JP2001066106A - 回転センサ - Google Patents
回転センサInfo
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- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
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Abstract
サを提供する。 【解決手段】磁気抵抗素子6,7の反マグネット2側に
磁性プレート5が配置され、その磁性プレート5に磁気
抵抗素子6,7側に延びる凸部5a,5bが形成され
る。このような凸部5a,5bを磁性プレート5に設け
ることにより、該凸部5a,5bとマグネット2との間
の磁気抵抗が小さくなり、マグネット2が発した磁力線
が該凸部5a,5bに集中するようになる。
Description
いて回転体の回転位置を検出する回転センサに関する。
方向に多極着磁されたマグネットを回転体に設け、その
回転体の回転に伴う磁界の変化をホール素子や磁気抵抗
素子等の磁電変換素子(磁気センサ)にて検出し、回転
体の回転位置等を検出するように構成したものがある。
このような回転センサにおいて、磁気センサの検出感度
を向上するためには、マグネットと磁気センサのギャッ
プ(間隙)を極力小さくすることが望ましい。
と、マグネットの外形寸法に誤差が生じたり、磁気セン
サがマグネット側に突出して取り付けられた場合等、相
互が接触して破損する虞があった。
開平6−88705号公報にて開示されている。該公報
の回転センサは、多極着磁された磁石が回転軸と一体回
転するように設けられ、その磁石に対向するように磁気
センサが基板上に配設される。基板の反磁石側の面に
は、絶縁層を介して平板状の鉄板が設けられている。
磁気センサとの間の磁気抵抗が小さくなるので、磁気セ
ンサを通過する磁束が増加し、相互間のギャップを小さ
くすることなく、磁気センサの検出感度を向上すること
ができる。
の幅は磁石の磁極幅より小さくするのが一般的である。
そのため、鉄板が平板状であると各磁極の磁力線は相互
に平行になるので、磁気センサには一部の磁束しか通過
しない。このことが磁気センサの検出感度の更なる向上
の妨げとなっている。
されたものであって、その目的は、検出感度をより向上
することができる回転センサを提供することにある。
め、請求項1に記載の発明は、回転体とともに回転し、
回転方向に多極着磁されたマグネットに磁電変換素子を
対向配置し、該素子によりマグネットの回転に伴う磁界
の変化を検出して、回転体の回転位置を検出する回転セ
ンサにおいて、前記磁電変換素子の反マグネット側に磁
性体を配置し、その磁性体に前記磁電変換素子側に延び
る凸部を形成した。
の回転センサにおいて、前記磁性体は、前記マグネット
側に延び、かつ前記凸部が対向する該マグネットの磁極
と異なる磁極に対向する第2凸部を備える。
に記載の回転センサにおいて、前記凸部は、前記回転体
の回転位置に対応して設けた。請求項4に記載の発明
は、請求項1〜3のいずれか1項に記載の回転センサに
おいて、前記磁電変換素子は基板に設けられるものであ
り、その基板に前記磁性体の凸部が嵌挿される嵌挿孔を
形成した。
の回転センサにおいて、前記嵌挿孔に前記磁電変換素子
の少なくとも一部を嵌挿した。従って、請求項1に記載
の発明によれば、磁電変換素子の反マグネット側に磁性
体が配置され、その磁性体に磁電変換素子側に延びる凸
部が形成される。このような凸部を磁性体に設けること
により、該凸部とマグネットとの間の磁気抵抗が小さく
なり、マグネットが発した磁力線が該凸部に集中する。
従って、凸部とマグネットとの間の磁電変換素子を通過
する磁束が増加するので、該素子の検出感度を向上する
ことができる。
は、マグネット側に延び、かつ前記凸部が対向する該マ
グネットの磁極と異なる磁極に対向する第2凸部が備え
られる。このようにすれば、前記凸部から入力された磁
力線が第2凸部を介して効率よくマグネットに帰還し、
第2凸部から入力された磁力線が前記凸部を介して効率
