JP2001067964A - Electric contact - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は電気接点、特に、微
少電力の開閉を目的とし、あるいは、微少電力で開閉を
行うことを目的とする貴金属系電気接点に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electrical contact, and more particularly to a noble metal-based electrical contact intended for opening / closing a minute power or for opening / closing with a small amount of power.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来例にかかる電気接点としては、例え
ば、図９および図１０に示すように、固定接触片１の自
由端上面に設けた固定接点２に、可動接触片３の自由端
下面に設けた可動接点４を接離可能に対向させたものが
ある。前記固定接触片１および可動接触片３はＣｕ−Ｎ
ｉ合金等の下地金属からなるものである。一方、前記固
定接点２および可動接点４は、例えば、メッキ法によ
り、金などの低抵抗低融点金属で形成されている。そし
て、図示しない駆動機構を介して前記可動接触片３を駆
動し、可動接点４を固定接点２に接離させて接点を開閉
する。2. Description of the Related Art As a conventional electric contact, for example, as shown in FIGS. 9 and 10, a fixed contact 2 provided on a free end upper surface of a fixed contact piece 1 and a free end lower surface of a movable contact piece 3 are provided. The movable contact 4 provided in the above is opposed to the contact. The fixed contact piece 1 and the movable contact piece 3 are made of Cu-N
It is made of a base metal such as an i-alloy. On the other hand, the fixed contact 2 and the movable contact 4 are made of, for example, a low-resistance low-melting metal such as gold by plating. Then, the movable contact piece 3 is driven via a drive mechanism (not shown), and the movable contact 4 is brought into contact with and separated from the fixed contact 2 to open and close the contact.
【０００３】一方、他の電気接点としては、例えば、図
１１および図１２に示すように、半導体プロセスあるい
はマイクロマシニングプロセスで形成したものがある。
すなわち、ガラスウェハからなる固定基板５上に、真空
蒸着あるいはスパッタリングにより、固定接点６ａおよ
び引き出し線６ｂを低抵抗低融点の貴金属で形成してあ
る。一方、Ｓｉウェハからなる可動基板７のうち、可動
接触片７ａの自由端下面に真空蒸着あるいはスパッタリ
ングによって可動接点８が低抵抗低融点の貴金属で形成
されている。そして、前記固定基板５に可動基板７を陽
極接合することにより、可動接点８が固定接点６ａに接
離可能に対向する。さらに、前記可動基板７の上面隅部
に真空蒸着にてワイヤボンディングパッド９を低抵抗低
融点の貴金属で形成してある。そして、図示しない駆動
機構を介して可動接触片７ａを駆動し、可動接点８を固
定接点６ａに接触させて接点を開閉していた。On the other hand, as another electric contact, for example, as shown in FIGS. 11 and 12, there is an electric contact formed by a semiconductor process or a micromachining process.
That is, the fixed contact 6a and the lead wire 6b are formed of a low-resistance and low-melting noble metal on the fixed substrate 5 made of a glass wafer by vacuum evaporation or sputtering. On the other hand, a movable contact 8 is formed of a noble metal having a low resistance and a low melting point on a lower surface of a free end of a movable contact piece 7a of a movable substrate 7 made of a Si wafer by vacuum evaporation or sputtering. Then, by anodically bonding the movable substrate 7 to the fixed substrate 5, the movable contact 8 is opposed to the fixed contact 6a so as to be able to contact and separate therefrom. Further, a wire bonding pad 9 is formed of a noble metal having a low resistance and a low melting point on the upper surface corner of the movable substrate 7 by vacuum evaporation. Then, the movable contact piece 7a is driven via a drive mechanism (not shown) to bring the movable contact 8 into contact with the fixed contact 6a to open and close the contact.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述の
従来例にかかる電気接点は、いずれも硬度が低く、露出
しているので、接点開閉時に相互に溶着しやすい。特
に、低抵抗低融点の貴金属からなる接点は、接点開閉時
に一方の接点の貴金属が他方の接点に移動する、いわゆ
る転移を起こしやすいという問題点がある。However, the electrical contacts according to the prior art described above have low hardness and are exposed, so that they are easily welded to each other when the contacts are opened and closed. In particular, a contact made of a noble metal having a low resistance and a low melting point has a problem that the so-called transition is likely to occur when the noble metal of one contact moves to the other contact when the contacts are opened and closed.
