JP2001052139A - 非接触ｉｃカードの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来の非接触ＩＣカードの製造方法では熱圧
着処理後にカード表面に発生するヒケを防止し、カード
表面に配置された記録層にサーマルヘッド等を用いて印
字／消去を行ったときに生じる印字かすれや印字消去ム
ラを解消することを課題とする。 【解決手段】 可逆性感熱記録層を最下層に配置したと
き、ＩＣチップを上面に配置した配線基板層の下面に、
配線基板層上におけるＩＣチップの配置領域が層上に射
影された領域を含む面積の透孔を設けた接着層を積層す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、表面平滑性に優れ
た非接触ＩＣカードを製造することを目的とした非接触
ＩＣカードの製造方法に係わり、特に、可逆性あるいは
非可逆性の感熱記録層をカード表面に有するものに対し
て、サーマルヘッド等を用いて印字／消去を行う際に生
じる印字かすれや印字消去ムラを防止するための非接触
ＩＣカードの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来技術における非接触ＩＣカードの製
造方法により製造された非接触ＩＣカードの構成を説明
する。図７には、説明の便宜上、従来技術によって製造
された非接触ＩＣカードを部分的に抜粋した断面図を示
している。図７において、従来技術の製造方法によって
製造された非接触ＩＣカード３００は、最下層から順
に、可逆性感熱記録層あるいは非可逆性感熱記録層等の
記録層３０８と、第１の基材３０１と、第１の接着層３
０２と、アンテナ等の配線パターンを上面に形成し、さ
らにその配線パターン上の所定の位置にＩＣチップを装
填した配線基板層３０３と、第２の接着層３０４と、配
線基板層上のＩＣチップ及び配線パターンを保護するた
めの配線基板保護層３０５と、第３の接着層３０６と、
第２の基材３０７とにより構成される。

【０００３】従来技術による非接触ＩＣカードの製造方
法においては、通常、非接触ＩＣカードの製造過程に
は、上記の各層を積層する積層工程と、プレス機等によ
り上下から挟んで熱圧着する熱圧着処理工程とが含ま
れ、熱圧着処理工程においては、図８に示されるよう
に、配線基板層３０３上のＩＣチップ、および配線基板
保護層３０５の透孔の位置に該当する部分にそれぞれ上
下からプレス時の圧力が加わる。

【０００４】ここで、第１の基材３０１では、加圧後に
元の平滑性を維持しようとする復元力が発生するが、配
線基板保護層３０５にＩＣチップを収容するための透孔
がある場合は、図９に示されるように、第１の基材３０
１の上面に積層された第１の接着層３０２の接着力によ
ってその復元力は抑えられるため、第１の基材３０１の
下面に積層された記録層３０８の表面上でＩＣチップの
直下の位置に該当する部分にヒケが生じてしまう。

【０００５】そのため、サーマルヘッド等を用いて記録
層３０８に印字を行うとき、印字ヘッドが記録層３０８
に密着せず印字が飛んでしまうといった問題が生じる。

【０００６】また、第２の接着層３０４および配線基板
保護層３０５においては、配線基板層３０３の上層に積
層されたときＩＣチップを保護するために、熱圧着処理
工程後における両層の厚みがＩＣチップより若干厚いも
のが用いられ、配線基板保護層３０５にＩＣチップを収
容するための透孔がある場合は、第３の接着層３０６
が、加圧後において発生する第２の基材３０７が元の平
滑性を維持しようとする復元力を抑えてしまう。

【０００７】従って、図１０に示されるように、第２の
基材３０７においてＩＣチップの直上の位置に該当する
部分にヒケが生じてしまい、ここで第２の基材３０７の
上面に記録層３０８を配置した場合を想定すると、前述
した第１の基材３０１に記録層３０８を配置したときと
同じように、サーマルヘッド等を用いて記録層に印字を
行うとき印字ヘッドが記録層に密着せず印字が飛んでし
まうといった問題が生じる。

