JP2001033516A - エージング用ソケット、カセット及びそのエージング装置 - Google Patents
エージング用ソケット、カセット及びそのエージング装置Info
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- G—PHYSICS
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- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
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- G01R31/2607—Circuits therefor
- G01R31/2632—Circuits therefor for testing diodes
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 安価で、しかも被検査部品の数量の多少に係
わらずエージングできるカセット及びそのエージング装
置を得ること。 【解決手段】 本発明のエージング用カセット６０は、
被エージング部品Ｄを装着できる装着部が形成された基
台３４に、ヒータ７１と温度調整器５４とを組み込んだ
本発明のソケット７０を複数個、マトリックス状に配設
して構成されており、それらのソケット７０に装着され
たカセット６０をエージング装置５０のスロット５２に
装着し、そのカセット６０のソケット７０に被エージン
グ部品Ｄが部分的に装着されているだけであっても、単
独でエージングできるように構成されている。
わらずエージングできるカセット及びそのエージング装
置を得ること。 【解決手段】 本発明のエージング用カセット６０は、
被エージング部品Ｄを装着できる装着部が形成された基
台３４に、ヒータ７１と温度調整器５４とを組み込んだ
本発明のソケット７０を複数個、マトリックス状に配設
して構成されており、それらのソケット７０に装着され
たカセット６０をエージング装置５０のスロット５２に
装着し、そのカセット６０のソケット７０に被エージン
グ部品Ｄが部分的に装着されているだけであっても、単
独でエージングできるように構成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザデバ
イスのような小型電子部品に適用して好適なエージング
用カセット及びそのエージング装置に関するものであ
る。
イスのような小型電子部品に適用して好適なエージング
用カセット及びそのエージング装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】先ず、従来技術のエージング用ソケッ
ト、カセット及びそのエージング装置を図７乃至図１３
を用いて説明する。図７は現用の半導体レーザカプラの
一例を概念的に示した平面図、図８は従来技術のエージ
ング装置の正面図、図９は従来技術のエージングカセッ
トの外観斜視図、図１０は図９に示したエージング用カ
セットの蓋体の一部をカットして示した平面図、図１１
は図１０に示した矢印Ａから見たエージング用カセット
の側面を一部断面で示した側面図、図１２は図１０に示
した矢印Ｂから見たエージング用カセットの側面図、そ
して図１３はエージング用カセットに組み込まれている
ソケットを示していて、同図Ａはその平面図、同図Ｂは
同図ＡのＡ−Ａ線上における拡大断面図である。
ト、カセット及びそのエージング装置を図７乃至図１３
を用いて説明する。図７は現用の半導体レーザカプラの
一例を概念的に示した平面図、図８は従来技術のエージ
ング装置の正面図、図９は従来技術のエージングカセッ
トの外観斜視図、図１０は図９に示したエージング用カ
セットの蓋体の一部をカットして示した平面図、図１１
は図１０に示した矢印Ａから見たエージング用カセット
の側面を一部断面で示した側面図、図１２は図１０に示
した矢印Ｂから見たエージング用カセットの側面図、そ
して図１３はエージング用カセットに組み込まれている
ソケットを示していて、同図Ａはその平面図、同図Ｂは
同図ＡのＡ−Ａ線上における拡大断面図である。
【０００３】先ず、エージングしようとする被エージン
グ部品の一つである半導体レーザカプラを簡単に説明す
る。この半導体レーザカプラＤは、図７に示したよう
に、基板に搭載されたレーザ素子本体が直方体構造のパ
ッケージ１に収納され、その基板１の上面中央部には開
口２が開けられており、また、その両側面の中央部には
楔形の切り欠き３が形成されていて、前記開口２からレ
ーザ光が放射され、反射体で反射された反射光がこの開
口２に入射し、何らかの信号が検出できるように構成さ
れているものである。
グ部品の一つである半導体レーザカプラを簡単に説明す
る。この半導体レーザカプラＤは、図７に示したよう
に、基板に搭載されたレーザ素子本体が直方体構造のパ
ッケージ１に収納され、その基板１の上面中央部には開
口２が開けられており、また、その両側面の中央部には
楔形の切り欠き３が形成されていて、前記開口２からレ
ーザ光が放射され、反射体で反射された反射光がこの開
口２に入射し、何らかの信号が検出できるように構成さ
れているものである。
【０００４】図９に示したエージング用カセット（以
下、単に「カセット」と略記する）２０及び図８に示し
た従来技術のエージング装置１０は、前記のような半導
体レーザカプラＤを前記カセット１０に装着して、その
カセット２０を前記エージング装置１０に装着し、６０
°Ｃ〜７０°Ｃの温度を加えて、その半導体レーザカプ
ラＤの諸特性の劣化の状態を評価する装置である。
下、単に「カセット」と略記する）２０及び図８に示し
た従来技術のエージング装置１０は、前記のような半導
体レーザカプラＤを前記カセット１０に装着して、その
カセット２０を前記エージング装置１０に装着し、６０
°Ｃ〜７０°Ｃの温度を加えて、その半導体レーザカプ
ラＤの諸特性の劣化の状態を評価する装置である。
【０００５】前記エージング装置１０は大型のハウジン
グ１１を中心に構成され、その内部は前記温度で恒温に
保たれる恒温槽機能を備え、また、その内部はマトリッ
クス状に仕切られて複数個のスロット１２が配列、形成
されている。また、図示していないが、内部には、共通
のヒータとファンとが内蔵されていて、ヒータで加熱さ
れた熱風をファンでハウジング１１内に送風してほぼ同