【０００５】この問題点を解決すべく、高硬度の高融点
金属を接点に使用することも考えられる。しかし、通
常、高硬度金属はバルク抵抗値が大きく、接触抵抗が増
大するので、開閉特性が低下する。[0005] In order to solve this problem, it is conceivable to use a high-hardness refractory metal for the contact. However, usually, a high hardness metal has a large bulk resistance value and an increased contact resistance, so that the switching characteristics are deteriorated.
【０００６】また、接点表面を金以外の貴金属、例え
ば、銀で被覆すると、酸化等による経時変化を起こしや
すい。このため、接点表面を周囲の酸素等から隔離する
必要があり，手間がかかるという問題点があった。If the contact surface is coated with a noble metal other than gold, for example, silver, it tends to change with time due to oxidation or the like. For this reason, it is necessary to isolate the contact surface from the surrounding oxygen and the like, and there is a problem that it takes time and effort.
【０００７】本発明は、前記問題点に鑑み、接触抵抗値
を増大させずに接点溶着,転移を防止でき、かつ、経時
劣化が生じない電気接点を提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above problems, an object of the present invention is to provide an electric contact which can prevent contact welding and transfer without increasing the contact resistance value and does not cause deterioration with time.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明に係る電気接点
は、前記目的を達成すべく、対向する貴金属系接点の少
なくともいずれか一方の接触面に、高硬度の超極薄層を
形成した構成としてある。In order to achieve the above object, the electric contact according to the present invention has a structure in which a high hardness ultra-thin layer is formed on at least one of the contact surfaces of the opposing noble metal contact. There is.
【０００９】前記超極薄層は散点状に形成してもよい。
また、対向する貴金属系接点うち、一方の貴金属系接点
の超極薄層を一様な層とし、他方の貴金属系接点の超極
薄層を散点状に形成してもよい。[0009] The ultra-thin layer may be formed in a scattered point shape.
Further, among the opposing noble metal contacts, the ultra-thin layer of one noble metal contact may be formed as a uniform layer, and the ultra-thin layer of the other noble metal contact may be formed in a scattered manner.
【００１０】前記超極薄層は、高硬度の高融点金属で形
成してもよく、あるいは、絶縁材で形成してもよい。The ultra-thin layer may be formed of a high-hardness, high-melting-point metal or an insulating material.
【００１１】[0011]
【発明の実施の形態】本発明に係る第１実施形態は、図
１および図２に示すように、通常のメカニック式リレー
の接点に適用した場合である。すなわち、接触片１０の
自由端上面に接点１１が形成され、さらに、その表面に
超極薄層１２が形成されている。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A first embodiment according to the present invention is a case where the present invention is applied to a contact of a normal mechanical relay, as shown in FIGS. That is, the contact 11 is formed on the upper surface of the free end of the contact piece 10, and the ultra-thin layer 12 is formed on the surface.
【００１２】前記接触片１１を形成する下地金属として
は、例えば、Ｃｕ−Ｎｉの合金が挙げられる。The base metal for forming the contact piece 11 is, for example, a Cu--Ni alloy.
【００１３】前記接点１２としては、所定の低抵抗値を
有するものであればよく、例えば、Ａｕ，Ａｇ，Ｐｔの
貴金属単体、および、これらの合金が挙げられる。The contact 12 has only to have a predetermined low resistance value, and examples thereof include noble metals such as Au, Ag, and Pt, and alloys thereof.
【００１４】接点の厚さは、必要に応じて適宜選択でき
るが、数μｍ〜数十μｍ、特に、１０μｍ〜２０μｍが
好適である。数μｍ未満であると、使用途中の摩滅によ
って抵抗が急激に増加しやすく、耐久性，信頼性が低い
からであり、数十μｍを越えると、コストアップにつな
がるからである。The thickness of the contact can be appropriately selected as needed, but is preferably several μm to several tens μm, particularly preferably 10 μm to 20 μm. If the thickness is less than several μm, the resistance tends to increase rapidly due to wear during use, and the durability and reliability are low. If it exceeds tens of μm, the cost increases.
