B2 (en) | 2012-08-22 | 2022-12-06 | Amphenol Corporation | High-frequency electrical connector |
| US11539171B2 (en) | 2016-08-23 | 2022-12-27 | Amphenol Corporation | Connector configurable for high performance |
| US11715914B2 (en) | 2014-01-22 | 2023-08-01 | Amphenol Corporation | High speed, high density electrical connector with shielded signal paths |
| US11757224B2 (en) | 2010-05-07 | 2023-09-12 | Amphenol Corporation | High performance cable connector |
| US11757215B2 (en) | 2018-09-26 | 2023-09-12 | Amphenol East Asia Electronic Technology (Shenzhen) Co., Ltd. | High speed electrical connector and printed circuit board thereof |
| US11799246B2 (en) | 2020-01-27 | 2023-10-24 | Fci Usa Llc | High speed connector |
| US11817655B2 (en) | 2020-09-25 | 2023-11-14 | Amphenol Commercial Products (Chengdu) Co., Ltd. | Compact, high speed electrical connector |
| US11942716B2 (en) | 2020-09-22 | 2024-03-26 | Amphenol Commercial Products (Chengdu) Co., Ltd. | High speed electrical connector |
-
1999
- 1999-08-26 JP JP23919499A patent/JP2001068888A/ja active Pending
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001250873A (ja) * | 2000-01-24 | 2001-09-14 | Infineon Technologies Ag | 防護装置および装置を有する電気的な構成素子 |
| JP2003273571A (ja) * | 2002-03-18 | 2003-09-26 | Fujitsu Ltd | 素子間干渉電波シールド型高周波モジュール |
| KR100814278B1 (ko) | 2006-09-14 | 2008-03-18 | 한국기계연구원 | 비-스테이지 경화된 레진필름을 이용한 전자파 흡수체 및이의 제조방법 |
| US11757224B2 (en) | 2010-05-07 | 2023-09-12 | Amphenol Corporation | High performance cable connector |
| US11901663B2 (en) | 2012-08-22 | 2024-02-13 | Amphenol Corporation | High-frequency electrical connector |
| US11522310B2 (en) | 2012-08-22 | 2022-12-06 | Amphenol Corporation | High-frequency electrical connector |
| US11715914B2 (en) | 2014-01-22 | 2023-08-01 | Amphenol Corporation | High speed, high density electrical connector with shielded signal paths |
| US11444397B2 (en) | 2015-07-07 | 2022-09-13 | Amphenol Fci Asia Pte. Ltd. | Electrical connector with cavity between terminals |
| US11955742B2 (en) | 2015-07-07 | 2024-04-09 | Amphenol Fci Asia Pte. Ltd. | Electrical connector with cavity between terminals |
| US11539171B2 (en) | 2016-08-23 | 2022-12-27 | Amphenol Corporation | Connector configurable for high performance |
| US11757215B2 (en) | 2018-09-26 | 2023-09-12 | Amphenol East Asia Electronic Technology (Shenzhen) Co., Ltd. | High speed electrical connector and printed circuit board thereof |
| US11469554B2 (en) | 2020-01-27 | 2022-10-11 | Fci Usa Llc | High speed, high density direct mate orthogonal connector |
| US11817657B2 (en) | 2020-01-27 | 2023-11-14 | Fci Usa Llc | High speed, high density direct mate orthogonal connector |
| US11799246B2 (en) | 2020-01-27 | 2023-10-24 | Fci Usa Llc | High speed connector |
| US11469553B2 (en) | 2020-01-27 | 2022-10-11 | Fci Usa Llc | High speed connector |
| US11942716B2 (en) | 2020-09-22 | 2024-03-26 | Amphenol Commercial Products (Chengdu) Co., Ltd. | High speed electrical connector |
| US11817655B2 (en) | 2020-09-25 | 2023-11-14 | Amphenol Commercial Products (Chengdu) Co., Ltd. | Compact, high speed electrical connector |
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