JP2001021918A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JP2001021918A JP2001021918A JP11193057A JP19305799A JP2001021918A JP 2001021918 A JP2001021918 A JP 2001021918A JP 11193057 A JP11193057 A JP 11193057A JP 19305799 A JP19305799 A JP 19305799A JP 2001021918 A JP2001021918 A JP 2001021918A
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- Japan
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- electrostatic protection
- substrate
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- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 静電気の侵入に対して信頼性に優れたものを
得る。 【解決手段】 基板と、この基板の液晶側の面に一方向
に延在して並設されるゲート信号線とこのゲート信号線
に絶縁されて交差されるドレイン信号線と、これら信号
線によって囲まれる画素領域にゲート信号線からの走査
信号の供給によって駆動される薄膜トランジスタとこの
薄膜トランジスタを介してドレイン信号線からの映像信
号が供給される画素電極と、各画素領域の集合からなる
表示領域の外側に各ゲート信号線とダイオードを介して
接続された第１の静電保護回路と各ドレイン信号線とダ
イオードを介して接続された第２の静電保護回路と、前
記基板上にゲート信号線およびドレイン信号線と接続さ
れて搭載される駆動回路と、この駆動回路が配置されて
いない側の基板上に該基板の辺に沿って形成された第３
の静電保護回路と、を備える。
得る。 【解決手段】 基板と、この基板の液晶側の面に一方向
に延在して並設されるゲート信号線とこのゲート信号線
に絶縁されて交差されるドレイン信号線と、これら信号
線によって囲まれる画素領域にゲート信号線からの走査
信号の供給によって駆動される薄膜トランジスタとこの
薄膜トランジスタを介してドレイン信号線からの映像信
号が供給される画素電極と、各画素領域の集合からなる
表示領域の外側に各ゲート信号線とダイオードを介して
接続された第１の静電保護回路と各ドレイン信号線とダ
イオードを介して接続された第２の静電保護回路と、前
記基板上にゲート信号線およびドレイン信号線と接続さ
れて搭載される駆動回路と、この駆動回路が配置されて
いない側の基板上に該基板の辺に沿って形成された第３
の静電保護回路と、を備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に係
り、特に、アクティブ・マトリックス型と称される液晶
表示装置に関する。
り、特に、アクティブ・マトリックス型と称される液晶
表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】アクティブ・マトリックス型と称される
液晶表示装置は、液晶を介して互いに対向配置される透
明基板のうち一方の透明基板の液晶側の面に、ｘ方向に
延在しｙ方向に並設されるゲート信号線と、このゲート
信号線に絶縁されｙ方向に延在しｘ方向に並設されるド
レイン信号線とが形成されている。
液晶表示装置は、液晶を介して互いに対向配置される透
明基板のうち一方の透明基板の液晶側の面に、ｘ方向に
延在しｙ方向に並設されるゲート信号線と、このゲート
信号線に絶縁されｙ方向に延在しｘ方向に並設されるド
レイン信号線とが形成されている。
【０００３】そして、これら各信号線で囲まれる領域を
画素領域として、この画素領域には、ゲート信号線から
の走査信号の供給によって駆動する薄膜トランジスタ
（スイッチング素子）と、この薄膜トランジスタを介し
てドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極
とが備えられている。
画素領域として、この画素領域には、ゲート信号線から
の走査信号の供給によって駆動する薄膜トランジスタ
（スイッチング素子）と、この薄膜トランジスタを介し
てドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極
とが備えられている。
