JP2001035037A

JP2001035037A - 光ピックアップ装置

Info

Publication number: JP2001035037A
Application number: JP11209422A
Authority: JP
Inventors: Masato Yamada; 真人山田; Yoichi Tsuchiya; 洋一土屋
Original assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 1999-07-23
Filing date: 1999-07-23
Publication date: 2001-02-09

Abstract

(57)【要約】【課題】内周部と外周部とで異なる偏光面を有するレ
ーザ光が光磁気記録媒体に照射された場合にも精度良く
信号再生が可能な光ピックアップ装置を提供する。【解決手段】光ピックアップ装置１０は、半導体レー
ザ１と、コリメータレンズ２と、ビームスプリッタ３
と、対物レンズ４と、遮光体６と、ウォラストンプリズ
ム７と、集光レンズ８と、光検出器９とを備える。光磁
気記録媒体５で反射されたレーザ光がビームスプリッタ
３より光検出器９の方向へ反射され、遮光体６に入射
し、遮光体６は、内周部と異なる偏光面を有する外周部
を遮光し、内周部のみを透過する。また、ウォラストン
プリズム７は遮光体６を透過した一定方向の偏光面を有
するレーザ光をＳ偏光成分のみのレーザ光ＬＢＳと、Ｐ
偏光成分のみのレーザ光ＬＢＰと、Ｓ偏光成分とＰ偏光
成分とが混在したレーザ光ＬＢＳＰとに分離する。そし
て、３つのレーザ光は、光検出器９で検出される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光磁気記録媒体に
信号を記録および／または再生する光ピックアップ装置
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】光磁気記録媒体は、書き換え可能で、記
憶容量が大きく、且つ、信頼性の高い記録媒体として注
目されており、コンピュータメモリ等として実用化され
始めている。また、最近では、記録容量が６．１Ｇｂｙ
ｔｅｓの光磁気記録媒体が規格化され、実用化がされよ
うとしている。

【０００３】また、光磁気記録媒体からの信号再生にお
いて交番磁界を印加し、再生層から記録層に転写された
磁区を交番磁界により拡大して信号を再生する磁区拡大
再生技術も開発されており、この技術を用いることによ
り１４Ｇｂｙｔｅｓの信号を記録および／または再生す
ることができる光磁気記録媒体も提案されている。

【０００４】かかる光磁気記録媒体から信号を再生する
場合の基本原理として、一定方向の偏光面を有する直線
偏光のレーザ光を磁区に照射し、その磁区が有する磁化
とレーザ光との相互作用により照射された磁区でレーザ
光が反射される場合にはレーザ光の偏光面が所定の角度
回転させられる。そして、この回転角度は磁区が有する
磁化方向により異なるので、回転角度を検出することに
より磁化方向の異なる磁区を検出でき、信号再生が可能
となる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、直線偏光のレ
ーザ光を光磁気記録媒体に集光照射する対物レンズの開
口数（ＮＡ：ＮｕｍｅｒｉｃａｌＡｐｅｒｔｕｒｅ）
が大きくなるに伴いレーザ光の内周部と外周部とでは、
その偏光面が異なるという現象が生じる。即ち、図１３
の（ａ）、（ｂ）を参照して、開口数が０．６の対物レ
ンズ１５１でレーザ光ＬＢを集光して照射面１５０に照
射した場合、Ａ−Ａ線での断面におけるレーザ光ＬＢの
偏光面は、内周部ＬＢＩＮが矢印１５２の方向を有する
のに対し、外周部ＬＢＥＸが矢印１５３の方向を有す
る。従って、レーザ光の内周部ＬＢＩＮと外周部ＬＢＥ
Ｘとでは、偏光面の方向が異なる。

【０００６】また、図１３の（ｃ）、（ｄ）を参照し
て、開口数が０．７の対物レンズ１５５でレーザ光をＬ
Ｂを集光して照射面１５４に照射した場合、Ａ−Ａ線で
の断面におけるレーザ光ＬＢの偏光面は、内周部ＬＢＩ
Ｎが矢印１５６の方向を有するのに対し、外周部ＬＢＥ
Ｘが矢印１５７の方向を有する。従って、この場合もレ
ーザ光の内周部ＬＢＩＮと外周部ＬＢＥＸとでは、偏光
面の方向が異なる。

【０００７】そして、内周部ＬＢＩＮと異なる偏光面を
有する外周部ＬＢＥＸの領域は対物レンズの開口数が大
きくなるに伴い、広くなる。従って、今後、信号の記録
や再生に用いるレーザ光の波長が紫外線（４００〜５０
０ｎｍ）の領域になり、対物レンズの開口数が０．８〜
０．９（単一の対物レンズで開口数を０．８〜０．９と
大きくすることは困難である場合には、複合レンズによ
りこの範囲の開口数を達成することも含む。）と大きく
なることが予想され、その場合には、レーザ光のＬＢの
内周部ＬＢＩＮと異なる偏光面を有する外周部ＬＢＥＸ
の領域がますます大きくなる。

【０００８】そうすると、かかるレーザ光を光磁気記録
媒体に照射し、偏光面を回転させられた反射光を検出し
て信号を再生する場合には、レーザ光ＬＢの外周部ＬＢ
ＥＸが信号検出に悪影響を与えるという問題が生じる。

【０００９】そこで、本願発明は、かかる問題を解決
し、内周部と外周部とで異なる偏光面を有するレーザ光
が光磁気記録媒体に照射された場合にも精度良く信号再
生が可能な光ピックアップ装置を提供することを目的と
する。

【００１０】

【課題を解決するための手段および発明の効果】請求項
１に係る発明は、レーザ光を対物レンズにより光磁気記
録媒体に照射し、その反射光を光検出器に導き、信号の
記録および／または再生を行う光ピックアップ装置にお
いて、直線偏光のレーザ光を生成する光源と、光源から
のレーザ光を対物レンズに導き、光磁気記録媒体での反
射光を光検出器の方向へ反射するビームスプリッタと、
ビームスプリッタで反射されたレーザ光のうち、内周部
と異なる偏光面を有する外周部を実質的に遮光する遮光
体とを含む光ピックアップ装置である。