【００１５】接点の形成方法としては、例えば、メッキ
法，抵抗溶接法，スパッタリング法等の既存の方法から
選択できる。The method of forming the contact can be selected from existing methods such as, for example, plating, resistance welding, and sputtering.
【００１６】前記超極薄層の材料としては、高硬度の高
融点金属、あるいは、絶縁材が考えられる。そして、高
硬度の高融点金属としては、例えば、タングステン，タ
ンタル，モリブデン，チタンの単体、および、これらの
合金、例えば、窒化チタンなどが挙げられる。特に、タ
ンタルは酸化しても、所定の厚さ以下であれば、所望の
抵抗値を確保できる。また、絶縁材としては、Ｓｉ
Ｏ2，ＴｉＯ2，Ｔａ2Ｏ5などが挙げられる。As the material of the ultra-thin layer, a high-hardness refractory metal or an insulating material can be considered. Examples of the high-hardness high-melting point metal include, for example, simple substances of tungsten, tantalum, molybdenum, and titanium, and alloys thereof, for example, titanium nitride. In particular, even if tantalum is oxidized, a desired resistance value can be ensured if the thickness is not more than a predetermined thickness. Further, as the insulating material, Si
O 2 , TiO 2 , Ta 2 O 5 and the like can be mentioned.
【００１７】超極薄層の形成方法は、スパッタリング，
真空蒸着，ＣＶＤ法，ＭＢＥ法などの既存の方法によっ
て形成できる。The method for forming the ultra-thin layer is sputtering,
It can be formed by existing methods such as vacuum deposition, CVD, and MBE.
【００１８】超極薄層の厚さは、必要に応じ、接点材，
被覆材の組合せによって選択できるが、いわゆるトンネ
ル効果を得るため、下記の式によって求められる。 トンネル確率：Ｔt＝ｅｘｐ（−８πＷ（２ｑｍeＸB）
1/2／３ｈ） Ｗ：障壁幅 ｑ：電子素電荷 ｍe：電子有効質量 ＸB：ポテンシャル高さ ｈ：プランク常数 前記トンネル確率は、障壁間のエネルギーポテンシャル
差（高さ）ＸBのとき、トンネル効果によって電子が障
壁間を流れる確率を示す。The thickness of the ultra-thin layer may be adjusted according to need,
It can be selected depending on the combination of the coating materials, but is obtained by the following equation to obtain a so-called tunnel effect. Tunneling probability: T t = exp (-8πW ( 2qm e X B)
1/2 / 3h) W: barrier width q: electron elementary charge m e: electron effective mass X B: Potential Height h: Planck's constant the tunnel probability, when the energy potential difference (height) X B between barriers And the probability that electrons flow between barriers due to the tunnel effect.
【００１９】 トンネル電流密度：Ｊ＝ｑ・Ｖth・ｎ・Ｔｔ Ｖth：電子速度 ｎ：電子密度 前記トンネル電流密度は、トンネル確率Ｔｔのときの電
流密度を示す。そして、接点間を流れる電流値は、トン
ネル電流密度と面積との積によって求められる。Tunnel current density: J = q · V th · n · Tt V th : electron velocity n: electron density The tunnel current density indicates a current density at a tunnel probability Tt. The value of the current flowing between the contacts is determined by the product of the tunnel current density and the area.
【００２０】なお、前述の式において使用される記号に
は、下記の数値が挿入される。 π＝３．１４１５９２６５４ ｑ［Ｃ］＝１．６０Ｅ−１９ ｍe［ｋｇ］＝１．８２１８Ｅ−３１ ＸB［ｅＶ］＝１．１ （Ａｕと酸化膜とのポテンシャ
ル障壁） ｈ［Ｊｓ］＝６．６２６Ｅ−３４ Ｖth［ｃｍ／ｓ］＝５．６５Ｅ＋０６ ｎ［個／ｃｍ3］＝２×１０20 Note that the following numerical values are inserted into the symbols used in the above-described formula. π = 3.141592654 q [C] = 1.60E-19 m e [kg] = 1.8218E-31 X B [eV] = 1.1 (Au as a potential barrier between the oxide film) h [Js] = 6.626E-34 V th [cm / s] = 5.65E + 06 n [pcs / cm 3 ] = 2 × 10 20
【００２１】そして、接点にＡｕ、超極薄層にＳｉＯ2
を使用した場合ついて計算した。計算結果を図８
（ａ），（ｂ）に示す。図８（ａ）から明らかなよう
に、超極薄層が４０Å未満の場合に単位面積当たりに流
れる電流が著しく増大し、いわゆるトンネル効果が生じ
ることが判った。そして、図８（ｂ）から、所定の接触
面積を有する接点が、接触抵抗の増加を防止しつつ、接
点溶着を回避するためには、超極薄層の厚さを２０Å未
満にする必要があることが判明した。Then, Au is used for the contact and SiO 2 is used for the ultra-thin layer.