【０００４】また、この画素電極との間で液晶に電界を
発生せしめる対向電極が形成され、この対向電極として
は、透明基板に対して垂直（縦）方向に電界を発生させ
るため他方の透明基板側に形成されたもの、あるいは、
透明基板に対して平行（横）方向に電界を発生させるた
め画素電極が形成された透明基板側に形成されたものが
ある。
発生せしめる対向電極が形成され、この対向電極として
は、透明基板に対して垂直（縦）方向に電界を発生させ
るため他方の透明基板側に形成されたもの、あるいは、
透明基板に対して平行（横）方向に電界を発生させるた
め画素電極が形成された透明基板側に形成されたものが
ある。
【０００５】そして、ゲート信号線およびドレイン信号
線は各画素領域の集合体としての表示領域の外側にま
で、換言すれば一方の透明基板の周辺にまで延在され、
この延在部からそれぞれ走査信号および映像信号が供給
されるようになっている。
線は各画素領域の集合体としての表示領域の外側にま
で、換言すれば一方の透明基板の周辺にまで延在され、
この延在部からそれぞれ走査信号および映像信号が供給
されるようになっている。
【０００６】これらの信号の供給は、半導体集積回路
（ＩＣ）によって構成される走査駆動回路および映像信
号駆動回路によってなされ、これら各回路はその出力端
子がゲート信号線およびドレイン信号線と接続されて透
明基板上に搭載されている（いわゆるフィリップチップ
方式、チップ・オン・ガラス方式と称される）。
（ＩＣ）によって構成される走査駆動回路および映像信
号駆動回路によってなされ、これら各回路はその出力端
子がゲート信号線およびドレイン信号線と接続されて透
明基板上に搭載されている（いわゆるフィリップチップ
方式、チップ・オン・ガラス方式と称される）。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに構成された液晶表示装置は、ゲート信号線あるいは
ドレイン信号線から静電気が侵入してきた際には、それ
ら信号線に接続された薄膜トランジスタに静電破壊をも
たらすことから、その対策が極めて重要となる。
うに構成された液晶表示装置は、ゲート信号線あるいは
ドレイン信号線から静電気が侵入してきた際には、それ
ら信号線に接続された薄膜トランジスタに静電破壊をも
たらすことから、その対策が極めて重要となる。
【０００８】このため、たとえば画素領域の集合である
表示領域の外側において、ゲート信号線あるいはドレイ
ン信号線の幾つかに静電気が侵入した際に、その静電気
を他のゲート信号線あるいはドレイン信号線に拡散させ
ることによって、薄膜トランジスタの静電破壊を防止す
る静電保護用回路が設けられたものが知られている。
表示領域の外側において、ゲート信号線あるいはドレイ
ン信号線の幾つかに静電気が侵入した際に、その静電気
を他のゲート信号線あるいはドレイン信号線に拡散させ
ることによって、薄膜トランジスタの静電破壊を防止す
る静電保護用回路が設けられたものが知られている。
【０００９】しかし、静電気の量が極めて多い場合、薄
膜トランジスタは、たとえその静電破壊を起こすことは
なくても特性の劣化をもたらすことから、静電気の侵入
に対しては最善の対策を施すことが賢明となる。
膜トランジスタは、たとえその静電破壊を起こすことは
なくても特性の劣化をもたらすことから、静電気の侵入
に対しては最善の対策を施すことが賢明となる。
【００１０】本発明は、このような事情に基づいてなさ
れたもので、その目的は静電の侵入に対して信頼性に優
れた液晶表示装置を提供することにある。
れたもので、その目的は静電の侵入に対して信頼性に優
れた液晶表示装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００１２】すなわち、本発明による液晶表示装置は、
基本的には、基板と、この基板の液晶側の面に一方向に
延在して並設されるゲート信号線とこのゲート信号線に
絶縁されて交差されるドレイン信号線と、これら信号線
によって囲まれる画素領域にゲート信号線からの走査信
号の供給によって駆動される薄膜トランジスタとこの薄
膜トランジスタを介してドレイン信号線からの映像信号
が供給される画素電極と、各画素領域の集合からなる表
示領域の外側に各ゲート信号線とダイオードを介して接
続された第１の静電保護回路と各ドレイン信号線とダイ
オードを介して接続された第２の静電保護回路と、前記
基板上にゲート信号線およびドレイン信号線と接続され
て搭載される駆動回路と、この駆動回路が配置されてい
ない側の基板上に該基板の辺に沿って形成された第３の
静電保護用回路と、を備えることを特徴とするものであ