【００１１】請求項１に記載された光ピックアップ装置
においては、光源から出射された直線偏光のレーザ光
は、ビームスプリッタを透過し、対物レンズで集光され
光磁気記録媒体に照射される。そして、光磁気記録媒体
で所定の角度回転されて反射されたレーザ光は、ビーム
スプリッタまで戻り、ビームスプリッタで光検出器の方
向へ反射され遮光体に入射する。遮光体に入射したレー
ザ光は、内周部と異なる偏光面を有する外周部が実質的
に遮光され、レーザ光の内周部のみがウォラストンプリ
ズムを通って光検出器に照射される。従って、光検出器
は一定方向の偏光面を有するレーザ光から生成されたＳ
偏光成分のみのレーザ光とＰ偏光成分のみのレーザ光と
を検出する。

【００１２】この場合、遮光体におけるレーザ光の外周
部の実質的遮光とは、レーザ光の外周部を吸収する場
合、レーザ光の外周部を光軸外に回折させる場合、およ
びレーザ光の外周部を反射する場合を含む概念である。

【００１３】従って、請求項１に記載された発明によれ
ば、内周部と異なる偏光面を有する外周部の影響を受け
ずに正確な信号再生が可能である。

【００１４】また、光源を出射したレーザ光が光磁気記
録媒体に照射されるまでの間に遮光されることがないの
で、光磁気記録媒体に信号を記録する場合にも十分な強
度のレーザパワーを確保できる。

【００１５】また、請求項２に係る発明は、請求項１記
載の光ピックアップ装置において、遮光体は、ビームス
プリッタで反射されたレーザ光の出射面に設けられる光
ピックアップ装置である。

【００１６】請求項２に記載された光ピックアップ装置
においては、ビームスプリッタで反射されたレーザ光は
空気を通過せずに遮光体に入射し、外周部が実質的に遮
光される。

【００１７】また、遮光体におけるレーザ光の外周部の
実質的遮光とは、レーザ光の外周部を吸収する場合、レ
ーザ光の外周部を光軸外に回折させる場合、およびレー
ザ光の外周部を反射する場合を含む概念である。

【００１８】従って、請求項２に記載された発明によれ
ば、ビームスプリッタで反射されたレーザ光の光軸と遮
光体に入射するレーザ光の光軸とが容易に一致するの
で、一定方向の偏光面を有するレーザ光の内周部のみを
確実に光検出器に導くことが可能である。

【００１９】また、請求項３に係る発明は、請求項１記
載の光ピックアップ装置において、ウォラストンプリズ
ムを更に含み、遮光体は、ウォラストンプリズムの入射
面に設けられる光ピックアップ装置である。

【００２０】請求項３に記載された光ピックアップ装置
においては、ビームスプリッタで反射されたレーザ光
は、遮光体により外周部のみが実質的に遮光され、レー
ザ光の内周部のみが空気を通過せずにウォラストンプリ
ズムに入射する。

【００２１】また、遮光体におけるレーザ光の外周部の
実質的遮光とは、レーザ光の外周部を吸収する場合、レ
ーザ光の外周部を光軸外に回折させる場合、およびレー
ザ光の外周部を反射する場合を含む概念である。

【００２２】従って、請求項３に記載された発明によれ
ば、遮光体で実質的に遮光されなかったレーザ光の内周
部の光軸とウォラストンプリズムの光軸とを容易に一致
させることができ、一定方向の偏光面を有するレーザ光
の内周部のみを光検出器に導くことができる。

【００２３】また、請求項４に係る発明は、請求項１記
載の光ピックアップ装置において、光検出器は、光磁気
記録媒体の径方向に配置された第１の領域、第２の領
域、および第３の領域を含み、遮光体は、第１の領域と
第３の領域の入射面に設けられる光ピックアップ装置で
ある。

【００２４】請求項４に記載された光ピックアップ装置
においては、ビームスプリッタで反射され、ウォラスト
ンプリズムにより分離されたＳ偏光成分のみのレーザ
光、Ｐ偏光成分のみのレーザ光、およびＳ偏光成分とＰ
偏光成分とが混在したレーザ光のうち、Ｓ偏光成分のみ
のレーザ光は遮光体を介して光検出器の第１の領域に、
Ｓ偏光成分とＰ偏光成分とが混在したレーザ光は、直
接、光検出器の第２の領域に、Ｐ偏光成分のみのレーザ
光は遮光体を介して光検出器の第３の領域に、それぞ
れ、照射される。そして、Ｓ偏光成分のみのレーザ光と
Ｐ偏光成分のみのレーザ光は、内周部と異なる偏光面を
有する外周部が遮光体で実質的に遮光された後、空気を
通らずに、それぞれ、光検出器の第１の領域、第３の領
域に照射される。

【００２５】また、遮光体におけるレーザ光の外周部の
実質的遮光とは、レーザ光の外周部を吸収する場合、レ
ーザ光の外周部を光軸外に回折させる場合、およびレー
ザ光の外周部を反射する場合を含む概念である。

【００２６】従って、請求項４に記載された発明によれ
ば、再生信号を生成する基になる第１の領域と第３の領
域で検出されるレーザ光は一定方向の偏光面を有するの
で正確な再生信号を生成できる。

【００２７】また、トラッキングエラー信号、フォーカ
スエラー信号を生成する基になる第２の領域で検出され
るレーザ光は、遮光されないのでレーザ光の強度を低下
させることなくトラッキングエラー信号、フォーカスエ
ラー信号を生成できる。