よくマグネットに帰還する磁気回路が形成される。従っ
て、磁電変換素子を通過する磁束が更に増加するので、
該素子の検出感度を更に向上することができる。
回転体の回転位置に対応して設けられる。そして、この
凸部にマグネットが発した磁力線が集中するので、磁電
変換素子の取り付け位置が若干ずれても、回転体の回転
位置を高い精度で検出することができる。従って、磁電
変換素子の高度な取り付け作業を必要としない。
素子は基板に設けられるものであり、その基板に磁性体
の凸部を嵌挿する嵌挿孔が形成される。このようにすれ
ば、凸部とマグネットとの間の磁電変換素子を通過する
磁束が増加するので、該素子の検出感度が向上する。し
かも、基板と磁性体との相互の位置決めを容易に行うこ
とができる。
磁電変換素子の少なくとも一部が嵌挿される。このよう
にすれば、基板に対する磁電変換素子の位置決めを容易
に行うことができる。しかも、基板の厚み方向を小さく
することができるので、センサの小型化を図ることがで
きる。
明を具体化した第1の実施の形態を図1及び図2に従っ
て説明する。尚、図1(a)は、本実施形態の回転セン
サ1の平面図であり、図1(b)は、図1(a)のA−
A断面図である。図2は、回転センサ1の回転方向にお
ける展開模式図である。
位置を検出する回転体(図示略)ともに回転する円盤形
状のマグネット2と、該マグネット2の下面2aに対向
配置される検出部3とから構成される。マグネット2
は、図2に示すように、回転方向に等角度間隔に多極着
磁されている。
性プレート5とを備える。基板4は、前記マグネット2
と略同径の円盤形状に形成される。基板4の上面(マグ
ネット2との対向面)4aには、2つの磁気抵抗素子
6,7が例えば絶縁樹脂よりなる支持体8,9により固
定される。
回転に伴う磁界の変化を検出して、その検出に応じた検
出信号を生成する。各磁気抵抗素子6,7は、基板4の
上面4aに設けられる処理回路10に接続され、該処理
回路10は各素子6,7からの検出信号に基づいてマグ
ネット2(回転体)の回転位置を検出するようになって
いる。
bには、円環状の前記磁性プレート5が配設される。こ
のとき、磁性プレート5の中心軸線と前記マグネット2
の回転中心軸線とが一致するようになっている。この磁
性プレート5には、マグネット2の下面2aと直交する
方向に延びる凸部5a,5bが形成される。各凸部5
a,5bの高さは、基板4の厚みと等しく形成される。
ここで、磁気抵抗素子6,7は径方向断面が長方形形状
に形成されており、凸部5a,5bは同断面が該素子
6,7のそれと略同一形状に形成されている。
グネット2)の回転位置に対応して設けられるととも
に、前記マグネット2の着磁位置に対応させて相互に所
定間隔を以って配置される。これに対し、基板4には、
表裏を貫通し、各凸部5a,5bがそれぞれ嵌挿される
嵌挿孔4c,4dが形成される。
4aまで延び、その凸部5a,5bの上部に前記磁気抵
抗素子6,7が配置されている。つまり、各磁気抵抗素
子6,7は、前記マグネット2の回転中心軸線をその中
心とした同一円周上において、前記マグネット2の着磁
位置に対応させて相互に所定間隔を以って配置される。
こうして、基板4は磁性プレート5にて支持され、凸部
5a,5bと嵌挿孔4c,4dにより磁性プレート5に
対してが位置決めされる。
回転体の回転とともにマグネット2が回転すると、各磁
気抵抗素子6,7はそのマグネット2の回転に伴う磁界
の変化に基づいた検出信号を処理回路10に出力する。
処理回路10は各素子6,7からの検出信号に基づいて
マグネット2(回転体)の回転位置を検出する。
子6の上方にマグネット2のN極が配置されると、マグ
ネット2と磁性プレート5の凸部5a,5bとの間の磁
気抵抗が小さくなり、同図において破線矢印で示すよう
に、マグネット2が発した磁力線が磁性プレート5の凸
部5a,5bに集中する。
のS極が配置されると(図示略)、磁力線が凸部5a,
5bから集中してマグネット2に発せられる。これは、
磁気抵抗素子7も同様である。このようにして、磁気抵
抗素子6,7を通過する磁束が従来と比べて増加するの