る。
基本的には、基板と、この基板の液晶側の面に一方向に
延在して並設されるゲート信号線とこのゲート信号線に
絶縁されて交差されるドレイン信号線と、これら信号線
によって囲まれる画素領域にゲート信号線からの走査信
号の供給によって駆動される薄膜トランジスタとこの薄
膜トランジスタを介してドレイン信号線からの映像信号
が供給される画素電極と、各画素領域の集合からなる表
示領域の外側に各ゲート信号線とダイオードを介して接
続された第１の静電保護回路と各ドレイン信号線とダイ
オードを介して接続された第２の静電保護回路と、前記
基板上にゲート信号線およびドレイン信号線と接続され
て搭載される駆動回路と、この駆動回路が配置されてい
ない側の基板上に該基板の辺に沿って形成された第３の
静電保護用回路と、を備えることを特徴とするものであ
る。
【００１３】このように構成された液晶表示装置は、そ
の第３の静電保護回路が、駆動回路が搭載されていない
辺側から信号線側への静電気の侵入を確実に阻止するガ
ードリングとしての機能を有するようになる。
の第３の静電保護回路が、駆動回路が搭載されていない
辺側から信号線側への静電気の侵入を確実に阻止するガ
ードリングとしての機能を有するようになる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明による液晶表示装置
の実施例を図面を用いて説明する。
の実施例を図面を用いて説明する。
【００１５】図１は、本発明による液晶表示装置の一実
施例を示す等価回路図である。同図は等価回路図である
が、実際の幾何学的配置に対応させた図となっている。
施例を示す等価回路図である。同図は等価回路図である
が、実際の幾何学的配置に対応させた図となっている。
【００１６】そして、同図は、液晶を介して対向配置さ
れる各透明基板のうちいわゆるＴＦＴ基板と称される側
の透明基板１の液晶側の面における平面図を示してい
る。
れる各透明基板のうちいわゆるＴＦＴ基板と称される側
の透明基板１の液晶側の面における平面図を示してい
る。
【００１７】同図において、図中ｘ方向に延在しｙ方向
に並設されるゲート信号線２が形成されているととも
に、ｙ方向に延在しｘ方向に並設されるドレイン信号線
３が形成されている。
に並設されるゲート信号線２が形成されているととも
に、ｙ方向に延在しｘ方向に並設されるドレイン信号線
３が形成されている。
【００１８】これら各信号線で囲まれる矩形状の各領域
はそれぞれ画素領域を構成し、これら各画素領域の集合
体で表示領域を構成するようになっている。
はそれぞれ画素領域を構成し、これら各画素領域の集合
体で表示領域を構成するようになっている。
【００１９】各画素領域には、ゲート信号線２からの走
査信号の供給によって駆動されるスイッチング素子（薄
膜トランジスタＴＦＴ）と、このスイッチング素子を介
してドレイン信号線３からの映像信号の供給がなされる
画素電極ＰＩＸと、この画素電極ＰＩＸと前記スイッチ
ング素子を駆動させるゲート信号線と隣接する他のゲー
ト信号線２との間に設けられた容量素子Ｃａｄｄが形成
されている。
査信号の供給によって駆動されるスイッチング素子（薄
膜トランジスタＴＦＴ）と、このスイッチング素子を介
してドレイン信号線３からの映像信号の供給がなされる
画素電極ＰＩＸと、この画素電極ＰＩＸと前記スイッチ
ング素子を駆動させるゲート信号線と隣接する他のゲー
ト信号線２との間に設けられた容量素子Ｃａｄｄが形成
されている。
【００２０】この容量素子Ｃａｄｄは、スイッチング素
子がオフした際に、画素電極ＰＩＸへの映像信号の蓄積
を比較的長く保持されるため等の機能を有する。
子がオフした際に、画素電極ＰＩＸへの映像信号の蓄積
を比較的長く保持されるため等の機能を有する。
【００２１】そして、このように構成されている画素領
域の集合体からなる表示領域の周辺には後に詳述する静
電保護回路が形成され、これら表示領域と静電保護回路
とを被うようにしていわゆるフィルタ基板と称される透
明基板（図中点線枠４で示している）が配置されるよう
になっている。
域の集合体からなる表示領域の周辺には後に詳述する静
電保護回路が形成され、これら表示領域と静電保護回路
とを被うようにしていわゆるフィルタ基板と称される透
明基板（図中点線枠４で示している）が配置されるよう
になっている。
【００２２】図示していないが、フィルタ基板の周辺の
全域には、透明基板１とその間にギャップを保持して固
着させ、該ギャップ間に液晶を封入させるためのシール
材（図２の符号３５）が形成されている。
全域には、透明基板１とその間にギャップを保持して固
着させ、該ギャップ間に液晶を封入させるためのシール