【００２８】また、請求項５に係る発明は、レーザ光を
対物レンズにより光磁気記録媒体に照射し、その反射光
を光検出器に導き、信号の記録および／または再生を行
う光ピックアップ装置において、直線偏光のレーザ光を
生成する光源と、光源からのレーザ光を対物レンズに導
く第１の光学部と、光磁気記録媒体での反射光を入射し
て光検出器の方向へ反射する第２の光学部と、第２の光
学素子で反射されたレーザ光のうち、内周部と異なる偏
光面を有する外周部を実質的に遮光する第３の光学部と
から成るビームスプリッタとを含む光ピックアップ装置
である。

【００２９】請求項５に記載された光ピックアップ装置
においては、光源から出射された直線偏光のレーザ光
は、ビームスプリッタの第１の光学部により対物レンズ
に導かれ、対物レンズにより光磁気記録媒体に集光照射
される。そして、光磁気記録媒体で所定の角度回転させ
られて反射されたレーザ光は対物レンズを介してビーム
スプリッタまで戻り、ビームスプリッタの第２の光学部
で光検出器の方向へ反射され、内周部と異なる偏光面を
有する外周部は第３の光学部で実質的に遮光される。従
って、ビームスプリッタの第３の光学部を出射したレー
ザ光は一定方向の偏光面を有し、ウォラストンプリズム
を介して光検出器に照射される。

【００３０】この場合、第３の光学部による実質的な遮
光とは、レーザ光の外周部を吸収する場合、レーザ光の
外周部を光軸外に回折させる場合、およびレーザ光の外
周部を反射する場合を含む概念である。

【００３１】よって、請求項５に記載された発明によれ
ば、ビームスプリッタは光源からのレーザ光を対物レン
ズに導き、光磁気記録媒体で反射されたレーザ光のうち
内周部と異なる偏光面を有する外周部を遮光して光検出
器へ導くので、光磁気記録媒体へレーザ光を照射するた
めの光軸調整を行えば、内周部と異なる偏光面を有する
外周部を確実に遮光できる。その結果、正確な信号再生
が可能である。

【００３２】また、ビームスプリッタは光源を出射した
レーザ光が光磁気記録媒体に照射される間において、一
切、レーザ光を遮光しないので、光磁気記録媒体に信号
を記録する場合にも十分な強度のレーザパワーを確保で
きる。

【００３３】更に、光ピックアップ装置を構成する部品
の点数が増加しないので、従来の大きさを保持しながら
高機能な光ピックアップ装置を提供できる。

【００３４】また、請求項６に係る発明は、レーザ光を
対物レンズにより光磁気記録媒体に照射し、その反射光
を光検出器に導き、信号の記録および／または再生を行
う光ピックアップ装置において、直線偏光のレーザ光を
生成する光源と、光源からのレーザ光を対物レンズに導
き、光磁気記録媒体での反射光を前記光検出器の方向へ
反射するビームスプリッタと、ビームスプリッタからの
レーザ光のうち、内周部と異なる偏光面を有する外周部
を実質的に遮光する第１の光学部と、第１の光学部を透
過したレーザ光をＳ偏光成分のみのレーザ光と、Ｐ偏光
成分のみのレーザ光と、Ｓ偏光成分とＰ偏光成分とが混
在したレーザ光とに分離する第２の光学部とから成るウ
ォラストンプリズムとを含む光ピックアップ装置であ
る。

【００３５】請求項６に記載された光ピックアップ装置
においては、光磁気記録媒体で所定の角度回転させられ
て反射されたレーザ光はビームスプリッタまで戻り、ビ
ームスプリッタで光検出器の方向へ反射される。そし
て、ウォラストンプリズムに入射し、第１の光学部で内
周部と異なる偏光面を有する外周部が実質的に遮光さ
れ、一定方向の偏光面を有する内周部のみが第２の光学
部へ入射し、Ｓ偏光成分のみのレーザ光と、Ｐ偏光成分
のみのレーザ光と、Ｓ偏光成分とＰ偏光成分とが混在し
たレーザ光とに分離され、光検出器に照射される。

【００３６】この場合、第１の光学部による実質的な遮
光とは、レーザ光の外周部を吸収する場合、レーザ光の
外周部を光軸外に回折させる場合、およびレーザ光の外
周部を反射する場合を含む概念である。

【００３７】従って、請求項６に記載された発明によれ
ば、ウォラストンプリズムはビームスプリッタで反射さ
れたレーザ光のうち、内周部と異なる偏光面を有する外
周部を実質的に遮光する機能をも有するため、一定方向
の偏光面を有するレーザ光の内周部からＳ偏光成分のみ
のレーザ光と、Ｐ偏光成分のみのレーザ光と、Ｓ偏光成
分とＰ偏光成分とが混在したレーザ光とを生成できる。
その結果、正確な信号再生が可能となる。

【００３８】また、光源を出射したレーザ光は光磁気記
録媒体に照射されるまでの間で遮光されることがないの
で、信号の記録に十分なレーザパワーを確保できる。

【００３９】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図を参照し
つつ説明する。図１を参照して、本願発明に係る光ピッ
クアップ装置１０は、半導体レーザ１と、コリメータレ
ンズ２と、ビームスプリッタ３と、対物レンズ４と、遮
光体６と、ウォラストンプリズム７と、集光レンズ８
と、光検出器９とを備える。

【００４０】半導体レーザ１は、直線偏光のレーザ光を
生成する。半導体レーザ１が生成するレーザ光の波長
は、一般的には６２０〜６６０ｎｍの範囲であるが、こ
れに限らず、将来的には４００〜５００ｎｍの範囲であ
っても良い。

【００４１】また、コリメータレンズ２は、半導体レー
ザ１が生成した直線偏光のレーザ光を平行光にする。

【００４２】また、ビームスプリッタ３は、コリメータ
レンズ２からのレーザ光を透過して対物レンズ４に導く
と共に、光磁気記録媒体５で反射されたレーザ光を光検
出器９の方向へ反射する。