で、磁気抵抗素子6,7の検出感度を更に向上すること
ができる。
以下の効果を奏する。 (1)磁気抵抗素子6,7を搭載した基板4の反マグネ
ット2側に磁性プレート5を配置し、その基板4の嵌挿
孔4c,4dに嵌挿して磁気抵抗素子6,7側に延びる
凸部5a,5bを磁性プレート5に形成した。このよう
な凸部5a,5bを設けることにより、該凸部5a,5
bとマグネット2との間の磁気抵抗が小さくなり、マグ
ネット2が発した磁力線が該凸部5a,5bに集中す
る。従って、磁気抵抗素子6,7を通過する磁束が増加
するので、該素子6,7の検出感度を向上することがで
きる。
ト2)の回転位置に対応して設けられる。そして、この
凸部5a,5bにマグネット2が発した磁力線が集中す
るので、磁気抵抗素子6,7の取り付け位置が若干ずれ
ても、回転体の回転位置を高い精度で検出することがで
きる。従って、磁気抵抗素子6,7の高度な取り付け作
業を必要としない。
面2aに対してそれと直交する方向に延びるように形成
したので、該凸部5a,5bを簡単に形成することがで
きる。
抵抗素子6,7のそれと略同一形状としたので、磁気抵
抗素子6,7は磁束を素子6,7全体で受けることがで
きる。従って、磁界の変化を効率よく検出することがで
きる。
化した第2の実施の形態を図3及び図4に従って説明す
る。尚、図3(a)は、本実施形態の回転センサ1aの
平面図であり、図3(b)は、図3(a)のB−B断面
図である。図4は、回転センサ1aの回転方向における
展開模式図である。又、説明の便宜上、図1に示す前記
第1の実施の形態と同様の構成については同一の符号を
付してその詳細な説明を省略する。
aに対向配置される検出部3aは、基板11と、磁性体
としての磁性プレート12とを備える。基板11は、前
記マグネット2と略同径の円盤形状に形成される。基板
11の上面(マグネット2との対向面)11aには、磁
気抵抗素子6が支持体8により固定される。
11bには、円環状の前記磁性プレート12が配設され
る。このとき、磁性プレート12の中心軸線と前記マグ
ネット2の回転中心軸線とが一致するようになってい
る。この磁性プレート12には、マグネット2の下面2
aと直交する方向に延びる凸部12a,12bが形成さ
れる。各凸部12a,12bは、その径方向断面が磁気
抵抗素子6のそれと略同一形状に形成され、高さが基板
11の厚みと等しく形成されている。
(マグネット2)の回転位置に対応して設けられるとと
もに、図4に示すように、一方の凸部12aがマグネッ
ト2のN極に対向した場合に、他方の凸部12bが該マ
グネット2のS極に対向するように、その位置が決定さ
れている。これに対し、基板11には、表裏を貫通し、
各凸部12a,12bがそれぞれ嵌挿される嵌挿孔11
c,11dが形成される。そして、各凸部12a,12
bは基板11の上面11aまで延び、その一方の凸部1
2aの上部に前記磁気抵抗素子6が配置されている。こ
うして、基板11は磁性プレート12にて支持され、凸
部12a,12bと嵌挿孔11c,11dにより磁性プ
レート12に対してが位置決めされる。
は、図4に示すように、磁気抵抗素子6の上方にマグネ
ット2のN極が配置されると、マグネット2と磁性プレ
ート12の凸部12aとの間の磁気抵抗が小さくなり、
同図において破線矢印で示すように、マグネット2が発
した磁力線が磁性プレート12の凸部12aに集中す
る。
で、該凸部12bとマグネット2との間の磁気抵抗も小
さくなる。つまり、本実施形態では、前記凸部12aか
ら入力された磁力線が凸部12bを介して効率よくマグ
ネット2に帰還する磁気回路が形成されるようになって
いる。そのため、前記第1実施形態と比較して、マグネ
ット2が発した磁力線が前記凸部12aにより集中する
ようになる。
のS極が配置されると(図示略)、凸部12bの上方に
マグネット2のN極が配置され、上記と逆に動作する。
このようにして、磁気抵抗素子6を通過する磁束が前記
第1実施形態より更に増加するので、磁気抵抗素子6の
検出感度を更に向上することができる。
化した第3の実施の形態を図5に従って説明する。尚、
図5(a)は、本実施形態の回転センサ1bの平面図で
