JP2001035747A - 積層セラミックコンデンサ - Google Patents
積層セラミックコンデンサInfo
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 焼成時において、積層体の内部での内部電極
とセラミック層との収縮挙動の違いにより起こるクラッ
クを生じにくくする。 【解決手段】 積層セラミックコンデンサは、セラミッ
ク層7と内部電極5、6とが交互に積層された積層体3
と、この積層体3の端部に設けられた外部電極2、2と
を有し、前記内部電極5、6がセラミック層7の互いに
対向する少なくとも一対の縁の何れか一方に各々達して
いることにより、積層体3の対向する端面に内部電極
5、6が各々導出され、同積層体3の端面に導出された
内部電極5、6が前記外部電極2、2に各々接続されて
いる。前記セラミック層7を介して積層体3の内部で対
向する内部電極5、6に、部分的に導体粒子8もセラミ
ック粒子10も存在しない空隙部9を有する。
とセラミック層との収縮挙動の違いにより起こるクラッ
クを生じにくくする。 【解決手段】 積層セラミックコンデンサは、セラミッ
ク層7と内部電極5、6とが交互に積層された積層体3
と、この積層体3の端部に設けられた外部電極2、2と
を有し、前記内部電極5、6がセラミック層7の互いに
対向する少なくとも一対の縁の何れか一方に各々達して
いることにより、積層体3の対向する端面に内部電極
5、6が各々導出され、同積層体3の端面に導出された
内部電極5、6が前記外部電極2、2に各々接続されて
いる。前記セラミック層7を介して積層体3の内部で対
向する内部電極5、6に、部分的に導体粒子8もセラミ
ック粒子10も存在しない空隙部9を有する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、内部電極
パターンとセラミック層との積層体を有し、この積層体
の端部に前記内部電極に導通するように外部電極を設け
た積層セラミックコンデンサに関し、特に内部電極層が
3μm以下と薄いタイプのものであって、焼成時に、積
層体内部でのクラックが生じにくい積層セラミックコン
デンサに関する。
パターンとセラミック層との積層体を有し、この積層体
の端部に前記内部電極に導通するように外部電極を設け
た積層セラミックコンデンサに関し、特に内部電極層が
3μm以下と薄いタイプのものであって、焼成時に、積
層体内部でのクラックが生じにくい積層セラミックコン
デンサに関する。
【0002】
【従来の技術】積層セラミックコンデンサは、内部電極
を有する誘電体からなるセラミック層が多数層に積層さ
れ、この積層体の内部で内部電極が対向し、この積層体
の対向する端面に前記の内部電極が交互に引き出されて
いる。そして、これらの内部電極が引き出された積層体
の端面を含む端部に外部電極が形成され、この外部電極
が積層体の内部で対向している前記内部電極にそれぞれ
接続されている。
を有する誘電体からなるセラミック層が多数層に積層さ
れ、この積層体の内部で内部電極が対向し、この積層体
の対向する端面に前記の内部電極が交互に引き出されて
いる。そして、これらの内部電極が引き出された積層体
の端面を含む端部に外部電極が形成され、この外部電極
が積層体の内部で対向している前記内部電極にそれぞれ
接続されている。
【0003】このような積層セラミックコンデンサの前
記積層体3は、例えば、図3に示すような層構造を有す
る。すなわち、内部電極5、6を有する誘電体からなる
セラミック層7、7…が図3で示す順序に積層され、さ
らにその両側に内部電極5、6が形成されていないセラ
ミック層7、7…が各々複数層積み重ねられる。そし
て、このような層構造を有する積層体3の端部には内部
電極5、6が交互に露出しており、図1に示すように、
この積層体3の端部に前記の外部電極2、2が形成され
る。
記積層体3は、例えば、図3に示すような層構造を有す
る。すなわち、内部電極5、6を有する誘電体からなる
セラミック層7、7…が図3で示す順序に積層され、さ
らにその両側に内部電極5、6が形成されていないセラ
ミック層7、7…が各々複数層積み重ねられる。そし
て、このような層構造を有する積層体3の端部には内部
電極5、6が交互に露出しており、図1に示すように、
この積層体3の端部に前記の外部電極2、2が形成され
る。
【0004】このような積層セラミックコンデンサは、
通常図3に示すような部品1個単位が個々に製造される
訳ではなく、実際は次に示すような製造方法がとられ
る。すなわち、まず微細化したセラミック粉末と有機バ
インダーとを混練してスラリーを作り、これをドクター
ブレード法によってポリエチレンテレフタレートフィル
ム等からなるキャリアフィルム上に薄く展開し、乾燥
し、セラミックグリーンシートを支持フィルムの上に載
ったままカッティングヘッドで所望の大きさに切断し、
その片面にスクリーン印刷法によって導電ペーストを印
刷し、乾燥する。これにより、図6に示すように、縦横
に複数組分の内部電極パターン2a、2bが配列された
セラミックグリーンシート1a、1bが得られる。
通常図3に示すような部品1個単位が個々に製造される
訳ではなく、実際は次に示すような製造方法がとられ
る。すなわち、まず微細化したセラミック粉末と有機バ
インダーとを混練してスラリーを作り、これをドクター
ブレード法によってポリエチレンテレフタレートフィル
ム等からなるキャリアフィルム上に薄く展開し、乾燥
し、セラミックグリーンシートを支持フィルムの上に載
ったままカッティングヘッドで所望の大きさに切断し、