【００４３】また、対物レンズ４は、ビームスプリッタ
３を透過したレーザ光を集光し、光磁気記録媒体５の信
号記録面５ａに照射する。この場合、光磁気記録媒体５
の基板厚が０．６（許容誤差±０．０５）ｍｍである場
合には対物レンズ４の開口数（ＮＡ：Ｎｕｍｅｒｉｃａ
ｌＡｐｅｒｔｕｒｅ）は０．６０（許容誤差±０．０
５）である。しかし、対物レンズ４の開口数はこれに限
らず、０．６０以上であれば良い。

【００４４】また、遮光体６は、ビームスプリッタ３で
反射されたレーザ光のうち、内周部と異なる偏光面を有
する外周部を遮光し、内周部のみを透過する。

【００４５】また、ウォラストンプリズム７は遮光体６
を透過したレーザ光をＳ偏光成分のみのレーザ光ＬＢＳ
と、Ｐ偏光成分のみのレーザ光ＬＢＰと、Ｓ偏光成分と
Ｐ偏光成分とが混在したレーザ光ＬＢＳＰとに分離す
る。

【００４６】また、集光レンズ８は、３つのレーザ光Ｌ
ＢＳ、ＬＢＰ、ＬＢＳＰを集光する。

【００４７】また、光検出器９は、３つのレーザ光ＬＢ
Ｓ、ＬＢＰ、ＬＢＳＰを検出する。

【００４８】図２、３を参照して、遮光体６の詳細につ
いて説明する。図２を参照して、遮光体６は、ガラス板
６１の一方の表面の外周部にアモスファスシリコン（ａ
−Ｓｉ）６０が形成された断面構造を有する。

【００４９】図３を参照して、遮光体６の機能について
説明する。光磁気記録媒体５の信号記録面５ａに照射さ
れたレーザ光が所定の角度回転させられて反射された
後、ビームスプリッタ３まで戻り、ビームスプリッタ３
で反射されて遮光体６に入射する場合には、レーザ光の
外周部ＬＢＥＸは矢印１１、１３、１４、１５で示すよ
うに偏光方向がランダムな偏光面を有し、内周部ＬＢＩ
Ｎは矢印１２で示す方向の偏光面を有する。遮光体６に
入射したレーザ光は、ガラス板６１を透過し、アモルフ
ァスシリコン６０が設けられた領域に至り、レーザ光の
外周部ＬＢＥＸは、遮光体の外周部６ａに設けられたア
モルファスシリコン６０により吸収され、レーザ光の内
周部ＬＢＩＮのみが遮光体６の内周部６ｂを矢印１２で
示す方向の偏光面を保持して透過する。その後、レーザ
光の内周部ＬＢＩＮは遮光体６から出射する。従って、
遮光体６を通過したレーザ光は矢印１２で示す一定方向
の偏光面を有するレーザ光である。

【００５０】アモルファスシリコン６０は、半導体であ
りエネルギーギャップは１．７ｅＶである。一方、波長
６２０〜６６０ｎｍのレーザ光は、２．０〜１．８８ｅ
Ｖの範囲のエネルギーを有するので、アモルファスシリ
コン６０はこれらのレーザ光を十分に吸収できる。ま
た、アモルファスシリコン６０は、単結晶シリコンより
光の吸収係数が１桁大きいため遮光体６に形成されるア
モルファスシリコン６０は０．３〜０．８μｍ程度で十
分にレーザ光を吸収できる。

【００５１】再び、図１を参照して、光磁気記録媒体５
の信号記録面５ａから信号を再生する動作について説明
する。半導体レーザ１により生成されたレーザ光は、コ
リメータレンズ２により平行光にされ、ビームスプリッ
タ３をそのまま透過して対物レンズ４に入射する。そし
て、対物レンズ４で集光されて光磁気記録媒体５の信号
記録面５ａに照射される。

【００５２】信号記録面５ａで所定の角度回転させられ
て反射されたレーザ光は、対物レンズ４を介してビーム
スプリッタ３まで戻り、ビームスプリッタ３で光検出器
９の方向へ反射されて遮光体６に入射する。遮光体６に
入射したレーザ光は図２、３を参照して説明したように
内周部と異なる偏光面を有する外周部のみが遮光されて
ウォラストンプリズム７に入射し、ウォラストンプリズ
ム７でＳ偏光成分のみのレーザ光ＬＢＳと、Ｐ偏光成分
のみのレーザ光ＬＢＰと、Ｓ偏光成分とＰ偏光成分とが
混在したレーザ光ＬＢＳＰとに分離され、集光レンズ８
で集光され、光検出器９に照射される。

【００５３】光検出器９により検出されたＳ偏光成分の
みのレーザ光ＬＢＳ、Ｐ偏光成分のみのレーザ光ＬＢ
Ｐ、およびＳ偏光成分とＰ偏光成分とが混在したレーザ
光ＬＢＳＰのうち、Ｓ偏光成分のみのレーザ光ＬＢＳの
強度とＰ偏光成分のみのレーザ光ＬＢＰの強度との差が
図示省略した演算器で演算され、再生信号として検出さ
れ、Ｓ偏光成分とＰ偏光成分とが混在したレーザ光ＬＢ
ＳＰは、フォーカスエラー信号、トラッキングエラー信
号として検出される。

【００５４】光ピックアップ装置１０によれば、光検出
器９は一定方向の偏光面を有するレーザ光を検出するの
で再生信号を正確に検出できる。

【００５５】本願発明に係る光ピックアップ装置は、図
１に示す光ピックアップ装置１０に限らず、図４に示す
光ピックアップ装置２０であっても良い。光ピックアッ
プ装置２０は、図１に示す光ピックアップ装置１０にお
いて遮光体６をビームスプリッタ３の光検出器９方向へ
のレーザ光の出射面側に設けたものであり、その他の構
成は光ピックアップ装置１０と同じである。