It was calculated when using. Fig. 8 shows the calculation results.
(A) and (b) show. As is clear from FIG. 8A, when the thickness of the ultra-thin layer is less than 40 °, the current flowing per unit area is remarkably increased, so that a so-called tunnel effect occurs. From FIG. 8 (b), it is necessary that the thickness of the ultra-thin layer is less than 20 ° so that the contact having the predetermined contact area can prevent the contact resistance from increasing while preventing the contact resistance from increasing. It turned out to be.
【００２２】したがって、前述の計算結果から、接点の
材質や超極薄層の材質によって異なるが、前記超極薄層
の厚さは、５Å〜２０Å、特に、１０Å〜２０Åが好適
である。５Å未満であると、効果が無くなるからであ
り、２０Åを越えると、急激にトンネル電流が減少する
からである。Therefore, from the above calculation results, the thickness of the ultra-thin layer is preferably from 5 to 20 degrees, particularly from 10 to 20 degrees, though it depends on the material of the contact and the material of the ultra-thin layer. If the angle is less than 5 °, the effect is lost, and if it exceeds 20 °, the tunnel current is sharply reduced.
【００２３】本発明に係る第２実施形態は、図３および
図４に示すように、超極薄層が接点の表面に散点状に形
成された不連続な点の集合体からなる場合である。超極
薄層の厚さ，材質は第１実施形態と同様である。ただ
し、散点状の超極薄層の厚さは、超極薄層の材質がスパ
ッター法で形成される層である場合には、５０Å以下で
あることが好ましい。厚さが５０Åを越えると、散点状
にならず、連続薄膜となるからである。In the second embodiment according to the present invention, as shown in FIGS. 3 and 4, the ultra-thin layer is composed of a group of discontinuous points formed in a scattered manner on the surface of the contact. is there. The thickness and material of the ultra-thin layer are the same as in the first embodiment. However, the thickness of the scattered ultra-thin layer is preferably 50 ° or less when the material of the ultra-thin layer is a layer formed by a sputtering method. This is because if the thickness exceeds 50 °, it does not become a scattered point but becomes a continuous thin film.
【００２４】各点の大きさは、限定するものではない
が、直径１０Å〜０．１μｍ、特に、直径２０Å〜１０
０Åが好適である。１０Å未満であると、面積が小さく
なって効果が薄れるからであり、０．１μｍを越える
と、散点状にならず、連続薄膜になりやすいからであ
る。Although the size of each point is not limited, the diameter is 10Å to 0.1 μm, particularly, 20Å to 10 直径.
0 ° is preferred. If it is less than 10 °, the effect is diminished because the area becomes small, and if it exceeds 0.1 μm, it does not become a scattered point and tends to become a continuous thin film.
【００２５】不連続な点の集合体からなる超極薄層１３
は、前述の第１実施形態と同様な方法で形成でき、他は
前述の第１実施形態と同様であるので，説明を省略す
る。Ultra-thin layer 13 composed of a collection of discontinuous points
Can be formed by a method similar to that of the above-described first embodiment, and the other parts are the same as those of the above-described first embodiment, and thus description thereof will be omitted.
【００２６】要するに、本発明にかかる超極薄層は、一
様な厚さのものに限らず、不連続な点の集合体であって
もよく、あるいは、複数個の点がつながって島を形成し
たものでもよく、または、これらが混在したものであっ
てもよい。In short, the ultra-thin layer according to the present invention is not limited to a layer having a uniform thickness, but may be an aggregate of discontinuous points, or a plurality of points connected to form an island. It may be formed or a mixture of these.