その片面にスクリーン印刷法によって導電ペーストを印
刷し、乾燥する。これにより、図6に示すように、縦横
に複数組分の内部電極パターン2a、2bが配列された
セラミックグリーンシート1a、1bが得られる。
【0005】次に、前記内部電極パターン2a、2bを
有する複数枚のセラミックグリーンシート1a、1bを
積層し、さらに、内部電極パターン2a、2bを有しな
い何枚かのセラミックグリーンシート1、1…を上下に
積み重ね、これらを圧着し、積層体を作る。ここで、前
記セラミックグリーンシート1a、1bは、内部電極パ
ターン2a、2bが長手方向に半分の長さ分だけずれた
ものを交互に積み重ねる。その後、この積層体を所望の
個別チップのサイズに切断して、積層生チップを制作
し、この生チップを焼成する。こうして図1及び図3に
示すような積層体が得られる。
有する複数枚のセラミックグリーンシート1a、1bを
積層し、さらに、内部電極パターン2a、2bを有しな
い何枚かのセラミックグリーンシート1、1…を上下に
積み重ね、これらを圧着し、積層体を作る。ここで、前
記セラミックグリーンシート1a、1bは、内部電極パ
ターン2a、2bが長手方向に半分の長さ分だけずれた
ものを交互に積み重ねる。その後、この積層体を所望の
個別チップのサイズに切断して、積層生チップを制作
し、この生チップを焼成する。こうして図1及び図3に
示すような積層体が得られる。
【0006】次に、この焼成済みの積層体3の両端に導
電ペーストを塗布し、焼付け、焼付けた導体膜の表面に
メッキを施すことにより、両端に外部電極2、2が形成
された図1に示すような積層セラミックコンデンサが完
成する。例えば、上記の積層セラミックコンデンサ積層
体の断面図を表すと、図2のようになる。積層体の断面
図は、導体粒子と導体粒子との間の孔部にはセラミック
粒子が入り込み、孔部を埋めていた。
電ペーストを塗布し、焼付け、焼付けた導体膜の表面に
メッキを施すことにより、両端に外部電極2、2が形成
された図1に示すような積層セラミックコンデンサが完
成する。例えば、上記の積層セラミックコンデンサ積層
体の断面図を表すと、図2のようになる。積層体の断面
図は、導体粒子と導体粒子との間の孔部にはセラミック
粒子が入り込み、孔部を埋めていた。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】前記のような積層セラ
ミックコンデンサにおけるセラミック層7の積層体3で
は、セラミック層7と内部電極5、6とでは、温度変化
による収縮挙動に相違がある為、積層体3の内部で微細
なクラック(マイクロクラック)が生じ易い。特に、1
00層以上の高積層になるとその傾向が顕著である。
ミックコンデンサにおけるセラミック層7の積層体3で
は、セラミック層7と内部電極5、6とでは、温度変化
による収縮挙動に相違がある為、積層体3の内部で微細
なクラック(マイクロクラック)が生じ易い。特に、1
00層以上の高積層になるとその傾向が顕著である。
【0008】そこで、本発明は、前記従来技術の課題に
鑑み、積層体内部において、過大な応力が発生すること
なく、クラックが生じにくい積層セラミックコンデンサ
を提供する事を目的とする。
鑑み、積層体内部において、過大な応力が発生すること
なく、クラックが生じにくい積層セラミックコンデンサ
を提供する事を目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明では、前記の目的
を達成するため、セラミック層7を介して積層体3の内
部で対向する内部電極5、6に、部分的に導体粒子8が
無い空隙部9を設けた。この内部電極5、6の空隙部9
により、内部電極5、6とセラミック層7との間で生じ
る応力を緩和し、焼成による積層体3の内部におけるク
ラックの発生を防止することを可能としたものである。
を達成するため、セラミック層7を介して積層体3の内
部で対向する内部電極5、6に、部分的に導体粒子8が
無い空隙部9を設けた。この内部電極5、6の空隙部9
により、内部電極5、6とセラミック層7との間で生じ
る応力を緩和し、焼成による積層体3の内部におけるク
ラックの発生を防止することを可能としたものである。
【0010】すなわち、本発明による積層セラミックコ
ンデンサは、セラミック層7と内部電極5、6とが交互
に積層された積層体3と、この積層体3の端部に設けら
れた外部電極2、2とを有し、前記内部電極5、6がセ
ラミック層7の互いに対向する少なくとも一対の縁の何
れか一方に各々達していることにより、積層体3の対向
する端面に内部電極5、6が各々導出され、同積層体3
の端面に導出された内部電極5、6が前記外部電極2、
2に各々接続されているものであって、前記セラミック
層7を介して積層体3の内部で対向する内部電極5、6
に、部分的に導体粒子8もセラミック粒子10も存在し
ない、空隙部9を設けた事を特徴とする。
ンデンサは、セラミック層7と内部電極5、6とが交互
に積層された積層体3と、この積層体3の端部に設けら
れた外部電極2、2とを有し、前記内部電極5、6がセ
ラミック層7の互いに対向する少なくとも一対の縁の何
れか一方に各々達していることにより、積層体3の対向
する端面に内部電極5、6が各々導出され、同積層体3
の端面に導出された内部電極5、6が前記外部電極2、
2に各々接続されているものであって、前記セラミック
層7を介して積層体3の内部で対向する内部電極5、6
に、部分的に導体粒子8もセラミック粒子10も存在し
ない、空隙部9を設けた事を特徴とする。