一の温度で全てのカセット２０を同時に加熱し、そして
やはり内蔵されている温度調整器により、その温度が一
定に制御されるように構成されている。また、図示の状
態で右側の前面パネル部１３には、上方に温度表示装置
１４と電源スイッチ１５とが、下方にブレーカ１６など
が組み込まれている。なお、前記エージング装置１０の
エージング中は前面がドアで閉鎖され、内部を恒温に保
つのであるが、図８には、ドアを外した状態で示した。
また、この図８には、前記のそれぞれのスロット１２内
に図９に示したカセット２０を挿入、装着した状態で示
した。
グ１１を中心に構成され、その内部は前記温度で恒温に
保たれる恒温槽機能を備え、また、その内部はマトリッ
クス状に仕切られて複数個のスロット１２が配列、形成
されている。また、図示していないが、内部には、共通
のヒータとファンとが内蔵されていて、ヒータで加熱さ
れた熱風をファンでハウジング１１内に送風してほぼ同
一の温度で全てのカセット２０を同時に加熱し、そして
やはり内蔵されている温度調整器により、その温度が一
定に制御されるように構成されている。また、図示の状
態で右側の前面パネル部１３には、上方に温度表示装置
１４と電源スイッチ１５とが、下方にブレーカ１６など
が組み込まれている。なお、前記エージング装置１０の
エージング中は前面がドアで閉鎖され、内部を恒温に保
つのであるが、図８には、ドアを外した状態で示した。
また、この図８には、前記のそれぞれのスロット１２内
に図９に示したカセット２０を挿入、装着した状態で示
した。
【０００６】また、前記カセット２０は、図９乃至図１
２に示したような構造で構成されている。即ち、このカ
セット２０は本体２１と蓋体２２とがヒンジ２３で連結
された構造のもので、本体２１側には複数個の被エージ
ング部品である半導体レーザカプラＤが装着され、蓋体
２２側には、それぞれの前記半導体レーザカプラＤに対
応し、レーザ光を受光する受光素子Ｒが組み込まれてい
る。
２に示したような構造で構成されている。即ち、このカ
セット２０は本体２１と蓋体２２とがヒンジ２３で連結
された構造のもので、本体２１側には複数個の被エージ
ング部品である半導体レーザカプラＤが装着され、蓋体
２２側には、それぞれの前記半導体レーザカプラＤに対
応し、レーザ光を受光する受光素子Ｒが組み込まれてい
る。
【０００７】図９は本体２１側に半導体レーザカプラＤ
が装着された状態を図示したものであるが、半導体レー
ザカプラＤは図１０乃至１３に示したソケット３０に装
着されている。そのソケット３０の構造を説明する前
に、前記カセット２０の構成を説明する。カセット２０
の前記本体２１側の蓋体２２側に面した部分には、複数
個のソケット３０がマトリックス状に整列させて組み込
まれている。これらのソケット３０には電源電極、接地
電極、信号の送受信電極が組み込まれていて、これら
は、前記ソケット３０の下方に配設されている電子回路
基板２４に接続されており、この電子回路基板２４の一
部は、前記エージング装置１０のスロット１２にカセッ
ト２０を挿入した場合の差し込み端子２４Ａとしてカセ
ット２０のヒンジ２３側に導出されている。
が装着された状態を図示したものであるが、半導体レー
ザカプラＤは図１０乃至１３に示したソケット３０に装
着されている。そのソケット３０の構造を説明する前
に、前記カセット２０の構成を説明する。カセット２０
の前記本体２１側の蓋体２２側に面した部分には、複数
個のソケット３０がマトリックス状に整列させて組み込
まれている。これらのソケット３０には電源電極、接地
電極、信号の送受信電極が組み込まれていて、これら
は、前記ソケット３０の下方に配設されている電子回路
基板２４に接続されており、この電子回路基板２４の一
部は、前記エージング装置１０のスロット１２にカセッ
ト２０を挿入した場合の差し込み端子２４Ａとしてカセ
ット２０のヒンジ２３側に導出されている。
【０００８】一方の蓋体２２側には、その本体２１側の
表面に、前記のそれぞれのソケット３０に対向した部分
に円形孔２５が開けられ、半導体レーザカプラＤがソケ
ット３０に装着された状態で蓋体２２を閉めた場合に、
それらの半導体レーザカプラＤを抑えることができる抑
え板２６が配設されており、そして前記のそれぞれの円
形孔２５に臨んで前記受光素子Ｒが配設されている。こ
れらの受光素子Ｒの各種の電極も、その後方に配設され
ている電子回路基板２７の電子回路に接続されており、
この電子回路基板２７の一部は、前記エージング装置１
０のスロット１２にカセット２０を挿入した場合の他の
差し込み端子２７Ａとして同様にカセット２０のヒンジ
２３側に導出されている。
表面に、前記のそれぞれのソケット３０に対向した部分
に円形孔２５が開けられ、半導体レーザカプラＤがソケ
ット３０に装着された状態で蓋体２２を閉めた場合に、
それらの半導体レーザカプラＤを抑えることができる抑
え板２６が配設されており、そして前記のそれぞれの円
形孔２５に臨んで前記受光素子Ｒが配設されている。こ
れらの受光素子Ｒの各種の電極も、その後方に配設され
ている電子回路基板２７の電子回路に接続されており、
この電子回路基板２７の一部は、前記エージング装置１
０のスロット１２にカセット２０を挿入した場合の他の
差し込み端子２７Ａとして同様にカセット２０のヒンジ
２３側に導出されている。
【０００９】なお、ヒンジ２３側とは反対側の本体２１
の端面にはコの字型のハンドル２８Ａが、そして蓋体２
２側の端面にもコの字型の同一の大きさのハンドル２８
Ｂが取り付けられている。
の端面にはコの字型のハンドル２８Ａが、そして蓋体２
２側の端面にもコの字型の同一の大きさのハンドル２８
Ｂが取り付けられている。
【００１０】前記ソケット３０は、図１３に示したよう
に、中央部が肉厚の円筒部３１で、その上端部に水平の
比較的厚さの薄い円板状の上フランジ３２が、円筒部３
１の下端部にも水平の比較的厚さが厚い円板状の取付け
フランジ３３とから構成された断面コの字型の鼓型に似
た筒形構造の基台３４の部品であって、その中央部の断
面円形の中空部３５の内周面に接して互いに対向した位
置に、半導体レーザカプラＤの載置面から基台３４の下
方に向かって一対の電極ピン３６Ａ、３６Ｂが導出され
ている。
に、中央部が肉厚の円筒部３１で、その上端部に水平の
比較的厚さの薄い円板状の上フランジ３２が、円筒部３
１の下端部にも水平の比較的厚さが厚い円板状の取付け
フランジ３３とから構成された断面コの字型の鼓型に似