【００２７】本発明に係る第３実施形態の接点は、図５
および図６に示すように、半導体プロセスあるいはマイ
クロマシニングプロセスで形成した場合である。すなわ
ち、ガラスウェハからなる固定基板１４の上に固定接点
１５および引き出し線１６が形成されている。さらに、
前記固定接点１５の表面には超極薄層１７が形成されて
いる（図６）。FIG. 5 shows a contact according to a third embodiment of the present invention.
As shown in FIG. 6 and FIG. 6, the semiconductor device is formed by a semiconductor process or a micromachining process. That is, the fixed contact 15 and the lead 16 are formed on the fixed substrate 14 made of a glass wafer. further,
An ultra-thin layer 17 is formed on the surface of the fixed contact 15 (FIG. 6).
【００２８】一方、Ｓｉウェハからなる可動基板１８
は、その可動接触片１９の自由端下面に可動接点２０を
形成してある。この可動接点２０の表面には超極薄層２
１が形成されている（図６）。そして、前記固定基板１
４の上面に可動基板１８を位置決めして陽極接合するこ
とにより、固定接点１５に可動接点２０が接離可能に対
向する。なお、２２はワイヤボンディングパッドである
（図５）。On the other hand, the movable substrate 18 made of a Si wafer
Has a movable contact 20 formed on the lower surface of the free end of the movable contact piece 19. The surface of the movable contact 20 has an ultra-thin layer 2
1 are formed (FIG. 6). And the fixed substrate 1
By positioning the movable substrate 18 on the upper surface of the substrate 4 and performing anodic bonding, the movable contact 20 is opposed to the fixed contact 15 so as to be able to contact and separate therefrom. Reference numeral 22 denotes a wire bonding pad (FIG. 5).
【００２９】固定基板１４の固定接点１５，引き出し線
１６、および、可動接触片１９の可動接点２０の材料と
しては、Ａｕ，Ａｇ，Ｐｔなどの貴金属単体，あるい
は，これらの合金を使用できる。そして、固定接点１
５，可動接点２０の厚さは、数千Å〜数十μｍ、特に、
１μｍ〜１０μｍが好適である。数千Å未満であると、
配線の抵抗が高くなり過ぎるからであり、１０μｍを越
えると、マイクロリレーとして大きさのメリットが小さ
くなるからである。As a material of the fixed contact 15, the lead wire 16 of the fixed substrate 14, and the movable contact 20 of the movable contact piece 19, a single noble metal such as Au, Ag, or Pt, or an alloy thereof can be used. And fixed contact 1
5, The thickness of the movable contact 20 is several thousand to several tens μm,
1 μm to 10 μm is preferred. If it is less than several thousand square meters,
This is because the resistance of the wiring becomes too high, and if it exceeds 10 μm, the size advantage as a microrelay is reduced.
【００３０】さらに、前記固定接点１５，引き出し線１
６および可動接点２０の形成方法は、真空蒸着，スパッ
タリング、メッキ、ＣＶＤ、ＭＢＥ法等の方法から選択
できる。Further, the fixed contact 15 and the lead 1
6 and the method of forming the movable contact 20 can be selected from methods such as vacuum deposition, sputtering, plating, CVD, and MBE.
【００３１】一方、超極薄層の形成は、前述の実施形態
と同様の材料を利用することにより、ＣＶＤ法、スパッ
タリング，真空蒸着，ＭＢＥ法などの方法によって形成
できる。On the other hand, the ultra-thin layer can be formed by a method such as a CVD method, a sputtering method, a vacuum deposition method, and an MBE method by using the same material as in the above-described embodiment.
【００３２】前記超極薄層１７，２１の厚さは５Å〜２
０Å、特に、１０Å〜２０Åが好適である。５Å未満で
あると、効果がなくなるからであり、２０Åを越える
と、急激にトンネル電流が減少するからである。The thickness of the ultra-thin layers 17 and 21 is 5 は to 2
0 °, in particular, 10 ° to 20 ° is preferred. If the angle is less than 5 °, the effect is lost, and if it exceeds 20 °, the tunnel current sharply decreases.