【００５６】また、光ピックアップ装置２０における信
号再生の動作も光ピックアップ装置１０における信号再
生の動作と同じである。

【００５７】遮光体６をビームスプリッタ３の光検出器
９方向へのレーザ光の出射面側に設けることにより、ビ
ームスプリッタ３で反射されたレーザ光の光軸と遮光体
６の中心軸を容易に一致させることができ、内周部と異
なる偏光面を有する外周部のみを確実に遮光でき、一定
方向の偏光面を有するレーザ光のみを光検出器９へ導く
ことができる。これにより、正確な信号再生が可能であ
る。

【００５８】また、本願発明に係る光ピックアップ装置
は、図５に示す光ピックアップ装置３０であっても良
い。光ピックアップ装置３０は、図１に示す光ピックア
ップ装置１０における遮光体６をウォラストンプリズム
７のレーザ光の入射面側に設けたものであり、その他の
構成は光ピックアップ装置１０と同じである。

【００５９】また、光ピックアップ装置３０における信
号再生の動作は光ピックアップ装置１０における信号再
生の動作と同じである。

【００６０】光ピックアップ装置３０においては、遮光
体６はウォラストンプリズム７のレーザ光の入射面側に
設けられるので、遮光体６の中心とウォラストンプリズ
ム７の中心とを容易に一致させることができる。その結
果、遮光体６を透過したレーザ光の内周部のみを、直
接、ウォラストンプリズム７に入射でき、Ｓ偏光成分の
みのレーザ光ＬＢＳ、Ｐ偏光成分のみのレーザ光ＬＢ
Ｐ、およびＳ偏光成分とＰ偏光成分とが混在したレーザ
光ＬＢＳＰを生成できる。

【００６１】また、本願発明に係る光ピックアップ装置
は、図６に示す光ピックアップ装置４０であっても良
い。光ピックアップ装置４０は、図１に示す光ピックア
ップ装置１０における遮光体６を光検出器９のレーザ光
の入射面側に設けたものである。光検出器９は、光磁気
記録媒体５のトラッキング方向（径方向）に配置された
３つの検出領域９ａ、９ｂ、９ｃを有し、Ｐ偏光成分の
みのレーザ光ＬＢＰは第１の領域９ａで検出され、Ｓ偏
光成分とＰ偏光成分とが混在したレーザ光ＬＢＳＰは第
２の領域９ｂで検出され、Ｓ偏光成分のみのレーザ光Ｌ
ＢＳは第３の領域９ｃで検出される。光ピックアップ装
置４０においては、第１の領域９ａと第３の領域９ｃの
レーザ光入射面側に遮光体６を設ける。その他の構成は
光ピックアップ装置１０と同じである。

【００６２】光ピックアップ装置４０における信号再生
の動作について説明する。半導体レーザ１を出射した直
線偏光のレーザ光が光磁気記録媒体５へ照射され、反射
されてビームスプリッタ３まで戻り、光検出器９の方向
へ反射されるまでの動作は図１の説明と同じである。ビ
ームスプリッタ３で反射されたレーザ光は、ウォラスト
ンプリズム７でＳ偏光成分のみのレーザ光ＬＢＳと、Ｐ
偏光成分のみのレーザ光ＬＢＰと、Ｓ偏光成分とＰ偏光
成分とが混在したレーザ光ＬＢＳＰとに分離され、集光
レンズ８により集光された後、Ｓ偏光成分とＰ偏光成分
とが混在したレーザ光ＬＢＳＰは、直接、光検出器９の
第２の領域９ｂに照射される。一方、Ｓ偏光成分のみの
レーザ光ＬＢＳとＰ偏光成分のみのレーザ光ＬＢＰとは
遮光体６に入射する。そして、Ｐ偏光成分のみのレーザ
光は遮光体６により内周部と異なる偏光面を有する外周
部が遮光され、内周部のみが第１の領域９ａに照射さ
れ、Ｓ偏光成分のみのレーザ光は遮光体６により内周部
と異なる偏光面を有する外周部が遮光され、内周部のみ
が第３の領域９ｃに照射される。第１の領域９ａで検出
されたレーザ光の強度と第３の領域９ｃで検出されたレ
ーザ光の強度との差が演算されることにより再生信号が
生成される。また、第２の領域９ｂで検出されたレーザ
光からはフォーカスエラー信号とトラッキングエラー信
号とが生成される。

【００６３】光ピックアップ装置４０においては、遮光
体６は、光検出器９の第１の領域９ａと第３の領域９ｃ
のレーザ光入射面側だけに設けられるので、第２の領域
９ｂに照射されるレーザ光は遮光されることなく、強度
の大きいフォーカスエラー信号、およびトラッキングエ
ラー信号を生成できる。また、再生信号を生成する基に
なるＰ偏光成分のみのレーザ光ＬＢＰとＳ偏光成分のみ
のレーザ光ＬＢＳは、内周部と異なる偏光面を有する外
周部を遮光した後、空気を介さずに、それぞれ、第１の
領域９ａと第３の領域９ｃに照射されるので、遮光体６
の中心と第１の領域９ａの中心、および遮光体６の中心
と第３の領域９ｃの中心とを容易に一致させることがで
きる。その結果、正確な信号再生が可能である。

【００６４】また、本願発明に係る光ピックアップ装置
は、図７に示す光ピックアップ装置５０であっても良
い。光ピックアップ装置５０は、図１に示す光ピックア
ップ装置１０のビームスプリッタ３をビームスプリッタ
３３に代えたものであり、その他の構成は光ピックアッ
プ装置１０と同じである。