【0011】前記内部電極5、6の空隙部9は、一個の
大きさが内部電極平面図の空隙を通してセラミック粒子
が10個以上あり、空隙部の総面積が内部電極5、6の
面積の25〜75%を占めている。このような積層セラ
ミックコンデンサは、前記内部電極5、6の膜厚が3μ
m以下の薄いものに適用すると好適である。ここで、内
部電極5、6の面積とは、空隙部9を含めた内部電極
5、6の面積、つまり内部電極5、6の見かけの面積で
ある。例えば、内部電極5、6が矩形の導体パターンで
ある場合、その縦横寸法の積となる。
大きさが内部電極平面図の空隙を通してセラミック粒子
が10個以上あり、空隙部の総面積が内部電極5、6の
面積の25〜75%を占めている。このような積層セラ
ミックコンデンサは、前記内部電極5、6の膜厚が3μ
m以下の薄いものに適用すると好適である。ここで、内
部電極5、6の面積とは、空隙部9を含めた内部電極
5、6の面積、つまり内部電極5、6の見かけの面積で
ある。例えば、内部電極5、6が矩形の導体パターンで
ある場合、その縦横寸法の積となる。
【0012】このような積層セラミックコンデンサで
は、セラミック層7を介して積層体3の内部で対向する
内部電極5、6に、部分的に導体粒子8もセラミック粒
子も存在しない空隙部9を設けたので、焼成時において
も収縮挙動の違いから応力がかかりにくくなり、クラッ
クの発生が有効に防止される。
は、セラミック層7を介して積層体3の内部で対向する
内部電極5、6に、部分的に導体粒子8もセラミック粒
子も存在しない空隙部9を設けたので、焼成時において
も収縮挙動の違いから応力がかかりにくくなり、クラッ
クの発生が有効に防止される。
【0013】但し、空隙部9、は内部電極5、6の50
%前後、より具体的には25〜75%の面積を占めてい
ることが好ましい。空隙部9の内部電極5、6に占める
面積の割合が25%未満では、クラックの発生防止が十
分ではない。また、空隙部9の内部電極5、6に占める
面積の割合が75%を超えると、内部電極5、6の対向
面積が減少し、所要の静電容量が得にくくなるからであ
る。
%前後、より具体的には25〜75%の面積を占めてい
ることが好ましい。空隙部9の内部電極5、6に占める
面積の割合が25%未満では、クラックの発生防止が十
分ではない。また、空隙部9の内部電極5、6に占める
面積の割合が75%を超えると、内部電極5、6の対向
面積が減少し、所要の静電容量が得にくくなるからであ
る。
【0014】
【発明の実施の形態】次に、図面を参照しながら、本発
明の実施の形態について具体的且つ詳細に説明する。
まず、チタン酸バリウム等の誘電体セラミック原料粉末
をエタノール、テルピネオール、ブチルカルビトール、
トルエン、ケロシン等の溶剤に溶解したァビチエン酸レ
ジン、ポリビニルブチラール、エチルセルロース、アク
リル樹脂等の有機バインダに均一に分散し、セラミック
スラリを調整する。このセラミックスラリをポリエチレ
ンテレフタレートフィルム等のベースフィルム上に薄く
均一な厚さで塗布し、乾燥し、膜状のセラミックグリー
ンシートを作る。その後、このセラミックグリーンシー
トを適当な大きさに裁断する。
明の実施の形態について具体的且つ詳細に説明する。
まず、チタン酸バリウム等の誘電体セラミック原料粉末
をエタノール、テルピネオール、ブチルカルビトール、
トルエン、ケロシン等の溶剤に溶解したァビチエン酸レ
ジン、ポリビニルブチラール、エチルセルロース、アク
リル樹脂等の有機バインダに均一に分散し、セラミック
スラリを調整する。このセラミックスラリをポリエチレ
ンテレフタレートフィルム等のベースフィルム上に薄く
均一な厚さで塗布し、乾燥し、膜状のセラミックグリー
ンシートを作る。その後、このセラミックグリーンシー
トを適当な大きさに裁断する。
【0015】次に、図6に示すように、この裁断したセ
ラミックグリーンシート1a、1bの上に、導電ペース
トを使用し、2種類の内部電極パターン2a,2bを各
々印刷する。例えば、導電ペーストは、Ni粉末の10
0重量%に対して、バインダとしてエチルセルロースを
3〜12重量%、溶剤としてターピネオールを80〜1
20重量%、いわゆる共材としてチタン酸バリウム粉末
を10〜20重量%添加し、均一に混合、分散したもの
を使用する。
ラミックグリーンシート1a、1bの上に、導電ペース
トを使用し、2種類の内部電極パターン2a,2bを各
々印刷する。例えば、導電ペーストは、Ni粉末の10
0重量%に対して、バインダとしてエチルセルロースを
3〜12重量%、溶剤としてターピネオールを80〜1
20重量%、いわゆる共材としてチタン酸バリウム粉末
を10〜20重量%添加し、均一に混合、分散したもの
を使用する。
【0016】このようなNiペースト等の導電ペースト
を使用し、セラミックグリーンシート1a、1bの上に
内部電極パターン2a、2bを印刷する。このような内
部電極バターン2a、2bが印刷されたセラミックグリ
ーンシート1a、1bを、図6に示すように交互に積み
重ね、さらにその両側に内部電極パターン2a、2bが
印刷されていないセラミックグリーンシート1、1、い
わゆるダミーシートを積み重ね、これらを圧着し、積層
体を得る。さらに、この積層体を縦横に裁断し、個々の
チップ状の積層体に分割する。その後、図1に示すよう
に、内部電極5、6が各々導出している積層体3の両端
にNiペーストなどの導電ペーストを塗布し、これらの
積層体を焼成することで、図3に示すような層構造を有
する焼成済みの積層体3を得る。
を使用し、セラミックグリーンシート1a、1bの上に
内部電極パターン2a、2bを印刷する。このような内