た筒形構造の基台３４の部品であって、その中央部の断
面円形の中空部３５の内周面に接して互いに対向した位
置に、半導体レーザカプラＤの載置面から基台３４の下
方に向かって一対の電極ピン３６Ａ、３６Ｂが導出され
ている。
【００１１】更に、これらの電極ピン３６Ａ、３６Ｂの
外周に接して一対の位置決めピン３７Ａ、３７Ｂが基台
３４の上面から若干上方に突出して、その基台３４に埋
設されている。これらの位置決めピン３７Ａ、３７Ｂの
内周面間隔は前記半導体レーザカプラＤのパッケージ１
に形成された一対の切り欠き３の間隔に相当する距離と
する。符号３８は取付けフランジ３３に形成された４個
の取付けネジ孔を指し、符号３９は上フランジ３２に形
成された貫通孔であって、取付けフランジ３３の上方に
位置し、ドライバなどを差し込んで前記ネジ孔３８から
本体２１側の取付け部材にネジ止めするためのものであ
る。図示のソケット３０には半導体レーザカプラＤが装
着された状態で描かれている。
外周に接して一対の位置決めピン３７Ａ、３７Ｂが基台
３４の上面から若干上方に突出して、その基台３４に埋
設されている。これらの位置決めピン３７Ａ、３７Ｂの
内周面間隔は前記半導体レーザカプラＤのパッケージ１
に形成された一対の切り欠き３の間隔に相当する距離と
する。符号３８は取付けフランジ３３に形成された４個
の取付けネジ孔を指し、符号３９は上フランジ３２に形
成された貫通孔であって、取付けフランジ３３の上方に
位置し、ドライバなどを差し込んで前記ネジ孔３８から
本体２１側の取付け部材にネジ止めするためのものであ
る。図示のソケット３０には半導体レーザカプラＤが装
着された状態で描かれている。
【００１２】従来技術のエージング装置１０及びカセッ
ト２０は前記のような構造で構成されているものであ
る。このようなエージング装置１０及びカセット２０を
用いて半導体レーザカプラＤをエージングする場合に
は、先ず、カセット２０の蓋体２２を開き、その本体２
１側に配設されている複数個のソケット３０に半導体レ
ーザカプラＤを、その切り欠き３に前記一対の位置決め
ピン３７Ａ、３７Ｂを挿入するようにして前記一対の電
極ピン３６Ａ、３６Ｂに接触させて載置する。
ト２０は前記のような構造で構成されているものであ
る。このようなエージング装置１０及びカセット２０を
用いて半導体レーザカプラＤをエージングする場合に
は、先ず、カセット２０の蓋体２２を開き、その本体２
１側に配設されている複数個のソケット３０に半導体レ
ーザカプラＤを、その切り欠き３に前記一対の位置決め
ピン３７Ａ、３７Ｂを挿入するようにして前記一対の電
極ピン３６Ａ、３６Ｂに接触させて載置する。
【００１３】次に、このように多数の半導体レーザカプ
ラＤが装着されたカセット２０を多数、前記エージング
装置１０のスロット１２に挿入し、カセット２０から突
き出ている差し込み端子２４Ａ、２７Ａをスロット１２
の奥に取り付けられているソケット（不図示）に差し込
み、取り付け、不図示のドアを閉める。
ラＤが装着されたカセット２０を多数、前記エージング
装置１０のスロット１２に挿入し、カセット２０から突
き出ている差し込み端子２４Ａ、２７Ａをスロット１２
の奥に取り付けられているソケット（不図示）に差し込
み、取り付け、不図示のドアを閉める。
【００１４】そして次に、エージング装置１０の電源ス
イッチ１６を投入し、ハウジング１１内が前記のような
所定の一定温度に達するように加熱し、そして個々のカ
セット２０が所定の一定温度に維持されるように温度調
整器１３で調整する。同時に、それぞれの半導体レーザ
カプラＤに前記差し込み端子２４Ａを通じて電力を供給
し、また、それぞれの半導体レーザカプラＤに対応する
受光素子Ｒにも、前記差し込み端子２７Ａを通じて電力
を供給し、逆にそれぞれの受光素子Ｒが対応する受光素
子Ｒから受光したレーザ光によって生じたデータ信号を
前記差し込み端子２７Ａからエージング装置１０に接続
されているコンピュータ（不図示）に入力し、データ処
理を行って、それぞれの半導体レーザカプラＤの特性変
化などの記録を採る。このようなエージングを行って、
個々の半導体レーザカプラＤの良否、或いは生産ロット
毎の半導体レーザカプラＤの良否などを検討する。
イッチ１６を投入し、ハウジング１１内が前記のような
所定の一定温度に達するように加熱し、そして個々のカ
セット２０が所定の一定温度に維持されるように温度調
整器１３で調整する。同時に、それぞれの半導体レーザ
カプラＤに前記差し込み端子２４Ａを通じて電力を供給
し、また、それぞれの半導体レーザカプラＤに対応する
受光素子Ｒにも、前記差し込み端子２７Ａを通じて電力
を供給し、逆にそれぞれの受光素子Ｒが対応する受光素
子Ｒから受光したレーザ光によって生じたデータ信号を
前記差し込み端子２７Ａからエージング装置１０に接続
されているコンピュータ（不図示）に入力し、データ処
理を行って、それぞれの半導体レーザカプラＤの特性変
化などの記録を採る。このようなエージングを行って、
個々の半導体レーザカプラＤの良否、或いは生産ロット
毎の半導体レーザカプラＤの良否などを検討する。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来技術のエ
ージング装置１０は、そのもの自体が恒温槽としての機
能を果たしているため、全てのカセット２０をセットし
た後、所定の温度プロファイルを作らなければならな
い。また、そのエージング装置自体のサイズがかなり大
きく、価格も非常に高価なものである。更にまた、従来
技術のエージング装置１０では、恒温槽である本体を１
つの温度調整器で制御しており、１回当たりの作業は全
てのスロット１２にカセット２０をセットして行わなけ
ればならず、作業能率が悪かった。
ージング装置１０は、そのもの自体が恒温槽としての機
能を果たしているため、全てのカセット２０をセットし
た後、所定の温度プロファイルを作らなければならな
い。また、そのエージング装置自体のサイズがかなり大
きく、価格も非常に高価なものである。更にまた、従来
技術のエージング装置１０では、恒温槽である本体を１
つの温度調整器で制御しており、１回当たりの作業は全
てのスロット１２にカセット２０をセットして行わなけ
ればならず、作業能率が悪かった。
【００１６】本発明は、これらの課題を解決しようとす
るものであって、カセットの価格は若干高くなるが、エ
ージング装置そのものは非常に安価に製造できるので、