【００３３】なお、第３実施形態の超極薄層１７，２１
は一様な厚さを有するものにかぎらず、例えば、図７に
示すように、不連続な点の集合体である超極薄層２２，
２３であってもよい（第４実施形態）。他は前述の実施
形態と同様であるので、説明を省略する。The ultra-thin layers 17, 21 of the third embodiment
Are not limited to those having a uniform thickness. For example, as shown in FIG.
23 (fourth embodiment). Other configurations are the same as those of the above-described embodiment, and the description is omitted.
【００３４】[0034]
【発明の効果】本発明の請求項１によれば、対向する貴
金属系接点の少なくともいずれか一方の接触面に、高硬
度の超極薄層を形成してある。このため、トンネル効果
を確保でき、接触抵抗を増大させずに接点溶着および接
点の転移を防止できる。また、接点の表面を超極薄層で
被覆してあるので、酸素等から隔離でき、経時劣化を簡
単に防止できる。According to the first aspect of the present invention, an ultra-thin layer having high hardness is formed on at least one of the contact surfaces of the opposing noble metal contacts. For this reason, a tunnel effect can be ensured, and contact welding and contact transfer can be prevented without increasing the contact resistance. Further, since the surface of the contact is covered with an ultra-thin layer, it can be isolated from oxygen and the like, and deterioration with time can be easily prevented.
【００３５】請求項２によれば、接点の表面に散点状に
形成した超極薄層を介して接点同士が当接する。このた
め、接点同士が直接接触することがなく、散点状の超極
薄層を介して導通し、請求項１と同様な効果が得られ
る。According to the second aspect, the contacts come into contact with each other via the ultra-thin layer formed on the surface of the contacts in a scattered manner. For this reason, the contacts do not come into direct contact with each other, but conduct through the scattered ultra-thin layer, and the same effect as in claim 1 is obtained.
【００３６】請求項３によれば、対向する接点表面に設
けた超極薄層の表面形状がそれぞれ異なる。このため、
接点の材質等に応じて表面形状を選択でき、設計の自由
度が広がる。According to the third aspect, the surface shapes of the ultra-thin layers provided on the opposing contact surfaces are different from each other. For this reason,
The surface shape can be selected according to the material of the contact, etc., and the degree of freedom in design is expanded.
【００３７】請求項４，５によれば、必要に応じて種々
の材料から超極薄層を形成でき、便利であるという効果
がある。According to the fourth and fifth aspects, it is possible to form an ultra-thin layer from various materials as required, which is advantageous in that it is convenient.
【図１】 本発明に係る電気接点の第１実施形態を示す
斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing a first embodiment of an electric contact according to the present invention.
【図２】 図１の断面図を示し、図（ａ）は横断面図で
あり、図（ｂ）は拡大縦断面図である。2 shows a sectional view of FIG. 1, wherein FIG. 2 (a) is a transverse sectional view and FIG. 2 (b) is an enlarged longitudinal sectional view.
【図３】 本発明に係る電気接点の第２実施形態を示す
斜視図である。FIG. 3 is a perspective view showing a second embodiment of the electric contact according to the present invention.
【図４】 図２の断面図を示し、図（ａ）は横断面図で
あり、図（ｂ）は拡大縦断面図である。4 shows a sectional view of FIG. 2, wherein FIG. 4 (a) is a transverse sectional view and FIG. 4 (b) is an enlarged longitudinal sectional view.
【図５】 本発明に係る電気接点の第３実施形態を示す
正面図である。FIG. 5 is a front view showing a third embodiment of the electric contact according to the present invention.
【図６】 図５の拡大縦断面図である。FIG. 6 is an enlarged vertical sectional view of FIG.
【図７】 本発明に係る電気接点の第４実施形態を示す
拡大縦断面図である。FIG. 7 is an enlarged vertical sectional view showing a fourth embodiment of the electric contact according to the present invention.
【図８】 本発明にかかる電気接点の計算結果を示し、
図（ａ）は電流密度と超極薄層の厚さとの関係を示し、
図（ｂ）は電流と超極薄層の厚さとの関係を示すグラフ
図である。FIG. 8 shows a calculation result of the electric contact according to the present invention,
Figure (a) shows the relationship between the current density and the thickness of the ultra-thin layer,
FIG. 2B is a graph showing the relationship between the current and the thickness of the ultra-thin layer.