あり、図5(b)は、図5(a)のC−C断面図であ
る。
転体とともに回転する円環状のマグネット2bと、該マ
グネット2bの回転に伴う磁界の変化を検出する検出部
3bとから構成される。マグネット2bは、図示しない
が回転方向に等角度間隔に多極着磁されている。
の磁性リング14とを備える。基板13は、前記マグネ
ット2bより径の大きい円環状に形成され、該マグネッ
ト2bと平行に配置される。基板13の上面13aの外
周部には、マグネット2bの外周面2cに対向するよう
に磁気抵抗素子15が支持体16により固定される。
13には、円環状の前記磁性リング14が固定される。
このとき、磁性リング14の中心軸線と前記マグネット
2の回転中心軸線とが一致するようになっている。この
磁性リング14は、その内周面が前記マグネット2bの
外周面2cに対向するような高さに形成される。磁性リ
ング14の内周面には、マグネット2bの外周面2cと
直交する方向に延びる凸部14aが形成される。ここ
で、磁気抵抗素子15は軸線方向断面が長方形形状に形
成されており、凸部14aはその軸線方向断面が該素子
15のそれと略同一形状に形成されている。
2b)の回転位置に対応して設けられる。そして、この
凸部14aの先端部に前記磁気抵抗素子15が配置され
ている。
マグネット2bと磁性リング14の凸部14aとの間の
磁気抵抗が小さくなるので、磁気抵抗素子15を通過す
る磁束が従来と比べて増加する。従って、磁気抵抗素子
15の検出感度を更に向上することができる。しかも、
この回転センサ1bは、軸線方向にコンパクトに構成す
ることができる。
変更してもよい。 ○上記第1の実施の形態では、凸部5a,5bを基板4
の厚みと同じ高さで形成し、該凸部5a,5bの上部に
支持体8を介して磁気抵抗素子6を取り付けたが、図6
に示すように構成してもよい。即ち、凸部5a,5bの
高さを基板4の厚みより小さくし、嵌挿孔4c,4dと
凸部5a,5bの上端面で形成される凹部に磁気抵抗素
子6の一部を嵌挿する。このようにすれば、基板4の厚
み方向を小さくすることができるので、センサの小型化
を図ることができる。しかも、基板4に対する磁気抵抗
素子6の位置決めを容易に行うことができる。又、磁気
抵抗素子6を基板4に固着するための支持体8を省略す
ることができる。勿論、磁気抵抗素子7や、第2実施形
態の磁気抵抗素子6に対して実施してもよい。
抵抗素子6,7を用いたが、1つ又は3つ以上用いても
よい。勿論、素子の数に合わせて磁性プレート5に凸部
を設ける必要がある。
ト12に凸部12aが対向する磁極と異なる磁極に対向
する凸部12bを時計回り方向に1つ設けたが、図7に
示すように、反時計回り方向に該凸部12bと同様に作
用する凸部12cを設けてもよい。この場合、基板11
にその凸部12cが嵌挿するための嵌挿孔11eを形成
する必要がある。
凸部5a,5b,12a,12b及び凸部5a,5b,
12a,12bが嵌挿する嵌挿孔4c,4d,11c,
11dの形状は、上記した形状に限定されるものではな
い。例えば、凸部5a,5b,12a,12bの径方向
断面を磁気抵抗素子6,7と略同一形状としたが、該素
子6,7の同断面より小さくしてもよく、長方形形状で
なくてもよい。又、嵌挿孔4c,4d,11c,11d
は基板4,11の表裏を貫通してなくてもよい。
つの磁気抵抗素子6,15を用いたが2つ以上用いても
よい。勿論、素子の数に合わせて磁性プレート12及び
磁性リング14に凸部を設ける必要がある。
2及び磁性リング14を円環状に形成したが、この形状
に限定されるものではなく、例えば、半円弧状に形成し
てもよい。
して磁気抵抗素子6,7,15を用いたが、ホール素子
等の磁界の変化を検出するその他の素子を用いてもよ
い。又、各素子6,7,15の形状は上記実施の形態の
形状に限定されるものではない。
外の技術的思想について、以下にその効果とともに記載
する。 (イ) 請求項1〜5のいずれか1項に記載の回転セン
サにおいて、前記凸部は、前記マグネットの検出面に対
して直交する方向に延びることを特徴とする回転セン
サ。このようにすれば、凸部を簡単に形成することがで