【００６５】図８を参照して、ビームスプリッタ３３の
詳細について説明する。ビームスプリッタ３３は、第１
の面３３１と、第２の面３３２と、第３の面３３３と、
第４の面３３４と、第５の面３３５を有する。そして、
第１の面３３１、第２の面３３２、および第４の面３３
４でコリメータレンズ２から入射した直線偏光のレーザ
光をそのまま透過して対物レンズ４に導く第１の光学部
を構成する。また、第３の面３３３は、光磁気記録媒体
５の信号記録面５ａで反射され、ビームスプリッタ３３
に入射したレーザ光を光検出器９の方向へ反射する第２
の光学部を構成し、第５の面３３５は、第２の光学部で
反射されたレーザ光のうち、内周部と異なる偏光面を有
する外周部を遮光する第３の光学部を構成する。第３の
光学部を構成する第５の面３３５は内周部３３５ａと外
周部３３５ｂとからなる。

【００６６】図８の（ｃ）を参照して、第３の光学部を
構成する第５の面は、ガラス板３３５１の１つの表面の
外周部にアモルファスシリコン３３５０、３３５０が形
成された断面構造を有する。

【００６７】図８の（ａ）、（ｂ）を参照して、コリメ
ータレンズ２から入射したレーザ光ＬＢ１は、第１の光
学部を構成する第１の面３３１、第２の面３３２、およ
び第４の面３３４を透過してレーザ光ＬＢ２として対物
レンズ４に導かれる。そして、光磁気記録媒体５の信号
記録面５ａで反射されてビームスプリッタ３３まで戻
り、第２の光学部を構成する第３の面３３３で反射され
たレーザ光ＬＢ３は、第３の光学部を構成する第５の面
３３５に入射する。

【００６８】第５の面３３５に入射したレーザ光ＬＢ３
は、その外周部をアモルファスシリコン３３５０、３３
５０により吸収されてレーザ光ＬＢ４としてビームスプ
リッタ３３を出射する。

【００６９】従って、ビームスプリッタ３３は、コリメ
ータレンズ２からのレーザ光をそのまま透過して対物レ
ンズ４へ導くと共に、光磁気記録媒体５の信号記録面５
ａで反射されたレーザ光を光検出器９の方向へ反射し、
その反射したレーザ光のうち、内周部と異なる偏光面を
有する外周部を吸収して出射するものである。

【００７０】再び、図７を参照して、光ピックアップ装
置５０における信号再生の動作について説明する。半導
体レーザ１により生成された直線偏光のレーザ光はコリ
メータレンズ２で平行光にされた後、ビームスプリッタ
３３をそのまま透過し、対物レンズ４に入射する。対物
レンズ４に入射したレーザ光は、対物レンズ４により集
光され、光磁気記録媒体５の信号記録面５ａに照射され
る。

【００７１】信号記録面５ａで所定の角度回転させられ
て反射されたレーザ光は対物レンズ４を介してビームス
プリッタ３３まで戻り、第２の光学部を構成する第３の
面３３３で光検出器９の方向へ反射され、第３の光学部
を構成する第５の面３３５で内周部と異なる偏光面を有
する外周部が遮光される。そして、一定方向の偏光面を
有する内周部のみがビームスプリッタ３３を出射する。
ビームスプリッタ３３を出射したレーザ光は、ウォラス
トンプリズム７に入射し、Ｐ偏光成分のみのレーザ光Ｌ
ＢＰと、Ｓ偏光成分のみのレーザ光ＬＢＳと、Ｓ偏光成
分とＰ偏光成分とが混在したレーザ光ＬＢＳＰとに分離
され、集光レンズ８を介して光検出器９に照射される。
これにより、再生信号が検出されると共に、フォーカス
エラー信号、トラッキングエラー信号が検出される。

【００７２】光ピックアップ装置５０においては、ビー
ムスプリッタ３３は、コリメータレンズ２からのレーザ
光をそのまま透過して対物レンズ４へ導くと共に、光磁
気記録媒体５の信号記録面５ａで反射されたレーザ光を
光検出器９の方向へ反射し、その反射したレーザ光のう
ち、内周部と異なる偏光面を有する外周部を遮光して出
射する機能を有するため、光ピックアップ装置１０、２
０、３０、４０に比べ、部品点数を少なくして内周部と
異なる偏光面を有する外周部を確実に遮光できる。

【００７３】また、本願発明に係る光ピックアップ装置
は、図９に示す光ピックアップ装置６０であっても良
い。光ピックアップ装置６０は、図１に示す光ピックア
ップ装置１０のウォラストンプリズム７をウォラストン
プリズム７７に代えたものであり、その他の構成は光ピ
ックアップ装置１０と同じである。

【００７４】図１０を参照してウォラストンプリズム７
７は、入射したレーザ光をＳ偏光成分のみのレーザ光
と、Ｐ偏光成分のみのレーザ光と、Ｓ偏光成分とＰ偏光
成分とが混在したレーザ光とに分離する結晶部７１の一
方の表面の外周部にアモルファスシリコン７０、７０が
形成された断面構造を有する。

【００７５】従って、ウォラストンプリズム７７は、ビ
ームスプリッタ３で光検出器９の方向へ反射されたレー
ザ光を入射し、内周部と異なる偏光面を有する外周部を
吸収すると共に、一定方向の偏光面を有するレーザ光か
らＳ偏光成分のみのレーザ光と、Ｐ偏光成分のみのレー
ザ光と、Ｓ偏光成分とＰ偏光成分とが混在したレーザ光
とを生成するものである。

【００７６】再び、図９を参照して、光ピックアップ装
置６０における信号再生の動作について説明する。半導
体レーザ１から直線偏光のレーザ光が生成され、光磁気
記録媒体５に照射され、信号記録面５ａで反射されてビ
ームスプリッタ３まで戻り、光検出器９の方向へ反射さ
れるまでの動作は図１の説明と同じである。