【図９】 従来例にかかる電気接点の動作前の状態を示
す正面図である。FIG. 9 is a front view showing a state before operation of an electric contact according to a conventional example.
【図１０】 従来例にかかる電気接点の動作後の状態を
示す正面図である。FIG. 10 is a front view showing a state after operation of an electric contact according to a conventional example.
【図１１】 別の従来例にかかる電気接点の動作前の状
態を示す正面図である。FIG. 11 is a front view showing a state before operation of an electric contact according to another conventional example.
【図１２】 図１１の拡大縦断面図である。FIG. 12 is an enlarged vertical sectional view of FIG.
１０…接触片、１１…接点、１２，１３…超極薄層、１
４…固定基板、１５…固定接点、１６…引き出し線、１
７…超極薄層、１８…可動基板、１９…可動接触片、２
０…可動接点、２１…超極薄層、２２…ワイヤボンディ
ングパッド。10 contact piece, 11 contact, 12, 13 ultra-thin layer, 1
4 ... fixed substrate, 15 ... fixed contact, 16 ... lead wire, 1
7: ultra-thin layer, 18: movable substrate, 19: movable contact piece, 2
0: movable contact, 21: ultra-thin layer, 22: wire bonding pad.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5G023 AA02 AA04 AA05 AA11 BA11 CA15 CA26 CA27 CA50 5G050 AA01 AA03 AA13 AA25 AA29 AA36 AA46 AA48 AA51 AA60 BA04 BA05 CA01 CA12 EA09 EA20 FA01 FA10 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 5G023 AA02 AA04 AA05 AA11 BA11 CA15 CA26 CA27 CA50 5G050 AA01 AA03 AA13 AA25 AA29 AA36 AA46 AA48 AA51 AA60 BA04 BA05 CA01 CA12 EA09 EA20 FA01 FA10
Claims (5)
れか一方の接触面に、高硬度の超極薄層を形成したこと
を特徴とする電気接点。1. An electric contact, wherein an ultra-thin layer of high hardness is formed on at least one contact surface of a noble metal-based contact facing the contact.
ることを特徴とする請求項１に記載の電気接点。2. The electrical contact according to claim 1, wherein the ultra-thin layer is formed in a scattered shape.
属系接点の超極薄層が一様な層であるとともに、他方の
貴金属系接点の超極薄層が散点状であることを特徴とす
る請求項１または２に記載の電気接点。3. An ultra-thin layer of one of the noble metal-based contacts is a uniform layer, and an ultra-thin layer of the other noble metal-based contact is scattered. The electrical contact according to claim 1 or 2, wherein
形成されていることを特徴とする請求項１ないし３のい
ずれか１項に記載の電気接点。4. The electrical contact according to claim 1, wherein the ultra-thin layer is formed of a high hardness, high melting point metal.
ることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に
記載の電気接点。5. The electrical contact according to claim 1, wherein the ultra-thin layer is formed of an insulating material.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23821199A JP2001067964A (en) | 1999-08-25 | 1999-08-25 | Electric contact |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP23821199A JP2001067964A (en) | 1999-08-25 | 1999-08-25 | Electric contact |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001067964A true JP2001067964A (en) | 2001-03-16 |
Family
ID=17026810
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23821199A Pending JP2001067964A (en) | 1999-08-25 | 1999-08-25 | Electric contact |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001067964A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007035290A (en) * | 2005-07-22 | 2007-02-08 | Hitachi Ltd | Switch, semiconductor device, and manufacturing method of the same |
| JP2007157504A (en) * | 2005-12-05 | 2007-06-21 | Matsushita Electric Works Ltd | Micro relay |
-
1999
- 1999-08-25 JP JP23821199A patent/JP2001067964A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2007035290A (en) * | 2005-07-22 | 2007-02-08 | Hitachi Ltd | Switch, semiconductor device, and manufacturing method of the same |
| US7667559B2 (en) | 2005-07-22 | 2010-02-23 | Hitachi, Ltd. | Switch, semiconductor device, and manufacturing method thereof |
| JP4489651B2 (en) * | 2005-07-22 | 2010-06-23 | 株式会社日立製作所 | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP2007157504A (en) * | 2005-12-05 | 2007-06-21 | Matsushita Electric Works Ltd | Micro relay |
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