材（図２の符号３５）が形成されている。
【００２３】各ゲート信号線２の図中左端は透明基板４
の対向領域の外側にまで、換言すれば前記シール材を超
えて延在され、その延在部に走査信号を供給するための
ゲート端子２Ａが形成されている。
の対向領域の外側にまで、換言すれば前記シール材を超
えて延在され、その延在部に走査信号を供給するための
ゲート端子２Ａが形成されている。
【００２４】このゲート端子２Ａは、半導体集積回路
（ＩＣ）からなる走査駆動回路６の出力バンプに接続さ
れるようになっており、この走査駆動回路６は、その入
力バンプが透明基板１の周辺に設けられた入力端子８に
接続されるようにして透明基板１上に搭載されている。
（ＩＣ）からなる走査駆動回路６の出力バンプに接続さ
れるようになっており、この走査駆動回路６は、その入
力バンプが透明基板１の周辺に設けられた入力端子８に
接続されるようにして透明基板１上に搭載されている。
【００２５】同様に、各ドレイン信号線３の図中下端は
透明基板４の対向領域の外側にまで、換言すれば前記シ
ール材を超えて延在され、その延在部に映像信号を供給
するためのドレイン端子３Ａが形成されている。
透明基板４の対向領域の外側にまで、換言すれば前記シ
ール材を超えて延在され、その延在部に映像信号を供給
するためのドレイン端子３Ａが形成されている。
【００２６】このドレイン端子３Ａは、透明基板１に搭
載される半導体集積回路（ＩＣ）からなる映像信号駆動
回路１１の出力バンプに接続されるようになっており、
この映像信号駆動回路１１は、その入力バンプが透明基
板１の周辺に設けられた入力端子１１に接続されるよう
にして透明基板１上に搭載されている。
載される半導体集積回路（ＩＣ）からなる映像信号駆動
回路１１の出力バンプに接続されるようになっており、
この映像信号駆動回路１１は、その入力バンプが透明基
板１の周辺に設けられた入力端子１１に接続されるよう
にして透明基板１上に搭載されている。
【００２７】透明基板４との対向領域であって表示領域
の外側の領域には静電保護回路が設けられていることは
上述したとおりである。
の外側の領域には静電保護回路が設けられていることは
上述したとおりである。
【００２８】この静電気保護回路は、各ゲート信号線２
のうちその幾つかに静電気が侵入してきた際に、それと
ゲート電極を介して接続される薄膜トランジスタＴＦＴ
の静電破壊（あるいは特性劣化）を防止する回路と、各
ドレイン信号線３のうちその幾つかに静電気が侵入して
きた際に、それとドレイン電極を介して接続される薄膜
トランジスタＴＦＴの静電破壊（あるいは特性劣化）を
防止する回路とから構成されている。
のうちその幾つかに静電気が侵入してきた際に、それと
ゲート電極を介して接続される薄膜トランジスタＴＦＴ
の静電破壊（あるいは特性劣化）を防止する回路と、各
ドレイン信号線３のうちその幾つかに静電気が侵入して
きた際に、それとドレイン電極を介して接続される薄膜
トランジスタＴＦＴの静電破壊（あるいは特性劣化）を
防止する回路とから構成されている。
【００２９】前者の静電保護回路は、表示領域の左右側
のそれぞれにおいて各ゲート信号線２と交差（絶縁）す
るようにして図中ｙ方向に延在する第１静電保護回路１
４と第２静電保護回路１５とが形成されている。
のそれぞれにおいて各ゲート信号線２と交差（絶縁）す
るようにして図中ｙ方向に延在する第１静電保護回路１
４と第２静電保護回路１５とが形成されている。
【００３０】第１静電保護回路１４は、それぞれのゲー
ト信号線２との交差部において、各ゲート信号線２とそ
れらゲート信号線２の両脇に位置づけられる共通配線と
の間に、それぞれ双方向性ダイオードＤが接続されて構
成されている。
ト信号線２との交差部において、各ゲート信号線２とそ
れらゲート信号線２の両脇に位置づけられる共通配線と
の間に、それぞれ双方向性ダイオードＤが接続されて構
成されている。
【００３１】同様に、第２静電保護回路１５は、それぞ
れのゲート信号線２との交差部において、各ゲート信号
線２とそれらゲート信号線２の両脇に位置づけられる共
通配線との間に、それぞれ双方向性ダイオードＤが接続
されて構成されている。
れのゲート信号線２との交差部において、各ゲート信号
線２とそれらゲート信号線２の両脇に位置づけられる共
通配線との間に、それぞれ双方向性ダイオードＤが接続
されて構成されている。
【００３２】このように構成した静電保護回路は、たと
えばゲート信号線２のうちの幾つかに静電気が侵入した
場合、双方向性ダイオードＤおよび共通配線を介して他
のゲート信号線２の全てに拡散され、これにより薄膜ト