全体のエージングシステムとしては非常に安価であり、
しかも、被検査部品の数量の多少に係わらずエージング
できるエージング用ソケット、カセット及びそのエージ
ング装置を得ることを目的とする。
るものであって、カセットの価格は若干高くなるが、エ
ージング装置そのものは非常に安価に製造できるので、
全体のエージングシステムとしては非常に安価であり、
しかも、被検査部品の数量の多少に係わらずエージング
できるエージング用ソケット、カセット及びそのエージ
ング装置を得ることを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】従って、請求項１に記載
の発明では、被エージング部品を装着できる装着部が形
成されたソケットの基台に、前記装着部に装着された被
エージング部品を加熱するヒータと、前記装着部の温
度、その装着部に装着され、加熱されている被エージン
グ部品の温度、或いは前記ヒータの温度を検出する温度
センサとを前記装着部に臨んで組み込んで、前記課題を
解決している。また、請求項１に記載の発明では、被エ
ージング部品を装着できる装着部が形成されたソケット
が複数個、配設されて構成されているエージング用カセ
ットにおいて、前記個々のソケットとして請求項１に記
載のソケットが組み込まれており、そして前記個々のソ
ケットに装着されているヒータ及び温度センサの端子を
電源に対して並列に接続し、そして内蔵されている電子
回路基板の電源回路に接続して、前記課題を解決してい
る。更にまた、請求項３に記載の発明では、エージング
装置を、請求項２に記載のエージング用カセットをセッ
トできるスロットを複数個配設し、そしてそれら個々の
スロットに始動スイッチ、温度調整器、必要に応じて温
度表示器を組み込んで構成して、前記課題を解決してい
る。
の発明では、被エージング部品を装着できる装着部が形
成されたソケットの基台に、前記装着部に装着された被
エージング部品を加熱するヒータと、前記装着部の温
度、その装着部に装着され、加熱されている被エージン
グ部品の温度、或いは前記ヒータの温度を検出する温度
センサとを前記装着部に臨んで組み込んで、前記課題を
解決している。また、請求項１に記載の発明では、被エ
ージング部品を装着できる装着部が形成されたソケット
が複数個、配設されて構成されているエージング用カセ
ットにおいて、前記個々のソケットとして請求項１に記
載のソケットが組み込まれており、そして前記個々のソ
ケットに装着されているヒータ及び温度センサの端子を
電源に対して並列に接続し、そして内蔵されている電子
回路基板の電源回路に接続して、前記課題を解決してい
る。更にまた、請求項３に記載の発明では、エージング
装置を、請求項２に記載のエージング用カセットをセッ
トできるスロットを複数個配設し、そしてそれら個々の
スロットに始動スイッチ、温度調整器、必要に応じて温
度表示器を組み込んで構成して、前記課題を解決してい
る。
【００１８】従って、請求項１に記載の発明によれば、
装着された被エージング部品を直接加熱することができ
る。また、請求項２に記載の発明によれば、装着された
被エージング部品を全て同時に、或いはグループ毎に、
または個別にも加熱してエージングでき、それぞれの特
性の状態を評価することができる。更にまた、請求項３
に記載の発明によれば、エージング装置は恒温槽でなく
てよく、また、スロットにセットした分のエージング用
カセットのエージングを個々に、或いはグループ毎に、
または全体を同時に始動させて、温度調整を行わせるこ
とができ、従って、被エージング部品の個々に評価を行
うことができる。
装着された被エージング部品を直接加熱することができ
る。また、請求項２に記載の発明によれば、装着された
被エージング部品を全て同時に、或いはグループ毎に、
または個別にも加熱してエージングでき、それぞれの特
性の状態を評価することができる。更にまた、請求項３
に記載の発明によれば、エージング装置は恒温槽でなく
てよく、また、スロットにセットした分のエージング用
カセットのエージングを個々に、或いはグループ毎に、
または全体を同時に始動させて、温度調整を行わせるこ
とができ、従って、被エージング部品の個々に評価を行
うことができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態のエー
ジング用カセット及びそのエージング装置を図１乃至図
６を用いて説明する。図１は本発明の一実施形態のエー
ジング装置の正面図、図２は本発明の一実施形態のエー
ジングカセットの外観斜視図、図３は図２に示したエー
ジング用カセットの蓋体の一部をカットして示した平面
図、図４は図３に示した矢印Ａから見たエージング用カ
セットの側面を一部断面で示した側面図、図５は図３に
示した矢印Ｂから見たエージング用カセットの側面図、
そして図６はエージング用カセットに組み込まれている
ソケットを示していて、同図Ａはその平面図、同図Ｂは
同図ＡのＡ−Ａ線上における拡大断面図である。
ジング用カセット及びそのエージング装置を図１乃至図
６を用いて説明する。図１は本発明の一実施形態のエー
ジング装置の正面図、図２は本発明の一実施形態のエー
ジングカセットの外観斜視図、図３は図２に示したエー
ジング用カセットの蓋体の一部をカットして示した平面
図、図４は図３に示した矢印Ａから見たエージング用カ
セットの側面を一部断面で示した側面図、図５は図３に
示した矢印Ｂから見たエージング用カセットの側面図、
そして図６はエージング用カセットに組み込まれている
ソケットを示していて、同図Ａはその平面図、同図Ｂは
同図ＡのＡ−Ａ線上における拡大断面図である。
【００２０】先ず、図１を用いて本発明の一実施形態の
エージング装置を説明する。図１において、符号５０は
本発明のエージング装置を指す。このエージング装置５
０は、ハウジング５１を中心に構成され、その内部はマ
トリックス状に仕切られて複数個のスロット５２が配
列、形成されている。これらのスロット５２の奥には、
後記のカセット６０の２枚の差し込み端子が差し込める
ソケット（不図示）とこれに接続され、個々のカセット
６０の本体６１に装着されている個々の半導体レーザカ
プラＤに電力を供給し、また、蓋体６２に装着されてい
る個々の受光素子Ｒに電力を供給し、同時に半導体レー
ザカプラＤから発射されたレーザ光を受光して、その発
光特性などの状態を評価するための評価回路（不図示）