部電極バターン2a、2bが印刷されたセラミックグリ
ーンシート1a、1bを、図6に示すように交互に積み
重ね、さらにその両側に内部電極パターン2a、2bが
印刷されていないセラミックグリーンシート1、1、い
わゆるダミーシートを積み重ね、これらを圧着し、積層
体を得る。さらに、この積層体を縦横に裁断し、個々の
チップ状の積層体に分割する。その後、図1に示すよう
に、内部電極5、6が各々導出している積層体3の両端
にNiペーストなどの導電ペーストを塗布し、これらの
積層体を焼成することで、図3に示すような層構造を有
する焼成済みの積層体3を得る。
【0017】さらにこのNiペーストなどの上に、導電
膜として、Cuがメッキされ、その導電膜上にNiがメ
ッキされ、さらにその上にSn或いは半田メッキが施さ
れ、外部電極2、2が形成される。これにより、積層セ
ラミックコンデンサが完成する。
膜として、Cuがメッキされ、その導電膜上にNiがメ
ッキされ、さらにその上にSn或いは半田メッキが施さ
れ、外部電極2、2が形成される。これにより、積層セ
ラミックコンデンサが完成する。
【0018】前記のような積層体の焼成工程において、
内部電極5、6が焼成されていくと、まず内部電極パタ
ーンを形成している導電ペーストの金属粒子の最配列が
起こり、内部電極パターンを形成している導体粒子は、
セラミック層7との間でその界面方向に成長する。これ
により、図2のように、内部電極5、6を形成する導体
粒子8は、セラミック層7との界面方向に成長した偏平
な粒子として再形成され、このような偏平な導電粒子が
セラミック層7との界面方向に1個ずつ連なった状態で
膜状の内部電極5、6が形成される。この内部電極5、
6の膜厚は3μm以下である。
内部電極5、6が焼成されていくと、まず内部電極パタ
ーンを形成している導電ペーストの金属粒子の最配列が
起こり、内部電極パターンを形成している導体粒子は、
セラミック層7との間でその界面方向に成長する。これ
により、図2のように、内部電極5、6を形成する導体
粒子8は、セラミック層7との界面方向に成長した偏平
な粒子として再形成され、このような偏平な導電粒子が
セラミック層7との界面方向に1個ずつ連なった状態で
膜状の内部電極5、6が形成される。この内部電極5、
6の膜厚は3μm以下である。
【0019】また、前記のような積層体3の焼成工程に
おいて、内部電極5、6が焼成されていくと、まず内部
電極パターンを形成している導電ペーストの金属粒子の
最配列が起こり、内部電極パターンの厚みが減少する。
その後最配列が終わると、内部電極パターンを形成して
いる導電ペーストの焼結が始まり、この焼結時には導電
ペースト中の金属粒子が表面張力の作用により一箇所に
集まろうとする。その時は徐々に内部電極パターンが厚
くなっていく。その結果、焼成前と焼成後の内部電極パ
ターンと内部電極5、6の厚みは殆ど変わらないことに
なる。一方、セラミック層7は焼成過程において、厚さ
は減少していくだけである。このため、内部電極5、6
とセラミック層7とのギャップにより、内部電極5、6
に導体膜が存在しない空隙部9が生じる。このような空
隙部9のサイズ等の制御方法としては、内部電極形成用
の導電ペーストの組成(金属量、共材量、バインダ
量)、その導体粒子の粒径或いはその焼成プロファイル
等を調整することがあげられる。
おいて、内部電極5、6が焼成されていくと、まず内部
電極パターンを形成している導電ペーストの金属粒子の
最配列が起こり、内部電極パターンの厚みが減少する。
その後最配列が終わると、内部電極パターンを形成して
いる導電ペーストの焼結が始まり、この焼結時には導電
ペースト中の金属粒子が表面張力の作用により一箇所に
集まろうとする。その時は徐々に内部電極パターンが厚
くなっていく。その結果、焼成前と焼成後の内部電極パ
ターンと内部電極5、6の厚みは殆ど変わらないことに
なる。一方、セラミック層7は焼成過程において、厚さ
は減少していくだけである。このため、内部電極5、6
とセラミック層7とのギャップにより、内部電極5、6
に導体膜が存在しない空隙部9が生じる。このような空
隙部9のサイズ等の制御方法としては、内部電極形成用
の導電ペーストの組成(金属量、共材量、バインダ
量)、その導体粒子の粒径或いはその焼成プロファイル
等を調整することがあげられる。
【0020】図2は、出来上がった積層セラミックコン
デンサをアクリル系樹脂に埋め込み、保持した状態でセ
ラミック層7の積層方向と直交する方向に研磨し、その
断面を露出させて光学顕微鏡により観察して得られた顕
微鏡写真を模式的に示したものである。丁度図1のA部
分の拡大図に当たる。
デンサをアクリル系樹脂に埋め込み、保持した状態でセ
ラミック層7の積層方向と直交する方向に研磨し、その
断面を露出させて光学顕微鏡により観察して得られた顕
微鏡写真を模式的に示したものである。丁度図1のA部
分の拡大図に当たる。
【0021】図2に示すように、セラミック層7の間に
扁平な導体粒子が概ね1個ずつセラミック層7との界面
方向に一列に連なって内部電極5、6が形成されてい
る。しかしこの内部電極5、6は全ての部分で完全に連
なっているものではなく、所々に導体膜もセラミック粒
子も存在しない空隙部9が形成されている。隣接する空
隙部9の間で連なっている導体粒子8は20個以下であ
る。
扁平な導体粒子が概ね1個ずつセラミック層7との界面
方向に一列に連なって内部電極5、6が形成されてい
る。しかしこの内部電極5、6は全ての部分で完全に連
なっているものではなく、所々に導体膜もセラミック粒