きる。
ずれか1項に記載の回転センサにおいて、前記凸部は、
前記マグネットの検出面と直交する方向の断面形状を前
記磁電変換素子のそれと略同一形状としたことを特徴と
する回転センサ。このようにすれば、磁電変換素子は磁
束を素子全体で受けることができる。従って、磁界の変
化を効率よく検出することができる。
検出感度をより向上することができる回転センサを提供
することができる。
図、(b)は(a)におけるA−A断面図。
図、(b)は(a)におけるB−B断面図。
図、(b)は(a)におけるC−C断面図。
式図。
c…検出面としての外周面、4,11,13…基板、4
c,4d,11c…嵌挿孔、5,12…磁性体としての
磁性プレート、14…磁性体としての磁性リング、6,
7,15…磁電変換素子としての磁気抵抗素子、5a,
5b,12a…凸部、12b,12c…第2凸部として
の凸部。
Claims (5)
- 【請求項1】 回転体とともに回転し、回転方向に多極
着磁されたマグネットに磁電変換素子を対向配置し、該
素子によりマグネットの回転に伴う磁界の変化を検出し
て、回転体の回転位置を検出する回転センサにおいて、 前記磁電変換素子の反マグネット側に磁性体を配置し、
その磁性体に前記磁電変換素子側に延びる凸部を形成し
たことを特徴とする回転センサ。 - 【請求項2】 請求項1に記載の回転センサにおいて、 前記磁性体は、前記マグネット側に延び、かつ前記凸部
が対向する該マグネットの磁極と異なる磁極に対向する
第2凸部を備えることを特徴とする回転センサ。 - 【請求項3】 請求項1又は2に記載の回転センサにお
いて、 前記凸部は、前記回転体の回転位置に対応して設けたこ
とを特徴とする回転センサ。 - 【請求項4】 請求項1〜3のいずれか1項に記載の回
転センサにおいて、 前記磁電変換素子は基板に設けられるものであり、その
基板に前記磁性体の凸部が嵌挿される嵌挿孔を形成した
ことを特徴とする回転センサ。 - 【請求項5】 請求項4に記載の回転センサにおいて、 前記嵌挿孔に前記磁電変換素子の少なくとも一部を嵌挿
したことを特徴とする回転センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23989899A JP2001066106A (ja) | 1999-08-26 | 1999-08-26 | 回転センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23989899A JP2001066106A (ja) | 1999-08-26 | 1999-08-26 | 回転センサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001066106A true JP2001066106A (ja) | 2001-03-16 |
Family
ID=17051509
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23989899A Pending JP2001066106A (ja) | 1999-08-26 | 1999-08-26 | 回転センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001066106A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014224737A (ja) * | 2013-05-16 | 2014-12-04 | アズビル株式会社 | 回転角度検出器 |
-
1999
- 1999-08-26 JP JP23989899A patent/JP2001066106A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014224737A (ja) * | 2013-05-16 | 2014-12-04 | アズビル株式会社 | 回転角度検出器 |
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