が内蔵、或いは外付けで接続されている。
エージング装置を説明する。図１において、符号５０は
本発明のエージング装置を指す。このエージング装置５
０は、ハウジング５１を中心に構成され、その内部はマ
トリックス状に仕切られて複数個のスロット５２が配
列、形成されている。これらのスロット５２の奥には、
後記のカセット６０の２枚の差し込み端子が差し込める
ソケット（不図示）とこれに接続され、個々のカセット
６０の本体６１に装着されている個々の半導体レーザカ
プラＤに電力を供給し、また、蓋体６２に装着されてい
る個々の受光素子Ｒに電力を供給し、同時に半導体レー
ザカプラＤから発射されたレーザ光を受光して、その発
光特性などの状態を評価するための評価回路（不図示）
が内蔵、或いは外付けで接続されている。
【００２１】また、それぞれのスロット５２の、この実
施形態では右側の開口部には、それぞれのスロット５２
に挿入されたカセット６０に電力を供給するための電源
スイッチ５３と、個々のカセット６０の個々のソケット
３０に装着されている半導体レーザカプラＤの温度を調
整するための温度調整器５４と、モニター５５とが前面
パネル表面に取り付けられている。更にまた、図示の状
態で右側の前面パネル部５６には、上方に主電源スイッ
チ５７と、下方に主ブレーカ５８が組み込まれている。
なお、前記エージング装置５０は、従来技術のエージン
グ装置１０と同様に、エージング中、その前面がドアで
閉鎖され、内部を恒温に保つのであるが、図１では、ド
アを外した状態で示した。また、この図１には、前記の
それぞれのスロット５２内に図２に示したカセット６０
を挿入、装着した状態で示した。
施形態では右側の開口部には、それぞれのスロット５２
に挿入されたカセット６０に電力を供給するための電源
スイッチ５３と、個々のカセット６０の個々のソケット
３０に装着されている半導体レーザカプラＤの温度を調
整するための温度調整器５４と、モニター５５とが前面
パネル表面に取り付けられている。更にまた、図示の状
態で右側の前面パネル部５６には、上方に主電源スイッ
チ５７と、下方に主ブレーカ５８が組み込まれている。
なお、前記エージング装置５０は、従来技術のエージン
グ装置１０と同様に、エージング中、その前面がドアで
閉鎖され、内部を恒温に保つのであるが、図１では、ド
アを外した状態で示した。また、この図１には、前記の
それぞれのスロット５２内に図２に示したカセット６０
を挿入、装着した状態で示した。
【００２２】次に、図２乃至図５を用いて、本発明の一
実施形態のカセットを説明する。なお、本発明のカセッ
トにおける従来技術のカセット２０の構造、構成部分と
同一の部分には同一の符号を付して、それらの説明を省
略する。図２において、符号６０は全体として本発明の
カセットを指す。このカセット６０が従来技術のカセッ
ト２０と異なる部分は、それぞれのソケット７０が異な
っている点である。個々のソケット７０には、図６に示
したように、その基台３４の中空部３５に、半導体レー
ザカプラＤが載置された場合に接触できる状態で端部が
載置部に臨むようにヒータ７１が組み込まれていること
と、このヒータ７１と前記載置部の近傍に臨むように温
度センサ７３が組み込まれていることである。ヒータ７
１は、例えば、ペルチエ効果を応用した固体素子が好適
であり、符号７２はその端子である。また、前記温度セ
ンサ７３は、例えば、熱電対のような素子であって、符
号７４はその端子である。
実施形態のカセットを説明する。なお、本発明のカセッ
トにおける従来技術のカセット２０の構造、構成部分と
同一の部分には同一の符号を付して、それらの説明を省
略する。図２において、符号６０は全体として本発明の
カセットを指す。このカセット６０が従来技術のカセッ
ト２０と異なる部分は、それぞれのソケット７０が異な
っている点である。個々のソケット７０には、図６に示
したように、その基台３４の中空部３５に、半導体レー
ザカプラＤが載置された場合に接触できる状態で端部が
載置部に臨むようにヒータ７１が組み込まれていること
と、このヒータ７１と前記載置部の近傍に臨むように温
度センサ７３が組み込まれていることである。ヒータ７
１は、例えば、ペルチエ効果を応用した固体素子が好適
であり、符号７２はその端子である。また、前記温度セ
ンサ７３は、例えば、熱電対のような素子であって、符
号７４はその端子である。
【００２３】温度センサ７３の装着位置は、できるだけ
加熱される半導体レーザカプラＤの近傍に配設されて、
その温度を検出するのが好ましいが、予め温度補正がで
きれば、装着部の温度、或いは前記ヒータの温度を検出
できるように配設してもよい。
加熱される半導体レーザカプラＤの近傍に配設されて、
その温度を検出するのが好ましいが、予め温度補正がで
きれば、装着部の温度、或いは前記ヒータの温度を検出
できるように配設してもよい。
【００２４】このようなソケット７０を複数個、マトリ
ックス状に配設したのが、図２乃至図５に記載の本発明
のカセット６０である。特に図４に一部分を破断して示
したように、本体２１に内蔵されている電子回路基板２
４の電力供給回路（不図示）にヒータ７１の端子７２を
接続し、温度センサ７３の端子７４を電子回路基板２４
の温度制御回路（不図示）に接続する。他の複数個のソ
ケット７０も同様に、並列接続する。
ックス状に配設したのが、図２乃至図５に記載の本発明
のカセット６０である。特に図４に一部分を破断して示
したように、本体２１に内蔵されている電子回路基板２
４の電力供給回路（不図示）にヒータ７１の端子７２を
接続し、温度センサ７３の端子７４を電子回路基板２４
の温度制御回路（不図示）に接続する。他の複数個のソ
ケット７０も同様に、並列接続する。
【００２５】次に、このように多数の半導体レーザカプ
ラＤが装着されたカセット６０を多数、前記エージング
装置５０のスロット１２に挿入し、カセット６０から突
き出ている差し込み端子２４Ａ、２７Ａをスロット１２
の奥に取り付けられている前記のソケット（不図示）に
差し込み、取り付け、不図示のドアを閉める。
ラＤが装着されたカセット６０を多数、前記エージング
装置５０のスロット１２に挿入し、カセット６０から突
き出ている差し込み端子２４Ａ、２７Ａをスロット１２
の奥に取り付けられている前記のソケット（不図示）に
差し込み、取り付け、不図示のドアを閉める。
【００２６】そして次に、エージング装置５０の主電源
スイッチ５７と個々の電源スイッチ５３を投入し、個々