子も存在しない空隙部9が形成されている。隣接する空
隙部9の間で連なっている導体粒子8は20個以下であ
る。
【0022】図4は、出来上がった積層セラミックコン
デンサをアクリル系樹脂に埋め込み、保持した状態でセ
ラミック層7の積層方向に研磨し、その断面を露出させ
て、内部電極5、6の平面を光学顕微鏡により観察して
得られた顕微鏡写真を模式的に示したものである。丁度
図3のB部分の拡大図に当たる。さらに、図5は図4の
C部を拡大して模式的に示した図である。
デンサをアクリル系樹脂に埋め込み、保持した状態でセ
ラミック層7の積層方向に研磨し、その断面を露出させ
て、内部電極5、6の平面を光学顕微鏡により観察して
得られた顕微鏡写真を模式的に示したものである。丁度
図3のB部分の拡大図に当たる。さらに、図5は図4の
C部を拡大して模式的に示した図である。
【0023】図4に示す空隙部9の部分には、導体粒子
8もセラミック粒子10も存在しない。図5では、空隙
部9の背後にセラミック粒子10が見えている。この空
隙部9の一個所当たりの大きさは、セラミック粒子10
個分以上である。また、このような内部電極5、6の空
隙部9は、内部電極5、6の50%前後、より具体的に
は25〜75%の面積を占めている。
8もセラミック粒子10も存在しない。図5では、空隙
部9の背後にセラミック粒子10が見えている。この空
隙部9の一個所当たりの大きさは、セラミック粒子10
個分以上である。また、このような内部電極5、6の空
隙部9は、内部電極5、6の50%前後、より具体的に
は25〜75%の面積を占めている。
【0024】
【実施例】次に、本発明のより具体的な実施例とそれら
に対する比較例について説明する。 (実施例)チタン酸バリウム等の誘電体セラミック原料
粉末をターピネオール等の溶剤に溶解したエチルセルロ
ース等の有機バインダに均ーに分散したセラミックスラ
リを作り、これをポリエチレンテレフタレートフィルム
等のべースフィルム上に薄く均一な厚さで塗布し、乾燥
し、膜状のセラミックグリーンシートを作った。その
後、このセラミックグリーンシートをベースフィルムか
ら剥離し、150mm角のセラミックグリーンシートを
複数枚作った。
に対する比較例について説明する。 (実施例)チタン酸バリウム等の誘電体セラミック原料
粉末をターピネオール等の溶剤に溶解したエチルセルロ
ース等の有機バインダに均ーに分散したセラミックスラ
リを作り、これをポリエチレンテレフタレートフィルム
等のべースフィルム上に薄く均一な厚さで塗布し、乾燥
し、膜状のセラミックグリーンシートを作った。その
後、このセラミックグリーンシートをベースフィルムか
ら剥離し、150mm角のセラミックグリーンシートを
複数枚作った。
【0025】他方、Ni粉末の100重量%に対して、
バインダとしてエチルセルロースを8重量%、溶剤とし
てターピネオールを100重量%添加し、均一に混合、
分散し、導電ペーストを調整した。このNiペーストを
使用し、スクリーン印刷機により各々のセラミックグリ
ーンシートに図6に示すような厚さ2.5μmの内部電
極パターン1a、1bを各々形成した。このような内部
電極パターンが印刷されたセラミックグリーンシートを
交互に所定枚数積み重ね、その上下に内部電極パターン
が印刷されていないセラミックグリーンシート、いわゆ
るダミーシートを積み重ね、これらを積層方向に120
℃の温度下において200tの圧力で加圧して圧着し、
積層体を得た。
バインダとしてエチルセルロースを8重量%、溶剤とし
てターピネオールを100重量%添加し、均一に混合、
分散し、導電ペーストを調整した。このNiペーストを
使用し、スクリーン印刷機により各々のセラミックグリ
ーンシートに図6に示すような厚さ2.5μmの内部電
極パターン1a、1bを各々形成した。このような内部
電極パターンが印刷されたセラミックグリーンシートを
交互に所定枚数積み重ね、その上下に内部電極パターン
が印刷されていないセラミックグリーンシート、いわゆ
るダミーシートを積み重ね、これらを積層方向に120
℃の温度下において200tの圧力で加圧して圧着し、
積層体を得た。
【0026】この積層体を、3.2mm×1.6mmの
大きさに裁断し、積層体の両端部にNiペーストを塗布
した後、1320℃の温度で焼成し、図1に示すような
焼成済の積層体3を得た。さらにその後、チップを無電
解バレルメッキ槽に入れて、Cu膜をメッキ処理し、そ
のCu膜上に電解バレルメッキ槽に入れて、Ni膜をメ
ッキ処理する。そしてそのNi膜上に半田又はSnメッ
キを順次施した。これにより、外部電極2、2を形成
し、図1に示すような積層セラミックコンデンサを得
た。
大きさに裁断し、積層体の両端部にNiペーストを塗布
した後、1320℃の温度で焼成し、図1に示すような
焼成済の積層体3を得た。さらにその後、チップを無電
解バレルメッキ槽に入れて、Cu膜をメッキ処理し、そ
のCu膜上に電解バレルメッキ槽に入れて、Ni膜をメ
ッキ処理する。そしてそのNi膜上に半田又はSnメッ
キを順次施した。これにより、外部電極2、2を形成
し、図1に示すような積層セラミックコンデンサを得
た。
【0027】この積層セラミックコンデンサの50個を
アクリル系樹脂に理め込み、保持した状態で、内部電極
5、6の積層方向と直交する方向に研磨し、内部電極
5、6とセラミック層7の積層状態を光学顕微鏡により
観察した。その結果、図2に示したように、セラミック
層7の間に扁平な導体粒子が概ね1個ずつセラミック層
7との界面方向に一列に連なって内部電極5、6が形成