【００７７】ビームスプリッタ３で反射されたレーザ光
は、ウォラストンプリズム７７に入射し、ウォラストン
プリズム７７で内周部と異なる偏光面を有する外周部が
吸収され、一定方向の偏光面を有するレーザ光からＳ偏
光成分のみのレーザ光と、Ｐ偏光成分のみのレーザ光
と、Ｓ偏光成分とＰ偏光成分とが混在したレーザ光とが
生成される。そして、集光レンズ８で集光されて光検出
器９に照射され、再生信号、フォーカスエラー信号、ト
ラッキングエラー信号が検出される。

【００７８】光ピックアップ装置６０においては、内周
部と異なる偏光面を有する外周部を遮光し、一定方向の
偏光面を有するレーザ光からＳ偏光成分のみのレーザ光
と、Ｐ偏光成分のみのレーザ光と、Ｓ偏光成分とＰ偏光
成分とが混在したレーザ光とを生成するまでを１つの光
学素子で行うので、部品点数を従来と同じに保持しつ
つ、一定方向の偏光面を有するレーザ光のみを検出でき
る。

【００７９】また、本願発明に係る光ピックアップ装置
は、図１１に示す光ピックアップ装置７０であっても良
い。光ピックアップ装置７０は、図１に示す光ピックア
ップ装置１０の光検出器９を光検出器９９に代えたもの
であり、その他の構成は同じである。光検出器９９は、
光磁気記録媒体５のトラッキング方向（径方向）に配置
された第１の検出部９９ａと、第２の検出部９９ｂと、
第３の検出部９９ｃとを有する。第１の検出部９９ａ
は、第１の遮光体９９ａ１と、第１のフォトダイオード
９９ａ２とから成り、第２の検出部９９ｂは、第２のフ
ォトダイオード９９ｂから成り、第３の検出部９９ｃ
は、第３の遮光体９９ｃ１と、第３のフォトダイオード
９９ｃ２とから成る。

【００８０】Ｐ偏光成分のみのレーザ光ＬＢＰは、第１
の検出部９９ａに照射され、Ｓ偏光成分とＰ偏光成分と
が混在したレーザ光ＬＢＳＰは第２の検出部９９ｂに照
射され、Ｓ偏光成分のみのレーザ光ＬＢＳは第３の検出
部９９ｃに照射される。そして、Ｓ偏光成分とＰ偏光成
分とが混在したレーザ光ＬＢＳＰは吸収されずに、その
まま、第２のフォトダイオード９９ｂにより検出され、
Ｐ偏光成分のみのレーザ光ＬＢＰは第１の遮光体９９ａ
１で内周部と異なる偏光面を有する外周部を吸収され、
一定方向の偏光面を有する内周部のみが第１のフォトダ
イオード９９ａ２により検出され、Ｓ偏光成分のみのレ
ーザ光ＬＢＰは第３の遮光体９９ｃ１で内周部と異なる
偏光面を有する外周部を吸収され、一定方向の偏光面を
有する内周部のみが第３のフォトダイオード９９ｃ２に
より検出される。

【００８１】光ピックアップ装置７０における信号再生
の動作について説明する。半導体レーザ１から直線偏光
のレーザ光が生成され、光磁気記録媒体５に照射され、
信号記録面５ａで反射されてビームスプリッタ３まで戻
り、光検出器９の方向へ反射されるまでの動作は図１の
説明と同じである。

【００８２】ビームスプリッタ３で反射されたレーザ光
は、ウォラストンプリズム７によりＳ偏光成分のみのレ
ーザ光と、Ｐ偏光成分のみのレーザ光と、Ｓ偏光成分と
Ｐ偏光成分とが混在したレーザ光とに分離され、集光レ
ンズ８で集光されて光検出器９に照射される。そして、
Ｓ偏光成分とＰ偏光成分とが混在したレーザ光ＬＢＳＰ
は遮光されずに、そのまま、第２のフォトダイオード９
９ｂにより検出され、Ｐ偏光成分のみのレーザ光ＬＢＰ
は第１の遮光体９９ａ１で内周部と異なる偏光面を有す
る外周部を遮光され、一定方向の偏光面を有する内周部
のみが第１のフォトダイオード９９ａ２により検出さ
れ、Ｓ偏光成分のみのレーザ光ＬＢＰは第３の遮光体９
９ｃ１で内周部と異なる偏光面を有する外周部を遮光さ
れ、一定方向の偏光面を有する内周部のみが第３のフォ
トダイオード９９ｃ２により検出される。これにより、
再生信号、フォーカスエラー信号、トラッキングエラー
信号が検出される。

【００８３】光ピックアップ装置７０においては、Ｓ偏
光成分とＰ偏光成分とが混在したレーザ光は遮光されず
に検出されるので、信号強度の大きいフォーカスエラー
信号、およびトラッキングエラー信号を生成できると共
に、正確な再生信号を生成できる。

【００８４】上記説明した光ピックアップ装置１０、２
０、３０、４０、５０、６０、７０においては、内周部
と異なる偏光面を有する外周部を吸収するのは、偏光フ
ィルムであったが、本願発明においては、これに限るも
のではなく、図１２に示す波長選択性回折格子１３０で
あってもよい。図１２の（ａ）は、図１２の（ｂ）のＡ
−Ａ線における断面図である。波長選択性回折格子１３
０は、ガラス１３０１と、階段状の格子１３０２がガラ
ス１３０１の表面に形成された断面構造を有する。この
場合、格子の１断当たりの高さは使用している波長のレ
ーザ光のみを回折するように設計される。

【００８５】また、図１２の（ｂ）を参照して、波長選
択性回折格子１３０は、内周部１３０ａと外周部１３０
ｂとから成り、外周部１３０ｂにのみ階段状の格子１３
０２が形成されている。

【００８６】図１２の（ａ）を参照して、レーザ光の外
周部ＬＢＥＸは、階段状の格子１３０２により光軸外に
回折され、内周部ＬＢＩＮのみが波長選択性回折格子１
３０を透過する。

【００８７】また、内周部と異なる偏光面を有する外周
部を遮光するものは、レーザ光の外周部に反射のための
金属を形成したものでも良い。これによっても、内周部
と異なる偏光面を有する外周部を実質的に遮光できる。