のカセット６０内のソケット７０に装着されている半導
体レーザカプラＤが所定の一定温度に維持されるように
前記温度センサ７３を介して温度調整器５４で制御す
る。同時に、それぞれの半導体レーザカプラＤに前記差
し込み端子２４Ａを通じて電力を供給し、また、それぞ
れの半導体レーザカプラＤに対応する受光素子Ｒにも、
前記差し込み端子２７Ａを通じて電力を供給し、逆にそ
れぞれの受光素子Ｒが対応する受光素子Ｒから受光した
レーザ光によって生じたデータ信号を前記差し込み端子
２７Ａからエージング装置５０に接続されているコンピ
ュータ（不図示）に入力し、データ処理を行って、それ
ぞれの半導体レーザカプラＤの特性変化などの記録を採
る。また、個々のモニター５５にも、データを表示す
る。このようなエージングを行って、個々の半導体レー
ザカプラＤの良否、或いは生産ロット毎の半導体レーザ
カプラＤの良否などを検討する。
スイッチ５７と個々の電源スイッチ５３を投入し、個々
のカセット６０内のソケット７０に装着されている半導
体レーザカプラＤが所定の一定温度に維持されるように
前記温度センサ７３を介して温度調整器５４で制御す
る。同時に、それぞれの半導体レーザカプラＤに前記差
し込み端子２４Ａを通じて電力を供給し、また、それぞ
れの半導体レーザカプラＤに対応する受光素子Ｒにも、
前記差し込み端子２７Ａを通じて電力を供給し、逆にそ
れぞれの受光素子Ｒが対応する受光素子Ｒから受光した
レーザ光によって生じたデータ信号を前記差し込み端子
２７Ａからエージング装置５０に接続されているコンピ
ュータ（不図示）に入力し、データ処理を行って、それ
ぞれの半導体レーザカプラＤの特性変化などの記録を採
る。また、個々のモニター５５にも、データを表示す
る。このようなエージングを行って、個々の半導体レー
ザカプラＤの良否、或いは生産ロット毎の半導体レーザ
カプラＤの良否などを検討する。
【００２７】前記主電源スイッチ５７は無くてもよい。
この場合は、個々のスロット５２に付属している電源ス
イッチ５３を投入することによって、そのスロット５２
内の個々のソケット７０に装着されている半導体レーザ
カプラＤをヒータ７１で加熱されるような電源回路を構
成しておいてもよい。また、前記の全スロット５２にカ
セット６０を装着し、エージングを行いたい場合には、
前記主電源スイッチ５７を投入するだけで、全ソケット
７０に通電が行われ、ヒータ７１が加熱されるような電
源回路を構成しておいてもよい。
この場合は、個々のスロット５２に付属している電源ス
イッチ５３を投入することによって、そのスロット５２
内の個々のソケット７０に装着されている半導体レーザ
カプラＤをヒータ７１で加熱されるような電源回路を構
成しておいてもよい。また、前記の全スロット５２にカ
セット６０を装着し、エージングを行いたい場合には、
前記主電源スイッチ５７を投入するだけで、全ソケット
７０に通電が行われ、ヒータ７１が加熱されるような電
源回路を構成しておいてもよい。
【００２８】本発明の前記カセット６０及びエージング
装置５０で、前記のような半導体レーザカプラＤのエー
ジングに当たっては、エージング装置５０の全てのスロ
ット５２にカセット６０を装着する必要は無い。個々の
ソケット７０にはヒータ７１が組み込まれているので、
一つのスロット５２に一つのカセット６０を装着して、
そのスロット５２に付属している電源スイッチ５３を投
入するだけで半導体レーザカプラＤのエージングを行う
ことができる。
装置５０で、前記のような半導体レーザカプラＤのエー
ジングに当たっては、エージング装置５０の全てのスロ
ット５２にカセット６０を装着する必要は無い。個々の
ソケット７０にはヒータ７１が組み込まれているので、
一つのスロット５２に一つのカセット６０を装着して、
そのスロット５２に付属している電源スイッチ５３を投
入するだけで半導体レーザカプラＤのエージングを行う
ことができる。
【００２９】また、個々のソケット７０にはヒータ７１
が組み込まれているので、一つのカセット６０内の全て
のソケット７０に被エージング部品である半導体レーザ
カプラＤが装着されていなくても、極端な場合、１個の
半導体レーザカプラＤのみが装着されているカセット６
０であっても、エージング装置５０のスロット５２に装
着して、そのスロット５２に付属している電源スイッチ
５３を投入することで、その半導体レーザカプラＤのエ
ージングを行うことができる。
が組み込まれているので、一つのカセット６０内の全て
のソケット７０に被エージング部品である半導体レーザ
カプラＤが装着されていなくても、極端な場合、１個の
半導体レーザカプラＤのみが装着されているカセット６
０であっても、エージング装置５０のスロット５２に装
着して、そのスロット５２に付属している電源スイッチ
５３を投入することで、その半導体レーザカプラＤのエ
ージングを行うことができる。
【００３０】前記の説明では、被エージング部品として
半導体レーザカプラを採り上げて説明したが、被エージ
ング部品としては、これに止まらず、一般的なＩＣなど
の半導体装置、その他の電子部品、或いは機械的部品の
エージングを行う場合にも、本発明を応用できることは
言うまでもないことを付言しておく。
半導体レーザカプラを採り上げて説明したが、被エージ
ング部品としては、これに止まらず、一般的なＩＣなど
の半導体装置、その他の電子部品、或いは機械的部品の
エージングを行う場合にも、本発明を応用できることは
言うまでもないことを付言しておく。
【００３１】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
のエージング用ソケットによれば、装着された被エージ
ング部品を直接加熱することができる。また、本発明の
エージング用カセットによば、装着された被エージング
部品を全て同時に、或いはグループ毎に、または個別に
も加熱してエージングでき、それぞれの特性の状態を評
価することができる。更にまた、本発明のエージング装
置によれば、エージング装置は恒温槽では内ので非常に
安価であり、また、スロットにセットした分のエージン
グ用カセットのエージングを個々に、或いはグループ毎
に、または全体を同時に始動させて、温度制御を行うこ
とができるので、被エージング部品の数量の多少に係わ
らずエージングできるなど、数々の優れた効果が得られ
る。
のエージング用ソケットによれば、装着された被エージ
ング部品を直接加熱することができる。また、本発明の