ランジスタＴＦＴの静電破壊等を免れるようになる。
えばゲート信号線２のうちの幾つかに静電気が侵入した
場合、双方向性ダイオードＤおよび共通配線を介して他
のゲート信号線２の全てに拡散され、これにより薄膜ト
ランジスタＴＦＴの静電破壊等を免れるようになる。
【００３３】後者の静電保護回路は、表示領域の上側に
おいて各ドレイン信号線３と交差（絶縁）するようにし
て図中ｘ方向に延在する第３静電保護回路１６および第
４静電保護回路１７とが形成されている。
おいて各ドレイン信号線３と交差（絶縁）するようにし
て図中ｘ方向に延在する第３静電保護回路１６および第
４静電保護回路１７とが形成されている。
【００３４】第３静電保護回路１６は、偶数番目のそれ
ぞれのドレイン信号線３との交差部において、各ドレイ
ン信号線３とそれらドレイン信号線３の両脇に位置づけ
られる共通配線との間に、それぞれ双方向性ダイオード
Ｄが接続されて構成されている。
ぞれのドレイン信号線３との交差部において、各ドレイ
ン信号線３とそれらドレイン信号線３の両脇に位置づけ
られる共通配線との間に、それぞれ双方向性ダイオード
Ｄが接続されて構成されている。
【００３５】第４静電保護回路１７は、奇数番目のそれ
ぞれのドレイン信号線３との交差部において、各ドレイ
ン信号線３とそれらドレイン信号線３の両脇に位置づけ
られる共通配線との間に、それぞれ双方向性ダイオード
Ｄが接続されている。
ぞれのドレイン信号線３との交差部において、各ドレイ
ン信号線３とそれらドレイン信号線３の両脇に位置づけ
られる共通配線との間に、それぞれ双方向性ダイオード
Ｄが接続されている。
【００３６】このように構成した静電保護回路も、たと
えばドレイン信号線３のうちの幾つかに静電気が侵入し
た場合、双方向性ダイオードＤおよび共通配線を介して
他のドレイン信号線３の他に、後に詳述するように、フ
ィルタ基板である透明基板４側の共通電極にも拡散さ
れ、これにより薄膜トランジスタＴＦＴの静電破壊等を
免れるようになる。
えばドレイン信号線３のうちの幾つかに静電気が侵入し
た場合、双方向性ダイオードＤおよび共通配線を介して
他のドレイン信号線３の他に、後に詳述するように、フ
ィルタ基板である透明基板４側の共通電極にも拡散さ
れ、これにより薄膜トランジスタＴＦＴの静電破壊等を
免れるようになる。
【００３７】なお、双方向性ダイオードＤは、各画素領
域のＭＩＳ型である薄膜トラシジスタＴＦＴと並行して
形成され、その構造は該薄膜トランジスタＴＦＴのソー
ス電極とゲート電極を互いに接続させた点を除き類似し
たものとなっている。
域のＭＩＳ型である薄膜トラシジスタＴＦＴと並行して
形成され、その構造は該薄膜トランジスタＴＦＴのソー
ス電極とゲート電極を互いに接続させた点を除き類似し
たものとなっている。
【００３８】そして、ゲート信号線２の走査駆動回路６
に接続される側と反対側の第２静電保護回路１４の外側
には、第５静電保護回路２０が形成されている。
に接続される側と反対側の第２静電保護回路１４の外側
には、第５静電保護回路２０が形成されている。
【００３９】この第５静電保護回路２０は、透明基板１
の右端側辺に沿って延在される配線として構成され、該
透明基板１の右端側辺からの静電気がゲート信号線２側
へ侵入するのを確実に阻止するガードリングとしての機
能を有する。
の右端側辺に沿って延在される配線として構成され、該
透明基板１の右端側辺からの静電気がゲート信号線２側
へ侵入するのを確実に阻止するガードリングとしての機
能を有する。
【００４０】この第５静電保護回路２０をゲート信号線
２の走査駆動回路６に接続される側と反対側に設けたの
は、該走査駆動回路６が存在する透明基板１の左端側辺
から静電気が侵入しても、その静電気が走査駆動回路６
の存在によって直接にゲート信号線２に侵入し難くなっ
ているからである。
２の走査駆動回路６に接続される側と反対側に設けたの
は、該走査駆動回路６が存在する透明基板１の左端側辺
から静電気が侵入しても、その静電気が走査駆動回路６
の存在によって直接にゲート信号線２に侵入し難くなっ
ているからである。
【００４１】同様に、ドレイン信号線３の映像信号駆動
回路１０に接続される側と反対側の第３および第４静電
保護回路１６、１７の外側には、第６静電保護回路２１
が形成されている。
回路１０に接続される側と反対側の第３および第４静電
保護回路１６、１７の外側には、第６静電保護回路２１
が形成されている。
【００４２】この第６静電保護回路２１は、透明基板１
の上端側辺に沿って延在される配線として構成され、該
透明基板１の上端側辺からの静電気がドレイン信号線３
側へ侵入するのを確実に阻止するガードリングとしての