されているが、この内部電極5、6の所々に導体膜もセ
ラミックも存在しない空隙部9が形成されていた。界面
方向に一列に連なっている内部電極5、6の空隙部と空
隙部との間に連なっている導体粒子8は最大で15個で
あった。
アクリル系樹脂に理め込み、保持した状態で、内部電極
5、6の積層方向と直交する方向に研磨し、内部電極
5、6とセラミック層7の積層状態を光学顕微鏡により
観察した。その結果、図2に示したように、セラミック
層7の間に扁平な導体粒子が概ね1個ずつセラミック層
7との界面方向に一列に連なって内部電極5、6が形成
されているが、この内部電極5、6の所々に導体膜もセ
ラミックも存在しない空隙部9が形成されていた。界面
方向に一列に連なっている内部電極5、6の空隙部と空
隙部との間に連なっている導体粒子8は最大で15個で
あった。
【0028】さらに、別の積層セラミックコンデンサの
50個をアクリル系樹脂に埋め込み、保持した状態で、
内部電極5、6の積層方向に研磨し、内部電極5、6の
平面を露出させて、これを光学顕微鏡により観察した。
その結果、内部電極5、6には、図5に示すように、導
体膜もセラミックも存在しない空隙部9が存在してい
た。この空隙部9が電極5、6の平面に占める面積は約
49%であった。
50個をアクリル系樹脂に埋め込み、保持した状態で、
内部電極5、6の積層方向に研磨し、内部電極5、6の
平面を露出させて、これを光学顕微鏡により観察した。
その結果、内部電極5、6には、図5に示すように、導
体膜もセラミックも存在しない空隙部9が存在してい
た。この空隙部9が電極5、6の平面に占める面積は約
49%であった。
【0029】合計100個の積層セラミックコンデンサ
について、積層体3の内部のクラックを調べたところ、
クラックの発生は認められなかった。さらに、同時に製
造した別の積層セラミックコンデンサを50個使用し、
その両端の外部電極2、2を回路基板上のランド電極に
半田付けし、その後この積層セラミックコンデンサを研
磨し、同様にして積層体3の内部におけるクラックの有
無を調べたところ、やはりクラックの発生は認められな
かった。
について、積層体3の内部のクラックを調べたところ、
クラックの発生は認められなかった。さらに、同時に製
造した別の積層セラミックコンデンサを50個使用し、
その両端の外部電極2、2を回路基板上のランド電極に
半田付けし、その後この積層セラミックコンデンサを研
磨し、同様にして積層体3の内部におけるクラックの有
無を調べたところ、やはりクラックの発生は認められな
かった。
【0030】(比較例)前記実施例において、内部電極
5、6を形成するためのNiペーストにチタン酸バリウ
ム粉末からなる共材の含有量をNi粉末の100重量%
に対し、10重量%とし、さらに裁断したチップの焼成
時の温度上昇勾配を緩やかにして焼成したこと以外は、
同実施例と同様にして積層セラミックコンデンサを製造
した。
5、6を形成するためのNiペーストにチタン酸バリウ
ム粉末からなる共材の含有量をNi粉末の100重量%
に対し、10重量%とし、さらに裁断したチップの焼成
時の温度上昇勾配を緩やかにして焼成したこと以外は、
同実施例と同様にして積層セラミックコンデンサを製造
した。
【0031】この積層セラミックコンデンサの50個を
アクリル系樹脂に埋め込み、保持した状態で、内部電極
5、6の積層方向と直交する方向に研磨し、内部電極
5、6とセラミック層7の積層状態を光学顕微鏡により
観察した。その結果、セラミック層7の間に導体粒子が
概ね一列に連なって内部電極5、6が形成されている
が、この内部電極5、6の所々に導体膜もセラミック粒
子も存在しない空隙部9が疎らに形成されていた。
アクリル系樹脂に埋め込み、保持した状態で、内部電極
5、6の積層方向と直交する方向に研磨し、内部電極
5、6とセラミック層7の積層状態を光学顕微鏡により
観察した。その結果、セラミック層7の間に導体粒子が
概ね一列に連なって内部電極5、6が形成されている
が、この内部電極5、6の所々に導体膜もセラミック粒
子も存在しない空隙部9が疎らに形成されていた。
【0032】さらに、別の積層セラミックコンデンサの
50個をアクリル系樹脂に埋め込み、保持した状態で、
内部電極5、6の積層方向に研磨し、内部電極5、6の
平面を露出させて、これを光学顕微鏡により観察した。
その結果、内部電極5、6には、導体膜もセラミック粒
子も存在しない空隙部9が存在していたが、その内部電
極5、6の平面に占める割合は、23%であった。
50個をアクリル系樹脂に埋め込み、保持した状態で、
内部電極5、6の積層方向に研磨し、内部電極5、6の
平面を露出させて、これを光学顕微鏡により観察した。
その結果、内部電極5、6には、導体膜もセラミック粒
子も存在しない空隙部9が存在していたが、その内部電
極5、6の平面に占める割合は、23%であった。
【0033】またこれら合計100個の積層セラミック
コンデンサについて、積層体3の内部におけるクラック
の有無を調べたところ、クラックの発生は認められなか
った。さらに、同時に製造した別の積層セラミックコン
デンサを50個使用し、その両端の外部電極2、2を回
路基板上のランド電極に半田付けし、その後この積層セ
ラミックコンデンサを研磨し、同様にして積層体3の内
部におけるクラックの有無を調べたところ、18個にク
ラックの発生が認められた。
コンデンサについて、積層体3の内部におけるクラック
の有無を調べたところ、クラックの発生は認められなか
った。さらに、同時に製造した別の積層セラミックコン
デンサを50個使用し、その両端の外部電極2、2を回