エージング用カセットによば、装着された被エージング
部品を全て同時に、或いはグループ毎に、または個別に
も加熱してエージングでき、それぞれの特性の状態を評
価することができる。更にまた、本発明のエージング装
置によれば、エージング装置は恒温槽では内ので非常に
安価であり、また、スロットにセットした分のエージン
グ用カセットのエージングを個々に、或いはグループ毎
に、または全体を同時に始動させて、温度制御を行うこ
とができるので、被エージング部品の数量の多少に係わ
らずエージングできるなど、数々の優れた効果が得られ
る。
【図１】 本発明の一実施形態のエージング装置の正面
図である。
図である。
【図２】 本発明の一実施形態のエージングカセットの
外観斜視図である。
外観斜視図である。
【図３】 図２に示したエージング用カセットの蓋体の
一部をカットして示した平面図である。
一部をカットして示した平面図である。
【図４】 図３に示した矢印Ａから見たエージング用カ
セットの側面を一部断面で示した側面図である。
セットの側面を一部断面で示した側面図である。
【図５】 図３に示した矢印Ｂから見たエージング用カ
セットの側面図である。
セットの側面図である。
【図６】 エージング用カセットに組み込まれているソ
ケットを示していて、同図Ａはその平面図、同図Ｂは同
図ＡのＡ−Ａ線上における拡大断面図である。
ケットを示していて、同図Ａはその平面図、同図Ｂは同
図ＡのＡ−Ａ線上における拡大断面図である。
【図７】 現用の半導体レーザカプラの一例を概念的に
示した平面図である。
示した平面図である。
【図８】 従来技術のエージング装置の正面図である。
【図９】 従来技術のエージングカセットの外観斜視図
である。
である。
【図１０】 図９に示したエージング用カセットの蓋体
の一部をカットして示した平面図である。
の一部をカットして示した平面図である。
【図１１】 図１０に示した矢印Ａから見たエージング
用カセットの側面を一部断面で示した側面図である。
用カセットの側面を一部断面で示した側面図である。
【図１２】 図１０に示した矢印Ｂから見たエージング
用カセットの側面図である。
用カセットの側面図である。
【図１３】 図９に示したエージング用カセットに組み
込まれているソケットを示していて、同図Ａはその平面
図、同図Ｂは同図ＡのＡ−Ａ線上における拡大断面図で
ある。
込まれているソケットを示していて、同図Ａはその平面
図、同図Ｂは同図ＡのＡ−Ａ線上における拡大断面図で
ある。
２０…従来技術のエージング用カセット、２１…本体、
２２…蓋体、２４，２７…電子回路基板、３１…円筒
部、３４…エージング用ソケット７０の基台、３５…中
空部、３６Ａ，３６Ｂ…電極ピン、３７Ａ，３７Ｂ…位
置決めピン、５０…本発明の一実施形態のエージング装
置、５２…スロット、５３…電源スイッチ、５４…温度
調整器、５５…モニター、６０…本発明の一実施形態の
エージング用カセット、７０…本発明の一実施形態のエ
ージング用ソケット、７１…ヒータ、７３…温度センサ
２２…蓋体、２４，２７…電子回路基板、３１…円筒
部、３４…エージング用ソケット７０の基台、３５…中
空部、３６Ａ，３６Ｂ…電極ピン、３７Ａ，３７Ｂ…位
置決めピン、５０…本発明の一実施形態のエージング装
置、５２…スロット、５３…電源スイッチ、５４…温度
調整器、５５…モニター、６０…本発明の一実施形態の
エージング用カセット、７０…本発明の一実施形態のエ
ージング用ソケット、７１…ヒータ、７３…温度センサ
Claims (3)
- 【請求項１】 被エージング部品を装着できる装着部が
形成されたソケットの基台に、 前記装着部に装着された被エージング部品を加熱するヒ
ータと、 前記装着部の温度、その装着部に装着され、加熱されて
いる被エージング部品の温度、或いは前記ヒータの温度
を検出する温度センサとが前記装着部に臨んで組み込ま
れていることを特徴とするエージング用ソケット。 - 【請求項２】 被エージング部品を装着できる装着部が
形成されたソケットが複数個、配設されて構成されてい
るエージング用カセットにおいて、前記個々のソケット
として請求項１に記載のソケットが組み込まれており、
そして前記個々のソケットに装着されているヒータ及び
温度センサの端子が電源に対して並列に、そして内蔵さ
れている電子回路基板の電源回路に接続されていること
を特徴とするエージング用カセット。 - 【請求項３】 請求項２に記載のエージング用カセット
をセットできるスロットが複数個が配設され、そしてそ
れら個々のスロットに始動スイッチ、温度調整器、必要
に応じて温度表示器が組み込まれて構成されていること
を特徴とするエージング装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11208577A JP2001033516A (ja) | 1999-07-23 | 1999-07-23 | エージング用ソケット、カセット及びそのエージング装置 |
| TW089114333A TW522247B (en) | 1999-07-23 | 2000-07-18 | Aging socket, aging cassette and aging apparatus |
| US09/621,548 US6384377B1 (en) | 1999-07-23 | 2000-07-21 | Aging socket, aging cassette and aging apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11208577A JP2001033516A (ja) | 1999-07-23 | 1999-07-23 | エージング用ソケット、カセット及びそのエージング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001033516A true JP2001033516A (ja) | 2001-02-09 |
Family
ID=16558499
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11208577A Pending JP2001033516A (ja) | 1999-07-23 | 1999-07-23 | エージング用ソケット、カセット及びそのエージング装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6384377B1 (ja) |