【０００８】図１０は、従来の製造方法によって製造さ
れた非接触ＩＣカードの表面を表面粗さ測定機で測定し
た結果に基づいて図案化したものであり、その表面には
可逆性感熱記録層が配置されている。このように、従来
技術の製造方法における熱圧着処理工程後のＩＣカード
表面に配置される記録層には、その表面に凹凸が形成さ
れている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の問題
点に鑑みてなされたものであり、従来の非接触ＩＣカー
ドの製造方法では熱圧着処理後における接着層の接着力
のために発生していたカード表面のヒケを防止し、特
に、このような製造方法によって、表面に可逆性感熱記
録層や非可逆性感熱記録層を有する非接触ＩＣカードを
製造した後、サーマルヘッド等を用いてこれらの記録層
に印字／消去を行ったときの印字かすれや印字消去ムラ
を生じない、表面平滑性の高い非接触ＩＣカードの製造
方法を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】かかる目的を達成するた
めに、本発明における請求項１記載の発明は、少なくと
もＩＣチップを配置した配線基板とＩＣチップを収容す
る透孔を設けた配線基板保護層とを内部に位置させ、プ
ラスチック基板を最外層となるように接着層を介して積
層して熱融着するＩＣカードの製造方法であって、少な
くとも表裏一方のプラスチック基板における透孔領域が
射影される領域部分には接着層を有しないことを特徴と
している。

【００１１】請求項２記載の発明は、請求項１記載の発
明において、配線基板保護層とプラスチック基板との間
に位置する接着層を有しない領域を配線基板保護層に設
けたＩＣチップを収容する透孔より大きい面積とするこ
とを特徴としている。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら本
発明の一実施形態における非接触ＩＣカードの製造方法
を詳細に説明する。

【００１３】＜第１の実施形態＞本発明の第１の実施形
態における非接触ＩＣカードの製造方法により製造され
た非接触ＩＣカードの構成を説明する。図１には、説明
の便宜上、第１の実施形態の製造方法によって製造され
た非接触ＩＣカードを部分的に抜粋した断面図を示して
いる。また、ここではカード表面に可逆性感熱記録層を
備えたときの構成を示す。

【００１４】図１によれば、本発明の第１の実施形態の
製造方法により製造された非接触ＩＣカード本体１００
は、下層から順に、第１の基材１０１と、第１の接着層
１０２と、外部と非接触でデータ通信を行うためのアン
テナを含む配線パターンを層上に形成し、更にこの層上
の所定の位置に、ＡＣＦ（ＡｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃＣｏ
ｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）を用いてその配線パター
ンと導通させることでＩＣチップを装填した配線基板層
１０３と、第２の接着層１０４と、配線基板層１０３上
のＩＣチップ及び配線パターンを保護するための配線基
板保護層１０５と、第３の接着層１０６と、第２の基材
１０７とにより構成され、さらに、本実施形態では第１
の基材１０１の下面に可逆性感熱記録層１０８を設け
る。

【００１５】第１の基材１０１は、非接触ＩＣカード１
００の最下層に設けられ、カード本体の裏面を形成す
る。

【００１６】第１の接着層１０２は、第１の基材１０１
と配線基板層１０３との層間を接着するための接着層で
あるが、本発明の特徴として、配線基板層１０３上にお
けるＩＣチップの装填領域を第１の接着層１０２上に射
影した領域を含む面積の透孔を有している。このように
設けられた透孔の好適な実施形態として、図２に示され
るように、前記のＩＣチップの装填領域が第１の接着層
に射影された領域を中心領域とし、且つＩＣチップの９
倍程度の面積をもった透孔を第１の接着層１０２に設け
た。

【００１７】配線基板層１０３は、図示しないアンテナ
等の配線パターンがその層上に形成され、さらに、配線
パターン上の所定の位置にＡＣＦを介してＩＣチップが
装填される。ここで、配線基板層１０３上におけるＩＣ
チップを装填する位置は、カード本体の変形によって発
生する曲げ応力がＩＣチップに及ぼす影響を軽減させる
ために、カード本体の偏心位置とするのが好ましい。こ
のとき、第１の接着層１０２に設けられる透孔は、ＩＣ
チップが配線基板層１０３上において装填された位置に
応じてカード本体の偏心位置付近に形成する。また、本
実施形態では、絶縁性・スルーホール等の加工性に優れ
たポリイミド樹脂やポリエステル樹脂が配線基板層１０
３の材料として用いられる。

【００１８】尚、本実施形態では、配線基板層１０３の
厚さは５０μｍ程度とし、また、ＩＣチップおよびＩＣ
チップを配線パターンと導通させるためのＡＣＦはそれ
ぞれ３２０μｍ、３０μｍの厚みをもったものを用いる
が、実際にＩＣチップを配線パターンに導通させたとき
にはＡＣＦは潰された状態となるため、そのときのＡＣ
Ｆの厚みは無視してよい程のものとなる。