機能を有する。
の上端側辺に沿って延在される配線として構成され、該
透明基板１の上端側辺からの静電気がドレイン信号線３
側へ侵入するのを確実に阻止するガードリングとしての
機能を有する。
【００４３】この第６静電保護回路２１をドレイン信号
線３の映像信号駆動回路１０に接続される側と反対側に
設けたのは、該映像信号駆動回路１０が存在する透明基
板１の下端側辺から静電気が侵入しても、その静電気が
映像信号駆動回路１０の存在によって直接にドレイン信
号線３に侵入し難くなっているからである。
線３の映像信号駆動回路１０に接続される側と反対側に
設けたのは、該映像信号駆動回路１０が存在する透明基
板１の下端側辺から静電気が侵入しても、その静電気が
映像信号駆動回路１０の存在によって直接にドレイン信
号線３に侵入し難くなっているからである。
【００４４】そして、第５静電保護回路２０および第６
静電保護回路２１は、フィルタ基板である透明基板４の
液晶側の面において各画素領域に共通な対向電極（透明
電極）をＴＦＴ基板である透明基板１側に引き出すため
の導電層２５を介して互いに接続されて構成され、たと
え静電気が侵入しても該静電気がより拡散されやすくな
っている。
静電保護回路２１は、フィルタ基板である透明基板４の
液晶側の面において各画素領域に共通な対向電極（透明
電極）をＴＦＴ基板である透明基板１側に引き出すため
の導電層２５を介して互いに接続されて構成され、たと
え静電気が侵入しても該静電気がより拡散されやすくな
っている。
【００４５】該導電層２５は、本実施例の場合、分離さ
れた３つの導電層２５Ａ、２５Ｂ、２５Ｃからなり、こ
のうちの導電層２５Ａを介して第５静電保護回路２０と
第６静電保護回路２１とが接続されるようになってい
る。
れた３つの導電層２５Ａ、２５Ｂ、２５Ｃからなり、こ
のうちの導電層２５Ａを介して第５静電保護回路２０と
第６静電保護回路２１とが接続されるようになってい
る。
【００４６】上述したように、これら導電層２５Ａ、２
５Ｂ、２５Ｃは、そのいずれにおいてもたとえばアース
電位に接続される対向電極に接続されることから、第５
静電保護回路２０および第６静電保護回路２１への静電
気侵入に対して他への影響を大幅に低減させることがで
きるようになる。
５Ｂ、２５Ｃは、そのいずれにおいてもたとえばアース
電位に接続される対向電極に接続されることから、第５
静電保護回路２０および第６静電保護回路２１への静電
気侵入に対して他への影響を大幅に低減させることがで
きるようになる。
【００４７】透明基板４側の対向電極（透明電極）をＴ
ＦＴ基板である透明基板１側に引き出すための導電層と
しては、表示領域の四角のそれぞれに前記導電層２５と
ともに導電層２６、導電層２７、導電層２８が形成さ
れ、このうち導電層２６は、導電層２５と同様に、分離
された３つの導電層２６Ａ、２６Ｂ、２６Ｃからなって
いる。
ＦＴ基板である透明基板１側に引き出すための導電層と
しては、表示領域の四角のそれぞれに前記導電層２５と
ともに導電層２６、導電層２７、導電層２８が形成さ
れ、このうち導電層２６は、導電層２５と同様に、分離
された３つの導電層２６Ａ、２６Ｂ、２６Ｃからなって
いる。
【００４８】そして、前記第３静電保護回路１６は、そ
の一端が導電層２５Ｃに他端が導電層２６Ｃに接続さ
れ、第４静電保護回路１７は、その一端が導電層２５Ｂ
に他端が導電層２６Ｂに接続され、さらに、第６静電保
護回路２１は、その一端が導電層２５Ａに他端が導電層
２６Ａに接続されている。
の一端が導電層２５Ｃに他端が導電層２６Ｃに接続さ
れ、第４静電保護回路１７は、その一端が導電層２５Ｂ
に他端が導電層２６Ｂに接続され、さらに、第６静電保
護回路２１は、その一端が導電層２５Ａに他端が導電層
２６Ａに接続されている。
【００４９】これにより、ＴＦＴ基板とフィルタ基板と
の組立てが終了した段階では、第３静電保護回路１６、
第４静電保護回路１７、第５静電保護回路２０、第６静
電保護回路２１がそれぞれ接地されて使用され、静電気
保護に対する信頼性が増大する。
の組立てが終了した段階では、第３静電保護回路１６、
第４静電保護回路１７、第５静電保護回路２０、第６静
電保護回路２１がそれぞれ接地されて使用され、静電気
保護に対する信頼性が増大する。
【００５０】なお、ＴＦＴ基板とフィルタ基板との組立
て前、換言すればＴＦＴ基板のみの状態で扱われる場合
には、互いに接続されて形成される第５静電保護回路２
０および第６静電保護回路２１を除く他の静電保護回路
（第１ないし第４静電保護回路）は電気的にそれぞれ独
立して形成されることになる。
て前、換言すればＴＦＴ基板のみの状態で扱われる場合