路基板上のランド電極に半田付けし、その後この積層セ
ラミックコンデンサを研磨し、同様にして積層体3の内
部におけるクラックの有無を調べたところ、18個にク
ラックの発生が認められた。
【0034】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明によれば、焼
成時においてセラミック粒子と内部電極との収縮挙動の
違いから生じるクラック不良が、生じにくい積層セラミ
ックコンデンサを得ることが出来る。
成時においてセラミック粒子と内部電極との収縮挙動の
違いから生じるクラック不良が、生じにくい積層セラミ
ックコンデンサを得ることが出来る。
【図1】本発明による積層セラミックコンデンサの例を
示す一部切欠斜視図である。
示す一部切欠斜視図である。
【図2】同積層セラミックコンデンサの図1のA部を示
す要部拡大断画図である。
す要部拡大断画図である。
【図3】同積層セラミックコンデンサの例の積層体の各
層を分離して示した分解斜視図である。
層を分離して示した分解斜視図である。
【図4】同積層セラミックコンデンサの図3のB部を示
す要部拡大図である。
す要部拡大図である。
【図5】同積層セラミックコンデンサの図4のC部を示
す要部拡大図である。
す要部拡大図である。
【図6】積層セラミックコンデンサを製造するためのセ
ラミックグリーンシートの積層状態を示す各層の分離斜
視図である。
ラミックグリーンシートの積層状態を示す各層の分離斜
視図である。
2 外部電極 3 積層体 5 内部電極 6 内部電極 7 セラミック層 9 空隙部 10 セラミック層
Claims (3)
- 【請求項1】 セラミック層(7)と内部電極(5)、
(6)とが交互に積層された積層体(3)と、この積層
体(3)の端部に設けられた外部電極(2)、(2)と
を有し、前記内部電極(5)、(6)がセラミック層
(7)の互いに対向する少なくとも一対の縁の何れか一
方に各々達していることにより、積層体(3)の対向す
る端面に内部電極(5)、(6)が各々導出され、同積
層体(3)の端面に導出された内部電極(5)、(6)
が前記外部電極(2)、(2)に各々接続されている積
層セラミックコンデンサにおいて、積層体(3)の内部
で対向する内部電極(5)、(6)に、部分的に導体粒
子(8)もセラミック粒子(10)も存在しない空隙部
(9)を設けたことを特徴とする積層セラミックコンデ
ンサ。 - 【請求項2】 内部電極(5)、(6)内に存在する空
隙部(9)が内部電極(5)、(6)の面積の25〜7
5%を占めていることを特徴とする請求項1〜3の何れ
かに記載の積層セラミックコンデンサ。 - 【請求項3】 前記内部電極(5)、(6)の膜厚が3
μm以下であることを特徴とする請求項1〜2の何れか
に記載の積層セラミックコンデンサ。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11205588A JP2001035747A (ja) | 1999-07-21 | 1999-07-21 | 積層セラミックコンデンサ |
TW089112762A TW452807B (en) | 1999-07-21 | 2000-06-28 | Laminated ceramic capacitor |
CNB001203320A CN100466120C (zh) | 1999-07-21 | 2000-07-10 | 堆积陶瓷电容器 |
KR1020000041291A KR100676035B1 (ko) | 1999-07-21 | 2000-07-19 | 적층 세라믹 콘덴서 |
HK01103230.3A HK1032664A1 (en) | 1999-07-21 | 2001-05-08 | Multilayer ceramic capacitor |
US10/403,392 US6979486B2 (en) | 1999-07-21 | 2003-03-31 | Multilayer ceramic capacitor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11205588A JP2001035747A (ja) | 1999-07-21 | 1999-07-21 | 積層セラミックコンデンサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001035747A true JP2001035747A (ja) | 2001-02-09 |
Family
ID=16509377
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11205588A Pending JP2001035747A (ja) | 1999-07-21 | 1999-07-21 | 積層セラミックコンデンサ |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001035747A (ja) |
KR (1) | KR100676035B1 (ja) |
CN (1) | CN100466120C (ja) |
HK (1) | HK1032664A1 (ja) |
TW (1) | TW452807B (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005167108A (ja) * | 2003-12-05 | 2005-06-23 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型電子部品の製造方法 |