【００１９】第２の接着層１０４は、配線基板層１０３
と配線基板保護層１０５との層間を接着するための接着
層であるが、詳しくは、配線基板層１０３上においてＩ
Ｃチップを除いた領域と配線基板保護層１０５とを接着
させるためのものであるため、第２の接着層１０４を配
線基板層１０３の上面に積層したとき配線基板層１０３
上に装填されるＩＣチップが第２の接着層１０４を収容
するように、ＩＣチップを第２の接着層１０４上に射影
した領域を含むような面積の透孔が設けられている。

【００２０】配線基板保護層１０５は、後述するカード
製造時の熱圧着処理による熱および圧力から配線基板層
１０３上の配線パターンと共にＩＣチップを保護する層
であるため、第２の接着層１０４を介して配線基板層１
０３と配線基板保護層１０５とを積層したときＩＣチッ
プを収容する透孔を形成している。そのため配線基板保
護層１０５及び接着層１０４を合わせた厚みはＩＣチッ
プより厚みをもったものとすることが好ましい。

【００２１】また、本実施形態では、配線基板保護層１
０５の材料として、ポリエチレンテレフタレートが用い
られているためカードに埋設される芯材としてカード自
体の曲げに対する機械的強度を向上させることができ
る。配線基板保護層１０５の材料としてはその他に、ポ
リプロピレン、ナイロン、ポリスチレン、ポリカーボネ
ート等が考えられる。

【００２２】配線基板保護層１０５に形成される透孔の
好適な実施形態としては、カード本体の変形によって発
生する曲げ応力がＩＣチップに及ぼす影響をさらに軽減
させるためこの透孔の面積をＩＣチップの面積より若干
大きくとることが好ましい。

【００２３】第３の接着層１０６は、配線基板保護層１
０５と第２の基材１０７との層間を接着するための接着
層である。尚、本実施形態では第１の接着層１０２、第
２の接着層１０４、第３の接着層１０６の厚さはそれぞ
れ１００μｍ程度とし、これらの接着層の材料として
は、熱可塑性ポリエステル樹脂で、融解粘度100,000cps
〜150,000cps（１９０℃）、融点１００〜１２０℃のも
のが好ましい。

【００２４】また、シート状接着剤で接着層を形成する
場合にその材料として用いることができるものとして
は、アルキッド系樹脂、ビニル系樹脂、ポリウレタン系
樹脂又はそれらの混合樹脂があり、塗布によって接着層
を形成する場合には、反応系接着剤や接着剤を溶剤等に
溶解または分散させた溶剤系接着剤を用いることがで
き、反応系接着剤の材料としては、エポキシ系接着剤、
アクリル系接着剤、紫外線硬化型接着剤（アクリル−ウ
レタン系接着剤、ポリエステル系接着剤、アクリル系接
着剤等）等が挙げられ、溶剤系接着剤の材料としては、
ウレタン系接着剤、ゴム系接着剤等が挙げられる。

【００２５】第２の基材１０７は、非接触ＩＣカード本
体１００の最上層に設けられ、カード本体の表面を形成
する。ここで、第１の基材１０１、及び第２の基材１０
７の厚さは同じ厚さのものを用いることが好ましい。そ
れは、これらの厚さがそれぞれ異なるものを用いると、
カードを形成した時点で「反り」が発生するという可能
性があるためである。

【００２６】尚、第１の基材１０１、および第２の基材
１０７としては、本実施形態ではポリエチレンテレフタ
レートを素材として用いているが、ポリ塩化ビニル樹
脂、ポリスチレン樹脂、メラニン樹脂、エポキシ樹脂
等、他の素材を用いた層としてもよい。尚、本実施形態
では、第１、第２の基材１０１、１０７の厚さはそれぞ
れ１００μｍ程度とする。

【００２７】また、本実施形態では、カード表面に可逆
性感熱記録層１０８を備えた構成としており、可逆性感
熱記録層１０８は、第１の基材１０１の下面に配置さ
れ、可逆的な記録および消去を行う。可逆性感熱記録層
１０８は、ロイコ染料、顕現色剤およびバインダー樹脂
により構成され、熱によって可逆的に発色／消去を繰り
返す層である。ロイコ染料は、通常無色ないし淡色の電
子供与性染料前駆体といわれるものである。また、顕現
色剤は、電子受容性化合物といわれるものであり、加熱
後の冷却速度の違いにより染料前駆体に可逆的な色調変
化を生じさせるものであり、炭素数６以上の脂肪族炭化
水素基を少なくとも１つ有するフェノール性化合物が用
いられる。