には、互いに接続されて形成される第５静電保護回路２
０および第６静電保護回路２１を除く他の静電保護回路
（第１ないし第４静電保護回路）は電気的にそれぞれ独
立して形成されることになる。
【００５１】その理由は、フィルタ基板との組立て前に
おいて、ゲート信号線２およびドレイン信号線３の断線
あるいは短絡の検査が行われるのが通常であり、その際
の検査が支障なくなされるようにするためである。
おいて、ゲート信号線２およびドレイン信号線３の断線
あるいは短絡の検査が行われるのが通常であり、その際
の検査が支障なくなされるようにするためである。
【００５２】図２は、図１のII−II線における断面を示
す図で、フィルタ基板およびバックライトＢＬとともに
示した断面図である。図１に示す部材は図２において同
符号で示している。
す図で、フィルタ基板およびバックライトＢＬとともに
示した断面図である。図１に示す部材は図２において同
符号で示している。
【００５３】フィルタ基板側の透明基板３１の液晶側の
面には、各画素領域を画するようにしてブラックマトリ
ックスＢＭが形成され、このブラックマトリックスＢＭ
の開口部にはカラーフィルタ３２が形成されている。
面には、各画素領域を画するようにしてブラックマトリ
ックスＢＭが形成され、このブラックマトリックスＢＭ
の開口部にはカラーフィルタ３２が形成されている。
【００５４】そして、ブラックマトリックスＢＭおよび
カラーフィルタ３２を被って平坦膜３３が形成され、そ
の上面は透明電極からなる対向電極３４が各画素領域に
共通に形成されている。
カラーフィルタ３２を被って平坦膜３３が形成され、そ
の上面は透明電極からなる対向電極３４が各画素領域に
共通に形成されている。
【００５５】そして、この対向電極３４は導電体３４お
よび導電膜２６を介してＴＦＴ基板側に引き出されるよ
うになっている。
よび導電膜２６を介してＴＦＴ基板側に引き出されるよ
うになっている。
【００５６】なお、同図において、符号３５はシール
剤、３６は配向膜、３７は偏向板である。
剤、３６は配向膜、３７は偏向板である。
【００５７】上述した実施例では、走査駆動回路６およ
び映像信号駆動回路１０が、その入力バンプおよび出力
バンプをＴＦＴ基板上の配線層に接続させて、該ＴＦＴ
基板に搭載されたものを対象としたものである。
び映像信号駆動回路１０が、その入力バンプおよび出力
バンプをＴＦＴ基板上の配線層に接続させて、該ＴＦＴ
基板に搭載されたものを対象としたものである。
【００５８】しかし、これに限定されることなく、走査
駆動回路６および映像信号駆動回路１０が、その出力バ
ンプのみをＴＦＴ基板上の配線層に接続させて、該ＴＦ
Ｔ基板に搭載されたものにも適用できることはいうまで
もない。
駆動回路６および映像信号駆動回路１０が、その出力バ
ンプのみをＴＦＴ基板上の配線層に接続させて、該ＴＦ
Ｔ基板に搭載されたものにも適用できることはいうまで
もない。
【００５９】なお、上述した実施例では、いわゆる縦電
界方式と称される液晶表示装置について説明したもので
ある。しかし、画素電極と対向電極との構成が若干異な
るのでその他の構成はほぼ同様ないわゆる横電界方式と
称される液晶表示装置においても同様な事情があること
から、この横電界方式の液晶表示装置にも適用できるこ
とはいうまでもない。
界方式と称される液晶表示装置について説明したもので
ある。しかし、画素電極と対向電極との構成が若干異な
るのでその他の構成はほぼ同様ないわゆる横電界方式と
称される液晶表示装置においても同様な事情があること
から、この横電界方式の液晶表示装置にも適用できるこ
とはいうまでもない。
【００６０】ここで、横電界方式の液晶表示装置とは、
画素電極と対向電極とがほぼ同一の平面上に形成され、
この平面にほぼ垂直に該各電極の間を透過する光を該各
電極の間に発生する電界による液晶挙動に基づいて制御
するものである。
画素電極と対向電極とがほぼ同一の平面上に形成され、
この平面にほぼ垂直に該各電極の間を透過する光を該各
電極の間に発生する電界による液晶挙動に基づいて制御
するものである。
【００６１】
【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明による液晶表示装置によれば、静電気の侵入に対
して信頼性に優れたものを得ることができるようにな
る。
本発明による液晶表示装置によれば、静電気の侵入に対
して信頼性に優れたものを得ることができるようにな
る。
【図１】本発明による液晶表示装置の一実施例を示す等
価回路図である。
価回路図である。
【図２】図１のII−II線における断面図である。