WO2006068245A1 (ja) * | 2004-12-24 | 2006-06-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd | 積層型圧電セラミック部品、及び積層型圧電セラミック部品の製造方法 |
JP2008085041A (ja) * | 2006-09-27 | 2008-04-10 | Kyocera Corp | 積層セラミックコンデンサおよびその製法 |
JP2011114312A (ja) * | 2009-11-30 | 2011-06-09 | Tdk Corp | 薄膜コンデンサ |
JP2019175936A (ja) * | 2018-03-27 | 2019-10-10 | Tdk株式会社 | 積層セラミック電子部品 |
US10857857B2 (en) | 2014-01-22 | 2020-12-08 | Hanon Systems | Photocatalyst device and air conditioner for vehicle having the same |
JP7416021B2 (ja) | 2021-06-16 | 2024-01-17 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4896642B2 (ja) * | 2006-09-12 | 2012-03-14 | Tdk株式会社 | 積層コンデンサ及び電子機器 |
CN106384667B (zh) * | 2010-08-18 | 2018-09-28 | 太阳诱电株式会社 | 叠层型陶瓷电子零件 |
CN105354136B (zh) | 2015-09-25 | 2018-06-15 | 华为技术有限公司 | 一种调试方法、多核处理器和调试设备 |
DE202016102203U1 (de) | 2016-04-26 | 2016-06-29 | Epcos Ag | Vielschichtbauelement |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0423309A (ja) * | 1990-05-14 | 1992-01-27 | Hitachi Aic Inc | 積層セラミックコンデンサ |
JPH06349674A (ja) * | 1993-06-14 | 1994-12-22 | Murata Mfg Co Ltd | 金属膜支持体及びセラミックグリーンシート供給体並びに電子部品用セラミック積層体 |
JPH07326537A (ja) * | 1994-05-30 | 1995-12-12 | Murata Mfg Co Ltd | セラミック積層電子部品の製造方法 |
JPH0855753A (ja) * | 1994-08-10 | 1996-02-27 | Taiyo Yuden Co Ltd | 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法 |
JPH11340074A (ja) * | 1998-05-28 | 1999-12-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 粒界絶縁型積層半導体コンデンサの製造方法 |
JP4023309B2 (ja) * | 2002-12-19 | 2007-12-19 | 株式会社大真空 | 圧電振動子の製造装置及びその製造方法 |
-
1999
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-
2001
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Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005167108A (ja) * | 2003-12-05 | 2005-06-23 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型電子部品の製造方法 |
JP4560765B2 (ja) * | 2003-12-05 | 2010-10-13 | 株式会社村田製作所 | 積層型電子部品の製造方法 |
WO2006068245A1 (ja) * | 2004-12-24 | 2006-06-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd | 積層型圧電セラミック部品、及び積層型圧電セラミック部品の製造方法 |
JPWO2006068245A1 (ja) * | 2004-12-24 | 2008-06-12 | 株式会社村田製作所 | 積層型圧電セラミック部品の製造方法 |
JP4565349B2 (ja) * | 2004-12-24 | 2010-10-20 | 株式会社村田製作所 | 積層型圧電セラミック部品の製造方法 |
JP2008085041A (ja) * | 2006-09-27 | 2008-04-10 | Kyocera Corp | 積層セラミックコンデンサおよびその製法 |
JP2011114312A (ja) * | 2009-11-30 | 2011-06-09 | Tdk Corp | 薄膜コンデンサ |
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