【００８８】従って、光ピックアップ装置１０、２０、
３０、４０、５０、６０、７０においては、開口数の大
きい対物レンズを用いて光磁気記録媒体５に高密度に信
号を記録できると共に、内周部と異なる偏光面を有する
外周部の影響を除去して正確な信号再生を行うことがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本願発明に係る光ピックアップ装置の構成図で
ある。

【図２】図１に示す光ピックアップ装置の遮光体の断面
図である。

【図３】図１に示す光ピックアップ装置の遮光体の機能
を説明する図である。

【図４】本願発明に係る光ピックアップ装置の他の構成
図である。

【図５】本願発明に係る光ピックアップ装置の更に他の
構成図である。

【図６】本願発明に係る光ピックアップ装置のまた更に
他の構成図である。

【図７】本願発明に係る光ピックアップ装置のまた更に
他の構成図である。

【図８】図８に示す光ピックアップ装置のビームスリッ
タを説明する図である。

【図９】本願発明に係る光ピックアップ装置のまた更に
他の構成図である。

【図１０】図１０に示す光ピックアップ装置のウォラス
トンプリズムを説明する図である。

【図１１】本願発明に係る光ピックアップ装置のまた更
に他の構成図である。

【図１２】波長選択性回折格子を説明するための図であ
る。

【図１３】従来の問題点を説明するための図である。

【符号の説明】

１・・・半導体レーザ２・・・コリメータレンズ３、３３・・・ビームスプリッタ４、１５１、１５５・・・対物レンズ５・・・光磁気記録媒体５ａ・・・信号記録面６・・・遮光体６ａ、１３０ａ、１４０ａ・・・内周部６ｂ、１３０ｂ、１４０ｂ・・・外周部７、７７・・・ウォラストンプリズム８・・・集光レンズ９、９９・・・光検出器９ａ・・・第１の領域９ｂ・・・第２の領域９ｃ・・・第３の領域１０、２０、３０、４０、５０、６０、７０・・・光ピ
ックアップ装置１１、１２・・・矢印６０・・・アモルファスシリコン６１・・・ガラス板７１・・・結晶部９９ａ・・・第１の検出部９９ｂ・・・第２の検出部９９ｃ・・・第３の検出部９９ａ１・・・第１の遮光体９９ａ２・・・第１のフォトダイオード９９ｂ１・・・第２の遮光体９９ｂ２・・・第２のフォトダイオード９９ｃ１・・・第３の遮光体９９ｃ２・・・第３のフォトダイオード１３０・・・波長選択性回折格子１４０・・・偏光選択性回折格子１５０、１５４・・・照射面１５２、１５３、１５６、１５７・・・偏光面３３１・・・第１の面３３２・・・第２の面３３３・・・第３の面３３４・・・第４の面３３５・・・第５の面１３０１・・・ガラス１３０２・・・階段状格子

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｇ１１Ｂ 7/135 Ｇ１１Ｂ 7/135 ＡＦターム(参考） 5D075 CD16 CD18 CD19 5D118 AA14 CD02 CD03 DA17 DA40 5D119 AA09 EA02 EA03 JA25 JA58 KA04

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】レーザ光を対物レンズにより光磁気記録
媒体に照射し、その反射光を光検出器に導き、信号の記
録および／または再生を行う光ピックアップ装置におい
て、直線偏光のレーザ光を生成する光源と、前記光源からのレーザ光を前記対物レンズに導き、前記
光磁気記録媒体での反射光を前記光検出器の方向へ反射
するビームスプリッタと、前記ビームスプリッタで反射されたレーザ光のうち、内
周部と異なる偏光面を有する外周部を実質的に遮光する
遮光体とを含む光ピックアップ装置。
【請求項２】前記遮光体は、前記ビームスプリッタで
反射されたレーザ光の出射面に設けられる請求項１記載
の光ピックアップ装置。
【請求項３】ウォラストンプリズムを更に含み、前記遮光体は、前記ウォラストンプリズムの入射面に設
けられる請求項１記載の光ピックアップ装置。
【請求項４】前記光検出器は、前記光磁気記録媒体の
径方向に配置された第１の領域、第２の領域、および第
３の領域を含み、前記遮光体は、前記第１の領域と前記第３の領域の入射
面に設けられる請求項１記載の光ピックアップ装置。
【請求項５】レーザ光を対物レンズにより光磁気記録
媒体に照射し、その反射光を光検出器に導き、信号の記
録および／または再生を行う光ピックアップ装置におい
て、直線偏光のレーザ光を生成する光源と、前記光源からのレーザ光を前記対物レンズに導く第１の
光学部と、前記光磁気記録媒体での反射光を入射して前
記光検出器の方向へ反射する第２の光学部と、前記第２
の光学素子で反射されたレーザ光のうち、内周部と異な
る偏光面を有する外周部を実質的に遮光する第３の光学
部とから成るビームスプリッタとを含む光ピックアップ
装置。
【請求項６】レーザ光を対物レンズにより光磁気記録
媒体に照射し、その反射光を光検出器に導き、信号の記
録および／または再生を行う光ピックアップ装置におい
て、直線偏光のレーザ光を生成する光源と、前記光源からのレーザ光を前記対物レンズに導き、前記
光磁気記録媒体での反射光を前記光検出器の方向へ反射
するビームスプリッタと、前記ビームスプリッタからのレーザ光のうち、内周部と
異なる偏光面を有する外周部を実質的に遮光する第１の
光学部と、前記第１の光学部を透過したレーザ光をＳ偏光成分のみ
のレーザ光と、Ｐ偏光成分のみのレーザ光と、Ｓ偏光成
分とＰ偏光成分とが混在したレーザ光とに分離する第２
の光学部とから成るウォラストンプリズムとを含む光ピ
ックアップ装置。