【００２８】ここで、本発明の第１の実施形態による非
接触ＩＣカードの製造方法における積層工程について図
３を用いて説明する。

【００２９】図３に示されるように、本発明による非接
触ＩＣカードの製造方法における積層工程は、可逆性感
熱記録層１０８の上面に第１の基材１０１を積層し、第
１の基材１０１の層上に、本発明の特徴である透孔を有
する第１の接着層１０２を積層し、第１の接着層１０２
の上面には、配線パターン及びＩＣチップが層上に形成
される配線基板層１０３を積層し、配線基板層１０３の
上面には、配線基板層１０３上のＩＣチップを収容させ
るための透孔を有する第２の接着層１０４を積層し、第
２の接着層１０４の上面には、一例として熱圧着処理工
程において生じる熱及び圧力等から配線基板層１０３上
の配線パターン及びＩＣチップを保護するための配線基
板保護層１０５を積層し、配線基板保護層１０５に上面
には、第３の接着層１０６を積層し、第３の接着層１０
６の上面には、第２の基材１０７を積層する。

【００３０】上記の積層工程において各層を積層した
後、熱圧着処理工程にてプレス機等で上下から挟み込む
ように熱圧着処理することで本発明による第１の実施形
態における非接触ＩＣカードを形成する。

【００３１】熱圧着処理は、昇温しながら当初圧力を低
く抑え、第１〜第３の接着層１０２、１０４、１０６が
それぞれ軟化しはじめたときに圧力を増加して加圧し、
この圧力を維持しながら冷却をはじめ、室温になったと
きに加圧処理を終了するようにするのが好ましい。これ
により処理開始時に軟化していない接着層がＩＣチップ
またはアンテナ等の配線パターンを破壊するのを防ぎつ
つ、接着層をＩＣチップまたはアンテナ等の配線パター
ンの凹凸になじませることができる。

【００３２】本発明の非接触ＩＣカードの実施形態の熱
圧着処理の具体的な例としては、熱圧着処理を開始する
と同時に、５ｋｇ／ｃｍ² の圧力を８分間かけ続ける
が、これは、処理開始当初は接着層が軟化していないこ
とから、配線基板層１０３上の配線パターンおよびＩＣ
チップを保護し、且つその凹凸に馴染ませるために低い
圧力に抑えてある。

【００３３】処理開始後８分が経過すると、接着層は徐
々に軟化しはじめるので、圧力を１５ｋｇ／ｃｍ² に増
加して加圧し、さらに温度を上昇し続ける。この時点で
大きく圧力をかけることにより、カード表面がより平ら
になるように矯正される。

【００３４】以上に説明した第１の実施形態の非接触Ｉ
Ｃカードの製造方法によってカードを製造することによ
り、熱圧着処理後に第１の基材上において発生するヒケ
を防止することができるため、第１の基材１０１の下面
に可逆性感熱記録層１０８を配置した場合に、この記録
層１０８にサーマルヘッド等を用いて印字／消去を行っ
たときに生じる印字かすれや印字消去ムラを解消するこ
とができる。

【００３５】＜第２の実施形態＞本発明の第２の実施形
態における非接触ＩＣカードの製造方法により製造され
た非接触ＩＣカードの構成を説明する。図４には、同じ
く説明の便宜上、第２の実施形態の製造方法によって製
造された非接触ＩＣカードを部分的に抜粋した断面図を
示している。また、ここでもカード表面に可逆性感熱記
録層を備えたときの構成を示す。

【００３６】図４によれば、本発明の第２の実施形態の
製造方法により製造された非接触ＩＣカード本体２００
は、最下層から順に、第１の基材２０１と、第１の接着
層２０２と、外部と非接触でデータ通信を行うためのア
ンテナを含む配線パターンを層上に形成し、更にこの層
上の所定の位置に、ＡＣＦを用いてその配線パターンと
導通させることでＩＣチップを装填した配線基板層２０
３と、第２の接着層２０４と、配線基板層２０３上のＩ
Ｃチップ及び配線パターンを保護するための配線基板保
護層２０５と、第３の接着層２０６と、第２の基材２０
７とにより構成され、さらに、本実施形態では第２の基
材２０７の上面に可逆性感熱記録層２０８を設ける。