２…ゲート信号線、３…ドレイン信号線、１４…第１静
電保護用回路（第１の静電保護回路）、１５…第２静電
保護用回路（第１の静電保護回路）、１６…第３静電保
護用回路（第２の静電保護回路）、１７…第４静電保護
用回路（第２の静電保護回路）、２０…第５静電保護用
回路（第３の静電保護回路）、２１…第６静電保護用回
路（第３の静電保護回路）、ＴＦＴ…薄膜トランジス
タ、ＰＩＸ…画素電極、Ｃａｄｄ…容量素子。
電保護用回路（第１の静電保護回路）、１５…第２静電
保護用回路（第１の静電保護回路）、１６…第３静電保
護用回路（第２の静電保護回路）、１７…第４静電保護
用回路（第２の静電保護回路）、２０…第５静電保護用
回路（第３の静電保護回路）、２１…第６静電保護用回
路（第３の静電保護回路）、ＴＦＴ…薄膜トランジス
タ、ＰＩＸ…画素電極、Ｃａｄｄ…容量素子。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 阿武 恒一 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所ディスプレイグループ内 (72)発明者 松田 正昭 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所ディスプレイグループ内 (72)発明者 大河原 洋 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所ディスプレイグループ内 Ｆターム(参考） 2H092 GA13 GA33 GA45 GA64 JA26 JA29 JA38 JA42 JA44 JB11 JB13 JB23 JB32 JB33 JB38 JB51 JB57 JB69 JB79 KA05 KA07 KB14 MA05 MA08 MA14 MA15 MA16 MA18 MA19 MA20 MA22 MA27 MA35 MA37 MA56 NA14 NA25 PA06 QA07 2H093 NA16 NA80 NC34 NC35 NC62 NC81 ND40 ND43 ND52 ND56 NF05 5C006 AA01 AA22 BB16 BC03 BC06 BC12 BF36 FA31 5C080 AA10 BB05 DD12 DD19 FF11 JJ02 JJ06 5C094 AA21 BA03 BA43 BA99 DA09 DA13 EA03 EA04 EA07 FB14 GA10
Claims (4)
- 【請求項１】 基板と、この基板の液晶側の面に一方向
に延在して並設されるゲート信号線とこのゲート信号線
に絶縁されて交差されるドレイン信号線と、 これら信号線によって囲まれる画素領域にゲート信号線
からの走査信号の供給によって駆動される薄膜トランジ
スタとこの薄膜トランジスタを介してドレイン信号線か
らの映像信号が供給される画素電極と、 各画素領域の集合からなる表示領域の外側に各ゲート信
号線とダイオードを介して接続された第１の静電保護回
路と各ドレイン信号線とダイオードを介して接続された
第２の静電保護回路と、 前記基板上にゲート信号線およびドレイン信号線と接続
されて搭載される駆動回路と、 この駆動回路が配置されていない側の基板上に該基板の
辺に沿って形成された第３の静電保護用回路と、を備え
ることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 第３の静電保護用回路は第１の静電保護
用回路および第２の静電保護用回路に隣接されてその外
側に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の
液晶表示装置。 - 【請求項３】 第３の静電保護用回路は導電配線層から
構成されていることを特徴とする請求項１、２のうちい
ずれかに記載の液晶表示装置。 - 【請求項４】 導電配線層は接地されていることを特徴
とする請求項３に記載の液晶表示装置。
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| JP19305799A JP3816270B2 (ja) | 1999-07-07 | 1999-07-07 | 液晶表示装置 |
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-
1999
- 1999-07-07 JP JP19305799A patent/JP3816270B2/ja not_active Expired - Fee Related
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