| JP (1) | JP2001033516A (ja) |
| TW (1) | TW522247B (ja) |
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| JP2005121625A (ja) * | 2003-09-24 | 2005-05-12 | Sharp Corp | バーンイン装置 |
| JP2006058077A (ja) * | 2004-08-18 | 2006-03-02 | Sharp Corp | バーンイン装置およびバーンイン試験方法 |
| JP2009139192A (ja) * | 2007-12-05 | 2009-06-25 | Sharp Corp | バーンイン装置 |
| JP2011059118A (ja) * | 2009-09-14 | 2011-03-24 | Star Technologies Inc | 発光素子用検知モジュール及びこれを用いる試験装置 |
Families Citing this family (6)
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|---|---|---|---|---|
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| US20050054757A1 (en) * | 2003-09-10 | 2005-03-10 | Pearson Jason Clay | Method for reducing the acetaldehyde level in polyesters |
| JP2008170179A (ja) * | 2007-01-09 | 2008-07-24 | Elpida Memory Inc | オートハンドラ |
| TWM339674U (en) * | 2008-04-23 | 2008-09-01 | Inventec Corp | Quasi-memory heat source device |
| CN101876682B (zh) * | 2009-04-30 | 2014-12-03 | 南通奥普机械工程有限公司 | 测试装置 |
| WO2019160062A1 (ja) * | 2018-02-16 | 2019-08-22 | 京セラ株式会社 | 多数個取り素子収納用パッケージおよび多数個取り光半導体装置 |
Family Cites Families (9)
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| DE3263256D1 (en) * | 1981-07-08 | 1985-05-30 | Fujitsu Ltd | Device for testing semiconductor devices at a high temperature |
| JPS61269085A (ja) * | 1985-05-24 | 1986-11-28 | Hitachi Ltd | 電子部品の温度試験装置 |
| US4739258A (en) * | 1986-07-11 | 1988-04-19 | Syracuse University | Dynamic testing of thin-film conductor |
| JPS63184078A (ja) * | 1987-01-27 | 1988-07-29 | Yokogawa Electric Corp | 半導体テスト装置 |
| JPS6483165A (en) * | 1987-09-25 | 1989-03-28 | Chino Corp | Testing apparatus of optical semiconductor element |
| JPH04306583A (ja) * | 1991-04-03 | 1992-10-29 | Seiko Epson Corp | Ｉｃ加熱用ホットプレート |
| JPH0536793A (ja) * | 1991-07-31 | 1993-02-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | バーンイン方法および装置 |
| JPH112655A (ja) * | 1997-06-11 | 1999-01-06 | Diamond Electric Mfg Co Ltd | 半導体の高温度試験装置 |
-
1999
- 1999-07-23 JP JP11208577A patent/JP2001033516A/ja active Pending
-
2000
- 2000-07-18 TW TW089114333A patent/TW522247B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-07-21 US US09/621,548 patent/US6384377B1/en not_active Expired - Fee Related
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| JP2005121625A (ja) * | 2003-09-24 | 2005-05-12 | Sharp Corp | バーンイン装置 |
| JP2006058077A (ja) * | 2004-08-18 | 2006-03-02 | Sharp Corp | バーンイン装置およびバーンイン試験方法 |
| JP2009139192A (ja) * | 2007-12-05 | 2009-06-25 | Sharp Corp | バーンイン装置 |
| JP2011059118A (ja) * | 2009-09-14 | 2011-03-24 | Star Technologies Inc | 発光素子用検知モジュール及びこれを用いる試験装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6384377B1 (en) | 2002-05-07 |
| TW522247B (en) | 2003-03-01 |
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