【００３７】第１の基材２０１は、非接触ＩＣカード２
００の最下層に設けられ、カード本体の裏面を形成す
る。

【００３８】第１の接着層２０２は、第１の基材２０１
と配線基板層２０３との層間を接着するための接着層で
ある。

【００３９】配線基板層２０３は、図示しないアンテナ
等の配線パターンを上面に形成し、さらに、配線パター
ン上の所定の位置にＡＣＦを介してＩＣチップが装填さ
れる。このとき、第１の接着層２０２に設けられる透孔
は、第１の実施形態と同様に、ＩＣチップが配線基板層
２０３上において装填された位置に応じてカード本体の
偏心位置付近に形成する。尚、本実施形態では、配線基
盤層２０３の厚さは５０μｍ程度とする。

【００４０】第２の接着層２０４は、配線基板層２０３
と配線基板保護層２０５との層間を接着するための接着
層であるが、第２の接着層２０４を配線基板層２０３の
上面に積層したとき配線基板層２０３上に配置されるＩ
Ｃチップが第２の接着層２０４を収容するように、ＩＣ
チップを第２の接着層２０４上に射影した領域を含むよ
うな面積の透孔が設けられている。

【００４１】配線基板保護層２０５は、後述するカード
製造時の熱圧着処理による熱および圧力から配線基板層
２０３上の配線パターンと共にＩＣチップを保護するた
め、第２の接着層２０４を介して配線基板層２０３と配
線基板保護層２０５とを積層したときＩＣチップを収容
することができる透孔を有する。尚、本実施形態では、
配線基板保護層２０５の厚さは２５０μｍ程度とする。

【００４２】第３の接着層２０６は、第２の基材２０７
と配線基板保護層２０５との層間を接着するための接着
層であるが、本発明の特徴として、配線基板層２０３上
におけるＩＣチップの存在領域を第３の接着層２０６上
に射影した領域を含むような面積の透孔を有している。
このように設けられた透孔の好適な実施形態として、前
記のＩＣチップを第３の接着層２０６に射影した領域を
中心領域としたＩＣチップの９倍程度の面積をもった透
孔を第３の接着層２０６に設けた。尚、実施形態では、
第１〜第３の接着層２０２、２０４、２０６の厚さはそ
れぞれ１００μｍ程度とする。

【００４３】第２の基材２０７は、非接触ＩＣカードの
最上層に設けられ、カード本体の表面に形成する。ま
た、本実施形態では、可逆性感熱記録層２０８を第２の
基材２０７の上面に配置する。尚、本実施形態では、第
１、第２の基材２０１、２０７の厚さはそれぞれ１００
μｍ程度とする。

【００４４】ここで、本発明の第２の実施の形態による
非接触ＩＣカードの製造方法の積層工程について図５を
用いて説明する。図５に示されるように、本発明による
非接触ＩＣカードの製造方法は、第１の基材２０１の上
面に、第１の接着層２０２を積層し、第１の接着層２０
２に上面には、配線パターン及びＩＣチップを層上に配
置した配線基板層２０３を積層し、配線基板層２０３の
上面には、配線基板層２０３上のＩＣチップを収容され
るための透孔を有する第２の接着層２０４を積層し、第
２の接着層２０４の上面には、熱圧着処理工程において
生じる熱及び圧力等から配線基板層２０３上の配線パタ
ーンおよびＩＣチップを保護するための配線基板保護層
２０５を積層し、配線基板保護層２０５の上面には、本
発明の特徴である透孔を有する第３の接着層２０６を積
層し、第３の接着層２０６の上面には上面に可逆性感熱
記録層２０８を積層した第２の基材２０７を積層する。

【００４５】積層工程においてこのように各層を積層し
た後、第１の実施形態と同じ条件の熱圧着処理工程にお
いてプレス機等で上下から挟み込むように熱圧着処理す
ることで本発明による第２の実施形態における非接触Ｉ
Ｃカードを形成する。

【００４６】尚、本実施形態で積層した各層、すなわ
ち、接着層、配線基板保護層、配線基板層、および基材
の材料はそれぞれ第１の実施形態と同じものを用いるこ
とができる。

【００４７】以上に説明した第２の実施形態の非接触Ｉ
Ｃカードの製造方法における積層工程にて各層を積層し
た後、第１の実施形態と同様の熱圧着処理工程を施して
カードを製造することにより、熱圧着処理後に第２の基
材２０７上に発生するヒケを防止することができるた
め、第２の基材２０７の上面に可逆性感熱記録層２０８
を配置した場合に、第１の実施形態と同様に、この記録
層２０８にサーマルヘッド等を用いて印字／消去を行っ
たときに生じる印字かすれや印字消去ムラを解消するこ
とができる。

【００４８】また、本発明は、可逆性感熱記録層２０８
の代わりに非可逆性感熱記録層を設けた場合において
も、熱圧着処理後においてカード表面の平滑性を保つこ
とができるため、サーマルヘッド等でこの記録層に印字
／消去を行ったときに生じる印字かすれや印字消去ムラ
を解消することができ、さらに、カード両面に記録層を
設け、サーマルヘッド等によりカード両面の記録層に印
字／消去を行いたいときには、第１の接着層と第３の接
着層とが共に透孔を有する構成とすることもできる。

【００４９】図６は、本発明の第１の実施形態の製造方
法によって製造された非接触ＩＣカードの表面を表面粗
さ測定機で測定した結果に基づいて図案化したものであ
り、第１の実施形態の製造方法における熱圧着処理工程
後のＩＣカード表面に配置される可逆性感熱記録層の状
態は、本図から明らかなように、平滑性が維持されてい
ることがわかる。

【００５０】またここでは、第２の実施形態の製造方法
における熱圧着処理工程後のＩＣカードの表面に配置さ
れる可逆性感熱記録層の状態は特に図示しないが、図６
に示した結果と同じように可逆性感熱記録層の表面にお
いて平滑性を得ることができる。

【００５１】

【発明の効果】以上の説明より明らかなように、本発明
によれば、従来の非接触ＩＣカードの製造方法では熱圧
着処理の際にカード表面に発生するヒケを防止し、特
に、表面に可逆性感熱記録層や非可逆性感熱記録層を有
する非接触ＩＣカードの製造方法において、熱圧着処理
後にサーマルヘッド等を用いてこれらの記録層に印字／
消去を行ったときの生じる印字かすれや印字消去ムラを
解消することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態における非接触ＩＣカ
ードの製造方法により製造された非接触ＩＣカードの構
成例を示す図である。

【図２】第１の実施形態における第１の接着層に設けら
れた透孔の具体的な一例を示す図である。

【図３】本発明の第１の実施形態による非接触ＩＣカー
ドの製造方法における積層工程を説明するための図であ
る。

【図４】本発明の第２の実施形態における非接触ＩＣカ
ードの製造方法により製造された非接触ＩＣカードの構
成例を示す図である。

【図５】本発明の第１の実施形態による非接触ＩＣカー
ドの製造方法における積層工程を説明するための図であ
る。

【図６】本発明の第１の実施形態の製造方法によって製
造された非接触ＩＣカードの表面の具体的な拡大図であ
る。

【図７】従来技術における非接触ＩＣカードの製造方法
により製造された非接触ＩＣカードの構成を説明するた
めの図である。

【図８】熱圧着処理工程においてＩＣチップに対して上
層方向に加わる圧力を説明するための図である。

【図９】接着層の接着力によって基材の復元力が抑止さ
れる様子を説明するための図である。

【図１０】従来技術の製造方法によって製造された非接
触ＩＣカードの表面の具体的な拡大図である。

【符号の説明】

１００、２００ 非接触ＩＣカード １０１、２０１ 第１の基材 １０２、２０２ 第１の接着層 １０３、２０３ 配線基板層 １０４、２０４ 第２の接着層 １０５、２０５ 配線基板保護層 １０６、２０６ 第３の接着層 １０７、２０７ 第２の基材 １０８、２０８ 可逆性感熱記録層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2C005 MA10 NA09 NA36 PA18 QB03 QB04 RA11 TA22 5B035 AA00 BA04 BA05 BB09 CA01 CA06

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくともＩＣチップを配置した配線基
   板とＩＣチップを収容する透孔を設けた配線基板保護層
   とを内部に位置させ、プラスチック基板を最外層となる
   ように接着層を介して積層して熱融着するＩＣカードの
   製造方法であって、 少なくとも表裏一方の前記プラスチック基板における前
   記透孔領域が射影される領域部分には前記接着層を有し
   ないことを特徴とするＩＣカードの製造方法。
2. 【請求項２】 配線基板保護層とプラスチック基板との
   間に位置する前記接着層を有しない領域を前記配線基板
   保護層に設けたＩＣチップを収容する透孔より大きい面
   積とすることを特徴とする請求項１記載のＩＣカードの
   製造方法。